JP2003230868A - 洗浄装置 - Google Patents
洗浄装置Info
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- JP2003230868A JP2003230868A JP2002032258A JP2002032258A JP2003230868A JP 2003230868 A JP2003230868 A JP 2003230868A JP 2002032258 A JP2002032258 A JP 2002032258A JP 2002032258 A JP2002032258 A JP 2002032258A JP 2003230868 A JP2003230868 A JP 2003230868A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液面センサ用チューブが詰まったとき、ある
いは定期的に、簡単な操作で反応生成物の除去を行い、
液面センサが誤動作することを未然に防止する。 【解決手段】 薬液７が供給される処理槽３と、処理槽
３内に設置されたチューブ４，５と、チューブ４，５内
にガスを一定の圧力で送り、薬液７中の圧力と大気の圧
力との差圧を検出して処理槽７内の液面レベル信号を出
力する液面センサ６と、液面センサ６によって出力され
た液面レベル信号により処理槽３内への薬液の供給、停
止を行う薬液供給部１５とを備えた自動洗浄装置におい
て、チューブ４，５に流体を圧送するチューブ清掃手段
８を設けた。
いは定期的に、簡単な操作で反応生成物の除去を行い、
液面センサが誤動作することを未然に防止する。 【解決手段】 薬液７が供給される処理槽３と、処理槽
３内に設置されたチューブ４，５と、チューブ４，５内
にガスを一定の圧力で送り、薬液７中の圧力と大気の圧
力との差圧を検出して処理槽７内の液面レベル信号を出
力する液面センサ６と、液面センサ６によって出力され
た液面レベル信号により処理槽３内への薬液の供給、停
止を行う薬液供給部１５とを備えた自動洗浄装置におい
て、チューブ４，５に流体を圧送するチューブ清掃手段
８を設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエーハ等
の被洗浄物を洗浄する処理槽を備えた洗浄装置に関す
る。
の被洗浄物を洗浄する処理槽を備えた洗浄装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造工程において、酸化膜エッ
チングやレジスト剥離後のウエーハ洗浄を行う手段とし
て、洗浄装置がある。洗浄装置は、処理槽に各種の薬液
を満たし、その薬液の中に、カセット内にセットされた
半導体用ウエーハを浸すことで、エッチングや洗浄を行
うものである。
チングやレジスト剥離後のウエーハ洗浄を行う手段とし
て、洗浄装置がある。洗浄装置は、処理槽に各種の薬液
を満たし、その薬液の中に、カセット内にセットされた
半導体用ウエーハを浸すことで、エッチングや洗浄を行
うものである。
【０００３】この洗浄装置としては、例えば特許第３０
４７６２号公報に開示されたものがあり、その構成を図
５に示す。処理槽２３は高さを異ならせて設置した第１
のチューブ２４，第２のチューブ２５，第３のチューブ
２６と、ヒータ２７、浸漬装置部２８、液面センサ２
９、排液バルブ３０、薬液供給部３１、本体制御部３２
で構成されている。浸漬装置部２８を駆動することによ
り、処理槽２３内に満たされた薬液３３中に、ウエーハ
２１を入れたカセット２２を浸して洗浄する。
４７６２号公報に開示されたものがあり、その構成を図
５に示す。処理槽２３は高さを異ならせて設置した第１
のチューブ２４，第２のチューブ２５，第３のチューブ
２６と、ヒータ２７、浸漬装置部２８、液面センサ２
９、排液バルブ３０、薬液供給部３１、本体制御部３２
で構成されている。浸漬装置部２８を駆動することによ
り、処理槽２３内に満たされた薬液３３中に、ウエーハ
２１を入れたカセット２２を浸して洗浄する。
【０００４】このとき、薬液３３はカセット２２が完全
に浸されるように基準液面位置に第２のチューブ２５が
配置され、液量オーバーの上限位置に第１のチューブ２
４が配置されている。さらに、処理槽２３の底部から少
し上に第３のチューブ２６が配置され、使用済みの薬液
３３が処理槽２３から排出されたことを検知している。
液面センサ２９においては、第１〜第３のチューブ２
４，２５，２６に、薬液３３に対して不活性な窒素ガス
を一定の圧力で送り、薬液３３中と大気へ排出される圧
力の差を検知して薬液３３のレベルを検出し、本体制御
