JP2003217861A - Electroluminescent element - Google Patents

Electroluminescent element

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JP2003217861A
JP2003217861A JP2002012533A JP2002012533A JP2003217861A JP 2003217861 A JP2003217861 A JP 2003217861A JP 2002012533 A JP2002012533 A JP 2002012533A JP 2002012533 A JP2002012533 A JP 2002012533A JP 2003217861 A JP2003217861 A JP 2003217861A
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JP
Japan
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light emitting
medium
inorganic phosphor
inorganic
electroluminescent device
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Application number
JP2002012533A
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Japanese (ja)
Inventor
Megumi Sakagami
恵 坂上
Shinichiro Kaneko
信一郎 金子
Ryuichi Yatsunami
竜一 八浪
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a novel electroluminescent element of a long life improved in performance, using an inexpensive process. <P>SOLUTION: This electroluminescent element of the present invention has at least a positive electrode 2 for injecting a positive hole, a luminous layer 3 having a luminescent area, and a negative electrode 4 for injecting an electron. The luminous layer 3 contains at least one kind of inorganic phosphor of which the average particle size is 100 nm or less, and at least one kind of medium for dispersing the inorganic phosphor, a band gap of the medium is wider than that of the inorganic phosphor, and an ionization potential of the inorganic phosphor is lower than that of the medium. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、超微粒子の蛍光物
質を含む新規な電界発光素子に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a novel electroluminescent device containing ultrafine fluorescent material.

【0002】[0002]

【従来の技術】エレクトロルミネッセンス素子とは、固
体で蛍光を有する物質の電界発光を利用した発光デバイ
スであり、現在無機系材料を発光体として用いた無機エ
レクトロルミネッセンス素子が実用化され、液晶ディス
プレイのバックライトやフラットディスプレイ等への応
用展開が一部で図られている。
2. Description of the Related Art An electroluminescence device is a light emitting device which utilizes the electroluminescence of a solid and fluorescent substance. At present, an inorganic electroluminescence device using an inorganic material as a light emitter has been put into practical use and is used in a liquid crystal display. Some applications are being developed for backlights and flat displays.

【0003】しかし、無機エレクトロルミネッセンス素
子は発光させるために必要な電圧が100V以上と高
く、しかも青色発光が難しいため、RGBの三原色によ
るフルカラー化が困難である。
However, since the voltage required for light emission of an inorganic electroluminescent element is as high as 100 V or more and it is difficult to emit blue light, it is difficult to achieve full color by the three primary colors of RGB.

【0004】一方、有機材料を用いたエレクトロルミネ
ッセンス素子に関する研究も古くから注目され、様々な
検討が行われてきたが、発光効率が非常に悪いことから
本格的な実用化研究へは進展しなかった。
On the other hand, research on electroluminescence devices using organic materials has been attracting attention for a long time and various studies have been made. However, since the luminous efficiency is very poor, full-scale practical research has not progressed. It was

【0005】しかし、1987年にコダック社のC.
W.Tangらにより、有機材料を正孔輸送層と発光層
の2層に分けた機能分離型の積層構造を有する有機エレ
クトロルミネッセンス素子が提案され、10V以下の低
電圧にもかかわらず1000cd/m2以上の高い発光
輝度が得られることが明らかとなった〔C.W.Tan
g and S.A.Vanslyke:Appl.P
hys.Lett、51(1987)913等参照〕。
However, in 1987, Kodak C.I.
W. Tang et al. Proposed an organic electroluminescence device having a function-separated laminated structure in which an organic material is divided into two layers, a hole transport layer and a light emitting layer, and 1000 cd / m 2 or more despite a low voltage of 10 V or less. It was revealed that a high emission luminance of [C. W. Tan
g and S. A. Vanslyke: Appl. P
hys. Lett, 51 (1987) 913, etc.].

【0006】これ以降、有機エレクトロルミネッセンス
素子が俄然注目され始め、現在も同様な機能分離型の積
層構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子につ
いての研究が盛んに行われている。
From then on, the organic electroluminescence element has begun to attract attention, and even now, much research is being conducted on an organic electroluminescence element having a similar function-separated laminated structure.

【0007】しかしながら、これら低分子の発光材料を
使用する有機エレクトロルミネッセンス素子は、一般に
真空蒸着装置を用いて作製されているため、設備のコス
トが高く安価な方法で作製可能な有機エレクトロルミネ
ッセンス素子が求められていた。
However, since the organic electroluminescent element using these low-molecular light emitting materials is generally produced by using a vacuum vapor deposition apparatus, an organic electroluminescent element which can be produced by an inexpensive method with high equipment cost is required. It was wanted.

【0008】この要望に応えるものとして、高分子の発
光材料を使用する有機エレクトロルミネッセンス素子が
ある。この素子については、J.H.Burrough
esら、Nature,vol.347,p.539,
1990年等に記載がある。
In order to meet this demand, there is an organic electroluminescence device using a polymer light emitting material. This element is described in J. H. Burrough
es et al., Nature, vol. 347, p. 539,
It is described in 1990 etc.

【0009】これらも近年精力的に開発がなされている
が、スピンコート法による大面積化には限界があった。
またインクジェット法を用いて作製する方法も提案され
ているが、連続発光時の寿命や発光の均一性が問題であ
った。
Although these have been vigorously developed in recent years, there has been a limit in increasing the area by the spin coating method.
Although a method of manufacturing using an inkjet method has also been proposed, the lifetime and the uniformity of light emission during continuous light emission are problems.

【0010】また、これら低分子または高分子の有機化
合物を発光材料に用いた場合の最大の課題は、駆動時の
寿命が短いことである。この問題に関しては今までに数
多くの研究がなされているが依然として大きな課題であ
った。さらに、白色発光を得るためには、従来から青、
赤、緑や青、黄色の発光材料をドーパントとしてホスト
材料と同一層中に複数混合する、またはそれぞれ別層に
混合して白色を得る方法が一般的であり、この場合も各
種材料の駆動による劣化が異なるため、色度が変化して
いくという重大な欠点があった。
Further, the biggest problem when these low-molecular or high-molecular organic compounds are used as a light-emitting material is that the life during driving is short. Although many studies have been made on this issue so far, it remains a big problem. Furthermore, in order to obtain white light emission, blue is conventionally used,
A general method is to obtain a white color by mixing a plurality of red, green, blue, and yellow light-emitting materials as dopants in the same layer as the host material, or mixing them in different layers to obtain white. Since the deterioration is different, there is a serious drawback that the chromaticity changes.

【0011】また従来から、無機蛍光体は、CRT、P
DP等のディスプレー用途、照明用途、また無機ELな
どに広く用いられている。近年、蛍光体をナノサイズ化
すると蛍光の量子収率が向上することが明らかになって
きている。
Further, conventionally, inorganic phosphors have been used for CRT, P
It is widely used for displays such as DP, lighting, and inorganic EL. In recent years, it has become clear that the quantum yield of fluorescence is improved by making a phosphor into a nanosize.

【0012】無機蛍光材料を発光材料に応用した例は前
述の無機ELとして良く知られているが、ホールと電子
を注入して発光させる電流注入型発光デバイスに適用し
た例は少ない。なお、金属錯体を利用した発光材料は広
く知られているが(例えば、Ed.,Miyata S
eizou and Hari Singh Nalw
a、Organic Electroluminesc
ence Materials and Device
s,第9章)、これらは有機材料からなる配位子を持っ
ており、純粋な無機発光材料とは異なるものである。
An example in which an inorganic fluorescent material is applied to a light emitting material is well known as the above-mentioned inorganic EL, but few examples are applied to a current injection type light emitting device in which holes and electrons are injected to emit light. Although a light emitting material using a metal complex is widely known (for example, Ed., Miyata S.
eizou and Hari Singh Nalw
a, Organic Electroluminesc
ence Materials and Device
s, Chapter 9), these have a ligand composed of an organic material, which is different from a pure inorganic light emitting material.

