JP2003300712A - 水酸アパタイトセラミックスの分極方法と分極水酸アパタイトセラミックス - Google Patents
水酸アパタイトセラミックスの分極方法と分極水酸アパタイトセラミックスInfo
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- JP2003300712A JP2003300712A JP2002106239A JP2002106239A JP2003300712A JP 2003300712 A JP2003300712 A JP 2003300712A JP 2002106239 A JP2002106239 A JP 2002106239A JP 2002106239 A JP2002106239 A JP 2002106239A JP 2003300712 A JP2003300712 A JP 2003300712A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】水酸アパタイトセラミックス（ＨＡｐ）の分極
操作によりＨＡｐセラミックスにどの程度の範囲で電荷
量を貯蔵することができるかについて不明である。分極
によりＨＡｐセラミックスの材料本来の機能を向上させ
ることができれば、その用途を生化学材料、生体材料は
勿論、それに限らず、工業材料等としての拡大をはか
る。 【解決手段】ＨＡｐの分極時の温度を約２００℃から約
６００℃に設定することによって分極により貯蔵される
電荷量を可変に設定可能である。水酸アパタイトセラミ
ックスの分極温度の設定によって，貯蔵される電荷量を
約１〜１０，０００倍の間において指数関数的に可変に
設定可能となる。
操作によりＨＡｐセラミックスにどの程度の範囲で電荷
量を貯蔵することができるかについて不明である。分極
によりＨＡｐセラミックスの材料本来の機能を向上させ
ることができれば、その用途を生化学材料、生体材料は
勿論、それに限らず、工業材料等としての拡大をはか
る。 【解決手段】ＨＡｐの分極時の温度を約２００℃から約
６００℃に設定することによって分極により貯蔵される
電荷量を可変に設定可能である。水酸アパタイトセラミ
ックスの分極温度の設定によって，貯蔵される電荷量を
約１〜１０，０００倍の間において指数関数的に可変に
設定可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、水酸アパタイト
（Ｃａ１０（ＰＯ４）６（ＯＨ）２）（以下ＨＡｐと称
する。）セラミックスの分極方法と分極したＨＡｐセラ
ミックスに関する。
（Ｃａ１０（ＰＯ４）６（ＯＨ）２）（以下ＨＡｐと称
する。）セラミックスの分極方法と分極したＨＡｐセラ
ミックスに関する。
【０００２】
【従来の技術】物質表面に高電荷を生じさせる有効な手
段を確立することは、生化学材料、薬学材料、医学材
料、化学物質の観点から見て非常に重要である。ＨＡｐ
セラミックスは、優れた生体親和性を示す生体材料であ
り、分極すると常温においてセラミックス表面の近傍に
存在するイオン、細胞等に作用して骨親和性等が向上す
ることは知られている。
段を確立することは、生化学材料、薬学材料、医学材
料、化学物質の観点から見て非常に重要である。ＨＡｐ
セラミックスは、優れた生体親和性を示す生体材料であ
り、分極すると常温においてセラミックス表面の近傍に
存在するイオン、細胞等に作用して骨親和性等が向上す
ることは知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、分極により
ＨＡｐセラミックスに、どの程度の電荷量を貯蔵するこ
とができるかについては不明である。また、分極操作に
よりＨＡｐセラミックスにどの程度の範囲で電荷量を貯
蔵することができるかについても不明である。分極によ
りＨＡｐセラミックスの材料本来の機能を向上させるこ
とができれば、その用途を生化学材料、生体材料は勿
論、それに限らず、薬学材料、医学材料、化学物質、工
業材料としても拡大することができる点でも重要であ
る。
ＨＡｐセラミックスに、どの程度の電荷量を貯蔵するこ
とができるかについては不明である。また、分極操作に
よりＨＡｐセラミックスにどの程度の範囲で電荷量を貯
蔵することができるかについても不明である。分極によ
りＨＡｐセラミックスの材料本来の機能を向上させるこ
とができれば、その用途を生化学材料、生体材料は勿
論、それに限らず、薬学材料、医学材料、化学物質、工
業材料としても拡大することができる点でも重要であ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は、請求
項１に記載のように、分極時の温度を変えることによっ
て分極により貯蔵される電荷量を可変に設定可能にした
ＨＡｐセラミックスの分極方法を提供するものである。
本発明によれば、分極時の温度を変えることによって、
ＨＡｐセラミックスに貯蔵される電荷量を可変に設定す
ることができる。
項１に記載のように、分極時の温度を変えることによっ
て分極により貯蔵される電荷量を可変に設定可能にした
ＨＡｐセラミックスの分極方法を提供するものである。
本発明によれば、分極時の温度を変えることによって、
ＨＡｐセラミックスに貯蔵される電荷量を可変に設定す
ることができる。
【０００５】また、本発明は、請求項２に記載のよう
に、請求項１に記載の分極方法において、分極時の温度
を約２００°Ｃから約６００°Ｃに設定することによ
り、分極により貯蔵される電荷量を約０．１μＣ・ｃｍ
−２から約１．２ｍＣ・ｃｍ−２の幅に可変に設定可能
にしたＨＡｐセラミックスの分極方法を提供するもので
ある。本発明によれば、分極時の温度を約２００°Ｃか
ら約６００°Ｃに設定することにより、分極により貯蔵
される電荷量を約０．１μＣ・ｃｍ−２から約１．２ｍ
Ｃ・ｃｍ−２ の幅に可変に設定することができる。
に、請求項１に記載の分極方法において、分極時の温度
を約２００°Ｃから約６００°Ｃに設定することによ
り、分極により貯蔵される電荷量を約０．１μＣ・ｃｍ
−２から約１．２ｍＣ・ｃｍ−２の幅に可変に設定可能
にしたＨＡｐセラミックスの分極方法を提供するもので
ある。本発明によれば、分極時の温度を約２００°Ｃか
ら約６００°Ｃに設定することにより、分極により貯蔵
される電荷量を約０．１μＣ・ｃｍ−２から約１．２ｍ
Ｃ・ｃｍ−２ の幅に可変に設定することができる。
【０００６】また、本発明は、請求項３に記載のよう
に、請求項１又は２に記載の分極方法において、分極時
の温度を約２００°Ｃから約６００°Ｃに設定すること
により、分極により貯蔵される電荷量を約１〜１０００
０倍の間において指数関数的に可変に設定可能にしたＨ
Ａｐセラミックスの分極方法を提供するものである。本
