JP2003240895A

JP2003240895A - 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法

Info

Publication number: JP2003240895A
Application number: JP2002038180A
Authority: JP
Inventors: Akihiro Maezawa; 明弘前澤; Noriyuki Mishina; 紀之三科
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 2002-02-15
Filing date: 2002-02-15
Publication date: 2003-08-27

Abstract

(57)【要約】【課題】鮮鋭性が良好で、膜剥がれが無い放射線画像
変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法の提
供。【解決手段】支持体上に輝尽性蛍光体層、且つ、支持
体と輝尽性蛍光体層との間に層を有する放射線画像変換
パネルにおいて、少なくとも一層の輝尽性蛍光体層が、
気相成長法により５０μｍ〜１ｍｍの膜厚になるように
形成され、且つ、該層の膜厚が６００〜１６００ｎｍで
あることを特徴とする放射線画像変換パネル。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は放射線画像変換パネ
ル及び放射線画像変換パネルの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、放射線画像を得るために銀塩を使
用した、いわゆる放射線写真法が利用されているが、銀
塩を使用しないで放射線像を画像化する方法が開発され
ている。即ち、被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収
せしめ、しかる後この蛍光体をある種のエネルギーで励
起してこの蛍光体が蓄積している放射線エネルギーを蛍
光として放射せしめ、この蛍光を検出して画像化する方
法が開示されている。

【０００３】具体的な方法としては、支持体上に輝尽性
蛍光体層を設けたパネルを用い、励起エネルギーとして
可視光線及び赤外線の一方又は両方を用いる放射線画像
変換方法が知られている（米国特許第３，８５９，５２
７号参照）。

【０００４】より高輝度、高感度の輝尽性蛍光体を用い
た放射線画像変換方法として、例えば特開昭５９−７５
２００号等に記載されているＢａＦＸ：Ｅｕ²⁺系（Ｘ：
Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）蛍光体を用いた放射線画像変換方法、
同６１−７２０８７号等に記載されているようなアルカ
リハライド蛍光体を用いた放射線画像変換方法、同６１
−７３７８６号、６１−７３７８７号等に記載のよう
に、共賦活剤としてＴ^l+及びＣｅ³⁺、Ｓｍ³⁺、Ｅｕ³⁺、
Ｙ³⁺、Ａｇ⁺、Ｍｇ²⁺、Ｐｂ²⁺、Ｉｎ³⁺の金属を含有す
るアルカリハライド蛍光体が開発されている。

【０００５】更に、近年診断画像の解析においてより高
鮮鋭性の放射線画像変換パネルが要求されている。鮮鋭
性改善の為の手段として、例えば形成される輝尽性蛍光
体の形状そのものをコントロールし感度及び鮮鋭性の改
良を図る試みがされている。

【０００６】これらの試みの１つの方法として、例えば
特開昭６１−１４２４９７号等に記載されている微細な
凹凸パターンを有する支持体上に輝尽性蛍光体を堆積さ
せ形成した微細な擬柱状ブロックからなる輝尽性蛍光体
層を用いる方法がある。

【０００７】また、特開昭６１−１４２５００号に記載
のように微細なパターンを有する支持体上に、輝尽性蛍
光体を堆積させて得た柱状ブロック間のクラックをショ
ック処理を施して更に発達させた輝尽性蛍光体層を有す
る放射線画像変換パネルを用いる方法、更には、特開昭
６２−３９７３７号に記載されている支持体上に形成さ
れた輝尽性蛍光体層にその表面側から亀裂を生じさせ擬
柱状とした放射線画像変換パネルを用いる方法、更に
は、特開昭６２−１１０２００号に記載に記載されてい
るように、支持体上に蒸着により空洞を有する輝尽性蛍
光体層を形成した後、加熱処理によって空洞を成長させ
亀裂を設ける方法等も提案されている。

【０００８】更に、特開平２−５８０００号には、気相
成長法（気相堆積法）によって支持体上に、支持体の法
線方向に対し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成
した輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルが記
載されている。

【０００９】これらの輝尽性蛍光体層の形状をコントロ
ールする方法は、いずれも輝尽性蛍光体層を柱状とする
ことで、輝尽励起光又は輝尽発光の横方向への拡散を抑
える（クラック（柱状結晶）界面において反射を繰り返
しながら支持体面まで到達する）ことができるため、輝
尽発光による画像の鮮鋭性を著しく増大させることがで
きるという特徴がある。

【００１０】しかしながら、これらの気相成長（堆積）
により形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換
パネルにおいても、市場から要求される鮮鋭性の改善は
十分ではなく、更なる改良が求められていた。

【００１１】特に、最近、輝尽性蛍光体の励起波長とし
て６８０ｎｍ付近の波長を有する高出力半導体レーザが
装置ユニットが小さくて済む（コンパクト性）ため、市
場でよく使用されているが、高出力半導体レーザを適用
した放射線画像変換パネルでは、前記波長での反射率が
低く、その為、励起光が輝尽性蛍光体層内で散乱しやす
くなるため、特に鮮鋭性の向上に問題点があった。

【００１２】更に、気相堆積する蛍光体材料と堆積する
支持体材料の表面エネルギーが大きくずれると堆積によ
り徐々に膜剥がれを引き起こす応力が発生しプレート
（支持体）上にひび割れを形成する。

【００１３】また、表面エネルギーが近すぎると形成さ
れる柱状結晶径が大きく成長し、極端に鮮鋭性を低下さ
せる問題があった。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、鮮鋭
性が良好で、膜剥がれが無い放射線画像変換パネル及び
該放射線画像変換パネルの製造方法を提供することにあ
る。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は下記
の構成により達成された。

【００１６】１．支持体上に輝尽性蛍光体層、且つ、支
持体と輝尽性蛍光体層との間に層を有する放射線画像変
換パネルにおいて、少なくとも一層の輝尽性蛍光体層
が、気相成長法により５０μｍ〜１ｍｍの膜厚になるよ
うに形成され、且つ、該層の膜厚が６００〜１６００ｎ
ｍであることを特徴とする放射線画像変換パネル。

