JP2003217859A

JP2003217859A - Ｅｌパネル

Info

Publication number: JP2003217859A
Application number: JP2002011732A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiko Yano; 義彦矢野; Jun Hirabayashi; 潤平林; Katsuto Nagano; 克人長野; Mutsuko Nakano; 睦子中野
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2002-01-21
Filing date: 2002-01-21
Publication date: 2003-07-31

Abstract

(57)【要約】【課題】ＲＧＢの蛍光体フィルタを必要としない、色
純度の良好な、特にフルカラーＥＬ用のＲＧＢの駆動に
適した蛍光体薄膜を有するＥＬパネルを提供する。【解決手段】緑原色と、青原色を発光する２種類のＥ
Ｌ蛍光体薄膜により３原色表示を行うカラーＥＬパネル
であって、前記２種類のＥＬ蛍光体薄膜が酸素を含有し
ていてもよいアルカリ土類硫化物またはアルカリ土類酸
化物であり、前記緑原色または青原色のＥＬ蛍光体薄膜
と色変換層を組み合わせて赤色発光部が形成されている
構成のＥＬパネルとした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、無機ＥＬパネルに
関し、特にＲＧＢ３色を有するフルカラーの発光層を有
するＥＬパネルに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、小型または、大型軽量のフラット
パネルディスプレイとして、薄膜ＥＬ素子が盛んに研究
されている。黄橙色発光のマンガン添加硫化亜鉛からな
る蛍光体薄膜を用いたモノクロ薄膜ＥＬディスプレイは
図３に示すような薄膜の絶縁層２，４を用いた２重絶縁
型構造で既に実用化されている。図３において、基板１
上には所定パターンの下部電極５が形成されていて、こ
の下部電極５が形成されている基板１上に第１の絶縁層
２が形成されている。また、この第１の絶縁層２上に
は、発光層３、第２の絶縁層４が順次形成されるととも
に、第２の絶縁層４上に前記下部電極５とマトリクス回
路を構成するように上部電極６が所定パターンで形成さ
れている。

【０００３】さらに、ディスプレイとしてパソコン用、
ＴＶ用、その他表示用に対応するためにはカラー化が必
要不可欠である。硫化物蛍光体薄膜を用いた薄膜ＥＬデ
ィスプレイは、信頼性、耐環境性に優れているが、現在
のところ、赤色、緑色、青色の３原色に発光するＥＬ用
蛍光体の特性が十分でないため、カラー用には不適当と
されている。青色発光蛍光体は、母体材料としてＳｒ
Ｓ、発光中心としてＣｅを用いたＳｒＳ：ＣｅやＺｎ
Ｓ：Ｔｍ、赤色発光蛍光体としてはＺｎＳ：Ｓｍ、Ｃａ
Ｓ：Ｅｕ、緑色発光蛍光体としてはＺｎＳ：Ｔｂ、Ｃａ
Ｓ：Ｃｅなどが候補であり研究が続けられている。

【０００４】これらの赤色、緑色、青色の３原色に発光
する蛍光体薄膜は発光輝度、効率、色純度に問題があ
り、現在、カラーＥＬパネルの実用化には至っていな
い。特に、青色は、ＳｒＳ：Ｃｅを用いて、比較的高輝
度が得られてはいるが、フルカラーディスプレー用の青
色としては、輝度が不足し、色度も緑側にシフトしてい
るため、さらによい青色発光層の開発が望まれている。

【０００５】これらの課題を解決するため、特開平７−
１２２３６４号公報、特開平８−１３４４４０号公報、
信学技報ＥＩＤ９８−１１３、１９−２４ページ、およ
びJpn.J.Appl.Phys.Vol.38、(1999) pp. L1291-1292に
述べられているように、ＳｒＧａ₂Ｓ₄ ：Ｃｅ、ＣａＧ
ａ₂Ｓ₄ ：Ｃｅや、ＢａＡｌ₂Ｓ₄ ：Ｅｕ等のチオガレー
トまたはチオアルミネート系の青色蛍光体が開発されて
いる。これら、チオガレート系蛍光体では、色純度の点
では問題ないが、輝度が低く、特に多元組成であるた
め、組成の均一な薄膜を得難い。組成制御性の悪さによ
る結晶性の悪さ、イオウ抜けによる欠陥の発生、不純物
の混入などによって、高品質の薄膜が得られず、そのた
め輝度が上がらないと考えられている。特に、チオアル
ミネートは組成制御性に困難を極める。

【０００６】上記した青、緑、赤、のＥＬ蛍光体薄膜の
ＥＬスペクトルは、すべてブロードであり、フルカラー
ＥＬパネルに用いる場合には、パネルとして必要な、Ｒ
ＧＢをフィルタを用いて、ＥＬ蛍光体薄膜のＥＬスペク
トルから切り出さなければならない。フィルターを用い
ると製造工程が複雑になるばかりか、最も問題なのは、
輝度の低下である。フィルターを用いてＲＧＢを取り出
すと、青、緑、赤のＥＬ蛍光体薄膜の輝度は、１０〜５
０％のロスがでるため、輝度が低下し、実用にならな
い。

【０００７】また、フルカラー用RGBフィルターは、通
常、RGB用の蛍光体が形成された蛍光体基板とは別に、
ガラス基板上にRGBフィルターをピクセルごとにパター
ン形成し、蛍光体基板とガラス基板とを位置あわせをし
て、フルカラーパネルとする。しかしながら、この方法
は、微細加工した基板を二枚必要とし、製造工程が複雑
でかつ高価なものとなり、実用にならない。

【０００８】上記に示した問題を解決するために、いわ
ゆるガラス基板上にパターニングされたRGBのフィルタ
を用いなくとも、色純度の良好でかつ高輝度の赤、緑、
青発光を得るパネルが求められていた。

