JP2003280991A

JP2003280991A - 情報処理装置

Info

Publication number: JP2003280991A
Application number: JP2003116052A
Authority: JP
Inventors: Kenji Kono; 健二河野; Masahiro Taguchi; 正弘田口; Tomo Takeda; 朋武田; Masanori Hirota; 匡紀広田; Junji Okada; 純二岡田; Masao Funada; 雅夫舟田; Takashi Ozawa; 隆小澤
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1996-10-25
Filing date: 2003-04-21
Publication date: 2003-10-03
Anticipated expiration: 2017-07-01
Also published as: JP3772852B2

Abstract

(57)【要約】【課題】攻撃検出回路やデータ消去回路を設けずに機
密データの漏洩を防ぐ。【解決手段】情報処理装置５００は、セル５０１と、
基板５０２とを貼り合わせて形成されており、内部に密
閉空間を形成している。この密閉空間内には、ヘリウム
やアルゴン等の不活性ガスが任意の圧力で封入される。
基板５０２には、保安コード作成回路５０３と、データ
消去回路５０４と、メモリ回路５０５とが配置されてい
る。保安コード作成回路５０３は、密閉空間内の気体の
圧力から特定される保安コードを常時作成しており、作
成した保安コードは、順次データ消去回路５０４に入力
される。データ消去回路５０４には、密閉空間が正常な
状態の時の保安コードが、基準コードとして記憶されて
いる。データ消去回路５０４は入力された保安コードを
逐次基準コードと比較し、これが一致しない場合にはメ
モリ回路５０５に記憶されている機密データを消去させ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は情報処理装置に関
し、特に、外部からの不正なアクセスを防いで、機密デ
ータの処理を行う情報処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、情報通信機器を用いたネットワー
ク網の発展に伴って、ディジタル情報のセキュリティを
確保する技術が注目を集めている。このような技術の１
つに、セキュリティを確保したいディジタル情報（これ
を以後、機密データと呼ぶ）を、暗号化して記憶装置に
記憶させるというものがある。

【０００３】暗号技術を安全に運用するには、暗号鍵や
復号鍵等の秘密情報の取り扱いにも十分な注意を払う必
要がある。通常、情報通信機器等の内部における暗号技
術では、これら秘密情報はチップ上の不揮発性メモリに
焼き付けられている。この不揮発性メモリは樹脂モール
ドで封入され、外部からのアクセスができないようにさ
れている。そのため、十分なアクセス制御さえ行われて
いれば、これらの秘密情報が外部に露呈することはな
い。

【０００４】しかし、暗号化された機密データに高付加
価値のデータが含まれている場合、この程度の防御方法
では秘密情報を盗用される恐れがある。樹脂モールドは
溶解すれば取り除けるし、その後プロービングによりメ
モリ回路内の電荷情報から秘密情報を盗用することは可
能である。現在では、電子マネーや電子商取引の分野で
ＩＣカードを用いた運用がなされているが、これらの分
野では上記の問題が無視できないほど深刻となってきて
いる。

【０００５】このような盗用を防ぐために、秘密情報を
揮発性のメモリであるＲＡＭ(Random Access Memory)に
格納する方法がある（特公昭６１−６１７４０「秘密通
信装置」）。ＲＡＭにはマイクロスイッチを介して常時
電源を供給する。秘密情報の盗用を目的として上記ＲＡ
Ｍの内蔵された筐体が取り付け金具から引き抜かれる
と、上記マイクロスイッチが開閉し、電源供給は遮断さ
れる。電源供給が遮断されれば、ＲＡＭに格納された秘
密情報は消失し、セキュリティは確保される。

【０００６】しかしこの方法では、上記ＲＡＭを内蔵し
た筐体が極低温環境へ置かれると、マイクロスイッチの
開閉動作は停止してしまう。秘密情報を盗用から防ぐた
めに、特別な筐体を構成する方法もある（特公昭６３−
７８２５０「記憶データを保護するデータ安全装
置」）。この特別な筐体は、曲折した電気導電性線路部
分を含む上面プレート、底面プレート、及び４枚の側面
プレートにより形成される。電気導電性線路は２本の平
行な導通路となっており、外部からの攻撃によって、そ
れらが短絡されたり接地されたりした場合に、リセット
信号を発生する検出回路を形成する。秘密情報はこの筐
体内のメモリに格納され、リセット信号が発生すると消
去される。筐体を形成するプレートはセラミックスでで
きており、化学的な攻撃を防止する。また、筐体内に低
温センサを設け、低温化によって検出回路を停止する攻
撃を防ぐ。

【０００７】上記筐体の不正検出感度をさらに向上させ
る方法として、電子組立体への機械的または化学的侵入
を防御するための侵入障壁を設ける方法も考えられてい
る（特公平７−８２４５９号公報「電子組立体への侵入
防御装置」）。侵入障壁には、電子組立体を取り囲む遮
蔽材料が含まれており、この遮蔽材料の上には、電気供
給手段と信号検出手段とが接続された導線が形成されて
いる。この導線は固化したマトリックス中に分散された
導電性粒子材料から形成されている。また、この導線は
細かなパターンを形成しており、侵入障壁に機械的なア
クセスがあった場合には、その抵抗値が変化するように
配置されている。

【０００８】このような特別な筐体を電子組立体に適用
すると、化学的または機械的攻撃を受けると、導電性粒
子がその機械的一体性を失い、信号検出手段が導電回線
の抵抗値変化を検出してメモリ内の秘密情報を消去す
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の方法で
はいずれもメモリに秘密情報を記憶させるために、攻撃
を検出するための攻撃検出回路と、メモリの秘密情報を
消去するためのデータ消去回路とを、必ず設けなければ
ならない。攻撃検出回路及びデータ消去回路は、秘密情
報をメモリに記憶させている限り常に動作させる必要が
あるが、携帯用の情報通信機器等では、このための電力
供給が過大な負担となる。まして、基本的に電源を内蔵
しないＩＣカード等には適用自体が不可能である。

【００１０】また、従来の攻撃検出方法にて攻撃検出能
力を高めるためには、攻撃検出回路となるセンサや導電
性粒子を筐体の外壁面全面に高密度で設けなければなら
ず、必要となる攻撃検出回路の数は膨大なものとなる。
そして、これら攻撃検出回路への低温化による攻撃を検
出するためには、さらに温度センサ等を設けなければな
らない。このために装置の構成が複雑になり、製造コス
トが高くなってしまうという問題点があった。

【００１１】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、少ない設置数で攻撃を検出することのできる
攻撃検出回路を備えた情報処理装置を提供することを目
的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明では上記課題を解
決するために、外部からの不正なアクセスを防いで機密
データを処理する情報処理装置において、密閉空間内に
流体を保持する流体保持手段と、前記密閉空間内に配置
され、前記機密データを処理するデータ処理手段と、前
記密閉空間内に配置され、前記機密データを記憶するデ
ータ記憶手段と、前記密閉空間内に配置され、前記流体
の圧力値から保安コードを作成する保安コード作成手段
と、前記密閉空間内に配置され、前記密閉空間が正常な
状態である時の保安コードを基準コードとして記憶して
おり、前記保安コード作成手段の作成した保安コードが
前記基準コードと一致しない場合に、前記データ記憶手
段内の前記機密データを消去するデータ消去手段と、を
有することを特徴とする情報処理装置が提供される。

【００１３】このような構成の情報処理装置では、流体
保持手段が、密閉空間内に流体を保持している。密閉空
間内に配置されたデータ処理手段は、機密データの処理
を行う。密閉空間内に配置されたデータ記憶手段は、前
記機密データの記憶を行う。密閉空間内に配置された保
安コード作成手段は、流体の圧力値から保安コードを作
成する。密閉空間内に配置されたデータ消去手段は、密
閉空間が正常な状態である時の保安コードを基準コード
として記憶しており、保安コード作成手段の作成した保
安コードが基準コードと一致しない場合に、データ記憶
手段内の機密データを消去する。

【００１４】このように、本発明の情報処理装置では、
外部からの攻撃の有無を密閉空間内の圧力値の変化から
検出し、機密データの消去を行う。よって、少ない設置
数の攻撃検出回路で外部からの不正なアクセスを防ぐこ
とができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は、第１の情報処理装置の第
１の実施の形態を示した図である。機密データ処理装置
１２０は、回路基板１１０の上に、演算回路１１１、メ
モリ回路１１２等とともに配置されている。演算回路１
１１にて取り扱われる機密データは、機密データ処理装
置１２０を介し暗号データとしてメモリ回路１１２に格
納され、原形のままで記憶されることはない。また、メ
モリ回路１１２に格納された暗号データは、必要に応
じ、機密データ処理装置１２０にて復号される。なお、
回路基板１１０上に機密データ処理装置１２０を配置す
る際には、機密データ処理装置１２０の底面にハンダバ
ンプを形成したり、電磁波を用いる非接触の方法を用い
たりして、電気的に接続する。

【００１６】機密データ処理装置１２０は、セル１２１
と基板１２２とを貼り合わせて形成されており、内部に
密閉空間を形成している。ここでセル（流体を保持する
容器であって、平面で形成された基板と貼り合わされて
密閉空間を形成する）１２１内にはヘリウムやアルゴン
等の不活性ガスや、それに準ずる化学的安定性を有する
気体が製造過程において任意の圧力で封入される。セル
１２１を形成する材質としてはセラミックスや金属等の
化学的／物理的耐性に優れたものが用いられる。なお、
この気体の圧力は特定の値である必要はなく、むしろ適
当にランダムな値（乱数）となったほうが好ましい。セ
ル１２１と基板１２２とを接合する際には、レーザを用
いた溶接法や、物質の原子レベルでの接合が可能なろう
接法、固相接合法等、接合強度の高い接合方法が採ら
れ、機密データ処理装置１２０に形成される密閉空間に
おける高い気密性を維持する。

