JP2003258195A - Chip-on-board and method for manufacturing the same - Google Patents

Chip-on-board and method for manufacturing the same

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JP2003258195A
JP2003258195A JP2002057653A JP2002057653A JP2003258195A JP 2003258195 A JP2003258195 A JP 2003258195A JP 2002057653 A JP2002057653 A JP 2002057653A JP 2002057653 A JP2002057653 A JP 2002057653A JP 2003258195 A JP2003258195 A JP 2003258195A
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die
wiring board
dies
surface side
pad
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Naoyuki Shinonaga
直之 篠永
Shuichi Osaka
修一 大坂
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a chip-on-board and a method for manufacturing the same, which enables direct mounting of dies on a multilayer circuit board, and standardization of the multilayer circuit board, and is able to further manufacturing processes, without demounting the dies, even if unsuccessful in electrical characteristics tests. <P>SOLUTION: The chip on board is provided with the multilayer circuit board 1 having portions for mounting a plurality of dies, a plurality of dies 10 which are mounted on the individual die-mounting portions singly or with more than two of them being stacked, a plurality of bonding pads 11 which are disposed in correspondence with the die mounting portions, respectively, being connected to a single die 10 or an uppermost die 10Y, contact pads 13 which are disposed in correspondence with the bonding pads 11, respectively, each being connected to a corresponding bonding pad 11, jumper pads 15 which are disposed close to the contact pads 13, each being connected to an edge terminal 4, a circuit element or a through-hole 17, and a mold resin 18 for molding the whole. The uppermost die should be the one that has passed the electrical characteristics testings. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、チップ・オン・
ボード、特にメモリチップ、マイコンチップ、ASIC
チップ等の半導体チップ(ダイ)を多層配線基板に装着
するチップ・オン・ボード及びその製造方法に関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention
Board, especially memory chip, microcomputer chip, ASIC
The present invention relates to a chip-on-board in which a semiconductor chip (die) such as a chip is mounted on a multilayer wiring board and a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】図11は、従来のチップ・オン・ボード
(以下、COBという)の構成をメモリモジュールの例
で示す概略図で、(a)は全体構成を示す斜視図、
(b)は(a)に示す構成のうち隣接する2つのICに
ついて、多層配線基板への装着構成を示したものであ
る。これらの図において、1は多層配線基板、2は多層
配線基板上に多数設けられ、ICのリードを接続固定し
てICを多層配線基板1上に実装するためのICリード
パッド、3はICリードパッド2間を電気的に接続する
配線パターンで、IC相互の接続の他、多層配線基板に
装着された抵抗、コンデンサ、ヒューズ等の回路素子
(図示せず)との接続、多層配線基板に跨って形成さ
れ、各配線基板間の接続を行なうスルーホールとの接
続、あるいは多層配線基板外との接続端子となるエッジ
端子4との接続用として多層配線基板1の表面に所定の
パターンで配設されるものである。5はICで、複数の
リード5Aを上記ICリードパッド2に固定することに
より多層配線基板1上に実装される。
2. Description of the Related Art FIG. 11 is a schematic view showing the structure of a conventional chip-on-board (hereinafter referred to as COB) by way of example of a memory module, and (a) is a perspective view showing the whole structure.
(B) shows a configuration in which two adjacent ICs in the configuration shown in (a) are mounted on a multilayer wiring board. In these figures, 1 is a multilayer wiring board, 2 is a large number provided on the multilayer wiring board, and IC lead pads for connecting and fixing the leads of the IC to mount the IC on the multilayer wiring board 1 and 3 are IC leads. A wiring pattern for electrically connecting the pads 2 to each other, connecting to ICs, connecting to circuit elements (not shown) such as resistors, capacitors and fuses mounted on the multilayer wiring board, and straddling the multilayer wiring board. Formed on the surface of the multilayer wiring board 1 in a predetermined pattern for connection with through-holes for connecting the wiring boards or for connection with the edge terminal 4 serving as a connection terminal outside the multilayer wiring board. It is what is done. Reference numeral 5 denotes an IC, which is mounted on the multilayer wiring board 1 by fixing a plurality of leads 5A to the IC lead pad 2.

【0003】図12は、図11(a)に示すメモリモジ
ュールの製造工程を示すフロー図である。即ち、ステッ
プS1でメモリチップ(ダイ、図示せず)を周知のリー
ドフレーム(図示せず)にダイボンドする。次に、ステ
ップS2でダイとリードフレームとをワイヤボンディン
グする。続いてステップS3でダイとリードフレームと
を樹脂モールドしてIC5を形成する。その後、ステッ
プS4で各IC毎に電気特性試験を実施し、不合格の場
合はステップS5で廃却され、合格の場合はステップS
6で図11に示すように、多層配線基板1に実装され
る。続いて、ステップS7でメモリモジュールとしての
電気特性試験が実施され、製造工程が終了する。
FIG. 12 is a flow chart showing a manufacturing process of the memory module shown in FIG. That is, in step S1, a memory chip (die, not shown) is die-bonded to a known lead frame (not shown). Next, in step S2, the die and the lead frame are wire-bonded. Subsequently, in step S3, the die and the lead frame are resin-molded to form the IC5. After that, an electric characteristic test is performed for each IC in step S4, and if it fails, it is discarded in step S5, and if it passes, step S
6 is mounted on the multilayer wiring board 1 as shown in FIG. Then, in step S7, an electrical characteristic test as a memory module is performed, and the manufacturing process ends.

【0004】図13〜図18は、ステップS6でIC5
を多層配線基板1に実装する場合の回路構成及びICの
配置の仕方を示す概略図で、図13及び図14は、IC
を9個実装する場合、図15及び図16は、ICを18
個実装する場合、図17及び図18は、ICを36個実
装する場合をそれぞれ示している。ICを9個実装する
場合には、各ICは図14に示すように、多層配線基板
に配置装着される。この図は、多層配線基板1が2層の
例を示すもので、(a)は表面となる第1層の配線基板
1aを示し、(b)は裏面となる第2層の配線基板1b
を示す。9個のICは4個と5個の2つのグループに分
けられ、4個からなるグループ(5a1〜5a4)は第
1層の配線基板1aに図示のように配置され、5個から
なるグループ(5b1〜5b5)は第2層の配線基板1
bに図示のように配置され、両基板間の接続は図示して
いないスルーホールによってなされている。第1層の配
線基板1aにおける50はエッジ端子4を介して外部回
路と接続するための接続用ICである。
13 to 18 show the IC5 in step S6.
FIG. 13 and FIG. 14 are schematic diagrams showing a circuit configuration and a method of arranging ICs when mounting the ICs on the multilayer wiring board 1.
15 and 9 are mounted, the ICs shown in FIGS.
17 and FIG. 18 show the case of mounting 36 ICs, respectively. When 9 ICs are mounted, each IC is arranged and mounted on the multilayer wiring board as shown in FIG. This figure shows an example in which the multilayer wiring board 1 has two layers. (A) shows the wiring board 1a of the first layer on the front surface, and (b) shows the wiring board 1b of the second layer on the back surface.
Indicates. The nine ICs are divided into two groups of four and five, and the groups of four (5a1 to 5a4) are arranged on the first-layer wiring board 1a as shown in the figure and the group of five ( 5b1 to 5b5) are second-layer wiring boards 1
It is arranged as shown in FIG. 5b, and the connection between both substrates is made by a through hole (not shown). Reference numeral 50 in the first-layer wiring board 1a is a connecting IC for connecting to an external circuit via the edge terminal 4.