【０００９】さらに、従来のＥＬ蛍光体薄膜は、成膜温
度が比較的高温のものが多く、このような蛍光体を全て
フォトリソプロセスによりパターニングして３原色を得
ようとすると、極めて困難な作業を伴い、現実的でな
い。また、特に高輝度で、高い色純度を有するものは、
成膜温度が高く、これらを全てフォトリソプロセスでパ
ターニングし、高輝度、高精細のフルカラーディスプレ
イを得ることは、現在知られている材料系では極めて困
難であるといえる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ＲＧ
Ｂにパターニングされたフィルタ基板を必要としない、
色純度の良好な、特にフルカラーＥＬ用に適した蛍光体
薄膜を有するＥＬパネルを提供することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的は、下記（１）
〜（６）のいずれかの本発明の構成により達成される。（１）緑原色と、青原色を発光する２種類のＥＬ蛍光
体薄膜により３原色表示を行うカラーＥＬパネルであっ
て、前記２種類のＥＬ蛍光体薄膜が酸素を含有していて
もよいアルカリ土類硫化物またはアルカリ土類酸化物で
あり、前記緑原色または青原色のＥＬ蛍光体薄膜と色変
換層を組み合わせて赤色発光部が形成されているＥＬパ
ネル。（２）色純度座標ＣＩＥ（ｘ、ｙ）において、ｘ＜
０．３、ｙ＞０．６である緑原色と、ｘ＜０．２、ｙ＜
０．２である青原色を発光する上記（１）のＥＬパネ
ル。（３）前記２種類のＥＬ蛍光体薄膜は、下記組成式で
表される上記（１）〜（３）のいずれかのＥＬパネル。Ａ_xＢ_yＯ_zＳ_w ：Ｒ［但し、ＡはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａおよび希土類元素
から選ばれた少なくとも一つの元素、Ｂは、Ａｌ、Ｇａ
およびＩｎから選ばれた少なくとも一つの元素を表し、
ｘ＝０〜５、ｙ＝０〜１５、ｚ＝０〜３０、ｗ＝０〜３
０である。Ｒは発光中心となる希土類元素を表す。］（４）前記緑原色を発光するＥＬ蛍光体薄膜の母体材
料がストロンチウムチオガレードであり、青原色を発光
するＥＬ蛍光体薄膜の母体材料がバリウムチオアルミネ
ートであり、共に発光中心となる希土類元素がＥｕであ
る上記（１）または（２）のＥＬパネル。（５）前記緑原色ＥＬ蛍光体薄膜のＥＬ発光時の光取
り出し面に色変換膜を有する上記（１）〜（４）のいず
れかのＥＬパネル。（６）前記緑色または青色を発光するＥＬ蛍光体薄膜
が酸素を含有したオキシ硫化物であって、前記オキシ硫
化物中の酸素元素とイオウ元素とのモル比率を、Ｏ／
（Ｓ＋Ｏ）と表したときに、Ｏ／（Ｓ＋Ｏ）＝０．０１〜０．８５である上記（１）〜（５）のいずれかのＥＬパネル。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
詳細に説明する。

【００１３】本発明のＥＬパネルは、緑原色、青原色を
発光する２種類のＥＬ蛍光体薄膜を用いて、RGB三色を
取り出すカラーパネルである。

【００１４】本発明に用いる２種類の、緑、青のＥＬ蛍
光体薄膜は、アルカリ土類硫化物、アルカリ土類酸化
物、アルカリ土類チオアルミネート、アルカリ土類アル
ミネート、アルカリ土類チオガレード、アルカリ土類ガ
レード、アルカリ土類インデート、アルカリ土類チオイ
ンデートのいずれかの母体材料が好ましく、発光中心と
しては、少なくともＥｕを添加したものが好ましい。

【００１５】このような緑色、青色蛍光体薄膜は、後述
するように、フィルタを用いなくとも色純度の良好でか
つ高輝度に発光する緑、青の蛍光体薄膜材料である。

【００１６】ここで、緑色、青色の発光とは、色純度座
標ＣＩＥ（ｘ、ｙ）において、少なくとも、ｘ＜０．
３、ｙ＞０．６であるものを緑原色、少なくともｘ＜
０．２、ｙ＜０．２であるものを青原色の発光とする。

【００１７】赤色用の発光部には、前記青原色蛍光体、
または緑色原色蛍光体を用い、好ましくは緑原色蛍光体
を用いる。青または緑原色蛍光体は、短波長で量子効率
が高い。この青または緑原色蛍光体から、赤色を得るた
めに、蛍光体発光側に色変換をするための、色変換薄膜
層を設ける。色変換薄膜層は、赤色が必要な領域のみに
設け、その他の緑原色、青原色は蛍光体の発光色をその
まま用いる。

【００１８】色変換薄膜層は、青または緑色の光を有機
蛍光色素を分散した媒体膜に吸収させ、より長波長の蛍
光に変換する機能を有する層を用いる。この色変換薄膜
層は、例えば、Proc. 15th Int. Display Research Con
ference, 269頁, 1995年において記載されている、青色
発光素子からの青色光を励起光源として、赤色蛍光色素
を樹脂に分散させた蛍光変換層等で用いられているよう
なの公知の材料を用いればよい。

【００１９】色変換薄膜層は、従来のＬＣＤのように、
ガラス基板上に赤変換薄膜層をピクセルごとにパターン
形成し、蛍光体基板とガラス基板とを位置あわせをして
もよい。この場合従来ＬＣＤなどではＲＧＢのパターニ
ングが必要であったが、本発明の場合、Ｒ（赤）のみ色
変換薄膜をパターニングすればよい。

【００２０】しかしながら、本発明の効果を最も効果的
に得るには、蛍光体基板とガラス基板とを位置あわせす
るのではなく、青または緑色ＥＬ蛍光体薄膜のEL発光時
の光取り出し面、すなわち蛍光体基板に直接色変換膜を
形成することが好ましい。図１に最も好ましい構成を示
す。本構成で、３ｒ、３ｇ、３ｂは、それぞれ赤用、緑
用、青用の蛍光体を表し、R用蛍光体（つまり青または
緑色ＥＬ蛍光体薄膜）３ｒ上の上部電極６上に色変換薄
膜層７が形成されている。

【００２１】色変換薄膜層は、上記ＥＬ蛍光体からの発
光を吸収して、波長変換できる蛍光色素を含有するもの
であることが好ましい。この場合、特に緑色から赤色へ
の変換が高い変換効率が得られ易い。

【００２２】ここで、蛍光色素としては市販のレーザー
色素等が好ましいが、固体状態（樹脂中での分散状態を
含む）で強い蛍光性を有するものであれば、特に制限は
ない。