発明によれば、分極時の温度を約２００°Ｃから約６０
０°Ｃに設定することにより、分極により貯蔵される電
荷量を約１〜１００００倍の間において指数関数的に可
変に設定することができる。
に、請求項１又は２に記載の分極方法において、分極時
の温度を約２００°Ｃから約６００°Ｃに設定すること
により、分極により貯蔵される電荷量を約１〜１０００
０倍の間において指数関数的に可変に設定可能にしたＨ
Ａｐセラミックスの分極方法を提供するものである。本
発明によれば、分極時の温度を約２００°Ｃから約６０
０°Ｃに設定することにより、分極により貯蔵される電
荷量を約１〜１００００倍の間において指数関数的に可
変に設定することができる。
【０００７】また、本発明は、請求項４に記載のよう
に、請求項１乃至３のいずれかに記載の分極方法におい
て、分極時の温度と分極により貯蔵される電荷量との相
関関係に基づいて分極してなる分極水酸アパタイトセラ
ミックスの分極方法を提供するものである。本発明によ
れば、分極時の温度と貯蔵される電荷量との相関関係に
基づいて、所定の電荷量を貯蔵する分極ＨＡｐセラミッ
クスを容易に製造することができる。
に、請求項１乃至３のいずれかに記載の分極方法におい
て、分極時の温度と分極により貯蔵される電荷量との相
関関係に基づいて分極してなる分極水酸アパタイトセラ
ミックスの分極方法を提供するものである。本発明によ
れば、分極時の温度と貯蔵される電荷量との相関関係に
基づいて、所定の電荷量を貯蔵する分極ＨＡｐセラミッ
クスを容易に製造することができる。
【０００８】また、本発明は、請求項５に記載のよう
に、請求項１乃至４のいずれかに記載のＨＡｐセラミッ
クスの分極方法において、印加電圧を可変にすることに
より、分極により貯蔵される電荷量の貯蔵安定性を可変
に設定可能にしたＨＡｐセラミックスの分極方法を提供
するものである。本発明によれば、印加電圧を可変にす
ることにより、分極により貯蔵される電荷量の貯蔵安定
性を可変に設定することができる。
に、請求項１乃至４のいずれかに記載のＨＡｐセラミッ
クスの分極方法において、印加電圧を可変にすることに
より、分極により貯蔵される電荷量の貯蔵安定性を可変
に設定可能にしたＨＡｐセラミックスの分極方法を提供
するものである。本発明によれば、印加電圧を可変にす
ることにより、分極により貯蔵される電荷量の貯蔵安定
性を可変に設定することができる。
【０００９】また、本発明は、請求項６に記載のよう
に、請求項５に記載のＨＡｐセラミックスの分極方法に
おいて、印加電圧を約０．５〜５ｋＶ・ｃｍ−２に設定
してなるＨＡｐセラミックスの分極方法を提供するもの
である。本発明によれば、請求項５に記載のＨＡｐセラ
ミックスの分極方法において、印加電圧を０．５〜５ｋ
Ｖ・ｃｍ−２に設定して分極により貯蔵される電荷量の
貯蔵安定性を可変に設定することができる。
に、請求項５に記載のＨＡｐセラミックスの分極方法に
おいて、印加電圧を約０．５〜５ｋＶ・ｃｍ−２に設定
してなるＨＡｐセラミックスの分極方法を提供するもの
である。本発明によれば、請求項５に記載のＨＡｐセラ
ミックスの分極方法において、印加電圧を０．５〜５ｋ
Ｖ・ｃｍ−２に設定して分極により貯蔵される電荷量の
貯蔵安定性を可変に設定することができる。
【００１０】また、本発明は、請求項７に記載のよう
に、請求項１乃至６のいずれかに記載の分極方法におい
て、分極時の印加電圧と分極により貯蔵される電荷量の
貯蔵安定性との相関関係に基づいて分極してなる分極Ｈ
Ａｐセラミックスの分極方法を提供するものである。本
発明によれば、分極時の印加電圧と分極により貯蔵され
る電荷量の貯蔵安定性との相関関係に基づいて分極し、
目的の電荷量の貯蔵安定性を有するＨＡｐセラミックス
を得ることができる。
に、請求項１乃至６のいずれかに記載の分極方法におい
て、分極時の印加電圧と分極により貯蔵される電荷量の
貯蔵安定性との相関関係に基づいて分極してなる分極Ｈ
Ａｐセラミックスの分極方法を提供するものである。本
発明によれば、分極時の印加電圧と分極により貯蔵され
る電荷量の貯蔵安定性との相関関係に基づいて分極し、
目的の電荷量の貯蔵安定性を有するＨＡｐセラミックス
を得ることができる。
【００１１】また、本発明は、請求項８に記載のよう
に、請求項１乃至７のいずれかに記載の分極方法におい
て、分極時の温度を５００°Ｃ以上に設定することによ
って分極により貯蔵される電荷量を２０μＣ・ｃｍ−２
以上に分極してなる分極水酸アパタイトセラミックスの
分極方法を提供するものである。本発明によれば、従来
より遙かに大きな貯蔵電荷量を有する分極水酸アパタイ
トセラミックスを製造することができる。また、本発明
は、請求項９に記載のように、請求項１乃至８のいずれ
かに記載の分極方法において、水蒸気雰囲気内で焼結し
た水酸アパタイトセラミックスを分極することからなる
分極水酸アパタイトセラミックスの分極方法を提供する
ものであり、例えば、５００°Ｃ以上の高温で素材を痛
めることなく容易に分極することができる。
に、請求項１乃至７のいずれかに記載の分極方法におい
て、分極時の温度を５００°Ｃ以上に設定することによ
って分極により貯蔵される電荷量を２０μＣ・ｃｍ−２
以上に分極してなる分極水酸アパタイトセラミックスの
分極方法を提供するものである。本発明によれば、従来
より遙かに大きな貯蔵電荷量を有する分極水酸アパタイ
トセラミックスを製造することができる。また、本発明
は、請求項９に記載のように、請求項１乃至８のいずれ
かに記載の分極方法において、水蒸気雰囲気内で焼結し
た水酸アパタイトセラミックスを分極することからなる
分極水酸アパタイトセラミックスの分極方法を提供する
ものであり、例えば、５００°Ｃ以上の高温で素材を痛
めることなく容易に分極することができる。
【００１２】また、本発明は、請求項１０に記載のよう
に、分極により貯蔵される電荷量を分極時の温度設定に
基づいて設定してなる分極ＨＡｐセラミックスを提供す
るものである。本発明によれば、生化学材料、生体材
料、薬学材料、医学材料、化学物質、工業材料として用
途に従って所定の電荷量を貯蔵するＨＡｐセラミックス
を提供することができる。
に、分極により貯蔵される電荷量を分極時の温度設定に
基づいて設定してなる分極ＨＡｐセラミックスを提供す
るものである。本発明によれば、生化学材料、生体材
料、薬学材料、医学材料、化学物質、工業材料として用
途に従って所定の電荷量を貯蔵するＨＡｐセラミックス
を提供することができる。
【００１３】また、本発明は、請求項１１に記載のよう
に、請求項１０に記載の分極ＨＡｐセラミックスにおい
て、分極時の温度と分極により貯蔵される電荷量との相
関関係に基づいて分極してなる分極ＨＡｐセラミックス
