JP2003253108A - ポリカーボネート複合樹脂 - Google Patents
ポリカーボネート複合樹脂Info
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- JP2003253108A JP2003253108A JP2002055406A JP2002055406A JP2003253108A JP 2003253108 A JP2003253108 A JP 2003253108A JP 2002055406 A JP2002055406 A JP 2002055406A JP 2002055406 A JP2002055406 A JP 2002055406A JP 2003253108 A JP2003253108 A JP 2003253108A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の複合樹脂よりも、高剛性で、弾性率が
向上したポリカーボネート複合樹脂を提供する。 【解決手段】 層状化合物（Ａ）と、界面補強剤（Ｂ）
と、ポリカーボネート樹脂とを含有する複合樹脂であっ
て、界面補強剤（Ｂ）が、主骨格としてポリカーボネー
ト部分を有し、末端基が特定の構造を有するポリカーボ
ネート複合樹脂である。
向上したポリカーボネート複合樹脂を提供する。 【解決手段】 層状化合物（Ａ）と、界面補強剤（Ｂ）
と、ポリカーボネート樹脂とを含有する複合樹脂であっ
て、界面補強剤（Ｂ）が、主骨格としてポリカーボネー
ト部分を有し、末端基が特定の構造を有するポリカーボ
ネート複合樹脂である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ポリカーボネート
複合樹脂に関し、特に従来の複合樹脂よりも、高剛性
で、弾性率が向上したポリカーボネート複合樹脂に関す
るものである。
複合樹脂に関し、特に従来の複合樹脂よりも、高剛性
で、弾性率が向上したポリカーボネート複合樹脂に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】有機オニウムイオンをゲストとする層状
化合物である有機化粘土とポリカーボネートによる複合
樹脂については、従来から様々な研究がなされている。
例えば、特開平１１−２０９５９６号公報には、両末端
シリカポリカーボネート（ＰＣＳ）の両末端を酸により
架橋し、Ｓｉ−Ｏ部（無機）含有するＰＣＳからなるポ
リカーボネート複合樹脂が開示されている。また、特開
平２０００−３２７９３０号公報には、金属酸化微粒子
の界面改質剤としてＰＣＳを利用することが開示され、
金属酸化微粒子の具体例として酸化ケイ素（シリカ）粒
子、酸化チタン（チタニア）粒子、酸化ジルコニウム
（ジルコニア）粒子等が挙げられている。さらに、特開
平７−２０７１３４号公報や特開２０００−２６９６８
９号公報には、弾性率を向上させたポリカーボネート複
合樹脂が開示されている。しかしながら、これらの公報
には、粘土系ナノ複合樹脂に関する記載はない。また、
特開平７−２０７１３４号公報及び特開２０００−２６
９６８９号公報に開示された弾性率の向上は、ポリカー
ボネート樹脂の極性とナノ分散粘土によるものと考えら
れる。しかし、一般的にプラスチックと無機材料は、非
相溶であるため、さらなる物性向上は期待できない。
化合物である有機化粘土とポリカーボネートによる複合
樹脂については、従来から様々な研究がなされている。
例えば、特開平１１−２０９５９６号公報には、両末端
シリカポリカーボネート（ＰＣＳ）の両末端を酸により
架橋し、Ｓｉ−Ｏ部（無機）含有するＰＣＳからなるポ
リカーボネート複合樹脂が開示されている。また、特開
平２０００−３２７９３０号公報には、金属酸化微粒子
の界面改質剤としてＰＣＳを利用することが開示され、
金属酸化微粒子の具体例として酸化ケイ素（シリカ）粒
子、酸化チタン（チタニア）粒子、酸化ジルコニウム
（ジルコニア）粒子等が挙げられている。さらに、特開
平７−２０７１３４号公報や特開２０００−２６９６８
９号公報には、弾性率を向上させたポリカーボネート複
合樹脂が開示されている。しかしながら、これらの公報
には、粘土系ナノ複合樹脂に関する記載はない。また、
特開平７−２０７１３４号公報及び特開２０００−２６
９６８９号公報に開示された弾性率の向上は、ポリカー
ボネート樹脂の極性とナノ分散粘土によるものと考えら
れる。しかし、一般的にプラスチックと無機材料は、非
相溶であるため、さらなる物性向上は期待できない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記の課題
を解決するためになされたもので、従来よりさらに、高
剛性で、弾性率が向上したポリカーボネート複合樹脂を
提供することを目的とする。
を解決するためになされたもので、従来よりさらに、高
剛性で、弾性率が向上したポリカーボネート複合樹脂を
提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記目的
を達成するために鋭意研究を重ねた結果、複合樹脂にお
いては、それを構成する層状物質の界面の補強が、さら
なる物性向上させるために必要であり、界面を補強する
ためには、ポリカーボネートとの界面を補強する部位
と、無機部との界面を補強する部位を併せ持つ化合物が
必要であることに着目し、特定の末端基を有し、主骨格
がポリカーボネート樹脂である界面補強剤を利用するこ
とにより前記課題を解決することを見出し本発明を完成
するに至ったものである。
を達成するために鋭意研究を重ねた結果、複合樹脂にお
いては、それを構成する層状物質の界面の補強が、さら
なる物性向上させるために必要であり、界面を補強する
ためには、ポリカーボネートとの界面を補強する部位
と、無機部との界面を補強する部位を併せ持つ化合物が
必要であることに着目し、特定の末端基を有し、主骨格
がポリカーボネート樹脂である界面補強剤を利用するこ
とにより前記課題を解決することを見出し本発明を完成
するに至ったものである。
【０００５】すなわち、本発明は、層状化合物（Ａ）
と、界面補強剤（Ｂ）と、ポリカーボネートとを含有す
るポリカーボネート樹脂であって、界面補強剤（Ｂ）
が、主骨格としてポリカーボネート部分を有する下記一
般式（Ｉ）
と、界面補強剤（Ｂ）と、ポリカーボネートとを含有す
るポリカーボネート樹脂であって、界面補強剤（Ｂ）
が、主骨格としてポリカーボネート部分を有する下記一
般式（Ｉ）
【化８】
（式中、ｅは０〜１の整数。ＲB 及びＲC は、それぞれ
同一でも異なっていてもよく、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−構
造、−Ｃ（＝Ｏ）−構造、−ＣＨ2 −ＣＨ（ＯＨ）−構
造、−Ｃ（ＣＨ2 ＯＨ）−構造で表される。
同一でも異なっていてもよく、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−構
造、−Ｃ（＝Ｏ）−構造、−ＣＨ2 −ＣＨ（ＯＨ）−構
造、−Ｃ（ＣＨ2 ＯＨ）−構造で表される。
【０００６】ＲA 及びＲD は、同一でも異なっていても
よく、それぞれ独立に、下記一般式（II）
よく、それぞれ独立に、下記一般式（II）
【化９】
（式中、ｆは０〜２５の整数、Ｍは炭素原子、珪素原
子、硫黄原子、リン原子、チタン原子、ジルコニウム原
子である。Ｍ−Ｒ1 、Ｍ−Ｒ2 間の結合は単結合又は二
重結合である。ｈは１〜３の整数、Ｒ1 は、酸素原子、
ハロゲン基、水酸基、ハロメチル基、ハロメトキシ基、
アセチル基、アセトキシ基、イソプロペノキシ基、メチ
ルエチルケトキシイミノ基、炭素数１〜８のアルコキシ
基又は炭素数２〜８のアミノ基であり、複数の場合には
同一も異なっていてもよい。Ｒ2 は、水素原子又は炭素
数１〜３０の炭化水素基であり、複数の場合には同一で
あっても異なっていてもよい。）で表される。）で表さ
れることを特徴とするポリカーボネート複合樹脂を提供
するものである。
子、硫黄原子、リン原子、チタン原子、ジルコニウム原
子である。Ｍ−Ｒ1 、Ｍ−Ｒ2 間の結合は単結合又は二
重結合である。ｈは１〜３の整数、Ｒ1 は、酸素原子、
ハロゲン基、水酸基、ハロメチル基、ハロメトキシ基、
アセチル基、アセトキシ基、イソプロペノキシ基、メチ
ルエチルケトキシイミノ基、炭素数１〜８のアルコキシ
基又は炭素数２〜８のアミノ基であり、複数の場合には
同一も異なっていてもよい。Ｒ2 は、水素原子又は炭素
数１〜３０の炭化水素基であり、複数の場合には同一で
あっても異なっていてもよい。）で表される。）で表さ
れることを特徴とするポリカーボネート複合樹脂を提供
するものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明のポリカーボネート複合樹
脂の配合量は、層状化合物（Ａ）０．１〜３０重量％、
界面補強剤（Ｂ）１〜２０重量％、ポリカーボネート樹
脂９８．９〜５０重量％であることが好ましく、層状化
合物（Ａ）０．１〜２０重量％、界面補強剤（Ｂ）１〜
１０重量％、ポリカーボネート樹脂９８．９〜７０重量
％であるとさらに好ましい。
脂の配合量は、層状化合物（Ａ）０．１〜３０重量％、
界面補強剤（Ｂ）１〜２０重量％、ポリカーボネート樹
脂９８．９〜５０重量％であることが好ましく、層状化
合物（Ａ）０．１〜２０重量％、界面補強剤（Ｂ）１〜
１０重量％、ポリカーボネート樹脂９８．９〜７０重量
％であるとさらに好ましい。
【０００８】（Ａ）成分の層状化合物としては、粘土、
粘土鉱物又はイオン交換性層状化合物が挙げられる。粘
土とは、細かい含水ケイ酸塩鉱物の集合体であって、適
当量の水を混ぜてこねると可塑性を生じ、乾けば剛性を
示し、高温度で焼くと焼結するような物質をいう。ま
た、粘土鉱物とは、粘土の主成分をなす含水珪酸塩をい
う。これらは、天然産のものに限らず、人工合成したも
のであってもよい。イオン交換性層状化合物とは、イオ
ン結合等によって構成される面が互いに弱い結合力で平
行に積み重なった結晶構造をとる化合物であり、含有す
るイオンが交換可能なものをいう。粘土鉱物の中には、
イオン交換性層状化合物であるものもある。
粘土鉱物又はイオン交換性層状化合物が挙げられる。粘
土とは、細かい含水ケイ酸塩鉱物の集合体であって、適
当量の水を混ぜてこねると可塑性を生じ、乾けば剛性を
示し、高温度で焼くと焼結するような物質をいう。ま
た、粘土鉱物とは、粘土の主成分をなす含水珪酸塩をい
う。これらは、天然産のものに限らず、人工合成したも
のであってもよい。イオン交換性層状化合物とは、イオ
ン結合等によって構成される面が互いに弱い結合力で平
行に積み重なった結晶構造をとる化合物であり、含有す
るイオンが交換可能なものをいう。粘土鉱物の中には、
イオン交換性層状化合物であるものもある。
【０００９】例えば、粘土鉱物としてフィロ珪酸塩が挙
げられる。フィロ珪酸類としては、フィロ珪酸やフィロ
珪酸塩が挙げられる。フィロ珪酸塩としては、天然品と
して、スメクタイト族に属するモンモリロナイト、サポ
ナイト、ヘクトライト、雲母族に属するイライト、セリ
サイト及びスメクタイト族と雲母族または雲母族とバー
ミキュライト族との混合層鉱物等が挙げられる。また、
合成品として、弗素四珪素雲母、ラポナイト、スメクト
ン等が挙げられる。その他、α−Ｚｒ（ＨＰＯ 4 ）2 、
γ−Ｚｒ（ＨＰＯ4 ）2 、α−Ｔｉ（ＨＰＯ4 ）2 及び
γ−Ｔｉ（ＨＰＯ4 ）2 等の粘土鉱物ではない層状の結
晶構造を有するイオン結晶性化合物を挙げることができ
る。本発明においては、層電荷０．０５〜０．８、特に
０．１〜０．７を有する２：１型層状化合物を用いるこ
とが好ましい。本発明においては、スメクタイト（層電
荷０．２〜０．６）と呼ばれる粘土鉱物群が好ましく、
さらに、ヘクトライト、サポナイト、モンモリロナイト