部３２にレベル信号を送る。本体制御部３２では、薬液
供給部３１および排液バルブ３０を駆動し、薬液３３の
レベルが低くなれば補給し、また所定の洗浄サイクル毎
に薬液３３を排液、供給するように自動制御する。
に浸されるように基準液面位置に第２のチューブ２５が
配置され、液量オーバーの上限位置に第１のチューブ２
４が配置されている。さらに、処理槽２３の底部から少
し上に第３のチューブ２６が配置され、使用済みの薬液
３３が処理槽２３から排出されたことを検知している。
液面センサ２９においては、第１〜第３のチューブ２
４，２５，２６に、薬液３３に対して不活性な窒素ガス
を一定の圧力で送り、薬液３３中と大気へ排出される圧
力の差を検知して薬液３３のレベルを検出し、本体制御
部３２にレベル信号を送る。本体制御部３２では、薬液
供給部３１および排液バルブ３０を駆動し、薬液３３の
レベルが低くなれば補給し、また所定の洗浄サイクル毎
に薬液３３を排液、供給するように自動制御する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】半導体で使用する薬液
は多品種あり、薬品によっては反応生成物が形成される
場合も少なくない。例えばバッファードフッ酸（ＢＨ
Ｆ）では、酸化膜を除去する際にフッ化珪素などの反応
生成物が形成される。この反応生成物が形成されると窒
素ガスを送っているチューブ２４，２５，２６が詰ま
り、設備が誤動作を起こす原因となる。特に薬液の交換
時は薬液３３が処理槽２３から全て排液されているにも
拘わらず、反応物の詰まりにより、液面センサ２９は液
があるように感知してしまい、液交換を自動停止させる
というトラブルを発生させることになる。
は多品種あり、薬品によっては反応生成物が形成される
場合も少なくない。例えばバッファードフッ酸（ＢＨ
Ｆ）では、酸化膜を除去する際にフッ化珪素などの反応
生成物が形成される。この反応生成物が形成されると窒
素ガスを送っているチューブ２４，２５，２６が詰ま
り、設備が誤動作を起こす原因となる。特に薬液の交換
時は薬液３３が処理槽２３から全て排液されているにも
拘わらず、反応物の詰まりにより、液面センサ２９は液
があるように感知してしまい、液交換を自動停止させる
というトラブルを発生させることになる。
【０００６】このような誤動作を回避するために、従来
は、人手により、定期的にチューブ２４，２５，２６の
詰まりの部分を純水で洗浄するか、もしくはチューブ２
４，２５，２６の端から窒素ガスまたはエアを送り、チ
ューブ内の反応生成物を除去していた。
は、人手により、定期的にチューブ２４，２５，２６の
詰まりの部分を純水で洗浄するか、もしくはチューブ２
４，２５，２６の端から窒素ガスまたはエアを送り、チ
ューブ内の反応生成物を除去していた。
【０００７】しかしながら、このような人手による反応
生成物の除去作業は半導体製造の自動化を大きく阻害
し、また薬液の種類によっては作業者の健康に影響を与
えるなど作業環境上の問題もある。
生成物の除去作業は半導体製造の自動化を大きく阻害
し、また薬液の種類によっては作業者の健康に影響を与
えるなど作業環境上の問題もある。
【０００８】本発明は、チューブが詰まったとき、ある
いは定期的に、簡単な操作で反応生成物の除去を行うこ
とができ、これにより液面センサが誤動作することを未
然に防止することのできる洗浄装置を提供することを目
的とする。
いは定期的に、簡単な操作で反応生成物の除去を行うこ
とができ、これにより液面センサが誤動作することを未
然に防止することのできる洗浄装置を提供することを目
的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、薬液が供給さ
れる処理槽と、この処理槽内に設置されたチューブと、
このチューブ内にガスを一定の圧力で送り、前記薬液中
の圧力と大気の圧力との差圧を検出して前記処理槽内の
液面レベル信号を出力する液面センサと、この液面セン
サによって出力された液面レベル信号により前記処理槽
内への薬液の供給、停止を行う薬液供給手段とを備えた
洗浄装置において、前記チューブに流体を圧送するチュ
ーブ清掃手段を設けたものである。
れる処理槽と、この処理槽内に設置されたチューブと、
このチューブ内にガスを一定の圧力で送り、前記薬液中
の圧力と大気の圧力との差圧を検出して前記処理槽内の
液面レベル信号を出力する液面センサと、この液面セン
サによって出力された液面レベル信号により前記処理槽
内への薬液の供給、停止を行う薬液供給手段とを備えた
洗浄装置において、前記チューブに流体を圧送するチュ
ーブ清掃手段を設けたものである。
【００１０】本発明においては、必要なときにチューブ
