JP2003300255A - Film sticking method, fixture for sticking film, and film sticking apparatus - Google Patents

Film sticking method, fixture for sticking film, and film sticking apparatus

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JP2003300255A
JP2003300255A JP2002107116A JP2002107116A JP2003300255A JP 2003300255 A JP2003300255 A JP 2003300255A JP 2002107116 A JP2002107116 A JP 2002107116A JP 2002107116 A JP2002107116 A JP 2002107116A JP 2003300255 A JP2003300255 A JP 2003300255A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film sticking method eliminating necessity for cutting a film after sticking to prevent the wasteful consumption of the film, generating no warpage or crack in a substrate after the sticking of the film and not involving air bubbles. <P>SOLUTION: After the film 3 to be cut is arranged above the substrate 4 so as to expand the central part of the film 3 downwardly when the film is placed in a vacuum atmosphere, the vacuum atmosphere is generated to press the film 3 to the substrate 4 from the central part thereof so that the film 3 goes outwardly from the central part thereof. This film 3 is pressed and sticked to the substrate 4 in a heated state to be cooled while pressed. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、フィルム貼付け方法及
びフィルム貼付け用治具並びにフィルム貼付け装置に係
る。特に、枚葉的にフィルム貼付けを行うフィルム貼付
け方法及びフィルム貼付け用治具並びにフィルム貼付け
装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film sticking method, a film sticking jig, and a film sticking apparatus. In particular, the present invention relates to a film sticking method, a film sticking jig, and a film sticking device for sticking films in a single-wafer manner.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子回路が形成された半導体ウエハ等の
基板に対して、各種目的をもってその表面乃至裏面をフ
ィルムで被覆することが行われる。
2. Description of the Related Art A substrate such as a semiconductor wafer having an electronic circuit formed thereon is coated with a film on its front surface or back surface for various purposes.

【0003】フィルムの貼付け技術としては、ロール状
のフィルムを貼り付ける技術が知られている。例えば、
特開2001−210701号公報に従来技術として記
載されている。
As a film sticking technique, a technique of sticking a roll-shaped film is known. For example,
It is described as a conventional technique in Japanese Patent Laid-Open No. 2001-210701.

【0004】図5に基づいて説明する。大気中におい
て、テーブル101の上に半導体ウエハ102を載置す
る一方、この半導体ウエハ102の近接上方に粘着フィ
ルム103を傾斜させた状態で張り渡し、この粘着フィ
ルム103を転動ローラ104で押し付けながら半導体
ウエハ102の上面に貼付する方法が知られている。ま
た、バックグラインディング工程のように、電子回路が
形成されている凹凸面に粘着フィルムを貼付する場合に
も同様に、ピンと張ってある粘着フィルムに対して半導
体ウエハを平行に保ち、粘着フィルムを傾斜させた状態
で半導体ウエハを平行にして近づけ、そのまま半導体ウ
エハ102の凹凸面全体に粘着フィルムを転動ローラで
押し付けながら貼付する方法」である。
Description will be made with reference to FIG. While the semiconductor wafer 102 is placed on the table 101 in the air, the adhesive film 103 is stretched over the vicinity of the semiconductor wafer 102 while being inclined, and the adhesive film 103 is pressed by the rolling roller 104. A method of attaching to the upper surface of the semiconductor wafer 102 is known. Also, in the case of sticking an adhesive film on the uneven surface where the electronic circuit is formed as in the back grinding process, similarly, the semiconductor wafer is kept parallel to the sticky adhesive film and the adhesive film is attached. It is a method in which the semiconductor wafers are made parallel to each other in an inclined state and brought close to each other, and the adhesive film is directly attached to the entire concavo-convex surface of the semiconductor wafer 102 with the rolling roller.

【0005】しかしながら、ロール状フィルムを貼り付
ける技術では、フィルムを必要な量以上の消費してしま
う。
However, the technique of sticking a roll-shaped film consumes more than the required amount of film.

【0006】また、特開2001−210701号公報
において指摘されているように、次ぎのような問題点が
ある。上述のように大気中で半導体ウエハ102に粘着
フィルム103を貼付する際に空気を巻き込んでしまう
と、図6に示したように、半導体ウエハ102と粘着フ
ィルム103との間に空気を閉じ込めた状態で気泡10
6ができてしまう。その結果、バックグラインディング
工程又はダイシング工程の終了後に紫外線を照射した時
に、気泡106内に閉じ込められた空気が原因で架橋反
応による硬化を阻害されて粘着力が低下せず、気泡10
6の周縁部では粘着剤107が残ってしまい半導体ウエ
ハ102に粘着フィルム103が貼り付いたままの状態
にある。そのため、粘着フィルム103を剥離する際の
作業性が低下し、また有機系粘着剤が半導体ウエハ10
2に残ってしまうと製品信頼性が低下するといった問題
があった。特に最近では半導体ウエハ102の厚みが1
00μm以下、さらには50μm以下になるまで薄く裏
面研削を行う場合があるが、このような薄さではボンデ
ィング工程において粘着フィルム103の下から半導体
ウエハ102のチップをピンで下から突き上げることが
できず、粘着フィルム103を僅かに押し上げるだけで
チップをピックアップするために、前述のように気泡1
06の周縁部に粘着剤107が残っているとピックアッ
プを確実に実行できないといった問題があった。
Further, as pointed out in Japanese Patent Laid-Open No. 2001-210701, there are the following problems. If air is trapped when the adhesive film 103 is attached to the semiconductor wafer 102 in the air as described above, the air is trapped between the semiconductor wafer 102 and the adhesive film 103 as shown in FIG. With bubbles 10
6 is made. As a result, when ultraviolet rays are irradiated after the back grinding process or the dicing process is completed, the air trapped in the air bubbles 106 does not impede the curing due to the crosslinking reaction and the adhesive force does not decrease.
At the peripheral portion of 6, the adhesive 107 remains, and the adhesive film 103 is still attached to the semiconductor wafer 102. Therefore, workability at the time of peeling the adhesive film 103 is reduced, and the organic adhesive is used as the semiconductor wafer 10.
If it remains 2, the product reliability will be reduced. Particularly recently, the thickness of the semiconductor wafer 102 is 1
The back surface may be thinly ground to a thickness of 00 μm or less, and further to 50 μm or less, but with such a thickness, the chip of the semiconductor wafer 102 cannot be pushed up from below with the pin in the bonding process from below the adhesive film 103. In order to pick up the chip by slightly pushing up the adhesive film 103, the bubbles 1
If the adhesive 107 remains on the peripheral portion of 06, there is a problem that the pickup cannot be reliably executed.

