JP2003273232A - Integrated circuit - Google Patents

Integrated circuit

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JP2003273232A
JP2003273232A JP2002076227A JP2002076227A JP2003273232A JP 2003273232 A JP2003273232 A JP 2003273232A JP 2002076227 A JP2002076227 A JP 2002076227A JP 2002076227 A JP2002076227 A JP 2002076227A JP 2003273232 A JP2003273232 A JP 2003273232A
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test mode
signal
output
integrated circuit
circuit
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Kazuhiko Hara
和彦 原
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Ricoh Co Ltd
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Ricoh Co Ltd
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an integrated circuit having a configuration in which a test mode is set without providing a terminal exclusive for the test mode. <P>SOLUTION: The integrated circuit provided with an external connection terminal and a functional block for performing prescribed operation on the basis of an input signal inputted from the external connection terminal is equipped with: a first storage part for sampling and storing the input signal at a first edge of a clock signal and outputting the stored input signal as a first output signal at a second edge after the first edge; a second storage part for sampling and storing the first output signal outputted by the first storage part at the second edge and outputting the stored first output signal as a second output signal at a third edge after the second edge; and a test mode setting circuit for producing a test mode signal indicating whether or not the functional block is set to the test mode on the basis of the first and second output signals. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
動作および機能をテストするためのテスト容易化技術に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a test facilitation technique for testing the operation and function of a semiconductor integrated circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路を製造した後は、例え
ば、出荷前に、その動作および機能が正常であるか否か
を確認するテストを行う。テストの対象は、半導体集積
回路の機能を実現する内部の機能ブロックの全て、また
は、一部の回路である。そのようなテストを実行可能な
状態にし、または、テストを容易にするため、従来から
テスト容易化技術が導入されている。
2. Description of the Related Art After a semiconductor integrated circuit is manufactured, for example, before shipment, a test is performed to confirm whether its operation and function are normal. The test target is all or some of the internal functional blocks that realize the functions of the semiconductor integrated circuit. A testability technique has been conventionally introduced in order to make such a test executable or to facilitate the test.

【0003】図10は、一般的なテスト容易化技術を採
用した半導体集積回路90の構成を示すブロック図であ
る。半導体集積回路90は、その機能ブロック9を、容
易にテストモードに移行する構成を有する。すなわち、
半導体集積回路90は、半導体集積回路90の通常動作
時に信号を入力する外部入力端子Mとは別に、独立して
テストモード端子を備えている。テストモード端子は、
半導体集積回路90のテストを容易に実行できる状態
(テストモード)に設定する際に用いられる。テストモ
ード端子に所定の信号が印加されると、半導体集積回路
90はテストモードに設定される。例えば、テストモー
ド端子に「1」または「ハイレベル」の信号が入力され
たとき、半導体集積回路90はテストモードに設定さ
れ、テストモード端子に「0」または「ローレベル」の
信号が入力されたとき、半導体集積回路90は通常モー
ド(非テストモード)に設定される。
FIG. 10 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit 90 which employs a general test facilitation technique. The semiconductor integrated circuit 90 has a configuration in which the functional block 9 is easily shifted to the test mode. That is,
The semiconductor integrated circuit 90 has a test mode terminal independently from the external input terminal M for inputting a signal during normal operation of the semiconductor integrated circuit 90. The test mode terminal is
This is used when setting the semiconductor integrated circuit 90 to a state (test mode) in which a test can be easily executed. When a predetermined signal is applied to the test mode terminal, the semiconductor integrated circuit 90 is set to the test mode. For example, when a “1” or “high level” signal is input to the test mode terminal, the semiconductor integrated circuit 90 is set to the test mode, and a “0” or “low level” signal is input to the test mode terminal. At this time, the semiconductor integrated circuit 90 is set to the normal mode (non-test mode).

【0004】半導体集積回路90の出荷テストの場合、
テストは半導体集積回路90単体で行われる。半導体集
積回路90のテストが終了し、目的とされた動作および
機能が正常に実現されていることが確認できると、半導
体集積回路90が電気回路基板等に取り付けられ、製品
として出荷される。このとき、半導体集積回路90は通
常の動作を行う状態(通常モード)に設定される。上述
の例の場合には、通常モード時には、テストモード端子
へ印加される信号は、「0」または「ローレベル」にな
るように固定される。
In the shipping test of the semiconductor integrated circuit 90,
The test is performed by the semiconductor integrated circuit 90 alone. When the test of the semiconductor integrated circuit 90 is completed and it is confirmed that the intended operation and function are normally realized, the semiconductor integrated circuit 90 is attached to an electric circuit board or the like and shipped as a product. At this time, the semiconductor integrated circuit 90 is set to a state in which normal operation is performed (normal mode). In the case of the above example, in the normal mode, the signal applied to the test mode terminal is fixed to be "0" or "low level".

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】近年、チップと外部基
板等とを接続し、データの入出力を行う機能端子(ピ
ン)の数が増加する傾向にある。これは、技術半導体集
積回路90に多くの機能を持たせる要求が高まっている
からである。ところが、機能端子の数が増加することに
より、出荷前等のテストにのみ必要となるテストモード
端子を備えることが困難になりつつある。よって、テス
トモード端子を備えることなく、半導体集積回路をテス
トモードに設定する技術が必要とされている。
In recent years, there is a tendency that the number of functional terminals (pins) for connecting a chip to an external substrate or the like and for inputting / outputting data increases. This is because there is an increasing demand for the technical semiconductor integrated circuit 90 to have many functions. However, as the number of functional terminals increases, it is becoming difficult to provide a test mode terminal that is required only for testing before shipment. Therefore, there is a need for a technique for setting a semiconductor integrated circuit in a test mode without providing a test mode terminal.

【0006】本発明の目的は、テストモード専用の端子
を備えることなく、テストモードに設定できる構成を有
する集積回路を提供することである。
An object of the present invention is to provide an integrated circuit having a configuration capable of setting a test mode without providing a terminal dedicated to the test mode.

【0007】なお、専用端子を使うことなくテストモー
ド設定を行う技術も存在する。特開2000−1337
81号公報では、テストモードの設定は、各回路ブロッ
クがリセット状態にあるときに行われ、通常状態のとき
はテスト回路がリセット状態にされる。特開平10−2
56486号公報では、入力端子に電源電圧より高い電
圧を検知しテストモードに入る。特開平7−24412
4号公報では、テストモード端子とリセット端子を共通
化する。特開平6−309475号公報では、テスト時
にのみ設定される特定の電源電圧波形、または特定の電
源電圧値を検知することにより、テストモードに設定す
る。特開平6−66899号公報では、二つの電源投入
タイミングによって集積回路の内部でテストモード信号
を生成し、そのテストモード信号に応じてテストモード
に移行する。
There is also a technique for setting a test mode without using a dedicated terminal. Japanese Patent Laid-Open No. 2000-1337
In Japanese Patent No. 81, the test mode is set when each circuit block is in the reset state, and the test circuit is set in the reset state in the normal state. JP 10-2
In Japanese Patent No. 56486, a voltage higher than the power supply voltage is detected at the input terminal and the test mode is entered. JP-A-7-24412
In the publication No. 4, the test mode terminal and the reset terminal are shared. In Japanese Patent Laid-Open No. 6-309475, the test mode is set by detecting a specific power supply voltage waveform or a specific power supply voltage value that is set only during a test. In Japanese Patent Laid-Open No. 6-66899, a test mode signal is generated inside the integrated circuit at two power-on timings, and the test mode signal is transferred to the test mode signal.

