JP2003229465A - Electrical inspection system and inspection method for semiconductor device - Google Patents

Electrical inspection system and inspection method for semiconductor device

Info

Publication number
JP2003229465A
JP2003229465A JP2002026350A JP2002026350A JP2003229465A JP 2003229465 A JP2003229465 A JP 2003229465A JP 2002026350 A JP2002026350 A JP 2002026350A JP 2002026350 A JP2002026350 A JP 2002026350A JP 2003229465 A JP2003229465 A JP 2003229465A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
inspection
semiconductor device
manufacturing process
test
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002026350A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3748823B2 (en
Inventor
Eiji Kurokawa
英治 黒川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Electronics Corp
Original Assignee
NEC Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Electronics Corp filed Critical NEC Electronics Corp
Priority to JP2002026350A priority Critical patent/JP3748823B2/en
Publication of JP2003229465A publication Critical patent/JP2003229465A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3748823B2 publication Critical patent/JP3748823B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve efficiency in an inspection and to shorten inspection time by automatically selecting an optimum test program and performing the electrical inspection of a semiconductor device. <P>SOLUTION: Manufacture process information J1 is transmitted from a manufacture process host 11 to a wafer test host 21 and the wafer test host 21 refers to a correspondence chart 212, and decides a wafer specification code J2. The wafer test host 21 transmits the wafer specification code J2 to an electrical inspection device 22, and the electrical inspection device 22 selects a test program and then executes the electrical inspection. Since the test program suitable for the inspection of each semiconductor device is selected on the basis of the manufacture process information J1 and the electrical inspection is executed, the efficiency of the electrical inspection is improved, the inspection time is shortened and the burdens of the correction and alteration, etc., of the test program are reduced. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はウェハ上に複数個の
チップを形成する半導体装置(以下、単にウェハと称す
る)の製造プロセス情報を反映した電気的検査技術に関
し、特にウェハ製造プロセス情報から求められるウェハ
スペック情報に従って自動的に電気的検査項目及び検査
判定基準を変更できるようにした電気的検査システム及
び検査方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrical inspection technique that reflects manufacturing process information of a semiconductor device (hereinafter simply referred to as a wafer) in which a plurality of chips are formed on a wafer, and particularly, it is obtained from the wafer manufacturing process information. The present invention relates to an electric inspection system and an inspection method capable of automatically changing an electric inspection item and an inspection judgment standard according to wafer specification information.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置の製造においては、半導体ウ
ェハに対してフォトレジストマスク形成、不純物の拡
散、成膜、エッチング等の各種処理を行ってウェハに複
数のチップとなる半導体装置を形成する工程(以下、製
造プロセスと称する)と、このようなチップとなる半導
体装置を形成したウェハに対して電気的な検査を行う工
程(以下、電気的検査プロセスと称する)が行われる。
このような製造プロセスによりチップが製造されたウェ
ハに対して電気的検査プロセスを行う製造技術では、適
正な電気的検査を実現するために、製造プロセスにおい
て得られた各種情報や過去の電気的検査プロセスにより
得られた情報に基づいて電気的検査工程におけるテスト
プログラムを作成することが好ましい。
2. Description of the Related Art In manufacturing a semiconductor device, a semiconductor wafer is subjected to various processes such as formation of a photoresist mask, diffusion of impurities, film formation and etching to form a semiconductor device which becomes a plurality of chips on the wafer. (Hereinafter, referred to as a manufacturing process), a step of electrically inspecting a wafer on which a semiconductor device such as a chip is formed (hereinafter, referred to as an electrical inspection process) is performed.
In the manufacturing technology that performs an electrical inspection process on a wafer on which chips are manufactured by such a manufacturing process, various information obtained in the manufacturing process and past electrical inspections are performed in order to realize an appropriate electrical inspection. It is preferable to create a test program in the electrical inspection step based on the information obtained by the process.

【0003】図7はこのような要求に基づく従来の製造
技術を説明するためのブロック工程図である。製造プロ
セスホスト11には、前記したような製造プロセスを実
行するための各種装置(以下、製造装置群と称する)1
2においてウェハに対する製造を行った際の多くの製造
プロセス情報J1がこれら製造装置群12から送信され
ている。半導体装置の製造技術者は、この製造プロセス
ホスト11に送信されてきた製造プロセス情報J1を収
集しデータ解析を行う(S301)。そして、このデー
タ解析に基づいて、ウエハの電気的検査プロセスで行う
テストの内容及び判定基準の最適化を行い(S30
2)、その上で最適化されたテストプログラムの作成を
行っている(S303)。そして、ウェハテストホスト
21から電気的検査装置22に対して、当該テストプロ
グラムを対象ウェハの検査に適用するテストプログラム
として送信し、電気的検査装置22のテストプログラム
格納部224に格納する。電気的検査装置22は格納さ
れたテストプログラムをテストプログラム実行部223
へ読込み、このテストプログラムに基づいてウェハの検
査を実行する。さらに、電気的検査装置22で実行され
たテストのテスト結果情報はウェハテストホスト21へ
送信され、技術者はこのテスト結果情報を含めて前記ス
テップS301でのデータ解析を行い、テスト内容の見
直しを行ってテストプログラムの修正、改定等を行い、
製造プロセスの能力向上及びテスト精度の向上を図って
いる。
FIG. 7 is a block process diagram for explaining a conventional manufacturing technique based on such requirements. The manufacturing process host 11 includes various devices (hereinafter, referred to as a manufacturing device group) 1 for executing the above manufacturing process.
A lot of manufacturing process information J1 when the wafer is manufactured in 2 is transmitted from the manufacturing device group 12. The semiconductor device manufacturing engineer collects the manufacturing process information J1 transmitted to the manufacturing process host 11 and analyzes the data (S301). Then, based on this data analysis, the contents of the test and the judgment standard performed in the wafer electrical inspection process are optimized (S30).
2) Then, an optimized test program is created (S303). Then, the wafer test host 21 transmits the test program to the electrical inspection apparatus 22 as a test program applied to the inspection of the target wafer, and stores it in the test program storage unit 224 of the electrical inspection apparatus 22. The electrical inspection device 22 uses the stored test program as the test program execution unit 223.
Read in, and the wafer inspection is executed based on this test program. Further, the test result information of the test executed by the electrical inspection device 22 is transmitted to the wafer test host 21, and the technician analyzes the data including the test result information in step S301 to review the test content. I am going to modify and revise the test program,
We are working to improve the manufacturing process capability and test accuracy.

