JP2003255282A

JP2003255282A - 光パルス発生装置

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Publication number: JP2003255282A
Application number: JP2002056326A
Authority: JP
Inventors: Hideaki Takahashi; 秀昭高橋; Akihito Otani; 昭仁大谷; Masaya Shimizu; 雅哉清水; Hiroaki Endo; 弘明遠藤; Keita Kato; 敬太加藤
Original assignee: Anritsu Corp
Current assignee: Anritsu Corp
Priority date: 2002-03-01
Filing date: 2002-03-01
Publication date: 2003-09-10

Abstract

(57)【要約】【課題】温度変化等による光パルスの出射タイミング
の変動を防止する。【解決手段】基準信号出力手段３５は、光パルス生成
部２１の変調信号発生器２４から出力された電気信号に
同期する信号を基準信号Ｒとして出力する。変動信号出
力手段４０は、分散減少ファイバ３０と出力端子２０ａ
の間に設けられ、分散減少ファイバ３０から出力端子２
０ａ側へ出射された光Ｐ′を分岐する光分岐手段４１を
有しており、分散減少ファイバ３０を通過した光パルス
Ｐに同期する信号を変動信号Ｈとして出力する。位相可
変手段４５は、光パルス生成部２１内で生成される光パ
ルスＰの位相、光パルス生成部２１から出射されてから
変動信号出力手段４０の光分岐手段４１で分岐されるま
での間の光パルスの位相のいずれかを可変する。位相制
御手段５０は、基準信号Ｒと変動信号Ｈとを受けて、両
信号の位相が同期するように位相可変手段４５を制御す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、分散減少ファイバ
（ＤＤＦ）を用いて幅の狭い光パルスを生成して出射す
る光パルス発生装置において、温度変化による光パルス
の出射タイミングのずれを防止するための技術に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】例えば、高速な繰り返し信号で強度変調
された光信号の波形を観測するための装置として、図２
８に示す光サンプリング方式の波形観測装置がある。

【０００３】この波形観測装置では、図２９の（ａ）の
ように測定光Ｘの強度を変調している信号Ｍｘの周期Ｔ
ｘ（またはその整数倍）より僅かに長い周期Ｔ（＝Ｔｘ
＋ΔＴ）の光パルスＰ′を図２９の（ｂ）のように光パ
ルス発生装置１０から発生して光サンプリング部１５に
入射し、測定光Ｘをサンプリングする。

【０００４】光サンプリング部１５からは、光パルス
Ｐ′が入射されたときの測定光Ｘの強度に対応する強度
を有し、周波数が測定光Ｘの光周波数と光パルスＰ′の
光周波数との和となるサンプリング光Ｐｓが図２９の
（ｃ）のように出射され、このサンプリング光Ｐｓが光
電変換器１６によって電気信号に変換され、その電気信
号が波形表示手段１７に出力される。波形表示手段１７
は、光電変換器１６から出力されるパルス信号のピーク
値を求め、そのピーク値をつなぐような波形Ｍｘ′を、
測定光Ｘの波形として表示する。

【０００５】このように測定光Ｘを光パルスＰ′でサン
プリングして波形を測定する場合の測定分解能は、光パ
ルスＰ′の幅に依存し、光パルスＰ′の幅が狭いほど、
測定分解能を高くすることができる。

【０００６】光パルスは、一般的に、レーザ光源から出
射される単一波長の連続光を電気信号で振幅変調して得
ているが、このような方法で得られる光パルスの幅には
限界（数１０ピコ秒）があり、より狭い幅の光パルスが
必要な場合には、図３０に示す光パルス発生装置１０の
ように、光パルス生成部１１から所定周期で出射される
光パルスＰを分散減少ファイバ１２に入射して、その他
端側からより幅の狭い光パルスＰ′を出射させる。

【０００７】ここで、分散減少ファイバ１２は、光パル
スが伝搬していく過程で分散が徐々に減少して、入射端
の光パルスより狭い幅の光パルスが得られるように形成
されたものであり、パルス幅の圧縮率は、例えば波長
１．５５μｍ用でファイバ長４．４ｋｍのもので１／１
０〜１／２０程度となる。

【０００８】したがって、この分散減少ファイバ１２を
通過させることで、光パルス生成部１１から出射された
光パルスＰ′の幅を１／１０〜１／２０に圧縮すること
ができる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように分散減少ファイバ１２で１／１０〜１／２０程度
の圧縮率を得るためには数ｋｍの長さが必要であり、温
度変化によるファイバ長の変動が無視できない。

【００１０】例えば、前記した１．５５μｍ用の分散減
少ファイバ１２の１ｍ当たりの線膨張率は、およそ１０
^−５ｍ／°Ｃであり、上記のようにファイバ長が４．４
ｋｍであれば、温度１°Ｃの変化に対してファイバ長は
４．４ｃｍ変化し、これを伝搬時間に換算すれば約２２
０ｐＳ（ピコ秒）となる。

【００１１】したがって、上記のような分散減少ファイ
バ１２を用いて生成した光パルスＰ′で測定光Ｘのサン
プリングを行なう場合、温度変化によってそのサンプリ
ングタイミングが変動してしまい、測定光Ｘの波形を正
しく測定できない。

【００１２】また、この温度変化による影響をなくすた
めに、分散減少ファイバ１２を恒温槽に入れることも考
えられるが、従来の恒温槽では±０．１°Ｃ程度までし
か温度を安定化できず、出射される光パルスの幅に対し
て無視できない数１０ｐＳのタイミング変動が発生して
しまう。

【００１３】本発明は、この問題を解決して、温度変化
等による光パルスの出射タイミングの変動を防止するこ
とができる光パルス発生装置を提供することを目的とし
ている。

【００１４】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の請求項１の光パルス発生装置は、電気信号
を出力する変調信号発生器（２４）と該電気信号で振幅
変調された光パルスを出射する光変調器（２３）とを含
む光パルス生成部（２１）と、該光パルス生成部から出
射された光パルスを受けて光パルスの幅を狭めて出射す
る分散減少ファイバ（３０）と、該分散減少ファイバを
通過した光パルスを出力するための出力端子（２０ａ）
とを有する光パルス発生装置において、前記変調信号発
生器から出力された電気信号に同期する信号を基準信号
として出力する基準信号出力手段（３５）と、前記分散
減少ファイバと前記出力端子の間に設けられ、前記分散
減少ファイバから前記出力端子側へ出射された光を分岐
する光分岐手段（４１）を有し、前記分散減少ファイバ
を通過した光パルスに同期する信号を変動信号として出
力する変動信号出力手段（４０）と、前記光パルスの位
相を可変するための位相可変手段（４５）と、前記基準
信号と前記変動信号とを受けて、該両信号の位相が同期
するように前記位相可変手段を制御する位相制御手段
（５０）とを備えている。

【００１５】また、本発明の請求項２の光パルス発生装
置は、請求項１記載の光パルス発生装置において、前記
位相可変手段は、前記光パルス生成部の前記変調信号発
生器と前記光変調器との間に設けられ、前記変調信号発
生器から出力された電気信号が前記光変調器に入力され
るまでの遅延時間を可変して前記光パルス生成部が出射
する光パルスの位相を可変する遅延器（２５）によって
構成されている。

【００１６】また、本発明の請求項３の光パルス発生装
置は、請求項１記載の光パルス発生装置において、前記
位相可変手段は、前記光パルス生成部から前記変動信号
出力手段の前記光分岐手段の間に設けられ、光パルスの
伝搬時間を光学的に遅延する光遅延器（４６）によって
構成されている。

【００１７】また、本発明の請求項４の光パルス発生装
置は、請求項１〜３のいずれかの光パルス発生装置にお
いて、前記基準信号出力手段は前記光パルス生成部の変
調信号発生器からなり、該変調信号発生器から出力され
る電気信号を前記基準信号として前記位相制御手段に出
力し、前記変動信号出力手段は、前記分散減少ファイバ
と前記出力端子の間の前記光分岐手段によって分岐され
た光パルスを受けて電気信号に変換し、該電気信号を前
記変動信号として前記位相制御手段に出力する光電変換
器（４２）を有している。

【００１８】また、本発明の請求項５の光パルス発生装
置は、請求項１または３記載の光パルス発生装置におい
て、前記基準信号出力手段は、前記光パルス生成部と前
記分散減少ファイバとの間に設けられ、前記光パルス生
成部から前記分散減少ファイバ側へ出射される光パルス
を分岐する光分岐手段（３６）と、該光分岐手段によっ
て分岐された光パルスを受けて電気信号に変換し、該電
気信号を前記基準信号として前記位相制御手段に出力す
る光電変換器（３７）とを有し、前記変動信号出力手段
は、前記分散減少ファイバと前記出力端子の間の前記光
分岐手段によって分岐された光パルスを受けて電気信号
に変換し、該電気信号を前記変動信号として前記位相制
御手段に出力する光電変換器（４２）を有している。

【００１９】また、本発明の請求項６の光パルス発生装
置は、請求項１または３記載の光パルス発生装置におい
て、前記基準信号出力手段は、前記光パルス生成部から
前記分散減少ファイバ側へ出射される光パルスを分岐
し、該分岐した光パルスを前記基準信号として前記位相
制御手段に出力する光分岐手段（３６）を有し、前記変
動信号出力手段は、前記分散減少ファイバと前記出力端
子の間の前記分岐手段によって分岐した光パルスを前記
変動信号として前記位相制御手段に出力することを特徴
としている。

