JP2003282485A - Apparatus and method for processing semiconductor wafer - Google Patents

Apparatus and method for processing semiconductor wafer

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JP2003282485A
JP2003282485A JP2002085978A JP2002085978A JP2003282485A JP 2003282485 A JP2003282485 A JP 2003282485A JP 2002085978 A JP2002085978 A JP 2002085978A JP 2002085978 A JP2002085978 A JP 2002085978A JP 2003282485 A JP2003282485 A JP 2003282485A
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充史 工藤
Yuji Yamamoto
勇二 山本
Masanori Shinozaki
雅則 篠崎
Kenji Ikeda
健志 池田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve operating efficiency without having to apply excessive force to a wafer nor flawing the wafer by carrying out both scribing and breaking in a semiconductor processing apparatus. <P>SOLUTION: The semiconductor wafer processing apparatus 10 is equipped with an X table 13 which moves in an X direction, a Y table 12 which moves in a Y direction, a θ table 14 which is rotated on a straight line perpendicular to both the X and Y directions, a sheet-sticking base 18 which moves as the tables 12 to 14 move and where a wafer W2 is set, a scribe unit 30 which flaws the semiconductor wafer, and a break unit which breaks the wafer in the Y direction after the wafer is scribed by the scribe unit 30. The scribe unit 30 and break unit 50 are provided side by side having their operation points for the wafer in one perpendicular plane in the Y direction. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、特
に化合物半導体ウエハに好適な半導体ウエハ加工装置及
び半導体ウエハの加工方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer processing apparatus and a semiconductor wafer processing method suitable for a semiconductor wafer, particularly a compound semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子の製造における必須の工程と
して、半導体ウエハをチップ状に切断する工程がある。
この切断工程は、まず半導体ウエハの表面を傷つけ(ス
クライブ)、次いでへき開面に沿って割る(ブレーク)
ことでチップに分けていくもので、従来では、スクライ
ビングとブレーキングをそれぞれ別々の装置で行ってい
たが、近年、両方の作業を1台で行なう装置が開発され
るようになった。
2. Description of the Related Art An essential step in manufacturing a semiconductor device is a step of cutting a semiconductor wafer into chips.
In this cutting process, the surface of the semiconductor wafer is first scratched (scribed) and then broken along the cleavage plane (break).
In the past, scribing and braking were performed by separate devices in the past, but in recent years, a device that performs both operations by one unit has been developed.

【0003】このような装置の例として、特表平9−5
10927号公報に記載されている装置が挙げられる。
この装置はウエハWをX方向及びY方向に直進移動可能
であって、かつ、θ方向に回転移動可能に構成されてい
る。この装置でウエハを切断する場合、スクライビング
ステーションにおいてダイヤモンドが先端に付されたス
クライビングツールで、図10(a)に示すように、ウ
エハWのへき開方向に沿って表面に網目状に傷を付け
る。次いで、ブレーキングステーションにウエハWを移
送し、図10(b)に示すように、ウエハWの下方か
ら、シート4を介して、先端が鋭く形成されたインパル
スバー1を上昇させ、ウエハWの上方からアンビル2を
下降して、両者でウエハWを挟み込むようにして衝撃を
与える。衝撃が加わると、傷に応力が集中し、傷に沿っ
てへき開する。この場合、Y方向に移動しながらX方向
に沿ってバー状に順に分割していき、次いで、ウエハW
を回転させ、X方向に移動しながらY方向に沿ってへき
開していき、小さなチップに分割する。
As an example of such a device, Japanese Patent Laid-Open No. 9-5
The device described in Japanese Patent No. 10927 is mentioned.
This apparatus is configured to be able to move the wafer W linearly in the X direction and the Y direction, and to be rotationally movable in the θ direction. When a wafer is cut by this device, a scribing tool having diamond at its tip at a scribing station scratches the surface of the wafer W in a mesh shape along the cleavage direction as shown in FIG. Next, the wafer W is transferred to the braking station, and as shown in FIG. 10B, the impulse bar 1 having a sharp tip is lifted from below the wafer W through the sheet 4 to lift the wafer W. The anvil 2 is lowered from the upper side, and the wafer W is sandwiched by both to give an impact. When a shock is applied, stress concentrates on the scratch and cleaves along the scratch. In this case, the wafer W is divided into bars along the X direction while moving in the Y direction.
Is rotated, cleaves along the Y direction while moving in the X direction, and is divided into small chips.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、前述の分割
方法は、シリコンウエハのような硬度のある材質で、へ
き開面の機能を必要としないウエハについては有用であ
る。しかし、同じ方法を、シリコンウエハよりも柔らか
いガリウム・ヒ素(GaAs)やインジウム・リン(I
nP)などからなる化合物半導体ウエハに対して適用と
しようとすると以下のような問題がある。
By the way, the above-mentioned dividing method is useful for a wafer such as a silicon wafer which has a hardness and does not require the function of the cleavage plane. However, the same method can be applied to gallium arsenide (GaAs) and indium phosphide (I), which are softer than silicon wafers.
When it is applied to a compound semiconductor wafer made of nP) or the like, there are the following problems.

【0005】半導体レーザなどに多用される化合物半導
体では、チップに切断したときの切断面であるへき開面
がレーザ光を反射及び透過させる面として重要で、その
ためにチップ製造の工程がシリコンウエハとは異なって
くる。つまり、図11(a)に示すように、ウエハを細
長いバーB、B…に分割し(一次へき開)、その後、そ
れらのバーB、B…を、図11(b)に示すように、段
積み箱3の中でスペーサS、S…と交互に積み重ねる
(段積み工程)。そして、段積み箱3ごとルツボなどに
入れ、へき開面に所定の波長の光を反射あるいは透過さ
せるコーティングを形成する。そして、このコーティン
グ後、各バーBをチップ状にへき開(二次へき開)して
チップを得る。
In compound semiconductors often used for semiconductor lasers and the like, the cleavage plane, which is the cut surface when cut into chips, is important as a surface for reflecting and transmitting laser light. Therefore, the chip manufacturing process is not a silicon wafer. Will be different. That is, as shown in FIG. 11 (a), the wafer is divided into elongated bars B, B ... (Primary cleaving), and then these bars B, B ... Are stepped as shown in FIG. 11 (b). The spacers S, S ... Are alternately stacked in the stacking box 3 (stacking step). Then, the stacking box 3 is placed in a crucible or the like, and a coating for reflecting or transmitting light of a predetermined wavelength is formed on the cleavage surface. After this coating, each bar B is cleaved into chips (secondary cleaving) to obtain chips.

【0006】「一次へき開→段積み→コーティング→二
次へき開」という一連の工程を前述の公報の装置で実施
する場合、まずY方向だけスクライブ・ブレーキングを
行いバーを作製する。ただし、化合物半導体の活性層は
ウエハ表面近傍に形成され、ウエハ表面全体をスクライ
ブで傷つけることはできないので、図10(c)に示す
ように、ウエハW2の端にX方向に沿って溝h、h…を
付けていく。次に、図10(b)同様にインパルスバー
1とアンビル2とにより各溝h部分に応力を集中させて
ウエハに亀裂をY方向に走らせ、へき開する。この様子
を図10(d)に拡大して示した。インパルスバー1が
シート4を押しこむとアンビル2から反力N1、N2が
発生する。曲げモーメントによりウエハW2は、破壊点
まで撓もうと上面が伸び下面は縮もうとする。しかし、
上面はアンビル2の反力を起因とする摩擦力などに拘束
されているので、インパルスバー1にはこのような拘束
力に打ち勝つ押圧力FFが要求される。押圧力FFが大
きくなるほど、反力N1、N2も増し、表面に対する圧
力が大きくなったり、摩擦力による表面方向のずれ力が
大きくなることにより、柔らかいウエハW2の表面近
傍、例えば表面から数十オングストローム程度の深さに
形成されている量子井戸構造を破壊してしまう可能性が
あった。
When carrying out the series of steps of "primary cleavage → stacking → coating → secondary cleavage" with the apparatus of the above-mentioned publication, first, scribing / braking is performed only in the Y direction to produce a bar. However, since the active layer of the compound semiconductor is formed in the vicinity of the surface of the wafer and the entire surface of the wafer cannot be scribed and scratched, as shown in FIG. Add h ... Next, similarly to FIG. 10B, stress is concentrated on each groove h portion by the impulse bar 1 and the anvil 2 to cause a crack in the wafer to run in the Y direction and cleave. This state is enlarged and shown in FIG. When the impulse bar 1 pushes in the seat 4, reaction forces N1 and N2 are generated from the anvil 2. The bending moment causes the upper surface of the wafer W2 to expand and the lower surface of the wafer W2 to contract to the breaking point. But,
Since the upper surface is constrained by the frictional force or the like caused by the reaction force of the anvil 2, the impulse bar 1 is required to have a pressing force FF that overcomes such constraining force. As the pressing force FF increases, the reaction forces N1 and N2 also increase, the pressure on the surface increases, and the displacement force in the surface direction due to the frictional force increases, so that the vicinity of the surface of the soft wafer W2, for example, several tens of angstroms from the surface. There is a possibility of destroying the quantum well structure formed to a certain depth.

【0007】また、前記装置では、シート4は円形枠に
張られているため、強い押圧力FFを与えても、その力
がシート4面上において360度にわたって半径方向に
分散しへき開に有効な力成分が削減されてしまう。さら
に、その力の分散によりシート4が切断方向とは全く異
なる方向に伸び縮みし、すでにへき開したバー同士が、
例えばポイントm1においてぶつかり合い、化合物半導
体にとって重要なへき開面の上部を傷つけ、不良にして
しまう可能性もあった。さらに、一次へき開した後、コ
ーティングのために段積みする工程で、シート4から手
作業で一つずつ取り外し、段積みする工程は、作業効率
が悪かった。また、各バーは幅150〜300μm程度
の極細の脆い素材であることから、バー同士を接触させ
たり等により傷つき不良を発生させてしまう恐れもあっ
た。
Further, in the above-mentioned apparatus, since the sheet 4 is stretched in a circular frame, even if a strong pressing force FF is applied, the force is dispersed in the radial direction over 360 degrees on the surface of the sheet 4 and is effective for cleavage. The force component is reduced. Furthermore, due to the dispersion of the force, the sheet 4 expands and contracts in a direction completely different from the cutting direction, and the already cleaved bars are
For example, there is a possibility that they may collide with each other at the point m1 and damage the upper part of the cleavage plane, which is important for the compound semiconductor, and make it defective. Further, in the step of stacking for coating after the primary cleaving, the step of manually removing the sheets 4 one by one and stacking them was inefficient. Further, since each bar is an extremely fine and brittle material having a width of about 150 to 300 μm, there is a fear that the bar may come into contact with each other and cause a scratch defect.

【0008】本発明の課題は、半導体ウエハ加工装置及
び半導体ウエハ加工方法において、スクライブ及びブレ
ークの両工程を行い、特に化合物半導体ウエハに好適で
あって、ウエハの表面やへき開面に対してなるべく力を
加えたり傷つけることなく、作業効率の向上を図ること
にある。
An object of the present invention is to perform both scribing and breaking steps in a semiconductor wafer processing apparatus and a semiconductor wafer processing method, and is particularly suitable for a compound semiconductor wafer and exerts as much force as possible on the surface or cleaved surface of the wafer. It is intended to improve work efficiency without adding or damaging.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
め、請求項1に記載の発明は、例えば図1〜図5に示す
ように、ベース(11)上に、第1の方向(X方向また
はY方向)に往復移動する第1のテーブル(Yテーブル
12)と、前記第1の方向に直交する第2の方向(Y方
向またはX方向)に往復移動する第2のテーブル(Xテ
ーブル13)と、前記第1の方向と前記第2の方向の両
方に直交する直線を中心に回転運動する第3のテーブル
(θテーブル14)と、第1のテーブルと第2のテーブ
ルと第3のテーブルそれぞれの移動に伴って移動し、半
導体ウエハ(W2)をセットするためのウエハセット部
(シート張り台18)と、ウエハセット部にセットされ
た半導体ウエハの表面に、傷を付けるスクライブ手段
(スクライブユニット30)と、スクライブ手段によっ
て形成された半導体ウエハの傷部分に力を加えて、第1
の方向または第2の方向のいずれかである所定の方向に
沿って割るブレーク手段(ブレークユニット50)とを
備え、第1のテーブルと第2のテーブルと第3のテーブ
ルは水平面にほぼ平行するように重ねて設けられている
半導体ウエハ加工装置(10)であって、スクライブ手
段とブレーク手段は、半導体ウエハに対するそれぞれの
作用点が前記所定の方向を通る鉛直面内にあるように、
並んで設けられていることを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems, the invention described in claim 1 is, for example, as shown in FIGS. 1 to 5, on the base (11), the first direction (X Table (Y table 12) that reciprocates in the Y direction or Y direction) and a second table (X table) that reciprocates in the second direction (Y direction or X direction) orthogonal to the first direction. 13), a third table (θ table 14) that rotates about a straight line orthogonal to both the first direction and the second direction, the first table, the second table, and the third table. And a scribing means for moving the table to set a semiconductor wafer (W2) and for scratching the surface of the semiconductor wafer set in the wafer setting part (sheet upright table 18). (Scribe Unit 30), applies a force to the wound portion of the semiconductor wafer formed by the scribing means, first
Of the first table, the second table and the third table, each of which is substantially parallel to a horizontal plane. In the semiconductor wafer processing apparatus (10) provided in such a manner as to overlap with each other, the scribe means and the break means are arranged such that respective points of action on the semiconductor wafer are within a vertical plane passing through the predetermined direction.
It is characterized in that they are provided side by side.

【0010】請求項1に記載の発明によれば、第1〜第
3のテーブルでウエハセット部上の半導体ウエハを移動
しながら、スクライブ手段とブレーク手段によりウエハ
を第1の方向または第2の方向のいずれかである所定の
方向に沿って割ることができる。また、スクライブ手段
とブレーク手段は、それぞれの半導体ウエハに対する作
用点が前記所定の方向を通る1つの鉛直面内にあるよう
に、並んで設けられていることから、スクライブで1つ
の傷を付けた後すぐにブレーク加工する、いわゆるワン
バイワン(One by One)方式の工程が容易に可能とな
る。スクライブ工程後、スクライブ手段からブレーク手
段への移動が必要である場合でも、前記所定方向に一直
線に移動させるだけでよいので、時間的な効率が高い
し、さらに位置の精度が高く、スクライブによる傷に対
してずれることなくブレークさせることができるので所
望のライン以外の箇所に傷が付いてしまうことは少な
く、前述のように表面の傷に弱い化合物半導体ウエハに
好適である。
According to the first aspect of the invention, while moving the semiconductor wafer on the wafer setting section on the first to third tables, the scribe means and the break means move the wafer in the first direction or the second direction. It is possible to split along a given direction, which is either of the directions. Further, since the scribing means and the break means are arranged side by side so that the point of action for each semiconductor wafer is within one vertical plane passing through the predetermined direction, one scratch is made by scribing. The so-called one-by-one process, in which break processing is performed immediately afterwards, is easily possible. Even if it is necessary to move from the scribing means to the break means after the scribing step, since it is only necessary to move the scribing means in a straight line in the predetermined direction, the time efficiency is high, the position accuracy is high, and the scratches due to the scribing are high. Since it is possible to make a break without shifting, it is less likely to scratch a portion other than a desired line, and is suitable for a compound semiconductor wafer which is vulnerable to surface scratches as described above.