【００１７】２．前記層が中間層であることを特徴とす
る前記１に記載の放射線画像変換パネル。

【００１８】３．前記少なくとも一層の輝尽性蛍光体層
が、前記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体を含有
し、該輝尽性蛍光体の励起光として、波長６８０ｎｍの
光を入射させたとき、該輝尽性蛍光体層の反射率が２０
〜１００％であることを特徴とする前記１又は２に記載
の放射線画像変換パネル。

【００１９】４．前記中間層が誘電体化合物を有する誘
電体膜層であることを特徴とする前記２又は３に記載の
放射線画像変換パネル。

【００２０】５．前記１〜４の何れか１項に記載の放射
線画像変換パネルを、支持体上に膜厚が６００〜１６０
０ｎｍの層を塗布し、該層上に膜厚５０μｍ〜１ｍｍの
輝尽性蛍光体層を気相成長法により形成させ製造するこ
とを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。

【００２１】以下に、更に本発明の詳細な説明を述べ
る。本発明者らは前記目的の達成の為に種々検討した結
果、支持体上に輝尽性蛍光体層、且つ、支持体と輝尽性
蛍光体層との間に層を有する放射線画像変換パネルにお
いて、少なくとも一層の輝尽性蛍光体層が、気相成長法
により５０μｍ〜１ｍｍの膜厚になるように形成され、
且つ、該層の膜厚が６００〜１６００ｎｍであり、好ま
しくは、少なくとも一層の輝尽性蛍光体層が、前記一般
式（１）で表される輝尽性蛍光体を含有し、該輝尽性蛍
光体の励起光として、波長６８０ｎｍの光を入射させた
とき、該輝尽性蛍光体層の反射率が２０〜１００％であ
り、且つ、輝尽性蛍光体層と支持体層との間に膜厚が６
００〜１６００ｎｍの中間層を形成することが好まし
く、特に該中間層が誘電体化合物を含有する誘電体薄膜
層であることが好ましく、極めて高鮮鋭性の画像が得ら
れ、且つ、膜剥がれの無い放射線画像変換パネル及びそ
の製造方法が得られることを見いだした。

【００２２】次に、本発明の前記一般式（１）で表され
る輝尽性蛍光体について説明する。本発明の前記一般式
（１）で表される輝尽性蛍光体において、Ｍ^Iは、Ｎ
ａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓ等の各原子から選ばれる少なくと
も１種のアルカリ金属原子を表し、中でもＲｂ及びＣｓ
の各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金
属原子が好ましく、更に好ましくはＣｓ原子である。

【００２３】Ｍ²はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚ
ｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉ等の各原子から選ばれる少なく
とも１種の二価の金属原子を表すが、中でも好ましく用
いられるのは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａ等の各
原子から選ばれる二価の金属原子である。

【００２４】Ｍ³はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子
から選ばれる少なくとも１種の三価の金属原子を表す
が、中でも好ましく用いられるのはＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅ
ｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子
から選ばれる三価の金属原子である。

【００２５】輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度向上の観点か
ら、Ｘ、Ｘ′及びＸ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子
から選ばれる少なくとも１種のハロゲンで原子を表す
が、Ｆ、Ｃｌ及びＢｒから選ばれる少なくとも１種のハ
ロゲン原子が好ましく、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれ
る少なくとも１種のハロゲン原子が更に好ましい。

【００２６】また、一般式（１）において、ｂ値は０≦
ｂ＜０．５を表すが、好ましくは、０≦ｂ≦１０^-2であ
る。

【００２７】本発明の一般式（１）で表される輝尽性蛍
光体は、例えば以下に述べる製造方法により製造され
る。

【００２８】まず、蛍光体原料としては、（ａ）ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＫＦ、Ｋ
Ｃｌ、ＫＢｒ、ＫＩ、ＲｂＦ、ＲｂＣｌ、ＲｂＢｒ、Ｒ
ｂＩ、ＣｓＦ、ＣｓＣｌ、ＣｓＢｒ及びＣｓＩから選ば
れる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物が用いら
れる。

【００２９】（ｂ）ＭｇＦ₂、ＭｇＣｌ₂、ＭｇＢｒ₂、
ＭｇＩ₂、ＣａＦ₂、ＣａＣｌ₂、ＣａＢｒ₂、ＣａＩ₂、
ＳｒＦ₂、ＳｒＣＩ₂、ＳｒＢｒ₂、ＳｒＩ₂、ＢａＦ₂、
ＢａＣｌ₂、ＢａＢｒ₂、ＢａＢｒ₂・２Ｈ₂Ｏ、Ｂａ
Ｉ₂、ＺｎＦ₂、ＺｎＣｌ₂、ＺｎＢｒ₂、ＺｎＩ₂、Ｃｄ
Ｆ₂、ＣｄＣｌ₂、ＣｄＢｒ₂、ＣｄＩ₂、ＣｕＦ₂、Ｃｕ
Ｃｌ₂、ＣｕＢｒ₂、ＣｕＩ、ＮｉＦ₂、ＮｉＣｌ₂、Ｎｉ
Ｂｒ₂及びＮｉＩ₂の化合物から選ばれる少なくとも１種
又は２種以上の化合物が用いられる。

【００３０】（ｃ）前記一般式（１）において、Ｅｕ、
Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎ
ｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、
Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇ等の各原子から選ばれる金属原子を
有する化合物が用いられる。

【００３１】一般式（Ｉ）で表される輝尽性蛍光体にお
いて、ａは０≦ａ＜０．５、好ましくは０≦ａ＜０．０
１、ｂは０≦ｂ＜０．５、好ましくは０≦ｂ≦１０^-2、
ｅは０＜ｅ≦０．２、好ましくは０＜ｅ≦０．１であ
る。

【００３２】上記の数値範囲の混合組成になるように前
記（ａ）〜（ｃ）の蛍光体原料を秤量し、乳鉢、ボール
ミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合する。

【００３３】次に、得られた蛍光体原料混合物を石英ル
ツボ又はアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気
炉中で焼成を行う。

【００３４】焼成温度は５００〜１０００℃が適当であ
る。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によっ
て異なるが、一般には０．５〜６時間が適当である。