【0005】回路構成は図13に示すようになされてお
り、クロック信号(Add,CKEO,/SO-3等)及びI/O信号(DQ
0…等)は、4個からなるグループの各IC(5a1〜5
a4)及び5個からなるグループの各IC(5b1〜5
b5)にそれぞれ別個に並列的に供給される構成になっ
ている。図示の都合上、例えばIC5a2に対するクロ
ック信号は、IC5a1を介して供給されているような
形になっているが、IC5a2に対してはIC5a1を
経由せずに供給され、IC5a3に対しては同様に、I
C5a1及びIC5a2を経由せずに供給されるような
接続とされている。他のICについても同様である。ま
た、I/O信号についても同様である。
The circuit configuration is as shown in FIG. 13, in which clock signals (Add, CKEO, / SO-3, etc.) and I / O signals (DQ
0 ... etc. are each IC (5a1-5) of a group of 4
a4) and each IC of the group consisting of 5 (5b1-5)
b5) are separately supplied in parallel. For convenience of illustration, for example, the clock signal for the IC 5a2 is supplied via the IC 5a1, but is supplied to the IC 5a2 without passing through the IC 5a1 and similarly to the IC 5a3. , I
The connection is such that it is supplied without passing through C5a1 and IC5a2. The same applies to other ICs. The same applies to the I / O signal.

【0006】更に、ICを18個実装する場合には、各
ICは図16に示すように、多層配線基板1a、1bに
配置装着されている。即ち、第1層の配線基板1aと第
2層の配線基板1bにそれぞれ9個ずつ配置されてい
る。接続用IC50やスルーホール(図示せず)につい
ては、図14の場合と同様であるため説明を省略する。
回路構成は図15に示すようになされている。各信号
の各ICへの供給の仕方は図13と同様であり、各グル
ープのICの数がそれぞれ9個になっている点が異なる
のみであるため、説明を省略する。更に、ICを36個
実装する場合には、各ICは9個ずつ4つのグループに
分けられ、図18に示すように、多層配線基板1a、1
bに配置装着されている。即ち、第1層の配線基板1a
と第2層の配線基板1bにそれぞれ2グループ18個ず
つ配置されている。接続用IC50やスルーホール(図
示せず)については、図14の場合と同様であるため説
明を省略する。
Further, when mounting 18 ICs, each IC is arranged and mounted on the multilayer wiring boards 1a and 1b as shown in FIG. That is, nine wiring boards are arranged on each of the first-layer wiring board 1a and the second-layer wiring board 1b. The connection IC 50 and the through hole (not shown) are the same as those in the case of FIG.
The circuit configuration is as shown in FIG. The method of supplying each signal to each IC is the same as that in FIG. 13, and only the difference is that the number of ICs in each group is 9, and therefore the description is omitted. Further, when 36 ICs are mounted, each IC is divided into 4 groups of 9 ICs, and as shown in FIG.
It is arranged and mounted on b. That is, the wiring substrate 1a of the first layer
And two groups of 18 wiring boards are arranged on the second-layer wiring board 1b. The connection IC 50 and the through hole (not shown) are the same as those in the case of FIG.

【0007】回路構成は図17に示すようになされてい
る。クロック信号(Add,CKEO,/SO-3等)は、図13に対
してグループ数の増加分だけ並列回路数が増加している
が、各グループに対する供給の仕方は図13と同様であ
る。I/O信号(DQ0…等)についても各グループのICに対
してそれぞれ並列的に供給され、電気的には図13と同
様になっている。図示の都合上、例えばIC5d1に対
するI/O信号は、IC5b1を介して供給されているよ
うな形になっているが、IC5d1に対してはIC5b
1を経由せずに供給されるような接続とされている。こ
れはIC5a1と5c1についても同様であり、他のI
Cについても同様である。
The circuit configuration is as shown in FIG. The clock signals (Add, CKEO, / SO-3, etc.) have the number of parallel circuits increased by the increase in the number of groups with respect to FIG. 13, but the method of supply to each group is the same as in FIG. The I / O signals (DQ0 ...) Are also supplied in parallel to the ICs of each group, and are electrically similar to those in FIG. For convenience of illustration, for example, the I / O signal to the IC 5d1 is supplied via the IC 5b1, but the IC 5b1 is supplied to the IC 5b 1.
The connection is such that it is supplied without going through 1. This is the same for ICs 5a1 and 5c1 as well.
The same applies to C.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】従来のメモリモジュー
ルは以上のように構成されていたため、リードフレーム
が必要であり、材料費が高くなるという問題点があっ
た。また、それに伴なって製造工程も、ダイをリードフ
レームにダイボンドしてICを形成する工程と、ICを
モジュール用の配線基板に実装する工程の2工程を必要
とし、製造原価が高くなるという問題点があった。更
に、ICの電気特性試験の結果、不合格となった場合に
は、廃却処分するため廃却されるICのモールド樹脂と
リードフレームが無駄になるという問題点もあった。更
にまた、ICの配線基板への実装に際して、実装される
ICの数に応じて回路構成と多層配線基板の配置構成が
異なるため、何種類もの多層配線基板を準備する必要が
あるという問題点もあった。
Since the conventional memory module is constructed as described above, there is a problem that a lead frame is required and the material cost becomes high. In addition, the manufacturing process also requires two processes, a process of die-bonding a die to a lead frame to form an IC, and a process of mounting the IC on a wiring board for a module, resulting in a high manufacturing cost. There was a point. Further, if the result of the electrical characteristic test of the IC is a failure, there is a problem that the mold resin and the lead frame of the IC to be discarded are wasted because they are discarded. Furthermore, when mounting an IC on a wiring board, the circuit configuration and the layout configuration of the multilayer wiring board differ depending on the number of ICs to be mounted, so that it is necessary to prepare several types of multilayer wiring boards. there were.

【0009】この発明は、以上のような問題点に対処す
るためになされたもので、リードフレームを使用せず、
メモリチップ等の半導体チップ(ダイ)を直接多層配線
基板に装着する構成のCOBを提供することを目的とす
る。また、この発明は、ダイを多層配線基板に実装する
際、ダイの数が変わっても同じ多層配線基板を使用する
ことができ、従って多層配線基板の種類を少なくするこ
とができるCOBを提供することを目的とする。更にこ
の発明は、ダイを多層配線基板に装着し、樹脂によって
モールドする前に電気特性試験を行ない、不合格となっ
たダイがある場合には、不合格ダイと多層配線基板との
接続ワイヤを取り除くのみで、不合格ダイは取り外すこ
となく製造工程を進めることができるCOBの製造方法
を提供することを目的とする。
The present invention has been made in order to solve the above problems, without using a lead frame,
An object of the present invention is to provide a COB having a structure in which a semiconductor chip (die) such as a memory chip is directly mounted on a multilayer wiring board. Further, the present invention provides a COB capable of using the same multilayer wiring board even when the number of dies is changed, when mounting the die on the multilayer wiring board, and thus reducing the number of types of multilayer wiring boards. The purpose is to Furthermore, the present invention mounts the die on a multilayer wiring board, conducts an electrical characteristic test before molding with a resin, and if there is a die that fails, connect the connecting wire between the reject die and the multilayer wiring board. It is an object of the present invention to provide a COB manufacturing method in which the manufacturing process can be carried out only by removing the rejected die without removing the rejected die.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】この発明に係るCOB
は、複数のダイ装着部を有する多層配線基板と、この多
層配線基板の各ダイ装着部にそれぞれ単体または2個以
上が重ねて装着される複数のダイと、上記各ダイ装着部
に対応して上記多層配線基板上に配設され、単体のダイ
または最上部のダイと接続された複数のボンディングパ
ッドと、上記各ボンディングパッドに対応して上記多層
配線基板上に配設され、対応するボンディングパッドと
接続されたコンタクトパッドと、上記コンタクトパッド
に近接して配設され、上記多層配線基板のエッジ端子ま
たは上記多層配線基板に実装された回路素子あるいは上
記多層配線基板の各層に跨るスルーホールに接続された
ジャンパーパッドと、上記各ダイ及び各パッドをモール
ドするモールド樹脂とを備え、2個以上を重ねた最上部
のダイを、電気特性試験で合格したダイとするものであ
る。
COB according to the present invention
Is a multi-layer wiring board having a plurality of die mounting parts, a plurality of dies mounted on each die mounting part of the multi-layer wiring substrate singly or in a stack of two or more, and corresponding to each die mounting part. A plurality of bonding pads arranged on the multilayer wiring board and connected to a single die or an uppermost die, and corresponding bonding pads arranged on the multilayer wiring board corresponding to the respective bonding pads. Connected to the contact pad connected to the contact pad, and to an edge terminal of the multilayer wiring board, a circuit element mounted on the multilayer wiring board, or a through hole extending over each layer of the multilayer wiring board. Equipped with a jumper pad and a molding resin that molds the above-mentioned dies and pads. It is an die that have passed the test.

