JP2003296389A - ネットリスト変換装置 - Google Patents

ネットリスト変換装置

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JP2003296389A
JP2003296389A JP2002102329A JP2002102329A JP2003296389A JP 2003296389 A JP2003296389 A JP 2003296389A JP 2002102329 A JP2002102329 A JP 2002102329A JP 2002102329 A JP2002102329 A JP 2002102329A JP 2003296389 A JP2003296389 A JP 2003296389A
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voltage
gate electrode
type transistor
power supply
impedance load
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JP2002102329A
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English (en)
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Junichi Naka
順一 中
Yoichi Okamoto
陽一 岡本
Koji Oka
浩二 岡
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 開放状態もしくはハイインピーダンス状態と
なっているトランジスタのゲート電極・論理ゲート回路
の入力端子・スイッチ回路の開閉制御端子等によるリー
ク電流が困難である。 【解決手段】 トランジスタのゲート電極・論理ゲート
回路の入力端子・スイッチ回路の開閉制御端子にハイイ
ンピーダンス負荷を付加し、それぞれの電極・端子の電
位を電源電圧からグランド電圧の間の電位に固定するこ
とにより、リーク電流の検出を可能にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は回路が静止状態の
時、リーク電流を検出することを目的としたネットリス
ト変換装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年の半導体プロセス技術の向上に伴
い、LSIの大規模化・高集積化が進んでいる。一方、
LSIの大規模化・高集積化に伴いリーク電流の増大が
懸念される。
【0003】リーク電流の主な発生原因は、1)論理ゲ
ート回路入力端子・トランジスタのゲート電極の開放状
態、2)ハイインピーダンス状態となっている接点へ論
理ゲート回路入力端子・トランジスタのゲート電極が接
続された状態などにより、論理ゲート回路入力端子・ト
ランジスタのゲート電極と電源電圧−グランド電圧の中
間電位とが浮遊容量・寄生抵抗等によって電気的に結合
され、トランジスタに貫通電流が流れることが挙げられ
る。
【0004】近年では半導体集積回路の設計においてE
lectronic DesignAutomatio
n(EDA)の発達が目覚しく、シミュレーション速度
の高速化、設計自動処理化が進んでいる。これにより、
高速シミュレーションによるリーク電流検出、ネットリ
スト内におけるゲート電極が開放状態となっているトラ
ンジスタの検索が可能となり、リーク電流の発生防止に
貢献している。
【0005】シミュレーションによるリーク電流の検出
方法の例を示す。まず、図12(a)に示す回路を第1
の例として挙げる。
【0006】図12(a)に示す回路は電源電圧:VD
D、抵抗性負荷:R、Nch型トランジスタ:MN、グ
ランド電圧:GNDからなる。図12(a)に示す回路
はVDDとRの一端とが接続され、Rの残りの一端とM
Nのドレイン電極とが接続され、MNのソース電極とG
NDが接続され、MNのゲート電極が本回路の入力端
子:INとなっている。なお、IdsはMNのドレイン
電極−ソース電極間に流れる電流である。
【0007】図12(b)はNch型トランジスタMN
のゲート電極−ソース電極間電圧:Vgsに対するドレ
イン電極−ソース電極間電流:Idsの特性を示してい
る。ドレイン電極−ソース電極間電流:Idsは、ゲー
ト電極−ソース電極間電圧:VgsがMNの閾値:Vt
hを超えると流れ始めることを示している。
【0008】シミュレーションによるリーク電流の検出
方法は下記1)〜3)である。
【0009】1)まず、本回路に対して静止時の特性を
与える。例として、電源電圧:VDD=5V、グランド
電圧:GND=0V、入力端子電圧:IN=0Vとす
る。
【0010】2)本回路に対して直流信号特性シミュレ
ーションを行う。
【0011】3)MNのドレイン電極−ソース電極間の
電流つまり、Idsをモニタする。
【0012】前記に示す静止時の特性の場合、入力端子
電圧:IN、即ちMNのVgsが0Vであり、MNの閾
値電圧をVthとすると、〔Vgs<Vth〕であるた
めMNはOFF状態となり、Idsはほぼ0Aとなる
(図12(b)参照)。
【0013】ここで、何らかの原因により、回路静止時
に入力端子電圧:IN、即ちMNのVgsに対し、MN
の閾値電圧:Vthを超える電圧が加えられたとする
と、〔Vgs>Vth〕であるためMNはON状態とな
り、VDD−R−MN−GND間に電流が流れる(図1
2(b)参照)。つまりIdsをモニタすることにより
リーク電流を検出することが出来る。
【0014】なお、本例ではNch型トランジスタの場
合を例に挙げたが、Pch型トランジスタにおいても極
性が逆になることを考慮すると、同様にしてリーク電流
を検出することが出来る。また、さらに複雑な回路に対
しても同様の方法でリーク電流を検出することが出来
る。
【0015】次に、図13(a)に示す回路を第2の例
として挙げる。図13(a)に示す回路はインバータ回
路1であり、代表的な実回路は図13(b)に示される
様に、電源電圧:VDD、Pch型トランジスタ:M
P、Nch型トランジスタ:MN、グランド電圧:GN
Dからなる。
【0016】図13(b)に示す回路はVDDとMPの
ソース電極とが接続され、MPのドレイン電極とMNの
ドレイン電極とが接続され、MNのソース電極とGND
とが接続されており、MPのゲート電極とMNのゲート
電極とが接続され入力端子:INとなり、MPのドレイ
ン電極即ちMNのドレイン電極が出力端子:OUTとな
っている。なお、Iはインバータ回路1に流れる貫通電
流、IdsnはMNのドレイン電極−ソース電極間に流
れる電流、IdspはMPのドレイン電極−ソース電極