を提供するものである。本発明によれば、分極時の温度
と貯蔵される電荷量との相関関係に基づいて、所定の電
荷量を貯蔵する分極ＨＡｐセラミックスを提供すること
ができる。
に、請求項１０に記載の分極ＨＡｐセラミックスにおい
て、分極時の温度と分極により貯蔵される電荷量との相
関関係に基づいて分極してなる分極ＨＡｐセラミックス
を提供するものである。本発明によれば、分極時の温度
と貯蔵される電荷量との相関関係に基づいて、所定の電
荷量を貯蔵する分極ＨＡｐセラミックスを提供すること
ができる。
【００１４】また、本発明は、請求項１２に記載のよう
に、請求項１０又は１１に記載の分極ＨＡｐセラミック
スにおいて、分極時の温度を約２００°Ｃから約６００
°Ｃの間にそれぞれ設定することにより、分極により貯
蔵される電荷量を約０．１μＣ・ｃｍ−２から約１．２
ｍＣ・ｃｍ−２ の幅にそれぞれ分極してなる分極ＨＡ
ｐセラミックスを提供するものである。
に、請求項１０又は１１に記載の分極ＨＡｐセラミック
スにおいて、分極時の温度を約２００°Ｃから約６００
°Ｃの間にそれぞれ設定することにより、分極により貯
蔵される電荷量を約０．１μＣ・ｃｍ−２から約１．２
ｍＣ・ｃｍ−２ の幅にそれぞれ分極してなる分極ＨＡ
ｐセラミックスを提供するものである。
【００１５】本発明によれば、分極により貯蔵される電
荷量を約０．１μＣ・ｃｍ−２から約１．２ｍＣ・ｃｍ
−２ の幅にそれぞれ分極してなる分極ＨＡｐセラミッ
クスを提供することができる。このことは、ＨＡｐセラ
ミックスが、約０．１μＣ・ｃｍ−２から約１．２ｍＣ
・ｃｍ−２ の範囲において、蓄えられる電荷量に１万
倍以上の多大の変化を与えることを意味する。従来のゴ
ムやポリプロピレンのようなポリマー誘電体はナノクー
ロンオーダーの電荷を蓄えられるだけであり、ポリビニ
リデンフオライド（ＰＶＤＦ）とそのコーポリマは、ポ
リマーでは最高の蓄電量を有するものであるが、１０ｋ
Ｖ・ｃｍ−１の電界で１５０°Ｃの温度で分極して、８
μＣ・ｃｍ−２ だけしか蓄積できないものである。
荷量を約０．１μＣ・ｃｍ−２から約１．２ｍＣ・ｃｍ
−２ の幅にそれぞれ分極してなる分極ＨＡｐセラミッ
クスを提供することができる。このことは、ＨＡｐセラ
ミックスが、約０．１μＣ・ｃｍ−２から約１．２ｍＣ
・ｃｍ−２ の範囲において、蓄えられる電荷量に１万
倍以上の多大の変化を与えることを意味する。従来のゴ
ムやポリプロピレンのようなポリマー誘電体はナノクー
ロンオーダーの電荷を蓄えられるだけであり、ポリビニ
リデンフオライド（ＰＶＤＦ）とそのコーポリマは、ポ
リマーでは最高の蓄電量を有するものであるが、１０ｋ
Ｖ・ｃｍ−１の電界で１５０°Ｃの温度で分極して、８
μＣ・ｃｍ−２ だけしか蓄積できないものである。
【００１６】また、本発明は、請求項１３に記載のよう
に、請求項１０、１１又は１２に記載の分極ＨＡｐセラ
ミックスにおいて、分極時の温度を約２００°Ｃから約
６００°Ｃの間にそれぞれ設定することにより、分極に
より貯蔵される電荷量を約１〜１００００倍の間で指数
関数的に可変に分極してなる分極ＨＡｐセラミックスを
提供するものである。本発明によれば、分極により貯蔵
される電荷量を約１〜１００００倍の間で温度変化に対
して指数関数的に可変に分極してなる分極ＨＡｐセラミ
ックスを提供することができる。
に、請求項１０、１１又は１２に記載の分極ＨＡｐセラ
ミックスにおいて、分極時の温度を約２００°Ｃから約
６００°Ｃの間にそれぞれ設定することにより、分極に
より貯蔵される電荷量を約１〜１００００倍の間で指数
関数的に可変に分極してなる分極ＨＡｐセラミックスを
提供するものである。本発明によれば、分極により貯蔵
される電荷量を約１〜１００００倍の間で温度変化に対
して指数関数的に可変に分極してなる分極ＨＡｐセラミ
ックスを提供することができる。
【００１７】また、本発明は、請求項１４に記載のよう
に、請求項１０乃至１３のいずれかに記載の分極ＨＡｐ
セラミックスにおいて、印加電圧を可変にすることによ
り、分極により貯蔵される電荷量の貯蔵安定性を可変に
分極した分極ＨＡｐセラミックスを提供するものであ
る。本発明によれば、印加電圧を可変にすることによ
り、分極により貯蔵される電荷量を大きく変化させない
で貯蔵安定性を可変に分極した分極ＨＡｐセラミックス
提供することができる。
に、請求項１０乃至１３のいずれかに記載の分極ＨＡｐ
セラミックスにおいて、印加電圧を可変にすることによ
り、分極により貯蔵される電荷量の貯蔵安定性を可変に
分極した分極ＨＡｐセラミックスを提供するものであ
る。本発明によれば、印加電圧を可変にすることによ
り、分極により貯蔵される電荷量を大きく変化させない
で貯蔵安定性を可変に分極した分極ＨＡｐセラミックス
提供することができる。
【００１８】また、本発明は、請求項１５に記載のよう
に、請求項１４に記載の分極ＨＡｐセラミックスにおい
て、印加電圧を約０．５〜５ｋＶ・ｃｍ−２に可変に設
定して分極してなる分極ＨＡｐセラミックスを提供する
ものである。本発明によれば、印加電圧を約０．５〜５
ｋＶ・ｃｍ−２に可変に設定して貯蔵安定性を可変に分
極してなる分極ＨＡｐセラミックスを提供することがで
きる。
に、請求項１４に記載の分極ＨＡｐセラミックスにおい
て、印加電圧を約０．５〜５ｋＶ・ｃｍ−２に可変に設
定して分極してなる分極ＨＡｐセラミックスを提供する
ものである。本発明によれば、印加電圧を約０．５〜５
ｋＶ・ｃｍ−２に可変に設定して貯蔵安定性を可変に分
極してなる分極ＨＡｐセラミックスを提供することがで
きる。
【００１９】また、本発明は、請求項１６に記載のよう
に、請求項１０乃至１５に記載の分極ＨＡｐセラミック
スにおいて、分極時の印加電圧と分極により貯蔵される
電荷量の貯蔵安定性との相関関係に基づいて分極してな
る分極ＨＡｐセラミックスを提供するものである。本発
明によれば、分極時の印加電圧と分極により貯蔵される
電荷量の貯蔵安定性との相関関係に基づいて、所定の貯
蓄安定性を有する分極ＨＡｐセラミックスを提供するこ
とができる。
に、請求項１０乃至１５に記載の分極ＨＡｐセラミック
スにおいて、分極時の印加電圧と分極により貯蔵される
電荷量の貯蔵安定性との相関関係に基づいて分極してな
る分極ＨＡｐセラミックスを提供するものである。本発
明によれば、分極時の印加電圧と分極により貯蔵される
電荷量の貯蔵安定性との相関関係に基づいて、所定の貯
蓄安定性を有する分極ＨＡｐセラミックスを提供するこ
とができる。
【００２０】また、本発明は、請求項１７に記載のよう
に、請求項１０乃至１６のいずれかに記載の分極水酸ア
パタイトセラミックスにおいて、分極時の温度を５００
°Ｃ以上に設定することによって分極により貯蔵される