【0004】このように従来の検査技術では、技術者に
より作成されたテストプログラムは、同一のテストプロ
グラムを適用する製品群全てのウェハに適用される。こ
れは製造プロセスの結果によらず同一のテストが実施さ
れることを意味しており、そのため、高い品質が要求さ
れる製品(ウェハ)のテストを適正化すべくテストプロ
グラムが設計された場合には、テスト項目も多くなるた
めテスト時間が多くかかるという問題が生じる。特に、
製造プロセスにおいて高い品質が確保可能な製品種が存
在する場合でも、他の製品種の品質が確保されない限り
テストプログラムを修正、改定することができないた
め、高い品質の製品種に対しては結果として無駄なテス
トが実行されることになってしまう。また、従来の検査
技術では、技術者がテスト結果に基づいてテストプログ
ラムの見直しを行っているため、製品種が異なるウェハ
に対して適正なテストプログラムを作成するのに時間が
かかり、製造プロセスでの製造に遅れが生じることにな
る。
As described above, in the conventional inspection technique, the test program created by the engineer is applied to all the wafers of the product group to which the same test program is applied. This means that the same test is performed regardless of the result of the manufacturing process. Therefore, when a test program is designed to optimize the test of products (wafers) that require high quality, However, the number of test items increases, which causes a problem that the test time is long. In particular,
Even if there are product types that can ensure high quality in the manufacturing process, the test program cannot be modified or revised unless the quality of other product types is ensured. Useless tests will be executed. In addition, in the conventional inspection technology, because the technician reviews the test program based on the test results, it takes time to create an appropriate test program for wafers with different product types, and the manufacturing process Will be delayed.

【0005】この問題に対しては、特開2000−30
8151号公報には検査工程における無駄なテストを省
略する技術が提案されている。すなわち、ウェハ製造や
パターン製造の各工程での情報を生産情報テーブルに記
録する。また、ウェハの電気的検査である機能テストで
得られたテスト結果を生産情報テーブルに記録する。そ
して、最後に行うリペア演算では、生産情報テーブルに
記録された各種情報に基づいて、一部の演算を省略した
り特定の演算を他の演算に先行して行うことで、リペア
演算での効率を高め、時間の短縮を図っている。
To solve this problem, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-30
Japanese Patent No. 8151 proposes a technique for omitting a wasteful test in an inspection process. That is, information on each process of wafer manufacturing and pattern manufacturing is recorded in the production information table. Also, the test result obtained by the functional test, which is an electrical inspection of the wafer, is recorded in the production information table. Then, in the last repair operation, based on various information recorded in the production information table, by omitting some operations or performing specific operations before other operations, the efficiency of repair operations is improved. To increase the time and reduce the time.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】この公報の技術では、
生産情報テーブルに記録された製造情報やテスト結果情
報を参照してリペア演算における演算の省略等を行う場
合の方法については提案されているものの、どのような
システムで行うのかについては提案されていない。その
ため、生産情報テーブルに記録された情報を参照して演
算の省略等を行う場合には、技術者が当該情報を参照し
てリペア演算における演算の省略等の処理を行なうもの
と考えられ、図7に示した従来技術における問題を解消
することは困難である。また、公報の技術は生産情報テ
ーブルに記録された情報を参照して予め設定されている
プログラムの一部を省略し、あるいは順序を変更する技
術であるため、製品種が異なるウェハ、すなわち異なる
テストプログラムが適用されるウェハに対しては、その
つど技術者が適正なテストプログラムを設定して当該テ
ストプログラムでのテストを実行する必要があり、この
点で電気的検査の効率を高めて時間の短縮を図ることは
困難である。
SUMMARY OF THE INVENTION In the technique of this publication,
Although a method has been proposed for omitting operations in repair operations by referring to the manufacturing information and test result information recorded in the production information table, no proposal has been made as to what kind of system should be used. . Therefore, when performing an operation omission or the like by referring to the information recorded in the production information table, it is considered that an engineer refers to the information and performs the operation such as omission of the operation in the repair operation. It is difficult to solve the problem in the prior art shown in FIG. Further, since the technology of the publication is a technology of omitting a part of a preset program or changing the order by referring to the information recorded in the production information table, wafers of different product types, that is, different test For each wafer to which the program is applied, it is necessary for the engineer to set an appropriate test program and execute the test in the relevant test program. It is difficult to shorten it.

【0007】本発明の目的は、異なる製品種のウェハに
対して自動的にテストプログラムを選定し、かつ選定し
たテストプログラムに基づいて電気的検査を実行するこ
とを可能にして半導体装置の電気的検査の効率の向上及
び時間の短縮を図った電気的検査システム及び検査方法
を提供するものである。
An object of the present invention is to make it possible to automatically select a test program for wafers of different product types, and to execute an electrical inspection based on the selected test program, thereby making it possible to electrically test a semiconductor device. The present invention provides an electrical inspection system and an inspection method for improving inspection efficiency and shortening the time.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の電気的検査シス
テムは、半導体装置を製造する製造プロセス部と、製造
された半導体装置の電気的検査を行う電気的検査プロセ
ス部とを備えて構成され、半導体装置の製造時において
得られた当該半導体装置の製造プロセス情報を取得する
手段と、製造プロセス情報に基づいて当該半導体装置の
ウェハスペックコードを設定する手段と、設定されたウ
ェハスペックコードに基づいて電気的検査プロセス部に
おけるテストプログラムを選定する手段とを備えること
を特徴とする。
An electrical inspection system of the present invention comprises a manufacturing process unit for manufacturing a semiconductor device and an electrical inspection process unit for electrically testing the manufactured semiconductor device. A means for obtaining manufacturing process information of the semiconductor device obtained at the time of manufacturing the semiconductor device, a means for setting a wafer spec code of the semiconductor device based on the manufacturing process information, and a means for setting the wafer spec code And means for selecting a test program in the electrical inspection process section.

【0009】例えば、製造プロセス部には、前記半導体
装置を製造するための製造装置と、製造された半導体装
置の特性チェックや外観検査を行う検査装置と、製造装
置及び検査装置からの製造プロセス情報を取得して電気
的検査プロセス部に送信する製造プロセスホストとを備
え、電気的検査プロセス部には、製造プロセス情報から
送信された製造プロセス情報に基づいて当該半導体装置
のウェハスペックコードを設定して送信するウェハテス
トホストと、送信されてくる前記ウェハスペックコード
に対応するテストプログラムを選定し、当該選定したテ
ストプログラムに基づいて半導体装置の電気的検査を行
う電気的検査装置とを備える構成とする。
For example, the manufacturing process section includes a manufacturing device for manufacturing the semiconductor device, an inspection device for checking characteristics of the manufactured semiconductor device and an appearance inspection, and manufacturing process information from the manufacturing device and the inspection device. And a manufacturing process host that acquires and transmits to the electrical inspection process unit, the electrical inspection process unit sets a wafer spec code of the semiconductor device based on the manufacturing process information transmitted from the manufacturing process information. A wafer test host for transmitting the data, and an electrical inspection device for selecting a test program corresponding to the transmitted wafer spec code and electrically inspecting the semiconductor device based on the selected test program. To do.

