JP2003255896A - 表示装置、発光装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＯＬＥＤ素子駆動電流のバラつきが十分に抑
制されたＡＭ型ＯＬＥＤ表示装置を提供することを課題
とする。 【解決手段】 本発明は、画素にデータ電流を読込むと
きには該複数のトランジスタを並列接続状態にし、自発
光素子を発光させるときには該複数のトランジスタを直
列接続状態にする。その結果、同一画素内の駆動用素子
を構成する複数のトランジスタ間にバラつきが存在して
も、その影響は小さく抑制されるため、実用上問題とな
るほど画素間で発光輝度がバラついてしまうことは防止
することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、発光装置及び表示
装置の技術に関する。さらには、前記発光装置または表
示装置を搭載した電子機器に関する。本明細書における
発光装置とは、自発光素子から放出される光を利用した
装置を指す。自発光素子の例としては、有機発光ダイオ
ード（ＯＬＥＤ）素子、無機材料系の発光ダイオード素
子、電界放出発光素子（ＦＥＤ素子）などがある。本明
細書における表示装置とは、複数の画素をマトリクス状
に配置し画像情報を視覚的に伝達する装置、いわゆるデ
ィスプレイを指す。

【０００２】

【従来の技術】近年、画像の表示を行う表示装置の重要
性が増している。表示装置としては、液晶素子を用いて
画像の表示を行う液晶表示装置が、高画質、薄型、軽量
などの利点を活かして、携帯電話やパソコンをはじめと
する種々の用途の表示装置として幅広く用いられてい
る。

【０００３】他方で、自発光素子を用いた表示装置、発
光装置の開発も進められている。この自発光素子には、
有機材料、無機材料、薄膜材料、バルク材料、分散材
料、広汎にわたり様々な種類の素子が存在する。

【０００４】なかでも表示装置向けに将来有望視されて
いる代表的な自発光素子は、有機発光ダイオード（ＯＬ
ＥＤ）素子である。ＯＬＥＤ素子を自発光素子として用
いたＯＬＥＤ表示装置は、既存の液晶表示装置以上に薄
型、軽量である特長に加え、動画表示に適した高応答速
度、高視野角、低電圧駆動などの特長を有しているた
め、携帯電話や携帯情報端末（ＰＤＡ）をはじめテレ
ビ、モニターなど、幅広い用途が見込まれ、次世代ディ
スプレイとして注目されている。

【０００５】特にアクティブマトリクス（ＡＭ）型のＯ
ＬＥＤ表示装置は、パッシブマトリクス（ＰＭ）型では
困難な、高精細、大画面の表示も可能であるうえ、ＰＭ
型を上回る低消費電力動作で高信頼性を有し、実用化へ
の期待は大変強い。

【０００６】ＯＬＥＤ素子は、陽極と、陰極と、該陽極
と該陰極との間に挟まれた有機化合物の層とを有する構
造をしている。ＯＬＥＤ素子に流れる電流量と、ＯＬＥ
Ｄ素子の発光輝度は概ね比例する関係にある。ＡＭ型Ｏ
ＬＥＤ表示装置の画素では、該画素のＯＬＥＤ素子の発
光輝度を制御する駆動用トランジスタを、ＯＬＥＤ素子
に直列に接続している。

【０００７】ＡＭ型ＯＬＥＤ表示装置において画像を表
示する駆動方式には、電圧入力方式と電流入力方式があ
る。前者の電圧入力方式は、画素に入力するビデオ信号
として、電圧値形式データのビデオ信号を入力する。他
方、後者の電流入力方式は、画素に入力するビデオ信号
として、電流値形式データのビデオ信号を入力する。

【０００８】電圧入力方式では通常、画素の駆動用トラ
ンジスタのゲート電極にビデオ信号の電圧が直接印加さ
れる。そのためＯＬＥＤ素子を定電流発光させる場合、
駆動用トランジスタの電気的特性が各々の画素間で均一
でなくバラつきを有していると、各画素のＯＬＥＤ素子
駆動電流にバラつきが生じる。ＯＬＥＤ素子駆動電流の
バラつきは、ＯＬＥＤ素子の発光輝度のバラつきとな
る。ＯＬＥＤ素子の発光輝度のバラつきは、画面全体で
みると砂嵐状あるいは絨毯模様のムラとして、表示画像
の品位を低下させる。

【０００９】特に、駆動用トランジスタとして非晶質
（アモルファス）シリコン薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
を用いると、高輝度の発光に十分な電流が得られない。
そこで、駆動用トランジスタとして、多結晶（ポリ）シ
リコンＴＦＴが用いられる。しかし、ポリシリコンでは
結晶粒界における欠陥等に起因して、ＴＦＴの電気的特
性にバラつきが生じやすい問題がある。

【００１０】このような電圧入力方式における、ＯＬＥ
Ｄ素子駆動電流のバラつきを防ぐための有効な手段の一
つとして、電流入力方式がある。電流入力方式では通
常、ビデオ信号のデータ電流値を記憶し、記憶した電流
値と同一もしくは数倍（１未満を含む正の実数倍）の電
流を、ＯＬＥＤ素子駆動電流として供給する。

【００１１】電流入力方式のＡＭ型ＯＬＥＤ表示装置の
画素回路で、代表的な一例を図１０（Ａ）に示す（A. Y
umoto et al., Proc. Asia Display / IDW '01 p.p.139
5-1398 (2001) 等を参照）。５１６がＯＬＥＤ素子であ
る。この画素回路は、カレントミラー回路を用いてい
る。そこでカレントミラーを構成する二つのトランジス
タが同一の電気的特性さえ備えていれば、ビデオ信号の
データ電流値を正確に記憶することができる。相異なる
画素の駆動用トランジスタの電気的特性間にバラつきが
あっても、同一画素内の前記二つのトランジスタが各々
同一の電気的特性を備えてさえいれば、ＯＬＥＤ素子の
発光輝度のバラつきは防がれることになる。

【００１２】電流入力方式のＡＭ型ＯＬＥＤ表示装置の
画素回路で、代表的な他の一例を図１０（Ｂ）に示す
（I. M. Hunter et al., Proc. AM-LCD 2000 p.p.249-2
52 (2000) 等を参照）。６１１がＯＬＥＤ素子である。
この画素回路は、駆動用トランジスタのゲート電極にビ
デオ信号に対応する電圧を書込むときに、駆動用トラン
ジスタ自身のドレイン電極とゲート電極を短絡する。そ
の状態でビデオ信号のデータ電流を流し、その後ゲート
電極を電気的に絶縁させる。するとＯＬＥＤ素子を発光
させるときに、駆動用トランジスタを飽和領域にて動作
させるようにすれば、書込み時のデータ電流と同一値の
電流を、駆動用トランジスタはＯＬＥＤ素子に供給す
る。従って、各画素の駆動用トランジスタに電気的特性
のバラつきが存在しても、ＯＬＥＤ素子の発光輝度のバ
ラつきは防がれることになる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】図１０（Ａ）（Ｂ）
は、上記のように正確にデータ電流値を記憶できるはず
であるが、以下の深刻な問題がある。

【００１４】まず、図１０（Ａ）の画素回路における問
題点は、カレントミラーを構成する二つのトランジスタ
が同一の電気的特性もつことが、前提条件とされている
ことである。設計時に工夫すれば、両トランジスタを基
板上に隣り合わせに作製することも可能であるので、あ
る程度はバラつきを減少させることができる。とはいえ
現在のポリシリコンでは、結晶粒界における欠陥等に起
因して、ＴＦＴのしきい値電圧、電界効果移動度等の電
気的特性に、なお許容限度を超えるバラつきが残存して
しまうのが普通である。

【００１５】具体的には、例えば６４階調の画像を表示
する場合には、輝度バラつきは１％以内程度に抑える必
要が生じる。しかし図１０（Ａ）の画素回路では、デー
タ電流値を１％の精度で記憶することは、現在普通に使
用されるポリシリコンでは困難である。すなわち、図１
０（Ａ）の画素回路を使うのみでは、画面全体でムラが
ない十分に均一の、高品位表示画像を得ることはできな
い。

【００１６】次に、図１０（Ｂ）の画素回路における問
題点は、画素に書込むビデオ信号データ電流と、ＯＬＥ
Ｄ素子を発光させるときのＯＬＥＤ素子駆動電流とが、
同一値になってしまう点である。ＡＭ型ＯＬＥＤ表示装
置を作製する場合、両電流を同一値としなくてはならな
いという点は、事実上はかなり厳しい制約となる。

【００１７】具体的には、実際のＡＭ型ＯＬＥＤ表示装
置においては、信号線等に多量の寄生容量、寄生抵抗が
ついてしまう。その結果、ビデオ信号データ電流はＯＬ
ＥＤ素子駆動電流よりも大きくする措置をとることが必
要な場合が、少なからず生じる。特に、ビデオ信号デー
タ電流をアナログ値にして階調表現する場合には、暗部
のビデオ信号データ電流の書込みが非常に困難となる。

【００１８】本発明は上記問題点の存在に鑑みてなされ
たものである。まず本発明は、図１０（Ｂ）の画素回路
とは異なり、画素に書込むビデオ信号データ電流と、Ｏ
ＬＥＤ素子を発光させるときのＯＬＥＤ素子駆動電流と
の比が「１」に固定されない、ＡＭ型ＯＬＥＤ表示装置
を提供することを課題とする。次に本発明は、図１０
（Ａ）の画素回路とは異なり、同一画素内の隣接設置さ
れたトランジスタ間においても、なお電気的特性のバラ
つきがある程度残存することを前提とする。その上で本
発明は、図１０（Ａ）のようなカレントミラーを用いた
画素回路の場合と比較して、ＯＬＥＤ素子駆動電流のバ
ラつきが十分に抑制されたＡＭ型ＯＬＥＤ表示装置を提
供することを課題とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明はＡＭ型表示装置または発光装置において、
各画素に設置される駆動用素子を複数のトランジスタに
より構成し、画素にデータ電流を読込むときには該複数
のトランジスタを並列接続状態にし、自発光素子を発光
させるときには該複数のトランジスタを直列接続状態に
することを特徴としている。