電荷量を２０μＣ・ｃｍ−２以上に分極してなる分極水
酸アパタイトセラミックスを提供するものである。本発
明によれば、従来より遙かに大きな貯蔵電荷量を有する
分極水酸アパタイトセラミックスによって、生化学材
料、生体材料、薬学材料、医学材料、化学物質、工業材
料として広い用途を提供することができる。また、本発
明は、請求項１８に記載のように、請求項１０乃至１７
のいずれかに記載の分極水酸アパタイトセラミックスに
おいて、水蒸気雰囲気内で焼結した水酸アパタイトセラ
ミックスを分極してなる分極水酸アパタイトセラミック
スを提供するものであり、例えば、５００°Ｃ以上の高
温による加熱に容易に耐え、大きな電荷貯蔵量を有する
分極ＨＡｐセラミックスとして、広い用途を提供するこ
とができる。
に、請求項１０乃至１６のいずれかに記載の分極水酸ア
パタイトセラミックスにおいて、分極時の温度を５００
°Ｃ以上に設定することによって分極により貯蔵される
電荷量を２０μＣ・ｃｍ−２以上に分極してなる分極水
酸アパタイトセラミックスを提供するものである。本発
明によれば、従来より遙かに大きな貯蔵電荷量を有する
分極水酸アパタイトセラミックスによって、生化学材
料、生体材料、薬学材料、医学材料、化学物質、工業材
料として広い用途を提供することができる。また、本発
明は、請求項１８に記載のように、請求項１０乃至１７
のいずれかに記載の分極水酸アパタイトセラミックスに
おいて、水蒸気雰囲気内で焼結した水酸アパタイトセラ
ミックスを分極してなる分極水酸アパタイトセラミック
スを提供するものであり、例えば、５００°Ｃ以上の高
温による加熱に容易に耐え、大きな電荷貯蔵量を有する
分極ＨＡｐセラミックスとして、広い用途を提供するこ
とができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下図示する実施例に基づいて本
発明の実施の形態を説明する。図１は、１２５０°Ｃ、
水蒸気雰囲気で焼結した直径１０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ
のＨＡｐセラミックスに対して、５．０ｋＶ・ｃｍ−１
分の分極電界において、（ａ）２００°Ｃ、（ｂ）
３００°Ｃ、（ｃ）４００°Ｃ、（ｄ）５００°Ｃ及び
（ｅ）６００°Ｃの分極温度で１時間保持して、得られ
たそれぞれの分極温度の分極ＨＡｐセラミックスを０°
Ｃから８５０°Ｃまで５°Ｃ・ｍｉｎ−１で加熱するこ
とによって放出された熱刺激緩和電流（thermally suti
mulateddeplarization current）（以下ＴＳＤＣと称す
る。）の代表的なものを、縦軸に対数級数軸として単位
Ｊ（ｎＡ・ｃｍ−２）で、横軸に加熱温度を単位°Ｃで
表示したものである。
発明の実施の形態を説明する。図１は、１２５０°Ｃ、
水蒸気雰囲気で焼結した直径１０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ
のＨＡｐセラミックスに対して、５．０ｋＶ・ｃｍ−１
分の分極電界において、（ａ）２００°Ｃ、（ｂ）
３００°Ｃ、（ｃ）４００°Ｃ、（ｄ）５００°Ｃ及び
（ｅ）６００°Ｃの分極温度で１時間保持して、得られ
たそれぞれの分極温度の分極ＨＡｐセラミックスを０°
Ｃから８５０°Ｃまで５°Ｃ・ｍｉｎ−１で加熱するこ
とによって放出された熱刺激緩和電流（thermally suti
mulateddeplarization current）（以下ＴＳＤＣと称す
る。）の代表的なものを、縦軸に対数級数軸として単位
Ｊ（ｎＡ・ｃｍ−２）で、横軸に加熱温度を単位°Ｃで
表示したものである。
【００２２】図１において、TSDC曲線中の(J)のピーク
である(Jmax)は単位ｎＡ・ｃｍ−２で、分極温度と共
に、分極温度（ａ）２００°Ｃでは熱刺激温度３００°
Ｃのところで電流約０．１、（ｂ）３００°Ｃでは熱刺
激温度３５０°Ｃのところで約０．２、（ｃ）４００°
Ｃでは熱刺激電流５５０°Ｃのところで約１０、（ｄ）
５００°Ｃでは熱刺激温度６００°Ｃのところで約８
０、及び（ｅ）６００°Ｃでは熱刺激温度７３０°Ｃの
ところで８００であり、TSDC曲線中の(J)のピークであ
る(Jmax)は、分極温度に伴って指数関数的に増大する。
また、分極温度が４００°Ｃ以下のところでは、TSDC曲
線中の(J)のピークである(Jmax)は、分極温度より低い
熱刺激温度において現れ、分極温度が５００°Ｃ以上の
ところでは、分極温度より高い熱刺激温度において現れ
ることが認められる。
である(Jmax)は単位ｎＡ・ｃｍ−２で、分極温度と共
に、分極温度（ａ）２００°Ｃでは熱刺激温度３００°
Ｃのところで電流約０．１、（ｂ）３００°Ｃでは熱刺
激温度３５０°Ｃのところで約０．２、（ｃ）４００°
Ｃでは熱刺激電流５５０°Ｃのところで約１０、（ｄ）
５００°Ｃでは熱刺激温度６００°Ｃのところで約８
０、及び（ｅ）６００°Ｃでは熱刺激温度７３０°Ｃの
ところで８００であり、TSDC曲線中の(J)のピークであ
る(Jmax)は、分極温度に伴って指数関数的に増大する。
また、分極温度が４００°Ｃ以下のところでは、TSDC曲
線中の(J)のピークである(Jmax)は、分極温度より低い
熱刺激温度において現れ、分極温度が５００°Ｃ以上の
ところでは、分極温度より高い熱刺激温度において現れ
ることが認められる。
【００２３】図２は、１２５０°Ｃ、水蒸気雰囲気で焼
結した直径１０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのＨＡｐセラミッ
クスに対して、分極温度を３００°Ｃとして設定し、分
極電界を（ａ）０．１ｋＶ・ｃｍ−１、（ｂ）１ｋＶ・
ｃｍ−１ 、（ｃ）５．０５．０ｋＶ・ｃｍ−１とし
て１時間保持して分極した分極ＨＡｐセラミックスのＴ
ＤＳＣ曲線の一例を示すもので、電流緩和過程における
分極電界の影響を示している。その曲線は分極電界が
（ａ）（ｂ）（ｃ）と増大するにしたがって２８０°
Ｃ、３４０°Ｃ、３６０°Ｃと高温方向へシフトする。
高温方向にシフトするということは、それだけ電流緩和
温度を増大させないと電荷が放出されないから、それだ
け蓄積された電荷の安定性が高いといえる。
結した直径１０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのＨＡｐセラミッ
クスに対して、分極温度を３００°Ｃとして設定し、分
極電界を（ａ）０．１ｋＶ・ｃｍ−１、（ｂ）１ｋＶ・
ｃｍ−１ 、（ｃ）５．０５．０ｋＶ・ｃｍ−１とし
て１時間保持して分極した分極ＨＡｐセラミックスのＴ
ＤＳＣ曲線の一例を示すもので、電流緩和過程における
分極電界の影響を示している。その曲線は分極電界が
（ａ）（ｂ）（ｃ）と増大するにしたがって２８０°
