JP2003303662A

JP2003303662A - セラミックヒータ

Info

Publication number: JP2003303662A
Application number: JP2003045724A
Authority: JP
Inventors: Yasuji Hiramatsu; 靖二平松; Yasutaka Ito; 康隆伊藤; Masakazu Furukawa; 正和古川
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1999-08-11
Filing date: 2003-02-24
Publication date: 2003-10-24

Abstract

(57)【要約】【課題】主に半導体産業におけるシリコンウエハ等の
乾燥用、スパッタリング用等の用途に好適に使用でき、
温度制御性及び加熱面の温度均一性に優れるセラミック
ヒータの提供。【解決手段】セラミック板の表面または内部に発熱体
を形成し、被加熱物を加熱する加熱面の反対側から加熱
面に向けて有底孔を設けると共に、この有底孔に測温素
子を設け、耐熱性樹脂又はセラミックを充填してセラミ
ックヒータを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、各種物体の加熱に
使用可能なセラミックヒータに関する。詳しくは、主に
半導体産業におけるシリコンウエハ等の乾燥用、スパッ
タリング用等の用途に好適に使用できるセラミックヒー
タであって、特に温度制御しやすく、加熱面の温度均一
性に優れるセラミックヒータに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体製品は、シリコンウエハ上に感光
性樹脂をエッチングレジストとして形成し、シリコンウ
エハのエッチングを行う工程を含む数段階の工程を経て
製造される。この感光性樹脂は液状であり、スピンコー
ターなどを用いてシリコンウエハ表面に塗布されるが、
塗布後は乾燥させなければならず、その際には塗布した
シリコンウエハをヒータ上に載置して加熱することにな
る。また、シリコンウエハ表面にスパッタリングなどで
導体回路を形成する場合があり、この場合にはシリコン
ウエハを２００℃以上の高温に加熱する必要があった。
従来、このような用途に使用されるヒータは、金属製の
ヒータであり、それには例えばアルミニウム板の裏面に
発熱体を配置したものが採用されている。

【０００３】ところが、このような金属製のヒータは、
以下のような問題があった。まず、金属製であるため、
ヒータ板の厚みは、１５ｍｍ程度と厚くしなければなら
ない。その理由は、薄い金属板では、加熱に起因する熱
膨張により、反り、歪みが発生してしまい、金属板上に
載置したシリコンウエハが破損、変形あるいは傾斜した
りしてしまうからである。しかしながら、ヒータ板の厚
みを厚くすると、ヒータの重量が重くなり、またかさば
ってしまう。

【０００４】さらに、加熱時には、発熱体に印加する電
圧や電流量を変えることにより、加熱温度を制御するの
であるが、金属板が厚いために、電圧や電流量の変化に
対してヒータ板の温度が迅速に追従せず、温度制御しに
くいという問題もあった。そのため特公平８−８２４７
号公報などで提案されているように、発熱体を具備する
窒化物セラミックを使用し、発熱体近傍の温度を測定し
ながら、温度制御する技術が提案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明者も、この技術
を採用してシリコンウエハを加熱しようとしたが、その
際、ヒータ表面に温度分布が発生してしまうという問題
が発生した。そこで、本発明者らは、シリコンウエハ破
損の原因について鋭意研究した結果、温度制御を行って
いるにもかかわらず温度分布が発生する理由は、熱電対
の応答性が充分ではないためであることを解明した。

【０００６】本発明者らは、この問題の解消について更
に研究を進めた結果、熱電対の応答性が充分ではない理
由は、熱電対を金ろうなどの金属を介してセラミック板
に接合させているため、熱容量が大きくなり、温度が正
確に電流値に変換されないためであることを知見した。
そこで、金属ではなく、絶縁材、具体的には樹脂あるい
はセラミックを充填して固化させることにより熱電対を
ヒータ板のセラミックに接合させたところ、このような
問題が解消できることを知見した。

【０００７】

【課題を解決するための手段】したがって、本発明は、
先の知見に基づいて完成されたものであって、熱電対の
応答性に優れ、温度分布が発生しにくいセラミックヒー
タを提供するものである。その本発明のセラミックヒー
タは、セラミック板の表面または内部に発熱体を形成し
てなるセラミックヒータにおいて、被加熱物を載置する
加熱面の反対側から加熱面に向けて有底孔を設けると共
に、この有底孔に測温素子を設け、絶縁材を充填したこ
とを特徴とするものである。

【０００８】本発明セラミックヒータにおける絶縁材は
セラミック又は耐熱性樹脂から選ばれることが望まし
い。断熱性に優れ、測温素子が外界の温度変化の影響を
受けないようにするためである。本発明のセラミックヒ
ータは、前記した手段を採用することにより、正確な被
加熱物の温度の測定が可能となり、この温度の測定結果
に基づいて発熱体の発熱状態を的確に調整することがで
き、シリコンウエハ等の各種の被加熱物全体を均一に加
熱することができる。すなわち、本発明のセラミックヒ
ータでは、測温素子が直接セラミック板に接触し、耐熱
性樹脂またはセラミック等の絶縁材で固定されているた
め、余分な熱容量が存在せず、温度変化を正確に電流に
変換でき、その結果として正確な温度測定が可能とな
り、この温度の測定結果に基づいて発熱体の発熱状態を
調整することにより、被加熱物を均一に加熱することが
可能となる。

【０００９】また、発熱体を保持する窒化物セラミック
や炭化物セラミックは、熱膨張係数が金属よりも小さ
く、機械的な強度が金属に比べて格段に高いため、セラ
ミック板（以下、ヒータ板という）の厚さを薄くして
も、加熱により反ったり、歪んだりしない。そのため、
ヒータ板を薄くて軽いものとすることができる。さら
に、ヒータ板の熱伝導率が高く、ヒータ板自体が薄いた
め、ヒータ板の表面温度が、発熱体の温度変化に迅速に
追従する。即ち、電圧、電流値を変えて発熱体の温度を
変化させることにより、ヒータ板の表面温度を的確に制
御することができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明のセラミックヒータは、前
記したとおりセラミック板の表面または内部に発熱体を
形成してなるセラミックヒータにおいて、被加熱物を載
置する加熱面の反対側から加熱面に向けて有底孔を設け
ると共に、この有底孔に測温素子を設け、耐熱性樹脂ま
たはセラミックを充填したことを特徴とするものであ
る。その概要を図１を使用してまず説明する。

