JP2003249826A - Differential circuit and amplification circuit, and display device using these circuits - Google Patents

Differential circuit and amplification circuit, and display device using these circuits

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JP2003249826A JP2002048381A JP2002048381A JP2003249826A JP 2003249826 A JP2003249826 A JP 2003249826A JP 2002048381 A JP2002048381 A JP 2002048381A JP 2002048381 A JP2002048381 A JP 2002048381A JP 2003249826 A JP2003249826 A JP 2003249826A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a differential circuit and an amplification circuit whose variations of amplitude difference is small, full-range driving is possible, and power consumption is low. <P>SOLUTION: This device has a pair of p-type transistors 101 and 102 and a pair of n-type transistors 103 and 104. A current source 105 and a switch 111 are connected in parallel between a source, to which the transistors 101 and 102 are connected in common and a power source VDD. A current source 106 and a switch 120 are connected in parallel between a source, to which the transistors 103 and 104 are connected in common and a power source VSS. This device also has connection switching means (switches 112 to 119), which freely switch the respective transistor pairs to a differential pair, which receive a differential input voltage or a current mirror pair which serves the load of the differential pair. When one of the two pairs of transistors become the differential pair, the other pair become the current mirror pair. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、差動回路及び増幅
回路及びそれを用いた表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a differential circuit, an amplifier circuit and a display device using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】高電位側と低電位側のフルレンジ駆動の
ために、充電用アンプと放電用アンプの2つのアンプを
切り替えて駆動する駆動回路が知られている。しかしな
がら、この種の駆動回路を、液晶表示装置の駆動回路に
用いた場合、トランジスタ特性のばらつき等により、2
つのアンプそれぞれで出力偏差が生じる。このため、同
一階調の正極性と負極性の電圧振幅差の各出力間のばら
つき(振幅差偏差)が大きく、画質が低下する場合があ
った。なお、振幅差偏差とは、多出力の液晶駆動回路の
性能指標の1つであり、同一階調の正極性と負極性の電
圧振幅差の各出力間の偏差を意味する。各出力間の振幅
差偏差が小さいほど高画質となる。以下、充電用アンプ
と放電用アンプの2つのアンプを切り替えて駆動する構
成の従来の駆動回路について説明する。
2. Description of the Related Art There is known a drive circuit for switching and driving two amplifiers, a charging amplifier and a discharging amplifier, for full-range driving on a high potential side and a low potential side. However, when this type of drive circuit is used for a drive circuit of a liquid crystal display device, it is not possible to avoid
Output deviation occurs in each of the two amplifiers. For this reason, there is a large variation (amplitude difference deviation) between the outputs of the positive and negative voltage amplitude differences of the same gradation, which may deteriorate the image quality. The amplitude difference deviation is one of the performance indicators of the multi-output liquid crystal drive circuit, and means the deviation between the positive and negative voltage amplitude differences of the same gradation between the respective outputs. The smaller the amplitude difference deviation between the outputs, the higher the image quality. Hereinafter, a conventional drive circuit configured to switch and drive two amplifiers, a charging amplifier and a discharging amplifier, will be described.

【0003】図15は、充電用アンプと放電用アンプの
2つのアンプ(増幅回路)を備えた従来の駆動回路の構
成の一例を示す図である。すなわち、図15には、ボル
テージフォロワ回路910と、ボルテージフォロワ回路
920を組み合わせた駆動回路が示されている。
FIG. 15 is a diagram showing an example of the configuration of a conventional drive circuit having two amplifiers (amplifying circuits), a charging amplifier and a discharging amplifier. That is, FIG. 15 shows a drive circuit in which the voltage follower circuit 910 and the voltage follower circuit 920 are combined.

【0004】ボルテージフォロワ回路910は、ソース
が共通接続され、定電流源915とスイッチ951を介
して低位側電源(グランド電位)VSSに接続され、そ
れぞれのゲートに、入力端子電圧Vinと出力端子電圧
Voutとを差動入力し、差動対をなすnチャネルトラ
ンジスタ913、914と、ソースがそれぞれ高位側電
源VDDに接続され、ゲートが共通接続され、それぞれ
のドレインがnチャネルトランジスタ913、914の
ドレインにそれぞれ接続されているpチャネルトランジ
スタ911、912を備えている。pチャネルトランジ
スタ912のドレインとソースは互いに接続されてお
り、pチャネルトランジスタ911、912は、カレン
トミラー回路を構成し、差動対の能動負荷として機能す
る。さらに、pチャネルトランジスタ911のドレイン
とnチャネルトランジスタ913のドレインの接続点
(差動対の出力端)にゲートが接続され、ソースがスイ
ッチ952を介して高位側電源VDDに接続されている
pチャネルトランジスタ916を備えている。そして、
pチャネルトランジスタ916のドレインと出力端子と
の接続点と低位側電源VSS間には定電流917とスイ
ッチ953とが直列形態に接続されている。
The voltage follower circuit 910 has sources commonly connected, and is connected to a low-potential side power supply (ground potential) VSS via a constant current source 915 and a switch 951. Each gate has an input terminal voltage Vin and an output terminal voltage. Vout is differentially input, and n-channel transistors 913 and 914 that form a differential pair and sources are connected to the high-side power supply VDD, gates are commonly connected, and drains of the n-channel transistors 913 and 914 are connected to each other. P-channel transistors 911 and 912 which are respectively connected to the. The drain and source of the p-channel transistor 912 are connected to each other, and the p-channel transistors 911 and 912 form a current mirror circuit and function as an active load of the differential pair. Further, the gate is connected to the connection point (the output end of the differential pair) of the drain of the p-channel transistor 911 and the drain of the n-channel transistor 913, and the source is connected to the high potential side power supply VDD via the switch 952. A transistor 916 is provided. And
A constant current 917 and a switch 953 are connected in series between the connection point between the drain of the p-channel transistor 916 and the output terminal and the lower power supply VSS.

【0005】ボルテージフォロワ回路920は、ソース
が共通接続され、定電流源925とスイッチ961を介
して高位側電源VDDに接続され、それぞれのゲートに
入力端子電圧Vinと出力端子電圧Voutを差動入力
し、差動対をなすpチャネルトランジスタ923、92
4と、ソースがそれぞれ低位側電源VSSに接続され、
ゲートが共通接続され、ドレインがpチャネルトランジ
スタ923、924のドレインにそれぞれ接続されてい
るnチャネルトランジスタ921、922を備えてい
る。nチャネルトランジスタ922のドレインとソース
は互いに接続され、nチャネルトランジスタ921、9
22は、カレントミラー回路を構成し差動対の能動負荷
として機能する。さらに、nチャネルトランジスタ92
1のドレインとpチャネルトランジスタ923のドレイ
ンの接続点にゲートが接続され、ソースがスイッチ96
2を介して低位側電源VSSに接続されているnチャネ
ルトランジスタ926を備え、nチャネルトランジスタ
926のドレインと出力端子との接続点と高位側電源V
DD間には、定電流927とスイッチ963とが直列形
態に接続されている。
In the voltage follower circuit 920, the sources are connected in common and connected to the high potential side power supply VDD via the constant current source 925 and the switch 961, and the input terminal voltage Vin and the output terminal voltage Vout are differentially input to the respective gates. And p-channel transistors 923 and 92 forming a differential pair.
4 and the source are connected to the low-side power source VSS,
It has n-channel transistors 921 and 922 whose gates are commonly connected and whose drains are connected to the drains of the p-channel transistors 923 and 924, respectively. The drain and source of the n-channel transistor 922 are connected to each other, and the n-channel transistors 921 and 9 are connected.
22 constitutes a current mirror circuit and functions as an active load of the differential pair. Further, the n-channel transistor 92
1 is connected to the drain of the p-channel transistor 923 at its gate, and its source is the switch 96.
2 is provided with an n-channel transistor 926 connected to the lower power supply VSS, and a connection point between the drain of the n-channel transistor 926 and the output terminal and the higher power supply V
A constant current 927 and a switch 963 are connected in series between DD.

【0006】回路910、920において、入力端子電
圧Vinが差動回路の非反転入力端子(トランジスタ9
13、923のゲート)に入力され、出力端子電圧Vo
utが差動回路の反転入力端子(トランジスタ914、
924のゲート)に入力されており、ボルテージフォロ
ワを構成している。
In the circuits 910 and 920, the input terminal voltage Vin is the non-inverting input terminal (transistor 9) of the differential circuit.
Input to the output terminal voltage Vo.
ut is the inverting input terminal of the differential circuit (transistor 914,
It is input to the gate 924) and constitutes a voltage follower.

【0007】ボルテージフォロワ回路910と920に
おけるスイッチ951、952、953、およびスイッ
チ961、962、963は、それぞれボルテージフォ
ロワ回路910、920の動作を制御するスイッチであ
る。
The switches 951, 952 and 953 and the switches 961, 962 and 963 in the voltage follower circuits 910 and 920 are switches for controlling the operation of the voltage follower circuits 910 and 920, respectively.

【0008】ボルテージフォロワ回路910において、
出力端子Voutの放電作用は、電流源917により一
定の放電能力となっているが、出力端子Voutの充電
作用は、pチャネルトランジスタ916により高速充電
が可能である。
In the voltage follower circuit 910,
The discharging action of the output terminal Vout has a certain discharging capability by the current source 917, but the charging action of the output terminal Vout can be performed at high speed by the p-channel transistor 916.

【0009】一方、ボルテージフォロワ回路920にお
いて、出力端子Voutの充電作用は、電流源927に
より一定の充電能力となっているが、出力端子Vout
の放電作用はnチャネルトランジスタ926により高速
放電が可能である。
On the other hand, in the voltage follower circuit 920, the charging operation of the output terminal Vout has a constant charging capability due to the current source 927.
The discharge action of can be performed at high speed by the n-channel transistor 926.

【0010】したがって、駆動回路の出力端子に接続さ
れた負荷を、基準レベルに対して、高電位レベルへ駆動
するときには、スイッチ951、952、及び953を
オンとして、ボルテージフォロワ回路910を活性化
(動作)させ、低電位レベルへ駆動するときには、スイ
ッチ961、962、963をオンとして、ボルテージ
フォロワ回路920を活性化(動作)させることによ
り、高速駆動を実現することができる。
Therefore, when the load connected to the output terminal of the drive circuit is driven to the high potential level with respect to the reference level, the switches 951, 952 and 953 are turned on to activate the voltage follower circuit 910 ( When driven to a low potential level, the switches 961, 962 and 963 are turned on to activate (operate) the voltage follower circuit 920, whereby high speed driving can be realized.

【0011】また、ボルテージフォロワ回路910、9
20は、それぞれ、トランジスタ913、923がオフ
するような入力電圧Vinに対しては動作しないため、
それぞれ単独では、フルレンジ駆動(電源電圧範囲内の
全領域の駆動)はできない。そこで、2つのボルテージ
フォロワ回路910、920のそれぞれを切り替えて駆
動することにより、フルレンジ駆動が可能である。
Further, voltage follower circuits 910, 9
20 does not operate with respect to the input voltage Vin that turns off the transistors 913 and 923, respectively,
Full range driving (driving of the entire area within the power supply voltage range) cannot be performed independently. Therefore, full range driving is possible by switching and driving each of the two voltage follower circuits 910 and 920.

【0012】しかしながら、2つのボルテージフォロワ
回路910、920は、それぞれ製造プロセスに起因す
る素子特性のばらつきにより出力オフセットを生じる。
However, the two voltage follower circuits 910 and 920 each generate an output offset due to variations in element characteristics due to the manufacturing process.

【0013】出力オフセットの主な要因は、ボルテージ
フォロワ回路を構成する差動回路の差動対や、カレント
ミラー回路のペアトランジスタ同士の特性のずれによっ
て生じる場合が多い。
The main cause of the output offset is often caused by the deviation of the characteristics of the differential pair of the differential circuit forming the voltage follower circuit and the pair transistors of the current mirror circuit.

【0014】そして、トランジスタの特性のずれは任意
に生じるため、2つのボルテージフォロワ回路910、
920の出力オフセットは個別に生じる。そのため、図
15の駆動回路は、2つのボルテージフォロワ回路91
0、920を切り替えて駆動したときにオフセットが大
きく変化する、という問題が生じる。
Since the characteristic deviation of the transistor occurs arbitrarily, the two voltage follower circuits 910,
The output offset of 920 occurs individually. Therefore, the drive circuit of FIG. 15 has two voltage follower circuits 91.
There is a problem that the offset changes significantly when 0 and 920 are switched and driven.

【0015】特に、液晶表示装置の階調電圧の増幅用ア
ンプなどは、液晶の特性に合わせて設けられた階調レベ
ルの電圧間隔を保つことが階調表示を行うために重要で
ある。このため、このような増幅用アンプ(駆動回路)
には、出力オフセットが階調によって余り変化しない、
すなわち出力オフセットの階調間の偏差が十分小さいこ
とが求められている。
In particular, for an amplifier for amplifying the gradation voltage of the liquid crystal display device, it is important to maintain the voltage interval of the gradation level provided according to the characteristics of the liquid crystal in order to perform the gradation display. Therefore, such an amplification amplifier (driving circuit)
, The output offset does not change much depending on the gradation,
That is, it is required that the deviation between the gradations of the output offset is sufficiently small.

【0016】しかしながら、図15に示した駆動回路
を、液晶表示装置の階調電圧の増幅用アンプとして用い
ると、2つのボルテージフォロワ回路910、920を
切り替えて駆動したときに、出力オフセットが大きく変
化し、階調レベルの電圧間隔を十分保てない場合があ
る、という問題が生じる。
However, when the drive circuit shown in FIG. 15 is used as an amplifier for amplifying the gradation voltage of the liquid crystal display device, the output offset changes greatly when the two voltage follower circuits 910 and 920 are switched and driven. However, there is a problem that the voltage interval of the gradation level may not be sufficiently maintained.

【0017】上記問題点について、図16を参照して更
に詳しく説明する。図16は、基準レベルに対して、高
電位側の高位レベルVL1と低電位側の低位レベルVL
2を、図15の駆動回路で駆動した場合の期待値と、オ
フセットを含む出力値を示した図である。高位レベルV
L1は、ボルテージフォロワ回路910で駆動し、低位
レベルVL2はボルテージフォロワ回路920で駆動す
るものとし、それぞれのオフセットは、±ΔVL1、±
ΔVL2とする。そして、階調レベルの電圧間隔が保た
れるかは、2つの階調レベルの振幅差偏差が十分小さい
か否かによって判断することができる。
The above problem will be described in more detail with reference to FIG. FIG. 16 shows a high level VL1 on the high potential side and a low level VL on the low potential side with respect to the reference level.
FIG. 16 is a diagram showing an expected value and an output value including an offset when 2 is driven by the drive circuit of FIG. 15. High level V
L1 is driven by the voltage follower circuit 910, and the low level VL2 is driven by the voltage follower circuit 920, and the offsets are ± ΔVL1, ±.
Let ΔVL2. Then, whether or not the voltage intervals of the gradation levels are maintained can be determined by whether or not the amplitude difference deviation between the two gradation levels is sufficiently small.

【0018】図16より、2つの電圧レベルVL1、V
L2の振幅差偏差は、最大振幅差が {(VL1+ΔVL1)−(VL2−ΔVL2)} …(1) であり、最小振幅差が、 {(VL1−ΔVL1)−(VL2+ΔVL2)} …(2) である。
From FIG. 16, two voltage levels VL1 and V
As for the amplitude difference deviation of L2, the maximum amplitude difference is {(VL1 + ΔVL1)-(VL2-ΔVL2)} (1), and the minimum amplitude difference is {(VL1-ΔVL1)-(VL2 + ΔVL2)} (2). is there.

【0019】したがって、振幅差偏差の最大値は、両者
の差(式(1)と(2)の差)から次式(3)で与えら
れる。 {2×(ΔVL1+ΔVL2)} …(3)
Therefore, the maximum value of the amplitude difference deviation is given by the following equation (3) from the difference between them (difference between equations (1) and (2)). {2 x (ΔVL1 + ΔVL2)} (3)

【0020】すなわち、図15の駆動回路において、2
つのボルテージフォロワ回路910、920を切り替え
て駆動したときの振幅差偏差は、それぞれのボルテージ
フォロワ回路のオフセットの絶対値の和の2倍の偏差を
取り得る場合があることを示している。
That is, in the drive circuit of FIG.
It is shown that the amplitude difference deviation when the two voltage follower circuits 910 and 920 are switched and driven may take a deviation twice the sum of the absolute values of the offsets of the respective voltage follower circuits.

【0021】[0021]

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明が
解決しようとする課題は、振幅差偏差を小さくしなが
ら、フルレンジ駆動が可能であり、消費電力を縮減可能
とした差動回路及び増幅回路を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, the problem to be solved by the present invention is to provide a differential circuit and an amplifier circuit capable of full-range driving while reducing the amplitude difference deviation and reducing power consumption. To provide.

【0022】また本発明が解決しようとする課題は、上
記回路を表示装置のデータ線駆動回路に用いることによ
り、画質を向上させる表示装置を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a display device which improves image quality by using the above circuit in a data line driving circuit of the display device.

【0023】[0023]

【課題を解決するための手段】上記課題あるいは他の課
題の少なくとも1つを解決する本発明に係る差動回路
は、第1のトランジスタ対と、前記第1のトランジスタ
対とは導電型の異なる第2のトランジスタ対と、を含
み、前記第1のトランジスタ対の出力対は、前記第2の
トランジスタ対の出力対にそれぞれ接続されており、前
記第1のトランジスタ対の共通テールと第1の電源との
間には電流源とスイッチとが並列に接続されており、前
記第2のトランジスタ対の共通テールと第2の電源との
間には電流源とスイッチとが並列に接続されており、そ
れぞれのトランジスタ対を、入力対から差動入力電圧を
受ける差動対と、入力対同士が接続され一方のトランジ
スタがダイオード接続され前記差動対の負荷となるカレ
ントミラー回路と、に切替え自在とする接続切替手段を
備え、前記第1と第2のトランジスタ対のうち一方のト
ランジスタ対が差動対とされるときに、他方のトランジ
スタ対はカレントミラー回路とされる。
In a differential circuit according to the present invention, which solves at least one of the above problems and other problems, the first transistor pair and the first transistor pair have different conductivity types. A second transistor pair, the output pair of the first transistor pair being respectively connected to the output pair of the second transistor pair, the common tail of the first transistor pair and the first pair of transistors. A current source and a switch are connected in parallel with the power supply, and a current source and a switch are connected in parallel between the common tail of the second transistor pair and the second power supply. , A pair of transistors, a differential pair receiving a differential input voltage from the input pair, and a current mirror circuit in which the input pair is connected to each other and one transistor is diode-connected to serve as a load of the differential pair. Comprising a connection switching means for freely changing the first and one of the transistor pair of the second transistor pair when the differential pair, the other transistor pair is the current mirror circuit.

【0024】本発明の他のアスペクトに係る差動回路
は、第1導電型の第1のトランジスタ対と、第2導電型
の第2のトランジスタ対と、を含み、前記第1のトラン
ジスタ対のドレインは、前記第2のトランジスタ対のド
レインにそれぞれ接続されており、前記第1のトランジ
スタ対の共通接続されたソースと第1の電源との間に
は、第1電流源と第1のスイッチとが並列に接続されて
おり、前記第2のトランジスタ対の共通接続されたソー
スと第2の電源との間には、第2の電流源と第2のスイ
ッチとが並列に接続されており、前記第1のトランジス
タ対を、ソースが共通接続されて前記第1の電流源を介
して前記第1の電源に接続され、ゲートに差動入力電圧
を受ける差動対とし、前記第2のトランジスタ対を、ゲ
ート同士が接続され、ソースが前記第2のスイッチを介
して前記第2の電源に接続され、一方のトランジスタの
ゲートとドレインが接続されてなるカレントミラー回路
とする第1の接続構成と、前記第2のトランジスタ対
を、ソースが共通接続されて前記第2の電流源を介して
前記第2の電源に接続され、ゲートに差動入力電圧を受
ける差動対とし、前記第1のトランジスタ対を、ゲート
同士が接続され、ソースが前記第2のスイッチを介して
前記第1の電源に接続され、一方のトランジスタのゲー
トとドレインが接続されてなるカレントミラー回路とす
る第2の接続構成と、を取り得るものとし、前記第1の
接続構成から前記第2の接続構成、及び、前記第2の接
続構成から前記第1の接続構成への切替を制御する接続
切替手段を備えている。
A differential circuit according to another aspect of the present invention includes a first transistor pair of the first conductivity type and a second transistor pair of the second conductivity type. The drains are respectively connected to the drains of the second transistor pair, and the first current source and the first switch are provided between the commonly connected sources of the first transistor pair and the first power supply. Are connected in parallel, and a second current source and a second switch are connected in parallel between the commonly connected sources of the second transistor pair and the second power supply. , The first transistor pair is a differential pair having sources commonly connected to the first power source via the first current source and having a gate receiving a differential input voltage, and the second pair. The pair of transistors, the gates are connected to each other, And a second transistor pair, which is a current mirror circuit in which a source is connected to the second power source through the second switch, and the gate and drain of one transistor are connected to each other. Is a differential pair whose sources are commonly connected and which is connected to the second power source via the second current source, and whose gate receives a differential input voltage. And a source connected to the first power supply via the second switch, and a gate and drain of one of the transistors are connected to form a current mirror circuit. And a connection switching unit that controls switching from the first connection configuration to the second connection configuration and from the second connection configuration to the first connection configuration.

【0025】本発明において、前記第1のトランジスタ
対がpチャネルトランジスタ対よりなり、前記第2のト
ランジスタ対がnチャネルトランジスタ対よりなり、前
記第1の電源が高位側電源よりなり、前記第2の電源が
低位側電源よりなり、高位側電圧の駆動時には、前記n
チャネルトランジスタ対を差動対とし、前記pチャネル
トランジスタ対をカレントミラー回路とし、低位側電圧
の駆動時には、前記pチャネルトランジスタ対が差動対
とし、前記nチャネルトランジスタ対をカレントミラー
回路とするように、前記接続切替手段の切替を制御す
る、ことを特徴とする。
In the present invention, the first transistor pair is a p-channel transistor pair, the second transistor pair is an n-channel transistor pair, the first power supply is a high-side power supply, and the second power supply is a high-side power supply. Is a low-side power source, and when driving a high-side voltage, n
The channel transistor pair is a differential pair, the p-channel transistor pair is a current mirror circuit, and the p-channel transistor pair is a differential pair and the n-channel transistor pair is a current mirror circuit when driving a low voltage. In addition, the switching of the connection switching means is controlled.

【0026】上記課題あるいは他の課題の少なくとも1
つを解決する本発明の他のアスペクトに係る増幅回路
は、上記本発明に係る差動回路と、差動回路の出力信号
を受けて出力端子を充電する充電用増幅段と、前記差動
回路の出力信号を受けて前記出力端子を放電する放電用
増幅段と、を備え、前記出力端子が、前記差動回路の差
動入力端子の反転入力端子に帰還入力される。
At least one of the above problems and other problems
An amplification circuit according to another aspect of the present invention that solves the above problem is a differential circuit according to the present invention, a charging amplification stage that receives an output signal of the differential circuit and charges an output terminal, and the differential circuit. And a discharge amplification stage that discharges the output terminal by receiving the output signal from the output terminal of the differential circuit. The output terminal is fed back to the inverting input terminal of the differential input terminal of the differential circuit.