【0011】この発明に係るCOBは、また、上記2個
以上を重ねたダイのうち、最上部以外のダイを電気特性
試験で不合格となったダイとするものである。
In the COB according to the present invention, among the dies formed by stacking two or more of the above, the dies other than the top die are the dies that have failed the electrical characteristic test.

【0012】この発明に係るCOBは、また、上記多層
配線基板のダイ装着部に装着されるダイを、複数のグル
ープに区分すると共に、所定のグループのダイはジャン
パー配線を介することなく信号を受け、その他のグルー
プのダイはジャンパー配線を介して信号を受けるように
したものである。
The COB according to the present invention also divides the dies mounted on the die mounting portion of the above-mentioned multilayer wiring board into a plurality of groups, and the dies of a predetermined group receive signals without using jumper wiring. , The other groups of dies are designed to receive signals via jumper wires.

【0013】この発明に係るCOBは、また、複数の配
線基板を多層配置し、主面を構成する主面側配線基板と
他面を構成する他面側配線基板にそれぞれ複数のダイ装
着部を有する多層配線基板と、上記主面側及び他面側配
線基板の各ダイ装着部にそれぞれ装着された複数のダイ
と、上記各ダイに対応して上記主面側及び他面側配線基
板上にそれぞれ配設され、対応するダイと接続された複
数のボンディングパッドと、上記各ボンディングパッド
に対応して上記主面側及び他面側配線基板にそれぞれ配
設され、対応するボンディングパッドと接続された複数
のコンタクトパッドと、上記主面側及び他面側配線基板
に跨って設けられたスルーホールと、上記コンタクトパ
ッドに近接して上記主面側及び他面側配線基板にそれぞ
れ設けられ、上記スルーホールに接続されたジャンパー
パッドと、上記主面側及び他面側配線基板の一方または
双方に設けられ、上記スルーホールに接続されたエッジ
端子と、上記主面側及び他面側配線基板の各ダイ及び各
パッドをモールドするモールド樹脂とを備えたものであ
る。この発明に係るCOBは、また、上記ダイをメモリ
チップとしたものである。
In the COB according to the present invention, a plurality of wiring boards are arranged in multiple layers, and a plurality of die mounting portions are respectively provided on the main surface side wiring board forming the main surface and the other surface side wiring board forming the other surface. A multi-layer wiring board having, a plurality of dies mounted on each die mounting portion of the main surface side and the other surface side wiring board, and on the main surface side and the other surface side wiring board corresponding to each die A plurality of bonding pads respectively arranged and connected to the corresponding die, and arranged on the main surface side and the other surface side wiring boards respectively corresponding to the respective bonding pads and connected to the corresponding bonding pads. A plurality of contact pads, a through hole provided over the main surface side and the other surface side wiring board, and a plurality of through holes provided in the main surface side and the other surface side wiring board in the vicinity of the contact pad, respectively. A jumper pad connected to the through hole, an edge terminal provided on one or both of the main surface side and the other surface side wiring board and connected to the through hole, and each of the main surface side and the other surface side wiring board. It is provided with a die and a molding resin for molding each pad. The COB according to the present invention also uses the die as a memory chip.

【0014】この発明に係るCOBの製造方法は、複数
のダイ装着部を有する多層配線基板の各ダイ装着部にそ
れぞれダイを装着すると共に、上記各ダイに対応した複
数のボンディングパッドと、各ボンディングパッドに対
応したコンタクトパッドを上記多層配線基板上に配設
し、各ダイとそれぞれに対応したボンディングパッド間
及び各ボンディングパッドとそれらに対応したコンタク
トパッド間を接続する工程、上記各コンタクトパッドに
試験装置を接続し、各ダイの電気特性を試験する工程、
上記試験で不合格となったダイとそれに対応するボンデ
ィングパッドとの接続を切ると共に、不合格となったダ
イの上に試験ずみの合格ダイを重ねて装着する工程、及
び上記各ダイと各パッドとをモールドする工程を有する
ものである。
In the method for manufacturing a COB according to the present invention, a die is attached to each die attaching portion of a multilayer wiring board having a plurality of die attaching portions, and a plurality of bonding pads corresponding to the above-mentioned die and each bonding are provided. A step of arranging contact pads corresponding to the pads on the above-mentioned multilayer wiring board and connecting between each die and the corresponding bonding pad and between each bonding pad and the corresponding contact pad, testing each contact pad Connecting the equipment and testing the electrical properties of each die,
While disconnecting the die and the corresponding bonding pad that failed the above test, the step of stacking and mounting the tested die on the failed die, and each die and each pad And a step of molding and.