間に流れる電流である。
【0017】図13(c)はインバータ回路1の入力端
子電圧:INに対する、インバータ回路1の出力端子電
圧:OUTおよびインバータ回路1の貫通電流:Iの特
性を示している。インバータ回路1の出力端子電圧:O
UTは、インバータ回路1の入力端子電圧:INが0か
らVDD/2の間はVDDを、また、インバータ回路1
の入力端子電圧:INがVDD/2からVDDの間は0
を出力することを示している。一方、インバータ回路1
の貫通電流:Iはインバータ回路1の入力端子電圧:I
NがVDD/2付近で最大となり、0もしくはVDD付
近ではほぼ0になることを示している。
【0018】シミュレーションによるリーク電流の検出
方法は下記1)〜3)である。
【0019】1)まず、本回路に対して静止時の特性を
与える。例として、電源電圧:VDD=5V、グランド
電圧:GND=0V、入力端子電圧:IN=GND(L
ow)とする。
【0020】2)本回路に対して直流信号特性シミュレ
ーションを行う。
【0021】3)インバータ貫通電流:I、あるいはM
Nのドレイン電極−ソース電極間電流:Idsn、ある
いはMPのドレイン電極−ソース電極間電流:Idsp
をモニタする。
【0022】前記に示す静止時の特性の場合、入力端子
電圧:INがGND(Low)であり、Iはほぼ0とな
る。同様に、入力端子電圧:INがVDD(High)
であるときもIはほぼ0となる(図13(c)参照)。
【0023】ここで、何らかの原因により、回路静止時
に入力端子電圧:INに対し、VDD−GND間の中間
電圧が加えられたとすると、インバータ回路1に貫通電
流:Iが流れる(図13(c)参照)。つまりインバー
タ回路1の貫通電流:Iをモニタすることによりリーク
電流を検出することが出来る。また、〔I=Idsn=
−Idsp〕であるため、IdsnもしくはIdspを
モニタすることによりリーク電流を検出することが出来
る。
【0024】なお、本例ではインバータ回路の場合を例
に挙げたが、NAND回路、NOR回路、あるいはフリ
ップ−フロップ回路等においても、同様にしてリーク電
流を検出することが出来る。
【0025】次に、図14(a)に示す回路を第3の例
として挙げる。図14(a)に示す回路はスイッチ回路
2であり、代表的な実回路は図14(b)中スイッチ回
路2に示される様に、Pch型トランジスタ:MP、N
ch型トランジスタ:MNからなる。なお、図14
(b)は例としてスイッチ回路2、電源電圧:VDD、
抵抗性負荷:R、グランド電圧:GNDからなる回路を
示している。
【0026】図14(b)に示す回路はVDDとRの一
端とが接続され、Rの残りの一端とMNおよびMPのド
レイン電極とが接続されスイッチの入出力端子:Aとな
り、MNおよびMPのソース電極とが接続されスイッチ
の入出力端子:Bとなり、BとGNDとが接続されてお
り、MNとMPとによってCMOSタイプのスイッチ回
路2を構成しており、MNのゲート電極がスイッチ開閉
制御端子:S、MPのゲート電極がスイッチ開閉制御端
子:となっている。なお、IはRに流れる貫通電流、I
dsnはMNのドレイン電極−ソース電極間に流れる電
流、IdspはMPのドレイン電極−ソース電極間に流
れる電流である。なお、通常、Sおよびはそれぞれ逆相
信号が入力される。
【0027】シミュレーションによるリーク電流の検出
方法は下記1)〜3)である。
【0028】1)まず、本回路に対して静止時の特性を
与える。例として、電源電圧:VDD=5V、グランド
電圧:GND=0V、スイッチ開閉制御端子:S=GN
D(Low)、スイッチ開閉制御端子:=VDD(Hi
gh)、とする。
【0029】2)本回路に対して直流信号特性シミュレ
ーションを行う。
【0030】3)VDD−GND間に流れる電流I、あ
るいはMNもしくはMPのドレイン電極−ソース電極間
電流つまりIdsnもしくはIdspをモニタする。
【0031】前記に示す静止時の特性の場合、スイッチ
回路2はOFF状態となるため、Iはほぼ0となる。こ
こで、何らかの原因により、スイッチ開閉制御端子:S
に対しVDD(High)もしくは、スイッチ開閉制御
端子:に対しGND(Low)もしくは、スイッチ開閉
制御端子:Sあるいはスイッチ開閉制御端子:に対しV
DD−GND間の中間電圧が加えられたとすると、スイ
ッチがON状態となり貫通電流:Iが流れる。つまりI
をモニタすることによりリーク電流を検出することが出
来る。また〔I=Idsn+Idsp〕であるため、I
dsnおよびIdspをモニタすることによりリーク電
流を検出することが出来る。
【0032】なお、本例ではCMOSスイッチ回路の場
合を例に挙げたが、Nch型トランジスタのみのスイッ
チ回路、あるいはPch型トランジスタのみのスイッチ
回路等においても、同様にしてリーク電流を検出するこ
とが出来る。
【0033】次にネットリスト内を検索することによ
り、ゲート電極が開放状態となっておりリーク電流が発
生する疑いのあるトランジスタを検出する方法の例を示
す。
【0034】まず、図12(a)に示す回路を第1の例
として挙げる。図12(a)に示す回路構成は前述の通
りである。ここで、図12(a)のMNの入力端子:I
Nが開放状態であるとする。
【0035】ネットリスト内を検索することにより、ゲ
ート電極が開放状態となっておりリーク電流が発生する
疑いのあるトランジスタを検出する方法は下記1)〜
3)である。
【0036】1)ネットリスト内つまり回路内に含まれ
るトランジスタを検索する。
【0037】2)前記検出されたトランジスタのゲート
電極のネット名を抽出する。
【0038】3)前記抽出されたネット名が前記検出さ
れたトランジスタのゲート電極以外に接続されていない
場合、トランジスタのゲート電極が開放状態となってお
り、該トランジスタはリーク電流が発生する疑いのある
トランジスタである。
【0039】なお、本例ではNch型トランジスタの場
合を例に挙げたが、Pch型トランジスタにおいても、
同様にしてリーク電流が発生する疑いのあるトランジス
タを検出することが出来る。また、さらに複雑な回路に
対しても同様の方法でリーク電流が発生する疑いのある
トランジスタを検出することが出来る。
【0040】次に、図13(a)に示す回路を第2の例
として挙げる。図13(a)に示す回路はインバータ回
路1であり、回路構成は前述の通りである。ここで、図
13(a)のインバータ回路1の入力端子:INが開放
状態であるとする。
【0041】ネットリスト内を検索することにより、イ
ンバータ回路1の入力端子が開放状態となっておりリー
ク電流が発生する疑いのあるインバータ回路を検出する
方法は下記1)〜3)である。
【0042】1)ネットリスト内に含まれるインバータ
回路を検索する。
【0043】2)前記検出されたインバータ回路の入力
