JP2003209339A - Method of manufacturing conductive-pattern forming body - Google Patents

Method of manufacturing conductive-pattern forming body

Info

Publication number
JP2003209339A
JP2003209339A JP2002249604A JP2002249604A JP2003209339A JP 2003209339 A JP2003209339 A JP 2003209339A JP 2002249604 A JP2002249604 A JP 2002249604A JP 2002249604 A JP2002249604 A JP 2002249604A JP 2003209339 A JP2003209339 A JP 2003209339A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photocatalyst
layer
conductive pattern
pattern forming
wettability
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002249604A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4672233B2 (en
Inventor
Hironori Kobayashi
弘典 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP2002249604A priority Critical patent/JP4672233B2/en
Publication of JP2003209339A publication Critical patent/JP2003209339A/en
Priority to US10/649,212 priority patent/US7749684B2/en
Priority to US12/789,920 priority patent/US20100230137A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4672233B2 publication Critical patent/JP4672233B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a conductive pattern which forms a highly fine pattern in a simple process and has no waste liquid disposal problems. <P>SOLUTION: The method of forming the conductive pattern comprises the steps of: preparing a substrate for a pattern forming body which has a layer containing a photocatalyst and a binder on a base material, wherein the wettability of an energy-radiated region of the layer containing the photocatalyst varies in a direction to decrease the liquid contact angle; forming a wetting pattern comprising a lyophobic and a lyophilic regions on the layer containing the photocatalyst by radiating energy to a pattern shape on the layer containing the photocatalyst; adhering a metallic colloidal solution only to the lyophilic region by coating the metallic colloidal solution on the layer surface with the wetting pattern formed thereon; and forming the conductive pattern by solidifying the metallic colloidal solution attached to the lyophilic region. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント基板等の
各種高精細な電気回路といった用途に用いることが可能
な導電性パターン形成体の製造方法に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a conductive pattern forming body which can be used for various high definition electric circuits such as printed circuit boards.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、高精細な導電性パターン形成体、
例えばプリント基板の製造に際しては、一般的には、基
板表面に銅を全面にめっきして形成した銅張積層板に、
ドライフィルム等のフォトレジストをラミネートした
後、フォトマスク等を用いてパターン露光を行い、現像
することにより形成される。
2. Description of the Related Art Conventionally, a highly precise conductive pattern forming body,
For example, when manufacturing a printed circuit board, in general, a copper clad laminate formed by plating the entire surface of the substrate with copper,
It is formed by laminating a photoresist such as a dry film, pattern exposure using a photomask or the like, and development.

【0003】しかしながら、このようなフォトリソグラ
フィー法を用いた方法では、基板上への金属のめっき、
フォトレジスト層の形成、露光、現像等の種々の工程を
経る必要があり、製造方法が煩雑であり、コスト面で問
題が生じる場合があった。また、現像時に多量に生じる
廃液は有害なものであり、外部に排出するためには処理
を行う必要がある等の環境面での問題もあった。
However, in the method using such a photolithography method, metal plating on the substrate,
It is necessary to go through various steps such as formation of a photoresist layer, exposure, and development, the manufacturing method is complicated, and there may be a problem in terms of cost. Further, a large amount of waste liquid generated at the time of development is harmful, and there is also an environmental problem such that treatment is required to discharge the waste liquid to the outside.

【0004】また、スクリーン印刷を用いる方法により
プリント基板を製造する方法もあるが、精度面での問題
があり、高精細な導電性パターンの製造に適用すること
はできなかった。
There is also a method of manufacturing a printed circuit board by a method using screen printing, but there is a problem in terms of accuracy and it cannot be applied to the manufacture of a highly precise conductive pattern.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
に鑑みてなされたもので、高精細なパターンを形成する
ことが可能であり、かつ簡便な工程で形成が可能であ
り、さらに廃液処理といった問題のない導電性パターン
の製造方法を提供することを主目的とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is possible to form a high-definition pattern and to form it in a simple process. The main object of the present invention is to provide a method for manufacturing a conductive pattern that does not have a problem such as processing.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は請求項1において、基材と、上記基材上に
形成され、光触媒およびバインダを有し、エネルギー照
射部分の濡れ性が液体の接触角の低下する方向に変化す
る光触媒含有層とからなるパターン形成体用基板を調製
するパターン形成体用基板調製工程と、上記光触媒含有
層上にパターン状にエネルギーを照射することにより、
上記光触媒含有層上に撥液性領域と親液性領域とからな
る濡れ性パターンを形成する濡れ性パターン形成工程
と、上記濡れ性パターンが形成された光触媒含有層表面
に、金属コロイド溶液を塗布することにより、親液性領
域にのみ金属コロイド溶液を付着させる金属コロイド溶
液塗布工程と、上記濡れ性パターンの親液性領域に付着
した金属コロイド溶液を固化させて導電性パターンとす
る導電性パターン形成工程とを有することを特徴とする
導電性パターン形成体の製造方法を提供する。
In order to achieve the above object, the present invention according to claim 1 provides a base material, a photocatalyst and a binder formed on the base material, the wettability of an energy irradiation portion. By a pattern forming body substrate preparation step of preparing a pattern forming body substrate consisting of a photocatalyst containing layer that changes in the direction of decreasing the contact angle of the liquid, by irradiating the photocatalyst containing layer with energy in a pattern ,
A wettability pattern forming step of forming a wettability pattern composed of a liquid repellent region and a lyophilic region on the photocatalyst containing layer, and a metal colloid solution is applied to the photocatalyst containing layer surface on which the wettability pattern is formed. By applying the metal colloid solution coating step of attaching the metal colloid solution only to the lyophilic area, and the conductive pattern to solidify the metal colloid solution attached to the lyophilic area of the wettability pattern to form a conductive pattern The present invention provides a method for manufacturing a conductive pattern forming body, which comprises a forming step.

【0007】本発明によれば、例えばディップコート法
等を用いて金属コロイド溶液を全面に付着させる処理を
行うことにより、容易に金属コロイド溶液を光触媒含有
層上にパターン状に形成することが可能であり、これを
固化させれば高精細な導電性パターンとすることができ
る。よって、簡便な工程で精度良く高精細な導電性パタ
ーンを形成することができるので、低コストで高精細な
導電性パターンを形成することができる。
According to the present invention, the metal colloid solution can be easily formed in a pattern on the photocatalyst-containing layer by performing a treatment for depositing the metal colloid solution on the entire surface by using, for example, a dip coating method. Therefore, by solidifying this, a highly precise conductive pattern can be obtained. Therefore, since a highly precise conductive pattern can be formed with high precision by a simple process, a highly precise conductive pattern can be formed at low cost.

【0008】上記請求項1に記載の発明においては、請
求項2に記載するように、上記光触媒含有層が、エネル
ギー照射による光触媒の作用により分解され、これによ
り光触媒含有層上の濡れ性を変化させることができる分
解物質を含んでいてもよい。本発明においては、光触媒
の作用による光触媒含有層の濡れ性の変化が、バインダ
の材質に起因するものであってもよいが、このように光
触媒の作用により分解される分解物質を、光触媒含有層
に含有させることによりその表面の濡れ性をパターン状
に変化させてもよい。
In the invention described in claim 1, as described in claim 2, the photocatalyst containing layer is decomposed by the action of the photocatalyst by energy irradiation, thereby changing the wettability on the photocatalyst containing layer. It may contain a decomposable substance that can be caused. In the present invention, the change in the wettability of the photocatalyst containing layer due to the action of the photocatalyst may be due to the material of the binder, but the decomposing substance decomposed by the action of the photocatalyst is used as the photocatalyst containing layer. The surface wettability may be changed in a pattern by containing the same in the above.

【0009】上記請求項1または請求項2に記載された
発明においては、請求項3に記載するように、上記光触
媒含有層がフッ素を含み、上記光触媒含有層に対しエネ
ルギーを照射した際に、上記光触媒の作用により上記光
触媒含有層表面のフッ素含有量がエネルギー照射前に比
較して低下するように上記光触媒含有層が形成されてい
ることが好ましい。光触媒含有層がフッ素を含み、かつ
エネルギーの照射により光触媒含有層表面のフッ素の量
が低下するものであれば、光触媒含有層表面の濡れ性を
エネルギーの照射により大きく変換することが可能とな
る。したがって、金属コロイド溶液を全面に塗布した場
合であっても、親液性領域のみに付着させるようにする
ことが可能となるからである。
In the invention described in claim 1 or claim 2, as described in claim 3, when the photocatalyst containing layer contains fluorine and the photocatalyst containing layer is irradiated with energy, It is preferable that the photocatalyst-containing layer is formed such that the fluorine content on the surface of the photocatalyst-containing layer is reduced by the action of the photocatalyst as compared with that before the energy irradiation. If the photocatalyst-containing layer contains fluorine and the amount of fluorine on the surface of the photocatalyst-containing layer is reduced by irradiation with energy, the wettability of the surface of the photocatalyst-containing layer can be largely converted by irradiation with energy. Therefore, even when the metal colloid solution is applied to the entire surface, it is possible to adhere the metal colloid solution only to the lyophilic region.

【0010】上記請求項3に記載された発明において
は、請求項4に記載するように、上記光触媒含有層上へ
のエネルギー照射を行い、フッ素含有量を低下させた部
位におけるフッ素含有量が、エネルギー照射されていな
い部分のフッ素含有量を100とした場合に10以下で
あることが好ましい。光触媒含有層内におけるフッ素の
量がこの程度低下するものであれば、撥液性領域と親液
性領域との間での濡れ性の差異を充分とすることができ
るので、このような濡れ性パターン全面に金属コロイド
溶液を塗布した場合であっても、親液性領域上にのみ金
属コロイド溶液を付着させることができるからである。
In the invention described in claim 3, as described in claim 4, the irradiation of energy on the photocatalyst containing layer is performed, and the fluorine content at the site where the fluorine content is reduced is It is preferably 10 or less when the fluorine content in the portion not irradiated with energy is 100. If the amount of fluorine in the photocatalyst containing layer is reduced to this extent, the difference in wettability between the lyophobic region and the lyophilic region can be made sufficient. This is because even if the metal colloid solution is applied to the entire surface of the pattern, the metal colloid solution can be attached only on the lyophilic region.

【0011】上記請求項1から請求項4までのいずれか
の請求項に記載された発明においては、請求項5に記載
するように、上記光触媒含有層上における金属コロイド
溶液に対する接触角が、エネルギーが照射されていない
部分において50°以上であり、照射された部分におい
て40°以下であることが好ましい。光触媒含有層上に
おけるエネルギーが照射されていない部分である撥液性
領域と、照射された部分である親液性領域との濡れ性
が、上述したような範囲内に無い場合は、金属コロイド
溶液を全面に塗布した場合に、親液性領域のみに金属コ
ロイド溶液を付着させることができない可能性があるか
らである。
In the invention described in any one of claims 1 to 4, as described in claim 5, the contact angle to the metal colloid solution on the photocatalyst containing layer is the energy Is preferably 50 ° or more in the non-irradiated portion and 40 ° or less in the irradiated portion. When the wettability between the lyophobic region, which is the portion not irradiated with energy on the photocatalyst-containing layer, and the lyophilic region, which is the irradiated portion, is not within the range as described above, a metal colloid solution This is because it may not be possible to adhere the metal colloid solution only to the lyophilic region when is applied to the entire surface.

