JP2003241676A - Method of manufacturing display element and method of manufacturing substrate for display element - Google Patents

Method of manufacturing display element and method of manufacturing substrate for display element

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JP2003241676A
JP2003241676A JP2002330875A JP2002330875A JP2003241676A JP 2003241676 A JP2003241676 A JP 2003241676A JP 2002330875 A JP2002330875 A JP 2002330875A JP 2002330875 A JP2002330875 A JP 2002330875A JP 2003241676 A JP2003241676 A JP 2003241676A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the accuracy of patterning while maintaining characteristics, such as low cost, high throughput and a high degree of freedom of optical materials in a display element and its method of manufacturing. <P>SOLUTION: A display substrate is subjected to plasma treatment by generating the plasma using raw materials, such as O<SB>2</SB>, CF<SB>4</SB>and Ar, by which a desired distribution of liquid repellency and lyophilicity can be formed. The liquid optical material is thereafter applied thereto by using an ink jet method or the like. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、表示基板上の所定
位置に選択的に蛍光材料(発光材料)や光変調材料等の
光学材料を配置された表示素子に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display element in which an optical material such as a fluorescent material (light emitting material) or a light modulating material is selectively arranged at a predetermined position on a display substrate.

【背景技術】LCD(Liquid Crystal Display)やEL
(Electroluminescense )表示素子等のマトリクス型表
示素子は、軽量、薄型、高画質および高精細を実現する
表示素子として、多種かつ多数用いられている。マトリ
クス型表示素子は、マトリクス状のバス配線と、光学材
料(発光材料または光変調材料)と、必要に応じて他の
構造とにより構成される。
BACKGROUND ART LCD (Liquid Crystal Display) and EL
Matrix-type display elements such as (Electroluminescense) display elements are widely used in various types as light-weight, thin, high-quality and high-definition display elements. The matrix type display element is composed of a matrix of bus wirings, an optical material (a light emitting material or a light modulating material), and other structure as required.

【0002】ここで、単色のマトリクス型表示素子であ
れば、配線や電極は表示基板上にマトリクス状に配置す
る必要はあるが、光学材料は、表示基板全面に一様に塗
布することも可能である。
Here, in the case of a monochromatic matrix type display element, the wirings and electrodes need to be arranged in a matrix on the display substrate, but the optical material can be evenly applied to the entire surface of the display substrate. Is.

【0003】これに対し、例えば自己が発光するタイプ
であるEL表示素子でいわゆるカラーのマトリクス型表
示素子を実現しようとする場合、一画素毎に、RGBと
いう光の三原色に対応して三つの画素電極を配置すると
ともに、各画素電極毎にRGBいずれかに対応した光学
材料を塗布しなければならない。つまり、光学材料を所
定の位置に選択的に配置する必要がある。
On the other hand, in the case of realizing a so-called color matrix type display element with an EL display element of the type that emits light by itself, for example, for each pixel, three pixels corresponding to the three primary colors of light, RGB, are provided. It is necessary to arrange electrodes and apply an optical material corresponding to any of RGB to each pixel electrode. That is, it is necessary to selectively dispose the optical material at a predetermined position.

【0004】そこで、光学材料をパターニングする方法
の開発が望まれるのであるが、有効なパターニング方法
の候補としては、エッチングと塗布とが挙げられる。
Therefore, development of a method for patterning an optical material is desired, and effective patterning methods include etching and coating.

【0005】エッチングによる場合の工程は、次のよう
になる。
The steps in the case of etching are as follows.

【0006】先ず、表示基板上に、光学材料の層を形成
する。次に、光学材料の層の上にレジスト膜を形成し、
そのレジスト膜をマスクを介して露光した後にパターニ
ングする。そして、エッチングを行い、レジストのパタ
ーンに応じて、光学材料の層のパターニングを行う。
First, a layer of optical material is formed on a display substrate. Next, a resist film is formed on the layer of the optical material,
The resist film is exposed through a mask and then patterned. Then, etching is performed to pattern the layer of the optical material according to the pattern of the resist.

【0007】しかしながら、この場合は、工程数が多
く、各材料、装置が高価であることにより、コストが高
くなる。また、工程数が多く、各工程が複雑であること
により、スループットも悪い。さらに、光学材料の化学
的性質によっては、レジストやエッチング液に対する耐
性が低く、これらの工程が不可能な場合もある。
However, in this case, the number of steps is large, and the cost of each material and device is high, resulting in high cost. Moreover, since the number of steps is large and each step is complicated, the throughput is poor. Further, depending on the chemical properties of the optical material, the resistance to a resist or etching solution is low, and these steps may not be possible.

【0008】一方、塗布による場合の工程は、次のよう
になる。
On the other hand, the steps in the case of coating are as follows.

【0009】先ず、光学材料を溶媒に溶かして液状に
し、この液状の光学材料を、表示基板上の所定位置に、
インクジェット方式等により選択的に塗布する。そし
て、必要に応じて、加熱や光照射等により、光学材料を
固形化する。この場合は、工程数が少なく、各材料、装
置が安価であることにより、コストが安くなる。また、
工程数が少なく、各工程が簡略であることにより、スル
ープットも良い。さらに、光学材料の化学的性質に関係
なく、液状化ができれば、これらの工程が可能である。
First, an optical material is dissolved in a solvent to form a liquid, and the liquid optical material is placed at a predetermined position on a display substrate.
It is selectively applied by an inkjet method or the like. Then, if necessary, the optical material is solidified by heating or light irradiation. In this case, the number of steps is small, and the cost of each material and device is low, so the cost is low. Also,
Throughput is good because the number of steps is small and each step is simple. Furthermore, these steps are possible if liquefaction is possible regardless of the chemical properties of the optical material.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】上記のような塗布によ
るパターニングの方法は、一見容易に実行可能なように
も思える。しかし、インクジェット方式により光学材料
を塗布する際には、その光学材料を溶媒により数十倍以
上希釈しなければならないため、その流動性が高く、塗
布した後にそれの固形化が完了するまで塗布位置に保持
しておくことが困難であることが判った。
The patterning method by coating as described above seems to be easily feasible. However, when applying an optical material by an inkjet method, the optical material must be diluted several tens of times or more with a solvent, so its fluidity is high, and after application, it is applied at a coating position until solidification is completed. Proved difficult to hold.

【0011】つまり、液状の光学材料の流動性に起因し
て、パターニングの精度が悪いことである。例えば、あ
る画素に塗布した光学材料が、隣接する画素に流出する
ことにより、画素の光学特性が劣化する。また、各画素
毎に、塗布面積にバラツキが生じることにより、塗布厚
さにバラツキが生じ、光学材料の光学特性にバラツキが
生じる。
That is, the patterning accuracy is poor due to the fluidity of the liquid optical material. For example, an optical material applied to a pixel flows out to an adjacent pixel, which deteriorates the optical characteristics of the pixel. Further, since the coating area varies from pixel to pixel, the coating thickness also varies, and the optical characteristics of the optical material also vary.

【0012】かかる問題点は、塗布する際には液状で、
後に固形化されるEL表示素子用の発光材料等で顕著で
あるが、塗布した際及びその後も液状である液晶を、表
示基板上に選択的に塗布する場合にも同様に生じる問題
点である。
[0012] The problem is that when applied, it is liquid.
Although it is remarkable in a light emitting material for an EL display element which is solidified later, it is a problem similarly occurring when a liquid crystal which is in a liquid state after and after being applied is selectively applied onto a display substrate. .

【0013】本発明は、このような従来の技術が有する
未解決の課題に着目してなされたものであって、低コス
ト、高スループットおよび光学材料の自由度が高いこと
等の特徴を維持しつつ、液状の光学材料を所定位置に確
実に配置することができる表示素子の製造方法を提供す
ることを目的としている。
The present invention has been made by paying attention to the unsolved problems of the conventional techniques, and maintains the features such as low cost, high throughput, and high degree of freedom of optical materials. At the same time, it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a display element in which a liquid optical material can be reliably arranged at a predetermined position.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明の表示素子の製造
方法は、所定位置に液体材料を配置する表示素子の製造
方法であって、前記液体材料を塗布する前に、プラズマ
照射を用いて前記所定位置の前記液体材料に対する親液
性を前記所定位置の周囲に比べて向上させること、を特
徴とする。
A method of manufacturing a display element according to the present invention is a method of manufacturing a display element in which a liquid material is arranged at a predetermined position, and plasma irradiation is used before applying the liquid material. The lyophilicity with respect to the liquid material at the predetermined position is improved as compared with the surroundings of the predetermined position.

【0015】上記の表示素子の製造方法において、前記
プラズマ照射を、O、CF、及びArから選ばれた
1つ気体をプラズマの原料として行うようにしてもよ
い。
In the above method for manufacturing a display element, the plasma irradiation may be performed by using one gas selected from O 2 , CF 4 and Ar as a plasma raw material.

【0016】上記の表示素子の製造方法において、 前
記プラズマ照射を、O、CF、及びArから選ばれ
た少なくとも2つの気体からなる混合気体を用いて行う
ようにしてもよい。
In the display element manufacturing method described above, the plasma irradiation may be performed using a mixed gas composed of at least two gases selected from O 2 , CF 4 , and Ar.

【0017】上記の表示素子の製造方法において、前記
所定位置にある第1の材料と、前記所定位置の周囲にあ
る第2の材料は異なっていることが好ましい。
In the above method of manufacturing a display element, it is preferable that the first material at the predetermined position and the second material around the predetermined position are different.

【0018】例えば、前記第1の材料としては、金属、
陽極酸化膜、ポリイミド、及び酸化シリコンから選ばれ
た少なくとも1つの材料が使用可能であり、前記第2の
材料としては、前記第2の材料は、ポリイミド、酸化シ
リコン、シリコン、及び金属から選ばれた少なくとも1
つの材料が使用可能である。
For example, the first material is a metal,
At least one material selected from an anodized film, polyimide, and silicon oxide can be used. As the second material, the second material is selected from polyimide, silicon oxide, silicon, and metal. At least 1
Two materials are available.

【0019】上記の表示素子の製造方法において、前記
所定位置が前記所定位置の周囲よりも低くなるように段
差を形成してもよいし、逆に前記所定位置が前記所定位
置の周囲よりも高くなるように段差を形成するようにし
てもよい。
In the above method of manufacturing a display element, a step may be formed so that the predetermined position is lower than the periphery of the predetermined position, or conversely, the predetermined position is higher than the periphery of the predetermined position. You may make it form a step so that it may become.

【0020】上記の表示素子の製造方法において、絶縁
膜を形成することにより前記段差を設けることが可能で
ある。
In the above method of manufacturing a display element, it is possible to form the step by forming an insulating film.

【0021】上記のの表示素子の製造方法において、遮
光膜を形成することにより前記段差を設けることも可能
である。
In the above method of manufacturing a display element, it is possible to form the step by forming a light shielding film.

【0022】上記の表示素子の製造方法において、前記
絶縁膜としてポリイミドを用いることができる。
In the above method of manufacturing a display element, polyimide can be used as the insulating film.

【0023】上記の表示素子の製造方法において、 前
記液体材料をインクジェット方式により前記所定位置に
塗布することが好ましい。
In the above method of manufacturing a display element, it is preferable that the liquid material is applied to the predetermined position by an inkjet method.

【0024】上記の表示素子の製造方法において、前記
液体材料は光学材料であってもよい。
In the above method of manufacturing a display element, the liquid material may be an optical material.

【0025】本発明の表示素子用基板の製造方法は、所
定位置に液体材料を配置するための表示素子用基板の製
造方法であって、前記所定位置と前記所定位置の周囲と
の間に段差を形成する工程と、プラズマ照射を用いて前
記所定位置の前記液体材料に対する親液性を前記所定位
置の周囲に比べて向上させる工程と、を含むこと、を特
徴とする。
The method for manufacturing a display element substrate of the present invention is a method for manufacturing a display element substrate for disposing a liquid material at a predetermined position, wherein a step is formed between the predetermined position and the periphery of the predetermined position. And a step of improving the lyophilicity of the liquid material at the predetermined position with respect to the surroundings of the predetermined position by using plasma irradiation.

【0026】上記の表示素子用基板の製造方法におい
て、前記プラズマ照射を、O、CF 、及びArから
選ばれた1つ気体をプラズマの原料として行うことが可
能であり、また、前記プラズマ照射を、O、CF
及びArから選ばれた少なくとも2つの気体からなる混
合気体を原料として行うことも可能である。
In the above method for manufacturing a substrate for a display device,
Then, the plasma irradiation isTwo, CF Four, And Ar
One selected gas can be used as plasma raw material
And the plasma irradiation isTwo, CFFour,
And a mixture of at least two gases selected from Ar.
It is also possible to use mixed gas as a raw material.

【0027】本発明のマトリクス型表示素子は、表示基
板上の所定位置に選択的に光学材料を配置した構成を有
し、前記光学材料は少なくとも前記所定位置に塗布され
る際には液状であるマトリクス型表示素子であって、前
記所定位置とその周囲との境界部分に、前記光学材料を
選択的に塗布するための段差を有するものである。
The matrix type display device of the present invention has a structure in which an optical material is selectively arranged at a predetermined position on a display substrate, and the optical material is liquid at least when applied to the predetermined position. A matrix type display device having a step for selectively applying the optical material at a boundary portion between the predetermined position and its periphery.

【0028】本発明のマトリクス型表示素子は、上記の
ような段差を有しているため、塗布する際に光学材料が
液状であっても、それを所定位置に選択的に配置するこ
とができる。つまり、本発明のマトリクス型表示素子
は、光学材料が所定位置に正確に配置された高性能のマ
トリクス型表示素子である。
Since the matrix type display device of the present invention has the above-mentioned steps, even if the optical material is liquid when applied, it can be selectively arranged at a predetermined position. . That is, the matrix type display element of the present invention is a high performance matrix type display element in which an optical material is accurately arranged at a predetermined position.

【0029】本発明のマトリクス型表示素子の製造方法
は、表示基板上の所定位置に選択的に光学材料を配置し
た構成を有し、前記光学材料は少なくとも前記所定位置
に塗布される際には液状であるマトリクス型表示素子の
製造方法であって、前記液状の光学材料を塗布するため
の段差を、前記表示基板の上方の前記所定位置とその周
囲との境界部分に形成する工程と、前記段差を利用して
前記所定位置に前記液状の光学材料を塗布する工程と、
を備えている。
The method of manufacturing a matrix type display device of the present invention has a structure in which an optical material is selectively arranged at a predetermined position on a display substrate, and the optical material is applied at least at the predetermined position. A method of manufacturing a liquid crystal matrix display element, the method comprising: forming a step for applying the liquid optical material at a boundary portion between the predetermined position above the display substrate and its periphery; Applying the liquid optical material to the predetermined position using a step,
Is equipped with.

【0030】上記のマトリクス型表示素子の製造方法に
よれば、液状の光学材料を塗布する前に段差を形成する
ため、所定位置に塗布された液状の光学材料が周囲に広
がることを、その段差により抑制することができる。こ
の結果、例えば、低コスト、高スループットおよび光学
材料の自由度が高いこと等の特徴を維持しつつ、パター
ニングの精度を向上させることが可能となる。
According to the above-mentioned method for manufacturing a matrix type display element, since the step is formed before the liquid optical material is applied, it is possible to prevent the liquid optical material applied at a predetermined position from spreading to the surroundings. Can be suppressed by. As a result, it is possible to improve the patterning accuracy while maintaining the features such as low cost, high throughput, and high flexibility of the optical material.

【0031】上記のマトリクス型表示素子の製造方法に
おいて、前記段差を設け、前記所定位置の方がその周囲
よりも低くなっている凹型の形状とし、前記表示基板の
前記液状の光学材料が塗布される面を上に向けて、前記
所定位置に前記液状の光学材料を塗布するようにしても
よい。
In the above-mentioned method for manufacturing a matrix type display element, the step is provided, and the predetermined position has a concave shape lower than its surroundings, and the liquid optical material of the display substrate is applied. The liquid optical material may be applied to the predetermined position with the surface facing upward.

【0032】このようにすることにより、表示基板の光
学材料が塗布される面を上に向けると、段差によって形
成される凹部も上向きとなる。そして、その凹部の内側
に液状の光学材料が塗布されると、重力により凹部内に
光学材料が溜まるようになり、塗布された液状の光学材
料は、それが極端に大量でない限り重力や表面張力等に
よって凹部内に溜まっていることができるから、この状
態で例えば乾燥させて光学材料を固形化しても問題はな
く、高精度のパターニングが行える。
By doing so, when the surface of the display substrate on which the optical material is applied faces upward, the concave portion formed by the step also faces upward. When the liquid optical material is applied to the inside of the recess, gravity causes the optical material to accumulate in the recess, and the applied liquid optical material does not have gravity or surface tension unless it is extremely large. Since it can be accumulated in the concave portion due to, for example, there is no problem even if the optical material is solidified by drying in this state, and highly precise patterning can be performed.

【0033】また、逆に、前記段差を設けて、前記所定
位置の方がその周囲よりも高くなっている凸型の形状と
することも可能である。前記表示基板の前記液状の光学
材料が塗布される面を下に向けて、前記所定位置に前記
液状の光学材料を塗布するようにしてもよい。
On the contrary, it is also possible to provide the step so as to form a convex shape in which the predetermined position is higher than its surroundings. The liquid optical material may be applied to the predetermined position with the surface of the display substrate on which the liquid optical material is applied facing downward.

