JP2003295226A - Liquid crystal display device - Google Patents
Liquid crystal display deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置、特に
高速応答特性や広視野角特性を有するベンド配向させた
ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ
Ｂｅｎｄ、または、Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅ
ｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）液晶モー
ドを利用した液晶表示装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a bend-oriented OCB (Optically Compensated) having a high-speed response characteristic and a wide viewing angle characteristic.
Bend or Optically Compe
The present invention relates to a liquid crystal display device using a liquid crystal mode (nested birefringence).
【０００２】[0002]
【従来の技術】薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ−
Ｆｉｌｍ−Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いたアクティブ
マトリクス型液晶ディスプレイは薄型化、軽量化、低電
圧駆動可能などの長所によりカムコーダ用のディスプレ
イ、パーソナルコンピューター、パーソナルワードプロ
セッサーのディスプレイなど種々の分野で利用されてお
り、大きな市場を形成している。2. Description of the Related Art Thin film transistors (TFT: Thin-
The active matrix type liquid crystal display using a film-transistor is used in various fields such as a display for a camcorder, a display for a personal computer, a personal word processor, etc. due to its advantages such as thinness, light weight and low voltage drive. Forming a market.
【０００３】特に近年では、従来のパソコン等での静止
画表示に加えて、動画表示やＴＶ用途への利用が広がり
つつあり、こうした動画表示に適した液晶表示装置への
要求が高まってきている。これに対応し、高速応答性能
を向上させる液晶素子としてベンド配向させたＯＣＢ液
晶表示素子が特開平７−８４２５４等で提案されてい
る。このＯＣＢ液晶表示素子は電圧に対する液晶の変化
が従来のＴＮモードに比べて早く、動画表示やＴＶ用途
に適した高速応答を実現出来る。さらに、このベンド配
向型の液晶表示素子は液晶分子が上下基板間でベンド配
向しているため、光学位相差を自己補償でき、かつフィ
ルム位相差板で位相差補償をするため視野角特性にも優
れている。In recent years, in particular, in addition to the conventional still image display on a personal computer or the like, the use for moving image display and TV application is spreading, and the demand for a liquid crystal display device suitable for such moving image display is increasing. . In response to this, an OCB liquid crystal display element with bend alignment is proposed as a liquid crystal element for improving high-speed response performance in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-84254. This OCB liquid crystal display element has a faster change of liquid crystal with respect to the voltage than in the conventional TN mode, and can realize a high-speed response suitable for displaying moving images and TV. Further, in this bend alignment type liquid crystal display element, since the liquid crystal molecules are bend aligned between the upper and lower substrates, the optical retardation can be self-compensated, and the film retarder compensates for the retardation. Are better.
【０００４】しかし、ＯＣＢ液晶素子は、初期には図２
０（ａ）に示すようなスプレイ配向と呼ばれる表示に適
さない配向状態になっており、表示動作をさせるために
はこれを図２０（ｂ）に示すようなベンド配向状態に均
一に転移させておく必要がある。図２０（ａ）、（ｂ）
は、ＯＣＢ液晶素子の断面図であり、基板１０と１１の
間に挟まれた液晶層１２における液晶分子１３の配向状
態を示したものである。ベンド配向状態への転移は、表
示駆動するよりも高い電圧を液晶に印加することによっ
て実現することができるが、その際、基板の一部にスプ
レイ配向からベンド配向への転移核がまず発生し、それ
が液晶層全体に広がり基板全体がベンド配向に転移する
というプロセスを経る。転移核が発生する場所は、基板
内の不均一な所、例えば分散されたスペーサの周囲や配
向のムラなど多様であり、しかも再現性が不十分なの
で、往々にしてベンド配向への転移が不均一になって表
示欠陥が残ることがある。再現性よく転移核を発生させ
るには、局所的に液晶に高電界を印加する方法が有効で
あることが知られている。特開２００１−３３０８６２
号公報には、隣接電極間や電極の切り欠き部に横電界を
形成し、これを転移核として用いる技術が開示されてい
る。However, the OCB liquid crystal element is initially shown in FIG.
0 (a) is in an alignment state called splay alignment which is not suitable for display, and in order to perform a display operation, it should be uniformly transferred to a bend alignment state as shown in FIG. 20 (b). I need to put it. 20 (a), 20 (b)
FIG. 3 is a cross-sectional view of an OCB liquid crystal element, showing an alignment state of liquid crystal molecules 13 in a liquid crystal layer 12 sandwiched between substrates 10 and 11. The transition to the bend alignment state can be realized by applying a voltage higher than that for driving the display to the liquid crystal, in which a splay alignment to bend alignment nucleus is first generated in a part of the substrate. , It spreads over the entire liquid crystal layer and the entire substrate undergoes a bend orientation transition. There are various places where the transition nuclei are generated, such as non-uniform places in the substrate, such as around dispersed spacers and uneven alignment, and the reproducibility is insufficient. It may become uniform and display defects may remain. It is known that a method of locally applying a high electric field to a liquid crystal is effective for generating a transition nucleus with good reproducibility. Japanese Patent Laid-Open No. 2001-330862
The publication discloses a technique of forming a transverse electric field between adjacent electrodes or in a notch of the electrode and using this as a transition nucleus.
【０００５】液晶に局所的な電界を印加する具体的な方
法として、隣接する画素電極の一部を近接させてその間
に電圧を印加することが効果的である。この構成を用い
た液晶表示装置の画素構成の一例を図２１に示す。図２
１（ａ）は画素の電極構成を示す平面図、図２１（ｂ）
は図２１（ａ）のＡ−Ｂ経路に沿った断面図、図２１
（ｃ）は図２１（ａ）の画素構成の等価回路を示したも
のである。この液晶表示装置は、基板１０上に、Ｘ２、
Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５などのゲート線１４と、Ｙｍ、Ｙｍ＋
１、Ｙｍ＋２など（ｍは任意の整数）のソース線１５が
マトリクス状に配置され、それら交点に対応してスイッ
チング素子であるＴＦＴ１６と画素電極１７−３、１７
−４、１７−５などが形成されている。そして、ソース
線方向（図２１（ａ）の上下方向）に隣接する画素電極
間の一部を近接させて強い電界を発生しやすくしてい
る。このようなマトリクスアレイが形成された基板１０
と、対向電極が形成された対向基板（図示せず）の間に
液晶層（図示せず）を挟んで液晶表示装置とする。対向
電極には基準電位Ｖｃｏｍが印加されており、スイッチ
ング素子（ＴＦＴ）１６を介してソース線１５から供給
された画像電圧と基準電位Ｖｃｏｍとの電位差が液晶層
（図２１（ｃ）において容量Ｃｌｃで表示）に印加され
て液晶層の光学特性が変調され画像表示が行われるもの
である。As a concrete method for applying a local electric field to the liquid crystal, it is effective to bring some adjacent pixel electrodes close to each other and apply a voltage therebetween. FIG. 21 shows an example of a pixel structure of a liquid crystal display device using this structure. Figure 2
1 (a) is a plan view showing an electrode configuration of a pixel, FIG. 21 (b).
21 is a cross-sectional view taken along the line AB of FIG.
21C shows an equivalent circuit of the pixel configuration of FIG. This liquid crystal display device has X2,
Gate lines 14 such as X3, X4, and X5, and Ym and Ym +
1, source lines 15 such as Ym + 2 (m is an arbitrary integer) are arranged in a matrix, and TFTs 16 which are switching elements and pixel electrodes 17-3 and 17 correspond to their intersections.
-4, 17-5, etc. are formed. Then, a part of the pixel electrodes adjacent to each other in the source line direction (vertical direction in FIG. 21A) is brought close to each other to facilitate generation of a strong electric field. Substrate 10 on which such a matrix array is formed
And a liquid crystal layer (not shown) is sandwiched between the opposite substrates (not shown) on which the opposite electrodes are formed to form a liquid crystal display device. The reference potential Vcom is applied to the counter electrode, and the potential difference between the image voltage supplied from the source line 15 via the switching element (TFT) 16 and the reference potential Vcom is the capacitance Clc in the liquid crystal layer (FIG. 21C). (Displayed with), the optical characteristics of the liquid crystal layer are modulated to display an image.
【０００６】図面の複雑化を避けるため図２１（ａ）に
おいては、スイッチング素子（ＴＦＴ）１６は簡略して
描かれている。その具体的な構造は、図２１（ｂ）に示
すように、ゲート電極１４ａ、ゲート絶縁膜２１、アモ
ルファスシリコン半導体層２２、ソース電極１５ａおよ
びドレイン電極１９ａで構成されている。ドレイン電極
１９ａと画素電極１７−４とは平坦化層２３に開けたコ
ンタクトホール１８を介して接続されている。表示に先
立って、隣接する画素電極１７−４、１７−５間に数ボ
ルト〜数十ボルト程度の電圧を印加して強電界を液晶層
内に作ることによって転移核を発生させ、スプレイ配向
からベンド配向へ転移させておく。In order to avoid complication of the drawing, the switching element (TFT) 16 is illustrated in a simplified manner in FIG. As shown in FIG. 21B, its specific structure is composed of a gate electrode 14a, a gate insulating film 21, an amorphous silicon semiconductor layer 22, a source electrode 15a and a drain electrode 19a. The drain electrode 19a and the pixel electrode 17-4 are connected via a contact hole 18 formed in the flattening layer 23. Prior to the display, a voltage of several volts to several tens of volts is applied between the adjacent pixel electrodes 17-4 and 17-5 to create a strong electric field in the liquid crystal layer to generate transition nuclei, which causes splay alignment. Transition to bend orientation.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、隣接す
る画素電極の一部を近接させてその間に電圧を印加する
ことにより転移を促進する場合には、最外周にある画素
にはその外側に隣接する画素がないため、この部分での
転移特性が十分でなく、これが表示欠陥となって残るこ
とがあった。また、この表示欠陥を避けるために最外周
画素の確実な転移を待って表示動作を行う場合には、液
晶表示装置の立ち上げ時間が長くなり、機器ユーザーの
待ち時間が長くなって、利便性に欠けるという課題が生
じていた。However, when the transition is promoted by bringing a part of the adjacent pixel electrodes close to each other and applying a voltage between them, the outermost pixel is adjacent to the outside thereof. Since there are no pixels, the transfer characteristic at this portion is not sufficient, and this sometimes remains as a display defect. Also, in order to avoid this display defect, when the display operation is performed after the outermost peripheral pixels are surely transferred, the liquid crystal display device takes a long time to start up and the device user has a long waiting time, which is convenient. There was a problem of lacking.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を実現するため
に本発明の液晶表示装置は以下の構成を有している。In order to achieve the above object, the liquid crystal display device of the present invention has the following constitution.
【０００９】すなわち、本発明の液晶表示装置は、表示
エリア最外周の画素のさらに外側にダミー電極が形成さ
れており、表示エリア最外周の画素とこのダミー電極の
間に近接部を有するという構成を持つものである。That is, in the liquid crystal display device of the present invention, the dummy electrode is formed further outside the pixel at the outermost periphery of the display area, and the dummy electrode is provided between the pixel at the outermost periphery of the display area and the dummy electrode. Is to have.
【００１０】これにより、表示エリアの最外周の画素に
おいても転移核が不足することがなく、スプレイ配向か
らベンド配向への転移が容易に行われる。この結果、表
示エリア外周部に未転移部分が残り、これが表示欠陥に
結びつくことがない。また、この部分の転移に時間がか
かるため、液晶表示装置の立ち上げ時間が長くなるとい
う課題も生じない。As a result, even in the pixels on the outermost periphery of the display area, the transition nucleus is not insufficient, and the transition from the splay alignment to the bend alignment is easily performed. As a result, an untransferred portion remains on the outer peripheral portion of the display area, which does not lead to a display defect. Moreover, since the transition of this portion takes time, there is no problem that the startup time of the liquid crystal display device becomes long.
【００１１】さらに、表示エリア最外周にある画素電極
とその外側のダミー電極の間に、通常の画素間とは形状
あるいは方向が異なる電極間近接部を形成すれば、表示
エリア外周部での転移特性をより一層向上させることが
できる。より具体的には、この近接部を形成するよう
に、表示エリア最外周にある画素電極、あるいはその外
側のダミー電極を繰り返しパターンから変形させれば、
表示エリア外周部での転移特性をより一層向上させるこ
とができる。Furthermore, if an inter-electrode proximity portion having a shape or direction different from that of a normal pixel is formed between the pixel electrode on the outermost periphery of the display area and the dummy electrode on the outer side thereof, the transition at the outer periphery of the display area can be achieved. The characteristics can be further improved. More specifically, if the pixel electrode at the outermost periphery of the display area or the dummy electrode outside the pixel electrode is deformed from the repeating pattern so as to form this adjacent portion,
It is possible to further improve the transfer characteristic in the outer peripheral portion of the display area.