【0012】上記請求項1から請求項5までのいずれか
の請求項に記載された発明においては、請求項6に記載
するように、上記バインダが、オルガノポリシロキサン
を含有する層であることが好ましい。本発明において、
光触媒含有層に要求される特性としては、エネルギーが
照射されていない場合は撥液性であり、エネルギーが照
射された場合は接触する光触媒含有層中の光触媒の作用
により親液性となるといった特性である。このような特
性を光触媒含有層に付与する材料として、オルガノポリ
シロキサンを用いることが好ましいからである。
In the invention described in any one of claims 1 to 5, the binder is a layer containing an organopolysiloxane as described in claim 6. preferable. In the present invention,
The properties required for the photocatalyst-containing layer are such that it is liquid repellent when not irradiated with energy and becomes lyophilic by the action of the photocatalyst in the photocatalyst containing layer that contacts when energy is irradiated. Is. This is because it is preferable to use organopolysiloxane as a material that imparts such characteristics to the photocatalyst-containing layer.

【0013】上記請求項6に記載された発明において
は、請求項7に記載するように、上記オルガノポリシロ
キサンが、フルオロアルキル基を含有するポリシロキサ
ンであることが好ましい。このようにフルオロアルキル
基を含有するものであれば、エネルギー照射部分と未照
射部分との濡れ性の差を大きくすることが可能となるか
らである。
In the invention described in claim 6, as described in claim 7, it is preferable that the organopolysiloxane is a polysiloxane containing a fluoroalkyl group. This is because if the fluoroalkyl group is contained, it is possible to increase the difference in wettability between the energy-irradiated portion and the unirradiated portion.

【0014】上記請求項6または請求項7に記載された
発明においては、請求項8に記載するように、上記オル
ガノポリシロキサンが、YSiX(4−n)(ここ
で、Yはアルキル基、フルオロアルキル基、ビニル基、
アミノ基、フェニル基またはエポキシ基を示し、Xはア
ルコキシル基またはハロゲンを示す。nは0〜3までの
整数である。)で示される珪素化合物の1種または2種
以上の加水分解縮合物もしくは共加水分解縮合物である
オルガノポリシロキサンであることが好ましい。このよ
うなオルガノポリシロキサンを用いることにより、上述
したような濡れ性の変化に対する特性を発揮することが
できるからである。
In the invention described in claim 6 or 7, as described in claim 8, the organopolysiloxane is Y n SiX (4-n) (where Y is an alkyl group). , Fluoroalkyl group, vinyl group,
An amino group, a phenyl group or an epoxy group is shown, and X is an alkoxyl group or a halogen. n is an integer from 0 to 3. It is preferable that the organopolysiloxane is a hydrolysis-condensation product or a co-hydrolysis-condensation product of one or more silicon compounds represented by the formula (1). This is because by using such an organopolysiloxane, it is possible to exhibit the characteristics with respect to the change in wettability as described above.

【0015】また、本発明は請求項9に記載するよう
に、基材と、上記基材上に形成され、少なくとも光触媒
が含有された光触媒処理層と、上記光触媒処理層上に形
成され、エネルギー照射部分の濡れ性が液体の接触角の
低下する方向に変化する層である濡れ性変化層とからな
るパターン形成体用基板を調製するパターン形成体用基
板調製工程と、上記濡れ性変化層にパターン状にエネル
ギーを照射することにより、上記濡れ性変化層上に撥液
性領域と親液性領域とからなる濡れ性パターンを形成す
る濡れ性パターン形成工程と、上記濡れ性パターンが形
成された濡れ性変化層表面に、金属コロイド溶液を塗布
することにより、親液性領域にのみ金属コロイド溶液を
付着させる金属コロイド溶液塗布工程と、上記濡れ性パ
ターンの親液性領域に付着した金属コロイド溶液を固化
させて導電性パターンとする導電性パターン形成工程と
を有することを特徴とする導電性パターン形成体の製造
方法を提供する。
The present invention also provides a substrate, a photocatalyst treatment layer formed on the substrate and containing at least a photocatalyst, and an energy formed on the photocatalyst treatment layer. A pattern forming body substrate preparing step for preparing a pattern forming body substrate comprising a wettability changing layer which is a layer in which the wettability of an irradiated portion changes in a direction in which the contact angle of a liquid decreases, and the wettability changing layer A wettability pattern forming step of forming a wettability pattern composed of a liquid repellent region and a lyophilic region on the wettability change layer by irradiating energy in a pattern form, and the wettability pattern was formed. A metal colloid solution applying step of applying the metal colloid solution only to the lyophilic region by applying the metal colloid solution to the surface of the wettability changing layer, and the lyophilic region having the above-mentioned wettability pattern. It provides a method for producing a conductive pattern formed body characterized by having a conductive pattern formation step of deposited metal colloid solution to solidify the a conductive pattern.

【0016】本発明によれば、上記濡れ性変化層を有す
ることから、親液性領域にのみ金属コロイド溶液を付着
させることが可能となり、高精細な導電性パターンを形
成することが可能となる。また、上記導電性パターンが
上記濡れ性変化層上に形成されることから、直接光触媒
処理層と導電性パターンとが接触せず、導電性パターン
が光触媒の影響を経時的に受ける可能性が少ないことか
ら、高品質な導電性パターン形成体を製造することが可
能となるのである。
According to the present invention, since the wettability changing layer is provided, the metal colloid solution can be attached only to the lyophilic region, and a highly precise conductive pattern can be formed. . In addition, since the conductive pattern is formed on the wettability changing layer, the photocatalyst processing layer and the conductive pattern do not directly contact with each other, and the conductive pattern is less likely to be affected by the photocatalyst over time. Therefore, it becomes possible to manufacture a high-quality conductive pattern forming body.

【0017】上記請求項9に記載の発明においては、請
求項10に記載するように、濡れ性変化層上における金
属コロイド溶液に対する接触角が、エネルギーが照射さ
れていない部分において50°以上であり、照射された
部分において40°以下であることが好ましい。濡れ性
変化層上におけるエネルギーが照射されていない部分で
ある撥液性領域と、照射された部分である親液性領域と
の濡れ性が、上述したような範囲内に無い場合は、金属
コロイド溶液を全面に塗布した場合に、親液性領域のみ
に金属コロイド溶液を付着させることができない可能性
があるからである。
In the invention described in claim 9, as described in claim 10, the contact angle with respect to the metal colloid solution on the wettability changing layer is 50 ° or more in a portion not irradiated with energy. It is preferable that the irradiated portion has an angle of 40 ° or less. When the wettability between the liquid-repellent area, which is the area not irradiated with energy, and the lyophilic area, which is the irradiated area, on the wettability changing layer is not within the range as described above, a metal colloid This is because when the solution is applied to the entire surface, there is a possibility that the metal colloid solution cannot be attached only to the lyophilic region.

【0018】上記請求項9または10に記載の発明にお
いては、請求項11に記載するように、上記濡れ性変化
層が、オルガノポリシロキサンを含有する層であること
が好ましい。本発明において、濡れ性変化層に要求され
る特性としては、エネルギーが照射されていない場合は
撥液性であり、エネルギーが照射された場合は親液性と
なるといった特性である。このような特性を濡れ性変化
層に付与する材料として、オルガノポリシロキサンを用
いることが好ましいからである。
In the invention described in claim 9 or 10, as described in claim 11, it is preferable that the wettability changing layer is a layer containing an organopolysiloxane. In the present invention, the properties required of the wettability changing layer are such that it is liquid repellent when not irradiated with energy and becomes lyophilic when irradiated with energy. This is because it is preferable to use organopolysiloxane as a material that imparts such characteristics to the wettability changing layer.

【0019】上記請求項11に記載された発明において
は、請求項12に記載するように、上記オルガノポリシ
ロキサンが、フルオロアルキル基を含有するポリシロキ
サンであることが好ましい。このようにフルオロアルキ
ル基を含有するものであれば、エネルギー照射部分と未
照射部分との濡れ性の差を大きくすることが可能となる
からである。
In the invention described in claim 11, as described in claim 12, it is preferable that the organopolysiloxane is a polysiloxane containing a fluoroalkyl group. This is because if the fluoroalkyl group is contained, it is possible to increase the difference in wettability between the energy-irradiated portion and the unirradiated portion.

【0020】上記請求項11または請求項12に記載さ
れた発明においては、請求項13に記載するように、上
記オルガノポリシロキサンが、YSiX
(4−n)(ここで、Yはアルキル基、フルオロアルキ
ル基、ビニル基、アミノ基、フェニル基またはエポキシ
基を示し、Xはアルコキシル基またはハロゲンを示す。
nは0〜3までの整数である。)で示される珪素化合物
の1種または2種以上の加水分解縮合物もしくは共加水
分解縮合物であるオルガノポリシロキサンであることが
好ましい。このようなオルガノポリシロキサンを用いる
ことにより、上述したような濡れ性の変化に対する特性
を発揮することができるからである。
In the invention described in claim 11 or claim 12, as described in claim 13, the organopolysiloxane is Y n SiX.
(4-n) (wherein Y represents an alkyl group, fluoroalkyl group, vinyl group, amino group, phenyl group or epoxy group, and X represents an alkoxyl group or halogen.
n is an integer from 0 to 3. It is preferable that the organopolysiloxane is a hydrolysis-condensation product or a co-hydrolysis-condensation product of one or more silicon compounds represented by the formula (1). This is because by using such an organopolysiloxane, it is possible to exhibit the characteristics with respect to the change in wettability as described above.

【0021】また、本発明は請求項14に記載するよう
に、基材と、上記基材上に形成され、少なくとも光触媒
が含有された光触媒処理層と、上記光触媒処理層上に形
成され、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により分解
除去される層である分解除去層とからなるパターン形成
体用基板を調製するパターン形成体用基板調製工程と、
上記分解除去層にパターン状にエネルギーを照射するこ
とにより、上記分解除去層上に分解除去パターンを形成
する分解除去パターン形成工程と、上記分解除去パター
ンが形成された分解除去層表面に、金属コロイド溶液を
塗布することにより、パターン状に金属コロイド溶液を
付着させる金属コロイド溶液塗布工程と、上記パターン
状に付着した金属コロイド溶液を固化させて導電性パタ
ーンとする導電性パターン形成工程とを有することを特
徴とする形成体の製造方法を提供する。
The present invention also provides a substrate, a photocatalyst treatment layer formed on the substrate and containing at least a photocatalyst, and an energy formed on the photocatalyst treatment layer. A pattern forming body substrate preparing step of preparing a pattern forming body substrate consisting of a decomposition and removal layer which is a layer which is decomposed and removed by the action of a photocatalyst accompanying irradiation;
A decomposition removal pattern forming step of forming a decomposition removal pattern on the decomposition removal layer by irradiating the decomposition removal layer with energy in a pattern, and a metal colloid on the decomposition removal layer surface on which the decomposition removal pattern is formed. Having a metal colloid solution applying step of applying a metal colloid solution in a pattern by applying a solution, and a conductive pattern forming step of solidifying the metal colloid solution adhered in the above pattern into a conductive pattern The present invention provides a method for producing a formed body.