【0010】あるいは、製造プロセス部には、半導体装
置を製造するための製造装置と、製造された半導体装置
の特性チェックや外観検査を行う検査装置と、製造装置
及び検査装置からの製造プロセス情報を取得し、当該製
造プロセス情報に基ついて当該半導体装置のウェハスペ
ックコードを設定して電気的検査プロセス部に送信する
製造プロセスホストとを備え、電気的検査プロセス部に
は、製造プロセス情報から送信されたウェハスペックコ
ードを送信するウェハテストホストと、送信されてくる
ウェハスペックコードに対応するテストプログラムを選
定し、当該選定したテストプログラムに基づいて半導体
装置の電気的検査を行う電気的検査装置とを備える構成
とする。
Alternatively, the manufacturing process section includes a manufacturing device for manufacturing a semiconductor device, an inspection device for checking the characteristics and appearance of the manufactured semiconductor device, and manufacturing process information from the manufacturing device and the inspection device. A manufacturing process host that acquires and sets the wafer spec code of the semiconductor device based on the manufacturing process information and sends the code to the electrical inspection process unit. A wafer test host that transmits the wafer spec code, and an electrical inspection device that selects a test program corresponding to the transmitted wafer spec code and electrically inspects the semiconductor device based on the selected test program. The configuration is provided.

【0011】ここで、電気的検査装置には、予め複数の
テストプログラムを格納する手段を備え、送信されてく
るウェハスペックコードに基づいていずれかのテストプ
ログラムを選定する構成とすることが好ましい。また、
製造プロセスホスト又はウェハテストホストには、製造
プロセス情報に基づいてウェハスペックコードを定義す
る対応表を備える構成とする。
Here, it is preferable that the electrical inspection apparatus is provided with means for storing a plurality of test programs in advance, and one of the test programs is selected based on the transmitted wafer spec code. Also,
The manufacturing process host or the wafer test host is provided with a correspondence table that defines a wafer spec code based on the manufacturing process information.

【0012】また、本発明の検査方法は、製造プロセス
部において形成された半導体装置の製造工程履歴情報、
外観検査情報、特性検査情報を製造プロセス情報として
取得する工程と、製造プロセス情報から当該半導体装置
のウェハスペックコードを設定する工程と、複数のテス
トプログラムの中から設定されたウェハスペックコード
に対応するテストプログラムを選定し、当該テストプロ
グラムに基づいて半導体装置の電気的検査を実行するこ
とを特徴とする。ここで、ウェハスペックコードの設定
は、製造プロセス情報とウェハスペックコードとを対応
付ける対応表に基づいて行う。また、電気的検査では、
ウェハスペックコードをパラメータとして、検査項目、
検査順番、検査判定基準の異なる複数のテストプログラ
ムのいずれかを選定する。
In addition, the inspection method of the present invention, the manufacturing process history information of the semiconductor device formed in the manufacturing process section,
Corresponding to a step of acquiring appearance inspection information and characteristic inspection information as manufacturing process information, a step of setting a wafer spec code of the semiconductor device from the manufacturing process information, and a wafer spec code set from a plurality of test programs. It is characterized in that a test program is selected and an electrical inspection of the semiconductor device is executed based on the test program. Here, the wafer spec code is set based on a correspondence table that associates the manufacturing process information with the wafer spec code. Also, in the electrical inspection,
Inspection items using the wafer spec code as a parameter
Select one of multiple test programs with different inspection order and inspection criteria.

【0013】本発明によれば、製造されたウェハの製造
プロセス情報に基づいて当該ウェハに対するウェハスペ
ックコードを決定し、このウェハスペックコードに基づ
いて電気的検査でのテストプログラムを選定しているの
で、予め複数のテストプログラムを用意するとともに、
各テストプログラムとウェハスペックコードとの対応を
設定しておくことにより、テストプログラムの選定を技
術者の判断、作業に基づくことなく自動的に行うことが
でき、当該ウェハに対する最適なテスト条件でのテスト
を実行でき、しかも検査効率の向上及び時間の短縮が可
能になる。
According to the present invention, the wafer spec code for the wafer is determined based on the manufacturing process information of the manufactured wafer, and the test program for the electrical inspection is selected based on the wafer spec code. , While preparing multiple test programs in advance,
By setting the correspondence between each test program and the wafer spec code, the test program can be automatically selected without the technician's judgment and work, and the optimum test conditions for the wafer can be set. The test can be executed, and the inspection efficiency and time can be shortened.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明の第1
の実施形態の電気的検査方法を実現するための電気的検
査システムのブロック構成図であり、製造プロセス部1
0と電気的検査プロセス部20を備えて構成されてい
る。製造プロセス部10は、図には表れないウェハに対
してチップを形成するための製造プロセスで使用される
図外の拡散装置、エッチング装置、露光装置等の1又は
複数の製造設備からなる製造設備群12が備えられ、こ
の製造設備群12で製造されたウェハに対して外観検査
を行うための外観検査装置13と、製造されたウェハの
特性をチェックするための特性チェッカ14とが備えら
れる。そして、前記製造設備群12、外観検査装置1
3、特性チェッカ14はネットワーク回線1に接続され
ており、このネットワーク回線1には製造プロセスホス
ト15が接続されている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows the first of the present invention.
2 is a block configuration diagram of an electrical inspection system for realizing the electrical inspection method of the embodiment of FIG.
0 and an electrical inspection process unit 20. The manufacturing process unit 10 is a manufacturing facility including one or a plurality of manufacturing facilities such as a diffusion device, an etching device, and an exposure device, which are used in a manufacturing process for forming chips on a wafer not shown in the drawing. A group 12 is provided, and an appearance inspection device 13 for performing an appearance inspection on the wafers manufactured by the manufacturing equipment group 12 and a characteristic checker 14 for checking the characteristics of the manufactured wafers are provided. Then, the manufacturing facility group 12 and the appearance inspection device 1
3. The characteristic checker 14 is connected to the network line 1, and the manufacturing process host 15 is connected to the network line 1.