【0015】この発明に係るCOBの製造方法は、ま
た、複数のダイ装着部を有する多層配線基板の各ダイ装
着部にそれぞれダイを装着すると共に、上記各ダイに対
応した複数のボンディングパッドと、各ボンディングパ
ッドに対応したコンタクトパッドを上記多層配線基板上
に配設し、各ダイとそれぞれに対応したボンディングパ
ッド間及び各ボンディングパッドとそれらに対応したコ
ンタクトパッド間を接続する工程、所定のダイに対応し
たコンタクトパッドと上記所定のダイに隣接するダイに
対応したコンタクトパッドとに近接して設けられ、各コ
ンタクトパッドと接続することにより上記所定のダイと
隣接ダイとを接続し得るようにしたジャンパーパッドを
配設する工程、上記各コンタクトパッドに試験装置を接
続し、各ダイの電気特性を試験する工程、上記試験で不
合格となったダイとそれに対応するボンディングパッド
との接続を切ると共に、不合格となったダイの上に試験
ずみの合格ダイを重ねて装着する工程、及び上記各ダイ
と各パッドとをモールドする工程を有するものである。
In the method of manufacturing a COB according to the present invention, a die is attached to each die attaching portion of a multilayer wiring board having a plurality of die attaching portions, and a plurality of bonding pads corresponding to the die are provided. A step of arranging contact pads corresponding to each bonding pad on the multilayer wiring board and connecting between each die and the corresponding bonding pad and between each bonding pad and the corresponding contact pad, to a predetermined die A jumper which is provided near a corresponding contact pad and a contact pad corresponding to a die adjacent to the predetermined die so that the predetermined die and the adjacent die can be connected by connecting with each contact pad. The process of arranging the pads, connecting the test equipment to each of the above contact pads, and A step of testing the property, a step of disconnecting the die and the bonding pad corresponding to the die that failed in the above test, and a step of mounting the tested die on the die that has failed, and It has a step of molding each die and each pad.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】実施の形態1.以下、この発明の
実施の形態1を図にもとづいて説明する。図1は、実施
の形態1の構成をメモリモジュールの例で示す概略図
で、(a)はメモリモジュールの全体構成を示す斜視
図、(b)は(a)に示す構成のうち隣接する2つのダ
イと、その間に設けられたボンディングパッド、コンタ
クトパッド、ジャンパーパッド等の構成を示す平面概略
図、(c)は(b)に示す多層配線基板上の構成を示す
側断面図である。これらの図において、1は多層配線基
板で、表面に複数のダイ装着部が配設されている。10
は上記各ダイ装着部に固着された9個のメモリチップ
(ダイ)で、従来のように、リードフレームにダイボン
ドすることなく、多層配線基板に直接固着されている。
なお、ダイ10は図1(c)の左方に示すように、単体
で多層配線基板1に装着される場合と、図1(c)の右
方に示すように、2個のダイ10Xと10Yとを重ねた
形で装着される場合がある。重ねて装着されるダイは2
個以上でもよい。詳細については後述する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiment 1. Embodiment 1 of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic view showing the configuration of the first embodiment as an example of a memory module. (A) is a perspective view showing the overall configuration of the memory module, and (b) is an adjacent two of the configurations shown in (a). FIG. 3 is a schematic plan view showing the configuration of one die and bonding pads, contact pads, jumper pads and the like provided between them, and FIG. 6C is a side sectional view showing the configuration on the multilayer wiring board shown in FIG. In these figures, reference numeral 1 denotes a multilayer wiring board, on the surface of which a plurality of die mounting portions are arranged. 10
Are nine memory chips (dies) fixed to the die mounting portions, and are directly fixed to the multilayer wiring board without die bonding to the lead frame as in the conventional case.
The die 10 is mounted on the multilayer wiring board 1 by itself as shown in the left side of FIG. 1C, and two dies 10X are provided as shown in the right side of FIG. 1C. It may be mounted in the form of overlapping with 10Y. Two dies can be mounted in a stack
It may be more than one. Details will be described later.

【0017】10Aは各ダイに設けられているパッド、
11は各ダイ装着部に対応して多層配線基板1上に設け
られたボンディングパッド、12はダイ10(2個以上
を重ねた形で装着されている場合は最上部のダイ10
Y)のパッド10Aとボンディングパッド11を接続す
るワイヤ、13はボンディングパッド11に対応して多
層配線基板1上に設けられたコンタクトパッド、14は
ボンディングパッド11とコンタクトパッド13とを接
続する配線パターン、15はコンタクトパッド13に近
接して設けられたジャンパーパッド、16はジャンパー
パッド15相互を接続する配線パターンで、多層配線基
板外との接続端子となるエッジ端子4との接続、または
多層配線基板1上に実装されたコンデンサ、抵抗、ヒュ
ーズ等の回路素子(図示せず)との接続、あるいは多層
配線基板を構成する複数の配線基板に跨って形成され、
各配線基板間の接続を行なうスルーホール17との接続
を行なうため所定のパターンで配設されるものである。
10A is a pad provided on each die,
Reference numeral 11 is a bonding pad provided on the multilayer wiring board 1 corresponding to each die mounting portion, and 12 is a die 10 (if two or more are mounted in a stacked form, the uppermost die 10 is used).
Y) a wire connecting the pad 10A and the bonding pad 11, 13 is a contact pad provided on the multilayer wiring substrate 1 corresponding to the bonding pad 11, and 14 is a wiring pattern connecting the bonding pad 11 and the contact pad 13. , 15 are jumper pads provided in the vicinity of the contact pads 13, 16 is a wiring pattern for connecting the jumper pads 15 to each other, which is connected to the edge terminal 4 which is a connection terminal to the outside of the multilayer wiring board, or the multilayer wiring board. 1. Connection with circuit elements (not shown) such as capacitors, resistors, fuses, etc. mounted on 1 or formed across a plurality of wiring boards constituting a multilayer wiring board,
The wiring patterns are arranged in a predetermined pattern for connection with the through holes 17 for connecting the wiring boards.

【0018】図2は、図1に示すメモリモジュールの製
造工程を示すフロー図である。ステップS11で9個の
ダイ10を多層配線基板1にダイボンドする。次に、ス
テップS12でダイのパッド10Aとボンディングパッ
ド11とをワイヤボンディングする。その後、ステップ
S13でコンタクトパッド13にテスタ(図示せず)を
接続し、ダイ10の電気特性試験を実施する。この試験
で、例えば図1(c)のダイ10Xが不合格になったと
すると、ステップS14で不合格ダイである10Xとボ
ンディングパッド11とを接続していたワイヤ(図示せ
ず)を取り除き、ダイ10Xを回路から切り離す。しか
し、ダイ10Xは除去せず、図示のように、多層配線基
板1上にそのまま残す。
FIG. 2 is a flow chart showing a manufacturing process of the memory module shown in FIG. In step S11, the nine dies 10 are die-bonded to the multilayer wiring board 1. Next, in step S12, the die pad 10A and the bonding pad 11 are wire-bonded. Then, in step S13, a tester (not shown) is connected to the contact pad 13 and an electrical characteristic test of the die 10 is performed. In this test, for example, if the die 10X in FIG. 1C fails, the wire (not shown) connecting the failed die 10X and the bonding pad 11 is removed in step S14 to remove the die. Disconnect 10X from the circuit. However, the die 10X is not removed, but is left as it is on the multilayer wiring board 1 as illustrated.

【0019】次に、ステップS15で別途実施したダイ
10のみを対象とした電気特性試験で合格となっている
ダイ10Yを用意し、ステップS16で合格ダイ10Y
を不合格ダイ10Xの上に重ねてダイボンドする。その
後、ステップS17で重ねたダイの最上部のダイである
合格ダイ10Yのパッドとボンディングパッド11とを
ワイヤボンディングし、不合格ダイ10Xの代わりに合
格ダイ10Yを接続して回路を構成する。次に、ステッ
プS18でコンタクトパッド13とジャンパーパッド1
5とをワイヤ12でワイヤボンディングする。続いて、
ステップS19で多層配線基板1上の各ダイ10、10
X、10Yとボンディングパッド11、コンタクトパッ
ド13、ジャンパーパッド15、ワイヤ12及び配線パ
ターン14、16をモールド樹脂18によってモールド
する。その後、ステップS20でメモリモジュールとし
ての電気特性試験が実施され、製造工程が終了する。
Next, in step S15, a die 10Y that has passed the electrical characteristic test targeting only the die 10 separately prepared is prepared, and in step S16, the passed die 10Y is prepared.
Is overlaid on the rejected die 10X and die-bonded. After that, the pad of the pass die 10Y, which is the uppermost die of the stacked dies in step S17, is wire-bonded to the bonding pad 11, and the pass die 10Y is connected instead of the fail die 10X to form a circuit. Next, in step S18, the contact pad 13 and the jumper pad 1
5 and 5 are wire-bonded to each other. continue,
In step S19, each die 10, 10 on the multilayer wiring board 1
The X and 10Y, the bonding pad 11, the contact pad 13, the jumper pad 15, the wire 12 and the wiring patterns 14 and 16 are molded with the molding resin 18. Then, in step S20, an electrical characteristic test as a memory module is performed, and the manufacturing process ends.