【0027】本発明の他のアスペクトに係る増幅回路
は、本発明に係る差動回路を備え、前記差動回路は、入
力端子電圧と出力端子電圧とを差動入力し、前記差動回
路の出力信号に基づき前記出力端子の充電作用を行う充
電回路と、前記入力端子電圧を受けて出力バイアス電圧
を制御する第1のバイアス制御手段と、前記出力端子
と、低位側電源をなす第2の電源との間に接続され、前
記第1のバイアス制御手段から出力されるバイアス電圧
を入力とするフォロワトランジスタと、を備え、前記入
力端子電圧と前記出力端子電圧との電圧差に応じ能動素
子のフォロワ動作により前記出力端子の放電作用を行う
フォロワ型放電回路と、前記差動回路の出力信号に基づ
き前記出力端子の放電作用を行う放電回路と、前記入力
端子電圧を受けて出力バイアス電圧を制御する第2のバ
イアス制御手段と、高位側電源をなす第1の電源と前記
出力端子との間に接続され、前記第2のバイアス制御手
段のバイアス電圧を入力とするフォロワトランジスタ
と、を備え、前記入力端子電圧と前記出力端子電圧との
電圧差に応じ能動素子のフォロワ動作により前記出力端
子の充電作用を行うフォロワ型充電回路と、を備えてい
る。
An amplifier circuit according to another aspect of the present invention includes the differential circuit according to the present invention, wherein the differential circuit differentially inputs an input terminal voltage and an output terminal voltage, A charging circuit that charges the output terminal based on an output signal, a first bias control unit that receives the input terminal voltage and controls an output bias voltage, the output terminal, and a second low-side power supply. A follower transistor which is connected to a power source and which receives a bias voltage output from the first bias control means as an input, and which follows the voltage difference between the input terminal voltage and the output terminal voltage. A follower discharge circuit that discharges the output terminal by a follower operation, a discharge circuit that discharges the output terminal based on an output signal of the differential circuit, and an output that receives the input terminal voltage. A second bias control means for controlling the bias voltage, and a follower transistor connected between the first power supply forming the high-potential side power supply and the output terminal and receiving the bias voltage of the second bias control means as an input. And a follower type charging circuit for charging the output terminal by a follower operation of an active element according to a voltage difference between the input terminal voltage and the output terminal voltage.

【0028】また上記課題あるいは他の課題の少なくと
も1つを解決する本発明の他のアスペクトに係る表示装
置は、入力端子電圧と出力端子電圧を入力とする本発明
に係る差動回路と、前記出力端子の充電及び放電を制御
する増幅段を備えた増幅回路をデータ線の駆動回路とし
て備えている。
A display device according to another aspect of the present invention which solves at least one of the above problems and other problems is a differential circuit according to the present invention which receives an input terminal voltage and an output terminal voltage as inputs. An amplifier circuit having an amplifier stage for controlling charging and discharging of the output terminal is provided as a data line driving circuit.

【0029】[0029]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について説明
する。本発明に係る差動回路は、第1のトランジスタ対
(101、102)と、前記第1のトランジスタ対とは
導電型の異なる第2のトランジスタ対(103、10
4)と、を含み、第1のトランジスタ対(101、10
2)の出力対は、第2のトランジスタ対の出力対(10
3、104)にそれぞれ接続されており、第1のトラン
ジスタ対(101、102)の共通テールと第1の電源
(VDD)との間には電流源(105)とスイッチ(1
11)とが並列に接続されており、第2のトランジスタ
対(103、104)の共通テールと第2の電源(VS
S)との間には電流源(106)とスイッチ(120)
とが並列に接続されており、それぞれのトランジスタ対
を、入力対から差動入力電圧を受ける差動対と、入力対
同士が接続され一方のトランジスタがダイオード接続さ
れ前記差動対の負荷となるカレントミラー回路と、に切
替え自在とするための手段(112〜119)を備え、
第1と第2のトランジスタ対のうち一方のトランジスタ
対が差動対とされるときに、他方のトランジスタ対はカ
レントミラー回路とされる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described. A differential circuit according to the present invention includes a first transistor pair (101, 102) and a second transistor pair (103, 10) having a conductivity type different from that of the first transistor pair.
4) and including the first transistor pair (101, 10).
The output pair of 2) is the output pair of the second transistor pair (10
3, 104), and a current source (105) and a switch (1) between the common tail of the first transistor pair (101, 102) and the first power supply (VDD).
11) is connected in parallel, and the common tail of the second transistor pair (103, 104) and the second power supply (VS
S) between the current source (106) and the switch (120)
Are connected in parallel, and each transistor pair serves as a load for the differential pair, in which a differential pair receiving a differential input voltage from the input pair and an input pair are connected and one transistor is diode-connected. A current mirror circuit and means (112 to 119) for making it switchable are provided,
When one of the first and second transistor pairs is a differential pair, the other transistor pair is a current mirror circuit.

【0030】なお、上記回路構成は、CMOSプロセス
が適用されるほか、バイポーラトランジスタにも適用で
きる。液晶表示装置の駆動回路の増幅回路として適用す
る場合、MOSトランジスタは、多結晶シリコン薄膜ト
ランジスタ(poly−SiTFT)で構成してもよ
い。poly−Si TFTは、電界効果移動度が高く
周辺回路を基板上に集積化できる。また上記構成の差動
回路において、トランジスタの出力対は、MOSトラン
ジスタの場合、ドレインの対であり、バイポーラトラン
ジスタの場合、コレクタの対に対応する。またトランジ
スタ対の入力対は、MOSトランジスタの場合、ゲート
の対であり、バイポーラトランジスタの場合、ベースの
対である。さらに、トランジスタ対の共通テールは、M
OSトランジスタの場合、トランジスタ対の共通接続さ
れたソースであり、バイポーラトランジスタの場合に
は、トランジスタ対の共通接続されたエミッタである。
In addition to the CMOS process, the above circuit structure can be applied to a bipolar transistor. When applied as an amplifier circuit of a drive circuit of a liquid crystal display device, the MOS transistor may be composed of a polycrystalline silicon thin film transistor (poly-SiTFT). The poly-Si TFT has a high field effect mobility and allows peripheral circuits to be integrated on a substrate. In the differential circuit configured as described above, the output pair of transistors corresponds to the pair of drains in the case of MOS transistors and corresponds to the pair of collectors in the case of bipolar transistors. The input pair of the transistor pair is a gate pair in the case of a MOS transistor and a base pair in the case of a bipolar transistor. Furthermore, the common tail of the transistor pair is M
In the case of an OS transistor, it is the commonly connected source of a transistor pair, and in the case of a bipolar transistor, it is the commonly connected emitter of a transistor pair.

【0031】本発明は、その好ましい一実施の形態にお
いて、nチャネルトランジスタペアと、pチャネルトラ
ンジスタペアとを含み、それぞれのペアが接続切替手段
により差動対とカレントミラー対とに切替自在とされて
おり、ペアの一方が差動対となるときに、他方がカレン
トミラー対となる。nチャネル型、pチャネル型のそれ
ぞれの導電型(極性)のトランジスタペアは、同一極性
のトランジスタ対同士でソースが共通接続され、その共
通接続ノード(節点)と電源間に、電流源とスイッチと
が並列に接続されている。上記差動回路を用いた増幅回
路では、高電位側電圧駆動時には、nチャネル差動対入
力、低電位側電圧駆動時には、pチャネル差動対入力と
なるように、前記接続切替手段の切替を制御する。
In a preferred embodiment thereof, the present invention includes an n-channel transistor pair and a p-channel transistor pair, each pair being switchable between a differential pair and a current mirror pair by connection switching means. Therefore, when one of the pair is a differential pair, the other is a current mirror pair. In the n-channel type and p-channel type conductive type (polarity) transistor pairs, the sources are commonly connected between the transistor pairs having the same polarity, and the current source and the switch are connected between the common connection node (node) and the power supply. Are connected in parallel. In the amplifier circuit using the above differential circuit, the connection switching means is switched so as to be an n-channel differential pair input when driving a high potential side voltage and a p-channel differential pair input when driving a low potential side voltage. Control.

【0032】本発明に係る差動回路によれば、nチャネ
ル差動対の差動回路と、pチャネル差動対の差動回路を
切替えた場合でも、安定状態において、素子特性のばら
つきによる、VinPとVinMのずれの方向(プラス
側、マイナス側)を同じにすることができる。そのた
め、本発明の差動回路を用いた増幅回路は、素子特性の
ばらつきによる出力オフセットの方向が同じになり、振
幅差偏差を抑制することができる。またフルレンジ出力
が可能であり、消費電力も小さい。振幅差偏差とは、多
出力の液晶駆動回路の性能指標の1つであり、同一階調
の正極性と負極性の電圧振幅差の各出力間の偏差を意味
する。各出力間の振幅差偏差が小さいほど高画質とな
る。
According to the differential circuit of the present invention, even when the differential circuit of the n-channel differential pair and the differential circuit of the p-channel differential pair are switched, due to variations in element characteristics in the stable state, It is possible to make VinP and VinM deviate in the same direction (plus side, minus side). Therefore, in the amplifier circuit using the differential circuit of the present invention, the directions of the output offsets due to variations in element characteristics are the same, and the amplitude difference deviation can be suppressed. In addition, full range output is possible and power consumption is low. The amplitude difference deviation is one of the performance indexes of the multi-output liquid crystal drive circuit, and means the deviation between the positive and negative voltage amplitude differences of the same gradation between the respective outputs. The smaller the amplitude difference deviation between the outputs, the higher the image quality.

【0033】本発明に係る差動回路は、好ましくは、ソ
ースが共通接続されたp型の第1、第2のトランジスタ
(101、102)と、ドレインがpチャネル型のトラ
ンジスタ対のドレインにそれぞれ接続され、ソースが共
通接続されたnチャネル型の第3、第4のトランジスタ
(103、104)を備え、第1、第2のトランジスタ
(101、102)の共通接続されたソースと第1の電
源(VDD)との間に、第1のスイッチ(111)と第
1の電流源(105)とが並列に接続され、第3、第4
のトランジスタの共通接続されたソースと第2の電源
(VSS)との間に、第2のスイッチ(120)と第2
の電流源(106)とが並列に接続されている。第1、
第2のトランジスタ(101、102)のそれぞれのゲ
ートの間には、直列形態に接続された第3、第4のスイ
ッチ(112、113)を備え、第3、第4のトランジ
スタ(103、104)のそれぞれのゲートの間には、
直列形態に接続された第5、第6のスイッチ(118、
119)を備えている。第1のトランジスタ(101)
のゲートと第3のスイッチ(112)の接続節点と第1
の入力端子(1)との間には第7のスイッチ(114)
を備えている。第2のトランジスタ(102)のゲート
と第4のスイッチ(113)との接続節点と第2の入力
端子(2)との間には第8のスイッチ(115)を備え
ている。第3のトランジスタ(103)のゲートと第5
のスイッチ(118)の接続節点と第1の入力端子
(1)の間には第9のスイッチ(116)を備えてい
る。第4のトランジスタ(104)のゲートと第6のス
イッチ(119)の接続節点と第2の入力端子(2)の
間には第10のスイッチ(117)を備えている。そし
て、第3と第4のスイッチ(112、113)の接続節
点と第5と第6のスイッチ(118、119)の接続節
点とが接続され、これらの共通接続節点は、第2と第4
のトランジスタ(102、104)のドレインの接続節
点に接続されている。そして、第1のトランジスタのド
レインと第3のトランジスタ(103)のドレインの接
続節点は、出力端子に接続されている。
In the differential circuit according to the present invention, preferably, the p-type first and second transistors (101, 102) whose sources are commonly connected and the drains of the p-channel type transistor pairs are respectively provided. And n-channel type third and fourth transistors (103, 104) connected in common and having sources commonly connected, and the commonly connected sources of the first and second transistors (101, 102) and the first The first switch (111) and the first current source (105) are connected in parallel between the power source (VDD) and the third and fourth switches.
A second switch (120) and a second switch (120) between the commonly connected sources of the transistors and the second power supply (VSS).
Current source (106) is connected in parallel. First,
The third and fourth switches (112, 113) connected in series are provided between the gates of the second transistors (101, 102), and the third and fourth transistors (103, 104) are provided. ) Between each gate
Fifth and sixth switches (118, 118) connected in series.
119). First transistor (101)
The connection node of the gate of the third switch (112) and the first
7th switch (114) between the input terminal (1) of
Is equipped with. An eighth switch (115) is provided between the connection node between the gate of the second transistor (102) and the fourth switch (113) and the second input terminal (2). The gate of the third transistor (103) and the fifth
A ninth switch (116) is provided between the connection node of the switch (118) and the first input terminal (1). A tenth switch (117) is provided between the connection node of the fourth transistor (104) and the sixth switch (119) and the second input terminal (2). Then, the connection nodes of the third and fourth switches (112, 113) and the connection nodes of the fifth and sixth switches (118, 119) are connected, and these common connection nodes are the second and fourth
Is connected to the connection node of the drains of the transistors (102, 104). The connection node between the drain of the first transistor and the drain of the third transistor (103) is connected to the output terminal.

【0034】本発明に係る差動回路において、第1、第
3、第4、第9、及び第10のスイッチ(111、11
2、113、116、117)が導通状態とされ、第
2、第5、第6、第7、及び第8のスイッチ(120、
118、119、114、115)が非導通状態とされ
る第1の接続状態と、第1、第3、第4、第9、及び第
10のスイッチ(111、112、113、116、1
17)が非導通状態とされ、前記第2、第5、第6、第
7、及び第8のスイッチ(120、118、119、1
14、115)が導通状態とされる第2の接続状態とに
切替制御される。
In the differential circuit according to the present invention, the first, third, fourth, ninth and tenth switches (111, 11).
2, 113, 116, 117) are turned on, and the second, fifth, sixth, seventh, and eighth switches (120, 120,
118, 119, 114, 115) in the non-conducting state and the first, third, fourth, ninth and tenth switches (111, 112, 113, 116, 1).
17) is made non-conductive, and the second, fifth, sixth, seventh and eighth switches (120, 118, 119, 1)
(14, 115) is controlled to be switched to the second connection state in which it is in a conductive state.

【0035】本発明に係る差動回路において、図4を参
照すると、第1、第3、第4のスイッチ(111、11
2、113)は、第1の制御信号の反転信号(S1B)
をゲートに入力する第1導電型のトランジスタよりな
り、第2、第5、第6のスイッチ(120、118、1
19)は、第2の制御信号(S2)をゲートに入力とす
る第1導電型のトランジスタよりなり、前記第7、第8
のスイッチ(114、115)が第2の制御信号(S
2)とその反転信号(S2B)とをゲートにそれぞれ入
力とするCMOSトランスファゲートよりなり、第9、
第10のスイッチ(16、117)が第1の制御信号
(S1)とその反転信号(S1B)とをゲートにそれぞ
れ入力とするCMOSトランスファゲートよりなる。
In the differential circuit according to the present invention, referring to FIG. 4, first, third and fourth switches (111, 11) are provided.
2, 113) is an inverted signal (S1B) of the first control signal.
Of the first conductivity type transistor which inputs to the gate of the second, fifth and sixth switches (120, 118, 1
19) is a transistor of the first conductivity type having the second control signal (S2) as its input to the gate.
Switches (114, 115) of the second control signal (S
2) and its inverted signal (S2B) are input to the gates of the CMOS transfer gates.
The tenth switch (16, 117) is composed of a CMOS transfer gate whose gate receives the first control signal (S1) and its inverted signal (S1B).

【0036】本発明に係る増幅回路(駆動回路)は、図
5を参照すると、差動回路の出力(3)に基づき出力端
子(2)の充電作用を行う充電用増幅段(510)と、
前記差動回路の出力(2)に基づき出力端子(2)の放
電作用を行う放電用増幅段(520)と、を備え、差動
回路には、出力端子電圧Voutがその反転入力端子に
帰還入力される。
Referring to FIG. 5, the amplifier circuit (driving circuit) according to the present invention includes a charging amplifier stage (510) for charging the output terminal (2) based on the output (3) of the differential circuit,
And a discharge amplification stage (520) for discharging the output terminal (2) based on the output (2) of the differential circuit, wherein the output terminal voltage Vout is fed back to the inverting input terminal of the differential circuit. Is entered.

【0037】本発明に係る増幅回路(駆動回路)は、そ
の好ましい一実施の形態において、図8を参照すると、
充電用増幅段(210)は、前記差動回路の出力信号
(3)をゲートに受け、ドレインが出力端子(2)に接
続された第5のトランジスタ(211)を備え、第5の
トランジスタのソースと高位側電源(VDD)間にスイ
ッチ(213)を備え、第5のトランジスタ(211)
のドレインと低位側電源(VSS)間に、直列に接続さ
れたスイッチ(214)と電流源(212)を備えてい
る。放電用増幅段(220)は、前記差動回路の出力信
号(3)をゲートに受け、ドレインが出力端子(2)に
接続された第6のトランジスタ(221)を備え、第6
のトランジスタ(221)のソースと低位側電源(VS
S)間にスイッチ(223)を備え、第6のトランジス
タ(221)のドレインと高位側電源VDD間に、直列
に接続されたスイッチ(224)と電流源(222)を
備えている。高位側電源(VDD)とトランジスタ(2
11)のゲート間に、リセット用のスイッチ(531)
が接続されている。低位側電源(VSS)とトランジス
タ(221)のゲート間にも、リセット用のスイッチ
(541)が接続されている。リセット用のスイッチ
(531)がオンされる期間、トランジスタ(211)
のゲート電圧(差動回路の出力信号)は、高位側電源電
圧VDDにリセットとされ、トランジスタ(211)を
オフ状態とし、その間、充電用増幅段(210)を非活
性とする。リセット用のスイッチ(541)がオンされ
る期間、トランジスタ(221)のゲート電圧(差動回
路の出力信号)は低位側電源電圧VSSにリセットさ
れ、トランジスタ(221)をオフ状態とし、その間、
放電用増幅段(220)を非活性とする。
In a preferred embodiment of the amplifier circuit (drive circuit) according to the present invention, referring to FIG.
The charging amplification stage (210) includes a fifth transistor (211) whose gate receives the output signal (3) of the differential circuit and whose drain is connected to the output terminal (2). A switch (213) is provided between the source and the high-side power supply (VDD), and a fifth transistor (211) is provided.
A switch (214) and a current source (212) connected in series are provided between the drain of the power source and the low-side power source (VSS). The discharge amplification stage (220) includes a sixth transistor (221) whose gate receives the output signal (3) of the differential circuit and whose drain is connected to the output terminal (2).
Source of transistor (221) and low side power supply (VS
A switch (223) is provided between S), and a switch (224) and a current source (222) connected in series are provided between the drain of the sixth transistor (221) and the high potential side power supply VDD. High-side power supply (VDD) and transistor (2
A switch (531) for resetting between the gates of 11)
Are connected. The reset switch (541) is also connected between the low potential power supply (VSS) and the gate of the transistor (221). While the reset switch (531) is turned on, the transistor (211)
Of the gate voltage (output signal of the differential circuit) is reset to the high-side power supply voltage VDD, turning off the transistor (211) and deactivating the charging amplification stage (210) during that time. While the reset switch (541) is turned on, the gate voltage of the transistor (221) (the output signal of the differential circuit) is reset to the lower power supply voltage VSS and the transistor (221) is turned off during the period.
The discharge amplification stage (220) is deactivated.

【0038】本発明に係る増幅回路(駆動回路)は、そ
の好ましい一実施の形態において、図10を参照する
と、差動回路は、入力端子電圧と出力端子電圧とを差動
入力し、この差動回路の出力に基づき前記出力端子の充
電作用を行う充電回路(311)と、前記入力端子電圧
を受けて出力バイアス電圧を制御する第1のバイアス制
御手段(トランジスタ411、電流源414)と、前記
出力端子と低位側電源(VSS)との間に接続され、前
記第1のバイアス制御手段から出力されるバイアス電圧
を入力とするフォロワトランジスタ(412)と、を備
え、前記入力端子電圧と前記出力端子電圧との電圧差に
応じ能動素子のフォロワ動作により前記出力端子の放電
作用を行うフォロワ型放電回路(410)と、前記差動
回路の出力に基づき前記出力端子の放電作用を行う放電
回路(321)と、前記入力端子電圧を受けて出力バイ
アス電圧を制御する第2のバイアス制御手段(421、
電流源424)と、高位側電源と前記出力端子との間に
接続され、前記第2のバイアス制御手段のバイアス電圧
を入力とするフォロワトランジスタ(422)と、を備
え、前記入力端子電圧と前記出力端子電圧との電圧差に
応じ能動素子のフォロワ動作により前記出力端子の充電
作用を行うフォロワ型充電回路(420)と、を備えて
いる。
In a preferred embodiment of the amplifier circuit (driving circuit) according to the present invention, referring to FIG. 10, the differential circuit differentially inputs the input terminal voltage and the output terminal voltage, and the difference between them. A charging circuit (311) for charging the output terminal based on the output of the driving circuit, and a first bias control means (transistor 411, current source 414) for controlling the output bias voltage by receiving the input terminal voltage. A follower transistor (412) connected between the output terminal and a low potential side power supply (VSS) and having a bias voltage output from the first bias control means as an input, and the input terminal voltage and the A follower discharge circuit (410) that discharges the output terminal by a follower operation of an active element according to a voltage difference from the output terminal voltage; A discharge circuit that performs discharging operation of the serial output terminal (321), a second bias control means (421 for controlling the output bias voltage receiving said input terminal voltage,
A current source 424) and a follower transistor (422) connected between the high-potential side power source and the output terminal and receiving the bias voltage of the second bias control means as an input. And a follower type charging circuit (420) for charging the output terminal by the follower operation of the active element according to the voltage difference from the output terminal voltage.

【0039】より詳細には、本発明に係る増幅回路(駆
動回路)は、その好ましい一実施の形態において、図1
0を参照すると、高位側電源VDDと前記出力端子
(2)との間に接続され、前記差動回路の出力信号
(3)をゲートに入力とする第7のトランジスタ(31
1)を含む充電回路と、出力端子(2)と低位側電源
(VSS)間に接続されるフォロワ構成の第8のトラン
ジスタ(412)と、入力端子(1)と低位側電源(V
SS)間に挿入され、定電流源(414)で駆動され、
ゲートが前記フォロワ構成のトランジスタ(412)の
ゲートに接続されるダイオード接続された第9のトラン
ジスタ(411)と、を有するフォロワ型放電回路(4
10)を備えている。さらに、低位側電源(VSS)と
前記出力端子(2)との間に接続され、前記差動回路の
出力信号(3)をゲートに入力する第10のトランジス
タ(321)を含む放電回路と、出力端子(2)と高位
側電源(VDD)間に接続されるフォロワ構成の第11
のトランジスタ(422)と、高位側電源と入力端子
(1)間に挿入され、定電流源(424)で駆動され、
ゲートが前記フォロワ構成の第11のトランジスタ(4
22)のゲートに接続されるダイオード接続された第1
2のトランジスタ(421)と、を有するフォロワ型充
電回路(420)と、を備えている。充電回路(31
1)と放電回路(321)の少なくとも一方は非活性に
制御するとともに、前記フォロワ型放電回路(41
0)、及び前記フォロワ型充電回路(420)の活性化
と非活性化をそれぞれ制御する制御手段と、を備えてい
る。
More specifically, the amplifier circuit (driving circuit) according to the present invention is shown in FIG.
Referring to 0, a seventh transistor (31 connected between the high-side power supply VDD and the output terminal (2) and having an output signal (3) of the differential circuit as its input
A charging circuit including 1), an eighth transistor (412) having a follower configuration connected between the output terminal (2) and the lower power supply (VSS), the input terminal (1) and the lower power supply (V
SS), driven by a constant current source (414),
A follower discharge circuit (4) having a ninth diode-connected transistor (411) whose gate is connected to the gate of the follower transistor (412).
10) is provided. Furthermore, a discharge circuit including a tenth transistor (321) connected between a low-side power supply (VSS) and the output terminal (2) and inputting an output signal (3) of the differential circuit to a gate, The eleventh follower configuration connected between the output terminal (2) and the high-side power supply (VDD)
Is inserted between the high-side power source and the input terminal (1) and is driven by the constant current source (424),
An eleventh transistor (4
22) a diode-connected first connected to the gate of
And a follower type charging circuit (420) having two transistors (421). Charging circuit (31
1) and at least one of the discharge circuit (321) are controlled to be inactive, and the follower type discharge circuit (41)
0), and control means for controlling activation and deactivation of the follower type charging circuit (420), respectively.