【００２３】蛍光顔料および／または蛍光色素を２種類
以上含有するものであってよい。

【００２４】蛍光顔料としては、アゾ系、フタロシアニ
ン系、アントラキノン系、キナクリドン系、イソインド
リノン系、チオインジゴ系、ペリレン系、ジオキサジン
系等が挙げられ、これらの中から選択すればよいが、特
にアゾ系、イソインドリノン系、あるいはＢＡＳＦ社の
ルモゲンカラー（Lumogen Color ）が好ましい。

【００２５】蛍光色素としては、具体的にはレーザー用
色素などが適しており、ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ
等のキサンテン系色素、４−ジシアノメチレン−２−メ
チル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチルリン）−４Ｈ−
ピラン（ＤＣＭ）等のシアニン系色素、１−エチル−２
−（４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブ
タジエニル）ピリジウム−パーコラレイト（ピリジン
１）等のピリジン系色素、オキサジン系色素、クリセン
系色素、チオフラビン系色素、ペリレン系色素、ピレン
系色素、アントラセン系色素、アクリドン系色素、アク
リジン系色素、フルオレン系色素、ターフェニル系色
素、エテン系色素、ブタジエン系色素、ヘキサトリエン
系色素、オキサゾール系色素、クマリン系色素、スチル
ベン系色素、ジ−およびトリフェニルメタン系色素、チ
アゾール系色素、チアジン系色素、ナフタルイミド系色
素、アントラキノン系色素等が挙げられ、中でもローダ
ミンＢ、ローダミン６Ｇ等のキサンテン系色素、クマリ
ン系やナフタルイミド系色素が適している。

【００２６】特に、青色から緑色の領域の光を吸収し
て、赤色領域の蛍光を発する有機蛍光色素として、例え
ばローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミン３Ｂ、ロ
ーダミン１０１、ローダミン１１０、スルホローダミ
ン、ベーシックバイオレット１１、ベーシックレッド２
などのローダミン系色素、１−エチル−２−〔４−（ｐ
−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジエニル〕
ピリジニウム−パークロレート（ピリジン１）などのピ
リジン系色素、シアニン系色素、あるいはオキサジン系
色素などが好ましい。

【００２７】この色変換薄膜層は、上述に例示するよう
な蛍光色素を蒸着あるいはスパッタリング法で製膜され
た膜、適当な樹脂を媒体としてその中に分散させた膜等
いずれの形態であってもよい。膜厚はEL蛍光体からの光
を充分に吸収し、蛍光を発生する機能を妨げるものでな
ければ制限はなく、通常蛍光色素により若干異なるが１
０nm〜１００μm程度が適当である。

【００２８】ここで適当な樹脂を結着性樹脂としてその
中に分散させた膜の場合、蛍光色素の分散濃度は、蛍光
の濃度消光を起こすことがなく、かつ励起光を充分に吸
収できる範囲であればよい。

【００２９】樹脂に分散させた膜の場合、Ｒピクセルと
Ｇ、Ｂピクセルに生じた段差を樹脂等で覆って平坦化
し、視認性を改善することもある。

【００３０】また、色変換によって生じるエネルギーロ
スや蛍光色素を分散させた樹脂による光の吸収によって
生じる輝度の低下は発光面積で調整することもできる。

【００３１】さらに、上記色変換薄膜層とフィルター層
とを組み合わせて、赤色の色純度を調整してもよい。フ
ィルター層には公知のフィルター材料を用いればよい。

【００３２】緑原色、青原色のＥＬ蛍光体薄膜に用いる
アルカリ土類チオアルミネート、アルカリ土類アルミネ
ート、アルカリ土類チオガレード、アルカリ土類ガレー
ド、アルカリ土類インデート、アルカリ土類チオインデ
ートなどは、アルカリ土類をＡ、Ａｌ、ＧａまたはＩｎ
をＢ、イオウまたは酸素をＣとすると、Ａ₅Ｂ₂Ｃ₈ 、Ａ
₄Ｂ₂Ｃ₇ 、Ａ₂Ｂ₂Ｃ₅ 、ＡＢ₂Ｃ₄ 、ＡＢ₄Ｃ₇ 、Ａ₄Ｂ
₁₄Ｃ₂₅ 、ＡＢ₈Ｃ₁₃ 、ＡＢ₁₂Ｃ₁₉ などがあり、基本材
料としてはこれらの単体または２種以上を混合してもよ
いし、明確な結晶構造を有しない非晶質状態となっても
よい。

【００３３】アルカリ土類元素は、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，
Ｓｒ，ＢａおよびＲａのいずれかであるが、これらのな
かでもＭｇ，Ｃａ，ＳｒおよびＢａが好ましく、特にＢ
ａおよびＳｒが好ましい。

【００３４】また、このアルカリ土類元素と組み合わせ
る元素はＡｌ、ＧａまたはＩｎであり、これらの元素の
組み合わせは任意である。

【００３５】ＥＬ蛍光体薄膜は、イオウと酸素を含有
し、組成式Ａ_xＢ_yＯ_zＳ_w ：Ｒ［但し、ＡはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａおよび希土類元素
から選ばれた少なくとも一つの元素、ＢはＡｌ、Ｇａお
よびＩｎから選ばれた少なくとも一つの元素を表す。Ｒ
は発光中心となる元素を表し、Ｅｕを必ず含む。］で表
されるものが好ましい。

【００３６】上記式において、ｘ，ｙ，ｚ，ｗは、それ
ぞれ元素Ａ，Ｂ，Ｏ，Ｓのモル比を表す。

【００３７】ｘ，ｙ，ｚは、好ましくはｘ＝０〜５ｙ＝０〜１５ｚ＝０〜３０ｗ＝０〜３０、より好ましくはｘ＝１〜５ｙ＝１〜１５ｚ＝３〜３０ｗ＝３〜３０である。

【００３８】含有される酸素は、アルカリ土類硫化物母
体材料に、母体材料のイオウに対する原子比で、Ｏ／
（Ｓ＋Ｏ）と表したとき、０．０１〜０．８５，特に
０．０５〜０．５の範囲内で添加することが好ましい。
すなわち、上式では、ｚ／（ｚ＋ｗ）の値が０．０１〜
０．８５、好ましくは０．０５〜０．５、より好ましく
は０．１〜０．４、特に０．２〜０．３であることが好
ましい。