【００２０】また、本発明の請求項７の光パルス発生装
置は、電気信号を出力する変調信号発生器（２４）と、
該変調信号発生器から出力された電気信号を受け該電気
信号で振幅変調された光パルスを生成する光変調器（２
３）とを含む光パルス生成部（２１）と、該光パルス生
成部から出射された光パルスを受けて光パルスの幅を受
領時より狭い幅にして出射する分散減少ファイバ（３
０）と、該分散減少ファイバを通過した光パルスを出力
するための出力端子（６０ａ）とを有する光パルス発生
装置において、電気信号を出力する変調信号発生器（６
４）と、該電気信号で振幅変調された光信号を出射する
光変調器（６３）とを含み、前記光パルス生成部が出射
する光パルスと異なる光信号を出射する光信号生成部
（６１）と、前記光信号生成部から出射された光信号を
前記分散減少ファイバに入射する光信号入射手段（６
５）と、前記光信号生成部の変調信号発生器から出力さ
れた電気信号に同期する信号を基準信号として出力する
基準信号出力手段（６７）と、前記分散減少ファイバを
通過した光から光信号のみを分離抽出する光信号抽出手
段（７１）を含み、該抽出した光信号に同期する信号を
変動信号として出力する変動信号出力する変動信号出力
手段（７０）と、前記光パルスと光信号の位相を共通に
可変するための位相可変手段（８０）と、前記基準信号
と前記変動信号とを受けて、該両信号の位相が同期する
ように前記位相可変手段を制御する位相制御手段（５
０）とを備えている。

【００２１】また、本発明の請求項８の光パルス発生装
置は、請求項７記載の光パルス発生装置において、前記
位相可変手段は、前記光パルス生成部から出射された光
パルスおよび前記光信号生成部から出射された光信号の
伝搬時間を光学的に遅延する可変する光遅延器（８１、
８１ａ、８１ｂ）によって構成されている。

【００２２】また、本発明の請求項９の光パルス発生装
置は、請求項７記載の光パルス発生装置において、前記
位相可変手段は、前記光信号生成部の前記変調信号発生
器と前記光変調器との間に設けられ、前記変調信号発生
器から出力された電気信号が前記光変調器に入力される
までの遅延時間を可変して前記光信号生成部が出射する
光信号の位相を可変する第１の遅延器（８２）と、前記
光パルス生成部の前記変調信号発生器と前記光変調器と
の間に設けられ、前記変調信号発生器から出力された電
気信号が前記光変調器に入力されるまでの遅延時間を可
変して前記光パルス生成部が出射する光パルスの位相を
可変する第２の遅延器（８３）とによって構成されてい
る。

【００２３】また、本発明の請求項１０の光パルス発生
装置は、請求項７〜９のいずれかの光パルス発生装置に
おいて、前記基準信号出力手段は前記光信号生成部の変
調信号発生器からなり、該変調信号発生器から出力され
る電気信号を前記基準信号として前記位相制御手段に出
力し、前記変動信号出力手段は、前記光信号抽出手段に
よって抽出された光信号を受けて電気信号に変換し、該
電気信号を前記変動信号として前記位相制御手段に出力
する光電変換器（７９）を有している。

【００２４】また、本発明の請求項１１の光パルス発生
装置は、請求項８記載の光パルス発生装置において、前
記基準信号出力手段は、前記光信号生成部から前記光信
号入射手段側へ出射される光パルスを分岐する光分岐手
段（６８）と、該光分岐手段によって分岐された光パル
スを受けて電気信号に変換し、該電気信号を前記基準信
号として前記位相制御手段に出力する第１の光電変換器
（６９）とを有し、前記変動信号出力手段は、前記光信
号抽出手段によって抽出された光信号を受けて電気信号
に変換し、該電気信号を前記変動信号として前記位相制
御手段に出力する第２の光電変換器（７９）を有してい
る。

【００２５】また、本発明の請求項１２の光パルス発生
装置は、請求項８記載の光パルス発生装置において、前
記基準信号出力手段は、前記光信号生成部から前記光信
号入射手段側へ出射される光信号を分岐し、該分岐した
光信号を前記基準信号として前記位相制御手段に出力す
る光分岐手段（６８）を有し、前記変動信号出力手段
は、前記光信号抽出手段によって抽出された光信号を前
記変動信号として前記位相制御手段に出力することを特
徴としている。

【００２６】また、本発明の請求項１３の光パルス発生
装置は、請求項７〜１２のいずれかの光パルス発生装置
において、前記光信号生成部は、前記光パルス生成部が
出射する光パルスと異なる波長の光信号を出射するよう
に構成され、前記光信号抽出手段は、入射光をその波長
の違いによって異なる光路に出射する波長分離手段（７
２）によって、前記分散減少ファイバを通過した光から
光信号のみを分離抽出するように構成されている。

【００２７】また、本発明の請求項１４の光パルス発生
装置は、請求項７〜１２のいずれかの光パルス発生装置
において、前記光信号生成部は、前記光パルス生成部が
出射する光パルスと異なる波長の光信号を出射するよう
に構成され、前記光信号入射手段は、前記光パルス生成
部と前記分散減少ファイバの間に設けられており、前記
光信号抽出手段は、前記分散減少ファイバと前記出力端
子の間に設けられ、前記分散減少ファイバを通過した光
のうち、その波長の違いによって光パルスを前記出力端
子へ通過させ、光信号を前記分散減少ファイバ側へ反射
する光信号反射手段（７３）と、前記光信号反射手段に
よって反射されて前記分散減少ファイバを通過して前記
光信号生成部側に出射される反射光信号を、その進行方
向の違いにより、前記光信号生成部側から分散減少ファ
イバ側に向かう光信号から分離する方向分離手段（７
４）とを有している。

【００２８】また、本発明の請求項１５の光パルス発生
装置は、請求項７〜１２のいずれかの光パルス発生装置
において、前記光信号生成部は、前記光パルス生成部に
よる光パルスの出射タイミングと異なるタイミングにパ
ルス状の光信号を出射するように構成されており、前記
光信号抽出手段は、前記分散減少ファイバと前記出力端
子との間に設けられた光スイッチ（７６、７７）と、該
光スイッチを開閉するための信号発生器（７８）とを有
し、前記分散減少ファイバから前記光信号が出射される
タイミングに分散減少ファイバを前記出力端子と異なる
光路に接続して該光路から光信号を出力させ、前記分散
減少ファイバから前記光パルスが出射されるタイミング
に前記分散減少ファイバと前記光路との間を切り離すよ
うに構成されている。

【００２９】また、本発明の請求項１３の光パルス発生
装置は、請求項１〜１５のいずれかの光パルス発生装置
において、前記光パルス生成部は、前記光変調器から出
射される光パルスを受けて複数個おきに前記分散減少フ
ァイバ側へ出射する周期変更手段（２６、２７）を備え
ている。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態を説明する。なお、本発明の光パルス発生装置
としては、光パルス自体を位相制御のための光信号とし
て用いる１光源型のものと、光パルスと異なる光信号を
位相制御に用いる２光源型のものとがあるが、始めに１
光源型のものについて説明する。

【００３１】図１は、本発明の１光源型の光パルス発生
装置２０の基本構成を示している。図１に示しているよ
うに、この光パルス発生装置２０の光パルス生成部２１
は、電気信号を出力する変調信号発生器２４とその電気
信号で振幅変調された光パルスを生成する光変調器２３
とを含んでおり、生成した光パルスまたはこれを間引き
して得られる光パルス（いずれも符号Ｐとする）を分散
減少ファイバ３０側へ出射する。分散減少ファイバ３０
は、光パルス生成部２１から出射された光パルスＰを受
けて光パルスの幅を狭めて出力端子２０ａ側へ出射す
る。

【００３２】上記の光パルス生成部２１、分散減少ファ
イバ３０および出力端子２０ａは従来装置と同様である
が、この光パルス発生装置２０は、基準信号出力手段３
５、変動信号出力手段４０、位相可変手段４５および位
相制御手段５０を有している。

【００３３】基準信号出力手段３５は、光パルス生成部
２１の変調信号発生器２４から出力された電気信号に同
期する信号を基準信号Ｒとして出力する。この基準信号
Ｒは、変調信号発生器２４が出力する電気信号（変調信
号）、光パルス生成部２１が出射する光パルス、あるい
は、その光パルスを光電変換して得られる電気信号のい
ずれかである。

【００３４】また、変動信号出力手段４０は、分散減少
ファイバ３０と出力端子２０ａの間に設けられ、分散減
少ファイバ３０から出力端子２０ａ側へ出射された光
Ｐ′を分岐する光分岐手段４１を有しており、分散減少
ファイバ３０を通過した光パルスＰに同期する信号を変
動信号Ｈとして出力する。この変動信号Ｈは、光分岐手
段４１によって分岐された光パルスＰ′あるいはこの光
パルスＰ′を光電変換して得られる電気信号のいずれか
である。

【００３５】位相可変手段４５は、光パルス生成部２１
内で生成される光パルスＰの位相、光パルス生成部２１
から出射されてから変動信号出力手段４０の光分岐手段
４１で分岐されるまでの間の光パルスの位相のいずれか
を可変するためのものであり、光パルス生成部２１内で
生成される光パルスＰの位相の位相を可変する場合に
は、変調信号発生器２４から光変調器２４へ出力される
変調信号の位相を電気的に可変し、光パルス生成部２１
から光分岐手段４１の間で位相を可変する場合には、光
パルスが通過する光路上で光パルスの位相を光学的に可
変する。