【0008】以下の本発明の実施の形態によれば、本発
明と、上述した従来の技術との差が明らかになるであろ
う。
According to the following embodiments of the present invention, the difference between the present invention and the above-mentioned conventional technique will be clarified.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の集積回路は、外
部接続端子と、前記外部接続端子から入力された入力信
号に基づいて、所定の動作を行う機能ブロックとを備え
た集積回路であって、クロック信号の第1のエッジにお
いて、前記入力信号をサンプリングして記憶し、かつ、
前記第1のエッジの後の第2のエッジにおいて、記憶し
た前記入力信号を第1の出力信号として出力する第1の
記憶部と、前記第2のエッジにおいて、前記第1の記憶
部が出力した前記第1の出力信号をサンプリングして記
憶し、かつ、前記第2のエッジの後の第3のエッジにお
いて、記憶した前記第1の出力信号を第2の出力信号と
して出力する第2の記憶部と、前記第1の記憶部が出力
した前記第1の出力信号と、前記第2の記憶部が出力し
た前記第2の出力信号とに基づいて、前記機能ブロック
をテストモードに設定するか否かを示すテストモード信
号を生成するテストモード設定回路とをさらに備えてい
る。これにより上記目的が達成される。
An integrated circuit according to the present invention is an integrated circuit having an external connection terminal and a functional block which performs a predetermined operation based on an input signal input from the external connection terminal. And sampling and storing the input signal at a first edge of the clock signal, and
At a second edge after the first edge, a first storage unit that outputs the stored input signal as a first output signal, and at the second edge, the first storage unit outputs A second output signal for sampling and storing the stored first output signal, and outputting the stored first output signal as a second output signal at a third edge after the second edge. The functional block is set to a test mode based on a storage unit, the first output signal output from the first storage unit, and the second output signal output from the second storage unit. And a test mode setting circuit that generates a test mode signal that indicates whether or not the test mode signal is present. This achieves the above object.

【0010】前記テストモード設定回路は、前記第1の
記憶部が出力した前記第1の出力信号と、前記第2の記
憶部が出力した前記第2の出力信号とが、相違した値を
示す場合に、前記機能ブロックをテストモードに設定す
る前記テストモード信号を生成してもよい。
In the test mode setting circuit, the first output signal output from the first storage section and the second output signal output from the second storage section show different values. In this case, the test mode signal for setting the functional block to the test mode may be generated.

【0011】前記クロック信号と、所定の時刻において
アクティブ状態から非アクティブ状態に反転するリセッ
ト信号とに基づいて、前記所定の時刻までエッジが存在
するクロック信号を生成するクロック生成部をさらに備
え、また、前記第3のエッジは、前記クロック生成部が
生成した前記クロック信号のエッジであってもよい。
A clock generation unit is further provided for generating a clock signal having an edge until the predetermined time based on the clock signal and a reset signal which is inverted from an active state to an inactive state at a predetermined time, and The third edge may be an edge of the clock signal generated by the clock generation unit.

【0012】前記集積回路は、外部接続端子、前記第1
の記憶部、前記第2の記憶部、および、前記テストモー
ド設定回路の組を複数有し、前記テストモード設定回路
から出力された前記テストモード信号の各々の論理和を
演算して出力する演算回路をさらに備え、前記演算回路
の出力が、前記機能ブロックをテストモードに設定する
か否かを示してもよい。
The integrated circuit includes an external connection terminal, the first
Of a plurality of storage units, the second storage unit, and the test mode setting circuit, and calculates and outputs a logical sum of each of the test mode signals output from the test mode setting circuit. A circuit may be further provided, and the output of the arithmetic circuit may indicate whether to set the functional block to the test mode.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照して、本
発明の実施の形態1〜3を説明する。実施の形態1は、
本発明による基本的な構成およびその動作を説明し、実
施の形態2および3では、実施の形態1の変形例を説明
する。図では、同一の参照符号が付された要素は、同一
の機能を有するとする。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments 1 to 3 of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. Embodiment 1 is
The basic configuration and the operation thereof according to the present invention will be described, and in the second and third embodiments, modified examples of the first embodiment will be described. In the figures, elements with the same reference numerals have the same function.

【0014】(実施の形態1)図1は、実施の形態1に
よる半導体集積回路10の構成を示すブロック図であ
る。半導体集積回路10は、デジタル回路全般に利用で
き、例えば、マイクロコンピュータ、マイクロプロセッ
サ、メモリ回路の一部または全部を構成する。
(First Embodiment) FIG. 1 is a block diagram showing a structure of a semiconductor integrated circuit 10 according to a first embodiment. The semiconductor integrated circuit 10 can be used for all digital circuits, and constitutes, for example, part or all of a microcomputer, a microprocessor, and a memory circuit.

【0015】半導体集積回路10は、半導体集積回路1
0の所定の機能を実現する機能ブロック9と、外部接続
端子Mと、第1および第2の記憶回路1、2と、テスト
モード設定回路3とを有する。半導体集積回路10は、
クロック信号生成回路(図示せず)により生成されたク
ロック信号CLKに基づいて動作する。なお、クロック
信号CLKは、外部接続端子Mを介して半導体集積回路
10に与えられる入力クロックであってもよい。半導体
集積回路10がマイクロプロセッサである場合には、機
能ブロック9は、論理演算回路、レジスタ回路、命令デ
コーダ等の1つまたは全部を構成する。半導体集積回路
10がランダムアクセスメモリ(RAM)回路である場
合には、機能ブロック9は、複数のメモリセル、データ
ラッチ回路、カラムおよびロウデコータ等の1つまたは
全部を構成する。
The semiconductor integrated circuit 10 is the semiconductor integrated circuit 1.
It has a functional block 9 for realizing a predetermined function of 0, an external connection terminal M, first and second memory circuits 1 and 2, and a test mode setting circuit 3. The semiconductor integrated circuit 10 is
It operates based on a clock signal CLK generated by a clock signal generation circuit (not shown). The clock signal CLK may be an input clock supplied to the semiconductor integrated circuit 10 via the external connection terminal M. When the semiconductor integrated circuit 10 is a microprocessor, the functional block 9 constitutes one or all of a logical operation circuit, a register circuit, an instruction decoder and the like. When the semiconductor integrated circuit 10 is a random access memory (RAM) circuit, the functional block 9 constitutes one or all of a plurality of memory cells, a data latch circuit, a column and a row decoder.