【0040】さらに、第7のトランジスタ(311)と
高位側電源(VDD)の間にスイッチ(532)を備
え、フォロワ構成の第8のトランジスタ(412)と低
位側電源間にスイッチ(553)を備え、第9のトラン
ジスタ(411)と低位側電源間に、定電流源(41
4)と直列に接続されるスイッチ(552)を備え、第
9のトランジスタ(411)と高位側電源間に、スイッ
チ(551)と定電流源(413)を備えている。さら
に、第10のトランジスタ(321)と低位側電源(V
SS)の間にスイッチ(542)を備え、フォロワ構成
の第11のトランジスタ(422)と高位側電源(VD
D)間にスイッチ(563)を備え、第12のトランジ
スタ(421)と高位側電源(VDD)間に、定電流源
(424)と直列に接続されるスイッチ(562)を備
え、第12のトランジスタ(421)と低位側電源(V
SS)間に、スイッチ(561)と定電流源(423)
を備えている。また第7のトランジスタ(311)のゲ
ートと高位側電源(VDD)の間に前記差動回路の出力
信号(3)をリセットするスイッチ(531)を備えて
いる。そして、第10のトランジスタ(321)のゲー
トと低位側電源(VSS)の間にも、前記差動回路の出
力信号(3)をリセットするスイッチ(542)を備え
ている。
Further, a switch (532) is provided between the seventh transistor (311) and the high potential side power source (VDD), and a switch (553) is provided between the eighth transistor (412) having a follower configuration and the low potential side power source. A constant current source (41) is provided between the ninth transistor (411) and the lower power source.
4) and a switch (552) connected in series, and a switch (551) and a constant current source (413) between the ninth transistor (411) and the high potential side power supply. Furthermore, the tenth transistor (321) and the low-side power source (V
A switch (542) is provided between the SS and the eleventh transistor (422) in the follower configuration and the high-side power supply (VD).
A switch (563) is provided between D) and a switch (562) connected in series with the constant current source (424) between the twelfth transistor (421) and the high potential side power supply (VDD). Transistor (421) and low side power supply (V
Switch (561) and constant current source (423) between SS)
Is equipped with. Further, a switch (531) for resetting the output signal (3) of the differential circuit is provided between the gate of the seventh transistor (311) and the high potential side power supply (VDD). A switch (542) for resetting the output signal (3) of the differential circuit is also provided between the gate of the tenth transistor (321) and the low potential side power supply (VSS).

【0041】本発明に係る表示回路は、図14を参照す
ると、充電用と放電用の増幅段を備えた上記増幅回路
を、例えばデータ線を駆動する出力回路(100)とし
て備えている。
Referring to FIG. 14, the display circuit according to the present invention is provided with the above-mentioned amplification circuit having amplification stages for charging and discharging, for example, as an output circuit (100) for driving a data line.

【0042】[0042]

【実施例】上記した本発明の実施の形態についてさらに
詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照
して以下に説明する。図1は、本発明の第1の実施例の
構成を示す図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In order to describe the embodiment of the present invention described above in more detail, an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a first exemplary embodiment of the present invention.

【0043】図1を参照すると、この実施例に係る差動
回路は、pチャネルトランジスタ対101、102と、
nチャネルトランジスタ対103、104を備え、pチ
ャネルトランジスタ対101、102のソースは共通接
続され、その共通接続点(節点)と高位側電源VDDと
の間には、スイッチ111と定電流源105とが並列に
接続されており、pチャネルトランジスタ対101、1
02のゲート間に直列に接続されたスイッチ112、1
13を備え、pチャネルトランジスタ対101、102
のドレインとnチャネルトランジスタ対103、104
のドレインとが互いに接続されている。
Referring to FIG. 1, a differential circuit according to this embodiment includes a p-channel transistor pair 101 and 102.
The n-channel transistor pair 103, 104 is provided, the sources of the p-channel transistor pair 101, 102 are commonly connected, and the switch 111 and the constant current source 105 are connected between the common connection point (node) and the high potential side power supply VDD. Are connected in parallel, and the p-channel transistor pair 101, 1
Switches 112, 1 connected in series between the 02 gates
13 and includes a p-channel transistor pair 101, 102.
Drain and n-channel transistor pair 103, 104
And the drain of is connected to each other.

【0044】nチャネルトランジスタ対103、104
のソースは共通接続され、その共通接続点と低位側電源
VSSとの間には、スイッチ120と定電流源106と
が並列に接続されて、nチャネルトランジスタ対10
3、104のゲート間に直列に接続されたスイッチ11
8、119を備えている。さらに、スイッチ112とp
チャネルトランジスタ101のゲートとの接続点と、ス
イッチ118とnチャネルトランジスタ103のゲート
との接続点との間には直列に接続されたスイッチ114
と116を備えている。スイッチ113とpチャネルト
ランジスタ102のゲートとの接続点と、スイッチ11
9とnチャネルトランジスタ104のゲートとの接続点
との間には直列に接続されたスイッチ115と117を
備えている。スイッチ113と112の接続点は、スイ
ッチ118と119の接続点と接続され、さらに、pチ
ャネルトランジスタ102のドレインとnチャネルトラ
ンジスタ104のドレインの接続点に接続されている。
スイッチ114とスイッチ116の接続点と、スイッチ
115とスイッチ117の接続点に、差動入力端子Vi
nP、VinMがそれぞれ接続され、pチャネルトラン
ジスタ101のドレインとnチャネルトランジスタ10
3のドレインの接続点が出力端子dfoutに接続され
ている。
N-channel transistor pair 103, 104
Sources are commonly connected, and a switch 120 and a constant current source 106 are connected in parallel between the common connection point and the low-potential-side power source VSS, and the n-channel transistor pair 10 is connected.
Switch 11 connected in series between the gates of 3 and 104
8 and 119 are provided. In addition, switch 112 and p
A switch 114 connected in series between a connection point with the gate of the channel transistor 101 and a connection point with the switch 118 and the gate of the n-channel transistor 103.
And 116 are provided. The connection point between the switch 113 and the gate of the p-channel transistor 102, and the switch 11
Switches 115 and 117 connected in series are provided between the node 9 and the gate of the n-channel transistor 104. The connection point between the switches 113 and 112 is connected to the connection point between the switches 118 and 119, and further connected to the connection point between the drain of the p-channel transistor 102 and the drain of the n-channel transistor 104.
A differential input terminal Vi is provided at a connection point between the switch 114 and the switch 116 and a connection point between the switch 115 and the switch 117.
nP and VinM are respectively connected, and the drain of the p-channel transistor 101 and the n-channel transistor 10 are connected.
The connection point of the drains of 3 is connected to the output terminal dfout.

【0045】このように、この実施例に係る差動回路
は、pチャネルトランジスタ対101、102と、nチ
ャネルトランジスタ対103、104と、接続切替手段
(スイッチ111〜120)を含み、一方のトランジス
タ対が2つの入力電圧VinP、VinMとを差動入力
する差動対となり、他方のトランジスタ対が前記差動対
の出力対に入力端と出力端がそれぞれ接続され負荷をな
すカレントミラー回路となる構成をなし、接続切替手段
により、前記差動対と前記カレントミラー回路の導電型
が切替わる。pチャネル型とnチャネル型のトランジス
タ対のそれぞれのトランジスタ対が、接続切替手段によ
り、差動対とカレントミラー対とに切替ることが可能で
あり、一方が差動対となるときに、他方はカレントミラ
ー回路となる。
As described above, the differential circuit according to this embodiment includes the p-channel transistor pair 101 and 102, the n-channel transistor pair 103 and 104, and the connection switching means (switches 111 to 120), and one transistor The pair is a differential pair that differentially inputs two input voltages VinP and VinM, and the other transistor pair is a current mirror circuit that forms a load by connecting the input terminal and the output terminal to the output pair of the differential pair. With the configuration, the connection switching means switches the conductivity type of the differential pair and the current mirror circuit. Each of the p-channel type and n-channel type transistor pairs can be switched between the differential pair and the current mirror pair by the connection switching means, and when one becomes a differential pair, the other. Is a current mirror circuit.

【0046】図2は、この実施例に係る差動回路におい
て、接続切替手段をなす図1の各スイッチの制御の仕方
を説明するための図である。図2には、接続切替手段に
よる2つの接続状態(接続切替1、接続切替2)が示さ
れている。
FIG. 2 is a diagram for explaining how to control each switch of FIG. 1 which constitutes connection switching means in the differential circuit according to this embodiment. FIG. 2 shows two connection states (connection switching 1, connection switching 2) by the connection switching means.

【0047】接続切替1では、スイッチ111、11
2、113、116、117をオンとし、スイッチ11
4、115、118、119、120をオフとする。
In connection switching 1, switches 111 and 11
2, 113, 116, 117 are turned on and the switch 11
4, 115, 118, 119 and 120 are turned off.

【0048】このとき、nチャネルトランジスタ対10
3、104は、共通接続されたソースが電流源106に
接続されて駆動され、2つの入力電圧VinP、Vin
Mとをゲートから差動入力する差動対となり、pチャネ
ルトランジスタ対101、102は、ゲートが共通接続
され、トランジスタ102のドレインとゲートが接続さ
れ(ダイオード接続されたトランジスタ102はカレン
トミラーの電流入力側をなす)、差動対の出力対に、入
力端と出力端とがそれぞれ接続されて負荷をなすカレン
トミラー回路となり、差動回路に流れる電流は、電流源
106によって制御される。
At this time, the n-channel transistor pair 10
Sources 3 and 104 are connected to a current source 106 and are commonly driven, and are driven by two input voltages VinP and VinP.
The gates of the p-channel transistor pairs 101 and 102 are commonly connected, and the drain and the gate of the transistor 102 are connected (the diode-connected transistor 102 is the current of the current mirror). The input terminal and the output terminal of the differential pair are connected to the input terminal and the output terminal to form a load current mirror circuit, and the current flowing through the differential circuit is controlled by the current source 106.

【0049】一方、接続切替2では、スイッチ111、
112、113、116、117をオフとし、スイッチ
114、115、118、119、120をオンとす
る。このときpチャネルトランジスタ対101、102
が、2つの入力電圧VinP、VinMとを差動入力す
る差動対となり、nチャネルトランジスタ対103、1
04が差動対の出力対に入力端と出力端がそれぞれ接続
され負荷をなすカレントミラー回路となり、差動回路に
流れる電流は電流源105によって制御される。
On the other hand, in connection switching 2, the switches 111,
112, 113, 116, 117 are turned off, and switches 114, 115, 118, 119, 120 are turned on. At this time, the p-channel transistor pair 101, 102
Becomes a differential pair for differentially inputting two input voltages VinP and VinM, and an n-channel transistor pair 103, 1
Reference numeral 04 denotes a current mirror circuit that forms a load by connecting the input end and the output end to the output pair of the differential pair, and the current flowing in the differential circuit is controlled by the current source 105.

【0050】なお差動回路の出力信号は、トランジスタ
101のドレインとトランジスタ103のドレインの共
通接続点より取り出され、接続切替1と接続切替2の接
続状態に対して共通である。また差動回路は、差動対の
少なくとも一方のトランジスタがオフする差動入力電圧
に対して非活性となるので、安定状態における差動回路
が非活性とならないように接続切替1、2を制御するの
が好ましい。具体的には接続切替1では、nチャネルト
ランジスタ対103、104が差動対となるため、低位
電源VSSからnチャネルトランジスタ対103、10
4の閾値電圧分だけ高い電圧を下限としてそれより高電
位側の差動入力電圧(VinP、VinM)に対して動
作させるように制御する。接続切替2では、pチャネル
トランジスタ対101、102が差動対となるため、高
位電源VDDからpチャネルトランジスタ対103、1
04の閾値電圧分だけ低い電圧を上限としてそれより低
電位側の差動入力電圧(VinP、VinM)に対して
動作させるように制御する。さらに接続切替電圧Vmを
設ける場合は、Vmを上記上限と下限の間の電圧に設定
し、Vm以上の高電位側の差動入力電圧に対して接続切
替1の状態とし、Vm未満の低電位側の差動入力電圧に
対して接続切替1の状態となるように切替制御する。
The output signal of the differential circuit is taken out from the common connection point of the drain of the transistor 101 and the drain of the transistor 103, and is common to the connection states of connection switching 1 and connection switching 2. Further, since the differential circuit becomes inactive with respect to the differential input voltage at which at least one transistor of the differential pair is turned off, the connection switching 1, 2 is controlled so that the differential circuit in the stable state does not become inactive. Preferably. Specifically, in the connection switching 1, since the n-channel transistor pair 103, 104 is a differential pair, the n-channel transistor pair 103, 10 from the low power supply VSS.
A voltage lower than the threshold voltage of 4 is set as the lower limit, and the differential input voltage (VinP, VinM) on the higher potential side is controlled to operate. In connection switching 2, since the p-channel transistor pair 101 and 102 are a differential pair, the high-potential power supply VDD to the p-channel transistor pair 103 and 1
A voltage lower by the threshold voltage of 04 is set as an upper limit, and the differential input voltage (VinP, VinM) on the lower potential side is controlled to operate. Further, when the connection switching voltage Vm is provided, Vm is set to a voltage between the upper limit and the lower limit, and the connection switching 1 state is set for the differential input voltage on the high potential side of Vm or more, and the low potential of less than Vm. Switching control is performed so that the connection switching 1 state is set for the side differential input voltage.

【0051】図3(A)、図3(B)は、図2の接続切
替1、2における、図1の等価回路(差動回路の出力端
子は省略)である。本発明の差動回路の作用を説明す
る。なお、トランジスタ対101、102および10
3、104はそれぞれ同極性同士でトランジスタ特性が
等しいものとする。また入力電圧VinPは、差動対が
動作可能な所定の電圧とし、入力電圧VinMは電位変
動が容易な電圧とする。このとき、図3(A)、図3
(B)では、カレントミラー回路により等しいドレイン
電流が差動対トランジスタに流れ、差動対トランジスタ
のゲート・ソース間電圧が等しい状態で安定するため、
安定状態ではVinP=VinMとなる。
FIGS. 3A and 3B are equivalent circuits of FIG. 1 (the output terminals of the differential circuit are omitted) in the connection switching 1 and 2 of FIG. The operation of the differential circuit of the present invention will be described. The transistor pairs 101, 102 and 10
3 and 104 have the same polarity and the same transistor characteristics. The input voltage VinP is a predetermined voltage at which the differential pair can operate, and the input voltage VinM is a voltage whose potential can be easily changed. At this time, FIG.
In (B), an equal drain current flows through the differential pair transistor due to the current mirror circuit, and the gate voltage and source voltage of the differential pair transistor are stable in the same state.
In the stable state, VinP = VinM.

【0052】次に、本発明の一実施例において、製造プ
ロセス等により、同一極性のトランジスタ対の特性が互
いにずれた場合について説明する。ここでは、nチャネ
ルトランジスタ103の特性が標準特性からずれた場合
を例に説明する。
Next, in one embodiment of the present invention, the case where the characteristics of the transistor pairs of the same polarity are deviated from each other due to the manufacturing process or the like will be described. Here, a case where the characteristics of the n-channel transistor 103 deviate from the standard characteristics will be described as an example.

【0053】図3(C)、図3(D)は、差動対および
カレントミラー回路をなすトランジスタ101、10
2、103、104のそれぞれのゲート・ソース間電圧
に対するオン動作領域のドレイン電流特性(Ids−V
gs特性)を示した図である。図3(C)、図3(D)
において、実線は、標準特性、破線は、標準特性から閾
値電圧が増加方向にずれたnチャネルトランジスタ10
3の特性を示している。
FIGS. 3C and 3D show transistors 101 and 10 forming a differential pair and a current mirror circuit.
The drain current characteristics (Ids-V) of the ON operation region with respect to the gate-source voltage of each of 2, 103, and 104.
It is the figure which showed gs characteristic). 3C and 3D
, The solid line indicates the standard characteristic, and the broken line indicates the n-channel transistor 10 whose threshold voltage is deviated from the standard characteristic in the increasing direction.
3 shows characteristics.

【0054】接続切替1では、図3(A)、図3(C)
を参照すると、pチャネルトランジスタ101、102
がカレントミラー回路を構成し、差動対をなすnチャネ
ルトランジスタ103、104に等しいドレイン電Id
s101、Ids102(Ids101=Ids10
2)を供給する。
In connection switching 1, FIG. 3 (A) and FIG. 3 (C)
With reference to p-channel transistors 101, 102
Is a current mirror circuit, and has a drain voltage Id equal to that of the n-channel transistors 103 and 104 forming a differential pair.
s101, Ids102 (Ids101 = Ids10
2) is supplied.

【0055】nMOS差動トランジスタ対103、10
4のゲート・ソース間電圧は、それぞれ、ドレイン電流
Ids101、Ids102によって決まる。図3
(C)に示す例では、トランジスタ103のゲート・ソ
ース間電圧Vgs103の方がトランジスタ104のゲ
ート・ソース間電圧Vgs104よりも大きくなるよう
な入力電圧VinMが与えられた状態が、安定状態とな
る。
NMOS differential transistor pair 103, 10
The gate-source voltage of 4 is determined by the drain currents Ids101 and Ids102, respectively. Figure 3
In the example shown in (C), the state in which the gate-source voltage Vgs103 of the transistor 103 is larger than the gate-source voltage Vgs104 of the transistor 104 is applied is the stable state.

【0056】このとき、nチャネルトランジスタ10
3、104のゲート・ソース間電圧の差が入力電圧Vi
nP、VinMの電圧差となり、以下の関係が成り立
つ。 VinP−VinM=Vgs103−Vgs104>0 …(4)
At this time, the n-channel transistor 10
The difference between the gate and source voltages of 3, 104 is the input voltage Vi.
It becomes a voltage difference between nP and VinM, and the following relationship is established. VinP-VinM = Vgs103-Vgs104> 0 (4)

【0057】一方、接続切替2では、図3(B)、図3
(D)を参照すると、nチャネルトランジスタ103、
104はカレントミラー回路を構成し、差動対をなすp
チャネルトランジスタ101、102に異なるドレイン
電流Ids103、Ids104をそれぞれ供給する。
pMOS差動トランジスタ対101、102のゲート・
ソース間電圧(それぞれ負の値)は、それぞれドレイン
電流Ids103、Ids104によって決まる。図3
(D)に示す例では、トランジスタ102のゲート・ソ
ース間電圧Vgs102の方がトランジスタ101のゲ
ート・ソース間電圧Vgs101よりも絶対値が大きく
なるような入力電圧VinMが与えられた状態が安定状
態となる。このとき、pチャネルトランジスタ101、
102のゲート・ソース間電圧の差が、入力電圧Vin
P、VinMの電圧差となり、以下の関係が成り立つ。 VinP−VinM=Vgs101−Vgs102>0 …(5)
On the other hand, in the connection switching 2, FIG.
Referring to (D), the n-channel transistor 103,
Reference numeral 104 denotes a current mirror circuit, and p forming a differential pair.
Different drain currents Ids103 and Ids104 are supplied to the channel transistors 101 and 102, respectively.
Gates of pMOS differential transistor pair 101 and 102
The source-to-source voltage (negative value) is determined by the drain currents Ids103 and Ids104, respectively. Figure 3
In the example shown in (D), a stable state is a state in which the gate-source voltage Vgs102 of the transistor 102 is applied with an input voltage VinM having an absolute value larger than the gate-source voltage Vgs101 of the transistor 101. Become. At this time, the p-channel transistor 101,
The difference between the gate-source voltage of 102 is the input voltage Vin
The voltage difference between P and VinM is established, and the following relationship is established. VinP-VinM = Vgs101-Vgs102> 0 (5)

【0058】以上より、接続切替1、2の安定状態にお
ける入力電圧VinP、VinMの電圧差(VinP−
VinM)は、ともに正となる。
From the above, the voltage difference between the input voltages VinP and VinM (VinP- in the stable state of the connection switching 1 and 2).
VinM) are both positive.

【0059】これは、nチャネルトランジスタ103の
トランジスタ特性のずれに対して、接続切替1、2にお
ける、(VinP−VinM)のずれの方向が等しいこ
とを示しており、接続切替による(VinP−Vin
M)のずれの偏差を小さく抑えることができる。
This shows that the deviation direction of (VinP-VinM) in the connection switching 1 and 2 is equal to the deviation of the transistor characteristic of the n-channel transistor 103, and (VinP-Vin) due to the connection switching.
The deviation of the deviation of M) can be suppressed to be small.

【0060】特に、トランジスタ101、102、10
3、104のそれぞれの極性のトランジスタサイズを同
じドレイン電流に対するIds−Vgs特性曲線の傾き
(ΔIds/ΔVgsの絶対値)が十分等しくなるよう
に設定することで、すなわち極性間のIds−Vgs特
性がほぼ線対称となるように設計することで、接続切替
1、2それぞれの(VinP−VinM)のずれの大き
さを十分等しくすることも可能である。
In particular, the transistors 101, 102, 10
By setting the transistor sizes of the respective polarities of 3 and 104 so that the slopes (absolute value of ΔIds / ΔVgs) of the Ids-Vgs characteristic curve with respect to the same drain current are sufficiently equal, that is, the Ids-Vgs characteristic between polarities is set. It is also possible to make the magnitudes of the deviations of (VinP-VinM) of the connection switchings 1 and 2 sufficiently equal by designing to be substantially line-symmetrical.

【0061】上述の説明では、nチャネルトランジスタ
103の閾値電圧が増加方向にずれた場合(Vtn+Δ
Vtn)を例に挙げて説明したが、トランジスタ10
1、102、103、104のいずれかの素子が標準特
性からずれた場合であっても、接続切替1、2における
(VinP−VinM)のずれの方向は等しくなり、接
続切替を行っても、(VinP−VinM)のずれの偏
差を小さく抑えることができる。
In the above description, when the threshold voltage of the n-channel transistor 103 deviates in the increasing direction (Vtn + Δ
Vtn) has been described as an example, but the transistor 10
Even if any one of the elements 1, 102, 103 and 104 deviates from the standard characteristics, the directions of deviation of (VinP-VinM) in the connection switching 1 and 2 become equal, and even if the connection switching is performed, The deviation of the deviation of (VinP-VinM) can be suppressed to be small.

【0062】すなわち、本発明の差動回路は、差動対お
よびカレントミラー回路を構成する4つのトランジスタ
のいずれかが標準特性からずれた場合でも、接続切替
1、2における(VinP−VinM)のずれの方向は
等しくなり、接続切替を行っても(VinP−Vin
M)のずれの偏差を小さく抑えることができる。
That is, in the differential circuit of the present invention, even when any one of the four transistors forming the differential pair and the current mirror circuit deviates from the standard characteristics, the (VinP-VinM) connection switching 1 and 2 is performed. The deviation directions are the same, and even if the connection is switched (VinP-Vin
The deviation of the deviation of M) can be suppressed to be small.

【0063】なお、上記したような接続切替ではなく、
図3(A)、図3(B)と同じ構成の2つの差動回路
を、別々に用意しておき、それぞれを切り替える場合に
は、差動対およびカレントミラー回路を構成するトラン
ジスタが8個となる(図15の従来の回路を参照のこ
と)。かかる構成においては、トランジスタ特性のずれ
に対する2つの差動回路の(VinP−VinM)のず
れの方向が異なる場合が生じ、2つの差動回路の切替に
よる(VinP−VinM)のずれの偏差を小さく抑え
ることはできない。
It should be noted that, instead of the connection switching as described above,
Two differential circuits having the same configuration as those in FIGS. 3A and 3B are prepared separately, and when switching between them, eight transistors are included in the differential pair and the current mirror circuit. (See the conventional circuit in FIG. 15). In such a configuration, the deviation direction of (VinP-VinM) of the two differential circuits with respect to the deviation of the transistor characteristic may be different, and the deviation of the deviation of (VinP-VinM) due to the switching of the two differential circuits is small. I can't hold back.

【0064】図4は、本発明の第2の実施例の構成を示
す図であり、図1の差動回路の各スイッチを、MOSト
ランジスタで構成した一例を示す図である。図4におい
て、スイッチ制御信号S1、S2は、ローレベル(L)
またはハイレベル(H)で制御される。
FIG. 4 is a diagram showing a configuration of the second embodiment of the present invention, and is a diagram showing an example in which each switch of the differential circuit of FIG. 1 is configured by a MOS transistor. In FIG. 4, the switch control signals S1 and S2 are low level (L).
Alternatively, it is controlled at a high level (H).

