JP2003217445A - Deposition method, x-ray image tube manufacturing method, deposition device and x-ray image tube manufacturing device - Google Patents

Deposition method, x-ray image tube manufacturing method, deposition device and x-ray image tube manufacturing device

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JP2003217445A
JP2003217445A JP2002017455A JP2002017455A JP2003217445A JP 2003217445 A JP2003217445 A JP 2003217445A JP 2002017455 A JP2002017455 A JP 2002017455A JP 2002017455 A JP2002017455 A JP 2002017455A JP 2003217445 A JP2003217445 A JP 2003217445A
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Japan
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cesium iodide
evaporation
evaporation amount
weight
ray image
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Application number
JP2002017455A
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Japanese (ja)
Inventor
Yuji Mukasa
裕司 武笠
Koji Masuda
幸二 増田
Atsuya Yoshida
篤也 吉田
Yoshinobu Sekijima
義信 関島
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Toshiba Corp
Toshiba Development and Engineering Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Engineering Co Ltd
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a X-ray image tube manufacturing device enabling the proper vapor deposition of a material to be deposited. <P>SOLUTION: A vacuum sealed chamber 11 is put in a vacuum pressure condition and a crucible heater 3 is electrified by a power supply device 11. Cesium iodide is evaporated, diffused into the vacuum sealed chamber 1 and deposited on an input substrate 9. The total weight of a heating crucible 4 is measured by a gravimeter 6 and a weight signal is input to a control device 14 for every ten seconds. When an actual evaporation amount is larger than the preset evaporation amount of the cesium iodide per unit time, a heating value for the crucible heater 3 is reduced to reduce the evaporation amount of the cesium iodide. When the actual evaporation amount is smaller, the heating value for the crucible heater 3 is increased to increase the evaporation amount of the cesium iodide. Thus, a constant evaporation amount of cesium iodide per unit time is achieved. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、蒸着量を制御可能
な蒸着方法、X線イメージ管製造方法、蒸着装置および
X線イメージ管製造装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vapor deposition method, an X-ray image tube manufacturing method, a vapor deposition apparatus and an X-ray image tube manufacturing apparatus capable of controlling a vapor deposition amount.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、X線イメージ管は、真空容器の
一端にX線を光電子に変換するたとえばよう化セシウム
の光電面を有する入力面が設けられ、他端側に光電子を
可視像に変換する出力面が設けられ、これら入力面およ
び出力面間に出力面の明るさを高くするための複数の集
束電極で構成された電子レンズが設けられ、入力面に入
力されたX線が出力面に可視像として映し出されるもの
である。
2. Description of the Related Art Generally, an X-ray image tube is provided with an input surface having a photoelectric surface of, for example, cesium iodide for converting X-rays into photoelectrons at one end of a vacuum vessel, and the photoelectrons into a visible image at the other end. An output surface for conversion is provided, and an electron lens composed of a plurality of focusing electrodes for increasing the brightness of the output surface is provided between the input surface and the output surface, and X-rays input to the input surface are output. It is projected as a visible image on the surface.