【0022】本発明によれば、上記分解除去層を有する
ことにより、エネルギー照射に伴う光触媒の作用によ
り、エネルギー照射部の分解除去層が分解除去され、表
面に凹凸を形成することが可能となるのである。この凹
凸を利用して、例えばインクジェット法等により、容易
に金属コロイド溶液を塗布することが可能となり、高精
細な導電性パターン形成体を製造することが可能となる
のである。
According to the present invention, by having the above-mentioned decomposition / removal layer, the decomposition / removal layer in the energy-irradiated portion is decomposed and removed by the action of the photocatalyst associated with the energy irradiation, and it becomes possible to form irregularities on the surface. Of. By utilizing the irregularities, it is possible to easily apply the metal colloid solution by, for example, an inkjet method, and it is possible to manufacture a highly precise conductive pattern forming body.

【0023】上記請求項14に記載の発明においては、
請求項15に記載するように、上記分解除去層に対する
液体の接触角と、上記分解除去層が分解されて露出する
光触媒処理層に対する液体の接触角とが異なるものであ
ることが好ましい。これにより、上記分解除去層上にお
けるエネルギーが照射されていない分解除去層が残存す
る部分を撥液性領域、エネルギーが照射されて基材が露
出した部分を親液性領域とすることが可能となり、上記
凹凸だけでなく、濡れ性の差も利用することが可能とな
り、より高精細な導電性パターン形成体を製造すること
が可能となるからである。
In the invention described in claim 14,
As described in claim 15, it is preferable that a contact angle of the liquid with respect to the decomposition and removal layer and a contact angle of the liquid with respect to the photocatalyst treatment layer exposed by decomposition of the decomposition and removal layer are different. Thereby, it becomes possible to make the portion on the decomposition and removal layer where the decomposition and removal layer, which is not irradiated with energy, remain as a lyophobic region, and the part where the substrate is exposed by irradiation with energy as a lyophilic region. This is because not only the unevenness described above but also the difference in wettability can be utilized, and it becomes possible to manufacture a higher-definition conductive pattern forming body.

【0024】また、上記請求項14または請求項15に
記載の発明においては、請求項16に記載するように、
上記分解除去層が、自己組織化単分子膜、ラングミュア
−ブロジェット膜、もしくは交互吸着膜のいずれかであ
ることが好ましい。上記分解除去層が、上記の膜である
ことにより、比較的強度の高い欠陥のない膜を形成する
ことが可能となるからである。
Further, in the invention described in claim 14 or claim 15, as described in claim 16,
The decomposition and removal layer is preferably either a self-assembled monolayer film, a Langmuir-Blodgett film, or an alternate adsorption film. This is because when the decomposition and removal layer is the above film, it is possible to form a defect-free film having a relatively high strength.

【0025】上記請求項14から請求項16までのいず
れかの請求項に記載の発明においては、請求項17に記
載するように、上記分解除去層上における金属コロイド
溶液に対する接触角が、エネルギーが照射されていない
部分において50°以上であり、照射された部分におい
て40°以下であることが好ましい。上記金属コロイド
溶液に対する接触角が、上述したような範囲内に無い場
合は、例えば金属コロイド溶液を全面に塗布した場合
に、親液性領域のみに金属コロイド溶液を付着させるこ
とができない可能性があるからである。
In the invention according to any one of claims 14 to 16, as described in claim 17, the contact angle to the metal colloid solution on the decomposition and removal layer is It is preferably 50 ° or more in the non-irradiated portion and 40 ° or less in the irradiated portion. When the contact angle with respect to the metal colloid solution is not within the above range, for example, when the metal colloid solution is applied to the entire surface, it may not be possible to attach the metal colloid solution only to the lyophilic region. Because there is.

【0026】上記請求項1から請求項17までのいずれ
かの請求項に記載の発明においては、請求項18に記載
するように、上記導電性パターン形成工程後に、導電性
パターン部が形成されていない非導電性パターン部を除
去する非画線部除去工程を有していてもよい。上記光触
媒含有層、濡れ性変化層、または分解除去層が、導電性
の材料により形成されている場合には、導電性パターン
を有していても、導電性パターン形成体とすることが困
難であることから、この導電性パターン部が形成されて
いない非導電性パターン部を除去することにより、絶縁
性の基材を露出させ、導電性パターン形成体とすること
が可能となるのである。
In the invention according to any one of claims 1 to 17, as described in claim 18, a conductive pattern portion is formed after the conductive pattern forming step. You may have the non-image area removal process which removes the non-conductive pattern part which does not exist. When the photocatalyst-containing layer, the wettability changing layer, or the decomposition / removal layer is formed of a conductive material, it is difficult to form a conductive pattern-formed body even if it has a conductive pattern. Therefore, by removing the non-conductive pattern portion in which the conductive pattern portion is not formed, it is possible to expose the insulating base material and form the conductive pattern formed body.

【0027】上記請求項18に記載の発明においては、
請求項19に記載するように、上記非画線部除去工程
が、上記非導電性パターン部をアルカリ溶液により除去
する工程であることが好ましい。これにより、容易に上
記非導電性パターン部を除去することが可能となり、製
造効率やコストの面から好ましいからである。
In the invention described in claim 18,
As described in claim 19, it is preferable that the non-image area removing step is a step of removing the non-conductive pattern area with an alkaline solution. This is because it is possible to easily remove the non-conductive pattern portion, which is preferable in terms of manufacturing efficiency and cost.

【0028】上記請求項1から請求項19までのいずれ
かの請求項に記載の発明においては、請求項20に記載
するように、上記光触媒が、酸化チタン(TiO)、
酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(SnO)、チタン酸
ストロンチウム(SrTiO )、酸化タングステン
(WO)、酸化ビスマス(Bi)、および酸化
鉄(Fe)から選択される1種または2種以上の
物質であることが好ましく、中でも請求項21に記載す
るように、上記光触媒が酸化チタン(TiO)である
ことが好ましい。これは、二酸化チタンのバンドギャッ
プエネルギーが高いため光触媒として有効であり、かつ
化学的にも安定で毒性もなく、入手も容易だからであ
る。
Any of the above claims 1 to 19
In the invention described in those claims, claim 20
As described above, the photocatalyst has a titanium oxide (TiO 2Two),
Zinc oxide (ZnO), tin oxide (SnO)Two), Titanic acid
Strontium (SrTiO Three), Tungsten oxide
(WOThree), Bismuth oxide (BiTwoOThree), And oxidation
Iron (FeTwoOThree) One or more selected from
Preferably, it is a substance, among which
As described above, the photocatalyst has a titanium oxide (TiO 2Two) Is
It is preferable. This is a titanium dioxide band gap
Since it has a high energy, it is effective as a photocatalyst, and
It is chemically stable, non-toxic and easily available.
It

【0029】上記請求項21に記載された発明において
は、請求項22に記載するように、上記光触媒含有層表
面のフッ素の含有量を、X線光電子分光法で分析して定
量化すると、Ti元素を100とした場合に、フッ素元
素が500以上となる比率でフッ素元素が光触媒含有層
表面に含まれている光触媒含有層を有することが好まし
い。
In the invention described in claim 21, as described in claim 22, when the fluorine content on the surface of the photocatalyst containing layer is analyzed and quantified by X-ray photoelectron spectroscopy, Ti When the element is 100, it is preferable to have a photocatalyst-containing layer in which the fluorine element is contained on the surface of the photocatalyst-containing layer in a ratio of 500 or more.

【0030】フッ素元素の含有量が多ければ、撥液性領
域の撥液性も高くなり、金属コロイド溶液を全面に塗布
した際の撥液性領域上の金属コロイド溶液の除去がスム
ースであるため、親液性領域のみに金属コロイド溶液を
塗布することが可能となるからである。
When the content of the elemental fluorine is large, the liquid repellency of the liquid repellent region is also high, and the removal of the metal colloid solution on the liquid repellent region when the metal colloid solution is applied over the entire surface is smooth. This is because it is possible to apply the metal colloid solution only to the lyophilic region.

【0031】上記請求項1から請求項22までのいずれ
かの請求項に記載の発明においては、請求項23に記載
するように、上記エネルギー照射が、光触媒を加熱しな
がらなされることが好ましい。上記エネルギー照射の際
に、光触媒を加熱することにより、光触媒の効果をより
高めることが可能となり、効率よく導電性パターン形成
体を形成することが可能となるからである。
In the invention described in any one of claims 1 to 22, it is preferable that the energy irradiation is performed while heating the photocatalyst, as described in claim 23. By heating the photocatalyst during the energy irradiation, the effect of the photocatalyst can be further enhanced, and the conductive pattern forming body can be efficiently formed.

【0032】上記請求項1から請求項23までのいずれ
かの請求項に記載された発明においては、請求項24に
記載するように、上記金属コロイド溶液が、銀コロイド
水溶液または金コロイド水溶液であることが好ましい。
In the invention described in any one of claims 1 to 23, as described in claim 24, the metal colloid solution is a silver colloid aqueous solution or a gold colloid aqueous solution. It is preferable.

【0033】また、上記請求項1から請求項24までの
いずれかの請求項に記載された発明においては、請求項
25に記載するように、上記金属コロイド溶液塗布工程
における金属コロイド溶液の塗布が、ディップコーティ
ング法またはスピンコーティング法であってもよい。
In the invention described in any one of claims 1 to 24, as described in claim 25, the application of the metal colloid solution in the step of applying the metal colloid solution is performed. It may be a dip coating method or a spin coating method.

【0034】また上記請求項1から請求項24までのい
ずれかの請求項に記載された発明においては、請求項2
6に記載するように、上記金属コロイド溶液塗布工程に
おける金属コロイド溶液の塗布が、ノズル吐出法であっ
てもよく、その中でも請求項27に記載するように、上
記ノズル吐出法がインクジェット法であることが好まし
い。
According to the invention described in any one of claims 1 to 24,
As described in 6, the application of the metal colloid solution in the step of applying the metal colloid solution may be a nozzle ejection method, and among them, the nozzle ejection method is an inkjet method. It is preferable.

【0035】また、本発明は請求項28に記載するよう
に、基材と、上記基材上に形成されたエネルギー照射部
分の濡れ性が液体の接触角の低下する方向に変化する層
であり、かつ少なくとも光触媒およびバインダを含有す
る光触媒含有層と、上記光触媒含有層上に、パターン状
に金属コロイド溶液を固化させることにより形成された
金属組成物とを有することを特徴とする導電性パターン
形成体を提供する。本発明によれば、上記光触媒含有層
を有することにより、容易に親液性領域のみに金属コロ
イド溶液を塗布することが可能となり、また高精細な導
電性パターン形成体とすることが可能となるのである。
Further, the present invention provides a layer in which the wettability of the base material and the energy-irradiated portion formed on the base material changes in the direction in which the contact angle of the liquid decreases as described in claim 28. And a photocatalyst-containing layer containing at least a photocatalyst and a binder, and a metal composition formed by solidifying a metal colloid solution in a pattern on the photocatalyst-containing layer to form a conductive pattern. Provide the body. According to the present invention, by having the photocatalyst containing layer, it becomes possible to easily apply the metal colloid solution only to the lyophilic region, and it becomes possible to obtain a highly fine conductive pattern forming body. Of.