【００１７】基板１２２には、コード作成装置１２３
ａ，１２３ｂ，・・・，１２３ｎと、鍵作成回路１２４
と、暗号化／復号回路１２５とが配置されている。鍵作
成回路１２４は、暗号化／復号回路１２５およびコード
作成装置１２３ａ〜１２３ｎと接続されている。

【００１８】暗号化／復号回路１２５は、演算回路１１
１やメモリ回路１１２等の外部回路と接続されており、
機密データや暗号データの入出力および暗号データ作成
要求／復号データ作成要求の受け付けを行う。また、暗
号化や復号を行う際には、コード作成装置１２３ａ〜１
２３ｎにコード作成要求を出力する。

【００１９】鍵作成回路１２４は、コード作成装置１２
３ａ〜１２３ｎにて作成されたコードから暗号鍵および
復号鍵を作成する。コード作成装置１２３ａ〜１２３ｎ
は、暗号化／復号回路１２５からのコード作成要求を受
け、機密データ処理装置１２０の密閉空間内に封入され
た気体の圧力値から特定されるコードを作成する。

【００２０】次に、このような構成の機密データ処理装
置１２０を利用して、機密データを暗号化する手順を説
明する。図２は、機密データを暗号化する手順を示した
フローチャートである。

【００２１】暗号化／復号回路１２５は、機密データ
と、機密データに対する暗号データ作成要求を受け付け
る（ステップＳ１）。暗号データ作成要求を受けた暗号
化／復号回路１２５がコード作成要求を出力すると（ス
テップＳ２）、コード作成装置１２３ａ〜１２３ｎは密
閉空間内の気体圧力値から特定されるコードを作成する
（ステップＳ３）。鍵作成回路１２４は、コード作成装
置１２３ａ〜１２３ｎにて作成されたコードに基づいて
暗号鍵を作成する（ステップＳ４）。暗号化／復号回路
１２５は、鍵作成回路１２４にて作成された暗号鍵を使
用して、機密データから暗号データを作成する（ステッ
プＳ５）。

【００２２】作成された暗号データはメモリ回路１１２
に格納され、侵入者が外部から正しく読み取ることはで
きない。なお、ここでは作成されたコードに基づいて暗
号鍵／復号鍵を作成する方法を採ったが、作成されたコ
ードをそのまま暗号鍵／復号鍵として使用することも可
能である。また、この情報処理装置では、暗号化の方法
そのものについては特定する必要はない。さらに、上記
の説明では暗号化／復号回路１２５がコード作成要求を
出力しているとしたが、この出力は演算回路１１１等の
他の構成要素が行ってもよい。また、コード作成装置は
コード作成要求を受けてからコードを作成するとした
が、コード作成要求を出力する構成要素を設けず、常に
コードを作成するような構成としてもよい。

【００２３】次に、このように作成された暗号データを
復号する手順を説明する。図３は、暗号データを復号す
る手順を示したフローチャートである。暗号化／復号回
路１２５は、暗号データと、暗号データに対する機密デ
ータ作成要求を受け付ける（ステップＳ１１）。機密デ
ータ作成要求を受けた暗号化／復号回路１２５がコード
作成要求を出力すると（ステップＳ１２）、コード作成
装置１２３ａ〜１２３ｎは密閉空間内の気体圧力値から
特定されるコードを作成する（ステップＳ１３）。鍵作
成回路１２４は、コード作成装置１２３ａ〜１２３ｎに
て作成されたコードに基づいて復号鍵を作成する（ステ
ップＳ１４）。暗号化／復号回路１２５は、鍵作成回路
１２４にて作成された復号鍵を使用して、暗号データか
ら機密データを作成する（ステップＳ１５）。

【００２４】作成された機密データは、演算回路１１１
にて取り扱い可能である。また、ここでは作成されたコ
ードに基づいて復号鍵を作成し、その復号鍵を使用して
暗号データを復号する方法を採ったが、作成されたコー
ドをそのまま復号鍵として使用することも可能である。
復号の方法は、暗号化の方法と対応していればよい。さ
らに、上記の説明では暗号化／復号回路１２５がコード
作成要求を出力しているとしたが、この出力は演算回路
１１１等の他の構成要素が行ってもよい。また、コード
作成装置はコード作成要求を受けてからコードを作成す
るとしたが、コード作成要求を出力する構成要素を設け
ず、常にコードを作成するような構成としてもよい。

【００２５】次に、機密データ処理装置１２０の構成要
素であるコード作成装置１２３ａ〜１２３ｎの構成例に
ついて説明する。なお、図１ではコード作成装置をｎ個
配置した例について説明を行ったが、このコード作成装
置の個数は任意の必要数でよい。

【００２６】図４はコード作成装置１２３ａの第１の構
成例を示す図であって、（Ａ）は半導体圧力センサを利
用したコード作成装置の斜視図、（Ｂ）は半導体圧力セ
ンサを利用したコード作成装置の（Ａ）に示した直線Ｘ
Ｙにおける断面図を示す。

【００２７】ここではコード作成装置として、半導体圧
力センサとしてすでに株式会社東北フジクラ等によって
製品化されているものを例にあげた。なお、コード作成
装置１２３ｂ〜１２３ｎの構成は、コード作成装置１２
３ａの構成と同一でよい。

【００２８】図において、半導体圧力センサ１３０は、
基板１３１と基板１３２を貼り合わせて形成されてい
る。基板１３２は外部の圧力に応じた応力を受けるダイ
アフラム（隔膜）１３３を持ち、基板１３１と貼り合わ
された際、内部に空洞１３４を持つような形状に形成さ
れている。なお、基板１３１と基板１３２との接合に
は、溶接やろう接等の方法が採られ、内部に形成された
空洞１３４の高い気密性が保証される。基板１３２のダ
イアフラム１３３上にはピエゾ抵抗素子１３５が集積さ
れており、また、基板１３２のダイアフラム１３３以外
の位置には検出回路１３６、増幅回路１３７及びＡ／Ｄ
変換回路１３８が集積されている。

【００２９】次に、この半導体圧力センサ１３０に集積
されている検出回路１３６の具体的な回路構成を説明す
る。図５は、図４に示した半導体圧力センサ１３０に集
積されている検出回路１３６の回路図である。

【００３０】図において、Ｖｃｃは電源を表し外部から
供給される。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は抵抗を
表し、Ｒｓは図４におけるピエゾ抵抗素子１３５を表
す。Ｖ１及びＶ２は出力端子を表し、増幅回路１３７に
接続される。ＺＤはツェナダイオードを表し、Ｖｃｃが
十分高ければ両端には一定電圧Ｖｒｅｆが発生する。Ａ
１はオペアンプを表し、この入力端子には抵抗Ｒ４の一
端と抵抗Ｒ５の一端の電圧が入力される。なお、オペア
ンプＡ１の出力電流Ｉは、入力端子の電圧が等しくなる
ような電流値となっている。抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及び
Ｒｓにより構成されるブリッジ回路には初期状態でＲ１
Ｒ２＝Ｒ３Ｒｓなる関係があり、出力端子Ｖ１及びＶ２
には電流が流れない。

【００３１】圧力の変動によってダイアフラム１３３が
応力を受けると、ピエゾ抵抗素子１３５の抵抗値が圧力
に比例して変化し、出力端Ｖ１とＶ２に電流が流れる。
図に示す半導体圧力センサ１３０では、この電流を増幅
回路１３７で増幅し、Ａ／Ｄ変換回路１３８にて任意の
ビット数のディジタル信号に変換する。

【００３２】このようにして圧力を測定した際の、圧力
と増幅回路１３７の出力との関係を示すグラフがある
（出典：フジクラ半導体センサテクニカルノート）。図
６は、圧力と増幅回路１３７の出力との関係を示すグラ
フである。

【００３３】図に示すように、図４に示した半導体圧力
センサ１３０では、約１kgf ／cm²（約１気圧）という
広範囲な圧力測定が可能である。実際にはこれほど広範
囲に測定圧力範囲を設定する必要はないので、気密性等
を考慮して、この中の一部の範囲を利用すればよい。

【００３４】図７は、５つの半導体圧力センサ１３０を
コード作成装置としてコードを作成する際の、コード特
定方法を説明するための図である。この図は、圧力値
（相対値）の変化によって、コードが変化する様子を示
している。センサ１〜センサ５には、それぞれ異なる閾
値が１つずつ設定されており、測定した圧力値が、閾値
以上であれば「１」を、閾値より小さければ「０」を出
力する。

【００３５】なお、ここでは各センサに対し閾値を１つ
設定し、１ビットのコードを出力させる場合の説明を行
ったが、各センサに対する閾値を増やすことで、各セン
サに出力させるコードは８ビット程度にまで増やすこと
が可能である。８ビットのコードを出力するセンサを例
えば図のように５つ配置するとすれば、４０ビットのコ
ードが出力でき、充分実用に耐える複雑さを持つ。