【0034】このようにすることにより、表示基板の光
学材料が塗布される面を下に向けると、段差によって形
成される凸部も下向きとなる。そして、その凸部に液状
の光学材料が塗布されると、表面張力により凸部上に光
学材料が集まるようになり、塗布された液状の光学材料
は、それが極端に大量でない限り表面張力によって凸部
上に溜まっていることができるから、この状態で例えば
乾燥させて光学材料を固形化しても問題はなく、高精度
のパターニングが行える。
By doing so, when the surface of the display substrate on which the optical material is applied faces downward, the convex portion formed by the step also faces downward. Then, when the liquid optical material is applied to the convex portion, the optical material comes to gather on the convex portion due to the surface tension, and the applied liquid optical material is affected by the surface tension unless the amount is extremely large. Since it can be accumulated on the convex portion, there is no problem even if the optical material is solidified by drying in this state, and highly precise patterning can be performed.

【0035】本発明の第2のマトリクス型表示素子の製
造方法は、表示基板上の所定位置に選択的に光学材料を
配置した構成を有し、前記光学材料は少なくとも前記所
定位置に塗布される際には液状であるマトリクス型表示
素子の製造方法であって、前記表示基板上に、複数の第
1のバス配線を形成する工程と、前記液状の光学材料を
塗布するための段差を、表示基板上の前記所定位置とそ
の周囲との境界部分に形成する工程と、前記段差を利用
して前記所定位置に前記液状の光学材料を塗布する工程
と、前記第1のバス配線と交差する複数の第2のバス配
線を、前記光学材料を覆うように形成する工程と、を備
えている。
A second method for manufacturing a matrix type display element of the present invention has a structure in which an optical material is selectively arranged at a predetermined position on a display substrate, and the optical material is applied at least to the predetermined position. In this case, the method is a method of manufacturing a liquid crystal matrix display element, which comprises the steps of forming a plurality of first bus lines on the display substrate and displaying a step for applying the liquid optical material. Forming a boundary between the predetermined position on the substrate and its surroundings; applying the liquid optical material to the predetermined position using the step; and a plurality of intersecting the first bus wirings. And forming the second bus wiring so as to cover the optical material.

【0036】このようにすることにより、液状の光学材
料を塗布する前に段差を形成するため、所定位置に塗布
された液状の光学材料が周囲に広がることを、その段差
により阻止することができる。この結果、低コスト、高
スループットおよび光学材料の自由度が高いこと等の特
徴を維持しつつ、パターニングの精度を向上させること
が可能となる。
By doing so, since the step is formed before the liquid optical material is applied, it is possible to prevent the liquid optical material applied at a predetermined position from spreading around. . As a result, it is possible to improve the patterning accuracy while maintaining the features such as low cost, high throughput, and high degree of freedom of the optical material.

【0037】本発明の第3のマトリクス型表示素子の製
造方法は、表示基板上の所定位置に選択的に光学材料を
配置した構成を有し、前記光学材料は少なくとも前記所
定位置に塗布される際には液状であるマトリクス型表示
素子の製造方法であって、前記表示基板の上方に、複数
の第1のバス配線を形成する工程と、前記液状の光学材
料を塗布するための段差を、前記表示基板上の前記所定
位置とその周囲との境界部分に形成する工程と、前記段
差を利用して前記所定位置に前記液状の光学材料を塗布
する工程と、剥離用基板上に、剥離層を介して複数の第
2のバス配線を形成する工程と、前記光学材料が塗布さ
れた表示基板上に、前記剥離用基板上の前記剥離層から
剥離された構造を、前記第1のバス配線と前記第2のバ
ス配線とが交差するように転写する工程と、を備えてい
る。
A third method for manufacturing a matrix type display device of the present invention has a structure in which an optical material is selectively arranged at a predetermined position on a display substrate, and the optical material is applied to at least the predetermined position. In this case, the method is a method for manufacturing a liquid crystal type matrix display element, wherein a step of forming a plurality of first bus wirings above the display substrate, and a step for applying the liquid optical material, Forming a boundary portion between the predetermined position on the display substrate and its periphery; applying the liquid optical material to the predetermined position using the step; and a peeling layer on the peeling substrate. A step of forming a plurality of second bus wirings via the above, and a structure peeled from the peeling layer on the peeling substrate on the display substrate coated with the optical material, the first bus wirings And the second bus wiring intersect Comprises transferring the steps of, a so.

【0038】このようにすることにより、液状の光学材
料を塗布する前に段差を形成するため、所定位置に塗布
された液状の光学材料が周囲に広がることを、その段差
により阻止することができる。この結果、低コスト、高
スループットおよび光学材料の自由度が高いこと等の特
徴を維持しつつ、パターニングの精度を向上させること
が可能となる。また、光学材料が配置された後に、その
上面に第2のバス配線用の層を形成しこれをエッチング
するような工程は行われない分、光学材料等の下地材料
へのその後の工程によるダメージを軽減することが可能
となる。
By doing so, since the step is formed before the liquid optical material is applied, it is possible to prevent the liquid optical material applied at a predetermined position from spreading around. . As a result, it is possible to improve the patterning accuracy while maintaining the features such as low cost, high throughput, and high degree of freedom of the optical material. Further, after the optical material is arranged, the step of forming the second bus wiring layer on the upper surface of the optical material and etching the layer is not performed, and therefore the underlying material such as the optical material is damaged by the subsequent step. Can be reduced.

【0039】本発明の第4のマトリクス型表示素子の製
造方法は、表示基板上の所定位置に選択的に光学材料を
配置した構成を有し、前記光学材料は少なくとも前記所
定位置に塗布される際には液状であるマトリクス型表示
素子の製造方法であって、前記表示基板上に、複数の走
査線及び信号線を含む配線と、前記所定位置に対応した
画素電極と、前記配線の状態に応じて前記画素電極の状
態を制御するためのスイッチング素子と、を形成する工
程と、前記液状の光学材料を塗布するための段差を、前
記表示基板上の前記所定位置とその周囲との境界部分に
形成する工程と、前記段差を利用して前記所定位置に前
記液状の光学材料を塗布する工程と、を備えている。
A fourth method for manufacturing a matrix type display device of the present invention has a structure in which an optical material is selectively arranged at a predetermined position on a display substrate, and the optical material is applied at least to the predetermined position. In this case, it is a method of manufacturing a liquid crystal matrix display element, in which a wiring including a plurality of scanning lines and signal lines, a pixel electrode corresponding to the predetermined position, and a state of the wiring are provided on the display substrate. A step of forming a switching element for controlling the state of the pixel electrode, and a step for applying the liquid optical material at a boundary portion between the predetermined position on the display substrate and its periphery. And a step of applying the liquid optical material to the predetermined position using the step.

【0040】このようにすることにより、液状の光学材
料を塗布する前に段差を形成するため、所定位置に塗布
された液状の光学材料が周囲に広がることを、その段差
により阻止することができる。この結果、低コスト、高
スループットおよび光学材料の自由度が高いこと等の特
徴を維持しつつ、パターニングの精度を向上させること
が可能となる。
By doing so, since the step is formed before the liquid optical material is applied, it is possible to prevent the liquid optical material applied at a predetermined position from spreading around. . As a result, it is possible to improve the patterning accuracy while maintaining the features such as low cost, high throughput, and high degree of freedom of the optical material.

【0041】本発明の第5のマトリクス型表示素子の製
造方法は、表示基板上の所定位置に選択的に光学材料を
配置した構成を有し、前記光学材料は少なくとも前記所
定位置に塗布される際には液状であるマトリクス型表示
素子の製造方法であって、前記液状の光学材料を塗布す
るための段差を、前記表示基板上の前記所定位置とその
周囲との境界部分に形成する工程と、前記段差を利用し
て前記所定位置に前記液状の光学材料を塗布する工程
と、剥離用基板上に、剥離層を介して、複数の走査線及
び信号線を含む配線と、前記所定位置に対応した画素電
極と、前記配線の状態に応じて前記画素電極の状態を制
御するためのスイッチング素子と、を形成する工程と、
前記光学材料が塗布された表示基板上に、前記剥離用基
板上の前記剥離層から剥離された構造を転写する工程
と、を備えている。
The fifth method for manufacturing a matrix type display device of the present invention has a structure in which an optical material is selectively arranged at a predetermined position on a display substrate, and the optical material is applied at least to the predetermined position. In this case, it is a method of manufacturing a liquid crystal matrix display element, and a step of forming a step for applying the liquid optical material at a boundary portion between the predetermined position on the display substrate and the periphery thereof. A step of applying the liquid optical material to the predetermined position by using the step, a wiring including a plurality of scanning lines and signal lines on a peeling substrate via a peeling layer, and a wiring on the predetermined position. Forming a corresponding pixel electrode and a switching element for controlling the state of the pixel electrode according to the state of the wiring;
Transferring the structure peeled from the peeling layer on the peeling substrate onto the display substrate coated with the optical material.

【0042】このようにすることにより、液状の光学材
料を塗布する前に段差を形成するため、所定位置に塗布
された液状の光学材料が周囲に広がることを、その段差
により阻止することができる。この結果、低コスト、高
スループットおよび光学材料の自由度が高いこと等の特
徴を維持しつつ、パターニングの精度を向上させること
が可能となる。さらに光学材料が配置された後に、その
上面に配線用の層や画素電極用の層を形成しこれらをエ
ッチングするような工程は行われない分、光学材料等の
下地材料へのその後の工程によるダメージや、走査線、
信号線、画素電極またはスイッチング素子等への、光学
材料の塗布等によるダメージを、軽減することが可能と
なる。
By doing so, since the step is formed before the liquid optical material is applied, it is possible to prevent the liquid optical material applied at a predetermined position from spreading around. . As a result, it is possible to improve the patterning accuracy while maintaining the features such as low cost, high throughput, and high degree of freedom of the optical material. Further, after the optical material is arranged, a step of forming a wiring layer or a pixel electrode layer on the upper surface and etching these is not performed. Damage, scan lines,
It is possible to reduce damage to the signal line, the pixel electrode, the switching element, etc. due to the application of the optical material or the like.

【0043】上記のマトリクス型表示素子の製造方法に
おいて、前記段差は、前記第1のバス配線を利用して形
成され、前記所定位置の方がその周囲よりも低くなって
いる凹型の段差であり、前記液状の光学材料を塗布する
工程では、前記表示基板の前記液状の光学材料が塗布さ
れる面を上に向けて、前記所定位置に前記液状の光学材
料を塗布するようにしてもよい。
In the above-mentioned method for manufacturing a matrix type display element, the step is a concave step formed by utilizing the first bus wiring and the predetermined position is lower than its surroundings. In the step of applying the liquid optical material, the liquid optical material may be applied to the predetermined position with the surface of the display substrate on which the liquid optical material is applied facing upward.

【0044】上記のマトリクス型表示素子の製造方法に
おいて、液状の光学材料を塗布する前に段差を形成する
ため、所定位置に塗布された液状の光学材料が周囲に広
がることを、その段差により阻止することができる。こ
の結果、低コスト、高スループットおよび光学材料の自
由度が高いこと等の特徴を維持しつつ、パターニングの
精度を向上させることが可能となる。さらに、第1のバ
ス配線を利用して段差を形成すれば、第1のバス配線を
形成する工程の一部又は全部が、段差を形成する工程を
兼ねるようになるから、工程の増加を抑制できる。
In the above-described method for manufacturing a matrix type display element, since the step is formed before the liquid optical material is applied, the step prevents the liquid optical material applied at a predetermined position from spreading to the surroundings. can do. As a result, it is possible to improve the patterning accuracy while maintaining the features such as low cost, high throughput, and high degree of freedom of the optical material. Further, if the step is formed by using the first bus wiring, some or all of the steps of forming the first bus wiring also serve as the step of forming the step, so that an increase in the number of steps is suppressed. it can.

【0045】また、走査線、信号線、または、共通給電
線などの配線を利用して段差を形成すれば、配線を形成
する工程の一部又は全部が、段差を形成する工程を兼ね
るようになるから、工程の増加を抑制できる。
Further, if the step is formed by using the wiring such as the scanning line, the signal line, or the common power supply line, part or all of the step of forming the wiring also serves as the step of forming the step. Therefore, the increase in the number of steps can be suppressed.

【0046】上記のマトリクス型表示素子の製造方法に
おいて、前記所定位置の方がその周囲よりも高くなって
いる凸型の段差であり、前記液状の光学材料を塗布する
工程では、前記表示基板の前記液状の光学材料が塗布さ
れる面を下に向けて、前記所定位置に前記液状の光学材
料を塗布するようにしてもよい。この場合、前記段差の
形成には、前記画素電極を利用することができる。
In the above-mentioned method for manufacturing a matrix type display element, the predetermined position is a convex step which is higher than its surroundings, and in the step of applying the liquid optical material, the display substrate The liquid optical material may be applied to the predetermined position with the surface on which the liquid optical material is applied facing downward. In this case, the pixel electrode can be used to form the step.

【0047】このようにすれば画素電極を利用して段差
を形成する結果、画素電極を形成する工程の一部又は全
部が、段差を形成する工程を兼ねるようになるから、工
程の増加を抑制できる。
In this way, as a result of forming the step using the pixel electrode, part or all of the step of forming the pixel electrode also serves as the step of forming the step, so that an increase in the number of steps is suppressed. it can.

【0048】上記のマトリクス型表示素子の製造方法に
おいて、層間絶縁膜を形成する工程を備え、前記段差
は、前記層間絶縁膜を利用して形成され、前記所定位置
の方がその周囲よりも低くなっている凹型の段差であ
り、前記液状の光学材料を塗布する工程では、前記表示
基板の前記液状の光学材料が塗布される面を上に向け
て、前記所定位置に前記液状の光学材料を塗布するよう
になっていてもよい。
The above method of manufacturing a matrix type display device further comprises the step of forming an interlayer insulating film, the step is formed by using the interlayer insulating film, and the predetermined position is lower than the surrounding area. In the step of applying the liquid optical material, the liquid optical material is applied to the predetermined position with the surface of the display substrate on which the liquid optical material is applied facing upward. It may be applied.

【0049】このようにすることにより、層間絶縁膜を
利用して段差を形成する結果、層間絶縁膜を形成する工
程の一部又は全部が、段差を形成する工程を兼ねるよう
になるから、工程の増加を抑制できる。
By doing so, as a result of forming the step using the interlayer insulating film, part or all of the step of forming the interlayer insulating film also serves as the step of forming the step. Can be suppressed.

【0050】上記のマトリクス型表示素子の製造方法に
おいて、さらに遮光層を形成する工程を備え、前記段差
は、前記遮光層を利用して形成され、前記所定位置の方
がその周囲よりも低くなっている凹型の段差であり、前
記液状の光学材料を塗布する工程では、前記表示基板の
前記液状の光学材料が塗布される面を上に向けて、前記
所定位置に前記液状の光学材料を塗布するようにしても
よい。
The above method for manufacturing a matrix type display device further comprises a step of forming a light shielding layer, the step is formed by using the light shielding layer, and the predetermined position is lower than the surrounding area. In the step of applying the liquid optical material, the liquid optical material is applied to the predetermined position with the surface of the display substrate on which the liquid optical material is applied facing upward. You may do it.

【0051】このようにすることにより、遮光層を利用
して段差を形成する結果、遮光層を形成する工程の一部
又は全部が、段差を形成する工程を兼ねるようになるか
ら、工程の増加を抑制できる。
By doing so, as a result of forming the step using the light shielding layer, part or all of the step of forming the light shielding layer also serves as the step of forming the step, so that the number of steps is increased. Can be suppressed.

【0052】上記のマトリクス型表示素子の製造方法に
おいて、前記段差を形成する工程は、液状の材料を塗布
した後にこれを選択的に除去することにより段差を形成
するようにしてもよい。液状の材料としては、例えば、
レジスト等が適用でき、レジストを適用した場合には、
表示基板面上にレジストをスピンコートして適当な厚さ
のレジスト膜を形成し、そのレジスト膜を露光・エッチ
ングして所定位置に対応して凹部を形成し、これにより
段差を形成することができる。
In the above-mentioned method of manufacturing a matrix type display element, the step of forming the step may be performed by applying a liquid material and then selectively removing the material. As the liquid material, for example,
Resists can be applied, and if resists are applied,
A resist film may be spin-coated on the surface of the display substrate to form a resist film having an appropriate thickness, and the resist film may be exposed and etched to form a recess corresponding to a predetermined position, thereby forming a step. it can.

【0053】このようにすることにより、段差を形成す
る工程の簡略化が可能となると同時に、下地材料へのダ
メージを軽減しつつ、高低差の大きい段差も容易に形成
することが可能となる。
By doing so, it becomes possible to simplify the step of forming the step, and at the same time, it is possible to easily form the step having a large height difference while reducing the damage to the underlying material.

【0054】上記のマトリクス型表示素子の製造方法に
おいて、前記段差を形成する工程は、剥離用基板上に剥
離層を介して段差を形成し、その剥離用基板上の剥離層
から剥離された構造を表示基板上に転写するようにして
もよい。
In the above-mentioned method of manufacturing a matrix type display element, the step of forming the step is a structure in which the step is formed on the peeling substrate through the peeling layer and the step is peeled from the peeling layer on the peeling substrate. May be transferred onto the display substrate.