【0036】また、本発明は請求項29に記載するよう
に、基材と、上記基材上にパターン状に形成された、エ
ネルギー照射部分の濡れ性が液体の接触角の低下する方
向に変化する層であり、かつ少なくとも光触媒およびバ
インダを含有する光触媒含有層と、上記光触媒含有層上
に金属コロイド溶液を固化させることにより形成された
金属組成物とを有することを特徴とする導電性パターン
形成体を提供する。本発明によれば、上記光触媒含有層
を有することにより、容易に濡れ性の差を利用して導電
性パターンを形成することが可能となり、低コストな導
電性パターン形成体とすることが可能となるからであ
る。また、上記光触媒含有層がパターン状に形成されて
おり、導電性パターン以外の部分は、絶縁性の基材が露
出していることから、上記光触媒含有層が導電性であっ
ても、導電性パターン形成体とすることが可能となるの
である。
According to a twenty-ninth aspect of the present invention, the wettability of the substrate and the energy-irradiated portion formed in a pattern on the substrate changes in the direction in which the contact angle of the liquid decreases. And a photocatalyst-containing layer containing at least a photocatalyst and a binder, and a metal composition formed by solidifying a metal colloid solution on the photocatalyst-containing layer to form a conductive pattern. Provide the body. According to the present invention, by having the photocatalyst-containing layer, it becomes possible to easily form a conductive pattern by utilizing the difference in wettability, and it is possible to obtain a low-cost conductive pattern forming body. Because it will be. Further, since the photocatalyst-containing layer is formed in a pattern and the insulating base material is exposed in a portion other than the conductive pattern, even if the photocatalyst-containing layer is conductive, the conductive It becomes possible to use it as a pattern forming body.

【0037】上記請求項28または請求項29に記載の
発明においては、請求項30に記載するように、上記光
触媒含有層が、エネルギー照射による光触媒の作用によ
り分解され、これにより光触媒含有層上の濡れ性を変化
させることができる分解物質を含むものであってもよ
い。本発明においては、光触媒の作用による光触媒含有
層の濡れ性の変化が、バインダの材質に起因するもので
あってもよいが、このように光触媒の作用により分解さ
れる分解物質を、光触媒含有層に含有させることにより
その表面の濡れ性をパターン状に変化させるものであっ
てもよい。
In the invention described in claim 28 or claim 29, as described in claim 30, the photocatalyst-containing layer is decomposed by the action of the photocatalyst by energy irradiation, whereby the photocatalyst-containing layer on the photocatalyst-containing layer is decomposed. It may contain a decomposing substance capable of changing the wettability. In the present invention, the change in the wettability of the photocatalyst containing layer due to the action of the photocatalyst may be due to the material of the binder, but the decomposing substance decomposed by the action of the photocatalyst is used as the photocatalyst containing layer. The surface wettability may be changed into a pattern by containing the same in the above.

【0038】上記請求28から請求項30までのいずれ
かの請求項に記載の発明においては、請求項31に記載
するように、上記光触媒含有層上における金属コロイド
溶液に対する接触角が、エネルギーが照射されていない
部分において50°以上であり、照射された部分におい
て40°以下であることが好ましい。上記光触媒含有層
上におけるエネルギーが照射されていない部分である撥
液性領域と、照射された部分である親液性領域との濡れ
性が、上述したような範囲内に無い場合は、金属コロイ
ド溶液を全面に塗布した場合に、親液性領域のみに金属
コロイド溶液を付着させることができない可能性がある
からである。
In the invention described in any one of claims 28 to 30, the contact angle to the metal colloid solution on the photocatalyst containing layer is irradiated with energy as described in claim 31. It is preferably 50 ° or more in the unexposed portion and 40 ° or less in the irradiated portion. When the wettability between the lyophobic region, which is the portion not irradiated with energy, and the lyophilic region, which is the irradiated portion, on the photocatalyst-containing layer is not within the range as described above, a metal colloid This is because when the solution is applied to the entire surface, there is a possibility that the metal colloid solution cannot be attached only to the lyophilic region.

【0039】また、本発明は請求項32に記載するよう
に、基材と、上記基材上に少なくとも光触媒が含有され
た光触媒処理層と、上記光触媒処理層上に、エネルギー
照射部分の濡れ性が液体の接触角の低下する方向に変化
する濡れ性変化層と、上記濡れ性変化層上にパターン状
に金属コロイド溶液を固化させることにより形成された
金属組成物とを有することを特徴とする導電性パターン
形成体を提供する。本発明によれば、上記濡れ性変化層
を有することにより、容易に濡れ性の差を利用して、金
属コロイド溶液をパターン状に高精細に付着させること
が可能となる。また、上記光触媒処理層および導電性パ
ターンが直接接触しないことから、経時的に導電性パタ
ーンが光触媒の影響を受ける可能性が低く、高品質な導
電性パターン形成体とすることが可能となるのである。
Further, according to a thirty-second aspect of the present invention, a substrate, a photocatalyst treatment layer containing at least a photocatalyst on the substrate, and a wettability of an energy irradiation portion on the photocatalyst treatment layer. Has a wettability changing layer that changes in a direction in which the contact angle of the liquid decreases, and a metal composition formed by solidifying a metal colloid solution in a pattern on the wettability changing layer. A conductive pattern forming body is provided. According to the present invention, by having the wettability changing layer, it becomes possible to easily attach the metal colloid solution in a pattern with high precision by utilizing the difference in wettability. Further, since the photocatalyst treatment layer and the conductive pattern do not come into direct contact with each other, the conductive pattern is less likely to be affected by the photocatalyst over time, so that a high-quality conductive pattern forming body can be obtained. is there.

【0040】また、本発明は請求項33に記載するよう
に、基材と、上記基材上に少なくとも光触媒が含有され
た光触媒処理層と、上記光触媒処理層上にパターン状に
形成された、エネルギー照射部分の濡れ性が液体の接触
角の低下する方向に変化する濡れ性変化層と、上記濡れ
性変化層上に金属コロイド溶液を固化させることにより
形成された金属組成物とを有することを特徴とする導電
性パターン形成体を提供する。
Further, according to the present invention, as defined in claim 33, a base material, a photocatalyst processing layer containing at least a photocatalyst on the base material, and a pattern formed on the photocatalyst processing layer, It has a wettability changing layer in which the wettability of the energy-irradiated portion changes in a direction in which the contact angle of the liquid decreases, and a metal composition formed by solidifying a metal colloid solution on the wettability changing layer. A characteristic conductive pattern forming body is provided.

【0041】本発明によれば、上記濡れ性変化層を有す
ることにより、容易に濡れ性の差を利用して、金属コロ
イド溶液をパターン状に高精細に付着させることが可能
となる。また、上記光触媒処理層および導電性パターン
が直接接触しないことから、経時的に導電性パターンが
光触媒の影響を受ける可能性が低く、高品質な導電性パ
ターン形成体とすることが可能となるのである。さら
に、上記濡れ性変化層がパターン状に形成されており、
導電性パターン以外の部分は、比較的絶縁性の光触媒処
理層が露出していることから、上記濡れ性変化層が導電
性であっても、導電性パターン形成体とすることが可能
となるのである。
According to the present invention, since the wettability changing layer is provided, it is possible to easily deposit the metal colloid solution in a pattern with high precision by utilizing the difference in wettability. Further, since the photocatalyst treatment layer and the conductive pattern do not come into direct contact with each other, the conductive pattern is less likely to be affected by the photocatalyst over time, so that a high-quality conductive pattern forming body can be obtained. is there. Furthermore, the wettability changing layer is formed in a pattern,
Since the relatively non-conductive photocatalyst treatment layer is exposed in the portion other than the conductive pattern, even if the wettability changing layer is conductive, it is possible to form a conductive pattern forming body. is there.

【0042】また、本発明は請求項34に記載するよう
に、基材と、上記基材上にパターン状に形成された、少
なくとも光触媒が含有された光触媒処理層と、上記光触
媒処理層上に形成されたエネルギー照射部分の濡れ性が
液体の接触角の低下する方向に変化する濡れ性変化層
と、上記濡れ性変化層上に金属コロイド溶液を固化させ
ることにより形成された金属組成物とを有することを特
徴とする導電性パターン形成体を提供する。
The present invention also provides a substrate, a photocatalyst treatment layer containing at least a photocatalyst which is formed in a pattern on the substrate, and the photocatalyst treatment layer. A wettability changing layer in which the wettability of the energy-irradiated portion formed changes in the direction in which the contact angle of the liquid decreases, and a metal composition formed by solidifying a metal colloid solution on the wettability changing layer. There is provided a conductive pattern forming body characterized by having.

【0043】本実施態様によれば、上記濡れ性変化層を
有することにより、容易に濡れ性の差を利用して、金属
コロイド溶液をパターン状に高精細に付着させることが
可能となる。また、上記光触媒含有層がパターン状に形
成され、その上に濡れ性変化層および導電性パターンが
形成されていることから、導電性パターン以外の部分
は、比較的絶縁性の基材が露出しており、上記濡れ性変
化層および光触媒処理層が導電性であっても、導電性パ
ターン形成体とすることが可能となるのである。
According to this embodiment, since the wettability changing layer is provided, it is possible to easily deposit the metal colloid solution in a pattern with high precision by utilizing the difference in wettability. Further, since the photocatalyst-containing layer is formed in a pattern, and the wettability changing layer and the conductive pattern are formed on the photocatalyst-containing layer, a relatively insulating base material is exposed in a portion other than the conductive pattern. Therefore, even if the wettability changing layer and the photocatalyst treatment layer are conductive, the conductive pattern forming body can be obtained.

【0044】上記請求項32から請求項34までのいず
れかの請求項に記載の発明においては、請求項35に記
載するように、上記濡れ性変化層上における金属コロイ
ド溶液に対する接触角が、エネルギーが照射されていな
い部分において50°以上であり、照射された部分にお
いて40°以下であることが好ましい。上記濡れ性変化
層上におけるエネルギーが照射されていない部分である
撥液性領域と、照射された部分である親液性領域との濡
れ性が、上述したような範囲内に無い場合は、金属コロ
イド溶液を全面に塗布した場合に、親液性領域のみに金
属コロイド溶液を付着させることができない可能性があ
るからである。
In the invention described in any one of claims 32 to 34, as described in claim 35, the contact angle with respect to the metal colloid solution on the wettability changing layer is equal to the energy. Is preferably 50 ° or more in the non-irradiated portion and 40 ° or less in the irradiated portion. When the wettability between the liquid repellent region, which is a portion not irradiated with energy on the wettability changing layer, and the lyophilic region, which is an irradiated portion, is not within the range as described above, a metal is used. This is because when the colloidal solution is applied to the entire surface, it may not be possible to adhere the metal colloidal solution only to the lyophilic region.

【0045】また、本発明は請求項36に記載するよう
に、基材と、上記基材上に少なくとも光触媒が含有され
た光触媒処理層と、上記光触媒処理層上に、エネルギー
照射に伴う光触媒の作用により分解除去される層である
分解除去層と、上記分解除去層が分解除去された光触媒
処理層上にパターン状に金属コロイド溶液を固化させる
ことにより形成された金属組成物とを有することを特徴
とする導電性パターン形成体を提供する。
Further, the present invention provides a substrate, a photocatalyst treatment layer containing at least a photocatalyst on the substrate, and a photocatalyst according to energy irradiation on the photocatalyst treatment layer. And a metal composition formed by solidifying a metal colloid solution in a pattern on the photocatalyst-treated layer on which the decomposition and removal layer is decomposed and removed. A characteristic conductive pattern forming body is provided.