【0007】特開2001−210701号公報記載技
術は、かかる問題を解決せんとするものである。すなわ
ち、半導体ウエハに粘着フィルムを貼付する際に、半導
体ウエハと粘着フィルムとの間の気泡の発生を減少し、
また気泡が発生してもその中に空気が入らないようにし
て紫外線を照射した時の空気による阻害を回避し、粘着
フィルムの粘着力を半導体ウエハの全域に亘って確実に
低下させ、粘着フィルムを剥離する際の作業性及び薄板
チップのピックアップ性の向上を図ると共に、半導体ウ
エハに粘着剤の一部が残らないようにして製品の信頼性
向上を図ることである。
The technique described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-210701 is to solve such a problem. That is, when attaching the adhesive film to the semiconductor wafer, the generation of bubbles between the semiconductor wafer and the adhesive film is reduced,
In addition, even if bubbles are generated, air is prevented from entering into the bubbles and avoids obstruction by the air when irradiated with ultraviolet rays, and reliably reduces the adhesive force of the adhesive film over the entire area of the semiconductor wafer. It is intended to improve the workability in peeling off the wafer and the pick-up property of the thin plate chip, and to improve the reliability of the product by not leaving a part of the adhesive on the semiconductor wafer.

【0008】そのために、図7に示すように密閉空間1
14内で半導体ウエハ102と粘着フィルム103とを
対面させた状態で保持し、密閉空間を窒素雰囲気に置き
換えた後、半導体ウエハ102に粘着フィルム103を
押し付けて貼付している。
Therefore, as shown in FIG. 7, the enclosed space 1
The semiconductor wafer 102 and the adhesive film 103 are held in a state of facing each other in 14 and the sealed space is replaced with a nitrogen atmosphere, and then the adhesive film 103 is pressed and attached to the semiconductor wafer 102.

【0009】しかし、この技術は、窒素ガスの気泡とは
言え気泡の存在を容認するものであり、また、わざわざ
窒素ガス雰囲気としなければならないという繁雑さを伴
う。さらに、フィルム貼付け後に紫外線を照射すること
を前提とした技術である。
However, this technique allows the presence of bubbles even though they are nitrogen gas bubbles, and is accompanied by the complexity that a nitrogen gas atmosphere has to be provided. Furthermore, it is a technology that is premised on the irradiation of ultraviolet rays after the film is attached.

【0010】一方、ロール状フィルムではなく、切断し
たフィルムを用いる技術として特開平07−04555
9号公報に記載された技術がある。図8にその工程を示
す。
On the other hand, as a technique of using a cut film instead of a roll-shaped film, Japanese Patent Laid-Open No. 07-045555
There is a technique described in Japanese Patent No. FIG. 8 shows the process.

【0011】この技術は、フレームリング206にテー
プ201を全方向に緊張させて貼付け、前記フレームリ
ング206に貼付けたテープ201をウエハ209に、
脱気雰囲気中で、軟質のゴムパット210を押付けて接
着するものである。そして、フレームリング206にテ
ープ201を全方向に緊張させて貼付け、このテープ2
01をウエハ209に接着するので、ウエハ209とテ
ープ201の接着面間にタルミやシワが生じない。又前
記ウエハ209のテープ201への接着を脱気雰囲気中
で行うので、テープ201とウエハ209との間に気泡
が残存しない。更にウエハ209にテープ201を接着
する際に、ウエハ209上のテープ201にゴムパット
210を押付けるので、気泡の残存や、タルミやシワの
発生が確実に防止できるという効果を有する。
In this technique, the tape 201 is attached to the frame ring 206 while being tensioned in all directions, and the tape 201 attached to the frame ring 206 is attached to the wafer 209.
In the deaeration atmosphere, the soft rubber pad 210 is pressed and adhered. Then, the tape 201 is affixed to the frame ring 206 with tension in all directions.
Since No. 01 is adhered to the wafer 209, no wrinkles or wrinkles occur between the adhesive surfaces of the wafer 209 and the tape 201. Further, since the wafer 209 is adhered to the tape 201 in a degassing atmosphere, air bubbles do not remain between the tape 201 and the wafer 209. Further, when the tape 201 is attached to the wafer 209, the rubber pad 210 is pressed against the tape 201 on the wafer 209, so that there is an effect that it is possible to reliably prevent the remaining of air bubbles and the occurrence of lumps and wrinkles.

【0012】しかし、特開平07−045559号公報
に記載された技術では、気泡の残存やタルミやシワの発
生が確実に防止できるというも、実際には、気泡の残存
が避けられない。
However, with the technique described in Japanese Patent Laid-Open No. 07-045559, it is possible to surely prevent the remaining of bubbles and the generation of wrinkles and wrinkles, but in reality, the remaining of bubbles is unavoidable.

【0013】一方、上記公報には記載はされていない
が、フィルムの貼付け時に基板を加熱することが行われ
る。
On the other hand, although not described in the above publication, the substrate is heated when the film is attached.

【0014】しかし、フィルム貼付け後においては、基
板に原因不明の反りが生じたり、あるいは基板が薄い場
合には、基板の割れが生じたりするという問題がある。
基板に反りが生じると基板上に形成されたデバイスの特
性を損なうことになり、また、次工程(例えばダイシン
グ工程)での加工ができなくなってしまうという問題点
がある。
However, there is a problem in that after the film is attached, the substrate may be warped for unknown reasons, or if the substrate is thin, the substrate may be cracked.
When the substrate is warped, the characteristics of the device formed on the substrate are impaired, and processing in the next step (for example, dicing step) becomes impossible.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
状況に鑑み鋭意研究を行った結果なされたもので、上述
した従来技術の有する課題を全て解決することをその目
的とするものである。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made as a result of intensive studies in view of such a situation, and an object thereof is to solve all the problems of the above-mentioned prior art. .

【0016】本発明は、貼付け後にフィルムの切断を行
う必要のないフィルム貼付け方法を提供することを目的
とする。
It is an object of the present invention to provide a film sticking method which does not require cutting of the film after sticking.

【0017】本発明は、無駄なフィルムの消費すること
のないフィルム貼付け方法を提供することを目的とす
る。
An object of the present invention is to provide a film sticking method that does not waste film.

【0018】本発明は、フィルム貼付け後においても基
板に反りや割れが生ずることのないフィルム貼付け方法
を提供することを目的とする。
It is an object of the present invention to provide a film sticking method in which the substrate is not warped or cracked even after the film is stuck.

