JP2003257707A - 測定センサの複合層内に埋め込まれた抵抗体路の抵抗を基準値に調整するための方法 - Google Patents
測定センサの複合層内に埋め込まれた抵抗体路の抵抗を基準値に調整するための方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の課題は、測定センサの複合層内に埋
め込まれた抵抗体路の抵抗を基準値に調整するための従
来の方法を改善し、開口部をシーリングする余分な処理
ステップが不要な方法を提供することである。 【解決手段】 上記課題は、本発明に従い、抵抗を高め
るために、複合層をマイクロ波照射により加熱するよう
にした方法により解決される。
め込まれた抵抗体路の抵抗を基準値に調整するための従
来の方法を改善し、開口部をシーリングする余分な処理
ステップが不要な方法を提供することである。 【解決手段】 上記課題は、本発明に従い、抵抗を高め
るために、複合層をマイクロ波照射により加熱するよう
にした方法により解決される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、測定センサの複合
層内に埋め込まれた抵抗体路の抵抗を基準値に調整する
ための方法であって、前記基準値よりも低い抵抗を有す
るように前記複合層内の抵抗体路を形成し、前記抵抗体
路を処理することにより、前記抵抗体路の抵抗を基準値
まで高めるようにした方法に関する。
層内に埋め込まれた抵抗体路の抵抗を基準値に調整する
ための方法であって、前記基準値よりも低い抵抗を有す
るように前記複合層内の抵抗体路を形成し、前記抵抗体
路を処理することにより、前記抵抗体路の抵抗を基準値
まで高めるようにした方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】抵抗体路が埋め込まれた複合層はさまざ
まな用途で使用される。特許文献１から公知のように、
例えば内燃機関内の排気ガス温度を測定する温度センサ
において、又は、例えば特許文献２又は特許文献３から
公知のように、内燃機関の排気ガス内の酸素濃度を測定
するラムダセンサの測定精度を高めるための加熱装置に
おいて使用される。このような温度センサにおいては、
酸化アルミニウム又は酸化ジルコニウムのような固体電
解質から成るセラミック箔の間に挿入された抵抗体路の
ＰＴＣ抵抗は、連続してできる限り正確な温度測定が保
証されるように、製造条件によって極めて狭い許容範囲
内になければならない。ただし、このＰＴＣ抵抗は普通
は高抵抗である。ラムダセンサ用の加熱装置では、十分
な測定精度のためには、ラムダセンサの作動温度を一定
に保つように加熱装置の制御が必要である。またこのた
めには、加熱装置が過負荷又は過小負荷になるのを防ぐ
ために、製造条件によって抵抗体路の普通は高抵抗の抵
抗が狭い許容範囲内を動くようにする必要がある。
まな用途で使用される。特許文献１から公知のように、
例えば内燃機関内の排気ガス温度を測定する温度センサ
において、又は、例えば特許文献２又は特許文献３から
公知のように、内燃機関の排気ガス内の酸素濃度を測定
するラムダセンサの測定精度を高めるための加熱装置に
おいて使用される。このような温度センサにおいては、
酸化アルミニウム又は酸化ジルコニウムのような固体電
解質から成るセラミック箔の間に挿入された抵抗体路の
ＰＴＣ抵抗は、連続してできる限り正確な温度測定が保
証されるように、製造条件によって極めて狭い許容範囲
内になければならない。ただし、このＰＴＣ抵抗は普通
は高抵抗である。ラムダセンサ用の加熱装置では、十分
な測定精度のためには、ラムダセンサの作動温度を一定
に保つように加熱装置の制御が必要である。またこのた
めには、加熱装置が過負荷又は過小負荷になるのを防ぐ
ために、製造条件によって抵抗体路の普通は高抵抗の抵
抗が狭い許容範囲内を動くようにする必要がある。
【０００３】それゆえ、両方のケースとも、適切な措置
による抵抗体路の抵抗値の事後的な調整、つまり抵抗体
路が埋め込まれた複合層を制作した後の調整が必要であ
る。
による抵抗体路の抵抗値の事後的な調整、つまり抵抗体
路が埋め込まれた複合層を制作した後の調整が必要であ
る。
【０００４】測定センサの複合層内に埋め込まれた抵抗
体路の抵抗を基準値に調整するための公知の方法（特許
文献４）では、抵抗体路を被覆する層のうちの１つに凹
部を開け、抵抗体路の内部抵抗を調整するために、この
凹部を通して抵抗体路の処理が行われる。抵抗体路は、
凹部領域に分岐及び／又は閉曲面を有しており、調整
は、分岐及び／又は閉曲面を例えばレーザーによって分
離することにより行われ、これにより抵抗体路の抵抗が
高くなる。これは、所望の基準値に達するまで続けられ
る。抵抗は、抵抗体路に接続された回路構成を介して継
続して測定される。電気抵抗体路が断熱材で包まれてい
る加熱装置においては、加熱装置が複合層の層によって
被覆される前に、断熱材を貫いて抵抗体路の平面まで凹
部を貫通させるか、又はレーザが断熱材を突き抜けるよ
うに断熱材を構成してもよい。
体路の抵抗を基準値に調整するための公知の方法（特許
文献４）では、抵抗体路を被覆する層のうちの１つに凹
部を開け、抵抗体路の内部抵抗を調整するために、この
凹部を通して抵抗体路の処理が行われる。抵抗体路は、
凹部領域に分岐及び／又は閉曲面を有しており、調整
は、分岐及び／又は閉曲面を例えばレーザーによって分
離することにより行われ、これにより抵抗体路の抵抗が
高くなる。これは、所望の基準値に達するまで続けられ
る。抵抗は、抵抗体路に接続された回路構成を介して継
続して測定される。電気抵抗体路が断熱材で包まれてい
る加熱装置においては、加熱装置が複合層の層によって
被覆される前に、断熱材を貫いて抵抗体路の平面まで凹
部を貫通させるか、又はレーザが断熱材を突き抜けるよ
うに断熱材を構成してもよい。
【０００５】両方のケースとも、レーザによる調整の後
に、抵抗体路を機械的又は化学的影響から保護するため
に、凹部は充填材によって密封される。充填材として
は、有利には、充填後にレーザの熱の作用によってガラ
ス化するガラスセラミックが使用される。
に、抵抗体路を機械的又は化学的影響から保護するため
に、凹部は充填材によって密封される。充填材として
は、有利には、充填後にレーザの熱の作用によってガラ
ス化するガラスセラミックが使用される。
【０００６】
【特許文献１】ＤＥ ３７ ３３ １９２ Ｃ１
【特許文献２】ＤＥ １９８ ３８ ４６６ Ａ１
【特許文献３】ＤＥ １９９ ４１ ０５１ Ａ１
【特許文献４】ＤＥ １９８ ５１ ９６６ Ａ１
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、測定
センサの複合層内に埋め込まれた抵抗体路の抵抗を基準
値に調整するための従来の方法を改善し、開口部をシー
リングする余分な処理ステップが不要な方法を提供する
ことである。
センサの複合層内に埋め込まれた抵抗体路の抵抗を基準
値に調整するための従来の方法を改善し、開口部をシー
リングする余分な処理ステップが不要な方法を提供する
ことである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題は、本発明に従
い、抵抗を高めるために、複合層をマイクロ波照射によ
り加熱するようにした方法により解決される。
い、抵抗を高めるために、複合層をマイクロ波照射によ
り加熱するようにした方法により解決される。
【０００９】
【発明の実施の形態】請求項１に記載された特徴を有す
る本発明による方法は、抵抗体路の抵抗を基準値に調整
する目的で抵抗体路を処理するために、複合層内におい
て抵抗体路までの開口部が必要ない、つまり複合層の被
覆箔内に凹部が必要ないという利点を有している。これ
により、開口部をシーリングする余分な処理ステップが
不要になる。マイクロ波照射によって抵抗体路が加熱さ
れ、表面で気化するので、抵抗体路の内部抵抗は体積減
少により高くなる。気化は、基準値に達するとすぐに中
断される。マイクロ波照射は抵抗体路内に発生する渦電
流によって抵抗体路を選択的に加熱するが、その一方
で、酸化アルミニウムベース又は固体電解質ベース上に
形成された層の加熱は焼結温度未満に留まるため、これ
らの層の所望の特性がネガティブな影響を受けることは
ない。抵抗体路の幅の広い箇所は狭い箇所よりも強く加
熱され、そこではより多くの抵抗体材料が気化するた
め、抵抗体路の単位長さ当たりの抵抗の比が緩和される
（幅調整）。
る本発明による方法は、抵抗体路の抵抗を基準値に調整
する目的で抵抗体路を処理するために、複合層内におい
て抵抗体路までの開口部が必要ない、つまり複合層の被
覆箔内に凹部が必要ないという利点を有している。これ
により、開口部をシーリングする余分な処理ステップが
不要になる。マイクロ波照射によって抵抗体路が加熱さ
れ、表面で気化するので、抵抗体路の内部抵抗は体積減
少により高くなる。気化は、基準値に達するとすぐに中
断される。マイクロ波照射は抵抗体路内に発生する渦電
流によって抵抗体路を選択的に加熱するが、その一方
で、酸化アルミニウムベース又は固体電解質ベース上に
形成された層の加熱は焼結温度未満に留まるため、これ
らの層の所望の特性がネガティブな影響を受けることは
ない。抵抗体路の幅の広い箇所は狭い箇所よりも強く加
熱され、そこではより多くの抵抗体材料が気化するた
め、抵抗体路の単位長さ当たりの抵抗の比が緩和される
（幅調整）。
【００１０】抵抗体路が有利には金属成分として白金粒
子を含んだ金属ベース又はサーミットベース上のペース
トとして形成されている温度センサにおいては、マイク
ロ波加熱による抵抗体路の２次焼結ひいては抵抗体路の
劣化を見越して、工場内で前もって処理が為される。プ
レーナラムダセンサでは、有利には白金から製造された
電極の高い抵抗の助けによって、マイクロ波によって発
生した渦電流が加熱装置の低抵抗の抵抗体路上に集中
し、抵抗体路が最も強く加熱される。
子を含んだ金属ベース又はサーミットベース上のペース
トとして形成されている温度センサにおいては、マイク
ロ波加熱による抵抗体路の２次焼結ひいては抵抗体路の
劣化を見越して、工場内で前もって処理が為される。プ
レーナラムダセンサでは、有利には白金から製造された
電極の高い抵抗の助けによって、マイクロ波によって発
生した渦電流が加熱装置の低抵抗の抵抗体路上に集中
し、抵抗体路が最も強く加熱される。
【００１１】請求項１に示されている方法の有利な発展
形態及び変更形態は、別の請求項で実施される措置によ
って可能である。
形態及び変更形態は、別の請求項で実施される措置によ
って可能である。
【００１２】本発明の１つの有利な実施形態によれば、
複合層の加熱の間、抵抗体路が局所的に過熱するのを防
ぐために、マイクロ波の照射が制御される。その際、例
えば位相制御のときに生じるような抵抗体路への火花放
電を防ぐために、同様の制御が望ましい。
複合層の加熱の間、抵抗体路が局所的に過熱するのを防
ぐために、マイクロ波の照射が制御される。その際、例
えば位相制御のときに生じるような抵抗体路への火花放
電を防ぐために、同様の制御が望ましい。
【００１３】以下では、図面に示された実施例に基づい
て本発明を以下の記述においてより詳細に説明する。
て本発明を以下の記述においてより詳細に説明する。
【００１４】
【実施例】図１において分解された状態で示されている
温度センサは複合層を有しており、この複合層は、例え
ば酸化ジルコニウムから成る固体電解質ベース上のセラ
ミック箔１１と、電気絶縁材料、例えば酸化アルミニウ
ムから成る第１の絶縁層１２と、同じ材料から成る第２
の絶縁層１３と、固体電解質ベース上の第２のセラミッ
ク箔１４とから成る。第１のセラミック箔１１の前面に
は、第１の絶縁層１２とハーメティックシーリングされ
たフレーム１８とがあり、第１のセラミック箔１１の裏
面の、後でプリントされる電気的コンタクト１６の領域
には、第３の絶縁層１５がプリントされる。セラミック
箔１１内には貫通コンタクトホール１７が打ち抜かれて
おり、貫通コンタクト部が形成されている。第１の絶縁
層１２上には、ＰＴＣ抵抗材料から成る抵抗体路がプリ
ントされている。抵抗体路は前記領域内にメアンダー状
に延在している。第１のセラミック箔１１の裏面は、第
３の絶縁層１５上にプリントされた電気的コンタクト１
６を備えている。第２のセラミック箔１４上には、第２
の絶縁層１３とハーメティックシーリングされた枠フレ
ーム２０とがプリントされている。このようにして処理
される２つのセラミック箔１１，１４は、フレーム１８
と２０が重なり合うように重ね合わされ、複合層１０へ
と貼り合わせられる。
温度センサは複合層を有しており、この複合層は、例え
ば酸化ジルコニウムから成る固体電解質ベース上のセラ
ミック箔１１と、電気絶縁材料、例えば酸化アルミニウ
ムから成る第１の絶縁層１２と、同じ材料から成る第２
の絶縁層１３と、固体電解質ベース上の第２のセラミッ
ク箔１４とから成る。第１のセラミック箔１１の前面に
は、第１の絶縁層１２とハーメティックシーリングされ
たフレーム１８とがあり、第１のセラミック箔１１の裏
面の、後でプリントされる電気的コンタクト１６の領域
には、第３の絶縁層１５がプリントされる。セラミック
箔１１内には貫通コンタクトホール１７が打ち抜かれて
おり、貫通コンタクト部が形成されている。第１の絶縁
層１２上には、ＰＴＣ抵抗材料から成る抵抗体路がプリ
ントされている。抵抗体路は前記領域内にメアンダー状
に延在している。第１のセラミック箔１１の裏面は、第
３の絶縁層１５上にプリントされた電気的コンタクト１
６を備えている。第２のセラミック箔１４上には、第２
の絶縁層１３とハーメティックシーリングされた枠フレ
ーム２０とがプリントされている。このようにして処理
される２つのセラミック箔１１，１４は、フレーム１８
と２０が重なり合うように重ね合わされ、複合層１０へ
と貼り合わせられる。
【００１５】上で説明した温度センサ用の複合層１０の
製造の際、抵抗体路１９の形状寸法は、測定された常温
抵抗が要求される抵抗の基準値よりも低くなるように設
定されている。調整プロセスにおいて、今や抵抗体路１
９の抵抗は、極めて狭い許容範囲で基準値と一致するよ
うに高められる。このために、複合層１０にはマイクロ
波照射が施される。マイクロ波は、抵抗体路１９内に、
抵抗体路１９を加熱する渦電流を発生させる。その際、
加熱は、抵抗体路１９の表面の抵抗体材料が気化し、そ
れにより抵抗体路１９の体積が減少し、その結果として
抵抗体路１９の内部抵抗が低くなるような温度で行われ
る。局所的な過熱を防ぐために、マイクロ波の出力は、
複合層１０の処理時間の間、有利には抵抗体路１９内で
一定の加熱が行われるように同様に制御される。ただ
し、この一定の加熱は、正確な処理時間を越えて一定に
保たれる。気化した抵抗体材料は、抵抗体路１９を被覆
する有利には多孔質の層として実現された２つの絶縁層
１２，１３の中へ拡散する。
製造の際、抵抗体路１９の形状寸法は、測定された常温
抵抗が要求される抵抗の基準値よりも低くなるように設
定されている。調整プロセスにおいて、今や抵抗体路１
９の抵抗は、極めて狭い許容範囲で基準値と一致するよ
うに高められる。このために、複合層１０にはマイクロ
波照射が施される。マイクロ波は、抵抗体路１９内に、
抵抗体路１９を加熱する渦電流を発生させる。その際、
加熱は、抵抗体路１９の表面の抵抗体材料が気化し、そ
れにより抵抗体路１９の体積が減少し、その結果として
抵抗体路１９の内部抵抗が低くなるような温度で行われ
る。局所的な過熱を防ぐために、マイクロ波の出力は、
複合層１０の処理時間の間、有利には抵抗体路１９内で
一定の加熱が行われるように同様に制御される。ただ
し、この一定の加熱は、正確な処理時間を越えて一定に
保たれる。気化した抵抗体材料は、抵抗体路１９を被覆
する有利には多孔質の層として実現された２つの絶縁層
１２，１３の中へ拡散する。
【００１６】複合層１０へのマイクロ波照射は、抵抗体
路１９の加熱が所定の温度で行われるように実行され、
抵抗体路１９の抵抗はこの温度で測定され、この温度
は、この温度に関連した抵抗基準値が確認されるまで一
定に保たれる。
路１９の加熱が所定の温度で行われるように実行され、
抵抗体路１９の抵抗はこの温度で測定され、この温度
は、この温度に関連した抵抗基準値が確認されるまで一
定に保たれる。
【００１７】択一的に、常温の抵抗体路１９において常
温抵抗として抵抗を測定し、抵抗基準値に達するため
に、加熱温度が一定の場合に必要な前記複合層の処理時
間を計算するようにしてもよい。計算された処理時間
は、その後のマイクロ波照射の際に正確に維持される。
温抵抗として抵抗を測定し、抵抗基準値に達するため
に、加熱温度が一定の場合に必要な前記複合層の処理時
間を計算するようにしてもよい。計算された処理時間
は、その後のマイクロ波照射の際に正確に維持される。
【００１８】抵抗体路１９の全長に亘って抵抗体材料が
できるだけ均一に気化するように、有利には抵抗体路１
９を第１の絶縁層１２上にプリントする際に、第１の絶
縁層を同じ幅で実現し、基準値よりも低い抵抗をつくる
ために、抵抗体路１９の幅を基準値に必要な定格幅より
も幾らか大きくする。
できるだけ均一に気化するように、有利には抵抗体路１
９を第１の絶縁層１２上にプリントする際に、第１の絶
縁層を同じ幅で実現し、基準値よりも低い抵抗をつくる
ために、抵抗体路１９の幅を基準値に必要な定格幅より
も幾らか大きくする。
【００１９】図２及び３には、内燃機関の排気ガス内の
酸素濃度を測定するプレーナラムダセンサ用の電気加熱
装置の複合層１０’が示されており、この複合層１０’
内には低抵抗の抵抗体路１９が電気ヒータとして埋め込
まれている。抵抗体路２１は、例えば酸化アルミニウム
から成る電気絶縁体２２内に組み込まれており、電気絶
縁体２２は固体電解質から成る２つの箔２３，２４の間
に埋め込まれており、固体電解質２５から成るフレーム
２５によって囲まれている。固体電解質としては、例え
ばイットリウム安定化酸化ジルコニウムが使用される。
多孔質の絶縁体２２内に挿入された抵抗体路２１は、複
合層１０’の最終工程後に抵抗体路２１の抵抗が所望の
抵抗値よりも高くなるように、設計される。抵抗値をよ
り高い基準値に調整するためには、複合層１０’に上で
説明したのと同じマイクロ波処理を施す。
酸素濃度を測定するプレーナラムダセンサ用の電気加熱
装置の複合層１０’が示されており、この複合層１０’
内には低抵抗の抵抗体路１９が電気ヒータとして埋め込
まれている。抵抗体路２１は、例えば酸化アルミニウム
から成る電気絶縁体２２内に組み込まれており、電気絶
縁体２２は固体電解質から成る２つの箔２３，２４の間
に埋め込まれており、固体電解質２５から成るフレーム
２５によって囲まれている。固体電解質としては、例え
ばイットリウム安定化酸化ジルコニウムが使用される。
多孔質の絶縁体２２内に挿入された抵抗体路２１は、複
合層１０’の最終工程後に抵抗体路２１の抵抗が所望の
抵抗値よりも高くなるように、設計される。抵抗値をよ
り高い基準値に調整するためには、複合層１０’に上で
説明したのと同じマイクロ波処理を施す。
【図１】温度センサを分解された状態で示す。
【図２】ラムダセンサ用の電気ヒータの透視図を部分ご
とに示す。
とに示す。
【図３】図２の直線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面を示
す。
す。
１０ 複合層
１０’ 複合層
１１ セラミック箔
１２ 第１の絶縁層
１３ 第２の絶縁層
１４ セラミック箔
１５ 第３の絶縁層
１６ 電気的コンタクト
１７ 貫通コンタクトホール
１８ フレーム
１９ 抵抗体路
２０ フレーム
２１ 抵抗体路
２２ 電気絶縁体
２３ 固体電解質箔
２４ 固体電解質箔
２５ 固体電解質フレーム
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ロター ディール
ドイツ連邦共和国 ゲルリンゲン パノラ
マシュトラーセ 73／２
(72)発明者 ユルゲン ズィンデル
ドイツ連邦共和国 ファイヒンゲン／エン
ツ ヴァイツェンシュトラーセ 60
Ｆターム(参考） 2F056 QF01 QF08 QF10
5E032 BA15 BB01 BB09 CC06 CC07
TA02 TB01
5E034 AA09 AC01 DA02 DB15 DE04
DE07
Claims (8)
- 【請求項１】 測定センサの複合層（１０；１０’）内
に埋め込まれた抵抗体路（１９；２１）の抵抗を基準値
に調整するための方法であって、前記基準値よりも低い
抵抗を有するように前記複合層（１０；１０’）内の抵
抗体路（１９；２１）を形成し、前記抵抗体路（１９；
２１）を処理することにより、前記抵抗体路の抵抗を基
準値まで高める形式の方法において、 抵抗を高めるために、前記複合層（１０；１０’）をマ
イクロ波照射により加熱することを特徴とする方法。 - 【請求項２】 前記抵抗体路（１９；２１）を前記基準
値の抵抗に必要な定格幅よりも幾らか大きな幅に作り上
げる、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記複合層（１０；１０’）を加熱する
間、前記マイクロ波照射を制御する、請求項１又は２に
記載の方法。 - 【請求項４】 前記抵抗体路（１９；２１）を所定の温
度まで加熱し、 前記温度が達成されたときに前記抵抗体路（１９；２
１）の抵抗を測定し、 前記達成された温度を、前記抵抗体路（１９；２１）の
抵抗が前記温度に関連した基準値になったことが確認さ
れるまで一定に保持する、請求項１から３のいずれか１
項に記載の方法。 - 【請求項５】 前記抵抗基準値に達するために、常温の
抵抗体路（１９；２１）の測定された抵抗から、加熱温
度が一定の場合に必要な前記複合層（１０；１０’）の
処理時間を計算し、前記複合層（１０；１０’）のマイ
クロ波処理の際に調整する、請求項１から３のいずれか
１項に記載の方法。 - 【請求項６】 前記抵抗体路（１９；２１）を覆う層
（１２，１３；２２）のうちの少なくとも１つを前記複
合層（１０；１０’）内に多孔質の層として実現する、
請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項７】 ＰＴＣ温度センサにおいて実行される請
求項１から６のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項８】 内燃機関の排気ガス内の酸素濃度を測定
するラムダセンサの加熱装置において使用される請求項
１から６のいずれか１項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10208533.1 | 2002-02-27 | ||
| DE2002108533 DE10208533B4 (de) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | Verfahren zum Abgleichen des Widerstandes einer Widerstandsbahn |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003257707A true JP2003257707A (ja) | 2003-09-12 |
Family
ID=27740477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003049637A Pending JP2003257707A (ja) | 2002-02-27 | 2003-02-26 | 測定センサの複合層内に埋め込まれた抵抗体路の抵抗を基準値に調整するための方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003257707A (ja) |
| DE (1) | DE10208533B4 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8115587B2 (en) | 2008-03-28 | 2012-02-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | NTC thermistor ceramic, method for producing NTC thermistor ceramic, and NTC thermistor |
| CN104115288A (zh) * | 2011-12-19 | 2014-10-22 | 派洛斯有限公司 | 具有高测量准确度的红外光传感器芯片与用于制造红外光传感器芯片的方法 |
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