【0015】前記外観検査装置13は製造されたウェハ
の外観検査を実行し、その検査結果をネットワーク回線
1を介して製造プロセスホスト11に報告する。また、
特性チェッカ14はウェハ上のチップの電気的特性を測
定し、その測定結果をネットワーク回線1を介して製造
プロセスホスト11に報告する。さらに、前記製造設備
群12は、製造工程作業中に異常が発生した場合に、異
常が発生したことをネットワーク回線1を介して製造プ
ロセスホスト11に報告する。製造プロセスホスト11
は製造DB(データベース)15にこれらの検査結果、
測定結果、異常状態等の製造プロセス情報を格納する。
The appearance inspection apparatus 13 executes the appearance inspection of the manufactured wafer, and reports the inspection result to the manufacturing process host 11 via the network line 1. Also,
The characteristic checker 14 measures the electrical characteristics of the chip on the wafer and reports the measurement result to the manufacturing process host 11 via the network line 1. Further, the manufacturing facility group 12 reports the occurrence of the abnormality to the manufacturing process host 11 via the network line 1 when the abnormality occurs during the manufacturing process work. Manufacturing process host 11
In the manufacturing DB (database) 15 for these inspection results,
Stores manufacturing process information such as measurement results and abnormal conditions.

【0016】一方、電気的検査プロセス部20は、前記
製造プロセス部10につながる前記ネットワーク回線1
に接続された電気的検査装置22が備えられる。前記電
気的検査装置22として、ここでは製造されたウェハ上
のチップの電気的検査を行うテスタ23と、前記テスタ
23に接続されてウェハのハンドリングを行うプローバ
24と、ウェハ状態で一括して加速度試験を行うウェハ
レベルバーンイン装置25を備えているものとする。そ
して、前記電気的検査装置22には前記ネットワーク回
線1を介してウエハテストホスト21が接続されてい
る。前記ウエハテストホスト21は前記電気的検査装
置、すなわち、ここではテスタ23、プローバ24、ウ
ェハレベルバーンイン装置25に対して電気的検査を実
施するための作業条件を通知するとともに、テスタ2
3、プローバ24、ウエハレベルバーンイン装置25か
ら電気的検査結果の報告を受ける。これらの電気的検査
結果はウェハテストDB(データベース)26に格納さ
れる。
On the other hand, the electrical inspection process section 20 has the network line 1 connected to the manufacturing process section 10.
And an electrical inspection device 22 connected to the. As the electrical inspection device 22, here, a tester 23 that electrically inspects manufactured chips on a wafer, a prober 24 that is connected to the tester 23 to handle a wafer, and a collective acceleration in a wafer state are performed. It is assumed that a wafer level burn-in device 25 for testing is provided. A wafer test host 21 is connected to the electrical inspection device 22 via the network line 1. The wafer test host 21 notifies the electrical inspection apparatus, that is, the tester 23, the prober 24, and the wafer level burn-in apparatus 25 of the working conditions for performing the electrical inspection, and the tester 2
3. Receive reports of electrical inspection results from the prober 24 and the wafer level burn-in device 25. These electrical inspection results are stored in the wafer test DB (database) 26.

【0017】図2は前記ウェハテストホストと電気的検
査装置の内部構成を示すブロック構成図であり、図1に
対応する部分には同一符号を付してある。前記ウェハテ
ストホスト21は、前記製造プロセスホスト11から通
信またはファイル転送または、直接ウェハテストDB2
6に書き込みされる製造プロセス情報J1を受信する製
造プロセス情報取り込み手段211と、受信した製造プ
ロセス情報J1をウェハスペック情報としてのウェハス
ペックコードJ2に変換するための製造プロセス情報−
ウェハスペックコード対応表212(以下対応表と称
す)と、これら製造プロセス情報J1を対応表212に
対応させて最終的にウェハスペックコードJ2を決定
し、電気的検査装置22へ送信するためのウエハスペッ
クコード決定部213を有している。前記対応表212
は、過去のウェハ製造の経験則に基づいて技術者が条件
登録することにより作成される
FIG. 2 is a block diagram showing the internal arrangements of the wafer test host and the electrical inspection apparatus, and the portions corresponding to those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals. The wafer test host 21 communicates with or transfers files from the manufacturing process host 11 or directly from the wafer test DB 2
Manufacturing process information fetching means 211 for receiving the manufacturing process information J1 written in 6 and manufacturing process information for converting the received manufacturing process information J1 into a wafer spec code J2 as wafer spec information.
A wafer spec code correspondence table 212 (hereinafter referred to as a correspondence table) and a wafer for finally determining the wafer spec code J2 by associating the manufacturing process information J1 with the correspondence table 212 and transmitting the wafer spec code J2 to the electrical inspection apparatus 22. It has a spec code determination unit 213. Correspondence table 212
Are created by engineers registering conditions based on past wafer manufacturing rules of thumb

【0018】また、前記電気的検査装置22は、ウェハ
テストホスト21から送信されるウェハスペックコード
J2を受信して装置内に取り込むためのウェハスペック
コード取り込み部221と、取り込んだウェハスペック
コードJ2をテストプログラム実行部223に引き渡す
ためのウェハスペックコード転送部222と、引き渡さ
れたウェハスペックコードJ2に基づいてテストプログ
ラムを選定ないし設定し、このテストプログラムに基づ
いて実際にテストプログラムを実行するためのテストプ
ログラム実行部223を備えている。また、前記電気的
検査装置22には、テストプログラム格納部224を備
えており、このテストプログラム格納部224には複数
の異なるテストプログラムが予め格納されており、前記
テストプログラム実行部223はこれらの格納されたテ
ストプログラムから実行するテストプログラムを選定す
る。
Further, the electrical inspection apparatus 22 receives the wafer spec code J2 transmitted from the wafer test host 21 and takes in the wafer spec code fetching section 221 for fetching it into the apparatus, and the fetched wafer spec code J2. A wafer spec code transfer unit 222 for delivering to the test program execution unit 223, and a test program selected or set based on the delivered wafer spec code J2, for actually executing the test program based on this test program. The test program execution unit 223 is provided. Further, the electrical inspection device 22 includes a test program storage unit 224, and a plurality of different test programs are stored in advance in the test program storage unit 224, and the test program execution unit 223 stores these test programs. Select the test program to be executed from the stored test programs.