【００３６】位相制御手段５０は、基準信号Ｒと変動信
号Ｈとを受けて、両信号の位相が同期するように位相可
変手段４５を制御する。

【００３７】なお、ここで２信号の位相が同期した状態
とは、一方の信号の位相に対して他方の信号の位相が変
化しない状態を示し、両信号の周期が等しい場合だけで
なく、一方の信号の周期が他方の信号の周期の整数倍の
場合も含むものとする。

【００３８】このように構成された光パルス発生装置２
０では、例えば、周囲温度が上昇して分散減少ファイバ
３０の長さが増すと、光分岐手段４１に入射される光パ
ルスＰ′に位相の遅れが生じようとするが、位相制御手
段５０によって光パルス生成部２１の光パルス出射タイ
ミングが早まる方向、あるいは光パルス生成部２１と光
分岐手段４１の間の光路で光パルスの位相が進む方向に
位相可変手段４５が制御されるので、基準信号Ｒの位相
に対して変動信号Ｈの位相が同期した状態が保持され
る。

【００３９】また、変調信号発生器２４は、水晶発振器
等の安定した信号源を用いて変調信号を発生しているの
で、その変調信号に同期した基準信号Ｒの位相は十分安
定している。

【００４０】したがって、変動信号Ｈの位相、即ち、光
分岐手段４１に入射される光パルスの位相は温度変動に
よって分散減少ファイバ３０の長さが変動しても、常に
安定な基準信号Ｒに同期しているので、出力端子２０ａ
からは出射される光パルスＰの出射タイミングは変動せ
ず、前記した光サンプリングを行う場合でも、被測定光
に対して正確なタイミングでサンプリングが行える。

【００４１】次に、この光パルス発生装置２０のより具
体的な構成例を説明する。図２は、実施形態の光パルス
発生装置２０Ａの構成を示している。

【００４２】この光パルス発生装置２０Ａは、前記した
光サンプリングに用いるためのものであり、光パルス生
成部２１は、所定波長λ（例えば１．５５μｍ）で、所
定周期Ｔ（例えば０．１μＳ、周波数１０ＭＨｚ）の光
パルスＰを出射する。

【００４３】この光パルス生成部２１は、単一波長光源
２２、光変調器２３、変調信号発生器２４、遅延器２
５、光スイッチ２６、ゲート信号発生器２７によって構
成されている。

【００４４】単一波長光源２２は、レーザダイオードか
らなり、波長λで強度が一定の連続光を光変調器２３に
出力する。

【００４５】光変調器２３は、例えば図３に示すよう
に、入力光に対する減衰量が、印加される電圧に対して
非線形に変化する特性Ａを有する電気吸収型光変調器で
あり、この特性Ａの立ち上がり部に対応する電圧Ｖ０を
基準にして電圧が周期Ｔａ（例えば１００ｐｓ、周波数
１０ＧＨｚ）で正弦的に変化する電気信号（以下、変調
信号という）Ｍ′を受けて、単一波長光源２２からの連
続光を光パルスＰａに変調して出射する。

【００４６】変調信号発生器２４は、前記した基準信号
出力手段４５を兼ねるものであり、図３に示した周期Ｔ
ａで正弦波の電気信号（以下、変調信号という）Ｍを発
生して遅延器２５および後述する分周器３１に出力す
る。この変調信号発生器２４は、水晶発振器やそれを基
準とするＰＬＬ回路等で構成されているので、発生する
変調信号Ｍの周波数および位相は温度変化に対して十分
安定している。

【００４７】遅延器２５は、前記した位相可変手段４５
を構成するものであり、後述する位相制御手段５０の制
御により、変調信号Ｍの位相をＴｄ±ΔＴの時間範囲で
遅延して光変調器２３に入力する。この遅延器２５とし
ては、図示しないが、遅延時間がそれぞれ固定の複数の
遅延素子をスイッチの切換で選択的に直列に接続して遅
延時間を可変する構成のものや、モータの駆動により伝
送路長が可変できる同軸ケーブル型伸縮器（ストレッチ
ャ）等を用いることができる。

【００４８】光スイッチ２６は、このゲート信号発生器
２７とともに、光変調器２３からの光パルスを所定タイ
ミングで抜き取り、周期が異なる光パルスにして出射す
る周期変更手段を構成するものであり、光変調器２３か
ら出射される光パルスＰａを、ゲートパルスＧを受けて
いる間だけ通過させる。この光スイッチ２６は、光変調
器２３と同様に電気吸収型の光変調器を用いたものであ
り、前記電圧Ｖ０をハイレベルとし、電圧Ｖ０より低い
ローレベルのパルスを受けている間、入力光を少ない一
定の減衰量で通過させる。

【００４９】ゲート信号発生器２７は、遅延器２５から
出力される変調信号Ｍ′をＮ分周（例えばＮ＝１００
０）して、図４の（ａ）のように周期Ｔａで出射される
光パルスＰａに対し、図４の（ｂ）のように、繰り返し
周期がＴ（＝Ｔａ・Ｎ、例えば０．１μｓ）で、幅がＴ
ａのローレベルのゲートパルスＧを発生して、光スイッ
チ２６に入力される光パルスＰａを、図４の（ｃ）のよ
うに、Ｎ個に１個の割合で間引きして通過させる。

【００５０】なお、ここでは、前記した光サンプリング
を行なうために、上記のように光スイッチ２６とゲート
信号発生器２７からなる周期変更手段を用いて、光パル
スの周期を広げていたが、光サンプリング以外に用いる
場合には、周期変更手段を省いて、短い間隔（Ｔａ）の
光パルスＰａをそのまま出射してもよい。

【００５１】光パルス生成部２１から出射された光パル
スＰは、分散減少ファイバ３０の一端側に入射されて通
過するため、分散減少ファイバ３０の他端側からは、元
の光パルスＰの幅より狭い幅の光パルスＰ′が出射さ
れ、この光パルスＰ′が変動信号出力手段４０の光分岐
手段４１を介して出力端子２０ａから出射される。

【００５２】なお、分散減少ファイバ３０は、前記した
ように、入射される光パルスの幅を圧縮して出射するも
のであり、例えば、ファイバ長４．４ｋｍで、波長１．
５５μｍの光パルスＰの幅を１／１０〜１／２０の範囲
で圧縮するように設計されている。

【００５３】光分岐手段４１で分岐された光パルスＰ′
は光電変換器４２に入射される。光電変換器４２は、光
分岐手段４１で分岐された光パルスＰ′を受けて、その
光パルスＰ′の強度変化に対応して振幅がパルス状に変
化する電気信号を変動信号Ｈとして位相制御手段５０に
出力する。

【００５４】位相制御手段５０は、光電変換器４２から
出力される変動信号Ｈを受け、光パルス生成部２１の変
調信号発生器２４が出力する変調信号Ｍを基準信号Ｒと
して受けて、両信号が同期するように遅延器２５の遅延
量を制御する。

【００５５】この位相制御手段５０は、例えば、図２に
示しているように、分周器５１、位相比較器５２および
制御信号発生器５３によって構成されている。

【００５６】一方、分周器５１は、前記した周期変更手
段に対応して設けられたものであり、変調信号発生器２
４から出力された変調信号Ｍを、ゲート信号発生器２７
の分周比Ｎ（間引きの割合）と同一の分周比で分周し、
光スイッチ２６から出射される光パルスＰの周期と同じ
周期で変調信号Ｍに同期した分周信号Ｄを発生して位相
比較器５２に出力する。なお、この分周信号この分周器
５１の代わりに、Ｎ逓倍器を光電変換器４２と位相比較
器５２の間に設け、Ｎ逓倍された信号と変調信号Ｍとを
位相比較器５２に入力してもよい。

【００５７】位相比較器５２は、例えば２重平衡型ミキ
サ（ＤＢＭ）等を用いたアナログ型の位相比較器やデジ
タル型のもので、入力される信号の位相差に対応する直
流成分を有する脈流あるいは交流の信号を出力する。

【００５８】制御信号発生器５３は、例えば位相比較器
５２の出力から直流成分を抽出して増幅する低域通過フ
ィルタからなり、図５の（ａ）のように入力される変動
信号Ｈと図５の（ｂ）のように入力される分周信号Ｄの
位相差Δφ（時間差）に対応する直流電圧の信号を制御
信号として遅延器２５に出力する。なお、制御信号発生
器５３は、上記のようなアナログ形式のものだけでな
く、位相比較器５２の出力やその直流分をＡ／Ｄ変換器
でディジタル信号に変換して、そのディジタル信号に対
する演算処理を行なって位相可変手段としての遅延器２
５の遅延量を制御するための制御信号を出力するもので
あってもよい。

【００５９】前記した遅延器２５は、この制御信号の電
圧に応じて、分周信号Ｄに対して変動信号Ｈが同期する
方向に光変調器２４に入力される変調信号Ｍの位相を可
変させる。

【００６０】つまり、この位相制御手段５０は、ＰＬＬ
（位相同期ループ）を構成しており、分周信号Ｄに対し
て変動信号Ｈが同期した状態を保持する。

【００６１】このように構成された光パルス発生装置２
０では、例えば温度上昇によって分散減少ファイバ３０
の長さが増すと、分散減少ファイバ３０から出射される
光パルスＰ′から得られる変動信号Ｈの位相が分周信号
Ｄの位相に対して遅れる方向に変化しようとするが、そ
の位相の僅かに変化を検出した位相制御手段５０によっ
て、遅延器２５の遅延量が減少する方向に制御されて、
光パルス生成部２１から出射される光パルスＰの出射タ
イミングが僅かに早まり、分周信号Ｄの位相に対する変
動信号Ｈの遅れ方向の変化が規制され、両信号の同期状
態が維持される。