に流体を圧送することにより反応生成物がチューブ内か
ら除去される。これにより、液面センサの誤動作を未然
に防止することができる。
に流体を圧送することにより反応生成物がチューブ内か
ら除去される。これにより、液面センサの誤動作を未然
に防止することができる。
【００１１】洗浄装置で使用する処理槽の薬液は、その
特性を維持するために、ある一定の頻度で液交換を行
う。この液交換は自動で行う場合と手動操作で行う場合
がある。この液交換時に、反応生成物を清掃するための
チューブ清掃手段を作動させることが、半導体の自動洗
浄工程を停止ないし中断しないという面で効果的であ
る。
特性を維持するために、ある一定の頻度で液交換を行
う。この液交換は自動で行う場合と手動操作で行う場合
がある。この液交換時に、反応生成物を清掃するための
チューブ清掃手段を作動させることが、半導体の自動洗
浄工程を停止ないし中断しないという面で効果的であ
る。
【００１２】なお、「流体」としては、エア（空気）、
窒素ガス、純水などの気体、液体を使用できるが、設備
の簡素化や取り扱いの容易さの点ではエアを用いるのが
好適である。
窒素ガス、純水などの気体、液体を使用できるが、設備
の簡素化や取り扱いの容易さの点ではエアを用いるのが
好適である。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を、図１
〜図２を用いて説明する。図１は本発明の実施形態の構
成を示す概略図、図２は本実施形態の薬液交換時におけ
る動作説明図である。
〜図２を用いて説明する。図１は本発明の実施形態の構
成を示す概略図、図２は本実施形態の薬液交換時におけ
る動作説明図である。
【００１４】処理槽３は、高さを異ならせて設置した第
１のチューブ４，第２のチューブ５、液面センサ６、チ
ューブ清掃手段８、本体制御部１２、排液バルブ１３、
浸漬装置部１４、薬液供給部１５で構成されている。処
理槽３は石英もしくはテフロン（登録商標）等のフッ素
樹脂で作られており、浸漬装置部１４を駆動することに
より、処理槽３内に満たされた薬液７中に、ウエーハ１
を入れたカセット２を浸して洗浄する。
１のチューブ４，第２のチューブ５、液面センサ６、チ
ューブ清掃手段８、本体制御部１２、排液バルブ１３、
浸漬装置部１４、薬液供給部１５で構成されている。処
理槽３は石英もしくはテフロン（登録商標）等のフッ素
樹脂で作られており、浸漬装置部１４を駆動することに
より、処理槽３内に満たされた薬液７中に、ウエーハ１
を入れたカセット２を浸して洗浄する。
【００１５】このとき、薬液７はカセット２が完全に浸
されるように基準液面位置に第１のチューブ４が配置さ
れている。さらに、処理槽３の底部から少し上の位置に
第２のチューブ５が配置されている。液面センサ６にお
いては、第１および第２のチューブ４，５に、薬液７に
対して不活性な窒素ガスを一定の圧力、例えば０．４Ｍ
Ｐａ（約４．０ｋｇｆ／ｃｍ2）で送り、薬液７中と大
気へ排出される圧力の差を検知して薬液７のレベルを検
出および表示し、本体制御部１２にレベル信号を送る。
されるように基準液面位置に第１のチューブ４が配置さ
れている。さらに、処理槽３の底部から少し上の位置に
第２のチューブ５が配置されている。液面センサ６にお
いては、第１および第２のチューブ４，５に、薬液７に
対して不活性な窒素ガスを一定の圧力、例えば０．４Ｍ
Ｐａ（約４．０ｋｇｆ／ｃｍ2）で送り、薬液７中と大
気へ排出される圧力の差を検知して薬液７のレベルを検
出および表示し、本体制御部１２にレベル信号を送る。
【００１６】本体制御部１２では、薬液供給部１５およ
び排液バルブ１３を駆動し、薬液７の排液時、第２のチ
ューブ５で液面センサ６が検知すれば、薬液を補給し、
また薬液７の供給時、第１のチューブ４で液面センサ６
が検知すれば、薬液７の供給を停止するように自動制御
する。
び排液バルブ１３を駆動し、薬液７の排液時、第２のチ
ューブ５で液面センサ６が検知すれば、薬液を補給し、
また薬液７の供給時、第１のチューブ４で液面センサ６
が検知すれば、薬液７の供給を停止するように自動制御
する。
【００１７】チューブ清掃手段８は、図２に示すように
チューブ９とバルブ１０とエア源１１とから構成され、
バルブ１０は自動的にまたは手動で操作できるように、
操作部にＯＲ（論理和）回路１６を接続し、自動操作端
子１７への信号入力とスイッチ１８の手動操作のいずれ
でもバルブ１０を操作できるようにしている。
チューブ９とバルブ１０とエア源１１とから構成され、
バルブ１０は自動的にまたは手動で操作できるように、
操作部にＯＲ（論理和）回路１６を接続し、自動操作端
子１７への信号入力とスイッチ１８の手動操作のいずれ
