JP2003306782A - 導電性微粒子及び導電接続構造体 - Google Patents

導電性微粒子及び導電接続構造体

Info

Publication number
JP2003306782A
JP2003306782A JP2002115192A JP2002115192A JP2003306782A JP 2003306782 A JP2003306782 A JP 2003306782A JP 2002115192 A JP2002115192 A JP 2002115192A JP 2002115192 A JP2002115192 A JP 2002115192A JP 2003306782 A JP2003306782 A JP 2003306782A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fine particles
electrically conductive
conductive
base
metal layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002115192A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuhiko Nagai
康彦 永井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sekisui Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sekisui Chemical Co Ltd filed Critical Sekisui Chemical Co Ltd
Priority to JP2002115192A priority Critical patent/JP2003306782A/ja
Publication of JP2003306782A publication Critical patent/JP2003306782A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板・部品間の導電接続に用いる導電接続材
料に用いることのできる導電性微粒子であって、基板接
続部の応力緩和機能を保持しながら、なおかつ金属層と
基材微粒子との密着性に優れ金属層の欠陥等が発生しに
くい導電性微粒子及びそれを用いて接続されてなる導電
接続構造体を提供する。 【解決手段】 基材微粒子と前記基材微粒子の表面に形
成された1層以上の金属層とからなる導電性微粒子であ
って、前記基材微粒子は、ブタジエン骨格成分を5〜6
0重量%含有する樹脂からなる導電性微粒子。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板接続部の応力
緩和機能を保持しながら、なおかつ金属層と基材微粒子
との密着性に優れ金属層の欠陥等が発生しにくい導電性
微粒子及びそれを用いて接続されてなる導電接続構造体
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、電子回路基板において、ICやL
SIの接続は、それぞれの電極をプリント基板上にハン
ダ付けすることによって行っていたが、生産効率が悪
く、また、高密度化には適さないものであった。これを
解決するためにハンダを球状にした、いわゆるハンダボ
ールで基板と接続するBGA(ボールグリッドアレイ)
等の技術が開発された。この技術によれば、チップ又は
基板上に実装されたハンダボールを高温で溶融し基板と
チップとを接続することで高生産性、高接続信頼性を両
立した電子回路を構成することができる。
【0003】しかし、近年、基板の多層化が進み、基板
自体の外環境変化による歪みや伸縮が発生し、結果とし
てその力が基板間の接続部にかかることによる断線が発
生することが問題となっていた。また、多層化によっ
て、基板間の距離がほとんどとれなくなり、これを維持
するために別途スペーサー等を置かなければならず、手
間や費用がかかることが問題となっていた。
【0004】これらを解決する手段として、基板等の回
路にかかる力の緩和については、基板接続部に樹脂等を
塗布して補強することが行われている。しかしながら、
これは接続信頼性の向上には一定の効果を示すものの、
手間がかかり、また塗布工程が増えることにより費用が
増大するという問題があった。また、基板間の距離の維
持については、特開平11−74311号公報に、銅の
周りにハンダをコーティングしたボールを用いる方法が
開示されている。これは、ハンダのように溶融しない銅
が支えとなり、基板間の距離を維持することができると
いうものである。しかしながら、銅は高価であり、ま
た、重量もあることから安価・軽量な材料が求められて