【００６２】また、逆に、温度低下によって分散減少フ
ァイバ３０の長さが減少すると、分散減少ファイバ３０
から出射される光パルスＰ′から得られる変動信号Ｈの
位相が分周信号Ｄの位相に対して進む方向に変化しよう
とするが、その位相の僅かに変化を検出した位相制御手
段５０によって、遅延器２５の遅延量が増加する方向に
制御されて、光パルス生成部２１から出射される光パル
スの出射タイミングが僅かに遅れ、分周信号Ｄの位相に
対する変動信号Ｈの進み方向の変化が規制され、両信号
の同期状態が維持される。

【００６３】このため、変動信号Ｈの位相、即ち、分散
減少ファイバ３０から出射された光パルスＰ′の出射タ
イミングは変動しない。なお、分散減少ファイバ３０か
ら出力端子２０ａまでの光路は、分散減少ファイバ３０
の長さに比べて無視できる程短いので、その光路の温度
変化による長さ変動も無視できる。

【００６４】したがって、この出力端子２０ａから出射
される光パルスＰ′で被測定光に対する光サンプリング
を行なえば、その被測定光の波形データを正確に求める
ことができる。

【００６５】なお、前記したように、長さ４．４ｋｍの
分散減少ファイバ３０の温度１゜Ｃ当たりの伝搬時間の
変化は２２０ｐｓであるから、例えば温度変化が±５゜
Ｃの環境では、遅延器２５として、遅延時間の可変範囲
ΔＴが±１１００ｐｓ以上可変できるものを用いればよ
い。

【００６６】また、ファイバを通過する光の速度は２×
１０^８ｍ／ｓで、分散減少ファイバ３０に入射された光
が出射されるまでにおよそ２２μｓが必要となる。この
時間は、光パルスＰの周期Ｔ（０．１μｓ）に比べては
るかに長い（２２０倍）ので、位相制御手段５０は、分
散減少ファイバ３０に入射される光パルスＰの入射タイ
ミングと、それよりもおよそ２２μｓ前に分散減少ファ
イバ３０に入射されてその分散減少ファイバ３０を通過
した光パルスＰ′の位相を比較していることになる。

【００６７】また、ここでは前記した光サンプリングを
行なうために、光パルス生成部２１が光スイッチ２６と
ゲート信号発生器２７とによって繰り返し周期を大きく
した光パルスＰを出射するとともに、位相制御手段５０
において、周期を大きくした分だけ変調信号Ｍを分周
し、この分周信号Ｄと光パルスＰ′を光電変換して得ら
れる変動信号Ｈとの位相を比較していたが、光サンプリ
ング以外に用いる光パルスを発生する場合には、図６に
示す光パルス発生装置２０Ｂのように、光スイッチ２
６、ゲート信号発生器２７および分周器５１を省略し
て、光変調器２３から出射される光パルスＰａを分散減
少ファイバ３０に直接入射させるとともに、位相制御手
段５０において、基準信号Ｒ（＝Ｍ）と変動信号出力手
段４０の光電変換器４２から出力される変動信号Ｈとを
位相比較器５２に入力して、両信号Ｒ、Ｈが同期するよ
うに遅延器２５の遅延量を制御してもよい。

【００６８】また、前記した光パルス発生装置２０Ａ、
２０Ｂでは、変調信号発生器２４から出力される変調信
号Ｍと光変調器２３に入力される変調信号Ｍ′の周波数
（周期）が等しい場合について説明したが、変調信号発
生器が出力する変調信号を逓倍して光変調器に与える構
成の光パルス発生装置についても本発明を適用できる。

【００６９】例えば、図７、図８に示す光パルス発生装
置２０Ｃ、２０Ｄのように、変調信号発生器２４から周
期Ｔｂで出力される変調信号Ｍｂを遅延器２５に入力
し、遅延器２５で遅延された変調信号Ｍｂ′を逓倍器２
８によってＫ逓倍（例えばＫ＝８）して周期Ｔａの変調
信号Ｍ′を得て、光変調器２３に入力する。ここで、周
期Ｔｂ、逓倍数Ｋは、Ｔａ＝Ｔｂ／Ｋを満たす値とす
る。

【００７０】この場合、変調信号発生器２４としては、
前記した実施形態の場合よりも１／Ｋだけ低い周波数の
変調信号Ｍｂを生成すればよく、また、遅延器２５も低
い周波数に対応したもので済む。

【００７１】ただし、図７の光パルス発生装置２０Ｃの
ように光パルスＰａを光スイッチ２６とゲート信号発生
器２７で間引きする場合で、且つ、位相比較器５２に入
力される信号の周期を等しくするためには、変調信号Ｍ
ｂを、分周比Ｎ′がＮ／Ｋに等しい分周器５１で分周す
る。

【００７２】また、図８の光パルス発生装置２０Ｄのよ
うに光パルスＰａの間引きを行なわない場合には、変調
信号Ｍｂを逓倍器５４でＫ逓倍して、光パルス生成部２
１から出射される光パルスの周期と一致する信号Ｕを得
て、両信号Ｕ、Ｈを位相比較器５２に入力するか、ある
いは図示しないが、光電変換器４２から出力される変動
信号Ｈを分周器でＫ分周して、その分周信号と変調信号
Ｍｂとを位相比較器５２に入力してもよい。

【００７３】また、ここでは、位相比較器５２に入力す
る信号の周期を等しくしていたが、位相比較器５２の位
相比較動作をサンプリングモード（逓倍動作モード）で
行なう場合には、入力する一方の信号の周期が他方の信
号の周期の整数倍であればよく、この場合には前記した
分周器５１や逓倍器５４は不要となる。

【００７４】また、前記した各光パルス発生装置では、
光パルスの位相を可変するための位相可変手段４５とし
て光変調器２３に入力される変調信号Ｍの位相を可変す
る遅延器２５を用いていたが、図９に示す光パルス発生
装置２０Ｅのように、光パルスの位相を光学的に可変す
る光遅延器４６を位相制御手段５０によって制御するこ
とも可能である。

【００７５】光遅延器４６は、入力光を所定の時間範囲
内で遅延して出射するように構成されたものであり、機
械的に光路長を可変する形式のものや、電気信号によっ
て光路長を可変するもののいずれでもよい。

【００７６】機械的に光路長を可変する光遅延器として
は、例えば図１０のように、反射面を外側に向けて９０
度の角度をなすよう並んだ２つのミラー４６ａ、４６ｂ
と、ミラー４６ａ、４６ｂの反射面に一対の反射面を平
行に対向させた直交ミラー４６ｃと、制御信号Ｖｃに基
づいて直交ミラー４６ｃを移動させる移動装置４６ｄと
からなり、一方のミラー４６ａに入射角４５度で入射し
た光を直交ミラー４６ｃ側に反射し、直交ミラー４６ｃ
で反射して戻ってきた光を他方のミラー４６ｂで反射し
て、入射光の光軸の延長線に沿って出射する。この構造
の光遅延器では、移動装置４６ｄによって直交ミラー４
６ｃをミラー４６ａ、４６ｂ側に近づけると光路長が短
くなって遅延時間が短くなり、直交ミラー４６ｃをミラ
ー４６ａ、４６ｂ側から遠ざけると光路長が長くなって
遅延時間が長くなる。

【００７７】また、電気的に光路長を可変するものとし
ては、図１１のように円筒状のピエゾ素子４６ｅの外周
にファイバ４６ｆを強く巻き付けたものがあり、このピ
エゾ素子４６ｅに印加する電圧Ｖｃを変えてピエゾ素子
４６ｅの径を変化させ、ファイバ４６ｆの曲率半径を変
化させて、ファイバ４６ｆ内を通過する光に対する屈折
率を変えて、光路長を可変する。

【００７８】また、図１２のように液晶４６ｇと直交ミ
ラー４６ｈを用い、液晶４６ｇに印加する電圧Ｖｃを変
えて、液晶４６ｇ内を通過する光の光路長を可変するも
のがある。

【００７９】このように位相可変手段４５として光遅延
器４６を用いた場合、例えば温度上昇によって分散減少
ファイバ３０の長さが増すと、分散減少ファイバ３０か
ら出射される光パルスＰａ（間引きした光パルスＰでも
よい）を光電変換して得られる変動信号Ｈの位相が基準
信号Ｒ（変調信号Ｍ）の位相に対して遅れる方向に変化
しようとするが、その位相の僅かに変化を検出した位相
制御手段５０によって、光遅延器４６の遅延量が減少す
る方向に制御されて、この光遅延器４６から分散減少フ
ァイバ３０に入射される光パルスＰの位相が僅かに進
み、分散減少ファイバ３０から出射される光パルスＰ
ａ′から得られる変動信号Ｈの変調信号Ｍに対する遅れ
方向の変化が規制され、両信号の同期状態が維持され
る。