【００３５】焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む
窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲
気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス
雰囲気等の中性雰囲気或いは少量の酸素ガスを含む弱酸
化性雰囲気が好ましい。

【００３６】尚、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼
成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物
粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と
同じ焼成条件で再焼成を行えば蛍光体の発光輝度を更に
高めることができ好ましい。

【００３７】また、焼成物を焼成温度より室温に冷却す
る際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で放冷する
ことによっても所望の蛍光体を得ることができるが、焼
成時と同じ、弱還元性雰囲気又は中性雰囲気のままで冷
却してもよい。

【００３８】また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却
部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気もしくは
弱酸化性雰囲気で急冷することにより、得られた蛍光体
の輝尽による発光輝度をより一層高めることができる。

【００３９】また、本発明の輝尽性蛍光体層は気相成長
法によって形成される。輝尽性蛍光体の気相成長法とし
ては蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレ
ーティング法、その他を用いることができる。

【００４０】本発明においては、例えば、以下の方法が
挙げられる。（請求項３、４の発明に準じて説明す
る。）第１の方法の蒸着法は、まず、後述する誘電体薄膜層を
有する支持体を蒸着装置内に設置した後、装置内を排気
して１．３３３×１０^-4Ｐａ程度の真空度とする。次い
で、前記輝尽性蛍光体の少なくとも一つを抵抗加熱法、
エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて前記支
持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに成長させる。

【００４１】この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光
体層が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分けて
輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。

【００４２】また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器
あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着し、支持体
上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性
蛍光体層を形成することも可能である。

【００４３】蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光
体層の支持体側とは反対の側に保護層を設けることによ
り本発明の放射線画像変換パネルが製造される。尚、保
護層又は誘電体膜層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、
支持体を設ける手順をとってもよい。

【００４４】さらに、前記蒸着法においては、蒸着時、
必要に応じて被蒸着物（支持体、保護層又は誘電体膜
層）を冷却あるいは加熱してもよい。

【００４５】また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処
理してもよい。また、前記蒸着法においては必要に応じ
てＯ₂、Ｈ₂等のガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行
ってもよい。

【００４６】第２の方法としてのスパッタリング法は、
蒸着法と同様、保護層又は誘電体膜層有する支持体をス
パッタリング装置内に設置した後、装置内を一旦排気し
て１．３３３×１０^-4Ｐａ程度の真空度とし、次いでス
パッタリング用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活性ガス
をスパッタリング装置内に導入して１．３３３×１０ ^-1
Ｐａ程度のガス圧とする。次に、前記輝尽性蛍光体をタ
ーゲットとして、スパッタリングすることにより、前記
誘電体膜層を有する支持体上に輝尽性蛍光体層を所望の
厚さに成長させる。本発明においては、輝尽性蛍光体層
の膜厚は５０μｍ〜１ｍｍであり、好ましくは３０μｍ
〜５００μｍである。

【００４７】前記スパッタリング工程では蒸着法と同様
に各種の応用処理を用いることができる。

【００４８】第３の方法としてＣＶＤ法があり、又、第
４の方法としてイオンプレーティング法がある。

【００４９】また、前記気相成長における輝尽性蛍光体
層の成長速度は０．０５μｍ／分〜３００μｍ／分であ
ることが好ましい。成長速度が０．０５μｍ／分未満の
場合には本発明の放射線画像変換パネルの生産性が低く
好ましくない。また成長速度が３００μｍ／分を越える
場合には成長速度のコントロールがむずかしく好ましく
ない。

【００５０】放射線画像変換パネルを、前記の真空蒸着
法、スパッタリイング法などにより得る場合には、結着
剤が存在しないので輝尽性蛍光体の充填密度を増大で
き、感度、解像力の上で好ましい放射線画像変換パネル
が得られ、好ましい。

【００５１】前記輝尽性蛍光体層の乾燥厚みは、放射線
画像変換パネルの使用目的によって、また輝尽性蛍光体
の種類により異なるが、本発明に記載の効果を得る観点
から５０μｍ以上の膜厚が必要であり、好ましくは５０
〜３００μｍであり、更に好ましくは１００〜３００μ
ｍであり、特に好ましくは、１５０〜３００μｍであ
る。

【００５２】上記の気相成長法による輝尽性蛍光体層の
作製にあたり、輝尽性蛍光体層が形成される支持体の温
度は、１００℃以上に設定することが好ましく、更に好
ましくは、１５０℃以上であり、特に好ましくは１５０
〜４００℃である。

【００５３】また、高鮮鋭性を示す放射線画像変換パネ
ルを得る観点から、本発明の輝尽性蛍光体層の反射率は
２０％以上であることが必要であるが、好ましくは、３
０％以上であり、更に好ましくは、４０％以上である。

【００５４】本発明においては、支持体がガラス基板等
のような透明支持体の場合は、輝尽性蛍光体層の透過率
を測定し、基板上にアルミニウム等の光を反射するよう
な鏡面処理（例えば、蒸着等）が行われている場合は、
輝尽性蛍光体層の反射率を測定する。

【００５５】ここで、反射率、透過率の測定は、下記の
測定装置を用い、下記の測定条件にて行うことができ
る。

【００５６】装置：ＨＩＴＡＣＨＩ５５７型、Ｓｐｅｃ
ｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ測定条件測定光の波長：６８０ｎｍスキャンスピード：１２０ｎｍ／ｍｉｎ繰り返し回数：１０回レスポンス：自動設定本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層は、誘
電体膜層を有する支持体上に前記一般式（１）で表され
る輝尽性蛍光体を気相成長させて形成されることが好ま
しく、層形成時に該輝尽性蛍光体が柱状結晶を形成する
ことがより好ましい。

【００５７】蒸着、スパッタリング等の方法で柱状の輝
尽性蛍光体層を形成するために、前記一般式（１）で表
される輝尽性蛍光体が用いられるが、中でもＣｓＢｒ系
蛍光体が特に好ましく用いられる。

【００５８】次に、本発明の輝尽性蛍光体層を図１、図
２を用いて説明する。（クレーム３に基づいて）図１は、上記記載の気相成長
法を用いて、後述する誘電体膜層Ａを有する支持体上に
形成した柱状結晶を有する輝尽性蛍光体層の一例を示す
概略断面図である。