【００１１】図１は、本発明のセラミックヒータの１例
を模式的に示す図面であり、セラミックヒータ全体を底
面側から見た図である。図１において、ヒータ板１１は
円板状に形成されており、発熱体１２は、ヒータ板１１
の加熱面（図示した底面の反対側の面）の全体の温度が
均一になるように加熱する必要があるため、ヒータ板１
１の底面に同心円状のパターンに形成されている。

【００１２】そして、これら発熱体１２は、互いに近接
する二本の同心円同士のヒータを１組として、１本の線
になるように接続されており、その両端に入出力の端子
となる端子ピン１３が接続されている。また、中央に近
い部分には、シリコンウエハ等の各種の被加熱物を加熱
面上に保持するために支持ピン（図示せず）を挿入する
ための貫通孔１５が形成され、さらに、測温素子を挿入
するための有底孔１４ａ〜１４ｉが形成されている。

【００１３】このセラミックヒータ１０におけるヒータ
板１１の厚さについては、０．５〜５ｍｍが好ましい。
０．５ｍｍより薄いと、強度が低下するため破損しやす
くなり、一方、５ｍｍより厚くなると、熱が伝搬しにく
くなり、加熱の効率が悪くなる。また、その素材につい
ては、熱伝導性のよい各種セラミックが使用可能である
が、窒化物セラミックまたは炭化物セラミックが望まし
い。

【００１４】前記窒化物セラミックとしては、例えば、
窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタ
ン等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２
種以上を併用してもよい。また、炭化物セラミックとし
ては、例えば、炭化ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化チ
タン、炭化タンタル、炭化タングステン等が挙げられ
る。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用し
てもよい。これらのなかでは、窒化アルミニウムが最も
好ましい。その理由は、熱伝導率が１８０Ｗ／ｍ・Ｋと
最も高く、温度追従性に優れるものであるからである。
その結果、温度分布の不均一を招きやすいことはあるも
のの、測温素子について本発明の配置・形成構造をとる
ことより、その問題も回避できるからである。また、酸
化物セラミックを使用することもできる。酸化物セラミ
ックとしては、アルミナ、シリカ、ジルコニア、コージ
ェライトなどを使用できる。

【００１５】本発明のセラミックヒータ１０における有
底孔１４ａ〜１４ｉは、図２（ｂ）に図示するように形
成されるものであるが、その底と加熱面との距離Ｌ（同
図参照）は、０．１ｍｍ〜セラミック板の厚さの１／２
であることが望ましい。それは、有底孔１４ａ〜１４ｉ
の底と加熱面との距離が０．１ｍｍ未満では蓄熱しない
ので温度が低下しシリコンウエハ等の被加熱物加熱面に
温度分布が形成され、厚さの１／２を超えると、発熱体
の温度の影響を受けやすくなり、温度制御できなくな
り、やはり加熱面に温度分布が形成されてしまうからで
ある。

【００１６】前記有底孔１４ａ〜１４ｉの直径は、０．
３ｍｍ〜５ｍｍであることが望ましい。それは、大きす
ぎると放熱性が大きくなり、また小さすぎると加工性が
低下して加熱面との距離を均等にすることができなくな
るからである。また、その配置は、図１に示したように
ヒータ板１１の中心に対して対称で、かつ、十字を形成
するように配列することが望ましい。それは、加熱面全
体の温度を測定することができるからである。

【００１７】前記有底孔には、測温素子を挿入し、その
底部でセラミック板に接触させ耐熱性樹脂等で固定し
て、測温素子はセラミック板と接合する。その測温素子
としては、例えば、熱電対、白金測温抵抗体、サーミス
タ等が挙げられる。また、上記熱電対としては、例え
ば、ＪＩＳ−Ｃ−１６０２（１９８０）に挙げられるよ
うに、Ｋ型、Ｒ型、Ｂ型、Ｓ型、Ｅ型、Ｊ型、Ｔ型熱電
対等が挙げられるが、これらのなかでは、Ｋ型熱電対が
好ましい。熱電対とセラミック板との接合部の大きさに
ついては、素線の径よりも大きく、０.５ｍｍ以下であ
ることが望ましい。それは、接合部が大きい場合には、
熱容量が大きくなって応答性が低下してしまうからであ
る。なお、素線の径より小さくすることは困難である。

【００１８】前記測温素子を、有底孔１４ａ〜１４ｉに
挿入した後は、前記したとおり耐熱性樹脂あるいはセラ
ミックで封止することになるが、その際に両者を併用し
てもよい。前記耐熱性樹脂としては、例えば熱硬化性樹
脂、特にはエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイ
ミド−トリアジン樹脂、シリコン樹脂などが挙げられ
る。これらの樹脂は、単独で用いてもよく、２種以上を
併用してもよい。また、セラミックとしては、アルミナ
ゾル、シリカゾル等を使用することができ、これらのセ
ラミックゾルを乾燥させてゲル化することにより測温素
子を固定する。

【００１９】前記セラミックヒータにおける発熱体の設
置位置については、図１に図示するようにヒータ板の一
主面の表面又はヒータ板の内部のいずれであってもよ
い。前者の場合には、図３に図示するように対向する表
面をシリコンウエハなどの被加熱物を加熱する加熱面と
するのがよく、後者の場合には、図２のように板状体の
厚さ方向に中心より偏芯させて配置し、発熱体から遠い
方の面を加熱面とすることが望ましい。本発明では、発
熱体の設置位置をこのように設定することにより、発熱
体から発生した熱が伝搬していくうちに、ヒータ板全体
に拡散し、被加熱物（例えばシリコンウエハ）を加熱す
る面の温度分布が均一化され、その結果、被加熱物の各
部分における温度が均一化される。なお、被加熱物は、
セラミック板に載置してもよく、セラミック板から離間
して保持しながら加熱してもよい。離間する場合は５〜
５０００μｍが望ましく、５０〜５００μｍの距離が好
適である。