端子のネット名を抽出する。
【0044】3)前記抽出されたネット名が、前記検出
されたインバータ回路の入力端子以外に接続されていな
い場合、インバータ回路の入力端子が開放状態となって
おり、該インバータ回路はリーク電流が発生する疑いの
あるインバータ回路である。
【0045】なお、本例ではインバータ回路の場合を例
に挙げたが、NAND回路、NOR回路、あるいはフリ
ップ−フロップ回路等においても、同様にしてリーク電
流が発生する疑いのある論理ゲート回路を検出すること
が出来る。
【0046】次に、図14(a)に示す回路を第3の例
として挙げる。図14(a)に示す回路はスイッチ回路
2あり、回路構成は前述の通りである。ここで、図14
(a)のスイッチ回路2の開閉制御端子が開放状態であ
るとする。
【0047】ネットリスト内を検索することにより、ス
イッチ回路の開閉制御端子が開放状態となっておりリー
ク電流が発生する疑いのあるスイッチを検出する方法は
下記1)〜3)である。
【0048】1)ネットリスト内に含まれるスイッチ回
路を検索する。
【0049】2)前記検索されたスイッチ回路の開閉制
御端子のネット名を抽出する。
【0050】3)前記抽出されたネット名が、前記検索
されたスイッチ回路の開閉制御端子以外に接続されてい
ない場合、スイッチ回路の開閉制御端子が開放状態とな
っており、該スイッチ回路はリーク電流が発生する疑い
のあるスイッチ回路である。
【0051】なお、本例ではCMOSスイッチ回路の場
合を例に挙げたが、Nch型トランジスタのみのスイッ
チ回路、あるいはPch型トランジスタのみのスイッチ
回路等においても、同様にしてリーク電流が発生する疑
いのあるスイッチ回路を検出することが出来る。
【0052】
【発明が解決しようとする課題】前記のシミュレーショ
ンによるリーク電流の検出は非常に有効であるが、これ
は、トランジスタのゲート電極・論理ゲート回路の入力
端子・スイッチ回路の開閉制御端子が開放状態ではない
場合のみに有効である。なぜならば、従来の多くのシミ
ュレーションでは開放状態となっているトランジスタの
ゲート電極・論理ゲート回路の入力端子・スイッチ回路
の開閉制御端子等の電位を擬似的にグランド電圧に接続
してシミュレーションするため、リーク電流を検出でき
ない可能性が非常に高い。
【0053】また、図15に示す様に、スイッチ回路2
の入出力端子:Bとインバータ回路1の入力端子:IN
とが接続されている回路において、回路静止時、スイッ
チ回路2のスイッチ開閉制御端子:SがGND(Lo
w)、スイッチ回路2のスイッチ開閉制御端子:がVD
D(High)となる時、スイッチ回路2はOFF状態
となり、Bはハイインピーダンス状態となり、リーク電
流が発生する原因となるが、従来の多くのシミュレーシ
ョンでは、インバータ回路1の入力端子:INを擬似的
にグランド電圧等に接続してシミュレーションするた
め、リーク電流を検出できない可能性が非常に高い。
【0054】一方、ネットリスト内において、開放状態
となっているトランジスタのゲート電極・論理ゲート回
路の入力端子・スイッチ回路の開閉制御端子の検索を行
いリーク電流が発生する疑いのあるトランジスタを検出
する方法においても、図14に示すようにスイッチ回路
2の入出力端子:Bがインバータ回路1の入力端子:I
Nに接続されているため、リーク電流が発生する疑いの
あるトランジスタを検出することは困難である。
【0055】以上の様に、従来のシミュレーション方法
および、ネットリスト検索方法ではリーク電流が発生す
る疑いのあるトランジスタを全て検出することは困難で
あるという問題があった。
【0056】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明のネット
リスト変換装置は、この問題を解決するために、トラン
ジスタのゲート電極あるいは論理ゲート回路入力端子あ
るいはスイッチの開閉制御端子に対して、ハイインピー
ダンス負荷もしくは、ハイインピーダンス負荷および電
圧源を付加する。これによって、トランジスタのゲート
電極あるいは論理ゲート回路入力端子あるいはスイッチ
の開閉制御端子が開放状態、もしくは、これらの電極・
端子がハイインピーダンス点へ接続されていた場合、こ
れらの電極・端子の電位を電源−グランド間のある電圧
に固定することになり、直流信号特性シミュレーション
を行うことによって、トランジスタのゲート電極あるい
は論理ゲート回路入力端子あるいはスイッチの開閉制御
端子が開放状態、もしくは、これらの電極・端子がハイ
インピーダンス点へ接続されていたとしても、リーク電
流を検索することを可能とする。
【0057】
【発明の実施の形態】(実施の形態1)図1は本発明の
実施形態1に関するネットリスト変換装置によるネット
リスト変換実施構成図である。
【0058】図1(a)は実施形態1に関するネットリ
スト変換装置に基づくNch型トランジスタ:MNに対
するネットリスト変換実施構成図、図1(b)は実施形
態1に関するネットリスト変換装置に基づくPch型ト
ランジスタ:MPに対するネットリスト変換実施構成図
を示している。
【0059】本発明の実施形態1に関するネットリスト
変換装置においては、Nch型トランジスタ:MNに対
して、MNのゲート電極:Gと電源電圧:VDDとの間
にハイインピーダンス負荷:HiZを挿入する。また、
Pch型トランジスタ:MPに対して、MPのゲート電
極:Gとグランド電圧:GNDとの間にハイインピーダ
ンス負荷:HiZを挿入する。以上が、本発明の実施形
態1に関するネットリスト変換装置のネットリスト変換
実施構成である。
【0060】以上のようなネットリスト変換を実施する
ことにより、トランジスタのゲート電極が開放状態、も
しくは、ハイインピーダンス状態であった場合、Nch
型トランジスタのゲート電極は電源電圧電位に、Pch
型トランジスタのゲート電極はグランド電圧電位に固定
される。この状態で直流信号特性シミュレーションを行
うことにより、各トランジスタのドレイン電極−ソース
電極間に電流が流れ、リーク電流を検出することが可能
となる。
【0061】なお、前記ハイインピーダンス負荷:Hi
Zは、それ自身に流れる電流を無視することが出来る程
度の高抵抗負荷であっても同様の効果を得ることが可能
である。なお、前記ハイインピーダンス負荷:HiZ
は、容量性負荷であっても同様の効果を得ることが可能
である。
【0062】(実施の形態2)図2は本発明の実施形態
2に関するネットリスト変換装置によるネットリスト変
換実施構成図である。図2(a)は実施形態2に関する
ネットリスト変換装置に基づくNch型トランジスタ:
MNに対するネットリスト変換実施構成図、図2(b)
は実施形態2に関するネットリスト変換装置に基づくP
ch型トランジスタ:MPに対するネットリスト変換実