【0065】そして(S1、S2)=(H、L)と制御
すると接続切替1の状態となり、(S1、S2)=
(L、H)と制御すると接続切替2の状態となる。なお
S1B、S2BはそれぞれS1、S2の反転信号とす
る。
When (S1, S2) = (H, L) is controlled, the state of connection switching 1 is established, and (S1, S2) =
When it is controlled to (L, H), the state of connection switching 2 is set. Note that S1B and S2B are inverted signals of S1 and S2, respectively.

【0066】各スイッチは、接続、遮断が制御できれ
ば、任意のスイッチであってよい。図4では、トランジ
スタ数が少なく(素子数を縮減)、省面積となり得る構
成が示されている。まず、一端が高位側電源VDD、低
位側電源VSSと接続されるスイッチ111とスイッチ
120は、それぞれ単体のpチャネルトランジスタおよ
びnチャネルトランジスタで構成することができる。
Each switch may be any switch as long as it can control connection and disconnection. FIG. 4 shows a configuration in which the number of transistors is small (the number of elements is reduced) and the area can be saved. First, the switch 111 and the switch 120, one ends of which are connected to the high-potential power supply VDD and the low-potential power supply VSS, can be configured by a single p-channel transistor and an n-channel transistor, respectively.

【0067】またスイッチ112、113も、単体のp
チャネルトランジスタでそれぞれ構成してもよい。この
理由は、スイッチ112、113がオン状態となるの
が、接続切替1の状態であり、pチャネルトランジスタ
101、102がカレントミラー回路を構成する場合で
ある。そのときのpチャネルトランジスタ101、10
2のゲート電位は、高位側電源電圧VDDに比較的近い
一定の電位となるからである。例えば、電流源106の
電流値を小さく設定した場合の接続切替1の状態におけ
るpチャネルトランジスタ101、102のゲートと高
位側電源端子VDDとの電位差は、pチャネルトランジ
スタ101、102の閾値電圧にかなり近い電圧とな
り、pチャネルトランジスタ101、102のゲート電
位は、電源電圧範囲に対して十分高位電源電圧VDDに
近いといえる。したがって、スイッチ112、113
を、単体のpチャネルトランジスタで構成し、それぞれ
のゲートに低位側電源電圧VSSを与えてオンとし、高
位側電源電圧VDDを与えてオフとすれば十分スイッチ
として機能させることができる。
Also, the switches 112 and 113 are p
Each may be configured with a channel transistor. The reason is that the switches 112 and 113 are turned on in the connection switching 1 state and the p-channel transistors 101 and 102 form a current mirror circuit. P-channel transistors 101 and 10 at that time
This is because the gate potential of 2 is a constant potential that is relatively close to the higher power supply voltage VDD. For example, the potential difference between the gates of the p-channel transistors 101 and 102 and the high-potential-side power supply terminal VDD in the connection switching 1 state when the current value of the current source 106 is set small is considerably large as the threshold voltage of the p-channel transistors 101 and 102. Since the voltages are close to each other, the gate potentials of the p-channel transistors 101 and 102 can be said to be sufficiently close to the power supply voltage VDD which is sufficiently high with respect to the power supply voltage range. Therefore, the switches 112, 113
Is composed of a single p-channel transistor, and each gate is supplied with the low-potential power supply voltage VSS to be turned on, and is supplied with the high-potential power supply voltage VDD to be turned off to sufficiently function as a switch.

【0068】同様にして、スイッチ118、119も単
体のnチャネルトランジスタでそれぞれ構成してもよ
い。スイッチ118、119がオン状態となるのが、接
続切替2の状態でnチャネルトランジスタ103、10
4がカレントミラー回路を構成する場合で、そのときの
nチャネルトランジスタ103、104のゲート電位は
低位側電源電圧VSSに比較的近い一定の電位となるか
らである。
Similarly, the switches 118 and 119 may each be composed of a single n-channel transistor. The switches 118 and 119 are turned on in the connection switching 2 state in the n-channel transistors 103 and 10.
This is because when 4 constitutes a current mirror circuit, the gate potentials of the n-channel transistors 103 and 104 at that time are constant potentials relatively close to the lower power supply voltage VSS.

【0069】なお、図1のスイッチ114、115、1
16、117は、一端が入力端子1または2に接続され
ており入力電圧VinP、VinMが任意の電圧で与え
られる場合には、CMOSスイッチで構成される。
The switches 114, 115 and 1 shown in FIG.
When the input voltages VinP and VinM are given as arbitrary voltages, the reference numerals 16 and 117 are CMOS switches each having one end connected to the input terminal 1 or 2.

【0070】図4において、電流源105は、ソースが
高位側電源VDDに接続され、ゲートにバイアス電圧B
IASPが入力され、ドレインが、トランジスタ101
と102の共通ソースに接続されているpチャネルトラ
ンジスタよりなり、電流源106は、ソースが低位側電
源VSSに接続され、ゲートにバイアス電圧BIASN
が入力され、ドレインが、トランジスタ103と104
の共通ソースに接続されているnチャネルトランジスタ
よりなる。バイアス電圧BIASP、BIASNは必要
に応じてバイアスレベルを変化させてもよい。例えば差
動回路を停止させる場合には、(S1、S2)=(L、
L)としてトランジスタ111、120をオフさせると
ともに、バイアス電圧BIASPを高位側電源VDDに
切替え電流源トランジスタ105を非活性化し、バイア
ス電圧BIASNを低位側電源電圧VSSに切替え、電
流源トランジスタ106を非活性化して差動回路内部の
電流を完全に遮断して電力消費を抑制することもでき
る。
In FIG. 4, the source of the current source 105 is connected to the high potential side power source VDD, and the bias voltage B is applied to the gate.
IASP is input and the drain is the transistor 101.
And 102 connected to a common source, the current source 106 has a source connected to the lower power source VSS and a gate connected to a bias voltage BIASN.
Is input to the drains of the transistors 103 and 104.
Of n-channel transistors connected to a common source of. The bias levels of the bias voltages BIASP and BIASN may be changed as needed. For example, when stopping the differential circuit, (S1, S2) = (L,
As L), the transistors 111 and 120 are turned off, the bias voltage BIASP is switched to the high-side power supply VDD, the current source transistor 105 is deactivated, the bias voltage BIASN is switched to the low-side power supply voltage VSS, and the current source transistor 106 is deactivated. It is also possible to suppress the current inside the differential circuit completely to suppress the power consumption.

【0071】次に本発明の別の実施例について説明す
る。図5は、本発明の第3の実施例の構成を示す図であ
る。図5には、図1の差動回路を用いて構成した駆動回
路の構成が示されている。すなわち、図5において、ト
ランジスタ101、102、103、104、スイッチ
111〜120、電流源105、106からなる差動回
路は、図1に示したものと同一である。また図6は、図
5の駆動回路の制御の仕方の一例を示す図である。
Next, another embodiment of the present invention will be described. FIG. 5 is a diagram showing the configuration of the third exemplary embodiment of the present invention. FIG. 5 shows the configuration of a drive circuit configured by using the differential circuit of FIG. That is, in FIG. 5, the differential circuit including the transistors 101, 102, 103 and 104, the switches 111 to 120, and the current sources 105 and 106 is the same as that shown in FIG. 6 is a diagram showing an example of how to control the drive circuit in FIG.

【0072】図5を参照すると、この駆動回路は、図1
に示した差動回路の出力を受けて動作する2つの増幅段
510、520を含む帰還型増幅回路である。図5にお
いて、差動回路の2つの入力端子(差動入力端子)に
は、入力電圧Vin(図1では入力電圧VinP)と出
力電圧Vout(図1では入力電圧VinM)が入力さ
れる。
Referring to FIG. 5, this driving circuit is shown in FIG.
It is a feedback type amplifier circuit including two amplifier stages 510 and 520 which operate by receiving the output of the differential circuit shown in FIG. In FIG. 5, an input voltage Vin (input voltage VinP in FIG. 1) and an output voltage Vout (input voltage VinM in FIG. 1) are input to two input terminals (differential input terminals) of the differential circuit.

【0073】また増幅段510は、出力端子2を速やか
に充電する充電用増幅段であり、増幅段520は、出力
端子2を速やかに放電する放電用増幅段である。なお、
充電用増幅段510、放電用増幅段520の構成につい
ては、図8等を参照して、後に説明される。図6を参照
して、図5の駆動回路の動作について説明する。
The amplifying stage 510 is a charging amplifying stage for quickly charging the output terminal 2, and the amplifying stage 520 is a discharging amplifying stage for quickly discharging the output terminal 2. In addition,
The configurations of the charging amplification stage 510 and the discharging amplification stage 520 will be described later with reference to FIG. The operation of the drive circuit shown in FIG. 5 will be described with reference to FIG.

【0074】図6において、接続切替1の状態では差動
回路のスイッチ111、112、113、116、11
7をオンとし、スイッチ114、115、118、11
9、120をオフとし、増幅段510を活性化(動作可
能)、増幅段520を非活性化(停止)させる。
In FIG. 6, in the state of connection switching 1, the switches 111, 112, 113, 116, 11 of the differential circuit are shown.
7 is turned on, and switches 114, 115, 118, 11
9, 120 are turned off, the amplification stage 510 is activated (operable), and the amplification stage 520 is deactivated (stopped).

【0075】そして、出力端子電圧Voutが所望の電
圧より低電位のときに、入力端子電圧Vinと出力端子
電圧Voutの電圧差に応じた差動回路の動作および増
幅段510の充電作用により、出力端子電圧Voutを
所望の電圧まで上昇させることができる。
When the output terminal voltage Vout is lower than the desired voltage, the output is generated by the operation of the differential circuit and the charging action of the amplification stage 510 according to the voltage difference between the input terminal voltage Vin and the output terminal voltage Vout. The terminal voltage Vout can be raised to a desired voltage.

【0076】一方、接続切替2の状態では、差動回路の
スイッチ111、112、113、116、117をオ
フとし、スイッチ114、115、118、119、1
20をオンとし、増幅段510を非活性化(停止)、増
幅段520を活性化(動作可能と)する。
On the other hand, in the state of connection switching 2, the switches 111, 112, 113, 116 and 117 of the differential circuit are turned off and the switches 114, 115, 118, 119 and 1 are turned off.
20 is turned on, the amplification stage 510 is deactivated (stopped), and the amplification stage 520 is activated (enabled).

【0077】そして出力端子電圧Voutが所望の電圧
より高電位のときに、入力端子電圧Vinと出力端子電
圧Voutの電圧差に応じた差動回路の動作および増幅
段520の放電作用により、出力端子電圧Voutを所
望の電圧まで低下させることができる。
When the output terminal voltage Vout has a higher potential than the desired voltage, the operation of the differential circuit according to the voltage difference between the input terminal voltage Vin and the output terminal voltage Vout and the discharging action of the amplification stage 520 cause the output terminal voltage to rise. The voltage Vout can be reduced to a desired voltage.

【0078】なお、差動回路の出力が増幅段210、2
20に対して共通となっているため、増幅段210、2
20のそれぞれの動作開始時に、最適な差動回路の出力
電圧が異なる場合には、接続切替1および接続切替2の
それぞれの状態の開始時に、差動回路の出力電圧をそれ
ぞれの最適な電圧にリセットするリセット回路を設けて
もよい。
The outputs of the differential circuit are the amplification stages 210, 2
Since it is common to 20 amplifier stages 210, 2
If the optimum output voltage of the differential circuit is different at the start of each operation of 20, the output voltage of the differential circuit is set to the optimum voltage at the start of each state of connection switching 1 and connection switching 2. A reset circuit for resetting may be provided.

【0079】また、図6では所望の電圧を駆動する1出
力期間において、接続切替1または接続切替2のいずれ
かの状態で駆動する場合を示したが、この場合は、高位
側電圧と低位側電圧を交互に駆動する応用例等に用いて
好適とされる。任意の電圧を任意の順番で駆動する場合
などでは、1出力期間の中で、接続切替1と接続切替2
を切り替えて駆動してもよい。この場合、少なくとも高
位側電圧の安定駆動時には接続切替1の状態とし、低位
側電圧の安定駆動時には接続切替2の状態となるように
制御する。
Further, FIG. 6 shows the case of driving in either the connection switching 1 or the connection switching 2 in one output period in which a desired voltage is driven, but in this case, the high voltage side and the low voltage side are driven. It is suitable for use in applications in which voltages are alternately driven. In the case of driving arbitrary voltages in an arbitrary order, the connection switching 1 and the connection switching 2 are performed within one output period.
May be switched and driven. In this case, the connection switching 1 is controlled at least when the high voltage is stably driven, and the connection switching 2 is controlled when the low voltage is stably driven.

【0080】図5に示した駆動回路において、差動回路
のpチャネルトランジスタ対101、102およびnチ
ャネルトランジスタ対103、104は、それぞれ同極
性同士トランジスタ特性が等しく、接続切替1、2の各
状態で、出力端子2に入力電圧Vinと等しい電圧をV
outとして出力することができるように構成すれば、
このとき差動回路の2つの入力端子には、入力端子電圧
Vin(図1では入力電圧VinP)と出力端子電圧V
out(図1では入力電圧VinM)が入力され、Vi
n=Voutが安定状態となる。
In the drive circuit shown in FIG. 5, the p-channel transistor pair 101 and 102 and the n-channel transistor pair 103 and 104 of the differential circuit have the same polarity and have the same transistor characteristics, and the connection switching states 1 and 2 are the same. Then, a voltage equal to the input voltage Vin is applied to the output terminal 2 by V
If it is configured so that it can be output as out,
At this time, the input terminal voltage Vin (the input voltage VinP in FIG. 1) and the output terminal voltage V are applied to the two input terminals of the differential circuit.
out (input voltage VinM in FIG. 1) is input, and Vi
n = Vout becomes stable.

【0081】したがって、この場合、図3を参照して説
明した事項が、図5に示した駆動回路にもそのまま当て
はまり、製造プロセス等により差動回路の同極性トラン
ジスタ対の特性がずれた場合でも、接続切替1、2にお
ける、(Vin−Vout)のずれの方向は等しくな
り、接続切替を行っても、(Vin−Vout)のずれ
の偏差を小さく抑えることができる。
Therefore, in this case, the matters described with reference to FIG. 3 also apply to the drive circuit shown in FIG. 5 as they are, and even when the characteristics of the pair of transistors of the same polarity in the differential circuit are deviated due to the manufacturing process or the like. , The direction of deviation of (Vin-Vout) is the same in connection switching 1 and 2, and even if connection switching is performed, the deviation of deviation of (Vin-Vout) can be suppressed to a small value.

【0082】なお、トランジスタ特性のずれは、増幅段
510、520においても生じる場合があるが、これに
よる影響は十分小さいため、差動回路のトランジスタ対
の特性がずれた場合を考慮すれば、作用の説明として十
分である。
The transistor characteristic shift may occur also in the amplification stages 510 and 520. However, the influence thereof is sufficiently small. Therefore, considering the case where the transistor pair characteristic of the differential circuit shifts, the operation Is sufficient for explanation.

【0083】一方、図15に示した駆動回路も、出力端
子2に入力電圧Vinと等しい電圧をVoutとして出
力することができるボルテージフォロワ回路であるが、
ボルテージフォロワ回路901、902がそれぞれ差動
回路を個別に含んで構成されているため、ボルテージフ
ォロワ回路901、902を切り替えて駆動した場合、
トランジスタ特性のずれに対する(Vin−Vout)
のずれの方向は任意であり、その偏差を小さく抑えるこ
とができない。
On the other hand, the drive circuit shown in FIG. 15 is also a voltage follower circuit capable of outputting a voltage equal to the input voltage Vin as Vout to the output terminal 2.
Since each of the voltage follower circuits 901 and 902 is configured to include a differential circuit individually, when the voltage follower circuits 901 and 902 are switched and driven,
Deviation of transistor characteristics (Vin-Vout)
The deviation direction is arbitrary, and the deviation cannot be suppressed small.

【0084】すなわち、図5の駆動回路は、図15の駆
動回路よりもトランジスタ特性のずれに対する(Vin
−Vout)のずれの偏差を小さく抑えることができ
る。特に液晶表示装置の階調電圧の増幅用アンプなど
は、液晶の特性に合わせて設けられた階調レベルの電圧
間隔を保つことが階調表示を行うために重要である。そ
のため、このような増幅用アンプ(駆動回路)は、出力
オフセットが階調によってあまり変化しない、すなわち
出力オフセットの階調間の偏差が十分小さいことが求め
られている。
That is, the drive circuit of FIG. 5 is more sensitive to the deviation of the transistor characteristics than the drive circuit of FIG.
The deviation of the deviation of −Vout) can be suppressed to be small. In particular, for an amplifier for amplifying the gradation voltage of a liquid crystal display device, it is important to maintain the voltage interval of the gradation level provided according to the characteristics of the liquid crystal for performing the gradation display. Therefore, such an amplifier for amplification (driving circuit) is required to have an output offset that does not change much depending on the gradation, that is, a deviation between the gradations of the output offset is sufficiently small.

【0085】その点で、図5に示した駆動回路は、トラ
ンジスタ特性のずれに対する、(Vin−Vout)の
ずれの偏差を小さく抑えることができ、液晶表示装置の
階調電圧の増幅用アンプなどに好適である。
In that respect, the drive circuit shown in FIG. 5 can suppress the deviation of the deviation of (Vin-Vout) with respect to the deviation of the transistor characteristics to be small, and an amplifier for amplifying the gradation voltage of the liquid crystal display device or the like. Suitable for

【0086】図7は、図5の駆動回路の動作を説明する
ための図であり、基準レベルに対して高電位側の高位レ
ベルVL1と低電位側の低位レベルVL2を、図5の駆
動回路で駆動した場合の期待値とオフセットを含む出力
値を示した図である。図5の駆動回路のトランジスタ特
性のずれに対する(Vin−Vout)のずれの偏差に
ついて、図7を参照して、詳しく説明する。
FIG. 7 is a diagram for explaining the operation of the drive circuit of FIG. 5, in which the high level VL1 on the high potential side and the low level VL2 on the low potential side with respect to the reference level are set to the drive circuit of FIG. It is a figure showing an output value including an expected value and an offset when driven by. The deviation of the deviation of (Vin-Vout) with respect to the deviation of the transistor characteristics of the drive circuit of FIG. 5 will be described in detail with reference to FIG.

【0087】図7において、期待値はトランジスタ特性
のずれがない場合で、Vout=Vinであり、オフセ
ットを含む出力値は、トランジスタ特性のずれがある場
合のVoutである。
In FIG. 7, the expected value is Vout = Vin when there is no shift in the transistor characteristics, and the output value including the offset is Vout when there is a shift in the transistor characteristics.

【0088】接続切替1、2の切り替えによるずれの偏
差を評価するため、高位レベルVL1は、図5の駆動回
路を接続切替1の状態で駆動し、低位レベルVL2は接
続切替2の状態で駆動するものとし、それぞれのオフセ
ットは±ΔVL1、±ΔVL2とする。
In order to evaluate the deviation between the connection switchings 1 and 2, the high level VL1 drives the drive circuit of FIG. 5 in the connection switching 1 state, and the low level VL2 drives in the connection switching 2 state. The respective offsets are ± ΔVL1 and ± ΔVL2.

【0089】階調レベルの電圧間隔が保たれるかは、2
つの階調レベルの振幅差偏差が十分小さいかどうかによ
って判断することができる。
Whether the voltage interval of the gradation level is maintained is 2
It can be determined by whether the amplitude difference deviation between two gradation levels is sufficiently small.

【0090】図5の駆動回路では、接続切替1、2にお
ける(Vin−Vout)のずれの方向は等しいことか
ら、図7における2つの電圧レベルVL1、VL2の振
幅差偏差は、 {(VL1+ΔVL1)−(VL2+ΔVL2)} …(6) または {(VL1−ΔVL1)−(VL2−ΔVL2)} …(7) となる。
In the drive circuit of FIG. 5, since the directions of deviation of (Vin-Vout) in connection switching 1 and 2 are the same, the amplitude difference deviation between the two voltage levels VL1 and VL2 in FIG. 7 is {(VL1 + ΔVL1). -(VL2 + ΔVL2)} (6) or {(VL1-ΔVL1)-(VL2-ΔVL2)} (7).

【0091】したがって、振幅差偏差の最大値は、両者
の差の絶対値をとって求められ、次式(8)で与えられ
る。 |2×(ΔVL1−ΔVL2)| …(8)
Therefore, the maximum value of the amplitude difference deviation is obtained by taking the absolute value of the difference between them and is given by the following equation (8). | 2 × (ΔVL1−ΔVL2) |… (8)

【0092】すなわち、図5に示した駆動回路におい
て、接続切替1と接続切替2を切り替えて駆動したとき
の振幅差偏差は、接続切替1、2の各状態において生じ
るオフセットの絶対値の差の2倍の偏差を取り得る場合
があることを示している。
That is, in the drive circuit shown in FIG. 5, the amplitude difference deviation when the connection switching 1 and the connection switching 2 are switched and driven is the difference between the absolute values of the offsets occurring in the respective states of the connection switching 1 and 2. It shows that there is a case where the deviation can be doubled.

【0093】図16の説明における図15の駆動回路の
振幅差偏差の最大値{2×(ΔVL1+ΔVL2)}(式
(3)参照)と比較すると、以下の関係は明らかであ
る。
In comparison with the maximum value {2 × (ΔVL1 + ΔVL2)} of the amplitude difference deviation of the drive circuit of FIG. 15 in the explanation of FIG. 16, the following relation is clear.

【0094】 |2×(ΔVL1−ΔVL2)|≦{2×(ΔVL1+ΔVL2)} …(9)[0094]     │2 × (ΔVL1−ΔVL2) | ≦ {2 × (ΔVL1 + ΔVL2)}                                                                 … (9)

【0095】したがって、図5の駆動回路は、図15の
駆動回路よりも、トランジスタ特性のずれに対する(V
in−Vout)のずれの偏差を小さく抑えることがで
きることがわかる。
Therefore, the drive circuit shown in FIG. 5 is better than the drive circuit shown in FIG.
It can be seen that the deviation of the deviation of (in-Vout) can be suppressed to be small.

【0096】また、接続切替1、2の各状態のオフセッ
トΔVL1、ΔVL2をできる限り等しくするため、P
MOSトランジスタ101、102と、NMOSトラン
ジスタ103、104の極性間のIds−Vgs(ドレ
イン電流とゲート・ソース間電圧)特性がほぼ線対称と
なるように設計すれば、図5の駆動回路は、振幅差偏差
を十分小さくすることが可能である。
Further, in order to make the offsets ΔVL1 and ΔVL2 in each state of the connection switching 1 and 2 as equal as possible, P
If the Ids-Vgs (drain current and gate-source voltage) characteristics between the polarities of the MOS transistors 101 and 102 and the NMOS transistors 103 and 104 are designed to be substantially line symmetric, the drive circuit of FIG. It is possible to make the difference deviation sufficiently small.

【0097】さらに本発明の別の実施例について説明す
る。図8は、本発明の第4の実施例の構成を示す図であ
る。図8には、図1の差動回路を用いて構成した駆動回
路の構成が示されている。すなわち、図8において、ト
ランジスタ101、102、103、104、スイッチ
111〜120、電流源105、106からなる差動回
路は、図1に示したものと同一である。
Further, another embodiment of the present invention will be described. FIG. 8 is a diagram showing the configuration of the fourth exemplary embodiment of the present invention. FIG. 8 shows the configuration of a drive circuit configured by using the differential circuit of FIG. That is, in FIG. 8, the differential circuit including the transistors 101, 102, 103 and 104, the switches 111 to 120, and the current sources 105 and 106 is the same as that shown in FIG.