が好ましく、特に、モンモリロナイトが好ましい。合成
物としては、弗素四珪素雲母（層電荷０．６）が好まし
い。
げられる。フィロ珪酸類としては、フィロ珪酸やフィロ
珪酸塩が挙げられる。フィロ珪酸塩としては、天然品と
して、スメクタイト族に属するモンモリロナイト、サポ
ナイト、ヘクトライト、雲母族に属するイライト、セリ
サイト及びスメクタイト族と雲母族または雲母族とバー
ミキュライト族との混合層鉱物等が挙げられる。また、
合成品として、弗素四珪素雲母、ラポナイト、スメクト
ン等が挙げられる。その他、α−Ｚｒ（ＨＰＯ 4 ）2 、
γ−Ｚｒ（ＨＰＯ4 ）2 、α−Ｔｉ（ＨＰＯ4 ）2 及び
γ−Ｔｉ（ＨＰＯ4 ）2 等の粘土鉱物ではない層状の結
晶構造を有するイオン結晶性化合物を挙げることができ
る。本発明においては、層電荷０．０５〜０．８、特に
０．１〜０．７を有する２：１型層状化合物を用いるこ
とが好ましい。本発明においては、スメクタイト（層電
荷０．２〜０．６）と呼ばれる粘土鉱物群が好ましく、
さらに、ヘクトライト、サポナイト、モンモリロナイト
が好ましく、特に、モンモリロナイトが好ましい。合成
物としては、弗素四珪素雲母（層電荷０．６）が好まし
い。
【００１０】本発明において用いる、粘土、粘土鉱物又
はイオン交換性層状化合物の形状は、体積平均粒子径が
１０μｍ以下である粒子が好ましく、体積平均粒子径が
３μｍ以下である粒子がさらに好ましい。また、一般に
粒子の粒子形状は粒径分布を有するが、体積平均粒子径
が１０μｍ以下であって、体積平均粒子径が３．０μｍ
以下の含有割合が１０重量％以上である粒径分布を有す
ることが好ましく、体積平均粒子径が１０μｍ以下であ
って、体積平均粒子径が１．５μｍ以下の含有割合が１
０重量％以上である粒径分布を有することがさらに好ま
しい。体積平均粒子径及び含有割合の測定方法として
は、例えば、レーザー光による光透過性で粒径を測定す
る機器（ＧＡＬＡＩ Ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ Ｌｔｄ．
製のＣＩＳ−１）を用いる方法が挙げられる。
はイオン交換性層状化合物の形状は、体積平均粒子径が
１０μｍ以下である粒子が好ましく、体積平均粒子径が
３μｍ以下である粒子がさらに好ましい。また、一般に
粒子の粒子形状は粒径分布を有するが、体積平均粒子径
が１０μｍ以下であって、体積平均粒子径が３．０μｍ
以下の含有割合が１０重量％以上である粒径分布を有す
ることが好ましく、体積平均粒子径が１０μｍ以下であ
って、体積平均粒子径が１．５μｍ以下の含有割合が１
０重量％以上である粒径分布を有することがさらに好ま
しい。体積平均粒子径及び含有割合の測定方法として
は、例えば、レーザー光による光透過性で粒径を測定す
る機器（ＧＡＬＡＩ Ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ Ｌｔｄ．
製のＣＩＳ−１）を用いる方法が挙げられる。
【００１１】また、層状化合物（Ａ）が、層間を有機オ
ニウムイオンで交換した層状化合物であることが好まし
い。本発明に用いられる有機オニウムイオンとは、アン
モニウムイオン、ホスホニウムイオン、スルホニウムイ
オン、複素芳香族環由来のオニウムイオンに代表される
ものである。本発明におけるオニウムイオン構造を存在
させることにより、負に帯電した珪酸塩層の層間に分子
間力の小さい炭化水素構造を導入することができ、有機
オニウムイオンの種類は特に制限されない。これらのう
ち入手容易性、安定性の点からは、アンモニウムイオ
ン、ホスホニウムイオン、複素芳香環由来のオニウムイ
オンが好適である。アンモニウムイオンとしては、ドデ
シルアンモニウム、ヘキサデシルアンモニウム、オクタ
デシルアンモニウム等の１級アンモニウム、メチルドデ
シルアンモニウム、ブチルドデシルアンモニウム、メチ
ルオクタデシルアンモニウム等の２級アンモニウム、ジ
メチルドデシルアンモニウム、ジメチルヘキサデシルア
ンモニウム、ジメチルオクタデシルアンモニウム、ジフ
ェニルドデシルアンモニウム、ジフェニルオクタデシル
アンモニウム等の３級アンモニウム、テトラエチルアン
モニウム、テトラブチルアンモニウム、テトラオクチル
アンモニウム等の同一アルキル基を有する４級アンモニ
ウム、トリメチルオクチルアンモニウム、トリメチルデ
シルアンモニウム、トリメチルドデシルアンモニウム、
トリメチルテトラデシルアンモニウム、トリメチルヘキ
サデシルアンモニウム、トリメチルオクタデシルアンモ
ニウム、トリメチルエイコサニルアンモニウム、トリメ
チルオクタデセニルアンモニウム、トリメチルオクタデ
カジエニルアンモニウム等のトリメチルアルキルアンモ
ニウム、トリエチルドデシルアンモニウム、トリエチル
テトラデシルアンモニウム、トリエチルヘキサデシルア
ンモニウム、トリエチルオクタデシルアンモニウム等の
トリエチルアルキルアンモニウム、トリブチルドデシル
アンモニウム、トリブチルテトラデシルアンモニウム、
トリブチルヘキサデシルアンモニウム、トリブチルオク
タデシルアンモニウム等のトリブチルアルキルアンモニ
ウム、ジメチルジオクチルアンモニウム、ジメチルジデ
シルアンモニウム、ジメチルジテトラデシルアンモニウ
ム、ジメチルジヘキサデシルアンモニウム、ジメチルジ
オクタデシルアンモニウム、ジメチルジオクタデセニル
アンモニウム、ジメチルジオクタデカジエニルアンモニ
ウム等のジメチルジアルキルアンモニウム、ジエチルジ
ドデシルアンモニウム、ジエチルジテトラデシルアンモ
ニウム、ジエチルジヘキサデシルアンモニウム、ジエチ
ルジオクタデシルアンモニウム等のジエチルジアルキル
アンモニウム、ジブチルジドデシルアンモニウム、ジブ
チルジテトラデシルアンモニウム、ジブチルジヘキサデ
シルアンモニウム、ジブチルジオクタデシルアンモニウ
ム等のジブチルジアルキルアンモニウム、メチルベンジ
ルジヘキサデシルアンモニウム等のメチルベンジルジア
ルキルアンモニウム、ジベンジルジヘキサデシルアンモ
ニウム等のジベンジルジアルキルアンモニウム、トリオ
クチルメチルアンモニウム、トリドデシルメチルアンモ
ニウム、トリテトラデシルメチルアンモニウム等のトリ
アルキルメチルアンモニウム、トリオクチルエチルアン
モニウム、トリドデシルエチルアンモニウム等のトリア
ルキルエチルアンモニウム、トリオクチルブチルアンモ
ニウム、トリドデシルブチルアンモニウム等のトリアル
キルブチルアンモニウム、トリメチルベンジルアンモニ
ウム等の芳香環を有する４級アンモニウム、トリメチル
フェニルアンモニウム等の芳香族アミン由来の４級アン
モニウムイオン等のイオンが挙げられる。 ホスホニウ
ムイオンとしては、テトラブチルホスホニウム、テトラ
オクチルホスホニウム、トリメチルデシルホスホニウ
ム、トリメチルドデシルホスホニウム、トリメチルヘキ
サデシルホスホニウム、トリメチルオクタデシルホスホ
ニウム、トリブチルドデシルホスホニウム、トリブチル
ヘキサデシルホスホニウム、トリブチルオクタデシルホ
スホニウム等の４級ホスホニウムイオン等が挙げられ、
複素芳香環由来のオニウムイオンとしては、ピリジニウ
ム、キノリニウム等のイオンが挙げられる。
ニウムイオンで交換した層状化合物であることが好まし
い。本発明に用いられる有機オニウムイオンとは、アン
モニウムイオン、ホスホニウムイオン、スルホニウムイ
オン、複素芳香族環由来のオニウムイオンに代表される
ものである。本発明におけるオニウムイオン構造を存在
させることにより、負に帯電した珪酸塩層の層間に分子
間力の小さい炭化水素構造を導入することができ、有機
オニウムイオンの種類は特に制限されない。これらのう
ち入手容易性、安定性の点からは、アンモニウムイオ
ン、ホスホニウムイオン、複素芳香環由来のオニウムイ
オンが好適である。アンモニウムイオンとしては、ドデ
シルアンモニウム、ヘキサデシルアンモニウム、オクタ
デシルアンモニウム等の１級アンモニウム、メチルドデ
シルアンモニウム、ブチルドデシルアンモニウム、メチ
ルオクタデシルアンモニウム等の２級アンモニウム、ジ
メチルドデシルアンモニウム、ジメチルヘキサデシルア
ンモニウム、ジメチルオクタデシルアンモニウム、ジフ
ェニルドデシルアンモニウム、ジフェニルオクタデシル
アンモニウム等の３級アンモニウム、テトラエチルアン
モニウム、テトラブチルアンモニウム、テトラオクチル
アンモニウム等の同一アルキル基を有する４級アンモニ
ウム、トリメチルオクチルアンモニウム、トリメチルデ
シルアンモニウム、トリメチルドデシルアンモニウム、
トリメチルテトラデシルアンモニウム、トリメチルヘキ
サデシルアンモニウム、トリメチルオクタデシルアンモ
ニウム、トリメチルエイコサニルアンモニウム、トリメ
チルオクタデセニルアンモニウム、トリメチルオクタデ
カジエニルアンモニウム等のトリメチルアルキルアンモ
ニウム、トリエチルドデシルアンモニウム、トリエチル
テトラデシルアンモニウム、トリエチルヘキサデシルア
ンモニウム、トリエチルオクタデシルアンモニウム等の
トリエチルアルキルアンモニウム、トリブチルドデシル
アンモニウム、トリブチルテトラデシルアンモニウム、
トリブチルヘキサデシルアンモニウム、トリブチルオク
タデシルアンモニウム等のトリブチルアルキルアンモニ
ウム、ジメチルジオクチルアンモニウム、ジメチルジデ
シルアンモニウム、ジメチルジテトラデシルアンモニウ
ム、ジメチルジヘキサデシルアンモニウム、ジメチルジ
オクタデシルアンモニウム、ジメチルジオクタデセニル
アンモニウム、ジメチルジオクタデカジエニルアンモニ
ウム等のジメチルジアルキルアンモニウム、ジエチルジ
ドデシルアンモニウム、ジエチルジテトラデシルアンモ
ニウム、ジエチルジヘキサデシルアンモニウム、ジエチ
ルジオクタデシルアンモニウム等のジエチルジアルキル
アンモニウム、ジブチルジドデシルアンモニウム、ジブ
チルジテトラデシルアンモニウム、ジブチルジヘキサデ
シルアンモニウム、ジブチルジオクタデシルアンモニウ
ム等のジブチルジアルキルアンモニウム、メチルベンジ
ルジヘキサデシルアンモニウム等のメチルベンジルジア
ルキルアンモニウム、ジベンジルジヘキサデシルアンモ
ニウム等のジベンジルジアルキルアンモニウム、トリオ
クチルメチルアンモニウム、トリドデシルメチルアンモ
ニウム、トリテトラデシルメチルアンモニウム等のトリ
アルキルメチルアンモニウム、トリオクチルエチルアン
モニウム、トリドデシルエチルアンモニウム等のトリア
ルキルエチルアンモニウム、トリオクチルブチルアンモ
ニウム、トリドデシルブチルアンモニウム等のトリアル
キルブチルアンモニウム、トリメチルベンジルアンモニ
ウム等の芳香環を有する４級アンモニウム、トリメチル
フェニルアンモニウム等の芳香族アミン由来の４級アン
モニウムイオン等のイオンが挙げられる。 ホスホニウ
ムイオンとしては、テトラブチルホスホニウム、テトラ
オクチルホスホニウム、トリメチルデシルホスホニウ
ム、トリメチルドデシルホスホニウム、トリメチルヘキ
サデシルホスホニウム、トリメチルオクタデシルホスホ
ニウム、トリブチルドデシルホスホニウム、トリブチル
ヘキサデシルホスホニウム、トリブチルオクタデシルホ
スホニウム等の４級ホスホニウムイオン等が挙げられ、
複素芳香環由来のオニウムイオンとしては、ピリジニウ
ム、キノリニウム等のイオンが挙げられる。
【００１２】本発明のポリカーボネート複合樹脂では層
状化合物（Ａ）の最大層厚が、２０００Å以下であると
好ましく、５００Å以下であるとさらに好ましく、２０
０Å以下であると最も好ましい。以下、Ｍｅはメチル
基、Ｅｔはエチル基を表す。
状化合物（Ａ）の最大層厚が、２０００Å以下であると
好ましく、５００Å以下であるとさらに好ましく、２０
０Å以下であると最も好ましい。以下、Ｍｅはメチル
基、Ｅｔはエチル基を表す。
【００１３】本発明において、界面補強剤（Ｂ）は、主
骨格としてポリカーボネート部分を有する下記一般式
（Ｉ）で表される。