【0055】このようにすることにより、剥離基板上に
別途形成した段差を転写するようになっているから、段
差を形成する工程の簡略化が可能となると同時に、下地
材料へのダメージを軽減しつつ、高低差の大きい段差も
容易に形成することが可能となる。
By doing so, since the step formed separately on the separation substrate is transferred, the step of forming the step can be simplified, and at the same time, the damage to the underlying material can be reduced. At the same time, it is possible to easily form a step having a large height difference.

【0056】上記のマトリクス型表示素子の製造方法に
おいて、前記段差の高さdr は、下記(1)式を満たす
ようにしてもよい。
In the above-mentioned method for manufacturing a matrix type display device, the height dr of the step may satisfy the following expression (1).

【0057】 da <dr ……(1) ただし、da は前記液状の光学材料の一回当たりの塗布
厚さである。
Da <dr (1) where da is the coating thickness per time of the liquid optical material.

【0058】このようにすれば、液状の光学材料の表面
張力に頼らなくても、凹型の段差を越えて、所定位置の
周囲に光学材料が流出することを抑制することが可能と
なる。
In this way, it is possible to prevent the optical material from flowing out over the concave step and around the predetermined position without depending on the surface tension of the liquid optical material.

【0059】上記のマトリクス型表示素子の製造方法に
おいて、下記(2)式を満たすようにしてもよい。
In the method of manufacturing the above matrix type display device, the following expression (2) may be satisfied.

【0060】 Vd /(db ・r)>Et ……(2) ただし、Vd は前記光学材料に印加される駆動電圧、d
b は前記液状の光学材料の各塗布厚さの和、rは前記液
状の光学材料の濃度、Et は前記光学材料の光学特性変
化が現れる最少の電界強度(しきい電界強度)である。
Vd / (db.r)> Et (2) where Vd is the drive voltage applied to the optical material, and d
b is the sum of coating thicknesses of the liquid optical material, r is the concentration of the liquid optical material, and Et is the minimum electric field strength (threshold electric field strength) at which a change in the optical characteristics of the optical material appears.

【0061】これにより、塗布厚さと駆動電圧との関係
が明確化され、光学材料の電気光学効果が発現すること
が補償される。
As a result, the relationship between the coating thickness and the drive voltage is clarified, and the electro-optical effect of the optical material is compensated for.

【0062】上記のマトリクス型表示素子の製造方法に
おいて、前記段差の高さdr は、下記(3)式を満たす
ようにしてもよい。
In the above-mentioned method of manufacturing a matrix type display device, the height dr of the step may satisfy the following expression (3).

【0063】 df =dr ……(3) ただし、df は前記光学材料の完成時の厚さである。[0063] df = dr (3) However, df is the thickness of the optical material at the time of completion.

【0064】このようにすることにより、段差と完成時
の光学材料との平坦性が確保され、光学材料の光学特性
変化の一様性と、短絡の防止が可能となる。
By doing so, it is possible to secure the flatness between the step and the optical material at the time of completion, and it becomes possible to make uniform the change in the optical characteristics of the optical material and prevent the short circuit.

【0065】上記のマトリクス型表示素子の製造方法に
おいて、前記完成時の厚さdf は、下記(4)式を満た
すようにしてもよい。
In the above-mentioned method for manufacturing a matrix type display device, the thickness df at the time of completion may satisfy the following expression (4).

【0066】 Vd /df >Et ……(4) ただし、Vd は前記光学材料に印加される駆動電圧、E
t は前記光学材料の光学特性変化が現れる最少の電界強
度(しきい電界強度)である。
Vd / df> Et (4) where Vd is the drive voltage applied to the optical material, E
t is the minimum electric field strength (threshold electric field strength) at which a change in optical characteristics of the optical material appears.

【0067】このようにすることにより、塗布厚さと駆
動電圧との関係が明確化され、光学材料の電気光学効果
が発現することが補償される。
By doing so, the relationship between the coating thickness and the driving voltage is clarified, and the occurrence of the electro-optical effect of the optical material is compensated.

【0068】本発明の第6のマトリクス型表示素子の製
造方法は、前記表示基板上の前記所定位置の親液性をそ
の周囲の親液性よりも相対的に強くする工程と、前記所
定位置に前記液状の光学材料を塗布する工程と、を備え
ている。
In a sixth method for manufacturing a matrix type display element of the present invention, a step of making the lyophilicity of the predetermined position on the display substrate relatively stronger than the lyophilicity of the surroundings, and the predetermined position. And a step of applying the liquid optical material.

【0069】このようにすることにより、液状の光学材
料を塗布する前に所定位置の親液性を強くするようにな
っているため、所定位置に塗布された液状の光学材料
は、その周囲よりも所定位置に溜まり易くなっており、
所定位置とその周囲との親液性の差を十分に大きくして
おけば、所定位置に塗布された液状の光学材料はその周
囲には広がらない。
By doing so, the lyophilicity of the predetermined position is strengthened before the liquid optical material is applied. Is easy to collect in a predetermined position,
If the difference in lyophilicity between the predetermined position and its surroundings is made sufficiently large, the liquid optical material applied at the predetermined position will not spread to the surroundings.

【0070】この結果、低コスト、高スループットおよ
び光学材料の自由度が高いこと等の特徴を維持しつつ、
パターニングの精度を向上させることが可能となる。
As a result, while maintaining features such as low cost, high throughput, and high degree of freedom of optical materials,
It is possible to improve the accuracy of patterning.

【0071】なお、表示基板上の所定位置の親液性をそ
の周囲の親液性よりも相対的に強くする工程としては、
所定位置の親液性を強くするか、所定位置の周囲の撥液
性を強くするか、若しくはその両方を行うことが考えら
れる。
The process of making the lyophilicity at a predetermined position on the display substrate relatively stronger than the lyophilicity of the surroundings is as follows.
It is conceivable to increase the lyophilicity of the predetermined position, increase the liquid repellency around the predetermined position, or both.

【0072】本発明の第7のマトリクス型表示素子の製
造方法は、表示基板上の所定位置に選択的に光学材料を
配置した構成を有し、前記光学材料は少なくとも前記所
定位置に塗布される際には液状であるマトリクス型表示
素子の製造方法であって、前記表示基板上に、複数の第
1のバス配線を形成する工程と、前記表示基板上の前記
所定位置の親液性をその周囲の親液性よりも相対的に強
くする工程と、前記所定位置に前記液状の光学材料を塗
布する工程と、前記第1のバス配線と交差する複数の第
2のバス配線を、前記光学材料を覆うように形成する工
程と、を備えている。
A seventh method for manufacturing a matrix type display device of the present invention has a structure in which an optical material is selectively arranged at a predetermined position on a display substrate, and the optical material is applied to at least the predetermined position. In this case, the method is a method for manufacturing a liquid-state matrix display element, which comprises a step of forming a plurality of first bus wirings on the display substrate, and a step of lyophilicity of the predetermined position on the display substrate. A step of relatively strengthening the lyophilicity of the surroundings; a step of applying the liquid optical material to the predetermined position; and a plurality of second bus wirings intersecting with the first bus wirings. And a step of forming so as to cover the material.

【0073】本発明の第8のマトリクス型表示素子の製
造方法は、表示基板上の所定位置に選択的に光学材料を
配置した構成を有し、前記光学材料は少なくとも前記所
定位置に塗布される際には液状であるマトリクス型表示
素子の製造方法であって、前記表示基板上に、複数の第
1のバス配線を形成する工程と、前記表示基板上の前記
所定位置の親液性をその周囲の親液性よりも相対的に強
くする工程と、前記所定位置に前記液状の光学材料を塗
布する工程と、剥離用基板上に、剥離層を介して複数の
第2のバス配線を形成する工程と、前記光学材料が塗布
された表示基板上に、前記剥離用基板上の前記剥離層か
ら剥離された構造を、前記第1のバス配線と前記第2の
バス配線とが交差するように転写する工程と、を備えて
いる。
The eighth method of manufacturing a matrix type display device of the present invention has a structure in which an optical material is selectively arranged at a predetermined position on a display substrate, and the optical material is applied to at least the predetermined position. In this case, the method is a method for manufacturing a liquid-state matrix display element, which comprises a step of forming a plurality of first bus wirings on the display substrate, and a step of lyophilicity of the predetermined position on the display substrate. A step of relatively strengthening the lyophilicity of the surroundings, a step of applying the liquid optical material to the predetermined position, and a plurality of second bus wirings formed on the peeling substrate via a peeling layer. And a structure peeled from the peeling layer on the peeling substrate on a display substrate coated with the optical material so that the first bus wiring and the second bus wiring intersect with each other. And a step of transferring to.

【0074】このようにすることにより、例えば、光学
材料が配置された後に、その上面に第2のバス配線用の
層を形成しこれをエッチングするような工程は行われな
い分、光学材料等の下地材料へのその後の工程によるダ
メージを軽減することが可能となる。
By doing so, for example, after the optical material is arranged, the step of forming the second bus wiring layer on the upper surface of the optical material and etching the layer is not performed. It is possible to reduce the damage to the underlayer material in the subsequent step.

【0075】本発明の第9のマトリクス型表示素子の製
造方法は、表示基板上の所定位置に選択的に光学材料を
配置した構成を有し、前記光学材料は少なくとも前記所
定位置に塗布される際には液状であるマトリクス型表示
素子の製造方法であって、前記表示基板上に、複数の走
査線及び信号線を含む配線と、前記所定位置に対応した
画素電極と、前記配線の状態に応じて前記画素電極の状
態を制御するためのスイッチング素子と、を形成する工
程と、前記表示基板上の前記所定位置の親液性をその周
囲の親液性よりも相対的に強くする工程と、前記所定位
置に前記液状の光学材料を塗布する工程と、を備えてい
る。
The ninth method of manufacturing a matrix type display device of the present invention has a structure in which an optical material is selectively arranged at a predetermined position on a display substrate, and the optical material is applied at least to the predetermined position. In this case, it is a method of manufacturing a liquid crystal matrix display element, in which a wiring including a plurality of scanning lines and signal lines, a pixel electrode corresponding to the predetermined position, and a state of the wiring are provided on the display substrate. A step of forming a switching element for controlling the state of the pixel electrode accordingly, and a step of making the lyophilicity of the predetermined position on the display substrate relatively stronger than the lyophilicity of its surroundings. And applying the liquid optical material to the predetermined position.

【0076】本発明の第10のマトリクス型表示素子の
製造方法は、表示基板上の所定位置に選択的に光学材料
を配置した構成を有し、前記光学材料は少なくとも前記
所定位置に塗布される際には液状であるマトリクス型表
示素子の製造方法であって、前記表示基板上の前記所定
位置の親液性をその周囲の親液性よりも相対的に強くす
る工程と、前記所定位置に前記液状の光学材料を塗布す
る工程と、剥離用基板上に、剥離層を介して、複数の走
査線及び信号線を含む配線と、前記所定位置に対応した
画素電極と、前記配線の状態に応じて前記画素電極の状
態を制御するためのスイッチング素子と、を形成する工
程と、前記光学材料が塗布された表示基板上に、前記剥
離用基板上の前記剥離層から剥離された構造を転写する
工程と、を備えている。
The tenth method of manufacturing a matrix type display device of the present invention has a structure in which an optical material is selectively arranged at a predetermined position on a display substrate, and the optical material is applied at least to the predetermined position. In this case, the method is a method for manufacturing a liquid crystal matrix display element, wherein a step of making the lyophilic property of the predetermined position on the display substrate relatively stronger than the lyophilic property of the surroundings thereof, The step of applying the liquid optical material, the wiring including a plurality of scanning lines and signal lines on the peeling substrate via the peeling layer, the pixel electrode corresponding to the predetermined position, and the wiring state. A step of forming a switching element for controlling the state of the pixel electrode, and transferring the structure peeled from the peeling layer on the peeling substrate onto the display substrate coated with the optical material. And the process of That.

【0077】このようにすることにより、例えば、光学
材料が配置された後に、その上面に配線用の層や画素電
極用の層を形成しこれらをエッチングするような工程は
行われない分、光学材料等の下地材料へのその後の工程
によるダメージや、走査線、信号線、画素電極またはス
イッチング素子等への、光学材料の塗布等によるダメー
ジを、軽減することが可能となる。
By doing so, for example, after the optical material is arranged, a step of forming a wiring layer or a pixel electrode layer on the upper surface of the optical material and etching them is not performed. It is possible to reduce damage to a base material such as a material due to a subsequent process and damage to a scanning line, a signal line, a pixel electrode, a switching element, or the like due to application of an optical material.

【0078】上記のマトリクス型表示素子の製造方法に
おいて、前記表示基板上の前記第1のバス配線に沿って
撥液性の強い分布を形成することにより、前記表示基板
上の前記所定位置の親液性をその周囲の親液性よりも相
対的に強くするようにしてもよい。
In the above-described method for manufacturing a matrix type display element, a distribution having strong liquid repellency is formed along the first bus wiring on the display substrate, so that the parent of the predetermined position on the display substrate is formed. The liquid property may be made relatively stronger than the lyophilic property around it.

【0079】このようにすることにより、第1のバス配
線に沿って親液性の強い分布を形成する結果、第1のバ
ス配線を形成する工程の一部又は全部が、前記所定位置
の親液性をその周囲の親液性よりも相対的に強くする工
程を兼ねるようになるから、工程の増加を抑制できる。
By doing so, as a result of forming a strongly lyophilic distribution along the first bus wiring, part or all of the step of forming the first bus wiring is performed at the parent of the predetermined position. Since it also serves as a step of making the lyophilicity relatively stronger than the surrounding lyophilicity, it is possible to suppress an increase in the number of steps.

【0080】また、上記のマトリクス型表示素子の製造
方法において、前記表示基板上の前記配線に沿って撥液
性の強い分布を形成することにより、前記表示基板上の
前記所定位置の親液性をその周囲の親液性よりも相対的
に強くすることも可能である。
Further, in the above-described method for manufacturing a matrix type display element, by forming a distribution having a strong liquid repellency along the wiring on the display substrate, the lyophilic property of the predetermined position on the display substrate is formed. Can be made relatively stronger than the lyophilicity of its surroundings.

【0081】このようにすることにより、配線を形成す
る工程の一部又は全部が、前記所定位置の親液性をその
周囲の親液性よりも相対的に強くする工程を兼ねるよう
になるから、工程の増加を抑制できる。
By doing so, part or all of the step of forming the wiring also serves as a step of making the lyophilicity at the predetermined position relatively stronger than the lyophilicity of the surroundings. It is possible to suppress an increase in the number of steps.

【0082】上記のマトリクス型表示素子の製造方法に
おいて、前記表示基板上の前記画素電極表面の親液性を
強くすることにより、前記表示基板上の前記所定位置の
親液性をその周囲の親液性よりも相対的に強くするよう
にしてもよい。
In the above-mentioned method for manufacturing a matrix type display element, the lyophilic property of the surface of the pixel electrode on the display substrate is strengthened so that the lyophilic property of the predetermined position on the display substrate is improved. You may make it relatively strong rather than liquid.

【0083】このようにすることにより、画素電極表面
の親液性を強くする結果、画素電極を形成する工程の一
部又は全部が、前記所定位置の親液性をその周囲の親液
性よりも相対的に強くする工程を兼ねるようになるか
ら、工程の増加を抑制できる。
By doing so, the lyophilicity of the surface of the pixel electrode is strengthened, and as a result, part or all of the process of forming the pixel electrode is made more lyophilic than the surrounding lyophilicity at the predetermined position. Since it also serves as a step of relatively strengthening, an increase in the number of steps can be suppressed.

【0084】上記のマトリクス型表示素子の製造方法に
おいて、層間絶縁膜を形成する工程を備え、前記表示基
板上の前記層間絶縁膜に沿って撥液性の強い分布を形成
することにより、前記表示基板上の前記所定位置の親液
性をその周囲の親液性よりも相対的に強くするようにし
てもよい。
In the above-mentioned method for manufacturing a matrix type display device, a step of forming an interlayer insulating film is provided, and by forming a distribution having a strong liquid repellency along the interlayer insulating film on the display substrate, the display The lyophilicity of the predetermined position on the substrate may be made relatively stronger than the lyophilicity of the surroundings.

【0085】このようにすることにより、層間絶縁膜に
沿って親液性の強い分布を形成する結果、層間絶縁膜を
形成する工程の一部又は全部が、前記所定位置の親液性
をその周囲の親液性よりも相対的に強くする工程を兼ね
るようになるから、工程の増加を抑制できる。
By doing so, a strong lyophilic distribution is formed along the interlayer insulating film, and as a result, a part or all of the step of forming the interlayer insulating film changes the lyophilic property at the predetermined position. Since it also serves as a step of making it relatively stronger than the surrounding lyophilicity, an increase in the number of steps can be suppressed.

【0086】上記のマトリクス型表示素子の製造方法に
おいて、前記画素電極の表面は露出するように層間絶縁
膜を形成する工程を備え、前記層間絶縁膜を形成する際
には、前記液状の光学材料を塗布するための段差を、前
記画素電極の表面が露出する部分とその周囲との境界部
分に形成し、前記層間絶縁膜の表面の撥液性を強くする
ことにより、前記表示基板上の前記所定位置の親液性を
その周囲の親液性よりも相対的に強くするようにしても
よい。
The method for manufacturing a matrix type display device described above further comprises a step of forming an interlayer insulating film so that the surface of the pixel electrode is exposed. When the interlayer insulating film is formed, the liquid optical material is used. Is formed on the boundary between the exposed portion of the surface of the pixel electrode and the periphery thereof, and the liquid repellency of the surface of the interlayer insulating film is strengthened. The lyophilicity at a given position may be made relatively stronger than the lyophilicity around it.