【００２０】セラミックヒータの設置位置について更に
言及すると、本発明の発熱体１２を図２のようにヒータ
板１１の内部に偏芯して形成する場合については、その
位置は、ヒータ板１１の加熱面に対向する面（底面）に
近い位置で、加熱面から底面までの距離に対して５０％
を超え、９９％までの位置とすることが望ましい。それ
は５０％以下であると、加熱面に近すぎるため、温度に
不均一な分布が発生してしまい、逆に、９９％を超える
と、ヒータ板１１自体に反りが発生して、シリコンウエ
ハ等の被加熱物が破損するからである。

【００２１】さらに、発熱体１２をヒータ板１１の内部
に形成する場合については、発熱体を形成する層を一層
とするのではなく、複数の層に分けて形成してもよい。
その場合は、各層のパターンは、加熱面に直交する方向
でみて、相互に補完するようにどこかの層に発熱体１２
が形成され、加熱面の上方から見ると、すべての領域に
も発熱体のパターンが存在するように形成されている状
態が望ましい。このような構造としては、例えば、互い
に千鳥の配置になっている構造が挙げられる。

【００２２】前記発熱体１２の配置パターン（形状）に
ついては、図１に示した同心円のほかに、例えば、渦巻
き、偏心円、屈曲線などが挙げられるが、同心円状の配
置が好ましい。同心円状パターンの場合には、図１に示
したように少なくとも２以上の回路に分割されているこ
とが望ましく、２〜１０の回路に分割されていることが
より望ましい。回路を分割することにより、各回路に投
入する電力を制御して発熱量を変えることができ、シリ
コンウエハ等の加熱面の温度を調整することができるか
らである。

【００２３】発熱体の断面形状については、特に制限さ
れるわけではなく、断面が矩形であっても楕円であって
もよいが、図２及び３に図示するように偏平であること
が望ましい。それは偏平の方が加熱面に向かって放熱し
やすいため、加熱面の温度分布ができにくいからであ
る。その際の断面のアスペクト比（発熱体の幅／発熱体
の厚さ）については、１０〜５０００であることが望ま
しい。それは、この範囲に調整することにより、発熱体
１２の抵抗値を大きくすることができると共に加熱面の
温度の均一性を確保することができるからである。

【００２４】その理由は、発熱体１２の厚さを一定とし
た場合、アスペクト比が上記範囲より小さいと、ヒータ
板１１のウエハ加熱面方向への熱の伝搬量が小さくな
り、発熱体１２のパターンに近似した熱分布が加熱面に
発生してしまい、逆にアスペクト比が大きすぎると発熱
体１２の中央の直上部分が高温となってしまい、結局、
発熱体１２のパターンに近似した熱分布が加熱面に発生
してしまう。従って、温度分布を考慮すると、断面のア
スペクト比は、１０〜５０００であることが好ましいの
である。

【００２５】その際、発熱体１２をヒータ板１１の表面
に形成する場合には、アスペクト比を１０〜２００、ま
た発熱体１２をヒータ板１１の内部に形成する場合に
は、アスペクト比を２００〜５０００とすることが望ま
しい。以上のとおりであるから、発熱体１２は、ヒータ
板１１の内部に形成した場合の方が、アスペクト比が大
きくなるが、それは、発熱体１２を内部に設けると、加
熱面と発熱体１２との距離が短くなり、表面の温度均一
性が低下するため、発熱体１２自体を偏平にする必要が
あるからである。

【００２６】発熱体１２の具体的厚さについては、図１
に示したように、ヒータ板１１の表面に発熱体１２を形
成する場合には、１〜３０μｍが好ましく、１〜１０μ
ｍがより好ましい。また、ヒータ板１１の内部に発熱体
を形成する場合には、１〜５０μｍが好ましい。さら
に、発熱体１２の幅については、ヒータ板１１の表面に
発熱体１２を形成する場合には、その幅は、０．１〜２
０ｍｍが好ましく、０．１〜５ｍｍがより好ましい。発
熱体をヒータ板１１の内部に形成する場合には、その厚
みは、５〜２０μｍが好ましい。

【００２７】発熱体１２は、その幅や厚さにより抵抗値
が変化し、加熱能力に変化を持たせることができるが、
発熱体を内部に形成した場合も表面に形成した場合も、
それぞれ上記した範囲が最も実用的である。なお、抵抗
値は、薄く、また、細くなる程大きくなる。発熱体１２
は、ヒータ板１１の内部に形成した場合の方が、表面に
形成した場合に比し、前記したとおり厚み、幅とも大き
くなる。

【００２８】それは、発熱体１２をセラミック板内部に
設けると、加熱面と発熱体との距離が短くなり、表面の
温度の均一性が低下するため、発熱体１２自体の幅を広
げる必要があること、内部に発熱体を設けるために、窒
化物セラミック等との密着性を考慮する必要性がないた
め、タングステン、モリブデンなどの高融点金属やタン
グステン、モリブデンなどの炭化物を使用することがで
き、抵抗値を高くすることが可能となるため、断線等を
防止する目的で厚み自体を厚くしてもよい。そのため、
発熱体１２は、上記した厚みや幅とすることが望まし
い。

【００２９】本発明におけるヒータ板１１の表面への発
熱体１２の形成は、金属粒子を含む導電ペーストをヒー
タ板１１の表面に塗布して所定パターンの導体ペースト
層を形成し、その後、これを焼き付けヒータ板１１の表
面で金属粒子を焼結させる方法が好ましい。なお、金属
の焼結は、金属粒子同士および金属粒子とセラミックと
が融着していれば充分である。その際の導電ペーストと
しては特に限定されないが、導電性を確保するための金
属粒子または導電性セラミックが含有されているほか、
樹脂、溶剤、増粘剤、金属酸化物などを含むものが好ま
しい。

【００３０】前記金属粒子としては、例えば、貴金属
（金、銀、白金、パラジウム）、鉛、タングステン、モ
リブデン、ニッケルなどが好ましい。これらは、単独で
用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの金
属は、比較的酸化しにくく、発熱するのに必要な充分な
抵抗値を有するからである。また前記導電性セラミック
としては、例えば、タングステン、モリブデンの炭化物
などが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２
種以上を併用してもよい。