【0011】前述の公報で開示されていた従来の装置で
も、スクライブ後ブレーク加工するように動作させるこ
とは可能である。しかし、この従来の装置では、網目状
にスクライブした後ブレークすることを前提としてるの
でより複雑に構成されており、スクライブ手段とブレー
ク手段がウエハに作用する点を一直線上に配置するよう
に配慮された構成ではない。よって、スクライブ後ブレ
ーク手段にウエハを移動させる場合には、X方向・Y方
向の2方向の動きが必要になったり、一方向の動きだけ
で済むように制御したり、本発明より複雑な動作あるい
は制御が必要になる。加えて、そのような複雑な動作や
制御を前提とするということは、スクライブの傷と完全
に一致したラインでブレークできずにウエハに形成する
傷が広がる可能性もあり、化合物半導体ウエハには適切
ではない。また、ラインがずれればブレークしにくくそ
の点でも不良となる可能性もある。
Even the conventional apparatus disclosed in the above publication can be operated so as to perform break processing after scribing. However, this conventional apparatus has a more complicated structure because it is premised that a break occurs after scribing in a mesh shape, and the points where the scribe means and the break means act on the wafer are arranged in a straight line. It is not a configured configuration. Therefore, when the wafer is moved to the break means after scribing, movement in two directions of the X direction and the Y direction is required, or control is performed so that movement in only one direction is required, and a more complicated operation than that of the present invention. Or control is needed. In addition, the premise of such complicated operations and controls may lead to the spread of scratches formed on the wafer without being able to break on a line that perfectly matches the scratches of the scribe, and compound semiconductor wafers Not appropriate. Further, if the lines are misaligned, it is difficult to break and there is a possibility that a defect may occur.

【0012】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の半導体ウエハ加工装置において、半導体ウエハは、半
導体ウエハのへき開方向と、前記所定の方向が一致する
ようにセットされることを特徴とする。請求項2に記載
の発明によれば、半導体ウエハのへき開方向とブレーク
する方向を合わせてセットするので、ウエハを確実に所
望の方向に割ることができる。
According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor wafer processing apparatus according to the first aspect, the semiconductor wafer is set so that the cleavage direction of the semiconductor wafer and the predetermined direction coincide with each other. And According to the second aspect of the invention, since the cleavage direction and the breaking direction of the semiconductor wafer are set in alignment with each other, the wafer can be reliably broken in the desired direction.

【0013】請求項3に記載の発明は、請求項1または
2に記載の半導体ウエハ加工装置において、半導体ウエ
ハは、第1の方向または第2の方向のいずれかに平行
し、かつ、前記所定の方向とは直交する方向に張力がか
かるようにウエハセット部に対して張られているシート
上に、実質的に固定されていることを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the semiconductor wafer processing apparatus according to the first or second aspect, the semiconductor wafer is parallel to either the first direction or the second direction, and the predetermined distance is set. It is characterized in that it is substantially fixed on the sheet stretched with respect to the wafer set portion so that tension is applied in a direction orthogonal to the direction.

【0014】請求項3に記載の発明によれば、半導体ウ
エハを固定するシートは、第1の方向または第2の方向
のいずれかに平行し、かつ、前記所定の方向とは直交す
る方向に張力がかかるようにウエハセット部に対して張
られていることから、ブレーク時にウエハに力が加えら
れたときに、円形枠にシートが張られている従来の装置
のように力がシート面上で様々な方向に分散してしまう
ことはなく、ブレーク手段からの力を十分にウエハに伝
達することができる。また、予想しない方向にシートが
伸び縮みすることはなく、シートの伸び縮みによるバー
への力学的な影響を十分予想できるようになるので、ブ
レーク後のバー同士がぶつかり合うを防ぐ手立てを講じ
やすい。ここで、「実質的に固定」とは、ウエハがシート
に対して動かないようになっていればよく、粘着性や接
着性を有するシートを用いてもよいし、シートにウエハ
を係止するような構造を設けてもよい。
According to the third aspect of the present invention, the sheet for fixing the semiconductor wafer is parallel to either the first direction or the second direction and is orthogonal to the predetermined direction. Since the tension is applied to the wafer setting part so that tension is applied, when a force is applied to the wafer at the time of break, the force is applied on the sheet surface like the conventional device in which the sheet is stretched in the circular frame. Therefore, the force from the break means can be sufficiently transmitted to the wafer without being dispersed in various directions. In addition, the seat does not expand or contract in an unexpected direction, and it is possible to fully predict the mechanical influence of the expansion and contraction of the bar on the bar, so it is easy to take measures to prevent the bars from colliding with each other after the break. . Here, "substantially fixed" means that the wafer does not move with respect to the sheet, a sheet having adhesiveness or adhesiveness may be used, or the wafer is locked to the sheet. Such a structure may be provided.

【0015】請求項3に記載の半導体ウエハ加工装置に
おいて、スクライブ手段は、請求項4に記載の発明のよ
うに、半導体ウエハの表面に接触して傷を付けるスクラ
イバ(41)と、スクライバによって半導体ウエハの表
面に傷を付ける際にシートを介して半導体ウエハを支持
するスクライブ受け台(34)とを備えることが好まし
い。
According to a third aspect of the present invention, in the semiconductor wafer processing apparatus, the scribe means has a scriber (41) for contacting and scratching the surface of the semiconductor wafer as in the fourth aspect of the invention, and a semiconductor by the scriber. It is preferable to provide a scribe cradle (34) for supporting the semiconductor wafer via the sheet when the surface of the wafer is scratched.

【0016】請求項4に記載の半導体ウエハ加工装置に
おいて、スクライブ手段は具体的には請求項5のように
構成すればよい。すなわち、請求項5に記載の発明は、
スクライブ手段は、スクライバを保持し角度調節可能な
ホルダが取り付けられ、鉛直面内において回転可能であ
る回転腕(31)と、回転腕を、スクライバが上から下
に向かって移動するように付勢するバネ部材(引張りバ
ネ37)と、バネ部材の付勢力に抗して回転腕の回転を
規制するストッパをロッドの先端に有するエアシリンダ
(36)とを備え、エアシリンダのロッドの出没による
ストッパの移動方向に応じて、スクライバが半導体ウエ
ハに対して接離するように回転腕が回転することを特徴
とする。
In the semiconductor wafer processing apparatus according to the fourth aspect, the scribe means may be specifically configured as in the fifth aspect. That is, the invention according to claim 5 is
The scribing means is provided with a holder for holding the scriber and having an adjustable angle, and urges the rotating arm (31) and the rotating arm so that the scriber moves downward from above. Spring member (tensile spring 37) and an air cylinder (36) having a stopper at the tip of the rod for restricting the rotation of the rotary arm against the urging force of the spring member. The rotating arm rotates so that the scriber comes into contact with and separates from the semiconductor wafer according to the moving direction of the.

【0017】請求項6に記載の発明は、請求項5に記載
の半導体ウエハ加工装置において、ロッドの出没速度を
変えることで、スクライバが半導体ウエハの表面に接触
するときに与える衝撃力を変更することを特徴とする。
請求項6に記載の発明によれば、エアシリンダの出没速
度を変えるという簡単な方法で、ウエハの種類などに応
じてスクライブ時の衝撃力を制御できる。
According to a sixth aspect of the present invention, in the semiconductor wafer processing apparatus according to the fifth aspect, the impact force applied when the scriber comes into contact with the surface of the semiconductor wafer is changed by changing the retracting speed of the rod. It is characterized by
According to the invention described in claim 6, the impact force at the time of scribing can be controlled according to the type of the wafer, etc., by a simple method of changing the emergence speed of the air cylinder.

【0018】請求項7に記載の発明は、請求項4に記載
の半導体ウエハ加工装置において、スクライバは、円弧
に沿って移動しながら半導体ウエハの表面に断面円弧状
の傷を付けることを特徴とする。請求項7に記載の発明
によれば、ウエハに最初に突き入るときの衝撃を小さく
することができ、これにより好ましくない亀裂の発生を
防ぐとともに、衝撃が小さくとも徐々に深くなるので確
実にウエハに傷を付けることができる。
According to a seventh aspect of the present invention, in the semiconductor wafer processing apparatus according to the fourth aspect, the scriber moves along an arc and scratches the surface of the semiconductor wafer in an arc cross section. To do. According to the invention described in claim 7, it is possible to reduce the impact at the time of first entering the wafer, thereby preventing the generation of undesired cracks and, even if the impact is small, it is gradually deepened, so that the wafer is surely secured. Can be scratched.

【0019】請求項3に記載の半導体ウエハ加工装置に
おいて、ブレーク手段は、請求項8に記載の発明のよう
に、上下方向に移動可能に構成され、シートの下方から
半導体ウエハに対して衝撃を与えるブレーカ(60)
と、半導体ウエハの上方に固定され、ブレーカから衝撃
が与えられた半導体ウエハの上面を押えるブレーカ受け
台(52)とを備えることが好ましい。
In the semiconductor wafer processing apparatus according to the third aspect, the break means is configured to be movable in the vertical direction as in the invention according to the eighth aspect, and impacts the semiconductor wafer from below the sheet. Breaker to give (60)
And a breaker cradle (52) that is fixed above the semiconductor wafer and presses the upper surface of the semiconductor wafer that is impacted by the breaker.

【0020】請求項8に記載の半導体ウエハ加工装置に
おいて、ブレーク手段を具体的には請求項9のように構
成すればよい。すなわち、請求項9に記載の発明は、ブ
レーク手段は、ベースに対して直接または間接的に固定
されている板バネ(54)と、板バネの下面に接触し、
回転することで板バネを上下に駆動する偏芯カム(ブレ
ークカム55)と、偏芯カムを回転駆動するカムモータ
(56)とを備え、ブレーカは板バネ上に設けられてい
ることを特徴とする。
In the semiconductor wafer processing apparatus according to claim 8, the break means may be specifically configured as in claim 9. That is, in the invention according to claim 9, the break means contacts the leaf spring (54) directly or indirectly fixed to the base and the lower surface of the leaf spring,
An eccentric cam (break cam 55) that drives the leaf spring up and down by rotating, and a cam motor (56) that rotationally drives the eccentric cam, and the breaker is provided on the leaf spring. To do.

【0021】請求項10に記載の発明は、請求項9に記
載の半導体ウエハ加工装置において、偏芯カムの回転量
を変えることで、ブレーカがシートを介して半導体ウエ
ハに与える衝撃力を変更することを特徴とする。請求項
10に記載の発明によれば、偏芯カムの回転量を変える
という簡単な方法で、ウエハの種類などに応じてブレー
ク時の衝撃力を制御できる。
According to a tenth aspect of the present invention, in the semiconductor wafer processing apparatus according to the ninth aspect, the impact force applied to the semiconductor wafer by the breaker via the sheet is changed by changing the rotation amount of the eccentric cam. It is characterized by According to the tenth aspect of the invention, the impact force at the time of break can be controlled according to the type of wafer and the like by a simple method of changing the rotation amount of the eccentric cam.

【0022】請求項11に記載の発明は、請求項8〜1
0のいずれか記載の半導体ウエハ加工装置において、シ
ートに接触するブレーカの先端が断面円弧状に形成され
ていることを特徴とする。請求項11に記載の発明によ
れば、ブレーカの先端が断面円弧状に形成されているの
で、ブレーカがシートを介してウエハに与える衝撃力に
よって発生するせん断力について、ブレーカの先端を中
心とする正負の変化をなだらかなものとすることがで
き、せん断力による悪影響を小さくすることができ、柔
らかい量子井戸構造を有する化合物半導体ウエハに好適
である。
The invention according to claim 11 is the invention according to claims 8 to 1.
In the semiconductor wafer processing apparatus described in any one of 0, the tip of the breaker that comes into contact with the sheet is formed in an arcuate cross section. According to the invention of claim 11, since the tip of the breaker is formed in an arcuate cross section, the shearing force generated by the impact force that the breaker gives to the wafer through the sheet is centered on the tip of the breaker. It is suitable for a compound semiconductor wafer having a soft quantum well structure, since the positive and negative changes can be made gentle and the adverse effect due to shearing force can be reduced.

【0023】請求項12に記載の発明は、請求項8〜1
1のいずれかに記載の半導体ウエハ加工装置において、
ブレーカ受け台の下面は、ウエハセット部に張られたシ
ート上の半導体ウエハの表面よりも上であることを特徴
とする。請求項12に記載の発明によれば、ブレーカ受
け台の下面がウエハセット部に張られたシート上の半導
体ウエハの表面よりも上であるので、ブレーカによって
シートごとウエハがブレーカ受け台と接するように押し
上げられると、ブレーカの当接部分を頂点としてシート
が山型に変形し、これにより曲げモーメントが所望の、
つまりブレーカが当接している真上のウエハ部分で最大
になり、応力集中により容易にブレークすることができ
る。
The invention according to claim 12 is the invention according to claims 8 to 1.
In the semiconductor wafer processing apparatus according to any one of 1,
The lower surface of the breaker cradle is characterized by being above the surface of the semiconductor wafer on the sheet stretched over the wafer setting section. According to the invention as set forth in claim 12, since the lower surface of the breaker cradle is above the surface of the semiconductor wafer on the sheet stretched in the wafer setting section, the wafer is brought into contact with the breaker cradle together with the sheet by the breaker. When pushed up, the seat deforms into a mountain shape with the abutment part of the breaker as the apex, and the desired bending moment is
In other words, it becomes maximum in the wafer portion directly above where the breaker is in contact, and it is possible to easily break due to stress concentration.

【0024】請求項13に記載の発明は、請求項8〜1
2のいずれかに記載の半導体ウエハ加工装置において、
ブレーカ受け台は、半導体ウエハよりも硬度の低い材料
から形成されていることを特徴とする。請求項13に記
載の発明によれば、ブレーカ受け台は半導体ウエハより
も硬度の低い柔らかい材料から形成されているので、ブ
レーク時に受け台によってウエハ表面が傷つくことは少
ないので、柔らかい化合物半導体に適している。柔らか
い材料としては、具体的には各種樹脂が挙げられる。
The invention described in claim 13 is the invention according to claims 8 to 1.
In the semiconductor wafer processing apparatus according to any one of 2 above,
The breaker cradle is characterized by being formed of a material having a hardness lower than that of the semiconductor wafer. According to the invention described in claim 13, since the breaker cradle is made of a soft material having a hardness lower than that of the semiconductor wafer, the wafer surface is less likely to be damaged by the cradle at the time of break, which is suitable for a soft compound semiconductor. ing. Specific examples of the soft material include various resins.

【0025】請求項1〜13のいずれかに記載の半導体
ウエハ加工装置は、例えば請求項14のように構成する
ことで、具体的に実現できる。すなわち、請求項14に
記載の発明は、請求項1〜13のいずれかに記載の半導
体ウエハ加工装置において、第1のテーブルを駆動する
第1テーブル駆動手段(Y駆動モータ15)と、第2の
テーブルを駆動する第2テーブル駆動手段(X駆動モー
タ16)と、第3のテーブルを駆動する第3テーブル駆
動手段(θ駆動モータ17)と、スクライブ及びブレー
クに関する各種データを入力するための入力パネル(8
1)と、半導体ウエハの位置を検出する検出手段(位置
センサ73)と、半導体ウエハの画像を取得しデータと
して処理する画像処理手段(カメラ20、画像入力ボー
ド75、画像処理CPU74)と、検出手段からの検出
結果と画像処理手段からの画像データに基づいて、半導
体ウエハをスクライブ及びブレークそれぞれのため所定
の位置に移動するように、第1テーブル駆動手段と第2
テーブル駆動手段と第3テーブル駆動手段を制御する制
御手段(CPU71)とを備えることを特徴とする。
The semiconductor wafer processing apparatus according to any one of the first to thirteenth aspects can be concretely realized by configuring, for example, as the fourteenth aspect. That is, a fourteenth aspect of the present invention is the semiconductor wafer processing apparatus according to any one of the first to thirteenth aspects, further comprising a first table driving means (Y drive motor 15) for driving the first table, and a second table driving means. Table driving means (X driving motor 16) for driving the table No. 3, third table driving means (θ driving motor 17) for driving the third table, and inputs for inputting various data regarding scribe and break Panel (8
1), detection means for detecting the position of the semiconductor wafer (position sensor 73), image processing means (camera 20, image input board 75, image processing CPU 74) for obtaining an image of the semiconductor wafer and processing it as data, and detection Based on the detection result from the means and the image data from the image processing means, the first table driving means and the second table driving means are arranged to move the semiconductor wafer to predetermined positions for scribing and breaking respectively.
It is characterized by comprising a table driving means and a control means (CPU 71) for controlling the third table driving means.