【００５９】１１は支持体、Ａは誘電体膜層、１２は輝
尽性蛍光体層、１３は該輝尽性蛍光体層を構成する柱状
結晶を示している。尚、１４は柱状結晶間に形成された
間隙を示している。また、本発明でいう、支持体と輝尽
性蛍光体層との間は図１におけるＬのことをいい、本発
明はＬが輝尽性蛍光体層以外の層の膜厚であり、６００
〜１６００ｎｍであることを特徴としており、好ましく
は８００〜１２００ｎｍである。

【００６０】図２は後述する誘電体膜層Ａを有する支持
体上に輝尽性蛍光体層が蒸着により形成される様子を示
す図であるが、輝尽性蛍光体蒸気流１６の支持体面の法
線方向（Ｒ）に対する入射角度をθ２（図では６０°で
入射している）とすると、形成される柱状結晶の誘電体
膜層を有する支持体面の法線方向（Ｒ）に対する角度は
θ１（図では約３０°、経験的には大体半分になる）で
表され、この角度で柱状結晶が形成される。

【００６１】この様にして後述する誘電体膜層Ａを有す
る支持体上に形成した輝尽性蛍光体層は、結着剤を含有
していないので、指向性に優れており、輝尽励起光及び
輝尽発光の指向性が高く、輝尽性蛍光体を結着剤中に分
散した分散型の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換
パネルより層厚を薄くすることができる。更に輝尽励起
光の輝尽性蛍光体層中での散乱が減少することで像の鮮
鋭性が向上する。

【００６２】また、柱状結晶間の間隙に結着剤等充填物
を充填してもよく、輝尽性蛍光体層の補強となるほか、
高光吸収の物質、高光反射率の物質等を充填してもよ
い、これにより前記補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍
光体層に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散の低減
に有効である。

【００６３】高反射率を有する物質は、輝尽励起光（５
００〜９００ｎｍ、特に６００〜８００ｎｍ）に対する
反射率の高い物質のことをいい、例えば、アルミニウ
ム、マグネシウム、銀、インジウム、その他の金属等、
白色顔料及び緑色〜赤色領域の色材を用いることができ
る。白色顔料は輝尽発光も反射することができる。

【００６４】白色顔料としては、例えば、ＴｉＯ₂（ア
ナターゼ型、ルチル型）、ＭｇＯ、ＰｂＣＯ₃・Ｐｂ
（ＯＨ）₂、ＢａＳＯ₄、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｍ（II）ＦＸ（但
し、Ｍ（II）はＢａ、Ｓｒ及びＣａの各原子から選ばれ
るの少なくとも１種の原子であり、ＸはＣｌ原子又はＢ
ｒ原子である。）、ＣａＣＯ₃、ＺｎＯ、Ｓｂ₂Ｏ₃、Ｓ
ｉＯ₂、ＺｒＯ₂、リトポン（ＢａＳＯ₄・ＺｎＳ）、珪
酸マグネシウム、塩基性珪硫酸塩、塩基性燐酸鉛、珪酸
アルミニウムなどがあげられる。

【００６５】これらの白色顔料は隠蔽力が強く、屈折率
が大きいため、光を反射したり、屈折させることにより
輝尽発光を容易に散乱し、得られる放射線画像変換パネ
ルの感度を顕著に向上させることができる。

【００６６】また、高光吸収率の物質としては、例え
ば、カーボンブラック、酸化クロム、酸化ニッケル、酸
化鉄など及び青の色材が用いられる。この中でカーボン
ブラックは輝尽発光も吸収する。また、色材は、有機又
は無機系色材のいずれでもよい。

【００６７】有機系色材としては、例えば、ザボンファ
ーストブルー３Ｇ（ヘキスト製）、エストロールブリル
ブルーＮ−３ＲＬ（住友化学製）、Ｄ＆ＣブルーＮｏ．
１（ナショナルアニリン製）、スピリットブルー（保土
谷化学製）、オイルブルーＮｏ．６０３（オリエント
製）、キトンブルーＡ（チバガイギー製）、アイゼンカ
チロンブルーＧＬＨ（保土ヶ谷化学製）、レイクブルー
ＡＦＨ（協和産業製）、プリモシアニン６ＧＸ（稲畑産
業製）、ブリルアシッドグリーン６ＢＨ（保土谷化学
製）、シアンブルーＢＮＲＣＳ（東洋インク製）、ライ
オノイルブルーＳＬ（東洋インク製）等が用いられる。

【００６８】また、カラーインデクスＮｏ．２４４１
１、２３１６０、７４１８０、７４２００、２２８０
０、２３１５４、２３１５５、２４４０１、１４８３
０、１５０５０、１５７６０、１５７０７、１７９４
１、７４２２０、１３４２５、１３３６１、１３４２
０、１１８３６、７４１４０、７４３８０、７４３５
０、７４４６０等の有機系金属錯塩色材もあげられる。

【００６９】無機系色材としては群青、例えば、コバル
トブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、ＴｉＯ₂−
ＺｎＯ−Ｃｏ−ＮｉＯ系等の無機顔料があげられる。

【００７０】次に、誘電体膜層及びその形成方法につい
て説明する。誘電体膜層の形成方法としては、誘電体化
合物を含有する液体を支持体（基板）上に均一に膜形成
させる塗布方式と誘電体化合物と異なる金属及び化合物
を揮発させ、目的の誘電体組成物となるようにガス雰囲
気を調整して形成させる蒸着（気相堆積法）法の２種が
ある。

【００７１】本発明者らは、誘電体膜層の膜厚を６００
〜１６００ｎｍにするために種々検討した結果、気相堆
積法では６００ｎｍ以上の膜厚になると、ＳｉＯ₂膜で
クラックが発生し、ＳｉＯ₂膜で毛割れが発生するな
ど、形成する膜により引っ張り応力及び圧縮応力が働き
膜形成が難しいことを見いだした。