【0019】以上の構成の電気的検査システムによるウ
ェハの電気的検査方法を図3のフローチャートを参照し
て説明する。先ず、ステップS101では、ウェハの製
造プロセス部10において製造装置群12を用いてウェ
ハ上にチップの製造を行なっている。ここで、仮に製造
装置群12での製造工程中に異常が発生した場合は、ス
テップS102,S103,S104に従い、製造装置
群12は製造プロセスホスト11に対して異常履歴を報
告し、製造プロセスホスト11はその異常履歴を製造D
B15に格納する。次いで、製造プロセス部10におい
ては、特性チェッカ14において製造されたウェハのチ
ップに対してトランジスタ等の素子の特性検査が実行さ
れ(S105)、特性検査結果が製造プロセスホスト1
1に報告され、製造DB15に格納される(S106,
S107)。また、外観検査装置13において製造され
たウェハの外観検査が行われ、検査結果が製造プロセス
ホスト11に報告され、製造DB15に格納される(S
108,S109)。
A method of electrically inspecting a wafer by the electrical inspection system having the above configuration will be described with reference to the flowchart of FIG. First, in step S101, the wafer manufacturing process unit 10 uses the manufacturing apparatus group 12 to manufacture chips on the wafer. Here, if an abnormality occurs during the manufacturing process in the manufacturing apparatus group 12, the manufacturing apparatus group 12 reports the abnormality history to the manufacturing process host 11 according to steps S102, S103, and S104, and the manufacturing process host 11 manufactures the abnormality history D
Store in B15. Next, in the manufacturing process unit 10, the characteristic inspection of elements such as transistors is performed on the chips of the wafer manufactured in the characteristic checker 14 (S105), and the characteristic inspection result is the manufacturing process host 1
1 and is stored in the manufacturing DB 15 (S106,
S107). Further, the appearance inspection of the manufactured wafer is performed in the appearance inspection device 13, the inspection result is reported to the manufacturing process host 11, and stored in the manufacturing DB 15 (S
108, S109).

【0020】以上のようにウェハに対する製造及びその
検査が完了すると、製造プロセスホスト11はネットワ
ーク回線1を介して製造DB15に格納された前述の各
情報、すなわち製造プロセス情報J1をウエハテストホ
スト21に対して転送する(S111)。この送信手段
としては通信電文またはファイル転送またはデータベー
スへの直接書き込みが用いられる。次いで、ウェハテス
トホスト21は製造プロセスホスト11から受信した製
造プロセス情報J1と、ウェハテストホスト21の対応
表212を対照して、製造プロセスが完了した製品に対
してウェハスペックコードを決定する(S111)。
When the manufacturing and the inspection of the wafer are completed as described above, the manufacturing process host 11 sends the above-mentioned information stored in the manufacturing DB 15 via the network line 1, that is, the manufacturing process information J1 to the wafer test host 21. It is transferred to (S111). Communication means, file transfer, or direct writing to a database is used as this transmission means. Next, the wafer test host 21 compares the manufacturing process information J1 received from the manufacturing process host 11 with the correspondence table 212 of the wafer test host 21 to determine the wafer spec code for the product for which the manufacturing process is completed (S111). ).

【0021】図4は本実施形態において用いられる対応
表の一例である。本対応表では、製造プロセス情報J1
として特性チェック結果J11、外観不良率J12、製
造装置での工程異常報告回数J13が設定されている。
そして、この対応表に基づいて送信されてきた製造プロ
セス条件に対応するウェハスペックコードJ2が求めら
れる。例えば、当該ウェハの特性チェック結果が歩留り
=97.5%、外観不良率=3%、工程異常報告回数=0回
のとき、このウェハのウェハスペックコードJ2は
“B”となる。
FIG. 4 is an example of a correspondence table used in this embodiment. In this correspondence table, the manufacturing process information J1
A characteristic check result J11, a defective appearance rate J12, and a process abnormality report count J13 in the manufacturing apparatus are set.
Then, the wafer spec code J2 corresponding to the manufacturing process condition transmitted based on this correspondence table is obtained. For example, when the characteristic check result of the wafer is yield = 97.5%, defective appearance rate = 3%, and process abnormality report count = 0, the wafer spec code J2 of this wafer is “B”.

【0022】再度図3において、製造されたウェハが電
気的検査装置にまで移送されて電気的検査が実行される
際に、当該ウェハのロットに対して電気的検査装置22
よりウェハテストホスト21へ検査作業の開始条件問合
せが行われる。このとき、ウェハテストホスト21は当
該ウェハのロットに対して求められているウェハスペッ
クコードJ2を認識し、このウェハスペックコードJ2
を電気的検査装置22に対して送信する(S112)。
電気的検査装置22はウェハスペックコード取り込み部
221においてウェハスペックコードJ2を受信する
と、受信したウェハスペックコードJ2を転送部222
からテストプログラム実行部223へ送信する。そし
て、テストプログラム実行部223では、送信されたウ
ェハスペックコードJ2に基づいてテスト内容及び判定
基準値を変更し、これに対応するテストプログラムを予
め電気的検査装置22のテストプログラム格納部224
に格納されている複数のテストプログラムの中から選択
し、あるいは複数のテストプログラムを組み合わせて選
択し、さらにはテストプログラムの一部を変更して当該
条件を満たすテストプログラムとして選定し、その上で
選定したテストプログラムに基づいてテストを実行する
(S113,S114)。
Referring again to FIG. 3, when the manufactured wafer is transferred to the electrical inspection apparatus and the electrical inspection is performed, the electrical inspection apparatus 22 is applied to the lot of the wafer.
Inquiries are made to the wafer test host 21 about the conditions for starting the inspection work. At this time, the wafer test host 21 recognizes the wafer spec code J2 required for the lot of the wafer, and the wafer spec code J2
Is transmitted to the electrical inspection device 22 (S112).
Upon receiving the wafer spec code J2 in the wafer spec code fetching unit 221, the electrical inspection apparatus 22 transfers the received wafer spec code J2 to the transfer unit 222.
To the test program execution unit 223. Then, in the test program execution unit 223, the test content and the judgment reference value are changed based on the transmitted wafer spec code J2, and the test program corresponding thereto is previously stored in the test program storage unit 224 of the electrical inspection apparatus 22.
Select from a plurality of test programs stored in, or a combination of a plurality of test programs, and further modify a part of the test programs to select as a test program that meets the conditions, and then A test is executed based on the selected test program (S113, S114).