【0026】請求項14に記載の半導体ウエハ加工装置
において、請求項15に記載の発明のように、前記制御
手段は、検出手段からの検出結果と画像処理手段からの
画像データから、第1のテーブルと第2のテーブルと第
3のテーブルそれぞれの移動すべき値としての補正値を
求め、第1テーブル駆動手段と第2テーブル駆動手段と
第3テーブル駆動手段に対し前記補正値を指令として出
力するように構成してもよい。
According to a fourteenth aspect of the present invention, in the semiconductor wafer processing apparatus, as in the fifteenth aspect of the present invention, the control means determines the first from the detection result from the detection means and the image data from the image processing means. A correction value as a value to be moved in each of the table, the second table and the third table is obtained, and the correction value is output as a command to the first table driving means, the second table driving means and the third table driving means. It may be configured to do so.

【0027】請求項16に記載の発明は、請求項3に記
載の半導体ウエハ加工装置において、第1のテーブルま
たは第2のテーブルの移動により、第1の方向または第
2の方向のいずれかに平行し、かつ、前記所定の方向と
は直交する方向に、ブレーク後の半導体ウエハをシート
ごと搬送し、搬送されてきた半導体ウエハが1つずつ集
まるウエハ集合部(アンローディング台97)を備える
ことを特徴とする。
According to a sixteenth aspect of the present invention, in the semiconductor wafer processing apparatus according to the third aspect, the first table or the second table is moved to move in either the first direction or the second direction. A wafer gathering unit (unloading table 97) is provided for transporting the semiconductor wafers after break together with the sheets in a direction parallel to each other and orthogonal to the predetermined direction, and collecting the transported semiconductor wafers one by one. Is characterized by.

【0028】請求項16に記載の発明によれば、第1の
方向または第2の方向のいずれかに平行し、かつ、前記
所定の方向とは直交する方向に、ブレーク後のバー状の
半導体ウエハを、シートごと搬送し、半導体ウエハをウ
エハ集合部に1つずつ集めるので、図11で示した断積
みの作業に容易に移ることができ、作業効率を上げるこ
とができる。
According to the sixteenth aspect of the present invention, the bar-shaped semiconductor after the break is parallel to either the first direction or the second direction and orthogonal to the predetermined direction. Since the wafers are conveyed together with the sheets and the semiconductor wafers are collected one by one in the wafer collecting section, it is possible to easily move to the stacking work shown in FIG. 11 and improve the work efficiency.

【0029】請求項17に記載の発明は、請求項16記
載の半導体ウエハ加工装置において、前記シートとして
紫外線で粘着性を失う粘着シートを用い、ブレーク直後
からウエハ集合部までの間で、搬送中の粘着シートに対
し半導体ウエハの反対側から紫外線を照射する紫外線照
射手段(紫外線発光源93)を備えることを特徴とす
る。請求項17に記載の発明によれば、ブレーク後のウ
エハを搭載している粘着シートに対して紫外線を照射す
ることで粘着性を消失させるので、ウエハを容易に集め
ることができるようになる。
According to a seventeenth aspect of the present invention, in the semiconductor wafer processing apparatus according to the sixteenth aspect, an adhesive sheet that loses its adhesiveness by ultraviolet rays is used as the sheet, and the sheet is being conveyed from immediately after the break to the wafer collecting section. It is characterized in that it is provided with an ultraviolet irradiating means (ultraviolet light emitting source 93) for irradiating the adhesive sheet with ultraviolet rays from the side opposite to the semiconductor wafer. According to the seventeenth aspect of the present invention, since the adhesiveness is lost by irradiating the adhesive sheet on which the wafer after the break is mounted with ultraviolet rays, the wafers can be easily collected.

【0030】請求項18に記載の発明は、請求項16ま
たは17記載の半導体ウエハ加工装置において、シート
の一端側は、ウエハを搬送させる第1のテーブルまたは
第2のテーブルに直接または間接的に固定され、前記一
端と対向する他端側は、ウエハの搬送の際にシートが弛
まないように搬送方向に平行にほぼ一定の張力で引張ら
れていることを特徴とする。請求項18によれば、常に
シートは搬送方向に一定の張力で引っ張られているの
で、シートのたるみにより搬送中バー状のウエハ同士が
ぶつかるといったことを防ぐことができる。
According to an eighteenth aspect of the present invention, in the semiconductor wafer processing apparatus according to the sixteenth or seventeenth aspect, one end side of the sheet is directly or indirectly attached to the first table or the second table for transferring the wafer. The other end, which is fixed and faces the one end, is pulled with a substantially constant tension in parallel with the carrying direction so that the sheet is not loosened when the wafer is carried. According to the eighteenth aspect, since the sheet is always pulled with a constant tension in the carrying direction, it is possible to prevent the bar-shaped wafers from hitting each other during the carrying due to the slack of the sheet.

【0031】請求項19に記載の発明は、請求項16〜
18のいずれか記載の半導体ウエハ加工装置において、
ブレーク後にウエハが搬送される経路において、ウエハ
集合部の手前には、円弧状のガイド(ガイド筒95及び
ウエハガイド98)が設けられ、半導体ウエハは、前記
ガイドに沿って搬送されることでその表面がほぼ鉛直面
内に立つように向きを変えることを特徴とする。請求項
19に記載の発明によれば、バー状のウエハは、前記ガ
イドに沿って移動することでその表面がほぼ鉛直面内に
立つように向きを変えた状態でウエハ集合部に集まる。
つまり、図11(b)で示した断積みと同じ状況で集め
られるので、ウエハ集合部そのもので断積みを行なうこ
とが可能となり、従来手作業で、スクライブ・ブレーク
工程とは全く別工程として行なってきた断積み作業を連
続することができ、著しく作業効率が向上するととも
に、手で扱わないためウエハを傷つけにくく、不良品の
発生を抑制することができる。
The invention according to claim 19 relates to claims 16 to 16.
In the semiconductor wafer processing apparatus according to any one of 18,
An arc-shaped guide (a guide cylinder 95 and a wafer guide 98) is provided in front of the wafer collecting unit in the path along which the wafers are transferred after the break, and the semiconductor wafer is transferred along the guides. It is characterized by turning so that the surface stands almost in the vertical plane. According to the nineteenth aspect of the present invention, the bar-shaped wafers are gathered in the wafer collecting section in a state where the bar-shaped wafers are turned so that their surfaces stand substantially in the vertical plane by moving along the guides.
In other words, since the wafers can be collected in the same situation as the stacking shown in FIG. 11B, the stacking can be carried out at the wafer collecting portion itself, and the stacking can be performed manually by a conventional method as a completely different step from the scribe / break step. The stacking work can be continued, the work efficiency is significantly improved, and since it is not handled by hand, it is difficult to damage the wafer and the generation of defective products can be suppressed.

【0032】請求項20に記載の発明は、請求項16〜
19のいずれか記載の半導体ウエハ加工装置において、
ウエハ集合部近傍に、半導体ウエハの反対側からシート
を突いて、半導体ウエハをウエハ集合部に押し出す押し
出し部材(針96)が設けられていることを特徴とす
る。請求項20に記載の発明によれば、押し出し部材に
よって半導体ウエハをウエハ集合部に確実に集めること
ができる。
The invention described in claim 20 is,
19. In the semiconductor wafer processing apparatus according to any one of 19,
It is characterized in that a pushing member (needle 96) is provided in the vicinity of the wafer collecting portion to push the sheet from the opposite side of the semiconductor wafer and push the semiconductor wafer to the wafer collecting portion. According to the twentieth aspect of the invention, the semiconductor wafer can be reliably collected in the wafer collecting section by the pushing member.

【0033】以上の請求項1〜20の半導体ウエハ加工
装置を用いて、請求項21、22のような半導体ウエハ
の加工方法を実現でき、請求項1同様の作用効果を奏す
ることができる。すなわち、請求項21に記載の発明
は、請求項1〜20のいずれか記載の半導体ウエハ加工
装置を用いた半導体ウエハの加工方法であって、半導体
ウエハに対してスクライブ手段により1つ傷を付けた
後、続いてブレーク手段によりその傷を基に割ることを
特徴とする。
By using the semiconductor wafer processing apparatus according to any one of claims 1 to 20 described above, the semiconductor wafer processing method according to any one of claims 21 and 22 can be realized, and the same effect as that of claim 1 can be obtained. That is, the invention according to claim 21 is a method for processing a semiconductor wafer using the semiconductor wafer processing apparatus according to any one of claims 1 to 20, wherein one scratch is made on the semiconductor wafer by a scribe means. After that, it is characterized in that it is subsequently broken by the break means based on the scratch.

【0034】請求項22に記載の発明は、請求項21に
記載の半導体ウエハの加工方法において、ブレーク後、
第1のテーブルまたは第2のテーブルの移動により、半
導体ウエハを第1の方向または第2の方向のいずれかに
平行し、かつ、前記所定の方向とは直交する方向に移動
させ、次のスクライブ工程及びブレーク工程を引き続き
行うことを特徴とする。
The invention described in claim 22 is the method for processing a semiconductor wafer according to claim 21, wherein after the break,
By moving the first table or the second table, the semiconductor wafer is moved in a direction parallel to either the first direction or the second direction and orthogonal to the predetermined direction, and the next scribe is performed. It is characterized in that the step and the break step are continuously performed.

【0035】[0035]

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図1には、本発明の一実施
の形態としての半導体ウエハ加工装置10を示す。以
下、単に加工装置10と言うこともある。加工装置10
は、ベース11上にYテーブル12、Xテーブル13、
θテーブル14、スクライブユニット30、ブレークユ
ニット50などが設けられて構成される。Yテーブル
(第1のテーブル)12は、ベース11上に設置され、
Y駆動モータ15を有し、該Y駆動モータ15により駆
動されて図1におけるY方向(第1の方向、前後方向)
に往復移動可能に構成されているものである。Xテーブ
ル(第2のテーブル)13はYテーブル上12に設置さ
れ、X駆動モータ16を有し、該X駆動モータ16によ
り駆動されて、Yテーブル12に対して図1におけるX
方向(第2の方向、左右方向)に往復移動可能に構成さ
れているものである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a semiconductor wafer processing apparatus 10 as an embodiment of the present invention. Hereinafter, it may be simply referred to as the processing device 10. Processing device 10
On the base 11, the Y table 12, the X table 13,
The θ table 14, the scribe unit 30, the break unit 50 and the like are provided and configured. The Y table (first table) 12 is installed on the base 11,
It has a Y drive motor 15 and is driven by the Y drive motor 15 to be in the Y direction in FIG. 1 (first direction, front-back direction).
It is configured to be able to reciprocate. The X table (second table) 13 is installed on the Y table 12, has an X drive motor 16, and is driven by the X drive motor 16 so that the X table in FIG.
It is configured to be capable of reciprocating in a direction (second direction, left-right direction).

【0036】θテーブル(第3のテーブル)14は、X
テーブル13上に設置された略円盤状の部材であって、
その中心を通り、X方向及びY方向に垂直である鉛直方
向の直線を中心に回転可能に構成されている。θテーブ
ル14は、θ駆動モータ17を有し、該θ駆動モータ1
7によって駆動されることで、Xテーブル13上におい
て回転するように構成されている。第1テーブル駆動手
段であるY駆動モータ15、第2テーブル駆動手段であ
るX駆動モータ16、第3テーブル駆動手段であるθ駆
動モータ17は、それぞれ、CPU71によって制御さ
れることで、所定のタイミングで所定量動作し、これに
より、Yテーブル12、Xテーブル13、θテーブル1
4は、所定のタイミングで、所定距離移動する。
The θ table (third table) 14 is X
A substantially disk-shaped member installed on the table 13,
It is configured to be rotatable around a vertical straight line that passes through the center and is perpendicular to the X and Y directions. The θ table 14 has a θ drive motor 17, and the θ drive motor 1
It is configured to rotate on the X table 13 by being driven by 7. The Y drive motor 15, which is the first table drive unit, the X drive motor 16, which is the second table drive unit, and the θ drive motor 17, which is the third table drive unit, are controlled by the CPU 71, respectively, and thus have a predetermined timing. The Y table 12, X table 13, and θ table 1
4 moves a predetermined distance at a predetermined timing.

【0037】θテーブル14上に、側壁18a、18b
を有し断面コ字状に形成されたシート張り台(ウエハセ
ット部)18が、開口を上方に向けた状態で、θテーブ
ル14に対して着脱可能であるように固定されている。
側壁18a、18bの上面には仮想線で示すシート24
がX方向に張られた状態で固定されている。このシート
24の上面は、粘着性を有し、かつ、紫外線を照射する
ことで粘着性を失うようになっている。シート24の上
面に、化合物半導体基板であるウエハW2がブレイクし
たいへき開面とY方向がほぼ平行になるように取り付け
られる。よって、シート24はへき開面と直交する方向
に張力が与えられていることになる。具体的な位置合わ
せについては後述する。シート24の具体的な固定方法
としては、例えば図6に示すように、側壁18a、18
bそれぞれに設けられた挟持部18c、18dにより上
下方向から挟んで固定する。シート張り台18上に張ら
れたシート24は、Yテーブル12、Xテーブル13、
θテーブル14と共に、これらテーブルの移動や回転の
動きに従って、移動するようになっている。
On the θ table 14, side walls 18a and 18b are provided.
A sheet tension base (wafer setting unit) 18 having a U-shaped cross section is fixed to the θ table 14 so as to be attachable to and detachable from the θ table 14.
A sheet 24 shown by an imaginary line on the upper surfaces of the side walls 18a and 18b
Are fixed while being stretched in the X direction. The upper surface of the sheet 24 has adhesiveness and loses its adhesiveness when irradiated with ultraviolet rays. The wafer W2, which is a compound semiconductor substrate, is attached to the upper surface of the sheet 24 so that the cleavage plane to be broken is substantially parallel to the Y direction. Therefore, the sheet 24 is given tension in the direction orthogonal to the cleavage plane. Specific alignment will be described later. As a concrete fixing method of the seat 24, for example, as shown in FIG.
The holding portions 18c and 18d provided on the respective b b sandwich and fix from the vertical direction. The sheet 24 stretched on the sheet tension base 18 includes the Y table 12, the X table 13,
It moves together with the θ table 14 in accordance with the movement and rotation of these tables.

【0038】ベース11上であって各テーブル12、1
3、14よりも奥に、堅固な支柱19が固定されてい
る。支柱19の上部には、カメラアーム21が固定さ
れ、このカメラアーム21の先端であって、前記シート
24の上方にCCD(Charged Coupled Device)素子を
有するカメラ20が取り付けられている。このカメラ2
0は、レンズ20aを下方に向けて、シート24上のウ
エハW2の加工部分が視野に入るように調節されて固定
されている。支柱19の中間部分には、支持アーム23
がシート張り台18に向かうように固定されている。支
持アーム23の支柱19側にはスクライブユニット30
が設けられ、支柱19の下部から支持アーム23の先端
側にかけてブレークユニット50が設けられている。
Each table 12, 1 on the base 11
A solid support column 19 is fixed at a position deeper than 3 and 14. A camera arm 21 is fixed to the upper part of the column 19, and a camera 20 having a CCD (Charged Coupled Device) element is attached to the tip of the camera arm 21 and above the seat 24. This camera 2
0 is adjusted and fixed such that the processed portion of the wafer W2 on the sheet 24 is in the visual field with the lens 20a facing downward. A support arm 23 is provided at an intermediate portion of the pillar 19.
Are fixed so as to face the seat tension base 18. A scribe unit 30 is provided on the support arm 23 side of the support column 19.
The break unit 50 is provided from the lower part of the support column 19 to the tip side of the support arm 23.