【００３６】また、圧力センサには光学素子を利用した
もの、圧電素子またはその他電子素子を利用したもの等
いろいろなものを使用することが可能である。これら圧
力センサの誤差はそれほど問題にはならない。１つの圧
力センサから出力されるコードは最低１ビットあればよ
く、０から１に変わる時の閾値が各圧力センサでばらば
らに設定されていればよい。さらに、圧力センサからの
アナログ信号をディジタル信号に変換する際は一般にＡ
／Ｄ変換器を用いるが、ディジタル値のアナログ値に対
する割り付けを各センサごとにばらばらにすることで、
さらにコード生成を複雑にすることが可能である。

【００３７】先にフローチャートでも説明したように、
機密データ処理装置１２０では、暗号化／復号の度に暗
号鍵／復号鍵を作成する。従って、機密データ処理装置
１２０内の密閉空間に異変が生じない限り、作成される
暗号鍵／復号鍵は毎回まったく同じものとなる。なお、
ノイズ等の一時的な原因により暗号鍵／復号鍵の作成に
失敗する可能性もあるが、パリティビット等を設定して
異常を検出し、暗号鍵／復号鍵の作成を再度行えばよ
い。

【００３８】このように、情報処理装置では、機密デー
タを暗号化／復号する際に必要となる暗号鍵／復号鍵お
よび鍵作成に使用するコードを、記憶しない。そして、
不正を行おうとする者（以後、侵入者と呼ぶ）が機密デ
ータ処理装置１２０の筐体に穴を開けたり解体したりす
ると、セル１２１内の圧力が変化し、コード作成装置１
２３ａ〜１２３ｎは正しいコードを出力できなくなる。
従って、暗号鍵／復号鍵は正常に作成されず、侵入者は
暗号鍵／復号鍵を入手することが困難となる。このた
め、例えメモリ回路１１２に格納された暗号データを盗
用されたとしても、機密データの漏洩は防ぐことができ
る。

【００３９】また、情報処理装置においてコード作成装
置となる圧力センサは、セル１２１が一ヶ所でも破壊さ
れれば正しいコードを作成できなくなるので、従来のよ
うにセンサを保護容器全面に配置したり、高密度に形成
したりする必要がなく、非常にシンプルな構成で充分な
保護機能を提供することができる。

【００４０】更に、情報処理装置では、暗号鍵や復号
鍵、コードのような秘密情報が必要に応じて生成される
ため、従来のように能動的に秘密情報を消去する侵入検
出回路や消去回路が必要ない。従って余分な電力消費も
なく、携帯用のパソコンや内部に電源を持たないＩＣカ
ード等にも適用可能である。また同様の理由で、極低温
にして回路の動作を止め内部情報を盗用する攻撃に対す
る防御回路（温度センサ等）を設ける必要がない。

【００４１】また、情報処理装置では、ノイズ等によっ
て一時的に暗号鍵／復号鍵の値が異常となっても、原因
が解消された後に再度暗号鍵／復号鍵を作成すれば、メ
モリ内の秘密情報を利用できるようになる。すなわち、
誤動作によるデータの破壊を防ぐことができる。

【００４２】なお、以上の説明で密閉空間内に封入する
流体として気体を挙げたが、これに限定するものではな
い。封入する流体は、他にも液体やスライム状物質等、
物理的もしくは化学的な攻撃を受けることによって、そ
の圧力または応力が変化するものであればよい。

【００４３】次に、第１の情報処理装置の第２の実施の
形態について説明する。図８は、第１の情報処理装置の
第２の実施の形態を示した図である。機密データ処理装
置１４０は、セル１４１ａ，１４１ｂと、上下面に回路
を持つ基板１４２とが、基板１４２を中心に貼り合わせ
て形成されており、内部に２つの密閉空間を形成してい
る。ここでセル１４１ａ，１４１ｂ内には第１の実施の
形態にて示したセル１２１同様、化学的安定性を有する
気体が任意の圧力で封入される。また、セル１４１ａ，
１４１ｂは第１の実施の形態にて示したセル１２１同
様、化学的／物理的耐性に優れた材質で形成される。セ
ル１４１ａ，１４１ｂと基板１４２とを接合する際に
は、第１の実施の形態同様、接合強度の高い接合方法が
採られ、機密データ処理装置１４０に形成される密閉空
間における高い気密性を維持する。

【００４４】基板１４２の上側面には、コード作成装置
１４３ａ〜１４３ｎと、鍵作成回路１４４と、暗号化／
復号回路１４５とが配置されている。また、基板１４２
の下側面には、図示しないコード作成装置１４６ａ〜１
４６ｎが配置されている。鍵作成回路１４４は、暗号化
／復号回路１４５と、コード作成装置１４３ａ〜１４３
ｎ、１４６ａ〜１４６ｎと、接続されている。

【００４５】本実施の形態では、基板１４２の上側面に
配置されたコード作成装置１４３ａ〜１４３ｎと、基板
１４２の下側面に配置されたコード作成装置１４６ａ〜
１４６ｎとの両方にてコードが作成される。鍵作成回路
１４４は、入力されたコードすべてから特定される暗号
鍵／復号鍵を作成する。暗号化／復号回路では、作成さ
れた暗号鍵／復号鍵を使用して機密データの暗号化／復
号を行う。

【００４６】このように第２の実施の形態では基板１４
２の上下にそれぞれ、コード作成装置１４３ａ〜１４３
ｎ、１４６ａ〜１４６ｎおよびセル１４１ａ，１４１ｂ
を設けたので、あらゆる方向からの侵入に対し秘密情報
の漏洩を防ぐことができる。次に、第１の情報処理装置
の第３の実施の形態について説明する。

【００４７】図９は、第１の情報処理装置の第３の実施
の形態を示した図である。機密データ処理装置１５０
は、マトリックス状に分割されたセル１５１ａ，１５１
ｂ，・・・，１５１ｍをそれぞれ基板１５２とを貼り合
わせて形成されており、内部に複数の密閉空間を形成し
ている。ここでセル１５１ａ〜１５１ｍ内にはヘリウム
やアルゴン等の不活性ガスや、それに準ずる化学的安定
性を有する気体が、それぞれ異なった任意の圧力で封入
される。セル１５１ａ〜１５１ｍを形成する材質として
はセラミックスや金属等の化学的／物理的耐性に優れた
ものが用いられる。この気体の圧力は特定の値である必
要はなく、適当にランダムな値（乱数）となったほうが
好ましい。セル１５１ａ〜１５１ｍと基板１５２とを接
合する際には、レーザを用いた溶接法や、物質の原子レ
ベルでの接合が可能なろう接法、固相接合法等、接合強
度の高い接合方法が採られ、機密データ処理装置１５０
に形成される密閉空間における高い気密性を維持する。

【００４８】基板１５２の上側面には、コード作成装置
１５３ａ，１５３ｂ，・・・，１５３ｍが、それぞれセ
ル１５１ａ，１５１ｂ，・・・，１５１ｍと対応する位
置に配置されている。本実施の形態のように基板１５２
の上側面全面にコード作成装置を配置する場合、鍵作成
回路および暗号化／復号回路は基板１５２の下層もしく
は基板１５２上のコード作成装置の配置されていない場
所に配置される（図示しない）。

【００４９】コード作成装置１５３ａ〜１５３ｍは、そ
れぞれ対応するセル１５１ａ〜１５１ｍに封入された気
体の圧力値から特定されるコードを生成する。そして本
実施の形態では暗号化／復号の際、コード作成装置は、
近接したセルのコード作成装置の出力値の比を取り、こ
の比をコードとして鍵作成回路が暗号鍵／復号鍵を作成
する。

【００５０】気体の圧力値は温度に比例して変化するた
め、外界や実装されている回路の熱等による局所的な温
度変化により各セルの圧力が変化する場合がある。そこ
で、本実施の形態では、上述のように、セルおよびコー
ド作成装置を対応付けて多数設け、近接セル同士の比を
利用して暗号化／復号に必要な秘密情報を作成する。圧
力値に変化が生じても、温度変化と比例変化する近接セ
ルの圧力値の比に影響を及ぼすことはほとんどない。よ
って誤動作を減らすことができ、信頼性をより高くする
ことができる。

【００５１】なお、以上の説明で密閉空間内に封入する
流体として気体を挙げたが、これに限定するものではな
く、液体やスライム状物質等、物理的もしくは化学的な
攻撃を受けることによって、その圧力または応力が変化
するものであればよい。

【００５２】機密データ処理装置１５０に適用するコー
ド作成装置としては、図４に示した半導体圧力センサ１
３０を利用できるが、他の方式の圧力センサを使用する
ことも可能である。ここで、情報処理装置に利用できる
圧力センサの例をいくつかあげて、その構成および動作
原理を説明する。

【００５３】図１０は、コード作成装置の第２の構成例
を示す図である。ここではコード作成装置として、第１
の圧力検出システム１６０を例にあげた。なお、コード
作成装置１５３ｂ〜１５３ｍの構成は、コード作成装置
１５３ａの構成と同一でよい。