いた。
【0005】これに対して、特開平5−36306号公
報等には、樹脂からなる基材微粒子の表面にメッキによ
り導電性金属層を設けた導電性微粒子が開示されてい
る。しかしながら、従来から汎用に用いられている樹脂
の表面と金属層とは密着性に乏しいことから、基材微粒
子にメッキ等の処理によって金属層を形成する工程中に
金属層の欠陥等が発生してしまうという問題があった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記現状に
鑑み、基板接続部の応力緩和機能を保持しながら、なお
かつ金属層と基材微粒子との密着性に優れ金属層の欠陥
等が発生しにくい導電性微粒子及びそれを用いて接続さ
れてなる導電接続構造体を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明らは、鋭意検討し
た結果、ブタジエン骨格成分、好ましくはブタジエン骨
格成分とニトリル基を有する成分とを有する樹脂からな
る基材微粒子を用いれば、基材微粒子と金属層との密着
性に優れ金属層の欠陥等が発生しにくい導電性微粒子が
得られることを見出し、本発明を完成させるに至った。
本発明は、基材微粒子と前記基材微粒子の表面に形成さ
れた1層以上の金属層とからなる導電性微粒子であっ
て、前記基材微粒子は、ブタジエン骨格成分を5〜60
重量%含有する樹脂からなる導電性微粒子である。以下
に本発明を詳述する。
【0008】本発明の導電性微粒子は、基材微粒子と上
記基材微粒子の表面に形成された1層以上の金属層とか
らなる。上記基材微粒子は、ブタジエン骨格成分を有す
る樹脂からなる。ブタジエン骨格を有する樹脂からなる
ことにより、基材微粒子と金属層との密着性を向上させ
ることができる。
【0009】上記ブタジエン骨格成分を有する樹脂とし
ては特に限定されず、例えば、ブタジエン単量体と他の
単量体とを共重合して得られる樹脂等が挙げられる。た
だし、通常ブタジエン単量体は室温では気体であり、懸
濁重合、乳化重合又はシード重合に用いるには特殊な設
備が必要となるが、ブタジエンが数個重合した反応性の
オリゴマーの状態では室温で液体となり、容易に重合に
利用することができる。かかるブタジエンオリゴマーの
うち市販されているものとしては、例えば、日本曹達社
製のTEA−1000やTEA−2000等が挙げられ
る。
【0010】上記ブタジエン単量体又はブタジエンオリ
ゴマーと共重合する単量体としては特に限定されず、例
えば、スチレン、α−メチルスチレン、p−メチルスチ
レン、p−クロロスチレン、クロロメチルスチレン等の
スチレン誘導体;塩化ビニル、酢酸ビニル、プロピオン
酸ビニル等のビニルエステル類;(メタ)アクリル酸メ
チル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸
ブチル、(メタ)アクリル酸2−エチルヘキシル、(メ
タ)アクリル酸ステアリル、エチレングリコール(メ
タ)アクリレート、トリフルオロエチル(メタ)アクリ
レート、ペンタフルオロプロピル(メタ)アクリレー
ト、シクロヘキシル(メタ)アクリレート等の(メタ)
アクリル酸エステル誘導体等が挙げられる。これら単量
体は単独で用いてもよく、2種以上を併用しても良い。
【0011】また、上記ブタジエン単量体又はブタジエ
ンオリゴマーと共重合する単量体としては、例えば、ジ
ビニルベンゼン、ジビニルビフェニル、ジビニルナフタ
レン、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレー
ト、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレー
ト、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、
トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、テ
トラメチロールメタントリ(メタ)アクリレート、テト
ラメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、ジ
アリルフタレート及びその異性体、トリアリルイソシア
ヌレート及びその誘導体等の架橋性単量体を用いても良
い。これら架橋性単量体は単独で用いてもよく、2種以
上を併用しても良い。
【0012】上記基材微粒子は、ブタジエン骨格成分と
ニトリル基を有する成分とを有する樹脂からなることが
好ましい。更にニトリル基を有する成分を有する樹脂か
らなることにより、基材微粒子と金属層との密着性を更
に向上させることができる。上記ブタジエン骨格成分と
ニトリル基を有する成分とを有する樹脂としては特に限
定されず、例えば、ブタジエン単量体又はブタジエンオ
リゴマーと、アクリロニトリル、メタクリロニトリル等
