JP2003213410A - スパッタリング方法およびその装置 - Google Patents

スパッタリング方法およびその装置

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Masatoshi Kitagawa
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007141816A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 Samsung Sdi Co Ltd レーザ熱転写法及びレーザ熱転写法を利用した有機発光素子の製造方法
JP2009280863A (ja) * 2008-05-22 2009-12-03 Canon Anelva Corp マグネトロンスパッタリング装置及び薄膜の製造法
JP2019081948A (ja) * 2017-09-15 2019-05-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 静的磁石アセンブリを有する物理的気相堆積チャンバ、及びスパッタリングする方法
US10388520B2 (en) 2013-12-27 2019-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of oxide semiconductor

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007141816A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 Samsung Sdi Co Ltd レーザ熱転写法及びレーザ熱転写法を利用した有機発光素子の製造方法
US7666570B2 (en) 2005-11-16 2010-02-23 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Laser induced thermal imaging method and fabricating method of organic light-emitting diode using the same
JP2009280863A (ja) * 2008-05-22 2009-12-03 Canon Anelva Corp マグネトロンスパッタリング装置及び薄膜の製造法
US10388520B2 (en) 2013-12-27 2019-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of oxide semiconductor
JP2019081948A (ja) * 2017-09-15 2019-05-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 静的磁石アセンブリを有する物理的気相堆積チャンバ、及びスパッタリングする方法
JP7449040B2 (ja) 2017-09-15 2024-03-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 静的磁石アセンブリを有する物理的気相堆積チャンバ、及びスパッタリングする方法

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