【0039】図2にスクライブユニット(スクライブ手
段)30を示した。スクライブユニット30は、ウエハ
W2をY方向にブレークする前に、ウエハW2の一辺側
の端部に短い条痕(図3(a)参照)を付すもので、回
転腕31と、エアシリンダ36、引張りバネ(バネ部
材)37、スクライバ41、スクライブ受け台34など
から構成される。回転腕31は、支持アーム23の側面
下部に対して、支点軸32を中心に回転可能に取り付け
られている。回転腕31の支柱19側端部には、引張り
バネ37の下端が係止されている。
FIG. 2 shows a scribing unit (scribing means) 30. The scribe unit 30 has a short striation (see FIG. 3A) at one end of the wafer W2 before breaking the wafer W2 in the Y direction, and includes a rotating arm 31, an air cylinder 36, and It is composed of a tension spring (spring member) 37, a scriber 41, a scribe support 34, and the like. The rotating arm 31 is attached to the lower portion of the side surface of the support arm 23 so as to be rotatable around a fulcrum shaft 32. The lower end of the tension spring 37 is locked to the end of the rotary arm 31 on the side of the column 19.

【0040】引張りバネ37の上端は、張力調整部材3
8に係止されている。張力調整部材38は、表面にネジ
が切られた棒状の部材であり、その中央部分において固
定部38aを介して支柱19または支持アーム23に固
定されている。固定部38aの内側には、張力調整部材
38表面のネジと螺合するネジ部材38bが固定され、
張力調整部材38aをネジ部材38bに対して回転させ
ながらその上下方向の高さを調節することで、引張りバ
ネ37の張力を調整するようになっている。回転腕31
は、所定の張力に調整された引張りバネ37により図2
の反時計方向に付勢されている。
The upper end of the tension spring 37 has a tension adjusting member 3
It is locked to 8. The tension adjusting member 38 is a rod-shaped member whose surface is threaded, and is fixed to the support column 19 or the support arm 23 at a central portion thereof via a fixing portion 38a. A screw member 38b screwed into a screw on the surface of the tension adjusting member 38 is fixed to the inside of the fixing portion 38a,
The tension of the tension spring 37 is adjusted by adjusting the vertical height of the tension adjusting member 38a while rotating the tension adjusting member 38a with respect to the screw member 38b. Rotating arm 31
2 is a tension spring 37 adjusted to a predetermined tension by the tension spring 37 shown in FIG.
Is urged counterclockwise.

【0041】エアシリンダ36は、支持アーム23に固
定され、その先端のロッド36aには回転腕31の動き
を規制するストッパ36bが固定されている。回転腕3
1は、前述のように引張りバネ37により反時計方向に
付勢されているが、ストッパ36bに当接した位置で、
停止している。エアシリンダ36は、図示しないエアー
ラインに接続され、このエアーラインに設けられたエア
ーバルブ35a、35b(図5)の一方にエアを流すこ
とでオンし、他方にエアを流すことでオフとなる。さら
に前記エアーラインには、エアーの流量を調整する流量
弁が接続され、この流量弁を調節することでエアーの勢
いを変更し、それによりオフからオンになるときのロッ
ド36aの引き込み速度を調整できるようになってい
る。ロッド36aが引き込まれると、その速度に応じて
回転腕31は引張りバネ37の付勢力により反時計方向
に回転する。
The air cylinder 36 is fixed to the support arm 23, and a stopper 36b for restricting the movement of the rotary arm 31 is fixed to a rod 36a at the tip thereof. Rotating arm 3
1 is urged counterclockwise by the tension spring 37 as described above, but at a position where it abuts the stopper 36b,
It has stopped. The air cylinder 36 is connected to an air line (not shown), and is turned on by flowing air to one of the air valves 35a and 35b (FIG. 5) provided in this air line, and turned off by flowing air to the other. . Further, a flow valve for adjusting the flow rate of air is connected to the air line, and by adjusting this flow valve, the momentum of the air is changed, thereby adjusting the pulling speed of the rod 36a when turning from off to on. You can do it. When the rod 36a is pulled in, the rotating arm 31 is rotated counterclockwise by the urging force of the tension spring 37 according to the speed thereof.

【0042】支持アーム23の先端には、スクライバ4
1が固定されているホルダ42が、角度調節用のダイヤ
ル部材33を介して取り付けられている。ダイヤル部材
33を適宜調節し、スクライバ41のウエハW2に対す
る角度を調節するようになっている。スクライバ41
は、先端にダイヤモンドが設けられ、このダイヤモンド
でウエハW2に傷を付けることができる。スクライバ4
1の真下であってシート24の下側において、スクライ
バ受け台34が設けられている。スクライバ受け台34
は、直接または間接的にベース11に対して固定されて
いる。スクライバ受け台34は、図4(a)に示すよう
に前方から見ると、カギ型を有し、後述のブレークユニ
ット50の板バネ54などを逃げるような形状に形成さ
れ、その上部の受け片34aによって、スクライバ41
で突かれるウエハW2をシート24の下から支える。
The scriber 4 is attached to the tip of the support arm 23.
A holder 42 to which 1 is fixed is attached via a dial member 33 for angle adjustment. The dial member 33 is appropriately adjusted to adjust the angle of the scriber 41 with respect to the wafer W2. Scribe 41
Has a diamond at its tip, and the diamond can scratch the wafer W2. Scribe 4
A scriber cradle 34 is provided immediately below the seat 1 and below the seat 24. Scriber cradle 34
Are fixed to the base 11 directly or indirectly. When viewed from the front as shown in FIG. 4A, the scriber cradle 34 has a key shape and is formed in a shape that allows the leaf spring 54 of the break unit 50, which will be described later, to escape. 34a enables the scribe 41
The wafer W2, which is hit by, is supported from below the sheet 24.

【0043】スクライバ41は、回転腕31の反時計方
向の回転に伴って下降してウエハW2に突き入る。よっ
て、ロッド36aの引き込み速度を調節することで、回
転腕31の回転速度、引いてはスクライバ41のウエハ
W2へ突き入る衝撃力をコントロールできるようになっ
ている。ここで、スクライバ41の先端のダイヤモンド
の形状は、例えばツーポイントのものを用いている。こ
のようなスクライバ41をウエハW2に当てると、図3
(b)に示すポイントp1のような傷痕が形成され、そ
のままウエハW2をY方向に沿って前方(y1方向)に
移動させると、条痕Pが形成される。なお、スクライバ
41の先端形状は、シングルポイント、スリーポイン
ト、フォーポイントなどのその他の形状であってもよ
い。
The scriber 41 descends as the rotating arm 31 rotates in the counterclockwise direction and enters the wafer W2. Therefore, by adjusting the pulling speed of the rod 36a, it is possible to control the rotating speed of the rotary arm 31 and, consequently, the impact force of the scriber 41 entering the wafer W2. Here, the shape of the diamond at the tip of the scriber 41 is, for example, a two-point shape. When such a scriber 41 is applied to the wafer W2, as shown in FIG.
A scar such as a point p1 shown in (b) is formed, and when the wafer W2 is moved forward along the Y direction as it is (in the y1 direction), a scratch P is formed. The tip shape of the scriber 41 may be other shapes such as single point, three point, and four point.

【0044】図1に示すように、スクライブユニット3
0の手前にブレークユニット50が設けられている。ス
クライブユニット30とブレークユニット50は、ウエ
ハW2に対するそれぞれの作用点がY方向を通る1つの
鉛直面内にあるように、並んで設けられている。図4に
ブレークユニット(ブレーク手段)50を示した。図4
では、スクライブユニット30関連の部材は省略してい
る。ブレークユニット50は、スクライバユニット30
で付された条痕を起端にしてへき開させるもので、ブレ
ーカ受け台52、ブレーカ60、板バネ54、ブレーク
カム55などから構成される。ブレーカ受け台52は、
前記支持アーム23側面の先端側の下部に対して、受け
台ガイド51を介して固定され、化合物半導体よりも柔
らかい、例えばフッ素樹脂や、ABS樹脂などから形成
されている。受け台ガイド51に対する上下位置を調節
することで、ブレーカ受け台52の上下方向の位置を調
節できる。
As shown in FIG. 1, the scribe unit 3
A break unit 50 is provided before 0. The scribe unit 30 and the break unit 50 are arranged side by side so that the respective points of action on the wafer W2 are within one vertical plane passing through the Y direction. FIG. 4 shows a break unit (break means) 50. Figure 4
Then, members related to the scribe unit 30 are omitted. The break unit 50 is the scriber unit 30.
Cleavage is performed by using the streak marked with as a starting point, and includes a breaker receiving base 52, a breaker 60, a leaf spring 54, a break cam 55, and the like. The breaker cradle 52 is
The support arm 23 is fixed to the lower portion on the side of the tip of the support arm via a pedestal guide 51, and is made of a material softer than a compound semiconductor, such as fluororesin or ABS resin. By adjusting the vertical position with respect to the cradle guide 51, the vertical position of the breaker cradle 52 can be adjusted.

【0045】ブレーカ受け台52は、図4(b)に示す
ように、例えば切断対象となるウエハW2の長さ方向を
十分にカバーできる長さを有し、その下端部52aには
図4(a)に示すように、長さ方向に沿って断面コ字状
の溝52bが形成されている。図4(a)において、溝
52bを挟んで左側を左押圧面52c、右側を右押圧面
52dとし、左押圧面52c、右側を右押圧面52dの
下面はいずれも平坦に形成されている。ブレーカ受け台
52の上下の位置は、図6に示すように、左押圧面52
c、右押圧面52dが、シート張り台18の挟持部18
c、18dよりも高い位置にあるように調節されてい
る。これにより左押圧面52c、右押圧面52dは、ブ
レーク時以外のときのシート24上のウエハW2より高
い位置にある。
As shown in FIG. 4B, the breaker cradle 52 has a length sufficient to cover, for example, the lengthwise direction of the wafer W2 to be cut, and the lower end portion 52a of FIG. As shown in a), a groove 52b having a U-shaped cross section is formed along the length direction. In FIG. 4A, the left side is a left pressing surface 52c, the right side is a right pressing surface 52d, and the left pressing surface 52c and the right side are right pressing surfaces 52d with the groove 52b sandwiched therebetween. As shown in FIG. 6, the upper and lower positions of the breaker cradle 52 are located on the left pressing surface 52.
c, the right pressing surface 52d is the holding portion 18 of the seat tension base 18.
It is adjusted to be higher than c and 18d. As a result, the left pressing surface 52c and the right pressing surface 52d are located at a position higher than the wafer W2 on the sheet 24 except at the time of break.

【0046】ウエハW2とシート24を挟んで、ブレー
カ60が板バネ54の先端に設置されている。ブレーカ
60の下面から内部に向かって、図4(c)に示すよう
に、ネジ孔60bが形成され、一方板バネ54には図示
しないネジ用穴が形成され、図示しないネジを該ネジ用
穴に差し込んだ状態で、ブレーカ60のネジ孔60bと
螺合させることで、ブレーカ60は板バネ54に固定さ
れている。ブレーカ60は、例えば金属製で、図4
(b)で示すようにブレーカ受け台52と同程度にウエ
ハW2を十分にカバーできる長さを有する。さらに、ブ
レーカ60は、前後方向から見ると、略山型に形成さ
れ、その上端は、円弧状に形成された円弧部60aとな
っている。ブレーク時に円弧部60aは、前記溝52b
に平行に対峙する。
A breaker 60 is installed at the tip of the leaf spring 54 with the wafer W2 and the sheet 24 sandwiched therebetween. As shown in FIG. 4 (c), a screw hole 60 b is formed from the lower surface of the breaker 60 toward the inside, and a screw hole (not shown) is formed in the leaf spring 54. The breaker 60 is fixed to the leaf spring 54 by being screwed into the screw hole 60b of the breaker 60 in the state where the breaker 60 is inserted. The breaker 60 is made of metal, for example, and is shown in FIG.
As shown in (b), it has a length sufficient to cover the wafer W2 to the same extent as the breaker cradle 52. Furthermore, the breaker 60 is formed in a substantially mountain shape when viewed from the front-rear direction, and its upper end is an arc portion 60a formed in an arc shape. At break, the circular arc portion 60a has the groove 52b.
Face parallel to.

【0047】細長い板状に形成された板バネ54は、そ
の後端において、支柱19に固定された固定台53の上
面に固定されている。固定台53は、支柱19に対して
上下及び左右位置を変更自在に取り付けられ、固定台5
3の位置を調節することで、板バネ54の後端の高さが
調節される。さらに、板バネ54の途中下面に接触した
状態で、ブレークカム55が設けられている。ブレーク
カム55は、偏芯カムであり、中心から外れた位置に、
ベース11上に固定されているカムモータ56の回転軸
56aが固定されている。よってカムモータ56が作動
し回転軸56aとともにブレークカム55が回転する
と、その回転角度に応じてブレークカム55によって下
面が支持されている板バネ54が上下に揺動し、高さが
変わる。そして、ブレークカム55の回転角度を変更す
ることで、板バネ54を介して上昇するブレーカ60か
らウエハW2への衝撃力を制御するようになっている。
The leaf spring 54 formed in the shape of an elongated plate is fixed to the upper surface of the fixed base 53 fixed to the column 19 at its rear end. The fixed base 53 is attached to the support column 19 so that the vertical and horizontal positions can be freely changed.
By adjusting the position of 3, the height of the rear end of the leaf spring 54 is adjusted. Further, a break cam 55 is provided in a state of contacting the lower surface of the leaf spring 54 midway. The break cam 55 is an eccentric cam, and is located at a position off the center,
A rotary shaft 56a of a cam motor 56 fixed on the base 11 is fixed. Therefore, when the cam motor 56 operates and the break cam 55 rotates together with the rotary shaft 56a, the leaf spring 54 whose lower surface is supported by the break cam 55 swings vertically according to the rotation angle, and the height changes. Then, by changing the rotation angle of the break cam 55, the impact force from the breaker 60 rising through the plate spring 54 to the wafer W2 is controlled.

【0048】ブレーカ60がシート24を介してウエハ
W2に衝撃を与える際、その円弧部60aと、ブレーカ
受け台52の溝52bが平行に対向するように、固定台
53が調節されている。具体的には、ブレーカ60動作
前に板バネ54の後端側の方が高く、動作後に板バネ5
4が水平になるように、予め固定台53の位置が調節さ
れていてもよいし、ブレークカム55の動作と共に固定
台53が自動的に位置調節し、板バネ54が水平状態に
なるように構成されていてもよい。
When the breaker 60 gives an impact to the wafer W2 via the sheet 24, the fixed base 53 is adjusted so that the arc portion 60a and the groove 52b of the breaker receiving base 52 face each other in parallel. Specifically, the rear end side of the leaf spring 54 is higher before the operation of the breaker 60, and the leaf spring 5 after the operation.
The position of the fixed base 53 may be adjusted in advance so that 4 is horizontal, or the position of the fixed base 53 is automatically adjusted along with the operation of the break cam 55 so that the leaf spring 54 becomes horizontal. It may be configured.