【0013】また、イットリウム・アルミニウム・ガー
ネット(YAG)の超微粒子の湿式法での合成法が報告
されているが、それらの蛍光発光についてはなんら言及
されておらず、これを電流注入型発光材料に適用するこ
とは示唆されていない。窒化ガリウム(GaN)に亜鉛
をドーピングした微粒子についてはその粉末としてのフ
ォトルミネッセンスについて報告がある〔Kanie
ら、2nd Intern.Symp. On Blu
e Laser and Light Emittin
g Diodes p.552(1998)〕。しかし
ながら、本報告はフィールドエミッションディスプレー
用途の蛍光体として用いること以外の適用については言
及されておらず、また、粒子サイズも0.2μから3μ
と大きいものであった。
Further, although a method of synthesizing yttrium aluminum garnet (YAG) ultrafine particles by a wet method has been reported, no reference has been made to their fluorescence emission, and this is a current injection type light emitting material. It has not been suggested to apply to. Regarding the fine particles of gallium nitride (GaN) doped with zinc, there is a report on photoluminescence as a powder thereof [Kanie
2nd Intern. Symp. On Blu
e Laser and Light Emittin
g Diodes p. 552 (1998)]. However, this report does not mention any application other than the use as a phosphor for field emission displays, and the particle size is 0.2μ to 3μ.
It was a big one.

【0014】Bhargaraらは、近年、ユーロピウ
ム(II)化合物(EuSi2)及びSiをシリコン基
板上にアルゴンガス雰囲気にてスパッタリングし、さら
に1000℃にてアニール処理する事によってEuSi
3及びEuSiO4の薄膜を得、その上にカソードとし
てITO薄膜をスパッタすることによって、白色に発光
する素子が得られることが報告されている〔Appl.
Phys.Lett.,vol.74,p.3203
(1999)〕。しかしながら本素子は、真空装置が必
要であり大面積化は困難であり、かつ1000℃という
高温の処理を必要とする欠点があった。
In recent years, Bhargara et al. Have reported that europium (II) compound (EuSi 2 ) and Si are sputtered on a silicon substrate in an argon gas atmosphere, and then annealed at 1000 ° C. to perform EuSi.
It has been reported that a device emitting white light can be obtained by obtaining a thin film of O 3 and EuSiO 4 and sputtering an ITO thin film as a cathode thereon [Appl.
Phys. Lett. , Vol. 74, p. 3203
(1999)]. However, this device has the drawbacks that a vacuum device is required, it is difficult to increase the area, and a treatment at a high temperature of 1000 ° C. is required.

【0015】超微粒子蛍光材料を用いた発光素子の例と
して、Nature、370巻、p354、1994年
または、J.Appl.Phy.第82巻、p.583
7、1997年にAlivisatosらがCdSeの
超微粒子について素子の作製と性能を報告している。同
様な例は、BawendiらがAppl.Phys.L
ett.66巻、p.1316、1995年に記載があ
る。しかしながらこれらは発光効率が低く、実用に供す
るものではなかった。また、高分子型発光材料と積層し
ているため、駆動電圧をあげると高分子発光材料が発光
して、発光色が変化するという大きな欠点があった。
As an example of a light emitting device using an ultrafine particle fluorescent material, Nature, 370, p354, 1994 or J. Appl. Phy. Vol. 82, p. 583
7. In 1997, Alivisatos et al. Reported the fabrication and performance of devices for ultrafine CdSe particles. A similar example can be found in Bawendi et al., Appl. Phys. L
ett. 66, p. 1316, 1995. However, these have low luminous efficiency and have not been put to practical use. In addition, since it is laminated with a polymeric light emitting material, there is a major drawback that the polymeric light emitting material emits light when the driving voltage is increased and the emission color changes.

【0016】さらに超微粒子を用いたELデバイスとし
て特公平1−18117号公報には、発光材料が超微粒
子からなりその表面に発光材料とは異なる物質の生成層
または異なる性質を有する生成層を生成してヘテロ結合
またはP−N接合を形成したことにより発光材料と生成
層の界面に発光機構を導入したことを特徴とする超微粒
子蛍光体について開示されている。しかし、その応用例
として交流駆動のデバイスが示されるに留まり、電流注
入型で発光するという開示はない。
Further, as an EL device using ultrafine particles, Japanese Patent Publication No. 1-18117 discloses a light emitting material comprising ultrafine particles, and a generation layer of a substance different from that of the light emitting material or a generation layer having different properties is formed on the surface thereof. Then, an ultrafine particle phosphor characterized by introducing a light emitting mechanism at the interface between the light emitting material and the generation layer by forming a hetero bond or a P-N junction is disclosed. However, only an AC driven device is shown as an application example thereof, and there is no disclosure of current injection type light emission.

【0017】また、米国特許第5,537,000号に
は、20nm以下の超微粒子半導体を発光材料として用
いホールと電子を注入するエレクトロルミネッセントデ
バイスを直流で駆動することにについての記載がある
が、効率、寿命とも実用上満足するレベルではなかっ
た。特願平8−315934号には超微粒子が半導体で
あり、それを利用した発光素子について述べているが具
体的な電流注入型発光デバイスについての記載はない。
Further, US Pat. No. 5,537,000 describes that an electroluminescent device for injecting holes and electrons is driven by a direct current by using an ultrafine particle semiconductor of 20 nm or less as a light emitting material. However, the efficiency and life were not at a level that was practically satisfactory. In Japanese Patent Application No. 8-315934, ultrafine particles are semiconductors and a light emitting element using them is described, but there is no description of a specific current injection type light emitting device.

【0018】[0018]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、安価なプロ
セスを用い、かつ長寿命である、性能の改善された新規
な電界発光素子を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a novel electroluminescent device which uses an inexpensive process and has a long life and which has improved performance.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意研究を
続けた結果、本発明の目的は以下の手段によって達成さ
れることを見出した。
DISCLOSURE OF THE INVENTION As a result of intensive studies, the present inventors have found that the object of the present invention can be achieved by the following means.

【0020】即ち、上記課題を解決するために、本発明
の電界発光素子は、少なくとも正孔を注入する陽極と、
発光領域を有する発光層と、電子を注入する陰極とを備
えた電界発光素子であって、発光層が、平均粒子サイズ
が100nm以下である少なくとも1種の無機蛍光体
と、無機蛍光体を分散するための少なくとも1種の媒体
とを含有し、媒体のバンドギャップが、無機蛍光体のバ
ンドギャップより広く、無機蛍光体のイオン化ポテンシ
ャルが、媒体のイオン化ポテンシャルより小さい構成と
したものである。
That is, in order to solve the above-mentioned problems, the electroluminescent device of the present invention comprises an anode for injecting at least holes, and
An electroluminescent device comprising a light emitting layer having a light emitting region and a cathode for injecting electrons, wherein the light emitting layer has at least one inorganic phosphor having an average particle size of 100 nm or less, and an inorganic phosphor dispersed therein. And a band gap of the medium is wider than that of the inorganic phosphor, and the ionization potential of the inorganic phosphor is smaller than the ionization potential of the medium.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】請求項1に記載の発明は、少なく
とも正孔を注入する陽極と、発光領域を有する発光層
と、電子を注入する陰極とを備えた電界発光素子であっ
て、発光層が、平均粒子サイズが100nm以下である
少なくとも1種の無機蛍光体と、無機蛍光体を分散する
ための少なくとも1種の媒体とを含有し、媒体のバンド
ギャップが、無機蛍光体のバンドギャップより広く、無
機蛍光体のイオン化ポテンシャルが、媒体のイオン化ポ
テンシャルより小さいことを特徴とする電界発光素子で
あって、無機ELのような高電圧を必要とせず、高効率
かつ長寿命である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The invention according to claim 1 is an electroluminescent device including at least an anode for injecting holes, a light emitting layer having a light emitting region, and a cathode for injecting electrons, The layer contains at least one inorganic phosphor having an average particle size of 100 nm or less, and at least one medium for dispersing the inorganic phosphor, and the band gap of the medium is the band gap of the inorganic phosphor. The electroluminescent element is characterized in that the ionization potential of the inorganic phosphor is wider than the ionization potential of the medium, and does not require a high voltage like inorganic EL, and has high efficiency and long life.