施構成図を示している。
【0063】本発明の実施形態2に関するネットリスト
変換装置においては、Nch型トランジスタ:MNに対
して、MNのゲート電極:Gと電源電圧:VDDとの間
にハイインピーダンス負荷:HiZおよび定電圧源:V
bを挿入する。また、Pch型トランジスタ:MPに対
して、MPのゲート電極:Gとグランド電圧:GNDと
の間にハイインピーダンス負荷:HiZおよび定電圧
源:Vbを挿入する。
【0064】以上が、本発明の実施形態2に関するネッ
トリスト変換装置のネットリスト変換実施構成である。
【0065】以上のようなネットリスト変換を実施する
ことにより、トランジスタのゲート電極が開放状態、も
しくは、ハイインピーダンス状態であった場合、Nch
型トランジスタのゲート電極は電源電圧電位:VDDか
ら定電圧源:Vbを引いた電位に、Pch型トランジス
タのゲート電極はグランド電圧電位:GNDに定電圧
源:Vbを加えた電位に固定される。この状態で直流信
号特性シミュレーションを行うことにより、各トランジ
スタのゲート電極−ソース電極間電位:Vgsが各トラ
ンジスタの閾値電圧:Vthを超えた時、各トランジス
タのドレイン電極−ソース電極間に電流が流れ、リーク
電流を検出することが可能となる。
【0066】なお、前記定電圧源:Vbの電位を0とす
ることで本発明の実施形態1と同様の効果を得られる。
なお、前記ハイインピーダンス負荷:HiZは、それ自
身に流れる電流を無視することが出来る程度の高抵抗負
荷であっても同様の効果を得ることが可能である。な
お、前記ハイインピーダンス負荷:HiZは、容量性負
荷であっても同様の効果を得ることが可能である。
【0067】なお、定電圧源:Vbとハイインピーダン
ス負荷:HiZの接続順は図2に示す限りでなく、その
接続順は逆でも同様の効果を得ることが可能である。
【0068】(実施の形態3)図3は本発明の実施形態
3に関するネットリスト変換装置によるネットリスト変
換実施構成図である。図3(a)は実施形態3に関する
ネットリスト変換装置に基づくNch型トランジスタ:
MNに対するネットリスト変換実施構成図、図3(b)
は実施形態3に関するネットリスト変換装置に基づくP
ch型トランジスタ:MPに対するネットリスト変換実
施構成図を示している。
【0069】本発明の実施形態3に関するネットリスト
変換装置においては、Nch型トランジスタ:MNに対
して、MNのゲート電極:Gとグランド電圧:GNDと
の間にハイインピーダンス負荷:HiZおよび定電圧
源:Vbを挿入する。また、Pch型トランジスタ:M
Pに対して、MPのゲート電極:Gと電源電圧:VDD
との間にハイインピーダンス負荷:HiZおよび定電圧
源:Vbを挿入する。
【0070】以上が、本発明の実施形態3に関するネッ
トリスト変換装置のネットリスト変換実施構成である。
【0071】以上のようなネットリスト変換を実施する
ことにより、トランジスタのゲート電極が開放状態、も
しくは、ハイインピーダンス状態であった場合、Nch
型トランジスタのゲート電極は定電圧源電位:Vbに、
Pch型トランジスタのゲート電極は電源電圧電位:V
DDから定電圧源電位:Vbを引いた電位に固定され
る。この状態で直流信号特性シミュレーションを行うこ
とにより、各トランジスタのゲート電極−ソース電極間
電位:Vgsが各トランジスタの閾値電圧:Vthを超
えた時、各トランジスタのドレイン電極−ソース電極間
に電流が流れ、リーク電流を検出することが可能とな
る。
【0072】なお、前記ハイインピーダンス負荷:Hi
Zは、それ自身に流れる電流を無視することが出来る程
度の高抵抗負荷であっても同様の効果を得ることが可能
である。なお、前記ハイインピーダンス負荷:HiZ
は、容量性負荷であっても同様の効果を得ることが可能
である。なお、定電圧源:Vbとハイインピーダンス負
荷:HiZの接続順は図3に示す限りでなく、その接続
順は逆でも同様の効果を得ることが可能である。
【0073】(実施の形態4)図4は本発明の実施形態
4に関するネットリスト変換装置によるネットリスト変
換実施構成図である。図4(a)は実施形態4に関する
ネットリスト変換装置に基づくNch型トランジスタ:
MNに対するネットリスト変換実施構成図、図4(b)
は実施形態4に関するネットリスト変換装置に基づくP
ch型トランジスタ:MPに対するネットリスト変換実
施構成図を示している。
【0074】本発明の実施形態4に関するネットリスト
変換装置においては、Nch型トランジスタ:MNに対
して、MNのゲート電極:Gと電源電圧:VDDとの間
にハイインピーダンス負荷:HiZ1、ゲート電極:G
とグランド電圧:GNDとの間にハイインピーダンス負
荷:HiZ2を挿入する。また、Pch型トランジス
タ:MPに対して、MPのゲート電極:Gと電源電圧:
VDDとの間にハイインピーダンス負荷:HiZ1、ゲ
ート電極:Gとグランド電圧:GNDとの間にハイイン
ピーダンス負荷:HiZ2を挿入する。以上が、本発明
の実施形態4に関するネットリスト変換装置のネットリ
スト変換実施構成である。
【0075】以上のようなネットリスト変換を実施する
ことにより、トランジスタのゲート電極が開放状態、も
しくは、ハイインピーダンス状態であった場合、Nch
型トランジスタのゲート電極の電位はハイインピーダン
ス負荷:HiZ1とHiZ2の分圧効果により、VDD
×HiZ2/(HiZ1+HiZ2)に、同様にPch
型トランジスタのゲート電極の電位はハイインピーダン
ス負荷:HiZ1とHiZ2の分圧効果により、VDD
×HiZ2/(HiZ1+HiZ2)に固定される。こ
の状態で直流信号特性シミュレーションを行うことによ
り、各トランジスタのゲート電極−ソース電極間電位:
Vgsが各トランジスタの閾値電圧:Vthを超えた
時、各トランジスタのドレイン電極−ソース電極間に電
流が流れ、リーク電流を検出することが可能となる。
【0076】なお、前記ハイインピーダンス負荷:Hi
Z1、HiZ2は、それ自身に流れる電流を無視するこ
とが出来る程度の高抵抗負荷であっても同様の効果を得
ることが可能である。なお、前記ハイインピーダンス負
荷:HiZ1、HiZ2は、容量性負荷であっても同様
の効果を得ることが可能である。
【0077】(実施の形態5)図5は本発明の実施形態
5に関するネットリスト変換装置によるネットリスト変
換実施構成図である。図5(a)は実施形態5に関する
ネットリスト変換装置に基づくNch型トランジスタ:
MNに対するネットリスト変換実施構成図、図5(b)
は実施形態5に関するネットリスト変換装置に基づくP
ch型トランジスタ:MPに対するネットリスト変換実
施構成図を示している。
【0078】本発明の実施形態5に関するネットリスト
変換装置においては、Nch型トランジスタ:MNに対