【0003】そして、よう化セシウムの膜厚および蒸着
結晶状態を適切にしなければ画像の品位を向上すること
ができないため、これらよう化セシウムの膜厚および蒸
着結晶状態を適切にするためによう化セシウムの蒸着速
度および蒸着量を制御することが必要である。例えば、
蒸着工程中に入力基板の重量を重量測定機で測定し、こ
の重量測定機で測定された重量に従い、加熱ヒータを制
御して蒸発量を制御することが考えられる。
The quality of an image cannot be improved unless the film thickness of cesium iodide and the state of vapor-deposited crystals are improved. It is necessary to control the deposition rate and the deposition amount of cesium. For example,
It is conceivable that the weight of the input substrate is measured by a weighing machine during the vapor deposition process, and the heater is controlled to control the evaporation amount according to the weight measured by the weighing machine.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな手法によると、蒸発したよう化セシウムの全てが入
力基板に蒸着されるのではなく、また、蒸発したよう化
セシウムが瞬時に入力基板に蒸着されるものではないた
め、入力基板の重量を計測して加熱ヒータを制御して
も、その時点のよう化セシウムの蒸発量に対応している
ものではないため、必ずしも適切に入力基板に蒸着され
るよう化セシウムの蒸発量を制御できるものではない。
たとえばよう化セシウムの蒸発量が多い場合には、入力
基板の中心に多くのよう化セシウムが蒸着し、周囲には
よう化セシウムが蒸着しにくく、仮に単位時間あたりの
入力基板の全体に蒸着されるよう化セシウムの量が等し
くても、均一によう化セシウムが蒸着されているもので
はない。
However, according to such a method, not all of the evaporated cesium iodide is deposited on the input substrate, but the evaporated cesium iodide is instantly deposited on the input substrate. Therefore, even if the heater is controlled by measuring the weight of the input board, it does not always correspond to the evaporation amount of cesium iodide at that time. It is not possible to control the evaporation amount of cesium iodide.
For example, when the evaporation amount of cesium iodide is large, a large amount of cesium iodide is deposited in the center of the input substrate, and it is difficult for cesium iodide to be deposited in the surroundings. Even if the amount of cesium iodide is equal, cesium iodide is not uniformly vapor-deposited.

【0005】また、蒸着が進行して坩堝内に残っている
よう化セシウムの量が少なくなると、よう化セシウムの
残量に対して加熱ヒータの熱容量が大きくなり、よう化
セシウムが勢い良く蒸発して単位時間あたりの蒸発量が
大きく変化してしまうとともに、よう化セシウムの結晶
柱が太くなり、互いの光学的性能を保てなくなる。
When the amount of cesium iodide remaining in the crucible decreases as the vapor deposition progresses, the heat capacity of the heater increases with respect to the amount of cesium iodide remaining, and the cesium iodide evaporates vigorously. As a result, the amount of evaporation per unit time greatly changes, and the crystal columns of cesium iodide become thick, which makes it impossible to maintain the optical performance of each other.

【0006】したがって、入力基板に蒸着されるよう化
セシウムの膜の再現性が保てなくなり、よう化セシウム
の膜の均質性が保てなくなりよう化セシウム膜を適切に
蒸着できない問題を有している。
Therefore, the reproducibility of the cesium iodide film deposited on the input substrate cannot be maintained, and the uniformity of the cesium iodide film cannot be maintained. Therefore, the cesium iodide film cannot be properly deposited. There is.

【0007】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、蒸着物質を適切に蒸着できる蒸着方法、X線イメー
ジ管製造方法、蒸着装置およびX線イメージ管製造装置
を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an evaporation method, an X-ray image tube manufacturing method, an evaporation apparatus and an X-ray image tube manufacturing apparatus which can appropriately evaporate an evaporation material. To do.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、被蒸着物に蒸
着する蒸着物質を蒸発させ、この蒸発する蒸着物質の重
量を測定し、この測定された蒸着物質の重量に基き予め
設定されている蒸着物質の蒸発量に従い蒸着物質の蒸発
量を制御するもので、蒸発させる蒸着物質の重量を測定
することにより、残存する蒸発物質の量に対応した蒸発
ができるとともに、単位時間あたりの蒸発量を適切に制
御できることにより、蒸着する蒸着物質を適切に被蒸着
物に蒸着できる。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention evaporates a vapor deposition material to be vapor-deposited on an object to be vapor-deposited, measures the weight of the vaporized vapor deposition material, and sets a preset value based on the measured weight of the vapor deposition material. The evaporation amount of the evaporation material is controlled according to the evaporation amount of the evaporation material that exists.By measuring the weight of the evaporation material to be evaporated, it is possible to evaporate according to the amount of the evaporation material that remains, and the evaporation amount per unit time. By appropriately controlling the above, the deposition material to be deposited can be appropriately deposited on the object to be deposited.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態の蒸
着装置であるX線イメージ管製造装置を図面を参照して
説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An X-ray image tube manufacturing apparatus which is a vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0010】図1に示すように、内部が中空の真空気密
チャンバ1を有し、この真空気密チャンバ1には外部に
この真空気密チャンバ1の内部の空気を排気して真空圧
力状態にする真空ポンプ2が設けられている。
As shown in FIG. 1, a vacuum airtight chamber 1 having a hollow interior is provided, and the vacuum airtight chamber 1 is evacuated to the outside so that the air inside the vacuum airtight chamber 1 is exhausted to a vacuum pressure state. A pump 2 is provided.