【0098】充電用の増幅段210は、差動回路の出力
信号3(トランジスタ101と103のドレインの接続
点ノードの電圧)をゲートに受け、ドレインが出力端子
2に接続されているpチャネルトランジスタ211と、
トランジスタ211のソースと、高位側電源VDDとの
間に挿入されているスイッチ213と、トランジスタ2
11のドレインと、低位側電源VSSとの間に、直列形
態に接続されている、スイッチ214及び電流源212
と、を備えている。出力端子2(トランジスタ211の
ドレイン出力)とトランジスタ211のゲート間には容
量C1が帰還接続されており、出力端子2の立ち上がり
電圧波形の波形整形が行われる。そして、高位側電源V
DDとトランジスタ211のゲートと間に挿入されたス
イッチ531を有するリセット回路530を備えてい
る。
The amplification stage 210 for charging is a p-channel transistor whose gate receives the output signal 3 of the differential circuit (voltage at the node between the drains of the transistors 101 and 103) and whose drain is connected to the output terminal 2. 211,
The switch 213 inserted between the source of the transistor 211 and the high-potential side power supply VDD, and the transistor 2
11, a switch 214 and a current source 212 connected in series between the drain of 11 and the lower power supply VSS.
And are equipped with. A capacitor C1 is feedback-connected between the output terminal 2 (drain output of the transistor 211) and the gate of the transistor 211, and the rising voltage waveform of the output terminal 2 is shaped. And the high-side power supply V
A reset circuit 530 having a switch 531 inserted between DD and the gate of the transistor 211 is provided.

【0099】放電用の増幅段220は、差動回路の出力
信号をゲートに受け、ドレインが出力端子2に接続され
ているnチャネルトランジスタ221と、トランジスタ
221のソースと、低位側電源VSS間に挿入されてい
るスイッチ223と、トランジスタ221のドレイン
と、高位側電源VDDとの間に、直列形態に接続されて
いる、スイッチ224及び電流源222を備えている。
出力端子2(トランジスタ221のドレイン出力)とト
ランジスタ221のゲート間には容量C2が帰還接続さ
れており、出力端子2の立ち下がり電圧波形の波形整形
が行われる。そして、低位側電源VSSとトランジスタ
21のゲートとの間に挿入されたスイッチ541を有す
るリセット回路540を備えている。
The discharging amplification stage 220 receives the output signal of the differential circuit at its gate, and connects between the n-channel transistor 221 whose drain is connected to the output terminal 2, the source of the transistor 221, and the low potential side power supply VSS. A switch 224 and a current source 222, which are connected in series, are provided between the inserted switch 223, the drain of the transistor 221, and the high potential side power supply VDD.
A capacitor C2 is feedback-connected between the output terminal 2 (drain output of the transistor 221) and the gate of the transistor 221, and the falling voltage waveform of the output terminal 2 is shaped. The reset circuit 540 having the switch 541 inserted between the low-potential-side power supply VSS and the gate of the transistor 21 is provided.

【0100】図8において、差動回路の出力端子3は増
幅段210、220に接続され、差動回路の出力に応じ
て増幅段210、220が動作し、入力端子電圧Vin
と等しい電圧を、出力端子2から出力電圧(出力端子電
圧)Voutとして出力することができる。差動回路の
2つの入力端子には入力端子電圧Vin(図1では入力
電圧VinP)と出力端子電圧Vout(図1では入力
電圧VinM)が入力され、帰還型増幅回路の構成とな
っている。
In FIG. 8, the output terminal 3 of the differential circuit is connected to the amplification stages 210 and 220, the amplification stages 210 and 220 operate according to the output of the differential circuit, and the input terminal voltage Vin
Can be output from the output terminal 2 as the output voltage (output terminal voltage) Vout. The input terminal voltage Vin (the input voltage VinP in FIG. 1) and the output terminal voltage Vout (the input voltage VinM in FIG. 1) are input to the two input terminals of the differential circuit, thus forming a feedback amplifier circuit.

【0101】また差動回路の出力(トランジスタ101
と103のドレインの接続点)は、増幅段210と22
0とに対して共通とされている。そして、増幅段21
0、220を動作させる前に、差動回路の出力信号3を
リセットするリセット回路530、540を設けてい
る。
The output of the differential circuit (transistor 101
And the drains of 103) are connected to amplifier stages 210 and 22.
It is common to 0 and. And the amplification stage 21
Reset circuits 530 and 540 are provided for resetting the output signal 3 of the differential circuit before operating 0 and 220.

【0102】図9は、図8に示した第4の実施例の駆動
回路における接続切替1の出力期間と接続切替2の出力
期間の各スイッチ制御の実施例を示したものである。以
下、図9を参照して、図8の駆動回路の動作について説
明する。
FIG. 9 shows an embodiment of each switch control in the output period of connection switching 1 and the output period of connection switching 2 in the drive circuit of the fourth embodiment shown in FIG. The operation of the drive circuit shown in FIG. 8 will be described below with reference to FIG.

【0103】接続切替1の出力期間では、差動回路のス
イッチ111、112、113、116、117をオ
ン、スイッチ114、115、118、119、120
をオフとする。また出力期間の最初に、リセット回路5
30のスイッチ531をオンとして、差動回路の出力3
を高位電源電圧VDDに十分短い時間(「リセット期
間」という)の間、プリチャージする。図9に、※1)
で示すように、このリセット期間は、差動回路の出力3
をリセットできるだけの時間でよい。この間、増幅段2
10は、非活性とされる。
In the output period of the connection switching 1, the switches 111, 112, 113, 116 and 117 of the differential circuit are turned on and the switches 114, 115, 118, 119 and 120 are turned on.
To turn off. At the beginning of the output period, the reset circuit 5
The switch 531 of 30 is turned on to output 3 of the differential circuit.
Is precharged to the high power supply voltage VDD for a sufficiently short time (referred to as "reset period"). In Figure 9, * 1)
As shown by, during the reset period, the output 3 of the differential circuit is
It is enough time to reset. During this time, amplification stage 2
10 is deactivated.

【0104】そして、スイッチ531をオフとしてリセ
ット期間を終了し、その後、スイッチ213、214を
オンとして、増幅段210を活性化(動作)させる。こ
のとき、図8の駆動回路は、図16のボルテージフォロ
ワ回路910(スイッチ951、952、953がオン
した状態)と等価となる。したがって、接続切替1の出
力期間の駆動回路において、入力端子電圧VinがVi
n>Voutとなると、差動回路の出力信号電圧が低下
して、pチャネルトランジスタ211がオンとなり、高
い充電能力で出力端子電圧VoutをVinまで高速に
引き上げることができる。
Then, the switch 531 is turned off to end the reset period, and then the switches 213 and 214 are turned on to activate (operate) the amplification stage 210. At this time, the drive circuit in FIG. 8 is equivalent to the voltage follower circuit 910 in FIG. 16 (states in which the switches 951, 952, and 953 are turned on). Therefore, in the drive circuit in the output period of the connection switching 1, the input terminal voltage Vin is Vi
When n> Vout, the output signal voltage of the differential circuit decreases, the p-channel transistor 211 is turned on, and the output terminal voltage Vout can be quickly raised to Vin with high charging capability.

【0105】また、入力端子電圧VinがVin<Vo
utとなると、差動回路の出力信号電圧が上昇して、p
チャネルトランジスタ211がオフとなり、電流源21
2の放電作用より、出力端子電圧VoutをVinまで
引き下げる。
Further, the input terminal voltage Vin is Vin <Vo
When it becomes ut, the output signal voltage of the differential circuit rises and p
The channel transistor 211 is turned off and the current source 21
The discharge action of 2 lowers the output terminal voltage Vout to Vin.

【0106】この実施例のリセット回路530は、接続
切替1と接続切替2の接続状態の切替の前後での出力ノ
イズの発生を防ぐ作用効果がある。例えば、接続切替直
前に、差動回路の出力電圧が低電位であった場合、接続
切替直後に、入力端子電圧Vinに関係なく増幅段21
0のpチャネルトランジスタ211が瞬間的にオンとな
るため、出力端子電圧Voutが変化して、出力ノイズ
が発生する場合がある。
The reset circuit 530 of this embodiment has an effect of preventing the generation of output noise before and after the switching of the connection states of the connection switching 1 and the connection switching 2. For example, when the output voltage of the differential circuit has a low potential immediately before switching the connection, immediately after switching the connection, the amplifier stage 21 is irrespective of the input terminal voltage Vin.
Since the 0 p-channel transistor 211 is momentarily turned on, the output terminal voltage Vout may change and output noise may occur.

【0107】しかしながら、この実施例においては、リ
セット回路530により、差動回路の出力3を、pチャ
ネルトランジスタ211がオフ状態となるようにリセッ
トすることで、このような出力ノイズを防ぐことができ
る。図8では、スイッチ531によってリセットを行う
例を示したが、他の構成でもよいことは勿論である。差
動回路のスイッチ111、112、113、116、1
17は、スイッチ213、214と同期してオンさせて
も構わない。
However, in this embodiment, by resetting the output 3 of the differential circuit by the reset circuit 530 so that the p-channel transistor 211 is turned off, such output noise can be prevented. . In FIG. 8, an example in which the switch 531 is used for resetting is shown, but it goes without saying that other configurations may be used. Switches 111, 112, 113, 116, 1 of the differential circuit
The switch 17 may be turned on in synchronization with the switches 213 and 214.

【0108】一方、接続切替2の出力期間では、差動回
路のスイッチ111、112、113、116、117
をオフ、スイッチ114、115、118、119、1
20をオンとする。また出力期間の最初に、リセット回
路540のスイッチ541をオンとして、差動回路の出
力3を、低位電源電圧VSSに十分短いリセット期間の
間ディスチャージする。図9に、※1)で示すように、
このリセット期間は、差動段の出力をリセットできるだ
けの時間でよい。この間、増幅段220は非活性とされ
る。
On the other hand, in the output period of the connection switching 2, the switches 111, 112, 113, 116, 117 of the differential circuit.
Off, switches 114, 115, 118, 119, 1
Turn on 20. At the beginning of the output period, the switch 541 of the reset circuit 540 is turned on to discharge the output 3 of the differential circuit to the low power supply voltage VSS for a sufficiently short reset period. As shown by * 1) in Figure 9,
This reset period may be a time that allows the output of the differential stage to be reset. During this time, the amplification stage 220 is inactive.

【0109】そして、スイッチ541をオフとしてリセ
ット期間を終了し、その後、スイッチ223、224を
オンとして、増幅段220を活性化(動作)させる。こ
のとき、図8の駆動回路は、図15のボルテージフォロ
ワ回路920(スイッチ951、952、953がオン
した状態)と等価となる。
Then, the switch 541 is turned off to end the reset period, and then the switches 223 and 224 are turned on to activate (operate) the amplification stage 220. At this time, the drive circuit of FIG. 8 is equivalent to the voltage follower circuit 920 of FIG. 15 (states in which the switches 951, 952, and 953 are turned on).

【0110】したがって、接続切替2の出力期間の図8
の駆動回路において、入力端子電圧VinがVin<V
outとなると、差動回路の出力信号電圧が上昇して、
nチャネルトランジスタ221がオンとなり、高い放電
能力で、VoutをVinまで高速に引き下げることが
できる。
Therefore, the connection switching 2 output period shown in FIG.
In the driving circuit of, the input terminal voltage Vin is Vin <V
When it becomes out, the output signal voltage of the differential circuit rises,
Since the n-channel transistor 221 is turned on, Vout can be quickly reduced to Vin with high discharge capability.

【0111】また、入力端子電圧VinがVin>Vo
utとなると、差動回路の出力信号電圧が低下し、nチ
ャネルトランジスタ221がオフとなり、電流源222
の充電作用より、出力端子電圧Voutを入力端子電圧
Vinまで引き上げる。
Further, the input terminal voltage Vin is Vin> Vo
When it becomes ut, the output signal voltage of the differential circuit decreases, the n-channel transistor 221 turns off, and the current source 222
The output terminal voltage Vout is raised to the input terminal voltage Vin by the charging action of.

【0112】この実施例のリセット回路540は、接続
切替前後の出力ノイズを防ぐ作用効果がある。例えば、
接続切替直前に、差動回路の出力電圧が高電位であった
場合、接続切替直後に、入力端子電圧Vinに関係な
く、増幅段220のnチャネルトランジスタ221が瞬
間的にオンとなるため、Voutが変化して出力ノイズ
が発生する場合がある。
The reset circuit 540 of this embodiment has an effect of preventing output noise before and after connection switching. For example,
If the output voltage of the differential circuit is at a high potential immediately before the connection is switched, the n-channel transistor 221 of the amplification stage 220 is momentarily turned on immediately after the connection is switched, regardless of the input terminal voltage Vin. May change and output noise may occur.

【0113】しかしながら、この実施例では、リセット
回路540により、差動回路の出力3を、nチャネルト
ランジスタ211がオフ状態となるようにリセットする
ことにより、このような出力ノイズを防ぐことができ
る。なお、図8ではスイッチ541でリセットを行う例
を示したが、他の構成でもよいことは勿論である。差動
回路のスイッチ114、115、118、119、12
0は、スイッチ223、224と同期してオンさせても
よい。
However, in the present embodiment, such output noise can be prevented by resetting the output 3 of the differential circuit by the reset circuit 540 so that the n-channel transistor 211 is turned off. Although FIG. 8 shows an example in which the switch 541 is used for resetting, it goes without saying that another configuration may be used. Differential circuit switches 114, 115, 118, 119, 12
0 may be turned on in synchronization with the switches 223 and 224.

【0114】また図8の駆動回路は、図5の駆動回路と
同様の出力特性を有し、製造プロセス等により差動回路
のトランジスタ対の特性が標準特性からずれた場合であ
っても、接続切替1、2における(Vin−Vout)
のずれの方向は等しく、接続切替を行っても(Vin−
Vout)のずれの偏差を小さく抑えることが可能であ
る。このため、この駆動回路は、液晶表示装置の階調電
圧の増幅用アンプなどに好適である。
The drive circuit shown in FIG. 8 has the same output characteristics as the drive circuit shown in FIG. 5, and is connected even if the characteristics of the transistor pair of the differential circuit deviate from the standard characteristics due to the manufacturing process or the like. (Vin-Vout) in switching 1 and 2
The direction of deviation is the same, and even if the connection is switched (Vin-
It is possible to reduce the deviation of the deviation of (Vout). Therefore, this drive circuit is suitable for an amplifier for amplifying a gradation voltage of a liquid crystal display device or the like.

【0115】次に、本発明の第5の実施例について説明
する。図10は、本発明の第5の実施例の構成を示す図
であり、図5の駆動回路の別の回路構成を示す図であ
る。図10において、増幅段310は、図8の増幅段2
10の電流源212とスイッチ214を、回路410に
置き換え、増幅段320は、図8の増幅段220の電流
源222とスイッチ224を、回路420に置き換えて
構成したものであり、その他の構成は、図8と同じであ
る。
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described. FIG. 10 is a diagram showing the configuration of the fifth embodiment of the present invention, and is a diagram showing another circuit configuration of the drive circuit of FIG. In FIG. 10, the amplification stage 310 is the amplification stage 2 of FIG.
The current source 212 and the switch 214 of FIG. 10 are replaced with the circuit 410, and the amplification stage 320 is configured by replacing the current source 222 and the switch 224 of the amplification stage 220 of FIG. 8 with the circuit 420. Other configurations are as follows. , The same as in FIG.

【0116】図10を参照すると、差動回路は、入力端
子1の電圧(入力端子電圧)Vinと出力端子2の電圧
(出力端子電圧)Voutを差動入力する。
Referring to FIG. 10, the differential circuit differentially inputs the voltage of the input terminal 1 (input terminal voltage) Vin and the voltage of the output terminal 2 (output terminal voltage) Vout.

【0117】増幅段310は、高位側電源VDDと、出
力端子2との間に接続され、前記差動回路の出力信号を
ゲートに入力とするpチャネルトランジスタ311(充
電回路)と、出力端子2と、低位側電源VSSとの間に
接続されるフォロワ構成のpチャネルトランジスタ41
2と、入力端子1と低位側電源VSS間に挿入され、定
電流源414で駆動され、ゲートがフォロワ構成のトラ
ンジスタ412のゲートに接続されるダイオード接続さ
れているpチャネルトランジスタ411と、を有するフ
ォロワ型放電回路410と、を備えている。さらに、増
幅段310は、トランジスタ412と低位側電源VSS
との間に挿入されたスイッチ553と、トランジスタ4
11と低位側電源VSSとの間に、定電流源414と直
列に接続されるスイッチ552と、トランジスタ411
と高位側電源VDDとの間に、直列形態に接続されてい
るスイッチ441及び定電流源413と、を備えてい
る。
The amplification stage 310 is connected between the high-potential side power supply VDD and the output terminal 2, and has a p-channel transistor 311 (charging circuit) whose gate receives the output signal of the differential circuit, and the output terminal 2. And a p-channel transistor 41 of follower configuration connected between the low-side power supply VSS and
2, and a diode-connected p-channel transistor 411 that is inserted between the input terminal 1 and the low-potential-side power supply VSS, is driven by a constant current source 414, and has a gate connected to the gate of a transistor 412 having a follower configuration. And a follower discharge circuit 410. Further, the amplification stage 310 includes a transistor 412 and a low-side power source VSS.
Switch 553 inserted between and and transistor 4
11 and the low-side power supply VSS, a switch 552 connected in series with the constant current source 414 and a transistor 411.
A switch 441 and a constant current source 413, which are connected in series, are provided between the high-side power supply VDD and the high-potential power supply VDD.

【0118】増幅段320は、低位側電源VSSと出力
端子2との間に接続され、差動回路の出力信号をゲート
に入力するnチャネルトランジスタ321(放電回路)
と、出力端子2と高位側電源VDD間に接続されるフォ
ロワ構成のnチャネルトランジスタ422と、高位側電
源VDDと入力端子1間に挿入され、定電流源424で
駆動され、ゲートがフォロワ構成のトランジスタ423
のゲートに接続されるダイオード接続されているnチャ
ネルトランジスタ421と、を有するフォロワ型充電回
路420と、を備えている。増幅段320は、トランジ
スタ422と高位側電源VDD間に挿入されるスイッチ
563と、トランジスタ421と高位側電源VDDとの
間に、定電流源424と直列に接続されるスイッチ56
2と、トランジスタ421と低位側電源VSSとの間
に、直列形態に接続されているスイッチ561及び定電
流源423、を備えている。図10において、差動回路
以外の構成、すなわち差動回路とともに帰還型充電回路
を構成するトランジスタ311、差動回路とともに帰還
型放電回路を構成するトランジスタ321、ソースフォ
ロワ放電回路410、ソースフォロワ充電回路420に
ついては、文献(特願2000−402079に基づく
優先権主張出願特願2001−373302、本願出願
時未公開)にその詳細が記載されている。
The amplification stage 320 is connected between the low potential side power supply VSS and the output terminal 2, and an n-channel transistor 321 (discharge circuit) for inputting the output signal of the differential circuit to its gate.
And an n-channel transistor 422 having a follower configuration connected between the output terminal 2 and the high-potential side power supply VDD, and inserted between the high-potential side power supply VDD and the input terminal 1, driven by the constant current source 424, and having a gate of the follower configuration. Transistor 423
And a follower type charging circuit 420 including a diode-connected n-channel transistor 421 connected to the gate of the. The amplification stage 320 includes a switch 563 that is inserted between the transistor 422 and the high power supply VDD, and a switch 56 that is connected in series with the constant current source 424 between the transistor 421 and the high power supply VDD.
2, a switch 561 and a constant current source 423 connected in series between the transistor 421 and the low potential side power supply VSS. 10, a configuration other than the differential circuit, that is, a transistor 311 forming a feedback type charging circuit together with the differential circuit, a transistor 321 forming a feedback type discharging circuit together with the differential circuit, a source follower discharging circuit 410, a source follower charging circuit. Details of 420 are described in a document (Japanese Patent Application No. 2000-402079, Japanese Patent Application No. 2001-373302, which has not been published at the time of filing this application).

【0119】図10においても、差動回路の出力端子3
は、増幅段310、320に接続されており、差動回路
の出力に応じて、増幅段310、320が動作し、出力
端子2に、入力電圧Vinと等しい電圧をVoutとし
て出力することができる。
Also in FIG. 10, the output terminal 3 of the differential circuit is used.
Are connected to the amplification stages 310 and 320, the amplification stages 310 and 320 operate according to the output of the differential circuit, and a voltage equal to the input voltage Vin can be output as Vout to the output terminal 2. .

【0120】差動回路の2つの入力端子には、入力端子
電圧Vin(図1では入力電圧VinP)と出力端子電
圧Vout(図1では入力電圧VinM)が入力され、
帰還型増幅回路の構成となっている。また差動回路の出
力は増幅段310、320に対して共通となっており、
増幅段310、320を動作させる前に、差動回路の出
力をリセットするリセット回路530、540を設けて
いる。
An input terminal voltage Vin (input voltage VinP in FIG. 1) and an output terminal voltage Vout (input voltage VinM in FIG. 1) are input to the two input terminals of the differential circuit,
It has a configuration of a feedback type amplifier circuit. The output of the differential circuit is common to the amplification stages 310 and 320,
Reset circuits 530 and 540 are provided to reset the outputs of the differential circuits before operating the amplification stages 310 and 320.

【0121】ソースフォロワ放電回路410は、ダイオ
ード接続されソースに入力端子電圧Vinを受けるpチ
ャネルトランジスタ411と、ソースが出力端子2に接
続され、ゲートがpチャネルトランジスタ411のゲー
トに接続され、ドレインがスイッチ553を介して低位
電源VSSに接続されたpチャネルトランジスタ412
と、を含み、さらにpチャネルトランジスタ411のソ
ースと高位側電源VDDとの間に、直列に接続されてい
る電流源413及びスイッチ551と、pチャネルトラ
ンジスタ411のドレインと低位電源VSSとの間に直
列に接続されている電流源414及びスイッチ552
と、を備え、構成されている。
The source follower discharge circuit 410 includes a p-channel transistor 411 which is diode-connected and receives the input terminal voltage Vin at the source, a source connected to the output terminal 2, a gate connected to the gate of the p-channel transistor 411, and a drain connected to the drain. P-channel transistor 412 connected to low power supply VSS via switch 553
And a current source 413 and a switch 551 connected in series between the source of the p-channel transistor 411 and the high-potential power supply VDD, and between the drain of the p-channel transistor 411 and the low-potential power supply VSS. Current source 414 and switch 552 connected in series
And are provided and configured.

【0122】ソースフォロワ放電回路410の動作につ
いて以下に簡単に説明する。なお、その詳細は、上記文
献(特願2000−402079に基づく優先権主張出
願特願2001−373302)等が参照される。
The operation of the source follower discharge circuit 410 will be briefly described below. Note that the details thereof are referred to the above-mentioned document (Japanese Patent Application No. 2000-403079, Japanese Patent Application No. 2001-373302).

【0123】ソースフォロワ放電回路410の動作は、
スイッチ551、552、553で制御され、各スイッ
チがオンのとき動作可能となり、各スイッチがオフのと
き動作は停止する。
The operation of the source follower discharge circuit 410 is as follows.
It is controlled by the switches 551, 552, and 553, and becomes operable when each switch is on, and stops operating when each switch is off.

【0124】ソースフォロワ放電回路410が動作可能
な状態において、pチャネルトランジスタ411、41
2のトランジスタ特性が等しく、電流源413、414
で制御される電流が等しい場合、トランジスタ411、
412のゲート電圧は、入力端子電圧Vinからゲート
・ソース間電圧だけずれた電圧となる。このとき、Vi
n<Voutであると、pチャネルトランジスタ412
のゲート・ソース間電圧は、閾値電圧よりも大きく、ソ
ースフォロワ動作によるpチャネルトランジスタ412
の放電作用により、出力端子電圧Voutを引き下げ
る。
When the source follower discharge circuit 410 is operable, the p-channel transistors 411 and 41 are
2 have the same transistor characteristics, and current sources 413, 414
, The transistors 411,
The gate voltage of 412 is a voltage deviated from the input terminal voltage Vin by the gate-source voltage. At this time, Vi
If n <Vout, the p-channel transistor 412
The gate-source voltage of the p-channel transistor 412 is larger than the threshold voltage,
The output terminal voltage Vout is lowered by the discharging action of.

【0125】そして出力端子電圧Voutの低下によ
り、pチャネルトランジスタ412のゲート・ソース間
電圧は小さくなり閾値電圧付近となるところで、放電作
用は停止する。ここで、電流源413、414で制御さ
れる電流が十分小さい場合、pチャネルトランジスタ4
11のゲート・ソース間電圧も、閾値電圧付近となるた
め、pチャネルトランジスタ412のソースフォロワ動
作により、出力端子電圧Voutは入力端子電圧Vin
付近まで引き下げられる。
When the output terminal voltage Vout decreases, the gate-source voltage of the p-channel transistor 412 decreases, and the discharge action is stopped when the voltage approaches the threshold voltage. Here, when the current controlled by the current sources 413 and 414 is sufficiently small, the p-channel transistor 4
Since the gate-source voltage of 11 is also near the threshold voltage, the output terminal voltage Vout is changed to the input terminal voltage Vin by the source follower operation of the p-channel transistor 412.
It is lowered to the vicinity.