【００１２】本発明の別の液晶表示装置は、表示エリア
最外周の画素のさらに外側にダミー電極が形成されてお
り、ダミー電極相互の間に近接部を有するという構成を
持つものである。Another liquid crystal display device of the present invention has a structure in which dummy electrodes are formed further outside the pixels at the outermost periphery of the display area, and a proximity portion is provided between the dummy electrodes.
【００１３】これにより、表示エリアの外側にも転移核
を形成し、ここで生じたスプレイ配向からベンド配向へ
の転移を表示エリア内部に伝播することができる。この
結果、表示エリア外周部での転移特性を高めることがで
き、表示エリア外周部に未転移部分が残って表示欠陥に
なったり、この部分の転移に時間がかかって装置の立ち
上げ時間が長くなったりすることがない。As a result, a transition nucleus is formed outside the display area, and the transition from the splay alignment to the bend alignment generated here can be propagated inside the display area. As a result, it is possible to improve the transfer characteristic in the outer peripheral portion of the display area, and a non-transferred portion remains in the outer peripheral portion of the display area to cause a display defect. There is no chance of becoming.
【００１４】このために、ダミー電極間において、通常
の画素電極間の近接部とは形状や方向が異なる近接部を
設けてもよい。For this reason, adjacent portions having different shapes and directions from the adjacent portions between the pixel electrodes may be provided between the dummy electrodes.
【００１５】また、ダミー電極を複数列、あるいは複数
行形成して２重構造あるいはそれ以上（２行以上、ある
いは２列以上）のダミー電極が表示エリア周辺に配置さ
れるようにしてもよい。Further, dummy electrodes may be formed in a plurality of columns or a plurality of rows so that dummy electrodes having a double structure or more (two or more rows or two or more columns) are arranged around the display area.
【００１６】本発明の別の液晶表示装置は、表示エリア
最外周の画素のさらに外側に、切り欠き部が形成された
ダミー電極を有するものである。Another liquid crystal display device of the present invention has a dummy electrode having a notch portion formed further outside the pixel at the outermost periphery of the display area.
【００１７】この切り欠き部には電界が集中するので、
電極近接部と同様に、スプレイ配向からベンド配向への
転移を促進する。これにより、表示エリアの外側にも転
移核を形成し、ここで生じたスプレイ配向からベンド配
向への転移を表示エリア内部に伝播することができる。
この結果、表示エリア周辺での転移特性を高めることが
でき、表示エリア外周部に未転移部分が残って表示欠陥
になったり、この部分の転移に時間がかかって装置の立
ち上げ時間が長くなったりすることがない。Since the electric field is concentrated in this cutout portion,
Like the electrode vicinity, it promotes the transition from the splay alignment to the bend alignment. As a result, transition nuclei are also formed outside the display area, and the transition from the splay alignment to the bend alignment generated here can be propagated inside the display area.
As a result, the transfer characteristics around the display area can be improved, and an untransferred portion remains on the outer peripheral portion of the display area to cause a display defect. There is nothing to do.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】以下本発明の液晶表示装置につい
て図面を用いてより具体的に説明する。但し、以降の図
面の説明においては前述の従来例で用いた構成と同じ部
分には重複を避け、同じ符号を付けて説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The liquid crystal display device of the present invention will be described more specifically with reference to the drawings. However, in the following description of the drawings, the same parts as those used in the above-mentioned conventional example will not be duplicated and will be described with the same reference numerals.
【００１９】（実施の形態１）図１は実施の形態１の液
晶表示装置におけるアレイ基板上の画素電極構成を表す
平面図である。図１において、一点鎖線の右下にある領
域（図中に１０１で示す）は、表示エリアであり画素電
極１７が配置されている。一方、一点鎖線の左あるいは
上にある領域（図中に１０２で示す）は、表示エリアの
周囲にある周辺部（いわゆる額縁部）であり、ダミー電
極１９が配置されている。ダミー電極は表示を行うもの
ではないが、必要に応じて電圧制御できるものとなって
いる。(First Embodiment) FIG. 1 is a plan view showing a pixel electrode structure on an array substrate in a liquid crystal display device according to a first embodiment. In FIG. 1, a region (indicated by 101 in the figure) at the lower right of the one-dot chain line is a display area and the pixel electrode 17 is arranged. On the other hand, a region (indicated by 102 in the figure) to the left or above the alternate long and short dash line is a peripheral portion (so-called frame portion) around the display area, and the dummy electrode 19 is arranged. The dummy electrode does not perform display, but the voltage can be controlled if necessary.
【００２０】本図では、ダミー電極１９は画素電極１７
と同一の工程で製造され、ほぼ同一のパターン形状をし
ている。また、上下に隣接する画素電極間に近接部が形
成されるとともに、上下に隣接するダミー電極と画素電
極の間にも近接部が形成されている。Ｐ（ｘ，ｙ）は画
素電極あるいはダミー電極を表すもので、ｘとｙは画面
上のアドレス（座標）に対応している。アドレスの少な
くともいずれかが０であるものはダミー電極である。In this figure, the dummy electrode 19 is the pixel electrode 17
It is manufactured in the same process as above, and has almost the same pattern shape. In addition, a proximity portion is formed between vertically adjacent pixel electrodes, and a proximity portion is also formed between vertically adjacent dummy electrodes and pixel electrodes. P (x, y) represents a pixel electrode or a dummy electrode, and x and y correspond to addresses (coordinates) on the screen. Those in which at least one of the addresses is 0 are dummy electrodes.
【００２１】図２は液晶表示装置の主要部分を示す平面
図（ａ）および側面図（ｂ）である。図２において１０
３と１０４は基板であり、図示しないがこの間に液晶層
があり、これらが液晶パネルを構成している。１０５は
走査側の駆動回路、１０６は信号側の駆動回路、１０７
と１０８はこれらの駆動回路と液晶パネルを接続するた
めの接続部である。場合によっては、駆動回路の一部あ
るいは全部がポリシリコンなどによって基板上に作製さ
れていることもある。なお、パネルには偏光板等が貼付
けられているが、図示を省略している。FIG. 2 is a plan view (a) and a side view (b) showing a main part of the liquid crystal display device. 2 in FIG.
Reference numerals 3 and 104 denote substrates, and although not shown, there is a liquid crystal layer between them, and these constitute a liquid crystal panel. Reference numeral 105 denotes a scanning side drive circuit, 106 denotes a signal side drive circuit, 107
Reference numerals and 108 denote connection portions for connecting these drive circuits and the liquid crystal panel. In some cases, part or all of the driving circuit may be made of polysilicon or the like on the substrate. Although a polarizing plate or the like is attached to the panel, the illustration is omitted.
【００２２】図２の液晶パネルにおいて、１０１は表示
エリアであり、ほぼ全面にわたって画素電極が配置され
ている。１０２は周辺部であり、その一部あるいは全部
に、図１のダミー電極１９が配置されている。図１は図
２に破線で示すＡの部分を拡大したものに相当する。In the liquid crystal panel of FIG. 2, reference numeral 101 denotes a display area, on which pixel electrodes are arranged over almost the entire surface. Reference numeral 102 denotes a peripheral portion, and the dummy electrode 19 shown in FIG. 1 is arranged on a part or all of the peripheral portion. FIG. 1 corresponds to an enlarged view of a portion A shown by a broken line in FIG.
【００２３】以下の説明で、表示エリアの外周部とは表
示エリア１０１のうち周辺部（額縁部）１０２に近接し
た数画素から十数画素程度の領域を指し、表示エリアの
最外周にある画素とは表示エリア１０１にある画素のう
ち周辺部（額縁部）１０２と接するものを指す。In the following description, the outer peripheral portion of the display area refers to a region of the display area 101 which is close to the peripheral portion (frame portion) 102 of several pixels to several tens of pixels, and is the outermost pixel of the display area. The pixel in the display area 101 is in contact with the peripheral portion (frame portion) 102.
【００２４】この液晶表示装置は、スプレイ配向からベ
ンド配向への転移操作を行なった後、各画素に映像信号
に対応する信号を書きこんで表示を行なわせる。In this liquid crystal display device, after the transition operation from the splay alignment to the bend alignment is performed, a signal corresponding to a video signal is written in each pixel for display.
【００２５】転移操作の一例を以下に示す。第１のステ
ップとして、図１における偶数行のゲート線Ｘ０、Ｘ
２、Ｘ４……を選択状態とし、０行目のゲート線に接続
されている電極Ｐ（０，０）、Ｐ（０，１）、Ｐ（０，
２）……、２行目のゲート線に接続されている電極Ｐ
（２，０）、Ｐ（２，１）、Ｐ（２，２）……に正の電
圧を書きこむ。４行目、６行目等も同様である。次い
で、奇数行のゲート線Ｘ１、Ｘ３、Ｘ５……を選択状態
として、１行目のゲート線に接続されている電極Ｐ
（１，０）、Ｐ（１，１）、Ｐ（１，２）……、３行目
のゲート線に接続されている電極Ｐ（３，０）、Ｐ
（３，１）、Ｐ（３，２）……に負の電圧を書きこむ。
５行目、７行目等も同様である。このとき、ダミー電極
及び画素電極の双方に電圧が書きこまれている。電圧レ
ベルは正負ともに５ボルトから十数ボルト程度である。
こうすることにより、図１のＡ−Ｂ断面では、図３の電
気力線が示すように、画素電極１７の相互の間、および
画素電極１７とダミー電極１９の間に局所的な高電界を
発生させることができる。その後、第２のステップとし
て、対向電極３１に例えばマイナス数ボルトからマイナ
ス３０ボルト程度の電圧を印加すると、図１のＡ−Ｂ断
面では、図４のような電気力線が得られ、縦方向の電界
が印加される。このとき、第１のステップで転移核を形
成し、第２のステップで転移を液晶層全体に広げてい
る。顕微鏡による観察では、電極の上下にある電界集中
部で発生したベンド部が画素中央に向かって広がってい
くことが多い。この際の電圧のかけ方については、上記
の２つの操作を繰り返したり、この繰り返しにおいて各
部の電圧極性を逆にして交流としたりしてもよい。An example of the transfer operation is shown below. As the first step, the even-numbered gate lines X0, X in FIG.
2, X4 ... are selected, and electrodes P (0,0), P (0,1), P (0,
2) ... The electrode P connected to the gate line in the second row
Write a positive voltage to (2,0), P (2,1), P (2,2) .... The same applies to the fourth and sixth lines. Next, the odd-numbered gate lines X1, X3, X5 ... Are set in the selected state, and the electrodes P connected to the first-row gate lines are set.
(1,0), P (1,1), P (1,2) ... Electrodes P (3,0), P connected to the gate line in the third row
Write a negative voltage to (3,1), P (3,2) ....
The same applies to the fifth and seventh lines. At this time, the voltage is written in both the dummy electrode and the pixel electrode. Both positive and negative voltage levels are about 5 to about a dozen volts.
By doing so, in the AB cross section of FIG. 1, a local high electric field is generated between the pixel electrodes 17 and between the pixel electrode 17 and the dummy electrode 19 as shown by the lines of electric force in FIG. Can be generated. Then, as a second step, when a voltage of, for example, a few minus volts to a minus 30 volts is applied to the counter electrode 31, electric force lines as shown in FIG. 4 are obtained in the cross section AB in FIG. Is applied. At this time, a transition nucleus is formed in the first step, and the transition is spread to the entire liquid crystal layer in the second step. In observation with a microscope, the bend portions generated in the electric field concentration portions above and below the electrode often spread toward the center of the pixel. Regarding the method of applying the voltage at this time, the above two operations may be repeated, or the voltage polarities of the respective parts may be reversed to make alternating current in this repetition.