【0049】図5に、加工装置10に設けられる制御回
路70を示した。なお、制御回路70は、本発明を説明
するにあたり必要な構成を示したもので、ここに図示さ
れていないその他のセンサやアクチュエータを備えてい
てもよい。制御回路70は、制御手段としてのCPU
(Central Processing Unit)71を有し、該CPU7
1に対して、アクチュエータコントローラ72が接続さ
れ、さらにアクチュエータコントローラ72を介して位
置センサ73や各種ドライバ76〜80が接続されてい
る。また、制御回路70には、前記カメラ20に接続さ
れた画像入力ボード75と、この画像入力ボード75に
接続された画像処理CPU74が設けられ、画像処理C
PU74が前記CPU71に接続されている。位置セン
サ73は、例えば光センサなどからなるもので、シート
24を介して取り付けられているウエハW2の位置を検
出する検出手段である。一方、カメラ20が撮影したウ
エハW2の画像信号は画像入力ボード75に入力し、画
像処理CPU74において所定の画像処理を行い、ウエ
ハW2の位置情報を含む画像情報がCPU71に対して
出力される。カメラ20、画像入力ボード75及び画像
処理CPU74により本発明の画像処理手段が構成され
る。
FIG. 5 shows the control circuit 70 provided in the processing apparatus 10. Note that the control circuit 70 shows a configuration necessary for explaining the present invention, and may include other sensors and actuators not shown here. The control circuit 70 is a CPU as a control means.
(Central Processing Unit) 71, and the CPU 7
1, the actuator controller 72 is connected, and the position sensor 73 and various drivers 76 to 80 are further connected via the actuator controller 72. Further, the control circuit 70 is provided with an image input board 75 connected to the camera 20 and an image processing CPU 74 connected to the image input board 75.
The PU 74 is connected to the CPU 71. The position sensor 73 is composed of, for example, an optical sensor, and is a detection unit that detects the position of the wafer W2 attached via the sheet 24. On the other hand, the image signal of the wafer W2 captured by the camera 20 is input to the image input board 75, the image processing CPU 74 performs predetermined image processing, and the image information including the position information of the wafer W2 is output to the CPU 71. The camera 20, the image input board 75, and the image processing CPU 74 constitute the image processing means of the present invention.

【0050】CPU71は、位置センサ73からの信号
と、画像処理CPU74からの画像情報に基づいて、ウ
エハW2の位置や角度を検出する。そして、CPU7
1、スクライビングあるいはブレークのためにウエハW
2が移動すべき位置や角度と、現在のXテーブル13、
Yテーブル12、θテーブル14の位置とを比較し、現
在の位置に対する補正値を算出し、その補正値を、X駆
動モータ16を駆動するXモータドライバ76、Y駆動
モータ15を駆動するYモータドライバ77、θ駆動モ
ータ17を駆動するθモータドライバ78に対して、制
御信号として出力する。また、スクライブ時にはエアー
バルブドライブ80に対して所定のタイミングで制御信
号を出力し、エアーバルブ35a、35bのオン・オフ
動作を制御する。さらに、ブレーク時にはカムモータド
ライバ79に対して制御信号を出力し、カムモータドラ
イバ79を介してカムモータ56を所定量駆動し、ブレ
ークカム55を所定高さ分上昇させる。
The CPU 71 detects the position and angle of the wafer W2 based on the signal from the position sensor 73 and the image information from the image processing CPU 74. And CPU7
1. Wafer W for scribing or break
The position and angle at which 2 should move, the current X table 13,
The positions of the Y table 12 and the θ table 14 are compared, a correction value for the current position is calculated, and the correction value is used as an X motor driver 76 for driving the X drive motor 16 and a Y motor for driving the Y drive motor 15. The signal is output as a control signal to the driver 77 and the θ motor driver 78 that drives the θ drive motor 17. During scribing, a control signal is output to the air valve drive 80 at a predetermined timing to control the on / off operation of the air valves 35a and 35b. Further, at the time of a break, a control signal is output to the cam motor driver 79 to drive the cam motor 56 by a predetermined amount via the cam motor driver 79 to raise the break cam 55 by a predetermined height.

【0051】CPU71には、入力パネル81や表示装
置82が接続され、オペレータは、表示装置82を見な
がら、スクライビングやブレーキングのための各種パラ
メータ、例えばウエハW2の種類や大きさ、条痕の間隔
や長さ、スクライブやブレーキングの際の衝撃力などに
関するデータを入力することができる。また、オペレー
タは入力パネル81により、マニュアル操作により加工
装置10を作動させたり、シーケンス動作を選択するこ
とで1枚のウエハW2についてスクライブからブレーク
によりバーを作製する一連の動作を自動的に行なわせる
ことができる。
An input panel 81 and a display device 82 are connected to the CPU 71, and the operator, while looking at the display device 82, various parameters for scribing and braking, such as the type and size of the wafer W2 and the scratches. You can enter data about the distance, length, impact force during scribing and braking, etc. In addition, the operator operates the processing apparatus 10 manually by operating the input panel 81 or selects a sequence operation to automatically perform a series of operations for producing a bar by scribing and breaking one wafer W2. be able to.

【0052】CPU71は、図示しないメモリを有し、
該メモリに制御プログラムや制御データ、入力パネル8
1からのパラメータや、位置センサ73や画像処理CP
U74からの画像データを一時的に記憶する。例えば、
調整された引張りバネ37のバネ力、エアシリンダ36
の動作速度によって決まる回転腕31の回転速度、スク
ライバ41の先端形状、ダイヤル部材33の調節による
スクライバ41とウエハW2との接触角度などの各設定
は、ウエハの材質、へき開特性などに応じた経験的ある
いは理論的に適切なパラメータを記憶し、これらのパラ
メータをオペレータの操作に従い、あるいは自動的に抽
出し、各処理動作時に用いる。そして、制御プログラム
や制御データに従って、また、オペレータによる入力パ
ネル81からのマニュアル操作、シーケンス動作の選択
に応じ、演算しながら加工装置10における各種動作を
制御する。さらに、トラブルが発生したときのエラー処
理も行なうようになっている。
The CPU 71 has a memory (not shown),
Control program and control data in the memory, input panel 8
Parameters from 1, position sensor 73 and image processing CP
Temporarily store the image data from U74. For example,
Adjusted spring force of tension spring 37, air cylinder 36
The rotation speed of the rotating arm 31 determined by the operating speed of the scriber 41, the tip shape of the scriber 41, and the contact angle between the scriber 41 and the wafer W2 by adjusting the dial member 33 are set according to the material of the wafer, the cleavage characteristics, and the like. Parameters that are theoretically or theoretically appropriate are stored, and these parameters are extracted according to the operator's operation or automatically and used at each processing operation. Then, according to the control program and control data, and according to the operator's manual operation from the input panel 81 and the selection of the sequence operation, various operations in the processing apparatus 10 are controlled while performing calculations. Furthermore, it also performs error handling when trouble occurs.

【0053】次に、上記構成を有する加工装置10の動
作を説明する。ここでは、化合物半導体からなるウエハ
W2を結晶構造の110面に沿ってへき開し、図11
(a)で示すような細長いバー状にブレークする際の動
作を説明する。予め、ウエハW2には、110面に沿っ
て製造段階でオリフラ(オリエンテーション・フラッ
ト)面が形成されており、このオリフラ面を基準として
ウエハW2をシート24に貼る。この状態のシート24
を、側壁18a、18bを結ぶ方向に張力を与えた状態
で、加工装置10から外されているシート張り台18の
側壁18a、18bに固定する。次にシート張り台18
を、θテーブル14の所定の取り付け位置に対して、Y
方向に側壁18a、18bがほぼ平行するように固定す
る。これにより、ウエハW2のオリフラ面が加工装置1
0のY方向にほぼ平行し、また、シート24はX方向に
張られることになる。
Next, the operation of the processing apparatus 10 having the above structure will be described. Here, a wafer W2 made of a compound semiconductor is cleaved along the 110 plane of the crystal structure,
The operation when breaking into a slender bar shape as shown in (a) will be described. An orientation flat (orientation flat) surface is previously formed on the wafer W2 along the surface 110 at the manufacturing stage, and the wafer W2 is attached to the sheet 24 with the orientation flat surface as a reference. Seat 24 in this state
Is fixed to the side walls 18a and 18b of the sheet tensioner 18 removed from the processing apparatus 10 in a state in which tension is applied in the direction connecting the side walls 18a and 18b. Next, seat upright 18
To the predetermined mounting position of the θ table 14
The side walls 18a and 18b are fixed so that they are substantially parallel to each other. As a result, the orientation flat surface of the wafer W2 is processed by the processing apparatus 1
The sheet 24 is stretched in the X direction and is substantially parallel to the Y direction of 0.

【0054】次に、入力パネル81などに設けられてい
る図示しないスタートボタンが操作されると、最初にス
クライブする箇所である位置Q1(図3(a))が、カ
メラ20の視野内に入るように、位置センサ73や画像
処理CPU74からの情報に基づいてCPU71が移動
量を算出し、これによりXテーブル13が図1の左右方
向に所定量移動する。カメラ20により位置Q1近傍の
Y方向に平行するべきエッジEを捉えると、CPU71
は、Y方向に対するエッジEの傾きを画像情報から演算
し、θモータドライバ78に対し、前記エッジがY方向
と平行になるように補正値を指令し、その指令によって
θテーブル14はθ駆動モータ17により駆動されて所
定角度回転し停止する。さらに、CPU71は、ウエハ
W2が、スクライバ41によって突かれるポイントp1
に対応する位置に来るように、X方向及びY方向につい
て必要な移動量を算出して、その補正値をXモータドラ
イバ76、Yモータドライバ77に対し指令として出力
する。その指令によって、Xテーブル13、Yテーブル
12はそれぞれX駆動モータ16、Y駆動モータ15に
より駆動されて所定距離ずつ移動し停止する。これらの
移動により、ウエハW2は、スクライバ41が下降する
とちょうど前記ポイントp1に入る位置となる。なお、
以上のXテーブル13、Yテーブル12、θテーブル1
4の移動の順番は一例であって、状況に応じて適宜移動
させることになる。
Next, when a start button (not shown) provided on the input panel 81 or the like is operated, the position Q1 (FIG. 3A), which is the first scribe position, is within the field of view of the camera 20. As described above, the CPU 71 calculates the movement amount based on the information from the position sensor 73 and the image processing CPU 74, whereby the X table 13 moves a predetermined amount in the left-right direction in FIG. When the camera 20 captures the edge E near the position Q1 which should be parallel to the Y direction, the CPU 71
Calculates the inclination of the edge E with respect to the Y direction from the image information, and commands the θ motor driver 78 to provide a correction value so that the edge becomes parallel to the Y direction. It is driven by 17 to rotate by a predetermined angle and stop. Further, the CPU 71 determines the point p1 at which the wafer W2 is hit by the scriber 41.
A necessary movement amount is calculated in the X direction and the Y direction so as to reach the position corresponding to, and the correction value is output as a command to the X motor driver 76 and the Y motor driver 77. In response to the command, the X table 13 and the Y table 12 are driven by the X drive motor 16 and the Y drive motor 15, respectively, and are moved by a predetermined distance and stopped. Due to these movements, the wafer W2 comes to a position just entering the point p1 when the scriber 41 descends. In addition,
The above X table 13, Y table 12, and θ table 1
The order of movement of No. 4 is an example, and it will be moved as appropriate according to the situation.

【0055】次に、CPU71の制御の下で、エアーバ
ルブドライバ80が制御されて、エアーバルブ35a、
35bが駆動され、エアシリンダ36のロッド36aが
予め設定された速度で引き込まれる。これにより、引張
りバネ37の付勢力により、回転腕31が反時計方向に
回転し、回転腕31先端のスクライバ41がウエハW2
の前記ポイントp1に突き入る。スクライバ41がポイ
ントp1に入ったまま、Yテーブル12が図1の手前方
向に所定距離移動する。これにより、図3(b)、
(c)で示す条痕PがウエハW2の端に形成され、スク
ライブが終了する。
Next, under the control of the CPU 71, the air valve driver 80 is controlled so that the air valve 35a,
35b is driven, and the rod 36a of the air cylinder 36 is drawn in at a preset speed. As a result, the rotating arm 31 rotates counterclockwise by the urging force of the tension spring 37, and the scriber 41 at the tip of the rotating arm 31 moves the wafer W2.
Enter the point p1. The Y table 12 moves a predetermined distance in the front direction of FIG. 1 while the scriber 41 remains at the point p1. As a result, as shown in FIG.
The streak P shown in (c) is formed on the edge of the wafer W2, and the scribe is completed.

【0056】スクライブの終了後は、必要に応じてYテ
ーブル12をさらに図1の手前方向に移動させて、ウエ
ハW2をブレークユニット50の加工エリアに位置決め
し、図4(a)、(b)の状態とする。ブレーカ受け台
52の溝52bとブレーカ60の円弧部60aは、スク
ライブ動作で形成した条痕Pを挟んで対向している。ま
た、ブレーク動作前に、エアシリンダ36はオフとな
り、ロッド36aは突出し、これにより回転腕31は時
計方向に回転し、スクライバ41は上昇し待機位置に戻
る。
After the scribing is completed, the Y table 12 is further moved in the front direction of FIG. 1 to position the wafer W2 in the processing area of the break unit 50, as shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b). State. The groove 52b of the breaker cradle 52 and the arc portion 60a of the breaker 60 are opposed to each other with the striation P formed by the scribe operation therebetween. Further, before the break operation, the air cylinder 36 is turned off and the rod 36a projects, whereby the rotating arm 31 rotates clockwise, the scriber 41 moves up, and returns to the standby position.

【0057】図4(a)、(b)の状態で、カムモータ
56が所定量作動するとブレークカム55が所定角度回
転する。この回転により板バネ54が上方に押し上げら
れ、ブレーカ60はシート24に接触し始めるが、この
時のブレーカ60の円弧部60aはシート24に対して
平行で円弧部60aは長さ方向全体にわたってシート2
4に接触する。
In the state shown in FIGS. 4A and 4B, when the cam motor 56 operates by a predetermined amount, the break cam 55 rotates by a predetermined angle. By this rotation, the leaf spring 54 is pushed upward, and the breaker 60 begins to contact the seat 24. At this time, the arc portion 60a of the breaker 60 is parallel to the seat 24, and the arc portion 60a extends over the entire length of the seat. Two
Touch 4.

【0058】さらに図6で示すように、ブレーカ60が
力FFをもって上昇すると、ブレーカ60の先端の円弧
部60aによってシート24ごとウエハW2がブレーカ
受け台52に接触する高さまで押し上げられる。ブレー
カ受け台52の左押圧面52c、右押圧面52dは、シ
ート24を固定する挟持部18c、18dよりも高い位
置にあるので、シート24は挟持部18c、18dそれ
ぞれに引っ張られ、ウエハW2の左右両辺の剛性に負け
てその部分でわずかに折れ、張力F1、F2が発生す
る。張力F1、F2の発生により、ブレーカ60の上昇
力FFに対抗する反力f1、f2が発生する。これら反
力f1、f2と、上昇力FFにより図6(b)に示すよ
うな、曲げモーメントが発生する。ウエハW2にかかる
曲げモーメントは、シート24に接触している円弧部6
0aが丸く形成されていることにより、ブレーカ60部
分が最大ではあってもその頂点部分T1はなだらかな丸
みを有する。
Further, as shown in FIG. 6, when the breaker 60 is lifted with force FF, the arcuate portion 60a at the tip of the breaker 60 pushes up the wafer W together with the sheet 24 to a height at which the wafer W2 contacts the breaker cradle 52. Since the left pressing surface 52c and the right pressing surface 52d of the breaker cradle 52 are located higher than the sandwiching portions 18c and 18d for fixing the sheet 24, the sheet 24 is pulled by the sandwiching portions 18c and 18d, respectively, and the wafer W2 It loses the rigidity of both the left and right sides and slightly breaks at that portion, and tensions F1 and F2 are generated. Due to the generation of the tensions F1 and F2, reaction forces f1 and f2 that oppose the rising force FF of the breaker 60 are generated. A bending moment as shown in FIG. 6B is generated by the reaction forces f1 and f2 and the ascending force FF. The bending moment applied to the wafer W2 is caused by the arc portion 6 in contact with the sheet 24.
Since 0a is formed in a round shape, the top portion T1 of the breaker 60 has a gentle roundness even if the breaker 60 is the largest.