して、MNのゲート電極:Gと電源電圧:VDDとの間
にハイインピーダンス負荷:HiZ1および定電圧源:
Vb1、ゲート電極:Gとグランド電圧:GNDとの間
にハイインピーダンス負荷:HiZ2および定電圧源:
Vb2を挿入する。また、Pch型トランジスタ:MP
に対して、MPのゲート電極:Gと電源電圧:VDDと
の間にハイインピーダンス負荷:HiZ1および定電圧
源:Vb1、ゲート電極:Gとグランド電圧:GNDと
の間にハイインピーダンス負荷:HiZ2および定電圧
源:Vb2を挿入する。以上が、本発明の実施形態5に
関するネットリスト変換装置のネットリスト変換実施構
成である。
【0079】以上のようなネットリスト変換を実施する
ことにより、トランジスタのゲート電極が開放状態、も
しくは、ハイインピーダンス状態であった場合、Nch
型トランジスタのゲート電極の電位はハイインピーダン
ス負荷:HiZ1とHiZ2の分圧効果により、((V
DD−Vb1)−Vb2)×HiZ2/(HiZ1+H
iZ2)+Vb2に、同様にPch型トランジスタのゲ
ート電極の電位はハイインピーダンス負荷:HiZ1と
HiZ2の分圧効果により、((VDD−Vb1)−V
b2)×HiZ2/(HiZ1+HiZ2)+Vb2に
固定される。この状態で直流信号特性シミュレーション
を行うことにより、各トランジスタのゲート電極−ソー
ス電極間電位:Vgsが各トランジスタの閾値電圧:V
thを超えた時、各トランジスタのドレイン電極−ソー
ス電極間に電流が流れ、リーク電流を検出することが可
能となる。
【0080】なお、定電圧源:Vb1および定電圧源:
Vb2の電位を0とすることで本発明の実施形態4と同
様の効果を得られる。なお、前記ハイインピーダンス負
荷:HiZ1、HiZ2は、それ自身に流れる電流を無
視することが出来る程度の高抵抗負荷であっても同様の
効果を得ることが可能である。なお、前記ハイインピー
ダンス負荷:HiZ1、HiZ2は、容量性負荷であっ
ても同様の効果を得ることが可能である。なお、定電圧
源:Vb1とハイインピーダンス負荷:HiZ1、およ
びの定電圧源:Vb2とハイインピーダンス負荷:Hi
Z2の接続順は図5に示す限りでなく、その接続順は逆
でも同様の効果を得ることが可能である。
【0081】(実施の形態6)図6は本発明の実施形態
6に関するネットリスト変換装置によるネットリスト変
換実施構成図である。図6(a)は実施形態6に関する
ネットリスト変換装置に基づくインバータ回路1に対す
るネットリスト変換実施構成図を示している。図6
(b)はインバータ回路1を代表的な実回路として示し
たものである。
【0082】本発明の実施形態6に関するネットリスト
変換装置においては、インバータ回路1に対して、イン
バータ回路1の入力端子:INと電源電圧:VDDとの
間にハイインピーダンス負荷:HiZ1、インバータ回
路1の入力端子:INとグランド電圧:GNDとの間に
ハイインピーダンス負荷:HiZ2を挿入する。図6
(b)を用いてさらに詳細に説明すると、インバータ回
路1はNch型トランジスタ:MNのソース電極:nS
とグランド電圧:GNDとが接続され、MNのドレイン
電極:nDとPch型トランジスタ:MPのドレイン電
極:pDとが接続されこれがインバータ回路1の出力端
子:OUTとなり、MPのソース電極:pSと電源電
圧:VDDとが接続され、MNのゲート電極:nGとM
Pのゲート電極:pGとが接続されこれがインバータ回
路1の入力端子:INとなる。インバータ回路1の入力
端子:INと電源電圧:VDDとの間にハイインピーダ
ンス負荷:HiZ1、インバータ回路1の入力端子:I
Nとグランド電圧:GNDとの間にハイインピーダンス
負荷:HiZ2を挿入する。以上が、本発明の実施形態
6に関するネットリスト変換装置のネットリスト変換実
施構成である。
【0083】以上のようなネットリスト変換を実施する
ことにより、インバータ回路1の入力端子が開放状態、
もしくは、ハイインピーダンス状態であった場合、イン
バータ回路1の入力端子:INの電位はハイインピーダ
ンス負荷:HiZ1とHiZ2の分圧効果により、VD
D×HiZ2/(HiZ1+HiZ2)に固定される。
例えば、HiZ1=HiZ2とした時、インバータ回路
1の入力端子:INの電位は、電源電圧:VDDとグラ
ンド電圧:GND間との中間電位となる。この時、MN
およびMPは同時にON状態となる。
【0084】この状態で直流信号特性シミュレーション
を行うことにより、インバータ回路1に貫通電流が流
れ、リーク電流を検出することが可能となる(図13
(c)参照)。
【0085】なお、NOR回路、NAND回路にも同様
の効果を得ることが可能である。図7(a)は実施形態
6に関するネットリスト変換装置に基づくNOR回路3
に対するネットリスト変換実施構成図を示している。図
7(b)はNOR回路3を代表的な実回路として示した
ものである。
【0086】本発明の実施形態6に関するネットリスト
変換装置においては、NOR回路3に対して、NOR回
路3の入力端子:AおよびBと電源電圧:VDDとの間
にそれぞれハイインピーダンス負荷:HiZ1、NOR
回路3の入力端子:AおよびBとグランド電圧:GND
との間にそれぞれハイインピーダンス負荷:HiZ2を
挿入する。図7(b)を用いてさらに詳細に説明する
と、NOR回路3はNch型トランジスタ:MNa、M
Nbのソース電極:naS、nbSとグランド電圧:G
NDとが接続され、MNa、MNbのドレイン電極:n
aD、nbDとPch型トランジスタ:MPbのドレイ
ン電極:pbDとが接続されこれがNOR回路3の出力
端子:OUTとなり、Pch型トランジスタ:MPaの
ソース電極:paSと電源電圧:VDDとが接続され、
MPaのドレイン電極:paDとMPbのソース電極:
pbSとが接続され、MPaのゲート電極:paGとM
Naのゲート電極:naGとが接続されこれがNOR回
路3の一入力端子:Aとなり、MPbのゲート電極:p
bGとMNbのゲート電極:nbGとが接続されこれが
NOR回路3の一入力端子:Bとなり、NOR回路3の
入力端子:AおよびBと電源電圧:VDDとの間にそれ
ぞれハイインピーダンス負荷:HiZ1、NOR回路3
の入力端子:AおよびBとグランド電圧:GNDとの間
にそれぞれハイインピーダンス負荷:HiZ2を挿入す
る。以上が、本発明の実施形態6に関するネットリスト
変換装置のネットリスト変換実施構成である。
【0087】以上のようなネットリスト変換を実施する
ことにより、NOR回路3の一入力端子が(Low)に
固定され、残りの一入力端子が開放状態、もしくは、ハ
イインピーダンス状態であった場合、あるいは、NOR
回路3の両入力端子が開放状態、もしくは、ハイインピ
ーダンス状態であった場合、開放状態、もしくは、ハイ
インピーダンス状態である入力端子の電位はハイインピ