でもバルブ１０を操作できるようにしている。
【００１８】清掃に際しては、自動的または手動操作で
バルブ１０を開くことによりエア源１１からの所定の圧
力のエアをチューブ９を経由して第１および第２のチュ
ーブ４，５に送り、チューブ４，５内の反応生成物を除
去する。エア源１１としては、エアポンプを使用するこ
とができる。この清掃作業は、液交換毎の自動操作とし
てシーケンスに組み込んでおく場合と、作業者が判断し
てスイッチ１８をマニュアルで操作する場合がある。
バルブ１０を開くことによりエア源１１からの所定の圧
力のエアをチューブ９を経由して第１および第２のチュ
ーブ４，５に送り、チューブ４，５内の反応生成物を除
去する。エア源１１としては、エアポンプを使用するこ
とができる。この清掃作業は、液交換毎の自動操作とし
てシーケンスに組み込んでおく場合と、作業者が判断し
てスイッチ１８をマニュアルで操作する場合がある。
【００１９】以上の実施形態では、本発明を半導体洗浄
装置に適用する場合について説明したが、半導体製造以
外にも、処理槽を有し、エア式の液面レベルセンサを用
いた自動洗浄機であれば、同様に適用可能である。
装置に適用する場合について説明したが、半導体製造以
外にも、処理槽を有し、エア式の液面レベルセンサを用
いた自動洗浄機であれば、同様に適用可能である。
【００２０】
【発明の効果】本発明は、洗浄装置において、チューブ
に流体を圧送するチューブ清掃手段を設けたもので、簡
単な操作で反応生成物の除去を行うことができ、これに
より、液面センサの誤動作を未然に防止することができ
る。したがって、本発明により製造プロセスが改善さ
れ、生産性の向上を図ることができる。
に流体を圧送するチューブ清掃手段を設けたもので、簡
単な操作で反応生成物の除去を行うことができ、これに
より、液面センサの誤動作を未然に防止することができ
る。したがって、本発明により製造プロセスが改善さ
れ、生産性の向上を図ることができる。
【００２１】流体の流体源とチューブとの間の流体回路
に電磁弁を設けることにより、遠隔からの清掃指令が可
能であり、さらに、洗浄工程の薬液交換時に自動的に定
期的に清掃を行うことができる。
に電磁弁を設けることにより、遠隔からの清掃指令が可
能であり、さらに、洗浄工程の薬液交換時に自動的に定
期的に清掃を行うことができる。
【００２２】また、手動操作弁を設けることにより、チ
ューブが詰まったときの手動操作が可能で装置の保守が
容易である。
ューブが詰まったときの手動操作が可能で装置の保守が
容易である。
【図１】 本発明の実施形態の構成を示す概略図であ
る。
る。
【図２】 本実施形態の薬液交換時における動作説明図
である。
である。
【図３】 従来の洗浄装置の例を示す概略図である。
１ ウエーハ
２ カセット
３ 処理槽
４ 第１のチューブ
５ 第２のチューブ
６ 液面センサ
７ 薬液
８ チューブ清掃手段
９ チューブ
１０ バルブ
１１ エア源
１２ 本体制御部
１３ 排液バルブ
１４ 浸漬装置部
１５ 薬液供給部
１６ ＯＲ回路
１７ 自動操作端子
１８ スイッチ
Claims (4)
- 【請求項１】 薬液が供給される処理槽と、この処理槽
内に設置されたチューブと、このチューブ内にガスを一
定の圧力で送り、前記薬液中の圧力と大気の圧力との差
圧を検出して前記処理槽内の液面レベル信号を出力する
液面センサと、この液面センサによって出力された液面
レベル信号により前記処理槽内への薬液の供給、停止を
行う薬液供給手段とを備えた洗浄装置において、 前記チューブに流体を圧送するチューブ清掃手段を設け
たことを特徴とする洗浄装置。 - 【請求項２】 前記流体の流体源と前記チューブとの間
の流体回路に電磁弁を設けた請求項１記載の洗浄装置。 - 【請求項３】 前記電磁弁を洗浄工程の薬液交換時に自
動的に作動させるようにした請求項２記載の洗浄装置。 - 【請求項４】 前記流体の流体源と前記チューブとの間
の流体回路に手動操作弁を設けた請求項１記載の洗浄装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002032258A JP2003230868A (ja) | 2002-02-08 | 2002-02-08 | 洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002032258A JP2003230868A (ja) | 2002-02-08 | 2002-02-08 | 洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003230868A true JP2003230868A (ja) | 2003-08-19 |