【００５４】図において、第１の圧力検出システム１６
０は、基板１６１とセル１６２とを貼り合わせて形成さ
れている。セル１６２には、任意の圧力の気体が封入さ
れており、基板１６１にはセル１６２内部の圧力値を検
出するための共振器１６３が形成されている。この共振
器１６３は、反射板１６３ａ，１６３ｂの形成する干渉
計となっており、反射板１６３ｂには光ファイバ１６４
の一端が設置されている。なお、反射板１６３ａはセル
１６２内の気体の圧力により通常は基板１６１と平行に
保たれている。光ファイバ１６４の他端には圧力検出装
置１６５が構成されている。この圧力検出装置１６５
は、半導体レーザ１６５ａと、レンズ１６５ｂと、ビー
ムスプリッタ１６５ｃと、レンズ１６５ｄと、レンズ１
６５ｅと、フォトダイオード１６５ｆとから構成されて
おり、レンズ１６５ｄを介して光ファイバ１６４と接続
されている。また、フォトダイオード１６５ｆの出力は
Ａ／Ｄ変換器１６６に入力されており、このＡ／Ｄ変換
器１６６から出力されるディジタル値が、鍵作成回路に
コードとして入力されることになる。

【００５５】次に、このような構成の第１の圧力検出シ
ステム１６０にてコードを出力する手順を説明する。図
１１は、図１０に示した第１の圧力検出システム１６０
を用いてコードを出力する手順を示したフローチャート
である。

【００５６】コード作成要求を受けた圧力検出装置１６
５の半導体レーザ１６５ａは、レーザ光を射出する（ス
テップＳ２１）。射出されたレーザ光は、レンズ１６５
ｂ、ビームスプリッタ１６５ｃ、レンズ１６５ｄを順に
通り、光ファイバ１６４に入射される（ステップＳ２
２）。光ファイバ１６４を通ったレーザ光は、共振器１
６３に入射され（ステップＳ２３）、反射板１６３ａと
反射板１６３ｂとから形成された干渉計により干渉を起
こす（ステップＳ２４）。レーザ光は反射板１６３ａと
反射板１６３ｂとの間隔に対応した強度となり、再度光
ファイバ１６４に入射される（ステップＳ２５）。光フ
ァイバ１６４を通って圧力検出装置１６５に戻ったレー
ザ光は、レンズ１６５ｄ、ビームスプリッタ１６５ｃ、
レンズ１６５ｅを順に通り、フォトダイオード１６５ｆ
に導かれる（ステップＳ２６）。フォトダイオード１６
５ｆは入射されたレーザ光の強度に応じた電流を発生し
（ステップＳ２７）、Ａ／Ｄ変換器１６６に入力する。
Ａ／Ｄ変換器１６６は入力されたアナログの電流値をデ
ィジタルのコードに変換し（ステップＳ２８）、コード
として出力する。

【００５７】このように、第１の圧力検出システム１６
０では、セル１６２内の気体の圧力値変化が、反射板１
６３ａの変形を引き起こす。そのため、侵入者がセル１
６２に攻撃を行うなどして異常が生じた場合、レーザ光
の強度変化に異常が伝播し、正しいコード作成は不可能
となる。

【００５８】なお、図９に示した機密データ処理装置１
５０に、この圧力検出システム１６０を適用する場合、
図９のセル１５１と基板１５２とが、図１０のセル１６
２と基板１６１に、対応する。

【００５９】図１２は、コード作成装置の第３の構成例
を示す図である。ここではコード作成装置として、第２
の圧力検出システム１７０を例にあげた。

【００６０】図において、第２の圧力検出システム１７
０は、基板１７１と、２つの密閉空間１７２ａ、１７２
ｂを有するセル１７２とを，貼り合わせて形成されてい
る。セル１７２の２つの密閉空間１７２ａ、１７２ｂ
は、ダイアフラム（隔膜）１７３にて区切られており、
それぞれ異なった任意の圧力の気体が封入されている。
また、密閉空間１７２ａの図中上側壁面には電極１７４
が、密閉空間１７２ｂの図中上側壁面には電極１７５
が、密閉空間１７２ｂの図中下側壁面には電極１７６が
配置されている。ここで、電極１７４と電極１７５とは
容量Ａを、電極１７５と電極１７６とは容量Ｂを、それ
ぞれ形成するように配置されている。電極１７４と電極
１７５との間隔および電極１７５と電極１７６との間隔
は、密閉空間１７２ａと密閉空間１７２ｂとの圧力比に
応じて決定され、容量Ａと容量Ｂが定まる。なお、第２
の圧力検出システム１７０には図に示した構成の他に、
容量比を取り電圧に変換する電圧発生回路とＡ／Ｄ変換
器等が含まれる。

【００６１】このような構成の第２の圧力検出システム
１７０では、容量Ａと容量Ｂとの比を取り、電圧に変換
する。そして、得た電圧値をＡ／Ｄ変換器にてディジタ
ルコード化し、鍵作成回路に入力する。

【００６２】密閉空間１７２ａ、密閉空間１７２ｂの圧
力比は温度変化ではほとんど変化しないが、侵入者の攻
撃等があるとダイアフラム１７３の変形によって変化を
起こす。よって、温度変化以外の異常が生じた場合、正
しいコードは作成不可能となり、秘密情報の漏洩を防ぐ
ことができる。

【００６３】なお、図９に示した機密データ処理装置１
５０に、この圧力検出システム１７０を適用する場合、
図９のセル１５１と基板１５２とが、図１２のセル１７
２と基板１７１に、対応する。

【００６４】図１３は、コード作成装置の第４の構成例
として利用することのできる、ダイアフラムを利用した
圧力センサ例の原理構成を示した断面図（出典：JOURNA
L OFMICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS,PP.98-105,VOL.
5,NO.2,JUNE 1996）である。マイクロマシーニング技術
により製作されたこの圧力センサ１８０は、ダイアフラ
ム１８２を持つ基板１８１と、２つのキャパシタ１８
３、１８４とから構成されている。圧力センサ１８０に
は、図中上からと、図中下とから、それぞれセル内の気
体に起因する圧力がかけられている。キャパシタ１８３
は基板１８１上に、ポリシリコンによる電極１８３ａ
と、酸化膜で形成される誘電体１８３ｂと、ひ素を拡散
させて形成される電極１８３ｃとから構成されている。
また、キャパシタ１８４は、基板１８１のダイアフラム
１８２上に、キャパシタ１８３同様、ポリシリコンによ
る電極１８４ａと、誘電体１８４ｂと、ひ素を拡散させ
て形成された電極１８４ｃとから構成されている。な
お、この圧力センサ１８０をコード作成装置として使用
する際には、図示した構成の他に差分回路および電圧発
生器、Ａ／Ｄ変換器等を組み合わせて構成する。

【００６５】このような構成の圧力センサ１８０では、
キャパシタ１８３の容量値を基準として、キャパシタ１
８４との容量値との差分を取る。そして、取った容量差
を電圧に変換し、得た電圧値をＡ／Ｄ変換してディジタ
ルコード化する。

【００６６】侵入者の攻撃等によって図中上下の圧力差
に異常が発生すると、ダイアフラム１８２の形状が変化
し、正しいコード作成が不可能となる。従って、秘密情
報の漏洩が防御できる。

【００６７】なお、上記出典によれば、ダイアフラム１
８２の影響を受けない位置に配置されたキャパシタ１８
３を基準とし、ダイアフラム１８２の上に配置されたキ
ャパシタ１８４との容量差分を取ることで、環境変化や
基板１８１の発熱等による温度変化の影響をほとんど受
けないという実験結果が報告されている。

【００６８】図１４は、図１３に示した圧力センサ１８
０の上下の圧力差がキャパシタ１８４の容量値に及ぼす
変化をグラフに示したものである（出典：JOURNAL OF M
ICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS,PP.98-105,VOL.5,NO.
2,JUNE 1996）。

【００６９】次に、第１の情報処理装置の第４の実施の
形態について説明する。図１５は、第１の情報処理装置
の第４の実施の形態を示した図である。機密データ処理
装置２００は、セル２１１と、基板２２０と、セル２１
２とを貼り合わせて形成されており、内部に２つの密閉
空間を形成している。セル２１１とセル２１２は基板２
２０を図中上下から挟むようにして貼り合わされてお
り、それぞれの密閉空間は基板２２０によって完全に隔
離されている。ここでセル２１１、２１２内にはヘリウ
ムやアルゴン等の不活性ガスや、それに準ずる化学的安
定性を有する気体が、それぞれ異なった任意の圧力で封
入される。セル２１１、２１２を形成する材質としては
セラミックスや金属等の化学的／物理的耐性に優れたも
のが用いられる。セル２１１と基板２２０とセル２１２
とを接合する際には、レーザを用いた溶接法や、物質の
原子レベルでの接合が可能なろう接法、固相接合法等、
接合強度の高い接合方法が採られ、機密データ処理装置
２００に形成される２つの密閉空間における高い気密性
を維持する。

【００７０】基板２２０には、演算回路２２１やメモリ
回路２２２とともに、コード作成装置２２３ａ，２２３
ｂ，・・・，２２３ｋとが配置され、図示しない鍵作成
回路や暗号化／復号回路とともに、情報処理装置を構成
している。

【００７１】本実施の形態では、コード作成装置２２３
ａ〜２２３ｋには、２つのセルの圧力比に応じたコード
を作成するような圧力センサを適用する。例えばコード
作成装置２２３ａとして、２つのセルの双方に圧力セン
サを配置し、それら圧力センサの出力値の比を計算する
回路をさらに設ける等の方法を適用すれば、圧力比に応
じたコードを作成できる。なお、コード作成装置２２３
ｂ〜２２３ｋは、コード作成装置２２３ａと同一構成で
よい。