【００３９】蛍光体薄膜の組成は、蛍光Ｘ線分析（ＸＲ
Ｆ）、Ｘ線光電子分析（ＸＰＳ）等により確認すること
ができる。

【００４０】酸素は、蛍光体薄膜ＥＬ発光輝度を飛躍的
に高める効果がある。発光素子は発光時間の経過と共に
輝度が劣化する寿命が存在する。酸素を添加することに
より、寿命特性を向上させ、輝度劣化を防止することが
できる。硫化物に酸素が添加されると、この母体材料の
成膜時または、成膜後のアニール等の後処理時に結晶化
が促進され、添加された希土類が化合物結晶場内で有効
な遷移を有し、高輝度で安定な発光が得られるものと考
えられる。また、母材自体も純粋な硫化物に比べ、空気
中で安定になる。これは、膜中の硫化物成分を安定な酸
化物成分が大気から保護するためと考えられる。

【００４１】ＥＬ蛍光体薄膜は、上記材料の他、酸化物
であってもよい。酸化物は、発光寿命、耐環境性に優れ
る。

【００４２】このような酸化物は、組成式Ａ_xＢ_yＯ_z ：Ｒ［但し、ＡはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａおよび希土類元素
から選ばれた少なくとも一つの元素、ＢはＡｌ、Ｇａお
よびＩｎから選ばれた少なくとも一つの元素を表す。Ｒ
は発光中心となる元素を表し、Ｅｕを必ず含む。］で表
されるものが好ましい。

【００４３】上記式において、ｘ，ｙ，ｚは、それぞれ
元素Ａ，Ｂ，Ｏのモル比を表す。

【００４４】ｘ，ｙ，ｚは、好ましくはｘ＝０〜５ｙ＝０〜１５ｚ＝０〜３０、より好ましくはｘ＝１〜５ｙ＝１〜１５ｚ＝３〜３０である。

【００４５】以上述べたような蛍光体薄膜のなかで、特
に、青用の蛍光体薄膜は、Ｂａ_xＡｌ_yＯ_zＳ_w ：Ｅｕで
あることが好ましい。

【００４６】また、ｗ＝０の酸化物も好ましい。このな
かでは、Ｃａ_xＡｌ_yＯ_z ：Ｅｕが特に好ましい。

【００４７】緑色としては、Ｓｒ_xＧａ_yＯ_zＳ_w ：Ｅｕ
であることが特に好ましい。

【００４８】また、ｗ＝０の酸化物も好ましい。このな
かでは、Ｓｒ_xＡｌ_yＯ_z ：Ｅｕが特に好ましい。

【００４９】蛍光体薄膜の膜厚としては、特に制限され
るものではないが、厚すぎると駆動電圧が上昇し、薄す
ぎると発光効率が低下する。具体的には、蛍光材料にも
よるが、好ましくは１００〜２０００nm、特に１５０〜
７００nm程度である。

【００５０】発光中心として含有されるＥｕ元素の添加
量は、アルカリ土類原子に対して０．１〜１０原子%添
加することが好ましい。本発明では、発光中心として添
加される元素Ｅｕ単独の他、二種類以上の元素を添加し
てもよい。たとえば、Ｅｕを発光中心とした場合、さら
にＣｕやＣｅなどの添加により、応答性、発光輝度を向
上が可能になる。

【００５１】さらに緑原色、青原色の蛍光体薄膜は、Ｚ
ｎＳ薄膜/蛍光体薄膜/ＺｎＳ薄膜の構造であることが好
ましい。蛍光体薄膜が薄い範囲で、ＺｎＳ薄膜でサンド
イッチすることにより、蛍光体薄膜の電荷の注入特性、
耐電圧特性が向上し、高輝度に発光するＥＬ素子とな
る。ＺｎＳ薄膜の膜厚は、３０nm〜４００nm、好ましく
は、１００nm〜３００nmがよい。

【００５２】また、緑原色、青原色の蛍光体薄膜は、Ｚ
ｎＳ薄膜／蛍光体薄膜／ＺｎＳ薄膜／蛍光体薄膜／Ｚｎ
Ｓ薄膜と、ＺｎＳ薄膜と蛍光体薄膜を交互に積層し、最
外層をＺｎＳ薄膜とするか、さらにＺｎＳ薄膜／蛍光体
薄膜／ＺｎＳ薄膜／・・繰り返し・・／蛍光体薄膜／Ｚ
ｎＳ薄膜のように多層にしてもよい。

【００５３】このような蛍光体薄膜を得るには、例え
ば、以下の蒸着法によることが好ましい。

【００５４】緑原色、青原色の蛍光体薄膜は、たとえ
ば、Ｅｕを添加したアルカリ土類硫化物を作製し、真空
槽内でこの蒸発源をＥＢ蒸着させ、これを単独か、同時
にチオアルミネート、チオガレード、チオインデートを
抵抗加熱蒸着することにより、Ｅｕ添加アルカリ土類硫
化物、アルカリ土類チオガレード、アルカリ土類チオア
ルミネート、アルカリ土類チオインデート等を形成す
る。これらの組成は、各々の源のパワーを調整する。こ
のとき、蒸着中にＨ₂Ｓガスを導入してもよい。

【００５５】添加するＥｕは、金属、フッ化物、酸化物
または硫化物の形で原料に添加する。添加量は、原料と
形成される薄膜で異なるので、適当な添加量となるよう
に原料の組成を調整する。

【００５６】蒸着中の基板温度は、室温〜６００℃、好
ましくは、３００℃〜５００℃とすればよい。基板温度
が高すぎると、母体材料の薄膜表面の凹凸が激しくな
り、薄膜中にピンホールが発生し、ＥＬ素子に電流リー
クの問題が発生してくる。また、薄膜が褐色に色づいた
りもする。このため、上述の温度範囲が好ましい。ま
た、成膜後にアニール処理を行うことが好ましい。アニ
ール温度は、好ましくは６００℃〜１０００℃、特に６
００℃〜８００℃である。

【００５７】形成された蛍光薄膜は、高結晶性の薄膜で
あることが好ましい。結晶性の評価は、例えばＸ線回折
により行うことができる。結晶性を上げるためには、で
きるだけ基板温度を高温にする。また、薄膜形成後の真
空中、Ｎ₂ 中、Ａｒ中、大気中、Ｓ蒸気中、Ｈ₂Ｓ中等
でのアニールも効果的である。