【0022】請求項2に記載の発明は、請求項1におい
て、媒体が高分子化合物であることを特徴とする電界発
光素子であって、高効率かつ長寿命である。
According to a second aspect of the present invention, in the electroluminescent device according to the first aspect, the medium is a polymer compound, which has high efficiency and long life.

【0023】請求項3に記載の発明は、請求項2におい
て、高分子化合物が導電性高分子であることを特徴とす
る電界発光素子であって、高効率かつ長寿命である。
According to a third aspect of the present invention, in the electroluminescent device according to the second aspect, the polymer compound is a conductive polymer, which has high efficiency and long life.

【0024】請求項4に記載の発明は、少なくとも正孔
を注入する陽極と、発光領域を有する発光層と、電子を
注入する陰極とを備えた電界発光素子であって、発光層
が、平均粒子サイズが100nm以下である少なくとも
1種の無機蛍光体と、無機蛍光体を分散するための少な
くとも1種の媒体とを含有し、媒体がホールを支配的に
輸送する化合物であり、媒体に電子輸送能を有する化合
物を混合することを特徴とする電界発光素子であって、
高効率かつ長寿命である。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an electroluminescent device comprising at least an anode for injecting holes, a light emitting layer having a light emitting region, and a cathode for injecting electrons, wherein the light emitting layer has an average thickness. The compound is a compound containing at least one kind of inorganic phosphor having a particle size of 100 nm or less and at least one medium for dispersing the inorganic phosphor, and the medium is a compound that predominantly transports holes, and electron An electroluminescent device characterized by mixing a compound having transportability,
High efficiency and long life.

【0025】(実施の形態)図1は、本発明の一実施の
形態における電界発光素子の要部断面図であり、図1に
おいて、1は基板、2は陽極、3は無機蛍光体を含んだ
発光層、4は陰極を示す。
(Embodiment) FIG. 1 is a sectional view of an essential part of an electroluminescent device according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, 1 is a substrate, 2 is an anode, and 3 is an inorganic phosphor. The light emitting layer 4 indicates a cathode.

【0026】本発明の電界発光素子は、二つの電極間
2,4に直流電流、またはパルス電流を流すことによ
り、陽極2からホールが発光層3に注入され、一方、陰
極4からは電子が発光層3に注入される。発光層3の導
電性高分子材料はホール及び/または電子を輸送し、超
微粒子である無機蛍光体にホールまたは電子を注入す
る。
In the electroluminescent device of the present invention, holes are injected from the anode 2 into the light emitting layer 3 by passing a direct current or a pulsed current between the two electrodes 2 and 4, while electrons are emitted from the cathode 4. It is injected into the light emitting layer 3. The conductive polymer material of the light emitting layer 3 transports holes and / or electrons, and injects holes or electrons into the inorganic fluorescent substance that is ultrafine particles.

【0027】その結果、超微粒子無機蛍光体中で励起子
が生じ、これらが再結合する際に光を放出することにな
っていると思われるが、発光メカニズムは明らかになっ
ていない。
As a result, it is considered that excitons are generated in the ultrafine-particle inorganic phosphor and emit light when they are recombined, but the light emission mechanism has not been clarified.

【0028】電界発光素子の構成としては図1に示した
他に、基板1上に陰極4を設け、発光層3の上部に陽極
2を設けた構成でも良い。更に、基板1上にホール注入
を容易にし、基板の平滑性を向上させ界面の特性を良化
させるために、ホール注入層を設けることが好ましい。
ホール注入層は発光層のイオン化ポテンシャルに近い値
をもつ材料を使用することが注入効率を上げるために特
に好ましい。
In addition to the structure shown in FIG. 1, the structure of the electroluminescent device may be such that the cathode 4 is provided on the substrate 1 and the anode 2 is provided on the light emitting layer 3. Furthermore, it is preferable to provide a hole injection layer on the substrate 1 in order to facilitate hole injection, improve the smoothness of the substrate, and improve the interface characteristics.
It is particularly preferable to use a material having a value close to the ionization potential of the light emitting layer for the hole injection layer in order to improve the injection efficiency.

【0029】発光層3と陰極4の間には電子輸送層を設
けることもできる。電子輸送層としては、Alq3,G
aq3,Bphen,PBD,TAZ,シロール化合物
及びこれらの誘導体が代表的な材料としてあげられる。
さらに、陰極4からの電子注入の効率を向上させるため
に電子注入層を設けることも好ましい。
An electron transport layer may be provided between the light emitting layer 3 and the cathode 4. As the electron transport layer, Alq 3 , G
Typical materials are aq 3 , Bphen, PBD, TAZ, silole compounds and their derivatives.
Further, it is also preferable to provide an electron injection layer in order to improve the efficiency of electron injection from the cathode 4.

【0030】以下、本発明の電界発光素子の各構成につ
いて説明する。
Each component of the electroluminescent device of the present invention will be described below.

【0031】まず、発光層3に含まれる無機蛍光体とし
ては、一般に用いられている無機蛍光材料を広く用いる
ことができる。無機蛍光体は、一般に母体の結晶の中に
発光中心となる特定のイオンあるいは格子欠陥が分散さ
れている。これらの発光中心は数atomic%以下存
在する。これらを含んだ無機蛍光物質の例としては、例
えばイットリウムアルミニウムガーネット(YAG)と
して知られている母体にセリウムを発光中心として添加
した蛍光体や、応用物理学会、有機分子・バイオエレク
トロニクス研究会、Vol.10, No.3 (19
99)及びその引用文献に記載されているディスプレー
用蛍光体を用いることが出来る。その他にGaNの微結
晶からなる超微粒子蛍光体、Eu(II)xSiyOz
(x,y,z,はそれぞれ任意の値を取りうる)、例え
ば、EuSiO3,Eu2SiO3,Eu2SiO5,Eu3
SiO5,EuAl24,Eu2Al26のようなEu2+
の誘導体、ユーロピウムメタシリケート、ユーロピウム
で活性化されたカルシウムメタシリケート、ストロンチ
ウムメタシリケートなどが好ましく用いることができ
る。しかしながら、これらに限定されるものではない。
First, as the inorganic phosphor contained in the light emitting layer 3, generally used inorganic phosphor materials can be widely used. Inorganic phosphors generally have a matrix crystal in which specific ions or lattice defects that are emission centers are dispersed. These luminescent centers are present at several atomic% or less. Examples of inorganic fluorescent substances containing these include, for example, a phosphor known as yttrium aluminum garnet (YAG) in which cerium is added as a luminescent center, a physics society of applied science, organic molecule / bioelectronics research group, Vol. . 10, No. 3 (19
99) and the cited phosphors for display can be used. In addition, Eu (II) xSiyOz, an ultrafine particle phosphor made of GaN microcrystals
(X, y, z, can each take any value), for example, EuSiO 3, Eu 2 SiO 3 , Eu 2 SiO 5, Eu 3
Eu 2+ such as SiO 5 , EuAl 2 O 4 , Eu 2 Al 2 O 6
The derivative thereof, europium metasilicate, europium-activated calcium metasilicate, strontium metasilicate and the like can be preferably used. However, it is not limited to these.

【0032】本発明に用いられる無機蛍光体はいわゆる
超微粒子であり、本発明に用いられる無機蛍光体の平均
粒子サイズは100nm以下のものが好ましく用いられ
るが、50nm以下のものが特に好ましい。最も好まし
くは30nm以下のものである。平均粒子サイズが小さ
くなると、より均一な薄膜を得ることが可能となり、よ
り均一な発光デバイスが得られ、発光効率が上昇する。
また、粒子サイズが小さくなるといわゆる量子サイズ効
果により発光が短波長化する。
The inorganic phosphors used in the present invention are so-called ultrafine particles, and the average particle size of the inorganic phosphors used in the present invention is preferably 100 nm or less, and more preferably 50 nm or less. Most preferably, it is 30 nm or less. When the average particle size is small, a more uniform thin film can be obtained, a more uniform light emitting device can be obtained, and luminous efficiency is increased.
In addition, when the particle size becomes smaller, the emission wavelength becomes shorter due to the so-called quantum size effect.