【００７２】次に、第１の情報処理装置の第５の実施の
形態について説明する。図１６は、第１の情報処理装置
の第５の実施の形態を示した図である。機密データ処理
装置２３０は、内部に隔離板２３２を持ったセル２３１
と、基板２４０とを貼り合わせて形成されており、内部
に２つの密閉空間２３２ａ、２３２ｂを形成している。
密閉空間２３２ａ、２３２ｂ内には、ヘリウムやアルゴ
ン等の不活性ガスや、それに準ずる化学的安定性を有す
る気体が、それぞれ異なった任意の圧力で封入される。
なお、セル２３１を形成する材質としてはセラミックス
や金属等の化学的／物理的耐性に優れたものが用いられ
る。セル２３１と基板２４０とを接合する際には、レー
ザを用いた溶接法や、物質の原子レベルでの接合が可能
なろう接法、固相接合法等、接合強度の高い接合方法が
採られ、機密データ処理装置２３０に形成される２つの
密閉空間における高い気密性を維持する。

【００７３】ここで、隔離板２３２には任意の数のコー
ド作成装置２３３ａ，２３３ｂ，・・・，２３３ｋがは
め込まれている。このコード作成装置２３３ａ〜２３３
ｋは、図１５に示した第４の実施の形態同様、２つの密
閉空間内に封入された気体の圧力比に応じたコードを作
成する。そして基板２４０には、作成されたコードから
暗号鍵／復号鍵を作成する鍵作成回路やその暗号鍵／復
号鍵を使用して機密データの暗号化／復号を行う暗号化
／復号回路等が配置されている。そして、この機密デー
タ処理装置２３０は、図示しない演算回路やメモリ回路
とともに情報処理装置を構成する。

【００７４】機密データの暗号化／復号を行う際には、
コード作成装置２３３ａ〜２３３ｋから出力されるコー
ドから特定される暗号鍵／復号鍵を作成し、その暗号鍵
／復号鍵を使用して実際の処理を行う。作成される暗号
鍵／復号鍵は、密閉空間２３２ａと密閉空間２３２ｂと
の圧力比に異常が生じない限り同一なものになる。

【００７５】このように、複数の密閉空間の間に、圧力
比に応じたコードを作成するようなコード作成装置を使
用すれば、コード作成装置を基板上に配置する必要がな
く、温度変化等の影響も受けない。また上記の例ではセ
ル内を２つの密閉空間に分割したが、隔離板の数を増や
して密閉空間の数を増やし、より多くのコード作成装置
にて複雑なコードの作成を行うことが可能である。

【００７６】ここで、これまでに説明したようにセル内
の流体の圧力値からコードを特定して鍵を作成し、機密
データの処理（暗号化／復号）を行う情報処理装置をＩ
Ｃカードに適用した例をあげる。

【００７７】図１７は、流体圧力データからコードを特
定する第１の情報処理装置を、ＩＣカードに適用した場
合の構成図である。図において、ＩＣカード２５０に
は、その他の機構とともにＩＣチップ２６０が内蔵され
ている。このＩＣチップ２６０は、情報処理装置をチッ
プ化したものであり、セル２６１ａと、基板２６２と、
セル２６１ｂとを貼り合わせて形成されており、内部に
２つの密閉空間を持つ。２つの密閉空間内には、ヘリウ
ムやアルゴン等の不活性ガスや、それに準ずる化学的安
定性を有する気体が、それぞれ異なった任意の圧力で封
入される。なお、セル２６１ａ，２６１ｂを形成する材
質としてはセラミックスや金属等の化学的／物理的耐性
に優れたものが用いられる。セル２６１ａ，２６１ｂと
基板２６２とを接合する際には、レーザを用いた溶接法
や、物質の原子レベルでの接合が可能なろう接法、固相
接合法等、接合強度の高い接合方法が採られ、ＩＣチッ
プ２６０に形成される２つの密閉空間における高い気密
性を維持する。

【００７８】基板２６２には、２つの密閉空間の圧力値
を利用する任意の測定方法の圧力センサ２６３がはめ込
まれている。また、基板２６２には、圧力センサ２６３
から出力されるコードから特定される暗号鍵／復号鍵を
作成する鍵作成回路、作成された暗号鍵／復号鍵を使用
して機密データの暗号化／復号を行う暗号化／復号回路
も配置されている。基板２６２には更に、演算回路２６
４、メモリ回路２６５、外部との通信を行う通信回路２
６６等が配置されており、外部とのデータ通信を非接触
で行うことが可能である。

【００７９】演算回路２６４で処理された機密データは
圧力センサ２６３から出力されるコードをもとに暗号化
され、暗号データとなってメモリ回路２６５に格納され
る。また、メモリ回路２６５に格納された暗号データ
は、圧力センサ２６３から出力されるコードを基に復号
され、機密データとなって演算回路２６４で処理され
る。

【００８０】なお、機密データや暗号データは、通信回
路２６６を介して、外部から入力されたり、外部へ出力
されたりする。このようなＩＣチップ２６０をＩＣカー
ド２５０に埋め込むことにより、侵入者が機密データや
秘密情報を盗用しようとすると、セル２６１ａもしくは
セル２６１ｂを破損してしまう。従って密閉空間内の気
体圧力値は変化し、正常なコードが作成不可能となるた
め、情報の漏洩を防ぐことができる。

【００８１】以上説明したように、情報処理装置では、
機密データを暗号化／復号する度にコードを作成し、コ
ードおよび暗号鍵／復号鍵を静的に記憶しない。そのた
め、侵入者が暗号データを盗用しても復号鍵は入力でき
ないため、正しい解読は不可能である。

【００８２】また、暗号鍵や復号鍵、コード等の秘密情
報を静的に記憶しないため、攻撃検出回路や秘密情報を
消去する消去回路が不要であり、これらの回路への電源
供給の必要がない。従って、電池を持たないＩＣカード
や消費電力を極力抑える必要のある携帯用情報通信機器
等にも適用可能である。

【００８３】さらに、秘密情報を静的に記憶しないた
め、センサ等の誤動作が発生しても情報の消去が行われ
ない。従って、センサ等の誤動作が懸念されるような劣
悪な環境下におかれても機密データを失う心配がなく、
環境変化の可能性の高い携帯機器等にも適用可能であ
る。

【００８４】なお、これまで密閉空間内に封入する流体
として、主に気体を想定して説明を行っているが、これ
はセルの破損によってその圧力値を変化させる物質であ
ればよく、特に気体に限定されるものではない。

【００８５】次に、第１の情報処理装置の第６の実施の
形態について説明する。図１８は、第１の情報処理装置
の第６の実施の形態を示した図である。機密データ処理
装置３００は、セル３１０と基板３２０とを貼り合わせ
て形成されており、内部に密閉空間を形成している。こ
こでセル３１０内には複数の気体成分が特定の成分比に
て混合された、混合気体が封入される。セル３１０を形
成する材質としてはセラミックスや金属等の化学的／物
理的耐性に優れたものが用いられる。セル３１０と基板
３２０とを接合する際には、レーザを用いた溶接法や、
物質の原子レベルでの接合が可能なろう接法、固相接合
法等、接合強度の高い接合方法が採られ、機密データ処
理装置３００に形成される密閉空間における高い気密性
を維持する。

【００８６】基板３２０には鍵作成回路３２１と、暗号
化／復号装置３２２と、気体の成分情報からコードを作
成するコード作成装置３３０とが配置され、図示しない
演算回路やメモリ回路とともに情報処理装置を構成して
いる。なお、コード作成装置３３０は、発光ダイオード
３３１と、回折格子３３２と、フォトダイオードアレイ
３３３と、Ａ／Ｄ変換器等とから構成されている。

【００８７】コード作成装置３３０がコードの作成を行
う際には、まず発光ダイオード３３１から光が射出され
る。射出された光は、セル３１０と基板３２０とが形成
する密閉空間内の気体の中を通過し、回折格子３３２に
よって分光される。分光された光は再度密閉空間内の気
体の中を通過し、フォトダイオードアレイ３３３に入射
する。フォトダイオードアレイ３３３は、入射された光
を波長ごとに分割して検出し、気体の成分情報によって
変化する電圧パターンを得る。得られた電圧パターンは
Ａ／Ｄ変換器等によってディジタルコード化され、鍵作
成回路３２１に入力される。

【００８８】発光ダイオード３３１から射出される光は
セル３１０と基板３２０とが形成する密閉空間内を通過
すると吸収されたり屈折したりするが、その様子は気体
中の成分比によって様々である。そのため、侵入者の攻
撃等により密閉空間内の気体の成分比が変化すると、最
終的にフォトダイオードアレイ３３３にて検出される電
圧パターンも変化してしまい、正しいコードは作成され
ない。

【００８９】発光ダイオード３３１としては、既に波
長：５００ｎｍ〜１０００ｎｍ以上のものまで多数製品
化されており、任意のものが使用できる。また、密閉空
間内に封入される混合気体の成分比は、この範囲の中で
吸収線の存在するものとする。例えば、純粋なＡｒガス
では、波長：４００ｎｍ〜９００ｎｍの範囲の中に４１
５．８６ｎｍ、４２５．９４ｎｍ、７６３．５１ｎｍ、
７９４．８２ｎｍ及び８１１．５３ｎｍ等の比較的遷移
確立の大きなものが存在する。またＨｅやＸｅ等のガス
にも多くの吸収線が存在する。さらに希ガスに限らず分
子気体でも、上記波長範囲に多くの吸収線を持つものが
確認されている。よって、密閉空間内には、これらのガ
スを適当に混合して封入すればよい。なお、気体の成分
だけでなく混合比データを用いるので、大気中に存在す
る酸素や窒素等を封入してもよい。また、吸収係数等が
低い吸収線に関しても、平行板等で光路を塞ぐことによ
り適当な吸収率を得ることで利用することができる。