骨格としてポリカーボネート部分を有する下記一般式
（Ｉ）で表される。
【化１０】
一般式（Ｉ）中、ｅは０〜１の整数。ＲB 及びＲC は、
それぞれ同一でも異なっていてもよく、−Ｃ（＝Ｏ）−
ＮＨ−構造、−Ｃ（＝Ｏ）−構造、−ＣＨ2 −ＣＨ（Ｏ
Ｈ）−構造、−Ｃ（ＣＨ2 ＯＨ）−構造で表される。ｅ
が１である場合には、ＲB 及びＲC は、例えば、ＯＨ末
端ポリカーボネートと、イソシアネート基、エポキシ
基、カルボキシル基、酸ハロゲン化物基等を有する官能
基含有化合物との反応で形成される。また、ｅが０であ
る場合には、Ｒ B 及びＲC は、例えば、官能基含有フェ
ノール等で末端修飾化したことにより、末端は官能基含
有フェノキシ基になるためＲB 及びＲC はない。尚、一
般式（Ｉ）において、ＰＣセグメントの両側にある−Ｏ
−は、ＰＣセグメント中の末端の−Ｏ−を記載したもの
である。
それぞれ同一でも異なっていてもよく、−Ｃ（＝Ｏ）−
ＮＨ−構造、−Ｃ（＝Ｏ）−構造、−ＣＨ2 −ＣＨ（Ｏ
Ｈ）−構造、−Ｃ（ＣＨ2 ＯＨ）−構造で表される。ｅ
が１である場合には、ＲB 及びＲC は、例えば、ＯＨ末
端ポリカーボネートと、イソシアネート基、エポキシ
基、カルボキシル基、酸ハロゲン化物基等を有する官能
基含有化合物との反応で形成される。また、ｅが０であ
る場合には、Ｒ B 及びＲC は、例えば、官能基含有フェ
ノール等で末端修飾化したことにより、末端は官能基含
有フェノキシ基になるためＲB 及びＲC はない。尚、一
般式（Ｉ）において、ＰＣセグメントの両側にある−Ｏ
−は、ＰＣセグメント中の末端の−Ｏ−を記載したもの
である。
【００１４】ＲA 及びＲD は、同一でも異なっていても
よく、それぞれ独立に、下記一般式（II）〜（VII)のい
ずれかで表される。 一般式（II）
よく、それぞれ独立に、下記一般式（II）〜（VII)のい
ずれかで表される。 一般式（II）
【化１１】
（式中、ｆは０〜２５の整数、Ｍは炭素原子、珪素原
子、硫黄原子、リン原子、チタン原子、ジルコニウム原
子である。Ｍ−Ｒ1 、Ｍ−Ｒ2 間の結合は単結合又は二
重結合である。ｈは１〜３の整数、Ｒ1 は、酸素原子、
ハロゲン基、水酸基、ハロメチル基、ハロメトキシ基、
アセチル基、アセトキシ基、イソプロペノキシ基、メチ
ルエチルケトキシイミノ基、炭素数１〜８のアルコキシ
基又は炭素数２〜８のアミノ基であり、複数の場合には
同一も異なっていてもよい。Ｒ2 は、水素原子又は炭素
数１〜３０の炭化水素基であり、複数の場合には同一で
あっても異なっていてもよい。）
子、硫黄原子、リン原子、チタン原子、ジルコニウム原
子である。Ｍ−Ｒ1 、Ｍ−Ｒ2 間の結合は単結合又は二
重結合である。ｈは１〜３の整数、Ｒ1 は、酸素原子、
ハロゲン基、水酸基、ハロメチル基、ハロメトキシ基、
アセチル基、アセトキシ基、イソプロペノキシ基、メチ
ルエチルケトキシイミノ基、炭素数１〜８のアルコキシ
基又は炭素数２〜８のアミノ基であり、複数の場合には
同一も異なっていてもよい。Ｒ2 は、水素原子又は炭素
数１〜３０の炭化水素基であり、複数の場合には同一で
あっても異なっていてもよい。）
【００１５】Ｒ1 のアルコキシ基としては、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブ
トキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｓ−ブト
キシ基、ペンチロキシ基、ヘプチロキシ基、オクチロキ
シ基等が挙げられる。Ｒ2 の炭化水素基としては、例え
ば、メチル基、エチル基、プロピル基等の直鎖の炭化水
素基、ｉ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の分岐型
炭化水素基、フェニル基等芳香環等が挙げられる。
基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブ
トキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｓ−ブト
キシ基、ペンチロキシ基、ヘプチロキシ基、オクチロキ
シ基等が挙げられる。Ｒ2 の炭化水素基としては、例え
ば、メチル基、エチル基、プロピル基等の直鎖の炭化水
素基、ｉ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の分岐型
炭化水素基、フェニル基等芳香環等が挙げられる。
【００１６】一般式（II）で表される基としては、例え
ば、［Ｍ＝炭素原子］トリハロメチル基（例：−Ｃ
Ｆ3）等、ハロアルキル基（例：−ＣＨ2ＣＨ2Ｆ）等、
［Ｍ＝珪素原子］トリアルコキシシリルアルキル基
（例：−（ＣＨ2）3Ｓｉ（ＯＥｔ）3）等、［Ｍ＝硫黄
原子］ハロスルホニル基（例：ＳＣｌ（＝Ｏ）2）、ベ
ンゼンスルホニル基（例：ＳＰｈ（＝Ｏ）2）、ハロベ
ンゼンスルホニル基（例：Ｓ（Ｃ6Ｈ4Ｆ）（＝Ｏ）2）
等、［Ｍ＝リン原子］ジアルコキシホスフィニル基
（例：（Ｏ＝）Ｐ（ＯＥｔ）2）等、［Ｍ＝チタン原
子］ジアルコキシアルキルチタニウムアルキル基等、
［Ｍ＝ジルコニウム原子］トリアルコキシジルコニウム
アルキル基等、［Ｒ1 ＝ハロメチル基（例：トリフルオ
ロメチル基（−ＣＦ3 ）等）］（例：トリス（トリフル
オロメチル）シリル基）等、［Ｒ1 ＝ハロメトキシ基
（例：トリフルオロメトキシ基（−ＯＣＦ3 ）等）］
（例：トリス（トリフルオロメトキシ）シリル基）等、
［Ｒ1 ＝ハロアセチル基（例：トリフルオロアセチル基
（−Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ3 ）等）］（例：トリス（トリフル
オロアセチル）シリル基）等、［Ｒ1 ＝イソプロペノキ
シ基］（例：トリ（イソプロペノキシ）シリル基）等、
［Ｒ1 ＝メチルエチルケトキシイミノ基］（例：トリス
（メチルエチルケトキシイミノ）シリル基）等、［Ｒ1
＝アルコキシ基（例：メトキシ基、エトキシ基、プロポ
キシ基）等］（例：トリメトキシシリルプロピル基、ト
リエトキシシリルプロピル基、トリプロポキシシリルプ
ロピル基）等、［Ｒ1 ＝アミノ基（例：ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基）等］（例：トリ（ジメチルアミ
ノ）シリルプロピル基、トリ（ジエチルアミノ）シリル
プロピル基）等、［Ｒ 2 ＝炭素数１〜３０の炭化水素基
（例：メチル基、エチル基、プロピル基、分岐型炭化水
素基（例：ｉ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基）、芳
香環（例：フェニル基）］（例：ジメトキシメチルシリ
ルプロピル基、ジメトキシエチルシリルプロピル基、ジ
メトキシプロピルシリルプロピル基、ジメトキシ（ｉ−
プロピル）シリルプロピル基、ジメトキシ（ｔｅｒｔ−
ブチル）シリルプロピル基、ジメトキシ（フェニル）シ
リルプロピル基）等が挙げられる。これらの中でも、ト
リアルコキシシリル基が好ましい。
ば、［Ｍ＝炭素原子］トリハロメチル基（例：−Ｃ
Ｆ3）等、ハロアルキル基（例：−ＣＨ2ＣＨ2Ｆ）等、
［Ｍ＝珪素原子］トリアルコキシシリルアルキル基
（例：−（ＣＨ2）3Ｓｉ（ＯＥｔ）3）等、［Ｍ＝硫黄
原子］ハロスルホニル基（例：ＳＣｌ（＝Ｏ）2）、ベ
ンゼンスルホニル基（例：ＳＰｈ（＝Ｏ）2）、ハロベ
ンゼンスルホニル基（例：Ｓ（Ｃ6Ｈ4Ｆ）（＝Ｏ）2）
等、［Ｍ＝リン原子］ジアルコキシホスフィニル基
（例：（Ｏ＝）Ｐ（ＯＥｔ）2）等、［Ｍ＝チタン原
子］ジアルコキシアルキルチタニウムアルキル基等、
［Ｍ＝ジルコニウム原子］トリアルコキシジルコニウム
アルキル基等、［Ｒ1 ＝ハロメチル基（例：トリフルオ
ロメチル基（−ＣＦ3 ）等）］（例：トリス（トリフル
オロメチル）シリル基）等、［Ｒ1 ＝ハロメトキシ基
（例：トリフルオロメトキシ基（−ＯＣＦ3 ）等）］
（例：トリス（トリフルオロメトキシ）シリル基）等、
［Ｒ1 ＝ハロアセチル基（例：トリフルオロアセチル基
（−Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ3 ）等）］（例：トリス（トリフル
オロアセチル）シリル基）等、［Ｒ1 ＝イソプロペノキ
シ基］（例：トリ（イソプロペノキシ）シリル基）等、
［Ｒ1 ＝メチルエチルケトキシイミノ基］（例：トリス
（メチルエチルケトキシイミノ）シリル基）等、［Ｒ1
＝アルコキシ基（例：メトキシ基、エトキシ基、プロポ
キシ基）等］（例：トリメトキシシリルプロピル基、ト
リエトキシシリルプロピル基、トリプロポキシシリルプ
ロピル基）等、［Ｒ1 ＝アミノ基（例：ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基）等］（例：トリ（ジメチルアミ
ノ）シリルプロピル基、トリ（ジエチルアミノ）シリル
プロピル基）等、［Ｒ 2 ＝炭素数１〜３０の炭化水素基
（例：メチル基、エチル基、プロピル基、分岐型炭化水
素基（例：ｉ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基）、芳
香環（例：フェニル基）］（例：ジメトキシメチルシリ
ルプロピル基、ジメトキシエチルシリルプロピル基、ジ
メトキシプロピルシリルプロピル基、ジメトキシ（ｉ−
プロピル）シリルプロピル基、ジメトキシ（ｔｅｒｔ−
ブチル）シリルプロピル基、ジメトキシ（フェニル）シ
リルプロピル基）等が挙げられる。これらの中でも、ト
リアルコキシシリル基が好ましい。
【００１７】一般式(III)
【化１２】
（式中、ｉは０〜２５の整数、ｊは１〜５の整数、Ｒ3
は、ハロゲン基、水酸基、ハロメチル基、ニトロ基、マ
レイミド基、シアノ基、ハロメトキシ基、ハロメチルチ
オ基、ハロアセチル基、アセチル基、アセトキシ基、イ
ソプロペノキシ基、メチルエチルケトキシイミノ基、炭
素数１〜８のアルコキシ基又は炭素数２〜８のアミノ基
であり、複数の場合には同一であっても、異なっていて
もよい。Ｒ 4 は、水素原子又は炭素数１〜３０の炭化水
素基であり、複数の場合には同一でも異なっていてもよ
い。） Ｒ4 の炭化水素基としては、Ｒ2 の例と同じである。
は、ハロゲン基、水酸基、ハロメチル基、ニトロ基、マ
レイミド基、シアノ基、ハロメトキシ基、ハロメチルチ
オ基、ハロアセチル基、アセチル基、アセトキシ基、イ
ソプロペノキシ基、メチルエチルケトキシイミノ基、炭
素数１〜８のアルコキシ基又は炭素数２〜８のアミノ基
であり、複数の場合には同一であっても、異なっていて
もよい。Ｒ 4 は、水素原子又は炭素数１〜３０の炭化水
素基であり、複数の場合には同一でも異なっていてもよ
い。） Ｒ4 の炭化水素基としては、Ｒ2 の例と同じである。
【００１８】一般式(III) で表される基としては、例え
ば、［Ｒ3＝ハロゲン基］ｏ−クロロフェニル基、ｍ−
クロロフェニル基、ｐ−クロロフェニル基等のクロロフ
ェニル基、ｏ−クロロフェニルプロピル基等のクロロフ
ェニルプロピル基、上記化合物における塩素の部分を他
のハロゲン元素で置き換えたハロフェニル基、ハロフェ
ニルアルキル基、［Ｒ3＝シアノ基］ｏ−シアノフェニ
ル基、ｍ−シアノフェニル基、ｐ−シアノフェニル基等
のシアノフェニル基、ｏ−シアノフェニルプロピル基等
のシアノフェニルアルキル基、［Ｒ3＝ニトロ基］ｏ−
ニトロフェニル基、ｍ−ニトロフェニル基、ｐ−ニトロ
フェニル基等のニトロフェニル基、ｏ−ニトロフェニル
プロピル基等のニトロフェニルアルキル基、［Ｒ3＝マ
レイミド基］ｏ−マレイミドフェニル基、ｍ−マレイミ
ドフェニル基、ｐ−マレイミドフェニル基等のマレイミ
ドフェニル基、ｏ−マレイミドフェニルプロピル基等の
マレイミドフェニルアルキル基、［Ｒ3＝ハロメチル
基］ｏ−トリフルオロメチルフェニル基、ｍ−トリフル
オロメチルフェニル基、ｐ−トリフルオロメチルフェニ