【0046】本発明によれば、上記分解除去層を有する
ことにより、上記エネルギー照射に伴う光触媒の作用に
より、表面に凹凸を形成することができ、例えばインク
ジェット法等により、容易に金属コロイド溶液を付着さ
せることが可能となり、容易に製造可能な導電性パター
ン形成体とすることができる。
According to the present invention, the presence of the decomposition and removal layer makes it possible to form irregularities on the surface by the action of the photocatalyst associated with the energy irradiation. For example, the metal colloid solution can be easily formed by the inkjet method or the like. The conductive pattern forming body can be attached and can be easily manufactured.

【0047】また上記請求項36に記載の発明において
は、請求項37に記載するように、上記分解除去層が、
自己組織化単分子膜、ラングミュア−ブロジェット膜、
もしくは交互吸着膜のいずれかであることが好ましい。
上記分解除去層が、上記の膜であることにより、比較的
強度の高い欠陥のない膜とすることが可能となるからで
ある。
Further, in the invention described in Item 36, as described in Item 37, the decomposition removal layer comprises:
Self-assembled monolayer, Langmuir-Blodgett film,
Alternatively, it is preferably either an alternate adsorption film.
This is because when the decomposition / removal layer is the above film, it is possible to obtain a defect-free film having a relatively high strength.

【0048】上記請求項36または請求項37に記載の
発明においては、請求項38に記載するように、上記分
解除去層上における金属コロイド溶液に対する接触角
が、エネルギーが照射されていない部分において50°
以上であり、照射された部分において40°以下である
ことが好ましい。これにより、上記表面の凹凸だけでは
なく、濡れ性の差も利用することが可能となることか
ら、より高精細な導電性パターン形成体とすることが可
能となるのである。
In the invention described in claim 36 or claim 37, as described in claim 38, the contact angle with respect to the metal colloid solution on the decomposition and removal layer is 50 at a portion not irradiated with energy. °
It is above, and it is preferable that it is 40 degrees or less in the irradiated portion. This makes it possible to utilize not only the above-mentioned unevenness on the surface but also the difference in wettability, so that it is possible to obtain a conductive pattern forming body with higher definition.

【0049】[0049]

【発明の実施の形態】本発明は、導電性パターン形成体
の製造方法および導電性パターン形成体に関するもので
ある。以下、それぞれについて説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention relates to a method for producing a conductive pattern forming body and a conductive pattern forming body. Each will be described below.

【0050】A.導電性パターン形成体の製造方法ま
ず、本発明の導電性パターン形成体の製造方法について
説明する。本発明の導電性パターン形成体の製造方法
は、3つの実施態様がある。以下、それぞれの実施態様
についてわけて説明する。
A. Method for Manufacturing Conductive Pattern Formed Body First, a method for manufacturing the conductive pattern formed body of the present invention will be described. The method for producing a conductive pattern forming body of the present invention has three embodiments. Hereinafter, each embodiment will be described separately.

【0051】1.第一実施態様 まず、本発明の導電性パターン形成体の製造方法の第一
実施態様について説明する。本発明の導電性パターン形
成体の製造方法の第一実施態様は、基材と、上記基材上
に形成され、光触媒およびバインダを有し、エネルギー
照射部分の濡れ性が液体の接触角の低下する方向に変化
する光触媒含有層とからなるパターン形成体用基板を調
製するパターン形成体用基板調製工程と、上記光触媒含
有層上にパターン状にエネルギーを照射することによ
り、上記光触媒含有層上に撥液性領域と親液性領域とか
らなる濡れ性パターンを形成する濡れ性パターン形成工
程と、上記濡れ性パターンが形成された光触媒含有層表
面に、金属コロイド溶液を塗布することにより、親液性
領域にのみ金属コロイド溶液を付着させる金属コロイド
溶液塗布工程と、上記濡れ性パターンの親液性領域に付
着した金属コロイド溶液を固化させて導電性パターンと
する導電性パターン形成工程とを有することを特徴とす
るものである。
1. First Embodiment First, a first embodiment of the method for producing a conductive pattern forming body of the present invention will be described. A first embodiment of the method for producing a conductive pattern forming body of the present invention has a base material, a photocatalyst and a binder formed on the base material, and the wettability of an energy-irradiated portion reduces the contact angle of a liquid. Pattern forming body substrate preparing step of preparing a substrate for a pattern forming body comprising a photocatalyst containing layer that changes in a direction, by irradiating energy in a pattern on the photocatalyst containing layer, thereby forming a photocatalyst containing layer on the photocatalyst containing layer. A wettability pattern forming step of forming a wettability pattern composed of a liquid repellent area and a lyophilic area, and a photocatalyst-containing layer surface on which the wettability pattern is formed, by applying a metal colloid solution to obtain a lyophilic solution The metal colloid solution coating step of adhering the metal colloid solution only to the hydrophilic area and the conductive pattern by solidifying the metal colloid solution adhered to the lyophilic area of the above-mentioned wettability pattern. It is characterized in that it has a conductive pattern formation step to be down.

【0052】このように、本実施態様の導電性パターン
形成体の製造方法においては、光触媒含有層に対してパ
ターン状にエネルギー照射することにより、光触媒含有
層中の光触媒の作用により、その表面の濡れ性が変化
し、この濡れ性の変化した部分、すなわち親液性領域に
よるパターンが光触媒含有層表面に形成される。したが
って、パターン形成に際してエネルギー照射後の現像・
洗浄等の後処理が不要となるので、従来より少ない工程
で、かつ安価に濡れ性の異なるパターンを形成すること
ができる。そして、この光触媒含有層上の濡れ性パター
ンに対して、金属コロイド溶液を塗布することにより上
記親液性領域のパターン上にのみ金属コロイド溶液を付
着させることができ、これを固化させることにより容易
に導電性パターンを形成することができる。
As described above, in the method for manufacturing a conductive pattern forming body according to the present embodiment, the photocatalyst-containing layer is irradiated with energy in a pattern, so that the photocatalyst in the photocatalyst-containing layer acts so that the surface of the photocatalyst-containing layer is exposed. The wettability is changed, and a pattern with this wettability changed portion, that is, a lyophilic region is formed on the surface of the photocatalyst-containing layer. Therefore, in pattern formation, development after energy irradiation
Since a post-treatment such as cleaning is not necessary, it is possible to form a pattern having different wettability at a lower cost and with fewer steps than in the past. Then, by applying a metal colloid solution to the wettability pattern on the photocatalyst-containing layer, the metal colloid solution can be attached only on the pattern of the lyophilic region, and it is easy to solidify the solution. A conductive pattern can be formed on the substrate.

【0053】このような、本実施態様の導電性パターン
形成体の製造方法について、図面を用いて具体的に説明
する。図1は、本実施態様の導電性パターン形成体の製
造方法の一例を示すものである。
The method of manufacturing the conductive pattern forming body of this embodiment will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows an example of a method for manufacturing a conductive pattern forming body according to this embodiment.

【0054】この例においては、まず、基材1上に光触
媒含有層2が形成されてなるパターン形成体用基板3を
調製する(図1(a)参照、パターン形成体用基板調製
工程)。
In this example, first, a substrate 3 for a pattern-formed body in which a photocatalyst containing layer 2 is formed on a substrate 1 is prepared (see FIG. 1A, substrate preparing step for a pattern-formed body).

【0055】次に、図1(b)に示すように、パターン
形成体用基板3の光触媒含有層2側に、必要とされるパ
ターンが描かれたフォトマスク4を配置し、これを介し
て紫外光5を照射する。これにより、図1(c)に示す
ように、光触媒含有層2表面に親液性領域6および撥液
性領域7とからなる濡れ性パターンが形成される(濡れ
性パターン形成工程)。
Next, as shown in FIG. 1B, a photomask 4 on which a required pattern is drawn is arranged on the photocatalyst containing layer 2 side of the substrate 3 for a pattern forming body, and the photomask 4 is placed therebetween. Irradiate with ultraviolet light 5. As a result, as shown in FIG. 1C, a wettability pattern composed of the lyophilic region 6 and the lyophobic region 7 is formed on the surface of the photocatalyst-containing layer 2 (wettability pattern forming step).

【0056】そして、上記パターン形成体用基板3上に
金属コロイド溶液を全面に塗布することにより、親液性
領域6上にのみ金属コロイド溶液を付着させ(金属コロ
イド溶液塗布工程)、その後、これを硬化させることに
より、導電性パターン8が光触媒含有層2上に形成され
た導電性パターン形成体9を得ることができる。
Then, the metal colloid solution is applied over the entire surface of the pattern forming substrate 3 so that the metal colloid solution is adhered only on the lyophilic region 6 (metal colloid solution applying step). It is possible to obtain the conductive pattern forming body 9 in which the conductive pattern 8 is formed on the photocatalyst containing layer 2 by curing the.

【0057】このような本実施態様の導電性パターン形
成体の製造方法について、各工程毎に詳細に説明する。
The method for manufacturing the conductive pattern forming body of this embodiment will be described in detail for each step.

【0058】(1)パターン形成体用基板調製工程 本実施態様におけるパターン形成体用基板調製工程は、
基材上に、光触媒およびバインダを含有する光触媒含有
層が形成されたパターン形成体用基板を調製する工程で
ある。
(1) Pattern Forming Body Substrate Preparing Step The pattern forming body substrate preparing step in this embodiment is as follows:
This is a step of preparing a substrate for a pattern-formed body in which a photocatalyst-containing layer containing a photocatalyst and a binder is formed on a base material.

【0059】この工程で製造されるパターン形成体用基
板は、このように、少なくとも光触媒含有層と基材とを
有するものであり、通常は基材上に所定の方法で形成さ
れた薄膜状の光触媒含有層が形成されてなるものであ
る。
The substrate for a pattern-formed body produced in this step has at least the photocatalyst-containing layer and the base material as described above, and is usually in the form of a thin film formed on the base material by a predetermined method. A photocatalyst containing layer is formed.

【0060】(光触媒含有層)本実施態様に用いられる
光触媒含有層は、光触媒とバインダとからなり、エネル
ギー照射部分の濡れ性が液体の接触角の低下する方向に
変化する光触媒含有層である。
(Photocatalyst-Containing Layer) The photocatalyst-containing layer used in this embodiment is a photocatalyst-containing layer composed of a photocatalyst and a binder, and the wettability of the energy-irradiated portion changes in the direction in which the contact angle of the liquid decreases.

【0061】このように、エネルギー照射により液体と
の接触角が低下するように濡れ性が変化する光触媒含有
層とし、後述するようにエネルギーのパターン照射を行
うことにより、容易に濡れ性をパターン状に変化させ、
液体との接触角の小さい親液性領域のパターンを形成す
ることが可能となる。したがって、効率的に導電性パタ
ーン形成体が製造でき、低コストで導電性パターン形成
体を得ることができる。
As described above, the photocatalyst-containing layer whose wettability changes so that the contact angle with the liquid is reduced by the energy irradiation, and the energy pattern irradiation is performed as described later, so that the wettability can be easily changed into a pattern. To
It is possible to form a pattern of a lyophilic region having a small contact angle with a liquid. Therefore, the conductive pattern forming body can be efficiently manufactured, and the conductive pattern forming body can be obtained at low cost.