【0059】また、ウエハW2には、図6(b)の実線
で示すように、垂直面にせん断力が発生する。従来の図
10で示したインパルスバ−1のように鋭角であると、
インパルスバー1の当接点を中心に互いに逆方向に大き
なせん断力がかかり、図6(c)の点線で示すようなせ
ん断力が発生してしまう。このようにせん断力がかかる
と、インパクト部分を中心に上下にずれる力が大きく作
用することになり、化合物半導体では好ましくない。し
かし、本実施の形態では、曲げモーメントの頂点部分T
1はなだらかであることから、せん断力は、ブレーカ6
0の円弧部60aの当接位置を中心に、点線で示すよう
に変わるのではなく、実線で示すように斜めにややなだ
らかに変化するので、ブレーク部分にかかる逆方向のせ
ん断力の差が小さく、ずれ方向の力が小さい。
Further, as shown by the solid line in FIG. 6B, a shearing force is generated on the wafer W2 on the vertical surface. If it is an acute angle like the impulse bar-1 shown in FIG.
Large shearing forces are applied in mutually opposite directions around the contact point of the impulse bar 1, and shearing forces as indicated by the dotted line in FIG. 6C are generated. When the shearing force is applied in this way, a force that vertically shifts around the impact portion acts largely, which is not preferable in the compound semiconductor. However, in the present embodiment, the peak portion T of the bending moment is
Since 1 is gentle, the shear force is 6
Around the contact position of the circular arc portion 60a of 0, it does not change as shown by the dotted line, but it changes slightly obliquely as shown by the solid line, so the difference in the shearing force in the opposite direction applied to the break portion is small. , The force in the displacement direction is small.

【0060】一方、ブレーカ60の上昇により、スクラ
イブされた条痕P部分には、応力が集中している。やが
て、ウエハW2とブレーカ受け台52は、条痕Pがブレ
ーカ受け台52の左押圧面52cと右押圧面52dで挟
まれるように近づき、左押圧面52cがウエハW2と接
触し、片側でのみ荷重を受けた状態でさらに条痕P部分
にかかる応力が増し、左押圧面52cで押されている面
がウエハW2から折れるようにして条痕Pから亀裂が生
じ、Y方向に沿ってへき開する。
On the other hand, the stress is concentrated on the scribed trace P portion due to the rise of the breaker 60. Eventually, the wafer W2 and the breaker cradle 52 approach each other so that the scratches P are sandwiched between the left pressing surface 52c and the right pressing surface 52d of the breaker cradle 52, and the left pressing surface 52c contacts the wafer W2, and only on one side. When the load is applied, the stress applied to the streak P portion further increases, and the surface pressed by the left pressing surface 52c is broken from the wafer W2 so that a crack is generated from the streak P and cleaves along the Y direction. .

【0061】以上の動作により最初の1本目のバーの作
製は終了し、ブレークカム55は元の回転位置まで回転
し、ブレーカ60は元の位置まで下がる。次に、2本目
のバーの作製のため、バーの幅分の距離Xテーブル13
が図1の左方向に移動する。以後、前述のスクライブ及
びブレイキングの動作を繰り返す。3本目以後のバーに
ついても同様である。なお、従来周知の技術を利用し
て、上記動作の最中、カメラ20でへき開の状況を監視
させ、へき開が途中で止まる、横方向(X方向)への亀
裂発生、へき開面に段差発生などの各種異常が発生した
場合には、画像処理CPU74から異常信号をCPU7
1に対して出力するようにしてもよい。
With the above operation, the production of the first bar is completed, the break cam 55 is rotated to the original rotation position, and the breaker 60 is lowered to the original position. Next, in order to manufacture the second bar, the distance X table 13 corresponding to the width of the bar
Moves to the left in FIG. After that, the above-mentioned operations of scribing and breaking are repeated. The same applies to the third and subsequent bars. It is to be noted that, by using a conventionally known technique, the state of cleavage is monitored by the camera 20 during the above operation, the cleavage is stopped in the middle, a crack is generated in the lateral direction (X direction), a step is generated on the cleavage surface, etc. When various abnormal conditions occur, the image processing CPU 74 sends an abnormal signal to the CPU 7
You may make it output to 1.

【0062】図7に制御回路70により行なわれるウエ
ハ加工処理のフローチャートを示した。この処理は、オ
ペレータがウエハW2及びシート24をセットしたシー
ト張り台18をθテーブル14上に取り付け、ステップ
S1で電源(図示略)をONしたときに開始する。次い
で、ステップS2で入力パネル81などからパラメータ
等が入力され、それに応じて各動作のパラメータの初期
値を設定する。
FIG. 7 shows a flowchart of the wafer processing process performed by the control circuit 70. This process is started when the operator mounts the sheet tensioner 18 on which the wafer W2 and the sheet 24 are set on the θ table 14 and turns on the power supply (not shown) in step S1. Next, in step S2, parameters and the like are input from the input panel 81 and the like, and the initial values of the parameters for each operation are set accordingly.

【0063】次いで、ステップS3で前記スタートボタ
ンが操作されたか否か監視し、操作されればステップS
4、ステップS5に移行する。ステップS4では、画像
処理CPU74からの画像情報と位置センサ73からの
検出信号に基づいて、現在のウエハW2の位置や角度を
演算により求める。ステップS5においては、スクライ
ブすべき位置にウエハW2を移動させるべく、θテーブ
ル14、Xテーブル13、Yテーブル12の現在の位置
から移動のための補正値を求め出力する処理を行い、こ
れに従い、各テーブル12〜14が移動する。なお、ス
テップS4、S5は、必ずしも順に実行されるというこ
とではなく、前述の動作からも分かるように、ウエハW
2の位置の検出と補正値の算出・出力は状況によって繰
り返してよい。
Next, in step S3, it is monitored whether or not the start button is operated, and if it is operated, step S3 is performed.
4, shift to step S5. In step S4, the current position and angle of the wafer W2 are calculated based on the image information from the image processing CPU 74 and the detection signal from the position sensor 73. In step S5, in order to move the wafer W2 to the position to be scribed, the correction value for the movement is calculated from the current positions of the θ table 14, the X table 13, and the Y table 12, and is output. Each table 12-14 moves. It should be noted that steps S4 and S5 are not necessarily executed in sequence, and as can be seen from the above-described operation, the wafer W
The detection of the position 2 and the calculation / output of the correction value may be repeated depending on the situation.

【0064】次に、ステップS6で、スクライブ処理を
行い、すなわち、エアシリンダ36をオンし、スクライ
バ41を回動させるとともに、Yテーブル12を移動さ
せながら、ウエハW2に傷を付ける。この処理が終了す
れば、エアシリンダ36をオフとし、スクライバ41を
元の位置に戻す。次に、ステップS7では、へき開(ブ
レーキング)処理を行い、すなわち、必要に応じてYテ
ーブル12を移動させ、ブレークカム55を回転させ、
ブレーカ60とブレーカ受け台52により、ステップS
6でスクライブした箇所においてウエハW2をへき開
し、最初のバーを作製する。この処理が終了すれば、ブ
レークカム55は元の回転位置に戻る。次に、ステップ
S8に移行し、ここでは、次のバーの作製のために、バ
ーの幅分の距離Xテーブル13を移動し、ステップS9
に移行する。ステップS9で、ウエハW2の末端まで到
達したか否か、つまりウエハW2を全てバーに分割した
か否か判定し、到達していないと判定すればステップS
6に戻り、到達していればこの加工処理を終了する。
Next, in step S6, a scribe process is performed, that is, the air cylinder 36 is turned on, the scriber 41 is rotated, and the Y table 12 is moved while the wafer W2 is scratched. When this process ends, the air cylinder 36 is turned off and the scriber 41 is returned to the original position. Next, in step S7, a cleaving process is performed, that is, the Y table 12 is moved and the break cam 55 is rotated, if necessary.
With the breaker 60 and the breaker cradle 52, step S
The wafer W2 is cleaved at the location scribed in 6 to produce the first bar. When this process ends, the break cam 55 returns to the original rotation position. Next, the process proceeds to step S8, in which the distance X table 13 corresponding to the width of the bar is moved to manufacture the next bar, and step S9 is performed.
Move to. In step S9, it is determined whether the end of the wafer W2 has been reached, that is, whether the wafer W2 has been divided into all the bars. If it is determined that the wafer W2 has not been reached, step S9 is performed.
The process returns to step 6, and if reached, this processing is terminated.

【0065】以上の半導体ウエハ加工装置10及びこの
装置による加工方法によれば、Xテーブル13、Yテー
ブル12、θテーブル14でウエハW2を移動しなが
ら、スクライブユニット30とブレークユニット50に
よりウエハW2をY方向に沿って割ることができる。ま
た、スクライブユニット30とブレークユニット50
は、ウエハW2に対するそれぞれの作用点がY方向を通
る1つの鉛直面内にあるように、並んで設けられている
ことから、スクライブで1つの傷を付けた後すぐにブレ
ーク加工する、いわゆるワンバイワン方式の工程が容易
に可能となる。スクライブ工程後、スクライブユニット
30からブレークユニット50への移動が必要である場
合でも、Y方向に一直線に移動させるだけでよいので、
時間的な効率が高い。さらに、一直線の移動により位置
の精度が高いので、スクライブによる傷に対してずれる
ことなくブレークさせることができるので所望のライン
以外の箇所に傷が付いてしまうことは少なく、前述のよ
うに表面の傷に弱い化合物半導体ウエハに好適である。
According to the semiconductor wafer processing apparatus 10 and the processing method using this apparatus, the wafer W2 is moved by the scribe unit 30 and the break unit 50 while the wafer W2 is moved by the X table 13, the Y table 12, and the θ table 14. It can be split along the Y direction. In addition, the scribe unit 30 and the break unit 50
Are arranged side by side so that the respective points of action on the wafer W2 are within one vertical plane passing through the Y direction, so that a so-called one-by-one break processing is performed immediately after making one scratch by scribe. The method steps can be easily performed. Even if it is necessary to move the scribing unit 30 to the break unit 50 after the scribing process, it is only necessary to move the scribing unit 30 in a straight line in the Y direction.
High time efficiency. Furthermore, since the position accuracy is high due to the movement of a straight line, it is possible to make a break without shifting with respect to the scratches caused by the scribe, so that it is unlikely that scratches will be attached to places other than the desired line, and as described above, It is suitable for compound semiconductor wafers that are susceptible to scratches.

【0066】また、ウエハW2を固定するシート24
は、X方向に張力がかかるようにシート張り台18に張
られていることから、ブレーク時にウエハW2に力が加
えられたときに、円形枠にシートが張られている従来の
装置のように力がシート面上で様々な方向に分散してし
まうことはなく、ブレーカ60からの力を十分にウエハ
W2に伝達することができる。また、予想しない方向に
シートが伸び縮みすることはなく、シートの伸び縮みに
よるバーへの力学的な影響を十分予想できるようになる
ので、ブレーク後のバー同士がぶつかり合うを防ぐ手立
てを講じやすい。
The sheet 24 for fixing the wafer W2
Is stretched on the sheet tensioner 18 so that tension is applied in the X direction, so that when a force is applied to the wafer W2 at the time of break, the sheet is stretched in a circular frame as in the conventional apparatus. The force is not dispersed in various directions on the sheet surface, and the force from the breaker 60 can be sufficiently transmitted to the wafer W2. In addition, the seat does not expand or contract in an unexpected direction, and it is possible to fully predict the mechanical influence of the expansion and contraction of the bar on the bar, so it is easy to take measures to prevent the bars from colliding with each other after the break. .

【0067】エアシリンダ36の出没速度を変えるとい
う簡単な方法で、ウエハの種類などに応じてスクライブ
時の衝撃力を制御できる。また、ブレークカム55の回
転量を変えるという簡単な方法で、ウエハの種類などに
応じてブレーク時の衝撃力を制御できる。
The impact force at the time of scribing can be controlled according to the type of wafer by a simple method of changing the speed at which the air cylinder 36 appears and disappears. Further, the impact force at the time of break can be controlled according to the type of wafer by a simple method of changing the rotation amount of the break cam 55.

【0068】さらに、ブレーカ60の先端が断面円弧状
に形成されているので、ブレーカ60がシート24を介
してウエハW2に与える衝撃力によって発生するせん断
力について、ブレーカ60の先端を中心とする正負の変
化をなだらかなものとすることができ、せん断力による
悪影響を小さくすることができ、柔らかい量子井戸構造
を有する化合物半導体ウエハに好適である。
Further, since the tip of the breaker 60 is formed in an arcuate cross section, the shearing force generated by the impact force applied to the wafer W2 by the breaker 60 via the sheet 24 is positive or negative about the tip of the breaker 60. Can be made gentle, the adverse effect due to shearing force can be reduced, and it is suitable for a compound semiconductor wafer having a soft quantum well structure.

【0069】加えて、ブレーカ受け台52の下面は、シ
ート24上のウエハW2の表面よりも上であるので、ブ
レーカ60によってシート24ごとウエハW2がブレー
カ受け台52と接するように押し上げられると、ブレー
カ60の当接部分を頂点としてシート24が山型に変形
し、これにより曲げモーメントが所望の、つまり円弧部
60aが当接しているウエハ部分で最大になり、応力集
中により容易にブレークすることができる。ブレーカ受
け台52はウエハW2よりも硬度の低い柔らかい材料か
ら形成されているので、ブレーク時に受け台によってウ
エハ表面が傷つくことは少なく、柔らかい化合物半導体
ウエハに適している。
In addition, since the lower surface of the breaker cradle 52 is above the surface of the wafer W2 on the sheet 24, when the wafer W2 together with the sheet 24 is pushed up by the breaker 60 so as to come into contact with the breaker cradle 52, The sheet 24 is deformed into a mountain shape with the contact portion of the breaker 60 as the apex, whereby the bending moment is maximized at the desired wafer portion where the arc portion 60a is in contact, and the break easily due to stress concentration. You can Since the breaker pedestal 52 is formed of a soft material having a hardness lower than that of the wafer W2, the wafer surface is less likely to be damaged by the pedestal at the time of break, and is suitable for a soft compound semiconductor wafer.

【0070】以上のように、加工装置10及びこの装置
による加工方法によれば、ウエハへのストレスを極力小
さくすることができ、傷つきやすい化合物半導体ウエハ
のバー作製に非常に適している。
As described above, according to the processing apparatus 10 and the processing method using this apparatus, the stress on the wafer can be minimized, and it is very suitable for producing a bar of a compound semiconductor wafer which is easily damaged.

【0071】<変形例>図8には、図1に示した加工装
置10の変形例を示した。ここでは、加工装置10と異
なる構成を中心に示し、その他の構成については省略し
ている。また、図1〜図4に示された部材で説明の都合
上必要な部材については、同符号を付して記載する。図
8で図1の加工装置10と異なる点は、切断後のバーを
一定箇所に集める点で、シートクランプ部材92、ガイ
ド筒95、アンローディング台97などを備える。
<Modification> FIG. 8 shows a modification of the processing apparatus 10 shown in FIG. Here, the configuration different from that of the processing apparatus 10 is mainly shown, and other configurations are omitted. Further, the members shown in FIGS. 1 to 4 which are necessary for convenience of explanation are denoted by the same reference numerals. 8 is different from the processing apparatus 10 of FIG. 1 in that the cut bars are gathered at certain positions, and the sheet clamp member 92, the guide cylinder 95, the unloading table 97, and the like are provided.

【0072】図8の加工装置では、ウエハW2を貼り付
けたシート24の一辺側を、シート張り台18の挟持部
18c同様の挟持部90によって挟持する。この挟持部
90は、Xテーブル13と共に移動可能である。シート
24の他辺側は、シートクランプ部材92によってクラ
ンプされている。シートクランプ部材92は、エアシリ
ンダ91のロッド91aに固定されており、エアシリン
ダ91によってシートクランプ部材92がX方向に平行
する矢印x1方向に引っ張られることで、シート24に
対してほぼ一定の張力がかかるようになっている。エア
シリンダ91はベース11に対して直接または間接的に
固定されている。
In the processing apparatus shown in FIG. 8, one side of the sheet 24 to which the wafer W2 is attached is held by the holding section 90 similar to the holding section 18c of the sheet tensioning table 18. The sandwiching unit 90 can move together with the X table 13. The other side of the seat 24 is clamped by a seat clamp member 92. The sheet clamp member 92 is fixed to the rod 91a of the air cylinder 91, and the air cylinder 91 pulls the sheet clamp member 92 in the direction of arrow x1 parallel to the X direction, so that the sheet 24 has a substantially constant tension. It is supposed to take. The air cylinder 91 is directly or indirectly fixed to the base 11.