ル基等のトリフルオロメチルフェニル基、ｏ−フルオロ
メチルフェニル基、ｍ−フルオロメチルフェニル基、ｐ
−フルオロメチルフェニル基等のフルオロメチルフェニ
ル基、ｏ−トリフルオロメチルフェニルプロピル基等の
トリフルオロメチルフェニルアルキル基、上記弗素の部
分を他のハロゲン元素で置き換えたハロメチルフェニル
基、ハロメチルフェニルアルキル基、［Ｒ3＝ハロメト
キシ基］ｏ−トリフルオロメトキシフェニル基、ｍ−ト
リフルオロメトキシフェニル基、ｐ−トリフルオロメト
キシフェニル基、ｏ−ジフルオロメトキシフェニル基、
ｍ−ジフルオロメトキシフェニル基、ｐ−ジフルオロメ
トキシフェニル基等のフルオロメトキシフェニル基等、
ｏ−トリフルオロメトキシフェニルプロピル基等のトリ
フルオロメトキシフェニルアルキル基、上記弗素の部分
を他のハロゲン元素で置き換えたハロメトキシフェニル
基、ハロメトキシフェニルアルキル基、［Ｒ 3＝ハロメ
チルチオ基］ｏ−トリフルオロメチルチオフェニル基、
ｍ−トリフルオロメチルチオフェニル基、ｐ−トリフル
オロメチルチオフェニル基等のトリフルオロメチルチオ
フェニル基、ｏ−トリフルオロメチルチオフェニルプロ
ピル基等のトリフルオロメチルチオフェニルアルキル
基、上記弗素の部分を他のハロゲン元素で置き換えたハ
ロメチルチオフェニル基、ハロメチルチオフェニルアル
キル基、［Ｒ3＝ハロアセチル基］ｏ−トリフルオロア
セチルフェニル基、ｍ−トリフルオロアセチルフェニル
基、ｐ−トリフルオロアセチルフェニル基等のトリフル
オロアセチルフェニル基、ｏ−トリフルオロアセチルフ
ェニルプロピル基等のハロアセチルフェニルアルキル
基、上記弗素の部分を他のハロゲン元素で置き換えたハ
ロアセチルフェニル基、ハロアセチルフェニルアルキル
基、［Ｒ3＝アセチル基］ｏ−アセチルフェニル基、ｍ
−アセチルフェニル基、ｐ−アセチルフェニル基等のア
セチルフェニル基、ｏ−アセチルフェニルプロピル基等
のアセチルフェニルアルキル基、［Ｒ3＝アルコキシカ
ルボニル基］ｏ−メトキシカルボニルフェニル基、ｍ−
メトキシカルボニルフェニル基、ｐ−メトキシカルボニ
ルフェニル基、ｏ−エトキシカルボニルフェニル基、ｍ
−エトキシカルボニルフェニル基、ｐ−エトキシカルボ
ニルフェニル基等のアルコキシカルボニルフェニル基、
ｏ−メトキシカルボニルフェニルプロピル基等のアルコ
キシカルボニルフェニルアルキル基、［Ｒ3＝アルコキ
シ基］ｏ−メトキシフェニル基、ｍ−メトキシフェニル
基、ｐ−メトキシフェニル基、ｏ−エトキシフェニル
基、ｍ−エトキシフェニル基、ｐ−エトキシフェニル
基、、ｏ−プロポキシフェニル基、ｍ−プロポキシフェ
ニル基、ｐ−プロポキシフェニル基例等のアルコキシフ
ェニル基、ｏ−メトキシフェニルプロピル基等のアルコ
キシフェニルアルキル基、［Ｒ3＝アミノ基］ｏ−ジメ
チルアミノフェニル基、ｍ−ジメチルアミノフェニル
基、ｐ−ジメチルアミノフェニル基、ｏ−ジエチルアミ
ノフェニル基、ｍ−ジエチルアミノフェニル基、ｐ−ジ
エチルアミノフェニル基等のジアルキルアミノフェニル
基、ｏ−ジメチルアミノフェニルプロピル基等のジアル
キルアミノフェニルアルキル基が挙げられる。
ば、［Ｒ3＝ハロゲン基］ｏ−クロロフェニル基、ｍ−
クロロフェニル基、ｐ−クロロフェニル基等のクロロフ
ェニル基、ｏ−クロロフェニルプロピル基等のクロロフ
ェニルプロピル基、上記化合物における塩素の部分を他
のハロゲン元素で置き換えたハロフェニル基、ハロフェ
ニルアルキル基、［Ｒ3＝シアノ基］ｏ−シアノフェニ
ル基、ｍ−シアノフェニル基、ｐ−シアノフェニル基等
のシアノフェニル基、ｏ−シアノフェニルプロピル基等
のシアノフェニルアルキル基、［Ｒ3＝ニトロ基］ｏ−
ニトロフェニル基、ｍ−ニトロフェニル基、ｐ−ニトロ
フェニル基等のニトロフェニル基、ｏ−ニトロフェニル
プロピル基等のニトロフェニルアルキル基、［Ｒ3＝マ
レイミド基］ｏ−マレイミドフェニル基、ｍ−マレイミ
ドフェニル基、ｐ−マレイミドフェニル基等のマレイミ
ドフェニル基、ｏ−マレイミドフェニルプロピル基等の
マレイミドフェニルアルキル基、［Ｒ3＝ハロメチル
基］ｏ−トリフルオロメチルフェニル基、ｍ−トリフル
オロメチルフェニル基、ｐ−トリフルオロメチルフェニ
ル基等のトリフルオロメチルフェニル基、ｏ−フルオロ
メチルフェニル基、ｍ−フルオロメチルフェニル基、ｐ
−フルオロメチルフェニル基等のフルオロメチルフェニ
ル基、ｏ−トリフルオロメチルフェニルプロピル基等の
トリフルオロメチルフェニルアルキル基、上記弗素の部
分を他のハロゲン元素で置き換えたハロメチルフェニル
基、ハロメチルフェニルアルキル基、［Ｒ3＝ハロメト
キシ基］ｏ−トリフルオロメトキシフェニル基、ｍ−ト
リフルオロメトキシフェニル基、ｐ−トリフルオロメト
キシフェニル基、ｏ−ジフルオロメトキシフェニル基、
ｍ−ジフルオロメトキシフェニル基、ｐ−ジフルオロメ
トキシフェニル基等のフルオロメトキシフェニル基等、
ｏ−トリフルオロメトキシフェニルプロピル基等のトリ
フルオロメトキシフェニルアルキル基、上記弗素の部分
を他のハロゲン元素で置き換えたハロメトキシフェニル
基、ハロメトキシフェニルアルキル基、［Ｒ 3＝ハロメ
チルチオ基］ｏ−トリフルオロメチルチオフェニル基、
ｍ−トリフルオロメチルチオフェニル基、ｐ−トリフル
オロメチルチオフェニル基等のトリフルオロメチルチオ
フェニル基、ｏ−トリフルオロメチルチオフェニルプロ
ピル基等のトリフルオロメチルチオフェニルアルキル
基、上記弗素の部分を他のハロゲン元素で置き換えたハ
ロメチルチオフェニル基、ハロメチルチオフェニルアル
キル基、［Ｒ3＝ハロアセチル基］ｏ−トリフルオロア
セチルフェニル基、ｍ−トリフルオロアセチルフェニル
基、ｐ−トリフルオロアセチルフェニル基等のトリフル
オロアセチルフェニル基、ｏ−トリフルオロアセチルフ
ェニルプロピル基等のハロアセチルフェニルアルキル
基、上記弗素の部分を他のハロゲン元素で置き換えたハ
ロアセチルフェニル基、ハロアセチルフェニルアルキル
基、［Ｒ3＝アセチル基］ｏ−アセチルフェニル基、ｍ
−アセチルフェニル基、ｐ−アセチルフェニル基等のア
セチルフェニル基、ｏ−アセチルフェニルプロピル基等
のアセチルフェニルアルキル基、［Ｒ3＝アルコキシカ
ルボニル基］ｏ−メトキシカルボニルフェニル基、ｍ−
メトキシカルボニルフェニル基、ｐ−メトキシカルボニ
ルフェニル基、ｏ−エトキシカルボニルフェニル基、ｍ
−エトキシカルボニルフェニル基、ｐ−エトキシカルボ
ニルフェニル基等のアルコキシカルボニルフェニル基、
ｏ−メトキシカルボニルフェニルプロピル基等のアルコ
キシカルボニルフェニルアルキル基、［Ｒ3＝アルコキ
シ基］ｏ−メトキシフェニル基、ｍ−メトキシフェニル
基、ｐ−メトキシフェニル基、ｏ−エトキシフェニル
基、ｍ−エトキシフェニル基、ｐ−エトキシフェニル
基、、ｏ−プロポキシフェニル基、ｍ−プロポキシフェ
ニル基、ｐ−プロポキシフェニル基例等のアルコキシフ
ェニル基、ｏ−メトキシフェニルプロピル基等のアルコ
キシフェニルアルキル基、［Ｒ3＝アミノ基］ｏ−ジメ
チルアミノフェニル基、ｍ−ジメチルアミノフェニル
基、ｐ−ジメチルアミノフェニル基、ｏ−ジエチルアミ
ノフェニル基、ｍ−ジエチルアミノフェニル基、ｐ−ジ
エチルアミノフェニル基等のジアルキルアミノフェニル
基、ｏ−ジメチルアミノフェニルプロピル基等のジアル
キルアミノフェニルアルキル基が挙げられる。
【００１９】これらの中でも、［Ｒ3＝ハロメトキシ
基］ｏ−トリフルオロメトキシフェニル基、ｍ−トリフ
ルオロメトキシフェニル基、ｐ−トリフルオロメトキシ
フェニル基、ｏ−ジフルオロメトキシフェニル基、ｍ−
ジフルオロメトキシフェニル基、ｐ−ジフルオロメトキ
シフェニル基等のフルオロメトキシフェニル基等、ｏ−
トリフルオロメトキシフェニルプロピル基等のトリフル
オロメトキシフェニルアルキル基、上記弗素の部分を他
のハロゲン元素で置き換えたハロメトキシフェニル基、
ハロメトキシフェニルアルキル基、［Ｒ3＝アルコキシ
基］ｏ−メトキシフェニル基、ｍ−メトキシフェニル
基、ｐ−メトキシフェニル基、ｏ−エトキシフェニル
基、ｍ−エトキシフェニル基、ｐ−エトキシフェニル
基、、ｏ−プロポキシフェニル基、ｍ−プロポキシフェ
ニル基、ｐ−プロポキシフェニル基例等のアルコキシフ
ェニル基、ｏ−メトキシフェニルプロピル基等のアルコ
キシフェニルアルキル基が好ましい。
基］ｏ−トリフルオロメトキシフェニル基、ｍ−トリフ
ルオロメトキシフェニル基、ｐ−トリフルオロメトキシ
フェニル基、ｏ−ジフルオロメトキシフェニル基、ｍ−
ジフルオロメトキシフェニル基、ｐ−ジフルオロメトキ
シフェニル基等のフルオロメトキシフェニル基等、ｏ−
トリフルオロメトキシフェニルプロピル基等のトリフル
オロメトキシフェニルアルキル基、上記弗素の部分を他
のハロゲン元素で置き換えたハロメトキシフェニル基、
ハロメトキシフェニルアルキル基、［Ｒ3＝アルコキシ
基］ｏ−メトキシフェニル基、ｍ−メトキシフェニル
基、ｐ−メトキシフェニル基、ｏ−エトキシフェニル
基、ｍ−エトキシフェニル基、ｐ−エトキシフェニル
基、、ｏ−プロポキシフェニル基、ｍ−プロポキシフェ
ニル基、ｐ−プロポキシフェニル基例等のアルコキシフ
ェニル基、ｏ−メトキシフェニルプロピル基等のアルコ
キシフェニルアルキル基が好ましい。
【００２０】一般式（IV）
【化１３】
（式中、ｋは０〜５の整数、Ｑは珪素原子、チタン原子
又はジルコニウム原子である。ｍは１〜３の整数、Ｒ5
は、ハロゲン基、水酸基、アセトキシ基、イソプロペノ
キシ基、メチルエチルケトキシイミノ基、炭素数１〜８
のアルコキシ基又は炭素数２〜８のアミノ基であり、複
数の場合には同一でも異なっていてもよい。Ｒ6 は、水
素原子又は炭素数１〜３０の炭化水素基であり、複数の
場合には同一でも異なっていてもよい。） Ｒ6 の炭化水素基としては、Ｒ2 の例と同じである。
又はジルコニウム原子である。ｍは１〜３の整数、Ｒ5
は、ハロゲン基、水酸基、アセトキシ基、イソプロペノ
キシ基、メチルエチルケトキシイミノ基、炭素数１〜８
のアルコキシ基又は炭素数２〜８のアミノ基であり、複
数の場合には同一でも異なっていてもよい。Ｒ6 は、水
素原子又は炭素数１〜３０の炭化水素基であり、複数の
場合には同一でも異なっていてもよい。） Ｒ6 の炭化水素基としては、Ｒ2 の例と同じである。
【００２１】一般式（IV）で表される基としては、例え
ば、［Ｍ＝珪素原子］トリアルコキシシリルアルキル
基、ジアルコキシアルキルシリルアルキル基等、［Ｍ＝
チタン原子］ジアルコキシアルキルチタニウムアルキル
基等、［Ｍ＝ジルコニウム原子］トリアルコキシジルコ
ニウムアルキル基等が挙げられる。これらの中でも、ト
リアルコキシシリルアルキル基が好ましい。
ば、［Ｍ＝珪素原子］トリアルコキシシリルアルキル
基、ジアルコキシアルキルシリルアルキル基等、［Ｍ＝
チタン原子］ジアルコキシアルキルチタニウムアルキル
基等、［Ｍ＝ジルコニウム原子］トリアルコキシジルコ
ニウムアルキル基等が挙げられる。これらの中でも、ト
リアルコキシシリルアルキル基が好ましい。
【００２２】一般式（Ｖ）
【化１４】
（式中、ｎは０〜５の整数、ｐは１〜３の整数、Ｒ
7 は、ハロゲン基、水酸基、アセトキシ基、イソプロペ
ノキシ基、メチルエチルケトキシイミノ基、炭素数１〜
８のアルコキシ基又は炭素数２〜８のアミノ基であり、
複数の場合には同一でも異なっていてもよい。Ｒ8 は、
水素原子又は炭素数１〜３０の炭化水素基であり、複数
の場合には同一でも異なっていてもよい。） Ｒ8 の炭化水素基としては、Ｒ2 の例と同じである。
7 は、ハロゲン基、水酸基、アセトキシ基、イソプロペ
ノキシ基、メチルエチルケトキシイミノ基、炭素数１〜
８のアルコキシ基又は炭素数２〜８のアミノ基であり、
複数の場合には同一でも異なっていてもよい。Ｒ8 は、
水素原子又は炭素数１〜３０の炭化水素基であり、複数