【0023】図5はこのステップS114におけるテス
トプログラムの選定・実行動作の詳細を示すフローチャ
ートである。前述のように、電気的検査装置22はウェ
ハテストホスト21に対してウェハスペックコードの問
い合わせを行い(S201)、これに対してウェハテス
トホスト21からウェハスペックコードJ2が送信され
てくると(S202)、このウェハスペックコードJ2
を認識し、認識したウェハスペックコードJ2に対応す
るテスト内容、テスト結果判定基準のテストプログラム
を選定し、あるいは複数のテストプログラムの組み合わ
せを選定し、この選定したテストプログラムを起動する
(S203)。次いで、テストを実行するが、その際に
はウェハスペックコードJ2を引数として読み込み(S
204)、テストプログラム内部での分岐を決定する。
例えば、ウェハスペックコード=“A”のウェハをテス
トする場合は、ステップS205でウェハスペックコー
ド=B時のテスト内容を実行し(S206A)、ステッ
プS207Aでウェハスペックコード=“A”用の判定
基準でテスト結果を判定する。また、ウェハスペックコ
ード=“B”のウェハをテストする場合は、ステップS
205でウェハスペックコード=B時のテスト内容を実
行し(S206B)、ステップS207Bでウェハスぺ
ックコード=“B”用の判定基準でテスト結果を判定す
る。テスト完了後は、ステップS208で、被測定チッ
プのテスト結果を設定するが、例えば、ウェハスペック
コード“A”のチップCH1のテスト結果が良品判定の
場合は、チップCH1=PASS=ウェハスペック:A
という判定結果を情報として付加し、電気的検査装置は
この結果を保持する。そして、ステップS209,S2
10においてウェハの全てのチップに対してテストを実
行した後、図3に示すように、この判定結果をウェハテ
ストホスト21へ送信し検査作業を終了する(S11
5)。
FIG. 5 is a flow chart showing details of the test program selection / execution operation in step S114. As described above, the electrical inspection apparatus 22 inquires of the wafer test host 21 about the wafer spec code (S201), and when the wafer test host 21 sends the wafer spec code J2 (S202). ), This wafer spec code J2
Is selected, a test content corresponding to the recognized wafer spec code J2, a test program for a test result determination criterion is selected, or a combination of a plurality of test programs is selected, and the selected test program is activated (S203). Next, a test is executed, and at that time, the wafer spec code J2 is read as an argument (S
204), determine the branch within the test program.
For example, in the case of testing a wafer with a wafer spec code = “A”, the test contents when the wafer spec code = B is executed in step S205 (S206A), and the judgment criteria for the wafer spec code = “A” in step S207A. Determine the test result with. When testing a wafer having a wafer spec code = “B”, step S
At 205, the test content when the wafer spec code = B is executed (S206B), and at step S207B, the test result is judged by the judgment standard for the wafer spec code = “B”. After the test is completed, the test result of the chip to be measured is set in step S208. For example, if the test result of the chip CH1 of the wafer spec code “A” is non-defective, the chip CH1 = PASS = wafer spec: A
The determination result is added as information, and the electrical inspection apparatus holds this result. Then, steps S209 and S2
After performing the test on all the chips of the wafer in 10, the determination result is transmitted to the wafer test host 21 and the inspection work is completed as shown in FIG. 3 (S11).
5).

【0024】このように、本実施形態によれば、製造さ
れたウェハの製造プロセス情報に基づいて当該ウェハに
対するウェハスペックコードを決定し、このウェハスペ
ックコードに基づいて電気的検査でのテストプログラム
を選定しているので、予め複数のテストプログラムを用
意するとともに、各テストプログラムとウェハスペック
コードとの対応を設定しておくことにより、テストプロ
グラムの選定を技術者の判断、作業に基づくことなく自
動的に行うことができ、当該ウェハに対する最適なテス
ト条件でのテストを実行でき、検査効率の向上及び時間
の短縮が可能になる。また、製造プロセスにおいて製造
されたウェハのうち、品質の悪い製品は、テスト規格を
厳しくしたり、逆に製品品質を落として、テスト規格を
緩和することができ、ウェハの製造品質に応じたテスト
を実現することが可能になる。また、これにより、製造
される半導体製品の組立前にウエハ検査レベルで分類で
きることになり、当該半導体製品の組立前に予め高品質
の製品と、低品質の製品というように分類して組立投入
を行うことも可能になる。
As described above, according to this embodiment, the wafer spec code for the wafer is determined based on the manufacturing process information of the manufactured wafer, and the test program for the electrical inspection is determined based on the wafer spec code. Since multiple test programs are prepared in advance and the correspondence between each test program and the wafer spec code is set in advance, the test program is automatically selected without being determined by an engineer or based on work. It is possible to perform the test under optimum test conditions for the wafer, and it is possible to improve the inspection efficiency and shorten the time. In addition, among the wafers manufactured in the manufacturing process, for poor quality products, the test standards can be relaxed by tightening the test standards or conversely lowering the product quality. Can be realized. In addition, this makes it possible to classify semiconductor products to be manufactured at the wafer inspection level before assembling them, and classify them into high-quality products and low-quality products in advance before assembling the semiconductor products. It becomes possible to do it.

【0025】図6は本発明の第2の実施形態のブロック
構成図であり、特に製造プロセスホスト11とウェハテ
ストホスト21の構成を示す図である。なお、図2と等
価な部分には同一符号を付してある。前記した第1の実
施形態ではウェハテストホスト21内に対応表を備え、
製造プロセスホスト11からの製造プロセス条件に基づ
いてウェハスペックコードを設定しているが、本実施形
態では製造プロセスホスト11内に対応表212とウェ
ハスペックコード決定部213を備え、製造装置群12
等から製造プロセス情報J1が入力されたときに製造プ
ロセスホスト11内においてウェハスペックコードJ2
を決定し、このウェハスペックコードJ2をウェハテス
トホスト21に対して送信するように構成している。し
たがって、ウェハテストホスト21にはウェハスペック
コード送信部214のみが設けられる。
FIG. 6 is a block diagram showing the configuration of the second embodiment of the present invention, and particularly showing the configurations of the manufacturing process host 11 and the wafer test host 21. The same parts as those in FIG. 2 are designated by the same reference numerals. In the above-described first embodiment, the correspondence table is provided in the wafer test host 21,
The wafer spec code is set based on the manufacturing process conditions from the manufacturing process host 11. However, in the present embodiment, the correspondence table 212 and the wafer spec code determination unit 213 are provided in the manufacturing process host 11, and the manufacturing device group 12 is provided.
When the manufacturing process information J1 is input from the above, the wafer spec code J2 is set in the manufacturing process host 11.
Is determined and the wafer spec code J2 is transmitted to the wafer test host 21. Therefore, the wafer test host 21 is provided with only the wafer spec code transmission unit 214.