【００７２】従って、この応力発生のメカニズムを鋭意
検討した結果、定かではないが、気相堆積法ではガス形
成時は加熱された状態であるが、膜形成後は冷却して基
板上に付着し、常に急冷された状態になるため、初期に
は基板上には膜厚が薄い状態で付着する場合と急冷され
て膜厚が厚くなる場合とがあり、熱の伝達が異なり、膜
厚方向での温度分布が異なり、線熱膨張係数の差による
応力の緩和が急冷過程を経ることでクラック発生、毛割
れが顕著に発生すると推定されることがわかった。

【００７３】誘電体膜の形成の際に発生する応力は、蒸
着方法とは異なる塗布方式においては急冷過程を除くこ
とが可能であり、膜厚の均一化が可能であることがわか
った。

【００７４】具体的には誘電体膜を形成する組成物を含
有する液体を基板上に均一に膜形成した後、組成物以外
は揮発するように乾燥・ベークする熱処理を施し、その
後に冷却を乾燥ゾーンで温度制御しながら冷却する。

【００７５】この温度制御しながら冷却する工程を経る
ことで急冷過程では熱膨張後の収縮による影響を回避
し、収縮による緩和により膜応力を除去することが可能
となった。

【００７６】しかしながら、塗布方式での膜形成では本
発明の誘電体膜層の膜厚を６００〜１６００ｎｍにする
ことは可能であるが、均一に膜形成するには誘電体化合
物を含有する誘電体組成物による影響もある。

【００７７】また、膜形成が不均一となると冷却緩和過
程を経た塗布方式の誘電体膜においても、その膜内にて
応力集中が起こり、膜の破断する箇所が多発することと
なる。

【００７８】従って、更に精度の良い、膜厚調整、膜分
布調整を行う方法としては、膜塗布、膜形成をスピンコ
ーターをもちいることで、広範囲に亘って、膜厚の均一
化が図られ好ましい。

【００７９】スピンコーターでの塗膜作製方法で本発明
の効果を得るために、誘電体膜を形成する金属原子又は
有機化合物を塗布液とし、これを１．０×１０^-3〜１．
０×１０^-1Ｐａ・ｓの粘度となるように希釈溶媒で粘度
調整を行うことが好ましい。

【００８０】粘度調整を行う溶媒は乾燥ベークにて揮発
し易い溶媒であり、基板との濡れ性の良い溶媒を選定す
ることが好ましい。

【００８１】更に、誘電体膜を形成する誘電体化合物の
Ｓ．Ｐ．値（溶解度パラメーター）は溶媒のＳ．Ｐ．値
と近似することが好ましい。

【００８２】前記目的の溶液を形成した後、所定の硝子
基板上に膜形成に必要とする溶液の３〜２０倍の溶液を
基板上に添加する。

【００８３】添加量は２０倍を超えるとスピンコータの
回転後に、溶液が壁面にあたった後飛びはねて逆戻り
し、３倍未満であると不均一となる。

【００８４】特に角形基板をスピンコーターで均一に膜
形成するには添加する溶液の添加量を３〜２０倍にする
ことが好ましい。

【００８５】スピンコータの回転円盤上に載せられた基
板を塗布液添加後、回転させると、回転は大型の硝子に
なればなるほど瞬時に最終回転数に到達させることはで
きず、２００〜３００回転で基板上の塗布液を均一に
し、その後、目的の膜厚となるようにスピンコーターの
回転数に調整することが好ましい。

【００８６】本発明で用いた東京応化工業製ＯＣＤ、ｔ
ｙｐｅ−７を用いた場合、１．０×１０^-1Ｐａ・ｓ以下
の場合は回転数を７０００〜９０００ｒｐｍにすると膜
厚を均一化することができ好ましく、膜厚変動は±１％
である。

【００８７】形成した後の誘電体膜を８０℃にて一次乾
燥し、その後、マッフル炉にて４００℃にてベークし
た。

【００８８】本発明は前述した塗布方法に限定されるも
のではなく、例えば、押し出しコーターで塗布液を一定
量供給しながら誘電体膜層を湿潤状態で形成する方法が
ある。

【００８９】誘電体塗布膜を形成するために元巻きより
搬出された後、オルガノシラン等を溶剤に溶解した誘電
性を有する塗布液を塗布した後、乾燥・ベークゾーンに
て誘電体膜層とした後、巻き取る。

【００９０】上記誘電膜塗布液は溶液状態であれば単一
組成物又は溶剤可溶物のどちらでも含有されていても良
い。

【００９１】また、乾燥・ベークゾーンは他段階加熱で
あっても単一加熱で合っても良いが、緻密な誘電体膜を
形成するには、両面加熱・他段階加熱であるほうが好ま
しい。

【００９２】塗布方法は前記のように連続形式の他、単
一シート方式でも良く、その他、ワイヤーバー、グラビ
ア、マイクログラビア、ロールコーター等、種々の塗布
方法を選定することができるが、誘電体膜層の膜厚２〜
３ミクロンを境として、該塗布方法を選択する条件が限
定される。誘電体膜層は後述する保護層であっても良
い。

【００９３】前記誘電体膜層に含有される誘電体化合物
としては、誘電性を有する化合物であれば何れの化合物
でも良いが、本発明においては、中でも誘電率が大き
く、透明性に優れた化合物が好ましく、具体的には、シ
ランカップリング剤、チタネートカップリング剤、アル
ミニウム系カップリング剤、オルガノシラン、ポリシラ
ザン、炭素を有するＳｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ化合物が好
ましい。

【００９４】即ち、誘電率が大きい化合物を有する誘電
体膜層があると、支持体上に輝尽性蛍光体を蒸着するエ
ネルギーが緩和され、輝尽性蛍光体層の膜剥離が減少
し、透明性に優れた化合物を有する誘電体膜層がある
と、輝尽性蛍光体層の反射率も大きくなり、鮮鋭性に優
れ、本発明の効果をより奏する点で好ましい。

【００９５】また、金属ペーストを用いて均一膜を形成
した後に誘電体化合物となる化合物、例えば、金属酸化
物を大気雰囲気下で焼成した化合物も用いることができ
る。

【００９６】次に、保護層について説明する。保護層は
保護フィルム作製工程１及び該工程１と異なる作製工程
２の２種以上の作製方法を用いて保護膜を形成すること
が好ましく、エクストルージョン型コーターを用いて形
成することができる。