の場合には同一でも異なっていてもよい。） Ｒ8 の炭化水素基としては、Ｒ2 の例と同じである。
【００２３】一般式（Ｖ）で表される基としては、トリ
（クロロ）シリル基（-SiCl3）、トリ（ヒドロキシ）シ
リル基（-Si(OH)3）、トリ（アセトキシ）シリル基（-S
i(OCOMe)3）、トリ（イソプロペノキシ）シリル基（-Si
(OC(CH2)Me)3)、トリ（メチルエチルケトキシイミノ）
シリル基（-Si(ONC(Me)Et)3)、トリ（メトキシ）シリル
基（-Si(OMe)3)、トリ（エトキシ）シリル基（-Si(OEt)
3)、トリ（ジメチルアミノ）シリル基（-Si(NMe2)3）、
トリ（クロロ）シリルプロピル基（-(CH2)3SiCl3）、ト
リ（ヒドロキシ）シリルプロピル基（-(CH2)3Si(O
H)3）、トリ（アセトキシ）シリルプロピル基（-(CH2)3
Si(OCOMe)3)、トリ（イソプロペノキシ）シリルプロピ
ル基（-(CH2)3Si(OC(CH2)Me)3)、トリ（メチルエチルケ
トキシイミノ）シリルプロピル基（-(CH2)3Si(ONC(Me)E
t)3)、トリ（メトキシ）シリルプロピル基（-(CH2)3Si
(OMe)3)、トリ（エトキシ）シリルプロピル基（-(CH2)3
Si(OEt)3)、トリ（ジメチルアミノ）シリルプロピル基
（-(CH2)3Si(NMe2)3）等が挙げられる。これらの中で
も、トリ（メトキシ）シリル基、トリ（エトキシ）シリ
ル基、トリ（メトキシ）シリルプロピル基、トリ（エト
キシ）シリルプロピル基が好ましい。
（クロロ）シリル基（-SiCl3）、トリ（ヒドロキシ）シ
リル基（-Si(OH)3）、トリ（アセトキシ）シリル基（-S
i(OCOMe)3）、トリ（イソプロペノキシ）シリル基（-Si
(OC(CH2)Me)3)、トリ（メチルエチルケトキシイミノ）
シリル基（-Si(ONC(Me)Et)3)、トリ（メトキシ）シリル
基（-Si(OMe)3)、トリ（エトキシ）シリル基（-Si(OEt)
3)、トリ（ジメチルアミノ）シリル基（-Si(NMe2)3）、
トリ（クロロ）シリルプロピル基（-(CH2)3SiCl3）、ト
リ（ヒドロキシ）シリルプロピル基（-(CH2)3Si(O
H)3）、トリ（アセトキシ）シリルプロピル基（-(CH2)3
Si(OCOMe)3)、トリ（イソプロペノキシ）シリルプロピ
ル基（-(CH2)3Si(OC(CH2)Me)3)、トリ（メチルエチルケ
トキシイミノ）シリルプロピル基（-(CH2)3Si(ONC(Me)E
t)3)、トリ（メトキシ）シリルプロピル基（-(CH2)3Si
(OMe)3)、トリ（エトキシ）シリルプロピル基（-(CH2)3
Si(OEt)3)、トリ（ジメチルアミノ）シリルプロピル基
（-(CH2)3Si(NMe2)3）等が挙げられる。これらの中で
も、トリ（メトキシ）シリル基、トリ（エトキシ）シリ
ル基、トリ（メトキシ）シリルプロピル基、トリ（エト
キシ）シリルプロピル基が好ましい。
【００２４】一般式(VI)
【化１５】
（式中、ｑは０〜５の整数、ｒは１〜３の整数。Ｒ
9 は、炭素数１〜８のアルコキシ基であり、複数の場合
には同一でも異なっていてもよい。Ｒ10は、水酸基、ハ
ロゲン基又は炭素数１〜１２の炭化水素基であり、複数
の場合には同一でも異なっていてもよい。） Ｒ9 のアルコキシ基の例としては、Ｒ1 の例と同様であ
る。また、Ｒ10の炭化水素基としては、例えば、メチル
基、エチル基、プロピル基等の直鎖の炭化水素基、ｉ−
プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の分岐型炭化水素
基、フェニル基等芳香環等が挙げられる。
9 は、炭素数１〜８のアルコキシ基であり、複数の場合
には同一でも異なっていてもよい。Ｒ10は、水酸基、ハ
ロゲン基又は炭素数１〜１２の炭化水素基であり、複数
の場合には同一でも異なっていてもよい。） Ｒ9 のアルコキシ基の例としては、Ｒ1 の例と同様であ
る。また、Ｒ10の炭化水素基としては、例えば、メチル
基、エチル基、プロピル基等の直鎖の炭化水素基、ｉ−
プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の分岐型炭化水素
基、フェニル基等芳香環等が挙げられる。
【００２５】一般式(VI)で表される基としては、例え
ば、トリメトキシシリル基、トリエトキシシリル基、ト
リプロポキシシリル基等のトリアルコキシシリル基、ジ
メトキシメチルシリル基、ジメトキシエチルシリル基、
ジメトキシプロピルシリル基、ジエトキシメチルシリル
基、ジエトキシエチルシリル基、ジエトキシプロピルシ
リル基等のジアルコキシアルキルシリル基、メトキシジ
メチルシリル基、メトキシジエチルシリル基、メトキシ
ジプロピルシリル基、エトキシジメチルシリル基、エト
キシジエチルシリル基、エトキシジプロピルシリル基等
のアルコキシジアルキルシリル基、ジメトキシフェニル
シリル基、ジエトキシフェニルシリル基等のジアルコキ
フェニルシリル基、メトキシジフェニルシリル基、エト
キシジフェニルシリル基等のアルコキシジフェニルシリ
ル基、ジメトキシクロルシリル基、ジエトキシクロルシ
リル基等のジアルコキシクロルシリル基、上記化合物に
おける塩素の部分を他のハロゲン元素で置き換えたジア
ルコキシハロシリル基、メトキシジクロルシリル基、エ
トキシジクロルシリル基等のアルコキシジクロルシリル
基、上記化合物における塩素の部分を他のハロゲン元素
で置き換えたアルコキシジハロシリル基、ジメトキシヒ
ドロキシルシリル基、ジエトキシヒドロキシルシリル基
等のジアルコキシヒドロキシルシリル基、メトキシジヒ
ドロキシルシリル基、エトキシジヒドロキシルシリル基
等のアルコキシジヒドロキシルシリル基が挙げられる。
これらの中でも、トリメトキシシリル基、トリエトキシ
シリル基、トリプロポキシシリル基等のトリアルコキシ
シリル基が好ましい。
ば、トリメトキシシリル基、トリエトキシシリル基、ト
リプロポキシシリル基等のトリアルコキシシリル基、ジ
メトキシメチルシリル基、ジメトキシエチルシリル基、
ジメトキシプロピルシリル基、ジエトキシメチルシリル
基、ジエトキシエチルシリル基、ジエトキシプロピルシ
リル基等のジアルコキシアルキルシリル基、メトキシジ
メチルシリル基、メトキシジエチルシリル基、メトキシ
ジプロピルシリル基、エトキシジメチルシリル基、エト
キシジエチルシリル基、エトキシジプロピルシリル基等
のアルコキシジアルキルシリル基、ジメトキシフェニル
シリル基、ジエトキシフェニルシリル基等のジアルコキ
フェニルシリル基、メトキシジフェニルシリル基、エト
キシジフェニルシリル基等のアルコキシジフェニルシリ
ル基、ジメトキシクロルシリル基、ジエトキシクロルシ
リル基等のジアルコキシクロルシリル基、上記化合物に
おける塩素の部分を他のハロゲン元素で置き換えたジア
ルコキシハロシリル基、メトキシジクロルシリル基、エ
トキシジクロルシリル基等のアルコキシジクロルシリル
基、上記化合物における塩素の部分を他のハロゲン元素
で置き換えたアルコキシジハロシリル基、ジメトキシヒ
ドロキシルシリル基、ジエトキシヒドロキシルシリル基
等のジアルコキシヒドロキシルシリル基、メトキシジヒ
ドロキシルシリル基、エトキシジヒドロキシルシリル基
等のアルコキシジヒドロキシルシリル基が挙げられる。
これらの中でも、トリメトキシシリル基、トリエトキシ
シリル基、トリプロポキシシリル基等のトリアルコキシ
シリル基が好ましい。
【００２６】一般式（VII)
【化１６】
（ｔは１〜５の整数。Ｒ11は、ハロゲン基、ハロメチル
基、水酸基、マレイミド基、シアノ基、ハロメチル基、
ハロメトキシ基、ハロメチルチオ基、ハロアセチル基、
アセチル基、アセトキシ基、イソプロペノキシ基、メチ
ルエチルケトキシイミノ基、炭素数１〜８のアルコキシ
基又は炭素数２〜８のアミノ基であり、複数の場合には
同一であっても異なっていてもよい。Ｒ12は、水素原子
又は炭素数１〜３０の炭化水素基であり、複数の場合に
は同一であっても異なっていてもよい。） Ｒ12の炭化水素基としては、Ｒ2 の例と同じである。
基、水酸基、マレイミド基、シアノ基、ハロメチル基、
ハロメトキシ基、ハロメチルチオ基、ハロアセチル基、
アセチル基、アセトキシ基、イソプロペノキシ基、メチ
ルエチルケトキシイミノ基、炭素数１〜８のアルコキシ
基又は炭素数２〜８のアミノ基であり、複数の場合には
同一であっても異なっていてもよい。Ｒ12は、水素原子
又は炭素数１〜３０の炭化水素基であり、複数の場合に
は同一であっても異なっていてもよい。） Ｒ12の炭化水素基としては、Ｒ2 の例と同じである。
【００２７】一般式（VII)で表される基としては、例え
ば、［Ｒ3＝ハロゲン基］ｏ−クロロフェニル基、ｍ−
クロロフェニル基、ｐ−クロロフェニル基等のクロロフ
ェニル基、上記化合物における塩素の部分を他のハロゲ
ン元素で置き換えたハロフェニル基、［Ｒ3＝シアノ
基］ｏ−シアノフェニル基、ｍ−シアノフェニル基、ｐ
−シアノフェニル基等のシアノフェニル基、［Ｒ3＝ニ
トロ基］ｏ−ニトロフェニル基、ｍ−ニトロフェニル
基、ｐ−ニトロフェニル基等のニトロフェニル基、［Ｒ
3＝マレイミド基］ｏ−マレイミドフェニル基、ｍ−マ
レイミドフェニル基、ｐ−マレイミドフェニル基等のマ
レイミドフェニル基、［Ｒ3＝ハロメチル基］ｏ−トリ
フルオロメチルフェニル基、ｍ−トリフルオロメチルフ
ェニル基、ｐ−トリフルオロメチルフェニル基等のトリ
フルオロメチルフェニル基、ｏ−フルオロメチルフェニ
ル基、ｍ−フルオロメチルフェニル基、ｐ−フルオロメ
チルフェニル基等のフルオロメチルフェニル基、上記弗
素の部分を他のハロゲン元素で置き換えたハロメチルフ
ェニル基、［Ｒ3＝ハロメトキシ基］ｏ−トリフルオロ
メトキシフェニル基、ｍ−トリフルオロメトキシフェニ
ル基、ｐ−トリフルオロメトキシフェニル基、ｏ−ジフ
ルオロメトキシフェニル基、ｍ−ジフルオロメトキシフ
ェニル基、ｐ−ジフルオロメトキシフェニル基等のフル
オロメトキシフェニル基等、上記弗素の部分を他のハロ
ゲン元素で置き換えたハロメトキシフェニル基、［Ｒ3
＝ハロメチルチオ基］ｏ−トリフルオロメチルチオフェ
ニル基、ｍ−トリフルオロメチルチオフェニル基、ｐ−
トリフルオロメチルチオフェニル基等のトリフルオロメ
チルチオフェニル基、上記弗素の部分を他のハロゲン元
素で置き換えたハロメチルチオフェニル基、［Ｒ3＝ハ
ロアセチル基］ｏ−トリフルオロアセチルフェニル基、
ｍ−トリフルオロアセチルフェニル基、ｐ−トリフルオ
ロアセチルフェニル基等のトリフルオロアセチルフェニ
ル基、上記弗素の部分を他のハロゲン元素で置き換えた
ハロアセチルフェニル基、［Ｒ3＝アセチル基］ｏ−ア
セチルフェニル基、ｍ−アセチルフェニル基、ｐ−アセ
チルフェニル基等のアセチルフェニル基、［Ｒ3＝アル
コキシカルボニル基］ｏ−メトキシカルボニルフェニル
基、ｍ−メトキシカルボニルフェニル基、ｐ−メトキシ
カルボニルフェニル基、ｏ−エトキシカルボニルフェニ
ル基、ｍ−エトキシカルボニルフェニル基、ｐ−エトキ
シカルボニルフェニル基等のアルコキシカルボニルフェ
ニル基、［Ｒ3＝アルコキシ基］ｏ−メトキシフェニル
基、ｍ−メトキシフェニル基、ｐ−メトキシフェニル
基、ｏ−エトキシフェニル基、ｍ−エトキシフェニル
基、ｐ−エトキシフェニル基、、ｏ−プロポキシフェニ
ル基、ｍ−プロポキシフェニル基、ｐ−プロポキシフェ
ニル基例等のアルコキシフェニル基、［Ｒ3＝アミノ
基］ｏ−ジメチルアミノフェニル基、ｍ−ジメチルアミ
ノフェニル基、ｐ−ジメチルアミノフェニル基、ｏ−ジ
エチルアミノフェニル基、ｍ−ジエチルアミノフェニル
基、ｐ−ジエチルアミノフェニル基等のジアルキルアミ
ノフェニル基等が挙げられる。
ば、［Ｒ3＝ハロゲン基］ｏ−クロロフェニル基、ｍ−
クロロフェニル基、ｐ−クロロフェニル基等のクロロフ
ェニル基、上記化合物における塩素の部分を他のハロゲ