【００２０】なおＯＬＥＤ素子以外の素子を用いた表示
装置、発光装置であっても、電流駆動型の素子を用いる
場合には、本発明の構成が利用できる。

【００２１】このような、本発明の表示装置または発光
装置の画素構成の概略について、図１（Ａ）（Ｂ）を用
いて説明する。図１（Ａ）には、複数の画素を有する画
素部において、j行i列目に配置された画素１１を示す。
画素１１は、信号線(Si)、電源線(Vi)、第１走査線(Ga
j)、スイッチング機能を有する第１スイッチ１２〜第３
スイッチ１４、駆動用素子１５、容量素子１６、自発光
素子１７を有する。なお、図１（Ａ）（Ｂ）で容量素子
１６が設置されているノードの寄生容量が大きい場合な
どには、容量素子１６は必ずしも設けなくてよい。

【００２２】自発光素子としては、典型的にはＯＬＥＤ
素子が該当するため、本明細書では、自発光素子を表す
記号としてダイオードの記号を用いる。しかし自発光素
子にダイオード特性は必須ではなく、本発明はダイオー
ド特性をもつ自発光素子の場合に限定されない。さらに
断ると、本明細書での自発光素子は、電流駆動型の表示
用素子であればよく、自発光により表示機能を担う必要
もない。例えば、液晶のような光シャッターだが、電圧
値でなく電流値により制御されるものも、本明細書での
自発光素子に含まれる。

【００２３】第１スイッチ１２〜第３スイッチ１４に
は、トランジスタなどのスイッチング機能を有する半導
体素子を１個又は複数個用いることができる。同様に駆
動用素子１５にも、トランジスタなどの半導体素子を複
数個用いることができる。第１スイッチ１２及び第２ス
イッチ１３は、第１走査線(Gaj)から与えられる信号に
より、オン又はオフが決定される。第１スイッチ１２及
び第２スイッチ１３はスイッチとして機能すればよいの
で、用いられる半導体素子の導電型に特に限定はない。

【００２４】なお第１スイッチ１２は、信号線(Si)と駆
動用素子１５の間に設置されており、画素１１に対する
信号の書込みを制御する役割を果たす。また第２スイッ
チ１３は、電源線(Vi)と駆動用素子１５の間に設置され
ており、電源線から画素１１への電流の供給を制御す
る。

【００２５】図１（Ｂ）には、図１（Ａ）に示した画素
１１に、第４スイッチ１８と第２走査線(Gbj)を追加し
て配置した場合を示す。第４スイッチ１８には、トラン
ジスタなどのスイッチング機能を有する半導体素子を１
個又は複数個用いることができる。第４スイッチ１８
は、第２走査線(Gbj)から与えられる信号により、オン
又はオフが決定される。第１スイッチ１２及び第２スイ
ッチ１３はスイッチとして機能すればよいので、用いら
れる半導体素子の導電型に特に限定はない。

【００２６】なお第４スイッチ１８は画素１１の初期化
用素子としての役割を担う。第４スイッチ１８がオンに
なると、容量素子１６に保持されている電荷が放出され
て、駆動用素子１５はオフになり、さらに自発光素子１
７の発光は終了する。

【００２７】本発明では、駆動用素子１５を複数のトラ
ンジスタで構成し、画素１１にビデオ信号のデータ電流
を書込む場合と、自発光素子１７に電流を流し発光させ
る場合とにおいて、該複数のトランジスタの接続を並列
と直列とに切替えて用いる点に特徴がある。図１（Ａ）
（Ｂ）では、第１スイッチ１２及び第２スイッチ１３
を、走査線(Gaj)からの信号によりオン・オフ制御をす
ることが、駆動用素子１５の複数のトランジスタを、並
列接続状態と直列接続状態とを切替える手段となってい
る。

【００２８】ここで、一例として駆動用素子１５が４つ
のトランジスタ２０ａ〜２０ｄで構成された場合の画素
１１を図１（Ｃ）（Ｄ）に示し、画素１１における電流
の経路について以下に説明する。

【００２９】図１（Ｃ）は画素１１にデータ電流を書込
む場合を示し、図１（Ｄ）は自発光素子を発光させる場
合を示している。なお図１（Ｃ）（Ｄ）において、第１
スイッチ１２、第２スイッチ１３、駆動用素子１５、自
発光素子１７、信号線(Si)及び電源線(Vi)以外の素子、
配線は図示を省略する。

【００３０】最初に、画素１１にデータ電流を書込む場
合について説明する。図１（Ｃ）において、第１スイッ
チ１２及び第２スイッチ１３は、第１走査線(Gaj)から
与えられる信号によりオンになる。すると駆動用素子１
５は、各トランジスタがダイオード接続状態となり、か
つ相互に並列接続状態になる。電流経路は、電源線(Vi)
から第２スイッチ１３、駆動用素子１５、第１スイッチ
１２を通って、信号線(Si)である。このときの電流値Ｉ
_Wは、ビデオ信号のデータ電流値であり、信号線駆動回
路が信号線(Si)に出力する所定の電流値である。

【００３１】次いで、自発光素子１７を発光させる場合
について説明する。図１（Ｄ）において、第１スイッチ
１２及び第２スイッチ１３は、第１走査線(Gaj)から与
えられる信号によりオフになる。すると駆動用素子１５
は、各トランジスタが相互に直列接続状態になる。電流
経路は、電源線(Vi)からトランジスタ２０ａ、２０ｂ、
２０ｃ、２０ｄを通って自発光素子１７である。このと
きの電流値Ｉ_Eにより、自発光素子１７の発光輝度が決
まる。

【００３２】上述したように本発明では、画素にデータ
電流を書込むときには、駆動用素子１５を構成するトラ
ンジスタ２０ａ〜２０ｄを並列に使用する（図１
（Ｃ））。他方、画素１１が有する自発光素子１７に電
流を流すとき、すなわち自発光素子駆動時には、駆動用
素子１５を構成するトランジスタ２０ａ〜２０ｄを直列
に使用する（図１（Ｄ））。従って、もしトランジスタ
２０ａ〜２０ｄの電気的特性が同一であると仮定すれ
ば、書込み時の電流値Ｉ_Wは、自発光素子駆動時の電流
値Ｉ_Eの１６倍（４²倍）となる。より一般的に、駆動用
素子１５を構成するトランジスタの数がｎ個の場合を考
えると、該トランジスタの全てが同一の電気的特性をも
つとの条件の下では、ビデオ信号書込み時の電流値Ｉ_W
と自発光素子駆動時の電流値Ｉ_Eとの間に次式（１）の
関係が成立する。

【００３３】

【数１】Ｉ_W＝ｎ²×Ｉ_E・・・（１）

【００３４】なお式（１）が厳密に成立するためには、
駆動用素子１５を構成するトランジスタの全てが同一の
電気的特性をもつことが条件となる。しかし該トランジ
スタの電気的特性が、相互に若干のバラつきを伴ってい
る場合であっても、近似的に式（１）が成立するとして
扱うことが現実的には可能である。

【００３５】よって本発明では、駆動用素子１５を複数
のトランジスタで構成し、画素１１にビデオ信号電流を
書込む場合と、自発光素子を発光させる場合とにおい
て、該複数のトランジスタの接続を並列と直列とに切替
えて用いることで、書込み時の電流値Ｉ_Wと自発光素子
駆動時の電流値Ｉ_Eとを任意に設定することができる特
長を有する。

【００３６】また本発明の別の特長として、駆動用素子
１５を構成する各トランジスタの電気的特性が、相互に
若干のバラつきを伴っていたとしても、その影響が自発
光素子駆動電流Ｉ_Eに反映されてしまうのを大きく軽減
できる点がある。これに関しては具体的な例をとりあ
げ、実施の形態５において説明する。

【００３７】図１０（Ａ）のようなカレントミラーを用
いる画素回路においても、画素内の二つのトランジスタ
に関する限り、同一の電気的特性もつことが要求されて
しまう問題があった。しかし本発明では同一画素内にお
けるトランジスタでさえ、相互に電気的特性が若干異な
ることを既に前提としている。すなわち本発明は、トラ
ンジスタの特性バラつきに対する耐性の点において、電
流入力方式のカレントミラーを用いる画素回路と比較し
て、優れている。その結果本発明では、結晶粒界におけ
る欠陥等に起因するポリシリコンＴＦＴの電気的特性バ
ラつきが存在しても、自発光素子駆動電流Ｉ_Eを実用レ
ベルにまで均一化することが可能となる。

【００３８】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）以上、本発明の
表示装置、発光装置の画素の概略を図１を用いて述べ
た。実施の形態１では、本発明の表示装置、発光装置の
画素の具体的例について、図２〜４を用いて説明する。
簡単にするため、駆動用素子１５を構成するトランジス
タ数ｎが、２〜４の場合の例を挙げる。

【００３９】まず最初の例を、図２（Ａ）を用いて説明
する。

【００４０】図２（Ａ）には、j行i列目に配置された画
素１１を示す。そして画素１１は、信号線(Si)、電源線
(Vi)、走査線(Gaj)、トランジスタ２１〜２６、容量素
子２７、自発光素子２８を有する。図２（Ａ）に示す画
素１１は、図１（Ａ）に示す画素１１を具体的にトラン
ジスタで図示したものであり、ｐチャネル型のトランジ
スタ２１、２２は第１スイッチ１２に相当する。ｐチャ
ネル型のトランジスタ２３は第２スイッチ１３に相当
し、ｎチャネル型のトランジスタ２４は第３スイッチ１
４に相当する。ｐチャネル型のトランジスタ２５、２６
は駆動用素子１５に相当する。