【００９７】保護層は、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体
層上に直接塗布して形成した後、蒸着膜を形成てもよい
し、あらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上
に接着した後シート単位で保護膜を形成してもよい。保
護膜形成に関しては前記のように連続形式で形成される
保護膜でなくてもよく、単一でシート毎に保護膜が形成
される作製方法で合っても良い。

【００９８】または、前記のように別途形成した保護層
上に輝尽性蛍光体層を形成してもよい。

【００９９】保護層用支持体としては、例えば、酢酸セ
ルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポ
リカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロ
ン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレ
ン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、
塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン
−アクリロニトリル共重合体等の通常の保護層支持体用
材料を用いることができる。

【０１００】他に透明なガラス基板を保護層用支持体と
してもちいることもできる。また、この保護層は蒸着
法、スパッタリング法、塗布等により、ＳｉＣ、ＳｉＯ
₂、ＳｉＮ、Ａｌ₂Ｏ₃などの無機物質を積層して形成す
ることもできる。これらの保護層の層厚は一般的には
０．１〜２０００μｍが好ましい。

【０１０１】本発明の放射線画像変換パネルに用いられ
る支持体としては各種のガラス、例えば、高分子材料、
金属等が用いられるが、例えば、石英、ホウ珪酸ガラ
ス、化学的強化ガラスなどの板ガラス、或いはセルロー
スアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエ
チレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、
ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカ
ーボネートフィルム等のプラスチックフィルム、アルミ
ニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シート或い
は該金属酸化物の被覆層を有する金属シートが好まし
い。

【０１０２】即ち、これら支持体の表面は滑面であって
もよいし、輝尽性蛍光体層との接着性を向上させる目的
で支持体の表面をマット面としてもよい。

【０１０３】また、本発明においては、支持体と輝尽性
蛍光体層の接着性を向上させるために、必要に応じて支
持体の表面に予め接着層を設けてもよい。

【０１０４】これら支持体の厚みは用いる支持体の材質
等によって異なるが、一般的には８０〜２０００μｍで
あり、取り扱い上の観点から、更に好ましいのは８０〜
１０００μｍである。

【０１０５】また、本発明の輝尽性蛍光体層は保護層を
有していても良い。図３は、本発明の放射線画像変換パ
ネルの構成の一例を示す概略図である。

【０１０６】図３において２１は放射線発生装置、２２
は被写体、２３は輝尽性蛍光体を含有する可視光ないし
赤外光輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネル、
２４は放射線画像変換パネル２３の放射線潜像を輝尽発
光として放出させるための輝尽励起光源、２５は放射線
画像変換パネル２３より放出された輝尽発光を検出する
光電変換装置、２６は光電変換装置２５で検出された光
電変換信号を画像として再生する画像再生装置、２７は
再生された画像を表示する画像表示装置、２８は輝尽励
起光源２４からの反射光をカットし、放射線画像変換パ
ネル２３より放出された光のみを透過させるためのフィ
ルタである。

【０１０７】尚、図３は被写体の放射線透過像を得る場
合の例であるが、被写体２２自体が放射線を放射する場
合には、前記放射線発生装置２１は特に必要ない。

【０１０８】また、光電変換装置２５以降は放射線画像
変換パネル２３からの光情報を何らかの形で画像として
再生できるものであればよく、前記に限定されない。

【０１０９】図３に示されるように、被写体２２を放射
線発生装置２１と放射線画像変換パネル２３の間に配置
し放射線Ｒを照射すると、放射線Ｒは被写体２２の各部
の放射線透過率の変化に従って透過し、その透過像ＲＩ
（即ち、放射線の強弱の像）が放射線画像変換パネル２
３に入射する。

【０１１０】この入射した透過像ＲＩは放射線画像変換
パネル２３の輝尽性蛍光体層に吸収され、これによって
輝尽性蛍光体層中に吸収された放射線量に比例した数の
電子及び／又は正孔が発生し、これが輝尽性蛍光体のト
ラップレベルに蓄積される。

【０１１１】即ち、放射線透過像のエネルギーを蓄積し
た潜像が形成される。次にこの潜像を光エネルギーで励
起して顕在化する。

【０１１２】また、可視あるいは赤外領域の光を照射す
る輝尽励起光源２４によって輝尽性蛍光体層に照射して
トラップレベルに蓄積された電子及び／又は正孔を追い
出し、蓄積されたエネルギーを輝尽発光として放出させ
る。

【０１１３】この放出された輝尽発光の強弱は蓄積され
た電子及び／又は正孔の数、すなわち放射線画像変換パ
ネル２３の輝尽性蛍光体層に吸収された放射線エネルギ
ーの強弱に比例しており、この光信号を、例えば、光電
子増倍管等の光電変換装置２５で電気信号に変換し、画
像再生装置２６によって画像として再生し、画像表示装
置２７によってこの画像を表示する。

【０１１４】画像再生装置２６は単に電気信号を画像信
号として再生するのみでなく、いわゆる画像処理や画像
の演算、画像の記憶、保存等が出来るものを使用すると
より有効である。

【０１１５】また、光エネルギーで励起する際、輝尽励
起光の反射光と輝尽性蛍光体層から放出される輝尽発光
とを分離する必要があることと、輝尽性蛍光体層から放
出される発光を受光する光電変換器は一般に６００ｎｍ
以下の短波長の光エネルギーに対して感度が高くなると
いう理由から、輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光
はできるだけ短波長領域にスペクトル分布を持ったもの
が望ましい。

【０１１６】本発明の輝尽性蛍光体の発光波長域は３０
０〜５００ｎｍであり、一方輝尽励起波長域は５００〜
９００ｎｍであるので前記の条件を同時に満たすが、最
近、診断装置のダウンサイジング化が進み、放射画像変
換パネルの画像読み取りに用いられる励起波長は高出力
で、且つ、コンパクト化が容易な半導体レーザが好ま
れ、そのレーザ光の波長は６８０ｎｍであることが好ま
しく、本発明の放射線画像変換パネルに組み込まれた輝
尽性蛍光体は６８０ｎｍの励起波長を用いた時に、極め
て良好な鮮鋭性を示すものである。