【0019】本発明は、気泡の巻き込みがないフィルム
貼付け方法を提供することを目的とする。
It is an object of the present invention to provide a film sticking method which does not involve air bubbles.

【0020】本発明は、気泡の巻き込みが無く、基板に
反りや割れが生ずることなくフィルムの貼付けを可能た
らしめるフィルム貼付け用治具を提供することを目的と
する。
It is an object of the present invention to provide a film sticking jig which allows sticking of a film without entrainment of bubbles and without warping or cracking of the substrate.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】本発明のフィルム貼付け
方法は、減圧雰囲気中に置いたときに、切断したフィル
ムの中央部が下方に膨らむようにして該切断したフィル
ムを基板上方に配置した後、減圧雰囲気とし、次いで、
該中央部から外方に向かいフィルムを基板に押し付ける
ことを特徴とする。
[Means for Solving the Problems] The method for attaching a film according to the present invention is such that, when the film is placed in a reduced pressure atmosphere, the cut film is arranged above the substrate so that the central portion of the film swells downward. , A reduced pressure atmosphere, and then
It is characterized in that the film is pressed against the substrate from the central portion toward the outside.

【0022】本発明のフィルム貼付け方法は、基板の面
にフィルムを貼り付けるフィルム貼付け方法において、
加熱状態でフィルムを基板に加圧して貼付け、加圧した
まま冷却することを特徴とする。
The film sticking method of the present invention is a film sticking method for sticking a film on a surface of a substrate,
It is characterized in that the film is pressed and attached to the substrate in a heated state and cooled while being pressed.

【0023】本発明のフィルム貼付け用治具基板を載置
するための底部と、該底部周辺から立ち上がる立ち上が
り部とを有し、該立ち上がり部の上ウ面に切断したフィ
ルムを載置するようにしたことを特徴とする。本発明の
フィルム貼付け装置は、フィルムを真空中で基板に押圧
して基板上にフィルムを貼付けるフィルム貼付け装置に
おいて、押圧部材は、ガスの圧力により可動するダイヤ
フラムにより構成され、該ガスを加温するための手段と
冷却するための手段とを設けたことを特徴とする。
The film sticking jig substrate of the present invention has a bottom portion on which the substrate is placed and a rising portion rising from the periphery of the bottom portion, and the cut film is placed on the upper surface of the rising portion. It is characterized by having done. The film sticking apparatus of the present invention is a film sticking apparatus for sticking a film on a substrate by pressing the film in a vacuum, wherein the pressing member is constituted by a diaphragm movable by the pressure of gas, and the gas is heated. It is characterized in that a means for cooling and a means for cooling are provided.

【0024】[0024]

【作用及び発明の実施の態様】特開平7−45559号
公報記載技術においても、脱気雰囲気において、フィル
ムの貼付けを行っている。しかし、フィルムは全方向に
緊張させて貼り付けているため、減圧雰囲気中に入れて
も緊張状態は保持される。
[Operation and Modes for Carrying Out the Invention] Also in the technique described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-45559, the film is attached in a degassing atmosphere. However, since the film is attached while being tensioned in all directions, the tension state is maintained even when the film is placed in a reduced pressure atmosphere.

【0025】本発明者は、、減圧環境下に置くと、フィ
ルムは中央部が下方に膨らむことを見出した。膨らみが
生ずるとその膨らみはガスの流路の障壁となる。障壁が
中央部に生じると、ガスは自然に外方に向かうことにな
る。従って、膨らんだ部分から外側に向かってフィルム
を基板に貼り付けて行けば、減圧環境下でも残存するガ
スは、外側に押し出されるようになり、気泡を巻き込む
ことなくフィルムを基板に貼り付けることが可能とな
る。
The present inventor has found that when the film is placed in a reduced pressure environment, the central part of the film bulges downward. When the bulge occurs, the bulge becomes a barrier of the gas flow path. When a barrier is created in the center, the gas will naturally flow outwards. Therefore, if the film is attached to the substrate from the inflated part toward the outside, the gas that remains even under the reduced pressure environment will be pushed out, and the film can be attached to the substrate without entraining bubbles. It will be possible.

【0026】切断したフィルムをその周辺において支持
して基板に対向させて配置した後減圧雰囲気とすると中
央部は下方に膨らむ。
When the cut film is supported at its periphery and arranged so as to face the substrate and then a reduced pressure atmosphere is applied, the central portion swells downward.

【0027】切断したフィルムをその周辺において保持
し、基板と対向させて配置するためには、例えば、基板
を載置するための底部と、該底部周辺から立ち上がる立
ち上がり部とを有し、該立ち上がり部の上面に切断した
フィルムを載置するようにしたことを特徴とするフィル
ム貼付け用治具を用いることが好ましい。
In order to hold the cut film in the periphery thereof and arrange it so as to face the substrate, for example, a bottom portion for mounting the substrate and a rising portion rising from the periphery of the bottom portion are provided. It is preferable to use a film sticking jig characterized in that the cut film is placed on the upper surface of the section.

【0028】[0028]

【実施例】(実施例1)[Example] (Example 1)

【0029】本例で使用する治具を図1に示す。The jig used in this example is shown in FIG.

【0030】この治具7は、特開2001−21070
1号公報に示す装置に比べて極めて簡単な構造を有して
いる。すなわち、底部1と、底部周辺から立ち上がる立
ち上がり部2とを有している。なお、図1に示す例では
底部1は段差を有しており、下の段は基板と同じ径を有
しており、この下の段に基板4を載置する。
This jig 7 is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2001-21070.
It has an extremely simple structure as compared with the device shown in Japanese Patent Publication No. That is, it has a bottom portion 1 and a rising portion 2 that rises from the periphery of the bottom portion. In the example shown in FIG. 1, the bottom portion 1 has a step, the lower step has the same diameter as the substrate, and the substrate 4 is placed on this lower step.

【0031】この治具7は、プラスチック、金属、セラ
ミックその他任意の材料により作成できる。また、その
構造上、成型加工が可能であり、安価に大量生産が可能
である。
The jig 7 can be made of plastic, metal, ceramic or any other material. In addition, because of its structure, it can be molded and can be mass-produced at low cost.