【0033】粒子サイズ分布は、多分散のものから単分
散の粒子まで用いることが可能であるが、多分散粒子よ
り、より単分散に近い粒子を用いた方が発光の均一性、
寿命特性などに優れている。
The particle size distribution can be used from polydisperse particles to monodisperse particles, but the uniformity of light emission can be improved by using particles that are more monodisperse than polydisperse particles.
It has excellent life characteristics.

【0034】これらの超微粒子の平均粒子サイズ及び粒
子サイズ分布は、市販されている粒度分布測定装置で測
定することが出来る。例えば、動的光散乱式粒径分布測
定装置(堀場製作所製LB−500型)で3nm以上の
粒子は測定する事が可能である。さらに小粒径のものは
透過型電子顕微鏡写真を撮影することによって評価する
ことが出来る。
The average particle size and particle size distribution of these ultrafine particles can be measured by a commercially available particle size distribution measuring device. For example, it is possible to measure particles of 3 nm or more with a dynamic light scattering particle size distribution measuring device (LB-500 manufactured by Horiba Ltd.). Further, those having a small particle size can be evaluated by taking a transmission electron micrograph.

【0035】本発明に用いられる超微粒子の作製方法と
しては、種々の方法が知られている。例えば、従来から
知られているゾルーゲル法、噴霧熱分解法、超臨界水反
応晶析法や共沈殿法(Hongzhi Wangら、M
aterial Science and Engin
eerring,A288,p1(2000))による
YAG超微粒子の合成などの報告がある。また、高分子
媒体中で結晶を形成させコア・シェル構造の超微粒子を
作製する方法も知られている(F.Caruso,Ad
v.Mater.,vol.13,p14(200
1)。本発明に用いられる超微粒子は作製方法を問わな
いが、真空装置を用いずに湿式法で作製することが、コ
スト上は最も好ましい。
Various methods are known as methods for producing the ultrafine particles used in the present invention. For example, conventionally known sol-gel method, spray pyrolysis method, supercritical water reaction crystallization method and coprecipitation method (Hongzhi Wang et al., M
atrial science and engine
There is a report on the synthesis of YAG ultrafine particles by Eering, A288, p1 (2000)). Further, a method of forming crystals in a polymer medium to produce ultrafine particles having a core / shell structure is also known (F. Caruso, Ad.
v. Mater. , Vol. 13, p14 (200
1). The ultrafine particles used in the present invention may be produced by any method, but it is most preferable in terms of cost to produce them by a wet method without using a vacuum device.

【0036】そして、発光層3に含有される媒体とし
て、超微粒子を分散するために高分子化合物を用いるこ
とが好ましい。本発明で用いることができる高分子化合
物は発光を司る超微粒子のイオン化ポテンシャル(I
p)より大きなイオン化ポテンシャルを持つ化合物であ
れば任意の化合物を使用することができる。また、超微
粒子蛍光体のバンドギャップよりそれを分散する高分子
化合物のバンドギャップの方が大きいと発光効率がより
向上し好ましい。
As the medium contained in the light emitting layer 3, it is preferable to use a polymer compound for dispersing the ultrafine particles. The polymer compound that can be used in the present invention is an ionization potential (I) of ultrafine particles that controls light emission.
Any compound can be used as long as it has a larger ionization potential than p). In addition, it is preferable that the band gap of the polymer compound in which the ultrafine particle phosphor is dispersed is larger than the band gap of the ultrafine particle phosphor because the light emission efficiency is further improved.

【0037】更に、発光層3に含有される媒体としては
導電性高分子化合物を用いることが好ましく、それらの
高分子化合物のホール移動度、電子移動度は大きいほう
が効率良くホール及び電子を注入することができるため
駆動電圧の低減および耐久性の点から望ましい。ホー
ル、電子移動度はTOF法(タイム・オブ・フライト
法)によって測定することができる。
Further, it is preferable to use a conductive polymer compound as a medium contained in the light emitting layer 3. The higher the hole mobility and electron mobility of these polymer compounds, the more efficiently holes and electrons are injected. Therefore, it is desirable in terms of reduction of driving voltage and durability. The hole and electron mobilities can be measured by the TOF method (time of flight method).

【0038】具体的に用いられる高分子化合物の代表例
としては、π共役系の高分子化合物およびσ共役系ポリ
マーが用いられる。π共役系の具体的な例としてポリア
セチレン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその
誘導体、ポリフェニレンビニレン、ポリ(2,5−ジア
ルコキシーp−フェニレンビニレン、ポリ(2−メトキ
シー5−(2‘−エチルヘキシル)p−フェニレンビニ
レン及びその誘導体、ポリチオフェン、アルキルチオフ
ェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポ
リビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリエチレンオ
キサイド及びその誘導体、ポリカーボネート及びその誘
導体などを用いることができる。σ共役系ポリマーはポ
リシラン及びその誘導体が具体的な例としてあげられ
る。しかしながらこれらに限定されるものではない。
As typical examples of the polymer compound specifically used, a π-conjugated polymer compound and a σ-conjugated polymer are used. Specific examples of the π-conjugated system include polyacetylene and its derivatives, polyparaphenylene and its derivatives, polyphenylenevinylene, poly (2,5-dialkoxy-p-phenylenevinylene, poly (2-methoxy-5- (2′-ethylhexyl) p -Phenylene vinylene and its derivative, polythiophene, alkylthiophene and its derivative, polypyrrole and its derivative, polyvinylcarbazole and its derivative, polyethylene oxide and its derivative, polycarbonate and its derivative, etc. The σ-conjugated polymer is polysilane and its derivative. Specific examples thereof include derivatives thereof, but the present invention is not limited thereto.

【0039】これらの高分子化合物のガラス転移温度は
100℃以上であることがデバイスの安定性の向上につ
ながり好ましい、特に120℃以上のガラス転移温度を
持つものが実用上好ましい。
The glass transition temperature of these polymer compounds is preferably 100 ° C. or higher in order to improve the stability of the device, and those having a glass transition temperature of 120 ° C. or higher are particularly preferable for practical use.

【0040】本発明の素子の作製は従来用いられている
方法によって可能である。すなわち、スピンコート法、
インクジェット法、印刷法、交互積層法などが用いられ
る。例えば、城戸淳二監修、シーエムシー社、有機EL
材料とディスプレー(2001年)に記載がある。
The device of the present invention can be manufactured by a conventionally used method. That is, the spin coating method,
An inkjet method, a printing method, an alternate lamination method, or the like is used. For example, Junji Kido, CMC, OLED
It is described in Materials and Displays (2001).

【0041】次に、基板1としては、透明あるいは半透
明基板を用いることができる。本発明において、透明ま
たは半透明なる定義は、電界発光素子による発光の視認
を妨げない程度の透明性を示すものである。
Next, as the substrate 1, a transparent or semitransparent substrate can be used. In the present invention, the definition of transparent or semi-transparent refers to a degree of transparency that does not hinder the visual recognition of light emitted by the electroluminescent element.

【0042】更に、電界発光素子の光の取り出しを基板
1側から取り出さない場合、即ち、図1において陰極4
側から取り出す場合には、基板1は不透明であってもよ
い。
Further, when the light of the electroluminescent element is not taken out from the substrate 1 side, that is, in FIG.
If taken from the side, the substrate 1 may be opaque.

【0043】基板材料としては、透明または半透明のソ
ーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラ
ス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラ
ス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガラス等の無機酸
化物ガラス、無機フッ化物ガラス、等の無機ガラス、あ
るいは、透明または半透明のポリエチレンテレフタレー
ト、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポ
リエーテルスルフォン、ポリフッ化ビニル、ポリプロピ
レン、ポリエチレン、ポリアクリレート、非晶質ポリオ
レフィン、フッ素系樹脂等の高分子フィルム等が用いる
ことができ、透明または半透明のAs23、As
4010、S40Ge10等のカルコゲノイドガラス、Zn
O、Nb25、Ta25、SiO、Si34、Hf
2、TiO2等の金属酸化物および窒化物等の材料から
適宜選択して用いることができ、複数の基板材料を積層
した積層基板を用いることもできる。
As the substrate material, transparent or translucent soda-lime glass, barium-strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, quartz glass or other inorganic oxide glass, inorganic fluorine glass, etc. Inorganic glass such as fluoride glass, transparent or translucent polyethylene terephthalate, polycarbonate, polymethylmethacrylate, polyether sulfone, polyvinyl fluoride, polypropylene, polyethylene, polyacrylate, amorphous polyolefin, fluororesin, etc. A molecular film or the like can be used, and transparent or translucent As 2 S 3 , As
40 S 10 , S 40 Ge 10, etc. chalcogenide glass, Zn
O, Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , SiO, Si 3 N 4 , Hf
Materials such as metal oxides such as O 2 and TiO 2 and nitrides can be appropriately selected and used, and a laminated substrate in which a plurality of substrate materials are laminated can also be used.