【0126】またVin>Voutのときは、pチャネ
ルトランジスタ412のゲート・ソース間電圧は、トラ
ンジスタがオフとなる値になるため、出力端子電圧Vo
utの変動に寄与しない。
When Vin> Vout, the gate-source voltage of the p-channel transistor 412 becomes a value at which the transistor is turned off, so that the output terminal voltage Vo
It does not contribute to the fluctuation of ut.

【0127】一方、ソースフォロワ充電回路420は、
ダイオード接続され、ソースに入力端子電圧Vinを受
けるnチャネルトランジスタ421と、ソースが出力端
子2に接続され、ゲートがnチャネルトランジスタ42
1のゲートに接続され、ドレインがスイッチ563を介
して高位側電源VDDに接続されたnチャネルトランジ
スタ422と、を含み、さらにnチャネルトランジスタ
421のソースと低位電源VSSとの間に直列に接続さ
れている電流源423及びスイッチ561と、nチャネ
ルトランジスタ421のドレインと高位電源VDDとの
間に直列に接続されている電流源424及びスイッチ5
62を備えて構成されている。
On the other hand, the source follower charging circuit 420 is
An n-channel transistor 421 that is diode-connected and receives the input terminal voltage Vin at the source, and an n-channel transistor 42 that is connected at the source to the output terminal 2 and at the gate
An n-channel transistor 422 connected to the gate of 1 and having a drain connected to the high-potential power supply VDD via the switch 563, and further connected in series between the source of the n-channel transistor 421 and the low-potential power supply VSS. Current source 423 and switch 561, and current source 424 and switch 5 connected in series between the drain of the n-channel transistor 421 and the high potential power supply VDD.
It is configured to include 62.

【0128】ソースフォロワ充電回路420の動作につ
いて以下に簡単に説明する。ソースフォロワ充電回路4
20の動作はスイッチ561、562、563で制御さ
れ、各スイッチがオンのとき動作可能となり、各スイッ
チがオフのとき動作は停止する。
The operation of the source follower charging circuit 420 will be briefly described below. Source follower charging circuit 4
The operation of 20 is controlled by the switches 561, 562, 563. When each switch is on, it becomes operable, and when each switch is off, the operation is stopped.

【0129】ソースフォロワ充電回路420が動作可能
な状態において、nチャネルトランジスタ421、42
2のトランジスタ特性が等しく、電流源423、424
で制御される電流が等しい場合、トランジスタ421、
422のゲート電圧は入力端子電圧Vinからゲート・
ソース間電圧だけずれた電圧となる。このとき、Vin
>Voutであると、nチャネルトランジスタ422の
ゲート・ソース間電圧は閾値電圧よりも大きく、ソース
フォロワ動作によるnチャネルトランジスタ422の充
電作用により、出力端子電圧Voutを引き上げる。
When the source follower charging circuit 420 is operable, the n-channel transistors 421, 42 are
2 have the same transistor characteristics, and current sources 423, 424
, The transistors 421,
The gate voltage of 422 is gated from the input terminal voltage Vin.
The voltage is shifted by the voltage between the sources. At this time, Vin
When> Vout, the gate-source voltage of the n-channel transistor 422 is larger than the threshold voltage, and the output terminal voltage Vout is raised by the charging action of the n-channel transistor 422 by the source follower operation.

【0130】そして、出力端子電圧Voutの電圧上昇
により、nチャネルトランジスタ422のゲート・ソー
ス間電圧は小さくなり、閾値電圧付近となるところで、
充電作用は停止する。ここで、電流源423、424で
制御される電流が十分小さい場合、nチャネルトランジ
スタ421のゲート・ソース間電圧も閾値電圧付近とな
るため、nチャネルトランジスタ422のソースフォロ
ワ動作により、出力端子電圧Voutは、入力端子電圧
Vin付近まで引き上げられる。
Then, as the output terminal voltage Vout rises, the gate-source voltage of the n-channel transistor 422 decreases, and when the voltage becomes close to the threshold voltage,
Charging stops. Here, when the currents controlled by the current sources 423 and 424 are sufficiently small, the gate-source voltage of the n-channel transistor 421 also becomes close to the threshold voltage, so that the output follower operation of the n-channel transistor 422 causes the output terminal voltage Vout. Is pulled up to near the input terminal voltage Vin.

【0131】また、Vin<Voutのときは、nチャ
ネルトランジスタ422のゲート・ソース間電圧はトラ
ンジスタがオフとなる値になるため、出力端子電圧Vo
utの変動に寄与しない。
Further, when Vin <Vout, the gate-source voltage of the n-channel transistor 422 becomes a value at which the transistor is turned off, so that the output terminal voltage Vo
It does not contribute to the fluctuation of ut.

【0132】図11は、図10に示した駆動回路におけ
る接続切替1の出力期間と接続切替2の出力期間の各ス
イッチ制御の一例を示したものである。以下、図11を
参照して図10の駆動回路の作用を説明する。
FIG. 11 shows an example of each switch control in the output period of connection switching 1 and the output period of connection switching 2 in the drive circuit shown in FIG. The operation of the drive circuit of FIG. 10 will be described below with reference to FIG.

【0133】まず接続切替1の出力期間では、差動回路
のスイッチ111、112、113、116、117を
オンとし、スイッチ114、115、118、119、
120をオフとする。
First, in the output period of the connection switching 1, the switches 111, 112, 113, 116, 117 of the differential circuit are turned on, and the switches 114, 115, 118, 119 ,.
Turn off 120.

【0134】また出力期間の最初に、リセット回路53
0のスイッチ531をオンとして、差動回路の出力3
を、高位電源電圧VDDに十分短いリセット期間に、プ
リチャージする。
At the beginning of the output period, the reset circuit 53
Switch 531 of 0 is turned on, and output 3 of the differential circuit
Are precharged during a reset period that is sufficiently short to the high power supply voltage VDD.

【0135】そして、スイッチ531をオフとして、リ
セット期間を終了し、その後、スイッチ532、55
1、552、553をオンとして、増幅段310を動作
させる。ここで、入力端子電圧Vinが、Vin>Vo
utであると、差動回路の出力が低下して、pチャネル
トランジスタ311がオンとなり、高い充電能力で、出
力端子電圧Voutを、入力端子電圧Vinまで、高速
に引き上げることができる。
Then, the switch 531 is turned off to end the reset period, and then the switches 532, 55
1, 552 and 553 are turned on to operate the amplification stage 310. Here, the input terminal voltage Vin is Vin> Vo
When it is ut, the output of the differential circuit is lowered, the p-channel transistor 311 is turned on, and the output terminal voltage Vout can be quickly raised to the input terminal voltage Vin with high charging capability.

【0136】また入力端子電圧Vinが、Vin<Vo
utであると、差動回路の出力3の電圧が上昇して、p
チャネルトランジスタ311がオフとなり、回路410
の放電作用より、出力端子電圧Voutを入力端子電圧
Vinまで引き下げる。
Further, when the input terminal voltage Vin is Vin <Vo
If it is ut, the voltage of the output 3 of the differential circuit rises and p
The channel transistor 311 is turned off and the circuit 410
The output terminal voltage Vout is lowered to the input terminal voltage Vin due to the discharging action of.

【0137】ソースフォロワ放電回路410は、ソース
フォロワ放電作用をするため、入力端子電圧Vinと出
力端子電圧Voutの電圧差が大きいほど、その放電能
力は高く、出力端子電圧Voutが入力端子電圧Vin
に近づくにつれて、その放電能力は低下する。
Since the source follower discharge circuit 410 performs a source follower discharge action, the larger the voltage difference between the input terminal voltage Vin and the output terminal voltage Vout, the higher the discharge capability, and the output terminal voltage Vout becomes the input terminal voltage Vin.
The discharge capability decreases as the temperature approaches.

【0138】また、ソースフォロワ放電回路410のソ
ースフォロワ放電作用は、VinとVoutの電圧差に
応じて、遅延なく瞬時に動作する。このため、pチャネ
ルトランジスタ311の高速充電作用が、帰還構成の応
答遅延によりオーバーシュートを生じた場合でも、ソー
スフォロワ放電回路410は、速やかに、オーバーシュ
ートを抑え、出力端子電圧VoutをVinで安定させ
る作用をもつ。
The source follower discharging operation of the source follower discharging circuit 410 instantly operates without delay according to the voltage difference between Vin and Vout. Therefore, even when the high-speed charging action of the p-channel transistor 311 causes an overshoot due to the response delay of the feedback configuration, the source follower discharge circuit 410 quickly suppresses the overshoot and stabilizes the output terminal voltage Vout at Vin. Has the effect of causing.

【0139】したがって、図10に示した駆動回路は、
出力安定化のための位相補償容量を必要としない、もし
くは、十分小さい位相補償容量を設けるだけで出力安定
化を実現することもできる。
Therefore, the drive circuit shown in FIG.
It is also possible to realize the output stabilization by not requiring the phase compensation capacity for stabilizing the output, or by providing the phase compensation capacity which is sufficiently small.

【0140】一方、接続切替2の出力期間では、差動回
路のスイッチ111、112、113、116、117
をオフ、スイッチ114、115、118、119、1
20をオンとする。また出力期間の最初に、リセット回
路540のスイッチ541をオンとして、差動回路の出
力3を低位電源電圧VSSに十分短いリセット期間の間
ディスチャージする。
On the other hand, in the output period of the connection switching 2, the switches 111, 112, 113, 116, 117 of the differential circuit are provided.
Off, switches 114, 115, 118, 119, 1
Turn on 20. At the beginning of the output period, the switch 541 of the reset circuit 540 is turned on to discharge the output 3 of the differential circuit to the low power supply voltage VSS for a sufficiently short reset period.

【0141】そして、スイッチ541をオフとしてリセ
ット期間を終了し、その後、スイッチ542、561、
562、563をオンとして、増幅段320を動作させ
る。
Then, the switch 541 is turned off to end the reset period, after which the switches 542, 561,
The amplification stage 320 is operated by turning on 562 and 563.

【0142】ここで、入力端子電圧VinがVin<V
outであると、差動回路の出力が上昇してnチャネル
トランジスタ321がオンとなり、高い放電能力で、出
力端子電圧Voutを入力端子電圧Vinまで、高速に
引き下げることができる。
Here, the input terminal voltage Vin is Vin <V
When it is out, the output of the differential circuit rises and the n-channel transistor 321 is turned on, and the output terminal voltage Vout can be quickly lowered to the input terminal voltage Vin with high discharge capability.

【0143】また入力端子電圧VinがVin>Vou
tであると、差動回路の出力が低下してnチャネルトラ
ンジスタ321がオフとなり、ソースフォロワ充電回路
420の充電作用より、出力端子電圧Voutを、入力
端子電圧Vinまで引き上げる。
Further, the input terminal voltage Vin is Vin> Vou
At t, the output of the differential circuit decreases and the n-channel transistor 321 is turned off, and the output terminal voltage Vout is raised to the input terminal voltage Vin by the charging action of the source follower charging circuit 420.

【0144】ソースフォロワ充電回路420は、ソース
フォロワ充電作用をするため、VinとVoutの電圧
差が大きいほど充電能力は高く、VoutがVinに近
づくにつれ充電能力は低下する。また、ソースフォロワ
充電回路420のソースフォロワ充電作用は、Vinと
Voutの電圧差に応じて遅延なく瞬時に動作する。こ
のため、nチャネルトランジスタ321の高速放電作用
が、帰還構成の応答遅延によりアンダーシュートを生じ
た場合でも、ソースフォロワ充電回路420は、速やか
にアンダーシュートを抑え、出力端子電圧Voutを入
力端子電圧Vinで安定させる作用をもつ。
Since the source follower charging circuit 420 performs the source follower charging operation, the charging capability is higher as the voltage difference between Vin and Vout is larger, and the charging capability is reduced as Vout approaches Vin. In addition, the source follower charging operation of the source follower charging circuit 420 operates instantly without delay according to the voltage difference between Vin and Vout. Therefore, even if the high-speed discharging action of the n-channel transistor 321 causes undershoot due to the response delay of the feedback configuration, the source follower charging circuit 420 quickly suppresses the undershoot and changes the output terminal voltage Vout to the input terminal voltage Vin. It has a stabilizing effect on.

【0145】したがって、図10に示した駆動回路は、
出力安定化のための位相補償容量を必要としない、もし
くは十分小さい位相補償容量を設けるだけで出力安定化
を実現することもできる。
Therefore, the drive circuit shown in FIG.
It is also possible to realize output stabilization by not requiring a phase compensation capacitor for stabilizing the output or by providing a sufficiently small phase compensation capacitor.

【0146】このように、ボルテージフォロワ構成にお
いて、出力安定化のための位相補償容量を不要としてい
ることは、本発明の主たる特徴の1つをなしている。そ
して、十分小さい位相補償容量は、専ら波形整形用等に
用いられる。
As described above, in the voltage follower configuration, the phase compensation capacitance for stabilizing the output is not required, which is one of the main features of the present invention. The sufficiently small phase compensation capacitance is exclusively used for waveform shaping.

【0147】なお、リセット回路530、540は、図
8の駆動回路と同様の原理で接続切替前後の出力ノイズ
を防ぐ効果がある。また、差動回路のスイッチ111、
112、113、116、117はスイッチ532、5
51、552、553と同期してオンさせても構わな
い。同様に差動回路のスイッチ114、115、11
8、119、120はスイッチ542、561、56
2、563と同期してオンさせても構わない。
The reset circuits 530 and 540 have an effect of preventing output noise before and after connection switching on the same principle as the drive circuit of FIG. In addition, the switch 111 of the differential circuit,
112, 113, 116, 117 are switches 532, 5
It may be turned on in synchronization with 51, 552 and 553. Similarly, switches 114, 115, 11 of the differential circuit
8, 119 and 120 are switches 542, 561 and 56.
It may be turned on in synchronization with 2,563.

【0148】また図10に示した駆動回路は、図5の駆
動回路と同様の出力特性を有し、製造プロセス等によ
り、差動回路のトランジスタ対の特性が標準特性からず
れた場合でも、接続切替1、2における(Vin−Vo
ut)のずれの方向は等しく、接続切替を行っても、
(Vin−Vout)のずれの偏差を小さく抑えること
が可能である。このため、図10に示した駆動回路は、
液晶表示装置の階調電圧の増幅用アンプなどに好適であ
る。
The drive circuit shown in FIG. 10 has the same output characteristics as the drive circuit shown in FIG. 5, and even if the characteristics of the transistor pair of the differential circuit deviate from the standard characteristics due to the manufacturing process or the like, the connection is made. (Vin-Vo in switching 1 and 2
ut) is in the same direction, and even if the connection is switched,
It is possible to suppress the deviation of the deviation of (Vin-Vout) to be small. Therefore, the drive circuit shown in FIG.
It is suitable for an amplifier for amplifying gradation voltage of a liquid crystal display device.

【0149】図12は、図10に示した駆動回路の変形
例を示す図である。図12において、差動回路以外の構
成については、文献(特願2000−402079に基
づく優先権主張出願特願2001−373302)に、
その詳細が記載されている。図12は、図10に示した
構成よりも、素子数を減らしたものであり、図10の回
路410を回路430に置き換え、図10の回路420
を回路440に置き換えた構成で、他の構成は図10と
同じである。
FIG. 12 is a diagram showing a modification of the drive circuit shown in FIG. In FIG. 12, regarding the configuration other than the differential circuit, reference is made to a document (Japanese Patent Application No. 2000-402079, Japanese Patent Application No. 2001-373302).
The details are described. 12 has a smaller number of elements than the configuration shown in FIG. 10. The circuit 410 of FIG. 10 is replaced with a circuit 430, and a circuit 420 of FIG.
Is replaced with a circuit 440, and other configurations are the same as those in FIG.

【0150】図12において、図10に示した素子と同
じ作用をする素子の参照符号は同一としている。図12
では、トランジスタ421のドレインとソースにドレイ
ンとソースがそれぞれ接続されたトランジスタ419
と、トランジスタ411のソースとドレインにソースと
ドレインがそれぞれ接続された429が追加されてお
り、それぞれのトランジスタ419、429のゲートに
は、所定のバイアス電圧BN、BPを印加される。
In FIG. 12, elements having the same functions as those of the element shown in FIG. 10 have the same reference numerals. 12
Then, the transistor 419 in which the drain and the source are connected to the drain and the source of the transistor 421, respectively.
429 in which the source and the drain are connected to the source and the drain of the transistor 411, respectively, and predetermined bias voltages BN and BP are applied to the gates of the transistors 419 and 429, respectively.

【0151】図13は、図12の駆動回路における接続
切替1の出力期間と接続切替2の出力期間の各スイッチ
制御の例を示したものである。リセット回路530、5
40の制御および作用は図10、図11と同様であるの
で省略し、リセット期間終了後について説明する。接続
切替1の出力期間では、リセット期間終了後スイッチ5
32、553をオンとしてpチャネルトランジスタ31
1と回路430を動作させる。このときバイアス電圧B
Nはトランジスタ419がオフするように制御し、バイ
アス電圧BPは高位電源VDDと入力端子1の間に電流
源425で制御される電流が流れるように制御する。こ
れにより回路430は図10の回路410と等価とな
る。一方、接続切替2の出力期間では、リセット期間終
了後スイッチ542、563をオンとしてnチャネルト
ランジスタ321と回路440を動作させる。このとき
バイアス電圧BPはトランジスタ429がオフするよう
に制御し、バイアス電圧BNは低位電源VSSと入力端
子1の間に電流源415で制御される電流が流れるよう
に制御する。これにより回路440は図10の回路42
0と等価となる。したがって、図12の駆動回路は、図
10の駆動回路と同様の性能を有する。
FIG. 13 shows an example of each switch control in the output period of connection switching 1 and the output period of connection switching 2 in the drive circuit of FIG. Reset circuits 530, 5
Since the control and operation of 40 are the same as those in FIGS. 10 and 11, the description thereof will be omitted, and description will be made after the reset period is completed. In the output period of the connection switching 1, the switch 5 is set after the reset period ends.
32 and 553 are turned on to turn the p-channel transistor 31
1 and the circuit 430 are operated. At this time, the bias voltage B
N controls the transistor 419 to turn off, and the bias voltage BP controls so that the current controlled by the current source 425 flows between the high potential power supply VDD and the input terminal 1. This makes circuit 430 equivalent to circuit 410 of FIG. On the other hand, in the output period of the connection switching 2, after the reset period ends, the switches 542 and 563 are turned on to operate the n-channel transistor 321 and the circuit 440. At this time, the bias voltage BP is controlled so that the transistor 429 is turned off, and the bias voltage BN is controlled so that the current controlled by the current source 415 flows between the low potential power supply VSS and the input terminal 1. This causes circuit 440 to move to circuit 42 of FIG.
It is equivalent to 0. Therefore, the drive circuit of FIG. 12 has the same performance as the drive circuit of FIG.

【0152】以下では、図8、図10、図12に示し
た、リセット回路530、540について付言してお
く。差動回路の出力3をリセットするリセット回路53
0、540は、図8、図10、図12に示したスイッチ
531、541以外の構成であってもよい。図17は、
図8に示した第4の実施例をなす増幅回路において、リ
セット回路530、540を別の構成とした一変形例を
示す図である。なお、図17に示した回路構成におい
て、リセット回路530、540以外の構成は、図8に
示したものと同一である。
The reset circuits 530 and 540 shown in FIGS. 8, 10, and 12 will be additionally described below. Reset circuit 53 for resetting the output 3 of the differential circuit
0 and 540 may have a configuration other than the switches 531 and 541 shown in FIGS. 8, 10, and 12. Figure 17
FIG. 9 is a diagram showing a modification in which the reset circuits 530 and 540 are different from each other in the amplifier circuit according to the fourth embodiment shown in FIG. 8. The circuit configuration shown in FIG. 17 is the same as that shown in FIG. 8 except for the reset circuits 530 and 540.

【0153】図17を参照すると、リセット回路530
は、高位側電源VDDと、トランジスタ211のゲート
と容量C1の一端との接続点との間に挿入されたスイッ
チ531と、トランジスタ211のゲートと容量C1の
一端との接続点と、差動回路の出力端子3との間に挿入
されたスイッチ533とを備えて構成されている。一
方、リセット回路540は、低位側電源VSSとトラン
ジスタ221のゲートと容量C2の一端との接続点との
間に挿入されたスイッチ541と、トランジスタ221
のゲートと容量C1の一端との接続点と差動回路の出力
端子3との間に挿入されたスイッチ543とを備えて構
成されている。スイッチ533、543は、スイッチ5
31、541のオン、オフの切替えによる充電と放電の
切替え時に、差動回路の出力3をリセットし、充電と放
電の切替え時に、出力端子電圧Voutの不要な電圧変
動を防ぐ作用をもつ。
Referring to FIG. 17, reset circuit 530
Is a high-side power supply VDD, a switch 531 inserted between the gate of the transistor 211 and one end of the capacitor C1, a connection point between the gate of the transistor 211 and one end of the capacitor C1, and a differential circuit. Switch 533 inserted between the output terminal 3 and the output terminal 3. On the other hand, the reset circuit 540 includes a switch 541 inserted between the low-potential-side power supply VSS, a connection point between the gate of the transistor 221 and one end of the capacitor C2, and the transistor 221.
And a switch 543 inserted between the connection point between the gate of the capacitor and one end of the capacitor C1 and the output terminal 3 of the differential circuit. The switches 533 and 543 are the switches 5
The output 3 of the differential circuit is reset at the time of switching between charging and discharging by switching ON and OFF of 31, 31 and 541, and has an action of preventing unnecessary voltage fluctuation of the output terminal voltage Vout at switching between charging and discharging.

【0154】図18は、リセット回路の動作、作用につ
いて説明するためのタイミング図であり、図17のスイ
ッチ111〜120、213〜214、531、53
3、541、543のオン・オフ制御の動作タイミング
が示されている。このうち、差動回路のスイッチ111
〜120については、図9に示したものと同一の制御が
行われるため、その説明を省略する。
FIG. 18 is a timing chart for explaining the operation and action of the reset circuit. The switches 111 to 120, 213 to 214, 531 and 53 of FIG.
The operation timing of on / off control of 3, 541 and 543 is shown. Of these, the switch 111 of the differential circuit
Since the same control as that shown in FIG. 9 is performed for steps 120 to 120, the description thereof will be omitted.

【0155】図18を参照すると、接続切替1の状態で
は、スイッチ213、214、533、541をオンと
し、スイッチ223、224、531、543をオフと
する。これにより、増幅段210による充電動作が可能
となる。このとき、増幅段220は非活性状態とされて
おり、トランジスタ221のゲートおよび容量C2は低
位側電源VSSに放電される。
Referring to FIG. 18, in the state of connection switching 1, the switches 213, 214, 533 and 541 are turned on and the switches 223, 224, 531 and 543 are turned off. This enables the charging operation by the amplification stage 210. At this time, the amplification stage 220 is in the inactive state, and the gate of the transistor 221 and the capacitor C2 are discharged to the lower power supply VSS.

【0156】一方、接続切替2の状態では、スイッチ2
13、214、533、541をオフとし、スイッチ2
23、224、531、543をオンとする。これによ
り、増幅段220による放電動作が可能となる。このと
き、増幅段210は非活性状態とされており、トランジ
スタ211のゲートおよび容量C1は高位側電源VDD
に充電される。
On the other hand, in the state of connection switching 2, switch 2
13, 214, 533, 541 are turned off, and switch 2
23, 224, 531, and 543 are turned on. This enables the discharging operation by the amplification stage 220. At this time, the amplification stage 210 is in the inactive state, and the gate of the transistor 211 and the capacitor C1 are at the high-side power supply VDD.
Will be charged.