【０１１７】即ち、本発明の輝尽性蛍光体はいずれも５
００ｎｍ以下に主ピークを有する発光を示し、輝尽励起
光の分離が容易でしかも受光器の分光感度とよく一致す
るため、効率よく受光できる結果、受像系の感度を高め
ることができる。

【０１１８】輝尽励起光源２４としては、放射線画像変
換パネル２３に使用される輝尽性蛍光体の輝尽励起波長
を含む光源が使用される。特にレーザ光を用いると光学
系が簡単になり、また輝尽励起光強度を大きくすること
ができるために輝尽発光効率をあげることができ、より
好ましい結果が得られる。

【０１１９】レーザとしては、例えば、Ｈｅ−Ｎｅレー
ザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザ、Ａｒイオンレーザ、Ｋｒイオン
レーザ、Ｎ₂レーザ、ＹＡＧレーザ及びその第２高調
波、ルビーレーザ、半導体レーザ、各種の色素レーザ、
銅蒸気レーザ等の金属蒸気レーザ等がある。通常はＨｅ
−ＮｅレーザやＡｒイオンレーザのような連続発振のレ
ーザが望ましいが、パネル１画素の走査時間とパルスを
同期させればパルス発振のレーザを用いることもでき
る。

【０１２０】また、フィルタ２８を用いずに特開昭５９
−２２０４６号に示されるような、発光の遅延を利用し
て分離する方法によるときは、連続発振レーザを用いて
変調するよりもパルス発振のレーザを用いる方が好まし
い。

【０１２１】上記の各種レーザ光源の中でも、半導体レ
ーザは小型で安価であり、しかも変調器が不要であるの
で特に好ましく用いられる。

【０１２２】フィルタ２８としては放射線画像変換パネ
ル２３から放射される輝尽発光を透過し、輝尽励起光を
カットするものであるから、これは放射線画像変換パネ
ル２３に含有する輝尽性蛍光体の輝尽発光波長と輝尽励
起光源２４の波長の組合わせによって決定される。

【０１２３】例えば、輝尽励起波長が５００〜９００ｎ
ｍで輝尽発光波長が３００〜５００ｎｍにあるような実
用上好ましい組合わせの場合、フィルタとしては例えば
東芝社製Ｃ−３９、Ｃ−４０、Ｖ−４０、Ｖ−４２、Ｖ
−４４、コーニング社製７−５４、７−５９、スペクト
ロフィルム社製ＢＧ−１、ＢＧ−３、ＢＧ−２５、ＢＧ
−３７、ＢＧ−３８等の紫〜青色ガラスフィルタを用い
ることができる。又、干渉フィルタを用いると、ある程
度、任意の特性のフィルタを選択して使用できる。

【０１２４】光電変換装置２５としては、光電管、光電
子倍増管、フォトダイオード、フォトトランジスタ、太
陽電池、光導電素子等光量の変化を電子信号の変化に変
換し得るものなら何れでもよい。

【０１２５】

【実施例】以下、本発明を実施例を挙げて具体的に説明
するが、本発明の実施態様はこれらに限定されるもので
はない。

【０１２６】実施例１《放射線画像変換パネル試料１〜１４（但し、表１中で
は試料１〜１４と記載する）の作製》表１に示した条件
で、誘電体膜層を有する支持体（１ｍｍ厚の結晶化ガラ
ス（日本電気ガラス社製））の表面に図４に示した蒸着
装置（但し、θ１＝５度、θ２＝５度に設定する）を用
いて輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）を有する輝尽性蛍
光体層を形成した。

【０１２７】図４に示した蒸着装置においては、アルミ
ニウム製のスリットを用い、誘電体膜層を有する支持体
とスリットとの距離ｄを６０ｃｍとして、誘電体膜層を
有する支持体と平行な方向に誘電体膜層を有する支持体
を搬送しながら蒸着を行ない、輝尽性蛍光体層の厚みが
３００μｍになるように調整した。

【０１２８】尚、蒸着にあたっては、前記誘電体膜層を
有する支持体を蒸着器内に設置し、次いで、蛍光体原料
（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）を蒸着源としてプレス成形し水冷し
たルツボにいれた。

【０１２９】その後、蒸着器内を一旦排気し、その後Ｎ
₂ガスを導入し０．１３３Ｐａに真空度を調整した後、
支持体の温度（基板温度ともいう）を約３５０℃に保持
しながら、蒸着した。

【０１３０】輝尽性蛍光体層の膜厚が３００μｍとなっ
たところで蒸着を終了させ、次いで、この蛍光体層を温
度４００℃で加熱処理した。乾燥空気の雰囲気内で、支
持体及び硼珪酸ガラスからなる保護層周縁部を接着剤で
封入して、蛍光体層が密閉された構造の放射線画像変換
パネル試料１（比較例）を得た。

【０１３１】放射線画像変換パネル試料１（比較例）の
作製において、支持体と輝尽性蛍光体層との間に表１に
記載した誘電体膜層の膜厚となる誘電体膜層を形成した
（誘電体膜層の形成方法は下記に記載）以外は放射線画
像変換パネル試料１（比較例）と同様にして、放射線画
像変換パネル試料２、３、１１（比較例）、放射線画像
変換パネル試料４〜１０（本発明）を各々作製した。

【０１３２】（誘電体膜層（中間層）の形成方法）支持
体（硝子基板）上にオルガノシランＯＣＤ（ｔｙｐｅ−
７：東京応化工業製）を１００ｍｌ垂らし、スピンコー
タ（日産化学製）を用いて回転数を調整（誘電体膜層の
膜厚の調整）、塗布し、該オルガノシランを４００℃に
てマッフル炉中で大気下で加熱して、ＳｉＯ₂膜層（誘
電体膜層）を形成した。

【０１３３】（スピンコータの回転数−誘電体膜層の膜
厚との関係）９００ｒｐｍ（回転数）−１０００ｎｍ（誘電体膜層の
膜厚）３００ｒｐｍ（回転数）−２０００ｎｍ（誘電体膜層の
膜厚）また、中間層として表１に記載した誘電体膜層以外の膜
層を形成をした後は試料７と同様に輝尽性蛍光体（Ｃｓ
Ｂｒ：Ｅｕ）を蒸着して放射線画像変換パネル試料１２
〜１４を作製した。