ン元素で置き換えたハロフェニル基、［Ｒ3＝シアノ
基］ｏ−シアノフェニル基、ｍ−シアノフェニル基、ｐ
−シアノフェニル基等のシアノフェニル基、［Ｒ3＝ニ
トロ基］ｏ−ニトロフェニル基、ｍ−ニトロフェニル
基、ｐ−ニトロフェニル基等のニトロフェニル基、［Ｒ
3＝マレイミド基］ｏ−マレイミドフェニル基、ｍ−マ
レイミドフェニル基、ｐ−マレイミドフェニル基等のマ
レイミドフェニル基、［Ｒ3＝ハロメチル基］ｏ−トリ
フルオロメチルフェニル基、ｍ−トリフルオロメチルフ
ェニル基、ｐ−トリフルオロメチルフェニル基等のトリ
フルオロメチルフェニル基、ｏ−フルオロメチルフェニ
ル基、ｍ−フルオロメチルフェニル基、ｐ−フルオロメ
チルフェニル基等のフルオロメチルフェニル基、上記弗
素の部分を他のハロゲン元素で置き換えたハロメチルフ
ェニル基、［Ｒ3＝ハロメトキシ基］ｏ−トリフルオロ
メトキシフェニル基、ｍ−トリフルオロメトキシフェニ
ル基、ｐ−トリフルオロメトキシフェニル基、ｏ−ジフ
ルオロメトキシフェニル基、ｍ−ジフルオロメトキシフ
ェニル基、ｐ−ジフルオロメトキシフェニル基等のフル
オロメトキシフェニル基等、上記弗素の部分を他のハロ
ゲン元素で置き換えたハロメトキシフェニル基、［Ｒ3
＝ハロメチルチオ基］ｏ−トリフルオロメチルチオフェ
ニル基、ｍ−トリフルオロメチルチオフェニル基、ｐ−
トリフルオロメチルチオフェニル基等のトリフルオロメ
チルチオフェニル基、上記弗素の部分を他のハロゲン元
素で置き換えたハロメチルチオフェニル基、［Ｒ3＝ハ
ロアセチル基］ｏ−トリフルオロアセチルフェニル基、
ｍ−トリフルオロアセチルフェニル基、ｐ−トリフルオ
ロアセチルフェニル基等のトリフルオロアセチルフェニ
ル基、上記弗素の部分を他のハロゲン元素で置き換えた
ハロアセチルフェニル基、［Ｒ3＝アセチル基］ｏ−ア
セチルフェニル基、ｍ−アセチルフェニル基、ｐ−アセ
チルフェニル基等のアセチルフェニル基、［Ｒ3＝アル
コキシカルボニル基］ｏ−メトキシカルボニルフェニル
基、ｍ−メトキシカルボニルフェニル基、ｐ−メトキシ
カルボニルフェニル基、ｏ−エトキシカルボニルフェニ
ル基、ｍ−エトキシカルボニルフェニル基、ｐ−エトキ
シカルボニルフェニル基等のアルコキシカルボニルフェ
ニル基、［Ｒ3＝アルコキシ基］ｏ−メトキシフェニル
基、ｍ−メトキシフェニル基、ｐ−メトキシフェニル
基、ｏ−エトキシフェニル基、ｍ−エトキシフェニル
基、ｐ−エトキシフェニル基、、ｏ−プロポキシフェニ
ル基、ｍ−プロポキシフェニル基、ｐ−プロポキシフェ
ニル基例等のアルコキシフェニル基、［Ｒ3＝アミノ
基］ｏ−ジメチルアミノフェニル基、ｍ−ジメチルアミ
ノフェニル基、ｐ−ジメチルアミノフェニル基、ｏ−ジ
エチルアミノフェニル基、ｍ−ジエチルアミノフェニル
基、ｐ−ジエチルアミノフェニル基等のジアルキルアミ
ノフェニル基等が挙げられる。
【００２８】これらの中でも、［Ｒ3＝ハロメトキシ
基］ｏ−トリフルオロメトキシフェニル基、ｍ−トリフ
ルオロメトキシフェニル基、ｐ−トリフルオロメトキシ
フェニル基、ｏ−ジフルオロメトキシフェニル基、ｍ−
ジフルオロメトキシフェニル基、ｐ−ジフルオロメトキ
シフェニル基等のフルオロメトキシフェニル基等、上記
弗素の部分を他のハロゲン元素で置き換えたハロメトキ
シフェニル基、［Ｒ3＝アルコキシ基］ｏ−メトキシフ
ェニル基、ｍ−メトキシフェニル基、ｐ−メトキシフェ
ニル基、ｏ−エトキシフェニル基、ｍ−エトキシフェニ
ル基、ｐ−エトキシフェニル基、、ｏ−プロポキシフェ
ニル基、ｍ−プロポキシフェニル基、ｐ−プロポキシフ
ェニル基例等のアルコキシフェニル基が好ましい。
基］ｏ−トリフルオロメトキシフェニル基、ｍ−トリフ
ルオロメトキシフェニル基、ｐ−トリフルオロメトキシ
フェニル基、ｏ−ジフルオロメトキシフェニル基、ｍ−
ジフルオロメトキシフェニル基、ｐ−ジフルオロメトキ
シフェニル基等のフルオロメトキシフェニル基等、上記
弗素の部分を他のハロゲン元素で置き換えたハロメトキ
シフェニル基、［Ｒ3＝アルコキシ基］ｏ−メトキシフ
ェニル基、ｍ−メトキシフェニル基、ｐ−メトキシフェ
ニル基、ｏ−エトキシフェニル基、ｍ−エトキシフェニ
ル基、ｐ−エトキシフェニル基、、ｏ−プロポキシフェ
ニル基、ｍ−プロポキシフェニル基、ｐ−プロポキシフ
ェニル基例等のアルコキシフェニル基が好ましい。
【００２９】本発明のポリカーボネート複合樹脂におい
て、界面補強剤（Ｂ）の数平均分子量、２，０００〜５
０，０００であると好ましく、２，０００〜１５，００
０であるとさらに好ましい。界面補強剤（Ｂ）の数平均
分子量が２，０００〜５０，０００であると、ポリカー
ボネートと良好な相溶性を示し、かつ製造時の熱劣化が
防止できる。
て、界面補強剤（Ｂ）の数平均分子量、２，０００〜５
０，０００であると好ましく、２，０００〜１５，００
０であるとさらに好ましい。界面補強剤（Ｂ）の数平均
分子量が２，０００〜５０，０００であると、ポリカー
ボネートと良好な相溶性を示し、かつ製造時の熱劣化が
防止できる。
【００３０】本発明のポリカーボネート複合樹脂におけ
るポリカーボネート樹脂としては、特に限定されるもの
ではなく、脂肪族、脂環族、芳香族ポリカーボネートの
いずれも含むものであるが、芳香族ポリカーボネートが
好ましい。芳香族ポリカーボネートは、多価フェノール
類を含むことのある１種以上のビスフェノール類と、ビ
スアルキルカーボネート、ビスアリールカーボネート、
ホスゲン等の炭酸エステル類との反応により製造され
る。
るポリカーボネート樹脂としては、特に限定されるもの
ではなく、脂肪族、脂環族、芳香族ポリカーボネートの
いずれも含むものであるが、芳香族ポリカーボネートが
好ましい。芳香族ポリカーボネートは、多価フェノール
類を含むことのある１種以上のビスフェノール類と、ビ
スアルキルカーボネート、ビスアリールカーボネート、
ホスゲン等の炭酸エステル類との反応により製造され
る。
【００３１】ビスフェノール類としては、例えば、ビス
（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパンすなわちビスフェノールＡ、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，
２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン、２，２
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタ
ン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサ
ン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−メ
チルペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）シクロヘキサン、ビス（４−ヒドロキシ−３−
メチルフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−３−
メチルフェニル）フェニルメタン、１，１−ビス（４−
ヒドロキシ−３−メチルフェニル）エタン、２，２−ビ
ス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−エチルフェニル）
プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−イソプ
ロピルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロ
キシ−３−ｓｅｃ−ブチルフェニル）プロパン、ビス
（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタ
ン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フ
ェニルプロパン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ジフ
ェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ジベン
ジルメタン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテ
ル、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４’−
ジヒドロキシベンゾフェノン、フェノールフタレイン等
が挙げられる。これらの中で、ビスフェノールＡ、１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエ
タン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチル
フェニル）プロパン等が好ましく、ビスフェノールＡが
特に好ましい。
（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパンすなわちビスフェノールＡ、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，
２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン、２，２
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタ
ン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサ
ン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−メ
チルペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）シクロヘキサン、ビス（４−ヒドロキシ−３−
メチルフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−３−
メチルフェニル）フェニルメタン、１，１−ビス（４−
ヒドロキシ−３−メチルフェニル）エタン、２，２−ビ
ス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−エチルフェニル）
プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−イソプ
ロピルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロ
キシ−３−ｓｅｃ−ブチルフェニル）プロパン、ビス
（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタ
ン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フ
ェニルプロパン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ジフ
ェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ジベン
ジルメタン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテ
ル、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４’−
ジヒドロキシベンゾフェノン、フェノールフタレイン等
が挙げられる。これらの中で、ビスフェノールＡ、１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエ
タン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチル
フェニル）プロパン等が好ましく、ビスフェノールＡが
特に好ましい。