【0026】この第2の実施形態では、一つの製造プロ
セスに対して複数の同様なあるいは異なる検査を行う複
数系統の電気的検査システムが接続されるような場合
に、共通の製造プロセスホストから各電気検査システム
系統にそれぞれウェハスペックコードを送信することが
でき、これにより各電気的検査システムのそれぞれのウ
ェハテストホストにウェハスペックコードを決定するた
めの手段を設ける必要が無くなり、システム全体の構成
を簡略化する上で有利になる。
According to the second embodiment, when a plurality of electrical inspection systems for performing a plurality of similar or different inspections are connected to one manufacturing process, a common manufacturing process host is used for each The wafer spec code can be transmitted to each of the electrical inspection system systems, which eliminates the need to provide a means for determining the wafer spec code in each wafer test host of each electrical inspection system, thereby improving the overall system configuration. It is advantageous for simplification.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上説明したように本発明の電気的検査
システムを用いた検査方法によれば、製造されたウェハ
の製造プロセス情報に基づいて当該ウェハに対するウェ
ハスペックコードを決定し、このウェハスペックコード
に基づいて電気的検査でのテストプログラムを選定して
いるので、当該ウェハに対して最適なテスト条件でのテ
ストを行うためのテストプログラムの選定を技術者の判
断、作業に基づくことなく自動的に行うことができ、検
査効率の向上及び時間の短縮が可能になる。
As described above, according to the inspection method using the electrical inspection system of the present invention, the wafer spec code for the wafer is determined based on the manufacturing process information of the manufactured wafer, and the wafer spec code is determined. Since the test program for electrical inspection is selected based on the code, the test program for performing the test under the optimum test conditions for the relevant wafer is automatically selected without the technician's judgment and work. The inspection efficiency can be improved and the time can be shortened.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の検査システムの第1の実施の形態の全
体構成を示すブロック構成図である。
FIG. 1 is a block configuration diagram showing an overall configuration of a first embodiment of an inspection system of the present invention.

【図2】図1の要部の内部構成を示すブロック構成図で
ある。
FIG. 2 is a block configuration diagram showing an internal configuration of a main part of FIG.

【図3】本発明の検査方法を説明するフローチャートで
ある。
FIG. 3 is a flowchart illustrating an inspection method of the present invention.

【図4】対応表の一例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an example of a correspondence table.

【図5】図3の検査方法の要部のステップの詳細フロー
チャートである。
5 is a detailed flowchart of the main steps of the inspection method of FIG.

【図6】本発明の検査システムの第2の実施形態の要部
のブロック構成図である。
FIG. 6 is a block configuration diagram of a main part of a second embodiment of the inspection system of the present invention.

【図7】従来の検査方法を説明するための図である。FIG. 7 is a diagram for explaining a conventional inspection method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 製造プロセス部 11 製造プロセスホスト 12 製造装置群 13 外観検査装置 14 特性チェッカ 15 製造DB(データベース) 20 電気的検査プロセス部 21 ウェハテストホスト 22 電気的検査装置 23 テスタ 24 プローバ 25 ウェハレベルバーンイン装置 26 ウェハテストDB(データベース) 211 製造プロセス情報取り込み手段 212 製造プロセス情報−ウエハスペックコード対応
表 213 ウェハスペックコード決定部 214 ウェハスペックコード送信部 221 ウェハスペックコード取り込み部 223 テストプログラム実行部 224 テストプログラム格納部 J1 製造プロセス情報 J2 ウェハスペックコード
10 Manufacturing Process Unit 11 Manufacturing Process Host 12 Manufacturing Device Group 13 Appearance Inspection Device 14 Characteristic Checker 15 Manufacturing DB (Database) 20 Electrical Inspection Process Unit 21 Wafer Test Host 22 Electrical Inspection Device 23 Tester 24 Prober 25 Wafer Level Burn-in Device 26 Wafer test DB (database) 211 Manufacturing process information fetching means 212 Manufacturing process information-wafer spec code correspondence table 213 Wafer spec code determination section 214 Wafer spec code transmission section 221 Wafer spec code fetch section 223 Test program execution section 224 Test program storage section J1 Manufacturing process information J2 Wafer spec code