【００４１】トランジスタ２１〜２４の各ゲート電極
は、走査線(Gaj)に接続されている。容量素子２７は、
トランジスタ２５のゲート・ソース間電圧を保持する役
割を担う。なお、トランジスタ２５、２６のゲート容量
が大きい場合や、該ノードの寄生容量が大きい場合など
では、容量素子２７は必ずしも設けなくてもよい。

【００４２】図２（Ａ）に示す画素１１に、ビデオ信号
データ電流を書込むときには、走査線(Gaj)に低電位信
号を送り、トランジスタ２１〜２３をオン、トランジス
タ２４をオフにする。このとき、トランジスタ２５、２
６は電流経路上、互いに並列接続の関係になる。一方、
自発光素子２８に電流を流すときには、走査線(Gaj)に
高電位信号を送り、トランジスタ２１〜２３をオフ、ト
ランジスタ２４をオンにする。このとき、トランジスタ
２５、２６は電流経路上、互いに直列接続の関係にな
る。

【００４３】図２（Ａ）の例では、駆動用素子１５のト
ランジスタ２５、２６の接続関係の切替えを、走査線(G
aj)のみで制御する。また、第１スイッチを２個、第２
スイッチを１個のトランジスタのみという、最少個数の
トランジスタで構成する。このように図２（Ａ）の例
は、走査線数及びトランジスタ数を少なく抑えているた
め、開口率確保や製造不良発生率低減を重視する場合
に、適した構成である。

【００４４】次いで図２（Ａ）とは別の例を、図２
（Ｂ）を用いて説明する。

【００４５】図２（Ｂ）には、j行i列目に配置された画
素１１を示す。そして画素１１は、信号線(Si)、電源線
(Vi)、第１走査線(Gaj)、第２走査線(Gbj)、トランジス
タ３１〜３９、４２、容量素子４０、自発光素子４１を
有する。図２（Ｂ）に示す画素１１は、図１（Ｂ）に示
す画素１１を具体的にトランジスタで図示したものであ
り、ｐチャネル型のトランジスタ３１〜３４は第１スイ
ッチ１２に相当する。ｐチャネル型のトランジスタ３
５、３６は第２スイッチ１３に相当し、ｎチャネル型の
トランジスタ３７は第３スイッチ１４に相当する。ｐチ
ャネル型のトランジスタ３８、３９は駆動用素子１５に
相当する。ｎチャネル型のトランジスタ４２は第４スイ
ッチ１８に相当する。

【００４６】トランジスタ３１〜３４の各ゲート電極
は、第１走査線(Gaj)に接続されている。トランジスタ
３５〜３７、４２の各ゲート電極は、第２走査線(Gbj)
に接続されている。容量素子４０は、トランジスタ３８
のゲート・ソース間電圧を保持する役割を担う。なお、
トランジスタ３８、３９のゲート容量が大きい場合や、
該ノードの寄生容量が大きい場合などでは、容量素子４
０は必ずしも設けなくてもよい。

【００４７】図２（Ｂ）に示す画素１１に、ビデオ信号
データ電流を書込むときには、第１走査線(Gaj)及び第
２走査線(Gbj)に低電位信号を送り、トランジスタ３１
〜３６をオン、トランジスタ３７、４２をオフにする。
このとき、トランジスタ３８、３９は電流経路上、互い
に並列接続の関係になる。一方、自発光素子４１に電流
を流すときには、走査線(Gaj)に高電位信号を送り、ト
ランジスタ３１〜３６をオフ、トランジスタ３７、４２
をオンにする。このとき、トランジスタ３８、３９は電
流経路上、互いに直列接続の関係になる。

【００４８】図２（Ｂ）の例では、駆動用素子１５のト
ランジスタ３８、３９の接続関係の切替えを、第１走査
線(Gaj)及び第２走査線(Gbj)を用いて制御する。しかし
第２走査線(Gbj)により制御されるトランジスタは、い
ずれも信号線(Si)とは接続していない。また自発光素子
４１に電流を流し発光させるか否かは、第１走査線(Ga
j)の電位に関わりなく、第２走査線(Gbj)の電位のみに
より制御できる特徴がある。従って、データ電流を書込
むとき以外で、第２走査線(Gbj)に第１走査線(Gaj)とは
独立の信号を送ることで、自発光素子４１の発光時間を
任意に制御できる。

【００４９】これは、中間階調表現を時間階調方式によ
り表現する場合に、非常に重要な特長である。時間階調
方式をポリシリコンＴＦＴ駆動回路を有するＡＭ型ＯＬ
ＥＤ表示装置に適用する場合、列走査期間中に発光を停
止させる手段なしには、十分な多階調表示が困難なため
である。また、中間階調表現をアナログ的なビデオ信号
データ電流を用いることで表現する場合であっても、ホ
ールド型ディスプレイ特有の動画ボケを防止するため
に、インパルス型の発光を行う等の用途に有用である
（ホールド型ディスプレイ特有の動画ボケについては、
例えばT. Kurita, Proc. AM-LCD 2000 p.p.1-4 (2000)
等を参照）。

【００５０】また図２（Ｂ）の例の、別の特長として、
ビデオ信号データ電流の記憶がより正確に行える点があ
る。図２（Ａ）の例では、データ電流の書込み時に、ト
ランジスタ２５は電源線(Vi)に直接接続するのに対し、
トランジスタ２６はトランジスタ２３を介して接続す
る。よって、トランジスタ２３による電圧降下分だけ、
データ電流の書込み時が不正確となる。他方図２（Ｂ）
の例では、トランジスタ３８はトランジスタ３５を介し
て、トランジスタ３９はトランジスタ３６を介して、電
源線(Vi)に接続する。トランジスタ３５とトランジスタ
３６による電圧降下を、同程度となるようにすれは、ビ
デオ信号データ電流の記憶をより正確に行うことができ
る。

【００５１】続いて３つ目の例を、図３（Ａ）を用いて
説明する。

【００５２】図３（Ａ）には、j行i列目に配置された画
素１１を示す。そして画素１１は、信号線(Si)、電源線
(Vi)、第１走査線(Gaj)、第２走査線(Gbj)、トランジス
タ５１〜５７、６０、容量素子５８、自発光素子５９を
有する。図３（Ａ）に示す画素１１は、図１（Ｂ）に示
す画素１１を具体的にトランジスタで図示したものであ
り、ｎチャネル型のトランジスタ５１〜５３は第１スイ
ッチ１２に相当する。ｎチャネル型のトランジスタ５４
は第２スイッチ１３に相当し、ｐチャネル型のトランジ
スタ５５は第３スイッチ１４に相当する。ｐチャネル型
のトランジスタ５６、５７は駆動用素子１５に相当す
る。ｎチャネル型のトランジスタ６０は第４スイッチ１
８に相当する。

【００５３】トランジスタ５１〜５５の各ゲート電極
は、第１走査線(Gaj)に接続されている。トランジスタ
６０のゲート電極は、第２走査線(Gbj)に接続されてい
る。容量素子５８は、トランジスタ５６のゲート・ソー
ス間電圧を保持する役割を担う。なお、トランジスタ５
６、５７のゲート容量が大きい場合や、該ノードの寄生
容量が大きい場合などでは、容量素子５８は必ずしも設
けなくてもよい。

【００５４】図３（Ａ）に示す画素１１に、ビデオ信号
データ電流を書込むときには、第１走査線(Gaj)に高電
位信号を送り、トランジスタ５１〜５４をオン、トラン
ジスタ５５をオフにする。このとき、トランジスタ５
６、５７は電流経路上、互いに並列接続の関係になる。
一方、自発光素子５９に電流を流すときには、走査線(G
aj)に低電位信号を送り、トランジスタ５１〜５４をオ
フ、トランジスタ５５をオンにする。このとき、トラン
ジスタ５６、５７は電流経路上、互いに直列接続の関係
になる。

【００５５】なお上記の間、第２走査線(Gbj)には低電
位信号を送り、トランジスタ６０をオフしておく。

【００５６】図３（Ａ）に示す画素１１においても、図
２（Ｂ）の例の場合と同様に、第２走査線(Gbj)に送る
信号により、自発光素子５９の発光時間を任意に制御で
きる。すなわち自発光素子５９発光中に、第２走査線(G
bj)に高電位信号をおくり、トランジスタ６０をオンに
すると、トランジスタ５６がオフとなり自発光素子５９
は消光する。ただし自発光素子５９を一度消光させる
と、再度ビデオ信号データ電流を書込まなくては、自発
光素子５９を発光させられない点は、図２（Ｂ）の例と
異なる。

【００５７】図３（Ａ）に示す画素１１において、自発
光素子５９の発光時間を任意に制御できることの特長
は、図２（Ｂ）の例の場合と同様である。すなわち、ま
ず中間階調表現を時間階調方式により表現することが可
能となる。また中間階調表現をアナログ的なビデオ信号
データ電流を用いることで表現する場合であっても、ホ
ールド型ディスプレイ特有の動画ボケを防止するため
に、インパルス型の発光を行う等の用途に有用である。

【００５８】図３（Ａ）に示す画素１１においては、第
１、第２スイッチ１２のトランジスタ５１〜５４、第４
スイッチ１８のトランジスタ６０はｎチャネル型であ
り、第３スイッチ１４のトランジスタ５５はｐチャネル
型である。これは、図２（Ａ）（Ｂ）の例の場合と異な
っている。しかしこれは、スイッチのトランジスタのチ
ャネル型に関して、特に制限がないことを例示したもの
にすぎない。