【0062】ここで、親液性領域とは、液体との接触角
が小さい領域であり、後述する金属コロイド溶液に対す
る濡れ性の良好な領域をいうこととする。また、撥液性
領域とは、液体との接触角が大きい領域であり、金属コ
ロイド溶液に対する濡れ性が悪い領域をいうこととす
る。
Here, the lyophilic region is a region having a small contact angle with a liquid and having a good wettability with a metal colloid solution described later. Further, the liquid repellent region is a region having a large contact angle with the liquid and having poor wettability with the metal colloid solution.

【0063】上記光触媒含有層は、エネルギー照射して
いない部分、すなわち撥液性領域においては、金属コロ
イド溶液に対する接触角が50°以上、好ましくは60
°以上、特に70°以上であることが好ましい。これ
は、エネルギー照射していない部分は、本実施態様にお
いては撥液性が要求される部分であることから、液体と
の接触角が小さい場合は、撥液性が十分でなく、後述す
る金属コロイド溶液塗布工程において金属コロイド溶液
を全面に塗布した場合に、導電性パターンを形成しない
領域にまで金属コロイド溶液が残存する可能性が生じる
ため好ましくないからである。
The photocatalyst-containing layer has a contact angle with the metal colloid solution of 50 ° or more, preferably 60, in the portion not irradiated with energy, that is, in the liquid repellent region.
It is preferably at least °, especially at least 70 °. This is because the portion not irradiated with energy is a portion that is required to have liquid repellency in the present embodiment, and therefore the liquid repellency is not sufficient when the contact angle with the liquid is small, and the metal described below is used. This is because when the metal colloid solution is applied to the entire surface in the colloid solution application step, the metal colloid solution may remain in the region where the conductive pattern is not formed, which is not preferable.

【0064】また、上記光触媒含有層は、エネルギー照
射された部分、すなわち親液性領域においては、金属コ
ロイド溶液に対する接触角が40°以下、好ましくは3
0°以下、特に20°以下であることが好ましい。エネ
ルギー照射された部分、すなわち親液性領域における金
属コロイド溶液との接触角が高い場合は、後述する金属
コロイド溶液の全面塗布に際して、親液性領域において
も金属コロイド溶液をはじいてしまう可能性があり、親
液性領域上に金属コロイド溶液をパターニングすること
が難しくなる可能性があるからである。
The photocatalyst-containing layer has a contact angle with the metal colloid solution of 40 ° or less, preferably 3 at the portion irradiated with energy, that is, the lyophilic region.
It is preferably 0 ° or less, and particularly preferably 20 ° or less. When the contact angle with the metal colloid solution in the portion irradiated with energy, that is, the lyophilic region is high, the metal colloid solution may be repelled even in the lyophilic region when the entire surface of the metal colloid solution described later is applied. This is because it may be difficult to pattern the metal colloid solution on the lyophilic region.

【0065】なお、ここでいう液体との接触角は、種々
の表面張力を有する液体との接触角を接触角測定器(協
和界面科学(株)製CA−Z型)を用いて測定(マイク
ロシリンジから液滴を滴下して30秒後)し、その結果
から、もしくはその結果をグラフにして得たものであ
る。また、この測定に際して、種々の表面張力を有する
液体としては、純正化学株式会社製のぬれ指数標準液を
用いた。
The contact angle with a liquid referred to herein is measured by using a contact angle measuring device (CA-Z type manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.) with a liquid having various surface tensions (micro). The droplet was dropped from the syringe 30 seconds later), and the result was obtained or a graph was obtained. In addition, in this measurement, as a liquid having various surface tensions, wetting index standard liquid manufactured by Junsei Chemical Co., Ltd. was used.

【0066】また、本実施態様において上述したような
光触媒含有層を用いた場合、この光触媒含有層中にフッ
素が含有され、さらにこの光触媒含有層表面のフッ素含
有量が、光触媒含有層に対しエネルギーを照射した際
に、上記光触媒の作用によりエネルギー照射前に比較し
て低下するように上記光触媒含有層が形成されていても
よく、またエネルギー照射による光触媒の作用により分
解され、これにより光触媒含有層上の濡れ性を変化させ
ることができる分解物質を含むように上記光触媒含有層
が形成されていてもよい。
When the photocatalyst-containing layer as described above is used in this embodiment, the photocatalyst-containing layer contains fluorine, and the fluorine content on the surface of the photocatalyst-containing layer is higher than that of the photocatalyst-containing layer. When irradiated with, the photocatalyst-containing layer may be formed by the action of the photocatalyst so as to be lower than that before the energy irradiation, and is decomposed by the action of the photocatalyst by the energy irradiation, thereby the photocatalyst-containing layer The photocatalyst-containing layer may be formed so as to contain a decomposition substance capable of changing the wettability.

【0067】上述したような光触媒含有層における、後
述するような二酸化チタンに代表される光触媒の作用機
構は、必ずしも明確なものではないが、光の照射によっ
て生成したキャリアが、近傍の化合物との直接反応、あ
るいは、酸素、水の存在下で生じた活性酸素種によっ
て、有機物の化学構造に変化を及ぼすものと考えられて
いる。本実施態様においては、このキャリアが光触媒含
有層内のバインダ化合物に作用を及ぼし、その表面の濡
れ性を変化させるものであると考えられる。
The mechanism of action of the photocatalyst represented by titanium dioxide as described below in the photocatalyst-containing layer as described above is not always clear, but the carrier generated by irradiation of light is not clearly defined. It is considered that the chemical structure is changed by the direct reaction or the active oxygen species generated in the presence of oxygen and water. In the present embodiment, it is considered that this carrier acts on the binder compound in the photocatalyst containing layer to change the wettability of the surface.

【0068】以下、このような光触媒含有層を構成す
る、光触媒、バインダ、およびその他の成分について説
明する。
The photocatalyst, the binder, and other components constituting the photocatalyst containing layer will be described below.

【0069】a.光触媒 まず、本実施態様で使用する光触媒について説明する。
本実施態様で使用する光触媒としては、光半導体として
知られる例えば二酸化チタン(TiO)、酸化亜鉛
(ZnO)、酸化スズ(SnO)、チタン酸ストロン
チウム(SrTiO)、酸化タングステン(W
)、酸化ビスマス(Bi)、および酸化鉄
(Fe)を挙げることができ、これらから選択し
て1種または2種以上を混合して用いることができる。
A. Photocatalyst First, the photocatalyst used in the present embodiment will be described.
Examples of the photocatalyst used in this embodiment include titanium dioxide (TiO 2 ), zinc oxide (ZnO), tin oxide (SnO 2 ), strontium titanate (SrTiO 3 ), and tungsten oxide (W) known as photo semiconductors.
O 3 ), bismuth oxide (Bi 2 O 3 ), and iron oxide (Fe 2 O 3 ), may be mentioned, and these may be selected and used alone or in combination of two or more.

【0070】本実施態様においては、特に二酸化チタン
が、バンドギャップエネルギーが高く、化学的に安定で
毒性もなく、入手も容易であることから好適に使用され
る。二酸化チタンには、アナターゼ型とルチル型があり
本実施態様ではいずれも使用することができるが、アナ
ターゼ型の二酸化チタンが好ましい。アナターゼ型二酸
化チタンは励起波長が380nm以下にある。
In the present embodiment, titanium dioxide is particularly preferably used because it has a high band gap energy, is chemically stable, has no toxicity, and is easily available. Titanium dioxide includes anatase type and rutile type, and both can be used in the present embodiment, but anatase type titanium dioxide is preferable. Anatase type titanium dioxide has an excitation wavelength of 380 nm or less.

【0071】このようなアナターゼ型二酸化チタンとし
ては、例えば、塩酸解膠型のアナターゼ型チタニアゾル
(石原産業(株)製STS−02(平均粒径7nm)、
石原産業(株)製ST−K01)、硝酸解膠型のアナタ
ーゼ型チタニアゾル(日産化学(株)製TA−15(平
均粒径12nm))等を挙げることができる。
Examples of such anatase-type titanium dioxide include hydrochloric acid peptization-type anatase-type titania sol (STS-02 (average particle size 7 nm) manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.)
Examples include ST-K01 manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd. and a nitrate-deflocculating anatase-type titania sol (TA-15 manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd. (average particle size 12 nm)).

【0072】光触媒の粒径は小さいほど光触媒反応が効
果的に起こるので好ましく、平均粒径か50nm以下が
好ましく、20nm以下の光触媒を使用するのが特に好
ましい。
The smaller the particle size of the photocatalyst is, the more effectively the photocatalytic reaction takes place. The average particle size is preferably 50 nm or less, and the photocatalyst of 20 nm or less is particularly preferably used.

【0073】本実施態様に用いられる光触媒含有層中の
光触媒の含有量は、5〜60重量%、好ましくは20〜
40重量%の範囲で設定することができる。また、光触
媒含有層の厚みは、0.05〜10μmの範囲内が好ま
しい。
The content of the photocatalyst in the photocatalyst containing layer used in this embodiment is 5 to 60% by weight, preferably 20 to
It can be set in the range of 40% by weight. Further, the thickness of the photocatalyst-containing layer is preferably in the range of 0.05 to 10 μm.

【0074】b.バインダ 次に、本実施態様に使用するバインダについて説明す
る。本実施態様においては、光触媒含有層上の濡れ性の
変化をバインダ自体に光触媒が作用することにより行う
場合(第1の形態)と、エネルギー照射による光触媒の
作用により分解され、これにより光触媒含有層上の濡れ
性を変化させることができる分解物質を光触媒含有層に
含有させることにより変化させる場合(第2の形態)
と、これらを組み合わせることにより行う場合(第3の
形態)の三つ形態に分けることができる。上記第1の形
態および第3の形態において用いられるバインダは、光
触媒の作用により光触媒含有層上の濡れ性を変化させる
ことができる機能を有する必要があり、上記第2の形態
では、このような機能は特に必要ない。
B. Binder Next, the binder used in this embodiment will be described. In this embodiment, when the photocatalyst acts on the binder itself to change the wettability on the photocatalyst-containing layer (first embodiment), it is decomposed by the action of the photocatalyst by energy irradiation, whereby the photocatalyst-containing layer is formed. In the case where the photocatalyst-containing layer contains a decomposed substance capable of changing the wettability, the second substance is changed.
And a combination of these (3rd form). The binder used in the first and third forms needs to have a function of changing the wettability on the photocatalyst-containing layer by the action of the photocatalyst. No particular function is required.

【0075】以下、まず第2の形態に用いられるバイン
ダ、すなわち光触媒の作用により光触媒含有層上の濡れ
性を変化させる機能を特に必要としないバインダについ
て説明し、次に第1の形態および第3の形態に用いられ
るバインダ、すなわち光触媒の作用により光触媒含有層
上の濡れ性を変化させる機能を有するバインダについて
説明する。
Hereinafter, the binder used in the second embodiment, that is, the binder not requiring the function of changing the wettability on the photocatalyst containing layer by the action of the photocatalyst, will be described first, and then the first and third embodiments. The binder used in the above form, that is, the binder having the function of changing the wettability on the photocatalyst containing layer by the action of the photocatalyst will be described.