のニトリル基を含有する単量体と、上述の他の単量体と
を共重合して得られる樹脂等が挙げられる。
【0013】上記ブタジエン骨格成分を有する樹脂にお
いて、ブタジエン骨格成分の占める割合の下限は5重量
%、上限は60重量%である。5重量%未満であると、
基材微粒子と金属層との密着性の改善効果が充分でな
く、60重量%を超えると、導電接続に使用する際の耐
熱性等が充分ではない。好ましい下限は10重量%、上
限は40重量%である。
【0014】また、上記ブタジエン骨格成分とニトリル
基を有する成分とを有する樹脂において、ニトリル基を
有する成分の占める割合の好ましい下限は5重量%、上
限は50重量%である。5重量%未満であると、基材微
粒子と金属層との密着性の改善効果が充分でないことが
あり、50重量%を超えると、導電接続に使用する際の
耐熱性等が充分ではないことがある。より好ましい下限
は10重量%、上限は40重量%である。
【0015】上記基材微粒子の製造方法としては特に限
定されず、例えば、懸濁重合、シード重合、乳化重合等
の一般的な重合方法が挙げられる。これら重合方法は一
般に水中にて行われるため、重合した基材微粒子は吸湿
した状態となる。この水分を除去するには、加熱下にて
真空乾燥することが好ましい。上記乾燥の条件は基材微
粒子の組成により適宜選ばれるが、乾燥温度の好ましい
下限は80℃、上限は90℃、乾燥時間の好ましい下限
は6時間、上限は24時間である。
【0016】また、得られた基材微粒子の粒子径を均一
にするために、分級を行ってもよい。上記分級を行う方
法としては特に限定されず、例えば、乾式気流法、媒体
中での比重差を用いた湿式法、ふるいを用いる方法等が
挙げられる。
【0017】上記金属層としては特に限定されないが、
例えば、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミ
ニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チ
タン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム、カドミウ
ム、珪素等からなるものが挙げられる。これらの金属
は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されても
よい。
【0018】上記金属層は、1層からなるものであって
もよく、多層からなるものであってもよい。上記金属層
が多層からなる場合には、層ごとに異なる金属からなる
ものであってもよい。例えば、基材微粒子上に、ニッケ
ル層を設け、更にその上に銅層やスズ層を設けるといっ
た構成が挙げられる。
【0019】上記金属層の厚みは特に限定されないが、
導電接続や基板接合という用途を考えた場合には、好ま
しい下限は0.01μm、上限は500μmである。
0.01μm未満であると、充分な導電性が得られない
ことがあり、500μmを超えると、導電性微粒子同士
の合着が起こったり、基板間の距離維持や基板等の回路
にかかる力を緩和する機能が乏しくなったりすることが
ある。
【0020】上記金属層を形成する方法としては特に限
定されず、例えば、上記基材微粒子表面に無電解メッキ
等により形成する方法等が挙げられる。
【0021】本発明の導電性微粒子は、コアとなる基材
微粒子がブタジエン骨格成分と、好ましくはニトリル基
を有する成分とを有する樹脂からなることにより、基材
微粒子と金属層との密着性に優れるものであり、メッキ
工程中に金属層の欠陥等が起こりにくい。また、柔軟性
の高い樹脂をコアとすることから、電気回路の2つ以上
の電極を接続する際に、回路中にかかる力を緩和して接
続信頼性を向上することができる。
【0022】本発明の導電性微粒子は、例えば、マイク
ロ素子実装用の導電接着剤、異方性導電接着剤、異方性
導電シート等の導電材料として、基板・部品間の導電接
続に用いられる。本発明の導電性微粒子により接続され
てなる導電接続構造体もまた、本発明の1つである。
【0023】
【実施例】以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説
明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるもの
ではない。
【0024】(実施例1)ジビニルベンゼン350g、
アクリル変性ブタジエンオリゴマー(日本曹達社製、T
EA−1000)150gを室温にて撹拌して充分均一
に混合した。これらの単量体混合物に重合開始剤として
パーブチル0(日本油脂社製)を20g加えて、さらに
均一に撹拌した。この混合物を、ポリビニルアルコール
を溶解した水4000g中に投入し、撹拌羽根の撹拌に
よって懸濁状態とした。この懸濁液を85℃に昇温し、