【００５８】発光層の膜厚としては、特に制限されるも
のではないが、厚すぎると駆動電圧が上昇し、薄すぎる
と発光効率が低下する。具体的には、蛍光材料にもよる
が、好ましくは１００〜２０００nm、特に１５０〜７０
０nm程度である。

【００５９】蒸着時の圧力は好ましくは１．３３×１０
^-4 〜１．３３×１０^-1 Pa（１×１０^-6 〜１×１０^-3
Torr）である。またＨ₂Ｓなどのガスを導入する際、圧
力を調整して６．６５×１０^-3 〜６．６５×１０^-2 Pa
（５×１０^-5 〜５×１０^-4Torr）とするとよい。圧力
がこれより高くなると、Ｅガンの動作が不安定となり、
組成制御が極めて困難になってくる。ガスの導入量とし
ては、真空系の能力にもよるが５〜２００SCCM、特に１
０〜３０SCCMが好ましい。

【００６０】また、必要により蒸着時に基板を移動、ま
たは回転させてもよい。基板を移動、回転させることに
より、膜組成が均一となり、膜厚分布のバラツキが少な
くなる。

【００６１】基板を回転させる場合、基板の回転数とし
ては、好ましくは１０回／min 以上、より好ましくは１
０〜５０回／min 、特に１０〜３０回／min 程度であ
る。基板の回転数が速すぎると、真空チャンバーへの導
入時にシール性などの問題が発生しやすくなる。また、
遅すぎると槽内の膜厚方向に組成ムラが生じ、作製した
発光層の特性が低下してくる。基板を回転させる回転手
段としては、モータ、油圧回転機構等の動力源と、ギ
ア、ベルト、プーリー等を組み合わせた動力伝達機構・
減速機構等を用いた公知の回転機構により構成すること
ができる。

【００６２】蒸発源や基板を加熱する加熱手段は所定の
熱容量、反応性等を備えたものであればよく、例えばタ
ンタル線ヒータ、シースヒータ、カーボンヒータ等が挙
げられる。加熱手段による加熱温度は、好ましくは１０
０〜１４００℃程度、温度制御の精度は、１０００℃で
±１℃、好ましくは±０．５℃程度である。

【００６３】本発明の発光層を形成するための装置の構
成例の一つを図２に示す。ここでは、Ｅｕを添加したア
ルカリ土類硫化物と、チオアルミネート、チオガレー
ド、チオインデートのいずれかを蒸発源とし、Ｈ₂Ｓを
導入しつつ、Ｅｕ添加アルカリ土類硫化物、アルカリ土
類チオガレード、アルカリ土類チオアルミネート、アル
カリ土類チオインデート等を作製する方法を例にとる。
図において、真空層１１内には、発光層が形成される基
板１２と、抵抗加熱蒸発源であるＫ−セル１４，ＥＢ蒸
発源１５が配置されている。

【００６４】チオアルミネート、チオガレード、チオイ
ンデートのいずれかの蒸発手段となる抵抗加熱蒸発源
（Ｋ−セル）１４には、チオアルミネート、チオガレー
ド、チオインデートのいずれか１４ａが収納されてい
る。このＫ−セル１４は、図示しない加熱手段により加
熱され、所望の蒸発速度で材料を蒸発させるようになっ
ている。

【００６５】一方、アルカリ土類硫化物の蒸発手段であ
るＥＢ（エレクトロンビーム）蒸発源１５は、発光中心
の添加されたアルカリ土類硫化物１５ａが納められる”
るつぼ”５０と、電子放出用のフィラメント５１ａを内
蔵した電子銃５１とを有する。電子銃５１内には、ビー
ムをコントロールする機構が内蔵されている。この電子
銃５１には、交流電源５２およびバイアス電源５３が接
続されている。電子銃５１からは電子ビームがコントロ
ールされ、あらかじめ設定したパワーで、アルカリ土類
硫化物１５ａを所定の蒸発速度で蒸発させることができ
る。図においては、Ｋ−セルとEガンで蒸発源を制御し
ているが、一つのＥガンで多元同時蒸着を行うことも可
能である。その場合の蒸着方法は、多元パルス蒸着法と
いわれる。

【００６６】なお、図示例では、説明を容易にするため
に各蒸発源１４，１５の配置が基板に対して偏在してい
るようにもみえるが、実際には組成および膜厚が均一と
なるような位置に配置される。

【００６７】真空槽１１は、排気ポート１１ａを有し、
この排気ポートからの排気により、真空槽１１内を所定
の真空度にできるようになっている。また、この真空槽
１１は、硫化水素などのガスを導入する原料ガス導入ポ
ート１１ｂを有している。

【００６８】基板１２は基板ホルダー１２ａに固定さ
れ、この基板ホルダー１２ａの固定軸１２ｂは図示しな
い回転軸固定手段により、真空槽１１内の真空度を維持
しつつ、外部から回転自在に固定されている。そして、
図示しない回転手段により、必要に応じて所定の回転数
で回転可能なようになっている。また、基板ホルダー１
２ａには、ヒーター線などにより構成される加熱手段１
３が密着・固定されていて、基板を所望の温度に加熱、
保持できるようになっている。

【００６９】このような装置を用い、Ｋ−セル１４、Ｅ
Ｂ蒸発源１５から蒸発させたチオアルミネート、チオガ
レード、チオインデートのいずれかの蒸気と、アルカリ
土類硫化物蒸気とを基板１２上に堆積結合させ、Ｅｕ添
加アルカリ土類硫化物、アルカリ土類チオガレード、ア
ルカリ土類チオアルミネート、アルカリ土類チオインデ
ート等の蛍光層が形成される。そのとき、必要により基
板１２を回転させることにより、堆積される発光層の組
成と膜厚分布をより均一なものとすることができる。

【００７０】上記蛍光薄膜の発光層３を用いて無機ＥＬ
素子を得るには、例えば、図１に示すような構造とすれ
ばよい。

【００７１】図１は、本発明の発光層を用いた無機ＥＬ
素子の構造を示す一部断面斜視図である。図１におい
て、基板１上には所定パターンの下部電極５が形成され
ていて、この下部電極５上に厚膜の第１の絶縁層（厚膜
誘電体層）２ａが形成され、必要により平坦化、絶縁性
の担保などの目的からゾルゲル、ＭＯＤ等の溶液塗布焼
成法により形成された誘電体層２ｂが形成されている。
また、この第１の絶縁層２ａおよび誘電体層２ｂ上に
は、Ｒ、Ｇ、Ｂの発光層３（３ｒ、３ｇ、３ｂ）、第２
の絶縁層（薄膜誘電体層）４が順次形成されるととも
に、第２の絶縁層４上に前記下部電極５とマトリクス回
路を構成するように上部電極６が所定パターンで形成さ
れている。マトリックス電極の交点では、赤、緑、青の
蛍光体薄膜３ｒ、３ｇ、３ｂが塗り分けられている。