【００３２】また、ポリカーボネート樹脂の主骨格内に
ポリシロキサン部を有する、ポリカーボネートポリシロ
キサン共重合体も挙げられる。多価フェノール類は、ポ
リカーボネート樹脂のレオロジー的性質を変化させた
り、表面摩耗性特性を改良する目的で共重合成分として
用いられ、例えば、１，１，１−トリス（４−ヒドロキ
シフェニル）エタン等のトリスフェノール類等が挙げら
れる。
ポリシロキサン部を有する、ポリカーボネートポリシロ
キサン共重合体も挙げられる。多価フェノール類は、ポ
リカーボネート樹脂のレオロジー的性質を変化させた
り、表面摩耗性特性を改良する目的で共重合成分として
用いられ、例えば、１，１，１−トリス（４−ヒドロキ
シフェニル）エタン等のトリスフェノール類等が挙げら
れる。
【００３３】本発明のポリカーボネート複合樹脂には、
本発明の目的を損なわない限りにおいて、必要に応じ通
常のポリカーボネート樹脂にブレンドされる熱可塑性樹
脂や熱可塑性エラストマー、例えば、ポリアミド樹脂、
芳香族ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、ＡＢＳ
樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリアリーレンス
ルフィド樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリス
チレン樹脂、無水マレイン酸変性ポリスチレン樹脂、エ
ポキシ基を有する化合物で変性されたポリスチレン樹
脂、芳香族ポリカーボネートポリシロキサン共重合体、
ポリエステルエラストマー、酸無水物基又はエポキシ基
を有する化合物で変性されたスチレン系熱可塑性エラス
トマー、アクリルゴム、コアーシェル型アクリルゴム、
ＭＢＳゴム等を加えてもよい。
本発明の目的を損なわない限りにおいて、必要に応じ通
常のポリカーボネート樹脂にブレンドされる熱可塑性樹
脂や熱可塑性エラストマー、例えば、ポリアミド樹脂、
芳香族ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、ＡＢＳ
樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリアリーレンス
ルフィド樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリス
チレン樹脂、無水マレイン酸変性ポリスチレン樹脂、エ
ポキシ基を有する化合物で変性されたポリスチレン樹
脂、芳香族ポリカーボネートポリシロキサン共重合体、
ポリエステルエラストマー、酸無水物基又はエポキシ基
を有する化合物で変性されたスチレン系熱可塑性エラス
トマー、アクリルゴム、コアーシェル型アクリルゴム、
ＭＢＳゴム等を加えてもよい。
【００３４】本発明のポリカーボネート複合樹脂は、さ
らに熱可塑性樹脂を配合してなり、、層状化合物（Ａ）
を０．１〜５０重量％含有すると好ましく、含有量が
１．０〜２０重量％であるとさらに好ましい。
らに熱可塑性樹脂を配合してなり、、層状化合物（Ａ）
を０．１〜５０重量％含有すると好ましく、含有量が
１．０〜２０重量％であるとさらに好ましい。
【００３５】本発明のポリカーボネート複合樹脂の製造
方法としては、特に制限はないが、溶融混練等によって
混練され、射出成形、押出成形、熱プレス成形、ブロー
成形等により成形すればよい。混練は、単軸又は多軸押
出機、ニーダー、バンバリーミキサー、ロール、プラス
トミル等を使用することができ、混練条件の例として
は、回転数が１〜３，０００ｒｐｍ、好ましくは１０〜
１，０００ｒｐｍ、混練処理圧力が０〜４０ＭＰａ、好
ましくは０．１〜１０ＭＰａ、混練温度は、ポリカーボ
ネート複合樹脂中のポリカーボネート重合体が溶融する
温度でよいが、一般に２５０〜３２０℃の範囲、好まし
くは２６０〜３００℃、混練処理温度が３０秒〜１時間
である。また、混練処理時には、複合樹脂を不活性ガス
雰囲気下におくことが好ましく、場合により、スチーム
を添加したり、減圧下複合樹脂中の揮発分を除去しても
よい。混練処理後の成形条件の例としては、成形圧力が
２〜４０ＭＰａ、成形温度が２５０〜３２０℃、好まし
くは２６０〜３００℃、成形機としては押出成形機、射
出成形機等を使用し、せん断処理と成形を同時に行うこ
ともできる。
方法としては、特に制限はないが、溶融混練等によって
混練され、射出成形、押出成形、熱プレス成形、ブロー
成形等により成形すればよい。混練は、単軸又は多軸押
出機、ニーダー、バンバリーミキサー、ロール、プラス
トミル等を使用することができ、混練条件の例として
は、回転数が１〜３，０００ｒｐｍ、好ましくは１０〜
１，０００ｒｐｍ、混練処理圧力が０〜４０ＭＰａ、好
ましくは０．１〜１０ＭＰａ、混練温度は、ポリカーボ
ネート複合樹脂中のポリカーボネート重合体が溶融する
温度でよいが、一般に２５０〜３２０℃の範囲、好まし
くは２６０〜３００℃、混練処理温度が３０秒〜１時間
である。また、混練処理時には、複合樹脂を不活性ガス
雰囲気下におくことが好ましく、場合により、スチーム
を添加したり、減圧下複合樹脂中の揮発分を除去しても
よい。混練処理後の成形条件の例としては、成形圧力が
２〜４０ＭＰａ、成形温度が２５０〜３２０℃、好まし
くは２６０〜３００℃、成形機としては押出成形機、射
出成形機等を使用し、せん断処理と成形を同時に行うこ
ともできる。
【００３６】また、本発明に用いられる界面補強剤
（Ｂ）は、ポリカーボネート樹脂、層状化合物（Ａ）と
混練前に３成分粉末混合して混練、又はポリカーボネー
ト樹脂と溶媒中で溶解混合後乾燥したものと層状化合物
（Ａ）とを混練してもよい。また、ポリカーボネート樹
脂と層状化合物（Ａ）の混練中に添加、又はポリカーボ
ネート樹脂と層状化合物（Ａ）の混練品と混練してもよ
い。
（Ｂ）は、ポリカーボネート樹脂、層状化合物（Ａ）と
混練前に３成分粉末混合して混練、又はポリカーボネー
ト樹脂と溶媒中で溶解混合後乾燥したものと層状化合物
（Ａ）とを混練してもよい。また、ポリカーボネート樹
脂と層状化合物（Ａ）の混練中に添加、又はポリカーボ
ネート樹脂と層状化合物（Ａ）の混練品と混練してもよ
い。
【００３７】本発明のポリカーボネート複合樹脂には、
目的に応じて、顔料や染料、熱安定剤、酸化防止剤、紫
外線吸収剤、光安定剤、滑剤、可塑剤、難燃剤又は帯電
防止剤等の添加剤を添加することができる。また、本発
明のポリカーボネート複合樹脂は、透明性が維持されか
つ機械的特性に優れるフィルムにも利用できる、そのよ
うな成形品やフィルムは外観、機械的特性及び耐熱変形
性等に優れるため、例えば、自動車部品、家庭用電気製
品部品、精密機械部品、家庭日用品、包装・容器資材、
電気磁気基材、その他一般工業用資材に好適に用いられ
る。本発明のポリカーボネート複合樹脂では層状化合物
（Ａ）の最大層厚が２０００Å以下と薄く、層状化合物
（Ａ）が均一に分散していることから、透明性や外観を
損なうことなく、また比重を増加させることなく、弾性
率等の機械的物性を向上することができる。
目的に応じて、顔料や染料、熱安定剤、酸化防止剤、紫
外線吸収剤、光安定剤、滑剤、可塑剤、難燃剤又は帯電
防止剤等の添加剤を添加することができる。また、本発
明のポリカーボネート複合樹脂は、透明性が維持されか
つ機械的特性に優れるフィルムにも利用できる、そのよ
うな成形品やフィルムは外観、機械的特性及び耐熱変形
性等に優れるため、例えば、自動車部品、家庭用電気製
品部品、精密機械部品、家庭日用品、包装・容器資材、
電気磁気基材、その他一般工業用資材に好適に用いられ
る。本発明のポリカーボネート複合樹脂では層状化合物
（Ａ）の最大層厚が２０００Å以下と薄く、層状化合物
（Ａ）が均一に分散していることから、透明性や外観を
損なうことなく、また比重を増加させることなく、弾性
率等の機械的物性を向上することができる。
【００３８】
【実施例】次に、実施例を用いて本発明をさらに詳しく
説明する。 実施例１ 層状化合物（Ａ）として有機化雲母（コープケミカル社
製：ＭＡＥ）１ｇ、界面強化剤（Ｂ）として下記化合物
Ａ［数平均分子量Ｍｎ＝４８７８］１ｇ、ポリカーボネ
ート（出光石油化学製：ＦＮ２２００Ａ）１８ｇ及びア
デカスタブＰＥＰ３６（旭電化工業（株）製、リン系安
定剤）２０ｍｇの混合物を、内容積３０ミリリットルの
プラストミルを使用し、２８０℃及び回転速度５０ｒｐ
ｍの条件で５分間熱せん断処理した。この混練物を成形
温度２８０℃で熱プレスして、シート（横３ｃｍ、縦６
ｃｍ及び厚さ１ｍｍ）を作製した。次に、作製したシー
トから横４ｍｍ、縦４０ｃｍのシートを切り出し、貯蔵
弾性率の測定を行った。測定装置としては、岩本製作所
（株）製の全自動測定型貯蔵弾性率測定装置、粘弾性ス
ペクトロメータｔｙｐｅＶＥＳ−Ｆ−を使用した。測定
条件は、初期荷重４．９Ｎ、周波数１０Ｈｚ、開始温度
０℃、終了温度２３０℃であった。２０℃、８０℃及び
１４０℃における貯蔵弾性率の測定結果を表１に示す。
説明する。 実施例１ 層状化合物（Ａ）として有機化雲母（コープケミカル社
製：ＭＡＥ）１ｇ、界面強化剤（Ｂ）として下記化合物
Ａ［数平均分子量Ｍｎ＝４８７８］１ｇ、ポリカーボネ
ート（出光石油化学製：ＦＮ２２００Ａ）１８ｇ及びア
デカスタブＰＥＰ３６（旭電化工業（株）製、リン系安
定剤）２０ｍｇの混合物を、内容積３０ミリリットルの
プラストミルを使用し、２８０℃及び回転速度５０ｒｐ
ｍの条件で５分間熱せん断処理した。この混練物を成形
温度２８０℃で熱プレスして、シート（横３ｃｍ、縦６
ｃｍ及び厚さ１ｍｍ）を作製した。次に、作製したシー
トから横４ｍｍ、縦４０ｃｍのシートを切り出し、貯蔵
弾性率の測定を行った。測定装置としては、岩本製作所
（株）製の全自動測定型貯蔵弾性率測定装置、粘弾性ス
ペクトロメータｔｙｐｅＶＥＳ−Ｆ−を使用した。測定
条件は、初期荷重４．９Ｎ、周波数１０Ｈｚ、開始温度
０℃、終了温度２３０℃であった。２０℃、８０℃及び
１４０℃における貯蔵弾性率の測定結果を表１に示す。
【００３９】化合物Ａ
【化１７】
【００４０】比較例１
実施例１において、ポリカーボネート（出光石油化学
製：ＦＮ２２００Ａ）１８ｇの量を１９ｇに変更し、界
面強化剤（Ｂ）を使用しなかった以外は同様にしてシー
ト（横３ｃｍ、縦６ｃｍ及び厚さ１ｍｍ）を作製し、貯
蔵弾性率の測定を行った。２０℃、８０℃及び１４０℃
における貯蔵弾性率の測定結果を表１に示す。 比較例２ 実施例１において、ポリカーボネート（出光石油化学
製：ＦＮ２２００Ａ）１８ｇの量を１９ｇに変更し、層
状化合物（Ａ）を使用しなかった以外は同様にしてシー
ト（横３ｃｍ、縦６ｃｍ及び厚さ１ｍｍ）を作製し、貯
蔵弾性率の測定を行った。２０℃、８０℃及び１４０℃
における貯蔵弾性率の測定結果を表１に示す。 比較例３ 実施例１において、ポリカーボネート（出光石油化学
製：ＦＮ２２００Ａ）１８ｇの量を２０ｇに変更し、層
状化合物（Ａ）及び界面強化剤（Ｂ）を使用しなかった
以外は同様にしてシート（横３ｃｍ、縦６ｃｍ及び厚さ
１ｍｍ）を作製し、貯蔵弾性率の測定を行った。２０
℃、８０℃及び１４０℃における貯蔵弾性率の測定結果
を表１に示す。
製：ＦＮ２２００Ａ）１８ｇの量を１９ｇに変更し、界
面強化剤（Ｂ）を使用しなかった以外は同様にしてシー
ト（横３ｃｍ、縦６ｃｍ及び厚さ１ｍｍ）を作製し、貯
蔵弾性率の測定を行った。２０℃、８０℃及び１４０℃
における貯蔵弾性率の測定結果を表１に示す。 比較例２ 実施例１において、ポリカーボネート（出光石油化学
製：ＦＮ２２００Ａ）１８ｇの量を１９ｇに変更し、層
状化合物（Ａ）を使用しなかった以外は同様にしてシー
ト（横３ｃｍ、縦６ｃｍ及び厚さ１ｍｍ）を作製し、貯
蔵弾性率の測定を行った。２０℃、８０℃及び１４０℃
における貯蔵弾性率の測定結果を表１に示す。 比較例３ 実施例１において、ポリカーボネート（出光石油化学