10時間反応させて樹脂粒子を得た。この粒子に分級処
理を行い、平均粒子径750μmの基材微粒子を得た。
【0025】得られた基材微粒子に導電下地層としてニ
ッケルメッキ層を形成し、更にニッケルメッキが形成さ
れた微粒子を、バレルメッキ装置を用いて銅メッキ液中
で1時間通電し、断面が正六角形の容器を正六角形の中
心同士を通る軸を中心に50rpmで回転させ、銅メッ
キを行い、導電性微粒子を得た。得られた導電性微粒子
の断面を観察したところ、銅メッキ層の厚みは3.0μ
mであった。また、得られた導電性微粒子1万個を顕微
鏡にて観察し、直径30μm以上にわたるメッキ層の欠
陥が存在するものを計数し、メッキ層欠陥発生率(%)
を求めた。また、メッキ前の基材微粒子についてSEI
KO電子工業社製「TGA」を用いて、窒素雰囲気下で
の10wt%熱分解温度を測定した。これらの結果を表
1に示した。
【0026】(実施例2)ジビニルベンゼンを350g
から300gに、アクリル変性ブタジエンオリゴマー
(TEA−1000)を150gから100gにし、更
にアクリロニトリル100gを撹拌して充分均一に混合
して単量体混合物を作製した以外は、実施例1と同様に
して基材微粒子及び導電性微粒子を作製し、メッキ層欠
陥発生率(%)及び熱分解温度を測定した。結果を表1
に示した。
【0027】(実施例3)ジビニルベンゼンを350g
から250gに、アクリル変性ブタジエンオリゴマー
(TEA−1000)を150gから200gにし、更
にアクリロニトリル50gを撹拌して充分均一に混合し
て単量体混合物を作製した以外は、実施例1と同様にし
て基材微粒子及び導電性微粒子を作製し、メッキ層欠陥
発生率(%)及び熱分解温度を測定した。結果を表1に
示した。
【0028】(比較例1)ジビニルベンゼンを350g
から100gに、アクリル変性ブタジエンオリゴマー
(TEA−1000)を150gから350gにし、更
にアクリロニトリル50gを撹拌して充分均一に混合し
て単量体混合物を作製した以外は、実施例1と同様にし
て基材微粒子及び導電性微粒子を作製し、メッキ層欠陥
発生率(%)及び熱分解温度を測定した。結果を表1に
示した。
【0029】(比較例2)ジビニルベンゼンを350g
から490gに、アクリル変性ブタジエンオリゴマー
(TEA−1000)を150gから10gにして単量
体混合物を作製した以外は、実施例1と同様にして基材
微粒子及び導電性微粒子を作製し、メッキ層欠陥発生率
(%)及び熱分解温度を測定した。結果を表1に示し
た。
【0030】(比較例3)ジビニルベンゼンを350g
から480gに、アクリル変性ブタジエンオリゴマー
(TEA−1000)を150gから10gにし、更に
アクリロニトリル10gを撹拌して充分均一に混合して
単量体混合物を作製した以外は、実施例1と同様にして
基材微粒子及び導電性微粒子を作製し、メッキ層欠陥発
生率(%)及び熱分解温度を測定した。結果を表1に示
した。
【0031】(比較例4)ジビニルベンゼンを350g
から500gにし、アクリル変性ブタジエンオリゴマー
を用いなかった以外は、実施例1と同様にして基材微粒
子及び導電性微粒子を作製し、メッキ層欠陥発生率
(%)及び熱分解温度を測定した。結果を表1に示し
た。
【0032】
【表1】
【0033】
【発明の効果】本発明によれば、基板接続部の応力緩和
機能を保持しながら、なおかつ金属層と基材微粒子との
密着性に優れ金属層の欠陥等が発生しにくい導電性微粒
子及びそれを用いて接続されてなる導電接続構造体を提
供できる。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基材微粒子と前記基材微粒子の表面に形
    成された1層以上の金属層とからなる導電性微粒子であ
    って、前記基材微粒子は、ブタジエン骨格成分を5〜6
    0重量%含有する樹脂からなることを特徴とする導電性
    微粒子。
  2. 【請求項2】 基材微粒子と前記基材微粒子の表面に形
    成された1層以上の金属層とからなる導電性微粒子であ
    って、前記基材微粒子は、ブタジエン骨格成分5〜60
    重量%及びニトリル基を有する成分5〜50重量%を含
    有する樹脂からなることを特徴とする導電性微粒子。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2記載の導電性微粒子によ
    り接続されてなることを特徴とする導電接続構造体。