【0011】また、真空気密チャンバ1の下部には、蒸
発手段としての円筒状の坩堝加熱ヒータ3が設けられ、
坩堝加熱ヒータ3はこの坩堝加熱ヒータ3により加熱す
る加熱坩堝4を収容可能で、この加熱坩堝4内には、よ
う化セシウム(CsI)の粉末5が収容されている。さ
らに、真空気密チャンバ1の下部には測定手段としての
圧電素子などを用いた重量計6が配設され、この重量計
6はこの加熱坩堝4およびこの加熱坩堝4内に収容され
ているよう化セシウムの粉末5の重量を計測する。な
お、よう化セシウムの粉末5の重量を計測するため、分
解能が小さい方が良いが分解能を余り小さくすると装置
が極端に大型化するため、分解能としては0.1g程度
が好ましい。
Further, a cylindrical crucible heater 3 as an evaporation means is provided below the vacuum airtight chamber 1.
The crucible heating heater 3 can accommodate a heating crucible 4 which is heated by the crucible heating heater 3, and the cesium iodide (CsI) powder 5 is accommodated in the heating crucible 4. Further, a weight scale 6 using a piezoelectric element or the like as a measuring means is disposed below the vacuum airtight chamber 1, and the weight scale 6 is housed in the heating crucible 4 and the heating crucible 4. The weight of the cesium powder 5 is measured. Since the weight of the cesium iodide powder 5 is measured, it is preferable that the resolution is small, but if the resolution is too small, the apparatus becomes extremely large. Therefore, the resolution is preferably about 0.1 g.

【0012】さらに、真空気密チャンバ1の上部には、
回転機構7が配設され、この回転機構7には保持体8が
吊り下げられ、この保持体8は回転機構7により一定角
速度で回転される。そして、この保持体8には被蒸着物
であるX線イメージ管の入力基板9が載置され、入力基
板9のよう化セシウムが蒸着される面が下方を向いて加
熱坩堝4に対向する。
Further, in the upper part of the vacuum airtight chamber 1,
A rotating mechanism 7 is provided, and a holder 8 is suspended from the rotating mechanism 7, and the holder 8 is rotated by the rotating mechanism 7 at a constant angular velocity. Then, an input substrate 9 of an X-ray image tube, which is an object to be vapor-deposited, is placed on the holder 8, and a surface of the input substrate 9 on which cesium iodide is vapor-deposited faces downward and faces the heating crucible 4.

【0013】また、電源装置11を有しており、この電源
装置11は電力計12を介して坩堝加熱ヒータ3に接続さ
れ、この電源装置11からの電力により坩堝加熱ヒータ3
を通電加熱する。
Further, it has a power supply device 11, and this power supply device 11 is connected to a crucible heating heater 3 via a power meter 12, and the crucible heating heater 3 is supplied with electric power from the power supply device 11.
To heat.

【0014】さらに、制御手段としての制御装置14が設
けられ、この制御装置14には電力計12の電力信号および
重量計6からの重量信号が入力されるとともに、制御装
置14からは回転機構7および電源装置11の制御信号が出
力される。
Further, a control device 14 as a control means is provided, and the power signal of the power meter 12 and the weight signal from the weight meter 6 are inputted to the control device 14, and the rotation mechanism 7 is supplied from the control device 14. And the control signal of the power supply device 11 is output.

【0015】次に、上記実施の形態の動作について説明
する。
Next, the operation of the above embodiment will be described.

【0016】まず、制御装置14によう化セシウムの蒸発
量を時間に従って予め設定させておく。
First, the controller 14 presets the evaporation amount of cesium iodide according to time.

【0017】一方、真空ポンプ2により真空気密チャン
バ1内の空気を排気して真空圧力状態にする。
On the other hand, the vacuum pump 2 evacuates the air in the vacuum airtight chamber 1 to a vacuum pressure state.