Family
ID=27775434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002032258A Pending JP2003230868A (ja) | 2002-02-08 | 2002-02-08 | 洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003230868A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100385618C (zh) * | 2005-09-08 | 2008-04-30 | 联华电子股份有限公司 | 晶片洁净装置的晶片保护系统以及晶片清洗工艺 |
| CN102082201A (zh) * | 2010-11-29 | 2011-06-01 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 等浓度化学试剂补充装置 |
| CN102148285A (zh) * | 2010-12-29 | 2011-08-10 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 定容式精准自动补液装置 |
| CN102172582A (zh) * | 2010-12-29 | 2011-09-07 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 流量式精准自动补液装置 |
| CN102784765A (zh) * | 2012-08-30 | 2012-11-21 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 一种硅料酸洗设备连体槽 |
| CN107968134A (zh) * | 2017-11-09 | 2018-04-27 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 一种药液添加系统及方法 |
| CN116995003A (zh) * | 2023-09-28 | 2023-11-03 | 威海奥牧智能科技有限公司 | 基于空气泵的芯片刻蚀清洗液内循环控制系统和方法 |
-
2002
- 2002-02-08 JP JP2002032258A patent/JP2003230868A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100385618C (zh) * | 2005-09-08 | 2008-04-30 | 联华电子股份有限公司 | 晶片洁净装置的晶片保护系统以及晶片清洗工艺 |
| CN102082201A (zh) * | 2010-11-29 | 2011-06-01 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 等浓度化学试剂补充装置 |
| CN102148285A (zh) * | 2010-12-29 | 2011-08-10 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 定容式精准自动补液装置 |
| CN102172582A (zh) * | 2010-12-29 | 2011-09-07 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 流量式精准自动补液装置 |
| CN102784765A (zh) * | 2012-08-30 | 2012-11-21 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 一种硅料酸洗设备连体槽 |
| CN107968134A (zh) * | 2017-11-09 | 2018-04-27 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 一种药液添加系统及方法 |
| CN116995003A (zh) * | 2023-09-28 | 2023-11-03 | 威海奥牧智能科技有限公司 | 基于空气泵的芯片刻蚀清洗液内循环控制系统和方法 |
| CN116995003B (zh) * | 2023-09-28 | 2023-12-15 | 威海奥牧智能科技有限公司 | 基于空气泵的芯片刻蚀清洗液内循环控制系统和方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040817 |