【００９０】次に、第１の情報処理装置の第７の実施の
形態について説明する。図１９は、第１の情報処理装置
の第７の実施の形態を示した図である。機密データ処理
装置３４０は、セル３４１と基板３５０とを貼り合わせ
て形成されており、内部に密閉空間を形成している。こ
こでセル３４１内には複数の気体成分が特定の成分比に
て混合された、混合気体が封入される。セル３４１を形
成する材質としてはセラミックスや金属等の化学的／物
理的耐性に優れたものが用いられる。セル３４１と基板
３５０とを接合する際には、レーザを用いた溶接法や、
物質の原子レベルでの接合が可能なろう接法、固相接合
法等、接合強度の高い接合方法が採られ、機密データ処
理装置３４０に形成される密閉空間における高い気密性
を維持する。

【００９１】基板３５０には、鍵作成回路３５１と、暗
号化／復号回路３５２と、気体の成分情報からコードを
作成するコード作成装置３６０とが配置され、図示しな
い演算回路やメモリ回路とともに、情報処理装置を構成
している。なお、コード作成装置３６０は、レーザダイ
オード３６１と、ビームスプリッタ３６２ａ，３６２ｂ
と、反射板３６３ａ，３６３ｂと、光導波路３６４と、
フォトダイオード３６５と、Ａ／Ｄ変換器等とから構成
されている。

【００９２】コード作成装置３６０がコード作成を行う
際には、まずレーザダイオード３６１から光が出力され
る。出力された光はビームスプリッタ３６２ａにより２
つに分けられ、一方はセル３４１と基板３５０とが形成
する密閉空間内の気体の中を通過し、他方は反射板３６
３ａと光導波路３６４と反射板３６３ｂとを順に通過す
る。その後、先に２つに分けられた光はビームスプリッ
タ３６２ｂによって再度１つに合成されて、フォトダイ
オード３６５にて検出される。検出された光には２つの
光路の光路差により位相差が生じており、フォトダイオ
ード３６５にて検出される光強度に、気体の成分に応じ
た変化が現れる。そして、フォトダイオード３６５にて
検出した光強度から得られた電圧パターンがＡ／Ｄ変換
器等によってディジタルコード化され、鍵作成回路３５
１に入力される。

【００９３】密閉空間内を光路として通る光は、封入さ
れる気体の成分比に応じた屈折率で屈折する。従って、
侵入者の攻撃等により密閉空間内の気体の成分比が変化
すると、最終的にフォトダイオード３６５にて検出され
る電圧パターンも変化してしまい、正しいコードは作成
されない。

【００９４】ここで、セル内の流体の成分比に基づく光
学的性質からコードを得て鍵を作成し、機密データの処
理（暗号化／復号）を行う情報処理装置をＩＣカードに
適用した例をあげる。

【００９５】図２０は、流体の光学的性質からコードを
特定する第１の情報処理装置を、ＩＣカードに適用した
場合の断面図を示す。図において、ＩＣカードにはめ込
まれるべきＩＣチップ３７０は、下部筐体３７１と上部
筐体３７２とを貼り合わせて形成されている。なお、こ
のＩＣチップ３７０内には密閉空間が形成されており、
基板３７３が内蔵されている。

【００９６】基板３７３上には情報処理装置を構成する
コード作成装置や鍵作成回路、暗号化／復号回路、およ
び演算回路やメモリ回路が配置されている。下部筐体３
７１には、スルーホールによる電極３７４ａ，３７４ｂ
と、外部との接続用電極３７５ａ，３７５ｂ，３７５ｃ
とが形成されている。

【００９７】ここで、スルーホールによる電極３７４
ａ，３７４ｂは、内蔵された基板３７３とワイヤ３７６
ａ，３７６ｂを介して接続されている。また、電極３７
５ａ〜３７５ｃは、ＩＣカード用の電極の規格（例え
ば、ＩＳＯ／ＩＥＣ７８１６−２）に適合している。な
お、下部筐体３７１と上部筐体３７２とを接合する際に
は、ろう接法等の接合強度の高い接合方法が採られ、Ｉ
Ｃチップ３７０に形成される密閉空間における高い気密
性を維持する。

【００９８】侵入者の攻撃によりＩＣチップ内の密閉空
間に異常が発生すると、基板３７３上に配置されたコー
ド作成装置は正しいコードの作成が不可能となるため、
情報の漏洩を防ぐことができる。

【００９９】次に、第１の情報処理装置の第８の実施の
形態について説明する。図２１は、第１の情報処理装置
の第８の実施の形態を示した図であって、図（Ａ）は本
実施の形態の情報処理装置の分解斜視図を、図（Ｂ）は
図（Ａ）に示した情報処理装置を直線ＡＢにて切断した
際の断面図を、示す。

【０１００】機密データ処理装置４１０は、基板４１１
上に設けられた電極４１２ａ，４１２ｂ・・・４１２
ｎ、４１３ａ，４１３ｂ・・・４１３ｎと、コード作成
装置４１４と、これら全ての要素を覆う絶縁膜４１５と
から構成されている。

【０１０１】基板４００にはメモリ回路４０１や暗号化
／復号回路４０２、演算回路４０３等が設けられてお
り、その上に積層された機密データ処理装置４１０とと
もに、情報処理装置を構成している。なお、暗号化／復
号回路４０２はコード作成装置４１４と接続されてお
り、機密データを記録する場合は、コード作成装置４１
４から供給されるコードに基づいて機密データの暗号化
を行い、メモリ回路４０１には暗号データを記録させ
る。また、暗号データを利用する場合は、コード作成装
置４１４から供給されるコードに基づいて暗号データの
復号を行い、演算回路４０３等に出力する。

【０１０２】電極４１２ａ，４１２ｂ・・・４１２ｎ
（ｎは任意の自然数）と電極４１３ａ，４１３ｂ・・・
４１３ｎとからは、絶縁膜４１５の特性値に基づいた静
電容量を持つキャパシタが、ｎ² 個、形成される。例え
ばｎ＝６のとき、形成されるキャパシタは３６個とな
る。形成されるキャパシタの静電容量は周囲の物質や状
況によって変化するが、この静電容量にもっとも影響を
与えるのは、絶縁膜４１５である。

【０１０３】そこで本実施の形態ではデータの暗号化／
復号の際、コード作成装置４１４が電極４１２ａ，４１
２ｂ・・・４１２ｎから任意の１つを、また電極４１３
ａ，４１３ｂ・・・４１３ｎから任意の１つを選択す
る。そして選択した電極のペアが持つ静電容量を検出
し、検出値から特定されるコードを作成する。

【０１０４】従って、侵入者が絶縁膜４１５に穴を空け
たり、絶縁膜４１５を剥がしたりすると、正しいコード
は作成できなくなる。なお、ここでキャパシタを形成す
る電極のペアを複数選択し、静電容量の比や差分から特
定のコードを作成するようにしてもよい。

【０１０５】以上説明したように、情報処理装置では不
正検出センサである絶縁膜４１５のどこか一部でも破壊
されれば正しいコードの作成が不可能となるので、セン
サを保護容器全面に配置したり、高密度に形成したりす
る必要がなく、シンプルな構成で十分な保護機能を提供
することができる。

【０１０６】また、情報処理装置では機密データを暗号
化／復号する度にコードを作成し、コードおよび暗号鍵
／復号鍵を静的に記憶しないため、攻撃検出回路や秘密
情報を消去する消去回路が不要であり、これらの回路へ
の電源供給の必要がない。従って、電池を持たないＩＣ
カードや消費電力を極力抑える必要のある携帯用情報通
信機器等にも適用可能である。同様の利用で、極低温に
して回路の動作を止め内部情報を盗用する攻撃に対する
防御回路（温度センサ等）を設ける必要がない。

【０１０７】さらに、情報処理装置では、ノイズ等によ
って作成されるコードに一時的に異常をきたしても、原
因が解消された後に再度コードを作成すればよく、誤動
作によるデータの破壊を防ぐことができる。

【０１０８】次に、第１の情報処理装置の第９の実施の
形態について説明する。図２２は、第１の情報処理装置
の第９の実施の形態を示した図であって、図（Ａ）は本
実施の形態の情報処理装置の断面図を、図（Ｂ）は図
（Ａ）に示した情報処理装置をＦ方向からみた場合の透
視図を、示す。なお、図（Ａ）に示した断面図は、図
（Ｂ）に示した透視図を直線ＣＤにて切断した場合の断
面図にあたる。

【０１０９】情報処理装置４３０の基板４３１上には、
メモリ回路４３２、コード作成装置を内蔵した暗号化／
復号回路４３３、演算回路４３４等が構成されており、
その上部には絶縁層４３５が設けられている。絶縁層４
３５のすぐ上には、電極４４１ａ，４４１ｂ・・・４４
１ｎ、４４２ａ，４４２ｂ・・・４４２ｎを有し、絶縁
膜４４３で覆われた基板４４０が設けられている。な
お、コード作成装置を内蔵した暗号化／復号回路４３３
と電極との間には、スルーホールで形成された垂直配線
４３６が形成されている。機密データを記録する場合に
は暗号化／復号回路４３３が機密データの暗号化を行
い、メモリ回路４３２に暗号データを記録させる。ま
た、暗号データを利用する場合、暗号化／復号回路４３
３が暗号データの復号を行い、演算回路４３４等に出力
する。