Ｃ、３４０°Ｃ、３６０°Ｃと高温方向へシフトする。
高温方向にシフトするということは、それだけ電流緩和
温度を増大させないと電荷が放出されないから、それだ
け蓄積された電荷の安定性が高いといえる。
【００２４】しかしながら、これら三つのカーブの間に
おいて、Jmaxは約０．２ｎＡ・ｃｍ−２であって顕著な
違いは認められない。この結果は、温度が一定であれ
ば、分極電界がJmaxに顕著な影響を与えないで、蓄積さ
れた電荷の安定性に影響することを示している。図３
は、同様に、分極温度を５００°Ｃとして設定し、分極
電界を（ａ）０．１ｋＶ・ｃｍ−１、（ｂ）１ｋＶ・ｃ
ｍ−１ 、（ｃ）５．０５．０ｋＶ・ｃｍ−１として
分極した分極ＨＡｐセラミックスのＴＤＳＣ曲線の一例
を示すもので、電流緩和過程における分極電界の影響を
示している。
おいて、Jmaxは約０．２ｎＡ・ｃｍ−２であって顕著な
違いは認められない。この結果は、温度が一定であれ
ば、分極電界がJmaxに顕著な影響を与えないで、蓄積さ
れた電荷の安定性に影響することを示している。図３
は、同様に、分極温度を５００°Ｃとして設定し、分極
電界を（ａ）０．１ｋＶ・ｃｍ−１、（ｂ）１ｋＶ・ｃ
ｍ−１ 、（ｃ）５．０５．０ｋＶ・ｃｍ−１として
分極した分極ＨＡｐセラミックスのＴＤＳＣ曲線の一例
を示すもので、電流緩和過程における分極電界の影響を
示している。
【００２５】その曲線は分極電界が（ａ）（ｂ）（ｃ）
と増大するにしたがって４６０°Ｃ、５７０°Ｃ、６０
０°Ｃと高温方向へシフトする。しかしながら、これら
三つのカーブの間において、Jmaxは約４３ｎＡ・ｃｍ−
２、約３０ｎＡ・ｃｍ−２、約５０ｎＡ・ｃｍ−２あっ
て、図１の分極温度による影響と比較して顕著な違いは
認められない。この結果は、温度が一定であれば、分極
電界がJmaxに顕著な影響を与えないで、蓄積された電荷
の安定性に影響することを示しているといえる。
と増大するにしたがって４６０°Ｃ、５７０°Ｃ、６０
０°Ｃと高温方向へシフトする。しかしながら、これら
三つのカーブの間において、Jmaxは約４３ｎＡ・ｃｍ−
２、約３０ｎＡ・ｃｍ−２、約５０ｎＡ・ｃｍ−２あっ
て、図１の分極温度による影響と比較して顕著な違いは
認められない。この結果は、温度が一定であれば、分極
電界がJmaxに顕著な影響を与えないで、蓄積された電荷
の安定性に影響することを示しているといえる。
【００２６】次に、表１は、図１と同様に、１２５０°
Ｃ、水蒸気雰囲気で焼結した直径１０ｍｍ、厚さ０．７
ｍｍのＨＡｐセラミックスに対して、分極電界（Ｅpo
l）０．５、１．０及び５．０ｋＶ・ｃｍ−１ の３
通りの分極電界において、分極温度（Ｔpol）４７３Ｋ
（２００°Ｃ）、５７３Ｋ（３００°Ｃ）、６７３Ｋ
（４００°Ｃ）、７７３Ｋ（５００°Ｃ）及び８７３Ｋ
（６００°Ｃ）の５通りの分極温度で１時間保持して、
得られたそれぞれの分極温度の分極ＨＡｐセラミックス
を、０°Ｃから８５０°Ｃまで５°Ｃ・ｍｉｎ−１で加
熱することによって放出された熱刺激緩和電流ＴＳＤＣ
値を時間積分し、分極により貯蔵された貯蔵電荷量の強
さを見積もったものである。表中、N.D.は検出不能を表
し、−は分析不能を表す。貯蔵電荷量の単位はμC・ｃ
ｍ−２である。
Ｃ、水蒸気雰囲気で焼結した直径１０ｍｍ、厚さ０．７
ｍｍのＨＡｐセラミックスに対して、分極電界（Ｅpo
l）０．５、１．０及び５．０ｋＶ・ｃｍ−１ の３
通りの分極電界において、分極温度（Ｔpol）４７３Ｋ
（２００°Ｃ）、５７３Ｋ（３００°Ｃ）、６７３Ｋ
（４００°Ｃ）、７７３Ｋ（５００°Ｃ）及び８７３Ｋ
（６００°Ｃ）の５通りの分極温度で１時間保持して、
得られたそれぞれの分極温度の分極ＨＡｐセラミックス
を、０°Ｃから８５０°Ｃまで５°Ｃ・ｍｉｎ−１で加
熱することによって放出された熱刺激緩和電流ＴＳＤＣ
値を時間積分し、分極により貯蔵された貯蔵電荷量の強
さを見積もったものである。表中、N.D.は検出不能を表
し、−は分析不能を表す。貯蔵電荷量の単位はμC・ｃ
ｍ−２である。
【表１】
【００２７】図４は、表１を分極温度Ｔ（Ｋ）に対し
て、貯蔵電荷量Ｑ（μC・ｃｍ−２）の値を、三角形
△：l５ｋV、円形○：１ｋV、菱形◇：０．５ｋVとし
て、縦軸にＱを対数級数軸として、横軸に分極温度をケ
ルビン温度Ｋで表示したものである。この表１及び図４
から、分極電界５．０ｋＶ・ｃｍ−１ の場合、分
極温度が４７３Ｋ（２００°Ｃ）において、貯蔵電荷量
は０．０８（約０．１）μC・ｃｍ−２ から、分極温
度が８７３Ｋ（６００°Ｃ）において、貯蔵電荷量は１
２００μC・ｃｍ−２ （１．２ｍＣ・ｃｍ−２）ま
で、変化することが判る。
て、貯蔵電荷量Ｑ（μC・ｃｍ−２）の値を、三角形
△：l５ｋV、円形○：１ｋV、菱形◇：０．５ｋVとし
て、縦軸にＱを対数級数軸として、横軸に分極温度をケ
ルビン温度Ｋで表示したものである。この表１及び図４
から、分極電界５．０ｋＶ・ｃｍ−１ の場合、分
極温度が４７３Ｋ（２００°Ｃ）において、貯蔵電荷量
は０．０８（約０．１）μC・ｃｍ−２ から、分極温
度が８７３Ｋ（６００°Ｃ）において、貯蔵電荷量は１
２００μC・ｃｍ−２ （１．２ｍＣ・ｃｍ−２）ま
で、変化することが判る。
【００２８】これは、分極温度が４７３Ｋ（２００°
Ｃ）においての貯蔵電荷量１に対して、分極温度が８７
３Ｋ（６００°Ｃ）においての貯蔵電荷量は１２０００
倍であって、分極ＨＡｐセラミックスの貯蔵電荷量は１
〜１２０００倍の間で可変に設定することができること
を示している。また、分極温度が３００°Ｃ以下では貯
蔵電荷量はせいぜい１μC・ｃｍ−２までであり、分極
温度が４００°Ｃ以下では貯蔵電荷量はせいぜい２０μ
C・ｃｍ−２ までであるのに対して、分極温度が５００
°Ｃ以上では貯蔵電荷量はその２倍の４０μC・ｃｍ−
２ を遙かに越えるてくることを示している。
Ｃ）においての貯蔵電荷量１に対して、分極温度が８７
３Ｋ（６００°Ｃ）においての貯蔵電荷量は１２０００
倍であって、分極ＨＡｐセラミックスの貯蔵電荷量は１
〜１２０００倍の間で可変に設定することができること
を示している。また、分極温度が３００°Ｃ以下では貯
蔵電荷量はせいぜい１μC・ｃｍ−２までであり、分極
温度が４００°Ｃ以下では貯蔵電荷量はせいぜい２０μ
C・ｃｍ−２ までであるのに対して、分極温度が５００
°Ｃ以上では貯蔵電荷量はその２倍の４０μC・ｃｍ−
２ を遙かに越えるてくることを示している。
【００２９】また、図４から、分極ＨＡｐセラミックス
の貯蔵電荷量は、分極電界ではなく分極温度に従うこと
が判り、この図４のような分極温度と分極電界と貯蔵電
荷量の相関関係から、分極条件を設定して所定の貯蔵電
荷量を有する分極ＨＡｐセラミックスを作成することが