ーダンス負荷:HiZ1とHiZ2の分圧効果により、
VDD×HiZ2/(HiZ1+HiZ2)に固定され
る。例えば、HiZ1=HiZ2とした時、入力端子の
電位は、電源電圧:VDDとグランド電圧:GND間と
の中間電位となる。この時、MPaおよびMPbおよび
MNa、もしくは、MPaおよびMPbおよびMNb、
もしくは、MPaおよびMPbおよびMNaおよびMN
bが同時にON状態となる。
【0088】この状態で直流信号特性シミュレーション
を行うことにより、NOR回路3に貫通電流が流れ、リ
ーク電流を検出することが可能となる。
【0089】図8(a)は実施形態6に関するネットリ
スト変換装置に基づくNAND回路4に対するネットリ
スト変換実施構成図を示している。図8(b)はNAN
D回路4を代表的な実回路として示したものである。
【0090】本発明の実施形態6に関するネットリスト
変換装置においては、NAND回路4に対して、NAN
D回路4の入力端子:AおよびBと電源電圧:VDDと
の間にそれぞれハイインピーダンス負荷:HiZ1、N
AND回路4の入力端子:AおよびBとグランド電圧:
GNDとの間にそれぞれハイインピーダンス負荷:Hi
Z2を挿入する。図8(b)を用いてさらに詳細に説明
すると、NAND回路4はPch型トランジスタ:MP
a、MPbのソース電極:paS、pbSと電源電圧:
VDDとが接続され、MPa、MPbのドレイン電極:
paD、pbDとNch型トランジスタ:MNaのドレ
イン電極:naDとが接続されこれがNAND回路4の
出力端子:OUTとなり、Nch型トランジスタ:MN
bのソース電極:nbSとグランド電圧:GNDとが接
続され、MNbのドレイン電極:nbDとMNaのソー
ス電極:naSとが接続され、MPaのゲート電極:p
aGとMNaのゲート電極:naGとが接続されこれが
NAND回路4の一入力端子:Aとなり、MPbのゲー
ト電極:pbGとMNbのゲート電極:nbGとが接続
されこれがNAND回路4の一入力端子:Bとなり、N
AND回路4の入力端子:AおよびBと電源電圧:VD
Dとの間にそれぞれハイインピーダンス負荷:HiZ
1、NAND回路4の入力端子:AおよびBとグランド
電圧:GNDとの間にそれぞれハイインピーダンス負
荷:HiZ2を挿入する。以上が、本発明の実施形態6
に関するネットリスト変換装置のネットリスト変換実施
構成である。
【0091】以上のようなネットリスト変換を実施する
ことにより、NAND回路4の一入力端子が(Hig
h)に固定され、残りの一入力端子が開放状態、もしく
は、ハイインピーダンス状態であった場合、あるいは、
NAND回路4の両入力端子が開放状態、もしくは、ハ
イインピーダンス状態であった場合、開放状態、もしく
は、ハイインピーダンス状態である入力端子の電位はハ
イインピーダンス負荷:HiZ1とHiZ2の分圧効果
により、VDD×HiZ2/(HiZ1+HiZ2)に
固定される。例えば、HiZ1=HiZ2とした時、入
力端子の電位は、電源電圧:VDDとグランド電圧:G
ND間との中間電位となる。この時、MNaおよびMN
bおよびMPa、もしくは、MNaおよびMNbおよび
MPb、もしくは、MNaおよびMNbおよびMPaお
よびMPbが同時にON状態となる。
【0092】この状態で直流信号特性シミュレーション
を行うことにより、NAND回路4に貫通電流が流れ、
リーク電流を検出することが可能となる。
【0093】なお、前記ハイインピーダンス負荷:Hi
Z1、HiZ2は、それ自身に流れる電流を無視するこ
とが出来る程度の高抵抗負荷であっても同様の効果を得
ることが可能である。なお、前記ハイインピーダンス負
荷:HiZ1、HiZ2は、容量性負荷であっても同様
の効果を得ることが可能である。
【0094】なお、他の論理回路、フリップ−フロップ
回路等においても同様の効果を得ることが可能である。
【0095】(実施の形態7)図9は本発明の実施形態
7に関するネットリスト変換装置によるネットリスト変
換実施構成図である。図9(a)は実施形態7に関する
ネットリスト変換装置に基づくスイッチ回路21に対す
るネットリスト変換実施構成図を示している。図9
(b)はスイッチ回路21を代表的な実回路として示し
たものである。
【0096】本発明の実施形態7に関するネットリスト
変換装置においては、スイッチ回路21に対して、スイ
ッチ回路21の開閉制御端子:S、と電源電圧:VDD
との間にハイインピーダンス負荷:HiZ1、スイッチ
回路21の開閉制御端子:S、とグランド電圧:GND
との間にハイインピーダンス負荷:HiZ2を挿入す
る。図9(b)を用いてさらに詳細に説明すると、スイ
ッチ回路21はNch型トランジスタ:MNのソース電
極とPch型トランジスタ:MPのソース電極とが接続
されこれがスイッチ回路21の一入出力端子Aとなり、
MNのドレイン電極とMPのドレイン電極とが接続され
これがスイッチ回路21の残りの一入出力端子Bとな
り、MNのゲート電極が開閉制御端子:S、MPのゲー
ト電極が開閉制御端子:となり、スイッチ回路21の開
閉制御端子:S、と電源電圧:VDDとの間にハイイン
ピーダンス負荷:HiZ1、スイッチ回路21の開閉制
御端子:S、とグランド電圧:GNDとの間にハイイン
ピーダンス負荷:HiZ2を挿入する。
【0097】以上が、本発明の実施形態7に関するネッ
トリスト変換装置のネットリスト変換実施構成である。
【0098】以上のようなネットリスト変換を実施する
ことにより、スイッチ回路21の開閉制御端子:S、あ
るいは、開閉制御端子:、あるいは、Sおよびが開放状
態、もしくは、ハイインピーダンス状態であった場合、
スイッチ回路21の開閉制御端子:S、あるいは、開閉
制御端子:、あるいは、Sおよびの電位はハイインピー
ダンス負荷:HiZ1とHiZ2の分圧効果により、V
DD×HiZ2/(HiZ1+HiZ2)に固定され
る。例えば、HiZ1=HiZ2とした時、開放状態、
もしくは、ハイインピーダンス状態である開閉制御端子
の電位は、電源電圧:VDDとグランド電圧:GND間
との中間電位となる。この時、開放状態、もしくは、ハ
イインピーダンス状態である開閉制御端子をゲート電極
とするトランジスタはON状態となる。
【0099】この状態で直流信号特性シミュレーション
を行うことにより、スイッチの開閉制御端子:S、ある
いは、開閉制御端子:、あるいは、Sおよびが開放状
態、もしくは、ハイインピーダンス状態であった場合、
スイッチ回路21がON状態となり、リーク電流を検出
することが可能となる。
【0100】なお、本例ではCMOSスイッチ回路の場
合を例に挙げたが、Nch型トランジスタのみのスイッ
チ回路、あるいはPch型トランジスタのみのスイッチ
回路等においても、同様にしてリーク電流を検出するこ
とが出来る。