【００５９】続いて４つ目の例を、図３（Ｂ）を用いて
説明する。

【００６０】図３（Ｂ）には、j行i列目に配置された画
素１１を示す。そして画素１１は、信号線(Si)、電源線
(Vi)、第１走査線(Gaj)、第２走査線(Gbj)、トランジス
タ７１〜８２、８５、容量素子８３、自発光素子８４を
有する。図３（Ｂ）に示す画素１１は、図１（Ｂ）に示
す画素１１を具体的にトランジスタで図示したものであ
り、ｐチャネル型のトランジスタ７１〜７５は第１スイ
ッチ１２に相当する。ｐチャネル型のトランジスタ７６
〜７８は第２スイッチ１３に相当し、ｎチャネル型のト
ランジスタ７９は第３スイッチ１４に相当する。ｐチャ
ネル型のトランジスタ８０〜８２は駆動用素子１５に相
当する。ｎチャネル型のトランジスタ８５は第４スイッ
チ１８に相当する。

【００６１】トランジスタ７１〜７５、８５の各ゲート
電極は、第１走査線(Gaj)に接続されている。トランジ
スタ７６〜７９のゲート電極は、第２走査線(Gbj)に接
続されている。容量素子８３は、トランジスタ８０のゲ
ート・ソース間電圧を保持する役割を担う。なお、トラ
ンジスタ８０〜８２のゲート容量が大きい場合や、該ノ
ードの寄生容量が大きい場合などでは、容量素子８３は
必ずしも設けなくてもよい。

【００６２】図３（Ｂ）に示す画素１１に、ビデオ信号
データ電流を書込むときには、第１走査線(Gaj)及び第
２走査線(Gbj)に低電位信号を送り、トランジスタ７１
〜７８をオン、トランジスタ７９、８５をオフにする。
このとき、トランジスタ８０〜８２は電流経路上、互い
に並列接続の関係になる。一方、自発光素子８４に電流
を流すときには、走査線(Gaj)に高電位信号を送り、ト
ランジスタ７１〜７８をオフ、トランジスタ７９、８５
をオンにする。このとき、トランジスタ８０〜８２は電
流経路上、互いに直列接続の関係になる。

【００６３】図３（Ｂ）の例では、駆動用素子１５のト
ランジスタ８０〜８２の接続関係の切替えを、第１走査
線(Gaj)及び第２走査線(Gbj)を用いて制御する。しかし
第２走査線(Gbj)により制御されるトランジスタは、い
ずれも信号線(Si)とは接続していない。また自発光素子
８４に電流を流し発光させるか否かは、第１走査線(Ga
j)の電位に関わりなく、第２走査線(Gbj)の電位のみに
より制御できる特徴がある。従って、データ電流を書込
むとき以外で、第２走査線(Gbj)に第１走査線(Gaj)とは
独立の信号を送ることで、自発光素子８４の発光時間を
任意に制御できる。この事情は図２（Ｂ）の例と同様で
ある。

【００６４】よって、図３（Ｂ）に示す画素１１におい
ても、自発光素子８４の発光時間を任意に制御できるこ
とに起因する、以下の特長がある。すなわち、まず中間
階調表現を時間階調方式により表現することが可能とな
る。また中間階調表現をアナログ的なビデオ信号データ
電流を用いることで表現する場合であっても、ホールド
型ディスプレイ特有の動画ボケを防止するために、イン
パルス型の発光を行う等の用途に有用である。

【００６５】５つ目の例を、図４（Ａ）を用いて説明す
る。

【００６６】図４（Ａ）には、j行i列目に配置された画
素１１を示す。そして画素１１は、信号線(Si)、電源線
(Vi)、第１走査線(Gaj)、第２走査線(Gbj)、トランジス
タ９１〜１０３、１０６、容量素子１０４、自発光素子
１０５を有する。図４（Ａ）に示す画素１１は、図１
（Ｂ）に示す画素１１を具体的にトランジスタで図示し
たものであり、ｐチャネル型のトランジスタ９１〜９４
は第１スイッチ１２に相当する。ｐチャネル型のトラン
ジスタ９５〜９８は第２スイッチ１３に相当し、ｎチャ
ネル型のトランジスタ９９は第３スイッチ１４に相当す
る。ｐチャネル型のトランジスタ１００〜１０３は駆動
用素子１５に相当する。ｎチャネル型のトランジスタ１
０４は第４スイッチ１８に相当する。

【００６７】トランジスタ９１〜９４の各ゲート電極
は、第１走査線(Gaj)に接続されている。トランジスタ
９５〜９９、１０６のゲート電極は、第２走査線(Gbj)
に接続されている。容量素子１０４は、トランジスタ１
００のゲート・ソース間電圧を保持する役割を担う。な
お、トランジスタ１００〜１０３のゲート容量が大きい
場合や、該ノードの寄生容量が大きい場合などでは、容
量素子１０４は必ずしも設けなくてもよい。

【００６８】図４（Ａ）に示す画素１１に、ビデオ信号
データ電流を書込むときには、第１走査線(Gaj)及び第
２走査線(Gbj)に低電位信号を送り、トランジスタ９１
〜９８をオン、トランジスタ９９、１０６をオフにす
る。このとき、トランジスタ１００〜１０３は電流経路
上、互いに並列接続の関係になる。一方、自発光素子１
０５に電流を流すときには、走査線(Gaj)に高電位信号
を送り、トランジスタ９１〜９８をオフ、トランジスタ
９９、１０６をオンにする。このとき、トランジスタ１
００〜１０３は電流経路上、互いに直列接続の関係にな
る。

【００６９】図４（Ａ）の例では、駆動用素子１５のト
ランジスタ１００〜１０３の接続関係の切替えを、第１
走査線(Gaj)及び第２走査線(Gbj)を用いて制御する。し
かし第２走査線(Gbj)により制御されるトランジスタ
は、いずれも信号線(Si)とは接続していない。また自発
光素子１０５に電流を流し発光させるか否かは、第１走
査線(Gaj)の電位に関わりなく、第２走査線(Gbj)の電位
のみにより制御できる特徴がある。従って、データ電流
を書込むとき以外で、第２走査線(Gbj)に第１走査線(Ga
j)とは独立の信号を送ることで、自発光素子８４の発光
時間を任意に制御できる。この事情は図２（Ｂ）の例と
同様である。

【００７０】よって、図４（Ａ）に示す画素１１におい
ても、自発光素子８４の発光時間を任意に制御できるこ
とに起因する、以下の特長がある。すなわち、まず中間
階調表現を時間階調方式により表現することが可能とな
る。また中間階調表現をアナログ的なビデオ信号データ
電流を用いることで表現する場合であっても、ホールド
型ディスプレイ特有の動画ボケを防止するために、イン
パルス型の発光を行う等の用途に有用である。

【００７１】６つ目の例を、図４（Ｂ）を用いて説明す
る。

【００７２】図４（Ｂ）には、j行i列目に配置された画
素１１を示す。そして画素１１は、信号線(Si)、電源線
(Vi)、第１走査線(Gaj)、第２走査線(Gbj)、トランジス
タ１１１〜１２０、１２２、容量素子１２３、自発光素
子１２１を有する。図４（Ｂ）に示す画素１１は、図１
（Ｂ）に示す画素１１を具体的にトランジスタで図示し
たものであり、ｐチャネル型のトランジスタ１１１〜１
１３は第１スイッチ１２に相当する。ｐチャネル型のト
ランジスタ１１４、１１５は第２スイッチ１３に相当
し、ｎチャネル型のトランジスタ１１６は第３スイッチ
１４に相当する。ｐチャネル型のトランジスタ１１７〜
１２０は駆動用素子１５に相当する。ｐチャネル型のト
ランジスタ１２２は第４スイッチ１８に相当する。

【００７３】トランジスタ１１１〜１１６の各ゲート電
極は、第１走査線(Gaj)に接続されている。トランジス
タ１２２のゲート電極は、第２走査線(Gbj)に接続され
ている。容量素子１２３は、トランジスタ１１７のゲー
ト・ソース間電圧を保持する役割を担う。なお、トラン
ジスタ１１７〜１２０のゲート容量が大きい場合や、該
ノードの寄生容量が大きい場合などでは、容量素子１２
３は必ずしも設けなくてもよい。

【００７４】図４（Ｂ）に示す画素１１に、ビデオ信号
データ電流を書込むときには、第１走査線(Gaj)に高電
位信号を送り、トランジスタ１１１〜１１５をオン、ト
ランジスタ１１６をオフにする。このとき、トランジス
タ１１７〜１２０は電流経路上、互いに並列接続の関係
になる。一方、自発光素子１２１に電流を流すときに
は、第１走査線(Gaj)に低電位信号を送り、トランジス
タ１１１〜１１５をオフ、トランジスタ１１６をオンに
する。このとき、トランジスタ１１７〜１２０は電流経
路上、互いに直列接続の関係になる。

【００７５】なお上記の間、第２走査線(Gbj)には低電
位信号を送り、トランジスタ１２２をオフしておく。

【００７６】図４（Ｂ）に示す画素１１においても、図
２（Ｂ）の例の場合と同様に、第２走査線(Gbj)に送る
信号により、自発光素子１２１の発光時間を任意に制御
できる。すなわち自発光素子１２１発光中に、第２走査
線(Gbj)に高電位信号をおくり、トランジスタ１２２を
オンにすると、トランジスタ１１７がオフとなり自発光
素子１２１は消光する。ただし自発光素子１２１を一度
消光させると、再度ビデオ信号データ電流を書込まなく
ては、自発光素子５９を発光させられない点は、図２
（Ｂ）の例と異なる。