【0018】そして、このように真空気密チャンバ1内
を真空圧力状態として電源装置11から坩堝加熱ヒータ3
に通電すると、坩堝加熱ヒータ3の温度が上昇し、加熱
坩堝4を加熱する。この加熱坩堝4の加熱により、加熱
坩堝4内に収容されているよう化セシウムの粉末5の温
度が上昇し、よう化セシウムが蒸発して真空気密チャン
バ1の内部に拡散する。
In this way, the inside of the vacuum airtight chamber 1 is set to a vacuum pressure state, and the power source device 11 moves the crucible heater 3
When the power is turned on, the temperature of the crucible heating heater 3 rises to heat the heating crucible 4. Due to the heating of the heating crucible 4, the temperature of the cesium iodide powder 5 contained in the heating crucible 4 rises, and the cesium iodide evaporates and diffuses inside the vacuum hermetic chamber 1.

【0019】このように、よう化セシウムが蒸発して真
空気密チャンバ1内に拡散すると、拡散したよう化セシ
ウムの一部が入力基板9に蒸着する。
As described above, when the cesium iodide is evaporated and diffused into the vacuum airtight chamber 1, a part of the diffused cesium iodide is deposited on the input substrate 9.

【0020】また、入力基板9へのよう化セシウムの蒸
着むらを少なくするため、回転機構7を動作させ保持体
8を回転させることにより入力基板9を一定角速度で回
転させる。
Further, in order to reduce the unevenness of vapor deposition of cesium iodide on the input substrate 9, the rotating mechanism 7 is operated and the holder 8 is rotated to rotate the input substrate 9 at a constant angular velocity.

【0021】一方、電力計12により電源装置11から坩堝
加熱ヒータ3に供給される電力を検出し、この電力計12
で検出された電力を電力信号として制御装置14に入力
し、制御装置14は電力計12の値を一定に保持するよう
に、電源装置11からの電力を制御する。
On the other hand, the power meter 12 detects the power supplied from the power supply device 11 to the crucible heater 3.
The electric power detected in step 2 is input to the control device 14 as a power signal, and the control device 14 controls the electric power from the power supply device 11 so as to keep the value of the power meter 12 constant.

【0022】この状態で、よう化セシウムの粉末5の蒸
発が進行すると、加熱坩堝4全体の重量が減少するの
で、重量計6では加熱坩堝4全体の重量を計測し、重量
信号を所定時間、たとえば10秒毎に制御装置14に入力
する。
In this state, when the evaporation of the cesium iodide powder 5 progresses, the weight of the entire heating crucible 4 decreases. Therefore, the weight scale 6 measures the weight of the entire heating crucible 4 and outputs the weight signal for a predetermined time. For example, it is input to the control device 14 every 10 seconds.

【0023】また、制御装置14で前回最後に読み込んだ
重量信号の値と現在の重量信号の値との差を算出し、最
近の10秒間に蒸発したよう化セシウムの重量を算出
し、10秒毎によう化セシウムの蒸発量の変化を求め
る。
Further, the controller 14 calculates the difference between the value of the last weight signal read last time and the value of the current weight signal, calculates the weight of cesium iodide evaporated in the last 10 seconds, and calculates the weight of 10 seconds. The change in the evaporation amount of cesium iodide is obtained for each.