【0087】このようにすることにより、液状の光学材
料が塗布される前に、層間絶縁膜によって凹型の段差が
形成されるとともに、その層間絶縁膜の表面の撥液性が
強くなることにより所定位置の親液性がその周囲の親液
性よりも相対的に強くなっている。このため、所定位置
に塗布された液状の光学材料が周囲に広がることを、よ
り確実に阻止することができる。この結果、低コスト、
高スループットおよび光学材料の自由度が高いこと等の
特徴を維持しつつ、パターニングの精度をさらに向上さ
せることが可能となる。
By doing so, a concave step is formed by the interlayer insulating film before the liquid optical material is applied, and the liquid repellency of the surface of the interlayer insulating film becomes strong, so that a predetermined level is obtained. The lyophilicity of the position is relatively stronger than the lyophilicity of its surroundings. Therefore, it is possible to more reliably prevent the liquid optical material applied at the predetermined position from spreading to the surroundings. As a result, low cost,
It is possible to further improve the patterning accuracy while maintaining the characteristics such as high throughput and high degree of freedom of the optical material.

【0088】上記のマトリクス型表示素子の製造方法に
おいて、遮光層を形成する工程を備え、前記表示基板上
の前記遮光層に沿って撥液性の強い分布を形成すること
により、前記表示基板上の前記所定位置の親液性をその
周囲の親液性よりも相対的に強くするようにしてもよ
い。
In the method for manufacturing a matrix type display element, a step of forming a light shielding layer is provided, and a distribution having strong liquid repellency is formed along the light shielding layer on the display substrate, so that the display substrate is formed. The lyophilicity at the predetermined position may be made relatively stronger than the lyophilicity around it.

【0089】このようにすることにより、遮光層に沿っ
て親液性の強い分布を形成する結果、遮光層を形成する
工程の一部又は全部が、前記所定位置の親液性をその周
囲の親液性よりも相対的に強くする工程を兼ねるように
なるから、工程の増加を抑制できる。
By doing so, a strong lyophilic distribution is formed along the light-shielding layer, and as a result, part or all of the step of forming the light-shielding layer is made lyophilic at the predetermined position to the surrounding area. Since it also serves as a step of making it relatively stronger than lyophilic, an increase in the number of steps can be suppressed.

【0090】上記のマトリクス型表示素子の製造方法に
おいて、紫外線を照射する若しくはO2 ,CF3 ,Ar
等のプラズマを照射することにより、前記所定位置とそ
の周囲との親液性の差を大きくするようにしてもよい。
In the above-mentioned method for manufacturing a matrix type display element, ultraviolet rays are irradiated or O 2 , CF 3 , Ar
The difference in lyophilicity between the predetermined position and its surroundings may be increased by irradiating plasma such as.

【0091】このようにすれば、例えば、層間絶縁膜表
面等の撥液性を容易に強くすることができる。
By doing so, for example, the liquid repellency of the surface of the interlayer insulating film or the like can be easily increased.

【0092】上記のマトリクス型表示素子の製造方法に
おいて、前記表示基板上の前記所定位置の親液性をその
周囲の親液性よりも相対的に強くする工程を備えていて
もよい。
The method for manufacturing a matrix type display element may include a step of making the lyophilicity of the predetermined position on the display substrate relatively stronger than the lyophilicity of the surroundings.

【0093】また、上記のマトリクス型表示素子の製造
方法において、前記液状の光学材料を塗布するための段
差を、前記表示基板上の前記所定位置とその周囲との境
界部分に形成する工程を備えてもよい。
The method of manufacturing a matrix type display device described above further comprises the step of forming a step for applying the liquid optical material at the boundary between the predetermined position on the display substrate and its periphery. May be.

【0094】このようにすることにより、液状の光学材
料が塗布される前に、所定の段差が形成されるととも
に、所定位置の親液性がその周囲の親液性よりも相対的
に強くなる。所定位置に塗布された液状の光学材料が周
囲に広がることを、より確実に阻止することができる。
この結果、低コスト、高スループットおよび光学材料の
自由度が高いこと等の特徴を維持しつつ、パターニング
の精度をさらに向上させることが可能となる。
By doing so, a predetermined step is formed before the liquid optical material is applied, and the lyophilicity at a predetermined position becomes relatively stronger than the lyophilicity around it. . It is possible to more reliably prevent the liquid optical material applied at a predetermined position from spreading around.
As a result, it is possible to further improve the patterning accuracy while maintaining the features such as low cost, high throughput, and high flexibility of the optical material.

【0095】本発明の第11のマトリクス型表示素子の
製造方法は、表示基板上の所定位置に選択的に光学材料
を配置した構成を有し、前記光学材料は少なくとも前記
所定位置に塗布される際には液状であるマトリクス型表
示素子の製造方法であって、前記表示基板上に、前記所
定位置とその周囲とが異なる電位となるように電位分布
を形成する工程と、前記電位分布を利用して前記液状の
光学材料を前記所定位置に選択的に塗布する工程と、を
備えている。
The eleventh method of manufacturing a matrix type display device of the present invention has a structure in which an optical material is selectively arranged at a predetermined position on a display substrate, and the optical material is applied to at least the predetermined position. In this case, the method is a method for manufacturing a liquid crystal matrix display element, which comprises forming a potential distribution on the display substrate so that the predetermined position and its surroundings have different potentials, and utilizing the potential distribution. And selectively applying the liquid optical material to the predetermined position.

【0096】このようにすることにより、液状の光学材
料を塗布する前に電位分布を形成するため、所定位置に
塗布された液状の光学材料が周囲に広がることを、その
電位分布により阻止することができる。この結果、低コ
スト、高スループットおよび光学材料の自由度が高いこ
と等の特徴を維持しつつ、パターニングの精度を向上さ
せることが可能となる。
By doing so, the potential distribution is formed before the liquid optical material is applied, so that the potential distribution prevents the liquid optical material applied at a predetermined position from spreading around. You can As a result, it is possible to improve the patterning accuracy while maintaining the features such as low cost, high throughput, and high degree of freedom of the optical material.

【0097】本発明の第12のマトリクス型表示素子の
製造方法は、表示基板上の所定位置に選択的に光学材料
を配置した構成を有し、前記光学材料は少なくとも前記
所定位置に塗布される際には液状であるマトリクス型表
示素子の製造方法において、前記表示基板上に、前記所
定位置とその周囲とが異なる電位となるように電位分布
を形成する工程と、前記液状の光学材料を、前記所定位
置の周囲との間で斥力が発生する電位に帯電させてか
ら、前記所定位置に塗布する工程と、を備えている。
The twelfth matrix-type display device manufacturing method of the present invention has a structure in which an optical material is selectively disposed at a predetermined position on a display substrate, and the optical material is applied at least to the predetermined position. In this case, in the method of manufacturing a liquid crystal matrix display element, on the display substrate, a step of forming a potential distribution so that the predetermined position and its periphery have different potentials, and the liquid optical material, And a step of applying to the predetermined position after charging to a potential at which repulsive force is generated between the predetermined position and the surroundings.

【0098】このようにすることにより、塗布された液
状の光学材料と所定位置の周囲との間に斥力が生じるか
ら、所定位置に塗布された液状の光学材料が周囲に広が
ることを、阻止することができる。この結果、低コス
ト、高スループットおよび光学材料の自由度が高いこと
等の特徴を維持しつつ、パターニングの精度を向上させ
ることが可能となる。
By doing so, a repulsive force is generated between the applied liquid optical material and the periphery of the predetermined position, so that the liquid optical material applied at the predetermined position is prevented from spreading around. be able to. As a result, it is possible to improve the patterning accuracy while maintaining the features such as low cost, high throughput, and high degree of freedom of the optical material.

【0099】本発明の第13のマトリクス型表示素子の
製造方法は、表示基板上の所定位置に選択的に光学材料
を配置した構成を有し、前記光学材料は少なくとも前記
所定位置に塗布される際には液状であるマトリクス型表
示素子の製造方法であって、前記表示基板上に、複数の
第1のバス配線を形成する工程と、前記表示基板上に、
前記所定位置とその周囲とが異なる電位となるように電
位分布を形成する工程と、前記液状の光学材料を、前記
所定位置の周囲との間で斥力が発生する電位に帯電させ
てから、前記所定位置に塗布する工程と、前記第1のバ
ス配線と交差する複数の第2のバス配線を、前記光学材
料を覆うように形成する工程と、を備えている。
A thirteenth method of manufacturing a matrix type display device of the present invention has a structure in which an optical material is selectively arranged at a predetermined position on a display substrate, and the optical material is applied to at least the predetermined position. In this case, the method is a method for manufacturing a liquid crystal matrix type display element, which comprises a step of forming a plurality of first bus wirings on the display substrate, and
A step of forming a potential distribution so that the predetermined position and its surroundings have different potentials, and the liquid optical material is charged to a potential at which a repulsive force is generated between the liquid optical material and the surroundings of the predetermined position. And a step of forming a plurality of second bus wirings intersecting with the first bus wiring so as to cover the optical material.

【0100】本発明の第14のマトリクス型表示素子の
製造方法は、表示基板上の所定位置に選択的に光学材料
を配置した構成を有し、前記光学材料は少なくとも前記
所定位置に塗布される際には液状であるマトリクス型表
示素子の製造方法において、前記表示基板上に、複数の
第1のバス配線を形成する工程と、前記表示基板上に、
前記所定位置とその周囲とが異なる電位となるように電
位分布を形成する工程と、前記液状の光学材料を、前記
所定位置の周囲との間で斥力が発生する電位に帯電させ
てから、前記所定位置に塗布する工程と、剥離用基板上
に、剥離層を介して複数の第2のバス配線を形成する工
程と、前記光学材料が塗布された表示基板上に、前記剥
離用基板上の前記剥離層から剥離された構造を、前記第
1のバス配線と前記第2のバス配線とが交差するように
転写する工程と、を備えている。
The fourteenth method of manufacturing a matrix type display device of the present invention has a structure in which an optical material is selectively arranged at a predetermined position on a display substrate, and the optical material is applied at least to the predetermined position. In this case, in a method of manufacturing a liquid crystal matrix display element, a step of forming a plurality of first bus wirings on the display substrate, and a step of forming a plurality of first bus wirings on the display substrate,
A step of forming a potential distribution so that the predetermined position and its surroundings have different potentials, and the liquid optical material is charged to a potential at which a repulsive force is generated between the liquid optical material and the surroundings of the predetermined position. A step of applying at a predetermined position, a step of forming a plurality of second bus wirings on the peeling substrate through a peeling layer, a display substrate coated with the optical material, And a step of transferring the structure peeled from the peeling layer so that the first bus wiring and the second bus wiring intersect with each other.

【0101】このようにすることにより、光学材料が配
置された後に、その上面に第2のバス配線用の層を形成
しこれをエッチングするような工程は行われない分、光
学材料等の下地材料へのその後の工程によるダメージを
軽減することが可能となる。
By doing so, after the optical material is arranged, the step of forming the second bus wiring layer on the upper surface of the optical material and etching the same is not performed. It is possible to reduce damage to the material due to subsequent steps.

【0102】本発明の第15のマトリクス型表示素子の
製造方法は、表示基板上の所定位置に選択的に光学材料
を配置した構成を有し、前記光学材料は少なくとも前記
所定位置に塗布される際には液状であるマトリクス型表
示素子の製造方法であって、前記表示基板上に、複数の
走査線及び信号線を含む配線と、前記所定位置に対応し
た画素電極と、前記配線の状態に応じて前記画素電極の
状態を制御するためのスイッチング素子と、を形成する
工程と、前記表示基板上に、前記所定位置とその周囲と
が異なる電位となるように電位分布を形成する工程と、
前記液状の光学材料を、前記所定位置の周囲との間で斥
力が発生する電位に帯電させてから、前記所定位置に塗
布する工程と、を備えている。
The fifteenth method of manufacturing a matrix type display device of the present invention has a structure in which an optical material is selectively arranged at a predetermined position on a display substrate, and the optical material is applied at least to the predetermined position. In this case, it is a method of manufacturing a liquid crystal matrix type display element, in which a wiring including a plurality of scanning lines and signal lines, a pixel electrode corresponding to the predetermined position, and a state of the wiring are formed on the display substrate. A step of forming a switching element for controlling the state of the pixel electrode in response, and a step of forming a potential distribution on the display substrate so that the predetermined position and its surroundings have different potentials,
Charging the liquid optical material to a potential at which repulsive force is generated between the liquid optical material and the periphery of the predetermined position, and then applying the liquid optical material to the predetermined position.

【0103】本発明の第16のマトリクス型表示素子の
製造方法は、表示基板上の所定位置に選択的に光学材料
を配置した構成を有し、前記光学材料は少なくとも前記
所定位置に塗布される際には液状であるマトリクス型表
示素子の製造方法であって、前記表示基板上に、前記所
定位置とその周囲とが異なる電位となるように電位分布
を形成する工程と、前記液状の光学材料を、前記所定位
置の周囲との間で斥力が発生する電位に帯電させてか
ら、前記所定位置に塗布する工程と、剥離用基板上に、
剥離層を介して、複数の走査線及び信号線を含む配線
と、前記所定位置に対応した画素電極と、前記配線の状
態に応じて前記画素電極の状態を制御するためのスイッ
チング素子と、を形成する工程と、前記光学材料が塗布
された表示基板上に、前記剥離用基板上の前記剥離層か
ら剥離された構造を転写する工程と、を備えている。
A sixteenth method of manufacturing a matrix type display device of the present invention has a structure in which an optical material is selectively arranged at a predetermined position on a display substrate, and the optical material is applied to at least the predetermined position. In this case, it is a method of manufacturing a liquid crystal type matrix display element, in which a potential distribution is formed on the display substrate so that the predetermined position and its surroundings have different potentials, and the liquid optical material. Is charged to a potential at which a repulsive force is generated between the periphery of the predetermined position and then applied to the predetermined position, and on the peeling substrate,
A wiring including a plurality of scanning lines and signal lines, a pixel electrode corresponding to the predetermined position, and a switching element for controlling the state of the pixel electrode according to the state of the wiring are provided via a peeling layer. And a step of transferring the structure peeled from the peeling layer on the peeling substrate to the display substrate coated with the optical material.

【0104】このようにすることにより、光学材料が配
置された後に、その上面に配線用の層や画素電極用の層
を形成しこれらをエッチングするような工程は行われな
い分、光学材料等の下地材料へのその後の工程によるダ
メージや、走査線、信号線、画素電極またはスイッチン
グ素子等への、光学材料の塗布等によるダメージを、軽
減することが可能となる。
By doing so, after the optical material is arranged, a step of forming a wiring layer or a pixel electrode layer on the upper surface of the optical material and etching these layers is not performed. It is possible to reduce the damage to the underlying material in the subsequent step and the damage to the scanning line, the signal line, the pixel electrode, the switching element, and the like due to the application of the optical material.

【0105】上記のマトリクス型表示素子の製造方法に
おいて、前記電位分布は、少なくとも前記表示基板上の
前記所定位置の周囲が帯電するように形成するようにし
てもよい。
In the above-described method of manufacturing a matrix type display element, the potential distribution may be formed so that at least the periphery of the predetermined position on the display substrate is charged.

【0106】このようにすることにより、状の光学材料
を帯電させることにより確実に斥力を発生させることが
できるようになる。
By doing so, the repulsive force can be surely generated by charging the optical material in the shape of.

【0107】上記のマトリクス型示素子の製造方法にお
いて、前記電位分布は、前記第1のバス配線に電圧を印
加することにより形成するようにしてもよい。
In the method of manufacturing the matrix type display element, the potential distribution may be formed by applying a voltage to the first bus wiring.

【0108】また、上記のマトリクス型表示素子の製造
方法において、前記電位分布は、前記配線に電圧を印加
することにより形成するようにしてもよい。
Further, in the above-mentioned method for manufacturing a matrix type display element, the potential distribution may be formed by applying a voltage to the wiring.

【0109】そして、上記のマトリクス型表示素子の製
造方法において、前記電位分布は、前記画素電極に電圧
を印加することにより形成するようにしてもよい。
In the method of manufacturing the matrix type display element, the potential distribution may be formed by applying a voltage to the pixel electrode.

【0110】上記のマトリクス型表示素子の製造方法に
おいて、前記電位分布は、前記走査線に順次電圧を印加
し、同時に前記信号線に電位を印加し、前記画素電極に
前記スイッチング素子を介して電圧を印加することによ
り形成するようにしてもよい。
In the above method of manufacturing a matrix type display element, the potential distribution is such that a voltage is sequentially applied to the scanning lines, a potential is simultaneously applied to the signal lines, and a voltage is applied to the pixel electrodes via the switching elements. It may be formed by applying.

【0111】上記のマトリクス型表示素子の製造方法に
おいて、遮光層を形成する工程を備え、前記電位分布
は、前記遮光層に電圧を印加することにより形成される
ようにしてもよい。
The method for manufacturing a matrix type display device may include a step of forming a light shielding layer, and the potential distribution may be formed by applying a voltage to the light shielding layer.

【0112】このようにすれば、マトリクス型表示素子
が備える構成を利用して電位分布を形成するため、工程
の増加が抑制できる。
In this way, since the potential distribution is formed by utilizing the structure of the matrix type display element, it is possible to suppress an increase in the steps.