【００３１】それら金属粒子又は導電性セラミック粒子
の粒径は、０．１〜１００μｍが好ましい。それは、
０．１μｍ未満と微細すぎると酸化されやすく、逆に、
１００μｍを超えると焼結しにくくなり抵抗値が大きく
なるからである。上記金属粒子の形状は、球状であって
もリン片状であってもよい。これらの金属粒子を用いる
場合、上記球状物と上記リン片状物との混合物であって
よい。上記金属粒子がリン片状物、又は球状物とリン片
状物との混合物の場合は、金属粒子間に配合された金属
酸化物を保持しやすくなり、発熱体１２と窒化物セラミ
ック等との密着性を確実にし、かつ、抵抗値を大きくす
ることができるため有利である。

【００３２】導電ペーストに使用される樹脂としては、
例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などが挙げられ
る。また、溶剤としては、例えば、イソプロピルアルコ
ールなどが挙げられる。増粘剤としては、セルロースな
どが挙げられる。導電ペーストには、上記したように、
金属粒子に金属酸化物を添加し、発熱体１２を金属粒子
および金属酸化物を焼結させたものとすることが望まし
い。このように、金属酸化物を金属粒子とともに焼結さ
せることにより、ヒータ板である窒化物セラミックまた
は炭化物セラミックと金属粒子とを密着させることがで
きる。

【００３３】前記したように金属酸化物を混合すること
により生ずる金属粒子と窒化物セラミック又は炭化物セ
ラミックとの密着性が改善される技術的理由について
は、明確ではないが、金属粒子表面、窒化物セラミック
及び炭化物セラミックの表面は、わずかに酸化されて酸
化膜が形成されており、この酸化膜同士が金属酸化物を
介して焼結して一体化し、金属粒子と窒化物セラミック
又は炭化物セラミックとが密着するのではないかと考え
られる。

【００３４】前記金属酸化物としては、例えば、酸化
鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素（Ｂ₂Ｏ₃）、アルミ
ナ、イットリアおよびチタニアからなる群から選ばれる
少なくとも１種が好ましい。それは、これらの酸化物が
発熱体の抵抗値を大きくすることなく、金属粒子と窒化
物セラミックまたは炭化物セラミックとの密着性を改善
することができるからである。

【００３５】上記酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ
素（Ｂ₂Ｏ₃）、アルミナ、イットリア、チタニア等の各
酸化物相互の配合割合については、金属酸化物の全量を
１００重量部とした場合に、重量比で、酸化鉛が１〜１
０、シリカが１〜３０、酸化ホウ素が５〜５０、酸化亜
鉛が２０〜７０、アルミナが１〜１０、イットリアが１
〜５０、チタニアが１〜５０であって、その合計が１０
０重量部を超えない範囲で調整されていることが望まし
い。これらの範囲で、これらの酸化物の量を調整するこ
とにより、特に窒化物セラミックとの密着性を改善する
ことができる。

【００３６】上記金属酸化物の金属粒子に対する添加量
は、０．１重量％以上１０重量％未満が好ましい。ま
た、このような構成の導電ペーストを使用して発熱体１
２を形成した際の面積抵抗率は、１〜４５ｍΩ／□が好
ましい。面積抵抗率が４５ｍΩ／□を超えると、印加電
圧量に対して発熱量は大きくなりすぎて、ヒータ板の表
面に発熱体１２を設けたヒータ板１１では、その発熱量
を制御しにくいからである。なお、金属酸化物の添加量
が１０重量％以上であると、面積抵抗率が５０ｍΩ／□
を超えてしまい、発熱量が大きくなりすぎて温度制御が
難しくなり、温度分布の均一性が低下する。

【００３７】発熱体１２をヒータ板１１の表面に形成す
る場合には、発熱体１２の表面部分に金属被覆層（図３
参照）２４を形成することが望ましい。それは内部の金
属焼結体が酸化されて抵抗値が変化するのを防止するこ
とができるためである。その際に形成する金属被覆層の
厚さは、０．１〜１０μｍが好ましい。金属被覆層を形
成する際に使用される金属は、非酸化性の金属であれば
特に限定されないが、具体的には、例えば、金、銀、パ
ラジウム、白金、ニッケルなどが挙げられる。これら
は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

【００３８】これらのなかでは、ニッケルが好ましい
が、それは、発熱体１２には、電源と接続するための端
子が必要であり、この端子は、半田を介して発熱体１２
に取り付けるが、ニッケルは、半田の熱拡散を防止する
からである。接続端子としては、例えば、コバール製の
端子ピン１３が挙げられる。

【００３９】また、発熱体１２をヒータ板１１の内部に
形成する場合には、発熱体表面が酸化されることがない
ため、被覆は不要である。発熱体１２をヒータ板１１内
部に形成する場合、発熱体の一部が表面に露出していて
もよく、発熱体を接続するためのスルーホールが接続端
子部分に設けられ、このスルーホールに接続端子が接
続、固定されていてもよい。その際の接続端子を接続す
るための半田としては、銀−鉛、鉛−スズ、ビスマス−
スズなどの合金を使用することができる。なお、半田層
の厚さは、０．１〜５０μｍが好ましい。半田による接
続を確保するのに充分な範囲だからである。

【００４０】次いで、本発明のセラミックヒータ、特に
ヒータ板の底面に発熱体を形成したセラミックヒータ
（すなわち図１に図示された構造のセラミックヒータ）
の製造方法について、図１に基づいて説明する。 (1) ヒータ板の作製工程前記した窒化アルミニウムなどの窒化物セラミック又は
炭化物セラミックの粉末に必要に応じてイットリア等の
焼結助剤やバインダ等を配合してスラリーを調製した
後、このスラリーをスプレードライ等の方法で顆粒状に
し、この顆粒を金型などに入れて加圧することにより板
状などに成形し、生成形体（グリーン）を作製する。そ
れに続いて、生成形体に、必要に応じてシリコンウエハ
を支持するための支持ピンを挿入する貫通孔１５となる
部分や熱電対などの測温素子を埋め込むための有底孔１
４ａ〜１４ｉとなる部分をドリル加工等により形成す
る。

【００４１】次に、この生成形体を加熱、焼成して焼結
させ、セラミック製の板状体を製造する。この後、所定
の形状に加工することにより、ヒータ板１１を作製する
が、焼成後にそのまま使用することができる形状として
もよい。加圧しながら加熱、焼成を行うことにより、気
孔のないヒータ板１１を製造することが可能となる。加
熱、焼成は、焼結温度以上であればよいが、具体的には
窒化物セラミックまたは炭化物セラミックでは、１００
０〜２５００℃である。