【0101】図10(a)は実施形態7に関するネット
リスト変換装置に基づくNch型トランジスタのみで構
成されるスイッチ回路22に対するネットリスト変換実
施構成図を示している。図10(b)はスイッチ回路2
2を代表的な実回路として示したものである。
【0102】本発明の実施形態7に関するネットリスト
変換装置においては、スイッチ回路22に対して、スイ
ッチ回路22の開閉制御端子:Sと電源電圧:VDDと
の間にハイインピーダンス負荷:HiZ1、スイッチ回
路22の開閉制御端子:Sとグランド電圧:GNDとの
間にハイインピーダンス負荷:HiZ2を挿入する。図
10(b)を用いてさらに詳細に説明すると、スイッチ
回路22はNch型トランジスタ:MNのソース電極が
スイッチ回路22の一入出力端子Aとなり、MNのドレ
イン電極がスイッチ回路22の残りの一入出力端子Bと
なり、MNのゲート電極が開閉制御端子:Sとなり、ス
イッチ回路22の開閉制御端子:Sと電源電圧:VDD
との間にハイインピーダンス負荷:HiZ1、スイッチ
回路22の開閉制御端子:Sとグランド電圧:GNDと
の間にハイインピーダンス負荷:HiZ2を挿入する。
以上が、本発明の実施形態7に関するネットリスト変換
装置のネットリスト変換実施構成である。
【0103】以上のようなネットリスト変換を実施する
ことにより、スイッチ回路22の開閉制御端子:Sが開
放状態、もしくは、ハイインピーダンス状態であった場
合、スイッチ回路22の開閉制御端子:Sの電位はハイ
インピーダンス負荷:HiZ1とHiZ2の分圧効果に
より、VDD×HiZ2/(HiZ1+HiZ2)に固
定される。例えば、HiZ1=HiZ2とした時、開放
状態、もしくは、ハイインピーダンス状態である開閉制
御端子の電位は、電源電圧:VDDとグランド電圧:G
ND間との中間電位となる。この時、スイッチ回路22
はON状態となる。
【0104】この状態で直流信号特性シミュレーション
を行うことにより、スイッチの開閉制御端子:Sが開放
状態、もしくは、ハイインピーダンス状態であった場
合、スイッチ回路22がON状態となり、リーク電流を
検出することが可能となる。
【0105】図11(a)は実施形態7に関するネット
リスト変換装置に基づくPch型トランジスタのみで構
成されるスイッチ回路23に対するネットリスト変換実
施構成図を示している。図11(b)はスイッチ回路2
3を代表的な実回路として示したものである。
【0106】本発明の実施形態7に関するネットリスト
変換装置においては、スイッチ回路23に対して、スイ
ッチ回路23の開閉制御端子:と電源電圧:VDDとの
間にハイインピーダンス負荷:HiZ1、スイッチ回路
22の開閉制御端子:とグランド電圧:GNDとの間に
ハイインピーダンス負荷:HiZ2を挿入する。図11
(b)を用いてさらに詳細に説明すると、スイッチ回路
23はPch型トランジスタ:MPのソース電極がスイ
ッチ回路23の一入出力端子Aとなり、MPのドレイン
電極がスイッチ回路23の残りの一入出力端子Bとな
り、MPのゲート電極が開閉制御端子:となり、スイッ
チ回路23の開閉制御端子:と電源電圧:VDDとの間
にハイインピーダンス負荷:HiZ1、スイッチ回路2
3の開閉制御端子:とグランド電圧:GNDとの間にハ
イインピーダンス負荷:HiZ2を挿入する。以上が、
本発明の実施形態7に関するネットリスト変換装置のネ
ットリスト変換実施構成である。
【0107】以上のようなネットリスト変換を実施する
ことにより、スイッチ回路23の開閉制御端子:が開放
状態、もしくは、ハイインピーダンス状態であった場
合、スイッチ回路23の開閉制御端子:の電位はハイイ
ンピーダンス負荷:HiZ1とHiZ2の分圧効果によ
り、VDD×HiZ2/(HiZ1+HiZ2)に固定
される。例えば、HiZ1=HiZ2とした時、開放状
態、もしくは、ハイインピーダンス状態である開閉制御
端子の電位は、電源電圧:VDDとグランド電圧:GN
D間との中間電位となる。この時、スイッチ回路23は
ON状態となる。
【0108】この状態で直流信号特性シミュレーション
を行うことにより、スイッチの開閉制御端子:が開放状
態、もしくは、ハイインピーダンス状態であった場合、
スイッチ回路23がON状態となり、リーク電流を検出
することが可能となる。
【0109】
【発明の効果】以上のように、本発明のネットリスト変
換装置を用いてネットリストに対して変換を施し、直流
信号特性シミュレーションを行うことにより、トランジ
スタのゲート電極・論理ゲート回路の入力端子・スイッ
チ回路の開閉制御端子等が開放状態もしくは、ハイイン
ピーダンス状態となっている場合においても、リーク電
流を検出することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態1に関するネットリスト変換
装置によるネットリスト変換実施構成図
【図2】本発明の実施形態2に関するネットリスト変換
装置によるネットリスト変換実施構成図
【図3】本発明の実施形態3に関するネットリスト変換
装置によるネットリスト変換実施構成図
【図4】本発明の実施形態4に関するネットリスト変換
装置によるネットリスト変換実施構成図
【図5】本発明の実施形態5に関するネットリスト変換
装置によるネットリスト変換実施構成図
【図6】本発明の実施形態6に関するネットリスト変換
装置によるインバータ回路に対するネットリスト変換実
施構成図
【図7】本発明の実施形態6に関するネットリスト変換
装置によるNOR回路に対するネットリスト変換実施構
成図
【図8】本発明の実施形態6に関するネットリスト変換
装置によるNAND回路に対するネットリスト変換実施
構成図
【図9】本発明の実施形態7に関するネットリスト変換
装置によるCMOSスイッチ回路に対するネットリスト
変換実施構成図
【図10】本発明の実施形態7に関するネットリスト変
換装置によるNch型トランジスタスイッチ回路に対す
るネットリスト変換実施構成図
【図11】本発明の実施形態7に関するネットリスト変
換装置によるPch型トランジスタスイッチ回路に対す
るネットリスト変換実施構成図
【図12】従来のシミュレーション・ネットリスト内検
索によるリーク電流検出方法を説明する図
【図13】従来のシミュレーション・ネットリスト内検
索によるインバータ回路に関するリーク電流検出方法を
説明する図
【図14】従来のシミュレーション・ネットリスト内検
索によるスイッチ回路に関するリーク電流検出方法を説
明する図
【図15】従来のシミュレーション・ネットリスト内検
索によるリーク電流検出方法の問題点を説明する図
【符号の説明】