【0032】この治具の立ち上げ部2の上面5上に切断
したフィルム3を載置すればよい。切断フィルム3の径
は、図1に示す例では、治具7の外径と同じにしてあ
る。この場合、フィルム3が落下しないように、フィル
ム3の周辺(上面5に対応する部分)をフィルム3の背
面から押圧しておけばよい。あるいは、フィルム3の周
辺に接着剤(例えば、常温で10gf/25mm以下の
弱い接着力の接着剤)を塗布しておき、上面5に仮固定
されるようにしておいてもよい。減圧雰囲気となったと
きのフィルムの膨らみ量はフィルムの材質、フィルムの
厚さ、上面5への押圧力などにより変化するが、具体的
材質、厚さ、押圧力を実験により求めておけばよい。な
お、材質としては、弾性係数が小さく、また、厚さは薄
く、押圧力は小さい方が膨らみが生じやすい。
The cut film 3 may be placed on the upper surface 5 of the rising portion 2 of the jig. The diameter of the cutting film 3 is the same as the outer diameter of the jig 7 in the example shown in FIG. In this case, the periphery of the film 3 (the portion corresponding to the upper surface 5) may be pressed from the back surface of the film 3 so that the film 3 does not drop. Alternatively, an adhesive (for example, an adhesive having a weak adhesive strength of 10 gf / 25 mm or less at room temperature) may be applied around the film 3 and temporarily fixed to the upper surface 5. The amount of swelling of the film in a reduced pressure atmosphere varies depending on the material of the film, the thickness of the film, the pressing force on the upper surface 5, etc., but the specific material, thickness and pressing force may be obtained by experiments. . In addition, as the material, the elastic coefficient is small, the thickness is thin, and the pressing force is small, the bulge is likely to occur.

【0033】一方、図2に示す例では切断フィルム3を
治具7の外径より大きくしてある。この場合、はみ出し
部6が錘の作用をなし、図1に示す場合の押圧力の代わ
りになる。減圧雰囲気となり、中央部が膨らんでもフィ
ルム3は治具7から落ちることはない。はみ出し部6の
長さは適宜調整すればよい。また、はみ出し部6のみ重
さを重くしてもよい。
On the other hand, in the example shown in FIG. 2, the cutting film 3 is made larger than the outer diameter of the jig 7. In this case, the protruding portion 6 functions as a weight and serves as a substitute for the pressing force shown in FIG. Even if the central portion swells due to the reduced pressure atmosphere, the film 3 does not fall from the jig 7. The length of the protruding portion 6 may be appropriately adjusted. Further, only the protruding portion 6 may be made heavy.

【0034】図1、図2のいずれの場合もフィルム3
は、緊張させることなく基板4上に配置することが好ま
しい。緊張させることなく配置した場合、減圧雰囲気と
なったとき、中央部が下方に膨らみやすくなる。なお、
緊張させることなく配置した場合であってもタルミ、シ
ワの発生は認められない。
In both cases of FIG. 1 and FIG. 2, the film 3 is used.
Are preferably placed on the substrate 4 without tension. In the case of arranging without tension, the central portion tends to bulge downward when a reduced pressure atmosphere is reached. In addition,
Even when placed without tension, no tarmi or wrinkles are observed.

【0035】真空雰囲気においたときにフィルム3は中
央部において下方に膨らむが、膨らんだ状態において中
央部が基板4の表面に接触するようにすることが好まし
い。フィルム3の中央部が基板4に接触すると、その部
分がガスの壁となる。従って、ガスは壁の無い解放部
(すなわち、外周方向)に運ばれる。その結果、ガスの
巻き込みがより一層防止される。
The film 3 swells downward in the central portion when placed in a vacuum atmosphere, but it is preferable that the central portion contact the surface of the substrate 4 in the swollen state. When the central portion of the film 3 comes into contact with the substrate 4, that portion becomes a gas wall. Therefore, the gas is carried to the open part (that is, in the outer peripheral direction) having no wall. As a result, gas entrapment is further prevented.

【0036】フィルム3が膨らんだときにその中央部が
基板4の表面に接触するようにするためには、フィルム
3と基板4との距離を小さくすることが好ましい。ま
た、真空度、フィルムの弾性、フィルム3の厚さ、フィ
ルム3の押圧力によっても影響を受けるが、これについ
ても具体的な材料について、条件を変化させて実験によ
り求めておけばよい。
In order for the central portion of the film 3 to contact the surface of the substrate 4 when the film 3 swells, it is preferable to reduce the distance between the film 3 and the substrate 4. Further, although it is also affected by the degree of vacuum, the elasticity of the film, the thickness of the film 3, and the pressing force of the film 3, this can also be obtained by an experiment by changing the conditions for a specific material.

【0037】なお、フィルム3は、その表面(基板側
面)に接着剤層を塗布しておく。あるいは、基板4に接
着剤層を塗布してもよい。基板4に接着剤層を塗布する
場合、スピンコート法によることが好ましい。特に、図
1、図2に示す治具7に基板4をセットし、治具7を回
転させればセットした状態でスピンコートを行うことが
できる。かかる点からも上記治具の有用性が認められ
る。かりに治具7を使用しない場合は、基板自体を回転
してスピンコートし、その後、真空室20(図3)に配
置することになる。しかし、この場合、真空室20への
配置までの間に基板に形成された接着剤層を汚染するお
それが高まる。
The film 3 is coated with an adhesive layer on its surface (side surface of the substrate). Alternatively, the substrate 4 may be coated with an adhesive layer. When the adhesive layer is applied to the substrate 4, spin coating is preferably used. In particular, if the substrate 4 is set on the jig 7 shown in FIGS. 1 and 2 and the jig 7 is rotated, spin coating can be performed in the set state. From this point, the usefulness of the above jig is recognized. When the jig 7 is not used, the substrate itself is rotated for spin coating and then placed in the vacuum chamber 20 (FIG. 3). However, in this case, the risk of contaminating the adhesive layer formed on the substrate before the placement in the vacuum chamber 20 increases.

【0038】図1あるいは図2に示すフィルム貼付け用
治具7にフィルム3を載置した後、この治具7を真空装
置内に導入する。
After the film 3 is placed on the film sticking jig 7 shown in FIG. 1 or 2, the jig 7 is introduced into a vacuum device.