【００２６】表示時には、通常の駆動と同じく、Ｘ１、
Ｘ２、Ｘ３……というふうに、ゲート線を順次選択（走
査）し、各行の画素電極に表示信号を書きこんでいけば
よいが、特に限定するものではない。このとき、ダミー
電極のみが接続されているゲート線Ｘ０は走査しなくて
もよいが、毎フレームあるいは数フレームに１度走査し
て何らかの電圧を書きこんでおけば、静電気などによる
不要な電圧がダミー電極に帯電して表示異常をおこすこ
とがない。At the time of display, X1,
It is sufficient to sequentially select (scan) the gate lines and write the display signal to the pixel electrodes of each row, such as X2, X3 ..., However, it is not particularly limited. At this time, the gate line X0 to which only the dummy electrode is connected may not be scanned, but if a certain voltage is written by scanning once every frame or several frames, unnecessary voltage due to static electricity or the like may be generated. The dummy electrodes will not be charged and display abnormalities will not occur.
【００２７】本実施の形態１の液晶表示装置において
は、ダミー電極を設けることにより、表示エリアの１行
目にある画素電極Ｐ（１，１）、Ｐ（１，２）……の上
側にも電極間近接部を用いた転移核を形成することがで
きる。従来の液晶表示装置ではこれらの画素には下部に
しか転移核が形成されていないので、パターン不良など
により近接部が形成されなかった場合や、転移核が形成
されてもそれが機能しなかった場合、あるいはパネル中
に混入したゴミなどの異物により転移部（ベンド配向
部）の広がりが画素の途中で止まってしまった場合に
は、未転移部を含む画素が残ってしまい表示不良につな
がっていた。本実施の形態１のように上下に転移核を形
成しておけば、仮にいずれかの転移核が形成されなかっ
たり正常に動作しなかったりした場合でも、他方の核を
起点としたベンド配向部が画素全面に広がるし、異物が
存在して一方の転移核からのベンド配向部の進行が止ま
っても他方の転移核からのベンド配向部が残りの部分を
覆うように広がっていく。従って、未転移部を含む画素
が残って、これが表示欠陥や表示不良となることがな
い。In the liquid crystal display device according to the first embodiment, by providing the dummy electrodes, the dummy electrodes are provided above the pixel electrodes P (1,1), P (1,2) ... In the first row of the display area. Can also form a transition nucleus using the interelectrode proximity portion. In the conventional liquid crystal display device, the transition nucleus is formed only in the lower part of these pixels, so that the proximity portion is not formed due to a pattern defect or the transition nucleus is not formed even if the transition nucleus is formed. In this case, or when the spread of the transition part (bend orientation part) is stopped in the middle of the pixel due to foreign matter such as dust mixed in the panel, the pixel including the non-transition part remains, resulting in display failure. It was By forming the transition nuclei in the upper and lower directions as in the first embodiment, even if one of the transition nuclei is not formed or does not operate normally, the bend alignment part starting from the other nuclei is used. Spreads over the entire surface of the pixel, and even if a foreign substance is present and the bend alignment portion from one transition nucleus stops advancing, the bend alignment portion from the other transition nucleus spreads to cover the remaining portion. Therefore, the pixels including the untransferred portion do not remain, which does not cause display defects or display defects.
【００２８】本実施の形態１の液晶表示装置において
は、また、表示エリアの１列目にある画素電極Ｐ（１，
１）、Ｐ（２，１）……の左側にもダミー電極を設け
て、ここにも電極間近接部を形成している。これによ
り、ここにも転移核を形成できる。この転移核はダミー
電極間（例えば、Ｐ（１，０）とＰ（２，０））の間に
形成されるので、ベンド配向部は、まずダミー電極に広
がった後に、ソース線１５を越えて表示エリアに広がっ
ていく。従って、表示エリアの上側にあるダミー電極の
様に、画素電極との間に転移核を形成し、そこからのベ
ンド配向が直接に広がるものではないので、効果はやや
劣るが、表示エリア左側の転移不良を防止する。In the liquid crystal display device according to the first embodiment, the pixel electrode P (1,
Dummy electrodes are also provided on the left side of 1), P (2,1), and the inter-electrode proximity portion is also formed here. Thereby, a transition nucleus can be formed here as well. Since the transition nucleus is formed between the dummy electrodes (for example, P (1,0) and P (2,0)), the bend alignment portion first spreads over the dummy electrodes and then crosses over the source line 15. It spreads to the display area. Therefore, like the dummy electrode on the upper side of the display area, a transition nucleus is formed between the pixel electrode and the transition nucleus, and the bend orientation from there does not spread directly, so the effect is slightly inferior, but on the left side of the display area. Prevents poor transfer.
【００２９】なお、これらのダミー画素は、表示エリア
の上側・左側のいずれかのみに形成しても単独で効果を
奏するし、表示エリアの下側や右側に形成すれば、その
端における転移特性を改善する。また、必ずしもある辺
の全長に形成すべきものではなく、一部分にのみ形成し
てもよい。この場合は、ダミー画素を形成した部分で転
移特性が向上する。It should be noted that these dummy pixels are effective even if they are formed only on either the upper side or the left side of the display area. To improve. Further, it is not always necessary to form the entire length of a certain side, and it may be formed only in a part. In this case, the transfer characteristic is improved in the portion where the dummy pixel is formed.
【００３０】また、ダミー電極は画素電極との間に近接
部を形成するものであればよく、必ずしも画素電極と同
じ形状でなくてもよい。ダミー電極を画素電極より小さ
くしておけば、シール材などのパターン設計にも依存す
るが、場合により額縁を小さくできる。Further, the dummy electrode is not limited to the one having the same shape as the pixel electrode as long as it forms a proximity portion between the dummy electrode and the pixel electrode. If the dummy electrode is made smaller than the pixel electrode, the frame can be made smaller depending on the pattern design of the sealing material or the like depending on the case.
【００３１】以上のように、本実施の形態１の液晶表示
装置では、表示エリアの最外周の画素においても転移核
が不足することがなく、スプレイ配向からベンド配向へ
の転移が容易に行われる。この結果、従来のもののよう
に表示エリア外周部に未転移部分が残り、これが表示欠
陥に結びつくことがない。As described above, in the liquid crystal display device according to the first embodiment, the transition nucleus is not insufficient even in the outermost pixel of the display area, and the transition from the splay alignment to the bend alignment is easily performed. . As a result, unlike the conventional one, an untransferred portion remains on the outer peripheral portion of the display area, which does not lead to a display defect.
【００３２】また、従来の液晶表示装置では、表示エリ
ア外周部は画面中央部に比べて転移が完了するのに時間
がかかる場合があり、未転移による表示欠陥を防止する
には、外周部の転移時間を見越して立ち上げ時間を設定
せねばならないケースが生じていた。これは、実用上は
液晶表示装置の立ち上げ時間、即ちユーザーの待ち時間
が長くなるという課題に結びつく。本実施の形態１の液
晶表示装置では、表示エリア外周部の転移完了時間を画
面中央部と同等にするか、もしくは従来のものに比べて
短い時間で完了させることができるので、ユーザーの待
ち時間を短くできるという利点もある。Further, in the conventional liquid crystal display device, it may take a longer time to complete the transition in the outer peripheral portion of the display area than in the central portion of the screen. There were cases where the startup time had to be set in anticipation of the transition time. This leads to a problem that the start-up time of the liquid crystal display device, that is, the waiting time of the user is long in practical use. In the liquid crystal display device according to the first embodiment, the transition completion time at the outer peripheral portion of the display area can be made equal to that at the central portion of the screen, or can be completed in a shorter time than the conventional one. There is also an advantage that can be shortened.
【００３３】（実施の形態２）図５は実施の形態２の液
晶表示装置におけるアレイ基板上の画素電極構成を表す
平面図である。図中の記号は実施の形態１で説明した図
１と同じ構成要素を示すものであるので、重複部分の説
明は省略する。図１との違いは、１列目の画素電極とそ
の左側のダミー電極の形状を、表示エリア中央部の画素
電極における繰り返しパターンの形状とは異ならせて、
横方向に隣接する画素電極とダミー電極の間にも近接部
を形成したことにある。(Second Embodiment) FIG. 5 is a plan view showing a pixel electrode structure on an array substrate in a liquid crystal display device according to a second embodiment. Since the symbols in the figure indicate the same constituent elements as those in FIG. 1 described in the first embodiment, the description of the overlapping portions will be omitted. The difference from FIG. 1 is that the shape of the pixel electrode in the first column and the dummy electrode on the left side of the pixel electrode is made different from the shape of the repeating pattern in the pixel electrode in the center of the display area,
The proximity portion is formed between the pixel electrode and the dummy electrode which are adjacent to each other in the lateral direction.
【００３４】転移操作を行なう際に、左右に隣接する画
素電極とダミー電極の間、例えばＰ（１，０）とＰ
（１，１）の間や、Ｐ（２，０）とＰ（２，１）の間に
逆極性の電圧を充電し、その後に液晶層に縦方向の電界
が印加されるようにすれば、第１の実施形態で図３と図
４を用いて説明したのと同様にして、この部分にも転移
核を生じさせて、容易に転移を行わせることができる。
上記逆極性電圧の充電には、転移操作時にソース線Ｙ０
とＹ１に逆極性の電圧を与えればよい。When the transfer operation is performed, between the pixel electrodes and the dummy electrodes adjacent to each other on the left and right, for example, P (1,0) and P
If a voltage of opposite polarity is charged between (1,1) and between P (2,0) and P (2,1), then a vertical electric field is applied to the liquid crystal layer. In the same manner as described with reference to FIGS. 3 and 4 in the first embodiment, it is possible to easily generate the transition nucleus by generating a transition nucleus in this portion as well.
For charging the reverse polarity voltage, the source line Y0 is used during the transfer operation.
It suffices to apply a voltage of opposite polarity to Y1 and Y1.
【００３５】このようにすれば、１列目の画素電極の左
側にも転移核を形成することができる。ここで発生した
ベンド配向部は直接１列目の画素電極領域に広がるの
で、表示エリア左端での転移特性を第１の実施形態のも
のに比べてさらに向上させることができる。By doing so, the transition nucleus can be formed also on the left side of the pixel electrode in the first column. Since the bend alignment portion generated here spreads directly to the pixel electrode region of the first column, the transfer characteristic at the left end of the display area can be further improved as compared with that of the first embodiment.
【００３６】本実施の形態２の液晶表示装置は、図６の
ように構成することもできる。即ち、ダミー電極を広げ
てソース線を越えるような形状にしたものである。この
構成では、さらに表示エリアに近い位置に転移核（近接
部）を形成できるので転移特性はさらに向上する。この
場合、表示時にはソース線Ｙ０とＹ１に同一の信号電圧
を与えるようにし、ダミー電極と１列目の画素電極が同
一電位となるようにしておけば、近接部でディスクリネ
ーションが発生して表示を乱すことがなくなるので好ま
しい。転移操作時の動作は上記と同様である。The liquid crystal display device according to the second embodiment can also be constructed as shown in FIG. That is, the dummy electrode is expanded to have a shape that exceeds the source line. With this structure, the transition nucleus (proximity portion) can be formed at a position closer to the display area, so that the transition characteristic is further improved. In this case, if the same signal voltage is applied to the source lines Y0 and Y1 at the time of display and the dummy electrodes and the pixel electrodes in the first column have the same potential, disclination occurs in the proximity portion. This is preferable because it does not disturb the display. The operation during the transfer operation is the same as above.
【００３７】以上のように、本実施の形態２では、表示
エリア最外周の画素電極とその外側のダミー電極の間
に、通常の画素間に形成されているものとは形状や方向
が異なる電極近接部を形成することにより、第１の実施
形態の構成と比較して、さらに新たな転移核を加えて、
表示エリア外周部での転移特性を向上させている。As described above, in the second embodiment, between the pixel electrode on the outermost periphery of the display area and the dummy electrode on the outer side of the pixel electrode, an electrode different in shape and direction from that formed between normal pixels is used. By forming the proximity portion, a new transition nucleus is further added, as compared with the configuration of the first embodiment,
The transfer characteristics at the outer periphery of the display area are improved.
【００３８】なお、上記の説明では、最外周にある画素
電極とそれに隣接するダミー電極の双方が繰り返しパタ
ーンと異なるものを用いたが、通常の画素間に形成され
ているものとは異なる電極近接部を形成できるものであ
れば、繰り返しパターンから変形させる電極はいずれか
一方であっても構わない。In the above description, both the outermost pixel electrode and the dummy electrode adjacent thereto are different from the repeating pattern, but the electrode proximity different from that formed between normal pixels is used. As long as a part can be formed, either one of the electrodes can be deformed from the repeated pattern.