【0020】実施の形態2.次に、この発明の実施の形
態2を図にもとづいて説明する。図3〜図9は、実施の
形態2の構成をメモリモジュールの例で示すもので、上
述したステップS11でダイ10を多層配線基板1に装
着する場合の回路構成及びダイ10の配置の仕方を示す
概略図であり、図3及び図4は、ダイを36個装着する
場合、図6及び図7は、ダイを18個装着する場合、図
8及び図9は、ダイを9個装着する場合をそれぞれ示し
ている。先ず、ダイ10を36個装着する場合には、各
ダイは図4に示すように、多層配線基板1に配置装着さ
れる。この図は、多層配線基板1が2層の例を示すもの
で、(a)は表面となる第1層の配線基板1aを示し、
(b)は裏面となる第2層の配線基板1bを示す。36
個のダイ10は4個または5個毎に1つのグループを形
成し、合計8グループ(aグループ〜hグループ)に区
分されている。第1層の配線基板1aには、aグループ
(10a1〜10a5)、bグループ(10b1〜10
b4)、cグループ(10c1〜10c4)及びdグル
ープ(10d1〜10d5)の4グループのダイが配置
され、第2層の配線基板1bには、eグループ(10e
1〜10e5)、fグループ(10f1〜10f4)、
gグループ(10g1〜10g4)及びhグループ(1
0h1〜10h5)の4グループのダイが配置されてい
る。
Embodiment 2. Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 3 to 9 show the configuration of the second embodiment as an example of a memory module, and show a circuit configuration and a method of disposing the die 10 when the die 10 is mounted on the multilayer wiring board 1 in step S11 described above. FIGS. 3 and 4 are schematic diagrams showing that 36 dies are mounted, FIGS. 6 and 7 are 18 dies, and FIGS. 8 and 9 are 9 dies are mounted. Are shown respectively. First, when 36 dies 10 are mounted, each die is arranged and mounted on the multilayer wiring board 1 as shown in FIG. This figure shows an example in which the multilayer wiring board 1 has two layers. (A) shows the wiring board 1a of the first layer which is the surface,
(B) shows the second-layer wiring board 1b which is the back surface. 36
Each of the dies 10 forms a group of four or five dies and is divided into a total of eight groups (a group to h group). The wiring board 1a of the first layer includes a group (10a1 to 10a5) and b group (10b1 to 10a1).
b4), c groups (10c1 to 10c4), and d groups (10d1 to 10d5), four groups of dies are arranged, and the second layer wiring board 1b has an e group (10e).
1 to 10e5), f group (10f1 to 10f4),
g group (10g1-10g4) and h group (1
Four groups of dies (0h1 to 10h5) are arranged.

【0021】図5は、図4(a)において、○で囲んだ
部分についての第1層の配線基板1aと第2層の配線基
板1bの断面構成を示す概略図で、両配線基板間を接続
するスルーホール17との接続関係を概略的に示したも
のである。図中の符号は図1(c)の対応部分に同じ符
号を付しているため、それぞれの説明は省略する。な
お、この図におけるスルーホール17の配設位置は一例
を示すものであり、この位置に限られるものではない。
回路構成は、図3に示すようになされており、クロック
信号(Add,CKEO,/SO-3等)及びI/O信号(DQ0…等)は、各
グループの各ダイにそれぞれ並列的に供給される構成に
なっている。図示の都合上、例えばダイ10a3に対す
るクロック信号はダイ10a1及び10a2を介して供
給されるような形になっているが、ダイ10a1及び1
0a2を経由せずに、これらのダイと並列的に供給され
るような接続とされている。他のダイについても同様で
ある。また、I/O信号についても同様である。
FIG. 5 is a schematic view showing a cross-sectional structure of the wiring substrate 1a of the first layer and the wiring substrate 1b of the second layer in a portion surrounded by a circle in FIG. 4 (a). 3 schematically shows the connection relationship with the through hole 17 to be connected. Since the reference numerals in the figure are the same as those in FIG. 1C, the description thereof will be omitted. The position of the through hole 17 in this figure is an example, and the position is not limited to this position.
The circuit configuration is as shown in Fig. 3. Clock signals (Add, CKEO, / SO-3 etc.) and I / O signals (DQ0 ... etc.) are supplied in parallel to each die of each group. It is configured to be. For convenience of illustration, for example, the clock signal for die 10a3 is configured to be provided through dies 10a1 and 10a2, but dies 10a1 and 1
The connection is such that the dies are supplied in parallel without passing through 0a2. The same applies to the other dies. The same applies to the I / O signal.

【0022】なお、クロック信号については、aグルー
プのダイ(10a1〜10a5)及びbグループのダイ
(10b1〜10b4)に対してジャンパー配線20を
経由せずに直接供給されるように接続されているが、c
グループ〜hグループの各ダイに対してはジャンパー配
線20を介して供給されるようにされている。また、I/
O信号については、aグループ〜dグループの各ダイに
対してはジャンパー配線20を経由せずに直接供給され
るように接続されているが、eグループ〜hグループの
各ダイに対してはジャンパー配線20を介して供給され
るようにされている。これは、後述するように、多層配
線基板に装着されるダイの数が減少し、一部のグループ
のダイのみが接続されるような場合において、ダイが装
着されていない部分の回路を接続状態で遊ばせると誤動
作の原因となるため、ダイが装着されていない部分の回
路をジャンパー配線部分で切り離し得るようにしたもの
である。
The clock signals are connected so as to be directly supplied to the dies (10a1 to 10a5) of the a group and the dies (10b1 to 10b4) of the b group without passing through the jumper wiring 20. But c
The dies of the groups h to h are supplied through the jumper wiring 20. Also, I /
The O signal is connected so as to be directly supplied to the dies in the a group to the d group without passing through the jumper wiring 20, but is connected to the dies in the e group to the h group by the jumper. It is configured to be supplied via the wiring 20. As will be described later, this means that when the number of dies mounted on the multilayer wiring board decreases and only some groups of dies are connected, the circuit where the dies are not mounted is connected. Since it causes a malfunction when played with, the circuit of the part where the die is not mounted can be separated by the jumper wiring part.