【0039】真空装置を図3に示す。真空装置10は、
外壁17により真空室20が形成されている。真空室2
0内には上下動可能な押圧部材16が設けられている。
また、真空室20に連通して真空ポンプ11が接続され
ている。以上が真空装置の基本的な構成である。極めて
簡単な構成であり、押圧部材を設けるだけで、一般的な
真空装置を簡単に転用することができる。なお、本例で
は、治具を載置するために台座15を設けてあるが必ず
しも必要としない。また、台座15の内部には加熱手段
としてヒータ12が埋設してある。加熱手段は、基板乃
至フィルムを加熱するためのものであり、その設定場
所、方法はその目的を達成し得るならば任意である。例
えば、赤外線ランプを照射して加熱するようにしてもよ
し、真空装置の外部にヒータを設けて真空室全体を加熱
してもよい。
The vacuum device is shown in FIG. The vacuum device 10 is
A vacuum chamber 20 is formed by the outer wall 17. Vacuum chamber 2
A pressing member 16 that can move up and down is provided in the position 0.
A vacuum pump 11 is connected to the vacuum chamber 20. The above is the basic configuration of the vacuum device. The structure is extremely simple, and a general vacuum device can be easily diverted simply by providing a pressing member. In this example, the pedestal 15 is provided for mounting the jig, but it is not always necessary. A heater 12 is embedded in the pedestal 15 as a heating means. The heating means is for heating the substrate or the film, and its setting place and method are arbitrary as long as the object can be achieved. For example, an infrared lamp may be radiated for heating, or a heater may be provided outside the vacuum device to heat the entire vacuum chamber.

【0040】本例では、さらに、温度を検知するセンサ
13と、センサ13からの信号により温度を制御する制
御器14が設けてある。また、真空室内の温度制御を手
動で行ってもよい。温度は室温から250℃までの範囲
で可変とすることが好ましい。それにより、基板をセッ
トする際の温度、接着剤を溶融させる温度、フィルムを
貼り付ける温度、基板を取り出す温度のそれぞれに対応
した温度に設定することが可能となる。
In this example, a sensor 13 for detecting the temperature and a controller 14 for controlling the temperature by the signal from the sensor 13 are further provided. Further, the temperature control in the vacuum chamber may be performed manually. The temperature is preferably variable in the range of room temperature to 250 ° C. This makes it possible to set temperatures corresponding to the temperature for setting the substrate, the temperature for melting the adhesive, the temperature for attaching the film, and the temperature for taking out the substrate.

【0041】基板及びフィルムをフィルム貼付け治具に
セットした後、真空装置10内の台座15上に載置す
る。
After the substrate and the film are set on the film sticking jig, they are placed on the pedestal 15 in the vacuum device 10.

【0042】次ぎに、真空ポンプ11により真空装置1
0の真空室20を減圧雰囲気とする。減圧雰囲気とする
ことによりフィルム3の中央部は下方に膨らむ。次ぎ
に、ヒータ12をオンにして基板温度を上昇させる。基
板温度が所定の温度に達した時点で押圧部材16を下降
させ、フィルム3を基板4に加圧する。押圧部材16の
下面は、半円状をなしており、フィルムは中心部から外
周部に向かって貼付けられる。
Next, the vacuum device 1 is operated by the vacuum pump 11.
The vacuum chamber 20 of 0 is set to a reduced pressure atmosphere. The reduced pressure atmosphere causes the central portion of the film 3 to bulge downward. Next, the heater 12 is turned on to raise the substrate temperature. When the substrate temperature reaches a predetermined temperature, the pressing member 16 is lowered to press the film 3 onto the substrate 4. The lower surface of the pressing member 16 has a semicircular shape, and the film is attached from the central portion toward the outer peripheral portion.

【0043】加圧時の圧力としては、0.1〜0.5Mp
a/cm2が好ましい。
The pressure at the time of pressurization is 0.1 to 0.5 Mp.
a / cm 2 is preferred.

【0044】貼付け完了後、ヒータ12をオフにし、基
板を冷却する。この際、加圧状態は維持する。なお、冷
却に際しては、例えば台座内に水冷装置を埋設してお
き、急速冷却を行うことが好ましい。ガラス転移点(T
g)まで急速冷却を行うことが好ましい。すなわち、1
分以内でTg以下の温度まで冷却することが好ましい。
Tg以下の温度に達した時点で、そのまま加圧して冷却
を続けてもよいが、加圧を解除して室温まで徐冷しても
よい。
After the attachment is completed, the heater 12 is turned off and the substrate is cooled. At this time, the pressurized state is maintained. In addition, at the time of cooling, it is preferable that a water cooling device is embedded in the pedestal to perform rapid cooling. Glass transition point (T
Rapid cooling to g) is preferred. Ie 1
It is preferable to cool to a temperature not higher than Tg within minutes.
When the temperature reaches Tg or lower, the pressure may be applied as it is to continue the cooling, or the pressure may be released and the temperature may be gradually cooled to room temperature.

【0045】このように、冷却時においても加圧状態を
保持することにより、例えば、50μmという薄いシリ
コンウエハの場合であっても反りや割れの発生を招くこ
となくフィルムの貼付けを行うことができる。
By thus maintaining the pressurized state even during cooling, the film can be attached without causing warpage or cracking even in the case of a thin silicon wafer of 50 μm, for example. .

【0046】フィルムとしては、プラスチックフィルム
が好ましい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等
のポリオレフィン又はこれらの共重合体、ポリエチレン
テレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート
(PEN)等のポリエステル、ポリ塩化ビニル、ポリ酢
酸ビニル共重合体等が挙げられる。
The film is preferably a plastic film. Examples thereof include polyolefins such as polyethylene and polypropylene or copolymers thereof, polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyvinyl chloride, polyvinyl acetate copolymers and the like.

【0047】また、柔軟性が高いものが好ましい。フィ
ルムの厚さは10〜100μmが好ましい。かかる厚さ
とすることにより真空雰囲気における膨らみがより容易
に得られる。弾性係数は例えば、3000Mpa以下もの
を用いてもよい。
Further, those having high flexibility are preferable. The thickness of the film is preferably 10 to 100 μm. With such a thickness, a bulge in a vacuum atmosphere can be obtained more easily. The elastic modulus may be 3000 MPa or less, for example.

【0048】接着剤については特に限定されない。例え
ば、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、天然ゴム、合成ゴ
ム等があげられる。常温で粘着性を有するものであれば
よい。アクリル樹脂系粘着剤が好適に用いられる。
The adhesive is not particularly limited. Examples thereof include acrylic resin, silicone resin, natural rubber, synthetic rubber and the like. Any material having tackiness at room temperature may be used. Acrylic resin-based adhesives are preferably used.

【0049】加圧温度は、フィルム、接着剤などの種類
によっても変動するが、通常は、150〜200℃で行
う。
The pressing temperature varies depending on the type of film, adhesive, etc., but is usually 150 to 200 ° C.