【００３９】（実施の形態３）図７は実施の形態３の液
晶表示装置におけるアレイ基板上の画素電極構成を表す
平面図である。図中の記号は実施の形態１で説明した図
１と同じ構成要素を示すものであるので、重複部分の説
明は省略する。図１との違いは、０行目で左右に隣接し
ているダミー電極（Ｐ（０，０）、Ｐ（０，１）、Ｐ
（０，２）……）の間にも近接部を形成したことにあ
る。(Third Embodiment) FIG. 7 is a plan view showing a pixel electrode structure on an array substrate in a liquid crystal display device according to a third embodiment. Since the symbols in the figure indicate the same constituent elements as those in FIG. 1 described in the first embodiment, the description of the overlapping portions will be omitted. The difference from FIG. 1 is that the dummy electrodes (P (0,0), P (0,1), P (0,1), P
This is because a close portion was formed between (0, 2) ...).
【００４０】実施の形態１では、０行目のダミー電極と
１行目の画素電極の間に形成された近接部に転移核を発
生させたが、本実施の形態３では以下のようにして、さ
らに０行目のダミー電極相互の間にも転移核を発生させ
ている。In the first embodiment, the transition nucleus is generated in the proximity portion formed between the dummy electrode of the 0th row and the pixel electrode of the first row, but in the third embodiment, it is performed as follows. Further, transition nuclei are also generated between the dummy electrodes in the 0th row.
【００４１】転移操作を行う際に、左右に隣接するダミ
ー電極相互の間、例えばＰ（０，０）とＰ（０，１）の
間や、Ｐ（０，１）とＰ（０，２）の間に逆極性の電圧
を充電し、その後に液晶層に縦方向の電界が印加される
ようにすれば、第１の実施形態で図３と図４を用いて説
明したのと同様にして、この部分にも転移核を形成し、
容易に転移を行わせることができる。上記逆極性電圧の
充電には、例えば、転移操作時に、奇数行のＴＦＴをオ
ン状態にした場合には奇数列のソース線に正、偶数列の
ソース線に負の電圧を与え、偶数行のＴＦＴをオン状態
にした場合には奇数列のソース線に負、偶数列のソース
線に正の電圧を与えて、図８のような極性の電位を各電
極に充電しておけばよい。こうすれば、上下電極間の近
接部と、左右電極間の近接部の双方で図３に示した電界
集中部を得ることができ、有効に転移核を発生させるこ
とができる。When the transfer operation is performed, the dummy electrodes adjacent to each other on the left and right sides, for example, between P (0,0) and P (0,1) and between P (0,1) and P (0,2). ), A voltage of opposite polarity is charged, and then an electric field in the vertical direction is applied to the liquid crystal layer, in the same manner as described with reference to FIGS. 3 and 4 in the first embodiment. Then, a transition nucleus is also formed in this part,
Transfer can be easily performed. For charging the reverse polarity voltage, for example, when the odd-numbered TFTs are turned on during the transfer operation, a positive voltage is applied to the odd-numbered source lines and a negative voltage is applied to the even-numbered source lines. When the TFT is turned on, a negative voltage may be applied to the source lines in the odd-numbered columns and a positive voltage may be applied to the source lines in the even-numbered columns to charge each electrode with a potential having the polarity as shown in FIG. In this way, the electric field concentrating portion shown in FIG. 3 can be obtained in both the proximity portion between the upper and lower electrodes and the proximity portion between the left and right electrodes, and the transition nucleus can be effectively generated.
【００４２】本実施の形態３の液晶表示装置では、ダミ
ー電極間に近接部を形成して、表示エリアの外側にある
周辺部（額縁部）においても転移核を発生させている。
ここで生じたスプレイ配向からベンド配向への転移が、
表示エリア内部に伝播されて表示エリア外周部の転移特
性が高められる。In the liquid crystal display device according to the third embodiment, the proximity portion is formed between the dummy electrodes, and the transition nucleus is generated also in the peripheral portion (frame portion) outside the display area.
The transition from the splay alignment to the bend alignment generated here is
It is propagated inside the display area and the transfer characteristic of the outer peripheral portion of the display area is enhanced.
【００４３】表示エリアの外周部は、パネル周辺を被う
シール材からの溶出物のため基板界面や液晶が汚染され
やすく、転移特性が劣る場合がある。また、液晶パネル
の周辺部は中央部に比べてセル厚むらが生じやすく、こ
れが表示エリア外周部の転移特性を損なう場合もある。
本実施の形態３の構成により、表示エリア外周部での転
移特性を表示エリア中央部より高めておけば、このよう
な表示エリア外周部での転移特性の低下を補うことがで
き、表示エリア外周部に未転移部分が残って表示欠陥に
なったり、この部分の転移に時間がかかって装置の立ち
上げ時間が長くなったりすることがない。In the outer peripheral portion of the display area, the interface between the substrate and the liquid crystal are likely to be contaminated due to the elution from the sealing material covering the periphery of the panel, and the transfer characteristics may be poor. In addition, the cell thickness unevenness is more likely to occur in the peripheral portion of the liquid crystal panel than in the central portion, which may impair the transfer characteristics of the outer peripheral portion of the display area.
According to the configuration of the third embodiment, if the transfer characteristic at the outer peripheral portion of the display area is set higher than that at the central portion of the display area, such a decrease in the transfer characteristic at the outer peripheral portion of the display area can be compensated for. There is no possibility that a non-transferred portion remains in the area, resulting in a display defect, or that the transfer of this portion takes time and the startup time of the device becomes long.
【００４４】この効果は、表示エリアの最外周の画素電
極とダミー電極の間に近接部が形成されていない場合に
も得ることができる。仮に、図７において、表示エリア
の最外周の画素電極とダミー電極の間に近接部を形成し
なかったとしても、ダミー電極間に近接部を形成してお
けば、周辺部で発生したベンド配向部が表示エリア内部
に広がって、表示エリア外周部の転移特性を向上させ
る。もちろん、両者を併用すればさらに高い効果が得ら
れる。This effect can be obtained even when the proximity portion is not formed between the pixel electrode on the outermost periphery of the display area and the dummy electrode. Even if the proximity portion is not formed between the pixel electrode and the dummy electrode on the outermost periphery of the display area in FIG. 7, if the proximity portion is formed between the dummy electrodes, the bend alignment generated in the peripheral portion is generated. The part spreads inside the display area to improve the transfer characteristic of the outer peripheral part of the display area. Of course, if both are used together, a higher effect can be obtained.
【００４５】なお、両者を併用する際に、図７では表示
エリアの最外周の画素電極とダミー電極の間においては
通常の画素間と同様に上下方向に近接部が形成され、ダ
ミー電極間にはさらにこれとは異なる方向（左右方向）
に近接部を設けている。左右の電極間に発生する電界と
上下の電極間に発生する電界は方向が異なるし、また左
右の電極間と上下の電極間では電位差が異なる場合も多
い。そこで、このように異なる方向に近接部を設けれ
ば、転移核形成の方向性が互いに補完し合い、より有効
に転移を行なわせることができる。ダミー電極間に形成
される近接部の方向が画素電極間の近接部と同じであっ
ても、パターン設計等を工夫してこの近接部の形状を画
素電極間近接部と異ならせておけば、電界の発生方向を
異ならせたり、近接部の密度を向上させたりすることが
できて、転移性能が向上して同様の効果を得ることがで
きる。When both are used in combination, in FIG. 7, a vertical portion is formed between the pixel electrode and the dummy electrode at the outermost periphery of the display area in the same manner as between normal pixels, and between the dummy electrodes. Is a different direction (left and right)
Is provided with a proximity section. The electric field generated between the left and right electrodes and the electric field generated between the upper and lower electrodes have different directions, and the potential difference between the left and right electrodes and the upper and lower electrodes is often different. Therefore, if the adjacent portions are provided in different directions in this way, the directions of formation of transition nuclei complement each other, and the transition can be performed more effectively. Even if the direction of the proximity section formed between the dummy electrodes is the same as the proximity section between the pixel electrodes, if the shape of this proximity section is made different from the pixel electrode proximity section by devising a pattern design or the like, The direction in which the electric field is generated can be changed, and the density of the adjacent portion can be improved, so that the transfer performance is improved and the same effect can be obtained.
【００４６】最も単純な構成例としては、ダミー電極間
近接部における電極エッジの屈曲回数を画素電極間にお
ける屈曲回数より多くすればよい。As the simplest configuration example, the number of times of bending of the electrode edge in the proximity between dummy electrodes may be set larger than the number of times of bending between the pixel electrodes.
【００４７】（実施の形態４）図９は実施の形態４の液
晶表示装置におけるアレイ基板上の画素電極構成を表す
平面図である。図中の記号は実施の形態１で説明した図
１と同じ構成要素を示すものであるので、重複部分の説
明は省略する。図１との違いは、表示エリア上端の画素
電極１７（Ｐ（１，１）、Ｐ（１，２）……）の外側に
２行のダミー電極１９（Ｐ（０，１）、Ｐ（０，２）…
…と、Ｐ（−１，１）、Ｐ（−１，２）……）を形成
し、上下に隣接するダミー電極相互の間にも近接部を形
成した点にある。(Fourth Embodiment) FIG. 9 is a plan view showing a pixel electrode structure on an array substrate in a liquid crystal display device according to a fourth embodiment. Since the symbols in the figure indicate the same constituent elements as those in FIG. 1 described in the first embodiment, the description of the overlapping portions will be omitted. The difference from FIG. 1 is that two rows of dummy electrodes 19 (P (0,1), P () are provided outside the pixel electrodes 17 (P (1,1), P (1,2) ...) At the upper end of the display area. 0, 2) ...
, And P (-1,1), P (-1,2) ...) are formed, and a proximity portion is also formed between the vertically adjacent dummy electrodes.
【００４８】転移時の各電極への電圧の与え方は実施の
形態１で説明したものに準じればよい。本実施の形態４
では、図１に比べてさらに１行のダミー電極（Ｐ（−
１，０）、Ｐ（−１，１）、Ｐ（−１，２）、……）が
追加されているが、これを奇数行と考えて、実施の形態
１と同じような画素電位を書き込めば、これらのダミー
電極（−１行目）と１つ下の行にあるダミー電極（０行
目）との間の電圧符号が逆となり、例えば、Ｐ（−１，
１）とＰ（０，１）の間、Ｐ（−１，２）とＰ（０，
２）の間にある近接部にも転移核を形成することができ
る。The method of applying a voltage to each electrode at the time of transition may be the same as that described in the first embodiment. Fourth Embodiment
Then, as compared with FIG. 1, the dummy electrodes (P (-
1,0), P (-1,1), P (-1,2), ...) are added, but by considering these as odd rows, pixel potentials similar to those in the first embodiment are set. If written, the voltage sign between these dummy electrodes (-1st row) and the dummy electrode in the row immediately below (0th row) becomes opposite, and, for example, P (-1,
1) and P (0,1), P (−1,2) and P (0,
Transition nuclei can also be formed in the adjacent portion between 2).
【００４９】本実施の形態４の液晶表示装置は、第１の
実施形態のものに比べて、表示エリアの外側にも新たに
電極間近接部が形成されている。これが転移核として動
作するので、ここで生じたスプレイ配向からベンド配向
への転移を表示エリア内部に伝播することができる。そ
の結果、表示エリア外周部の転移特性が高められる。第
３の実施形態でも説明したように、表示エリアの外周部
はシール材やセル厚むらの影響で転移特性が低下する場
合がある。本実施の形態４の構成を用いて、表示エリア
外周部での転移特性を表示エリア中央部より高めておけ
ば、このような表示エリア外周部での転移特性の低下を
補うことができ、表示エリア外周部に未転移部分が残っ
て表示欠陥になったり、この部分の転移に時間がかかっ
て装置の立ち上げ時間が長くなったりすることがない。The liquid crystal display device according to the fourth embodiment is different from that according to the first embodiment in that an inter-electrode proximity portion is newly formed outside the display area. Since this acts as a transition nucleus, the transition from the splay alignment to the bend alignment generated here can be propagated inside the display area. As a result, the transfer characteristic of the outer peripheral portion of the display area is enhanced. As described in the third embodiment, the transfer characteristic may be deteriorated in the outer peripheral portion of the display area due to the influence of the sealing material and the uneven cell thickness. By using the configuration of the fourth embodiment, if the transfer characteristic at the outer peripheral portion of the display area is made higher than that at the central portion of the display area, it is possible to compensate for such a decrease in the transfer characteristic at the outer peripheral portion of the display area. It does not occur that an untransferred portion remains on the outer peripheral portion of the area to cause a display defect, or that the transfer of this portion takes time and the startup time of the device becomes long.