【0113】上記のマトリクス型表示素子の製造方法に
おいて、前記電位分布は、前記所定位置とその周囲とが
逆極性となるように形成するようにしてもよい。
In the above-described method of manufacturing a matrix type display element, the potential distribution may be formed so that the predetermined position and its surroundings have opposite polarities.

【0114】このようにすることにより、液状の光学材
料と所定位置との間には引力が発生し、液状の光学材料
と所定位置の周囲との間には斥力が発生するため、光学
材料が所定位置により溜まり易くなり、パターニングの
精度がさらに向上する。
By doing so, an attractive force is generated between the liquid optical material and the predetermined position, and a repulsive force is generated between the liquid optical material and the periphery of the predetermined position. Accumulation is likely to occur at a predetermined position, and patterning accuracy is further improved.

【0115】なお、上記のマトリクス型表示素子の製造
方法における前記光学材料としては、例えば無機又は有
機の発光材料を適用することができる。発光材料として
は、EL(Electroluminescense )が好適である。液状
の光学材料とするためには、適当な溶媒に溶かして溶液
とすればよい。
As the optical material in the above-mentioned method for manufacturing a matrix type display element, for example, an inorganic or organic light emitting material can be applied. EL (Electroluminescense) is suitable as the light emitting material. In order to obtain a liquid optical material, it may be dissolved in an appropriate solvent to form a solution.

【0116】また、マトリクス型表示素子の製造方法に
おける前記光学材料としては、例えば液晶材料も採用可
能である。
A liquid crystal material, for example, can be used as the optical material in the method of manufacturing the matrix type display element.

【0117】上記のマトリクス型表示素子の製造方法に
おいて、前記スイッチング素子は、非晶質シリコン、6
00℃以上の高温プロセスで形成された多結晶シリコン
又は600℃以下の低温プロセスで形成された多結晶シ
リコンにより形成するようにしてもよい。
In the above-mentioned method for manufacturing a matrix type display element, the switching element is amorphous silicon, 6
It may be made of polycrystalline silicon formed by a high temperature process of 00 ° C. or higher or polycrystalline silicon formed by a low temperature process of 600 ° C. or lower.

【0118】このようにすることにより、光学材料のパ
ターニングの精度を向上させることが可能となる。特に
低温プロセスで形成された多結晶シリコンを用いた場合
には、ガラス基板の使用による低コスト化と、高移動度
による高性能化が両立できる。
By doing so, it becomes possible to improve the accuracy of patterning the optical material. In particular, when polycrystalline silicon formed by a low temperature process is used, cost reduction due to the use of a glass substrate and high performance due to high mobility can both be achieved.

【0119】[0119]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態を、図面に基づいて説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0120】(1)第1の実施の形態 第1図乃至第5図は、本発明の第1の実施の形態を示す
図であって、この実施の形態は、本発明に係るマトリク
ス型表示素子及びその製造方法を、EL表示素子を用い
たアクティブマトリクス型の表示装置に適用したもので
ある。より具体的には、配線としての走査線、信号線及
び共通給電線を利用して、光学材料としての発光材料の
塗布を行う例を示している。
(1) First Embodiment FIGS. 1 to 5 are views showing a first embodiment of the present invention, which is a matrix type display according to the present invention. The element and the manufacturing method thereof are applied to an active matrix type display device using an EL display element. More specifically, an example in which a light emitting material as an optical material is applied using a scanning line, a signal line, and a common power supply line as wiring is shown.

【0121】第1図は、本実施の形態における表示装置
1の一部を示す回路図であって、この表示装置1は、透
明の表示基板上に、複数の走査線131と、これら走査
線131に対して交差する方向に延びる複数の信号線1
32と、これら信号線132に並列に延びる複数の共通
給電線133と、がそれぞれ配線された構成を有すると
ともに、走査線131及び信号線132の各交点毎に、
画素領域素1Aが設けられている。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a part of the display device 1 according to the present embodiment. The display device 1 includes a plurality of scanning lines 131 and these scanning lines on a transparent display substrate. A plurality of signal lines 1 extending in a direction intersecting with 131
32 and a plurality of common power supply lines 133 extending in parallel to these signal lines 132 are respectively wired, and at each intersection of the scanning line 131 and the signal line 132,
A pixel area element 1A is provided.

【0122】信号線132に対しては、シフトレジス
タ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを
備えるデータ側駆動回路3が設けられている。また、走
査線131に対しては、シフトレジスタおよびレベルシ
フタを備える走査側駆動回路4が設けられている。さら
に、また、画素領域1Aの各々には、走査線131を介
して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング薄
膜トランジスタ142と、このスイッチング薄膜トラン
ジスタ142を介して信号線線132から供給される画
像信号を保持する保持容量capと、該保持容量cap
によって保持された画像信号がゲート電極に供給される
カレント薄膜トランジスタ143と、このカレント薄膜
トランジスタ143を介して共通給電線133に電気的
に接続したときに共通給電線133から駆動電流が流れ
込む画素電極141と、この画素電極141と反射電極
154との間に挟み込まれる発光素子140と、が設け
られている。
For the signal line 132, a data side drive circuit 3 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch is provided. Further, for the scanning line 131, the scanning side drive circuit 4 including a shift register and a level shifter is provided. Furthermore, in each of the pixel regions 1A, a switching thin film transistor 142 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 131, and an image signal supplied from the signal line line 132 via the switching thin film transistor 142 are provided. The holding capacity cap to be held and the holding capacity cap
A current thin film transistor 143 to which an image signal held by the gate electrode is supplied to a gate electrode; The light emitting element 140 sandwiched between the pixel electrode 141 and the reflective electrode 154 is provided.

【0123】かかる構成であれば、走査線131が駆動
されてスイッチング薄膜トランジスタ142がオンとな
ると、その時の信号線132の電位が保持容量capに
保持され、該保持容量capの状態に応じて、カレント
薄膜トランジスタ143のオン・オフ状態が決まる。そ
して、カレント薄膜トランジスタ143のチャネルを介
して、共通給電線133から画素電極141に電流が流
れ、さらに発光素子140を通じて反射電極154に電
流が流れるから、発光素子140は、これを流れる電流
量に応じて発光する。
With such a configuration, when the scanning line 131 is driven and the switching thin film transistor 142 is turned on, the potential of the signal line 132 at that time is held in the holding capacitor cap, and the current is changed depending on the state of the holding capacitor cap. The on / off state of the thin film transistor 143 is determined. Then, a current flows from the common power supply line 133 to the pixel electrode 141 via the channel of the current thin film transistor 143, and further a current flows to the reflective electrode 154 via the light emitting element 140. To emit light.

【0124】ここで、各画素領域1Aの平面構造は、反
射電極や発光素子を取り除いた状態での拡大平面図であ
る第2図に示すように、平面形状が長方形の画素電極1
41の四辺が、信号線132、共通給電線133、走査
線131及び図示しない他の画素電極用の走査線によっ
て囲まれた配置となっている。
Here, the planar structure of each pixel region 1A is, as shown in FIG. 2 which is an enlarged plan view with the reflective electrode and the light emitting element removed, the pixel electrode 1 having a rectangular planar shape.
The four sides of 41 are arranged to be surrounded by the signal line 132, the common power supply line 133, the scanning line 131, and the scanning lines for other pixel electrodes (not shown).

【0125】第3図〜第5図は、画素領域1Aの製造過
程を順次示す断面図であって、第2図のA−A線断面に
相当する。以下、第3図〜第5図に従って、画素領域1
Aの製造工程を説明する。
3 to 5 are sectional views sequentially showing the manufacturing process of the pixel region 1A, and correspond to the section taken along the line AA of FIG. Hereinafter, the pixel region 1 will be described with reference to FIGS.
The manufacturing process of A will be described.

【0126】先ず、第3図(a)に示すように、透明の
表示基板121に対して、必要に応じて、TEOS(テ
トラエトキシシラン)や酸素ガスなどを原料ガスとして
プラズマCVD法により厚さが約2000〜5000オ
ングストロームのシリコン酸化膜からなる下地保護膜
(図示せず。)を形成する。次いで、表示基板121の
温度を約350℃に設定して、下地保護膜の表面にプラ
ズマCVD法により厚さが約300〜700オングスト
ロームのアモルファスのシリコン膜からなる半導体膜2
00を形成する。次にアモルファスのシリコン膜からな
る半導体膜200に対して、レーザアニールまたは固相
成長法などの結晶化工程を行い、半導体膜200をポリ
シリコン膜に結晶化する。レーザアニール法では、例え
ば、エキシマレーザでビームの長寸が400mmのライ
ンビームを用い、その出力強度はたとえば200mJ/
cm2 である。ラインビームについてはその短寸方向に
おけるレーザ強度のピーク値の90%に相当する部分が
各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。
First, as shown in FIG. 3 (a), a transparent display substrate 121 is formed by a plasma CVD method using TEOS (tetraethoxysilane) or oxygen gas as a source gas, if necessary. Forming a base protective film (not shown) made of a silicon oxide film having a thickness of about 2000 to 5000 angstroms. Next, the temperature of the display substrate 121 is set to about 350 ° C., and the semiconductor film 2 made of an amorphous silicon film having a thickness of about 300 to 700 Å is formed on the surface of the base protective film by the plasma CVD method.
00 is formed. Next, the semiconductor film 200 made of an amorphous silicon film is subjected to a crystallization process such as laser annealing or solid phase growth method to crystallize the semiconductor film 200 into a polysilicon film. In the laser annealing method, for example, a line beam having an excimer laser beam length of 400 mm is used, and the output intensity thereof is, for example, 200 mJ /
cm 2 . As for the line beam, the line beam is scanned so that a portion corresponding to 90% of the peak value of the laser intensity in the short direction overlaps each region.

【0127】次いで、第3図(b)に示すように、半導
体膜200をパターニングして島状の半導体膜210と
し、その表面に対して、TEOS(テトラエトキシシラ
ン)や酸素ガスなどを原料ガスとしてプラズマCVD法
により厚さが約600〜1500オングストロームのシ
リコン酸化膜または窒化膜からなるゲート絶縁膜220
を形成する。なお、半導体膜210は、カレント薄膜ト
ランジスタ143のチャネル領域及びソース・ドレイン
領域となるものであるが、異なる断面位置においてはス
イッチング薄膜トランジスタ142のチャネル領域及び
ソース・ドレイン領域となる半導体膜も形成されてい
る。つまり、第3図〜第5図に示す製造工程では二種類
のトランジスタ142、143が同時に作られるのであ
るが、同じ手順で作られるため、以下の説明では、トラ
ンジスタに関しては、カレント薄膜トランジスタ143
についてのみ説明し、スイッチング薄膜トランジスタ1
42については説明を省略する。
Next, as shown in FIG. 3B, the semiconductor film 200 is patterned into an island-shaped semiconductor film 210, and TEOS (tetraethoxysilane), oxygen gas, or the like is used as a source gas for the surface thereof. As a gate insulating film 220 made of a silicon oxide film or a nitride film having a thickness of about 600 to 1500 angstroms by plasma CVD.
To form. The semiconductor film 210 serves as a channel region and a source / drain region of the current thin film transistor 143, but semiconductor films serving as a channel region and a source / drain region of the switching thin film transistor 142 are also formed at different cross-sectional positions. . That is, in the manufacturing process shown in FIGS. 3 to 5, two types of transistors 142 and 143 are manufactured at the same time, but since they are manufactured by the same procedure, in the following description, regarding the transistors, the current thin film transistor 143 will be described.
Only the switching thin film transistor 1 will be described.
The description of 42 is omitted.

【0128】次いで、第3図(c)に示すように、アル
ミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステ
ンなどの金属膜からなる導電膜をスパッタ法により形成
した後、パターニングし、ゲート電極143Aを形成す
る。
Next, as shown in FIG. 3C, a conductive film made of a metal film such as aluminum, tantalum, molybdenum, titanium, or tungsten is formed by a sputtering method and then patterned to form a gate electrode 143A. .

【0129】この状態で、高濃度のリンイオンを打ち込
んで、シリコン薄膜210に、ゲート電極143Aに対
して自己整合的にソース・ドレイン領域143a、14
3bを形成する。なお、不純物が導入されなかった部分
がチャネル領域143cとなる。
In this state, high-concentration phosphorus ions are implanted, and the silicon thin film 210 is self-aligned with the gate electrode 143A in the source / drain regions 143a, 143a.
3b is formed. The portion into which the impurities are not introduced becomes the channel region 143c.

【0130】次いで、第3図(d)に示すように、層間
絶縁膜230を形成した後、コンタクトホール232、
234を形成し、それらコンタクトホール232、23
4内に中継電極236、238を埋め込む。
Next, as shown in FIG. 3D, after forming an interlayer insulating film 230, contact holes 232,
234 are formed and the contact holes 232, 23 are formed.
Relay electrodes 236 and 238 are embedded in the wiring 4.

【0131】次いで、第3図(e)に示すように、層間
絶縁膜230上に、信号線132、共通給電線133及
び走査線(第3図には図示せず。)を形成する。このと
き、信号線132、共通給電線133及び走査線の各配
線は、配線として必要な厚さに捕らわれることなく、十
分に厚く形成する。
Next, as shown in FIG. 3E, a signal line 132, a common power supply line 133 and a scanning line (not shown in FIG. 3) are formed on the interlayer insulating film 230. At this time, the wirings of the signal line 132, the common power supply line 133, and the scanning line are formed sufficiently thick without being caught by the thickness required as wiring.

【0132】具体的には、各配線を1〜2μm程度の厚
さに形成する。ここで中継電極238と各配線とは、同
一工程で形成されていてもよい。この時、中継電極23
6は、後述するITO膜により形成されることになる。
Specifically, each wiring is formed to have a thickness of about 1 to 2 μm. Here, the relay electrode 238 and each wiring may be formed in the same process. At this time, the relay electrode 23
6 will be formed by the ITO film mentioned later.

【0133】そして、各配線の上面をも覆うように層間
絶縁膜240を形成し、中継電極236に対応する位置
にコンタクトホール242を形成し、そのコンタクトホ
ール242内にも埋め込まれるようにITO膜を形成
し、そのITO膜をパターニングして、信号線132、
共通給電線133及び走査線に囲まれた所定位置に、ソ
ース・ドレイン領域143aに電気的に接続する画素電
極141を形成する。
Then, an interlayer insulating film 240 is formed so as to also cover the upper surface of each wiring, a contact hole 242 is formed at a position corresponding to the relay electrode 236, and the ITO film is also embedded in the contact hole 242. And patterning the ITO film to form the signal line 132,
A pixel electrode 141 electrically connected to the source / drain region 143a is formed at a predetermined position surrounded by the common power supply line 133 and the scanning line.

【0134】ここで、第3図(e)では、信号線132
及び共通給電線133に挟まれた部分が、光学材料が選
択的に配置される所定位置に相当するものである。そし
て、その所定位置とその周囲との間には、信号線132
や共通給電線133によって段差111が形成されてい
る。具体的には、所定位置の方がその周囲よりも低くな
っている凹型の段差111が形成されている。
Here, in FIG. 3 (e), the signal line 132
The portion sandwiched between the common feed line 133 and the common feed line 133 corresponds to a predetermined position where the optical material is selectively arranged. The signal line 132 is provided between the predetermined position and its surroundings.
The step 111 is formed by the common feed line 133. Specifically, a concave step 111 is formed in which the predetermined position is lower than the surroundings.

【0135】次いで、第4図(a)に示すように、表示
基板121の上面を上に向けた状態で、インクジェット
ヘッド方式により、発光素子140の下層部分に当たる
正孔注入層を形成するための液状(溶媒に溶かされた溶
液状)の光学材料(前駆体)114Aを吐出し、これを
段差111で囲まれた領域内(所定位置)に選択的に塗
布する。なお、インクジェット方式の具体的な内容は、
本発明の要旨ではないため、省略する(かかる方式につ
いては、例えば、特開昭56−13184号公報や特開
平2−167751号公報を参照)。
Next, as shown in FIG. 4A, a hole injection layer corresponding to a lower layer portion of the light emitting element 140 is formed by an inkjet head method with the upper surface of the display substrate 121 facing upward. A liquid-state (solution-type solution in a solvent) optical material (precursor) 114A is discharged, and this is selectively applied within a region (predetermined position) surrounded by the step 111. The specific details of the inkjet method are
Since it is not the gist of the present invention, it is omitted (for such a system, see, for example, JP-A-56-13184 and JP-A-2-167751).

【0136】正孔注入層を形成するための材料として
は、ポリマー前駆体がポリテトラヒドロチオフェニルフ
ェニレンであるポリフェニレンビニレン、1,1−ビス
−(4−N,N−ジトリルアミノフェニル)シクロヘキ
サン、トリス(8−ヒドロキシキノリノール)アルミニ
ウム等が挙げられる。
As the material for forming the hole injection layer, polyphenylene vinylene whose polymer precursor is polytetrahydrothiophenylphenylene, 1,1-bis- (4-N, N-ditolylaminophenyl) cyclohexane, Examples include tris (8-hydroxyquinolinol) aluminum and the like.

【0137】このとき、液状の前駆体114Aは、流動
性が高いため、水平方向に広がろうとするが、塗布され
た位置を取り囲むように段差111が形成されているた
め、その液状の前駆体114Aの1回当たりの塗布量を
極端に大量にしなければ、液状の前駆体114Aが段差
111を越えて所定位置の外側に広がることは防止され
る。
At this time, the liquid precursor 114A tends to spread in the horizontal direction because of its high fluidity, but since the step 111 is formed so as to surround the applied position, the liquid precursor 114A is formed. Unless the coating amount of 114A applied once is extremely large, the liquid precursor 114A is prevented from spreading over the step 111 to the outside of the predetermined position.