【0016】外部接続端子Mは、機能ブロック9と接続
され、機能ブロック9の所定の動作に必要な信号を供給
する。すなわち、半導体集積回路10が通常の動作を行
う通常モードに設定されているとき、半導体集積回路1
0は、外部接続端子Mを介してデータを受け取り、機能
ブロック9に供給する。半導体集積回路10を通常モー
ドで使用する場合には、外部接続端子Mに入力される信
号は固定され、変化しない。このような信号の例は、マ
イコンのリセット時の起動プログラムを選択する端子、
位相ロックループ(PLL)回路を用いて内部クロック
を増速しているときの逓倍率を選択する端子等が挙げら
れる。
The external connection terminal M is connected to the functional block 9 and supplies a signal necessary for a predetermined operation of the functional block 9. That is, when the semiconductor integrated circuit 10 is set to the normal mode in which the normal operation is performed, the semiconductor integrated circuit 1
0 receives data via the external connection terminal M and supplies it to the functional block 9. When the semiconductor integrated circuit 10 is used in the normal mode, the signal input to the external connection terminal M is fixed and does not change. An example of such a signal is the pin that selects the startup program when the microcomputer is reset,
Examples include a terminal for selecting a multiplication rate when the internal clock is being accelerated by using a phase locked loop (PLL) circuit.

【0017】本発明の主な特徴は、外部接続端子Mと機
能ブロック9とを接続する配線に対して、複数の回路
(第1の記憶回路1、第2の記憶回路2、および、テス
トモード設定回路3)を追加して、半導体集積回路10
をテストモードに移行させるか否かを制御する機能を付
加したことである。すなわち、外部接続端子Mからの信
号に応じて、半導体集積回路10をテストモードへ移行
させることができる。テストモードとは、半導体集積回
路10の動作および機能をテストする動作様式をいう。
具体的な内容は、後に図3を参照して詳述する。なお、
テストモード以外のモード、例えば、上述の通常モード
は、非テストモードとも称する。
The main feature of the present invention is that a plurality of circuits (first memory circuit 1, second memory circuit 2, and test mode) are provided for the wiring connecting the external connection terminal M and the functional block 9. A semiconductor integrated circuit 10 is added by adding a setting circuit 3).
Is to add a function to control whether or not to shift to the test mode. That is, the semiconductor integrated circuit 10 can be shifted to the test mode according to the signal from the external connection terminal M. The test mode refers to an operation mode for testing the operation and function of the semiconductor integrated circuit 10.
Specific details will be described later with reference to FIG. In addition,
A mode other than the test mode, for example, the above-mentioned normal mode is also referred to as a non-test mode.

【0018】第1の記憶回路1は、外部入力端子Mの状
態、すなわち、外部接続端子Mに入力されているデータ
を、クロック信号CLKのタイミングでサンプリングし
て記憶する。第1の記憶回路1はまた、次のクロック信
号CLKに同期して、記憶していたデータを配線11に
出力するとともに、新たに入力されたデータを記憶す
る。第2の記憶回路2は、第1の記憶回路1の状態、す
なわち、第1の記憶回路1が出力するデータを、クロッ
ク信号CLKのタイミングでサンプリングして記憶す
る。第2の記憶回路2もまた、次のクロック信号CLK
に同期して、記憶していたデータを配線12に出力する
とともに、新たに入力されたデータを記憶する。図1で
は、記憶回路1および2は、一般的なフリップフロップ
FFとして記載する。
The first storage circuit 1 stores the state of the external input terminal M, that is, the data input to the external connection terminal M by sampling at the timing of the clock signal CLK. The first memory circuit 1 also outputs the stored data to the wiring 11 and stores the newly input data in synchronization with the next clock signal CLK. The second memory circuit 2 stores the state of the first memory circuit 1, that is, the data output from the first memory circuit 1 by sampling at the timing of the clock signal CLK. The second memory circuit 2 also receives the next clock signal CLK.
In synchronization with the above, the stored data is output to the wiring 12, and the newly input data is stored. In FIG. 1, the memory circuits 1 and 2 are described as a general flip-flop FF.

【0019】テストモード設定回路3は、第1の記憶回
路1、および、第2の記憶回路2の各々が記憶したデー
タを受け取り、テストモード信号を生成する。テストモ
ード設定回路3で生成されたテストモード信号は、機能
ブロック9に入力される。入力されたテストモード信号
に基づいて、機能ブロック9をテストモードに設定する
か否かが決定される。より具体的には、テストモード信
号が、テストモードへの移行を設定するレベルを示して
いれば、半導体集積回路10の機能ブロック9は、テス
トモードに設定される。
The test mode setting circuit 3 receives the data stored in each of the first memory circuit 1 and the second memory circuit 2 and generates a test mode signal. The test mode signal generated by the test mode setting circuit 3 is input to the functional block 9. Based on the input test mode signal, it is determined whether to set the functional block 9 to the test mode. More specifically, if the test mode signal indicates the level for setting the transition to the test mode, the functional block 9 of the semiconductor integrated circuit 10 is set to the test mode.

【0020】図2は、テストモード設定回路3の具体的
な構成を示すブロック図である。テストモード設定回路
3は、2つの入力端子IN1およびIN2から入力され
た2つのデータの排他的論理和を演算し、出力端子OU
Tから出力する。図には、排他的論理和の演算を実現す
る複数の基本的な論理演算素子が示されている。基本的
な論理演算素子の動作および素子間の接続は、当業者に
は明らかであるので、その説明は省略する。テストモー
ド設定回路3の具体的な動作は、以下の真理値表(表
1)のとおりである。
FIG. 2 is a block diagram showing a specific configuration of the test mode setting circuit 3. The test mode setting circuit 3 calculates the exclusive OR of the two data input from the two input terminals IN1 and IN2, and outputs the output terminal OU.
Output from T. In the figure, a plurality of basic logical operation elements that realize exclusive OR operation are shown. Since the basic operation of the logical operation element and the connection between the elements are obvious to those skilled in the art, the description thereof will be omitted. The specific operation of the test mode setting circuit 3 is as shown in the following truth table (Table 1).

【0021】[0021]

【表1】 [Table 1]

【0022】このように、入力であるIN1とIN2の
信号レベルの相違を検出することにより、出力OUTに
排他的論理和演算の結果を出力できる。
In this way, by detecting the difference between the signal levels of the inputs IN1 and IN2, the result of the exclusive OR operation can be output to the output OUT.