1 インバータ回路 2 スイッチ回路 3 NOR回路 4 NAND回路 21 CMOSスイッチ回路 22 Nch型トランジスタスイッチ回路 23 Pch型トランジスタスイッチ回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡 浩二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 5B046 AA08 BA03 JA04 5F064 BB05 BB06 BB07 BB35 BB37 CC09 CC12 HH06 HH09 HH10

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 トランジスタのゲート電極に、ハイイン
    ピーダンス負荷と、電源電圧とグランド電圧との間の電
    圧を発生させる電圧源とを接続し、直流信号特性シミュ
    レーションを行い、リーク電流を検出することを目的と
    したネットリスト変換装置。
  2. 【請求項2】 Nch型トランジスタのゲート電極と電
    源電圧との間に、ハイインピーダンス負荷を接続し、P
    ch型トランジスタのゲート電極とグランド電圧との間
    に、ハイインピーダンス負荷を接続し、直流信号特性シ
    ミュレーションを行い、リーク電流を検出することを目
    的としたネットリスト変換装置。
  3. 【請求項3】 Nch型トランジスタのゲート電極と電
    源電圧との間に、ハイインピーダンス負荷と正電極側を
    前記電源電圧側、負電極側を前記Nch型トランジスタ
    の前記ゲート電極側となるように、前記電源電圧とグラ
    ンド電圧との間の電圧を発生させる電圧源とを接続し、
    Pch型トランジスタのゲート電極と前記グランド電圧
    との間に、ハイインピーダンス負荷と正電極側を前記P
    ch型トランジスタの前記ゲート電極側、負電極側を前
    記グランド電圧側となるように、前記電源電圧と前記グ
    ランド電圧との間の電圧を発生させる電圧源とを接続
    し、直流信号特性シミュレーションを行い、リーク電流
    を検出することを目的としたネットリスト変換装置。
  4. 【請求項4】 Nch型トランジスタのゲート電極とグ
    ランド電圧との間に、ハイインピーダンス負荷と、正電
    極側を前記Nch型トランジスタの前記ゲート電極側、
    負電極側を前記グランド電圧側となるように、電源電圧
    と前記グランド電圧との間の電圧を発生させる電圧源と
    を接続し、Pch型トランジスタのゲート電極と前記グ
    ランド電圧との間に、ハイインピーダンス負荷と、正電
    極側を前記電源電圧側、負電極側を前記Pch型トラン
    ジスタの前記ゲート電極側となるように、電源電圧とグ
    ランド電圧との間の電圧を発生させる電圧源とを接続
    し、直流信号特性シミュレーションを行い、リーク電流
    を検出することを目的としたネットリスト変換装置。
  5. 【請求項5】 Nch型トランジスタのゲート電極と電
    源電圧との間に、ハイインピーダンス負荷を接続し、前
    記Nch型トランジスタの前記ゲート電極とグランド電
    圧との間に、ハイインピーダンス負荷を接続し、Pch
    型トランジスタのゲート電極と前記電源電圧との間に、
    ハイインピーダンス負荷を接続し、前記Pch型トラン
    ジスタの前記ゲート電極と前記グランド電圧との間に、
    ハイインピーダンス負荷を接続し、直流信号特性シミュ
    レーションを行いリーク電流を検出することを目的とし
    たネットリスト変換装置。
  6. 【請求項6】 Nch型トランジスタのゲート電極と電
    源電圧との間に、ハイインピーダンス負荷と、正電極側
    を前記電源電圧側、負電極側を前記Nch型トランジス
    タの前記ゲート電極側となるように、前記電源電圧とグ
    ランド電圧との間の電圧を発生させる電圧源とを接続
    し、前記Nch型トランジスタの前記ゲート電極と前記
    グランド電圧との間に、ハイインピーダンス負荷と、正
    電極側を前記Nch型トランジスタの前記ゲート電極
    側、負電極側を前記グランド電圧側となるように、前記
    電源電圧と前記グランド電圧との間の電圧を発生させる
    電圧源とを接続し、Pch型トランジスタのゲート電極
    と前記電源電圧との間に、ハイインピーダンス負荷と、
    正電極側を前記電源電圧側、負電極側を前記Pch型ト
    ランジスタの前記ゲート電極側となるように、前記電源
    電圧と前記グランド電圧との間の電圧を発生させる電圧
    源とを接続し、前記Pch型トランジスタの前記ゲート
    電極と前記グランド電圧との間に、ハイインピーダンス
    負荷と、正電極側を前記Pch型トランジスタの前記ゲ
    ート電極側、負電極側を前記グランド電圧側となるよう
    に、前記電源電圧と前記グランド電圧との間の電圧を発
    生させる電圧源とを接続し、直流信号特性シミュレーシ
    ョンを行い、リーク電流を検出することを目的としたネ
    ットリスト変換装置。
  7. 【請求項7】 論理ゲート回路のそれぞれの入力端子と
    電源電圧との間に、ハイインピーダンス負荷を接続し、
    前記論理ゲート回路の前記それぞれの入力端子とグラン
    ド電圧との間に、ハイインピーダンス負荷を接続し、直
    流信号特性シミュレーションを行い、リーク電流を検出
    することを目的としたネットリスト変換装置。
  8. 【請求項8】 トランジスタで構成されたスイッチ回路
    のそれぞれのスイッチ開閉制御端子と電源電圧との間
    に、ハイインピーダンス負荷を接続し、前記トランジス
    タで構成されたスイッチ回路の前記それぞれのスイッチ
    開閉制御端子とグランド電圧との間に、ハイインピーダ
    ンス負荷を接続し、直流信号特性シミュレーションを行
    い、リーク電流を検出することを目的としたネットリス
    ト変換装置。
  9. 【請求項9】 請求項1から請求項8記載のネットリス
    ト変換装置のハイインピーダンス負荷を抵抗性負荷と
    し、リーク電流を検出することを目的としたネットリス
    ト変換装置。
  10. 【請求項10】 請求項1から請求項8記載のネットリ
    スト変換装置のハイインピーダンス負荷を容量性負荷と
    したリーク電流を検出することを目的としたネットリス
    ト変換装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2013200744A (ja) * 2012-03-26 2013-10-03 Fujitsu Ltd 情報処理装置、ハイインピーダンス状態検出方法およびプログラム

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