【００７２】そして、赤色蛍光体層３ｒに対応する上部
電極６上には、色変換層７が形成されている。

【００７３】交流電源１０は、下部電極５と上部電極間
６に接続され、図示しない駆動回路により、任意の電極
が選択されることにより、特定の画素、つまり発光層３
が選択され、電圧が印加されて発光する。

【００７４】基板１、電極５，６、厚膜絶縁層２、薄膜
絶縁層４のそれぞれの間には、密着を上げるための層、
応力を緩和するための層、反応を防止するバリア層、な
ど中間層を設けてもよい。また厚膜表面は研磨したり、
平坦化層を用いるなどして平坦性を向上させてもよい。

【００７５】ここで、特に厚膜絶縁層と薄膜絶縁層の間
にバリア層としてＢａＴｉＯ₃ 薄膜層を設けることが好
ましい。

【００７６】基板として用いる材料は、厚膜形成温度、
およびＥＬ蛍光層の形成温度、ＥＬ素子のアニール温度
に耐えうる耐熱温度ないし融点が６００℃以上、好まし
くは７００℃以上、特に８００℃以上の基板を用い、そ
の上に形成される発光層等の機能性薄膜によりＥＬ素子
が形成でき、所定の強度を維持できるものであれば特に
限定されるものではない。具体的には、ガラス基板やア
ルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃ ）、フォルステライト（２ＭｇＯ・
ＳｉＯ₂ ）、ステアタイト（ＭｇＯ・ＳｉＯ₂）、ムラ
イト（３Ａｌ₂Ｏ₃ ・２ＳｉＯ₂ ）、ベリリア（Ｂｅ
Ｏ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化シリコン（Ｓ
ｉＮ）、炭化シリコン（ＳｉＣ＋ＢｅＯ）等のセラミッ
ク基板、結晶化ガラスなど耐熱性ガラス基板を挙げるこ
とができる。これらのなかでも特にアルミナ基板、結晶
化ガラスが好ましく、熱伝導性が必要な場合にはベリリ
ア、窒化アルミニウム、炭化シリコン等が好ましい。

【００７７】また、このほかに、石英、熱酸化シリコン
ウエハー等、チタン、ステンレス、インコネル、鉄系な
どの金属基板を用いることもできる。金属等の導電性基
板を用いる場合には、基板上に内部に電極を有した厚膜
を形成した構造が好ましい。

【００７８】誘電体厚膜材料（第１の絶縁層）として
は、公知の誘電体厚膜材料を用いることができる。さら
に比較的誘電率の大きな材料が好ましい。

【００７９】例えばチタン酸鉛系、ニオブ酸鉛系、チタ
ン酸バリウム系等の材料を用いることができる。

【００８０】誘電体厚膜の抵抗率としては、１０⁸ Ω・
cm以上、特に１０¹⁰ 〜１０¹⁸ Ω・cm程度である。また
比較的高い誘電率を有する物質であることが好ましく、
その誘電率εとしては、好ましくはε＝１００〜１００
００程度である。膜厚としては、５〜５０μm が好まし
く、１０〜３０μm が特に好ましい。

【００８１】絶縁層厚膜の形成方法は、特に限定され
ず、１０〜５０μm 厚の膜が比較的容易に得られる方法
が良いが、ゾルゲル法、印刷焼成法などが好ましい。

【００８２】印刷焼成法による場合には、材料の粒度を
適当に揃え、バインダーと混合し、適当な粘度のペース
トとする。このペーストを基板上にスクリーン印刷法に
より形成し、乾燥させる。このグリーンシートを適当な
温度で焼成し、厚膜を得る。

【００８３】薄膜絶縁層（第２の絶縁層）の構成材料と
しては、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）、窒化シリコ
ン（ＳｉＮ）、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅ ）、チタン酸
ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ₃ ）、酸化イットリウム
（Ｙ₂Ｏ₃ ）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ₃ ）、チ
タン酸鉛（ＰｂＴｉＯ₃ ）、ＰＺＴ、ジルコニア（Ｚｒ
Ｏ₂ ）、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）、ア
ルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃ ）、ニオブ酸鉛、ＰＭＮ−ＰＴ系材
料等およびこれらの多層または混合薄膜を挙げることが
でき、これらの材料で絶縁層を形成する方法としては、
蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、ゾルゲル法、印刷焼成
法など既存の方法を用いればよい。この場合の絶縁層の
膜厚としては、好ましくは５０〜１０００nm、特に１０
０〜５００nm程度である。

【００８４】電極（下部電極）は、少なくとも基板側ま
たは第１の誘電体内に形成される。厚膜形成時、さらに
発光層と共に熱処理の高温下にさらされる電極層は、主
成分としてパラジウム、ロジウム、イリジウム、レニウ
ム、ルテニウム、白金、タンタル、ニッケル、クロム、
チタン等の１種または２種以上の通常用いられている金
属電極を用いればよい。

【００８５】また、上部電極となる他の電極層は、通
常、発光を基板と反対側から取り出すため、所定の発光
波長域で透光性を有する透明な電極が好ましい。透明電
極は、基板および絶縁層が透光性を有するものであれ
ば、発光光を基板側から取り出すことが可能なため下部
電極に用いてもよい。この場合、ＺｎＯ、ＩＴＯなどの
透明電極を用いることが特に好ましい。ＩＴＯは、通常
Ｉｎ₂Ｏ₃ とＳｎＯとを化学量論組成で含有するが、Ｏ
量は多少これから偏倚していてもよい。Ｉｎ₂Ｏ₃に対す
るＳｎＯ₂ の混合比は、１〜２０質量％、さらには５〜
１２質量％が好ましい。また、ＩＺＯでのＩｎ₂Ｏ₃ に
対するＺｎＯの混合比は、通常、１２〜３２質量％程度
である。