できる。なお、分極ＨＡｐセラミックスの分極温度と分
極電界と貯蔵電荷量の相関関係は、分極電界を一定にし
た場合の分極温度と貯蔵電荷量の関係、又は、分極温度
を一定にした場合の分極電界と貯蔵電荷量の関係、又
は、貯蔵電荷量を一定にした場合の分極温度と分極電界
の関係として作成することができることは勿論である。
の貯蔵電荷量は、分極電界ではなく分極温度に従うこと
が判り、この図４のような分極温度と分極電界と貯蔵電
荷量の相関関係から、分極条件を設定して所定の貯蔵電
荷量を有する分極ＨＡｐセラミックスを作成することが
できる。なお、分極ＨＡｐセラミックスの分極温度と分
極電界と貯蔵電荷量の相関関係は、分極電界を一定にし
た場合の分極温度と貯蔵電荷量の関係、又は、分極温度
を一定にした場合の分極電界と貯蔵電荷量の関係、又
は、貯蔵電荷量を一定にした場合の分極温度と分極電界
の関係として作成することができることは勿論である。
【００３０】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、分極時の
温度を変えることによって分極により貯蔵される電荷量
を可変に設定可能にすることができる効果があると共
に、分極時の温度を変えることによって貯蔵電荷量を可
変に設定したＨＡｐセラミックスを提供することができ
る効果がある。
温度を変えることによって分極により貯蔵される電荷量
を可変に設定可能にすることができる効果があると共
に、分極時の温度を変えることによって貯蔵電荷量を可
変に設定したＨＡｐセラミックスを提供することができ
る効果がある。
【００３１】また、本発明によれば、分極時の温度を約
２００°Ｃから約６００°Ｃに設定することにより、Ｈ
Ａｐセラミックスに分極により貯蔵される電荷量を約
０．１μＣ・ｃｍ−２から約１．２ｍＣ・ｃｍ−２ の
幅に可変に設定可能にすると共に、分極時の温度を約２
００°Ｃから約６００°Ｃに設定することにより、分極
により貯蔵される電荷量を約０．１μＣ・ｃｍ−２から
約１．２ｍＣ・ｃｍ−２の幅に可変に設定した分極ＨＡ
ｐセラミックスを提供することができる効果がある。
２００°Ｃから約６００°Ｃに設定することにより、Ｈ
Ａｐセラミックスに分極により貯蔵される電荷量を約
０．１μＣ・ｃｍ−２から約１．２ｍＣ・ｃｍ−２ の
幅に可変に設定可能にすると共に、分極時の温度を約２
００°Ｃから約６００°Ｃに設定することにより、分極
により貯蔵される電荷量を約０．１μＣ・ｃｍ−２から
約１．２ｍＣ・ｃｍ−２の幅に可変に設定した分極ＨＡ
ｐセラミックスを提供することができる効果がある。
【００３２】このことは、ＨＡｐセラミックスが、約
０．１μＣ・ｃｍ−２から約１．２ｍＣ・ｃｍ−２ の
範囲において、蓄えられる電荷量に１万倍以上の多大の
変化を与えることを意味し、従来のゴムやポリプロピレ
ンのようなポリマー誘電体はナノクーロンオーダーの電
荷を蓄えられるだけであり、ポリビニリデンフオライド
（ＰＶＤＦ）とそのコーポリマは、ポリマーでは最高の
蓄電量を有するものであるが、１０ｋＶ・ｃｍ−１の電
界で１５０°Ｃの温度で分極して、８μＣ・ｃｍ−２
だけしか蓄積できないものであることを考慮すると、生
化学材料、生体材料、薬学材料、医学材料、化学物質、
工業材料としてその用途を拡大することができる効果が
ある。
０．１μＣ・ｃｍ−２から約１．２ｍＣ・ｃｍ−２ の
範囲において、蓄えられる電荷量に１万倍以上の多大の
変化を与えることを意味し、従来のゴムやポリプロピレ
ンのようなポリマー誘電体はナノクーロンオーダーの電
荷を蓄えられるだけであり、ポリビニリデンフオライド
（ＰＶＤＦ）とそのコーポリマは、ポリマーでは最高の
蓄電量を有するものであるが、１０ｋＶ・ｃｍ−１の電
界で１５０°Ｃの温度で分極して、８μＣ・ｃｍ−２
だけしか蓄積できないものであることを考慮すると、生
化学材料、生体材料、薬学材料、医学材料、化学物質、
工業材料としてその用途を拡大することができる効果が
ある。
【００３３】また、本発明によれば、分極時の温度を約
２００°Ｃから約６００°Ｃに設定することにより、分
極により貯蔵される電荷量を約１〜１００００倍の間に
おいて指数関数的に可変に設定可能にしたＨＡｐセラミ
ックスの分極方法を提供すると共に、分極時の温度を約
２００°Ｃから約６００°Ｃに設定することにより、分
極により貯蔵される電荷量を約１〜１００００倍の間に
おいて指数関数的に可変に設定したＨＡｐセラミックス
を提供することができる効果がある。
２００°Ｃから約６００°Ｃに設定することにより、分
極により貯蔵される電荷量を約１〜１００００倍の間に
おいて指数関数的に可変に設定可能にしたＨＡｐセラミ
ックスの分極方法を提供すると共に、分極時の温度を約
２００°Ｃから約６００°Ｃに設定することにより、分
極により貯蔵される電荷量を約１〜１００００倍の間に
おいて指数関数的に可変に設定したＨＡｐセラミックス
を提供することができる効果がある。
【００３４】また、本発明によれば、分極時の温度と分
極により貯蔵される電荷量との相関関係に基づいて容
易、且つ確実に分極することができるＨＡｐセラミック
スの分極方法を提供することができると共に、分極時の
温度と貯蔵される電荷量との相関関係に基づいて、所定
の電荷量を貯蔵する分極ＨＡｐセラミックスを提供する
ことができる効果がある。
極により貯蔵される電荷量との相関関係に基づいて容
易、且つ確実に分極することができるＨＡｐセラミック
スの分極方法を提供することができると共に、分極時の
温度と貯蔵される電荷量との相関関係に基づいて、所定
の電荷量を貯蔵する分極ＨＡｐセラミックスを提供する
ことができる効果がある。
【００３５】また、本発明によれば、印加電圧を可変に
することにより、分極により貯蔵される電荷量の貯蔵安
定性を可変に設定可能にしたＨＡｐセラミックスの分極
方法を提供すると共に、印加電圧を可変にすることによ
り、分極により貯蔵される電荷量の貯蔵安定性を可変に
設定した分極ＨＡｐセラミックスを提供することができ
る効果がある。
することにより、分極により貯蔵される電荷量の貯蔵安
定性を可変に設定可能にしたＨＡｐセラミックスの分極
方法を提供すると共に、印加電圧を可変にすることによ
り、分極により貯蔵される電荷量の貯蔵安定性を可変に
設定した分極ＨＡｐセラミックスを提供することができ
る効果がある。
【００３６】また、本発明によれば、印加電圧を約０．
５〜５ｋＶ・ｃｍ−２に設定してなるＨＡｐセラミック
スの分極方法を提供すると共に、印加電圧を０．５〜５
ｋＶ・ｃｍ−２に設定して分極により貯蔵される電荷量
の貯蔵安定性を可変に設定した分極ＨＡｐセラミックス
を提供することができる効果がある。また、本発明によ
れば、分極時の印加電圧と分極により貯蔵される電荷量