【0044】更に、不透明のSi(シリコン)、Ge
(ゲルマニウム)、GaAs(ガリウム砒素)、InA
s(インジウム砒素)、GaSb(ガリウムアンチモ
ン)、InSb(インジウムアンチモン)等の無機半導
体基板、あるいは、不透明のFe(鉄)、Al(アルミ
ニウム)、Cu(銅)、Ag(銀)等の金属または合
金、金属化合物基板等、或いは、不透明のプラスチッ
ク、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等の高分子基板等が用
いられる。更にこれら複数の基板材料を積層した積層基
板を用いることもできる。
Further, opaque Si (silicon), Ge
(Germanium), GaAs (gallium arsenide), InA
An inorganic semiconductor substrate such as s (indium arsenide), GaSb (gallium antimony), InSb (indium antimony), or an opaque metal such as Fe (iron), Al (aluminum), Cu (copper), Ag (silver), or the like. An alloy, a metal compound substrate or the like, or a polymer substrate of opaque plastic, a thermosetting resin, a photocurable resin or the like is used. Furthermore, a laminated substrate in which a plurality of these substrate materials are laminated can also be used.

【0045】なお、この基板1の表面あるいは内部に
は、電界発光素子を駆動するためのトランジスタ、ダイ
オード、抵抗・コンデンサ・インダクタ等からなる回路
を形成していても良い。
A circuit composed of a transistor, a diode, a resistor / capacitor / inductor for driving the electroluminescent element may be formed on the surface or inside of the substrate 1.

【0046】次に、陽極2について説明する。陽極2
は、ホールを注入する電極であり、ホールを効率良く発
光層3に注入することが必要である。陽極2としては、
透明電極を用いることができる。透明電極は透光性の導
電膜であり、その材料として、インジウムスズ酸化物
(ITO)、酸化スズ(SnO2)、酸化亜鉛(Zn
O)等の金属酸化物、あるいは、SnO:Sb(アンチ
モン)、ZnO:Al(アルミニウム)といった混合物
からなる透明導電膜や、あるいは、透明度を損なわない
程度の厚さのAl(アルミニウム)、Cu(銅)、Ti
(チタン)、Ag(銀)といった金属薄膜や、これら金
属の混合薄膜、積層薄膜といった金属薄膜や、あるい
は、ポリピロール等の導電性高分子等を用いる事ができ
る。また、これら複数の透明電極材料を積層することで
透明電極とすることも可能であり、抵抗加熱蒸着、電子
ビーム蒸着、スパッタ法または電界重合法、化学重合法
等により形成する。また、透明電極は、十分な導電性を
持たせるため、または、基板表面の凹凸による不均一発
光を防ぐために、1nm以上の厚さにすることが望まし
い。また、十分な透明性を持たせるために500nm以
下の厚さにすることが望ましい。
Next, the anode 2 will be described. Anode 2
Is an electrode for injecting holes, and it is necessary to efficiently inject holes into the light emitting layer 3. As the anode 2,
Transparent electrodes can be used. The transparent electrode is a translucent conductive film, and its materials include indium tin oxide (ITO), tin oxide (SnO 2 ), and zinc oxide (Zn oxide).
O) or the like, a transparent conductive film made of a mixture of metal oxides such as SnO: Sb (antimony), ZnO: Al (aluminum), or Al (aluminum), Cu ( Copper), Ti
A metal thin film such as (titanium) or Ag (silver), a metal thin film such as a mixed thin film or a laminated thin film of these metals, or a conductive polymer such as polypyrrole can be used. It is also possible to form a transparent electrode by laminating a plurality of these transparent electrode materials, and the transparent electrode is formed by resistance heating vapor deposition, electron beam vapor deposition, sputtering method, electric field polymerization method, chemical polymerization method or the like. The transparent electrode preferably has a thickness of 1 nm or more in order to have sufficient conductivity or prevent uneven light emission due to unevenness on the substrate surface. Further, in order to have sufficient transparency, it is desirable that the thickness be 500 nm or less.

【0047】更に、陽極2としては、透明電極以外に
も、Cr(クロム)、Ni(ニッケル)、Cu(銅)、
Sn(錫)、W(タングステン)、Au(金)等の仕事
関数の大きな金属、あるいはその合金、酸化物等を用い
ることができ、これら陽極材料を用いた複数の材料によ
る積層構造も用いることができる。なお、陽極2として
透明電極を用いない場合には、陰極4が透明電極であれ
ばよい。この場合、陽極2は光を反射する材料で形成す
ることが好ましい。
Further, as the anode 2, in addition to the transparent electrode, Cr (chrome), Ni (nickel), Cu (copper),
A metal having a large work function such as Sn (tin), W (tungsten), Au (gold), an alloy thereof, an oxide, or the like can be used, and a laminated structure including a plurality of materials using these anode materials can also be used. You can When the transparent electrode is not used as the anode 2, the cathode 4 may be a transparent electrode. In this case, the anode 2 is preferably made of a material that reflects light.

【0048】また、陽極2に非晶質炭素膜を設けても良
い。この場合には、共に正孔注入電極としての機能を有
する。即ち、陽極から非晶質炭素膜を介して発光層或い
は正孔輸送層に正孔が注入される。また、非晶質炭素膜
は、陽極と発光層或いは正孔輸送層との間にスパッタ法
により形成されてなる。スパッタリングによるカーボン
ターゲットとしては、等方性グラファイト、異方性グラ
ファイト、ガラス状カーボン等があり、特に限定するも
のではないが、純度の高い等方性グラファイトが適して
いる。非晶質炭素膜が優れている点を具体的に示すと、
理研計器製の表面分析装置AC−1を使って、非晶質炭
素膜の仕事関数を測定すると、非晶質炭素膜の仕事関数
は、Wc=5.40eVである。ここで、一般に陽極と
してよく用いられているITOの仕事関数は、WITO
=5.05eVであるので、非晶質炭素膜を用いた方が
発光層或いは正孔輸送層に効率よく正孔を注入できる。
また、非晶質炭素膜をスパッタリング法にて形成する
際、非晶質炭素膜の電気抵抗値を制御するために、窒素
あるいは水素とアルゴンの混合ガス雰囲気下で反応性ス
パッタリングする。さらに、スパッタリング法などによ
る薄膜形成技術では、膜厚を5nm以下にすると膜が島
状構造となり均質な膜が得られない。そのため、非晶質
炭素膜の膜厚が5nm以下では電気抵抗が高くなり過
ぎ、その結果、電流が流れず、効率の良い発光が得られ
ない。また、非晶質炭素膜の膜厚を100nm以上とす
ると、膜の色が黒味を帯び、電界発光素子の発光が十分
に透過しなくなる。
An amorphous carbon film may be provided on the anode 2. In this case, both have a function as a hole injecting electrode. That is, holes are injected from the anode into the light emitting layer or the hole transport layer through the amorphous carbon film. The amorphous carbon film is formed between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer by the sputtering method. Carbon targets obtained by sputtering include isotropic graphite, anisotropic graphite, glassy carbon and the like, and is not particularly limited, but isotropic graphite having high purity is suitable. Concretely showing the advantages of the amorphous carbon film,
When the work function of the amorphous carbon film is measured using a surface analyzer AC-1 manufactured by Riken Keiki, the work function of the amorphous carbon film is Wc = 5.40 eV. Here, the work function of ITO that is often used as an anode is WITO.
= 5.05 eV, holes can be efficiently injected into the light emitting layer or the hole transport layer by using the amorphous carbon film.
Further, when the amorphous carbon film is formed by the sputtering method, reactive sputtering is performed in a mixed gas atmosphere of nitrogen or hydrogen and argon in order to control the electric resistance value of the amorphous carbon film. Further, in the thin film forming technique such as the sputtering method, if the film thickness is 5 nm or less, the film has an island structure and a uniform film cannot be obtained. Therefore, when the thickness of the amorphous carbon film is 5 nm or less, the electric resistance becomes too high, and as a result, no current flows and efficient light emission cannot be obtained. Further, when the film thickness of the amorphous carbon film is 100 nm or more, the color of the film becomes blackish, and the light emitted from the electroluminescence device cannot be sufficiently transmitted.