【0023】図3は、半導体集積回路10(図1)の動
作タイミングを示すタイミングチャートである。最上段
のクロック信号CLKは、常に一定の周期で立ち上がり
および立ち下りが印加されているとする。第1の記憶回
路1と第2の記憶回路2は、クロック信号CLKの立ち
上がりで入力信号をサンプリングする。理解の便宜のた
め、クロック信号CLKの立ち上がりには、矢印を記し
ている。また、立ち上がりエッジのタイミングで、時刻
T1、T2、…を付している。
FIG. 3 is a timing chart showing the operation timing of the semiconductor integrated circuit 10 (FIG. 1). It is assumed that the clock signal CLK at the uppermost stage is always applied with rising and falling edges at a constant cycle. The first memory circuit 1 and the second memory circuit 2 sample the input signal at the rising edge of the clock signal CLK. For convenience of understanding, an arrow is shown at the rising edge of the clock signal CLK. Further, times T1, T2, ... Are added at the timing of the rising edge.

【0024】2段目は、外部入力端子Mに入力される信
号を示す。前述のように、外部接続端子Mに入力される
信号は、通常モードでは動作中に変化しない。しかし、
半導体集積回路を単体でテストする場合には、自在に信
号の状態を変化できる。図3の例では、時刻T1とT2
の間に、一度の変化(立ち下がり)する。また、時刻T
4以降は、連続して変化している。
The second row shows a signal input to the external input terminal M. As described above, the signal input to the external connection terminal M does not change during operation in the normal mode. But,
When the semiconductor integrated circuit is tested alone, the signal state can be changed freely. In the example of FIG. 3, times T1 and T2
Change (fall) once during. Also, at time T
From 4 onwards, it has been changing continuously.

【0025】3段目は、第1の記憶回路1の出力信号を
示す。上述のように、第1の記憶回路1は、外部接続端
子Mに入力された信号を、クロック信号CLKの立ち上
がりでサンプリングする。よって、外部接続端子Mに入
力された信号の変化は、その後のクロック信号CLKの
立ち上がりに同期して現れる。
The third row shows the output signal of the first memory circuit 1. As described above, the first memory circuit 1 samples the signal input to the external connection terminal M at the rising edge of the clock signal CLK. Therefore, the change of the signal input to the external connection terminal M appears in synchronization with the subsequent rising of the clock signal CLK.

【0026】4段目は、第2の記憶回路2の出力信号を
示す。第2の記憶回路2は、第1の記憶回路1の出力を
クロック信号CLKの立ち上がりでサンプリングする。
よって、第2の記憶回路2の出力は、3段目に示す第1
の記憶回路1の出力よりも1クロック分遅れて変化す
る。
The fourth row shows the output signal of the second memory circuit 2. The second memory circuit 2 samples the output of the first memory circuit 1 at the rising edge of the clock signal CLK.
Therefore, the output of the second memory circuit 2 is the first memory shown in the third stage.
Changes with a delay of one clock from the output of the storage circuit 1.

【0027】表1に関連して説明したように、テストモ
ード設定回路3は、第1の記憶回路1の出力と、第2の
記憶回路2とが異なっている場合には、ハイレベルにな
り、同じ場合にはローレベルになる。換言すれば、テス
トモード設定回路3は、第1の記憶回路1の出力レベル
と第2の記憶回路2の出力レベルの相違を検出できる。
ここでいう「相違」とは、一方がハイレベルのとき、他
方がローレベルであることをいう。図3に示すタイミン
グでは、テストモード設定回路3は、時刻T2、T5、
T6、T7、T8において2つの出力信号の相違を検出
している。理解の容易のため、図には、「相違を検出」
と示している。テストモード設定回路3は、上述した相
違を検出した場合には、ハイレベルのテストモード信号
を出力して、半導体集積回路10(図1)をテストモー
ドへ移行させる。一方、相違がない、すなわち、双方が
ハイレベル、またはローレベルの場合には、テストモー
ド設定回路3は、ローレベルのテストモード信号を出力
する。この結果、半導体集積回路10(図1)は非テス
トモードに設定される。テストモード信号は、少なくと
も、次のクロック信号CLKの立ち上がりまでの1クロ
ック周期の間は同じレベルに維持される。
As described with reference to Table 1, the test mode setting circuit 3 becomes high level when the output of the first memory circuit 1 and the second memory circuit 2 are different. , In the same case, it goes low. In other words, the test mode setting circuit 3 can detect the difference between the output level of the first storage circuit 1 and the output level of the second storage circuit 2.
The “difference” here means that when one is at a high level, the other is at a low level. At the timing shown in FIG. 3, the test mode setting circuit 3 sets time T2, T5,
The difference between the two output signals is detected at T6, T7, and T8. For ease of understanding, the figure shows "Detect Differences"
Is shown. When detecting the above-mentioned difference, the test mode setting circuit 3 outputs a high-level test mode signal to shift the semiconductor integrated circuit 10 (FIG. 1) to the test mode. On the other hand, when there is no difference, that is, when both are at the high level or the low level, the test mode setting circuit 3 outputs the test mode signal at the low level. As a result, the semiconductor integrated circuit 10 (FIG. 1) is set to the non-test mode. The test mode signal is maintained at the same level for at least one clock cycle until the next rising of the clock signal CLK.

【0028】図に示すように、時刻T2で相違が検出さ
れた後、時刻T3では、第1の記憶回路1および第2の
記憶回路2の出力は、いずれもローレベルになり相違が
なくなる。よって、テストモード信号は、時刻T2〜T
3の1クロック間のみハイレベルになって、テストモー
ドへと移行する。時刻T3から非テストモードに変わ
る。
As shown in the figure, after the difference is detected at time T2, at time T3, the outputs of the first memory circuit 1 and the second memory circuit 2 both become low level and there is no difference. Therefore, the test mode signal is from time T2 to time T2.
It goes high only for 1 clock of 3 and shifts to the test mode. From time T3, the mode changes to the non-test mode.

【0029】一方、時刻T5、T6、T7、T8で連続
して変化が検出された場合には、テストモード信号は常
にハイレベルの状態を保つ。よって、その期間中は、半
導体集積回路10は、継続的にテストモードに設定され
ていることになる。
On the other hand, when a change is continuously detected at times T5, T6, T7, and T8, the test mode signal always maintains a high level. Therefore, during that period, the semiconductor integrated circuit 10 is continuously set to the test mode.

【0030】なお、図1〜図3で説明した例では、外部
入力端子Mに入力される信号の変化が、機能ブロック9
(図1)の動作、機能に影響を及ぼさない場合を想定し
ている。すなわち、図1〜図3で示した例では、半導体
集積回路10の動作を、テストモード/非テストモード
で切り替えるために、外部接続端子Mへの入力を変化さ
せる必要がある。その際には、外部接続端子Mへの入力
の変化がそのまま機能ブロック9にも伝達され、その後
も、外部接続端子Mへの入力が変化して、機能ブロック
9に伝達される。よって、外部接続端子Mに入力される
信号のレベルに依存して、機能ブロック9の動作および
機能が変化しないことが必要となる。実際、マイクロプ
ロセッサのようなシステムLSIにおいては、起動時の
み有効で、その後はどのような状態になっても動作に影
響がないという端子は存在する。
In the example described with reference to FIGS. 1 to 3, the change in the signal input to the external input terminal M is represented by the functional block 9.
It is assumed that the operation and functions of (Fig. 1) are not affected. That is, in the example shown in FIGS. 1 to 3, it is necessary to change the input to the external connection terminal M in order to switch the operation of the semiconductor integrated circuit 10 between the test mode and the non-test mode. At that time, the change in the input to the external connection terminal M is transmitted to the functional block 9 as it is, and thereafter, the input to the external connection terminal M is changed and transmitted to the functional block 9. Therefore, it is necessary that the operation and the function of the functional block 9 do not change depending on the level of the signal input to the external connection terminal M. In fact, in a system LSI such as a microprocessor, there is a terminal that is effective only at the time of startup and does not affect the operation in any state thereafter.