【００４２】(2) ヒータ板に導電ペーストを印刷する工
程導電ペーストは、前記したとおり、一般に金属粒子、樹
脂、溶剤からなる粘度の高い流動物である。この導電ペ
ーストをスクリーン印刷などを用い、発熱体を設けよう
とする部分に印刷を行うことにより、導体ペースト層を
形成する。発熱体は、ヒータ板全体を均一な温度にする
必要があることから、図１に示すような同心円からなる
パターンに印刷することが望ましい。導体ペースト層
は、焼成後の発熱体１２の断面が、方形で、偏平な形状
となるように形成することが望ましい。

【００４３】(3) 導体ペースト層の焼成ヒータ板１１の底面に印刷した導体ペースト層を加熱焼
成して、樹脂、溶剤を除去するとともに、金属粒子を焼
結させ、ヒータ板１１の底面に焼き付け、発熱体１２を
形成する。加熱焼成の温度は、５００〜１０００℃が好
ましい。導電ペースト中に上述した金属酸化物を添加し
ておくと、金属粒子、ヒータ板および金属酸化物が焼結
して一体化するため、発熱体とヒータ板との密着性が向
上する。

【００４４】(4) 金属被覆層の形成発熱体１２表面には、金属被覆層を設けることが望まし
い。金属被覆層は、電解めっき、無電解めっき、スパッ
タリング等の各種手段により形成することができるが、
量産性を考慮すると、無電解めっきが最適である。

【００４５】(5) 端子等の取り付け発熱体１２のパターンの端部に電源との接続のための端
子（端子ピン１３）を半田で取り付ける。また、有底孔
１４ａ〜１４ｉに熱電対を挿入し、ポリイミド等の耐熱
樹脂、セラミックで封止し、セラミックヒータ１０の製
造を終了する。本発明のセラミックヒータは、１５０℃
以上で使用することができる。また、セラミック板中
に、電極を埋設して静電チャックとしたり、セラミック
板の表面にチャックトップ導体層を、内部にガード電
極、グランド電極を設けてウエハプローバとして使用す
ることが可能である。

【００４６】以上のセラミックヒータの製造方法は、ヒ
ータ板の底面に発熱体を具備する構造のセラミックヒー
タの製造方法であるから、つぎにヒータ板内部に発熱体
を具備するセラミックヒータの製造方法について説明す
る。 (1) ヒータ板の作製工程まず、窒化物セラミックまたは炭化物セラミックの粉末
をバインダ、溶剤等と混合してペーストを調製し、これ
を用いてドクターブレード法等でシート状に成形してグ
リーンシートを作製する。グリーンシートの厚さは、
０．１〜５ｍｍが好ましい。

【００４７】その際のセラミック粉末としては、窒化ア
ルミニウム、炭化ケイ素などを使用することができ、必
要に応じて、イットリア等の焼結助剤を加えてもよい。
また、バインダとしては、アクリル系バインダ、エチル
セルロース、ブチルセロソルブ、ポリビニラールから選
ばれる少なくとも１種が望ましい。さらに溶媒として
は、α−テルピオーネ、グリコールから選ばれる少なく
とも１種が望ましい。

【００４８】次いで、得られたグリーンシートに、必要
に応じて、被加熱物のシリコンウエハ等を支持するため
の支持ピンを挿入する貫通孔となる部分、熱電対などの
測温素子を埋め込むための有底孔となる部分、発熱体を
外部の端子ピンと接続するためのスルーホールとなる部
分等を形成する。なお、上記加工は後述するグリーンシ
ート積層体を形成した後に行ってもよい。

【００４９】(2) グリーンシート上に導体ペーストを印
刷する工程グリーンシート上に、金属または導電性セラミックを含
む導電ペーストを印刷する。これらの導電ペースト中に
は、金属粒子または導電性セラミック粒子が含まれてい
る。金属粒子はタングステン粒子またはモリブデン粒子
がよく、その粒子の平均粒子径は、０．１〜５μｍが好
ましい。それは平均粒子径が０．１μｍ未満であるか、
５μｍを超えると、導電ペーストを印刷しにくいからで
ある。

【００５０】このような導電ペーストとしては、例え
ば、金属粒子または導電性セラミック粒子８５〜８７重
量部：アクリル系、エチルセルロース、ブチルセロソル
ブ、ポリビニラールから選ばれる少なくとも１種のバイ
ンダ１．５〜１０重量部：および、α−テルピオーネ、
グリコールから選ばれる少なくとも１種の溶媒を１．５
〜１０重量部を混合した組成物（ペースト）が挙げられ
る。

【００５１】(3) グリーンシートの積層工程導電ペーストを印刷していないグリーンシートを、導電
ペーストを印刷したグリーンシートの上下に積層する。
このとき、上側に積層するグリーンシートの数を下側に
積層するグリーンシートの数よりも多くして、発熱体の
形成位置を底面の方向に偏芯させる。具体的には、上側
のグリーンシートの積層数は２０〜５０枚、下側のグリ
ーンシートの積層数は５〜２０枚が好ましい。

【００５２】(4) グリーンシート積層体の焼成工程グリーンシート積層体の加熱、加圧を行い、グリーンシ
ート及び内部の導体ペースト層を焼結させる。加熱温度
は、１０００〜２０００℃が好ましく、加圧の圧力は、
１００〜２００ｋｇ／ｃｍ²が好ましい。加熱は、不活
性ガス雰囲気中で行う。不活性ガスとしては、例えば、
アルゴン、窒素などを使用することができる。

【００５３】また、測温素子を挿入するための有底孔の
形成は積層体形成時ではなく、焼成後に行ってもよい。
その際の有底孔の形成は、表面研磨後に、サンドブラス
ト、ショットブラスト等のブラスト処理で行うことがで
きる。焼成後、内部の発熱体と接続するためのスルーホ
ールに端子を接続し、加熱してリフローする。加熱温度
は、２００〜５００℃が好適である。さらに、測温素子
としての熱電対などを耐熱性樹脂で封止し、セラミック
ヒータの製造を終了する。