【0023】次に、ダイ10を18個装着する場合に
は、図7に示すように、36個装着の場合と同じ多層配
線基板を使用し、その第1層の配線基板1aにのみ図示
のように配置し、第2層の配線基板1bには配置しな
い。また、第1層の配線基板1aのダイの配置は図4と
同一で、aグループ〜dグループのダイ18個が配置さ
れる。この場合の回路構成は図6に示すように、図中に
ハッチングの施されたaグループ〜dグループのダイの
みが接続され、eグループ〜hグループの接続線は、そ
れらのクロック信号側及びI/O信号側のジャンパー配線
20が全て切り離される形となる。また、ダイ10を9
個装着する場合には、図9に示すように、36個装着の
場合と同じ多層配線基板を使用し、その第1層の配線基
板1aにのみ図示のように配置し、第2層の配線基板1
bには配置しない。この場合の回路構成は図8に示すよ
うになされており、ジャンパー配線20を経由せずに信
号源に接続することができるaグループとbグループの
ダイ9個(図8にハッチングで示す)が図9(a)に示
すように配置され、破線の部分は空きとなる。また、図
8に示すように、全てのジャンパー配線20が切り離さ
れた状態となり、aグループ及びbグループのダイ以外
の接続線は全て切り離されることになる。
Next, in the case of mounting 18 dies 10, the same multilayer wiring board as in the case of mounting 36 dies is used as shown in FIG. 7, and only the first layer wiring board 1a is shown. And is not arranged on the second-layer wiring board 1b. The layout of the dies of the wiring board 1a of the first layer is the same as that of FIG. 4, and 18 dies of groups a to d are arranged. In the circuit configuration in this case, as shown in FIG. 6, only the dies of groups a to d, which are hatched in the figure, are connected, and the connecting lines of groups e to h are connected to the clock signal side and the I line. The jumper wiring 20 on the / O signal side is entirely disconnected. Also, die 10
In the case of individually mounting, as shown in FIG. 9, the same multilayer wiring board as in the case of mounting 36 pieces is used, and the wiring board of the second layer is arranged only on the wiring board 1a of the first layer as shown in the drawing. Board 1
Not placed in b. The circuit configuration in this case is as shown in FIG. 8, and there are nine die of group a and group b (shown by hatching in FIG. 8) that can be connected to the signal source without passing through the jumper wiring 20. It is arranged as shown in FIG. 9A, and the broken line portion becomes empty. Further, as shown in FIG. 8, all the jumper wirings 20 are in a disconnected state, and all the connection lines other than the die of the a group and the b group are disconnected.

【0024】以上の各実施の形態は、メモリモジュール
の例で説明したが、この発明はメモリモジュールに限ら
れるものではなく、マイコンチップやASICチップに
対しても同様に実施することができる。図10は、多層
配線基板1にメモリチップ10、ASICチップ30、
マイコンチップ40を装着した複合ダイのCOBの概略
図を示す。製造方法は上述したメモリモジュールと同様
であるため、説明を省略する。
Although each of the above embodiments has been described by taking the example of the memory module, the present invention is not limited to the memory module and can be similarly applied to a microcomputer chip or an ASIC chip. FIG. 10 shows a memory chip 10, an ASIC chip 30,
The schematic of COB of the composite die which mounted the microcomputer chip 40 is shown. Since the manufacturing method is the same as that of the memory module described above, description thereof will be omitted.

【0025】[0025]

【発明の効果】この発明に係るCOBは、複数のダイ装
着部を有する多層配線基板と、この多層配線基板の各ダ
イ装着部にそれぞれ単体または2個以上が重ねて装着さ
れる複数のダイと、上記各ダイ装着部に対応して上記多
層配線基板上に配設され、単体のダイまたは最上部のダ
イと接続された複数のボンディングパッドと、上記各ボ
ンディングパッドに対応して上記多層配線基板上に配設
され、対応するボンディングパッドと接続されたコンタ
クトパッドと、上記コンタクトパッドに近接して配設さ
れ、上記多層配線基板のエッジ端子または上記多層配線
基板に実装された回路素子あるいは上記多層配線基板の
各層に跨るスルーホールに接続されたジャンパーパッド
と、上記各ダイ及び各パッドをモールドするモールド樹
脂とを備え、2個以上を重ねた最上部のダイを、電気特
性試験で合格したダイとするものであるため、リードフ
レームを使用することなくメモリモジュール等のCOB
を形成することができる他、モールドする前に電気特性
試験を実施するため、不合格になってもモールドの無駄
が生じない。また、電気特性試験で不合格になったダイ
については接続ワイヤを取り除くのみで、不合格ダイは
そのまま多層配線基板に残し、その上に別途行なったダ
イのみを対象とした電気特性試験での合格ダイを重ねて
装着し、樹脂モールドするものであるため、製造工程数
を削減することができ、価格低減に効果がある。
The COB according to the present invention comprises a multi-layer wiring board having a plurality of die mounting portions, and a plurality of dies mounted on each die mounting portion of the multi-layer wiring board singly or in a stack of two or more. A plurality of bonding pads arranged on the multilayer wiring board corresponding to the die mounting parts and connected to a single die or an uppermost die, and the multilayer wiring board corresponding to the bonding pads. A contact pad disposed above and connected to a corresponding bonding pad, and an edge terminal of the multi-layer wiring board or a circuit element mounted on the multi-layer wiring board or the multi-layer, which is disposed in the vicinity of the contact pad. Two jumper pads connected to through holes extending over each layer of the wiring board, and a mold resin for molding each die and each pad are provided. Because the top of the die superimposed on, is to die which pass an electrical characteristic test, COB such as a memory module without using a lead frame
In addition, since the electrical characteristic test is performed before molding, the waste of the mold does not occur even if it fails. For dies that failed the electrical characteristics test, simply remove the connecting wires, leave the failed dies as they are on the multilayer wiring board, and pass the electrical characteristics test only for the dies that were performed separately. Since the dies are stacked and mounted and resin-molded, the number of manufacturing steps can be reduced, which is effective in cost reduction.

【0026】この発明に係るCOBは、また、上記多層
配線基板のダイ装着部に装着されるダイを、複数のグル
ープに区分すると共に、所定のグループのダイはジャン
パー配線を介することなく信号を受け、その他のグルー
プのダイはジャンパー配線を介して信号を受けるように
したため、誤動作の可能性が低減され、信頼性を向上す
ることができる。
The COB according to the present invention also divides the dies mounted on the die mounting portion of the multilayer wiring board into a plurality of groups, and the dies of a predetermined group receive signals without using jumper wiring. , The dies of the other groups receive the signal through the jumper wiring, the possibility of malfunction is reduced, and the reliability can be improved.

【0027】この発明に係るCOBは、また、複数の配
線基板を多層配置し、主面を構成する主面側配線基板と
他面を構成する他面側配線基板にそれぞれ複数のダイ装
着部を有する多層配線基板と、上記主面側及び他面側配
線基板の各ダイ装着部にそれぞれ装着された複数のダイ
と、上記各ダイに対応して上記主面側及び他面側配線基
板上にそれぞれ配設され、対応するダイと接続された複
数のボンディングパッドと、上記各ボンディングパッド
に対応して上記主面側及び他面側配線基板にそれぞれ配
設され、対応するボンディングパッドと接続された複数
のコンタクトパッドと、上記主面側及び他面側配線基板
に跨って設けられたスルーホールと、上記コンタクトパ
ッドに近接して上記主面側及び他面側配線基板にそれぞ
れ設けられ、上記スルーホールに接続されたジャンパー
パッドと、上記主面側及び他面側配線基板の一方または
双方に設けられ、上記スルーホールに接続されたエッジ
端子と、上記主面側及び他面側配線基板の各ダイ及び各
パッドをモールドするモールド樹脂とを備えたものであ
るため、多層配線基板を標準化することができ、生産性
の向上と価格低減を図ることができる。
In the COB according to the present invention, a plurality of wiring boards are arranged in multiple layers, and a plurality of die mounting parts are respectively provided on the main surface side wiring board forming the main surface and the other surface side wiring board forming the other surface. A multi-layer wiring board having, a plurality of dies mounted on each die mounting portion of the main surface side and the other surface side wiring board, and on the main surface side and the other surface side wiring board corresponding to each die A plurality of bonding pads respectively arranged and connected to the corresponding die, and arranged on the main surface side and the other surface side wiring boards respectively corresponding to the respective bonding pads and connected to the corresponding bonding pads. A plurality of contact pads, a through hole provided over the main surface side and the other surface side wiring board, and a plurality of through holes provided in the main surface side and the other surface side wiring board in the vicinity of the contact pad, respectively. A jumper pad connected to the through hole, an edge terminal provided on one or both of the main surface side and the other surface side wiring board and connected to the through hole, and each of the main surface side and the other surface side wiring board. Since the die and the molding resin for molding the pads are provided, the multilayer wiring board can be standardized, and the productivity can be improved and the cost can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 この発明の実施の形態1の構成をメモリモジ
ュールの例で示す概略図で、(a)は全体構成を示す斜
視図、(b)は(a)に示す構成のうち、隣接する2つ
のダイと、その間に設けられた各種パッドの構成を示す
平面概略図、(c)は(b)に示す多層配線基板の構成
を示す側断面図である。
1A and 1B are schematic diagrams showing a configuration of a first embodiment of the present invention as an example of a memory module, in which FIG. 1A is a perspective view showing an overall configuration, and FIG. 1B is an adjacent configuration of FIG. 1A. FIG. 2 is a schematic plan view showing the configuration of two dies and various pads provided between them, and FIG. 6C is a side sectional view showing the configuration of the multilayer wiring board shown in FIG.