【００５０】この効果は、表示エリアの最外周の画素電
極とダミー電極の間に近接部が形成されていない場合に
も得ることができる。仮に、図９において、表示エリア
の最外周の画素電極とダミー電極の間に近接部を形成し
なかったとしても、ダミー電極間に近接部を形成してお
けば、周辺部で発生したベンド配向部が表示エリア内部
に広がって、表示エリア外周部の転移特性を向上させ
る。もちろん、両者を併用すればさらに高い効果が得ら
れる。This effect can be obtained even when the proximity portion is not formed between the pixel electrode on the outermost periphery of the display area and the dummy electrode. Even if the proximity portion is not formed between the pixel electrode and the dummy electrode on the outermost periphery of the display area in FIG. 9, if the proximity portion is formed between the dummy electrodes, the bend alignment generated in the peripheral portion is generated. The part spreads inside the display area to improve the transfer characteristic of the outer peripheral part of the display area. Of course, if both are used together, a higher effect can be obtained.
【００５１】これらの効果は、ダミー電極を画素電極と
同じ形状とした場合にも得られるが、図９のように−１
行目と０行目のダミー電極を画素電極より小さくしてお
けば、さらに効果的である。その理由は、このようにす
れば表示エリアのすぐ外側で電極間近接部の密度、即ち
転移核の発生密度を高めることができ、ここで発生した
ベンド配向部が表示エリア外周部に容易に伝播して、こ
の外周部の転移性能をさらに高めることができるからで
ある。また、ダミー電極を小さくしておけば、他の部分
の構成や設計にもよるが、場合により額縁を小さくでき
る。These effects can be obtained even when the dummy electrode has the same shape as the pixel electrode, but as shown in FIG.
It is more effective if the dummy electrodes on the 0th and 0th rows are smaller than the pixel electrodes. The reason for this is that in this way, the density of the inter-electrode proximity portion, that is, the density of generation of transition nuclei, can be increased immediately outside the display area, and the bend alignment portion generated here easily propagates to the outer peripheral portion of the display area. Then, the transfer performance of the outer peripheral portion can be further improved. Further, if the dummy electrode is made small, the frame can be made small depending on the configuration and design of other portions, depending on the case.
【００５２】また、図９では２重のダミー電極を配置し
た例をあげて説明したが、ダミー電極は３重や４重、あ
るいはそれ以上に配置してもよく、その場合は転移性能
がさらに向上する。また、図９で画面の左側に複数の列
からなるダミー電極を設ければ、左側の外周部での転移
特性が向上する。Further, in FIG. 9, an example in which double dummy electrodes are arranged has been described, but the dummy electrodes may be arranged in triple layers, quadruple layers or more, in which case the transfer performance is further improved. improves. Further, if dummy electrodes made up of a plurality of columns are provided on the left side of the screen in FIG. 9, the transfer characteristic at the outer peripheral portion on the left side is improved.
【００５３】なお、上記の第１から第４の実施形態での
説明では、画素間近接部に逆極性の電圧を印加して電界
集中部を作りだし、これを転移核として用いた。駆動回
路などの関係でこのような電圧を印加するのが困難な場
合は、直接図４のような電界を液晶層に印加して転移を
行わせることもできる。この場合、電極エッジにおける
電界の歪がスプレイからベンドへの転移を誘起するが、
電界集中に比べるとその効果が弱いので対向電極への印
加電圧を高めたり、電圧印加時間を長く設定したりする
必要がある。In the above description of the first to fourth embodiments, an electric field concentration portion is created by applying a voltage of opposite polarity to the interpixel proximity portion, and this is used as a transition nucleus. When it is difficult to apply such a voltage due to a driving circuit or the like, the electric field as shown in FIG. 4 can be directly applied to the liquid crystal layer to cause the transition. In this case, the distortion of the electric field at the electrode edge induces the splay-to-bend transition,
Since its effect is weaker than that of electric field concentration, it is necessary to increase the voltage applied to the counter electrode or set the voltage application time longer.
【００５４】（実施の形態５）図１０は実施の形態５の
液晶表示装置におけるアレイ基板上の画素電極構成を表
す平面図（ａ）と、Ａ−Ｂ線における断面図（ｂ）であ
る。図中の記号は実施の形態１での説明に用いた図１と
同じ構成要素を示すものであるので、重複部分の説明は
省略する。本実施の形態５の液晶表示装置は画素間近接
部の下にこれらとは別の層からなる電極を設けた構成を
持つ。(Fifth Embodiment) FIG. 10 is a plan view (a) showing a pixel electrode configuration on an array substrate in a liquid crystal display device of a fifth embodiment and a cross-sectional view (b) taken along the line AB. The symbols in the drawings indicate the same constituent elements as those used in the description of the first embodiment, which are the same as those shown in FIG. The liquid crystal display device according to the fifth embodiment has a structure in which an electrode made of a layer different from these is provided below the inter-pixel proximity portion.
【００５５】図１０において、２０は蓄積容量線であり
蓄積容量形成用電極３０との間に蓄積容量を形成してい
る。蓄積容量形成用電極３０はソース線１５と同レベル
の導電層で形成されている。蓄積容量形成用電極３０
は、平坦化層２３に開けたコンタクトホール３２を介し
て、画素電極１７あるいはダミー電極１９と接続されて
いる。画素電極相互の近接部、あるいは画素電極とダミ
ー電極の近接部では、少なくとも一部分に蓄積容量形成
用電極３０が形成されておらず、蓄積容量線の電位がシ
ールドされずに、電界がこの近接部に達するようになっ
ている。In FIG. 10, reference numeral 20 denotes a storage capacitor line which forms a storage capacitor with the storage capacitor forming electrode 30. The storage capacitor forming electrode 30 is formed of a conductive layer at the same level as the source line 15. Storage capacitor forming electrode 30
Is connected to the pixel electrode 17 or the dummy electrode 19 through a contact hole 32 formed in the flattening layer 23. The storage capacitor forming electrode 30 is not formed on at least a part of the proximity portion of the pixel electrodes or the proximity portion of the pixel electrode and the dummy electrode, and the electric potential of the storage capacitance line is not shielded and the electric field is generated in the proximity portion. To reach.
【００５６】転移操作の一例を以下に示す。第１のステ
ップとして、図１０における全てのゲート線Ｘ０、Ｘ
１、Ｘ２……を選択状態とし、全ての画素電極と全ての
ダミー電極の電位を０ボルトとする。対向電極の電位も
０ボルトとし、蓄積容量線の電位はマイナス数ボルトか
らマイナス３０ボルト程度にしておく。図１１は図１０
のＣ−Ｄ線の断面に対応するもので、このときの電気力
線を模式的に示したものである。電極間近接部に大きく
歪んだ電界が集中しており、これが転移核を形成する。
その後、第２のステップとして対向電極の電位をマイナ
ス数ボルトからマイナス３０ボルト程度にすれば、図４
に類似した電気力線が得られる。第１の実施形態と同様
に、顕微鏡による観察では、電界集中部で発生したベン
ド部が画素中央に向かって広がっていくことが多い。こ
の際の電圧のかけ方については、上記の２つの操作を繰
り返したり、この繰り返しにおいて各部の電圧極性を逆
にして交流としたりしてもよい。また、転移操作時に画
素電極と全てのダミー電極の電位は同一である必要はな
く、近接部を形成する２つの電極と蓄積容量線、さらに
対向電極の電位を調整して、この部分に電界が集中する
ように、あるいは歪んだ電界が印加される様にすればよ
い。An example of the transfer operation is shown below. As the first step, all gate lines X0, X in FIG.
1, X2 ... Are set to the selected state, and the potentials of all the pixel electrodes and all the dummy electrodes are set to 0 volt. The electric potential of the counter electrode is also 0 volt, and the electric potential of the storage capacitor line is about a few volt to -30 volt. 11 is shown in FIG.
The line corresponding to the section of the line C-D in FIG. A heavily distorted electric field is concentrated in the vicinity of the electrodes, which forms a transition nucleus.
After that, as the second step, if the potential of the counter electrode is changed from a few minus volts to about -30 volts, FIG.
A line of electric force similar to is obtained. Similar to the first embodiment, in a microscope observation, the bend portion generated in the electric field concentration portion often spreads toward the center of the pixel. Regarding the method of applying the voltage at this time, the above two operations may be repeated, or the voltage polarities of the respective parts may be reversed to make alternating current in this repetition. In addition, the potentials of the pixel electrode and all the dummy electrodes do not have to be the same during the transfer operation, and the potentials of the two electrodes forming the adjacent portion, the storage capacitance line, and the counter electrode are adjusted so that an electric field is generated in this portion. It suffices to concentrate or apply a distorted electric field.
【００５７】本実施の形態５特有の効果は以下のような
ものである。第１には、電極近接部の下に別の電極層を
設けて、この電位を転移核形成に用いているので、転移
時の電界制御の自由度が高いことである。駆動回路の制
約等により隣接画素間に強電界を発生させるような電圧
を各画素に与えられない場合や、ダミー電極にはＴＦＴ
を設けずに一括で電位を与える場合などに、図４に示し
た画素エッジの電界の歪のみで転移核形成すると、高い
対向電圧が必要になったり、長い転移時間が必要になっ
たりする。本実施の形態５のように、電極近接部の下に
別の電極層を設けて、この電位を転移核形成に用いれ
ば、このような場合にも有効に電界集中や電界歪を生じ
させることができて、低い対向電圧で、短い時間で転移
を完了することができる。第２の効果は、この電極を不
透明物質で形成しておけば、近接部を遮光できることで
ある。ブラックマトリクスなどによる遮光が不充分な場
合は、表示時に電極間の近接部からの光もれのためコン
トラストが低下する場合があるが、本実施の形態５の構
成ではこの部分が電極により遮光されるので、この光も
れによるコントラスト低下を防止することができる。The effects peculiar to the fifth embodiment are as follows. First, since another electrode layer is provided under the electrode proximity portion and this potential is used for the formation of the transition nucleus, the degree of freedom in controlling the electric field during the transition is high. When a voltage that can generate a strong electric field between adjacent pixels cannot be applied to each pixel due to restrictions of the drive circuit, or when the dummy electrode has a TFT
In the case where a potential is applied in a lump without providing the above, when a transition nucleus is formed only by the distortion of the electric field at the pixel edge shown in FIG. 4, a high counter voltage is required or a long transition time is required. If another electrode layer is provided below the electrode proximity portion and this potential is used for the formation of transition nuclei as in the fifth embodiment, electric field concentration or electric field distortion can be effectively generated even in such a case. Therefore, the transition can be completed in a short time with a low counter voltage. The second effect is that if this electrode is made of an opaque material, the adjacent portion can be shielded from light. When the light shielding by the black matrix or the like is insufficient, the contrast may be deteriorated due to light leakage from the adjacent portions between the electrodes at the time of display, but in the configuration of the fifth embodiment, this portion is shielded by the electrodes. Therefore, it is possible to prevent the reduction in contrast due to the leakage of light.
【００５８】電極近接部の下に設ける電極層を蓄積容量
線にしておけば、ゲート走査電圧や画素信号電圧に関係
なく電位を設定できるので都合がよいが、特に限定され
るものではない。ゲート線やソース線を用いる場合でも
信号の印加タイミングを調整すれば、近接部への電界集
中や電界歪を発生させることができる。また、蓄積容量
線やゲート線、あるいはソース線と同層ではあるがこれ
らとは異なる電極を設けてもよいし、さらに別の層の電
極を用いることもできる。If the electrode layer provided under the electrode proximity portion is a storage capacitor line, the potential can be set independently of the gate scanning voltage or the pixel signal voltage, which is convenient, but is not particularly limited. Even when a gate line or a source line is used, electric field concentration or electric field distortion can be generated in the proximity portion by adjusting the signal application timing. Further, an electrode that is in the same layer as the storage capacitor line, the gate line, or the source line but different from these may be provided, or an electrode in another layer can be used.