【0050】フィルムと基板との間隔は、0.5〜5m
mが好ましく、0.5〜2mmがより好ましい。かかる
間隔とすることによりフィルムの膨らみ基板に接触しや
すくなる。また、0.5mmであってもガスは円周側外
方に逃げ、ガスの巻き込みはない。
The distance between the film and the substrate is 0.5 to 5 m.
m is preferable, and 0.5-2 mm is more preferable. With such an interval, the bulge of the film easily contacts the substrate. Further, even if it is 0.5 mm, the gas escapes to the outside on the circumferential side, and the gas is not entrained.

【0051】真空雰囲気における真空度は、ガスの絶対
量を減少させる上からは真空度は高い方が好ましい。た
だ、高真空度を達成するためには、設備的、時間的負担
があるので、本発明においては、10000Pa以下と
することが好ましい。すなわち、本発明では、ガスが残
存していたとしてもその巻き込みを防止することが可能
であるため、比較的低真空度の減圧状態でもかまわな
い。1500Pa以下とすることがより好ましい。
The degree of vacuum in the vacuum atmosphere is preferably high in order to reduce the absolute amount of gas. However, in order to achieve a high degree of vacuum, there is a facility and time burden, so in the present invention, it is preferable to set it to 10,000 Pa or less. That is, in the present invention, even if the gas remains, it is possible to prevent the gas from being entrapped, so that the depressurized state with a relatively low degree of vacuum may be used. It is more preferably 1500 Pa or less.

【0052】基板としては、反りが生じやすい例えば3
00mm径以上のウエハにおいても反り、割れを生ずる
ことなく、かつ、気泡巻き込みを生ずることなくフィル
ムを貼り付けることが可能である。
As the substrate, warpage is likely to occur, for example, 3
It is possible to attach a film without warping or cracking even on a wafer having a diameter of 00 mm or more and without causing entrainment of bubbles.

【0053】また、基板の厚さとしては50μm以下の
厚さであっても反り、割れを生ずることなく、かつ、気
泡巻き込みを生ずることなくフィルムを貼り付けること
が可能である。もちろん50μm以上の厚さの基板でも
有効であることはいうまでもない。
Further, even if the thickness of the substrate is 50 μm or less, it is possible to attach the film without warping or cracking and without causing bubble entrapment. It goes without saying that a substrate having a thickness of 50 μm or more is also effective.

【0054】また、液晶基板、ガラス基板、磁気媒体用
基板でもよい。さらに、外部接続のためのバンプなどの
凹凸を表面に有する基板であってもよい。スタックパッ
ケージ用接着剤のウエハ裏面への貼付、バンプ付基板へ
のバンプ面への貼付け、リジッド基板(銅、鉄などの金
属基板、有機材料基板、セラミック基板)への接着剤の
貼付け、基板同士接着剤を介して複数枚貼付け積層、リ
ジット基板のスタック貼付けなどにも適用することが可
能である。
Further, a liquid crystal substrate, a glass substrate or a magnetic medium substrate may be used. Further, it may be a substrate having unevenness such as bumps for external connection on the surface. Adhesive for stack package on the back side of wafer, bump on board with bump, adhesive on rigid board (copper, iron or other metal board, organic material board, ceramic board), board-to-board It can also be applied to a plurality of laminated layers that are laminated with an adhesive, and a laminated layer of a rigid substrate.

【0055】基板形状は、特に問わない。円形、角型い
ずれであってもよい。
The substrate shape is not particularly limited. It may be circular or rectangular.

【0056】(実施例2)図4にフィルム貼り付け装置
の他の例を示す。
(Embodiment 2) FIG. 4 shows another example of the film sticking apparatus.

【0057】本例では、押圧部材として空圧によるダイ
ヤフラムを用いた例を示す。
In this example, a pneumatic diaphragm is used as the pressing member.

【0058】本例における真空チャンバ10は、上下開
閉式である。上蓋と下蓋との間には真空チャンバ10内
のリーク防止のためにシール19が設けてある。
The vacuum chamber 10 in this example is of an open / close type. A seal 19 is provided between the upper lid and the lower lid to prevent a leak in the vacuum chamber 10.

【0059】真空チャンバ10の底部には、断熱材18
が設けてある。台座15は断熱材18の上に載置され
る。また、治具7は台座15の上に載置される。断熱材
18が設けてあるので、台座15ひいては治具7内に載
置される基板4の温度制御が容易となる。
At the bottom of the vacuum chamber 10, a heat insulating material 18
Is provided. The pedestal 15 is placed on the heat insulating material 18. The jig 7 is placed on the pedestal 15. Since the heat insulating material 18 is provided, it becomes easy to control the temperature of the pedestal 15 and thus the substrate 4 placed in the jig 7.

【0060】台座15内には、ヒータA12が埋設され
ている。また、基板4あるいはフィルム3の温度を測定
するための温度センサ13が埋設されている。
A heater A12 is embedded in the pedestal 15. Further, a temperature sensor 13 for measuring the temperature of the substrate 4 or the film 3 is embedded.

【0061】一方、冷却水を流して台座15ひいては基
板4を冷却するための冷却水通路20が台座15内に形
成されている。
On the other hand, a cooling water passage 20 for flowing cooling water to cool the pedestal 15 and further the substrate 4 is formed in the pedestal 15.

【0062】本例では、押圧部材16は、空圧により可
動するダイヤフラム16により構成されている。
In this example, the pressing member 16 is composed of the diaphragm 16 which is movable by pneumatic pressure.

【0063】ダイヤフラムは可撓性を有している。The diaphragm has flexibility.

【0064】すなわち、真空装置10の真空室20の上
方には、両端を固定したダイヤフラム16が設けられて
いる。ダイヤフラム16のさらに上方には空間21が形
成されている。
That is, above the vacuum chamber 20 of the vacuum apparatus 10, the diaphragm 16 having both ends fixed is provided. A space 21 is formed further above the diaphragm 16.

【0065】この空間21には、空間21を真空とする
ためのラインとして真空ラインA22が接続されてい
る。また、空間21内にガス(空気)を導入するための
ガスラインA23も接続されている。このガスラインA
23の途中には導入ガスを加熱するためのヒータB24
が設けられている。なお、このヒータB24はガス温度
を調整できるようなものを用いることが好ましい。図に
示す例では、ガスラインA23を構成するガス管の外側
にヒータを巻き付けてある。
A vacuum line A22 is connected to the space 21 as a line for evacuating the space 21. A gas line A23 for introducing gas (air) into the space 21 is also connected. This gas line A
A heater B24 for heating the introduced gas is provided in the middle of 23.
Is provided. In addition, it is preferable to use a heater that can adjust the gas temperature as the heater B24. In the example shown in the figure, a heater is wound around the outside of the gas pipe forming the gas line A23.