【0157】接続切替1の状態から接続切替2の状態に
切り替わるとき(スイッチ543がオンし、スイッチ5
41はオフする)、差動回路の出力端子3とトランジス
タ221のゲートは、接続切替1のときに低位側電源V
SSに放電されていた容量C2によって、一旦、低位側
電源電圧VSS付近まで引き下げられ、その後、入力端
子電圧Vinに応じた放電動作を開始する。したがっ
て、増幅段220の動作は、接続切替2の状態への切替
前の差動回路の出力端子3の電位に影響されず、非活性
の状態から、速やかに動作を開始し、ノイズを発生する
ことはない。
When the state of connection switching 1 is switched to the state of connection switching 2 (switch 543 is turned on, switch 5
41 is turned off), and the output terminal 3 of the differential circuit and the gate of the transistor 221 have the low-side power supply V
The capacitor C2 discharged to SS temporarily lowers the voltage to the vicinity of the low-potential side power supply voltage VSS, and then starts the discharging operation according to the input terminal voltage Vin. Therefore, the operation of the amplification stage 220 is not affected by the potential of the output terminal 3 of the differential circuit before switching to the state of the connection switching 2 and immediately starts its operation from the inactive state to generate noise. There is no such thing.

【0158】また、接続切替2の状態から接続切替1の
状態に切り替わるときは(スイッチ533がオンし、ス
イッチ531はオフする)、差動回路の出力端子3とト
ランジスタ211のゲートは、接続切替2のときに高位
側電源VDDに充電されていた容量C1によって、一
旦、高位側電源電圧VDD付近まで引き上げられ、その
後、入力端子電圧Vinに応じた充電動作を開始する。
したがって、増幅段210の動作は、接続切替1への切
替前の差動回路の出力端子3の電位に影響されず、非活
性の状態から速やかに動作を開始し、ノイズを発生する
ことはない。
When the connection switching 2 state is switched to the connection switching 1 state (the switch 533 is turned on and the switch 531 is turned off), the output terminal 3 of the differential circuit and the gate of the transistor 211 are connected and switched. At the time of 2, the capacitor C1 charged in the high-potential power supply VDD raises the voltage to near the high-potential power supply voltage VDD, and then starts the charging operation according to the input terminal voltage Vin.
Therefore, the operation of the amplification stage 210 is not affected by the potential of the output terminal 3 of the differential circuit before the switching to the connection switching 1, the operation is quickly started from the inactive state, and no noise is generated. .

【0159】また、図17のリセット回路530、54
0は、図18に示すように、リセット回路のスイッチの
制御を、差動回路のスイッチの制御と同期して行うこと
ができる。これにより、制御信号の数を縮減することが
できる。
In addition, the reset circuits 530 and 54 of FIG.
As shown in FIG. 18, 0 can control the switches of the reset circuit in synchronization with the control of the switches of the differential circuit. As a result, the number of control signals can be reduced.

【0160】なお、スイッチ213とスイッチ531
は、ともにトランジスタ211を非活性とする作用を行
っているため、スイッチ213を取り去り、トランジス
タ211のソースを高位側電源VDDに直接接続する構
成としてもよい。同様に、スイッチ223とスイッチ5
41は、ともにトランジスタ221を非活性とする作用
を行っているため、スイッチ223を取り去り、トラン
ジスタ221のソースを低位側電源VSSに直接接続す
る構成としてもよい。
Incidentally, the switch 213 and the switch 531
Since they both operate to inactivate the transistor 211, the switch 213 may be removed and the source of the transistor 211 may be directly connected to the high potential side power supply VDD. Similarly, switch 223 and switch 5
Since both 41 act to deactivate the transistor 221, the switch 223 may be removed and the source of the transistor 221 may be directly connected to the low potential side power supply VSS.

【0161】以上のように、図17のリセット回路53
0、540は、容量C1、C2を利用して、接続状態の
切替の前後での出力ノイズの発生を防ぐ構成としてい
る。そして、図10および図12に示した駆動回路につ
いても、トランジスタ311、321のゲートに最適な
容量をそれぞれ接続する場合などに、図17に示した回
路と同様のリセット回路を適用することができる。ある
いは波形整形用の容量を設けていない場合でも、トラン
ジスタ211、221のサイズが大きく、ゲート容量が
ある程度大きい場合にも、図17と同様のリセット回路
を適用することができる。
As described above, the reset circuit 53 of FIG.
The capacitors 0 and 540 use the capacitors C1 and C2 to prevent the output noise from occurring before and after the switching of the connection state. The reset circuit similar to the circuit shown in FIG. 17 can be applied to the drive circuits shown in FIGS. 10 and 12 as well, for example, when optimal capacitors are connected to the gates of the transistors 311 and 321. . Alternatively, even when the capacitance for waveform shaping is not provided, the reset circuit similar to that in FIG. 17 can be applied even when the sizes of the transistors 211 and 221 are large and the gate capacitance is large to some extent.

【0162】図14は、本発明の第6の実施例を説明す
るための図であり、本発明の駆動回路で多出力の駆動回
路を構成した例を示す図である。この実施例は、液晶表
示装置の駆動回路として用いることができる。出力回路
100としては、図5、図8、図10、図12等で説明
した各実施例の駆動回路を用いることができる。制御信
号は各駆動回路のスイッチを制御する。参照電圧VHと
VL間に設けられた分圧抵抗のタップからアナログ階調
電圧が出力され、デコーダ300と、出力端子群400
と、出力段100と、を備えて構成される。抵抗ストリ
ング200の各端子(タップ)から生成した複数の階調
電圧の中から、各出力ごとに、映像デジタル信号に応じ
てデコーダ300で階調電圧を選択し、出力回路100
で増幅して、出力端子400に接続されたデータ線を駆
動する。出力回路100において、nチャネル差動対の
差動回路と、pチャネル差動対の差動回路を切替えた場
合でも、安定状態において、素子特性のばらつきによ
る、差動入力電圧のずれの方向を同じにすることがで
き、素子特性のばらつきによる出力オフセットの方向を
同じとし、振幅差偏差を抑制することができ、これによ
り、表示画質を向上している。
FIG. 14 is a diagram for explaining the sixth embodiment of the present invention, and is a diagram showing an example in which a multi-output drive circuit is configured by the drive circuit of the present invention. This embodiment can be used as a drive circuit of a liquid crystal display device. As the output circuit 100, the drive circuit of each of the embodiments described with reference to FIGS. 5, 8, 10 and 12 can be used. The control signal controls the switch of each drive circuit. The analog gradation voltage is output from the tap of the voltage dividing resistor provided between the reference voltages VH and VL, and the decoder 300 and the output terminal group 400 are output.
And an output stage 100. From the plurality of grayscale voltages generated from each terminal (tap) of the resistor string 200, the grayscale voltage is selected by the decoder 300 according to the video digital signal for each output, and the output circuit 100
Then, the data line connected to the output terminal 400 is driven. In the output circuit 100, even when the differential circuit of the n-channel differential pair and the differential circuit of the p-channel differential pair are switched, in the stable state, the direction of the deviation of the differential input voltage due to the dispersion of the element characteristics is detected. They can be made the same, the directions of output offsets due to variations in element characteristics can be made the same, and the amplitude difference deviation can be suppressed, thereby improving the display image quality.

【0163】なお、上記実施例で説明した差動回路、増
幅回路(駆動回路)は、MOSトランジスタで構成され
ており、液晶表示装置の駆動回路では、例えば多結晶シ
リコンからなるMOSトランジスタ(TFT)で構成し
てもよい。また、上記実施例で説明した差動回路は、バ
イポーラトランジスタにも適用できることは勿論であ
る。この場合、高位側電源側のpチャネルトランジスタ
101、102は、pnpトランジスタよりなり、低位
側電源側のnチャネルトランジスタ103、104は、
npnトランジスタよりなる。上記実施例では、集積回
路に適用した例を示したが、2対のトランジスタ対を、
差動対とカレントミラーとに切り替える回路構成は、デ
ィスクリート素子構成にも適用できることは勿論であ
る。
The differential circuit and amplifier circuit (driving circuit) described in the above embodiments are composed of MOS transistors. In the driving circuit of the liquid crystal display device, for example, a MOS transistor (TFT) made of polycrystalline silicon. You may comprise. Further, it goes without saying that the differential circuit described in the above embodiment can be applied to a bipolar transistor. In this case, the p-channel transistors 101 and 102 on the higher power supply side are pnp transistors, and the n-channel transistors 103 and 104 on the lower power supply side are
It is composed of an npn transistor. In the above embodiment, the example applied to the integrated circuit is shown, but two transistor pairs are
Of course, the circuit configuration for switching between the differential pair and the current mirror can be applied to the discrete element configuration.

【0164】以上本発明を上記実施例に即して説明した
が、本発明は、上記実施例にのみ限定されるものではな
く、本願特許請求の範囲の各請求項の発明の範囲内で当
業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むこ
とは勿論である。
The present invention has been described above with reference to the above embodiments, but the present invention is not limited to the above embodiments, and the present invention is applicable within the scope of the invention of each claim of the claims of the present application. Of course, it includes various variations and modifications that can be made by those skilled in the art.

【0165】[0165]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
互いに極性の異なる差動回路を切替えた場合でも、安定
状態において、素子特性のばらつきによる、差動入力電
圧VinPとVinMのずれの方向(プラス側、マイナ
ス側)を同じとすることができ、このため、素子特性の
ばらつきによる出力オフセットの方向が同じとなり、振
幅差偏差を抑制することができる、という効果を奏す
る。
As described above, according to the present invention,
Even when the differential circuits having different polarities are switched, in the stable state, the deviation directions (plus side and minus side) of the differential input voltages VinP and VinM can be made the same due to variations in element characteristics. Therefore, the directions of the output offsets due to the variations in the element characteristics are the same, and it is possible to suppress the amplitude difference deviation.

【0166】また、本発明によれば、高位側電圧の駆動
時には、nチャネルトランジスタ対を差動対とし、pチ
ャネルトランジスタ対をカレントミラー回路とし、低位
側電圧の駆動時には、pチャネルトランジスタ対を差動
対とし、nチャネルトランジスタ対をカレントミラー回
路とするように切替制御することにより、フルレンジ出
力が可能である、という効果を奏する。
According to the present invention, the n-channel transistor pair is a differential pair when the high-side voltage is driven, the p-channel transistor pair is a current mirror circuit, and the p-channel transistor pair is the low-side voltage when driven. By performing switching control so that a differential pair and an n-channel transistor pair become a current mirror circuit, there is an effect that full range output is possible.

【0167】さらに本発明によれば、2対のトランジス
タ対のうちの一対を差動対又はカレントミラーの一方、
他の対を差動対又はカレントミラーの他方と切替える構
成としたことより、回路規模を縮減し、低消費電力化を
図ることができる、という効果を奏する。
Further according to the present invention, one of the two transistor pairs is a differential pair or a current mirror,
Since the other pair is switched to the differential pair or the other of the current mirrors, the circuit scale can be reduced, and the power consumption can be reduced.

【0168】さらに、本発明によれば、増幅回路の振幅
差偏差の最大値を高電位側駆動時と低電位側駆動時の出
力オフセットの差の絶対値の2倍程度に抑えている。か
かる増幅回路を、表示装置のデータ線の駆動回路に用い
ることで、表示画質を向上させることができる。
Further, according to the present invention, the maximum value of the amplitude difference deviation of the amplifier circuit is suppressed to about twice the absolute value of the difference between the output offsets during the high potential side driving and the low potential side driving. By using such an amplifier circuit in a data line driver circuit of a display device, display image quality can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例の構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a first exemplary embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施例の接続切替の制御を示す
図である。
FIG. 2 is a diagram showing control of connection switching according to the first embodiment of this invention.

【図3】本発明の第1の実施例における接続切替1、2
における回路接続及び動作を説明するための図である。
FIG. 3 Connection switching 1, 2 in the first embodiment of the present invention
3 is a diagram for explaining circuit connection and operation in FIG.

【図4】本発明の第2の実施例の構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a second exemplary embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第3の実施例の構成を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a third exemplary embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第3の実施例の接続切替の制御を示す
図である。
FIG. 6 is a diagram showing control of connection switching according to the third embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第3の実施例の動作を説明するための
図である。
FIG. 7 is a diagram for explaining the operation of the third exemplary embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第4の実施例の構成を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a configuration of a fourth exemplary embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第4の実施例のスイッチ制御を示すタ
イミングチャートである。
FIG. 9 is a timing chart showing switch control according to the fourth embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第5の実施例の構成を示す図であ
る。
FIG. 10 is a diagram showing a configuration of a fifth exemplary embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第5の実施例のスイッチ制御を示す
タイミングチャートである。
FIG. 11 is a timing chart showing switch control according to the fifth embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第5の実施例の構成を示す図であ
る。
FIG. 12 is a diagram showing a configuration of a fifth exemplary embodiment of the present invention.

【図13】本発明の第6の実施例のスイッチ制御を示す
タイミングチャートである。
FIG. 13 is a timing chart showing switch control according to the sixth embodiment of the present invention.

【図14】本発明の第6の実施例の構成を示す図であ
る。
FIG. 14 is a diagram showing a configuration of a sixth exemplary embodiment of the present invention.

【図15】従来の差動回路の構成を示す図である。FIG. 15 is a diagram showing a configuration of a conventional differential circuit.

【図16】従来の差動回路における振幅差偏差を説明す
るための図である。
FIG. 16 is a diagram for explaining an amplitude difference deviation in a conventional differential circuit.

【図17】本発明の第4の実施例の変形例を示す図であ
る。
FIG. 17 is a diagram showing a modification of the fourth embodiment of the present invention.

【図18】本発明の第4の実施例の変形例のスイッチ制
御を示すタイミングチャートである。
FIG. 18 is a timing chart showing switch control according to a modification of the fourth embodiment of the present invention.

【符号の説明】 1 入力端子 2 出力端子 3 差動回路の出力 100 出力回路 101、102、211、311、411、412、4
29、911、912、923、924 pチャネルト
ランジスタ 103、104、221、321、421、422、4
19、913、914、921、922 nチャネルト
ランジスタ 105、106、212、222、413、414、4
23、424、915、917、925、927 定電
流源 111〜120、213、214、223、224、5
31、532、543、541、542、543、55
1、552、553、561、562、563、95
1、952、953、961、962、963 スイッ
チ 200 抵抗 210 増幅段(充電用) 220 増幅段(放電用) 300 スイッチ 310 増幅段(充電用) 320 増幅段(放電用) 400 出力端子群 410、430 ソースフォロワ充電回路 420、440 ソースフォロワ放電回路 510 増幅段(充電用) 520 増幅段(放電用) 530、540 リセット回路 910、920 ボルテージフォロワ回路
[Description of Reference Signs] 1 input terminal 2 output terminal 3 output of differential circuit 100 output circuit 101, 102, 211, 311, 411, 412, 4
29, 911, 912, 923, 924 p-channel transistors 103, 104, 221, 321, 421, 422, 4
19, 913, 914, 921, 922 n-channel transistors 105, 106, 212, 222, 413, 414, 4
23, 424, 915, 917, 925, 927 constant current sources 111 to 120, 213, 214, 223, 224, 5
31, 532, 543, 541, 542, 543, 55
1, 552, 553, 561, 562, 563, 95
1, 952, 953, 961, 962, 963 switch 200 resistor 210 amplification stage (for charging) 220 amplification stage (for discharging) 300 switch 310 amplification stage (for charging) 320 amplification stage (for discharging) 400 output terminal group 410, 430 Source follower charging circuit 420, 440 Source follower discharging circuit 510 Amplifying stage (for charging) 520 Amplifying stage (for discharging) 530, 540 Reset circuit 910, 920 Voltage follower circuit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 3/36 G09G 3/36 Fターム(参考) 5C006 BC11 BF25 FA20 FA47 5C080 AA10 DD26 JJ03 JJ04 5J066 AA01 AA12 AA51 CA00 CA34 CA36 FA18 HA09 HA17 HA25 HA29 HA38 HA39 KA02 KA05 KA09 MA21 ND01 ND12 ND22 ND23 PD02 SA00 TA01 TA02 TA06 5J500 AA01 AA12 AA51 AC00 AC34 AC36 AF18 AH09 AH17 AH25 AH29 AH38 AH39 AK02 AK05 AK09 AM21 AS00 AT01 AT02 AT06 DN01 DN12 DN22 DN23 DP02 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G09G 3/36 G09G 3/36 F term (reference) 5C006 BC11 BF25 FA20 FA47 5C080 AA10 DD26 JJ03 JJ04 5J066 AA01 AA12 AA51 CA00 CA34 CA36 FA18 HA09 HA17 HA25 HA29 HA38 HA39 KA02 KA05 KA09 MA21 ND01 ND12 ND22 ND23 PD02 SA00 TA01 TA02 TA06 5J500 AA01 AA12 AA51 AC00 AC34 AC36 AF18 AH09 AH17 AH25 AH29 AH38 AH39 AK02 AK05 AK09 AM21 AS00 AT01 AT02 AT06 DN01 DN12 DN22 DN23 DP02