【0138】次いで、第4図(b)に示すように、加熱
或いは光照射により液状の前駆体114Aの溶媒を蒸発
させて、画素電極141上に、固形の薄い正孔注入層1
40aを形成する。ここでは、液状の前駆体114Aの
濃度にもよるが、薄い正孔注入層140aしか形成され
ない。そこで、より厚い正孔注入層140aを必要とす
る場合には、第4図(a)及び(b)の工程を必要回数
繰り返し実行し、第4図(c)に示すように、十分な厚
さの正孔注入層140Aを形成する。
Next, as shown in FIG. 4 (b), the solvent of the liquid precursor 114A is evaporated by heating or light irradiation, and a solid thin hole injection layer 1 is formed on the pixel electrode 141.
40a is formed. Here, although depending on the concentration of the liquid precursor 114A, only the thin hole injection layer 140a is formed. Therefore, when a thicker hole injection layer 140a is required, the steps of FIGS. 4A and 4B are repeatedly performed a necessary number of times to obtain a sufficient thickness as shown in FIG. 4C. The hole injection layer 140A is formed.

【0139】次いで、第5図(a)に示すように、表示
基板121の上面を上に向けた状態で、インクジェット
ヘッド方式により、発光素子140の上層部分に当たる
有機半導体膜を形成するための液状(溶媒に溶かされた
溶液状)の光学材料(有機蛍光材料)114Bを吐出
し、これを段差111で囲まれた領域内(所定位置)に
選択的に塗布する。
Then, as shown in FIG. 5A, a liquid for forming an organic semiconductor film corresponding to the upper layer portion of the light emitting element 140 is formed by an inkjet head method with the upper surface of the display substrate 121 facing upward. The optical material (organic fluorescent material) 114B (in the form of a solution dissolved in a solvent) is ejected, and this is selectively applied in the region (predetermined position) surrounded by the step 111.

【0140】有機蛍光材料としては、シアノポリフェニ
レンビニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリアルキル
フェニレン、2,3,6,7−テトラヒドロ−11−オ
キソ−1H,5H,11H(1)ベンゾピラノ[6,
7,8−ij]−キノリジン−10ーカルボン酸、1,
1−ビス−(4−N,N−ジトリルアミノフェニル)シ
クロヘキサン、2−13’,4’−ジヒドロキシフェニ
ル)−3,5,7−トリヒドロキシ−1−ベンゾピリリ
ウムパークロレート、トリス(8−ヒドロキシキノリノ
ール)アルミニウム、2,3,6,7−テトラヒドロ−
9−メチル−11−オキソ−1H,5H,11H(1)
ベンゾピラノ[6,7,8−ij]−キノリジン、アロ
マティックジアミン誘導体(TDP)、オキシジアゾー
ルダイマー(OXD)、オキシジアゾール誘導体(PB
D)、ジスチルアリーレン誘導体(DSA)、キノリノ
ール系金属錯体、ベリリウム−ベンゾキノリノール錯体
(Bebq)、トリフェニルアミン誘導体(MTDAT
A)、ジスチリル誘導体、ピラゾリンダイマー、ルブレ
ン、キナクリドン、トリアゾール誘導体、ポリフェニレ
ン、ポリアルキルフルオレン、ポリアルキルチオフェ
ン、アゾメチン亜鉛錯体、ポリフィリン亜鉛錯体、ベン
ゾオキサゾール亜鉛錯体、フェナントロリンユウロピウ
ム錯体等が挙げられる。
Examples of the organic fluorescent material include cyanopolyphenylenevinylene, polyphenylenevinylene, polyalkylphenylene, 2,3,6,7-tetrahydro-11-oxo-1H, 5H, 11H (1) benzopyrano [6.
7,8-ij] -quinolizine-10-carboxylic acid, 1,
1-bis- (4-N, N-ditolylaminophenyl) cyclohexane, 2-13 ', 4'-dihydroxyphenyl) -3,5,7-trihydroxy-1-benzopyrylium perchlorate, tris (8 -Hydroxyquinolinol) aluminum, 2,3,6,7-tetrahydro-
9-methyl-11-oxo-1H, 5H, 11H (1)
Benzopyrano [6,7,8-ij] -quinolidine, aromatic diamine derivative (TDP), oxydiazole dimer (OXD), oxydiazole derivative (PB
D), distilarylene derivative (DSA), quinolinol metal complex, beryllium-benzoquinolinol complex (Bebq), triphenylamine derivative (MTDAT)
A), distyryl derivatives, pyrazoline dimers, rubrene, quinacridones, triazole derivatives, polyphenylene, polyalkylfluorenes, polyalkylthiophenes, azomethine zinc complexes, porphyrin zinc complexes, benzoxazole zinc complexes, phenanthroline europium complexes and the like.

【0141】このとき、液状の有機蛍光材料114B
は、流動性が高いため、やはり水平方向に広がろうとす
るが、塗布された位置を取り囲むように段差111が形
成されているため、その液状の有機蛍光材料114Bの
1回当たりの塗布量を極端に大量にしなければ、液状の
有機蛍光材料114Bが段差111を越えて所定位置の
外側に広がることは防止される。
At this time, the liquid organic fluorescent material 114B
Since it has high fluidity, it also tries to spread in the horizontal direction, but since the step 111 is formed so as to surround the applied position, the application amount of the liquid organic fluorescent material 114B per application is Unless the amount is extremely large, the liquid organic fluorescent material 114B is prevented from crossing the step 111 and spreading outside the predetermined position.

【0142】次いで、第5図(b)に示すように、加熱
或いは光照射により液状の有機蛍光材料114Bの溶媒
を蒸発させて、正孔注入層140A上に、固形の薄い有
機半導体膜140bを形成する。ここでは、液状の有機
蛍光材料114Bの濃度にもよるが、薄い有機半導体膜
140bしか形成されない。そこで、より厚い有機半導
体膜140bを必要とする場合には、第5図(a)及び
(b)の工程を必要回数繰り返し実行し、第5図(c)
に示すように、十分な厚さの有機半導体膜140Bを形
成する。正孔注入層140A及び有機半導体膜140B
によって、発光素子140が構成される。最後に、第5
図(d)に示すように、表示基板121の表面全体に若
しくはストライプ状に反射電極154を形成する。
Next, as shown in FIG. 5 (b), the solvent of the liquid organic fluorescent material 114B is evaporated by heating or light irradiation to form a solid thin organic semiconductor film 140b on the hole injection layer 140A. Form. Here, depending on the concentration of the liquid organic fluorescent material 114B, only the thin organic semiconductor film 140b is formed. Therefore, when a thicker organic semiconductor film 140b is required, the steps of FIGS. 5 (a) and 5 (b) are repeatedly performed as many times as necessary, and FIG.
As shown in, an organic semiconductor film 140B having a sufficient thickness is formed. Hole injection layer 140A and organic semiconductor film 140B
The light emitting element 140 is configured by. Finally, the fifth
As shown in FIG. 3D, the reflective electrode 154 is formed on the entire surface of the display substrate 121 or in a stripe shape.

【0143】このように、本実施の形態にあっては、発
光素子140が配置される処置位置を四方から取り囲む
ように信号線132、共通配線133等の配線を形成す
るとともに、それら配線を通常よりも厚く形成して段差
111を形成し、そして、液状の前駆体114Aや液状
の有機蛍光材料114Bを選択的に塗布するようにして
いるため、発光素子140のパターニング精度が高いと
いう利点がある。
As described above, in the present embodiment, the signal line 132, the common line 133, and the like are formed so as to surround the treatment position where the light emitting element 140 is arranged from four sides, and these lines are normally formed. Since the step 111 is formed to be thicker than that, and the liquid precursor 114A and the liquid organic fluorescent material 114B are selectively applied, there is an advantage that the patterning accuracy of the light emitting element 140 is high. .

【0144】そして、段差111を形成すると、反射電
極154は比較的凹凸の大きな面に形成されることにな
るが、その反射電極154の厚さをある程度厚くしてお
けば、断線等の不具合が発生する可能性は極めて小さく
なる。
When the step 111 is formed, the reflective electrode 154 is formed on a surface having relatively large unevenness. However, if the reflective electrode 154 is made thick to some extent, problems such as disconnection will occur. The probability of occurrence is extremely small.

【0145】しかも、信号線132や共通配線133等
の配線を利用して段差111を形成するため、特に新た
な工程が増加する訳ではないから、製造工程の大幅な複
雑化等を招くこともない。
Moreover, since the step 111 is formed by using the wirings such as the signal line 132 and the common wiring 133, the number of new steps does not increase, and the manufacturing steps may be considerably complicated. Absent.

【0146】なお、液状の前駆体114Aや液状の有機
蛍光材料114Bが、段差111の内側から外側に流れ
出すことをより確実に防止するためには、液状の前駆体
114Aや液状の有機蛍光材料114Bの塗布厚さda
と、段差111の高さdr との間に、 da <dr ……(1) という関係が成立するようにしておくことが望ましい。
In order to more reliably prevent the liquid precursor 114A and the liquid organic fluorescent material 114B from flowing out from the inside of the step 111, the liquid precursor 114A and the liquid organic fluorescent material 114B. Coating thickness da
And the height dr of the step 111, it is desirable that the relationship da <dr (1) is established.

【0147】ただし、液状の有機蛍光材料114Bを塗
布する際には、既に正孔注入層140Aが形成されてい
るため、段差111の高さdr は、当初の高さからその
正孔注入層140Aの分を差し引いて考えることが必要
である。
However, when the liquid organic fluorescent material 114B is applied, since the hole injection layer 140A is already formed, the height dr of the step 111 is from the initial height to the hole injection layer 140A. It is necessary to deduct the amount of.

【0148】また、上記(1)式を満足するとともに、
さらに、有機半導体膜140Bに印加される駆動電圧V
d と、液状の有機蛍光材料114Bの各塗布厚さの和d
b と、液状の有機蛍光材料114Bの濃度rと、有機半
導体膜140Bに光学特性変化が現れる最少の電界強度
(しきい電界強度)Et との間に、 Vd /(db ・r)>Et ……(2) という関係が成立するようにすれば、塗布厚さと駆動電
圧との関係が明確化され、有機半導体膜140Bの電気
光学効果が発現することが補償される。
Further, while satisfying the above equation (1),
Further, the driving voltage V applied to the organic semiconductor film 140B
d, the sum of the coating thicknesses of the liquid organic fluorescent material 114B d
Between b and the concentration r of the liquid organic fluorescent material 114B and the minimum electric field intensity (threshold electric field intensity) Et at which the organic semiconductor film 140B shows a change in optical characteristics, Vd / (db.r)> Et ... When the relationship (2) is established, the relationship between the coating thickness and the driving voltage is clarified, and the electro-optical effect of the organic semiconductor film 140B is compensated.

【0149】一方、段差111と発光素子140との平
坦性が確保でき、有機半導体膜140Bの光学特性変化
の一様性と、短絡の防止を可能とするためには、発光素
子140の完成時の厚さdf と、段差111の高さdr
との間に、 df =dr ……(3) という関係を成立させればよい。
On the other hand, in order to secure the flatness between the step 111 and the light emitting element 140, to make the change of the optical characteristics of the organic semiconductor film 140B uniform and to prevent the short circuit, at the time of completion of the light emitting element 140. Thickness df and height of step 111 dr
The relation df = dr (3) should be established between and.

【0150】さらに、上記(3)式を満足するととも
に、下記の(4)式を満足すれば、発光素子140の完
成時の厚さと駆動電圧との関係が明確化され、有機蛍光
材料の電気光学効果が発現することが補償される。
Furthermore, if the above expression (3) is satisfied and the following expression (4) is also satisfied, the relationship between the thickness of the light emitting device 140 at the time of completion and the driving voltage is clarified, and the electrical conductivity of the organic fluorescent material is improved. It is compensated for the optical effect to appear.

【0151】Vd /df >Et ……(4) ただし、この場合のdf は、発光素子140全体ではな
く、有機半導体膜140Bの完成時の厚さである。
Vd / df> Et (4) However, df in this case is not the entire light emitting element 140, but the thickness of the organic semiconductor film 140B at the time of completion.

【0152】なお、発光素子140の上層部を形成する
光学材料は、有機蛍光材料114Bに限定されるもので
はなく、無機の蛍光材料であってもよい。
The optical material forming the upper layer portion of the light emitting device 140 is not limited to the organic fluorescent material 114B, but may be an inorganic fluorescent material.

【0153】また、スイッチング素子としての各トラン
ジスタ142、143は、600℃以下の低温プロセス
で形成された多結晶シリコンにより形成することが望ま
しく、これにより、ガラス基板の使用による低コスト化
と、高移動度による高性能化が両立できる。なお、スイ
ッチング素子は、非晶質シリコンまたは600℃以上の
高温プロセスで形成された多結晶シリコンにより形成さ
れてもよい。
Further, it is desirable that each of the transistors 142 and 143 as a switching element is formed of polycrystalline silicon formed by a low temperature process of 600 ° C. or lower, which results in cost reduction and high cost due to use of a glass substrate. Higher performance due to mobility can be achieved at the same time. The switching element may be formed of amorphous silicon or polycrystalline silicon formed by a high temperature process of 600 ° C. or higher.

【0154】そして、スイッチング薄膜トランジスタ1
42およびカレント薄膜トランジスタ143の他にトラ
ンジスタを設ける形式であってもよいし、或いは、一つ
のトランジスタで駆動する形式であってもよい。
Then, the switching thin film transistor 1
42 and the current thin film transistor 143 may be provided with a transistor, or may be driven by one transistor.

【0155】また、段差111は、パッシブマトリクス
型表示素子の第1のバス配線、アクティブマトリクス型
表示素子の走査線131および、遮光層によって形成し
てもよい。
Further, the step 111 may be formed by the first bus wiring of the passive matrix type display element, the scanning line 131 of the active matrix type display element, and the light shielding layer.

【0156】なお、発光素子140としては、発光効率
(正孔注入率)がやや低下するものの、正孔注入層14
0Aを省略してもよい。また、正孔注入層140Aに代
えて電子注入層を有機半導体膜140Bと反射電極15
4との間に形成してもよいし、或いは、正孔注入層及び
電子注入層の双方を形成してもよい。
Although the luminous efficiency (hole injection rate) of the light emitting element 140 is slightly lowered, the hole injection layer 14
0A may be omitted. Further, instead of the hole injection layer 140A, an electron injection layer is used as the organic semiconductor film 140B and the reflective electrode 15.
4 may be formed between them, or both the hole injection layer and the electron injection layer may be formed.

【0157】また、上記実施の形態では、特にカラー表
示を念頭において、各発光素子140全体を選択的に配
置した場合について説明したが、例えば単色表示の表示
装置1の場合には、第6図に示すように、有機半導体膜
140Bは、表示基板121全面に一様に形成してもよ
い。ただし、この場合でも、クロストークを防止するた
めに正孔注入層140Aは各所定位置毎に選択的に配置
しなければならないため、段差111を利用した塗布が
極めて有効である。
Further, in the above-described embodiment, the case where the entire light emitting elements 140 are selectively arranged has been described, particularly in consideration of color display. For example, in the case of the display device 1 for single color display, FIG. As shown in, the organic semiconductor film 140B may be uniformly formed on the entire surface of the display substrate 121. However, even in this case, since the hole injection layer 140A must be selectively arranged at each predetermined position in order to prevent crosstalk, coating using the step 111 is extremely effective.

【0158】(2)第2の実施の形態 第7図は本発明の第2の実施の形態を示す図であって、
この実施の形態は、本発明に係るマトリクス型表示素子
及びその製造方法を、EL表示素子を用いたパッシブマ
トリクス型の表示装置に適用したものである。
(2) Second Embodiment FIG. 7 is a view showing a second embodiment of the present invention.
In this embodiment, the matrix type display device and the manufacturing method thereof according to the present invention are applied to a passive matrix type display device using an EL display device.

【0159】なお、第7図(a)は、複数の第1のバス
配線300と、これに直交する方向に配設された複数の
第2のバス配線310と、の配置関係を示す平面図であ
り、第7図(b)は、同(a)のB−B線断面図であ
る。なお、上記第1の実施の形態と同様の構成には、同
じ符号を付し、その重複する説明は省略する。また、細
かな製造工程等も上記第1の実施の形態と同様であるた
め、その図示及び説明は省略する。
FIG. 7A is a plan view showing the positional relationship between the plurality of first bus wirings 300 and the plurality of second bus wirings 310 arranged in a direction orthogonal to the first bus wirings 300. FIG. 7 (b) is a sectional view taken along line BB of FIG. 7 (a). The same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the duplicate description thereof will be omitted. Further, since the fine manufacturing process and the like are the same as those in the first embodiment, their illustration and description will be omitted.

【0160】即ち、本実施の形態にあっては、発光素子
140が配置される所定位置を取り囲むように、例えば
SiO2 等の絶縁膜320が配設されていて、これによ
り、所定位置とその周囲との間に、段差111が形成さ
れている。
That is, in the present embodiment, the insulating film 320 made of, for example, SiO 2 is provided so as to surround the predetermined position where the light emitting element 140 is arranged. A step 111 is formed between itself and the surroundings.