の貯蔵安定性との相関関係に基づいて分極してなる分極
ＨＡｐセラミックスの分極方法を提供すると共に、分極
時の印加電圧と分極により貯蔵される電荷量の貯蔵安定
性との相関関係に基づいて分極し、目的の電荷量の貯蔵
安定性を有するＨＡｐセラミックスを得ることができる
効果がある。
５〜５ｋＶ・ｃｍ−２に設定してなるＨＡｐセラミック
スの分極方法を提供すると共に、印加電圧を０．５〜５
ｋＶ・ｃｍ−２に設定して分極により貯蔵される電荷量
の貯蔵安定性を可変に設定した分極ＨＡｐセラミックス
を提供することができる効果がある。また、本発明によ
れば、分極時の印加電圧と分極により貯蔵される電荷量
の貯蔵安定性との相関関係に基づいて分極してなる分極
ＨＡｐセラミックスの分極方法を提供すると共に、分極
時の印加電圧と分極により貯蔵される電荷量の貯蔵安定
性との相関関係に基づいて分極し、目的の電荷量の貯蔵
安定性を有するＨＡｐセラミックスを得ることができる
効果がある。
【００３７】また、本発明は、分極時の温度を５００°
Ｃ以上に設定することによって分極により貯蔵される電
荷量を２０μＣ・ｃｍ−２以上に分極してなる分極水酸
アパタイトセラミックスの分極方法を提供すると共に、
従来より遙かに大きな貯蔵電荷量を有する分極水酸アパ
タイトセラミックスによって、生化学材料、生体材料、
薬学材料、医学材料、化学物質、工業材料として広い用
途を提供することができる効果がある。
Ｃ以上に設定することによって分極により貯蔵される電
荷量を２０μＣ・ｃｍ−２以上に分極してなる分極水酸
アパタイトセラミックスの分極方法を提供すると共に、
従来より遙かに大きな貯蔵電荷量を有する分極水酸アパ
タイトセラミックスによって、生化学材料、生体材料、
薬学材料、医学材料、化学物質、工業材料として広い用
途を提供することができる効果がある。
【００３８】また、本発明によれば、水蒸気雰囲気内で
焼結した水酸アパタイトセラミックスを分極することに
よって高温における分極を容易に耐え、高温で分極した
貯蔵電荷量の大きい分極水酸アパタイトセラミックスを
提供すると共に、高温においても電荷の貯蔵安定性の高
い分極水酸アパタイトセラミックスを提供することがで
きる効果がある。
焼結した水酸アパタイトセラミックスを分極することに
よって高温における分極を容易に耐え、高温で分極した
貯蔵電荷量の大きい分極水酸アパタイトセラミックスを
提供すると共に、高温においても電荷の貯蔵安定性の高
い分極水酸アパタイトセラミックスを提供することがで
きる効果がある。
【図１】 本発明に係るＨＡｐセラミックスのＴＳＤ
Ｃ曲線を表す説明図。
Ｃ曲線を表す説明図。
【図２】 本発明に係るＨＡｐセラミックスのＴＳＤ
Ｃ曲線を表す他の説明図。
Ｃ曲線を表す他の説明図。
【図３】 本発明に係るＨＡｐセラミックスのＴＳＤ
Ｃ曲線を表す他の説明図。
Ｃ曲線を表す他の説明図。
【図４】 本発明に係るＨＡｐセラミックスのＴＳＤ
Ｃ曲線を表す他の説明図。
Ｃ曲線を表す他の説明図。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１４年４月１８日（２００２．４．１
８）
８）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】また、本発明は、請求項６に記載のよう
に、請求項５に記載のＨＡｐセラミックスの分極方法に
おいて、印加電圧を約０．５〜５ｋＶ・ｃｍ −１ に設定
してなるＨＡｐセラミックスの分極方法を提供するもの
である。本発明によれば、請求項５に記載のＨＡｐセラ
ミックスの分極方法において、印加電圧を０．５〜５ｋ
Ｖ・ｃｍ −１ に設定して分極により貯蔵される電荷量の
貯蔵安定性を可変に設定することができる。
に、請求項５に記載のＨＡｐセラミックスの分極方法に
おいて、印加電圧を約０．５〜５ｋＶ・ｃｍ −１ に設定
してなるＨＡｐセラミックスの分極方法を提供するもの
である。本発明によれば、請求項５に記載のＨＡｐセラ
ミックスの分極方法において、印加電圧を０．５〜５ｋ
Ｖ・ｃｍ −１ に設定して分極により貯蔵される電荷量の
貯蔵安定性を可変に設定することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】また、本発明は、請求項１５に記載のよう
に、請求項１４に記載の分極ＨＡｐセラミックスにおい
て、印加電圧を約０．５〜５ｋＶ・ｃｍ −１ に可変に設
定して分極してなる分極ＨＡｐセラミックスを提供する
ものである。本発明によれば、印加電圧を約０．５〜５
ｋＶ・ｃｍ −１ に可変に設定して貯蔵安定性を可変に分
極してなる分極ＨＡｐセラミックスを提供することがで
きる。
に、請求項１４に記載の分極ＨＡｐセラミックスにおい
て、印加電圧を約０．５〜５ｋＶ・ｃｍ −１ に可変に設
定して分極してなる分極ＨＡｐセラミックスを提供する
ものである。本発明によれば、印加電圧を約０．５〜５
ｋＶ・ｃｍ −１ に可変に設定して貯蔵安定性を可変に分
極してなる分極ＨＡｐセラミックスを提供することがで
きる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３６】また、本発明によれば、印加電圧を約０．
５〜５ｋＶ・ｃｍ −１ に設定してなるＨＡｐセラミック
スの分極方法を提供すると共に、印加電圧を０．５〜５
ｋＶ・ｃｍ −１ に設定して分極により貯蔵される電荷量
の貯蔵安定性を可変に設定した分極ＨＡｐセラミックス
を提供することができる効果がある。また、本発明によ
れば、分極時の印加電圧と分極により貯蔵される電荷量
の貯蔵安定性との相関関係に基づいて分極してなる分極
ＨＡｐセラミックスの分極方法を提供すると共に、分極
時の印加電圧と分極により貯蔵される電荷量の貯蔵安定
性との相関関係に基づいて分極し、目的の電荷量の貯蔵
安定性を有するＨＡｐセラミックスを得ることができる
効果がある。
５〜５ｋＶ・ｃｍ −１ に設定してなるＨＡｐセラミック
スの分極方法を提供すると共に、印加電圧を０．５〜５
ｋＶ・ｃｍ −１ に設定して分極により貯蔵される電荷量
の貯蔵安定性を可変に設定した分極ＨＡｐセラミックス
を提供することができる効果がある。また、本発明によ
れば、分極時の印加電圧と分極により貯蔵される電荷量
の貯蔵安定性との相関関係に基づいて分極してなる分極
ＨＡｐセラミックスの分極方法を提供すると共に、分極
時の印加電圧と分極により貯蔵される電荷量の貯蔵安定
性との相関関係に基づいて分極し、目的の電荷量の貯蔵
安定性を有するＨＡｐセラミックスを得ることができる
効果がある。
Claims (18)
- 【請求項１】 分極時の温度を変えるこ
とによって分極により貯蔵される電荷量を可変に設定可