【００８６】また、電極は、シリコンを有するものでも
良い。このシリコン電極層は、多結晶シリコン（ｐ−Ｓ
ｉ）であっても、アモルファス（ａ−Ｓｉ）であっても
よく、必要により単結晶シリコンであってもよい。

【００８７】電極は、主成分のシリコンに加え、導電性
を確保するため不純物をドーピングする。不純物として
用いられるドーパントは、所定の導電性を確保しうるも
のであればよく、シリコン半導体に用いられている通常
のドーパントを用いることができる。具体的には、Ｂ、
Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ａｌ等が挙げられ、これらのなかで
も、特にＢ、Ｐ、Ａｓ、ＳｂおよびＡｌが好ましい。ド
ーパントの濃度としては０．００１〜５原子％程度が好
ましい。

【００８８】これらの材料で電極層を形成する方法とし
ては、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、ゾルゲル法、印
刷焼成法など既存の方法を用いればよいが、特に、基板
上に内部に電極を有した厚膜を形成した構造を作製する
場合、誘電体厚膜と同じ方法が好ましい。

【００８９】電極層の好ましい抵抗率としては、発光層
に効率よく電界を付与するため、１Ω・cm以下、特に
０．００３〜０．１Ω・cmである。電極層の膜厚として
は、形成する材料にもよるが、好ましくは５０〜２００
０nm、特に１００〜１０００nm程度である。

【００９０】以上、本発明のＥＬパネルについて説明し
たが、本発明のＥＬパネルを用いると、他の形態の素
子、主にディスプレイ用のフルカラーパネル、マルチカ
ラーパネル、部分的に３色を表示するパーシャリーカラ
ーパネルに応用することができる。

【００９１】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。

【００９２】〔実施例１〕本発明のＥＬパネルを作製し
た。基板、厚膜絶縁層とも同じ材料であるＢａＴｉＯ₃
系の誘電体材料誘電率５０００のものを用い、下部電極
としてＰｄ電極を用いた。作製は、基板のシートを作製
し、この上に下部電極、厚膜絶縁層をスクリーン印刷し
てグリーンシートとし、同時に焼成した。表面は、研磨
し、３０μm 厚の厚膜第一絶縁層付き基板を得た。さら
に、この上にバッファ層としてＢａＴｉＯ₃ 膜をスパッ
タリングにより４００nm形成し、７００℃の空気中でア
ニールし、複合基板とした。

【００９３】この複合基板上に、ＥＬ素子として安定に
発光させるため、緑原色、青原色の２種類の蛍光体薄膜
を、Ａｌ₂Ｏ₃ 膜、５０nm／ＺｎＳ膜、２００nm／蛍光
体薄膜（発光層）、３００nm／ＺｎＳ膜、２００nm／Ａ
ｌ₂Ｏ₃ 膜、５０nmの構造体として作製した。

【００９４】各色の蛍光体薄膜を所定部に形成するた
め、フォトレジストのパターニング、エッジングを利用
し、青原色、緑原色、蛍光体の順にパターニング形成し
部分的にライン状に形成した。

【００９５】赤用、緑用、青用の３種類の蛍光体薄膜に
は、赤色は緑色のＳｒＧｓ₂Ｓ₄ 系に色変換薄膜層を用
い、緑色はＳｒＧｓ₂Ｓ₄ 系、青色はＢａＡｌ₂Ｓ₄ 系の
蛍光体薄膜を用い、緑、青色用の発光中心には、いずれ
もＥｕを用いた。

【００９６】青色蛍光体薄膜の作製にあたっては、以下
のような操作により薄膜を形成した。成膜には図１に示
すような装置を用いた。ここでは、Ｅガン１台と、抵抗
加熱蒸発源（セル源）１台を用いた。

【００９７】Ｅｕを５ mol％添加したＢａＳ粉を入れた
ＥＢ源１５、Ａｌ₂Ｓ₃ 粉を入れた抵抗加熱蒸発源１４
をＨ₂Ｓガスを導入した真空槽１１内に設け、それぞれ
の源より同時に蒸発させ、４００℃に加熱し、回転させ
た基板上に薄膜を成膜した。各々の蒸発源の蒸発速度
は、基板上に成膜される膜の成膜速度で１ nm／sec に
なるように調節した。このときＨ₂Ｓガスを２０SCCM導
入し、薄膜を得た。得られた薄膜は、Ａｌ₂Ｏ₃ 膜、５
０nm／ＺｎＳ膜、２００nm／蛍光体薄膜、３００nm／Ｚ
ｎＳ膜、２００nm／Ａｌ₂Ｏ₃ 膜、５０nmの構造にして
から、７５０℃の空気中で１０分間アニールした。その
後、ライン状にパターニングした。

【００９８】また、上記同様にＳｉ基板上に蛍光体薄膜
を形成した。得られた蛍光体薄膜について、Ｂａ_xＡｌ_y
Ｏ_zＳ_w ：Ｅｕ薄膜を蛍光Ｘ線分析により組成分析した
結果、原子比でＢａ：Ａｌ：Ｏ：Ｓ：Ｅｕ＝８．９１：
１８．９３：９．３３：２８．０５：０．３５であっ
た。

【００９９】緑用蛍光体薄膜の作製にあたっては、以下
のような操作により薄膜を形成した。成膜には図１に示
すような装置を用いた。ここでは、Ｅガン１台と、抵抗
加熱蒸発源（セル源）１台を用いた。

【０１００】Ｅｕを５ mol％添加したＳｒＳ粉を入れた
ＥＢ源１５、Ｇａ₂Ｓ₃ 粉を入れた抵抗加熱蒸発源１４
をＨ₂Ｓガスを導入した真空槽１１内に設け、それぞれ
の源より同時に蒸発させ、４００℃に加熱し、回転させ
た基板上に薄膜を成膜した。各々の蒸発源の蒸発速度
は、基板上に成膜される膜の成膜速度で１ nm／sec に
なるように調節した。このときＨ₂Ｓガスを２０SCCM導
入し、薄膜を得た。得られた薄膜は、Ａｌ₂Ｏ₃ 膜、５
０nm／ＺｎＳ膜、２００nm／蛍光体薄膜、３００nm／Ｚ
ｎＳ膜、２００nm／Ａｌ₂Ｏ₃ 膜、５０nmの構造にして
から、７５０℃の空気中で１０分間アニールした。その
後、ライン状にパターニングした。