Claims (31)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】第1導電型の第1のトランジスタ対と、 第2導電型の第2のトランジスタ対と、 を含み、 前記第1のトランジスタ対の出力対は、前記第2のトラ
ンジスタ対の出力対にそれぞれ接続されており、 前記第1のトランジスタ対の共通テールと第1の電源と
の間には、電流源とスイッチとが並列に接続されてお
り、 前記第2のトランジスタ対の共通テールと第2の電源と
の間には、電流源とスイッチとが並列に接続されてお
り、 それぞれのトランジスタ対を、 電流源で駆動され、入力対から差動入力電圧を受ける差
動対と、 入力対同士が接続され、一方のトランジスタがダイオー
ド接続され、前記差動対の負荷となるカレントミラー回
路と、 に切替え自在とする接続切替手段を備え、 前記第1と第2のトランジスタ対のうち一方のトランジ
スタ対が差動対とされるときに、他方のトランジスタ対
はカレントミラー回路とされる、ことを特徴とする差動
回路。
1. A first transistor pair of a first conductivity type and a second transistor pair of a second conductivity type, wherein an output pair of the first transistor pair is of the second transistor pair. A current source and a switch connected in parallel between the common tail of the first transistor pair and the first power supply, the common tail of the second transistor pair being connected to the output pair; A current source and a switch are connected in parallel between the tail and the second power supply, and each transistor pair is connected to a differential pair driven by the current source and receiving a differential input voltage from the input pair. , A pair of input transistors are connected to each other, one of the transistors is diode-connected, and a current mirror circuit serving as a load of the differential pair, and a connection switching unit that is switchable between the pair of the first and second transistor pairs. One side The differential circuit, wherein the other transistor pair is a current mirror circuit when the other transistor pair is a differential pair.
【請求項2】第1導電型の第1のトランジスタ対と、 第2導電型の第2のトランジスタ対と、 を含み、 前記第1のトランジスタ対のドレインは、前記第2のト
ランジスタ対のドレインにそれぞれ接続されており、 前記第1のトランジスタ対の共通接続されたソースと第
1の電源との間には、第1電流源と第1のスイッチとが
並列に接続されており、 前記第2のトランジスタ対の共通接続されたソースと第
2の電源との間には、第2の電流源と第2のスイッチと
が並列に接続されており、 前記第1のトランジスタ対を、共通接続されたソースが
前記第1の電流源を介して前記第1の電源に接続され、
ゲートに差動入力電圧を受ける差動対とし、 前記第2のトランジスタ対を、ゲート同士が接続され、
共通接続されたソースが前記第2のスイッチを介して前
記第2の電源に接続され、一方のトランジスタのゲート
とドレインとが互いに接続されてなるカレントミラー回
路とする第1の接続構成と、 前記第2のトランジスタ対を、共通接続されたソースが
前記第2の電流源を介して前記第2の電源に接続され、
ゲートに差動入力電圧を受ける差動対とし、 前記第1のトランジスタ対を、ゲート同士が接続され、
共通接続されたソースが前記第1のスイッチを介して前
記第1の電源に接続され、一方のトランジスタのゲート
とドレインとが互いに接続されてなるカレントミラー回
路とする第2の接続構成と、 を取り得るものとし、 前記第1の接続構成から前記第2の接続構成、及び、前
記第2の接続構成から前記第1の接続構成への切替を制
御する接続切替手段を備えている、ことを特徴とする差
動回路。
2. A first transistor pair of a first conductivity type and a second transistor pair of a second conductivity type, wherein the drain of the first transistor pair is the drain of the second transistor pair. A first current source and a first switch are connected in parallel between a commonly connected source of the first transistor pair and a first power supply, and the first current source and the first switch are connected in parallel. A second current source and a second switch are connected in parallel between the commonly connected sources of the second transistor pair and the second power source, and the first transistor pair is commonly connected. A source connected to the first power supply via the first current source,
A differential pair that receives a differential input voltage at its gate, wherein the second transistor pair has their gates connected to each other,
A first connection configuration in which a commonly connected source is connected to the second power source through the second switch, and a gate and a drain of one transistor are connected to each other to form a current mirror circuit; A second transistor pair, the commonly connected sources of which are connected to the second power source via the second current source;
A differential pair that receives a differential input voltage at its gates, wherein the first transistor pair has gates connected to each other,
A second connection configuration in which a source connected in common is connected to the first power supply through the first switch, and a gate and a drain of one transistor are connected to each other to form a current mirror circuit; And a connection switching unit that controls switching from the first connection configuration to the second connection configuration and from the second connection configuration to the first connection configuration. Characteristic differential circuit.
【請求項3】前記第1のトランジスタ対がpチャネルト
ランジスタ対よりなり、 前記第2のトランジスタ対がnチャネルトランジスタ対
よりなり、 前記第1の電源が高位側電源よりなり、 前記第2の電源が低位側電源よりなり、 高位側電圧の駆動時には、前記nチャネルトランジスタ
対を差動対とし、前記pチャネルトランジスタ対をカレ
ントミラー回路とし、 低位側電圧の駆動時には、前記pチャネルトランジスタ
対が差動対とし、前記nチャネルトランジスタ対をカレ
ントミラー回路とするように、前記接続切替手段の切替
を制御する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の
差動回路。
3. The first transistor pair is a p-channel transistor pair, the second transistor pair is an n-channel transistor pair, the first power supply is a high-side power supply, and the second power supply is Is a low-side power supply, and when driving a high-side voltage, the n-channel transistor pair is a differential pair and the p-channel transistor pair is a current mirror circuit, and when driving a low-side voltage, the p-channel transistor pair is a differential pair. 3. The differential circuit according to claim 1, wherein the switching of the connection switching means is controlled so that the n-channel transistor pair is a current mirror circuit.
【請求項4】ソースが共通接続されている第1導電型の
第1、及び第2のトランジスタと、 ドレインが前記第1導電型のトランジスタ対のドレイン
にそれぞれ接続され、ソースが共通接続されている、第
2導電型の第3、及び第4のトランジスタと、 前記第1、及び第2のトランジスタのソースの共通接続
節点と、第1の電源との間に、並列形態に接続されてい
る、第1のスイッチ及び第1の電流源と、 前記第3、及び第4のトランジスタのソースの共通接続
節点と、第2の電源との間に、並列形態に接続されてい
る、第2のスイッチ及び第2の電流源と、 前記第1、及び第2のトランジスタのそれぞれのゲート
の間に、直列形態に接続されている第3、及び第4のス
イッチと、 前記第3、及び第4のトランジスタのそれぞれのゲート
の間に、直列形態に接続されている第5、及び第6のス
イッチと、 前記第1のトランジスタのゲートと前記第3のスイッチ
との接続節点と、第1の入力端子との間に挿入されてい
る第7のスイッチと、 前記第2のトランジスタのゲートと前記第4のスイッチ
との接続節点と、第2の入力端子との間に挿入されてい
る第8のスイッチと、 前記第3のトランジスタのゲートと前記第5のスイッチ
との接続節点と、前記第1の入力端子の間に挿入されて
いる第9のスイッチと、 前記第4のトランジスタのゲートと前記第6のスイッチ
との接続節点と、前記第2の入力端子との間に挿入され
ている第10のスイッチと、 を備え、 前記第3のスイッチと前記第4のスイッチとの接続節点
と、前記第5のスイッチと前記第6のスイッチとの接続
節点とが互いに接続され、その共通接続節点は、前記第
2のトランジスタのドレインと前記第4のトランジスタ
のドレインとの接続節点に接続されており、 前記第1のトランジスタのドレインと前記第3のトラン
ジスタのドレインとの接続節点が出力端子に接続されて
いる、ことを特徴とする差動回路。
4. The first and second transistors of the first conductivity type, the sources of which are commonly connected, the drains of which are respectively connected to the drains of the pair of transistors of the first conductivity type, and the sources of which are commonly connected. Are connected in parallel between the third and fourth transistors of the second conductivity type, the common connection node of the sources of the first and second transistors, and the first power supply. A first switch and a first current source, a common connection node of the sources of the third and fourth transistors, and a second power supply, which are connected in parallel. A switch and a second current source, and third and fourth switches connected in series between the gates of the first and second transistors, respectively, and the third and fourth Of each gate of the transistor Is inserted between the fifth and sixth switches connected in series, the connection node between the gate of the first transistor and the third switch, and the first input terminal. A seventh switch, an eighth switch inserted between a connection node between the gate of the second transistor and the fourth switch, and a second input terminal, and the third transistor Connection node between the gate of the fifth switch and the fifth switch, a ninth switch inserted between the first input terminals, a connection node between the gate of the fourth transistor and the sixth switch And a tenth switch inserted between the second input terminal and the second input terminal, a connection node between the third switch and the fourth switch, the fifth switch and the 6 and the connection node with the switch Connected to a connection node between the drain of the second transistor and the drain of the fourth transistor, the common connection node of which is connected to the drain of the first transistor and the drain of the third transistor. A differential circuit characterized in that a connection node with a drain is connected to an output terminal.
【請求項5】前記第1、第3、第4、第9、及び第10
のスイッチが導通状態とされ、且つ前記第2、第5、第
6、第7、及び第8のスイッチが非導通状態とされる
か、あるいは、 前記第1、第3、第4、第9、及び第10のスイッチが
非導通状態とされ、且つ前記第2、第5、第6、第7、
及び第8のスイッチが導通状態とされる、ことを特徴と
する請求項4に記載の差動回路。
5. The first, third, fourth, ninth, and tenth
Switch is turned on and the second, fifth, sixth, seventh and eighth switches are turned off, or the first, third, fourth and ninth switches are turned on. , And the tenth switch are turned off, and the second, fifth, sixth, seventh, and
The differential circuit according to claim 4, wherein the eighth switch is turned on.
【請求項6】前記第1、第3、及び第4のスイッチは、
第1の制御信号の反転信号をゲートに入力とする第1導
電型のトランジスタよりなり、それぞれ前記第1の制御
信号が第1の論理値のときにオンし、 前記第2、第5、及び第6のスイッチは、第2の制御信
号をゲートに入力とする第2導電型のトランジスタより
なり、それぞれ前記第2の制御信号が第1の論理値のと
きにオンし、 前記第7、及び第8のスイッチは、前記第2の制御信号
とその反転信号をゲートにそれぞれ入力とするCMOS
トランスファゲートよりなり、それぞれ前記第2の制御
信号が第1の論理値のときにオンし、 前記第9、及び第10のスイッチは、前記第1の制御信
号とその反転信号とをゲートにそれぞれ入力とするCM
OSトランスファゲートよりなり、それぞれ前記第1の
制御信号が第1の論理値のときにオンする、ことを特徴
とする請求項4に記載の差動回路。
6. The first, third, and fourth switches are
It is composed of a transistor of a first conductivity type whose gate is an inverted signal of the first control signal, and turns on when the first control signal has a first logical value, and the second, fifth, and The sixth switch is formed of a second conductivity type transistor having a gate that receives the second control signal, and is turned on when the second control signal has a first logical value. The eighth switch is a CMOS whose gate receives the second control signal and its inverted signal, respectively.
A transfer gate, which is turned on when the second control signal has a first logical value, and the ninth and tenth switches respectively have the first control signal and an inverted signal thereof as gates. CM to be input
The differential circuit according to claim 4, comprising an OS transfer gate, which is turned on when the first control signal has a first logical value.
【請求項7】前記第1及び第2のトランジスタがpチャ
ネルトランジスタ対よりなり、 前記第3及び第4のトランジスタがnチャネルトランジ
スタ対よりなり、 前記第1の電源が高位側電源よりなり、 前記第2の電源が低位側電源よりなり、 高位側電圧の安定駆動時には、前記nチャネルトランジ
スタ対を差動対とし、前記pチャネルトランジスタ対を
カレントミラー回路とし、 低位側電圧の安定駆動時には、前記pチャネルトランジ
スタ対を差動対とし、前記nチャネルトランジスタ対が
カレントミラー回路となるように、前記第1、第3、第
4、第9、及び第10のスイッチと、前記第2、第5、
第6、第7、及び第8のスイッチの導通状態が切替を制
御される、ことを特徴とする請求項4に記載の差動回
路。
7. The first and second transistors are p-channel transistor pairs, the third and fourth transistors are n-channel transistor pairs, and the first power source is a high-side power source, The second power source is a low-potential side power source, and when the high-side voltage is stably driven, the n-channel transistor pair is a differential pair, the p-channel transistor pair is a current mirror circuit, and when the low-side voltage is stably driven, The p-channel transistor pair is a differential pair, and the first, third, fourth, ninth and tenth switches and the second and fifth switches are arranged so that the n-channel transistor pair becomes a current mirror circuit. ,
The differential circuit according to claim 4, wherein switching is controlled by conduction states of the sixth, seventh, and eighth switches.
【請求項8】請求項1乃至7のいずれか一に記載の差動
回路と、 前記差動回路の出力信号を受けて出力端子を充電する充
電用増幅段と、 前記差動回路の出力信号を受けて前記出力端子を放電す
る放電用増幅段と、 を備え、 前記出力端子が、前記差動回路の差動入力端子の反転入
力端子に帰還入力される、ことを特徴とする増幅回路。
8. The differential circuit according to claim 1, a charging amplification stage for charging an output terminal by receiving an output signal of the differential circuit, and an output signal of the differential circuit. An amplifying circuit for discharging, which receives the output terminal and discharges the output terminal, wherein the output terminal is fed back to an inverting input terminal of a differential input terminal of the differential circuit.
【請求項9】前記差動回路の出力信号を制御して、前記
充電用増幅段を、所定の期間、非活性とする制御を行う
第1のリセット回路を備えている、ことを特徴とする請
求項8に記載の増幅回路。
9. A first reset circuit for controlling the output signal of the differential circuit to deactivate the charging amplification stage for a predetermined period. The amplifier circuit according to claim 8.
【請求項10】前記差動回路の出力信号を制御して、前
記放電用増幅段を、所定の期間、非活性とする制御を行
う第2のリセット回路を備えている、ことを特徴とする
請求項8に記載の増幅回路。
10. A second reset circuit for controlling the output signal of the differential circuit to deactivate the discharge amplification stage for a predetermined period. The amplifier circuit according to claim 8.
【請求項11】前記充電用増幅段が、前記差動回路の出
力信号をゲートに受け、ドレインが前記出力端子に接続
されている第1導電型の第5のトランジスタと、 前記第5のトランジスタのソースと、高位側電源をなす
第1の電源との間に挿入されている第11のスイッチ
と、 前記第5のトランジスタのドレインと、低位側電源をな
す第2の電源との間に、直列形態に接続されている、第
12のスイッチ及び第3の電流源と、 を備えている、ことを特徴とする請求項8に記載の増幅
回路。
11. A fifth transistor of the first conductivity type, wherein the charging amplification stage receives the output signal of the differential circuit at its gate, and its drain is connected to the output terminal, Between the source and the first power source forming the high-potential side power supply, the drain of the fifth transistor, and the second power source forming the low-potential side power supply, The amplifier circuit according to claim 8, further comprising: a twelfth switch and a third current source connected in series.
【請求項12】前記放電用増幅段が、前記差動回路の出
力信号をゲートに受け、ドレインが前記出力端子に接続
されている第2導電型の第6のトランジスタと、 前記第6のトランジスタのソースと、低位側電源をなす
第2の電源との間に挿入されている第13のスイッチ
と、 前記第6のトランジスタのドレインと、高位側電源をな
す第1の電源との間に、直列形態に接続されている、第
14のスイッチ及び第4の電流源を備えている、ことを
特徴とする請求項8に記載の増幅回路。
12. A sixth transistor of the second conductivity type, wherein the discharge amplification stage receives the output signal of the differential circuit at its gate and its drain is connected to the output terminal, and the sixth transistor. , A thirteenth switch inserted between the second power source that forms the low-side power source, the drain of the sixth transistor, and the first power source that forms the high-side power source, 9. The amplifier circuit according to claim 8, further comprising a fourteenth switch and a fourth current source connected in series.
【請求項13】前記第1の電源と前記第5のトランジス
タのゲートとの間に挿入された第15のスイッチを有す
る第1のリセット回路を備えている、ことを特徴とする
請求項11に記載の増幅回路。
13. The apparatus according to claim 11, further comprising a first reset circuit having a fifteenth switch inserted between the first power supply and the gate of the fifth transistor. The described amplifier circuit.
【請求項14】前記第2の電源と前記第6のトランジス
タのゲートとの間に挿入された第16のスイッチを有す
る第2のリセット回路を備えている、ことを特徴とする
請求項12に記載の増幅回路。
14. The apparatus according to claim 12, further comprising a second reset circuit having a sixteenth switch inserted between the second power supply and the gate of the sixth transistor. The described amplifier circuit.
【請求項15】請求項1乃至7のいずれか一に記載の差
動回路を備え、 前記差動回路は、入力端子電圧と出力端子電圧とを差動
入力し、 前記差動回路の出力信号に基づき前記出力端子の充電作
用を行う充電回路と、 前記入力端子電圧を受けて出力バイアス電圧を制御する
第1のバイアス制御手段と、前記出力端子と、低位側電
源をなす第2の電源との間に接続され、前記第1のバイ
アス制御手段から出力されるバイアス電圧を入力とする
フォロワトランジスタと、を備え、前記入力端子電圧と
前記出力端子電圧との電圧差に応じ能動素子のフォロワ
動作により前記出力端子の放電作用を行うフォロワ型放
電回路と、 前記差動回路の出力信号に基づき前記出力端子の放電作
用を行う放電回路と、 前記入力端子電圧を受けて出力バイアス電圧を制御する
第2のバイアス制御手段と、高位側電源をなす第1の電
源と前記出力端子との間に接続され、前記第2のバイア
ス制御手段のバイアス電圧を入力とするフォロワトラン
ジスタと、を備え、前記入力端子電圧と前記出力端子電
圧との電圧差に応じ能動素子のフォロワ動作により前記
出力端子の充電作用を行うフォロワ型充電回路と、 を備えている、ことを特徴とする増幅回路。
15. The differential circuit according to claim 1, wherein the differential circuit differentially inputs an input terminal voltage and an output terminal voltage, and an output signal of the differential circuit. A charging circuit for charging the output terminal based on the above; a first bias control means for controlling the output bias voltage by receiving the input terminal voltage; the output terminal; and a second power supply which is a low-side power supply. And a follower transistor that receives the bias voltage output from the first bias control means as an input, and the follower operation of the active element according to the voltage difference between the input terminal voltage and the output terminal voltage. A follower discharge circuit that discharges the output terminal by a discharge circuit that discharges the output terminal based on the output signal of the differential circuit; and an output bias voltage that receives the input terminal voltage. A second bias control means for controlling; a follower transistor, which is connected between the first power supply which is a high-side power supply and the output terminal, and which receives the bias voltage of the second bias control means as an input. A follower type charging circuit for charging the output terminal by a follower operation of an active element according to a voltage difference between the input terminal voltage and the output terminal voltage.
【請求項16】請求項4乃至7のいずれか一に記載の差
動回路を備え、 前記差動回路は、入力端子電圧と出力端子電圧とを差動
入力し、 高位側電源をなす第1の電源と、前記出力端子との間に
接続され、前記差動回路の出力信号をゲートに入力とす
る第1導電型の第7のトランジスタを含む充電回路と、 前記出力端子と、低位側電源をなす第2の電源との間に
接続されるフォロワ構成の第1導電型の第8のトランジ
スタと、 前記入力端子と前記低位側電源間に挿入され、第5の定
電流源で駆動され、ゲートが前記フォロワ構成の第8の
トランジスタのゲートに接続されるダイオード接続され
ている第1導電型の第9のトランジスタと、 を有するフォロワ型放電回路と、 前記低位側電源と前記出力端子との間に接続され、前記
差動回路の出力信号をゲートに入力する第2導電型の第
10のトランジスタを含む放電回路と、 前記出力端子と高位側電源間に接続されるフォロワ構成
の第2導電型の第11のトランジスタと、 前記高位側電源と前記入力端子間に挿入され、第6の定
電流源で駆動され、ゲートが前記フォロワ構成の第11
のトランジスタのゲートに接続されるダイオード接続さ
れている第2導電型の第12のトランジスタと、 を有するフォロワ型充電回路と、 を備えている、ことを特徴とする増幅回路。
16. A differential circuit according to claim 4, wherein the differential circuit differentially inputs an input terminal voltage and an output terminal voltage to form a high-potential-side power supply. Charging circuit including a seventh transistor of the first conductivity type, which is connected between the power supply and the output terminal and receives the output signal of the differential circuit at its gate, the output terminal, and a low-side power supply. An eighth transistor of the first conductivity type having a follower structure connected between the second power source and the second power source, which is inserted between the input terminal and the lower power source, and is driven by a fifth constant current source, A follower discharge circuit having a diode-connected first conductivity type ninth transistor whose gate is connected to the gate of the follower-structured eighth transistor; and a low-side power supply and the output terminal. Connected between the outputs of the differential circuit A discharge circuit including a second conductivity type tenth transistor for inputting a signal to a gate; a second conductivity type eleventh transistor having a follower configuration connected between the output terminal and a high potential side power supply; and the high potential side. It is inserted between a power source and the input terminal, is driven by a sixth constant current source, and has a gate having the eleventh follower configuration.
And a follower-type charging circuit having a diode-connected twelfth transistor of the second conductivity type that is connected to the gate of the transistor.
【請求項17】前記フォロワ構成の第8のトランジスタ
と前記低位側電源との間に挿入された第17のスイッチ
と、 前記第9のトランジスタと前記低位側電源との間に、前
記第5の定電流源と直列に接続される第18のスイッチ
と、 前記第9のトランジスタと前記高位側電源との間に、直
列形態に接続されている第19のスイッチ及び第7の定
電流源と、 を備え、 フォロワ構成の第11のトランジスタと高位側電源間に
挿入される第20のスイッチと、 前記第12のトランジスタと前記高位側電源との間に、
前記第6の定電流源と直列に接続される第21のスイッ
チと、 前記第12のトランジスタと前記低位側電源との間に、
直列形態に接続されている第22のスイッチ及び第8の
定電流源と、 を備えている、ことを特徴とする請求項16に記載の増
幅回路。
17. A seventeenth switch inserted between the eighth transistor of the follower configuration and the low-potential side power supply, and the fifth switch between the ninth transistor and the low-potential side power supply. An eighteenth switch connected in series with a constant current source, a nineteenth switch and a seventh constant current source connected in series between the ninth transistor and the high-potential-side power supply, And a twentieth switch inserted between the eleventh transistor of the follower configuration and the high-potential power supply, and between the twelfth transistor and the high-potential power supply,
A twenty-first switch connected in series with the sixth constant current source, and between the twelfth transistor and the low-potential-side power supply,
The 22nd switch and the 8th constant current source connected in series form are provided, The amplifier circuit of Claim 16 characterized by the above-mentioned.
【請求項18】前記第9のトランジスタのソースとドレ
インに、ソースとドレインがそれぞれ接続され、ゲート
に所定のバイアス電圧を入力する第1導電型の第13の
トランジスタと、 前記第12のトランジスタのソースとドレインに、ソー
スとドレインがそれぞれ接続され、ゲートに所定のバイ
アス電圧を入力する第2導電型の第14のトランジスタ
と、 を備えている、ことを特徴とする請求項16に記載の増
幅回路。
18. A thirteenth transistor of the first conductivity type, wherein a source and a drain are connected to a source and a drain of the ninth transistor, respectively, and a predetermined bias voltage is input to a gate, and a twelfth transistor of the twelfth transistor. The source and the drain are respectively connected to the source and the drain, and the fourteenth transistor of the second conductivity type for inputting a predetermined bias voltage to the gate is provided, and the amplification according to claim 16. circuit.
【請求項19】前記高位側電源と前記第7のトランジス
タのゲート間に挿入された第23のスイッチを有する第
1のリセット回路を備えている、ことを特徴とする請求
項16乃至18のいずれか一に記載の増幅回路。
19. The method according to claim 16, further comprising a first reset circuit having a twenty-third switch inserted between the high-potential side power supply and the gate of the seventh transistor. The amplifier circuit described in Kaichi.
【請求項20】前記低位側電源と前記第10のトランジ
スタのゲート間に挿入された第24のスイッチを有する
第2のリセット回路を備えている、ことを特徴とする請
求項16乃至19のいずれか一に記載の増幅回路。
20. A second reset circuit having a twenty-fourth switch inserted between the low-potential-side power supply and the gate of the tenth transistor, wherein the second reset circuit is provided. The amplifier circuit described in Kaichi.
【請求項21】前記第1のリセット回路が、前記第5の
トランジスタのゲートと前記第15のスイッチとの接続
点と、前記差動回路の出力端子との間に挿入されている
第25のスイッチを備えている、ことを特徴とする請求
項13に記載の増幅回路。
21. A twenty-fifth aspect in which the first reset circuit is inserted between a connection point between the gate of the fifth transistor and the fifteenth switch and an output terminal of the differential circuit. The amplifier circuit according to claim 13, further comprising a switch.
【請求項22】前記第2のリセット回路が、前記第6の
トランジスタのゲートと前記第16のスイッチとの接続
点と、前記差動回路の出力端子との間に挿入されている
第26のスイッチを備えている、ことを特徴とする請求
項14に記載の増幅回路。
22. A twenty-sixth aspect in which the second reset circuit is inserted between a connection point between the gate of the sixth transistor and the sixteenth switch and an output terminal of the differential circuit. The amplifier circuit according to claim 14, further comprising a switch.
【請求項23】前記第1のリセット回路が、前記第5の
トランジスタのドレインとゲートとの間に接続されてい
る容量を備えている、ことを特徴とする請求項13又は
21に記載の増幅回路。
23. The amplifier according to claim 13, wherein the first reset circuit includes a capacitor connected between the drain and the gate of the fifth transistor. circuit.
【請求項24】前記第2のリセット回路が、前記第6の
トランジスタのドレインとゲートとの間に接続されてい
る容量を備えている、ことを特徴とする請求項14又は
22に記載の増幅回路。
24. The amplifier according to claim 14, wherein the second reset circuit has a capacitance connected between the drain and the gate of the sixth transistor. circuit.
【請求項25】前記第1、第3、第4、第9、第10の
スイッチがオン状態とされ、且つ前記第2、第5、第
6、第7、第8のスイッチがオフ状態とされる第1の接
続状態の始まりの所定のリセット期間、前記第15のス
イッチがオンされ、その後、前記第15のスイッチがオ
フされ、前記第11、第12のスイッチがオンされ前記
充電用増幅段が活性化される、ことを特徴とする請求項
13に記載の増幅回路。
25. The first, third, fourth, ninth, and tenth switches are turned on, and the second, fifth, sixth, seventh, and eighth switches are turned off. During the predetermined reset period at the beginning of the first connection state, the fifteenth switch is turned on, then the fifteenth switch is turned off, the eleventh and twelfth switches are turned on, and the charging amplification is performed. 14. Amplifier circuit according to claim 13, characterized in that the stage is activated.
【請求項26】前記第1、第3、第4、第9、及び第1
0のスイッチがオフ状態とされ、且つ前記第2、第5、
第6、第7、及び第8のスイッチがオン状態とされる第
2の接続状態の始まりの所定のリセット期間、前記第1
6のスイッチがオンされ、その後、前記第16のスイッ
チがオフされ、前記第13、第14のスイッチがオンさ
れ前記放電用増幅段が活性化される、ことを特徴とする
請求項14に記載の増幅回路。
26. The first, third, fourth, ninth and first
0 switch is turned off, and the second, fifth,
The predetermined reset period at the beginning of the second connection state in which the sixth, seventh, and eighth switches are turned on, and the first
15. The switch of No. 6 is turned on, then the sixteenth switch is turned off, the thirteenth and fourteenth switches are turned on, and the discharge amplification stage is activated. Amplifier circuit.
【請求項27】前記第1、第3、第4、第9、第10の
スイッチがオン状態とされ、且つ前記第2、第5、第
6、第7、第8のスイッチがオフ状態とされる第1の接
続状態では、前記第11、第12のスイッチがオン状態
とされ、前記第15のスイッチはオフ状態、前記第25
のスイッチはオン状態とされ、 前記第1、第3、第4、第9、及び第10のスイッチが
オフ状態とされ、且つ前記第2、第5、第6、第7、及
び第8のスイッチがオン状態とされる第2の接続状態で
は、前記第11、第12のスイッチはオフ状態とされ、
前記第15のスイッチはオン状態、前記第25のスイッ
チはオフ状態とされる、ことを特徴とする請求項21に
記載の増幅回路。
27. The first, third, fourth, ninth, and tenth switches are turned on, and the second, fifth, sixth, seventh, and eighth switches are turned off. In the first connection state, the eleventh and twelfth switches are turned on, the fifteenth switch is turned off, and the twenty-fifth switch is turned on.
Switch is turned on, the first, third, fourth, ninth, and tenth switches are turned off, and the second, fifth, sixth, seventh, and eighth switches are turned on. In the second connection state where the switch is turned on, the eleventh and twelfth switches are turned off,
22. The amplifier circuit according to claim 21, wherein the fifteenth switch is turned on and the twenty-fifth switch is turned off.
【請求項28】前記第1、第3、第4、第9、第10の
スイッチが導通状態とされ、且つ前記第2、第5、第
6、第7、第8のスイッチが非導通状態とされる第1の
接続状態では、前記第13、第14のスイッチがオフ状
態とされ、前記第16のスイッチはオン状態、前記第2
6のスイッチはオフ状態とされ、 前記第1、第3、第4、第9、及び第10のスイッチが
非導通状態とされ、且つ前記第2、第5、第6、第7、
及び第8のスイッチが導通状態とされる第2の接続状態
では、前記第13、第14のスイッチがオン状態され、
前記第16のスイッチはオフ状態、前記第26のスイッ
チはオン状態とされる、ことを特徴とする請求項22に
記載の増幅回路。
28. The first, third, fourth, ninth and tenth switches are made conductive, and the second, fifth, sixth, seventh and eighth switches are made non-conductive. In the first connection state, the thirteenth and fourteenth switches are turned off, the sixteenth switch is turned on, and the second switch is turned on.
The sixth switch is turned off, the first, third, fourth, ninth, and tenth switches are turned off, and the second, fifth, sixth, seventh,
And a second connection state in which the eighth switch is turned on, the thirteenth and fourteenth switches are turned on,
23. The amplifier circuit according to claim 22, wherein the 16th switch is turned off and the 26th switch is turned on.
【請求項29】前記第11のスイッチが削除されてお
り、前記第5のトランジスタのソースが、高位側電源を
なす前記第1の電源に直接接続されている、ことを特徴
とする請求項27に記載の増幅回路。
29. The eleventh switch is deleted, and the source of the fifth transistor is directly connected to the first power supply which constitutes a high-side power supply. The amplifier circuit described in.
【請求項30】前記第16のスイッチが削除されてお
り、前記第6のトランジスタのソースが、低位側電源を
なす前記第2の電源に直接接続されている、ことを特徴
とする請求項28に記載の増幅回路。
30. The sixteenth switch is deleted, and the source of the sixth transistor is directly connected to the second power supply which is a low-side power supply. The amplifier circuit described in.
【請求項31】請求項8乃至30のいずれか一に記載の
増幅回路をデータ線を駆動するための駆動回路として備
えている、ことを特徴とする表示装置。
31. A display device comprising the amplifier circuit according to claim 8 as a drive circuit for driving a data line.
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