【0161】このような構成であっても、上記第1の実
施の形態と同様に、液状の前駆体114Aや液状の有機
蛍光材料114Bを選択的に塗布する際に、それらが周
囲に流れ出ることが防止でき、高精度のパターニングが
行える等の利点がある。
Even with such a structure, when the liquid precursor 114A and the liquid organic fluorescent material 114B are selectively applied, they flow out to the surroundings, as in the first embodiment. Can be prevented and high-precision patterning can be performed.

【0162】(3)第3の実施の形態 第8図は本発明の第3の実施の形態を示す図であって、
この実施の形態も、上記第1の実施の形態と同様に、本
発明に係るマトリクス型表示素子及びその製造方法を、
EL表示素子を用いたアクティブマトリクス型の表示装
置に適用したものである。より具体的には、画素電極1
41を利用して段差111を形成することにより、高精
度のパターニングが行えるようにしたものである。な
お、上記実施の形態と同様の構成には、同じ符号を付し
ておく。また、第8図は製造工程の途中を示す断面図で
あり、その前後は上記第1の実施の形態と略同様である
ためその図示及び説明は省略する。
(3) Third Embodiment FIG. 8 is a diagram showing a third embodiment of the present invention.
Also in this embodiment, as in the case of the first embodiment, the matrix type display device according to the present invention and the method for manufacturing the same are
This is applied to an active matrix type display device using an EL display element. More specifically, the pixel electrode 1
By forming the step 111 using 41, it is possible to perform highly accurate patterning. The same components as those in the above embodiment are designated by the same reference numerals. Further, FIG. 8 is a cross-sectional view showing the middle of the manufacturing process, and the front and rear thereof are substantially the same as those of the first embodiment, and therefore the illustration and description thereof will be omitted.

【0163】即ち、本実施の形態では、画素電極141
を通常よりも厚く形成し、これにより、その周囲と間に
段差111を形成している。つまり、本実施の形態で
は、後に光学材料が塗布される画素電極141の方がそ
の周囲よりも高くなっている凸型の段差が形成されてい
る。
That is, in this embodiment, the pixel electrode 141
Is formed thicker than usual, whereby a step 111 is formed between it and its surroundings. That is, in this embodiment, a convex step is formed in which the pixel electrode 141 to which the optical material is applied later is higher than its surroundings.

【0164】そして、上記第1の実施の形態と同様に、
インクジェットヘッド方式により、発光素子140の下
層部分に当たる正孔注入層を形成するための液状(溶媒
に溶かされた溶液状)の光学材料(前駆体)114Aを
吐出し、画素電極141上面に塗布する。
Then, as in the first embodiment,
By an inkjet head method, a liquid (solution-like) optical material (precursor) 114A for forming a hole injection layer corresponding to a lower portion of the light emitting element 140 is discharged and applied onto the upper surface of the pixel electrode 141. .

【0165】ただし、上記第1の実施の形態の場合とは
異なり、表示基板121を上下逆にした状態、つまり液
状の前駆体114Aが塗布される画素電極141上面を
下方に向けた状態で、液状の前駆体114Aの塗布を行
う。
However, unlike the case of the first embodiment, the display substrate 121 is turned upside down, that is, the upper surface of the pixel electrode 141 to which the liquid precursor 114A is applied is directed downward. The liquid precursor 114A is applied.

【0166】すると、液状の前駆体114Aは、重力と
表面張力とによって、画素電極141上面に溜まり、そ
の周囲には広がらない。よって、加熱や光照射等を行っ
て固形化すれば、第4図(b)と同様の薄い正孔注入層
を形成でき、これを繰り返せば正孔注入層が形成され
る。同様の手法で、有機半導体膜も形成される。
Then, the liquid precursor 114A accumulates on the upper surface of the pixel electrode 141 due to gravity and surface tension, and does not spread around it. Therefore, by heating or irradiating light to solidify the same, a thin hole injection layer similar to that shown in FIG. 4B can be formed, and by repeating this, the hole injection layer is formed. An organic semiconductor film is also formed by the same method.

【0167】このように、本実施の形態では、凸型の段
差111を利用して液状の光学材料を塗布して発光素子
のパターニング精度を向上することができる。
As described above, in this embodiment, it is possible to improve the patterning accuracy of the light emitting element by applying the liquid optical material by utilizing the convex step 111.

【0168】なお、遠心力等の慣性力を利用して、画素
電極141上面に溜まる液状の光学材料の量を調整する
ようにしてもよい。
The amount of the liquid optical material accumulated on the upper surface of the pixel electrode 141 may be adjusted by utilizing the inertial force such as the centrifugal force.

【0169】(4)第4の実施の形態 第9図は本発明の第4の実施の形態を示す図であって、
この実施の形態も、上記第1の実施の形態と同様に、本
発明に係るマトリクス型表示素子及びその製造方法を、
EL表示素子を用いたアクティブマトリクス型の表示装
置に適用したものである。なお、上記実施の形態と同様
の構成には、同じ符号を付しておく。また、第9図は製
造工程の途中を示す断面図であり、その前後は上記第1
の実施の形態と略同様であるためその図示及び説明は省
略する。
(4) Fourth Embodiment FIG. 9 shows the fourth embodiment of the present invention.
Also in this embodiment, as in the case of the first embodiment, the matrix type display device according to the present invention and the method for manufacturing the same are
This is applied to an active matrix type display device using an EL display element. The same components as those in the above embodiment are designated by the same reference numerals. FIG. 9 is a cross-sectional view showing the middle of the manufacturing process.
Since it is substantially the same as the embodiment described above, its illustration and description are omitted.

【0170】即ち、本実施の形態では、先ず、表示基板
121上に、反射電極154を形成し、次いで、反射電
極154上に、後に発光素子140が配置される所定位
置を取り囲むように絶縁膜320を形成し、これにより
所定位置の方がその周囲よりも低くなっている凹型の段
差111を形成する。
That is, in the present embodiment, first, the reflective electrode 154 is formed on the display substrate 121, and then the insulating film is formed on the reflective electrode 154 so as to surround a predetermined position where the light emitting element 140 will be arranged later. 320 is formed, thereby forming a concave step 111 whose predetermined position is lower than its surroundings.

【0171】そして、上記第1の実施の形態と同様に、
段差111で囲まれた領域内に、インクジェット方式に
より液状の光学材料を選択的に塗布することにより、発
光素子140を形成する。
Then, as in the first embodiment,
A light emitting element 140 is formed by selectively applying a liquid optical material in an area surrounded by the step 111 by an inkjet method.

【0172】一方、剥離用基板122上に、剥離層15
2を介して、走査線131、信号線132、画素電極1
41、スイッチング薄膜トランジスタ142、カレント
薄膜トランジスタ143および絶縁膜240を形成す
る。
On the other hand, the peeling layer 15 is formed on the peeling substrate 122.
2 via the scanning line 131, the signal line 132, the pixel electrode 1
41, the switching thin film transistor 142, the current thin film transistor 143, and the insulating film 240 are formed.

【0173】最後に、表示基板121上に、剥離用基板
122上の剥離層122から剥離された構造を転写す
る。
Finally, the structure peeled from the peeling layer 122 on the peeling substrate 122 is transferred onto the display substrate 121.

【0174】このように、本実施の形態であっても、段
差111を利用して液状の光学材料を塗布するようにし
たから、高精度のパターニングが行える。
As described above, also in this embodiment, since the liquid optical material is applied by utilizing the step 111, highly accurate patterning can be performed.

【0175】さらに、本実施の形態では、発光素子14
0等の下地材料への、その後の工程によるダメージ、あ
るいは、走査線131、信号線132、画素電極14
1、スイッチング薄膜トランジスタ142、カレント薄
膜トランジスタ143または絶縁膜240への、光学材
料の塗布等によるダメージを、軽減することが可能とな
る。
Further, in the present embodiment, the light emitting element 14
Damage to the underlying material such as 0 due to the subsequent process, or the scanning line 131, the signal line 132, the pixel electrode 14
1, it is possible to reduce damage to the switching thin film transistor 142, the current thin film transistor 143, or the insulating film 240 due to application of an optical material or the like.

【0176】本実施の形態では、アクティブマトリクス
型表示素子として説明したが、パッシブマトリクス型表
示素子であってもよい。
In the present embodiment, the active matrix type display element has been described, but a passive matrix type display element may be used.

【0177】(5)第5の実施の形態 第10図は本発明の第6の実施の形態を示す図であっ
て、この実施の形態も、上記第1の実施の形態と同様
に、本発明に係るマトリクス型表示素子及びその製造方
法を、EL表示素子を用いたアクティブマトリクス型の
表示装置に適用したものである。なお、上記実施の形態
と同様の構成には、同じ符号を付しておく。また、第1
0図は製造工程の途中を示す断面図であり、その前後は
上記第1の実施の形態と略同様であるためその図示及び
説明は省略する。
(5) Fifth Embodiment FIG. 10 is a diagram showing a sixth embodiment of the present invention, and this embodiment is similar to the first embodiment described above. The matrix type display element and the manufacturing method thereof according to the present invention are applied to an active matrix type display device using an EL display element. The same components as those in the above embodiment are designated by the same reference numerals. Also, the first
FIG. 0 is a cross-sectional view showing the middle of the manufacturing process, and the front and rear thereof are substantially the same as those of the first embodiment, and therefore the illustration and description thereof will be omitted.

【0178】即ち、本実施の形態では、層間絶縁膜24
0を利用して凹型の段差111を形成していて、これに
より、上記第1の実施の形態と同様の作用効果を得るよ
うにしている。
That is, in this embodiment, the interlayer insulating film 24
0 is used to form the concave step 111, so that the same effect as that of the first embodiment can be obtained.

【0179】また、層間絶縁膜240を利用して段差1
11を形成するため、特に新たな工程が増加する訳では
ないから、製造工程の大幅な複雑化等を招くこともな
い。
Further, the step 1 is formed by utilizing the interlayer insulating film 240.
Since 11 is formed, there is no particular increase in new steps, so that the manufacturing process is not significantly complicated.

【0180】(6)第6の実施の形態 第11図は本発明の第6の実施の形態を示す図であっ
て、この実施の形態も、上記第1の実施の形態と同様
に、本発明に係るマトリクス型表示素子及びその製造方
法を、EL表示素子を用いたアクティブマトリクス型の
表示装置に適用したものである。なお、上記実施の形態
と同様の構成には、同じ符号を付しておく。また、第1
1図は製造工程の途中を示す断面図であり、その前後は
上記第1の実施の形態と略同様であるためその図示及び
説明は省略する。
(6) Sixth Embodiment FIG. 11 is a diagram showing a sixth embodiment of the present invention, and this embodiment is similar to the first embodiment described above. The matrix type display element and the manufacturing method thereof according to the present invention are applied to an active matrix type display device using an EL display element. The same components as those in the above embodiment are designated by the same reference numerals. Also, the first
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the middle of the manufacturing process, and the front and rear thereof are substantially the same as those in the first embodiment, and therefore the illustration and description thereof will be omitted.

【0181】即ち、本実施の形態では、段差を利用して
パターニング精度を向上させるのではなく、液状の光学
材料が塗布される所定位置の親水性を、その周囲の親水
性よりも相対的に強くすることにより、塗布された液状
の光学材料が周囲に広がらないようにしたものである。
That is, in the present embodiment, the patterning accuracy is not improved by utilizing the steps, but the hydrophilicity at a predetermined position to which the liquid optical material is applied is set to be relatively higher than that of the surrounding area. By making it strong, the applied liquid optical material is prevented from spreading to the surroundings.

【0182】具体的には、第11図に示すように、層間
絶縁膜240を形成した後に、その上面に非晶質シリコ
ン層155を形成している。非晶質シリコン層155
は、画素電極141を形成するITOよりも相対的に撥
水性が強いので、ここに、画素電極141表面の親水性
がその周囲の親水性よりも相対的に強い撥水性・親水性
の分布が形成される。
Specifically, as shown in FIG. 11, after forming the interlayer insulating film 240, the amorphous silicon layer 155 is formed on the upper surface thereof. Amorphous silicon layer 155
Has a relatively higher water repellency than the ITO forming the pixel electrode 141, and therefore the distribution of the water repellency / hydrophilicity in which the hydrophilicity of the surface of the pixel electrode 141 is relatively stronger than the hydrophilicity of the surrounding area is present. It is formed.

【0183】そして、上記第1の実施の形態と同様に、
画素電極141の上面に向けて、インクジェット方式に
より液状の光学材料を選択的に塗布することにより、発
光素子140を形成し、最後に反射電極を形成する。
Then, as in the first embodiment,
A light emitting element 140 is formed by selectively applying a liquid optical material toward the upper surface of the pixel electrode 141 by an inkjet method, and finally a reflective electrode is formed.

【0184】このように、本実施の形態であっても、所
望の撥水性・親液性の分布を形成してから液状の光学材
料を塗布するようにしているから、パターニングの精度
を向上させることができる。
As described above, even in this embodiment, since the liquid optical material is applied after the desired water-repellent / lyophilic distribution is formed, the patterning accuracy is improved. be able to.

【0185】なお、本実施の形態の場合も、パッシブマ
トリクス型表示素子に適用できることは勿論である。
It goes without saying that the present embodiment can also be applied to a passive matrix type display element.

【0186】また、剥離用基板121上に剥離層152
を介して形成された構造を、表示基板121に転写する
工程を含んでいてもよい。
A peeling layer 152 is formed on the peeling substrate 121.
The structure may be transferred to the display substrate 121 via the process.

【0187】さらに、本実施の形態では、所望の撥水性
・親水性の分布を、非晶質シリコン層155によって形
成しているが、撥水性・親水性の分布は、金属や、陽極
酸化膜、ポリイミドまたは酸化シリコン等の絶縁膜や、
他の材料により形成されていてもよい。なお、パッシブ
マトリクス型表示素子であれば第1のバス配線、アクテ
ィブマトリクス型表示素子であれば走査線131、信号
線132、画素電極141、絶縁膜240或いは遮光層
によって形成してもよい。また、本実施の形態では、液
状の光学材料が水溶液であることを前提に説明したが、
他の液体の溶液を用いた液状の光学材料であってもよ
く、その場合は、その溶液に対して撥液性・親液性が得
られるようにすればよい。
Furthermore, in the present embodiment, the desired water-repellent / hydrophilic distribution is formed by the amorphous silicon layer 155. However, the water-repellent / hydrophilic distribution is such that the metal or the anodic oxide film is formed. An insulating film such as polyimide or silicon oxide,
It may be formed of another material. Note that the passive matrix display element may be formed using the first bus wiring, and the active matrix display element may be formed using the scan line 131, the signal line 132, the pixel electrode 141, the insulating film 240, or the light shielding layer. Further, although the present embodiment has been described on the assumption that the liquid optical material is an aqueous solution,
A liquid optical material using a solution of another liquid may be used, and in that case, the liquid repellency and lyophilicity of the solution may be obtained.

【0188】(7)第7の実施の形態 本発明の第7の実施の形態は、断面構造は上記第5の実
施の形態で使用した第10図と同様であるため、これを
用いて説明する。
(7) Seventh Embodiment The seventh embodiment of the present invention has the same sectional structure as that of FIG. 10 used in the fifth embodiment, and therefore will be described with reference to FIG. To do.

【0189】即ち、本実施の形態では、層間絶縁膜24
0をSiO2 で形成するとともに、その表面に紫外線を
照射し、その後に、画素電極141表面を露出させ、そ
して液状の光学材料を選択的に塗布するようになってい
る。
That is, in the present embodiment, the interlayer insulating film 24
0 is formed of SiO 2 , its surface is irradiated with ultraviolet rays, and thereafter, the surface of the pixel electrode 141 is exposed, and a liquid optical material is selectively applied.

【0190】このような製造工程であれば、段差111
が形成されるだけでなく、層間絶縁膜240表面に沿っ
て撥液性の強い分布が形成されるため、塗布された液状
の光学材料は、段差111と層間絶縁膜240の撥液性
との両方の作用によって所定位置に溜まり易くなってい
る。つまり、上記第5の実施の形態と、上記第6の実施
の形態との両方の作用が発揮されるから、さらに発光素
子140のパターニング精度を向上させることができ
る。
With such a manufacturing process, the step 111
Not only is formed, but also a strong liquid-repellent distribution is formed along the surface of the interlayer insulating film 240, so that the applied liquid optical material has a difference in level between the step 111 and the liquid-repellent property of the interlayer insulating film 240. Both actions make it easy to accumulate at a predetermined position. That is, since the effects of both the fifth embodiment and the sixth embodiment are exhibited, it is possible to further improve the patterning accuracy of the light emitting element 140.

【0191】なお、紫外線を照射するタイミングは、画
素電極141の表面を露出させる前後いずれでもよく、
層間絶縁膜240を形成する材料や、画素電極141を
形成する材料等に応じて適宜選定すればよく。ちなみ
に、画素電極141の表面を露出させる前に紫外線を照
射する場合には、段差111の内壁面は撥液性が強くな
らないから、段差111で囲まれた領域に液状の光学材
料を溜めることにとって有利である。これとは逆に、画
素電極141の表面を露出させた後に紫外線を照射する
場合には、段差111の内壁面の撥液性が強くならない
ように垂直に紫外線を照射する必要があるが、画素電極
141の表面を露出する際のエッチング工程の後で紫外
線を照射するため、そのエッチング工程によって撥液性
が弱まるような懸念がないという利点がある。
The timing of irradiating the ultraviolet rays may be before or after exposing the surface of the pixel electrode 141,
It may be appropriately selected depending on the material forming the interlayer insulating film 240, the material forming the pixel electrode 141, and the like. By the way, when ultraviolet rays are irradiated before the surface of the pixel electrode 141 is exposed, the inner wall surface of the step 111 does not have strong liquid repellency. Therefore, it is necessary to store the liquid optical material in the area surrounded by the step 111. It is advantageous. On the contrary, when the ultraviolet rays are irradiated after the surface of the pixel electrode 141 is exposed, it is necessary to vertically irradiate the ultraviolet rays so that the liquid repellency of the inner wall surface of the step 111 is not increased. Since ultraviolet rays are irradiated after the etching step for exposing the surface of the electrode 141, there is an advantage that there is no concern that the liquid repellency is weakened by the etching step.