【0031】例えば、半導体集積回路10(図1)が、
プログラムを外部から内部のメモリへダウンロードし、
プログラム実行するマイクロプロッサであると想定す
る。ダウンロード元が複数選択できる場合、内部のCP
Uの起動時のみダウンロード元を指定する端子を設ける
必要がある。ダウンロードが完了し、CPUがダウンロ
ードしたプログラムを実行する時間帯には、ダウンロー
ド元を指定する端子にどのような入力が印加されても、
システムの動作に影響を与えない。このような端子を、
外部接続端子M(図1)として利用すれば、上述した動
作が実現できる。
For example, the semiconductor integrated circuit 10 (FIG. 1) is
Download the program from the outside to the internal memory,
Assume that it is a microprocessor that executes programs. Internal CP when multiple download sources can be selected
It is necessary to provide a terminal that specifies the download source only when U is started. During the time when the download is completed and the CPU executes the downloaded program, no matter what input is applied to the terminal that specifies the download source,
Does not affect the operation of the system. Such a terminal,
If it is used as the external connection terminal M (FIG. 1), the above-described operation can be realized.

【0032】(実施の形態2)実施の形態2は、実施の
形態1の変形例を説明する。
(Embodiment 2) Embodiment 2 describes a modification of Embodiment 1.

【0033】図4は、実施の形態2による半導体集積回
路40の構成を示すブロック図である。半導体集積回路
40が、実施の形態1の半導体集積回路10(図1)と
異なるのは、半導体集積回路40が、新たに、クロック
生成部4を備えたことである。また、第2の記憶回路2
の出力信号が、配線12を介して機能ブロック9に入力
されていることである。半導体集積回路40の他の構成
の基本的な機能は、半導体集積回路10(図1)と同じ
である。よって、ここでは、それらの説明は省略する。
FIG. 4 is a block diagram showing the structure of the semiconductor integrated circuit 40 according to the second embodiment. The semiconductor integrated circuit 40 is different from the semiconductor integrated circuit 10 (FIG. 1) of the first embodiment in that the semiconductor integrated circuit 40 newly includes a clock generation unit 4. In addition, the second storage circuit 2
The output signal of is input to the functional block 9 via the wiring 12. The basic function of the other configuration of the semiconductor integrated circuit 40 is the same as that of the semiconductor integrated circuit 10 (FIG. 1). Therefore, their description is omitted here.

【0034】クロック生成部4は、リセット信号RST
およびクロック信号CLKに基づいて、記憶装置用のク
ロック信号(以下、「記憶装置用クロック信号」と称す
る)を生成する。リセット信号RSTは、機能ブロック
9のリセット、さらには半導体集積回路40のシステム
全体のリセットを行う信号である。ここでは、リセット
信号RSTが「1」または「ハイレベル」(すなわちア
クティブ状態)のとき、システム全体がリセット状態に
なり、「0」または「ローレベル」(すなわち非アクテ
ィブ状態)のとき、リセット解除状態であるとする。ク
ロック生成部4は、このようなリセット信号RSTとク
ロック信号CLKとを受け取り、記憶装置用クロック信
号を生成し、配線13に出力する。
The clock generation section 4 has a reset signal RST.
And a clock signal for the storage device (hereinafter, referred to as "clock signal for the storage device") based on the clock signal CLK. The reset signal RST is a signal that resets the functional block 9 and further resets the entire system of the semiconductor integrated circuit 40. Here, when the reset signal RST is "1" or "high level" (that is, active state), the entire system is in the reset state, and when the reset signal RST is "0" or "low level" (that is, inactive state), reset release It is in a state. The clock generation unit 4 receives the reset signal RST and the clock signal CLK as described above, generates a clock signal for the storage device, and outputs the clock signal to the wiring 13.

【0035】第2の記憶回路2は、配線13を介して、
クロック生成部4から記憶装置用クロック信号を受け取
る。第2の記憶回路2は、記憶装置用クロック信号のタ
イミングで、第1の記憶回路1から出力されたデータを
サンプリングして記憶する。
The second memory circuit 2 is connected via the wiring 13 to
A clock signal for a storage device is received from the clock generation unit 4. The second memory circuit 2 samples and stores the data output from the first memory circuit 1 at the timing of the memory device clock signal.

【0036】図5は、クロック生成部4の構成を示すブ
ロック図である。図から明らかなように、クロック生成
部4は、2つの入力端子IN1およびIN2に入力され
た信号の論理積を演算し、出力端子OUTから出力す
る。テストモード設定回路3の具体的な動作は、以下の
真理値表(表2)のとおりである。
FIG. 5 is a block diagram showing the configuration of the clock generator 4. As is clear from the figure, the clock generation unit 4 calculates the logical product of the signals input to the two input terminals IN1 and IN2, and outputs the logical product from the output terminal OUT. The specific operation of the test mode setting circuit 3 is as shown in the following truth table (Table 2).

【0037】[0037]

【表2】 [Table 2]

【0038】表2から明らかなように、入力端子IN1
に入力されるリセット信号RSTが「1」のときには、
クロック生成部4は、入力端子IN2に入力されるクロ
ック信号CLKと同じクロック信号を出力する。一方、
リセット信号RSTが「0」のときには、クロック生成
部4の出力は「0」に固定される。
As is clear from Table 2, the input terminal IN1
When the reset signal RST input to is “1”,
The clock generation unit 4 outputs the same clock signal as the clock signal CLK input to the input terminal IN2. on the other hand,
When the reset signal RST is “0”, the output of the clock generator 4 is fixed at “0”.

【0039】図6は、半導体集積回路40(図4)の動
作タイミングを示すタイミングチャートである。最上段
は、クロック信号CLKであり、図3に示すクロック信
号CLKと同じである。第1の記憶回路1と第2の記憶
回路2は、クロック信号CLKの立ち上がりで入力信号
をサンプリングする。
FIG. 6 is a timing chart showing the operation timing of the semiconductor integrated circuit 40 (FIG. 4). The highest stage is the clock signal CLK, which is the same as the clock signal CLK shown in FIG. The first memory circuit 1 and the second memory circuit 2 sample the input signal at the rising edge of the clock signal CLK.