【００５４】本発明のセラミックヒータは、セラミック
板の表面または内部に発熱体を形成し、被加熱物を加熱
する加熱面の反対側から加熱面に向けて有底孔を設ける
と共に、この有底孔に測温素子を設け、耐熱性樹脂又は
セラミックを充填したことを特徴とするものであるが、
これに更に上記発熱体に電力を供給する制御部と、上記
測温素子により測定された温度データを記憶する記憶部
と、上記温度データから上記発熱体に必要な電力を演算
する演算部とを備えてセラミックヒータ装置とすること
が望ましい。

【００５５】このようにすることにより、温度の測定結
果を記憶部に記憶し、上記記憶部で記憶された温度デー
タに基づき、均一加熱のために発熱体に投入する電圧を
演算部で計算し、この計算結果に基づき、制御部より制
御電圧を発熱体に印加するので、シリコンウエハ等の被
加熱物全体を均一に加熱することが可能となる。

【００５６】また、窒化物セラミックや炭化物セラミッ
クは、熱膨張係数が金属よりも小さく、機械的な強度が
金属に比べて格段に高いため、ヒータ板を薄くて軽いも
のとすることができる。さらに、ヒータ板の熱伝導率が
高く、ヒータ板自体が薄いため、ヒータ板の表面温度
が、発熱体の温度変化に迅速に追従する。

【００５７】図２（ａ）は、本発明のセラミックヒータ
と、そのセラミックヒータの発熱体に電力を供給する制
御部と、上記測温素子により測定された温度データを記
憶する記憶部と、上記温度データから上記発熱体に必要
な電力を演算する演算部とを備えたセラミックヒータ装
置を図示するものであり、この図においては、セラミッ
クヒータは部分断面図で、そのセラミックヒータが具備
する他の設備はブロック線図で図示されている。同
（ｂ）は、セラミックヒータの一部、特に有底孔の部分
を部分拡大した断面図である。

【００５８】この図のセラミックヒータは、図１の場合
とは異なり発熱体１２ａ、１２ｂがヒータ板１１内部に
埋設されており、その発熱体は同様に図１とは異なり２
重の同心円を１組としたものでははなく、一重の円を同
心円としたものである。その発熱体１２ａ、１２ｂは、
スルーホール２８を介して底面に設けられた端子ピン１
３に接続されている。さらに、端子ピン１３には、ソケ
ット３２が取り付けられ、このソケット３２は、電源を
有する制御部２９に接続されている。

【００５９】そして、ヒータ板１１には、底面１１ｂ側
から有底孔１４が設けられ、この有底孔１４の底には、
熱電対２７が固定されている。その熱電対２７は、記憶
部３０に接続され、各熱電対２７の温度を一定時間毎に
測定し、そのデータを記憶することができるようになっ
ている。さらに、この記憶部３０は、制御部２９に接続
されるとともに、演算部３１に接続され、記憶部３０に
記憶されたデータに基づき、演算部３１で制御する電圧
値等の計算を行い、これに基づき、制御部２９から各発
熱体１１に対して所定の電圧を印加し、加熱面１１ａの
温度を均一化することができるようになっている。

【００６０】また、ヒータ板１１には貫通孔１５が複数
個（図中では、１個のみ）設けられている。その貫通孔
１５には支持ピン２６が挿入され、この支持ピン２６上
に被加熱物例えばシリコンウエハ１９が載置されるよう
になっている。さらに、この支持ピン２６を上下させる
ことにより、シリコンウエハ１９を図示しない搬送機に
渡したり、搬送機からシリコンウエハ１９を受け取った
りすることができるようになっている。なお、セラミッ
クヒータ１０を構成する各部材やヒータ板１１に形成す
る有底孔１４等は、特に前記したところ以外の部分につ
いては図１のセラミックヒータの場合と同様に構成され
ているので、ここではその詳細な説明は省略する。

【００６１】次に、本発明のセラミックヒータ１０の動
作について、発熱体をヒータ板に埋設した構造を採用し
ている図２のセラミックヒータにより説明する。まず、
制御部２９を作動させることによりセラミックヒータ１
０に電力を投入すると、ヒータ板１１自体の温度が上が
り始め、外周部の方の表面温度がやや低温になる。熱電
対２７がこの変化を測温しており、その測温したデータ
は、記憶部３０に一端格納される。

【００６２】その後、この測温された温度データは、演
算部３１に送られ、演算部３１において、各測定点にお
ける温度の差ΔＴを演算し、さらに、加熱面１１ａの温
度の均一化のために必要なデータΔＷを演算する。例え
ば、発熱体１２ａと発熱体１２ｂにおける温度差ΔＴが
あり、発熱体１２ａの方が低ければ、ΔＴを０にするよ
うな電力データΔＷを演算し、これを制御部２９に送信
して、これに基づいた電力を発熱体１２ａに投入して昇
温させるのである。

【００６３】電力の計算アルゴリズムについては、ヒー
タ板１１の比熱と加熱域の重量から昇温に必要な電力を
演算する方法が最も簡便であり、これに発熱体パターン
に起因する補正係数を加味してもよい。また、予め、特
定の発熱体パターンについて昇温試験を行い、測温位
置、投入電力、温度の関数を予め求めておき、この関数
から投入電力を演算してもよい。そして、演算部３１で
演算された電力に対応する印加電圧と時間とを制御部２
９に送信し、制御部２９でその値に基づいて各発熱体１
２に電力を投入することになる。

【００６４】図３は、図２（ａ）と同様に、本発明のセ
ラミックヒータと、そのセラミックヒータの発熱体に電
力を供給する制御部と、上記測温素子により測定された
温度データを記憶する記憶部と、上記温度データから上
記発熱体に必要な電力を演算する演算部とを備えたセラ
ミックヒータ装置を図示するものであり、発熱体は図２
の場合のようにヒータ板内に埋設されているのではな
く、図１のセラミックヒータの場合と同様にヒータ板の
底面に設置されている。

【００６５】このヒータ板１１の底面１１ｂに形成され
た発熱体１２ａ、１２ｂの周囲には金属被覆層２４が形
成されており、その発熱体１２ａ、１２ｂには更に金属
被覆層２４を介して端子ピン１３が接続、固定されてい
る。また、その端子ピン１３にはソケット３２が取り付
けられており、そのソケット３２には、電源を有する制
御部２９に接続されている。なお、そのほかは、図２に
示したセラミックヒータと同様に構成されている。