【０１１０】電極４４１ａ，４４１ｂ・・・４４１ｎ
（ｎは任意の自然数）と電極４４２ａ，４４２ｂ・・・
４４２ｎとからは、絶縁膜４４３の特性値に基づいた静
電容量を持つキャパシタが、ｎ² 個、形成される。例え
ばｎ＝５のとき、形成されるキャパシタは２５個とな
る。形成されるキャパシタの静電容量は周囲の物質や状
況によって変化するが、この静電容量にもっとも影響を
与えるのは、絶縁膜４４３である。

【０１１１】そこで本実施の形態ではデータの暗号化／
復号の際、暗号化／復号回路４３３が電極４４１ａ，４
４１ｂ・・・４４１ｎから任意の１つを、また電極４４
２ａ，４４２ｂ・・・４４２ｎから任意の１つを選択す
る。そして選択した電極のペアが持つ静電容量を検出
し、検出値から特定されるコードを作成する。

【０１１２】従って、侵入者が絶縁膜４４３に穴を空け
たり、絶縁膜４４３を剥がしたりすると、正しいコード
は作成できなくなる。なお、ここでキャパシタを形成す
る電極のペアを複数選択し、静電容量の比や差分から特
定のコードを作成するようにしてもよい。

【０１１３】以上説明したように、情報処理装置では不
正検出センサである絶縁膜４４３のどこか一部でも破壊
されれば正しいコードの作成が不可能となるので、セン
サを保護容器全面に配置したり、高密度に形成したりす
る必要がなく、シンプルな構成で十分な保護機能を提供
することができる。

【０１１４】また、情報処理装置では機密データを暗号
化／復号する度にコードを作成し、コードおよび暗号鍵
／復号鍵を静的に記憶しないため、攻撃検出回路や秘密
情報を消去する消去回路が不要であり、これらの回路へ
の電源供給の必要がない。従って、電池を持たないＩＣ
カードや消費電力を極力抑える必要のある携帯用情報通
信機器等にも適用可能である。同様の利用で、極低温に
して回路の動作を止め内部情報を盗用する攻撃に対する
防御回路（温度センサ等）を設ける必要がない。

【０１１５】さらに、情報処理装置では、ノイズ等によ
って作成されるコードに一時的に異常をきたしても、原
因が解消された後に再度コードを作成すればよく、誤動
作によるデータの破壊を防ぐことができる。

【０１１６】次に、第２の情報処理装置の第１の実施の
形態について説明する。図２３は、第２の情報処理装置
の第１の実施の形態を示した図である。情報処理装置５
００は、セル５０１と、基板５０２とを貼り合わせて形
成されており、内部に密閉空間を形成している。この密
閉空間内には、ヘリウムやアルゴン等の不活性ガスや、
それに準ずる化学的安定性を有する気体が任意の圧力で
封入される。なお、この気体の圧力は特定の値である必
要はなく、むしろ適当にランダムな値（乱数）となった
ほうが好ましい。セル５０１を形成する材質としてはセ
ラミックスや金属等の化学的／物理的耐性に優れたもの
が用いられる。セル５０１と基板５０２とを接合する際
には、レーザを用いた溶接法や、物質の原子レベルでの
接合が可能なろう接法、固相接合法等、接合強度の高い
接合方法が採られ、情報処理装置５００に形成される２
つの密閉空間における高い気密性を維持する。

【０１１７】基板５０２には、保安コード作成回路５０
３と、データ消去回路５０４と、メモリ回路５０５とが
配置されている。保安コード作成回路５０３は、密閉空
間内の気体の圧力から特定される保安コードを常時作成
しており、作成した保安コードは、順次データ消去回路
５０４に入力される。

【０１１８】なお、本実施の形態では、機密データを処
理するデータ処理回路が基板５０２上もしくは別の場所
に配置されている（図示しない）。メモリ回路５０５は
このデータ処理回路と機密データの授受を行い、機密デ
ータを記憶する。

【０１１９】データ消去回路５０４には、密閉空間が正
常な状態の時の保安コードが、基準コードとして記憶さ
れている。データ消去回路５０４は入力された保安コー
ドを逐次基準コードと比較し、これが一致しない場合に
はメモリ回路５０５に記憶されている機密データを消去
させる。

【０１２０】このような構成の情報処理装置５００に、
機密データを盗用しようと侵入者が何らかの攻撃を与え
ると、例え壁面を１ヶ所破壊しただけでも、内部の密閉
空間内の流体の圧力値が変化してしまう。従って作成さ
れる保安コードは基準コードと一致しなくなり、消去回
路５０４によってメモリ回路５０５に記憶された機密デ
ータは消去される。この際、保安コード作成回路５０３
となる圧力センサは密閉空間内に１つ設ければよく、従
来例のように筐体外壁全体に設ける必要がないため、構
造が著しく簡単となる。

【０１２１】保安コード作成回路５０３としては様々な
圧力センサが利用できるが、そのうちの１つを例にあげ
る。図２４は、図２３に示した情報処理装置５００の保
安コード作成回路５０３として利用可能な圧力センサ例
の原理を説明する断面図である。

【０１２２】圧力センサ５１０は、基板５１１とセル５
１２とを貼り合わせて形成されている。セル５１２に
は、内部の密閉空間５１３に任意の圧力の気体が封入さ
れており、基板５１１には圧力値を検出するための圧電
素子５１４と密閉空間５１５とが形成されている。

【０１２３】圧電素子５１４の形状は、密閉空間５１３
中の気体圧力と密閉空間５１５中の気体圧力とにより変
化する。そしてこの圧電素子５１４の抵抗値は、その形
状により変化する。圧力センサ５１０が正常な状態にあ
る時、圧電素子５１４は常に同じ形状を保持しているの
で、一定の電流Ｉを流せば一定の電圧値を取り出すこと
ができ、この電圧値から基準コードを作成することがで
きる。

【０１２４】侵入者による攻撃等で圧力センサ５１０に
異常が発生して密閉空間５１３中の気体圧力に変化があ
ると、圧電素子５１４の形状は変化する。形状変化に伴
って圧電素子５１４の抵抗値は変わるので、電流Ｉを流
して取り出される電圧値から作成する保安コードは、基
準コードと一致しない。

【０１２５】このように、圧力センサ５１０では、密閉
空間５１３内の気体圧力の変化が、圧電素子５１４の変
形を引き起こす。そのため侵入者がセル５１２に攻撃を
与える等して異常が生じた場合、保安コードは基準コー
ドと一致しなくなり、データ消去回路により機密データ
が消去される。

【０１２６】なお、図２３に示した情報処理装置５００
に、この圧力センサ５１０を適用する場合、図２３のセ
ル５０１と基板５０２とが、図２４のセル５１２と基板
５１１とに、対応する。

【０１２７】次に、第２の情報処理装置の第２の実施の
形態について説明する。図２５は、第２の情報処理装置
の第２の実施の形態を示した図である。情報処理装置５
２０は、セル５２１ａと、基板５２２と、セル５２１ｂ
とを貼り合わせて形成されており、内部に２つの密閉空
間を形成している。セル５２１ａとセル５２１ｂは基板
５２２を図中上下から挟むようにして貼り合わされてお
り、それぞれの密閉空間は基板５２２によって完全に隔
離されている。ここでセル５２１ａ、５２１ｂ内にはヘ
リウムやアルゴン等の不活性ガスや、それに準ずる化学
的安定性を有する気体が、それぞれ異なった任意の圧力
で封入される。セル５２１ａ、５２１ｂを形成する材質
としてはセラミックスや金属等の化学的／物理的耐性に
優れたものが用いられる。セル５２１ａと基板５２２と
セル５２１ｂとを接合する際には、レーザを用いた溶接
法や、物質の原子レベルでの接合が可能なろう接法、固
相接合法等、接合強度の高い接合方法が採られ、情報処
理装置５２０に形成される２つの密閉空間における高い
気密性を維持する。

【０１２８】基板５２２には、保安コード作成装置５２
３と、データ消去回路５２４と、メモリ回路５２５と、
ＣＰＵ等の制御回路５２６とが配置されている。本実施
の形態では、保安コード作成装置５２３には、２つのセ
ルの圧力比に応じたコードを作成するような圧力センサ
を適用する。例えば保安コード作成装置５２３として、
２つのセルの双方に圧力センサを配置し、それら圧力セ
ンサの出力値の比を計算する回路をさらに設ける等の方
法を適用すれば、圧力比に応じた保安コードを作成でき
る。基板５２２の発熱や環境変化等によって情報処理装
置全体に温度変化が発生した場合にも気体圧力比は殆ど
変わらない。そのため、本実施の形態のように気体圧力
比を保安コードとして利用すれば、誤動作によって機密
データを消去してしまう危険性を減らすことができる。

【０１２９】次に、第２の情報処理装置の第３の実施の
形態について説明する。図２６は、第２の情報処理装置
の第３の実施の形態を示した図である。情報処理装置５
５０は、セル５５１と基板５５２とを貼り合わせて形成
されており、内部に密閉空間を形成している。ここでセ
ル５５１内には複数の気体成分が特定の成分比にて混合
された、混合気体が封入される。セル５５１を形成する
材質としてはセラミックスや金属等の化学的／物理的耐
性に優れたものが用いられる。セル５５１と基板５５２
とを接合する際には、レーザを用いた溶接法や、物質の
原子レベルでの接合が可能なろう接法、固相接合法等、
接合強度の高い接合方法が採られ、情報処理装置５５０
に形成される密閉空間における高い気密性を維持する。