【0040】2段目は、リセット信号RSTを示す。リ
セット信号RSTは、時刻T3とT4の間で、状態が反
転している。すなわち、時刻3Tまではリセット状態、
時刻4T以降は、リセット解除状態である。
The second stage shows the reset signal RST. The state of the reset signal RST is inverted between times T3 and T4. That is, until the time 3T, the reset state,
After time 4T, the reset is released.

【0041】3段目は、外部接続端子Mに入力される信
号を示す。
The third row shows a signal input to the external connection terminal M.

【0042】4段目は、第1の記憶回路1の出力信号を
示す。
The fourth row shows the output signal of the first memory circuit 1.

【0043】5段目は、クロック生成部4の出力、すな
わち、記憶装置用クロック信号を示す。上述のように、
クロック生成部4は、リセット信号RSTが「1」のと
きのみ記憶装置用クロック信号を生成する。よって、記
憶装置用クロック信号は、リセット信号RSTが「1」
である時刻T3〜T4間までにのみ「1」となる。
The fifth row shows the output of the clock generator 4, that is, the clock signal for the storage device. As mentioned above,
The clock generation unit 4 generates the storage device clock signal only when the reset signal RST is “1”. Therefore, in the clock signal for the memory device, the reset signal RST is “1”.
It becomes "1" only between time T3 and T4.

【0044】6段目は、第2の記憶回路2の出力を示
す。第2の記憶回路2は、クロック生成部4が生成した
記憶装置用クロック信号の立ち上がりで、第1の記憶回
路1の出力をサンプリングする。第1の記憶回路1の出
力は、時刻T2でローレベルに変化することから、第2
の記憶回路2の出力は、その1クロック周期後の時刻T
3において、ローレベルに変化する。一方、時刻T4以
降には、記憶装置用クロック信号の立ち上がりはないの
で、第1の記憶回路1の出力が変化しても、第2の記憶
回路2の出力は変化しない。
The sixth stage shows the output of the second memory circuit 2. The second storage circuit 2 samples the output of the first storage circuit 1 at the rising edge of the storage device clock signal generated by the clock generation unit 4. Since the output of the first memory circuit 1 changes to the low level at time T2,
The output of the memory circuit 2 of FIG.
At 3, it changes to low level. On the other hand, after time T4, the storage device clock signal does not rise, so that even if the output of the first storage circuit 1 changes, the output of the second storage circuit 2 does not change.

【0045】テストモード設定回路3は、第1の記憶回
路1の出力レベルと第2の記憶回路2の出力レベルの相
違を検出できる。よって、テストモード設定回路3は、
時刻T2、T5、T7において、双方の相違を検出し、
その時刻で変化するテストモード信号を生成する。な
お、時刻T4以降は、第2の記憶回路2が第1の記憶回
路1の出力をサンプリングしないので、第2の記憶回路
2の出力は「0」に固定される。よって、第1の記憶回
路1の出力が「1」の間は、相違が検出され、半導体集
積回路40をテストモードに設定する「1」のテストモ
ード信号が生成される。逆に、第1の記憶回路1の出力
が「0」の間は、半導体集積回路40を非テストモード
に設定する「0」のテストモード信号が生成される。な
お、図4に示すように、半導体集積回路40では、配線
12を利用して、外部接続端子Mへの入力信号を機能ブ
ロック9に伝達する。よって、ブロックに伝えられる内
容は、リセット解除後は固定される。
The test mode setting circuit 3 can detect the difference between the output level of the first storage circuit 1 and the output level of the second storage circuit 2. Therefore, the test mode setting circuit 3
At time T2, T5, T7, the difference between the two is detected,
A test mode signal that changes at that time is generated. Since the second storage circuit 2 does not sample the output of the first storage circuit 1 after time T4, the output of the second storage circuit 2 is fixed to "0". Therefore, while the output of the first memory circuit 1 is "1", the difference is detected and the test mode signal of "1" for setting the semiconductor integrated circuit 40 in the test mode is generated. On the contrary, while the output of the first memory circuit 1 is "0", the test mode signal of "0" which sets the semiconductor integrated circuit 40 to the non-test mode is generated. As shown in FIG. 4, in the semiconductor integrated circuit 40, the wiring 12 is used to transmit the input signal to the external connection terminal M to the functional block 9. Therefore, the contents transmitted to the block are fixed after the reset is released.

【0046】例えば、実施の形態1の最後で例示したよ
うに、半導体集積回路40が、プログラムを外部から内
部のメモリへダウンロードし、プログラム実行するマイ
クロプロッサであると想定する。このとき、ダウンロー
ド元が複数選択できる場合の、内部CPUの起動時にの
みダウンロード元を指定する端子を外部接続端子Mとす
ると、例えば「0」のとき外部ROMからダウンロード
し、「1」のときシリアル通信I/Fからダウンロード
する。ダウンロード元は、リセット解除時点の外部接続
端子Mに印加される信号の状態で決定され、解除後は固
定される。
For example, as illustrated at the end of the first embodiment, it is assumed that the semiconductor integrated circuit 40 is a microprocessor that downloads a program from the outside to an internal memory and executes the program. At this time, when a plurality of download sources can be selected, if the terminal for designating the download source only when the internal CPU is started up is the external connection terminal M, for example, when it is "0", it is downloaded from the external ROM, and when it is "1", it is serial. Download from communication I / F. The download source is determined by the state of the signal applied to the external connection terminal M when the reset is released, and is fixed after the release.

【0047】(実施の形態3)実施の形態3は、実施の
形態1の変形例を説明する。
(Third Embodiment) A third embodiment will be described as a modification of the first embodiment.

【0048】図7は、実施の形態3による半導体集積回
路70の構成を示すブロック図である。半導体集積回路
70は、2つの外部接続端子Ma、Mbと、各外部接続
端子Ma、Mbに対応して、第1の記憶回路1a、1b
と、第2の記憶回路2a、2bと、および、テストモー
ド設定回路3a、3bとを備えている。外部接続端子M
a、第1の記憶回路1a、第2の記憶回路2a、およ
び、テストモード設定回路3aの構成および接続は、図
1に示す外部接続端子M、第1の記憶回路1、第2の記
憶回路2、テストモード設定回路3の構成および接続と
同じである。同様に、外部接続端子Mb、第1の記憶回
路1b、第2の記憶回路2b、および、テストモード設
定回路3bの構成および接続は、図1に示す外部接続端
子M、第1の記憶回路1、第2の記憶回路2、テストモ
ード設定回路3の構成および接続と同じである。したが
って、各構成要素の説明は省略する。
FIG. 7 is a block diagram showing a structure of a semiconductor integrated circuit 70 according to the third embodiment. The semiconductor integrated circuit 70 includes two external connection terminals Ma and Mb and first storage circuits 1a and 1b corresponding to the external connection terminals Ma and Mb.
, Second memory circuits 2a and 2b, and test mode setting circuits 3a and 3b. External connection terminal M
a, the first memory circuit 1a, the second memory circuit 2a, and the test mode setting circuit 3a are configured and connected by the external connection terminal M, the first memory circuit 1, and the second memory circuit shown in FIG. 2. The configuration and connection of the test mode setting circuit 3 are the same. Similarly, the external connection terminal Mb, the first memory circuit 1b, the second memory circuit 2b, and the test mode setting circuit 3b are configured and connected in the same manner as the external connection terminal M and the first memory circuit 1 shown in FIG. The second memory circuit 2 and the test mode setting circuit 3 have the same configurations and connections. Therefore, description of each component is omitted.