【００６６】図３に示したセラミックヒータ１０の動作
も、図２に示したセラミックヒータと同様であり、２個
の熱電対の温度を一定時間毎に測定して記憶部３０で記
憶し、このデータから演算部３１で制御する電圧値等の
計算を行い、これに基づき、制御部２９から発熱体１２
ａ、１２ｂに対して所定の電圧を印加して、セラミック
ヒータ１０の加熱面１１ａ全体の温度を均一化すること
ができるようになっている。

【００６７】

【実施例】以下において、本発明に関し実施例に基づい
て更に詳細に説明するが、本発明は、この実施例により
何等限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に
基づいて把握されるものであることはいうまでもないこ
とである。〈実施例１〉窒化アルミニウム製のセラミックヒータ
（図１参照）の製造 (1) 窒化アルミニウム粉末（平均粒径：１．１μｍ）１
００重量部、イットリア（平均粒径：０．４μｍ）４重
量部、アクリル系バインダ１２重量部及びアルコールか
らなる組成物をスプレードライし、顆粒状の粉末を作製
した。

【００６８】(2) 次に、この顆粒状の粉末を金型に入
れ、平板状に成形して生成形体（グリーン）を得た。こ
の生成形体にドリル加工を施し、シリコンウエハの支持
ピンを挿入する貫通孔１５となる部分、熱電対を埋め込
むための有底孔１４ａ〜１４ｉとなる部分（直径：１．
１ｍｍ、深さ：２ｍｍ）を形成した。

【００６９】(3) この加工処理の終った生成形体を１８
００℃、圧力：２００ｋｇ／ｃｍ²でホットプレスし、
厚さが３ｍｍの窒化アルミニウム板状体を得た。次に、
この板状体から直径１２インチ（３００ｍｍ）の円板体
を切り出し、セラミック製の板状体（ヒータ板）１１と
した。

【００７０】(4) 上記(3) で得たヒータ板１１に、スク
リーン印刷にて導電ペーストを印刷した。印刷パターン
は、図１に示したような同心円状のパターンとした。導
電ペーストとしては、プリント配線板のスルーホール形
成に使用されている徳力化学研究所製のソルベストＰＳ
６０３Ｄを使用した。この導電ペーストは、銀−鉛ペー
ストであり、銀１００重量部に対して、酸化鉛（５重量
％）、酸化亜鉛（５５重量％）、シリカ（１０重量
％）、酸化ホウ素（２５重量％）及びアルミナ（５重量
％）からなる金属酸化物を７．５重量部含むものであっ
た。また、銀粒子は、平均粒径が４．５μｍで、リン片
状のものであった。

【００７１】(5) 次に、導電ペーストを印刷したヒータ
板１１を７８０℃で加熱、焼成して、導電ペースト中の
銀、鉛を焼結させるとともにヒータ板１１に焼き付け、
発熱体１２を形成した。銀−鉛の発熱体１２は、厚さが
５μｍ、幅が２．４ｍｍ、面積抵抗率が７．７ｍΩ／□
であった。

【００７２】(6) 硫酸ニッケル８０ｇ／ｌ、次亜リン酸
ナトリウム２４ｇ／ｌ、酢酸ナトリウム１２ｇ／ｌ、ほ
う酸８ｇ／ｌ及び塩化アンモニウム６ｇ／ｌの濃度の水
溶液からなる無電解ニッケルめっき浴に上記(5) で作製
したヒータ板１１を浸漬し、銀−鉛の発熱体１２の表面
に厚さ１μｍの金属被覆層（ニッケル層）を析出させ
た。

【００７３】(7) 電源との接続を確保するための端子を
取り付ける部分に、スクリーン印刷により、銀−鉛半田
ペースト（田中貴金属製）を印刷して半田層を形成し
た。ついで、半田層の上にコバール製の端子ピン１３を
載置して、４２０℃で加熱タフローし、端子ピン１３を
発熱体１２の表面に取り付けた。

【００７４】(8) 温度制御のための熱電対を有底孔に挿
入し、ポリイミド樹脂を充填し、１９０℃で２時間硬化
させ、セラミックヒータ１０を得た。

【００７５】〈実施例２〉炭化ケイ素製のセラミック
ヒータの製造平均粒径１．０μｍの炭化ケイ素を使用し、焼結温度を
１９００℃とし、さらに得られたヒータ板の表面を１５
００℃で２時間焼成して表面に厚さ１μｍのＳｉＯ₂層
を形成したほかは、実施例１と同様にし、炭化ケイ素製
のセラミックヒータを製造した。

【００７６】〈実施例３〉発熱体を内部に有するセラ
ミックヒータの製造 (1) 窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製平均粒径：
１．１μｍ）、イットリア（平均粒径：０．４μｍ）４
重量部、アクリルバインダ１１．５重量部、分散剤０．
５重量部及び１−ブタノールとエタノールとからなるア
ルコール５３重量部を混合したペーストを用い、ドクタ
ーブレート法により成形を行って、厚さ０．４７ｍｍの
グリーンシートを得た。

【００７７】(2) それに続いて、このグリーンシートを
８０℃で５時間乾燥させた後、パンチングにより直径
５．０ｍｍのシリコンウエハ支持ピンを挿入する貫通孔
１５となる部分、端子ピンと接続するためのスルーホー
ルとなる部分を設けた。

【００７８】(3) 次に、平均粒子径１μｍのタングステ
ンカーバイト粒子１００重量部、アクリル系バインダ
３．０重量部、α−テルピオーネ溶媒３．５重量部及び
分散剤０．３重量部を混合して導電ペーストＡを調製し
た。さらに、平均粒子径１μｍのタングステンカーバイ
ト粒子１００重量部、アクリル径バインダ１．９重量
部、α−テルピオーネ溶媒３．７重量部及び分散剤０．
２重量部を混合して導電ペーストＢを調製した。

【００７９】(4) この導電性ペーストＡを用いて、グリ
ーンシートにスクリーン印刷で印刷し、導体ペースト層
を形成した。印刷パターンは、図１に図示したような同
心円パターンとした。また、端子ピンを接続するための
スルーホール用の貫通孔に導体ペーストＢを充填した。
上記処理の終わったグリーンシートに、さらに、タング
ステンペーストを印刷しないグリーンシートを上側（加
熱面）に３７枚、下側に１３枚、１３０℃、８０ｋｇ／
ｃｍ²の圧力で積層した。