【００７７】図４（Ｂ）に示す画素１１において、自発
光素子１２１の発光時間を任意に制御できることの特長
は、図２（Ｂ）の例の場合と同様である。すなわち、ま
ず中間階調表現を時間階調方式により表現することが可
能となる。また中間階調表現をアナログ的なビデオ信号
データ電流を用いることで表現する場合であっても、ホ
ールド型ディスプレイ特有の動画ボケを防止するため
に、インパルス型の発光を行う等の用途に有用である。

【００７８】以上、本発明の表示装置、発光装置の画素
１１の例として、それぞれ異なる構成の６種類の画素１
１を図２〜４を用いて説明した。しかし本発明の表示装
置、発光装置の画素構成は、これら６種に限定されるわ
けではない。

【００７９】（実施の形態２）実施の形態２では、画素
１１の駆動方法を説明する。例として図４（Ｂ）に示し
た画素１１の場合を取り上げ、図５を用いて説明する。

【００８０】最初に、ビデオ信号書込み動作と発光動作
について説明する。

【００８１】まず画素１１の周囲に設けられた走査線駆
動回路（図示せず）から出力される信号によって、j行
目の第1走査線(Gaj)が選択される。すなわち、第1走査
線(Gaj)に低電位（Ｌレベル）信号が出力され、トラン
ジスタ１１１〜１１６のゲート電極が低電位（Ｌレベ
ル）となる。このとき、ｐチャネル型のトランジスタ１
１１〜１１５がオンとなり、ｎチャネル型のトランジス
タ１１６がオフとなる。そして画素１１の周囲に設けら
れた信号線駆動回路（図示せず）から、i列目の信号線
(Si)を介して画素１１にビデオ信号データ電流Ｉ_Wが入
力される。

【００８２】トランジスタ１１１〜１１３がオンする
と、トランジスタ１１７〜１２０は、ドレインとゲート
が短絡されたダイオード接続状態となる。すなわち画素
１１は、並列な４つのダイオードと回路的に等価とな
る。この状態で画素１１の電源線(Vi)と信号線(Si)の間
に、電流Ｉ_Wを流す（図５（Ａ）を参照）。

【００８３】並列な４つのダイオードを流れる電流Ｉ_W
が定常状態になった後、第1走査線(Gaj)を高電位（Ｈレ
ベル）にする。するとトランジスタ１１１〜１１３はオ
フとなり、ビデオ信号データ電流Ｉ_Wが画素に記憶され
る。

【００８４】続いて第1走査線(Gaj)が高電位（Ｈレベ
ル）となると、ｐチャネル型のトランジスタ１１１〜１
１５がオフとなり、ｎチャネル型のトランジスタ１１６
がオンとなる。トランジスタ１１７〜１２０は直列状態
に接続が組みかえられる。このときトランジスタ１２０
が飽和領域で動作するように予め電圧条件を設定してお
くと、駆動用素子は自発光素子に定電流Ｉ_Eを供給す
る。

【００８５】定電流Ｉ_Eの値は、ビデオ信号データ電流
Ｉ_Wの約１６分の１の大きさである。本実施の形態で
は、駆動用素子は４つトランジスタにより構成されてい
るためである。より一般的に、駆動用素子がｎ個のトラ
ンジスタにより構成されている場合には、電流Ｉ_Eは、
ビデオ信号データ電流Ｉ_Wの約ｎ²分の１の大きさとな
る。

【００８６】このように本実施の形態では、書込みデー
タ電流Ｉ_Wを自発光素子駆動電流Ｉ_Eの約１６倍と、大き
な値にすることができる。そのため寄生容量等のため
に、自発光素子駆動電流Ｉ_E程度の微小電流を、直接速
やかに画素に書込むことが難しい場合であっても、ビデ
オ信号データ電流Ｉ_Wを画素に書込むことが可能とな
る。

【００８７】なお本実施の形態は、中間階調表現の方法
として、アナログビデオ方式を採っていてもよいし、デ
ィジタルビデオ方式を採っていてもよい。アナログビデ
オ方式の場合、ビデオ信号データ電流として、アナログ
的に変化するデータ電流Ｉ_Wを用いる。ディジタルビデ
オ方式の場合は、一つのデータ電流Ｉ_Wのみを基準のオ
ン電流として単位輝度を用意する。そして、単位輝度を
時間的に足し合わせて階調表現する、時間階調法を用い
るのが便利である（ディジタル時間階調法）。あるい
は、単位輝度を面積的に足し合わせて階調表現する面積
階調法や、時間階調法と面積階調法を組み合わせる方法
で、ディジタルビデオ方式を行うこともできる。

【００８８】また本実施の形態において、アナログビデ
オ方式、ディジタルビデオ方式いずれを採用したとして
も、ビデオ信号データ電流Ｉ_Wを０とする場合が必要と
なることがある。しかしビデオ信号データ電流Ｉ_Wを０
とする場合は、自発光素子の発光輝度を０とするという
ことであるから、Ｉ_Wを画素に正確に書込み記憶させる
必要はない。したがって、この場合には駆動用素子のト
ランジスタ１１７〜１２０がオフとなるようなゲート電
圧を、直接信号線(Si)に出力してもよい。すなわち例外
的に、ビデオ信号を電流値でなく、電圧値で出力しても
よい。

【００８９】次に、発光停止動作について説明する。

【００９０】まず画素１１の周囲に設けられた別の走査
線駆動回路（図示せず）から出力される信号によって、
j行目の第２走査線(Gbj)が選択される。すなわち、第２
走査線(Gbj)に低電位（Ｌレベル）信号が出力される。
ｐチャネル型のトランジスタ１２２は、ゲート電極が低
電位（Ｌレベル）となるためにオン状態となる。

【００９１】するとトランジスタ１１７のソースとゲー
トが短絡され、オフとなる。その結果、自発光素子１２
１への電流供給は遮断され、発光は停止する。

【００９２】このような発光停止動作を利用することに
よって、自発光素子１２１の発光時間を、１列走査時間
の制約を受けずに、任意に制御できるが可能となる。そ
の大きな利点として、まず中間階調表現を時間階調方式
により表現することが容易となることがある。また中間
階調表現をアナログ的なビデオ信号データ電流を用いる
ことで表現する場合であっても、ホールド型ディスプレ
イ特有の動画ボケを防止するために、インパルス型の発
光を行うこと等に利点がある。

【００９３】（実施の形態３）実施の形態３では、本発
明の表示装置、発光装置における画素の平面レイアウト
（上面図）例を提示する。本例の画素回路は、図３
（Ｂ）に示した画素回路である。

【００９４】図６には、j行i列目の画素１１を示す。図
６において、二点破線で囲んだ領域が画素１１に相当す
る。点模様の領域は、ポリシリコン膜である。右上り斜
線と右下り二重斜線は、それぞれ別の層の導電体膜（金
属膜等）である。バツ印は層間の接触点を示す。そし
て、チェック模様の領域８６は自発光素子５４の陽極に
相当する。

【００９５】第1走査線(Gaj)下には、トランジスタ７１
〜７５、８５が形成されている。第２走査線(Gbj)下に
は、トランジスタ７６〜７９が形成されている。電源線
(Vi)の下に容量素子８３が形成されている。

【００９６】駆動用素子を構成する３つのトランジスタ
８０〜８２は同サイズに揃えて互いに隣接させて形成さ
れている。これにより最初から、同一画素内におけるト
ランジスタ８０〜８２間のバラつきが、大きくなりにく
くすることはできる。本発明の構成である「並列書込み
直列駆動」は、駆動用素子を構成する複数のトランジス
タ間に元々存在するバラつきの影響を、さらに小さくす
る手法である。したがって、当初からバラつきが抑えら
れた複数のトランジスタを駆動用素子に用いるのであれ
ば、本発明の効果を非常に大きく生かすことができ好ま
しい。自発光素子の発光輝度のバラつきは、さらに僅少
となる。

【００９７】なお本発明の表示装置、発光装置を作製す
る工程については、例えば、特開２００１−３４３９３
３等を参照できる。駆動用素子を構成する複数のトラン
ジスタは、ソースとドレインについては対称的である方
が好ましいが、対称的であることが必須というわけでは
ない。

【００９８】（実施の形態４）実施の形態４では、本発
明の表示装置、発光装置の構成の例について図７を用い
て説明する。画素内ではなく、装置の全体的な構成の例
を説明する。

【００９９】本発明の表示装置、発光装置は、基板１８
０１上に、複数の画素がマトリクス状に配置された画素
部１８０２を有する。画素部１８０２の周辺部には、信
号線駆動回路１８０３、第１の走査線駆動回路１８０４
及び第２の走査線駆動回路１８０５が配置されている。
信号線駆動回路１８０３と、走査線駆動回路１８０４及
び１８０５には、ＦＰＣ１８０６を介して、外部より電
源、信号が供給される。

【０１００】図７（Ａ）の例においては、信号線駆動回
路１８０３と、走査線駆動回路１８０４及び１８０５が
集積されているが、本発明はこれに限定されるものでは
ない。例えば、第２の走査線駆動回路１８０５を欠いて
いてもよい。あるいは、信号線駆動回路１８０３、走査
線駆動回路１８０４及び１８０５を欠いていてもよい。

【０１０１】第１の走査線駆動回路１８０４及び第２の
走査線駆動回路１８０５の例を、図７（Ｂ）を用いて説
明する。図７（Ｂ）では、走査線駆動回路１８０４及び
１８０５はそれぞれ、シフトレジスタ１８２１、バッフ
ァ回路１８２２を有している。

【０１０２】図７（Ｂ）の回路の動作を説明する。シフ
トレジスタ１８２１は、クロック信号（Ｇ−ＣＬＫ）、
クロック反転信号（Ｇ−ＣＬＫｂ）、スタートパルス信
号（Ｇ−ＳＰ）に基づき、順次パルスを出力する。該パ
ルスは、バッファ回路１８２２で電流増幅された後、走
査線に入力される。こうして走査線は、１行ずつ順次選
択状態となる。