【００５９】図１０の構成をもつ液晶表示装置によれ
ば、第１の実施形態で述べたのと同様の効果を得ること
ができる。即ち、ダミー画素を設けることにより表示エ
リアの１行目にある画素電極Ｐ（１，１）、Ｐ（１，
２）……の上側にも電極間近接部を用いた転移核を形成
し、１行目の画素にも上下に転移核が形成される。そこ
で、仮にいずれかの転移核が形成されなかったり正常に
動作しなかったりした場合でも、他方の核を起点とした
ベンド配向部が画素全面に広がるし、異物が存在して一
方の転移核からのベンド配向部の進行が止まっても他方
の転移核からのベンド配向部が残りの部分を覆うように
広がっていく。従って、未転移部を含む画素が残って、
これが表示欠陥や表示不良となることがない。According to the liquid crystal display device having the configuration of FIG. 10, the same effect as that described in the first embodiment can be obtained. That is, by providing the dummy pixels, the pixel electrodes P (1,1), P (1,
2) A transition nucleus is formed on the upper side of ... by using the inter-electrode proximity portion, and the transition nucleus is also vertically formed on the pixels in the first row. Therefore, even if one of the transition nuclei is not formed or does not operate normally, the bend alignment part starting from the other nuclei spreads over the entire surface of the pixel, and a foreign substance is present from one of the transition nuclei. Even if the bend alignment part of the above stops, the bend alignment part from the other transition nucleus spreads so as to cover the remaining part. Therefore, the pixels including the untransferred portion remain,
This does not cause display defects or display defects.
【００６０】また、表示エリアの１列目にある画素電極
Ｐ（１，１）、Ｐ（２，１）……の左側にもダミー電極
を設けて、ここにも転移核を形成できるようにしてい
る。第１の実施形態での説明と同様に、この転移核は直
接に画素部につながっていないので、その転移特性向上
効果は表示エリアの上側に形成したダミー電極に比べる
とやや劣るが、表示エリア左側の転移不良を防止する。Further, dummy electrodes are also provided on the left side of the pixel electrodes P (1,1), P (2,1) ... In the first column of the display area so that transition nuclei can be formed here as well. ing. Similar to the description in the first embodiment, since the transition nucleus is not directly connected to the pixel portion, the effect of improving the transition characteristic is slightly inferior to that of the dummy electrode formed on the upper side of the display area. Prevents poor transfer on the left side.
【００６１】なお、これらのダミー画素は表示エリアの
いずれの辺に形成しても単独で効果を奏すること、辺の
一部分にのみ形成してもよいこと、画素電極との間に近
接部を形成するものであれば必ずしも画素電極と同じ形
状でなくてもよいこと、そして、ダミー電極を画素電極
より小さくしておけば場合により額縁を小さくできるこ
とも第１の実施形態での説明と同様である。It should be noted that these dummy pixels may be formed independently on any side of the display area, may be formed independently, may be formed on only a part of the side, and a proximity portion may be formed between them and the pixel electrode. It is not necessary to have the same shape as the pixel electrode as long as it is possible, and if the dummy electrode is made smaller than the pixel electrode, the frame can be made smaller in some cases, as in the first embodiment. .
【００６２】画素間近接部の下に別の電極層を設けた構
成は、第１から第４の実施形態で説明した構成のいずれ
とも組み合わせることができる。このとき、図１０で例
示説明したように、周辺部にある近接部と表示エリア内
部にある近接部の下の双方に別の電極層を設けてもよい
し、次に示すように周辺部（額縁部）にあるダミー電極
の近接部にのみ別の電極層を設けてもよい。The structure in which another electrode layer is provided under the inter-pixel proximity portion can be combined with any of the structures described in the first to fourth embodiments. At this time, as illustrated in FIG. 10, another electrode layer may be provided both in the vicinity of the peripheral portion and under the proximity of the inside of the display area. Another electrode layer may be provided only in the vicinity of the dummy electrode in the frame portion).
【００６３】周辺部（額縁部）にある近接部にのみ別の
電極層を設けた例を図１２に示す。図７の構成の０行目
に電極４１を追加して、図１１に示す電気力線の形成を
可能にし、電界を集中させて、この部分の転移核形成を
容易にしている。これにより、転移時の画素電圧極性が
図１３のように行反転であった場合でも、０行目に転移
核形成できるようになる。FIG. 12 shows an example in which another electrode layer is provided only in the vicinity of the peripheral portion (frame portion). The electrode 41 is added to the 0th row of the configuration of FIG. 7 to enable the formation of the lines of electric force shown in FIG. 11 and concentrate the electric field to facilitate the formation of transition nuclei in this portion. As a result, even if the pixel voltage polarity at the time of transition is row inversion as shown in FIG. 13, it becomes possible to form transition nuclei on the 0th row.
【００６４】以上のように、本実施の形態５の液晶表示
装置においても、表示エリアの最外周の画素においても
転移核が不足することがなく、スプレイ配向からベンド
配向への転移が容易に行われる。この結果、表示エリア
外周部に未転移部分が残り、これが表示欠陥に結びつく
ことがない。As described above, also in the liquid crystal display device of the fifth embodiment, the transition nucleus is not insufficient even in the pixels at the outermost periphery of the display area, and the transition from the splay alignment to the bend alignment is easily performed. Be seen. As a result, an untransferred portion remains on the outer peripheral portion of the display area, which does not lead to a display defect.
【００６５】また、本実施の形態５の液晶表示装置で
は、表示エリア外周部の転移完了時間を画面中央部と同
等にするか、もしくは従来のものに比べて短い時間で完
了させることができるので、表示エリア全面で転移が完
了するまでの時間を短縮することができ、ユーザーの待
ち時間を短くできるという利点もある。Further, in the liquid crystal display device according to the fifth embodiment, the transfer completion time at the outer peripheral portion of the display area can be made equal to that at the central portion of the screen, or can be completed in a shorter time than the conventional one. Another advantage is that it is possible to shorten the time until the transfer is completed on the entire display area and the waiting time for the user.
【００６６】本実施の形態５固有の効果としては、個々
の画素電圧に対する制約が低く、様々な駆動回路やＴＦ
Ｔアレイの構成においても十分な転移特性が得られ、設
計の自由度が高いという利点がある。また、近接部に設
けた電極を不透明物質で形成しておけば、場合によって
はその遮光効果によりコントラストが向上するという利
点もある。As an effect peculiar to the fifth embodiment, there are low restrictions on individual pixel voltages, and various driving circuits and TFs are used.
Even in the configuration of the T array, there are advantages that sufficient transfer characteristics can be obtained and the degree of freedom in design is high. Further, if the electrode provided in the proximity portion is formed of an opaque material, there is an advantage that the contrast is improved in some cases due to the light shielding effect.
【００６７】（実施の形態６）図１４は実施の形態６の
液晶表示装置におけるアレイ基板上の画素電極構成を表
す平面図（ａ）と、Ａ−Ｂ線における断面図（ｂ）であ
る。図中の記号は実施の形態１での説明に用いた図１と
同じ構成要素を示すものであるので、重複部分の説明は
省略する。本実施の形態６の液晶表示装置は、周辺部の
ダミー電極に切り欠き部を設けた構成を持つ。(Sixth Embodiment) FIG. 14 is a plan view (a) showing a pixel electrode structure on an array substrate in a liquid crystal display device of a sixth embodiment and a cross-sectional view (b) taken along the line AB. The symbols in the drawings indicate the same constituent elements as those used in the description of the first embodiment, which are the same as those shown in FIG. The liquid crystal display device according to the sixth embodiment has a configuration in which a notch portion is provided in the dummy electrode in the peripheral portion.
【００６８】図１４において、ダミー電極１９の一部
が、そのパターニング時にエッチングにより除去されて
おり、スリット状の切り欠き部５１を形成している。そ
の下には、平坦化層２３とゲート絶縁膜２１を挟んで、
ダミー電極とは別の層からなる電極４１、あるいは蓄積
容量線２０が形成されている。上下に隣接するダミー電
極１９の相互間、画素電極１７の相互間、あるいは画素
電極１７とダミー電極１９の間には近接部が形成されて
いる。In FIG. 14, a part of the dummy electrode 19 is removed by etching at the time of patterning, and a slit-like cutout portion 51 is formed. Below that, sandwiching the planarizing layer 23 and the gate insulating film 21,
An electrode 41 formed of a layer different from the dummy electrode or the storage capacitance line 20 is formed. Proximity portions are formed between the vertically adjacent dummy electrodes 19, between the pixel electrodes 17, or between the pixel electrode 17 and the dummy electrode 19.
【００６９】本実施の形態６の液晶表示装置は、転移操
作時には第５の実施形態のものと同様に駆動される。即
ち、第１ステップでは、全ての画素電極と全てのダミー
電極の電位を０ボルト、対向電極の電位を０ボルトと
し、蓄積容量線２０および電極４１の電位はマイナス数
ボルトからマイナス３０ボルト程度にしておく。電極間
の近接部は、第５の実施形態と同様に電気力線が図１１
のような状態となり、ここが転移核として機能する。図
１５は図１４のＡ−Ｂ線の断面図における電気力線を模
式的に示したものである。このように、スリット状の切
り欠き部５１に歪んだ電界が集中して転移核を形成す
る。電極４１がない場合には、対向電極に電圧印加した
としても、この部分の電気力線は図１６のようなものと
なる。この場合、図１５に比べると電界の歪量が少な
く、転移性能は低いものである。従って、電極４１に
は、電界集中や電圧歪の増加により０行目のダミー画素
における転移性能を向上させるという効果がある。第２
ステップでは、画素電極と対向電極との間にマイナス数
ボルトからマイナス３０ボルト程度の電圧を印加して、
液晶層に縦方向の電界がかかるようにする。これにより
ベンド転移した部分を表示エリア全体に広げていく。第
１の実施形態と同様に、顕微鏡による観察では、電界集
中部で発生したベンド部が画素中央に向かって広がって
いくことが多い。この際の電圧のかけ方については、上
記の２つの操作を繰り返したり、この繰り返しにおいて
各部の電圧極性を逆にして交流としたりしてもよい。The liquid crystal display device of the sixth embodiment is driven in the same manner as that of the fifth embodiment during the transfer operation. That is, in the first step, the electric potentials of all the pixel electrodes and all the dummy electrodes are set to 0 volt, the electric potentials of the counter electrodes are set to 0 volt, and the electric potentials of the storage capacitance line 20 and the electrode 41 are set to about minus several volts to minus 30 volts. Keep it. In the proximity portion between the electrodes, the lines of electric force are the same as those in the fifth embodiment.
The state becomes like this, and this functions as a transition nucleus. FIG. 15 schematically shows lines of electric force in the cross-sectional view taken along the line AB of FIG. In this way, the distorted electric field concentrates in the slit-shaped notch 51 to form a transition nucleus. When the electrode 41 is not provided, the lines of electric force at this portion are as shown in FIG. 16, even if a voltage is applied to the counter electrode. In this case, the amount of electric field distortion is smaller than that in FIG. 15, and the transfer performance is low. Therefore, the electrode 41 has the effect of improving the transfer performance in the dummy pixels in the 0th row by increasing the electric field concentration and the voltage distortion. Second
In the step, a voltage of about minus several volts to minus 30 volts is applied between the pixel electrode and the counter electrode,
A vertical electric field is applied to the liquid crystal layer. As a result, the bend-transferred portion is spread over the entire display area. Similar to the first embodiment, in a microscope observation, the bend portion generated in the electric field concentration portion often spreads toward the center of the pixel. Regarding the method of applying the voltage at this time, the above two operations may be repeated, or the voltage polarities of the respective parts may be reversed to make alternating current in this repetition.