【００８０】(5) このようにして得られた積層体を窒素
ガス中、６００℃で５時間脱脂し、１８９０℃、圧力１
５０ｋｇ／ｃｍ²で３時間ホットプレスし、厚さ３ｍｍ
の窒化アルミニウム板状体を得た。これを３００ｍｍの
円板状に切り出し、内部に厚さ６μｍ、幅１０ｍｍの発
熱体を有するセラミックヒータとした。

【００８１】(6) 次いで、前記(4) で得た板状体を、ダ
イヤモンド砥石で研磨した後、マスクを載置し、ガラス
ビーズによるブラスト処理で表面に熱電対のための有底
孔（直径：１．２ｍｍ、深さ：２．０ｍｍ）を設けた。

【００８２】(7) その後、スルーホール用の貫通孔の一
部をえぐり取って凹部とし、この凹部にＮｉ−Ａｕから
なる金ろうを用い、７００℃で加熱リフローしてコバー
ル製の端子ピンを接続させた。なお、端子ピンの接続
は、タングステンの支持体が３点で支持する構造が望ま
しい。それは接続信頼性を確保することができるからで
ある。

【００８３】(8) さらに、温度制御のための複数の熱電
対を有底孔に挿入し、シリカゾルを埋め込み、１００℃
で１時間乾燥させてセラミックヒータの製造を完了し
た。

【００８４】〈実施例４〉実施例２と同様であるが、ポ
リイミドの代わりに市販のセラミックゾル（東亞合成製
商品名アロンセラミック）を充填し、１００℃で１
時間乾燥させた。

【００８５】〈比較例〉実施例１と同様であるが、ポリ
イミド樹脂に代えて、金ろう（８１．５％Ａｕ−１７．
５％Ｎｉ）を使用し、１０３０℃で溶融させて熱電対を
接合させた。

【００８６】〈性能試験〉２００℃まで昇温した場合の
直径３００ｍｍの円板形状のセラミック板の最大温度と
最低温度の差を表面温度をサーモビュア（日本データム
株式会社ＩＲ１６２０１２−００１２）を用いて、実
施例、比較例について調べた。実施例１９℃ 実施例２１０℃ 実施例３９℃ 実施例４８℃ 比較例２０℃

【００８７】〈実施例５〉本実施例では、実施例１のセ
ラミックヒータの表面から１００μｍの位置にシリコン
ウエハを支持ピン２６を用いて支持し（図２ａ）、３０
０℃まで昇温して加熱した。ウエハの最高温度と最低温
度の差は１０℃であった。

【００８８】

【発明の効果】以上説明したように本発明のセラミック
ヒータによれば、正確な被加熱物の温度の測定が可能と
なり、この温度の測定結果に基づいて発熱体の発熱状態
を調整することにより、シリコンウエハ全体を均一に加
熱することができる。すなわち、本発明のセラミックヒ
ータでは、測温素子が直接セラミック板に接触し、耐熱
性樹脂またはセラミックで固定されているため、余分な
熱容量が存在せず、温度変化を正確に電流に変換でき、
その結果として正確な温度測定が可能となり、この温度
の測定結果に基づいて発熱体の発熱状態を調整すること
により、被加熱物を均一に加熱することが可能となる。

【００８９】また、発熱体を保持する窒化物セラミック
や炭化物セラミックは、熱膨張係数が金属よりも小さ
く、機械的な強度が金属に比べて格段に高いため、セラ
ミック板（以下、ヒータ板という）の厚さを薄くして
も、加熱により反ったり、歪んだりしない。そのため、
ヒータ板を薄くて軽いものとすることができる。さら
に、ヒータ板の熱伝導率が高く、ヒータ板自体が薄いた
め、ヒータ板の表面温度が、発熱体の温度変化に迅速に
追従する。即ち、電圧、電流値を変えて発熱体の温度を
変化させることにより、ヒータ板の表面温度を的確に制
御することができる。以上のとおり本発明は卓越した効
果を奏するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のセラミックヒータの１例を模式的に示
す図面であり、発熱体をヒータ板底面に備えたセラミッ
クヒータ全体を底面側から見た図である。

【図２】（ａ）は、本発明の発熱体をヒータ板内部に埋
設し、かつ部分断面図で図示されたセラミックヒータに
付帯設備を具備したセラミックヒータ装置のブロック線
図である。（ｂ）は、セラミックヒータの有底孔の部分
を部分拡大した断面図である。

【図３】本発明の発熱体をヒータ板底面に備え、かつ部
分断面図で図示されたセラミックヒータに付帯設備を具
備したセラミックヒータ装置のブロック線図である。

【符号の説明】

１０セラミックヒータ１１ヒータ板１１ａ加熱面１１ｂ底面１２発熱体１３端子ピン１４有底孔１５貫通孔１９シリコンウエハ２４金属被覆層２６支持ピン２７熱電対２８スルーホール２９制御部３０記憶部３１演算部３２ソケット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者古川正和岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１イビデン株式会社大垣北工場内Ｆターム(参考） 3K058 AA86 BA00 CA12 CA23 CA61 CA69 CB23 CE02 CE13 CE19 CE23 3K092 PP20 QA05 QB02 QB18 QB33 QB43 QB51 QB61 QB75 QC02 QC18 QC37 QC52 RF03 RF11 RF17 RF22 RF27 TT30 UA05 VV22 5F046 KA04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミック板の表面又は内部に発熱体を
形成してなるセラミックヒータにおいて、被加熱物を加熱する加熱面の反対側から加熱面に向けて
有底孔を設けるとともに、この有底孔に測温素子を設け、絶縁材を充填したことを
特徴とするセラミックヒータ。
【請求項２】前記有底孔の底と加熱面との距離は、
０．１ｍｍ〜セラミック板の厚さの１／２である請求項
１又は２に記載のセラミックヒータ。
【請求項３】前記被加熱物をセラミック板に載置する
か又はセラミック板の表面から離間して、加熱する請求
項１又は２に記載のセラミックヒータ。
【請求項４】前記発熱体の回路は複数に分割されてな
る請求項１ないし３のいずれか１に記載のセラミックヒ
ータ。