【0066】空間21には、空間21内のガスを排気す
るための排気ライン25が接続されている。
An exhaust line 25 for exhausting the gas in the space 21 is connected to the space 21.

【0067】また、空間21には、冷却器27を有する
ガスラインBが接続され、空間21内に冷却ガスを導入
できるようになっている。
A gas line B having a cooler 27 is connected to the space 21 so that cooling gas can be introduced into the space 21.

【0068】この装置は次の手順で動作する。 1 基板4及び切断フィルム4を治具7にセットする。 2 治具7を真空装置10の真空室20内に載置する。 3 上蓋を閉じる。 4 真空ラインA22から真空引きを行い、空間21を
真空にする。この際、バルブV2、V3、V4は閉とす
る。 5 真空ラインB28から真空引きを行い真空室20内
を真空にする。 6 ヒータA12をオンにし基板4、フィルム3加温す
る。なお、温度は、温度センサ13により確認する。 7 真空ラインA22からの真空引きを停止する。 8 ヒータB24をオンにする。なお、ヒータB24は
任意の時点でオンにすればよい。 9 バルブV2、V3を開として、ガスラインA23か
ら空間21内にガスを導入する。ガスは空間21内に導
入されるとともに、排気ライン25から排気される。ガ
スを流し続けることによりダイヤフラム16は昇温す
る。 10 ダイヤフラム16の温度が所定の温度に達した
ら、バルブV3を閉とする。 ガスラインA23からの
ガスの導入は継続する。 11 ダイヤフラム16は空間21の圧力増加に伴い中
心部からたわみ始め、フィルム3の中央部から当接す
る。ガス圧の上昇にともなってダイヤフラム16は中心
から外側に向かいフィルム3を押圧する。 12 しばらく、押圧状態を維持した後、ヒータA12
をオフにする。一方、冷却剤を冷却剤通路20に導入す
る。また、バルブ4を開にしてガスラインBから冷却ガ
スを空間21に導入する。 13 バルブV3を開として排気ライン25から排気を
行う。ただ、ダイヤフラム16の押圧が維持されるよう
に空間21内の圧力は維持しる。 14 冷却が進行し、所定の温度以下になったら、真空
ラインB28からの真空引きを停止し、上蓋を開いて治
具を取り出す。
This device operates in the following procedure. 1 The substrate 4 and the cut film 4 are set on the jig 7. 2 The jig 7 is placed in the vacuum chamber 20 of the vacuum device 10. 3 Close the top cover. 4 A vacuum is drawn from the vacuum line A22 to make the space 21 a vacuum. At this time, the valves V2, V3 and V4 are closed. 5. The inside of the vacuum chamber 20 is evacuated by vacuuming from the vacuum line B28. 6 Turn on the heater A12 to heat the substrate 4 and the film 3. The temperature is confirmed by the temperature sensor 13. 7 Stop vacuuming from the vacuum line A22. 8 Turn on the heater B24. The heater B24 may be turned on at any time. 9 The valves V2 and V3 are opened, and gas is introduced into the space 21 from the gas line A23. The gas is introduced into the space 21 and is exhausted from the exhaust line 25. The diaphragm 16 is heated by continuing to flow the gas. 10 When the temperature of the diaphragm 16 reaches a predetermined temperature, the valve V3 is closed. The introduction of gas from the gas line A23 continues. 11 The diaphragm 16 starts to bend from the central portion as the pressure in the space 21 increases, and contacts the central portion of the film 3. The diaphragm 16 presses the film 3 from the center to the outside as the gas pressure increases. 12 After maintaining the pressed state for a while, heater A12
Turn off. Meanwhile, the coolant is introduced into the coolant passage 20. Further, the valve 4 is opened to introduce the cooling gas from the gas line B into the space 21. 13 The valve V3 is opened to exhaust gas from the exhaust line 25. However, the pressure in the space 21 is maintained so that the pressure of the diaphragm 16 is maintained. 14 When the cooling progresses and the temperature becomes lower than a predetermined temperature, the evacuation from the vacuum line B28 is stopped, the upper lid is opened, and the jig is taken out.

【0069】[0069]

【発明の効果】本発明によれば次ぎの諸々の効果を達成
できる。
According to the present invention, the following various effects can be achieved.

【0070】フィルム貼付け後にフィルムをカットす
る必要がない。
It is not necessary to cut the film after applying the film.

【0071】予めカットしたフィルムを用いるため材
料の管理が容易であり、生産数量をコントロールしやす
く、材料の無駄が少なくなる。
Since a pre-cut film is used, the management of the material is easy, the production quantity is easily controlled, and the waste of the material is reduced.

【0072】薄い基板であっても反り、割れ招くこと
なくフィルムを貼り付けることができる。
Even if the substrate is thin, the film can be attached without warping or cracking.

【0073】300mm以上の大口径のウエハであっ
て気泡を巻き込むことなくフィルムを貼り付けることが
できる。
A wafer having a large diameter of 300 mm or more can be attached with a film without entraining bubbles.

【0074】[0074]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の貼付け方法の実施態様例を示す断面図
である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of an embodiment of a pasting method of the present invention.

【図2】本発明の貼付け方法の他の実施態様例を示す断
面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing another embodiment example of the sticking method of the present invention.

【図3】本発明の貼付け工程に用いる真空装置例を示す
断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of a vacuum device used in the attaching step of the present invention.

【図4】本発明の貼付け工程に用いる他の真空装置例を
示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing another example of a vacuum device used in the attaching step of the present invention.

【図5】従来例を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a conventional example.

【図6】従来例を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a conventional example.

【図7】従来例に係る貼り付け装置を示す断面図であ
る。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a pasting device according to a conventional example.