【０１３４】尚、上記試料１２〜１４の作製では、蛍光
体層形成用支持体上に中間層を形成し、蛍光体層形成条
件と真空度、蒸着速度など加熱させる温度条件以外は同
一にして中間層膜を形成した。

【０１３５】得られた放射線画像変換パネル試料１〜１
４について、下記のように鮮鋭性を評価した。

【０１３６】《鮮鋭性評価》放射線画像変換パネル試料
の鮮鋭性は、変調伝達関数（ＭＴＦ）を求めて評価し
た。

【０１３７】ＭＴＦは、放射線画像変換パネル試料にＣ
ＴＦチャートを貼付した後、放射線画像変換パネル試料
に８０ｋＶｐのＸ線を１０ｍＲ（被写体までの距離：
１．５ｍ）照射した後、１００μｍφの直径の半導体レ
ーザ（６８０ｎｍ：パネル上でのパワー４０ｍＷ）を用
いてＣＴＦチャート像を走査読み取りして求めた。表の
値は、２．０ｌｐ／ｍｍのＭＴＦ値を足し合わせた値で
示す。得られた結果を表１に示す。

【０１３８】《画像欠陥の評価（剥離欠陥）》蛍光体蒸
着された基板を８０ｋＶｐ２ｍＡｓ２ｍにてＸ線照射を
行い、Ｘ線ダイレクトデジタイザー（コニカ（株）製：
Ｒｅｇｉｕｓ３３０）にて画像情報を読みとった。画像
上の升目を１画素あたり、１７５ミクロンにて２０４５
×２０４５画素で表現し、このうち剥離して信号が無い
領域を全体数より割った後１００を乗じて％で表記し
た。

【０１３９】《反射率の測定》下記の測定装置、測定条
件で反射率を測定した。結果を表１に示す。

【０１４０】（装置）：ＨＩＴＡＣＨＩ５５７型、Ｓｐ
ｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ（測定条件）測定光の波長：６８０ｎｍスキャンスピード：１２０ｎｍ／ｍｉｎ繰り返し回数：１０回レスポンス：自動設定

【０１４１】

【表１】

【０１４２】表１から明らかなように、比較の試料と比
して、本発明の試料は鮮鋭性（ＭＴＦ特性）に優れ、剥
離欠陥が無いことが分かる。

【０１４３】

【発明の効果】本発明による放射線画像変換パネル及び
放射線画像変換パネルの製造方法は、鮮鋭性に優れ、剥
離欠陥も無く優れた効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】誘電体膜層を有する支持体上に形成した柱状結
晶からなる輝尽性蛍光体層の断面図である。

【図２】誘電体膜層を有する支持体上に輝尽性蛍光体層
が蒸着により形成される様子を示す図である。

【図３】本発明の放射線画像変換パネルの構成の一例を
示す概略図である。

【図４】蒸着により誘電体膜層を有する支持体上に輝尽
性蛍光体層を作製する方法の一例を示す概略図である。

【符号の説明】

１１支持体１２輝尽性蛍光体層１３柱状結晶１４柱状結晶間に形成された間隙１５支持体ホルダ２１放射線発生装置２２被写体２３放射線画像変換パネル２４輝尽励起光源２５光電変換装置２６画像再生装置２７画像表示装置２８フィルタＡ誘電体膜層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2G083 AA03 BB01 CC03 CC08 DD01 DD02 DD11 EE02 EE07 4H001 CA08 XA03 XA04 XA09 XA11 XA12 XA13 XA17 XA19 XA20 XA21 XA28 XA29 XA30 XA31 XA35 XA37 XA38 XA39 XA48 XA49 XA53 XA55 XA56 XA57 XA58 XA59 XA60 XA61 XA62 XA63 XA64 XA65 XA66 XA67 XA68 XA69 XA70 XA71 YA11 YA12 YA29 YA39 YA47 YA49 YA55 YA58 YA59 YA60 YA62 YA63 YA64 YA65 YA66 YA67 YA68 YA69 YA70 YA71 YA81

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】支持体上に輝尽性蛍光体層、且つ、支持
体と輝尽性蛍光体層との間に層を有する放射線画像変換
パネルにおいて、少なくとも一層の輝尽性蛍光体層が、
気相成長法により５０μｍ〜１ｍｍの膜厚になるように
形成され、且つ、該層の膜厚が６００〜１６００ｎｍで
あることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【請求項２】前記層が中間層であることを特徴とする
請求項１に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項３】前記少なくとも一層の輝尽性蛍光体層
が、下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体を含有
し、該輝尽性蛍光体の励起光として、波長６８０ｎｍの
光を入射させたとき、該輝尽性蛍光体層の反射率が２０
〜１００％であることを特徴とする請求項１又は２に記
載の放射線画像変換パネル。一般式（１）Ｍ¹Ｘ・ａＭ²Ｘ′₂・ｂＭ³Ｘ″₃：ｅＡ〔式中、Ｍ¹はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓの各原子
から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子であ
り、Ｍ²はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃ
ｄ、Ｃｕ及びＮｉの各原子から選ばれる少なくとも１種
の二価金属原子であり、Ｍ³はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、
Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの各
原子から選ばれる少なくとも１種の三価金属原子であ
り、Ｘ、Ｘ′、Ｘ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子か
ら選ばれる少なくとも１種のハロゲンで原子であり、Ａ
は、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐ
ｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、
Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる
少なくとも１種の金属原子であり、また、ａ、ｂ、ｅは
それぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦
０．２の範囲の数値を表す。〕
【請求項４】前記中間層が誘電体化合物を有する誘電
体膜層であることを特徴とする請求項２又は３に記載の
放射線画像変換パネル。
【請求項５】請求項１〜４の何れか１項に記載の放射
線画像変換パネルを、支持体上に膜厚が６００〜１６０
０ｎｍの層を塗布し、該層上に膜厚５０μｍ〜１ｍｍの
輝尽性蛍光体層を気相成長法により形成させ製造するこ
とを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。