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体装置を製造する製造プロセス部
と、製造された半導体装置の電気的検査を行う電気的検
査プロセス部とを備えて構成され、前記半導体装置の製
造時において得られた当該半導体装置の製造プロセス情
報を取得する手段と、前記製造プロセス情報に基づいて
当該半導体装置のウェハスペックコードを設定する手段
と、設定されたウェハスペックコードに基づいて前記電
気的検査プロセス部におけるテストプログラムを選定す
る手段とを備えることを特徴とする半導体装置の電気的
検査システム。
1. A semiconductor manufacturing process unit for manufacturing a semiconductor device, and an electrical inspection process unit for electrically inspecting the manufactured semiconductor device. The semiconductor device obtained at the time of manufacturing the semiconductor device. Means for obtaining manufacturing process information of the device, means for setting a wafer spec code of the semiconductor device based on the manufacturing process information, and a test program in the electrical inspection process unit based on the set wafer spec code. An electrical inspection system for a semiconductor device, comprising: selecting means.
【請求項2】 前記製造プロセス部には、前記半導体装
置を製造するための製造装置と、製造された半導体装置
の特性チェックや外観検査を行う検査装置と、前記製造
装置及び検査装置からの製造プロセス情報を取得して前
記電気的検査プロセス部に送信する製造プロセスホスト
とを備え、前記電気的検査プロセス部には、前記製造プ
ロセス情報から送信された製造プロセス情報に基づいて
当該半導体装置のウェハスペックコードを設定して送信
するウェハテストホストと、送信されてくる前記ウェハ
スペックコードに対応するテストプログラムを選定し、
当該選定したテストプログラムに基づいて前記半導体装
置の電気的検査を行う電気的検査装置とを備えることを
特徴とする請求項1に記載の半導体装置の電気的検査シ
ステム。
2. The manufacturing process unit includes a manufacturing apparatus for manufacturing the semiconductor device, an inspection apparatus for performing a characteristic check and an appearance inspection of the manufactured semiconductor device, and the manufacturing apparatus and the inspection apparatus. A manufacturing process host for acquiring process information and transmitting the process information to the electrical inspection process unit, wherein the electrical inspection process unit includes a wafer of the semiconductor device based on the manufacturing process information transmitted from the manufacturing process information. Select a wafer test host that sets and sends the spec code, and a test program that corresponds to the sent wafer spec code,
The electrical inspection system for a semiconductor device according to claim 1, further comprising: an electrical inspection device that electrically inspects the semiconductor device based on the selected test program.
【請求項3】 前記製造プロセス部には、前記半導体装
置を製造するための製造装置と、製造された半導体装置
の特性チェックや外観検査を行う検査装置と、前記製造
装置及び検査装置からの製造プロセス情報を取得し、当
該製造プロセス情報に基ついて当該半導体装置のウェハ
スペックコードを設定して前記電気的検査プロセス部に
送信する製造プロセスホストとを備え、前記電気的検査
プロセス部には、前記製造プロセス情報から送信された
ウェハスペックコードを送信するウェハテストホスト
と、送信されてくる前記ウェハスペックコードに対応す
るテストプログラムを選定し、当該選定したテストプロ
グラムに基づいて前記半導体装置の電気的検査を行う電
気的検査装置とを備えることを特徴とする請求項1に記
載の半導体装置の電気的検査システム。
3. The manufacturing process unit includes a manufacturing apparatus for manufacturing the semiconductor device, an inspection apparatus for performing a characteristic check and an appearance inspection of the manufactured semiconductor apparatus, and the manufacturing apparatus and the inspection apparatus. A manufacturing process host that acquires process information, sets a wafer spec code of the semiconductor device based on the manufacturing process information, and transmits the wafer spec code to the electrical inspection process unit, wherein the electrical inspection process unit includes: A wafer test host that transmits the wafer spec code transmitted from the manufacturing process information and a test program corresponding to the transmitted wafer spec code are selected, and electrical inspection of the semiconductor device is performed based on the selected test program. The semiconductor device according to claim 1, further comprising: Inspection system.
【請求項4】 前記電気的検査装置には、予め複数のテ
ストプログラムを格納する手段を備え、送信されてくる
前記ウェハスペックコードに基づいていずれかのテスト
プログラムを選定することを特徴とする請求項2又は3
に記載の半導体装置の電気的検査システム。
4. The electrical inspection apparatus comprises means for storing a plurality of test programs in advance, and any one of the test programs is selected based on the transmitted wafer spec code. Item 2 or 3
An electrical inspection system for a semiconductor device according to.
【請求項5】 前記製造プロセスホスト又は前記ウェハ
テストホストには、前記製造プロセス情報に基づいて前
記ウェハスペックコードを定義する対応表を備えること
を特徴とする請求項2ないし4のいずれかに記載の半導
体装置の電気的検査システム。
5. The manufacturing process host or the wafer test host is provided with a correspondence table that defines the wafer spec code based on the manufacturing process information. Inspection system for semiconductor devices.
【請求項6】 製造プロセス部において形成された半導
体装置の製造工程履歴情報、外観検査情報、特性検査情
報を製造プロセス情報として取得する工程と、前記製造
プロセス情報から当該半導体装置のウェハスペックコー
ドを設定する工程と、複数のテストプログラムの中から
前記設定されたウェハスペックコードに対応するテスト
プログラムを選定し、当該テストプログラムに基づいて
前記半導体装置の電気的検査を実行することを特徴とす
る半導体装置の検査方法。
6. A process of obtaining manufacturing process history information, appearance inspection information, and characteristic inspection information of a semiconductor device formed in a manufacturing process section as manufacturing process information, and a wafer spec code of the semiconductor device from the manufacturing process information. A step of setting and a test program corresponding to the set wafer spec code is selected from a plurality of test programs, and an electrical inspection of the semiconductor device is executed based on the test program. Equipment inspection method.
【請求項7】 前記ウェハスペックコードの設定は、前
記製造プロセス情報と前記ウェハスペックコードとを対
応付ける対応表に基づいて行うことを特徴とする請求項
6に記載の半導体装置の検査方法。
7. The method for inspecting a semiconductor device according to claim 6, wherein the wafer spec code is set based on a correspondence table that associates the manufacturing process information with the wafer spec code.
【請求項8】 前記電気的検査では、前記ウェハスペッ
クコードをパラメータとして、検査項目、検査順番、検
査判定基準の異なる複数のテストプログラムのいずれか
を選定することを特徴とする請求項6又は7に記載の半
導体装置の検査方法。
8. In the electrical inspection, any one of a plurality of test programs having different inspection items, inspection orders, and inspection determination criteria is selected using the wafer spec code as a parameter. A method for inspecting a semiconductor device according to.
JP2002026350A 2002-02-04 2002-02-04 Electrical inspection system and inspection method for semiconductor device Expired - Fee Related JP3748823B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002026350A JP3748823B2 (en) 2002-02-04 2002-02-04 Electrical inspection system and inspection method for semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002026350A JP3748823B2 (en) 2002-02-04 2002-02-04 Electrical inspection system and inspection method for semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003229465A true JP2003229465A (en) 2003-08-15
JP3748823B2 JP3748823B2 (en) 2006-02-22

Family

ID=27748213

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002026350A Expired - Fee Related JP3748823B2 (en) 2002-02-04 2002-02-04 Electrical inspection system and inspection method for semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3748823B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007315828A (en) * 2006-05-24 2007-12-06 Yokogawa Electric Corp Test system

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007315828A (en) * 2006-05-24 2007-12-06 Yokogawa Electric Corp Test system

Also Published As

Publication number Publication date
JP3748823B2 (en) 2006-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6766208B2 (en) Automatic production quality control method and system
US7042243B2 (en) Device test apparatus and test method including control unit(s) between controller and test units
JPH10332444A (en) System and method for controlling element inspecting process for semiconductor integrated circuit
CN109860069B (en) Wafer testing method
US7016750B2 (en) Method, device, computer-readable storage medium and computer program element for monitoring of a manufacturing process
JP6997428B2 (en) Systems and methods for electronic die-inking after automatic visual defect inspection
TWI617816B (en) Adaptive electrical testing of wafers
US20080147228A1 (en) Automated dynamic recipe generation and selection for semiconductor manufacturing
TWI621191B (en) Method and system for remotely monitoring wafer testing equipment
US6873878B2 (en) Throughput analysis system and method
US7315765B1 (en) Automated control thread determination based upon post-process consideration
CN1249799C (en) Embeded reliability analysis system applied to production of semiconductor products
US6638779B2 (en) Fabrication method of semiconductor integrated circuit device and testing method
CN112435937B (en) Automatic control system and method for wafer test
US20090062954A1 (en) Method and system for auto-dispatching lots in photolithography process
US6754593B1 (en) Method and apparatus for measuring defects
US6697691B1 (en) Method and apparatus for fault model analysis in manufacturing tools
US20080004829A1 (en) Method and apparatus for automatic test equipment
US20070293968A1 (en) Automatic methods and systems for manufacturing recipe feedback control
US20050231190A1 (en) [auto-recovery wafer testing apparatus and wafer testing method]
JP2003229465A (en) Electrical inspection system and inspection method for semiconductor device
CN112420535A (en) Chip manufacturing method and system
TWI488246B (en) Method for integrating testing resources and ic testing
TW586170B (en) Semiconductor device inspection system
US8160830B2 (en) Method of yield management for semiconductor manufacture and apparatus thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050112

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20051108

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20051129

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091209

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091209

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101209

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101209

Year of fee payment: 5

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101209

Year of fee payment: 5

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111209

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111209

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121209

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121209

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131209

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees