JP2003218141A - Apparatus and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

Apparatus and method for manufacturing semiconductor device

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JP2003218141A
JP2003218141A JP2002010118A JP2002010118A JP2003218141A JP 2003218141 A JP2003218141 A JP 2003218141A JP 2002010118 A JP2002010118 A JP 2002010118A JP 2002010118 A JP2002010118 A JP 2002010118A JP 2003218141 A JP2003218141 A JP 2003218141A
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semiconductor device
device assembly
cutting
pressing
semiconductor
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JP2002010118A
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Japanese (ja)
Inventor
Hideji Obuchi
秀治 大渕
Kazutoshi Ueda
和敏 上田
Katsumi Amano
克己 天野
Tadao Hirose
忠男 廣瀬
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Mitsui High Tec Inc
Original Assignee
Mitsui High Tec Inc
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and an apparatus for manufacturing semiconductor devices with high productivity, which are capable of cutting a semiconductor device aggregate where semiconductor packages are formed into the separate semiconductor devices with high accuracy in size and shape even if the semiconductor devices are reduced in size. <P>SOLUTION: An apparatus 10 for manufacturing semiconductor devices 1 is equipped with a support means 10t where suction holes 10t2 communicating with a vacuuming pump are provided to suck up a semiconductor device aggregate 1St placed on it, a cutting means 10b which cuts the semiconductor device aggregate 1St along boundary lines s1 and s2 between regions corresponding to the semiconductor devices, a plurality of through-holes 10p1 which are provided as they are corresponding to the cutting lines (boundary lines) s1 and s2 of the semiconductor device aggregate 1St and where the cutting edges of the cutting means 10b are inserted, and a pressing means 10p which presses down the non-cutting part of the semiconductor device aggregate 1St. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ
が形成された半導体装置集合体を個々の半導体装置に切
り出すための半導体装置の製造装置および製造方法に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus and manufacturing method for cutting a semiconductor device assembly having a semiconductor package into individual semiconductor devices.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体装置は、生産性の向上、歩
留まりの向上等を目的として下記の製造方法で製造され
ている。
2. Description of the Related Art Conventionally, semiconductor devices have been manufactured by the following manufacturing method for the purpose of improving productivity, improving yield, and the like.

【0003】すなわち、共通の回路基板上に行列状に形
成された複数の各半導体装置毎の回路に対応し各半導体
素子を搭載し、各半導体素子とそれに対応する回路とを
ボンディングワイヤまたはフィリップチップ接続により
電気的に接続する。
That is, each semiconductor element is mounted corresponding to a circuit for each of a plurality of semiconductor devices formed in a matrix on a common circuit board, and each semiconductor element and the corresponding circuit are bonded by a bonding wire or a Philip chip. Connect electrically by connecting.

【0004】そして、回路基板における半導体装置毎の
半導体素子とそれに対応する回路とを樹脂封止して、そ
の後、樹脂封止された回路基板がブレードを用いて切断
され各半導体装置へ分割され、各々の半導体装置が製造
される。
Then, a semiconductor element for each semiconductor device on the circuit board and a circuit corresponding thereto are resin-sealed, and then the resin-sealed circuit board is cut using a blade and divided into each semiconductor device, Each semiconductor device is manufactured.

【0005】上記各半導体装置への切り出しは、製造装
置において樹脂封止された回路基板を真空引きにより支
持テーブル上に吸着して固定し、ブレードを用いて切断
して各半導体装置へ分割している。
The cutting into each semiconductor device is performed by vacuum-evacuating a resin-sealed circuit board in a manufacturing apparatus to fix the circuit board on a supporting table and cutting it with a blade to divide into semiconductor devices. There is.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、最近の半導
体装置の小型化という動向により、樹脂封止された回路
基板が小型の半導体装置に切り出されている。
By the way, with the recent trend toward miniaturization of semiconductor devices, resin-sealed circuit boards have been cut out into small semiconductor devices.

【0007】そのため、樹脂封止された回路基板が真空
引きの吸着により支持テーブル上に固定されていても、
ブレードを用いて個々の半導体装置へ切り出す際の切断
力に対し固定力が十分ではなくなっており、切り出す際
の切断力が回路基板の固定状態に影響を及ぼし斜めに変
位したりして、切り出された半導体装置の形状が不良と
なったり、サイズが変わったりする等の問題がある。
Therefore, even if the resin-sealed circuit board is fixed on the support table by suction of vacuum suction,
The fixing force is not sufficient for the cutting force when cutting into individual semiconductor devices using a blade, and the cutting force during cutting affects the fixed state of the circuit board and it is displaced diagonally and cut out. In addition, there are problems that the shape of the semiconductor device becomes defective and the size changes.

【0008】上記問題を回避するため、例えば、ブレー
ドの切断速度を遅くする方策が考えられるが、ブレード
の切断速度が遅いと切断工程に時間を要し生産性が低下
するという別の問題が発生する。
In order to avoid the above problem, for example, a method of slowing the cutting speed of the blade can be considered. However, if the cutting speed of the blade is slow, another problem occurs that the cutting process takes time and productivity decreases. To do.

【0009】本発明は上記実状に鑑み、半導体パッケー
ジが形成された半導体装置集合体における個々の半導体
装置に相当する領域がたとえ小型化しても、半導体装置
が形状、サイズとも精確に均一に切り出され、且つ生産
性高く製造することが可能である半導体装置の製造装置
および製造方法の提供を目的とする。
In view of the above situation, the present invention accurately and uniformly cuts the semiconductor device in shape and size even if the region corresponding to each semiconductor device in the semiconductor device assembly in which the semiconductor package is formed is miniaturized. It is also an object of the present invention to provide a semiconductor device manufacturing apparatus and manufacturing method that can be manufactured with high productivity.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するべ
く、本発明の請求項1に関わる半導体装置の製造装置
は、半導体パッケージが複数形成された半導体装置集合
体を切断して個々の半導体装置へ分割する半導体装置の
製造装置であって、真空引き機構に連結する吸気孔が設
けられ、載置される半導体装置集合体を吸着する支持手
段と、半導体装置集合体における各半導体装置に相当す
る領域の境界線に沿って切断する切断手段と、半導体装
置集合体の切断箇所に対応して設けられるとともに切断
手段の刃先が挿通する複数の貫通孔を有し、半導体装置
集合体の非切断箇所を押圧する押圧手段と、を具備する
ことを特徴としている。
In order to achieve the above object, a semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 1 of the present invention is an individual semiconductor device in which a semiconductor device assembly having a plurality of semiconductor packages is cut. A semiconductor device manufacturing apparatus that divides into two parts, which is provided with an intake hole connected to a vacuuming mechanism and corresponds to a supporting unit that sucks a mounted semiconductor device assembly and each semiconductor device in the semiconductor device assembly. Cutting means for cutting along the boundary line of the region, and a plurality of through holes which are provided corresponding to the cutting points of the semiconductor device assembly and through which the cutting edges of the cutting means are inserted, and non-cutting points of the semiconductor device assembly And a pressing means for pressing.

【0011】本発明の請求項2に関わる半導体装置の製
造装置は、半導体パッケージが形成された半導体装置集
合体を切断して個々の半導体装置へ分割する半導体装置
の製造装置であって、真空引き機構に連結する吸気孔が
設けられ、載置される半導体装置集合体を吸着する支持
手段と、半導体装置集合体における各半導体装置に相当
する領域の境界線に沿って切断する切断手段と、半導体
装置集合体の切断箇所に対応して設けられるとともに切
断手段の刃先が挿通する複数の貫通孔を有し、半導体装
置集合体の非切断箇所を押圧する押圧手段と、押圧手段
の押圧荷重を調整する荷重調整手段と、を具備すること
を特徴としている。
A semiconductor device manufacturing apparatus according to a second aspect of the present invention is a semiconductor device manufacturing apparatus for cutting a semiconductor device assembly having a semiconductor package formed into individual semiconductor devices, and vacuuming the semiconductor devices. Supporting means provided with an air intake hole connected to the mechanism for adsorbing the mounted semiconductor device assembly, cutting means for cutting along the boundary line of regions corresponding to the respective semiconductor devices in the semiconductor device assembly, and semiconductor A pressing unit that has a plurality of through holes that are provided corresponding to the cutting positions of the device assembly and through which the cutting edge of the cutting unit is inserted, and that presses the non-cutting positions of the semiconductor device assembly and the pressing load of the pressing unit are adjusted. And a load adjusting means for controlling the load.

【0012】本発明の請求項3に関わる半導体装置の製
造装置は、請求項1から請求項2のうちの何れか一項に
記載の半導体装置の製造装置において、支持手段は、少
なくとも表面近傍領域が弾性材で構成されることを特徴
としている。
A semiconductor device manufacturing apparatus according to a third aspect of the present invention is the semiconductor device manufacturing apparatus according to any one of the first to second aspects, wherein the supporting means is at least a surface vicinity region. Is composed of an elastic material.

【0013】本発明の請求項4に関わる半導体装置の製
造方法は、半導体パッケージが複数形成された半導体装
置集合体を切断して個々の半導体装置へ分割する半導体
装置の製造方法であって、半導体装置集合体を真空引き
機構に連結された支持手段上に載置する工程と、半導体
装置集合体を真空引き機構によって真空引きして支持手
段に吸着するとともに、押圧手段に設けられた複数の貫
通孔を半導体装置集合体における各半導体装置に相当す
る領域の境界線に沿う切断箇所に合わせて、該押圧手段
によって半導体装置集合体の非切断箇所を押圧する工程
と、切断手段の刃先を押圧手段の貫通孔に挿通して半導
体装置集合体の切断箇所を切断する工程とを含むことを
特徴としている。
A method of manufacturing a semiconductor device according to a fourth aspect of the present invention is a method of manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor device assembly having a plurality of semiconductor packages is cut and divided into individual semiconductor devices. A step of placing the device assembly on a support means connected to a vacuuming mechanism, and a semiconductor device assembly being evacuated by the vacuuming mechanism to be attracted to the support means, and a plurality of penetrating holes provided in the pressing means. A step of aligning the hole with a cutting position along a boundary line of a region corresponding to each semiconductor device in the semiconductor device assembly, pressing the non-cutting part of the semiconductor device assembly by the pressing means, and a blade means of the cutting means. And a step of cutting the cut portion of the semiconductor device assembly by inserting it into the through hole.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、実施例を示す図面に基づい
て、本発明を詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described in detail below with reference to the drawings showing embodiments.

【0015】本発明に関わる半導体装置の製造装置およ
び製造方法を用いて製造された第1実施例の半導体装置
1は、図1に示すように、偏平状の直方体形状を呈して
おり、絶縁性基材5表面に形成された銅箔等の回路パタ
ーン2に対応し半導体チップ9が接着剤9s等により絶
縁性基材5に搭載され、半導体チップ9の電極9dがボ
ンディングワイヤ7を介して回路パターン2に電気的に
接続されている。
The semiconductor device 1 of the first embodiment manufactured by using the semiconductor device manufacturing apparatus and manufacturing method according to the present invention has a flat rectangular parallelepiped shape as shown in FIG. A semiconductor chip 9 corresponding to the circuit pattern 2 such as a copper foil formed on the surface of the base material 5 is mounted on the insulating base material 5 with an adhesive 9s or the like, and an electrode 9d of the semiconductor chip 9 is connected via a bonding wire 7 to a circuit. It is electrically connected to the pattern 2.

【0016】また、絶縁性基材5の半導体チップ9搭載
面側全体が封止樹脂4にて樹脂封止されるとともに、ボ
ール状の半田ボール3がスルーホール5tを埋設し回路
パターン2に電気的に接続され絶縁性基材5の裏面側に
突設して外部接続端子として形成されている。
Further, the entire surface of the insulating base material 5 on which the semiconductor chip 9 is mounted is resin-sealed with the sealing resin 4, and the ball-shaped solder balls 3 fill the through holes 5t to electrically connect the circuit patterns 2 to each other. Are connected to each other and projectingly provided on the back surface side of the insulating base material 5 to be formed as external connection terminals.

【0017】上述した半導体装置1の製造方法は、ま
ず、ポリイミド等の絶縁性樹脂を帯状或いは短冊状薄板
に成形した図2に示す絶縁性基材5を製造する。
In the method of manufacturing the semiconductor device 1 described above, first, the insulating base material 5 shown in FIG. 2 is manufactured by molding an insulating resin such as polyimide into a strip-shaped or strip-shaped thin plate.

【0018】そして、絶縁性基材5の表面に良導体であ
る銅箔を接着材等を用いて貼着し、銅箔が貼着された絶
縁性基材5の所定の箇所にプレス機械によるパンチング
等によりスルーホール5t、5t、…、および各半導体
装置の回路パターンが複数集合した回路パターン集合体
(後述)の境界に分離スリット5s、…を穿孔する。
Then, a copper foil, which is a good conductor, is attached to the surface of the insulating base material 5 by using an adhesive or the like, and punching is performed at a predetermined position of the insulating base material 5 to which the copper foil is attached by a press machine. , Etc., and a circuit pattern assembly in which a plurality of circuit patterns of each semiconductor device are assembled.
Separation slits 5s, ... Are punched at the boundary (described later).

【0019】なお、絶縁性基材5の側部領域には半導体
装置の製造工程において位置決めに使用されるガイドホ
ール5g、…が所定の位置に穿孔される。
Guide holes 5g, ... Used for positioning in the manufacturing process of the semiconductor device are bored at predetermined positions in the side regions of the insulating base material 5.

【0020】次いで、絶縁性基材5に貼着された銅箔を
エッチングして、各半導体装置毎の回路パターンを隣接
してマトリックス状に形成した回路パターン集合体(図
示せず)を得る。
Next, the copper foil attached to the insulating base material 5 is etched to obtain a circuit pattern assembly (not shown) in which circuit patterns for each semiconductor device are formed adjacent to each other in a matrix.

【0021】ここで、回路パターン集合体は、絶縁性基
材5表面に長手方向に沿って複数形成されている。
Here, a plurality of circuit pattern assemblies are formed on the surface of the insulating base material 5 along the longitudinal direction.

【0022】続いて、絶縁性基材5表面における各半導
体装置毎の回路パターン2に対応して、図1(b)に示す
ように、半導体チップ9を銀ペースト等の接着剤9sや
接着テープ9sを介して絶縁性基材5の回路パターン形
成面に搭載し、半導体チップ9の電極9dと回路パター
ン2とをボンディングワイヤ7を介して接続し電気的に
接続する。
Then, as shown in FIG. 1 (b), the semiconductor chip 9 is attached to the surface of the insulating substrate 5 corresponding to the circuit pattern 2 of each semiconductor device by an adhesive 9s such as silver paste or an adhesive tape. It is mounted on the circuit pattern formation surface of the insulating base material 5 via 9s, and the electrode 9d of the semiconductor chip 9 and the circuit pattern 2 are connected via the bonding wire 7 to be electrically connected.

【0023】なお、半導体チップ9と回路パターン2と
の電気的接続は、ボンディングワイヤ7を用いたワイヤ
ボンディングに代えてフリップチップ接続を採用しても
よい。
The electrical connection between the semiconductor chip 9 and the circuit pattern 2 may be flip chip connection instead of wire bonding using the bonding wire 7.

【0024】そして、図2に示すように、絶縁性基材5
上に各半導体装置毎の回路パターン2に対応してマトリ
ックス状に搭載した複数の半導体チップ9とそれに対応
する回路パターン2とがエポキシ等の封止樹脂4によっ
て各半導体装置を一括して、又は各半導体装置毎に樹脂
封止され複数の半導体パッケージ4t、…が形成され、
半導体装置集合体1Sが製造される。
Then, as shown in FIG.
A plurality of semiconductor chips 9 mounted in a matrix corresponding to the circuit pattern 2 of each semiconductor device and the corresponding circuit pattern 2 are collectively formed by a sealing resin 4 such as epoxy, or the semiconductor devices are collectively formed. Each semiconductor device is resin-sealed to form a plurality of semiconductor packages 4t, ...
The semiconductor device assembly 1S is manufactured.

【0025】ここで、図2に示すように、半導体装置集
合体1Sは、各半導体装置1に相当する半導体パッケー
ジ4tがマトリックス状に複数形成された単位半導体装
置集合体1Stが分離スリット5s、…によってそれぞ
れ区分けされ配置されている。
Here, as shown in FIG. 2, in the semiconductor device assembly 1S, a unit semiconductor device assembly 1St in which a plurality of semiconductor packages 4t corresponding to each semiconductor device 1 are formed in a matrix is formed as separation slits 5s ,. It is divided and arranged by each.

【0026】なお、図2(a)は、半導体装置集合体1S
を示しており、実際は単位半導体装置集合体1Stにお
ける樹脂封止は複数の半導体装置1に対して一括して行
われ、樹脂封止面は一体面であるけれども、説明の便宜
上、各々の半導体装置1が分かるように図示している。
(図4(a)も同様に図示)さらに、その後、必要に応じて
半導体装置集合体1Sにおける各半導体装置に相当する
領域の裏面には、図1(b)に示すように、半田ボール
3、…を突設するとともにスルーホール5t、…を埋設
して回路パターン2に導通させて外部接続端子として形
成する。
Incidentally, FIG. 2A shows the semiconductor device assembly 1S.
In reality, the resin encapsulation in the unit semiconductor device aggregate 1St is collectively performed on the plurality of semiconductor devices 1, and the resin encapsulation surface is an integral surface. 1 is illustrated so that 1 can be seen.
(Similarly in FIG. 4A) Further, if necessary, on the back surface of the region corresponding to each semiconductor device in the semiconductor device assembly 1S, as shown in FIG. , And the through holes 5t, ... Are buried and electrically connected to the circuit pattern 2 to form external connection terminals.

【0027】半導体装置集合体1Sは、分離スリット5
sに沿って各単位半導体装置集合体1Stに分離され、
図3に示す製造装置10を用いて切断され個々の半導体
装置1へ分離される切断工程に移行する。
The semiconductor device assembly 1S has a separation slit 5
is separated into unit semiconductor device assemblies 1St along s,
The cutting process is performed by using the manufacturing apparatus 10 shown in FIG. 3 to separate the individual semiconductor devices 1.

【0028】上記製造装置10は、半導体装置集合体1
Sが載置される支持テーブル(支持手段)10tと、支持
軸10sに回転自在に軸支される回転刃である円形のブ
レード(切断手段)10bと、ブレード10bを被切断側
へ進退させるブレード進退装置10cと、切断時の押さ
え荷重を調整する荷重調整装置(荷重調整手段)10l
と、押さえプレート(押圧手段)10pとを備え構成され
ている。
The manufacturing apparatus 10 is the semiconductor device assembly 1
A supporting table (supporting means) 10t on which S is mounted, a circular blade (cutting means) 10b which is a rotary blade rotatably supported by a supporting shaft 10s, and a blade for advancing and retracting the blade 10b toward the cut side. The advancing / retreating device 10c and a load adjusting device (load adjusting means) 10l for adjusting the pressing load during cutting.
And a pressing plate (pressing means) 10p.

【0029】製造装置10を用いて単位半導体装置集合
体1Stを切断して各半導体装置1に分割する際には、
押さえプレート10pによって単位半導体装置集合体1
Stを押圧して切断工程が行われる。
When the unit semiconductor device assembly 1St is cut using the manufacturing apparatus 10 and divided into the respective semiconductor devices 1,
The unit semiconductor device assembly 1 is formed by the pressing plate 10p.
The cutting process is performed by pressing St.

【0030】上記支持テーブル10tは、切断に際して
回動されるブレード10bの逃げ溝10t1、…が複
数、形成されており、また、単位半導体装置集合体1S
tを切断するに際して真空引きにより吸着して固定する
ための吸気孔10t2、…が穿孔され、該吸気孔10t
2、…を介して真空引き機構(図示せず)に連結されてい
る。
The support table 10t is formed with a plurality of escape grooves 10t1, ... Of the blade 10b which is rotated during cutting, and the unit semiconductor device assembly 1S.
At the time of cutting t, suction holes 10t2, ... For adsorbing and fixing by suction by vacuuming are drilled, and the suction holes 10t are
2, is connected to a vacuuming mechanism (not shown).

【0031】また、支持テーブル10tは、剛体様の構
造用鋼、工具用鋼等が使用され、切断時の単位半導体装
置集合体1Stの真空引きによる吸着をより完全なもの
にするため、少なくともその表面近傍領域にゴムまたは
柔軟な合成樹脂等の弾性材を設けることが好ましい。
Further, the support table 10t is made of rigid structural steel, tool steel, etc., and at least the unit semiconductor device assembly 1St at the time of cutting is more completely attracted by vacuuming. It is preferable to provide an elastic material such as rubber or a flexible synthetic resin in the area near the surface.

【0032】ここで、支持テーブル10tに弾性材が用
いられた場合、単位半導体装置集合体1Stが切断時に
真空引き機構によって吸引されると、単位半導体装置集
合体1Stが支持テーブル10tに対して押圧力を加え
ることになり、支持テーブル10tが単位半導体装置集
合体1Stの外形形状に沿って弾性変形して支持テーブ
ル10tと単位半導体装置集合体1Stがより密着し、
単位半導体装置集合体1Stの支持テーブル10t上へ
の吸着が効果的に行われる。
Here, when an elastic material is used for the support table 10t, the unit semiconductor device assembly 1St is pressed against the support table 10t when the unit semiconductor device assembly 1St is sucked by the vacuuming mechanism at the time of cutting. By applying pressure, the support table 10t is elastically deformed along the outer shape of the unit semiconductor device assembly 1St, and the support table 10t and the unit semiconductor device assembly 1St are brought into closer contact with each other.
Adsorption of the unit semiconductor device assembly 1St onto the support table 10t is effectively performed.

【0033】なお、支持テーブル10t上には、単位半
導体装置集合体1Stのガイドホール5g、5gに挿通
して単位半導体装置集合体1Stを支持テーブル10t
に対して位置決めするとともに、また押さえプレート1
0pの位置決め孔(後述)に挿通して押さえプレート10
pを支持テーブル10t並びに単位半導体装置集合体1
Stに対して位置決めするための位置決めピン10t2
(10t21、10t21、10t22、10t22)(図5参照)
が複数、植設されている。
The unit semiconductor device assembly 1St is inserted into the guide holes 5g and 5g of the unit semiconductor device assembly 1St on the support table 10t.
Positioning with respect to
Pressing plate 10 is inserted through the 0p positioning hole (described later).
p is the support table 10t and the unit semiconductor device assembly 1
Positioning pin 10t2 for positioning with respect to St
(10t21, 10t21, 10t22, 10t22) (See Fig. 5)
There are several plants.

【0034】また、支持テーブル10tまたは上記ブレ
ード10bの少なくとも何れかは水平方向に対して回転
調整自在に支持されている。
At least one of the support table 10t and the blade 10b is supported so as to be rotatable and adjustable in the horizontal direction.

【0035】上記荷重調整装置10lは、単位半導体装
置集合体1Stの切断工程時に単位半導体装置集合体1
Stを適当な荷重によって押さえプレート10pを介し
て支持テーブル10t上に押圧するものである。
The load adjusting device 10l is used in the unit semiconductor device assembly 1 during the cutting process of the unit semiconductor device assembly 1St.
St is pressed on the support table 10t through the pressing plate 10p with an appropriate load.

【0036】荷重調整装置10lは、圧縮スプリング、
板ばね等のスプリング、空気圧シリンダ、油圧シリンダ
等を用いて構成され、スプリングによって構成された場
合は、予めフックの法則により求められた適当な変位を
スプリングに与えることで単位半導体装置集合体1St
に適切な荷重を付加する。
The load adjusting device 10l includes a compression spring,
The unit semiconductor device assembly 1St is configured by using a spring such as a leaf spring, a pneumatic cylinder, a hydraulic cylinder, or the like, and when the spring is configured, an appropriate displacement obtained in advance according to Hooke's law is applied to the spring.
Add an appropriate load to.

【0037】或いは、荷重調整装置10lが空気圧シリ
ンダまたは油圧シリンダによって構成された場合は、適
当な空気圧または油圧を設定することによってパスカル
の法則により導かれる適切な荷重を単位半導体装置集合
体1Stに付加する。
Alternatively, when the load adjusting device 10l is constituted by a pneumatic cylinder or a hydraulic cylinder, an appropriate load introduced by Pascal's law by setting an appropriate pneumatic pressure or hydraulic pressure is added to the unit semiconductor device assembly 1St. To do.

【0038】上記押さえプレート10pは、図4(d)に
示すように、内部に単位半導体装置集合体1St(図4
(a)、(b)参照)を収納するための、収納凹部10p2が
形成されている(図3参照)。
As shown in FIG. 4D, the pressing plate 10p has a unit semiconductor device assembly 1St (see FIG. 4) inside.
An accommodating recess 10p2 for accommodating (a) and (b) is formed (see FIG. 3).

【0039】図4(c)、(a)に示すように、押さえプレ
ート10pにおける収納凹部10p2の横寸法lp1と縦
寸法lp2は、単位半導体装置集合体1Stの横寸法l1お
よび縦寸法l2より大きく設定 (lp1、lp2>l1、l2)
されており、また、図4(d)、(b)に示すように、収納
凹部10p2の深さ寸法lp3は単位半導体装置集合体1
Stの厚さ寸法l3以下(lp3<=l3)に設定されてい
る。
As shown in FIGS. 4 (c) and 4 (a), the horizontal dimension lp1 and the vertical dimension lp2 of the storage recess 10p2 in the pressing plate 10p are larger than the horizontal dimension l1 and the vertical dimension l2 of the unit semiconductor device assembly 1St. Setting (lp1, lp2> l1, l2)
Further, as shown in FIGS. 4D and 4B, the depth dimension lp3 of the storage recess 10p2 is equal to the unit semiconductor device assembly 1
The thickness of St is set to l3 or less (lp3 <= l3).

【0040】また、押さえプレート10pは、図4(c)
に示すように、複数の貫通孔10p1、…がピッチp
i、長さlp4を有し、且つブレードの刃先厚より大きな
寸法の幅lp5をもって穿孔されており、切断工程時には
該貫通孔10p1をブレードの刃先が挿通して貫通孔1
0p1の長さ方向に進退し単位半導体装置集合体1St
を切断する。
The pressing plate 10p is shown in FIG. 4 (c).
, The plurality of through holes 10p1, ...
i, has a length lp4, and is perforated with a width lp5 having a dimension larger than the blade edge thickness of the blade, and the blade edge of the blade is inserted through the through hole 10p1 during the cutting process.
Unit semiconductor device assembly 1St that moves back and forth in the length direction of 0p1
Disconnect.

【0041】貫通孔10p1のピッチpiは、図4(a)
に示すように、単位半導体装置集合体1Stにおける個
々の半導体装置に対応する半導体パッケージ4t間の縦
方向の境界線(切断箇所)s1、…または横方向の境界線
(切断箇所)s2、…間のピッチpiと等しく設定されて
いる。
The pitch pi of the through holes 10p1 is as shown in FIG.
As shown in FIG. 5, a vertical boundary line (cutting point) s1, ... Or a horizontal boundary line between the semiconductor packages 4t corresponding to the individual semiconductor devices in the unit semiconductor device assembly 1St.
(Cut point) s2, ... Pitch pi between them is set to be equal.

【0042】また、貫通孔10p1の長さlp4は、単位
半導体装置集合体1Stにおける各半導体装置1への分
割のための切断線の長さl4よりも長く設定されてお
り、切断工程時にブレード10bによる単位半導体装置
集合体1Stの各半導体装置1へ分割するための切断が
無理なく行えるように構成されている。
The length lp4 of the through hole 10p1 is set longer than the length l4 of the cutting line for dividing the unit semiconductor device assembly 1St into each semiconductor device 1, and the blade 10b is used during the cutting process. The unit semiconductor device aggregate 1St is configured so that it can be reasonably cut into the respective semiconductor devices 1.

【0043】また、図4(c)に示すように、押さえプレ
ート10pには、4つの位置決め孔10p3(10p31、1
0p31、10p32、10p32)が穿孔されており、該位置決
め孔10p3は、切断工程に際して製造装置10の支持テ
ーブル10t上に単位半導体装置集合体1Stが載置さ
れた場合に支持テーブル10t上の位置決めピン10t
2に挿通することにより、押さえプレート10pを製造
装置10の支持テーブル10tおよび載置された単位半
導体装置集合体1Stに対して位置決めする。
Further, as shown in FIG. 4C, the positioning plate 10p has four positioning holes 10p3 (10p31, 1p1).
0p31, 10p32, 10p32) and the positioning hole 10p3 is a positioning pin on the support table 10t when the unit semiconductor device assembly 1St is placed on the support table 10t of the manufacturing apparatus 10 in the cutting process. 10t
By inserting the pressing plate 10p into the supporting table 10t of the manufacturing apparatus 10 and the mounted unit semiconductor device assembly 1St, the pressing plate 10p is positioned.

【0044】次に、上記構成の製造装置10を用いて単
位半導体装置集合体1Stを切断して各半導体装置1へ
分割する切断工程について説明する。
Next, a cutting step of cutting the unit semiconductor device assembly 1St by using the manufacturing apparatus 10 having the above-described structure to divide the unit semiconductor device assembly 1St into each semiconductor device 1 will be described.

【0045】まず、図5(a)に示すように、製造装置1
0における支持テーブル10t上に単位半導体装置集合
体1Stを絶縁性基材5側が上方に位置するとともに半
導体パッケージ4t、…が形成された面側が下方に位置
するようにして支持テーブル10tの位置決めピン10
t21、10t21に半導体装置集合体1Stのガイドホー
ル5g、5gを挿通して位置決めし載置する。
First, as shown in FIG. 5A, the manufacturing apparatus 1
The unit semiconductor device assembly 1St on the support table 10t at position 0 is positioned so that the side of the insulating base material 5 is located above and the surface on which the semiconductor packages 4t are formed is located below.
At t21 and 10t21, the guide holes 5g and 5g of the semiconductor device assembly 1St are inserted and positioned and placed.

【0046】続いて、図5(b)に示すように、支持テー
ブル10t上の単位半導体装置集合体1Stを上方から
押さえプレート10pの収納凹部10p2内に収納する
とともに、押さえプレート10pの位置決め孔10p3
1、10p31に支持テーブル10tの位置決めピン10
t21、10t21を挿通し且つ位置決め孔10p32、10
p32に支持テーブル10tの位置決めピン10t22、1
0t22を挿通して、押さえプレート10pを単位半導体
装置集合体1St上に位置決めして載置する。
Subsequently, as shown in FIG. 5B, the unit semiconductor device assembly 1St on the support table 10t is accommodated from above in the accommodating recess 10p2 of the pressing plate 10p and the positioning hole 10p3 of the pressing plate 10p.
Positioning pin 10 of support table 10t on 1, 10p31
Inserting t21, 10t21 and positioning holes 10p32, 10
Positioning pins 10t22, 1 of support table 10t on p32.
The pressing plate 10p is positioned and mounted on the unit semiconductor device assembly 1St through 0t22.

【0047】ここで、単位半導体装置集合体1Stにお
ける各半導体装置に対応する半導体パッケージ4t間の
縦方向の境界線s1、…(図4(a)参照)である切断線
は、図5(b)に示すように、押さえプレート10pの貫
通孔10p1、…に沿って位置している。
Here, the cutting line which is the vertical boundary line s1 between the semiconductor packages 4t corresponding to each semiconductor device in the unit semiconductor device aggregate 1St (see FIG. 4A) is shown in FIG. 5B. ), It is located along the through holes 10p1, ... Of the pressing plate 10p.

【0048】続いて、真空引き機構を稼動させて単位半
導体装置集合体1Stと押さえプレート10pとを支持
テーブル10t上に吸引すると同時に、図3に示すよう
に、荷重調整装置10lにより適当な荷重で押さえプレ
ート10pを下方へ押圧して、単位半導体装置集合体1
Stを支持テーブル10tに押圧する。
Subsequently, the vacuum evacuation mechanism is operated to suck the unit semiconductor device assembly 1St and the pressing plate 10p onto the support table 10t, and at the same time, as shown in FIG. By pressing the pressing plate 10p downward, the unit semiconductor device assembly 1
St is pressed against the support table 10t.

【0049】製造装置10の荷重調整装置10lによる
単位半導体装置集合体1Stに対する支持テーブル10
tへの押さえ荷重は、切断箇所、被切断半導体装置の厚
さ、或いは切断開始時や終了時などに応じて適宜、調整
される。
The supporting table 10 for the unit semiconductor device assembly 1St by the load adjusting device 10l of the manufacturing apparatus 10.
The pressing load on t is appropriately adjusted depending on the cutting location, the thickness of the semiconductor device to be cut, or the start or end of cutting.

【0050】続いて、図3に示すように、製造装置10
のブレード10bを回転させて押さえプレート10pの
貫通孔10p1に挿通させて、図5(b)に示す矢印aに
示すように貫通孔10p1の長さ方向に進行させて単位
半導体装置集合体1Stの半導体パッケージ4t間の境
界線s1、…をそれぞれ直線上に切断し、図6(a)に示
すように、切り込みc1、c2、…、c9を形成する。
Then, as shown in FIG.
Blade 10b is rotated to be inserted into the through hole 10p1 of the pressing plate 10p, and is advanced in the length direction of the through hole 10p1 as shown by an arrow a shown in FIG. The boundary lines s1, ... Between the semiconductor packages 4t are cut into straight lines to form notches c1, c2, ..., C9 as shown in FIG. 6 (a).

【0051】続いて、真空引き機構の稼動を停止させる
とともに、押さえプレート10pを押圧していた荷重調
整装置10lを緩め、さらに荷重調整装置10lを押さ
えプレート10p上から移動する。
Subsequently, the operation of the vacuum evacuation mechanism is stopped, the load adjusting device 10l pressing the pressing plate 10p is loosened, and the load adjusting device 10l is moved from above the pressing plate 10p.

【0052】次に、押さえプレート10pの位置決め孔
10p31、10p31を支持テーブル10tの位置決めピ
ン10t21、10t21から抜き去るとともに、位置決め
孔10p32、10p32を支持テーブル10tの位置決め
ピン10t22、10t22から抜き去り、押さえプレート
10pを単位半導体装置集合体1St上から外す。
Next, the positioning holes 10p31, 10p31 of the pressing plate 10p are removed from the positioning pins 10t21, 10t21 of the support table 10t, and the positioning holes 10p32, 10p32 are removed from the positioning pins 10t22, 10t22 of the support table 10t and pressed. The plate 10p is removed from the unit semiconductor device assembly 1St.

【0053】続いて、押さえプレート10pを90度回
転させて、図6(b)に示すように、支持テーブル10t
上に載置された単位半導体装置集合体1Stを上方から
押さえプレート10pの収納凹部10p2内に収納する
とともに押さえプレート10pの位置決め孔10p31、
10p31に支持テーブル10tの位置決めピン10t2
2、10t22を挿通し、且つ位置決め孔10p32、10
p32に支持テーブル10tの位置決めピン10t21、1
0t21を挿通して、押さえプレート10pを単位半導体
装置集合体1St上に位置決めし載置する。
Subsequently, the pressing plate 10p is rotated by 90 degrees, and as shown in FIG. 6 (b), the supporting table 10t is rotated.
The unit semiconductor device assembly 1St placed on the top is housed from above in the housing recess 10p2 of the holding plate 10p, and the positioning hole 10p31 of the holding plate 10p,
Locating pin 10t2 of support table 10t on 10p31
2, 10t22 inserted, and positioning holes 10p32, 10
Positioning pins 10t21, 1 of the support table 10t on p32.
0t21 is inserted, and the pressing plate 10p is positioned and placed on the unit semiconductor device assembly 1St.

【0054】ここで、単位半導体装置集合体1Stにお
ける各半導体装置に対応する半導体パッケージ4t間の
横方向の境界線s2、…(図4(a)参照)である切断線
は、図6(b)に示すように、押さえプレート10pの貫
通孔10p1、…に沿って位置している。
Here, the cutting line which is the horizontal boundary line s2 between the semiconductor packages 4t corresponding to each semiconductor device in the unit semiconductor device aggregate 1St (see FIG. 4A) is shown in FIG. 6B. ), It is located along the through holes 10p1, ... Of the pressing plate 10p.

【0055】続いて、真空引き機構を稼動させて単位半
導体装置集合体1Stと押さえプレート10pとを支持
テーブル10t上に吸引すると同時に、図3に示すよう
に、荷重調整装置10lにより適当な荷重で押さえプレ
ート10pを下方へ押圧して、単位半導体装置集合体1
Stを支持テーブル10tに押さえつける。
Then, the vacuum evacuation mechanism is operated to suck the unit semiconductor device assembly 1St and the pressing plate 10p onto the support table 10t, and at the same time, as shown in FIG. By pressing the pressing plate 10p downward, the unit semiconductor device assembly 1
Press St on the support table 10t.

【0056】ここで、製造装置10の荷重調整装置10
lによる単位半導体装置集合体1Stに対する支持テー
ブル10tへの押さえ荷重は、前記のように適宜、調整
されるが、例えば、切断線の最後の領域における被切断
対象の単位半導体装置集合体1Stの切り離しに際して
は、単位半導体装置集合体1Stが水平方向に移動し易
いので比較的大きな押さえ荷重を単位半導体装置集合体
1Stに加える。
Here, the load adjusting device 10 of the manufacturing apparatus 10
The pressing load applied to the support table 10t with respect to the unit semiconductor device assembly 1St by l is appropriately adjusted as described above. For example, the unit semiconductor device assembly 1St to be cut in the last region of the cutting line is cut off. At this time, since the unit semiconductor device assembly 1St easily moves in the horizontal direction, a relatively large pressing load is applied to the unit semiconductor device assembly 1St.

【0057】前記押圧しながら、図3に示すように、製
造装置10のブレード10bを回転させて押さえプレー
ト10pの貫通孔10p1に挿通させて、図6(b)に示
す矢印bに示すように貫通孔10p1の長さ方向に進行
させて単位半導体装置集合体1Stの半導体パッケージ
4t間の境界線s2、…をそれぞれ直線状に切断して、
図7に示すように、切り込みd1、d2、…、d9を形成
して各半導体装置1に分割する。
While pressing, the blade 10b of the manufacturing apparatus 10 is rotated and inserted into the through hole 10p1 of the pressing plate 10p as shown in FIG. 3, and as shown by the arrow b in FIG. 6 (b). By advancing in the longitudinal direction of the through hole 10p1 and cutting the boundary lines s2, ... Between the semiconductor packages 4t of the unit semiconductor device assembly 1St into straight lines,
As shown in FIG. 7, notches d1, d2, ..., D9 are formed to divide each semiconductor device 1.

【0058】続いて、真空引き機構の稼動を停止させる
とともに、単位半導体装置集合体1Stへの荷重調整装
置10lによる押圧を止め、また、押さえプレート10
pを取り去り、分割された複数の半導体装置1を回収す
る。
Subsequently, the operation of the evacuation mechanism is stopped, the pressing of the unit semiconductor device assembly 1St by the load adjusting device 10l is stopped, and the pressing plate 10 is stopped.
p is removed and the plurality of divided semiconductor devices 1 are collected.

【0059】切断工程において、荷重調整装置10lか
ら単位半導体装置集合体1Stへ加えられる荷重の大き
さは、前記と一部重複するが、単位半導体装置集合体1
Stにおける絶縁性基材5の材料、封止樹脂4等の材
料、または、切断工程の推移によって適宜、適切に設定
される。
In the cutting step, the magnitude of the load applied from the load adjusting device 10l to the unit semiconductor device assembly 1St partially overlaps with the above, but the unit semiconductor device assembly 1St.
It is appropriately set appropriately according to the material of the insulating base material 5 in St, the material of the sealing resin 4 or the like, or the transition of the cutting process.

【0060】上述したように、単位半導体装置集合体1
Stを境界線に沿って切断して最後に切り離す際には、
切断中の単位半導体装置集合体1Stの移動が起こり易
いため一定以上の大きさの単位半導体装置集合体1St
に対する押さえ荷重が必要となる。
As described above, the unit semiconductor device assembly 1
When cutting St along the boundary line and finally cutting off,
Since the unit semiconductor device assembly 1St during the cutting is apt to move, the unit semiconductor device assembly 1St having a certain size or more is easily moved.
A pressing load against is required.

【0061】なお、本実施例においては、製造装置10
における支持テーブル10tに対する単位半導体装置集
合体1St並びに押さえプレート10pの位置決めは、
支持テーブル10t上に複数の位置決めピン10t2を
植設して、該位置決めピン10t2を単位半導体装置集
合体1Stのガイドホール5g、5gに挿通して単位半
導体装置集合体1Stを位置決めし、また該位置決めピ
ン10t2を押さえプレート10pの位置決め孔10p3
に挿通して押さえプレート10pを位置決めする構成と
したが、製造装置10における支持テーブル10tに位
置決め孔を穿孔するとともに押さえプレート10pに位
置決めピンを植設して、製造装置10の支持テーブル1
0t上に単位半導体装置集合体1Stを載置後、支持テ
ーブル10tの位置決め孔と単位半導体装置集合体1S
tのガイドホール5g、5gとに押さえプレート10p
の位置決めピンを挿通して、製造装置10の支持テーブ
ル10tに対して単位半導体装置集合体1Stと押さえ
プレート10pとを位置決めする構成としてもよい。
In this embodiment, the manufacturing apparatus 10
The positioning of the unit semiconductor device assembly 1St and the holding plate 10p with respect to the support table 10t in
A plurality of positioning pins 10t2 are implanted on the support table 10t, and the positioning pins 10t2 are inserted through the guide holes 5g and 5g of the unit semiconductor device assembly 1St to position and position the unit semiconductor device assembly 1St. Holding pin 10t2, positioning hole 10p3 for plate 10p
Although the pressing plate 10p is positioned by inserting the pressing plate 10p into the supporting table 1t of the manufacturing apparatus 10, the supporting table 10t of the manufacturing apparatus 10 is formed by forming a positioning hole in the supporting table 10t and locating the positioning pin in the pressing plate 10p.
After mounting the unit semiconductor device assembly 1St on 0t, the positioning holes of the support table 10t and the unit semiconductor device assembly 1S are placed.
Pressing plate 10p to guide hole 5g, 5g of t
The unitary semiconductor device assembly 1St and the pressing plate 10p may be positioned with respect to the support table 10t of the manufacturing apparatus 10 by inserting the positioning pins of the above.

【0062】このように、製造装置10の支持テーブル
10tと単位半導体装置集合体1Stと押さえプレート
10pとの位置決め方法は様々な構成が適宜、適用され
る。
As described above, various methods are appropriately applied to the method of positioning the support table 10t, the unit semiconductor device assembly 1St, and the pressing plate 10p of the manufacturing apparatus 10.

【0063】上記構成によれば、製造装置10による単
位半導体装置集合体1Stの切断工程において、支持テ
ーブル10t上に載置された単位半導体装置集合体1S
tは、真空引きにより吸着され、さらに、荷重調整装置
10lを使用して押さえプレート10pにより単位半導
体装置集合体1Stの被切断箇所が押圧され、押さえプ
レート10pの貫通孔10p1を挿通したブレード10
bにより切断される。
According to the above structure, in the step of cutting the unit semiconductor device assembly 1St by the manufacturing apparatus 10, the unit semiconductor device assembly 1S placed on the support table 10t.
The t is attracted by vacuuming, and further, the cut plate of the unit semiconductor device assembly 1St is pressed by the pressing plate 10p using the load adjusting device 101, and the blade 10 inserted through the through hole 10p1 of the pressing plate 10p.
It is cut by b.

【0064】よって、被切断対象である単位半導体装置
集合体1Stが確実に固定されるため、半導体装置1と
して個々に切断される際に変位することなく、精確な切
断作業が行われ、および寸法精度ともすぐれて切り離さ
れる。
Therefore, since the unit semiconductor device assembly 1St to be cut is securely fixed, the semiconductor device 1 can be accurately cut without being displaced when it is individually cut, and the dimensions can be improved. It has excellent accuracy and is separated.

【0065】また、単位半導体装置集合体1Stが上述
したように押さえプレート10pにより十分な固定力に
より押さえられるため、大きな切断力に対しても単位半
導体装置集合体1Stの変位が防止され、切断作業の高
速化が可能となり生産性の向上が果される。
Further, since the unit semiconductor device assembly 1St is pressed by the pressing plate 10p with a sufficient fixing force as described above, the displacement of the unit semiconductor device assembly 1St is prevented even with a large cutting force, and the cutting work is performed. It is possible to speed up the process and improve productivity.

【0066】さらに、支持テーブル10tの少なくとも
表面近傍領域がゴム、または柔軟な合成樹脂等の弾性材
で構成されれば、切断作業に際して、単位半導体装置集
合体1Stが真空引き機構により支持テーブル10t上
に真空引きされる際に、該支持テーブル10tが単位半
導体装置集合体1Stの外形形状に沿って変形し、単位
半導体装置集合体1Stと支持テーブル10tとの密着
性がより向上して単位半導体装置集合体1Stに対する
真空引きがより強力になされ、切断作業時に単位半導体
装置集合体1Stがより確実に固定され、切断作業がよ
り円滑に、且つ高速に行うことが可能である。
Furthermore, if at least the surface vicinity region of the support table 10t is made of an elastic material such as rubber or a flexible synthetic resin, the unit semiconductor device assembly 1St is placed on the support table 10t by a vacuuming mechanism during a cutting operation. The support table 10t is deformed along the outer shape of the unit semiconductor device assembly 1St when the unit semiconductor device assembly 1St and the support table 10t are more closely attached to each other. The assembly 1St is evacuated more strongly, the unit semiconductor device assembly 1St is more reliably fixed during the cutting operation, and the cutting operation can be performed more smoothly and at higher speed.

【0067】また、切断作業に際して、単位半導体装置
集合体1Stを適切な荷重で押さえる荷重調整装置10
lを備えるので、単位半導体装置集合体1Stにおける
絶縁性基材5、封止樹脂4等の材料、または単位半導体
装置集合体1Stの切断箇所に応じて適切な押さえ荷重
に調整可能で、さらに円滑且つ精確な切断作業が行え
る。
Further, in the cutting operation, the load adjusting device 10 which holds the unit semiconductor device assembly 1St with an appropriate load.
Since l is provided, it is possible to adjust to an appropriate pressing load according to the material such as the insulating base material 5 and the sealing resin 4 in the unit semiconductor device assembly 1St, or the cut position of the unit semiconductor device assembly 1St, and to further smoothen In addition, accurate cutting work can be performed.

【0068】次に、第2実施例について説明する。Next, the second embodiment will be described.

【0069】第2実施例においては、半導体装置集合体
1Sを各半導体装置1へ分割する切断工程において、半
導体装置集合体1Sを単位半導体装置集合体1Stに分
割することなく、押さえプレート10pに代替して押さ
えプレート(押圧手段)20p(図8参照)と押さえプレー
ト(押圧手段)30p(図9参照)とが用いられ切断作業が
行われ、各半導体装置1が製造される。
In the second embodiment, in the cutting step of dividing the semiconductor device assembly 1S into the respective semiconductor devices 1, the semiconductor device assembly 1S is not divided into the unit semiconductor device assembly 1St but is replaced with the pressing plate 10p. Then, the pressing plate (pressing means) 20p (see FIG. 8) and the pressing plate (pressing means) 30p (see FIG. 9) are used to perform a cutting operation, and each semiconductor device 1 is manufactured.

【0070】なお、製造装置10における支持テーブル
10t上の複数の位置決めピン(図示せず)は、第1実施
例と異なり半導体装置集合体1Sのガイドホール5g、
…に対応して植設されている。
The plurality of positioning pins (not shown) on the support table 10t in the manufacturing apparatus 10 are different from those in the first embodiment in that the guide holes 5g of the semiconductor device assembly 1S,
It has been planted in response to ...

【0071】上述以外の構成は、第1実施例と同様な構
成であるから同一の符号を付して説明を省略する。
The configuration other than the above is the same as that of the first embodiment, and therefore the same reference numerals are given and the description thereof is omitted.

【0072】上記押さえプレート20pは、図8(a)、
(b)に示すように、内部に半導体装置集合体1S (図2
(a)、(b)参照)を収納するための、収納凹部20p2が
形成されている。
The pressing plate 20p is shown in FIG.
As shown in (b), the semiconductor device assembly 1S (see FIG.
An accommodating recess 20p2 for accommodating (a) and (b) is formed.

【0073】また、押さえプレート20pは、図8(a)
に示すように、複数の貫通孔20p1、…がピッチp
i、および長さlp24を有してブレードの刃先厚より大
きな寸法の幅lp25をもって穿孔されており、切断工程
時には該貫通孔20p1をブレードの刃先が挿通して貫
通孔20p1の長さ方向に進退する。
The pressing plate 20p is shown in FIG. 8 (a).
, The plurality of through holes 20p1, ...
i, and a length lp24, which has a width lp25 larger than the blade edge thickness of the blade, and the blade edge of the blade is inserted through the through hole 20p1 during the cutting process to advance or retreat in the length direction of the through hole 20p1. To do.

【0074】貫通孔20p1のピッチpiは、図4(a)
に示すように、個々の半導体装置に対応する半導体パッ
ケージ4t間の縦方向の境界線s1、…である切断線間
のピッチpiと等しく設定されている。
The pitch pi of the through holes 20p1 is as shown in FIG.
As shown in, the pitch pi between the cutting lines, which are vertical boundary lines s1 between the semiconductor packages 4t corresponding to the individual semiconductor devices, is set to be equal.

【0075】また、貫通孔20p1の長さlp24は、半
導体装置集合体1Sにおける各半導体装置1への分割の
ための切断線の長さl4よりも長く設定されており、切
断工程時にブレード10bによる半導体装置集合体1S
の各半導体装置1への切断作業が無理なく行えるように
構成されている。
Further, the length lp24 of the through hole 20p1 is set longer than the length l4 of the cutting line for dividing the semiconductor device assembly 1S into each semiconductor device 1, and is determined by the blade 10b during the cutting process. Semiconductor device assembly 1S
The cutting operation to each semiconductor device 1 can be performed without difficulty.

【0076】また、図8(a)に示すように、押さえプレ
ート20pには、製造装置10の支持テーブル10tと
該支持テーブル10t上に載置される半導体装置集合体
1Sとの位置決めを行うための複数の位置決め孔20p
3、…が、切断工程時に押さえプレート20pと位置決
めされる半導体装置集合体1Sのガイドホール5g、…
と同位置になるように穿孔されている。
Further, as shown in FIG. 8A, in order to position the support table 10t of the manufacturing apparatus 10 and the semiconductor device assembly 1S mounted on the support table 10t on the pressing plate 20p. Multiple positioning holes 20p
, ... are guide holes 5g of the semiconductor device assembly 1S, which are positioned with respect to the pressing plate 20p during the cutting process.
It is perforated to be in the same position as.

【0077】該位置決め孔20p3は、切断工程に際して
製造装置10の支持テーブル10t上に半導体装置集合
体1Sが載置された際に支持テーブル10t上の位置決
めピンに挿通することにより、押さえプレート20pを
製造装置10の支持テーブル10tと半導体装置集合体
1Sとに対して位置決めする。
The positioning hole 20p3 is inserted into the positioning pin on the support table 10t when the semiconductor device assembly 1S is placed on the support table 10t of the manufacturing apparatus 10 in the cutting process, so that the pressing plate 20p is inserted. The manufacturing apparatus 10 is positioned with respect to the support table 10t and the semiconductor device assembly 1S.

【0078】上記押さえプレート30pは、図9(a)、
(b)に示すように、内部に半導体装置集合体1S(図2
(a)、(b)参照)を収納するための、収納凹部30p2が
形成されている。
The pressing plate 30p is shown in FIG.
As shown in (b), the semiconductor device assembly 1S (see FIG.
An accommodating recess 30p2 for accommodating (a) and (b) is formed.

【0079】また、押さえプレート30pは、図9(a)
に示すように、複数の貫通孔30p1、…がピッチp
i、および長さlp34を有してブレードの刃先厚より大
きな寸法の幅lp35を有して穿孔されており、切断工程
時には該貫通孔30p1をブレードの刃先が挿通して貫
通孔30p1の長さ方向に進退する。
The pressing plate 30p is shown in FIG. 9 (a).
, The plurality of through holes 30p1, ...
i, and has a length lp34, and is perforated with a width lp35 having a dimension larger than the blade edge thickness of the blade, and the blade edge of the blade is inserted through the through hole 30p1 during the cutting process. Move forward and backward.

【0080】貫通孔30p1のピッチpiは、図4(a)
に示すように、個々の半導体装置に対応する半導体パッ
ケージ4t間の横方向の境界線s2、…である切断線間
のピッチpiと等しく設定されている。
The pitch pi of the through holes 30p1 is as shown in FIG.
As shown in, the pitch is set to be equal to the pitch pi between the cutting lines that are the horizontal boundary lines s2 between the semiconductor packages 4t corresponding to the individual semiconductor devices.

【0081】また、貫通孔30p1の長さlp34は、図
2(a)に示す半導体装置集合体1Sにおける各半導体装
置1への分割のための切断線の長さl04よりも長く設定
されており、切断工程時にブレード10bによる半導体
装置集合体1Sの各半導体装置1への切断作業が無理な
く行えるように構成されている。
Further, the length lp34 of the through hole 30p1 is set longer than the length l04 of the cutting line for dividing the semiconductor device assembly 1S shown in FIG. 2A into the semiconductor devices 1. In the cutting process, the blade 10b is configured to cut the semiconductor device assembly 1S into each semiconductor device 1 without difficulty.

【0082】また、図9(a)に示すように、押さえプレ
ート30pには、製造装置10の支持テーブル10tと
支持テーブル10t上に載置される半導体装置集合体1
Sとの位置決めを行うための複数の位置決め孔30p3、
…が、切断工程時に押さえプレート30pと位置決めさ
れる半導体装置集合体1Sのガイドホール5g、…と同
位置になるように穿孔されている。
As shown in FIG. 9A, the holding plate 30p has a support table 10t of the manufacturing apparatus 10 and the semiconductor device assembly 1 mounted on the support table 10t.
A plurality of positioning holes 30p3 for positioning with S,
Are punched so as to be in the same positions as the guide holes 5g of the semiconductor device assembly 1S, which are positioned with the pressing plate 30p during the cutting process.

【0083】該位置決め孔30p3は、切断工程に際して
製造装置10の支持テーブル10t上に半導体装置集合
体1Sが載置された際に支持テーブル10t上の位置決
めピンに挿通することにより、押さえプレート30pを
製造装置10の支持テーブル10tと半導体装置集合体
1Sとに対して位置決めする。
The positioning hole 30p3 is inserted into the positioning pin on the support table 10t when the semiconductor device assembly 1S is placed on the support table 10t of the manufacturing apparatus 10 in the cutting process, so that the pressing plate 30p is inserted. The manufacturing apparatus 10 is positioned with respect to the support table 10t and the semiconductor device assembly 1S.

【0084】次に、上記構成の押さえプレート20p、
押さえプレート30pを使用して製造装置10により、
半導体装置集合体1Sを切断して各半導体装置1へ分割
する切断工程について説明する。
Next, the pressing plate 20p having the above structure,
By the manufacturing apparatus 10 using the pressing plate 30p,
A cutting process of cutting the semiconductor device assembly 1S and dividing it into the semiconductor devices 1 will be described.

【0085】まず、図3に示すように、製造装置10に
おける支持テーブル10t上に半導体装置集合体1S
を、絶縁性基材5側が上方に位置するとともに半導体パ
ッケージ4t、…が形成された面側が下方に位置するよ
うにして支持テーブル10tの位置決めピンに半導体装
置集合体1Sのガイドホール5g、…を挿通して位置決
めして載置する。
First, as shown in FIG. 3, the semiconductor device assembly 1S is mounted on the support table 10t in the manufacturing apparatus 10.
The guide holes 5g, ... Of the semiconductor device assembly 1S are attached to the positioning pins of the support table 10t so that the insulating base material 5 side is located above and the surface side on which the semiconductor packages 4t are formed are located below. Insert, position, and place.

【0086】続いて、図8(c)の矢印Cに示すように、
支持テーブル10t上に載置された半導体装置集合体1
Sを上方から押さえプレート20pの収納凹部20p2
内に収納するとともに押さえプレート20pの位置決め
孔20p3、…に支持テーブル10tの位置決めピンを
挿通して、押さえプレート10pを半導体装置集合体1
S上に位置決めして載置する。
Then, as shown by the arrow C in FIG.
Semiconductor device assembly 1 mounted on the support table 10t
Pressing S from above, storage recess 20p2 of plate 20p
The holding plate 10p is housed inside and the positioning pin of the support table 10t is inserted into the positioning hole 20p3 of the pressing plate 20p.
Position and place on S.

【0087】ここで、図3に示すように、半導体装置集
合体1Sにおける各半導体装置に対応する半導体パッケ
ージ4t間の縦方向の境界線s1、…(図4(a)参照)で
ある切断線は、押さえプレート20pの貫通孔20p
1、…に沿って位置している。
Here, as shown in FIG. 3, a vertical boundary line s1 between the semiconductor packages 4t corresponding to each semiconductor device in the semiconductor device assembly 1S, ... (See FIG. 4A). Is the through hole 20p of the pressing plate 20p.
Located along 1, ...

【0088】続いて、真空引き機構を稼動させて半導体
装置集合体1Sと押さえプレート20pとを支持テーブ
ル10t上に吸引すると同時に、製造装置10の荷重調
整装置10lにより適当な荷重で押さえプレート20p
を下方へ押圧して、半導体装置集合体1Sを支持テーブ
ル10tに適切な荷重によって押えつける。
Then, the vacuuming mechanism is operated to suck the semiconductor device assembly 1S and the pressing plate 20p onto the support table 10t, and at the same time, the load adjusting device 10l of the manufacturing apparatus 10 applies an appropriate load to the pressing plate 20p.
Is pressed downward to press the semiconductor device assembly 1S onto the support table 10t with an appropriate load.

【0089】ここで、製造装置10の荷重調整装置10
lによる半導体装置集合体1Sに対する支持テーブル1
0tへの押さえ荷重は、前記のように適宜、調整され
る。
Here, the load adjusting device 10 of the manufacturing apparatus 10
Support table 1 for semiconductor device assembly 1S by l
The pressing load to 0t is appropriately adjusted as described above.

【0090】続いて、製造装置10のブレード10bを
回転させて押さえプレート20pの貫通孔20p1に挿
通させて、貫通孔20p1の長さ方向に進行させて半導
体装置集合体1Sの半導体パッケージ4t間の境界線s
1、…を直線状に切断し、切り込みを形成する。
Then, the blade 10b of the manufacturing apparatus 10 is rotated to be inserted into the through hole 20p1 of the pressing plate 20p, and is advanced in the length direction of the through hole 20p1 to be between the semiconductor packages 4t of the semiconductor device assembly 1S. Border s
1, ... Is cut linearly to form a notch.

【0091】続いて、真空引き機構の稼動を停止させる
とともに、押さえプレート20pを押圧していた荷重調
整装置10lを緩め、さらに荷重調整装置10lを押さ
えプレート20p上から移動する。
Subsequently, the operation of the evacuation mechanism is stopped, the load adjusting device 10l pressing the pressing plate 20p is loosened, and the load adjusting device 10l is moved from above the pressing plate 20p.

【0092】次に、押さえプレート20pの位置決め孔
20p3、…を支持テーブル10tの位置決めピンから
それぞれ抜き去り、押さえプレート20pを半導体装置
集合体1S上から外す。
Next, the positioning holes 20p3, ... Of the pressing plate 20p are removed from the positioning pins of the support table 10t, and the pressing plate 20p is removed from the semiconductor device assembly 1S.

【0093】続いて、図9(c)の矢印Dに示すように、
支持テーブル10t上に載置された半導体装置集合体1
Sを上方から押さえプレート30pの収納凹部30p2
内に収納するとともに押さえプレート30pの位置決め
孔30p3、…に支持テーブル10tの位置決めピンを
挿通して、押さえプレート30pを半導体装置集合体1
S上に位置決めして載置する。
Then, as shown by the arrow D in FIG. 9C,
Semiconductor device assembly 1 mounted on the support table 10t
Pressing S from above, storage recess 30p2 of plate 30p
The positioning pins of the support table 10t are inserted into the positioning holes 30p3, ... Of the pressing plate 30p, and the pressing plate 30p is inserted into the semiconductor device assembly 1.
Position and place on S.

【0094】ここで、図3に示すように、半導体装置集
合体1Sにおける各半導体装置に対応する半導体パッケ
ージ4t間の横方向の境界線s2、…(図4(a)参照)で
ある切断線は、押さえプレート30pの貫通孔30p
1、…に沿って位置している。
Here, as shown in FIG. 3, a horizontal boundary line s2 between the semiconductor packages 4t corresponding to each semiconductor device in the semiconductor device assembly 1S, ... (See FIG. 4A). Is a through hole 30p of the pressing plate 30p.
Located along 1, ...

【0095】続いて、真空引き機構を稼動させて半導体
装置集合体1Sを支持テーブル10t上に吸引すると同
時に、製造装置10の荷重調整装置10lにより適当な
荷重で押さえプレート30pを下方へ押圧して、半導体
装置集合体1Sを支持テーブル10tに適切な押さえ荷
重で押しつける。
Then, the vacuuming mechanism is operated to suck the semiconductor device assembly 1S onto the support table 10t, and at the same time, the load adjusting device 10l of the manufacturing apparatus 10 presses the pressing plate 30p downward with an appropriate load. , The semiconductor device assembly 1S is pressed against the support table 10t with an appropriate pressing load.

【0096】ここで、製造装置10の荷重調整装置10
lによる半導体装置集合体1Sに対する支持テーブル1
0tへの押さえ荷重は、前記のように適宜、調整され
る。
Here, the load adjusting device 10 of the manufacturing apparatus 10
Support table 1 for semiconductor device assembly 1S by l
The pressing load to 0t is appropriately adjusted as described above.

【0097】続いて、図3に示すように、製造装置10
のブレード10bを回転させて押さえプレート30pの
貫通孔30p1に挿通させて、貫通孔30p1の長さ方向
に進行させて半導体装置集合体1Sの半導体パッケージ
4t間の境界線s2、…を貫通孔30p1、30p1、…
に沿ってそれぞれ直線上に切断して、各半導体装置1に
分割する。
Then, as shown in FIG.
Blade 10b of the pressing plate 30p is inserted into the through hole 30p1 of the pressing plate 30p, and is advanced in the length direction of the through hole 30p1 to form the boundary line s2 between the semiconductor packages 4t of the semiconductor device assembly 1S. , 30p1, ...
Is cut along each of the straight lines to divide into the semiconductor devices 1.

【0098】続いて、真空引き機構の稼動を停止させる
とともに、半導体装置集合体1Sへの荷重調整装置10
lによる押圧を取り止め、また、押さえプレート30p
を取り去り、分割された複数の半導体装置1を回収す
る。
Subsequently, the operation of the vacuuming mechanism is stopped, and the load adjusting device 10 for the semiconductor device assembly 1S is stopped.
Stop pressing by l and press plate 30p
And the plurality of divided semiconductor devices 1 are collected.

【0099】上記構成によれば、半導体装置集合体1S
を単位半導体装置集合体1Stに分割することなく、押
さえプレート20pと押さえプレート30pとを使用し
て製造装置10を用いて、一括して半導体装置集合体1
Sの各半導体パッケージ4t間の縦方向と横方向との境
界線に沿って切断することにより、各半導体装置1に分
割できるので、生産性が極めて高い。
According to the above structure, the semiconductor device assembly 1S is formed.
Without dividing the semiconductor device assembly 1St into a unit semiconductor device assembly 1St using the manufacturing plate 10 using the pressing plate 20p and the pressing plate 30p.
Since the semiconductor devices 1 can be divided into the respective semiconductor devices 1 by cutting along the boundary between the vertical and horizontal directions between the respective semiconductor packages 4t of S, the productivity is extremely high.

【0100】なお、第1実施例で奏する効果は第2実施
例においても奏することは言うまでもない。
Needless to say, the effects of the first embodiment are also exhibited in the second embodiment.

【0101】なお、上述の実施例では、製造装置10に
おいて、押さえプレート10p、20p、30pを荷重
調整装置10lを使用して押圧し単位半導体装置集合体
1St等の被切断対象に押さえ荷重を加えたが、押さえ
プレート10p、20p、30pの少なくとも一部を磁
性体で構成し、切断工程において押さえプレート10
p、20p、30pを電磁石等により被切断対象を挟ん
で支持テーブル10tに吸引することにより被切断対象
に押さえ荷重を加えることも可能である。
In the above-described embodiment, in the manufacturing apparatus 10, the pressing plates 10p, 20p, 30p are pressed by using the load adjusting device 101, and the pressing load is applied to the object to be cut such as the unit semiconductor device assembly 1St. However, at least a part of the pressing plates 10p, 20p, 30p is made of a magnetic material, and the pressing plate 10 is used in the cutting process.
It is also possible to apply a pressing load to the object to be cut by sucking p, 20p and 30p to the support table 10t while sandwiching the object to be cut with an electromagnet or the like.

【0102】なお、第1実施例においては、半導体装置
集合体1Sを各単位半導体装置集合体1Stに切断した
後、単位半導体装置集合体1Stに対応する押さえプレ
ート10pを使用して各単位半導体装置集合体1Stを
切断して各半導体装置1に分割し、また、第2実施例に
おいては、半導体装置集合体1Sに対応する押さえプレ
ート20pと押さえプレート30pとを使用して半導体
装置集合体1Sを切断して各半導体装置1に分割した
が、押さえプレートの大きさは単位半導体装置集合体1
Stの2つ分の大きさでもよいし、3つ分の大きさでも
よいし、その大きさは適宜、様々に選択可能である。
In the first embodiment, after the semiconductor device assembly 1S is cut into each unit semiconductor device assembly 1St, the holding plate 10p corresponding to the unit semiconductor device assembly 1St is used to form each unit semiconductor device. The assembly 1St is cut and divided into each semiconductor device 1, and in the second embodiment, the semiconductor device assembly 1S is formed by using the pressing plate 20p and the pressing plate 30p corresponding to the semiconductor device assembly 1S. The semiconductor device 1 was cut and divided into semiconductor devices 1.
The size of St may be two or three, and the size may be appropriately selected in various ways.

【0103】また、上記実施例では、押さえプレートの
貫通孔は半導体パッケージ4t間の境界線に沿う形で連
続して平行に構成したが、境界線に沿えば境界線を1つ
おきに構成してもよいし2つおきに構成してもよいし、
必ずしも連続して平行に構成しなくてもよく、また、貫
通孔を該境界線に沿って直交して構成してもよいし、貫
通孔の態様は半導体パッケージ4t間の境界線に沿って
いさえすれば、任意に構成することができることは言う
までもない。
Further, in the above-described embodiment, the through holes of the pressing plate are formed continuously in parallel along the boundary between the semiconductor packages 4t, but every other boundary is formed along the boundary. May be configured or every other two,
The through holes do not necessarily have to be formed continuously in parallel, the through holes may be formed orthogonally along the boundary line, and the through holes may be arranged along the boundary line between the semiconductor packages 4t. Needless to say, it can be configured arbitrarily.

【0104】また、上記実施例では、押さえプレートと
して収納凹部が形成される構成を例示したが、切断対象
の切断箇所に対応した貫通孔を有するとともに切断対象
の非切断箇所を押圧できる構成であれば、押さえプレー
トは平板等のその他の形状であってもよい。
Further, in the above-mentioned embodiment, the constitution in which the storage recess is formed as the pressing plate is exemplified, but the constitution may be such that it has a through hole corresponding to the cut portion of the cutting object and can press the non-cut portion of the cutting object. For example, the pressing plate may have another shape such as a flat plate.

【0105】[0105]

【発明の効果】以上、詳述した如く、本発明の請求項1
に関わる半導体装置の製造装置は、真空引き機構に連結
する吸気孔が設けられ、載置される半導体装置集合体を
吸着する支持手段と、半導体装置集合体における各半導
体装置に相当する領域の境界線に沿って切断する切断手
段と、半導体装置集合体の切断箇所に対応して設けられ
るとともに切断手段の刃先が挿通する複数の貫通孔を有
し、半導体装置集合体の非切断箇所を押圧する押圧手段
と、を具備することを特徴としている。
As described above in detail, the first aspect of the present invention is as follows.
A semiconductor device manufacturing apparatus relating to the above is provided with an intake hole connected to a vacuuming mechanism, and a boundary between a supporting means for adsorbing a mounted semiconductor device assembly and a region corresponding to each semiconductor device in the semiconductor device assembly. Cutting means for cutting along the line, and a plurality of through holes provided corresponding to the cutting position of the semiconductor device assembly and through which the cutting edge of the cutting means is inserted, and press the non-cutting part of the semiconductor device assembly. And a pressing means.

【0106】上記構成によれば、半導体装置集合体の切
断に際して真空吸着に加えて半導体装置集合体の非切断
箇所が押圧手段によって押圧されるので確実に固定さ
れ、半導体装置集合体の切断作業が精確に行え、形状、
サイズの精度がすぐれた半導体装置を製造することが可
能である。
According to the above structure, when the semiconductor device assembly is cut, the non-cutting portion of the semiconductor device assembly is pressed by the pressing means in addition to the vacuum suction, so that the semiconductor device assembly is securely fixed and the semiconductor device assembly can be cut. Can be done accurately, shape,
It is possible to manufacture a semiconductor device having excellent size accuracy.

【0107】本発明の請求項2に関わる半導体装置の製
造装置は、真空引き機構に連結する吸気孔が設けられ、
載置される半導体装置集合体を吸着する支持手段と、半
導体装置集合体における各半導体装置に相当する領域の
境界線に沿って切断する切断手段と、半導体装置集合体
の切断箇所に対応して設けられるとともに切断手段の刃
先が挿通する複数の貫通孔を有し、半導体装置集合体の
非切断箇所を押圧する押圧手段と、前記押圧手段の押圧
荷重を調整自在な荷重調整手段と、を具備することを特
徴としている。
A semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 2 of the present invention is provided with an intake hole connected to a vacuuming mechanism,
Corresponding to the supporting means for adsorbing the semiconductor device assembly to be mounted, the cutting means for cutting along the boundary line of the region corresponding to each semiconductor device in the semiconductor device assembly, and the cutting location of the semiconductor device assembly. A pressing means that is provided and has a plurality of through holes through which the cutting edges of the cutting means are inserted, and that presses a non-cutting portion of the semiconductor device assembly; and a load adjusting means that is capable of adjusting the pressing load of the pressing means. It is characterized by doing.

【0108】上記構成によれば、半導体装置集合体の切
断に際して、半導体装置集合体の非切断箇所が荷重調整
手段を用いて押圧手段によって適切な荷重で押圧される
ので適切な押さえ荷重で固定され、半導体装置集合体の
切断作業がより精確にかつ速い速度で行え、形状、サイ
ズの精度がすぐれた半導体装置を生産性よく製造するこ
とが可能である。
According to the above construction, when the semiconductor device assembly is cut, the non-cut portion of the semiconductor device assembly is pressed with an appropriate load by the pressing means using the load adjusting means, so that it is fixed with an appropriate pressing load. It is possible to perform the cutting operation of the semiconductor device assembly more accurately and at a high speed, and to manufacture the semiconductor device having excellent shape and size accuracy with high productivity.

【0109】本発明の請求項3に関わる半導体装置の製
造装置は、請求項1から請求項2のうちの何れか一項に
記載の半導体装置の製造装置において、支持手段は、少
なくとも表面近傍領域が弾性材で構成されることを特徴
としている。
A semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 3 of the present invention is the semiconductor device manufacturing apparatus according to any one of claims 1 to 2, wherein the supporting means is at least a surface vicinity region. Is composed of an elastic material.

【0110】上記構成によれば、支持手段の少なくとも
表面近傍領域が弾性材で構成されるので、半導体装置集
合体が支持手段に真空引きされた際に支持手段の表面近
傍領域が半導体装置集合体の外形に沿って変形して半導
体装置集合体との密着性が向上し、半導体装置集合体を
支持手段に効果的に真空引きすることが可能である。
According to the above structure, at least the surface vicinity region of the supporting means is made of the elastic material, so that when the semiconductor device assembly is evacuated by the supporting means, the surface vicinity region of the supporting means is the semiconductor device assembly. By deforming along the outer shape of the semiconductor device, the adhesion to the semiconductor device assembly is improved, and the semiconductor device assembly can be effectively evacuated to the supporting means.

【0111】本発明の請求項4に関わる半導体装置の製
造方法は、半導体装置集合体を真空引き機構に連結され
た支持手段上に載置する工程と、半導体装置集合体を真
空引き機構によって真空引きして支持手段に吸着すると
ともに、押圧手段に設けられた複数の貫通孔を半導体装
置集合体における各半導体装置に相当する領域の境界線
に沿う切断箇所に合わせて、押圧手段によって半導体装
置集合体の非切断箇所を押圧する工程と、切断手段の刃
先を押圧手段の貫通孔に挿通して半導体装置集合体の切
断箇所を切断する工程とを含むことを特徴としている。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, including a step of placing the semiconductor device assembly on a support means connected to a vacuuming mechanism, and a vacuuming mechanism for vacuuming the semiconductor device assembly. While pulling and adsorbing to the supporting means, the plurality of through holes provided in the pressing means are aligned with the cutting points along the boundary line of the region corresponding to each semiconductor device in the semiconductor device assembly, and the semiconductor device assembly is pressed by the pressing means. The method is characterized by including a step of pressing a non-cut portion of the body and a step of inserting a blade tip of the cutting means into a through hole of the pressing means to cut the cut portion of the semiconductor device assembly.