【図8】従来例を示すFIG. 8 shows a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 底部 2 立ち上がり部 3 切断したフィルム 4 基板 5 上面 6 はみ出し部 7 治具 10 真空装置(フィルム貼付け装置) 11 真空ポンプ 12 加熱手段(ヒータ) 13 センサ 14 制御器 15 台座 16 押圧部材(ダイヤフラム) 19 シール 20 真空室 21 空間 22 真空ラインA 23 ガスラインA 24 ヒータB 25 排気ライン 26 ガスラインB 27 冷却器 28 真空ラインB V1、V2、V3、V4 バルブ 1 bottom 2 rising part 3 cut film 4 substrates 5 upper surface 6 protruding part 7 jig 10 Vacuum device (film pasting device) 11 vacuum pump 12 Heating means (heater) 13 sensors 14 Controller 15 pedestal 16 Pressing member (diaphragm) 19 seal 20 vacuum chamber 21 space 22 Vacuum line A 23 Gas line A 24 heater B 25 exhaust line 26 Gas line B 27 Cooler 28 Vacuum line B V1, V2, V3, V4 valves

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 漆島 路高 東京都町田市中町1−28−24大成ビル102 株式会社ユーテム内 (72)発明者 高橋 勇 東京都渋谷区桜丘町18番4号株式会社エ ム・ビー・ケイマイクロテック内 (72)発明者 平井 仁 静岡県磐田郡豊田町小立野485−1株式会 社メカワールド内 Fターム(参考) 4F211 AG02 AG03 AH36 AM28 AR06 TA03 TA04 TC02 TD11 TH02 TH06 TH19 TJ22 TJ30 TN07 TN67 TQ01 TQ04 TQ07 TQ10 TQ11 TQ13 TW23    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Urushijima Road High             1-28-24 Nakamachi, Machida, Tokyo 102 Taisei Building             Utem Co., Ltd. (72) Inventor Isamu Takahashi             18-4 Sakuragaoka-cho, Shibuya-ku, Tokyo             Mu Be Kay Microtech (72) Inventor Hitoshi Hirai             Shizuoka Prefecture Iwata-gun Toyota-cho Otate 485-1 Stock Association             Company mechanical world F-term (reference) 4F211 AG02 AG03 AH36 AM28 AR06                       TA03 TA04 TC02 TD11 TH02                       TH06 TH19 TJ22 TJ30 TN07                       TN67 TQ01 TQ04 TQ07 TQ10                       TQ11 TQ13 TW23

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 減圧雰囲気中に置いたときに、切断した
フィルムの中央部が下方に膨らむようにして該切断した
フィルムを基板上方に配置した後減圧雰囲気とし、次い
で、該中央部から外方に向かいフィルムを基板に押し付
けることを特徴とするフィルム貼付け方法。
1. A reduced pressure atmosphere is obtained by arranging the cut film above the substrate so that the central portion of the cut film bulges downward when placed in a reduced pressure atmosphere, and then outward from the central portion. A film sticking method, characterized in that the film is pressed against the substrate toward the substrate.
【請求項2】 切断したフィルムをその周辺において支
持して基板に対向させて配置した後減圧雰囲気とし、次
いで、中央部から外方に向かいフィルムを基板に押し付
けることを特徴とするフィルム貼付け方法。
2. A method of attaching a film, comprising supporting the cut film in the periphery thereof and arranging the film so as to face the substrate, and then applying a reduced pressure atmosphere, and then pressing the film from the central portion outward to the substrate.
【請求項3】 中央部が膨らんだときに、フィルムが基
板表面に接触するようにしたことを特徴とする請求項1
又は2記載のフィルム貼付け方法。
3. The film is adapted to come into contact with the substrate surface when the central portion swells.
Or the film sticking method described in 2.
【請求項4】 フィルムの基板に対向する面に接着剤層
が形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のい
ずれか1項記載のフィルム貼付け方法。
4. The film sticking method according to claim 1, wherein an adhesive layer is formed on the surface of the film facing the substrate.
【請求項5】 基板表面に接着剤層を塗布しておくこと
を特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載のフィ
ルム貼付け方法。
5. The film sticking method according to claim 1, wherein an adhesive layer is applied to the surface of the substrate.
【請求項6】 前記接着剤は、スピンコートにより塗
布することを特徴とする請求項5記載のフィルム貼付け
方法。
6. The film sticking method according to claim 5, wherein the adhesive is applied by spin coating.
【請求項7】 基板を載置するための底部と、底部周辺
から立ち上がる立ち上がり部とを有するフィルム貼付け
治具の該底部に基板を載置し、立ち上がり部上にフィル
ムを載置した後該治具を真空雰囲気中に導入することを
特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載のフィル
ム貼付け方法。
7. A substrate is placed on the bottom of a film sticking jig having a bottom for placing the substrate and a rising portion rising from the periphery of the bottom, and after the film is placed on the rising portion, the curing is performed. The film sticking method according to any one of claims 1 to 6, wherein the tool is introduced into a vacuum atmosphere.
【請求項8】 加熱状態でフィルムを基板に加圧して貼
付け、加圧したまま冷却することを特徴とする請求項1
乃至7のいずれか1項記載のフィルム貼付け方法。
8. The film is pressed and attached to a substrate in a heated state, and the film is cooled while being pressed.
8. The film sticking method according to any one of 7 to 7.
【請求項9】 基板の面にフィルムを貼り付けるフィル
ム貼付け方法において、加熱状態でフィルムを基板に加
圧して貼付け、加圧したまま冷却することを特徴とする
フィルム貼付け方法。
9. A film sticking method for sticking a film on a surface of a substrate, wherein the film is pressed and stuck to the substrate in a heated state, and the film is cooled while being pressed.
【請求項10】 前記貼付けは減圧雰囲気中で行うこと
を特徴とする請求項9記載のフィルム貼付け方法。
10. The film sticking method according to claim 9, wherein the sticking is performed in a reduced pressure atmosphere.
【請求項11】 基板を載置するための底部と、該底部
周辺から立ち上がる立ち上がり部とを有し、該立ち上が
り部の上ウ面に切断したフィルムを載置するようにした
ことを特徴とするフィルム貼付け用治具。
11. A substrate for placing a substrate and a rising portion rising from the periphery of the bottom portion, and the cut film is placed on the upper surface of the rising portion. Jig for film sticking.
【請求項12】 前記底部内に加熱手段が設けられてい
ることを特徴とする請求項11記載のフィルム貼付け用
治具。
12. The film sticking jig according to claim 11, wherein a heating means is provided in the bottom portion.
【請求項13】 フィルムを真空中で基板に押圧して基
板上にフィルムを貼付けるフィルム貼付け装置におい
て、押圧部材は、ガスの圧力により可動するダイヤフラ
ムにより構成され、該ガスを加温するための手段と冷却
するための手段とを設けたことを特徴とするフィルム貼
付け装置。
13. A film sticking apparatus for sticking a film on a substrate by pressing the film in vacuum, wherein the pressing member is composed of a diaphragm movable by the pressure of gas, and is for heating the gas. A film sticking apparatus provided with a means and a means for cooling.
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