【0049】陰極4は、電子を注入する電極であり、電
子を効率良く発光層3(或いは電子輸送層や電子注入
層)に注入することが必要であり、仕事関数の小さいA
l(アルミニウム)、In(インジウム)、Mg(マグ
ネシウム)、Ti(チタン)、Ag(銀)、Ca(カル
シウム)、Sr(ストロンチウム)等の金属、あるい
は、これらの金属の酸化物やフッ化物およびその合金、
積層体等が一般に用いられる。また、発光層3(或いは
電子輸送層や電子注入層)と接する界面に、仕事関数の
小さい金属を用いた光透過性の高い超薄膜を形成し、そ
の上部に透明電極を積層することで、透明陰極を形成す
ることも可能である。特に仕事関数の小さなMg、Mg
−Ag合金、特開平5−121172号公報記載のAl
−Li合金やSr−Mg合金あるいはAl−Sr合金、
Al−Ba合金等あるいはLiO2/AlやLiF/A
l等の積層構造は陰極材料として好適である。成膜方法
としては抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ法が
用いられる。
The cathode 4 is an electrode for injecting electrons, and it is necessary to efficiently inject the electrons into the light emitting layer 3 (or the electron transporting layer or the electron injecting layer).
Metals such as l (aluminum), In (indium), Mg (magnesium), Ti (titanium), Ag (silver), Ca (calcium), Sr (strontium), oxides or fluorides of these metals, and Its alloy,
A laminate or the like is generally used. In addition, by forming an ultrathin film having high light transmittance using a metal having a small work function at the interface in contact with the light emitting layer 3 (or the electron transporting layer or the electron injecting layer) and laminating the transparent electrode thereon It is also possible to form a transparent cathode. Especially low work function Mg, Mg
-Ag alloy, Al described in JP-A-5-121172
-Li alloy, Sr-Mg alloy or Al-Sr alloy,
Al-Ba alloy or the like or LiO 2 / Al or LiF / A
A laminated structure such as l is suitable as a cathode material. Resistance heating vapor deposition, electron beam vapor deposition, and sputtering are used as the film forming method.

【0050】なお、陽極2及び陰極4は少なくとも一方
が透明電極であればよい。更に、共に透明電極であって
もよいが、光の取り出し効率を向上させるためには、一
方が透明電極であれば、他方が光を反射する材料で形成
することが好ましい。
At least one of the anode 2 and the cathode 4 may be a transparent electrode. Further, both may be transparent electrodes, but in order to improve the light extraction efficiency, it is preferable that one is a transparent electrode and the other is formed of a material that reflects light.

【0051】更に、電界発光素子を外気から遮断し、長
時間安定性を保証するために必要に応じて、陰極4の上
に保護膜を形成し、陽極2〜陰極4の積層体を基板1上
で包み込むように保護してもよい。即ち、材料の酸化や
水分との反応を抑えるために保護膜を設けることが長期
信頼性のためには必要である。
Further, a protective film is formed on the cathode 4 as necessary to shield the electroluminescent element from the outside air and ensure stability for a long time, and the laminate of the anode 2 to the cathode 4 is formed on the substrate 1. You may protect it so that it may be wrapped up above. That is, it is necessary for long-term reliability to provide a protective film to suppress the oxidation of the material and the reaction with moisture.

【0052】その保護膜の材料としては、SiON、S
iO、SiN、SiO2、Al23、LiF等の無機酸
化物、無機窒化物、無機フッ化物からなる薄膜、あるい
は、無機酸化物、無機窒化物、無機フッ化物等からなる
ガラス膜、あるいは、熱硬化性、光硬化性の樹脂や封止
効果のあるシラン系の高分子材料等が挙げられ蒸着やス
パッタリング等もしくは塗布法により形成される。
The material of the protective film is SiON or S.
A thin film made of an inorganic oxide such as iO, SiN, SiO 2 , Al 2 O 3 , or LiF, an inorganic nitride, an inorganic fluoride, or a glass film made of an inorganic oxide, an inorganic nitride, an inorganic fluoride, or the like, or A thermosetting or photocurable resin, a silane-based polymer material having a sealing effect, or the like is used, and it is formed by vapor deposition, sputtering, or a coating method.

【0053】ここで、イオン化ポテンシャル、バンドギ
ャップの測定法について説明する。イオン化ポテンシャ
ルは、紫外線を資料に照射し、光電子が放出される閾値
の励起エネルギーを測定することで見積もることができ
る。簡便な方法として市販の装置(理研計器製、光電子
分光装置AC−1)を用いて、大気中で測定することが
できる。またバンドギャップは、試料の分光吸収特性を
分光光度計で測定し、その吸収端のエネルギーを求める
ことでバンドギャップとみなすことで評価できる。
Here, a method of measuring the ionization potential and the band gap will be described. The ionization potential can be estimated by irradiating the material with ultraviolet rays and measuring the threshold excitation energy at which photoelectrons are emitted. As a simple method, a commercially available device (photoelectron spectroscopic device AC-1 manufactured by Riken Keiki Co., Ltd.) can be used for measurement in the atmosphere. The band gap can be evaluated by measuring the spectral absorption characteristics of the sample with a spectrophotometer and determining the energy at the absorption edge to regard it as the band gap.

【0054】本発明の素子においては、ホールと電子を
超微粒子蛍光体に効率良く注入し、再結合が十分にでき
るかどうかは不明であった。本発明者らは、再結合を効
率よく行うために鋭意研究の結果、媒体である導電性高
分子のバンドギャップより超微粒子蛍光体のバンドギャ
ップが小さくなる構成をとることによって発光効率が飛
躍的に向上することを見出した。これは恐らく再結合の
効率が向上していると考えられるが詳細は不明である。
In the device of the present invention, it was not clear whether holes and electrons could be efficiently injected into the ultrafine particle phosphor and recombination could be sufficiently performed. As a result of earnest research for efficient recombination, the inventors have achieved a dramatic increase in luminous efficiency by adopting a structure in which the band gap of the ultrafine particle phosphor is smaller than the band gap of the conductive polymer that is the medium. It was found to improve. This is probably due to the improved recombination efficiency, but details are unknown.

【0055】本発明の電界発光素子の駆動には直流駆
動、交流駆動、パルス駆動等の任意の駆動方式が可能で
ある。また、本発明の電界発光素子をグラフィック表示
素子に使用する場合はいわゆるパッシブ駆動方式および
ドット毎の駆動を行うアクティブ駆動方式のどちらも用
途に応じて使用することができる。パルス駆動方式を用
いる場合は逆バイアスをかけることが素子の安定性にと
って好ましい。
The electroluminescence device of the present invention can be driven by any driving method such as direct current driving, alternating current driving, and pulse driving. When the electroluminescent element of the present invention is used for a graphic display element, both a so-called passive driving method and an active driving method in which dots are driven can be used depending on the application. When using the pulse driving method, it is preferable to apply a reverse bias for the stability of the device.

【0056】また、本発明の電界発光素子は電流注入型
であるので、定電流駆動を行うのが画素毎のばらつきを
抑えるためには有効である。しかしながら、定電圧駆動
も用途により好ましく使用できる。
Further, since the electroluminescence device of the present invention is a current injection type, it is effective to carry out constant current driving in order to suppress the variation between pixels. However, constant voltage driving can also be preferably used depending on the application.