【0049】半導体集積回路70はさらに、テストモー
ド設定回路3aの出力14aと、テストモード設定回路
3bの出力14bとを受け取り、論理和演算を行うOR
ゲート5を備えている。半導体集積回路70では、OR
ゲート5の出力が、テストモード信号として機能ブロッ
ク9へ入力される。
The semiconductor integrated circuit 70 further receives the output 14a of the test mode setting circuit 3a and the output 14b of the test mode setting circuit 3b and performs an OR operation.
It has a gate 5. In the semiconductor integrated circuit 70, OR
The output of the gate 5 is input to the functional block 9 as a test mode signal.

【0050】図8は、半導体集積回路70(図7)の動
作タイミングを示すタイミングチャートである。最上段
は、クロック信号CLKであり、図3に示すクロック信
号CLKと同じである。第1の記憶回路1と第2の記憶
回路2は、クロック信号CLKの立ち上がりで入力信号
をサンプリングする。
FIG. 8 is a timing chart showing the operation timing of the semiconductor integrated circuit 70 (FIG. 7). The highest stage is the clock signal CLK, which is the same as the clock signal CLK shown in FIG. The first memory circuit 1 and the second memory circuit 2 sample the input signal at the rising edge of the clock signal CLK.

【0051】2段目は、外部接続端子Maに入力される
信号と、外部接続端子Mbに入力される信号とを、2ビ
ットで表記している。
In the second stage, a signal input to the external connection terminal Ma and a signal input to the external connection terminal Mb are represented by 2 bits.

【0052】3段目は、第1の記憶回路1aから出力さ
れる信号11aと、第1の記憶回路1bから出力される
信号11bとを、2ビット表記で示している。
The third row shows the signal 11a output from the first storage circuit 1a and the signal 11b output from the first storage circuit 1b in 2-bit notation.

【0053】4段目は、第2の記憶回路2aから出力さ
れる信号12aと、第2の記憶回路2bから出力される
信号12bとを、2ビット表記で示している。
The fourth row shows the signal 12a output from the second memory circuit 2a and the signal 12b output from the second memory circuit 2b in 2-bit notation.

【0054】5段目は、テストモード設定回路3aから
出力される信号14aと、テストモード設定回路3bか
ら出力される信号14bとを、2ビット表記で示してい
る。
The fifth stage shows the signal 14a output from the test mode setting circuit 3a and the signal 14b output from the test mode setting circuit 3b in 2-bit notation.

【0055】上述のように、テストモード信号は、テス
トモード設定回路3aの出力14aと、テストモード設
定回路3bの出力14bとの論理和(OR)演算の結果
得られる。よって、出力14aおよび14bのいずれか
一方が「1」であれば、テストモード信号は「1」とな
る。よって、諸般の理由で、特定の外部接続端子(例え
ば、外部接続端子Ma)に信号が入力できない等、操作
ができない状況でも、半導体集積回路70(図7)のよ
うに複数の外部接続端子を備えていれば、いずれかの外
部接続端子を用いてテストモードを設定できる。これに
より、障害を回避できる確率が高くなる。
As described above, the test mode signal is obtained as a result of the logical sum (OR) operation of the output 14a of the test mode setting circuit 3a and the output 14b of the test mode setting circuit 3b. Therefore, if either one of the outputs 14a and 14b is "1", the test mode signal becomes "1". Therefore, due to various reasons, even when a signal cannot be input to a specific external connection terminal (for example, the external connection terminal Ma) or the operation cannot be performed, a plurality of external connection terminals like the semiconductor integrated circuit 70 (FIG. 7) can be connected. If provided, the test mode can be set using any of the external connection terminals. This increases the probability of avoiding the obstacle.

【0056】図9は、実施の形態3による半導体集積回
路71の変形例の構成を示すブロック図である。半導体
集積回路71は、半導体集積回路70(図7)を、リセ
ット信号RSTと、クロック生成部4とに基づいても動
作するように構成した。半導体集積回路71は、図4お
よび図7を組み合わせて構成されており、したがって、
各構成要素およびその動作は、半導体集積回路40(図
4)および半導体集積回路70(図7)に関連して説明
した各構成要素の説明と同じである。ここで、クロック
生成部4は、リセット信号RSTおよびクロック信号C
LKを受け取り、記憶装置用クロック信号を出力する。
記憶装置用クロック信号は、第2の記憶回路2a、2b
の各々に入力される。そして、第2の記憶回路2a、2
bの出力は、それぞれ配線12a、12bを介して、機
能ブロック9に入力される。
FIG. 9 is a block diagram showing a structure of a modification of the semiconductor integrated circuit 71 according to the third embodiment. The semiconductor integrated circuit 71 is configured so that the semiconductor integrated circuit 70 (FIG. 7) also operates based on the reset signal RST and the clock generation unit 4. The semiconductor integrated circuit 71 is configured by combining FIG. 4 and FIG. 7, and therefore,
Each component and its operation are the same as the description of each component described in relation to the semiconductor integrated circuit 40 (FIG. 4) and the semiconductor integrated circuit 70 (FIG. 7). Here, the clock generation unit 4 uses the reset signal RST and the clock signal C.
It receives LK and outputs a memory device clock signal.
The clock signal for the storage device is used for the second storage circuits 2a and 2b.
Is input to each of. Then, the second memory circuits 2a, 2
The output of b is input to the functional block 9 via the wirings 12a and 12b, respectively.

【0057】なお、図7〜図9では、2つの外部入力端
子を備えた例を説明した。しかし、外部接続端子を、3
つ以上備えていてもよい。この場合は、各外部接続端子
に対応した第1の記憶回路、第2の記憶回路、および、
テストモード設定回路を設け、かつ、すべてのテストモ
ード設定回路の出力信号の論理和演算を行うORゲート
を設ければよい。ORゲートの出力信号がテストモード
信号として利用できる。
7 to 9, an example in which two external input terminals are provided has been described. However, the external connection terminal
You may have more than one. In this case, a first memory circuit, a second memory circuit, and
It suffices to provide a test mode setting circuit and an OR gate for performing an OR operation on the output signals of all the test mode setting circuits. The output signal of the OR gate can be used as a test mode signal.

【0058】[0058]

【発明の効果】外部接続端子に入力された信号に基づい
て、機能ブロックが所定の動作を行い、その一方で、機
能ブロックをテストモードに設定するか否かを決定でき
る。すなわち、テスト専用端子を設けることなく、既存
の外部端子の入力状態を操作することで、集積回路をテ
ストモードに設定できる。
According to the signal input to the external connection terminal, the functional block performs a predetermined operation, while it can be determined whether or not to set the functional block to the test mode. That is, the integrated circuit can be set to the test mode by operating the input state of the existing external terminal without providing the test-dedicated terminal.