【0192】また、層間絶縁膜240を形成する材料と
しては、例えばフォトレジストを用いることもできる
し、或いはポリイミドを用いてもよく、これらであれば
スピンコートにより膜を形成できるという利点がある。
Further, as the material for forming the interlayer insulating film 240, for example, photoresist or polyimide may be used, which has an advantage that the film can be formed by spin coating.

【0193】そして、層間絶縁膜240を形成する材料
によっては、紫外線を照射するのではなく、例えばO
2 、CF3 、Ar等のプラズマを照射することにより撥
液性が強くなるようにしてもよい。
Depending on the material forming the inter-layer insulation film 240, it is not irradiated with ultraviolet rays, but for example O
The liquid repellency may be enhanced by irradiating plasma such as 2 , CF 3 , or Ar.

【0194】(8)第8の実施の形態 第12図は本発明の第8の実施の形態を示す図であっ
て、この実施の形態も、上記第1の実施の形態と同様
に、本発明に係るマトリクス型表示素子及びその製造方
法を、EL表示素子を用いたアクティブマトリクス型の
表示装置に適用したものである。なお、上記実施の形態
と同様の構成には、同じ符号を付しておく。また、第1
2図は製造工程の途中を示す断面図であり、その前後は
上記第1の実施の形態と略同様であるためその図示及び
説明は省略する。
(8) Eighth Embodiment FIG. 12 is a diagram showing an eighth embodiment of the present invention, and this embodiment is similar to the first embodiment described above. The matrix type display element and the manufacturing method thereof according to the present invention are applied to an active matrix type display device using an EL display element. The same components as those in the above embodiment are designated by the same reference numerals. Also, the first
FIG. 2 is a cross-sectional view showing the middle of the manufacturing process, and the front and rear thereof are substantially the same as those of the first embodiment, and therefore the illustration and description thereof will be omitted.

【0195】即ち、本実施の形態では、段差や撥液性・
親液性の分布等を利用してパターニング精度を向上させ
るのではなく、電位による引力や斥力を利用してパター
ニング精度の向上を図っている。
That is, in the present embodiment, the level difference and liquid repellency
Instead of improving the patterning accuracy by utilizing the lyophilic distribution, the patterning accuracy is improved by utilizing the attractive force and repulsive force by the electric potential.

【0196】つまり、第12図に示すように、信号線1
32や共通給電線133を駆動するとともに、図示しな
いトランジスタを適宜オン・オフすることにより、画素
電極141がマイナス電位となり、層間絶縁膜240が
プラス電位となる電位分布を形成する。そして、インク
ジェット方式により、プラスに帯電した液状の光学材料
114を所定位置に選択的に塗布する。
That is, as shown in FIG. 12, the signal line 1
By driving the transistor 32 and the common power supply line 133 and appropriately turning on / off a transistor (not shown), a potential distribution is formed in which the pixel electrode 141 has a negative potential and the interlayer insulating film 240 has a positive potential. Then, a positively charged liquid optical material 114 is selectively applied to a predetermined position by an inkjet method.

【0197】このように、本実施の形態であれば、表示
基板121上に所望の電位分布を形成し、その電位分布
と、プラスに帯電した液状の光学材料114との間の引
力及び斥力を利用して、液状の光学材料を選択的に塗布
しているから、パターニングの精度を向上させることが
できる。
As described above, according to this embodiment, a desired potential distribution is formed on the display substrate 121, and the attractive force and the repulsive force between the potential distribution and the positively charged liquid optical material 114 are applied. Since the liquid optical material is selectively applied by utilizing it, the accuracy of patterning can be improved.

【0198】特に、本実施の形態では、液状の光学材料
114を帯電させているので、自発分極だけでなく帯電
電荷も利用することにより、パターニングの精度を向上
する効果が、さらに高まる。
In particular, in this embodiment, since the liquid optical material 114 is charged, the effect of improving the patterning accuracy is further enhanced by utilizing not only the spontaneous polarization but also the charge.

【0199】本実施の形態では、アクティブマトリクス
型表示素子に適用した場合を示しているが、パッシブマ
トリクス型表示素子であっても適用可能である。
In the present embodiment, the case where the present invention is applied to the active matrix type display element is shown, but it is also applicable to the passive matrix type display element.

【0200】なお、剥離用基板121上に剥離層152
を介して形成された構造を、表示基板121に転写する
工程を含んでいてもよい。
A peeling layer 152 is formed on the peeling substrate 121.
The structure may be transferred to the display substrate 121 via the process.

【0201】また、本実施の形態では、所望の電位分布
は、走査線131に順次電位を印加し、同時に信号線1
32および共通線133に電位を印加し、画素電極14
1にスイッチング薄膜トランジスタ142およびカレン
ト薄膜トランジスタ143を介して電位を印加すること
により形成される。
In this embodiment, the desired potential distribution is that the potential is sequentially applied to the scanning line 131 and at the same time the signal line 1
32 and the common line 133 are applied with a potential, and the pixel electrode 14
1 is formed by applying a potential to the No. 1 via the switching thin film transistor 142 and the current thin film transistor 143.

【0202】電位分布を走査線131、信号線132、
共通線133および画素電極141で形成することによ
り、工程の増加が抑制できる。なお、パッシブマトリク
ス型表示素子であれば、電位分布は、第1のバス配線お
よび遮光層によって形成することができる。
The potential distribution is set to the scanning line 131, the signal line 132,
By forming the common line 133 and the pixel electrode 141, an increase in the number of steps can be suppressed. In the case of a passive matrix display element, the potential distribution can be formed by the first bus wiring and the light shielding layer.

【0203】さらに、本実施の形態では、画素電極14
1と、その周囲の層間絶縁膜240との両方に電位を与
えているが、これに限定されるものではなく、例えば第
13図に示すように、画素電極141には電位を与え
ず、層間絶縁膜240にのみプラス電位を与え、そし
て、液状の光学材料114をプラスに帯電させてから塗
布するようにしてもよい。このようにすれば、塗布され
た後にも、液状の光学材料114は確実にプラスに帯電
した状態を維持できるから、周囲の層間絶縁膜240と
の間の斥力によって、液状の光学材料114が周囲に流
れ出ることをより確実に防止することができるようにな
る。
Further, in the present embodiment, the pixel electrode 14
1 and the surrounding interlayer insulating film 240 are applied with a potential, but the present invention is not limited to this, and for example, as shown in FIG. A positive potential may be applied only to the insulating film 240, and the liquid optical material 114 may be positively charged and then applied. By doing so, the liquid optical material 114 can be surely maintained in a positively charged state even after being applied, so that the liquid optical material 114 is surrounded by the repulsive force between the liquid optical material 114 and the surrounding interlayer insulating film 240. It becomes possible to more reliably prevent the liquid from flowing out.

【0204】なお、上記各実施の形態で説明したものと
は異なり、例えば、段差111を、液状の材料を塗布す
ることにより形成してもよいし、或いは、段差111
を、剥離用基板上に剥離層を介して材料を形成し、表示
基板上に剥離用基板上の剥離層から剥離された構造を転
写することにより形成してもよい。
Note that, unlike the one described in each of the above embodiments, for example, the step 111 may be formed by applying a liquid material, or the step 111 may be formed.
May be formed by forming a material on the peeling substrate via a peeling layer and transferring the structure peeled from the peeling layer on the peeling substrate onto the display substrate.

【0205】また、上記各実施の形態では、光学材料と
して有機又は無機のELが適用可能であるとして説明し
たが、これに限定されるものではなく、光学材料は液晶
であってもよい。 産業上の利用可能性 以上説明したように、本発明によれば、段差や、所望の
撥液性・親液性の分布や、所望の電位分布等を利用して
液状の光学材料を塗布するようにしたから、光学材料の
パターニング精度を向上することができるという効果が
ある。
In each of the above-mentioned embodiments, the organic or inorganic EL is applicable as the optical material, but the optical material is not limited to this and the optical material may be liquid crystal. INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, according to the present invention, a liquid optical material is applied using a step, a desired liquid-repellent / lyophilic distribution, a desired potential distribution, or the like. Therefore, there is an effect that the patterning accuracy of the optical material can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】は、本発明の第1の実施の形態における表示装
置の一部を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a part of a display device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】画素領域の平面構造を示す拡大平面図である。FIG. 2 is an enlarged plan view showing a planar structure of a pixel region.

【図3】第1の実施の形態における製造工程の流れを示
す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a flow of manufacturing process in the first embodiment.

【図4】第1の実施の形態における製造工程の流れを示
す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a flow of manufacturing process in the first embodiment.

【図5】第1の実施の形態における製造工程の流れを示
す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing the flow of manufacturing steps in the first embodiment.

【図6】第1の実施の形態の変形例を示す断面図であ
る。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a modified example of the first embodiment.

【図7】第2の実施の形態を示す平面図及び断面図であ
る。
FIG. 7 is a plan view and a cross-sectional view showing a second embodiment.

【図8】第3の実施の形態の製造工程の一部を示す断面
図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the third embodiment.

【図9】第4の実施の形態の製造工程の一部を示す断面
図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the fourth embodiment.

【図10】第5の実施の形態の製造工程の一部を示す断
面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the fifth embodiment.

【図11】第6の実施の形態の製造工程の一部を示す断
面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the sixth embodiment.

【図12】第8の実施の形態の製造工程の一部を示す断
面図である。
FIG. 12 is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the eighth embodiment.

【図13】第8の実施の形態の変形例を示す断面図であ
る。
FIG. 13 is a cross-sectional view showing a modified example of the eighth embodiment.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09F 9/30 365 H05B 33/10 H05B 33/10 33/12 B 33/12 33/14 A 33/14 33/22 Z 33/22 B41J 3/04 101Z Fターム(参考) 2C056 FB01 2H091 FA04Y FA35Y FC12 FC27 GA02 GA13 LA12 3K007 AB18 BA06 DB03 EA00 FA01 5C094 AA43 AA44 BA03 BA27 CA19 GB10 5G435 AA17 BB05 CC09 KK09 KK10─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (51) Int.Cl. 7 Identification Code FI Theme Coat (Reference) G09F 9/30 365 H05B 33/10 H05B 33/10 33/12 B 33/12 33/14 A 33/14 33/22 Z 33/22 B41J 3/04 101Z F term (reference) 2C056 FB01 2H091 FA04Y FA35Y FC12 FC27 GA02 GA13 LA12 3K007 AB18 BA06 DB03 EA00 FA01 5C094 AA43 AA44 BA03 BA27 CA19 GB10 5G435 AA17 BB05 CC10 KK09 KK09 KK09 KK09

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】所定位置に液体材料を配置する表示素子の
製造方法であって、 前記液体材料を塗布する前に、プラズマ照射を用いて前
記所定位置の前記液体材料に対する親液性を前記所定位
置の周囲に比べて向上させること、 を特徴とする表示素子の製造方法。
1. A method of manufacturing a display element, wherein a liquid material is arranged at a predetermined position, wherein the liquid affinity of the liquid material at the predetermined position is determined by plasma irradiation before applying the liquid material. A method for manufacturing a display element, which is characterized by improving the position as compared with the surroundings.
【請求項2】請求項1に記載の表示素子の製造方法にお
いて、 前記プラズマ照射を、O、CF、及びArから選ば
れた1つ気体をプラズマの原料として行うこと、を特徴
とする表示素子の製造方法。
2. The method of manufacturing a display element according to claim 1, wherein the plasma irradiation is performed by using one gas selected from O 2 , CF 4 , and Ar as a plasma raw material. Display element manufacturing method.
【請求項3】請求項1に記載の表示素子の製造方法にお
いて、 前記プラズマ照射を、O、CF、及びArから選ば
れた少なくとも2つの気体からなる混合気体を原料とし
て行うこと、 を特徴とする表示素子の製造方法。
3. The method of manufacturing a display element according to claim 1, wherein the plasma irradiation is performed by using a mixed gas composed of at least two gases selected from O 2 , CF 4 , and Ar as a raw material. A method for manufacturing a display device having a feature.
【請求項4】請求項1乃至3のいずれかに記載の表示素
子の製造方法において、 前記所定位置にある第1の材料と、前記所定位置の周囲
にある第2の材料は異なっていること、 を特徴とする表示素子の製造方法。
4. The method of manufacturing a display element according to claim 1, wherein the first material at the predetermined position is different from the second material around the predetermined position. A method for manufacturing a display element, comprising:
【請求項5】請求項4に記載の表示素子の製造方法にお
いて、 前記第1の材料は、金属、陽極酸化膜、ポリイミド、及
び酸化シリコンから選ばれた少なくとも1つの材料であ
ること、 を特徴とする表示素子の製造方法。
5. The method of manufacturing a display element according to claim 4, wherein the first material is at least one material selected from a metal, an anodized film, polyimide, and silicon oxide. And a method of manufacturing a display element.
【請求項6】請求項4に記載の表示素子の製造方法にお
いて、 前記第2の材料は、ポリイミド、酸化シリコン、シリコ
ン、及び金属から選ばれた少なくとも1つの材料である
こと、 を特徴とする表示素子の製造方法。
6. The method of manufacturing a display element according to claim 4, wherein the second material is at least one material selected from polyimide, silicon oxide, silicon, and metal. Display element manufacturing method.
【請求項7】請求項1乃至6のいずれかに記載の表示素
子の製造方法において、 前記所定位置が前記所定位置の周囲よりも低くなるよう
に段差を形成すること、 を特徴とする表示素子の製造方法。
7. The display device according to claim 1, wherein a step is formed so that the predetermined position is lower than the periphery of the predetermined position. Manufacturing method.
【請求項8】請求項1乃至6のいずれかに記載の表示素
子の製造方法において、 前記所定位置が前記所定位置の周囲よりも高くなるよう
に段差を形成すること、 を特徴とする表示素子の製造方法。
8. The display element according to claim 1, wherein a step is formed so that the predetermined position is higher than the circumference of the predetermined position. Manufacturing method.
【請求項9】請求項8に記載の表示素子の製造方法にお
いて、 絶縁膜を形成することにより前記段差を設けること、 を特徴とする表示素子の製造方法。
9. The method of manufacturing a display element according to claim 8, wherein the step is provided by forming an insulating film.
【請求項10】請求項8に記載の表示素子の製造方法に
おいて、 遮光膜を形成することにより前記段差を設けること、 を特徴とする表示素子の製造方法。
10. The method of manufacturing a display element according to claim 8, wherein the step is provided by forming a light shielding film.
【請求項11】請求項9に記載の表示素子の製造方法に
おいて、 前記絶縁膜としてポリイミドを用いること、 を特徴とする表示素子の製造方法。
11. The method of manufacturing a display element according to claim 9, wherein polyimide is used as the insulating film.
【請求項12】請求項1乃至11のいずれかに記載の表
示素子の製造方法において、 前記液体材料をインクジェット方式により前記所定位置
に塗布すること、 を特徴とする表示素子の製造方法。
12. The method of manufacturing a display element according to claim 1, wherein the liquid material is applied to the predetermined position by an ink jet method.
【請求項13】請求項1乃至12のいずれかに記載の表
示素子の製造方法において、 前記液体材料は光学材料であること、 を特徴とする表示素子の製造方法。
13. The method of manufacturing a display element according to claim 1, wherein the liquid material is an optical material.
【請求項14】所定位置に液体材料を配置するための表
示素子用基板の製造方法であって、 前記所定位置と前記所定位置の周囲との間に段差を形成
する工程と、 プラズマ照射により前記所定位置の前記液体材料に対す
る親液性を前記所定位置の周囲に比べて向上させる工程
と、を含むこと、 を特徴とする表示素子用基板の製造方法。
14. A method of manufacturing a display element substrate for disposing a liquid material at a predetermined position, the method comprising: forming a step between the predetermined position and the periphery of the predetermined position; Improving the lyophilicity with respect to the liquid material at a predetermined position as compared with the surroundings of the predetermined position, the method for manufacturing a display element substrate.
【請求項15】請求項14に記載の表示素子用基板の製
造方法において、 前記プラズマ照射を、O、CF、及びArから選ば
れた1つ気体をプラズマの原料として行うこと、を特徴
とする表示素子用基板の製造方法。
15. The method for manufacturing a display element substrate according to claim 14, wherein the plasma irradiation is performed by using one gas selected from O 2 , CF 4 , and Ar as a plasma raw material. And a method for manufacturing a display element substrate.
【請求項16】請求項14に記載の表示素子用基板の製
造方法において、 前記プラズマ照射を、O、CF、及びArから選ば
れた少なくとも2つの気体からなる混合気体を原料とし
て行うこと、 を特徴とする表示素子用基板の製造方法。
16. The method for manufacturing a display element substrate according to claim 14, wherein the plasma irradiation is performed by using a mixed gas composed of at least two gases selected from O 2 , CF 4 , and Ar as a raw material. A method for manufacturing a display element substrate, comprising:
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