能にした水酸アパタイトセラミックスの分極方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の分極方
法において、分極時の温度を約２００°Ｃから約６００
°Ｃに設定することにより、分極により貯蔵される電荷
量を約０．１μＣ・ｃｍ−２から約１．２ｍＣ・ｃｍ−
２ の幅に可変に設定可能にした水酸アパタイトセラミ
ックスの分極方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の
分極方法において、分極時の温度を約２００°Ｃから約
６００°Ｃに設定することにより、分極により貯蔵され
る電荷量を約１〜１００００倍の間において指数関数的
に可変に設定可能にした水酸アパタイトセラミックスの
分極方法。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれ
かに記載の分極方法において、分極時の温度と分極によ
り貯蔵される電荷量との相関関係に基づいて分極してな
る分極水酸アパタイトセラミックスの分極方法。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれ
かに記載の分極方法において、印加電圧を可変にするこ
とにより、分極により貯蔵される電荷量の貯蔵安定性を
可変に設定可能にした水酸アパタイトセラミックスの分
極方法。 - 【請求項６】 請求項５に記載の分極方
法において、印加電圧を約０．５〜５ｋＶ・ｃｍ−２に
設定してなる水酸アパタイトセラミックスの分極方法。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいず
れかに記載の分極方法において、分極時の印加電圧と分
極により貯蔵される電荷量の貯蔵安定性との相関関係に
基づいて分極してなる分極水酸アパタイトセラミックス
の分極方法。 - 【請求項８】 請求項１乃至７のいず
れかに記載の分極方法において、分極時の温度を５００
°Ｃ以上に設定することによって分極により貯蔵される
電荷量を２０μＣ・ｃｍ−２以上に分極してなる分極水
酸アパタイトセラミックスの分極方法。 - 【請求項９】 請求項１乃至８のいず
れかに記載の分極方法において、水蒸気雰囲気内で焼結
した水酸アパタイトセラミックスを分極することからな
る分極水酸アパタイトセラミックスの分極方法。 - 【請求項１０】 分極により貯蔵される
電荷量を分極時の温度設定に基づいて設定してなる分極
水酸アパタイトセラミックス。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載の分
極水酸アパタイトセラミックスにおいて、分極時の温度
と分極により貯蔵される電荷量との相関関係に基づいて
分極してなる分極水酸アパタイトセラミックス。 - 【請求項１２】 請求項１０又は１１に
記載の分極水酸アパタイトセラミックスにおいて、分極
時の温度を約２００°Ｃから約６００°Ｃの間にそれぞ
れ設定することにより、分極により貯蔵される電荷量を
約０．１μＣ・ｃｍ−２から約１．２ｍＣ・ｃｍ−２
の幅にそれぞれ分極してなる分極水酸アパタイトセラミ
ックス。 - 【請求項１３】 請求項１０、１１又は
１２に記載の分極水酸アパタイトセラミックスにおい
て、分極時の温度を約２００°Ｃから約６００°Ｃの間
にそれぞれ設定することにより、分極により貯蔵される
電荷量を約１〜１００００倍の間で指数関数的に可変に
分極してなる分極水酸アパタイトセラミックス。 - 【請求項１４】 請求項１０乃至１３の
いずれかに記載の分極水酸アパタイトセラミックスにお
いて、印加電圧を可変にすることにより、分極により貯
蔵される電荷量の貯蔵安定性を可変に分極した分極水酸
アパタイトセラミックス。 - 【請求項１５】 請求項１４に記載の分
極水酸アパタイトセラミックスにおいて、印加電圧を約
０．５〜５ｋＶ・ｃｍ−２に可変に設定して分極してな
る分極水酸アパタイトセラミックス。 - 【請求項１６】 請求項１０乃至１５
のいずれかに記載の分極水酸アパタイトセラミックスに
おいて、分極時の印加電圧と分極により貯蔵される電荷
量の貯蔵安定性との相関関係に基づいて分極してなる分
極水酸アパタイトセラミックス。 - 【請求項１７】 請求項１０乃至１６
のいずれかに記載の分極水酸アパタイトセラミックスに
おいて、分極時の温度を５００°Ｃ以上に設定すること
によって分極により貯蔵される電荷量を２０μＣ・ｃｍ
−２以上に分極してなる分極水酸アパタイトセラミック
ス。 - 【請求項１８】 請求項１０乃至１７
のいずれかに記載の分極水酸アパタイトセラミックスに
おいて、水蒸気雰囲気内で焼結した水酸アパタイトセラ
ミックスを分極してなる分極水酸アパタイトセラミック
ス。
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|---|---|---|---|
| JP2002106239A JP2003300712A (ja) | 2002-04-09 | 2002-04-09 | 水酸アパタイトセラミックスの分極方法と分極水酸アパタイトセラミックス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002106239A JP2003300712A (ja) | 2002-04-09 | 2002-04-09 | 水酸アパタイトセラミックスの分極方法と分極水酸アパタイトセラミックス |
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|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009279259A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Tokyo Medical & Dental Univ | セラミックスの分極処理方法及び分極処理したセラミックスを含む生体材料 |
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-
2002
- 2002-04-09 JP JP2002106239A patent/JP2003300712A/ja active Pending
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| JPWO2011093414A1 (ja) * | 2010-01-27 | 2013-06-06 | 国立大学法人 東京医科歯科大学 | 金属酸化物、金属材料、生体親和材料、および金属酸化物の製造方法 |
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