【０１０１】また、上記同様にＳｉ基板上に蛍光体薄膜
を形成した。得られた蛍光体薄膜について、Ｓｒ_xＧａ_y
Ｏ_zＳ_w ：Ｅｕ薄膜を蛍光Ｘ線分析により組成分析した
結果、原子比でＳｒ：Ｇａ：Ｏ：Ｓ：Ｅｕ＝６．０２：
１９．００：１１．６３：４８．９９：０．３４であっ
た。

【０１０２】得られた薄膜は、Ａｌ₂Ｏ₃ 膜、５０nm／
ＺｎＳ膜、２００nm／蛍光体薄膜、３００nm／ＺｎＳ
膜、２００nm／Ａｌ₂Ｏ₃ 膜、５０nmの構造にしてか
ら、７５０℃の空気中で１０分間アニールした。その
後、ライン状にパターニングした。

【０１０３】さらに、得られた構造体上にＩＴＯ酸化物
ターゲットを用いＲＦマグネトロンスパッタリング法に
より、基板温度２５０℃で、膜厚２００nmのＩＴＯ透明
電極を形成した後、マトリックス構造にＩＴＯ電極をパ
ターニングし、さらに、図３のように赤色への色変換層
をパターニング形成して、ＥＬ素子を完成した。

【０１０４】ここで、色変換層は、蛍光顔料シンロイ
ヒ（株）のシンロイヒカラーＦＡ４５Ｊと蛍光染料コ
ダック社のローダミンＢを用いた。レジストとして、富
士ハントエレクトロニクステクノロジー（株）のネガ型
のアクリル系フォトレジストＣＴを用いた。上記蛍光染
料と共に有機溶媒（エタノール）に溶解した後、上記顔
料を加え、撹拌、分散した。

【０１０５】これをパターニング形成して、色変換薄膜
層とした。厚さは３μmであった。

【０１０６】得られたＥＬ素子の各マトリックスの２つ
の電極間に２４０Hz、パルス幅５０μＳの電界を７種の
電圧で印加することにより各色を８ビット階調を付け
た。ＥＬパネルは平均で２０cd／m² で５１２色を応答
性良く発光することができた。

【０１０７】〔実施例２〕実施例１において用いた色変
換膜代えて、シンロイヒカラーＦＡ４５Ｊの代わりに、
シンロイヒカラーＦＺ５００５を用いたほかは、実施例
１と同様にして色変換薄膜層を形成したところ、ほぼ同
様な結果が得られた。

【０１０８】〔実施例３〕実施例１において用いた色変
換膜代えて、ローダミンＢの代わりにローダミン６Ｇを
用いたほかは、実施例１と同様にして色変換薄膜層を形
成したところ、ほぼ同様な結果が得られた。

【０１０９】以上のように本発明のＥＬパネルは、フィ
ルタ基板を用いなくとも、色純度の良好でかつ高輝度に
発光する緑原色、青原色が得られ、しかも簡単な構成で
赤色発光も得られる。また、カラーＥＬパネルの各色の
輝度のバラツキが少なく、歩留まりを上げ、パネル製造
コストを低減することを可能とすることができ、実用的
価値が大きい。

【０１１０】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、ＲＧＢに
パターニングされたフィルタ基板を必要としない、色純
度の良好な、特にフルカラーＥＬ用に適した蛍光体薄膜
を有するＥＬパネルを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のＥＬパネルの基本構成例を示す概略断
面図である。

【図２】本発明の方法が適用可能な装置、または本発明
の製造装置の構成例を示す概略断面図である。

【図３】従来の無機ＥＬ素子の構成例を示す一部断面図
である。

【符号の説明】

１基板２第１の絶縁層（厚膜誘電体層）３蛍光体薄膜（発光層）４第２の絶縁層（薄膜誘電体層）５下部電極６上部電極（透明電極）１１真空槽１２基板１３加熱手段１４抵抗加熱セル１５ＥＢ蒸発源

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者長野克人東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内 (72)発明者中野睦子東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内Ｆターム(参考） 3K007 AB04 AB18 BB06 DA04 DB01 DC02 DC04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】緑原色と、青原色を発光する２種類のＥ
Ｌ蛍光体薄膜により３原色表示を行うカラーＥＬパネル
であって、前記２種類のＥＬ蛍光体薄膜が酸素を含有していてもよ
いアルカリ土類硫化物またはアルカリ土類酸化物であ
り、前記緑原色または青原色のＥＬ蛍光体薄膜と色変換層を
組み合わせて赤色発光部が形成されているＥＬパネル。
【請求項２】色純度座標ＣＩＥ（ｘ、ｙ）において、ｘ＜０．３、ｙ＞０．６である緑原色と、ｘ＜０．２、
ｙ＜０．２である青原色を発光する請求項１のＥＬパネ
ル。
【請求項３】前記２種類のＥＬ蛍光体薄膜は、下記組
成式で表される請求項１〜３のいずれかのＥＬパネル。Ａ_xＢ_yＯ_zＳ_w ：Ｒ［但し、ＡはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａおよび希土類元素
から選ばれた少なくとも一つの元素、Ｂは、Ａｌ、Ｇａ
およびＩｎから選ばれた少なくとも一つの元素を表し、
ｘ＝０〜５、ｙ＝０〜１５、ｚ＝０〜３０、ｗ＝０〜３
０である。Ｒは発光中心となる希土類元素を表す。］
【請求項４】前記緑原色を発光するＥＬ蛍光体薄膜の
母体材料がストロンチウムチオガレードであり、青原色を発光するＥＬ蛍光体薄膜の母体材料がバリウム
チオアルミネートであり、共に発光中心となる希土類元素がＥｕである請求項１ま
たは２のＥＬパネル。
【請求項５】前記緑原色ＥＬ蛍光体薄膜のＥＬ発光時
の光取り出し面に色変換膜を有する請求項１〜４のいず
れかのＥＬパネル。
【請求項６】前記緑色または青色を発光するＥＬ蛍光
体薄膜が酸素を含有したオキシ硫化物であって、前記オキシ硫化物中の酸素元素とイオウ元素とのモル比
率を、Ｏ／（Ｓ＋Ｏ）と表したときに、Ｏ／（Ｓ＋Ｏ）＝０．０１〜０．８５である請求項１〜５のいずれかのＥＬパネル。