【００８０】また、逆に、温度低下によって分散減少フ
ァイバ３０の長さが減少すると、変動信号Ｈの位相が基
準信号Ｒ（変調信号Ｍ）の位相に対して進む方向に変化
しようとするが、その位相の僅かに変化を検出した位相
制御手段５０によって、光遅延器４６の遅延量が増加す
る方向に制御されて、この光遅延器４６から分散減少フ
ァイバ３０に入射される光パルスＰの位相が僅かに遅
れ、変動信号Ｈの基準信号Ｒに対する進み方向の変化が
規制され、両信号の同期状態が維持される。

【００８１】つまり、前記した遅延器２５を用いた場合
には、分散減少ファイバ３０の長さ変動に対し、光パル
ス生成部２１の光パルスの出射タイミングを制御して、
出力端子２０ａから出射される光パルスの出射タイミン
グが変動しないようにしていたが、この光遅延器４６を
用いた場合には、分散減少ファイバ３０の長さ変動を相
殺するように光遅延器４６の遅延量を制御して、光パル
ス生成部２１から出射された光パルスが分散減少ファイ
バ３０を通過して出力端子２０ａに達するまでの時間を
一定に保っことで、出力端子２０ａから出射される光パ
ルスの出射タイミングが変動しないようにしている。

【００８２】なお、ここでは光遅延器４６を光パルス生
成部２１と分散減少ファイバ３０の間の光路に設けてい
るが、後述する２光源型の実施形態を含めて、光遅延器
を分散減少ファイバ３０と出力端子２０ａの間に設けた
り、分散減少ファイバ３０の中間の光路に設けてもよ
い。

【００８３】また、前記した各光パルス発生装置では、
光パルス生成部２１の変調信号発生器２４を基準信号出
力手段として用いていたが、図１３に示す光パルス発生
装置２０Ｆのように、光パルス生成部２１から分散減少
ファイバ３０へ向かう光パルスＰａ（光パルスＰでもよ
い）を分岐する光分岐手段３６と、この光分岐手段３６
で分岐された光パルスを電気信号に変換し、この電気信
号を変調信号Ｍに同期した基準信号Ｒとして出力する光
電変換器３７とによって基準信号出力手段を構成しても
よい。この場合、位相制御手段５０は、光電変換器４２
からの変動信号Ｈと、光電変換器３６からの基準信号Ｒ
の位相が同期するように光遅延器４６を制御する。

【００８４】また、前記した各光パルス発生装置では、
基準信号Ｒと変動信号Ｈを電気信号で受けて、両信号の
位相を同期させていたが、図１４に示す光パルス発生装
置２０Ｇのように、位相制御手段５０に、２つの入射光
の相関をとる光相関器５５を用いて、光分岐手段４１で
分岐された光パルスＰａ″を変動信号Ｈとし、光分岐手
段３６で分岐された光パルスＰａを基準信号Ｒとして光
相関器５５に入射して、その相関結果が最大となるよう
に光遅延器４６の遅延量を制御して、両信号Ｒ、Ｈの位
相を同期させる。

【００８５】なお、前記した各光パルス発生装置２０
Ａ、２０Ｃでは、光パルス生成部２１内に光スイッチ２
６とゲート信号発生器２７からなる周期変更手段を設け
て、光変調器２３から出射される光パルスＰａを間引き
して分散減少ファイバ３０側へ出射していたが、図１５
のように、光スイッチ２６とゲート信号発生器２７から
なる周期変更手段２９を変動信号出力手段４０と出力端
子２０ａの間に設けることも可能である。

【００８６】以上説明した各光パルス発生装置は、位相
制御用の光信号として光パルスそのものを用いた１光源
型の例を示していたが、光パルスと異なる光信号を位相
制御のために用いて、光パルスの出射タイミングを安定
化することも可能である。以下、この光パルスと異なる
光信号を用いる２光源型の光パルス発生装置の実施形態
を説明する。

【００８７】図１６は、本発明の２光源型の光パルス発
生装置６０の基本構成を示している。この光パルス発生
装置６０は、前記した光パルス生成部２１、分散減少フ
ァイバ３０および出力端子６０ａのほかに、光信号生成
部６１、光信号入射手段６５、基準信号出力手段６７、
変動信号出力手段７０、位相可変手段８０および位相制
御手段５０とを有している。

【００８８】光信号生成部６１は、正弦波、矩形波、パ
ルス波等の電気信号を変調信号Ｍｑとして出力する変調
信号発生器６４と、その変調信号Ｍｑで振幅変調された
光信号を出射する光変調器６３とを含み、光パルス生成
部２１が出射する光パルスＰ（前記した光パルスＰａで
もよい）と異なる光信号Ｑを出射する。

【００８９】なお、光変調器６３としては、光パルス生
成部２１のように単一波長光源から出射される連続光を
受けて振幅変調する場合と、光変調器６３自体が光源で
あって変調信号Ｍｑで励振されて振幅変調された光信号
を出射する場合とがあり、そのいずれでもよい。

【００９０】光信号入射手段６５は、光信号生成部６１
から出射された光信号Ｑを分散減少ファイバ３０に入射
させる。

【００９１】基準信号出力手段６７は、光信号生成部６
１の変調信号発生器６２から出力された変調信号Ｍｑに
同期する信号を基準信号Ｒｑとして出力するためのもの
であり、この基準信号Ｒは変調信号Ｍｑ、光信号Ｑ自
体、あるいは光信号Ｑを光電変換して得られる電気信号
のいずれでもよい。

【００９２】変動信号出力手段７０は、分散減少ファイ
バ３０を通過した光から光信号のみを分離抽出する光信
号抽出手段７１を含み、その抽出した光信号に同期する
信号を変動信号Ｈｑとして出力する。

【００９３】この変動信号Ｈｑは、光信号抽出手段７１
で抽出された光信号自体、あるいはその光信号を光電変
換して得られる電気信号のいずれでもよい。

【００９４】位相可変手段８０は、光パルスと光信号の
位相を共通に可変するためのものであり、１光源型の場
合と同様に、電気の変調信号の位相を可変する場合と、
光学的に位相を可変する場合とがある。

【００９５】位相制御手段５０は、前記した１光源型の
光パルス発生装置と同様に、基準信号Ｒｑと変動信号Ｈ
ｑとを受けて、両信号の位相が同期するように位相可変
手段８０を制御する。

【００９６】上記構成の光パルス発生装置６０は、前記
した１光源型の光パルス発生装置２０の位相制御対象が
光パルスと別の光信号に代わったものであり、光信号に
ついての基準信号Ｒｑと変動信号Ｈｑの位相が同期する
ように位相可変手段８０が制御されるが、この位相可変
手段８０は光信号の位相だけでなく、光パルスの位相も
共通に可変されるので、光信号についての位相同期が維
持されれば、光パルスの位相の変動も間接的に規制され
る。

【００９７】以下、この２光源型の光パルス発生装置６
０の実施形態について説明する。図１７は、実施形態の
光パルス発生装置６０Ａの構成を示している。

【００９８】図１７において、光信号発生部６１は、変
調信号発生器６２から出力される所定周期Ｔｃ（例えば
１０ｎｓ、周波数１００ＭＨｚ）の正弦波（矩形波、パ
ルス波でもよい）の変調信号Ｍｑで、レーザダイオード
からなる単一波長光源６３を励振して、変調信号Ｍｑで
振幅変調された波長λｒ（例えば１．３ｎｍ）の光信号
Ｑ（変調信号が正弦波の場合、光信号Ｑは連続光とな
る）を生成して出射する。即ち、この単一波長光源６３
は光変調器を兼ねている。

【００９９】なお、光信号生成部６１は、上記したよう
に変調信号Ｍｑで単一波長光源６３を励振して振幅変調
するもののほかに、単一波長光源から出射された強度一
定の連続光と変調信号Ｍｑを光変調器に入力して間接的
に強度変調するように構成したものであってもよい。

【０１００】光信号生成部６１から出射された光信号Ｑ
は、この実施形態の光信号入射手段６５のカプラ６６を
介して分散減少ファイバ３０に入射される。カプラ６６
は、例えば波長多重型（ＷＤＭ）のカプラであり、波長
λの光パルスＰと、その光パルスＰと異なる波長λｒの
基準光Ｑを合波し、位相可変手段としての光遅延器８１
を介して分散減少ファイバ３０に入射する。なお、光信
号入射手段６５として２本の光ファイバの外周部を溶着
して結合したファイバカプラを用いることもできる。

【０１０１】カプラ６６で光パルスＰと合波された光信
号Ｑは、光遅延器８１で共通の遅延を受け、その遅延を
受けた光パルスＰ′と光信号Ｑ′は分散減少ファイバ３
０に入射され、分散減少ファイバ３０を通過する。

【０１０２】したがって、分散減少ファイバ３０から出
射される光パルスＰ″と光信号Ｑ″の位相は、温度変化
による分散減少ファイバ３０の長さの変動によって変動
する。

【０１０３】分散減少ファイバ３０を通過した光信号
Ｑ″と光パルスＰ″は、変動信号出力手段７０の光信号
抽出手段７１を構成するカプラ７２に入射される。

【０１０４】このカプラ７２は、カプラ６６と同様に、
波長分離特性を有する波長多重型（ＷＤＭ）のカプラや
ファイバカプラからなり、入射される光信号Ｑ″と光パ
ルスＰ″を、その波長の違いに応じて異なる光路に分離
し、光パルスＰ″を出力端子２０ａへ出射し、光信号
Ｑ″を光電変換器７９に出射する。

【０１０５】光電変換器７９は、カプラ７２とともにこ
の実施形態の変動信号出力手段を構成するものであり、
カプラ７２によって抽出された光信号Ｑ″を電気信号に
変換し、この電気信号を変動信号Ｈｑとして位相制御手
段５０に出力する。

【０１０６】位相制御手段５０は、前記した１光源型の
光パルス発生装置２０と同様に、位相比較器５２、制御
信号発生器５３を有し、基準信号Ｒｑ（＝Ｍｑ）と変動
信号Ｈが同期するように光遅延器８１を制御する。

【０１０７】このように構成された光パルス発生装置６
０Ａでは、温度変化によって分散減少ファイバ３０の長
さが変動して、分散減少ファイバ３０から出射される光
パルスＰ″と光信号Ｑ″の位相が変動しようとすると、
位相制御手段５０によって光信号Ｑ″の位相変動をなく
す方向に光遅延器８１の遅延量が制御される。

【０１０８】このため、分散減少ファイバ３０の長さ変
動による光信号の位相変動が抑圧される。

【０１０９】この光信号に対する位相制御は、分散減少
ファイバ３０の長さの変動を光遅延器８１の遅延量の増
減によって相殺するものであるから、分散減少ファイバ
３０の長さ変動による光パルスＰ″の位相変動も間接的
に抑圧されることになり、光パルスＰ″の出射タイミン
グは変動しない。

【０１１０】したがって、この光パルスＰ″で被測定光
に対する光サンプリングを行なえば、その被測定光の波
形データを正確に求めることができる。

【０１１１】また、上記のように光パルスと異なる波長
の光信号を位相制御用に用いた場合には、サンプリング
用の光パルスＰより短い周期の信号で位相比較を行なう
ことができ、高速で且つ精度の高い制御が可能となる。

【０１１２】また、前記した光パルス発生装置６０Ａで
は、光パルス生成部２１と分散減少ファイバ３０の間に
設けられたカプラ６６を光信号入射手段として用い、分
散減少ファイバ３０と出力端子６０ａの間に設けられた
カプラ７２を光信号抽出手段として用いていたが、図１
８の光パルス発生装置６０Ｂのように、カプラ６６、７
２の可逆性を利用して、光信号入射手段としてのカプラ
６６を分散減少ファイバ３０と出力端子６０ａの間に設
け、光信号抽出手段としてのカプラ７２を光パルス生成
部２１と光遅延器８１の間に設け、光パルスに対して光
信号を逆方向に進行させることもできる。

【０１１３】前記した光パルス発生装置６０Ａ、６０Ｂ
では、基準信号として光信号発生部６１の変調信号Ｍｑ
を用いていたが、図１９に示す光パルス発生装置６０Ｃ
のように、光信号生成部６１からカプラ６６に出射され
る光信号Ｑを分岐する光分岐手段６８と、光分岐手段６
８で分岐された光信号Ｑを受けて電気信号に変換し、そ
の電気信号を基準信号Ｒｑとして出力する光電変換器６
９とで基準信号出力手段６７を構成してもよい。

【０１１４】また、図２０に示す光パルス発生装置６０
Ｄのように、光分岐手段６８によって基準信号出力手段
６７を構成し、カプラ７２によって変動信号出力手段７
０を構成し、光相関器５５を有する位相制御手段５０に
よって、光分岐手段６８からの基準信号Ｒｑ（光信号
Ｑ）とカプラ７２からの変動信号Ｈｑ（光信号Ｑ″）の
相関を求め、その相関結果が最大となるように、光遅延
器８１の遅延量を制御して、両信号Ｒｑ、Ｈｑを同期さ
せることも可能である。

【０１１５】また、前記した２光源型の各光パルス発生
装置では、分散減少ファイバ３０を通過した光信号Ｑ″
を抽出するための光信号抽出手段として、波長分離特性
を有するカプラ７２を用いていたが、図２１に示す光パ
ルス発生装置６０Ｅのように、カプラ７２を用いずに、
分散減少ファイバ３０と出力端子６０ａの間に設けら
れ、光パルスＰ″を出力端子６０ａに通過させ、光信号
Ｑ″のみを全反射する光信号反射手段７３と、この光信
号反射手段７３で反射されて再度分散減少ファイバ３０
および光遅延器８１を通過してカプラ６６から光信号生
成部６１側へ戻る光信号Ｑｒ″を、光信号生成部６１か
らカプラ６６側へ向かう光信号Ｑと分離する光アイソレ
ータ等からなる方向分離手段７４とによって光信号抽出
手段を構成し、この方向分離手段７４からの光信号Ｑ″
を光電変換器７９によって電気信号に変換し、この電気
信号を変動信号Ｈｑとして位相制御手段５０へ出力し
て、光遅延器８１の遅延量を制御してもよい。

【０１１６】なお、この光信号反射手段７３としては、
ファイバ内に回折格子（グレーティング）を設けたファ
イバグレーティング（ＦＢＧ）や、前記したカプラ７２
の出力端子２０ａ側に反射体を設けたものが使用でき
る。

【０１１７】このように、光信号が分散減少ファイバ３
０と光遅延器８１を往復するように構成した場合、分散
減少ファイバ３０の一端（入射側）のみで位相制御処理
が行え、光学系と制御系をそれぞれ集約的に配置するこ
とができ、装置全体を小型化できる。

【０１１８】なお、このように光信号反射手段７３と方
向分離手段７４とを用いて分散減少ファイバ３０を通過
した光信号を抽出する方法は、前記した光パルス発生装
置６０Ｄのように光信号の直接位相比較を行うものにつ
いても全く同様に適用できる。

【０１１９】また、前記した２光源型の各光パルス発生
装置では、光パルスＰに対して波長が異なる光信号Ｑを
用い、その波長の違いを利用して光信号を分離抽出して
いたが、光パルス生成部２１の光パルスの出射タイミン
グと異なるタイミングで発生するパルス状の光信号を用
いることも可能である。この場合、光パルスと光信号の
波長は同一でもよい。

【０１２０】この場合、例えば図２２に示す光パルス発
生装置６０Ｆのように、光信号生成部６１の変調信号発
生器６２が、光パルス生成部２１（遅延器２５は含まな
い）からの変調信号Ｍとゲート信号Ｇとを受けて、図２
３の（ａ）のように光パルス生成部２１から周期Ｔで出
射される光パルスＰに対して、図２３の（ｂ）のように
所定時間ΔＴだけ出射タイミングがずれた周期Ｔｑのパ
ルス状の光信号Ｑを出射させる。

【０１２１】この光パルスＰと光信号Ｑは、前記同様に
カプラ６６で図２３の（ｃ）のように合波されて光遅延
器８１に入射され、光遅延器８１で遅延を受けて、分散
減少ファイバ３０を通過し、分散減少ファイバ３０から
は、図２３の（ｄ）のように、光遅延器８１の遅延時間
Ｔｄと分散減少ファイバ３０による遅延時間Ｔｆの和だ
け遅れて光パルスＰ″と光信号Ｑ″が出射されることに
なる。

【０１２２】この光パルスＰ″と光信号Ｑ″は、光信号
抽出手段７０の光分岐手段７５に入射され、その一方の
分岐光は光スイッチ７６に入射され、他方の分岐光は光
スイッチ７７に入射される。

【０１２３】一方の光スイッチ７６は、入射される光パ
ルスＰ″と光信号Ｑ″のうち、光パルスＰ″だけを出力
端子２０ａに通過させるためのものであり、他方の光ス
イッチ７７は、入射される光パルスＰ″と光信号Ｑ″の
うち、光信号Ｑ″だけを光電変換器７９に入射させるた
めのものであり、これらの光スイッチ７６、７７は、ゲ
ート信号発生器７８によって制御される。

【０１２４】ゲート信号発生器７８は光パルス生成部２
１からのゲート信号Ｇと、光信号生成部６１の変調信号
発生器６２からの基準信号Ｒｑ（変調信号Ｍｑ）ととを
受けて、図２３の（ｅ）のように、ゲート信号Ｇと等し
い周期Ｔのゲート信号Ｇｐを光スイッチ７６に出力し、
このゲート信号Ｇｐに対して前記所定時間ΔＴだけずれ
た周期Ｔｑのゲート信号Ｇｑを光スイッチ７７に出力す
る。

【０１２５】ここで、光遅延器８１と分散減少ファイバ
３０の遅延時間の和（Ｔｄ＋Ｔｆ）が、図２３に示して
いるように光パルスＰの周期Ｔ（あるいはその整数倍）
と一致していれば、光スイッチ７６は、分散減少ファイ
バ３０から光パルスＰ″が出射されるタイミングにオン
するため、出力端子２０ａには、図２３の（ｇ）に示す
ように、光パルスＰ″だけが出射され、また、光スイッ
チ７７は、分散減少ファイバ３０から光信号Ｑ″が出射
されるタイミングにオンするため、光電変換器７９に
は、図２３の（ｈ）に示すように光信号Ｑ″だけが出射
され、その光信号Ｑ″を光電変換して得られた変動信号
Ｈｑと基準信号Ｒｑとが同期した状態が維持される。

【０１２６】ただし、装置起動等のように、光遅延器８
１と分散減少ファイバ３０の遅延時間の和（Ｔｄ＋Ｔ
ｆ）が、光パルスＰの周期Ｔまたはその整数倍から大き
くずれている場合には、光スイッチ７７から光信号Ｑ″
が正しく出力されなくなる（抽出同期外れ状態）。

【０１２７】位相制御手段５０の制御信号発生器５３
は、位相比較器５２の比較結果からこの抽出同期外れ状
態を検知し、光遅延器８１の遅延量を可変して、光スイ
ッチ７７から光信号Ｑ″が毎回出力されるように制御
し、この状態（抽出同期状態）から、基準信号Ｒｑと変
動信号Ｈｑの同期制御を行なう。

【０１２８】なお、このように分散減少ファイバ３０を
通過した光信号を、光パルスとの発生タイミングの違い
に基づいて抽出する方法は、前記した光パルス発生装置
６０Ｃのように光電変換信号同士の位相を比較するもの
や、光パルス発生装置６０Ｄのように光同士の位相比較
を行なうものについても全く同様に適用できる。

【０１２９】また、前記した２光源型の各光パルス発生
装置では、光パルスと光信号が通過する共通の光路に位
相可変手段としての光遅延器８１を設けていたが、図２
４に示す光パルス発生装置６０Ｇのように、光遅延器８
１ａ、８１ｂを、光パルス生成部２１とカプラ６６の間
および光信号生成部６１とカプラ６６の間にそれぞれ設
けて、位相制御手段５０によって両光遅延器８１ａ、８
１ｂの遅延量を共通に制御してもよい。

【０１３０】また、光遅延器８１を用いる代わりに、図
２５に示す光パルス発生装置６０ＨＧのように、光信号
生成部６１の変調信号Ｍｑと、光パルス生成部２１の変
調信号Ｍをそれぞれ共通に可変する遅延器８２、８３を
位相可変手段として設けて、位相制御手段５０によっ
て、両遅延器８２、８３の遅延量を共通に制御して、光
パルスの出射タイミングを安定化することもできる。

【０１３１】また、上記した各光パルス発生装置では、
光パルスや光信号の位相制御によって、温度が変化した
ときの分散減少ファイバ３０の長さ変動による位相変動
を抑制していたが、前記した全ての実施形態において、
図２６のように、分散減少ファイバ３０を恒温槽１００
に入れて、外部の温度変化に対する分散減少ファイバ３
０の温度変化を所定範囲（例えば±０．１°Ｃ以内）に
抑えた状態で、前記同様に位相制御を行なうようにして
もよい。このように恒温槽１００を併用すれば、位相可
変手段の位相可変範囲を狭くすることができ、小型に形
成することができる。

【０１３２】また、上記したように、分散減少ファイバ
３０を恒温槽１００に入れる方法は、温度変化をなくし
て分散減少ファイバ３０の長さ変動を抑圧する方法であ
るが、温度変化を積極的に利用して分散減少ファイバ３
０の長さ変動を抑圧する方法も考えられる。

【０１３３】図２７は、この温度変化を積極的に利用し
て分散減少ファイバ３０全体の長さ変動を抑圧するため
の構成例を示したものである。

【０１３４】ここでは、分散減少ファイバ３０を、長さ
が等しい２つの半部３０ａ、３０ｂに分け、その一方の
半部３０ａを断熱槽１０１に入れ、他方の半部３０ｂを
断熱槽１０２に入れ、両断熱槽１０１、１０２内に温度
センサ１０３、１０４をそれぞれ設ける。そして、一方
の断熱槽１０２には加熱冷却器１０５（例えばペルチェ
素子）を入れ、温度制御手段１０６が、温度センサ１０
３、１０４から各断熱槽内の温度を表す値Ｄａ、Ｄｂを
受けて加熱冷却器１０５を駆動する。

【０１３５】ここで、温度制御手段１０６は、各断熱槽
１０１、１０２の温度の平均値が所定の基準温度Ｄｒと
等しくなる、即ち、（Ｄａ＋Ｄｂ）／２＝ＤｒＤｂ−Ｄｒ＝Ｄｒ−Ｄａが成立するように、断熱槽１０２の温度Ｄｂを加熱冷却
器１０５の駆動によって制御する。

【０１３６】このように温度制御がなされた状態では、
分散減少ファイバ３０の半部３０ａが基準温度Ｄｒと温
度Ｄａとの差（Ｄｒ−Ｄａ）によって伸縮している長さ
と、半部３０ｂが基準温度Ｄｒと温度Ｄｂとの差（Ｄｂ
−Ｄｒ）で伸縮している長さが等しくなり、分散減少フ
ァイバ３０全体の長さはほぼ一定となる。

【０１３７】また、上記のように、分散減少ファイバ３
０を分けて、そのぞれ断熱槽１０１、１０２に入れた場
合、一つの恒温槽に分散減少ファイバ３０を入れる場合
よりも、熱がファイバに均一に伝わりやすく、精度が高
くなる。

【０１３８】このように温度変化を積極的に利用し、分
散減少ファイバ３０全体の長さの変動を抑圧する構成
を、上記した各実施形態に加えることで、位相可変手段
の位相可変範囲を狭くすることができる。

【０１３９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の１光源型
の光パルス発生装置では、光パルス生成部の変調信号発
生器から出力される変調信号に同期した基準信号と、分
散減少ファイバを通過した光パルスに同期した変動信号
とが同期するように位相可変手段を制御している。

【０１４０】また、本発明の２光源型の光パルス発生装
置では、光信号生成部の変調信号発生器から出力される
変調信号に同期した基準信号と、分散減少ファイバを通
過した光信号に同期した変動信号とが同期するように位
相可変手段を制御して、間接的に光パルスの位相の変動
を規制している。

【０１４１】このため、温度変動があっても光パルスの
出射タイミングが変動せず、この光パルスで例えば被測
定光に対する光サンプリングを行なえば、その被測定光
の波形データを正確に求めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１光源型の光パルス発生装置の基本構
成を示す図

【図２】１光源型の実施形態の構成を示す図

【図３】実施形態の要部の動作を説明するための図

【図４】実施形態の要部の動作を説明するための図

【図５】実施形態の要部の動作を説明するための図

【図６】１光源型の実施形態の変形例を示す図

【図７】１光源型の実施形態の変形例を示す図

【図８】１光源型の実施形態の変形例を示す図

【図９】１光源型の実施形態の変形例を示す図

【図１０】実施形態の要部の構成例を示す図

【図１１】実施形態の要部の構成例を示す図

【図１２】実施形態の要部の構成例を示す図

【図１３】１光源型の実施形態の変形例を示す図

【図１４】１光源型の実施形態の変形例を示す図

【図１５】実施形態の変形例を示す図

【図１６】本発明の２光源型の光パルス発生装置の基本
構成を示す図

【図１７】２光源型の実施形態の構成を示す図

【図１８】２光源型の実施形態の変形例を示す図

【図１９】２光源型の実施形態の変形例を示す図

【図２０】２光源型の実施形態の変形例を示す図

【図２１】２光源型の実施形態の変形例を示す図

【図２２】２光源型の実施形態の変形例を示す図

【図２３】図２２の変形例の動作を説明するための図

【図２４】２光源型の実施形態の変形例を示す図

【図２５】２光源型の実施形態の変形例を示す図

【図２６】温度制御を併用する場合の例を示す図

【図２７】温度制御を併用する場合の例を示す図

【図２８】光サンプリング波形観測装置の構成例を示す
図

【図２９】光サンプリング波形観測装置の動作を説明す
るための図

【図３０】従来装置の構成を示す図

【符号の説明】

２０、２０Ａ〜２０Ｇ、６０、６０Ａ〜６０Ｈ……光パ
ルス発生装置、２０ａ、６０ａ……出力端子、２１……
光パルス生成部、２２……単一波長光源、２３……光変
調器、２４……変調信号発生器、２５、８２、８３……
遅延器、２６、７６、７７……光スイッチ、２７、７８
……ゲート信号発生器、２８、５４……逓倍器、２９…
…周期変更手段、３０……分散減少ファイバ、３５、６
７……基準信号出力手段、３６、４１、６８、７５……
光分岐手段、３７、４２、６９、７９……光電変換器、
４０、７０……変動信号出力手段、４５、８０……位相
可変手段、４６、８１、８１ａ、８１ｂ……光遅延器、
５０……位相制御手段、５１……分周器、５２……位相
比較器、５３……制御信号発生器、５５……光相関器、
６１……光信号生成部、６２……変調信号発生器、６３
……単一波長光源、６５……光信号入射手段、６６、７
２……カプラ、７１……光信号抽出手段、７３……光信
号反射手段、７４……方向分離手段、１００……恒温
槽、１０１、１０２……断熱槽、１０３、１０４……温
度センサ、１０５……加熱冷却器、１０６……温度制御
手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０４Ｂ 10/14 10/26 10/28 (72)発明者清水雅哉東京都港区南麻布五丁目10番27号アンリツ株式会社内 (72)発明者遠藤弘明東京都港区南麻布五丁目10番27号アンリツ株式会社内 (72)発明者加藤敬太東京都港区南麻布五丁目10番27号アンリツ株式会社内Ｆターム(参考） 2H079 AA02 AA13 BA03 CA11 DA16 5F072 HH02 HH07 JJ20 KK15 KK30 MM03 MM04 MM07 SS06 YY11 5K102 AA68 MC29 PH49 RB01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電気信号を出力する変調信号発生器（２
４）と該電気信号で振幅変調された光パルスを出射する
光変調器（２３）とを含む光パルス生成部（２１）と、
該光パルス生成部から出射された光パルスを受けて光パ
ルスの幅を狭めて出射する分散減少ファイバ（３０）
と、該分散減少ファイバを通過した光パルスを出力する
ための出力端子（２０ａ）とを有する光パルス発生装置
において、前記変調信号発生器から出力された電気信号に同期する
信号を基準信号として出力する基準信号出力手段（３
５）と、前記分散減少ファイバと前記出力端子の間に設けられ、
前記分散減少ファイバから前記出力端子側へ出射された
光を分岐する光分岐手段（４１）を有し、前記分散減少
ファイバを通過した光パルスに同期する信号を変動信号
として出力する変動信号出力手段（４０）と、前記光パルスの位相を可変するための位相可変手段（４
５）と、前記基準信号と前記変動信号とを受けて、該両信号の位
相が同期するように前記位相可変手段を制御する位相制
御手段（５０）とを備えたことを特徴とする光パルス発
生装置。
【請求項２】前記位相可変手段は、前記光パルス生成部
の前記変調信号発生器と前記光変調器との間に設けら
れ、前記変調信号発生器から出力された電気信号が前記
光変調器に入力されるまでの遅延時間を可変して前記光
パルス生成部が出射する光パルスの位相を可変する遅延
器（２５）によって構成されていることを特徴とする請
求項１記載の光パルス発生装置。
【請求項３】前記位相可変手段は、前記光パルス生成部
から前記変動信号出力手段の前記光分岐手段の間に設け
られ、光パルスの伝搬時間を光学的に遅延する光遅延器
（４６）によって構成されていることを特徴とする請求
項１記載の光パルス発生装置。
【請求項４】前記基準信号出力手段は前記光パルス生成
部の変調信号発生器からなり、該変調信号発生器から出
力される電気信号を前記基準信号として前記位相制御手
段に出力し、前記変動信号出力手段は、前記分散減少ファイバと前記
出力端子の間の前記光分岐手段によって分岐された光パ
ルスを受けて電気信号に変換し、該電気信号を前記変動
信号として前記位相制御手段に出力する光電変換器（４
２）を有していることを特徴とする請求項１〜３のいず
れかに記載の光パルス発生装置。
【請求項５】前記基準信号出力手段は、前記光パルス生
成部と前記分散減少ファイバとの間に設けられ、前記光
パルス生成部から前記分散減少ファイバ側へ出射される
光パルスを分岐する光分岐手段（３６）と、該光分岐手
段によって分岐された光パルスを受けて電気信号に変換
し、該電気信号を前記基準信号として前記位相制御手段
に出力する光電変換器（３７）とを有し、前記変動信号出力手段は、前記分散減少ファイバと前記
出力端子の間の前記光分岐手段によって分岐された光パ
ルスを受けて電気信号に変換し、該電気信号を前記変動
信号として前記位相制御手段に出力する光電変換器（４
２）を有していることを特徴とする請求項１または請求
項３の光パルス発生装置。
【請求項６】前記基準信号出力手段は、前記光パルス生
成部から前記分散減少ファイバ側へ出射される光パルス
を分岐し、該分岐した光パルスを前記基準信号として前
記位相制御手段に出力する光分岐手段（３６）を有し、前記変動信号出力手段は、前記分散減少ファイバと前記
出力端子の間の前記分岐手段によって分岐した光パルス
を前記変動信号として前記位相制御手段に出力すること
を特徴とする請求項１または請求項３の光パルス発生装
置。
【請求項７】電気信号を出力する変調信号発生器（２
４）と、該変調信号発生器から出力された電気信号を受
け該電気信号で振幅変調された光パルスを生成する光変
調器（２３）とを含む光パルス生成部（２１）と、該光
パルス生成部から出射された光パルスを受けて光パルス
の幅を狭めて出射する分散減少ファイバ（３０）と、該
分散減少ファイバを通過した光パルスを出力するための
出力端子（６０ａ）とを有する光パルス発生装置におい
て、電気信号を出力する変調信号発生器（６４）と、該電気
信号で振幅変調された光信号を出射する光変調器（６
３）とを含み、前記光パルス生成部が出射する光パルス
と異なる光信号を出射する光信号生成部（６１）と、前記光信号生成部から出射された光信号を前記分散減少
ファイバに入射する光信号入射手段（６５）と、前記光信号生成部の変調信号発生器から出力された電気
信号に同期する信号を基準信号として出力する基準信号
出力手段（６７）と、前記分散減少ファイバを通過した光から光信号のみを分
離抽出する光信号抽出手段（７１）を含み、該抽出した
光信号に同期する信号を変動信号として出力する変動信
号出力する変動信号出力手段（７０）と、前記光パルスと光信号の位相を共通に可変するための位
相可変手段（８０）と、前記基準信号と前記変動信号とを受けて、該両信号の位
相が同期するように前記位相可変手段を制御する位相制
御手段（５０）とを備えたことを特徴とする光パルス発
生装置。
【請求項８】前記位相可変手段は、前記光パルス生成部
から出射された光パルスおよび前記光信号生成部から出
射された光信号の伝搬時間を光学的に遅延する可変する
光遅延器（８１、８１ａ、８１ｂ）によって構成されて
いることを特徴とする請求項７記載の光パルス発生装
置。
【請求項９】前記位相可変手段は、前記光信号生成部の前記変調信号発生器と前記光変調器
との間に設けられ、前記変調信号発生器から出力された
電気信号が前記光変調器に入力されるまでの遅延時間を
可変して前記光信号生成部が出射する光信号の位相を可
変する第１の遅延器（８２）と、前記光パルス生成部の前記変調信号発生器と前記光変調
器との間に設けられ、前記変調信号発生器から出力され
た電気信号が前記光変調器に入力されるまでの遅延時間
を可変して前記光パルス生成部が出射する光パルスの位
相を可変する第２の遅延器（８３）とによって構成され
ていることを特徴とする請求項７記載の光パルス発生装
置。
【請求項１０】前記基準信号出力手段は前記光信号生成
部の変調信号発生器からなり、該変調信号発生器から出
力される電気信号を前記基準信号として前記位相制御手
段に出力し、前記変動信号出力手段は、前記光信号抽出手段によって
抽出された光信号を受けて電気信号に変換し、該電気信
号を前記変動信号として前記位相制御手段に出力する光
電変換器（７９）を有していることを特徴とする請求項
７〜９のいずれかに記載の光パルス発生装置。
【請求項１１】前記基準信号出力手段は、前記光信号生
成部から前記光信号入射手段側へ出射される光パルスを
分岐する光分岐手段（６８）と、該光分岐手段によって
分岐された光パルスを受けて電気信号に変換し、該電気
信号を前記基準信号として前記位相制御手段に出力する
第１の光電変換器（６９）とを有し、前記変動信号出力手段は、前記光信号抽出手段によって
抽出された光信号を受けて電気信号に変換し、該電気信
号を前記変動信号として前記位相制御手段に出力する第
２の光電変換器（７９）を有していることを特徴とする
請求項８記載の光パルス発生装置。
【請求項１２】前記基準信号出力手段は、前記光信号生
成部から前記光信号入射手段側へ出射される光信号を分
岐し、該分岐した光信号を前記基準信号として前記位相
制御手段に出力する光分岐手段（６８）を有し、前記変動信号出力手段は、前記光信号抽出手段によって
抽出された光信号を前記変動信号として前記位相制御手
段に出力することを特徴とする請求項８記載の光パルス
発生装置。
【請求項１３】前記光信号生成部は、前記光パルス生成
部が出射する光パルスと異なる波長の光信号を出射する
ように構成され、前記光信号抽出手段は、入射光をその波長の違いによっ
て異なる光路に出射する波長分離手段（７２）によっ
て、前記分散減少ファイバを通過した光から光信号のみ
を分離抽出するように構成されていることを特徴とする
請求項７〜１２のいずれかに記載の光パルス発生装置。
【請求項１４】前記光信号生成部は、前記光パルス生成
部が出射する光パルスと異なる波長の光信号を出射する
ように構成され、前記光信号入射手段は、前記光パルス生成部と前記分散
減少ファイバの間に設けられており、前記光信号抽出手段は、前記分散減少ファイバと前記出力端子の間に設けられ、
前記分散減少ファイバを通過した光のうち、その波長の
違いによって光パルスを前記出力端子へ通過させ、光信
号を前記分散減少ファイバ側へ反射する光信号反射手段
（７３）と、前記光信号反射手段によって反射されて前記分散減少フ
ァイバを通過して前記光信号生成部側に出射される反射
光信号を、その進行方向の違いにより、前記光信号生成
部側から分散減少ファイバ側に向かう光信号から分離す
る方向分離手段（７４）とを有していることを特徴とす
る請求項７〜１２のいずれかに記載の光パルス発生装
置。
【請求項１５】前記光信号生成部は、前記光パルス生成
部による光パルスの出射タイミングと異なるタイミング
にパルス状の光信号を出射するように構成されており、前記光信号抽出手段は、前記分散減少ファイバと前記出
力端子との間に設けられた光スイッチ（７６、７７）
と、該光スイッチを開閉するための信号発生器（７８）
とを有し、前記分散減少ファイバから前記光信号が出射
されるタイミングに分散減少ファイバを前記出力端子と
異なる光路に接続して該光路から光信号を出力させ、前
記分散減少ファイバから前記光パルスが出射されるタイ
ミングに前記分散減少ファイバと前記光路との間を切り
離すように構成されていることを特徴とする請求項７〜
１２のいずれかの光パルス発生装置。
【請求項１６】前記光パルス生成部は、前記光変調器か
ら出射される光パルスを受けて複数個おきに前記分散減
少ファイバ側へ出射する周期変更手段（２６、２７）を
備えていることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか
の光パルス発生装置。