【０１０３】なお必要に応じ、バッファ回路１８２２内
にレベルシフタを設置してもよい。レベルシフタによ
り、電圧振幅を変更することができる。

【０１０４】次いで、信号線駆動回路１８０３の例を、
図７（Ｃ）を用いて説明する。図７（Ｃ）に示す信号線
駆動回路１８０３は、シフトレジスタ１８３１、第１の
ラッチ回路１８３２、第２のラッチ回路１８３３、電流
電圧変換回路１８３４を有している。

【０１０５】図７（Ｃ）の回路の動作を説明する。図７
（Ｃ）の回路は、中間階調表示方式として、ディジタル
時間階調法を採用した場合の回路である。

【０１０６】シフトレジスタ１８３１は、クロック信号
（Ｓ−ＣＬＫ）、クロック反転信号（Ｓ−ＣＬＫｂ）、
スタートパルス信号（Ｓ−ＳＰ）に基づき、順次サンプ
リングパルスを第１のラッチ回路１８３２に出力する。
各列の第１のラッチ回路１８３２は、該パルスのタイミ
ングに従って、ディジタルビデオ信号を順次読込む。第
１のラッチ回路１８３２において、最終列までビデオ信
号の読込みが完了すると、第２のラッチ回路１８３３に
ラッチパルスが入力される。ラッチパルスにより、各列
の第１のラッチ回路１８３２に読込まれていたビデオ信
号は、一斉に各列の第２のラッチ回路１８３３に転送さ
れる。第２のラッチ回路１８３３に転送されたビデオ信
号は、電圧電流変換回路１８３４において、適宜形式変
換処理され、画素へ転送される。ビデオ信号のうち、オ
ンデータは電流形式に変換され、オフデータは電圧形式
のまま電流増幅される。ラッチパルス後、シフトレジス
タ１８３１、第１のラッチ回路１８３２は、次行のビデ
オ信号読込み動作として、上記動作を繰り返す。

【０１０７】図７（Ｃ）の信号線駆動回路１８０３の構
成は１例であり、アナログ階調法を採用した場合には、
別の構成にする。またディジタル時間階調法を採用した
場合であっても、他の構成にすることはできる。

【０１０８】（実施の形態５）実施の形態５では、トラ
ンジスタの特性曲線（図８）を用いて、本発明の効果に
ついて説明する。説明を簡単にするため、駆動用素子を
構成するトランジスタに個数が、２個の場合を例に説明
する。画素回路構成としては、図２（Ｂ）のとおりであ
るとする。またここで用いるトランジスタの特性曲線
は、簡単にするため理想的なものとしてあり、実際のト
ランジスタとは若干の差異がある。例えば、チャネル長
変調はゼロとしてある。

【０１０９】トランジスタのソースの電位を基準とし
て、ゲートの電位をＶ_g、ドレインの電位をＶ_d、ソース
ドレイン間に流れる電流をＩ_dとする。ただし、正負の
向きは適宜設定してある（トランジスタがｐチャネル型
のときは、正負を入替える等）。図８（Ａ）（Ｂ）にお
いて、曲線８０１〜８０４は、ある一定のゲート電位Ｖ
_g下におけるＩ_d-Ｖ_d特性曲線である。一点鎖太曲線８０
５は、駆動用素子を構成する２個のトランジスタの一方
について、ゲートとドレインを短絡することにより、Ｖ
_gとＶ_dとを等しくした条件下でのＩ_d-Ｖ_d変化を示した
ものである。すなわち、一点鎖太曲線８０５には、該ト
ランジスタ固有の電気的特性（電界効果移動度、しきい
電圧値）が反映されている。同様に、二点鎖太曲線８０
６は、駆動用素子を構成する他の一方のトランジスタに
ついて、ゲートとドレインを短絡することにより、Ｖ_g
とＶ_dとを等しくした条件下でのＩ_d-Ｖ_d変化を示したも
のである。

【０１１０】図８（Ａ）（Ｂ）は、駆動用素子を構成す
る２個のトランジスタが各々異なった電気的特性をもっ
ている場合に、本発明の構成である「並列書込み直列駆
動」により、自発光素子駆動電流がどうなるかを、図的
に調べたものである。図８（Ａ）は、２個のトランジス
タ間において特に、電界効果移動度の違いが大きい場合
の例である。図８（Ｂ）は、２個のトランジスタ間にお
いて特に、しきい電圧値の違いが大きい場合の例であ
る。結論としては、各場合で自発光素子駆動電流は、８
０７の三角矢印の長さで示されるとおりとなる。これに
ついて、以下に簡単に説明する。

【０１１１】まず、トランジスタ３８、３９の特性曲線
として、いずれも等しく、一点鎖太曲線８０５が対応す
る場合を考える。

【０１１２】データ電流書込み時には、図２（Ｂ）のト
ランジスタ３１〜３６がオンとなる。トランジスタ３１
〜３４がオンとなることから、駆動用素子を構成する２
個のトランジスタ３８、３９では、ゲートとドレインが
短絡される。よってトランジスタ３８、３９の動作点
は、一点鎖太曲線８０５上の点であり、データ電流値Ｉ
_Wにより決まるある一点である。いま、該動作点が８０
５と８０１の交点としておく。つまり８０５と８０１の
交点の縦軸値Ｉ_dの２倍が、データ電流値Ｉ_Wであるとし
ておく。

【０１１３】自発光素子発光時には、図２（Ｂ）のトラ
ンジスタ３１〜３６がオフとなり、トランジスタ３７、
４２がオンとなる。トランジスタ３１〜３４がオフとな
ることから、トランジスタ３８、３９のゲート電位は、
データ電流書込み時のままで保持される。そして自発光
素子発光時には、トランジスタ３９が飽和領域で動作
し、トランジスタ３８が非飽和領域で動作する。自発光
素子発光時における、トランジスタ３８のＩ_d-Ｖ_d曲線
は８０１で表され、トランジスタ３９のＩ_d-Ｖ_d曲線は
８０３で表される。

【０１１４】図８（Ａ）上で、各一点鎖線矢印は、長さ
と縦軸座標は等しい。自発光素子発光時における、トラ
ンジスタ３８の動作点は、左側の一点鎖線矢印の右端と
８０１との接点である。そして求めるべき自発光素子駆
動電流Ｉ_Eは、一点鎖線矢印の縦軸座標、すなわち、８
０７の実線三角矢印の長さである。なお図８（Ｂ）上で
も同様の事情が成立し、求めるべき自発光素子駆動電流
Ｉ_Eは８０７の実線三角矢印の長さである。トランジス
タ３８の特性曲線とトランジスタ３９の特性曲線が、い
ずれも等しい場合には、結果的には求めるべき自発光素
子駆動電流Ｉ_Eは、データ電流値Ｉ_Wの４分の１の大きさ
となる。

【０１１５】次に、トランジスタ３８の特性曲線として
二点鎖太曲線８０６が対応し、トランジスタ３９の特性
曲線として一点鎖太曲線８０５が対応する場合を考え
る。データ電流値Ｉ_Wは、上で述べたトランジスタ３
８、３９の特性曲線としていずれも８０５が対応する場
合と、同一とする。

【０１１６】データ電流書込み時には、図２（Ｂ）の駆
動用素子を構成する２個のトランジスタ３８、３９で
は、ゲートとドレインが短絡される。よってトランジス
タ３８の動作点は二点鎖太曲線８０６上の点であり、ト
ランジスタ３９の動作点は一点鎖太曲線８０５上の点で
ある。そして、トランジスタ３８の動作点の縦軸座標
と、トランジスタ３９の動作点の縦軸座標との和は、デ
ータ電流値Ｉ_Wである。よってトランジスタ３８の動作
点は、８０６と８０２の交点となる。トランジスタ３９
の動作点は、トランジスタ３８の動作点と横軸座標が等
しい、曲線８０５上の点となる。

【０１１７】自発光素子発光時には、図２（Ｂ）のトラ
ンジスタ３１〜３４がオフとなることから、トランジス
タ３８、３９のゲート電位は、データ電流書込み時のま
まで保持される。そして自発光素子発光時には、トラン
ジスタ３９が飽和領域で動作し、トランジスタ３８が非
飽和領域で動作する。自発光素子発光時における、トラ
ンジスタ３８のＩ_d-Ｖ_d曲線は８０２で表される。

【０１１８】図８（Ａ）上で、同縦軸座標値にある各二
点鎖線矢印は、長さが等しい。上の二点鎖線矢印の組
が、いま検討している、トランジスタ３８の特性曲線と
して二点鎖太曲線８０６が対応し、トランジスタ３９の
特性曲線として一点鎖太曲線８０５が対応する場合であ
る。自発光素子発光時における、トランジスタ３８の動
作点は、左側の該二点鎖線矢印の右端と８０２との接点
である。そして求めるべき自発光素子駆動電流Ｉ_Eは、
該二点鎖線矢印の縦軸座標、すなわち、８０７の長点線
三角矢印（左側）の長さである。なお図８（Ｂ）上でも
同様の事情が成立し、求めるべき自発光素子駆動電流Ｉ
_Eは、８０７の長点線三角矢印（左側）の長さである。

【０１１９】また別の場合として、トランジスタ３８の
特性曲線として一点鎖太曲線８０５が対応し、トランジ
スタ３９の特性曲線として二点鎖太曲線８０６が対応す
る場合の検討も、同様にして行うことができる。詳しく
述べないが、結果的には図８（Ａ）（Ｂ）とも、求める
べき自発光素子駆動電流Ｉ_Eは、８０７の長点線三角矢
印（右側）の長さとなる。