【0059】リセット解除後はブロックに伝えられる外
部入力端子の内容を固定しているので、リセット解除後
に入力情報を変化させてはならない仕様の外部端子に対
しても上述した効果を得ることができる。
Since the content of the external input terminal transmitted to the block is fixed after the reset is released, the above-described effect can be obtained even for the external terminal having a specification in which the input information should not be changed after the reset is released. .

【0060】ある外部接続端子の操作ができない環境が
あったとしても、複数の外部接続端子を備えているの
で、そのなかのひとつでテストモードを設定できる。よ
って、障害を回避できる確率が高くなる。
Even if there is an environment in which a certain external connection terminal cannot be operated, since a plurality of external connection terminals are provided, the test mode can be set with one of them. Therefore, the probability that the obstacle can be avoided increases.

【0061】[0061]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 実施の形態1による半導体集積回路の構成を
示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment.

【図2】 テストモード設定回路の具体的な構成を示す
ブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing a specific configuration of a test mode setting circuit.

【図3】 半導体集積回路の動作タイミングを示すタイ
ミングチャートである。
FIG. 3 is a timing chart showing the operation timing of the semiconductor integrated circuit.

【図4】 実施の形態2による半導体集積回路の構成を
示すブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to a second embodiment.

【図5】 クロック生成部の構成を示すブロック図であ
る。
FIG. 5 is a block diagram showing a configuration of a clock generation unit.

【図6】 半導体集積回路の動作タイミングを示すタイ
ミングチャートである。
FIG. 6 is a timing chart showing the operation timing of the semiconductor integrated circuit.

【図7】 実施の形態3による半導体集積回路の構成を
示すブロック図である。
FIG. 7 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to a third embodiment.

【図8】 半導体集積回路の動作タイミングを示すタイ
ミングチャートである。
FIG. 8 is a timing chart showing the operation timing of the semiconductor integrated circuit.

【図9】 実施の形態3による半導体集積回路の変形例
の構成を示すブロック図である。
FIG. 9 is a block diagram showing a configuration of a modification of the semiconductor integrated circuit according to the third embodiment.

【図10】 一般的なテスト容易化技術を採用した半導
体集積回路の構成を示すブロック図である。
FIG. 10 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit adopting a general testability technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 第1の記憶回路 2 第2の記憶回路 3 テストモード設定回路 4 クロック生成部 5 ORゲート 9 機能ブロック 10 半導体集積回路 40 半導体集積回路 70 半導体集積回路 1 First memory circuit 2 Second memory circuit 3 Test mode setting circuit 4 Clock generator 5 OR gate 9 functional blocks 10 Semiconductor integrated circuits 40 Semiconductor integrated circuit 70 Semiconductor integrated circuits

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 外部接続端子と、前記外部接続端子から
入力された入力信号に基づいて、所定の動作を行う機能
ブロックとを備えた集積回路において、 クロック信号の第1のエッジにおいて、前記入力信号を
サンプリングして記憶し、かつ、前記第1のエッジの後
の第2のエッジにおいて、記憶した前記入力信号を第1
の出力信号として出力する第1の記憶部と、 前記第2のエッジにおいて、前記第1の記憶部が出力し
た前記第1の出力信号をサンプリングして記憶し、か
つ、前記第2のエッジの後の第3のエッジにおいて、記
憶した前記第1の出力信号を第2の出力信号として出力
する第2の記憶部と、 前記第1の記憶部が出力した前記第1の出力信号と、前
記第2の記憶部が出力した前記第2の出力信号とに基づ
いて、前記機能ブロックをテストモードに設定するか否
かを示すテストモード信号を生成するテストモード設定
回路とをさらに備えた、集積回路。
1. An integrated circuit including an external connection terminal and a functional block that performs a predetermined operation based on an input signal input from the external connection terminal, wherein the input is provided at a first edge of a clock signal. A signal is sampled and stored, and at a second edge after the first edge, the stored input signal is
A first storage unit for outputting the first output signal output from the first storage unit at the second edge, and storing the first output signal output from the first storage unit in the second edge; A second storage unit that outputs the stored first output signal as a second output signal at a later third edge; the first output signal that the first storage unit outputs; An integrated circuit further comprising: a test mode setting circuit that generates a test mode signal indicating whether to set the functional block to a test mode based on the second output signal output from the second storage unit. circuit.
【請求項2】 前記テストモード設定回路は、前記第1
の記憶部が出力した前記第1の出力信号と、前記第2の
記憶部が出力した前記第2の出力信号とが、相違した値
を示す場合に、前記機能ブロックをテストモードに設定
する前記テストモード信号を生成する、請求項1に記載
の集積回路。
2. The test mode setting circuit comprises:
Setting the functional block to the test mode when the first output signal output from the storage unit and the second output signal output from the second storage unit show different values. The integrated circuit of claim 1, which produces a test mode signal.
【請求項3】 前記クロック信号と、所定の時刻におい
てアクティブ状態から非アクティブ状態に反転するリセ
ット信号とに基づいて、前記所定の時刻までエッジが存
在するクロック信号を生成するクロック生成部をさらに
備え、 前記第3のエッジは、前記クロック生成部が生成した前
記クロック信号のエッジである、請求項1に記載の集積
回路。
3. A clock generation unit for generating a clock signal having an edge until the predetermined time based on the clock signal and a reset signal which is inverted from an active state to an inactive state at a predetermined time. The integrated circuit according to claim 1, wherein the third edge is an edge of the clock signal generated by the clock generation unit.
【請求項4】 前記集積回路は、外部接続端子、前記第
1の記憶部、前記第2の記憶部、および、前記テストモ
ード設定回路の組を複数有し、 前記テストモード設定回路から出力された前記テストモ
ード信号の各々の論理和を演算して出力する演算回路を
さらに備え、 前記演算回路の出力は、前記機能ブロックをテストモー
ドに設定するか否かを示す、請求項1または3に記載の
集積回路。
4. The integrated circuit has a plurality of sets of external connection terminals, the first storage section, the second storage section, and the test mode setting circuit, and is output from the test mode setting circuit. 4. The operation circuit according to claim 1, further comprising an operation circuit that calculates and outputs a logical sum of each of the test mode signals, and an output of the operation circuit indicates whether to set the functional block to a test mode. The integrated circuit described.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101124293B1 (en) 2009-12-28 2012-03-28 주식회사 하이닉스반도체 Device and method for generating test mode signal
US8238179B2 (en) 2009-12-28 2012-08-07 SK Hynix Inc. Device and method for generating test mode signal
US10797692B2 (en) 2016-10-05 2020-10-06 Fuji Electric Co., Ltd. Integrated circuit device

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