【0024】そして、制御装置14では、予め設定されて
いる単位時間当たりのよう化セシウムの蒸発量よりも、
最後に測定した10秒間のよう化セシウムの蒸発量が多
い場合には、電力計12で測定される電力値が下がるよう
に電源装置11の出力を低下させて、坩堝加熱ヒータ3の
発熱量を低下させて、よう化セシウムの蒸発量を低下さ
せる。反対に、予め設定されている単位時間当たりのよ
う化セシウムの蒸発量よりも、最後に測定した10秒間
のよう化セシウムの蒸発量が少ない場合には、電力計12
で測定される電力値が上がるように電源装置11の出力を
増加させて、坩堝加熱ヒータ3の発熱量を増加させて、
よう化セシウムの蒸発量を増加させる。このような制御
をすることにより、図2に示すように、単位時間当たり
のよう化セシウムの蒸発量を、予め設定しておいた値に
することが可能になる。なお、重量計6によるよう化セ
シウムの減少量をフィードバックしない場合には、図3
に示すように、よう化セシウムが蒸発して残りのよう化
セシウムの量が減少すると、よう化セシウムに対して坩
堝加熱ヒータ3の熱容量が大きくなるため、時間の経過
とともに単位時間あたりのよう化セシウムの蒸発量が増
加してしまう。
In the control device 14, the amount of cesium iodide vaporized per unit time, which is set in advance,
When the evaporation amount of cesium iodide measured for the last 10 seconds is large, the output of the power supply device 11 is lowered so that the electric power value measured by the electric power meter 12 decreases, and the calorific value of the crucible heating heater 3 is reduced. To reduce the evaporation amount of cesium iodide. On the contrary, if the amount of cesium iodide vaporized for the last 10 seconds is less than the preset amount of cesium iodide vaporized per unit time, the power meter 12
The output of the power supply device 11 is increased so that the electric power value measured by
Increases evaporation of cesium iodide. By performing such control, as shown in FIG. 2, the evaporation amount of cesium iodide per unit time can be set to a preset value. In addition, when the reduction amount of cesium iodide by the weight scale 6 is not fed back, FIG.
As shown in, when the cesium iodide evaporates and the amount of the remaining cesium iodide decreases, the heat capacity of the crucible heating heater 3 increases with respect to the cesium iodide. The evaporation amount of cesium increases.

【0025】そして、図2に示すようによう化セシウム
の単位時間あたりの蒸発量を一定にすれば、図3に示す
よう化セシウムの単位時間あたりの蒸発量に変化がある
ものに比べ、よう化セシウムの結晶柱の光学的独立性を
改善して、結晶柱形成毎のばらつきを小さくできるとと
もに、入力基板9に蒸着されたよう化セシウムの膜厚も
蒸着された時間毎のばらつきを小さくできる。
When the evaporation amount of cesium iodide per unit time is made constant as shown in FIG. 2, the evaporation amount of cesium iodide changes as shown in FIG. The optical independence of the crystal columns of cesium chloride can be improved to reduce the variation between the formation of crystal columns, and the thickness of the cesium iodide deposited on the input substrate 9 can also be reduced during the deposition time. .

【0026】なお、蒸着する量はX線を確実に吸収する
ために、400μm程度の膜圧が必要であるが、入力基
板9の直径が100mmないし500mm程度とそれぞ
れ異なるので、直径によって重量は異なるが直径240
mmの入力基板9の場合には、約240gである。
The amount of vapor deposition requires a film pressure of about 400 μm in order to reliably absorb X-rays, but since the diameter of the input substrate 9 is different from about 100 mm to 500 mm, the weight varies depending on the diameter. Has a diameter of 240
In the case of the mm input board 9, it is about 240 g.

【0027】しかしながら、単位時間当たりのよう化セ
シウムの蒸着量を一定にしても、程度こそ小さくなるが
よう化セシウムの柱状結晶の先端が太くなる傾向は変わ
らないため、改善するには蒸着の進行に応じてよう化セ
シウムの単位時間あたりの蒸発量を減らしていけばよ
い。
However, even if the amount of cesium iodide deposited per unit time is kept constant, the tendency that the tips of the cesium iodide columnar crystals become thicker does not change, but the progress of vapor deposition is improved. The amount of cesium iodide evaporated per unit time should be reduced accordingly.

【0028】具体的には、よう化セシウムの粉末5の蒸
発が進行することにより、加熱坩堝4の全体の重量が減
少するので、蒸着を開始した時の加熱坩堝4の重量と、
現在の加熱坩堝4の重量の差を算出することにより、蒸
着開始から蒸発したよう化セシウムの粉末5の総重量が
算出できる。
Specifically, as the evaporation of the cesium iodide powder 5 progresses, the total weight of the heating crucible 4 decreases, so that the weight of the heating crucible 4 at the start of vapor deposition and
By calculating the current difference in weight of the heating crucible 4, the total weight of the cesium iodide powder 5 evaporated from the start of vapor deposition can be calculated.