【0112】上記構成によれば、半導体装置集合体の切
断に際して真空引き吸着に加えて半導体装置集合体の非
切断箇所が押圧手段によって押圧されるので変位しやす
い切断終了時においても確実に固定され、半導体装置集
合体の切断作業が精確に行え、形状、サイズが精確な半
導体装置を製造することが可能である。
According to the above construction, when the semiconductor device assembly is cut, the non-cutting portion of the semiconductor device assembly is pressed by the pressing means in addition to the vacuum suction, so that the semiconductor device assembly is easily fixed even when the cutting is completed. It is possible to perform the cutting work of the semiconductor device assembly accurately, and manufacture a semiconductor device having an accurate shape and size.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】(a)および(b)は、本発明に関わる実施例の半
導体装置を示す斜視図、および(a)図のA−A線一部切
り欠き断面図。
1A and 1B are a perspective view showing a semiconductor device of an embodiment according to the present invention, and a partially cutaway sectional view taken along the line AA of FIG.

【図2】(a)および(b)は、本発明に関わる実施例の半
導体装置集合体の上面図、および長手方向からの側面
図。
2A and 2B are a top view and a side view from a longitudinal direction of a semiconductor device assembly according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明に関わる実施例の製造装置を用いる各半
導体装置への切断工程を示す要部断面図。
FIG. 3 is a cross-sectional view of essential parts showing a step of cutting each semiconductor device using the manufacturing apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図4】(a)、(b)、(c)、(d)は、第1実施例の単位
半導体装置集合体の上面図、(a)図に示す単位半導体装
置集合体の側面図、第1実施例の押さえプレートの上面
図、および(c)図のC−C線断面図。
4 (a), (b), (c), and (d) are top views of the unit semiconductor device assembly of the first embodiment, side views of the unit semiconductor device assembly shown in FIG. 4 (a), The top view of the pressing plate of 1st Example, and CC sectional view taken on the line of (c) figure.

【図5】(a)および(b)は、本発明に関わる第1実施例
の製造装置の支持テーブル上に単位半導体装置集合体を
位置決めして載置した状態を示す上面図、および(a)図
に示す単位半導体装置集合体の上方に押さえプレートを
位置決めして載置した状態を示す上面図。
5 (a) and 5 (b) are top views showing a state in which a unit semiconductor device assembly is positioned and placed on a support table of the manufacturing apparatus according to the first embodiment of the present invention, and FIG. ) A top view showing a state in which a pressing plate is positioned and placed above the unit semiconductor device assembly shown in the drawing.

【図6】(a)および(b)は、本発明に関わる第1実施例
の製造装置の支持テーブル上に位置決めして載置された
単位半導体装置集合体に1回目の切り込みが入れられた
後の状態を示す上面図、および(a)図に示す単位半導体
装置集合体の上方に押さえプレートを位置決めして載置
した状態を示す上面図。
6 (a) and 6 (b) are the first cuts made in the unit semiconductor device assembly that is positioned and placed on the support table of the manufacturing apparatus according to the first embodiment of the present invention. FIG. 6 is a top view showing a state after that, and a top view showing a state where a pressing plate is positioned and placed above the unit semiconductor device assembly shown in FIG.

【図7】本発明に関わる第1実施例において切断工程が
終了した際の単位半導体装置集合体を示す上面図。
FIG. 7 is a top view showing the unit semiconductor device assembly when the cutting step is completed in the first example of the present invention.

【図8】(a)、(b)、(c)は、本発明に関わる第2実施
例の押さえプレートの上面図、(a)図のA−A線断面
図、(a)図に示す押さえプレートを支持テーブル上の半
導体装置集合体の上方から載置する過程を示す側面図。
8A, 8B and 8C are a top view of a pressing plate according to a second embodiment of the present invention, a sectional view taken along line AA of FIG. 8A, and FIG. FIG. 6 is a side view showing a process of mounting the pressing plate from above the semiconductor device assembly on the support table.

【図9】(a)、(b)、(c)は、本発明に関わる第2実施
例の押さえプレートの上面図、(a)図のA−A線断面
図、(a)図に示す押さえプレートを支持テーブル上の半
導体装置集合体の上方から載置する過程を示す側面図。
9 (a), (b) and (c) are a top view of a pressing plate according to a second embodiment of the present invention, a sectional view taken along the line AA of FIG. 9 (a), and FIG. 9 (a). FIG. 6 is a side view showing a process of mounting the pressing plate from above the semiconductor device assembly on the support table.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…半導体装置、 10…製造装置、 1S…半導体装置集合体、 1St…単位半導体装置集合体(半導体装置集合体)、 4t…半導体パッケージ、 10b…ブレード(切断手段)、 10l…荷重調整装置(荷重調整手段)、 10p、20p、30p…押さえプレート(押圧手段)、 10p1、20p1、30p1…貫通孔、 10t…支持テーブル(支持手段)、 10t2…吸気孔、 s1、s2…境界線(切断箇所)。 1 ... Semiconductor device, 10 ... Manufacturing device, 1S ... Semiconductor device assembly, 1St ... Unit semiconductor device assembly (semiconductor device assembly), 4t ... semiconductor package, 10b ... blade (cutting means), 10l ... load adjusting device (load adjusting means), 10p, 20p, 30p ... pressing plate (pressing means), 10p1, 20p1, 30p1 ... through hole, 10t ... Support table (support means), 10t2 ... intake hole, s1, s2 ... Boundary line (cutting point).

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 天野 克己 福岡県北九州市八幡西区小嶺2丁目10番1 号 株式会社三井ハイテック内 (72)発明者 廣瀬 忠男 福岡県北九州市八幡西区小嶺2丁目10番1 号 株式会社三井ハイテック内 Fターム(参考) 5F061 AA01 BA04 CA21 CB13    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Katsumi Amano             2-10-1 Komine, Hachimannishi-ku, Kitakyushu City, Fukuoka Prefecture             Issue Mitsui High-Tech Co., Ltd. (72) Inventor Tadao Hirose             2-10-1 Komine, Hachimannishi-ku, Kitakyushu City, Fukuoka Prefecture             Issue Mitsui High-Tech Co., Ltd. F-term (reference) 5F061 AA01 BA04 CA21 CB13

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体パッケージが形成された半導体
装置集合体を切断して個々の半導体装置へ分割する半導
体装置の製造装置であって、 真空引き機構に連結する吸気孔が設けられ、載置される
前記半導体装置集合体を吸着する支持手段と、 前記半導体装置集合体における各半導体装置に相当する
領域の境界線に沿って切断する切断手段と、 前記半導体装置集合体の切断箇所に対応して設けられる
とともに前記切断手段の刃先が挿通する複数の貫通孔を
有し、前記半導体装置集合体の非切断箇所を押圧する押
圧手段と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。
1. A semiconductor device manufacturing apparatus for cutting a semiconductor device assembly in which a semiconductor package is formed into individual semiconductor devices, wherein an intake hole connected to a vacuuming mechanism is provided and mounted. Corresponding to the supporting means for adsorbing the semiconductor device assembly, the cutting means for cutting along the boundary line of the region corresponding to each semiconductor device in the semiconductor device assembly, and the cutting location of the semiconductor device assembly. An apparatus for manufacturing a semiconductor device, comprising: a pressing unit that is provided and that has a plurality of through holes through which the cutting edges of the cutting unit are inserted, and that presses a non-cutting portion of the semiconductor device assembly.
【請求項2】 半導体パッケージが形成された半導体
装置集合体を切断して個々の半導体装置へ分割する半導
体装置の製造装置であって、 真空引き機構に連結する吸気孔が設けられ、載置される
前記半導体装置集合体を吸着する支持手段と、 前記半導体装置集合体における各半導体装置に相当する
領域の境界線に沿って切断する切断手段と、 前記半導体装置集合体の切断箇所に対応して設けられる
とともに前記切断手段の刃先が挿通する複数の貫通孔を
有し、前記半導体装置集合体の非切断箇所を押圧する押
圧手段と、 前記押圧手段の押圧荷重を調整自在な荷重調整手段と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。
2. A semiconductor device manufacturing apparatus for cutting a semiconductor device assembly having a semiconductor package formed therein and dividing the semiconductor device assembly into individual semiconductor devices, wherein an intake hole connected to a vacuuming mechanism is provided and mounted. Corresponding to the supporting means for adsorbing the semiconductor device assembly, the cutting means for cutting along the boundary line of the region corresponding to each semiconductor device in the semiconductor device assembly, and the cutting location of the semiconductor device assembly. Having a plurality of through holes through which the cutting edge of the cutting means is inserted and provided, pressing means for pressing a non-cutting portion of the semiconductor device assembly, and load adjusting means capable of adjusting the pressing load of the pressing means, An apparatus for manufacturing a semiconductor device, comprising:
【請求項3】 前記支持手段は、少なくとも表面近傍
領域が弾性材で構成されることを特徴とする請求項1か
ら請求項2のうちの何れか一項に記載の半導体装置の製
造装置。
3. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 1, wherein at least the surface vicinity region of the supporting means is made of an elastic material.
【請求項4】 半導体パッケージが形成された半導体
装置集合体を切断して個々の半導体装置へ分割する半導
体装置の製造方法であって、 前記半導体装置集合体を真空引き機構に連結された支持
手段上に載置する工程と、 前記半導体装置集合体を前記真空引き機構によって真空
引きして前記支持手段に吸着するとともに、押圧手段に
設けられた複数の貫通孔を前記半導体装置集合体におけ
る各半導体装置に相当する領域の境界線に沿う切断箇所
に合わせて、該押圧手段によって前記半導体装置集合体
の非切断箇所を押圧する工程と、 切断手段の刃先を前記押圧手段の貫通孔に挿通して前記
半導体装置集合体の切断箇所を切断する工程とを含むこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. A method of manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor device assembly having a semiconductor package formed therein is cut into individual semiconductor devices, and the semiconductor device assembly is connected to a vacuuming mechanism. Placing the semiconductor device assembly on the semiconductor device assembly, and vacuuming the semiconductor device assembly by the vacuuming mechanism to attract the semiconductor device assembly to the supporting means, and forming a plurality of through holes provided in the pressing means on each semiconductor in the semiconductor device assembly. A step of pressing the non-cutting part of the semiconductor device assembly by the pressing means according to the cutting position along the boundary line of the area corresponding to the device, and inserting the cutting edge of the cutting means into the through hole of the pressing means. And a step of cutting the cut portion of the semiconductor device assembly.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011077284A (en) * 2009-09-30 2011-04-14 Disco Abrasive Syst Ltd Cutting device
JP2013012581A (en) * 2011-06-29 2013-01-17 Disco Abrasive Syst Ltd Laser processing apparatus
JP7179413B2 (en) 2018-08-30 2022-11-29 株式会社ディスコ Protective cover and processing method for workpiece

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