【０１２０】さらに別の場合として、トランジスタ３
８、３９の特性曲線として、いずれも二点鎖太曲線８０
５が対応する場合の検討も、同様に行うことができる。
結果的には図８（Ａ）（Ｂ）とも、求めるべき自発光素
子駆動電流Ｉ_Eは、８０７の短点線三角矢印の長さとな
る。

【０１２１】図８（Ａ）（Ｂ）における、８０７の三角
矢印の長さから、駆動用素子を構成するトランジスタ３
８、３９の特性がバラつきが、自発光素子駆動電流Ｉ_E
にどのように反映されるかの概略をみることができる。

【０１２２】比較のために、図８（Ａ）（Ｂ）には８０
８の狭角矢印、８０９の広角矢印も掲載してある。８０
８の狭角矢印は、電流入力方式でカレントミラー型を用
いる画素回路の場合において、上記と同様の検討を行っ
た結果である。すなわち、カレントミラーの二つのトラ
ンジスタ間に、上記と同様の特性バラつきが存在したと
き、自発光素子駆動電流Ｉ_Eがどうなるかを示してい
る。８０９の広角矢印は、電圧入力方式の画素回路の場
合において、同様の検討を行った結果である。すなわ
ち、異なる画素の自発光素子駆動トランジスタ間に、上
記と同様の特性バラつきが存在したとき、自発光素子駆
動電流Ｉ_Eがどうなるかを示している。

【０１２３】図８（Ａ）（Ｂ）の８０７の三角矢印、８
０８の狭角矢印、８０９の広角矢印を比較から、次の点
がわかる。

【０１２４】まず、８０７の三角矢印、８０８の狭角矢
印では、同一画素内の二つのトランジスタ間にさえ特性
バラつきがない限りは、トランジスタの特性曲線が８０
５でも８０６でも、自発光素子駆動電流Ｉ_Eは一定とな
る。すなわち、電流入力方式でカレントミラー型を用い
る画素回路でも、本発明の「並列書込み直列駆動」の画
素回路でも、基板全体でトランジスタの特性を一定に揃
える必要はなく、同一画素内の二つのトランジスタ間の
特性バラつきさえ、抑制すれば十分である。この点は、
電圧入力方式の画素回路に対して非常に優位である。

【０１２５】しかし、同一画素内の二つのトランジスタ
間の特性バラつきが存在すると、８０８の狭角矢印で
は、自発光素子駆動電流Ｉ_Eのバラつきが大きくなる。
すなわち、電流入力方式でカレントミラー型を用いる画
素回路では、同一画素内の二つのトランジスタ間の特性
バラつきの影響が激しく現れてしまう。極端な場合で
は、電圧入力方式の画素回路よりも、自発光素子駆動電
流Ｉ_Eのバラつきが大きくなる危険がある。この点、本
発明の「並列書込み直列駆動」の画素回路では、同一画
素内の二つのトランジスタ間の特性バラつきの影響が、
かなり抑制されている。現実の表示装置、発光装置で
は、トランジスタの特性バラつきは、同一画素内よりも
基板全体にわたるものの方が深刻である。したがって同
一画素内の二つのトランジスタ間の特性バラつきは、本
発明の「並列書込み直列駆動」の画素回路なみに抑制さ
れれば、実用上はほとんど問題がなくなる。

【０１２６】この実施の形態５では、駆動用素子を構成
するトランジスタに個数が、２個の場合を例に、本発明
の効果について説明した。しかし、駆動用素子を構成す
るトランジスタに個数が、３個以上の場合においても同
様の事情が成立する。

【０１２７】（実施の形態６）実施の形態６では、本発
明の表示装置、発光装置を搭載した電子機器等を、いく
つか例示する。

【０１２８】本発明の表示装置、発光装置を搭載した電
子機器として、モニター、ビデオカメラ、ディジタルカ
メラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディス
プレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（オ
ーディオコンポ、カーオーディオ等）、ノート型パーソ
ナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイ
ルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子
書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的には
Digital Versatile Disc(DVD)等の記録媒体を再生し、
その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）など
が挙げられる。特に、斜め方向から画面を見る機会が多
い電子機器については、視野角の広さが重要視されるた
め、発光装置を用いることが望ましい。それら電子機器
の具体例を図９に示す。

【０１２９】図９（Ａ）はモニターである。この例は筐
体２００１、支持台２００２、表示部２００３、スピー
カー部２００４、ビデオ入力端子２００５等を含んでい
る。本発明の表示装置、発光装置は表示部２００３に用
いることができる。発光装置は自発光型であるためバッ
クライトが不要であり、液晶ディスプレイよりも表示部
を薄くすることができる。なおモニターには、パソコン
用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などのすべての情報表
示装置が含まれる。

【０１３０】図９（Ｂ）はディジタルスチルカメラであ
る。この例は本体２１０１、表示部２１０２、受像部２
１０３、操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、
シャッター２１０６等を含んでいる。本発明の表示装
置、発光装置は表示部２１０２に用いることができる。

【０１３１】図９（Ｃ）はノート型パーソナルコンピュ
ータである。この例は本体２２０１、筐体２２０２、表
示部２２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２
２０５、ポインティングマウス２２０６等を含んでい
る。本発明の表示装置、発光装置は表示部２２０３に用
いることができる。

【０１３２】図９（Ｄ）はモバイルコンピュータであ
る。この例は本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ
２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等
を含んでいる。本発明の表示装置、発光装置は表示部２
３０２に用いることができる。

【０１３３】図９（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画
像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）である。この
例は本体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、
表示部Ｂ２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読込み部２４
０５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含
んでいる。本発明の表示装置、発光装置は、表示部Ａ２
４０３、表示部Ｂ２４０４に用いることができる。な
お、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機
器なども含まれる。

【０１３４】図９（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイ（ヘ
ッドマウントディスプレイ）である。この例は本体２５
０１、表示部２５０２、アーム部２５０３等を含んでい
る。本発明の表示装置、発光装置は表示部２５０２に用
いることができる。

【０１３５】図９（Ｇ）はビデオカメラである。この例
は本体２６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外部
接続ポート２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部
２６０６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０８、
操作キー２６０９等を含んでいる。本発明の表示装置、
発光装置は表示部２６０２に用いることができる。

【０１３６】図９（Ｈ）は携帯電話である。この例は本
体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入力
部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、
外部接続ポート２７０７、アンテナ２７０８等を含んで
いる。本発明の表示装置、発光装置は表示部２７０３に
用いることができる。なお、表示部２７０３は黒色背景
に白色文字を表示することで、携帯電話の消費電力を抑
制することができる。

【０１３７】将来に自発光素子の発光輝度を安定的に高
くすることが可能となれば、本発明の表示装置、発光装
置から出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡大投影
して、フロント型又はリア型のプロジェクターに用いる
こともできる。

【０１３８】このように、本発明の適用範囲は極めて広
く、あらゆる分野の電子機器等に使用することが可能で
ある。

【０１３９】

【発明の効果】本発明はＡＭ型表示装置、発光装置にお
いて、各画素に設置される駆動用素子を複数のトランジ
スタにより構成する。その上で、画素にデータ電流を読
込むときには該複数のトランジスタを並列接続状態に
し、自発光素子を発光させるときには該複数のトランジ
スタを直列接続状態にする。このように、駆動用素子を
構成する複数のトランジスタの接続状態を、並列または
直列と適宜切替えることを特徴とする。その結果、次の
ような効果が生じる。

【０１４０】まず、同一画素内の駆動用素子を構成する
複数のトランジスタさえ、バラつきがなければ、表示画
面全体で発光輝度のムラが現れてしまうという、表示品
位上の重大な欠陥を回避することができる。すなわち、
各画素に設置されるトランジスタの電気的特性は、基板
全体にわたって観察すると、かなりのバラつきをもつ。
このバラつきが自発光素子駆動電流Ｉ_Eに反映されて、
表示画面全体で発光輝度のムラとなってしまうのを防止
することができる。ただし、図１０（Ａ）のようなカレ
ントミラーを用いた画素回路の場合においても、同一画
素内のカレントミラーの二つのトランジスタさえバラつ
きがなければ、表示画面全体で発光輝度のムラとなるの
を防止することができる。この点で本発明は、図１０
（Ａ）のようなカレントミラーを用いた画素回路の場合
と同様の効果を有する。

【０１４１】しかし、図１０（Ａ）のようなカレントミ
ラーを用いた画素回路の場合、同一画素内のカレントミ
ラーの二つのトランジスタ間にバラつきが存在してしま
うと、結局発光輝度が画素間で異なってしまうのを防止
することができなくなる。その点、本発明の場合では、
同一画素内の駆動用素子を構成する複数のトランジスタ
間にバラつきが存在しても、その影響は小さく抑制され
るため、実用上問題となるほど画素間で発光輝度がバラ
ついてしまうことは防止することができる。

【０１４２】また、図１０（Ｂ）の画素回路の場合、画
素間で発光輝度がバラついてしまうのは防止することが
できる。しかし、図１０（Ｂ）の画素回路の場合には、
画素に書込むデータ電流Ｉ_Wと、自発光素子を発光させ
るときの自発光素子駆動電流Ｉ_Eとの比が、同一値でな
くてはならない。これは実用上、非常に厳しい制限であ
る。本発明の場合では、駆動用素子を構成するトランジ
スタを複数に分割するため、画素に書込むデータ電流Ｉ
_Wを自発光素子駆動電流Ｉ_Eよりも大きくすることが可能
である。

【０１４３】本発明は以上のような利点を有することか
ら、実用的なＡＭ型表示装置、発光装置を製造する上
で、重要な技術である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の表示装置、発光装置の画素を示す
図。

【図２】 本発明の表示装置、発光装置の画素を示す
図。

【図３】 本発明の表示装置、発光装置の画素を示す
図。

【図４】 本発明の表示装置、発光装置の画素を示す
図。

【図５】 本発明の表示装置、発光装置の画素におけ
る電流の経路を示す図。

【図６】 本発明の表示装置、発光装置の画素の平面
レイアウトを示す図。

【図７】 本発明の表示装置、発光装置を示す図。

【図８】 駆動用素子を構成するトランジスタの特性
を示す図。

【図９】 本発明の表示装置、発光装置を適用した電
子機器を示す図。

【図１０】 公知の表示装置、発光装置の画素を示す
図。

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数のトランジスタと、該複数のトランジ
   スタのそれぞれを直列又は並列に接続状態を切替える手
   段と、を有する画素が備えられていることを特徴とする
   表示装置。
2. 【請求項２】少なくとも一つの画素を備えた表示装置で
   あって、 該画素は、複数のトランジスタを備えた駆動用素子を有
   し、 前記画素で表示を行うときには、前記駆動用素子に備え
   られた複数のトランジスタを、直列接続状態にして電流
   を流し、 前記画素にデータを書込むときには、前記駆動用素子に
   備えられた複数のトランジスタを、並列接続状態にして
   電流を流すことを特徴とする表示装置。
3. 【請求項３】少なくとも一つの画素を備えた表示装置で
   あって、 該画素は、複数のトランジスタを備えた駆動用素子を有
   し、 該駆動用素子に備えられた複数のトランジスタの第一の
   トランジスタのドレインと第二のトランジスタのソース
   とが接続され、と、該複数のトランジスタは直列に一つ
   に接続されており、 前記画素で表示を行うときには、前記駆動用素子に備え
   られた複数のトランジスタの第一のトランジスタのソー
   スから最後のトランジスタのドレインまで、直列に電流
   を流し、 前記画素にデータを書込むときには、前記駆動用素子に
   備えられた複数のトランジスタに、並列に電流を流すこ
   とを特徴とする表示装置。
4. 【請求項４】少なくとも一つの画素を備えた表示装置で
   あって、 前記画素は、自発光素子と、複数のトランジスタを備え
   た自発光素子駆動用素子とを有し、 前記自発光素子駆動用素子に備えられた複数のトランジ
   スタの各ゲートは、共通ノードに接続されており、 前記自発光素子駆動用素子に備えられた複数のトランジ
   スタの第一のトランジスタのドレインと第二のトランジ
   スタのソースとが接続され、と、該複数のトランジスタ
   は直列に一つに接続されており、 前記自発光素子駆動用素子に備えられた複数のトランジ
   スタの最後のトランジスタのドレインは、前記自発光素
   子に接続されており、 前記画素の前記自発光素子を発光させるときには、前記
   自発光素子駆動用素子に備えられた複数のトランジスタ
   の第一のトランジスタのソースから、該複数のトランジ
   スタの最後のトランジスタのドレインまで、直列に電流
   を流し、 前記画素にデータを書込むときには、前記自発光素子駆
   動用素子に備えられた複数のトランジスタの第一のトラ
   ンジスタにはソースからドレインへ電流を流し、該複数
   のトランジスタの第二のトランジスタにはドレインから
   ソースへ電流を流し、と、並列に電流を流すことを特徴
   とする表示装置。
5. 【請求項５】請求項４において、 前記画素にデータを書込むときには、 前記自発光素子駆動用素子に備えられた複数のトランジ
   スタの各ゲートと、該複数のトランジスタの奇数番目の
   トランジスタの各ドレインと、該複数のトランジスタの
   偶数番目のトランジスタの各ソースとを全て接続し、 前記自発光素子駆動用素子に備えられた複数のトランジ
   スタに、所定のビデオ信号データ電流を流し、電流記憶
   を行うことを特徴とする表示装置。
6. 【請求項６】信号線と、走査線と、電源線と、自発光素
   子と、 各ゲート電極が共通に接続され、直列に接続されたｎ個
   （ｎは２以上の自然数）のトランジスタを有する駆動手
   段と、 前記駆動手段と前記信号線との間に配置された第１スイ
   ッチ手段と、 前記駆動手段と前記電源線との間に配置された第２スイ
   ッチ手段と、 前記駆動手段と前記自発光素子との間に配置された第３
   スイッチ手段とを有する画素が設けられた発光装置であ
   って、 前記画素に信号が入力されるときには前記ｎ個のトラン
   ジスタが並列に接続されて電流が流れ、前記自発光素子
   に電流が流れるときには前記ｎ個のトランジスタが直列
   に接続されて電流が流れることを特徴とする発光装置。
7. 【請求項７】信号線と、走査線と、電源線と、自発光素
   子と、 各ゲート電極が共通に接続され、直列に接続されたｎ個
   （ｎは２以上の自然数）のトランジスタを有する駆動手
   段と、 前記ｎ個のトランジスタのゲート電位を保持する容量
   と、 前記駆動手段と前記信号線との間に配置された第１スイ
   ッチ手段と、 前記駆動手段と前記電源線との間に配置された第２スイ
   ッチ手段と、 前記駆動手段と前記自発光素子との間に配置された第３
   スイッチ手段とを有する画素が設けられた発光装置であ
   って、 前記画素に信号が入力されるときには前記ｎ個のトラン
   ジスタが並列に接続されて電流Ｉ_Wが流れ、前記自発光
   素子に電流が流れるときには前記ｎ個のトランジスタが
   直列に接続されて電流Ｉ_Eが流れ、電流Ｉ_Wと電流Ｉ
   _Eは、Ｉ_W＝ｎ²×Ｉ_Eを満たすことを特徴とする発光装
   置。
8. 【請求項８】信号線と、第１及び第２走査線と、走査線
   と、電源線と、自発光素子と、 各ゲート電極が共通に接続され、直列に接続されたｎ個
   （ｎは２以上の自然数）のトランジスタを有する駆動手
   段と、 前記駆動手段と前記信号線との間に配置された第１スイ
   ッチ手段と、 前記駆動手段と前記電源線との間に配置された第２スイ
   ッチ手段と、 前記駆動手段と前記自発光素子との間に配置された第３
   スイッチ手段と、 前記駆動手段と前記電源線との間に配置された第４スイ
   ッチ手段とを有する画素が設けられた発光装置であっ
   て、 前記画素に信号が入力されるときには前記ｎ個のトラン
   ジスタが並列に接続されて電流が流れ、前記自発光素子
   に電流が流れるときには前記ｎ個のトランジスタが直列
   に接続されて電流が流れることを特徴とする発光装置。
9. 【請求項９】信号線と、第１及び第２走査線と、走査線
   と、電源線と、自発光素子と、 各ゲート電極が共通に接続され、直列に接続されたｎ個
   （ｎは２以上の自然数）のトランジスタを有する駆動手
   段と、 前記ｎ個のトランジスタのゲート電位を保持する容量
   と、 前記駆動手段と前記信号線との間に配置された第１スイ
   ッチ手段と、 前記駆動手段と前記電源線との間に配置された第２スイ
   ッチ手段と、 前記駆動手段と前記自発光素子との間に配置された第３
   スイッチ手段と、 前記駆動手段と前記電源線との間に配置された第４スイ
   ッチ手段とを有する画素が設けられた発光装置であっ
   て、 前記画素に信号が入力されるときには前記ｎ個のトラン
   ジスタが並列に接続されて電流Ｉ_Wが流れ、前記自発光
   素子に電流が流れるときには前記ｎ個のトランジスタが
   直列に接続されて電流Ｉ_Eが流れ、電流Ｉ_Wと電流Ｉ
   _Eは、Ｉ_W＝ｎ²×Ｉ_Eを満たすことを特徴とする発光装
   置。
10. 【請求項１０】請求項６乃至請求項９のいずれか一項に
    おいて、 前記画素には前記信号線を介して電流値形式のビデオデ
    ータが入力されることを特徴とする発光装置。
11. 【請求項１１】請求項６乃至請求項９のいずれか一項に
    おいて、 前記画素には前記信号線を介してデータ電流が入力され
    ることを特徴とする発光装置。
12. 【請求項１２】請求項６乃至請求項９のいずれか一項に
    おいて、 前記容量に保持された電荷により前記自発光素子に流れ
    る電流量が決定されることを特徴とする発光装置。
13. 【請求項１３】請求項６乃至請求項９のいずれか一項に
    おいて、 前記第１及び第２スイッチ手段のみがオンのとき前記画
    素にデータ電流が入力されることを特徴とする発光装
    置。
14. 【請求項１４】請求項６乃至請求項９のいずれか一項に
    おいて、 前記第３スイッチ手段がオンのときのみ前記自発光素子
    に電流が供給されることを特徴とする発光装置。
15. 【請求項１５】請求項６又は請求項７において、 前記第１乃至第３スイッチ手段は、前記走査線からの信
    号によりオン又はオフが決定されることを特徴とする発
    光装置。
16. 【請求項１６】請求項６又は請求項７において、 前記第１乃至第３スイッチ手段は、少なくとも１個のト
    ランジスタを有することを特徴とする発光装置。
17. 【請求項１７】請求項８又は請求項９において、 前記第１乃至第４スイッチ手段は、前記第１又は第２走
    査線からの信号によりオン又はオフが決定されることを
    特徴とする発光装置。
18. 【請求項１８】請求項８又は請求項９において、 前記第１乃至第４スイッチ手段は、少なくとも１個のト
    ランジスタを有することを特徴とする発光装置。
19. 【請求項１９】請求項１乃至請求項５のいずれか一項に
    記載の、前記表示装置を備えていることを特徴とする電
    子機器。
20. 【請求項２０】請求項６乃至請求項１８のいずれか一項
    に記載の、前記発光装置を備えていることを特徴とする
    電子機器。