【0076】上記第2の形態に用いられる、光触媒の作
用により光触媒含有層上の濡れ性を変化させる機能を特
に必要としないバインダとしては、主骨格が上記光触媒
の光励起により分解されないような高い結合エネルギー
を有するものであれば特に限定されるものではない。具
体的には、有機置換基を有しない、もしくは多少有機置
換基を有するポリシロキサンを挙げることができ、これ
らはテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン等を
加水分解、重縮合することにより得ることができる。
As the binder used in the second embodiment, which does not require the function of changing the wettability on the photocatalyst containing layer by the action of the photocatalyst, a high bond whose main skeleton is not decomposed by photoexcitation of the photocatalyst is used. There is no particular limitation as long as it has energy. Specific examples thereof include polysiloxanes having no organic substituent or some organic substituents, which can be obtained by hydrolyzing and polycondensing tetramethoxysilane, tetraethoxysilane and the like. .

【0077】このようなバインダを用いた場合は、添加
剤として後述するエネルギー照射による光触媒の作用に
より分解され、これにより光触媒含有層上の濡れ性を変
化させることができる分解物質を光触媒含有層中に含有
させることが必須となる。
When such a binder is used, a decomposed substance which is decomposed by the action of a photocatalyst by the energy irradiation described later as an additive and thereby can change the wettability on the photocatalyst containing layer is added to the photocatalyst containing layer. Must be contained in

【0078】次に、上記第1の形態および第3の形態に
用いられる、光触媒の作用により光触媒含有層上の濡れ
性を変化させる機能を必要とするバインダについて説明
する。このようなバインダとしては、主骨格が上記の光
触媒の光励起により分解されないような高い結合エネル
ギーを有するものであって、光触媒の作用により分解さ
れるような有機置換基を有するものが好ましく、例え
ば、(1)ゾルゲル反応等によりクロロまたはアルコキ
シシラン等を加水分解、重縮合して大きな強度を発揮す
るオルガノポリシロキサン、(2)撥水牲や撥油性に優
れた反応性シリコーンを架橋したオルガノポリシロキサ
ン等を挙げることができる。
Next, the binder used in the first and third embodiments, which requires the function of changing the wettability on the photocatalyst containing layer by the action of the photocatalyst, will be described. As such a binder, those having a high binding energy such that the main skeleton is not decomposed by photoexcitation of the photocatalyst, and those having an organic substituent that is decomposed by the action of the photocatalyst are preferable, for example, (1) Organopolysiloxane that hydrolyzes and polycondenses chloro or alkoxysilane etc. by a sol-gel reaction or the like to exhibit great strength, and (2) organopolysiloxane obtained by crosslinking a reactive silicone excellent in water repellency and oil repellency. Etc. can be mentioned.

【0079】上記の(1)の場合、一般式: YSiX(4−n) (ここで、Yはアルキル基、フルオロアルキル基、ビニ
ル基、アミノ基、フェニル基またはエポキシ基を示し、
Xはアルコキシル基、アセチル基またはハロゲンを示
す。nは0〜3までの整数である。)で示される珪素化
合物の1種または2種以上の加水分解縮合物もしくは共
加水分解縮合物であるオルガノポリシロキサンであるこ
とが好ましい。なお、ここでYで示される基の炭素数は
1〜20の範囲内であることが好ましく、また、Xで示
されるアルコキシ基は、メトキシ基、エトキシ基、プロ
ポキシ基、ブトキシ基であることが好ましい。
In the case of the above (1), the general formula: Y n SiX (4-n) (wherein Y represents an alkyl group, a fluoroalkyl group, a vinyl group, an amino group, a phenyl group or an epoxy group,
X represents an alkoxyl group, an acetyl group or halogen. n is an integer from 0 to 3. It is preferable that the organopolysiloxane is a hydrolysis-condensation product or a co-hydrolysis-condensation product of one or more silicon compounds represented by the formula (1). The number of carbon atoms of the group represented by Y is preferably within the range of 1 to 20, and the alkoxy group represented by X is a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group or a butoxy group. preferable.

【0080】また、バインダとして、特にフルオロアル
キル基を含有するポリシロキサンが好ましく用いること
ができ、具体的には、下記のフルオロアルキルシランの
1種または2種以上の加水分解縮合物、共加水分解縮合
物が挙げられ、一般にフッ素系シランカップリング剤と
して知られたものを使用することができる。 CF(CFCHCHSi(OCH; CF(CFCHCHSi(OCH; CF(CFCHCHSi(OCH; CF(CFCHCHSi(OCH; (CFCF(CFCHCHSi(OC
; (CFCF(CFCHCHSi(OC
; (CFCF(CFCHCHSi(OC
; CF(C)CSi(OCH; CF(CF(C)CSi(OCH
; CF(CF(C)CSi(OCH
; CF(CF(C)CSi(OCH
; CF(CFCHCHSiCH(OC
; CF(CFCHCHSiCH(OC
; CF(CFCHCHSiCH(OC
; CF(CFCHCHSiCH(OC
; (CFCF(CFCHCHSiCH
(OCH; (CFCF(CFCHCHSi CH
(OCH; (CFCF(CFCHCHSi CH
(OCH; CF(C)CSiCH(OC
; CF(CF(C)CSiCH
(OCH; CF(CF(C)CSiCH
(OCH; CF(CF(C)CSiCH
(OCH; CF(CFCHCHSi(OCH
; CF(CFCHCHSi(OCH
; CF(CFCHCHSi(OCH
; CF(CFCHCHSi(OCH
; CF(CFSON(C)CCH
Si(OCH 上記のようなフルオロアルキル基を含有するポリシロキ
サンをバインダとして用いることにより、光触媒含有層
のエネルギー未照射部の撥液性が大きく向上し、金属コ
ロイド溶液の付着を妨げる機能を発現する。
As the binder, a polysiloxane containing a fluoroalkyl group can be preferably used. Specifically, one or more hydrolyzed condensates or co-hydrolyzed fluorofluorosilanes described below can be specifically used. Examples thereof include condensates, and those generally known as fluorine-based silane coupling agents can be used. CF 3 (CF 2) 3 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3; CF 3 (CF 2) 5 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3; CF 3 (CF 2) 7 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3; CF 3 (CF 2) 9 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3; (CF 3) 2 CF (CF 2) 4 CH 2 CH 2 Si (OC
H 3) 3; (CF 3 ) 2 CF (CF 2) 6 CH 2 CH 2 Si (OC
H 3) 3; (CF 3 ) 2 CF (CF 2) 8 CH 2 CH 2 Si (OC
H 3) 3; CF 3 ( C 6 H 4) C 2 H 4 Si (OCH 3) 3; CF 3 (CF 2) 3 (C 6 H 4) C 2 H 4 Si (OCH
3 ) 3 ; CF 3 (CF 2 ) 5 (C 6 H 4 ) C 2 H 4 Si (OCH
3 ) 3 ; CF 3 (CF 2 ) 7 (C 6 H 4 ) C 2 H 4 Si (OCH
3 ) 3 ; CF 3 (CF 2 ) 3 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OC
H 3) 2; CF 3 ( CF 2) 5 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OC
H 3) 2; CF 3 ( CF 2) 7 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OC
H 3 ) 2 ; CF 3 (CF 2 ) 9 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OC
H 3) 2; (CF 3 ) 2 CF (CF 2) 4 CH 2 CH 2 SiCH 3
(OCH 3 ) 2 ; (CF 3 ) 2 CF (CF 2 ) 6 CH 2 CH 2 Si CH
3 (OCH 3 ) 2 ; (CF 3 ) 2 CF (CF 2 ) 8 CH 2 CH 2 Si CH
3 (OCH 3 ) 2 ; CF 3 (C 6 H 4 ) C 2 H 4 SiCH 3 (OC
H 3) 2; CF 3 ( CF 2) 3 (C 6 H 4) C 2 H 4 SiCH
3 (OCH 3 ) 2 ; CF 3 (CF 2 ) 5 (C 6 H 4 ) C 2 H 4 SiCH
3 (OCH 3 ) 2 ; CF 3 (CF 2 ) 7 (C 6 H 4 ) C 2 H 4 SiCH
3 (OCH 3 ) 2 ; CF 3 (CF 2 ) 3 CH 2 CH 2 Si (OCH 2 C
H 3) 3; CF 3 ( CF 2) 5 CH 2 CH 2 Si (OCH 2 C
H 3 ) 3 ; CF 3 (CF 2 ) 7 CH 2 CH 2 Si (OCH 2 C
H 3) 3; CF 3 ( CF 2) 9 CH 2 CH 2 Si (OCH 2 C
H 3) 3; CF 3 ( CF 2) 7 SO 2 N (C 2 H 5) C 2 H 4 CH
2 Si (OCH 3 ) 3 By using the polysiloxane containing a fluoroalkyl group as described above as a binder, the liquid repellency of the energy-unirradiated portion of the photocatalyst-containing layer is significantly improved and the adhesion of the metal colloid solution is hindered. Express function.

【0081】また、上記の(2)の反応性シリコーンと
しては、下記一般式で表される骨格をもつ化合物を挙げ
ることができる。
As the reactive silicone of the above (2), compounds having a skeleton represented by the following general formula can be mentioned.

【0082】[0082]

【化1】 [Chemical 1]

【0083】ただし、nは2以上の整数であり、R
はそれぞれ炭素数1〜10の置換もしくは非置換の
アルキル、アルケニル、アリールあるいはシアノアルキ
ル基であり、モル比で全体の40%以下がビニル、フェ
ニル、ハロゲン化フェニルである。また、R、R
メチル基のものが表面エネルギーが最も小さくなるので
好ましく、モル比でメチル基が60%以上であることが
好ましい。また、鎖末端もしくは側鎖には、分子鎖中に
少なくとも1個以上の水酸基等の反応性基を有する。
However, n is an integer of 2 or more, and R 1 ,
R 2 is a substituted or unsubstituted alkyl, alkenyl, aryl or cyanoalkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and 40% or less by mole of the total is vinyl, phenyl or phenyl halide. Further, it is preferable that R 1 and R 2 have a methyl group because the surface energy becomes the smallest, and the molar ratio of the methyl group is preferably 60% or more. Further, the chain end or side chain has at least one reactive group such as a hydroxyl group in the molecular chain.

【0084】また、上記のオルガノポリシロキサンとと
もに、ジメチルポリシロキサンのような架橋反応をしな
い安定なオルガノシリコン化合物をバインダに混合して
もよい。
In addition to the above-mentioned organopolysiloxane, a stable organosilicon compound which does not cause a crosslinking reaction, such as dimethylpolysiloxane, may be mixed in the binder.

【0085】(分解物質)上記第2の形態および第3の
形態においては、さらにエネルギー照射による光触媒の
作用により分解され、これにより光触媒含有層上の濡れ
性を変化させることができる分解物質を光触媒含有層に
含有させる必要がある。すなわち、バインダ自体に光触
媒含有層上の濡れ性を変化させる機能が無い場合、およ
びそのような機能が不足している場合に、上述したよう
な分解物質を添加して、上記光触媒含有層上の濡れ性の
変化を起こさせる、もしくはそのような変化を補助させ
るようにするのである。
(Decomposition Material) In the second and third embodiments, a decomposition material which is decomposed by the action of the photocatalyst by energy irradiation and which can change the wettability on the photocatalyst containing layer is photocatalyst. It is necessary to include it in the containing layer. That is, when the binder itself does not have the function of changing the wettability on the photocatalyst-containing layer, and when such a function is insufficient, the decomposing substance as described above is added to the photocatalyst-containing layer. It causes a change in wettability or assists such a change.