【0029】そこで、図4に示すように、よう化セシウ
ムの粉末5の総蒸発量に対し、単位時間当たりのよう化
セシウムの蒸発量の変化を反比例するように、制御装置
14の設定値を予め設定しておくことにより、よう化セシ
ウムの柱状結晶の先端が太くなることを抑制できる。
Therefore, as shown in FIG. 4, the controller controls so that the change in the evaporation amount of cesium iodide per unit time is inversely proportional to the total evaporation amount of the cesium iodide powder 5.
By setting the set value of 14 in advance, it is possible to prevent the tip of the cesium iodide columnar crystal from becoming thick.

【0030】上述のように、図2または図4に示すよう
に単位時間あたりのよう化セシウムの蒸発量を任意に制
御することにより、X線イメージ管の入力面のよう化セ
シウムの蒸着膜の品質を向上させ、画像品位の高いX線
イメージ管を製造できる。
As described above, by arbitrarily controlling the evaporation amount of cesium iodide per unit time as shown in FIG. 2 or FIG. 4, the vapor deposition film of cesium iodide on the input surface of the X-ray image tube can be formed. An X-ray image tube with improved quality and high image quality can be manufactured.

【0031】また、薄膜の場合には重量計6の分解能そ
の他の上であまり効果的でない場合もあるが、膜厚が1
μm以上の厚膜の場合には効果的である。
In the case of a thin film, it may not be so effective in terms of the resolution of the weighing scale 6 and the like, but the film thickness is 1
It is effective in the case of a thick film of μm or more.

【0032】[0032]

【発明の効果】本発明によれば、蒸発させる蒸着物質の
重量を測定することにより、残存する蒸発物質の量に対
応した蒸発ができるとともに、単位時間あたりの蒸発量
を適切に制御できることにより、蒸着する蒸着物質を適
切に被蒸着物に蒸着できる。
According to the present invention, by measuring the weight of the vapor deposition substance to be vaporized, it is possible to perform vaporization corresponding to the amount of the vaporized substance remaining, and it is possible to appropriately control the vaporization amount per unit time. The deposition material to be deposited can be appropriately deposited on the deposition target.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施の形態のX線イメージ管製造装
置を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an X-ray image tube manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】同上よう化セシウムの単位時間あたりの蒸発量
を一定にした場合を示すグラフである。
FIG. 2 is a graph showing a case where the evaporation amount of cesium iodide per unit time is made constant.

【図3】同上比較例のよう化セシウムの単位時間あたり
の蒸発量が増加する場合を示すグラフである。
FIG. 3 is a graph showing a case where the evaporation amount of cesium iodide per unit time increases in the comparative example.

【図4】同上よう化セシウムの単位時間あたりの蒸発量
を徐々に少なくする場合を示すグラフである。
FIG. 4 is a graph showing a case where the evaporation amount of cesium iodide per unit time is gradually reduced.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

3 蒸発手段としての坩堝加熱ヒータ 6 測定手段としての重量計 9 被蒸着物としての入力基板 14 制御手段としての制御装置 3 Crucible heater as evaporation means 6 Weighing scale as measuring means 9 Input substrate as an object to be evaporated 14 Control device as control means

フロントページの続き (72)発明者 増田 幸二 神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番地 東 芝電子エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 吉田 篤也 栃木県大田原市下石上字東山1385番の1 株式会社東芝那須電子管工場内 (72)発明者 関島 義信 神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番地 東 芝電子エンジニアリング株式会社内 Fターム(参考) 4K029 BA41 BC07 CA01 DB05 DB18 EA02 5C027 EE01 EE04 Continued front page    (72) Inventor Koji Masuda             8 East Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa             Shiba Electronics Engineering Co., Ltd. (72) Inventor Atsuya Yoshida             1385 Higashiyama, Shimoishi, Otawara, Tochigi Prefecture             Toshiba Nasu Electronic Tube Factory (72) Inventor Yoshinobu Sekijima             8 East Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa             Shiba Electronics Engineering Co., Ltd. F-term (reference) 4K029 BA41 BC07 CA01 DB05 DB18                       EA02                 5C027 EE01 EE04