【0073】ブレークユニット50の近傍には、キセノ
ンランプや水銀ランプなどの紫外線発光源(紫外線照射
手段)93と、この紫外線発光源93の一方側を被うよ
うに反射板94が設けられている。紫外線発光源93と
対峙するように、半透明で断面半円状のガイド筒95が
設けられ、シート24は、ガイド筒95の外面側を覆う
ように接している。さらに、ガイド筒95と対向するよ
うにウエハガイド98が設けられ、その下方にウエハW
2のバーw、w…が順に降ろされるアンローディング台
(ウエハ集合部)97が設けられている。また、ガイド
筒95の内側であって、アンローディング台97よりわ
ずかに上方にシート24に張り付いている各バーwを突
いてアンローディング台97に降ろすための針(押し出
し部材)96がX方向に往復移動可能に取り付けられて
いる。なお、針96は図8では1本のみ図示している
が、バーwの長さ方向、つまり図8の紙面の奥行き方向
に複数本設けられている。紫外線発光源93、反射板9
4、ガイド筒95、アンローディング台97はウエハW
2の移動とは無関係に固定されている。
In the vicinity of the break unit 50, an ultraviolet light emission source (ultraviolet irradiation means) 93 such as a xenon lamp or a mercury lamp, and a reflection plate 94 are provided so as to cover one side of the ultraviolet light emission source 93. . A translucent guide cylinder 95 having a semicircular cross section is provided so as to face the ultraviolet light emission source 93, and the sheet 24 is in contact with the guide cylinder 95 so as to cover the outer surface side thereof. Further, a wafer guide 98 is provided so as to face the guide cylinder 95, and the wafer W is provided below the wafer guide 98.
An unloading table (wafer collecting section) 97 on which two bars w, w ... Further, inside the guide cylinder 95, a needle (pushing member) 96 for thrusting each bar w attached to the sheet 24 slightly above the unloading table 97 and lowering it to the unloading table 97 is in the X direction. It is attached so that it can reciprocate. Although only one needle 96 is shown in FIG. 8, a plurality of needles 96 are provided in the length direction of the bar w, that is, in the depth direction of the paper surface of FIG. Ultraviolet light emitting source 93, reflector 9
4, the guide cylinder 95 and the unloading table 97 are wafers W
It is fixed regardless of the movement of 2.

【0074】図8の加工装置では、図1の加工装置10
同様にスクライブと、ブレークユニット50によるへき
開(ブレーク)を交互に繰り返しながら、バーwを1本
ずつ作製していく。1本バーwを作製するとXテーブル
13を図8の左方向にバーwの幅の分移動させて、次の
スクライブ・ブレークを行なう。このXテーブル13の
移動によりシート24が弛まないように、エアシリンダ
91のロッド91aを介してシートクランプ92が矢印
x1方向に移動し、シート24を引っ張る。1本バーw
を作製するごとに以上の動作を繰り返していき、作製さ
れたバーw、w…は、シート24ごとガイド筒95側に
向かう。紫外線発光源93から発せられた紫外線はシー
ト24の裏面を直接、あるいはガイド筒95を介してシ
ート24の裏面を照射する。これにより、シート24の
粘着性は消失する。この状態でシート24及びバーw、
w…はガイド筒95及びウエハガイド98にガイドされ
て下降していき、アンローディング台97に自然と載置
される。ガイド筒95及びウエハガイド98は円弧状で
あるので、これらに沿って移動することで、各バーw
は、自然にその表面が鉛直面に立つように向きを変え
て、アンローディング台97に移動する。
In the processing apparatus of FIG. 8, the processing apparatus 10 of FIG.
Similarly, the scribe and the cleavage by the break unit 50 (break) are alternately repeated to produce one bar w at a time. When one bar w is manufactured, the X table 13 is moved leftward in FIG. 8 by the width of the bar w, and the next scribe break is performed. The sheet clamp 92 is moved in the arrow x1 direction via the rod 91a of the air cylinder 91 so that the sheet 24 is not loosened by the movement of the X table 13, and the sheet 24 is pulled. 1 bar w
The above-described operation is repeated every time the sheet is manufactured, and the manufactured bars w, w ... Head toward the guide cylinder 95 side together with the sheet 24. The ultraviolet light emitted from the ultraviolet light emitting source 93 irradiates the back surface of the sheet 24 directly or via the guide tube 95 to the back surface of the sheet 24. As a result, the tackiness of the sheet 24 disappears. In this state, the seat 24 and the bar w,
The w is guided by the guide tube 95 and the wafer guide 98 to descend, and is naturally placed on the unloading table 97. Since the guide cylinder 95 and the wafer guide 98 are arcuate, by moving along them, each bar w
Moves to the unloading table 97 by naturally changing its direction so that its surface stands vertically.

【0075】ここで、紫外線を照射されてからすぐにア
ンローディング台97に達するのではなく、ガイド筒9
5とウエハガイド98に誘導され所定経路を経ること
で、照射後シート24の粘着性が消失するまでの反応時
間を確保することができる。しかし、シート24に粘着
性が残存するなどしてバーwが自然にアンローディング
台97に降りなかった場合には、針96で突かれ、強制
的にシート24から離れアンローディング台97に降ろ
される。なお、粘着性とは関係なく必ず針96で突かれ
るようにしてもよい。
Here, instead of reaching the unloading table 97 immediately after being irradiated with ultraviolet rays, the guide tube 9
5 and the wafer guide 98, the reaction time until the adhesiveness of the sheet 24 disappears after irradiation can be secured by passing through the predetermined path. However, when the bar w does not naturally descend to the unloading table 97 due to the adhesiveness remaining on the sheet 24, the bar w is pierced by the needle 96 and is forcibly separated from the sheet 24 and lowered to the unloading table 97. . It should be noted that the needle 96 may always be used for sticking regardless of the adhesiveness.

【0076】以上の加工装置及びそれによる加工方法に
よれば、前記加工装置10の作用効果を奏するのは勿論
のこと、アンローディング台97に自然に各バーwが並
んでいき、図11(b)で示した断積み状態になってい
く。従って、1つ1つのバーwを手作業で取扱いながら
重ねる作業を省略することが可能となるので、断積み作
業によるウエハの損傷を防ぐことができ、かつ、この作
業時間を省略することができるので作業効率が飛躍的に
向上する。
According to the above processing apparatus and the processing method using the processing apparatus, the bars w are naturally arranged on the unloading table 97 as well as the effects of the processing apparatus 10 as shown in FIG. ). Therefore, it is possible to omit the work of stacking the individual bars w while manually handling them, so that it is possible to prevent the wafers from being damaged by the stacking work, and to omit this work time. Therefore, work efficiency is dramatically improved.

【0077】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
るものではなく、具体的な形状・構造等適宜変更可能で
あるのは勿論である。例えば、上記各実施の形態におけ
るスクライブユニットにおけるスクライバは、ウエハに
突き入れた状態のまま、ウエハの方をY方向に移動させ
て傷を形成したが、図9に示すようにスクライバ200
をウエハW2に対して支点201を中心に回動させるこ
とで、ウエハW2の表面に円弧状の条痕を形成するよう
に構成してもよい。又はスクライバーの上下に同期して
Y方向に移動させてもよい。このときのスクライバ受け
台は、形成する円弧のY方向の長さに十分足りる長さに
形成する。このような方法であれば、ウエハW2に最初
に突き入るときの衝撃を小さくし好ましくない亀裂の発
生を防ぐとともに、衝撃が小さくとも徐々に深くなるの
で確実にウエハに傷を付けることができる。
The present invention is not limited to the above embodiment, and it is needless to say that the specific shape and structure can be appropriately changed. For example, the scriber in the scribe unit according to each of the above-described embodiments moves the wafer in the Y direction in the state of being pushed into the wafer to form a scratch, but as shown in FIG.
May be rotated around the fulcrum 201 with respect to the wafer W2 to form arcuate scratches on the surface of the wafer W2. Alternatively, it may be moved in the Y direction in synchronization with the vertical direction of the scriber. At this time, the scriber pedestal is formed to have a length that is sufficient for the length of the arc to be formed in the Y direction. With such a method, the impact when the wafer W2 first enters is reduced to prevent the generation of undesired cracks, and the impact is gradually deepened even if the impact is small, so that the wafer can be surely scratched.

【0078】また、スクライブにより形成する傷は、へ
き開方向に長い条痕として形成するだけでなく、短く1
点付近に集中するようにしてもよい。その場合、ウエハ
W2の表面にスクライバを落とした状態でYテーブルを
往復移動させ、1箇所に傷を集中して形成すればよい。
The scratches formed by scribing are not only formed as long scratches in the cleavage direction, but also short 1
You may make it concentrate on a point vicinity. In that case, the Y table may be reciprocally moved with the scriber being dropped on the surface of the wafer W2 to form scratches at one location.

【0079】また、スクライブユニットやブレイクユニ
ットの具体的な駆動方法は、変更でき、例えば、駆動源
としてバネの付勢力、モータ、ソレノイド、エアシリン
ダなど各種用いることができる。さらに、本発明は、化
合物半導体ウエハをブレイク加工する際に特に有用では
あるが、適用するウエハは限定されるものではなく、シ
リコンウエハなど他の種類のウエハに用いてもよいのは
勿論である。
Further, the concrete driving method of the scribing unit and the breaking unit can be changed, and for example, various types such as a biasing force of a spring, a motor, a solenoid and an air cylinder can be used as a driving source. Furthermore, although the present invention is particularly useful in breaking compound semiconductor wafers, the wafers to which it is applied are not limited, and it goes without saying that it may be used for other types of wafers such as silicon wafers. .

【0080】[0080]

【発明の効果】本発明によれば、第1〜第3のテーブル
でウエハセット部上の半導体ウエハを移動しながら、ス
クライブ手段とブレーク手段によりウエハを第1の方向
または第2の方向のいずれかである所定の方向に沿って
割ることができる。また、スクライブ手段とブレーク手
段は、それぞれの半導体ウエハに対する作用点が前記所
定の方向を通る1つの鉛直面内にあるように、並んで設
けられていることから、スクライブで1つの傷を付けた
後すぐにブレーク加工する、いわゆるワンバイワン方式
の工程が容易に可能となる。スクライブ工程後、スクラ
イブ手段からブレーク手段への移動が必要である場合で
も、前記所定方向に一直線に移動させるだけでよいの
で、時間的な効率が高いし、さらに位置の精度が高く、
スクライブによる傷に対してずれることなくブレークさ
せることができるので所望のライン以外の箇所に傷が付
いてしまうことは少なく、前述のように表面の傷に弱い
化合物半導体ウエハに好適である。以上のように、ウエ
ハのバーを高い作業効率及び高い精度で作製できるの
で、化合物半導体ウエハの加工に非常に有用である。
According to the present invention, while moving the semiconductor wafer on the wafer setting section on the first to third tables, the scribe means and the break means move the wafer in either the first direction or the second direction. It can be split along a given direction, which is Further, since the scribing means and the break means are arranged side by side so that the point of action for each semiconductor wafer is within one vertical plane passing through the predetermined direction, one scratch is made by scribing. A so-called one-by-one method step of performing break processing immediately afterward becomes possible easily. Even after the scribing step, even if it is necessary to move from the scribing means to the break means, it is sufficient to move the scribing means in a straight line in the predetermined direction, so that the time efficiency is high and the position accuracy is high,
Since it is possible to make a break without shifting with respect to the scratches caused by the scribe, it is unlikely that scratches will occur on places other than the desired line, and it is suitable for a compound semiconductor wafer that is vulnerable to scratches on the surface as described above. As described above, the bar of the wafer can be manufactured with high work efficiency and high accuracy, which is very useful for processing the compound semiconductor wafer.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一例としての半導体ウエハ加工装置を
示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a semiconductor wafer processing apparatus as an example of the present invention.

【図2】図1の半導体ウエハ加工装置に設けられるスク
ライブユニットを示す側面図である。
FIG. 2 is a side view showing a scribing unit provided in the semiconductor wafer processing apparatus of FIG.

【図3】(a)は図2のスクライブユニットにより形成
されるウエハ上の条痕の位置を示し、(b)は条痕の平
面図であり、(c)は条痕の断面図である。
3A shows the position of a scratch on the wafer formed by the scribe unit of FIG. 2, FIG. 3B is a plan view of the scratch, and FIG. 3C is a sectional view of the scratch. .

【図4】図1の半導体ウエハ加工装置に設けられるブレ
ークユニット50を示すもので、(a)は正面図、
(b)は側面図、(c)はブレーカの正面図である。
FIG. 4 shows a break unit 50 provided in the semiconductor wafer processing apparatus of FIG. 1, (a) is a front view,
(B) is a side view and (c) is a front view of the breaker.

【図5】図1の半導体ウエハ加工装置の制御回路を示す
ブロック図である。
5 is a block diagram showing a control circuit of the semiconductor wafer processing apparatus of FIG.

【図6】(a)はブレーク時の力学的要素を説明するた
めの図であり、(b)はブレーク時の曲げモーメントを
示す図であり、(c)はせん断力を示す図である。
6A is a diagram for explaining a mechanical element at the time of break, FIG. 6B is a diagram showing a bending moment at the time of break, and FIG. 6C is a diagram showing a shearing force.

【図7】図5の制御回路による加工処理のフローチャー
トである。
7 is a flowchart of a processing process by the control circuit of FIG.

【図8】図1の半導体ウエハ加工装置の変形例を示す概
略図である。
FIG. 8 is a schematic view showing a modified example of the semiconductor wafer processing apparatus of FIG.

【図9】スクライバの動作の他の例を示す概略図であ
る。
FIG. 9 is a schematic diagram showing another example of the operation of the scriber.

【図10】(a)及び(b)は従来の半導体ウエハ加工
装置でシリコンウエハを分割する様子を説明するための
図であり、(c)及び(d)は従来の装置で化合物半導
体ウエハをへき開する場合を説明するための図である。
10 (a) and 10 (b) are views for explaining a state of dividing a silicon wafer in a conventional semiconductor wafer processing apparatus, and FIGS. 10 (c) and 10 (d) are compound semiconductor wafers in a conventional apparatus. It is a figure for demonstrating the case of cleaving.