【図2】 図1に示すメモリモジュールの製造工程を示
すフロー図である。
FIG. 2 is a flowchart showing manufacturing steps of the memory module shown in FIG.

【図3】 この発明の実施の形態2における回路構成を
示す概略線図で、ダイを36個装着する場合の例を示
す。
FIG. 3 is a schematic diagram showing a circuit configuration according to the second embodiment of the present invention, showing an example of a case where 36 dies are mounted.

【図4】 図3の場合における多層配線基板上のダイの
配置構成を示す概略図である。
FIG. 4 is a schematic diagram showing an arrangement configuration of dies on a multilayer wiring board in the case of FIG.

【図5】 多層配線基板を構成する第1層配線基板と第
2層配線基板の断面構成を示す概略図である。
FIG. 5 is a schematic diagram showing a cross-sectional structure of a first-layer wiring board and a second-layer wiring board that form a multilayer wiring board.

【図6】 実施の形態2における回路構成を示す概略線
図で、ダイを18個装着する場合の例を示す。
FIG. 6 is a schematic diagram showing a circuit configuration according to the second embodiment, showing an example of mounting 18 dies.

【図7】 図6の場合における多層配線基板上のダイの
配置構成を示す概略図である。
FIG. 7 is a schematic diagram showing a layout configuration of dies on a multilayer wiring board in the case of FIG. 6;

【図8】 実施の形態2における回路構成を示す概略線
図で、ダイを9個装着する場合の例を示す。
FIG. 8 is a schematic diagram showing a circuit configuration according to the second embodiment and shows an example in which nine dies are mounted.

【図9】 図8の場合における多層配線基板上のダイの
配置構成を示す概略図である。
FIG. 9 is a schematic diagram showing a layout configuration of dies on a multilayer wiring board in the case of FIG. 8;

【図10】 多層配線基板にメモリチップ、ASICチ
ップ、マイコンチップを装着した複合ダイのCOBの構
成を示す概略図である。
FIG. 10 is a schematic diagram showing a COB configuration of a composite die in which a memory chip, an ASIC chip, and a microcomputer chip are mounted on a multilayer wiring board.

【図11】 従来のCOBの構成をメモリモジュールの
例で示す概略図で、(a)は全体構成を示す斜視図、
(b)は隣接する2つのICについて多層配線基板への
装着構成を示す側断面図である。
FIG. 11 is a schematic diagram showing a configuration of a conventional COB as an example of a memory module, (a) is a perspective view showing the entire configuration,
(B) is a side sectional view showing a mounting configuration of two adjacent ICs on a multilayer wiring board.

【図12】 従来のメモリモジュールの製造工程を示す
フロー図である。
FIG. 12 is a flowchart showing manufacturing steps of a conventional memory module.

【図13】 従来のメモリモジュールの回路構成を示す
概略線図で、ICを9個装着する場合の例を示す。
FIG. 13 is a schematic diagram showing a circuit configuration of a conventional memory module, showing an example in which nine ICs are mounted.

【図14】 図13の場合における多層配線基板の構成
を示す概略図である。
FIG. 14 is a schematic diagram showing the configuration of the multilayer wiring board in the case of FIG.

【図15】 従来のメモリモジュールの回路構成を示す
概略線図で、ICを18個装着する場合の例を示す。
FIG. 15 is a schematic diagram showing a circuit configuration of a conventional memory module, showing an example of mounting 18 ICs.

【図16】 図15の場合における多層配線基板の構成
を示す概略図である。
16 is a schematic diagram showing a configuration of a multilayer wiring board in the case of FIG.

【図17】 従来のメモリモジュールの回路構成を示す
概略線図で、ICを36個装着する場合の例を示す。
FIG. 17 is a schematic diagram showing a circuit configuration of a conventional memory module, showing an example of mounting 36 ICs.