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被蒸着物に蒸着する蒸着物質を蒸発さ
せ、 この蒸発する蒸着物質の重量を測定し、 この測定された蒸着物質の重量に基き予め設定されてい
る蒸着物質の蒸発量に従い蒸着物質の蒸発量を制御する
ことを特徴とする蒸着方法。
1. An evaporation material to be evaporated on an object to be evaporated is evaporated, the weight of the evaporated evaporation material is measured, and evaporation is performed according to a preset evaporation amount of the evaporation material based on the measured weight of the evaporation material. A vapor deposition method characterized by controlling the evaporation amount of a substance.
【請求項2】 X線イメージ管の入力面の基板に蒸着さ
せるよう化セシウムを蒸発させ、 このよう化セシウムの重量を測定し、 この測定されたよう化セシウムの重量に基き予め設定さ
れているよう化セシウムの蒸発量に従い蒸着物質の蒸発
量を制御することを特徴とするX線イメージ管製造方
法。
2. Evaporating the cesium iodide to be deposited on the substrate of the input surface of the X-ray image tube, measuring the weight of the cesium iodide, and presetting based on the measured weight of the cesium iodide. An X-ray image tube manufacturing method, characterized in that the evaporation amount of a vapor deposition material is controlled according to the evaporation amount of cesium iodide.
【請求項3】 被蒸着物に蒸着する蒸着物質を蒸発させ
る蒸発手段と、 この蒸発する蒸着物質の重量を測定する測定手段と、 この測定手段で測定された蒸着物質の重量に基き予め設
定されている蒸着物質の蒸発量に従い前記蒸発手段を制
御して蒸着物質の蒸発量を制御する制御手段とを具備し
たことを特徴とする蒸着装置。
3. An evaporation means for evaporating an evaporation material to be deposited on an object to be evaporated, a measuring means for measuring the weight of the evaporation material, and a preset value based on the weight of the evaporation material measured by the measuring means. And a control unit for controlling the evaporation amount of the evaporation material by controlling the evaporation unit according to the evaporation amount of the evaporation material.
【請求項4】 X線イメージ管の入力面の基板に蒸着さ
せるよう化セシウムを蒸発させる蒸発手段と、 この蒸発するよう化セシウムの重量を測定する測定手段
と、 この測定されたよう化セシウムの重量に基き予め設定さ
れているよう化セシウムの蒸発量に従い蒸発手段を制御
して蒸着物質の蒸発量を制御する制御手段とを具備した
ことを特徴とするX線イメージ管製造装置。
4. An evaporation means for evaporating cesium iodide to be deposited on the substrate on the input surface of the X-ray image tube, a measuring means for measuring the weight of the evaporated cesium iodide, and a measuring means for measuring the measured cesium iodide. An apparatus for producing an X-ray image tube, comprising: a control means for controlling the evaporation amount of a vapor deposition material by controlling the evaporation means according to a preset evaporation amount of cesium iodide based on the weight.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006152199A (en) * 2004-12-01 2006-06-15 Konica Minolta Medical & Graphic Inc Radiation image conversion panel, its production method and production apparatus
JP2020204070A (en) * 2019-06-17 2020-12-24 株式会社アルバック Vacuum evaporation system
CN113646463A (en) * 2019-03-25 2021-11-12 Lg电子株式会社 Deposition apparatus

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006152199A (en) * 2004-12-01 2006-06-15 Konica Minolta Medical & Graphic Inc Radiation image conversion panel, its production method and production apparatus
CN113646463A (en) * 2019-03-25 2021-11-12 Lg电子株式会社 Deposition apparatus
CN113646463B (en) * 2019-03-25 2024-01-26 Lg电子株式会社 Deposition apparatus
JP2020204070A (en) * 2019-06-17 2020-12-24 株式会社アルバック Vacuum evaporation system
JP7240963B2 (en) 2019-06-17 2023-03-16 株式会社アルバック Vacuum deposition equipment

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