【図11】(a)は化合物半導体ウエハをバー状に分割
した斜視図であり、(b)はバーをまとめてコーティン
グ処理するために断積みした状態を示す斜視図である。
FIG. 11A is a perspective view in which a compound semiconductor wafer is divided into bars, and FIG. 11B is a perspective view showing a state in which the bars are stacked and stacked for a coating process.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 半導体ウエハ加工装置 11 ベース 12 Yテーブル(第1のテーブル) 13 Xテーブル(第2のテーブル) 14 θテーブル(第3のテーブル) 15 Y駆動モータ(第1テーブル駆動手段) 16 X駆動モータ(第2テーブル駆動手段) 17 θ駆動モータ(第3テーブル駆動手段) 18 シート張り台(ウエハセット部) 20 カメラ(画像処理手段) 24 シート 30 スクライブユニット(スクライブ手段) 31 回転腕 34 スクライブ受け台 37 引張りバネ(バネ部材) 36 エアシリンダ 41 スクライバ 50 ブレークユニット(ブレーク手段) 52 ブレーカ受け台 54 板バネ 55 ブレークカム 56 カムモータ 60 ブレーカ 60a 円弧部 70 制御回路 71 CPU(制御手段) 74 画像処理CPU(画像処理手段) 75 画像入力ボード(画像処理手段) 91 エアシリンダ 92 シートクランプ部材 93 紫外線発光源(紫外線照射手段) 95 ガイド筒 96 針(押し出し部材) 97 アンローディング台 98 ウエハガイド W2 ウエハ w バー 10 Semiconductor wafer processing equipment 11 base 12 Y table (first table) 13 X table (second table) 14 θ table (third table) 15 Y drive motor (first table drive means) 16 X drive motor (second table drive means) 17 θ drive motor (third table drive means) 18 Sheet tension base (wafer setting part) 20 camera (image processing means) 24 sheets 30 scribing unit (scribing means) 31 rotating arm 34 scribe cradle 37 Tension spring (spring member) 36 Air cylinder 41 scribe 50 break units (break means) 52 breaker cradle 54 leaf spring 55 Break Come 56 cam motor 60 breakers 60a arc part 70 Control circuit 71 CPU (control means) 74 Image processing CPU (image processing means) 75 Image input board (image processing means) 91 Air cylinder 92 Sheet clamp member 93 Ultraviolet emission source (ultraviolet irradiation means) 95 Guide tube 96 needles (extrusion member) 97 Unloading stand 98 Wafer Guide W2 wafer w bar

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 勇二 東京都調布市国領町8丁目2番地の1 ジ ューキ株式会社内 (72)発明者 篠崎 雅則 東京都調布市国領町8丁目2番地の1 ジ ューキ株式会社内 (72)発明者 池田 健志 東京都調布市国領町8丁目2番地の1 ジ ューキ株式会社内 (72)発明者 中村 征夫 東京都調布市国領町8丁目2番地の1 ジ ューキ株式会社内   ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Yuji Yamamoto             1 J, 8-2 Kokuryo-cho, Chofu-shi, Tokyo             Within TUKI CORPORATION (72) Inventor Masanori Shinozaki             1 J, 8-2 Kokuryo-cho, Chofu-shi, Tokyo             Within TUKI CORPORATION (72) Inventor Takeshi Ikeda             1 J, 8-2 Kokuryo-cho, Chofu-shi, Tokyo             Within TUKI CORPORATION (72) Inventor Masao Nakamura             1 J, 8-2 Kokuryo-cho, Chofu-shi, Tokyo             Within TUKI CORPORATION

Claims (22)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ベース上に、 第1の方向に往復移動する第1のテーブルと、 前記第1の方向に直交する第2の方向に往復移動する第
2のテーブルと、 前記第1の方向と前記第2の方向の両方に直交する直線
を中心に回転運動する第3のテーブルと、 第1のテーブルと第2のテーブルと第3のテーブルそれ
ぞれの移動に伴って移動し、半導体ウエハをセットする
ためのウエハセット部と、 ウエハセット部にセットされた半導体ウエハの表面に、
傷を付けるスクライブ手段と、 スクライブ手段によって形成された半導体ウエハの傷部
分に力を加えて、第1の方向または第2の方向のいずれ
かである所定の方向に沿って割るブレーク手段とを備
え、 第1のテーブルと第2のテーブルと第3のテーブルは水
平面にほぼ平行するように重ねて設けられている半導体
ウエハ加工装置であって、 スクライブ手段とブレーク手段は、半導体ウエハに対す
るそれぞれの作用点が前記所定の方向を通る鉛直面内に
あるように、並んで設けられていることを特徴とする半
導体ウエハ加工装置。
1. A first table reciprocating in a first direction on a base, a second table reciprocating in a second direction orthogonal to the first direction, and the first direction. And a third table that rotates about a straight line orthogonal to both the second direction and the first table, the second table, and the third table. On the surface of the semiconductor wafer set in the wafer setting section for setting and the wafer setting section,
And a break means for applying a force to the scratched portion of the semiconductor wafer formed by the scribing means and breaking along a predetermined direction which is either the first direction or the second direction. In the semiconductor wafer processing apparatus, the first table, the second table, and the third table are provided so as to be superposed so as to be substantially parallel to a horizontal plane, and the scribe means and the break means respectively act on the semiconductor wafer. A semiconductor wafer processing apparatus, wherein the points are provided side by side so that the points are in a vertical plane passing through the predetermined direction.
【請求項2】半導体ウエハは、半導体ウエハのへき開方
向と、前記所定の方向が一致するようにセットされるこ
とを特徴とする請求項1に記載の半導体ウエハ加工装
置。
2. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor wafer is set so that the cleavage direction of the semiconductor wafer and the predetermined direction coincide with each other.
【請求項3】半導体ウエハは、第1の方向または第2の
方向のいずれかに平行し、かつ、前記所定の方向とは直
交する方向に張力がかかるようにウエハセット部に対し
て張られているシート上に、実質的に固定されているこ
とを特徴とする請求項1または2に記載の半導体ウエハ
加工装置。
3. A semiconductor wafer is stretched with respect to a wafer setting section so that tension is applied in a direction parallel to either the first direction or the second direction and orthogonal to the predetermined direction. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the semiconductor wafer processing apparatus is substantially fixed on the sheet.
【請求項4】スクライブ手段は、半導体ウエハの表面に
接触して傷を付けるスクライバと、スクライバによって
半導体ウエハの表面に傷を付ける際にシートを介して半
導体ウエハを支持するスクライブ受け台とを備えること
を特徴とする請求項3に記載の半導体ウエハ加工装置。
4. The scribe means comprises a scriber that contacts and scratches the surface of the semiconductor wafer, and a scribe cradle that supports the semiconductor wafer through a sheet when the scriber scratches the surface of the semiconductor wafer. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 3, wherein:
【請求項5】スクライブ手段は、 スクライバを保持し角度調節可能なホルダが取り付けら
れ、鉛直面内において回転可能である回転腕と、 回転腕を、スクライバが上から下に向かって移動するよ
うに付勢するバネ部材と、 バネ部材の付勢力に抗して回転腕の回転を規制するスト
ッパをロッドの先端に有するエアシリンダとを備え、 エアシリンダのロッドの出没によるストッパの移動方向
に応じて、スクライバが半導体ウエハに対して接離する
ように回転腕が回転することを特徴とする請求項4に記
載の半導体ウエハ加工装置。
5. A scribing means is provided with a holder for holding a scriber and having an adjustable angle, the rotating arm being rotatable in a vertical plane, and the rotating arm so that the scriber moves downward from above. It is equipped with a spring member for urging, and an air cylinder having a stopper at the tip of the rod that restricts the rotation of the rotating arm against the urging force of the spring member, depending on the direction of movement of the stopper due to the protruding and retracting of the rod of the air cylinder. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 4, wherein the rotating arm rotates so that the scriber comes into contact with and separates from the semiconductor wafer.
【請求項6】ロッドの出没速度を変えることで、スクラ
イバが半導体ウエハの表面に接触するときに与える衝撃
力を変更することを特徴とする請求項5に記載の半導体
ウエハ加工装置。
6. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 5, wherein the impact force applied when the scriber comes into contact with the surface of the semiconductor wafer is changed by changing the protruding / retracting speed of the rod.
【請求項7】スクライバは、円弧に沿って移動しながら
半導体ウエハの表面に断面円弧状の傷を付けることを特
徴とする請求項4に記載の半導体ウエハ加工装置。
7. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 4, wherein the scriber scratches the surface of the semiconductor wafer in an arc shape in section while moving along the arc.
【請求項8】ブレーク手段は、上下方向に移動可能に構
成され、シートの下方から半導体ウエハに対して衝撃力
を与えるブレーカと、半導体ウエハの上方に固定され、
ブレーカから衝撃が与えられた半導体ウエハの上面を押
えるブレーカ受け台とを備えることを特徴とする請求項
3に記載の半導体ウエハ加工装置。
8. The break means is configured to be movable in the vertical direction, and is fixed above the semiconductor wafer and a breaker that applies an impact force to the semiconductor wafer from below the sheet.
The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 3, further comprising a breaker cradle that presses an upper surface of the semiconductor wafer that is impacted by the breaker.
【請求項9】ブレーク手段は、 ベースに対して直接または間接的に固定されている板バ
ネと、 板バネの下面に接触し、回転することで板バネを上下に
駆動する偏芯カムと、 偏芯カムを回転駆動するカムモータとを備え、 ブレーカは板バネ上に設けられていることを特徴とする
請求項8に記載の半導体ウエハ加工装置。
9. The break means includes a leaf spring fixed directly or indirectly to the base, an eccentric cam that contacts the lower surface of the leaf spring and rotates to drive the leaf spring up and down. 9. A semiconductor wafer processing apparatus according to claim 8, further comprising: a cam motor that rotationally drives the eccentric cam, and the breaker is provided on a leaf spring.
【請求項10】偏芯カムの回転量を変えることで、ブレ
ーカがシートを介して半導体ウエハに与える衝撃力を変
更することを特徴とする請求項9に記載の半導体ウエハ
加工装置。
10. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 9, wherein the impact force applied to the semiconductor wafer by the breaker via the sheet is changed by changing the rotation amount of the eccentric cam.
【請求項11】シートに接触するブレーカの先端が断面
円弧状に形成されていることを特徴とする請求項8〜1
0のいずれか記載の半導体ウエハ加工装置。
11. A breaker which comes into contact with the sheet has a tip formed in an arcuate cross section.
0. The semiconductor wafer processing apparatus according to any one of 0.
【請求項12】ブレーカ受け台の下面は、ウエハセット
部に張られたシート上の半導体ウエハの表面よりも上で
あることを特徴とする請求項8〜11のいずれかに記載
の半導体ウエハ加工装置。
12. The semiconductor wafer processing according to claim 8, wherein a lower surface of the breaker pedestal is higher than a surface of the semiconductor wafer on the sheet stretched in the wafer setting section. apparatus.
【請求項13】ブレーカ受け台は、半導体ウエハよりも
硬度の低い材料から形成されていることを特徴とする請
求項8〜12のいずれかに記載の半導体ウエハ加工装
置。
13. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 8, wherein the breaker pedestal is made of a material having a hardness lower than that of the semiconductor wafer.
【請求項14】第1のテーブルを駆動する第1テーブル
駆動手段と、 第2のテーブルを駆動する第2テーブル駆動手段と、 第3のテーブルを駆動する第3テーブル駆動手段と、 スクライブ及びブレークに関する各種データを入力する
ための入力パネルと、 半導体ウエハの位置を検出する検出手段と、 半導体ウエハの画像を取得しデータとして処理する画像
処理手段と、 検出手段からの検出結果と画像処理手段からの画像デー
タに基づいて、半導体ウエハをスクライブ及びブレーク
それぞれのため所定の位置に移動するように、第1テー
ブル駆動手段と第2テーブル駆動手段と第3テーブル駆
動手段を制御する制御手段とを備えることを特徴とする
請求項1〜13のいずれかに記載の半導体ウエハ加工装
置。
14. A first table driving means for driving a first table, a second table driving means for driving a second table, a third table driving means for driving a third table, a scribe and a break. An input panel for inputting various data relating to the semiconductor wafer, a detecting means for detecting the position of the semiconductor wafer, an image processing means for acquiring an image of the semiconductor wafer and processing it as data, a detection result from the detecting means and Control means for controlling the first table driving means, the second table driving means, and the third table driving means so as to move the semiconductor wafer to predetermined positions for scribing and breaking respectively based on the image data of 1. 14. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor wafer processing apparatus is a semiconductor wafer processing apparatus.
【請求項15】前記制御手段は、検出手段からの検出結
果と画像処理手段からの画像データから、第1のテーブ
ルと第2のテーブルと第3のテーブルそれぞれの移動す
べき値としての補正値を求め、第1テーブル駆動手段と
第2テーブル駆動手段と第3テーブル駆動手段に対し前
記補正値を指令として出力することを特徴とする請求項
14に記載の半導体ウエハ加工装置。
15. The control means, based on the detection result from the detection means and the image data from the image processing means, a correction value as a value to be moved in each of the first table, the second table and the third table. 15. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 14, wherein the correction value is output as a command to the first table driving means, the second table driving means, and the third table driving means.
【請求項16】第1のテーブルまたは第2のテーブルの
移動により、第1の方向または第2の方向のいずれかに
平行し、前記所定の方向とは直交する方向に、ブレーク
後の半導体ウエハをシートごと搬送し、 搬送されてきた半導体ウエハが1つずつ集まるウエハ集
合部とを備えることを特徴とする請求項3に記載の半導
体ウエハ加工装置。
16. A semiconductor wafer after a break in a direction parallel to either the first direction or the second direction and orthogonal to the predetermined direction due to the movement of the first table or the second table. 4. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 3, further comprising a wafer collecting unit that conveys the sheets together with the conveyed semiconductor wafers one by one.
【請求項17】前記シートとして紫外線で粘着性を失う
粘着シートを用い、 ブレーク直後からウエハ集合部までの間で、搬送中の粘
着シートに対し半導体ウエハの反対側から紫外線を照射
する紫外線照射手段を備えることを特徴とする請求項1
6記載の半導体ウエハ加工装置。
17. An ultraviolet irradiating means for irradiating the adhesive sheet being conveyed with ultraviolet rays from the opposite side of the semiconductor wafer between immediately after the break and the wafer collecting portion, using an adhesive sheet which loses its adhesiveness by ultraviolet rays as said sheet. 1. The method according to claim 1, further comprising:
6. The semiconductor wafer processing apparatus according to item 6.
【請求項18】シートの一端側は、ウエハを搬送させる
第1のテーブルまたは第2のテーブルに直接または間接
的に固定され、前記一端と対向する他端側は、ウエハの
搬送の際にシートが弛まないように搬送方向に平行にほ
ぼ一定の張力で引張られていることを特徴とする請求項
16または17記載の半導体ウエハ加工装置。
18. One end side of the sheet is directly or indirectly fixed to a first table or a second table for transferring the wafer, and the other end side opposite to the one end is a sheet for transferring the wafer. 18. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 16 or 17, wherein the semiconductor wafer processing apparatus is pulled by a substantially constant tension in parallel with the conveying direction so as not to sag.
【請求項19】ブレーク後にウエハが搬送される経路に
おいて、ウエハ集合部の手前には、円弧状のガイドが設
けられ、 半導体ウエハは、前記ガイドに沿って搬送されることで
その表面がほぼ鉛直面内に立つように向きを変えること
を特徴とする請求項16〜18のいずれか記載の半導体
ウエハ加工装置。
19. An arc-shaped guide is provided in front of the wafer collecting portion in the path along which the wafer is transferred after the break, and the surface of the semiconductor wafer is substantially vertical by being transferred along the guide. 19. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 16, wherein the orientation is changed so as to stand in a plane.
【請求項20】ウエハ集合部近傍に、半導体ウエハの反
対側からシートを突いて、半導体ウエハをウエハ集合部
に押し出す押し出し部材が設けられていることを特徴と
する請求項16〜19のいずれか記載の半導体ウエハ加
工装置。
20. An extruding member which projects a sheet from the opposite side of the semiconductor wafer and pushes the semiconductor wafer to the wafer collecting portion is provided in the vicinity of the wafer collecting portion. The semiconductor wafer processing apparatus described.
【請求項21】請求項1〜20のいずれか記載の半導体
ウエハ加工装置を用いた半導体ウエハの加工方法であっ
て、 半導体ウエハに対してスクライブ手段により1つ傷を付
けた後、続いてブレーク手段によりその傷を基に割るこ
とを特徴とする半導体ウエハの加工方法。
21. A method of processing a semiconductor wafer using the semiconductor wafer processing apparatus according to claim 1, wherein one scratch is made on the semiconductor wafer by a scribe means, and then a break is made. A method for processing a semiconductor wafer, characterized in that it is cracked by means of means.
【請求項22】ブレーク後、第1のテーブルまたは第2
のテーブルの移動により、半導体ウエハを第1の方向ま
たは第2の方向のいずれかに平行し、かつ、前記所定の
方向とは直交する方向に移動させ、次のスクライブ工程
及びブレーク工程を引き続き行うことを特徴とする請求
項21に記載の半導体ウエハの加工方法。
22. After the break, the first table or the second table
By moving the table, the semiconductor wafer is moved in a direction parallel to either the first direction or the second direction and orthogonal to the predetermined direction, and the next scribe step and break step are continuously performed. 22. The method for processing a semiconductor wafer according to claim 21, wherein
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