【0057】本発明の電界発光素子は、モノカラーディ
スプレー、フルカラーディスプレーなどのディスプレー
やバックライトやイメージセンサー、プリントヘッド、
照明などの光源等に利用することが可能である。
The electroluminescent device of the present invention includes a display such as a mono-color display and a full-color display, a backlight, an image sensor, a print head,
It can be used as a light source such as illumination.

【0058】また、本発明の電界発光素子は、例えば、
画像を表示する表示装置として用いることができ、これ
ら表示装置は、携帯電話、PHS、PDA等の携帯情報
端末のディスプレイ、テレビジョン、パーソナルコンピ
ュータ、カーナビゲーション等のディスプレイ、ステレ
オ、ラジオ等のAV機器のディスプレイ等に用いること
ができる。更に、レーザプリンタ、スキャナ等の光源と
しての照明装置に用いることができる。或いは、室内
灯、ライトスタンド等の照明器具のような単なる光源と
しての照明装置として用いることもできる。
The electroluminescent element of the present invention is, for example,
The display device can be used as a display device for displaying an image, and these display devices are displays of portable information terminals such as mobile phones, PHSs and PDAs, displays of televisions, personal computers, car navigations, AV equipments such as stereos and radios. It can be used for displays and the like. Furthermore, it can be used for a lighting device as a light source of a laser printer, a scanner, or the like. Alternatively, it can be used as a lighting device as a simple light source such as a lighting fixture such as an interior light or a light stand.

【0059】これらの中でも、本発明の電界発光素子の
低消費電力、軽量薄型化が容易、応答速度が速い等の優
位性を考慮すれば、様々な電子機器において画像を表示
するディスプレイとしての表示装置や、レーザプリン
タ、スキャナ等の光源としての照明装置に用いることが
好ましい。
Among these, considering the advantages of the electroluminescent device of the present invention such as low power consumption, easy weight reduction and thinness, and fast response speed, display as an image display in various electronic devices. It is preferably used for a device or a lighting device as a light source such as a laser printer or a scanner.

【0060】[0060]

【実施例】次に、本発明の実施例を説明する。EXAMPLES Next, examples of the present invention will be described.

【0061】(実施例1) <YAG超微粒子蛍光体の合成>基本的にLiらによる
文献に従って合成した(Journal of the
European Ceramic Chemistr
y、vol.20、p.2395(2000)参照)。
Example 1 <Synthesis of YAG Ultrafine Particle Phosphor> The synthesis was basically carried out according to the reference by Li et al. (Journal of the).
European Ceramic Chemistr
y, vol. 20, p. 2395 (2000)).

【0062】即ち、硝酸イットリウム、及び硝酸アルミ
ニウム(関東科学製)の水溶液に沈殿剤として炭酸水素
アンモニウムを徐々に添加した。また、発光中心となる
材料として硝酸セリウムを硝酸アルミニウムの0.5m
ol%添加した。攪拌はマグネチックスターラーで行っ
た。その後、メタクリル酸を添加し攪拌を続けた。
That is, ammonium hydrogen carbonate as a precipitating agent was gradually added to an aqueous solution of yttrium nitrate and aluminum nitrate (manufactured by Kanto Scientific Co., Ltd.). In addition, cerium nitrate is used as a material that becomes a luminescent center, and 0.5m of aluminum nitrate is used.
ol% was added. Stirring was performed with a magnetic stirrer. Then, methacrylic acid was added and stirring was continued.

【0063】次に、炭酸水素アンモニウムの添加量が過
剰になると沈殿が生成した。生成した沈殿をろ過後、蒸
留水及びエタノールで十分洗浄し、窒素ガス中にて乾燥
し粉末を得た。
Next, when the amount of ammonium hydrogen carbonate added was excessive, a precipitate was formed. The formed precipitate was filtered, thoroughly washed with distilled water and ethanol, and dried in nitrogen gas to obtain a powder.

【0064】<超微粒子を分散したポリマー溶液の調整
>得られたYAG超微粒子粉末を、ポリビニルカルバゾ
ール(PVK)のトルエン溶液に分散した。
<Preparation of Polymer Solution Dispersing Ultrafine Particles> The obtained YAG ultrafine particle powder was dispersed in a toluene solution of polyvinylcarbazole (PVK).

【0065】<素子の作製>十分に洗浄したITO付ガ
ラス基板(透過率85%以上)に、上述のYAG蛍光体
超微粒子を分散したPVKを、窒素雰囲気下でスピンコ
ートして厚さ50nmの薄膜を得た。得られた薄膜を窒
素中で100℃で1時間乾燥させた。次に、本素子を真
空蒸着装置にセットし、電子注入層として弗化リチウム
を2nm蒸着した。続けて、陰極としてアルミニウムを
100nm蒸着した。その後、窒素置換したグローブボ
ックスに素子を移し、ガラス基板の周辺に有機EL封止
用のUV硬化樹脂(スリーボンド製30Y296G)を
塗布し、ガラス板を陰極側から接着して封止をおこなっ
た。
<Production of Device> PVK in which the above-mentioned YAG phosphor ultrafine particles are dispersed is spin-coated in a nitrogen atmosphere on a glass substrate (with a transmittance of 85% or more) of ITO, which has been thoroughly washed, to have a thickness of 50 nm. A thin film was obtained. The obtained thin film was dried in nitrogen at 100 ° C. for 1 hour. Next, this device was set in a vacuum vapor deposition apparatus, and lithium fluoride was vapor-deposited to a thickness of 2 nm as an electron injection layer. Subsequently, 100 nm of aluminum was vapor-deposited as a cathode. After that, the element was transferred to a nitrogen-substituted glove box, a UV curable resin for organic EL sealing (30Y296G made by ThreeBond) was applied to the periphery of the glass substrate, and the glass plate was adhered from the cathode side for sealing.

【0066】なお、PVKのイオン化ポテンシャルは
5.8eV、吸収端から見積もったバンドギャップは
3.5eVであった。
The ionization potential of PVK was 5.8 eV and the band gap estimated from the absorption edge was 3.5 eV.

【0067】<素子の評価>完成した発光素子にITO
を陽極、Alを陰極として直流駆動をおこなった。発光
開始電圧は7Vであった。電圧を10Vかけた時の輝度
は500cd/m2であった。なお、輝度はトプコン社
製のBM−8ルミネセントメーターにより測定した。ま
た浜松フォトニクス社製のマルチチャンネルアナライザ
で発光スペクトルを測定し、メインの発光ピークは57
0nm付近にあることを確認した。発光色は黄色であっ
た。
<Evaluation of Device> ITO is applied to the completed light emitting device.
Was used as an anode and Al was used as a cathode, and DC driving was performed. The light emission starting voltage was 7V. The brightness was 500 cd / m 2 when a voltage of 10 V was applied. The brightness was measured with a BM-8 luminescent meter manufactured by Topcon. The emission spectrum was measured with a multi-channel analyzer manufactured by Hamamatsu Photonics and the main emission peak was 57
It was confirmed to be in the vicinity of 0 nm. The emission color was yellow.

【0068】次に本素子を初期輝度100cdにて連続
点灯試験を行った。1000時間経過後の輝度は95c
dであり本素子の寿命はきわめて優れていることがわか
る。
Next, this device was subjected to a continuous lighting test at an initial luminance of 100 cd. Brightness is 95c after 1000 hours
Therefore, it can be seen that the life of this device is extremely excellent.

【0069】(比較例1)実施例1と同様な方法で超微
粒子蛍光体を調整し、PVKの変わりにMEH−PPV
(シーベルヘグナー製)をトルエンに溶解したものを媒
体として用いた。MEH−PPVのイオン化ポテンシャ
ルは5.5eVであった。また分光吸収から見積もった
バンドギャップは2.3eVであった。
(Comparative Example 1) An ultrafine particle phosphor was prepared in the same manner as in Example 1, and MEH-PPV was used instead of PVK.
What melt | dissolved (made by Sebel Hegner) in toluene was used as a medium. The ionization potential of MEH-PPV was 5.5 eV. The band gap estimated from the spectral absorption was 2.3 eV.

【0070】なお、基本的なプロセスは実施例1と同様
にして作製した。
The basic process was the same as in Example 1.