製：ＦＮ２２００Ａ）１８ｇの量を２０ｇに変更し、層
状化合物（Ａ）及び界面強化剤（Ｂ）を使用しなかった
以外は同様にしてシート（横３ｃｍ、縦６ｃｍ及び厚さ
１ｍｍ）を作製し、貯蔵弾性率の測定を行った。２０
℃、８０℃及び１４０℃における貯蔵弾性率の測定結果
を表１に示す。
【００４１】
【表１】
表１に示したように、実施例１に比べ比較例１〜３は、
全ての温度において貯蔵弾性率が劣っていた。これは、
実施例１のポリカーボネート複合樹脂が、層状化合物
（Ａ）及びポリカーボネート複合樹脂を含み、さらにそ
れらの界面を補強する界面補強剤（Ｂ）を有するためで
ある。
全ての温度において貯蔵弾性率が劣っていた。これは、
実施例１のポリカーボネート複合樹脂が、層状化合物
（Ａ）及びポリカーボネート複合樹脂を含み、さらにそ
れらの界面を補強する界面補強剤（Ｂ）を有するためで
ある。
【００４２】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明のポ
リカーボネート複合樹脂は、従来の複合樹脂よりも、高
剛性で、弾性率が向上している。したがってこのポリカ
ーボネート複合樹脂からなる成形品やフィルムは外観、
機械的特性及び耐熱変形性等に優れるため、例えば、自
動車部品、家庭用電気製品部品、精密機械部品、家庭日
用品、包装・容器資材、電気磁気基材、その他一般工業
用資材に最適である。
リカーボネート複合樹脂は、従来の複合樹脂よりも、高
剛性で、弾性率が向上している。したがってこのポリカ
ーボネート複合樹脂からなる成形品やフィルムは外観、
機械的特性及び耐熱変形性等に優れるため、例えば、自
動車部品、家庭用電気製品部品、精密機械部品、家庭日
用品、包装・容器資材、電気磁気基材、その他一般工業
用資材に最適である。
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4J002 BC023 BG043 BN123 BN153
BN163 BP013 CD003 CF043
CF103 CF163 CF183 CG001
CG022 CH073 CH083 CL003
CN013 CP173 DJ006 DJ056
FA016 FB086 FD202 GG00
GM00 GN00 GQ00
4J029 AA09 AB07 AE01 AE03 BB12A
BB12B BB12C BB13A BB13B
BB13C BD09A BE05A BF14A
BH02 BH04 DB09 DB13 HC01
HC04A HC05A JE222 JF322
JF332 KH01
Claims (14)
- 【請求項１】 層状化合物（Ａ）と、界面補強剤（Ｂ）
と、ポリカーボネート樹脂とを含有する複合樹脂であっ
て、界面補強剤（Ｂ）が、主骨格としてポリカーボネー
ト部分を有する下記一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、ｅは０〜１の整数。ＲB 及びＲC は、それぞれ
同一でも異なっていてもよく、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−構
造、−Ｃ（＝Ｏ）−構造、−ＣＨ2 −ＣＨ（ＯＨ）−構
造、−Ｃ（ＣＨ2 ＯＨ）−構造で表される。ＲA 及びＲ
D は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に、
下記一般式（II） 【化２】 （式中、ｆは０〜２５の整数、Ｍは炭素原子、珪素原
子、硫黄原子、リン原子、チタン原子、ジルコニウム原
子である。Ｍ−Ｒ1 、Ｍ−Ｒ2 間の結合は単結合又は二
重結合である。ｈは１〜３の整数、Ｒ1 は、酸素原子、
ハロゲン基、水酸基、ハロメチル基、ハロメトキシ基、
アセチル基、アセトキシ基、イソプロペノキシ基、メチ
ルエチルケトキシイミノ基、炭素数１〜８のアルコキシ
基又は炭素数２〜８のアミノ基であり、複数の場合には
同一も異なっていてもよい。Ｒ2 は、水素原子又は炭素
数１〜３０の炭化水素基であり、複数の場合には同一で
あっても異なっていてもよい。）で表される。）で表さ
れることを特徴とするポリカーボネート複合樹脂。 - 【請求項２】 前記一般式（Ｉ）中のＲA 、ＲD が、同
一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に、一般式(I
II) 【化３】 （式中、ｉは０〜２５の整数、ｊは１〜５の整数、Ｒ3
は、ハロゲン基、水酸基、ハロメチル基、ニトロ基、マ
レイミド基、シアノ基、ハロメトキシ基、ハロメチルチ
オ基、ハロアセチル基、アセチル基、アセトキシ基、イ
ソプロペノキシ基、メチルエチルケトキシイミノ基、炭
素数１〜８のアルコキシ基又は炭素数２〜８のアミノ基
であり、複数の場合には同一であっても、異なっていて
もよい。Ｒ 4 は、水素原子又は炭素数１〜３０の炭化水
素基であり、複数の場合には同一でも異なっていてもよ
い。）で表されることを特徴とする請求項１記載のポリ
カーボネート複合樹脂。 - 【請求項３】 前記一般式（Ｉ）中のＲA 、ＲD が、同
一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に、一般式
（IV） 【化４】 （式中、ｋは０〜５の整数、Ｑは珪素原子、チタン原子
又はジルコニウム原子である。ｍは１〜３の整数、Ｒ5
は、ハロゲン基、水酸基、アセトキシ基、イソプロペノ
キシ基、メチルエチルケトキシイミノ基、炭素数１〜８
のアルコキシ基又は炭素数２〜８のアミノ基であり、複
数の場合には同一でも異なっていてもよい。Ｒ6 は、水
素原子又は炭素数１〜３０の炭化水素基であり、複数の
場合には同一でも異なっていてもよい。）で表されるこ
とを特徴とする請求項１記載のポリカーボネート複合樹
脂。 - 【請求項４】 前記一般式（Ｉ）中のＲA 、ＲD が、同
一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に、一般式
（Ｖ） 【化５】 （式中、ｎは０〜５の整数、ｐは１〜３の整数、Ｒ
7 は、ハロゲン基、水酸基、アセトキシ基、イソプロペ
ノキシ基、メチルエチルケトキシイミノ基、炭素数１〜
８のアルコキシ基又は炭素数２〜８のアミノ基であり、
複数の場合には同一でも異なっていてもよい。Ｒ8 は、
水素原子又は炭素数１〜３０の炭化水素基であり、複数
の場合には同一でも異なっていてもよい。）で表される
ことを特徴とする請求項１記載のポリカーボネート複合
樹脂。 - 【請求項５】 前記一般式（Ｉ）中のＲA 、ＲD が、同
一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に、一般式(V
I) 【化６】 （式中、ｑは０〜５の整数、ｒは１〜３の整数。Ｒ
9 は、炭素数１〜８のアルコキシ基であり、複数の場合
には同一でも異なっていてもよい。Ｒ10は、水酸基、ハ
ロゲン基又は炭素数１〜１２の炭化水素基であり、複数
の場合には同一でも異なっていてもよい。）で表される
ことを特徴とする請求項１記載のポリカーボネート複合
樹脂。 - 【請求項６】 前記一般式（Ｉ）中のＲA 、ＲD が、同
一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に、一般式
（VII) 【化７】 （ｔは１〜５の整数。Ｒ11は、ハロゲン基、ハロメチル
基、水酸基、マレイミド基、シアノ基、ハロメチル基、
ハロメトキシ基、ハロメチルチオ基、ハロアセチル基、
アセチル基、アセトキシ基、イソプロペノキシ基、メチ
ルエチルケトキシイミノ基、炭素数１〜８のアルコキシ
基又は炭素数２〜８のアミノ基であり、複数の場合には
同一であっても異なっていてもよい。Ｒ12は、水素原子
又は炭素数１〜３０の炭化水素基であり、複数の場合に
は同一であっても異なっていてもよい。）で表されるこ
とを特徴とする請求項１記載のポリカーボネート複合樹
脂。 - 【請求項７】 層状化合物（Ａ）が、粘土、粘土鉱物及
びイオン交換性層状化合物の中から選ばれる少なくとも
１種類からなることを特徴とする請求項１〜６のいずれ
かに記載のポリカーボネート複合樹脂。 - 【請求項８】 層状化合物（Ａ）が、層間を有機オニウ
ムイオンで交換した層状化合物であることを特徴とする
請求項１〜７のいずれかに記載のポリカーボネート複合
樹脂。 - 【請求項９】 界面補強剤（Ｂ）の数平均分子量が、
２，０００〜５０，０００であることを特徴とする請求
項１〜８のいずれかに記載のポリカーボネート複合樹
脂。 - 【請求項１０】 層状化合物（Ａ）の最大層厚が、２，
０００Å以下であることを特徴とする請求項１〜９のい
ずれかに記載のポリカーボネート複合樹脂。 - 【請求項１１】 層状化合物（Ａ）の最大層厚が、５０
０Å以下であることを特徴とする請求項１０に記載のポ
リカーボネート複合樹脂。 - 【請求項１２】 層状化合物（Ａ）の最大層厚が、２０
０Å以下であることを特徴とする請求項１１に記載のポ
リカーボネート複合樹脂。 - 【請求項１３】 さらに熱可塑性樹脂を配合してなり、
層状化合物（Ａ）を０．１〜３０重量％含有することを
特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載のポリカー
ボネート複合樹脂。 - 【請求項１４】 層状化合物（Ａ）を０．１〜２０重量
％含有することを特徴とする請求項１３に記載のポリカ
ーボネート複合樹脂。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002055406A JP2003253108A (ja) | 2002-03-01 | 2002-03-01 | ポリカーボネート複合樹脂 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002055406A JP2003253108A (ja) | 2002-03-01 | 2002-03-01 | ポリカーボネート複合樹脂 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003253108A true JP2003253108A (ja) | 2003-09-10 |
Family
ID=28666247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002055406A Pending JP2003253108A (ja) | 2002-03-01 | 2002-03-01 | ポリカーボネート複合樹脂 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003253108A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008101191A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-05-01 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 末端に反応基を有するポリカーボネート樹脂を用いた複合材料 |
-
2002
- 2002-03-01 JP JP2002055406A patent/JP2003253108A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008101191A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-05-01 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 末端に反応基を有するポリカーボネート樹脂を用いた複合材料 |
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