JP2002115192A 2002-04-17 2002-04-17 導電性微粒子及び導電接続構造体 Pending JP2003306782A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002115192A JP2003306782A (ja) 2002-04-17 2002-04-17 導電性微粒子及び導電接続構造体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002115192A JP2003306782A (ja) 2002-04-17 2002-04-17 導電性微粒子及び導電接続構造体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003306782A true JP2003306782A (ja) 2003-10-31

Family

ID=29396648

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002115192A Pending JP2003306782A (ja) 2002-04-17 2002-04-17 導電性微粒子及び導電接続構造体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003306782A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008222785A (ja) * 2007-03-09 2008-09-25 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 異方導電性接着フィルム
JP2008222786A (ja) * 2007-03-09 2008-09-25 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 回路接続用異方導電性接着フィルム

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008222785A (ja) * 2007-03-09 2008-09-25 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 異方導電性接着フィルム
JP2008222786A (ja) * 2007-03-09 2008-09-25 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 回路接続用異方導電性接着フィルム

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4387175B2 (ja) 被覆導電性粒子、異方性導電材料及び導電接続構造体
JP5368760B2 (ja) 絶縁被覆導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体
JP4686120B2 (ja) 被覆導電粒子、異方性導電材料及び導電接続構造体
KR20130122730A (ko) 도전성 입자, 이방성 도전 재료 및 접속 구조체
TW201841170A (zh) 導電性粒子、導電材料及連接構造體
JPH08319467A (ja) 導電性粒子および異方導電性接着剤
JP2010033911A (ja) 導電性粒子及び導電材料
JP5821551B2 (ja) 導電粒子、異方導電材料及び導電接続構造体
JP2001216841A (ja) 導電性微粒子及び導電接続構造体
JP5856379B2 (ja) 導電性微粒子及びそれを用いた異方性導電材料
JP2003306782A (ja) 導電性微粒子及び導電接続構造体
JP5583714B2 (ja) 導電性微粒子及びそれを用いた異方性導電材料
JP4068980B2 (ja) 導電性微粒子、導電性微粒子の製造方法及び導電接続構造体
JP5821552B2 (ja) 撥水性導電粒子、異方導電材料及び導電接続構造体
JP2010253507A (ja) 導電性微粒子、異方性導電材料、及び、接続構造体
TW202116910A (zh) 樹脂粒子、導電性粒子、導電材料及連接構造體
JP5421667B2 (ja) 導電性微粒子、異方性導電材料及び接続構造体
JP2003257251A (ja) 導電性微粒子
JP2004265831A (ja) 導電性微粒子、導電性微粒子の製造方法および導電接続構造体
JP2003257235A (ja) 導電性微粒子
JP2000198880A (ja) 微粒子の被覆方法、被覆微粒子、異方性導電接着剤及び導電接続構造体
JP2003247083A (ja) フラックス付き導電性微粒子及び導電接続構造体
JP2001216840A (ja) 導電性微粒子及び導電接続構造体
JP7132274B2 (ja) 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
JP2011070943A (ja) 導電性微粒子、異方性導電材料、及び、接続構造体