【0071】更に、実施例1と同様にして評価したとこ
ろ、発光開始電圧は15Vであり、電圧を20V印加し
た時の輝度は20cd/m2であった。
Further, when evaluated in the same manner as in Example 1, the light emission starting voltage was 15 V and the luminance when a voltage of 20 V was applied was 20 cd / m 2 .

【0072】このことから、媒体のバンドギャップが用
いる超微粒子発光体のバンドギャップより大きく、かつ
イオン化ポテンシャルが大きいほうが発光開始電圧、輝
度とも優れていることがわかる。
From this, it can be seen that the bandgap of the medium is larger than the bandgap of the ultrafine particle light emitter to be used and the ionization potential is larger, the light emission starting voltage and the brightness are excellent.

【0073】(実施例2)ユーロピウム(II)シリケ
ート化合物(Eu2SiO4)は、EuOとSiO 2を原
料として文献の方法(J.Phys.Chem.Sol
ods.Vol.32、pp159(1971))に従
って合成した。X線分析装置で組成分析を行ったとこ
ろ、EuSiO3、EuSiO4、Eu3SiO5、Eu2
SiO4の混合物であった。この結晶に紫外線ランプを
照射して発光を測定したところ、発光のピークは575
nm付近に観察され、発光色は白色であった。この結晶
を、粉砕して平均粒子サイズが80nmの超微粒子を得
た。この超微粒子蛍光体を実施例1と同様にしてトルエ
ンを溶媒としてPVKに分散した。
Example 2 Europium (II) Sirique
Compound (Eu2SiOFour) Is EuO and SiO 2The original
The method described in the literature (J. Phys. Chem. Sol.
ods. Vol. 32, pp 159 (1971))
Was synthesized. The composition was analyzed with an X-ray analyzer.
Ro, EuSiO3, EuSiOFour, Eu3SiOFive, Eu2
SiOFourWas a mixture of. UV crystal on this crystal
When irradiated and measured for luminescence, the peak of luminescence is 575.
It was observed in the vicinity of nm and the emission color was white. This crystal
Is pulverized to obtain ultrafine particles having an average particle size of 80 nm.
It was This ultrafine particle phosphor was used in the same manner as in Example 1
The solvent was dispersed in PVK.

【0074】得られた粉末のイオン化ポテンシャルを測
定したところ、3.4eVでありバンドギャップは2.
1eVであった。次に、実施例1と同様にしてPVKの
トルエン溶液に該ユーロピウムシリケートの微粒子を溶
解分散した。この溶液を、十分に洗浄したITO基板に
アモルファス炭素を5nmスパッタした基板上にスピン
コートした。その後、酸素フリーの雰囲気化で200℃
にて乾燥した。ただちに真空蒸着装置にセットし、さら
に電子輸送材料として2、5−ビス(2‘、2“―ビピ
リジンー6−イル)−1、1−ジメチルー3、4、−ジ
フェニル シラシクロペンタジエンを10nm真空蒸着
した。弗化リチウムを5nm蒸着し、アルミニウムを2
00nm蒸着した。作製した素子をITOを陽極、アル
ミニウムを陰極として10Vで定電圧駆動をおこなった
ところ、黄色味がかった白色の発光が得られた。輝度計
で輝度を測定したところ50cd/m2であった。さら
に20Vで24時間定電圧駆動を続けたが輝度の低下は
10%程度であった。
When the ionization potential of the obtained powder was measured, it was 3.4 eV and the band gap was 2.
It was 1 eV. Next, in the same manner as in Example 1, the europium silicate fine particles were dissolved and dispersed in a toluene solution of PVK. This solution was spin-coated on a thoroughly cleaned ITO substrate on which amorphous carbon was sputtered with a thickness of 5 nm. After that, in an oxygen-free atmosphere, 200 ℃
It was dried at. Immediately, it was set in a vacuum vapor deposition apparatus, and then 2,5-bis (2 ', 2 "-bipyridin-6-yl) -1,1-dimethyl-3,4, -diphenylsilacyclopentadiene was vacuum deposited by 10 nm as an electron transport material. Lithium fluoride is evaporated to a thickness of 5 nm and aluminum is
It was vapor-deposited to 00 nm. When the manufactured element was driven at a constant voltage of 10 V with ITO as an anode and aluminum as a cathode, yellowish white light emission was obtained. When the luminance was measured with a luminance meter, it was 50 cd / m 2 . Further, constant voltage driving was continued for 24 hours at 20 V, but the decrease in luminance was about 10%.

【0075】(比較例2)同様の実験を実施例2に用い
たPVKのかわりにポリチオフェンを用いて行ったとこ
ろ、電圧を40Vにしてもわずか発光が見られるにとど
まった。
Comparative Example 2 When a similar experiment was conducted using polythiophene instead of PVK used in Example 2, slight light emission was observed even when the voltage was 40V.

【0076】[0076]

【発明の効果】以上のように、本発明の電界発光素子は
高い発光効率を持ちかつ駆動寿命に優れて、本発明は、
安価なプロセスを用い、かつ長寿命である、性能の改善
された新規な電界発光素子を提供することができる。
As described above, the electroluminescent device of the present invention has high luminous efficiency and excellent driving life.
It is possible to provide a novel electroluminescent device with improved performance, which uses an inexpensive process and has a long life.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施の形態における電界発光素子の
要部断面図
FIG. 1 is a cross-sectional view of an essential part of an electroluminescent device according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 陽極 3 発光層 4 陰極 1 substrate 2 anode 3 light emitting layer 4 cathode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 八浪 竜一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB03 AB06 AB11 AB18 DA01 DA04 EA03    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Ryuichi Hachinami             1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric             Sangyo Co., Ltd. F-term (reference) 3K007 AB03 AB06 AB11 AB18 DA01                       DA04 EA03

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】少なくとも正孔を注入する陽極と、発光領
域を有する発光層と、電子を注入する陰極とを備えた電
界発光素子であって、 前記発光層が、平均粒子サイズが100nm以下である
少なくとも1種の無機蛍光体と、前記無機蛍光体を分散
するための少なくとも1種の媒体とを含有し、前記媒体
のバンドギャップが、前記無機蛍光体のバンドギャップ
より広く、前記無機蛍光体のイオン化ポテンシャルが、
前記媒体のイオン化ポテンシャルより小さいことを特徴
とする電界発光素子。
1. An electroluminescent device comprising at least an anode for injecting holes, a light emitting layer having a light emitting region, and a cathode for injecting electrons, wherein the light emitting layer has an average particle size of 100 nm or less. The inorganic phosphor contains at least one kind of inorganic phosphor and at least one medium for dispersing the inorganic phosphor, and the band gap of the medium is wider than the band gap of the inorganic phosphor. The ionization potential of
An electroluminescent device characterized by being smaller than the ionization potential of the medium.
【請求項2】前記媒体が高分子化合物であることを特徴
とする請求項1に記載の電界発光素子。
2. The electroluminescent device according to claim 1, wherein the medium is a polymer compound.
【請求項3】前記高分子化合物が導電性高分子であるこ
とを特徴とする請求項2項に記載の電界発光素子。
3. The electroluminescent device according to claim 2, wherein the polymer compound is a conductive polymer.
【請求項4】少なくとも正孔を注入する陽極と、発光領
域を有する発光層と、電子を注入する陰極とを備えた電
界発光素子であって、 前記発光層が、平均粒子サイズが100nm以下である
少なくとも1種の無機蛍光体と、前記無機蛍光体を分散
するための少なくとも1種の媒体とを含有し、前記媒体
がホールを支配的に輸送する化合物であり、前記媒体に
電子輸送能を有する化合物を混合することを特徴とする
電界発光素子。
4. An electroluminescent device comprising at least an anode for injecting holes, a light emitting layer having a light emitting region, and a cathode for injecting electrons, wherein the light emitting layer has an average particle size of 100 nm or less. A compound containing at least one kind of inorganic phosphor and at least one medium for dispersing the inorganic phosphor, wherein the medium is a compound that predominantly transports holes, and has an electron transporting ability to the medium. An electroluminescent device, characterized in that a compound having the same is mixed.
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