【００７０】本実施の形態６の液晶表示装置は、第３の
実施形態や第４の実施形態で説明したものと同様に、表
示エリアの外側にも新たに電極間近接部が形成されてい
る。これが転移核として動作するので、ここで生じたス
プレイ配向からベンド配向への転移を表示エリア内部に
伝播することができる。その結果、表示エリア外周部の
転移特性が高められる。第３の実施形態でも説明したよ
うに、表示エリアの外周部はシール材やセル厚むらの影
響で転移特性が低下する場合がある。本実施の形態６の
構成を用いて、表示エリア外周部での転移特性を表示エ
リア中央部より高めておけば、このような表示エリア外
周部での転移特性の低下を補うことができ、表示エリア
外周部に未転移部分が残って表示欠陥になったり、この
部分の転移に時間がかかって装置の立ち上げ時間が長く
なったりすることがない。In the liquid crystal display device according to the sixth embodiment, as in the third and fourth embodiments, a new interelectrode proximity portion is formed outside the display area. . Since this acts as a transition nucleus, the transition from the splay alignment to the bend alignment generated here can be propagated inside the display area. As a result, the transfer characteristic of the outer peripheral portion of the display area is enhanced. As described in the third embodiment, the transfer characteristic may be deteriorated in the outer peripheral portion of the display area due to the influence of the sealing material and the uneven cell thickness. By using the configuration of the sixth embodiment, if the transfer characteristic in the outer peripheral portion of the display area is made higher than that in the central portion of the display area, it is possible to compensate for such a decrease in the transfer characteristic in the outer peripheral portion of the display area. It does not occur that an untransferred portion remains on the outer peripheral portion of the area to cause a display defect, or that the transfer of this portion takes time and the startup time of the device becomes long.
【００７１】本実施の形態６の特長は、転移核の数を増
加しやすいことにある。即ち、隣接電極との間の近接部
で転移核を形成する場合には、隣接電極や配線との位置
関係による制約が多く、転移核を増やしにくいが、本実
施の形態６ではダミー電極の切り欠きで転移核を構成し
ているので、これらの位置関連を考えることなく転移核
を形成できる。特に、表示に直接関係のない周辺部にお
いては、図１４における電極４１を太くしても開口率低
下などの弊害がなく、切り欠きによる転移核を形成でき
る場所が多く存在する。The feature of the sixth embodiment is that the number of transition nuclei is easily increased. That is, when the transition nucleus is formed in the vicinity of the adjacent electrode, there are many restrictions due to the positional relationship with the adjacent electrode and the wiring, and it is difficult to increase the transition nucleus. Since the transition nucleus is composed of the lack, the transition nucleus can be formed without considering these positional relationships. In particular, in the peripheral portion that is not directly related to the display, even if the electrode 41 in FIG. 14 is thickened, there is no adverse effect such as a decrease in the aperture ratio, and there are many places where transition nuclei due to the notches can be formed.
【００７２】また、周辺部（額縁部）において、電極間
の近接部で転移核形成した場合、製造時のパターニング
不良などによりこの部分のパターンがショートすると、
隣接電極とのショートとなる。隣接電極が画素電極であ
る場合には、これが点欠陥として見えてしまう。また、
ダミー電極同士であっても、電圧書きこみ時にショート
した電極を介して隣接ソース線がショートする場合があ
る。本実施の形態６のように、電極の切り欠きで転移核
形成すれば、ここにパターンショートが生じても、上記
のような問題が発生することがない。Further, in the peripheral portion (frame portion), when the transition nuclei are formed in the proximity portion between the electrodes, if the pattern of this portion is short-circuited due to patterning failure during manufacturing,
This will cause a short circuit with the adjacent electrode. When the adjacent electrode is a pixel electrode, this appears as a point defect. Also,
Even between the dummy electrodes, the adjacent source line may be short-circuited via the short-circuited electrode when writing the voltage. If the transition nuclei are formed by the notches of the electrodes as in the sixth embodiment, the above problems will not occur even if a pattern short circuit occurs here.
【００７３】なお、切り欠き部の形状は、図１４の形状
と配置に限定されるものではなく、図１７に示すよう
に、（ａ）の長方形のスリットのほか、（ｂ）のような
屈曲型、（ｃ）のようなＶ字型のスリットでも構わな
い。特に、（ｂ）や（ｃ）においては方向の異なる電界
が近接して生じるので転移特性が向上することが多い。
また、場合によっては（ｄ）のように、電極の一辺から
切り込みを入れた形でもよい。さらに、これ以外の形状
のものでもよい。The shape of the cutout portion is not limited to the shape and arrangement shown in FIG. 14, and as shown in FIG. 17, in addition to the rectangular slit shown in FIG. The mold may be a V-shaped slit as shown in (c). In particular, in (b) and (c), electric fields with different directions are generated close to each other, so that the transfer characteristic is often improved.
Further, depending on the case, a shape in which a notch is formed from one side of the electrode may be used as in (d). Further, other shapes may be used.
【００７４】（実施の形態７）第１から第６の実施形態
においては、表示エリア内部の転移核は画素電極近接部
で形成されるものとしたが、これを画素電極の切り欠き
に代えても構わない。図１８に一例を示す。図１８にお
いて、周辺部の転移核は第６の実施形態と同様に画素電
極の切り欠き部で形成されている。第６の実施形態とは
異なり、表示エリア内部においては蓄積容量線２０と画
素電極１７が重なっている部分に、蓄積容量形成用電極
３０が形成されていない領域を設け、ここに画素電極の
切り欠き部５１を配置している。図１８では切り欠きは
長方形状のスリットであるが、これは図１７に例示した
ものをはじめとする別の形状でも構わない。(Embodiment 7) In the first to sixth embodiments, the transition nucleus inside the display area is formed at the pixel electrode proximity portion, but this is replaced with the notch of the pixel electrode. I don't mind. FIG. 18 shows an example. In FIG. 18, the transition nucleus in the peripheral portion is formed by the cutout portion of the pixel electrode as in the sixth embodiment. Unlike the sixth embodiment, a region where the storage capacitor forming electrode 30 is not formed is provided in a portion where the storage capacitor line 20 and the pixel electrode 17 overlap each other in the display area, and the pixel electrode cutting is performed here. The notch 51 is arranged. Although the notch is a rectangular slit in FIG. 18, this may be another shape such as the one illustrated in FIG.
【００７５】本実施の形態７の液晶表示装置において
も、表示エリア外周部の転移性能を向上させているの
で、表示エリア外周部に未転移部分が残って表示欠陥に
なったり、この部分の転移に時間がかかって装置の立ち
上げ時間が長くなったりすることがない。Also in the liquid crystal display device of the seventh embodiment, since the transfer performance of the outer peripheral portion of the display area is improved, an untransferred portion remains on the outer peripheral portion of the display area to cause a display defect or transfer of this portion. It does not take long time to start up the equipment.
【００７６】また、表示エリアにおいて電極間の近接部
で転移核形成した場合、製造時のパターニング不良など
によりこの部分のパターンがショートすると、隣接画素
のショートとなって、点欠陥として見えてしまう。本実
施の形態７のように、電極の切り欠きで転移核形成すれ
ば、ここにパターンショートが生じても、上記のような
点欠陥が発生することがない。Further, when a transition nucleus is formed in the vicinity of the electrodes in the display area, if the pattern in this portion is short-circuited due to a patterning defect during manufacturing or the like, adjacent pixels are short-circuited and appear as point defects. If the transition nuclei are formed in the notches of the electrodes as in the seventh embodiment, the above point defects do not occur even if a pattern short circuit occurs here.
【００７７】なお、周辺部の構成は画素電極の切り欠き
により転移核形成するものに限るわけではなく、表示エ
リアが画素電極の切り欠きで転移核形成し、周辺部は電
極間近接部で転移核形成しても構わない。The configuration of the peripheral portion is not limited to the one in which the transition nuclei are formed by the notches of the pixel electrodes, but the display area forms the transition nuclei by the notches of the pixel electrodes, and the peripheral portion is transferred at the interelectrode proximity portion. Nucleation may be performed.
【００７８】本発明の液晶表示装置において周辺部に転
移核形成する場合は、周辺部の転移核密度が表示エリア
の転移核密度より高くなるようにするのが望ましい。周
辺部は直接に表示を行うものではないので、転移核密度
を向上させるために種々のパターンを形成しても表示性
能に影響することなく表示エリア周辺での転移性能を向
上することができるからである。例えば、図５に示すよ
うにダミー電極間に新たな近接部を設けてもよいし、図
９のように画素電極より小さなダミー電極を２重配置し
て、その間に近接部を設けてもよい。電極の切り欠き部
で転移核形成する場合は、図１４や図１８、そして図１
９のように周辺部の切り欠き密度を高くしておけばよ
い。When the transition nuclei are formed in the peripheral portion in the liquid crystal display device of the present invention, it is desirable that the transition nucleus density in the peripheral portion is higher than that in the display area. Since the peripheral portion does not directly display, the transfer performance around the display area can be improved without affecting the display performance even if various patterns are formed in order to improve the density of the transfer nucleus. Is. For example, as shown in FIG. 5, a new proximity portion may be provided between the dummy electrodes, or as shown in FIG. 9, dummy electrodes smaller than the pixel electrodes may be arranged in double and the proximity portion may be provided therebetween. . When the transition nuclei are formed in the notch of the electrode, as shown in FIGS.
It is sufficient to increase the cutout density in the peripheral portion as shown in 9.
【００７９】以上の第１から第７の実施形態での説明で
は、ダミー電極はＴＦＴに接続されるものとしている
が、必ずしもＴＦＴに接続する必要はない。一例をあげ
て説明する。図１９は、図１４の０行目に相当する部分
を一つにまとめて、連続したダミー電極１９−ｂとした
ものである。図示しないが、ダミー電極１９−ｂには、
駆動回路から基板上のＴＦＴを介することなく電位が供
給されている。転移時の動作は第５あるいは第６の実施
形態での説明とほぼ同等である。この部分は表示を行わ
ないので画素構造をとる必要がなく、このように構成す
ることができる。０列目のダミー電極１９−ａはＴＦＴ
に接続されているが、これもまとめて連続した一つの電
極としてもよい。また、ダミー電極を構成する導電層は
画素電極と同じである必要もなく、場合によりゲート線
やソース線のレベルにある導電層を用いることもでき
る。In the above description of the first to seventh embodiments, the dummy electrode is supposed to be connected to the TFT, but it is not always necessary to connect it to the TFT. An example will be described. In FIG. 19, the portions corresponding to the 0th row in FIG. 14 are integrated into a continuous dummy electrode 19-b. Although not shown, the dummy electrode 19-b includes
The potential is supplied from the drive circuit without passing through the TFT on the substrate. The operation at the time of transition is almost the same as that described in the fifth or sixth embodiment. Since this portion does not perform display, it is not necessary to have a pixel structure, and thus this portion can be configured. The dummy electrode 19-a in the 0th column is a TFT
However, this may also be integrated into one continuous electrode. The conductive layer forming the dummy electrode does not have to be the same as the pixel electrode, and a conductive layer at the level of the gate line or the source line can be used in some cases.
【００８０】また、以上の実施形態においては、画素電
極とＴＦＴとが重ならない状態を図示して説明したが、
これは図面の複雑化を避けるためにそのようにしたもの
であり、実際には画素電極は開口率を大きくするために
ＴＦＴと重ねることが望ましい。Further, in the above embodiments, the state where the pixel electrode and the TFT do not overlap with each other has been illustrated and described.
This is done in order to avoid complication of the drawing, and in practice, it is desirable to overlap the pixel electrode with the TFT in order to increase the aperture ratio.
【００８１】その他、図示した例はあくまで本発明の概
念の理解を助けるためのものであり本発明はこれらに限
定されるものではない。例えば、スイッチング素子はア
モルファスシリコン半導体によるボトムゲート型ＴＦＴ
を用いたが、これに代えてポリシリコンによるトップゲ
ート型ＴＦＴを用いてもよい。また、平坦化層２３はカ
ラーフィルタ層と兼用してもよい。また、図１０（ｂ）
など、アレイ基板の断面図において、通常は平坦化層２
３とその下の層（ソース線と同じレベルの層である蓄積
容量形成用電極３０など）の間には保護絶縁層がさらに
存在するが、図面の複雑化を避けるため表示していな
い。In addition, the illustrated examples are only for helping understanding of the concept of the present invention, and the present invention is not limited to these. For example, the switching element is a bottom gate type TFT made of amorphous silicon semiconductor.
However, instead of this, a top gate type TFT made of polysilicon may be used. The flattening layer 23 may also serve as the color filter layer. In addition, FIG.
In the cross-sectional view of the array substrate such as
3 and a layer thereunder (such as the storage capacitor forming electrode 30 which is a layer at the same level as the source line) further has a protective insulating layer, but it is not shown in order to avoid complication of the drawing.