【０１３０】基板５５２には、保安コード作成装置５６
０と、データ消去回路５５４と、メモリ回路５５５と、
ＣＰＵ等の制御回路５５６とが配置されている。なお、
保安コード作成装置５６０は、発光ダイオード５６１
と、回折格子５６２と、フォトダイオードアレイ５６３
と、Ａ／Ｄ変換器等とから構成されている。

【０１３１】保安コード作成装置５６０が保安コードの
作成を行う際には、まず発光ダイオード５６１から光が
射出される。射出された光は、セル５５１と基板５５２
とが形成する密閉空間内の気体の中を通過し、回折格子
５６２によって分光される。分光された光は再度密閉空
間内の気体の中を通過し、フォトダイオードアレイ５６
３に入射する。フォトダイオードアレイ５６３は、入射
された光を波長ごとに分割して検出し、気体の成分情報
によって変化する電圧パターンを得る。得られた電圧パ
ターンはＡ／Ｄ変換器等によってディジタルコード化さ
れ、保安コードとしてデータ消去回路５５４に入力され
る。

【０１３２】発光ダイオード５６１から射出される光は
セル５５１と基板５５２とが形成する密閉空間内を通過
すると吸収されたり屈折したりするが、その様子は気体
中の成分比によって様々である。そのため、侵入者の攻
撃等により密閉空間内の気体の成分比が変化すると、最
終的にフォトダイオードアレイ５６３にて検出される電
圧パターンも変化してしまい、基準コードと一致する保
安コードは作成されない。

【０１３３】発光ダイオード５６１としては、既に波
長：５００ｎｍ〜１０００ｎｍ以上のものまで多数製品
化されており、任意のものが使用できる。また、密閉空
間内に封入される混合気体の成分比は、この範囲の中で
吸収線の存在するものであればよい。例えば、純粋なＡ
ｒガスでは、波長：４００ｎｍ〜９００ｎｍの範囲の中
に４１５．８６ｎｍ、４２５．９４ｎｍ、７６３．５１
ｎｍ、７９４．８２ｎｍ及び８１１．５３ｎｍ等の比較
的遷移確立の大きなものが存在する。またＨｅやＸｅ等
のガスにも多くの吸収線が存在する。さらに希ガスに限
らず分子気体でも、上記波長範囲に多くの吸収線を持つ
ものが確認されている。よって、密閉空間内には、これ
らのガスを適当に混合して封入すればよい。

【０１３４】なお、大気中に存在する酸素や窒素等を封
入してもよい。また、吸収係数等が低い吸収線に関して
も、平行板等で光路を塞ぐことにより適当な吸収率を得
ることで利用することができる。

【０１３５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の情報処理
装置では、外部からの攻撃の有無を密閉空間内の圧力値
の変化から検出し、機密データの消去を行う。よって、
少ない設置数の攻撃検出回路で外部からの不正なアクセ
スを防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の情報処理装置の第１の実施の形態を示し
た図である。

【図２】機密データを暗号化する手順を示したフローチ
ャートである。

【図３】暗号データを復号する手順を示したフローチャ
ートである。

【図４】コード作成装置の第１の構成例を示す図であっ
て、（Ａ）は半導体圧力センサを利用したコード作成装
置の斜視図、（Ｂ）は半導体圧力センサを利用したコー
ド作成装置の（Ａ）に示した直線ＸＹにおける断面図を
示す。

【図５】図４に示した半導体圧力センサに集積されてい
る検出回路の回路図である。

【図６】圧力と増幅回路の出力との関係を示すグラフで
ある。

【図７】５つの圧力センサをコード作成装置としてコー
ドを作成する際の、コード特定方法を説明するための図
である。

【図８】第１の情報処理装置の第２の実施の形態を示し
た図である。

【図９】第１の情報処理装置の第３の実施の形態を示し
た図である。

【図１０】コード作成装置の第２の構成例を示す図であ
る。

【図１１】図１０に示した第１の圧力検出システムを用
いてコードを出力する手順を示したフローチャートであ
る。

【図１２】コード作成装置の第３の構成例を示す図であ
る。

【図１３】コード作成装置の第４の構成例として利用す
ることのできる、ダイアフラムを利用した圧力センサ例
の原理構成を示した断面図である。

【図１４】図１３に示した圧力センサの上下の圧力差が
キャパシタの容量値に及ぼす変化をグラフに示したもの
である。

【図１５】第１の情報処理装置の第４の実施の形態を示
した図である。

【図１６】第１の情報処理装置の第５の実施の形態を示
した図である。

【図１７】流体圧力データからコードを特定する第１の
情報処理装置を、ＩＣカードに適用した場合の構成図で
ある。

【図１８】第１の情報処理装置の第６の実施の形態を示
した図である。

【図１９】第１の情報処理装置の第７の実施の形態を示
した図である。

【図２０】流体の光学的性質からコードを特定する第１
の情報処理装置を、ＩＣカードに適用した場合の断面図
を示す。

【図２１】第１の情報処理装置の第８の実施の形態を示
した図であって、図（Ａ）は本実施の形態の情報処理装
置の分解斜視図を、図（Ｂ）は図（Ａ）に示した情報処
理装置を直線ＡＢにて切断した際の断面図を示す。

【図２２】第１の情報処理装置の第９の実施の形態を示
した図であって、図（Ａ）は本実施の形態の情報処理装
置の断面図を、図（Ｂ）は図（Ａ）に示した情報処理装
置をＦ方向からみた場合の透視図を示す。

【図２３】第２の情報処理装置の第１の実施の形態を示
した図である。

【図２４】図２３に示した情報処理装置の保安コード作
成回路として利用可能な圧力センサ例の原理を説明する
断面図である。

【図２５】第２の情報処理装置の第２の実施の形態を示
した図である。

【図２６】第２の情報処理装置の第３の実施の形態を示
した図である。

【符号の説明】

１１０回路基板１１１演算回路１１２メモリ回路１２０情報処理装置１２１セル１２２基板１２３ａ〜１２３ｎコード作成装置１２４鍵作成回路１２５暗号化／復号回路

フロントページの続き (72)発明者武田朋神奈川県足柄上郡中井町境430 グリーンテクなかい富士ゼロックス株式会社内 (72)発明者広田匡紀神奈川県足柄上郡中井町境430 グリーンテクなかい富士ゼロックス株式会社内 (72)発明者岡田純二神奈川県足柄上郡中井町境430 グリーンテクなかい富士ゼロックス株式会社内 (72)発明者舟田雅夫神奈川県足柄上郡中井町境430 グリーンテクなかい富士ゼロックス株式会社内 (72)発明者小澤隆神奈川県足柄上郡中井町境430 グリーンテクなかい富士ゼロックス株式会社内Ｆターム(参考） 5B017 AA03 BA08 CA14

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】外部からの不正なアクセスを防いで機密
データを処理する情報処理装置において、密閉空間内に流体を保持する流体保持手段と、前記密閉空間内に配置され、前記機密データを処理する
データ処理手段と、前記密閉空間内に配置され、前記機密データを記憶する
データ記憶手段と、前記密閉空間内に配置され、前記流体の圧力値から保安
コードを作成する保安コード作成手段と、前記密閉空間が正常な状態である時の保安コードを基準
コードとして記憶しており、前記保安コード作成手段の
作成した保安コードが前記基準コードと一致しない場合
に、前記データ記憶手段内の前記機密データを消去する
データ消去手段と、を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】外部からの不正なアクセスを防いで機密
データを処理する情報処理装置において、所定の成分を有する流体を密閉空間内に保持する流体保
持手段と、前記密閉空間内に配置され、前記機密データを処理する
データ処理手段と、前記密閉空間内に配置され、前記機密データを記憶する
データ記憶手段と、前記密閉空間内に配置され、前記流体の成分によって変
化する光特性から保安コードを作成する保安コード作成
手段と、前記密閉空間が正常な状態である時の保安コードを基準
コードとして記憶しており、前記保安コード作成手段の
作成した保安コードが前記基準コードと一致しない場合
に、前記データ記憶手段内の前記機密データを消去する
データ消去手段と、を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項３】外部からの不正なアクセスを防いで機密
データを処理する情報処理装置において、電極対及び前記電極の少なくとも一方を覆う絶縁膜にて
構成され、前記絶縁膜の特性値に基づいた静電容量を持
つキャパシタと、前記絶縁膜にて覆われ、前記機密データを処理するデー
タ処理手段と、前記絶縁膜にて覆われ、前記機密データを記憶するデー
タ記憶手段と、前記絶縁膜にて覆われ、前記キャパシタの静電容量から
特定される保安コードを作成する保安コード作成手段
と、前記キャパシタが正常な状態である時の保安コードを基
準コードとして記憶しており、前記保安コード作成手段
の作成した保安コードが前記基準コードと一致しない場
合に、前記データ記憶手段内の前記機密データを消去す
るデータ消去手段と、からなり、前記キャパシタは複数存在し、前記保安コード作成手段
は前記複数のキャパシタの静電容量の比または差分から
特定の保安コードを作成することを特徴とする情報処理
装置。