【図18】 図17の場合における多層配線基板の構成
を示す概略図である。
FIG. 18 is a schematic diagram showing the structure of the multilayer wiring board in the case of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 多層配線基板、 4 エッジ端子、 10
ダイ、10A ダイのパッド、 10X 不合格
ダイ、 10Y 合格ダイ、11 ボンディングパッ
ド、 12 ワイヤ、13 コンタクトパッド、
14、16 配線パターン、15 ジャンパーパッ
ド、 17 スルーホール、18 樹脂モールド、
20 ジャンパー配線、30 ASICチップ、
40 マイコンチップ、50 接続用IC。
1 multilayer wiring board, 4 edge terminals, 10
Die, 10A die pad, 10X reject die, 10Y pass die, 11 bonding pad, 12 wire, 13 contact pad,
14, 16 wiring pattern, 15 jumper pad, 17 through hole, 18 resin mold,
20 jumper wiring, 30 ASIC chip,
40 microcomputer chip, 50 connection IC.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数のダイ装着部を有する多層配線基板
と、この多層配線基板の各ダイ装着部にそれぞれ単体ま
たは2個以上が重ねて装着される複数のダイと、上記各
ダイ装着部に対応して上記多層配線基板上に配設され、
単体のダイまたは最上部のダイと接続された複数のボン
ディングパッドと、上記各ボンディングパッドに対応し
て上記多層配線基板上に配設され、対応するボンディン
グパッドと接続されたコンタクトパッドと、上記コンタ
クトパッドに近接して配設され、上記多層配線基板のエ
ッジ端子または上記多層配線基板に実装された回路素子
あるいは上記多層配線基板の各層に跨るスルーホールに
接続されたジャンパーパッドと、上記各ダイ及び各パッ
ドをモールドするモールド樹脂とを備え、2個以上を重
ねた最上部のダイは、電気特性試験で合格したダイであ
ることを特徴とするチップ・オン・ボード。
1. A multi-layer wiring board having a plurality of die mounting parts, a plurality of dies mounted on each die mounting part of the multi-layer wiring substrate singly or in a stack of two or more, and each of the die mounting parts. Correspondingly arranged on the multilayer wiring board,
A plurality of bonding pads connected to a single die or an uppermost die, contact pads arranged on the multilayer wiring board corresponding to the bonding pads and connected to corresponding bonding pads, and the contacts Jumper pads arranged in proximity to the pads and connected to edge terminals of the multilayer wiring board or circuit elements mounted on the multilayer wiring board or through holes extending over each layer of the multilayer wiring board; A chip-on-board characterized in that the uppermost die, which is equipped with a molding resin that molds each pad, is a die that has passed the electrical characteristic test.
【請求項2】 上記2個以上を重ねたダイのうち、最上
部以外のダイは電気特性試験で不合格となったダイであ
ることを特徴とする請求項1記載のチップ・オン・ボー
ド。
2. The chip-on-board according to claim 1, wherein among the dies formed by stacking two or more dies, the dies other than the top die are dies that have failed the electrical characteristic test.
【請求項3】 上記多層配線基板のダイ装着部に装着さ
れるダイを、複数のグループに区分すると共に、所定の
グループのダイはジャンパー配線を介することなく信号
を受け、その他のグループのダイはジャンパー配線を介
して信号を受けるようにしたことを特徴とする請求項1
または請求項2記載のチップ・オン・ボード。
3. The dies mounted on the die mounting portion of the multilayer wiring board are divided into a plurality of groups, the dies of a predetermined group receive signals without jumper wiring, and the dies of other groups are The signal is received via a jumper wiring.
Alternatively, the chip-on-board according to claim 2.
【請求項4】 複数の配線基板を多層配置し、主面を構
成する主面側配線基板と他面を構成する他面側配線基板
にそれぞれ複数のダイ装着部を有する多層配線基板と、
上記主面側及び他面側配線基板の各ダイ装着部にそれぞ
れ装着された複数のダイと、上記各ダイに対応して上記
主面側及び他面側配線基板上にそれぞれ配設され、対応
するダイと接続された複数のボンディングパッドと、上
記各ボンディングパッドに対応して上記主面側及び他面
側配線基板にそれぞれ配設され、対応するボンディング
パッドと接続された複数のコンタクトパッドと、上記主
面側及び他面側配線基板に跨って設けられたスルーホー
ルと、上記コンタクトパッドに近接して上記主面側及び
他面側配線基板にそれぞれ設けられ、上記スルーホール
に接続されたジャンパーパッドと、上記主面側及び他面
側配線基板の一方または双方に設けられ、上記スルーホ
ールに接続されたエッジ端子と、上記主面側及び他面側
配線基板の各ダイ及び各パッドをモールドするモールド
樹脂とを備えたチップ・オン・ボード。
4. A multi-layer wiring board having a plurality of wiring boards arranged in multiple layers, each having a plurality of die mounting parts on the main surface side wiring board forming the main surface and the other surface side wiring board forming the other surface,
A plurality of dies mounted on the die mounting portions of the main surface side and the other surface side wiring board respectively, and arranged on the main surface side and the other surface side wiring board respectively corresponding to the respective dies, and corresponding. A plurality of bonding pads connected to the die, respectively arranged on the main surface side and the other surface side wiring substrate corresponding to each of the bonding pads, a plurality of contact pads connected to the corresponding bonding pad, Through holes provided over the main surface side and the other surface side wiring board, and jumpers respectively provided on the main surface side and the other surface side wiring board near the contact pads and connected to the through holes A pad, an edge terminal provided on one or both of the main surface side and the other surface side wiring board and connected to the through hole, and each die of the main surface side and the other surface side wiring board. Beauty chip-on-board and a resin molding the respective pads.
【請求項5】 上記ダイはメモリチップであることを特
徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項記載のチッ
プ・オン・ボード。
5. The chip on board according to claim 1, wherein the die is a memory chip.
【請求項6】 複数のダイ装着部を有する多層配線基板
の各ダイ装着部にそれぞれダイを装着すると共に、上記
各ダイに対応した複数のボンディングパッドと、各ボン
ディングパッドに対応したコンタクトパッドを上記多層
配線基板上に配設し、各ダイとそれぞれに対応したボン
ディングパッド間及び各ボンディングパッドとそれらに
対応したコンタクトパッド間を接続する工程、上記各コ
ンタクトパッドに試験装置を接続し、各ダイの電気特性
を試験する工程、上記試験で不合格となったダイとそれ
に対応するボンディングパッドとの接続を切ると共に、
不合格となったダイの上に試験ずみの合格ダイを重ねて
装着する工程、及び上記各ダイと各パッドとをモールド
する工程を有するチップ・オン・ボードの製造方法。
6. A multi-layer wiring board having a plurality of die mounting portions is mounted with a die on each die mounting portion, and a plurality of bonding pads corresponding to the respective die and contact pads corresponding to the respective bonding pads are formed. A step of arranging on a multilayer wiring board and connecting between each die and corresponding bonding pad and between each bonding pad and corresponding contact pad, connecting a test device to each contact pad, The process of testing the electrical characteristics, disconnecting the connection between the die that failed the test and the corresponding bonding pad,
A method for manufacturing a chip-on-board, comprising: mounting a tested pass die on a rejected die; and molding the die and pads.
【請求項7】 複数のダイ装着部を有する多層配線基板
の各ダイ装着部にそれぞれダイを装着すると共に、上記
各ダイに対応した複数のボンディングパッドと、各ボン
ディングパッドに対応したコンタクトパッドを上記多層
配線基板上に配設し、各ダイとそれぞれに対応したボン
ディングパッド間及び各ボンディングパッドとそれらに
対応したコンタクトパッド間を接続する工程、所定のダ
イに対応したコンタクトパッドと上記所定のダイに隣接
するダイに対応したコンタクトパッドとに近接して設け
られ、各コンタクトパッドと接続することにより上記所
定のダイと隣接ダイとを接続し得るようにしたジャンパ
ーパッドを配設する工程、上記各コンタクトパッドに試
験装置を接続し、各ダイの電気特性を試験する工程、上
記試験で不合格となったダイとそれに対応するボンディ
ングパッドとの接続を切ると共に、不合格となったダイ
の上に試験ずみの合格ダイを重ねて装着する工程、及び
上記各ダイと各パッドとをモールドする工程を有するチ
ップ・オン・ボードの製造方法。
7. A multi-layer wiring board having a plurality of die mounting parts is mounted on each die mounting part, and a plurality of bonding pads corresponding to the respective dies and contact pads corresponding to the respective bonding pads are mounted on the plurality of die mounting parts. Arranging on the multilayer wiring board, connecting between each die and the bonding pad corresponding to each, and between each bonding pad and the contact pad corresponding to them, the contact pad corresponding to a predetermined die and the above-mentioned predetermined die A step of arranging a jumper pad which is provided close to a contact pad corresponding to an adjacent die and which can connect the predetermined die and the adjacent die by connecting with each contact pad; The process of connecting the test equipment to the pad and testing the electrical characteristics of each die. Disconnecting the connection between the die and the corresponding bonding pad, and mounting the tested pass die on the rejected die, and the step of molding each die and each pad. A method for manufacturing a chip-on-board having the same.
【請求項8】 上記ダイはメモリチップであることを特
徴とする請求項6または請求項7記載のチップ・オン・
ボードの製造方法。
8. The chip-on-chip according to claim 6, wherein the die is a memory chip.
Board manufacturing method.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6387846U (en) * 1986-11-27 1988-06-08
JPH1022316A (en) * 1996-07-08 1998-01-23 Sony Corp Restoration method of semiconductor device
JP2000138251A (en) * 1998-11-04 2000-05-16 Toshiba Corp Semiconductor device and wiring board
TW409330B (en) * 1999-03-20 2000-10-21 United Microelectronics Corp Repairable multi-chip module package

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011040573A (en) * 2009-08-11 2011-02-24 Renesas Electronics Corp Method for manufacturing semiconductor device

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