【００８２】[0082]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ベンド配
向方式の液晶表示装置において、表示エリアの周辺部に
ダミー電極を設けて、表示エリア最外周の画素電極とダ
ミー電極の間に電極近接部を設ける、あるいは、ダミー
電極相互の間に電極近接部を設ける、あるいは、ダミー
電極に切り欠きを設けることにより、表示エリアの外周
部における転移性能を向上させることができる。As described above, according to the present invention, in the bend alignment type liquid crystal display device, the dummy electrode is provided in the peripheral portion of the display area, and the dummy electrode is provided between the pixel electrode at the outermost periphery of the display area and the dummy electrode. By providing the proximity portion, providing the electrode proximity portion between the dummy electrodes, or providing the notch in the dummy electrode, the transfer performance in the outer peripheral portion of the display area can be improved.
【００８３】これにより、表示エリアの外周部に未転移
画素が残り、これが表示欠陥となって残ることがなくな
る。また、表示エリア外周部の転移時間が早まるため、
液晶表示装置の立ち上げ時間を短くすることができ、機
器ユーザーの待ち時間が短くなって利便性が向上すると
いう効果もある。As a result, untransferred pixels remain on the outer peripheral portion of the display area, and the pixels do not remain as display defects. Also, because the transition time of the outer peripheral part of the display area is accelerated,
There is also an effect that the startup time of the liquid crystal display device can be shortened, the waiting time of the device user is shortened, and the convenience is improved.
【図１】実施の形態１に係る液晶表示装置における画素
電極構成を表す平面図FIG. 1 is a plan view showing a pixel electrode configuration in a liquid crystal display device according to a first embodiment.
【図２】実施の形態１に係る液晶表示装置の主要部分を
示す平面図と側面図FIG. 2 is a plan view and a side view showing a main part of the liquid crystal display device according to the first embodiment.
【図３】実施の形態１に係る液晶表示装置の電気力線を
模式的に示す断面図FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing lines of electric force of the liquid crystal display device according to the first embodiment.
【図４】実施の形態１に係る液晶表示装置の電気力線を
模式的に示す断面図FIG. 4 is a sectional view schematically showing lines of electric force of the liquid crystal display device according to the first embodiment.
【図５】実施の形態２に係る液晶表示装置における画素
電極構成を表す平面図FIG. 5 is a plan view showing a pixel electrode configuration in the liquid crystal display device according to the second embodiment.
【図６】実施の形態２に係る液晶表示装置における画素
電極構成を表す平面図FIG. 6 is a plan view showing a pixel electrode configuration in the liquid crystal display device according to the second embodiment.
【図７】実施の形態３に係る液晶表示装置における画素
電極構成を表す平面図FIG. 7 is a plan view showing a pixel electrode configuration in a liquid crystal display device according to a third embodiment.
【図８】実施の形態３に係る液晶表示装置における画素
電極電位極性を表す平面図FIG. 8 is a plan view showing a pixel electrode potential polarity in the liquid crystal display device according to the third embodiment.
【図９】実施の形態４に係る液晶表示装置における画素
電極構成を表す平面図FIG. 9 is a plan view showing a pixel electrode configuration in a liquid crystal display device according to a fourth embodiment.
【図１０】実施の形態５に係る液晶表示装置における画
素電極構成を表す平面図と断面図10A and 10B are a plan view and a cross-sectional view showing a pixel electrode structure in a liquid crystal display device according to a fifth embodiment.
【図１１】実施の形態５に係る液晶表示装置の電気力線
を模式的に示す断面図FIG. 11 is a sectional view schematically showing lines of electric force of a liquid crystal display device according to a fifth embodiment.
【図１２】実施の形態５に係る液晶表示装置における画
素電極構成を表す平面図FIG. 12 is a plan view showing a pixel electrode configuration in a liquid crystal display device according to a fifth embodiment.
【図１３】実施の形態５に係る液晶表示装置における画
素電極電位極性を表す平面図FIG. 13 is a plan view showing a pixel electrode potential polarity in the liquid crystal display device according to the fifth embodiment.
【図１４】実施の形態６に係る液晶表示装置における画
素電極構成を表す平面図と断面図14A and 14B are a plan view and a cross-sectional view showing a pixel electrode structure in a liquid crystal display device according to a sixth embodiment.
【図１５】実施の形態６に係る液晶表示装置の電気力線
を模式的に示す断面図FIG. 15 is a sectional view schematically showing lines of electric force of the liquid crystal display device according to the sixth embodiment.
【図１６】実施の形態６に係る液晶表示装置の電気力線
を模式的に示す断面図FIG. 16 is a sectional view schematically showing lines of electric force of a liquid crystal display device according to a sixth embodiment.
【図１７】実施の形態６に係り、切り欠き形状の例を説
明するための平面図FIG. 17 is a plan view for explaining an example of a cutout shape according to the sixth embodiment.
【図１８】実施の形態７に係る液晶表示装置の電気力線
を模式的に示す断面図FIG. 18 is a sectional view schematically showing lines of electric force of the liquid crystal display device according to the seventh embodiment.
【図１９】ダミー電極の別の構成を説明するための液晶
表示装置の画素電極構成を表す平面図FIG. 19 is a plan view showing a pixel electrode structure of a liquid crystal display device for explaining another structure of a dummy electrode.
【図２０】液晶層の配向状態を説明する断面図FIG. 20 is a cross-sectional view illustrating an alignment state of a liquid crystal layer.
【図２１】従来の液晶表示パネルにおける画素電極構成
を表す平面図、断面図と等価回路図FIG. 21 is a plan view, a sectional view, and an equivalent circuit diagram showing a pixel electrode configuration in a conventional liquid crystal display panel.
【符号の説明】 １０，１１ 基板 １２ 液晶層 １３ 液晶分子 １４ ゲート線 １４ａ ゲート電極 １５ ソース線 １５ａ ソース電極 １６ スイッチング素子（ＴＦＴ） １７ 画素電極 １８，３２ コンタクトホール １９ ダミー電極 １９ａ ドレイン電極 ２０ 蓄積容量線 ２１ ゲート絶縁膜 ２２ 半導体層 ２３ 平坦化層 ３０ 蓄積容量形成用電極 ３１ 対向電極 ４１ 電極 ５１ 切り欠き部 １０１ 表示エリア １０２ 周辺部（額縁部） １０３，１０４ 基板 １０５ 走査側駆動回路 １０６ 信号側駆動回路 １０７，１０８ 接続部[Explanation of symbols] 10,11 substrate 12 Liquid crystal layer 13 Liquid crystal molecules 14 gate lines 14a gate electrode 15 Source line 15a source electrode 16 Switching element (TFT) 17 pixel electrodes 18,32 contact holes 19 Dummy electrode 19a drain electrode 20 storage capacity line 21 Gate insulating film 22 Semiconductor layer 23 Flattening layer 30 Storage capacitor forming electrode 31 Counter electrode 41 electrodes 51 Notch 101 display area 102 Peripheral part (frame part) 103, 104 substrate 105 Scanning side drive circuit 106 Signal side drive circuit 107, 108 connection
Claims (16)
うち、一方の基板の対向面側に、走査信号が供給される
複数のゲート線及び画素信号が供給される複数のソース
線、前記ゲート線とソース線の各交差点に対応して設け
られたスイッチング素子、前記スイッチング素子に接続
された画素電極、他方の基板上に形成された対向電極
と、を少なくとも備えた液晶表示装置であって、前記液
晶表示装置は、表示エリアの最外周にある画素電極の外
側にダミー電極が形成されており、前記最外周にある画
素電極と前記ダミー電極の間に電極間近接部が形成され
たことを特徴とするＯＣＢモードで動作する液晶表示装
置。1. A plurality of gate lines to which a scanning signal is supplied and a plurality of source lines to which a pixel signal is supplied, on the facing surface side of one of the two substrates facing each other with a liquid crystal layer interposed therebetween. A liquid crystal display device including at least a switching element provided corresponding to each intersection of the gate line and the source line, a pixel electrode connected to the switching element, and a counter electrode formed on the other substrate. In the liquid crystal display device, a dummy electrode is formed outside the pixel electrode on the outermost periphery of the display area, and an inter-electrode proximity portion is formed between the pixel electrode on the outermost periphery and the dummy electrode. A liquid crystal display device operating in an OCB mode characterized by the above.
いる請求項１記載の液晶表示装置。2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein an inter-electrode proximity portion is formed between the pixel electrodes.
の外側に形成されたダミー電極の間に、画素電極間の近
接部とは形状あるいは方向が異なった電極間近接部が形
成されている請求項２記載の液晶表示装置。3. An interelectrode proximity portion having a shape or a direction different from that of the proximity portion between the pixel electrodes is formed between the pixel electrode at the outermost periphery of the display area and the dummy electrode formed outside thereof. The liquid crystal display device according to claim 2.
形成されている請求項１から３のいずれか１項に記載の
液晶表示装置。4. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein an inter-electrode proximity portion is formed between the dummy electrodes.
近接部が、画素電極間の近接部とは形状あるいは方向が
異なっている請求項４記載の液晶表示装置。5. The liquid crystal display device according to claim 4, wherein the inter-electrode proximity portion formed between the dummy electrodes has a different shape or direction from the proximity portion between the pixel electrodes.
極が形成されており、異なる行あるいは列のダミー電極
間に近接部が形成されている請求項４または５記載の液
晶表示装置。6. The liquid crystal display device according to claim 4, wherein two or more rows or two or more columns of dummy electrodes are formed, and adjacent portions are formed between the dummy electrodes of different rows or columns.
電極とは異なる層にある電極が形成されている請求項１
から６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。7. The electrode in a layer different from the electrode is formed on at least a part of the inter-electrode proximity portion.
7. The liquid crystal display device according to any one of items 1 to 6.
請求項１記載の液晶表示装置。8. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a notch portion is formed in the pixel electrode.
形成されている請求項８記載の液晶表示装置。9. The liquid crystal display device according to claim 8, wherein interelectrode proximity portions are formed between the dummy electrodes.
電極が形成されており、異なる行あるいは列のダミー電
極間に近接部が形成されている請求項７から９のいずれ
か１項に記載の液晶表示装置。10. The dummy electrode in two or more rows or in two or more columns is formed, and the proximity portion is formed between the dummy electrodes in different rows or columns. Liquid crystal display device.
なくとも一方の、少なくとも一部に、前記電極とは異な
る層にある電極が形成されている請求項８から１０のい
ずれか１項に記載の液晶表示装置。11. The electrode according to claim 8, wherein an electrode in a layer different from the electrode is formed on at least a part of at least one of the interelectrode proximity portion and the electrode cutout portion. The described liquid crystal display device.
のうち、一方の基板の対向面側に、走査信号が供給され
る複数のゲート線及び画素信号が供給される複数のソー
ス線、前記ゲート線とソース線の各交差点に対応して設
けられたスイッチング素子、前記スイッチング素子に接
続された画素電極、他方の基板上に形成された対向電極
と、を少なくとも備えた液晶表示装置であって、前記液
晶表示装置は、表示エリアの最外周にある画素電極の外
側にダミー電極が形成されており、前記ダミー電極に切
り欠き部が形成されたことを特徴とするＯＣＢモードで
動作する液晶表示装置。12. A plurality of gate lines to which a scanning signal is supplied and a plurality of source lines to which a pixel signal is supplied to the facing surface side of one of the two substrates facing each other with a liquid crystal layer interposed therebetween. A liquid crystal display device including at least a switching element provided corresponding to each intersection of the gate line and the source line, a pixel electrode connected to the switching element, and a counter electrode formed on the other substrate. The liquid crystal display device operates in the OCB mode, in which the dummy electrode is formed outside the pixel electrode at the outermost periphery of the display area, and the notch is formed in the dummy electrode. Liquid crystal display device.
ている請求項１２記載の液晶表示装置。13. The liquid crystal display device according to claim 12, wherein an inter-electrode proximity portion is formed between the pixel electrodes.
なくとも一方の、少なくとも一部に、前記電極とは異な
る層にある電極が形成されている請求項１３記載の液晶
表示装置。14. The liquid crystal display device according to claim 13, wherein an electrode in a layer different from the electrode is formed on at least a part of at least one of the interelectrode proximity portion and the electrode cutout portion.
る請求項１２記載の液晶表示装置。15. The liquid crystal display device according to claim 12, wherein a notch is formed in the pixel electrode.
切り欠き部の、少なくとも一方の、少なくとも一部に、
前記電極とは異なる層にある電極が形成されている請求
項１５記載の液晶表示装置。16. At least a part of at least one of the cutout portion of the dummy electrode and the cutout portion of the pixel electrode,
The liquid crystal display device according to claim 15, wherein an electrode in a layer different from the electrode is formed.
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