【0086】このような分解物質としては、光触媒の作
用により分解し、かつ分解されることにより光触媒含有
層表面の濡れ性を変化させる機能を有する界面活性剤を
挙げることができる。具体的には、日光ケミカルズ
(株)製NIKKOL BL、BC、BO、BBの各シ
リーズ等の炭化水素系、デュポン社製ZONYL FS
N、FSO、旭硝子(株)製サーフロンS−141、1
45、大日本インキ化学工業(株)製メガファックF−
141、144、ネオス(株)製フタージェントF−2
00、F251、ダイキン工業(株)製ユニダインDS
−401、402、スリーエム(株)製フロラードFC
−170、176等のフッ素系あるいはシリコーン系の
非イオン界面活性剤を挙げることができ、また、カチオ
ン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、両性界面活性
剤を用いることもできる。
Examples of such a decomposing substance include a surfactant having a function of decomposing by the action of a photocatalyst and changing the wettability of the surface of the photocatalyst containing layer by being decomposed. Specifically, hydrocarbon series such as NIKKOL BL, BC, BO, and BB series manufactured by Nikko Chemicals Co., Ltd., ZONYL FS manufactured by DuPont.
N, FSO, Surflon S-141, 1 manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.
45, Dainippon Ink & Chemicals Co., Ltd. Megafac F-
141, 144, Neos Co., Ltd. Futagent F-2
00, F251, Daikin Industries, Ltd. Unidyne DS
-401, 402, Florade FC manufactured by 3M Co., Ltd.
Examples thereof include fluorine-based or silicone-based nonionic surfactants such as -170 and 176, and cationic surfactants, anionic surfactants and amphoteric surfactants can also be used.

【0087】また、界面活性剤の他にも、ポリビニルア
ルコール、不飽和ポリエステル、アクリル樹脂、ポリエ
チレン、ジアリルフタレート、エチレンプロピレンジエ
ンモノマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリウレ
タン、メラミン樹脂、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニ
ル、ポリアミド、ポリイミド、スチレンブタジエンゴ
ム、クロロプレンゴム、ポリプロピレン、ポリブチレ
ン、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ナイロン、ポリエ
ステル、ポリブタジエン、ポリベンズイミダゾール、ポ
リアクリルニトリル、エピクロルヒドリン、ポリサルフ
ァイド、ポリイソプレン等のオリゴマー、ポリマー等を
挙げることができる。
In addition to the surfactant, polyvinyl alcohol, unsaturated polyester, acrylic resin, polyethylene, diallyl phthalate, ethylene propylene diene monomer, epoxy resin, phenol resin, polyurethane, melamine resin, polycarbonate, polyvinyl chloride, Polyamide, polyimide, styrene butadiene rubber, chloroprene rubber, polypropylene, polybutylene, polystyrene, polyvinyl acetate, nylon, polyester, polybutadiene, polybenzimidazole, polyacrylonitrile, epichlorohydrin, polysulfide, polyisoprene, etc. You can

【0088】(フッ素の含有)また、本実施態様におい
ては、光触媒含有層がフッ素を含有し、さらにこの光触
媒含有層表面のフッ素含有量が、光触媒含有層に対しエ
ネルギーを照射した際に、上記光触媒の作用によりエネ
ルギー照射前に比較して低下するように上記光触媒含有
層が形成されていることが好ましい。
(Containing Fluorine) In the present embodiment, the photocatalyst-containing layer contains fluorine, and the fluorine content on the surface of the photocatalyst-containing layer is the above when the photocatalyst-containing layer is irradiated with energy. It is preferable that the photocatalyst-containing layer is formed so as to be reduced by the action of the photocatalyst as compared with before the energy irradiation.

【0089】このような特徴を有する光触媒含有層であ
れば、エネルギーをパターン照射することにより、後述
するように容易にフッ素の含有量の少ない部分からなる
パターンを形成することができる。ここで、フッ素は極
めて低い表面エネルギーを有するものであり、このため
フッ素を多く含有する物質の表面は、臨界表面張力がよ
り小さくなる。したがって、フッ素の含有量の多い部分
の表面の臨界表面張力に比較してフッ素の含有量の少な
い部分の臨界表面張力は大きくなる。これはすなわち、
フッ素含有量の少ない部分はフッ素含有量の多い部分に
比較して親液性領域となっていることを意味する。よっ
て、周囲の表面に比較してフッ素含有量の少ない部分か
らなるパターンを形成することは、撥液性域内に親液性
領域のパターンを形成することとなる。
With the photocatalyst-containing layer having such characteristics, it is possible to easily form a pattern composed of a portion having a low fluorine content, as will be described later, by performing pattern irradiation with energy. Here, since fluorine has an extremely low surface energy, the surface of a substance containing a large amount of fluorine has a smaller critical surface tension. Therefore, the critical surface tension of the portion containing a small amount of fluorine becomes higher than the critical surface tension of the surface of the portion containing a large amount of fluorine. This means that
A portion having a low fluorine content means a lyophilic region as compared with a portion having a high fluorine content. Therefore, forming a pattern composed of a portion having a smaller fluorine content than that of the surrounding surface forms a pattern of the lyophilic region in the lyophobic region.

【0090】したがって、このような光触媒含有層を用
いた場合は、エネルギーをパターン照射することによ
り、撥液性領域内に親液性領域のパターンを容易に形成
することができるので、金属コロイド溶液を全面に塗布
した場合でも、この親液性領域のみに金属コロイド溶液
を付着させ、導電性パターン形成体を形成することが容
易に可能となり、低コストで高精細な導電性パターンを
形成することができる。
Therefore, when such a photocatalyst containing layer is used, the pattern of the lyophilic region can be easily formed in the lyophobic region by irradiating the pattern with energy, so that the metal colloid solution is used. Even when applied to the entire surface, it becomes possible to easily form a conductive pattern forming body by attaching the metal colloid solution only to this lyophilic region, and to form a highly precise conductive pattern at low cost. You can

【0091】上述したような、フッ素を含む光触媒含有
層中に含まれるフッ素の含有量としては、エネルギーが
照射されて形成されたフッ素含有量が低い親液性領域に
おけるフッ素含有量が、エネルギー照射されていない部
分のフッ素含有量を100とした場合に10以下、好ま
しくは5以下、特に好ましくは1以下であることが好ま
しい。
As the content of fluorine contained in the photocatalyst containing layer containing fluorine as described above, the fluorine content in the lyophilic region having a low fluorine content formed by irradiation with energy is the energy irradiation. It is preferable that the fluorine content of the portion not treated is 100 or less, preferably 5 or less, and particularly preferably 1 or less, when the fluorine content is 100.

【0092】このような範囲内とすることにより、エネ
ルギー照射部分と未照射部分との親液性に大きな違いを
生じさせることができる。したがって、このような光触
媒含有層に導電性パターンを形成することにより、フッ
素含有量が低下した親液性領域のみに正確に導電性パタ
ーンを形成することが可能となり、精度良く導電性パタ
ーン形成体を得ることができるからである。なお、この
低下率は重量を基準としたものである。
Within such a range, it is possible to make a large difference in the lyophilicity between the energy-irradiated portion and the unirradiated portion. Therefore, by forming a conductive pattern in such a photocatalyst-containing layer, it becomes possible to accurately form a conductive pattern only in the lyophilic region in which the fluorine content is lowered, and it is possible to accurately form the conductive pattern forming body. Because you can get The rate of decrease is based on weight.

【0093】このような光触媒含有層中のフッ素含有量
の測定は、一般的に行われている種々の方法を用いるこ
とが可能であり、例えばX線光電子分光法(X-ray Phot
oelectron Spectroscopy, ESCA(Electron Spectroscop
y for Chemical Analysis)とも称される。)、蛍光X線
分析法、質量分析法等の定量的に表面のフッ素の量を測
定できる方法であれば特に限定されるものではない。
The fluorine content in the photocatalyst-containing layer can be measured by various commonly used methods, for example, X-ray photoelectron spectroscopy (X-ray Phot spectroscopy).
oelectron Spectroscopy, ESCA (Electron Spectroscop
y for Chemical Analysis). ), A fluorescent X-ray analysis method, a mass spectrometry method, or the like, as long as the amount of fluorine on the surface can be quantitatively measured.

【0094】また、本実施態様においては、光触媒とし
て上述したように二酸化チタンが好適に用いられるが、
このように二酸化チタンを用いた場合の、光触媒含有層
中に含まれるフッ素の含有量としては、X線光電子分光
法で分析して定量化すると、チタン(Ti)元素を10
0とした場合に、フッ素(F)元素が500以上、この
ましくは800以上、特に好ましくは1200以上とな
る比率でフッ素(F)元素が光触媒含有層表面に含まれ
ていることが好ましい。
In this embodiment, titanium dioxide is preferably used as the photocatalyst as described above.
As described above, the content of fluorine contained in the photocatalyst containing layer when titanium dioxide is used is 10% of titanium (Ti) element when analyzed and quantified by X-ray photoelectron spectroscopy.
When the value is 0, it is preferable that the fluorine (F) element is contained in the photocatalyst-containing layer surface in a ratio of 500 or more, preferably 800 or more, and particularly preferably 1200 or more.

【0095】フッ素(F)が光触媒含有層にこの程度含
まれることにより、光触媒含有層上における臨界表面張
力を十分低くすることが可能となることから表面におけ
る撥液性を確保でき、これによりエネルギーをパターン
照射してフッ素含有量を減少させたパターン部分におけ
る表面の親液性領域との濡れ性の差異を大きくすること
ができ、最終的に得られる導電性パターン形成体の精度
を向上させることができるからである。
By including fluorine (F) in the photocatalyst-containing layer to such an extent, the critical surface tension on the photocatalyst-containing layer can be made sufficiently low, so that the liquid repellency on the surface can be ensured, and thus the energy can be secured. It is possible to increase the difference in wettability with the lyophilic region of the surface in the pattern portion where the fluorine content is reduced by pattern irradiation, and improve the accuracy of the finally obtained conductive pattern formed body. Because you can

【0096】さらに、このような導電性パターン形成体
においては、エネルギーをパターン照射して形成される
親インク領域におけるフッ素含有量が、チタン(Ti)
元素を100とした場合にフッ素(F)元素が50以
下、好ましくは20以下、特に好ましくは10以下とな
る比率で含まれていることが好ましい。
Further, in such a conductive pattern forming body, the fluorine content in the ink-philic area formed by pattern irradiation with energy is titanium (Ti).
When the element is 100, it is preferable that the fluorine (F) element is contained in a ratio of 50 or less, preferably 20 or less, and particularly preferably 10 or less.

【0097】光触媒含有層中のフッ素の含有率をこの程
度低減することができれば、導電性パターンを形成する
ためには十分な親液性を得ることができ、上記エネルギ
ーが未照射である部分の撥液性との濡れ性の差異によ
り、導電性パターンを精度良く形成することが可能とな
り、利用価値の高い導電性パターン形成体を得ることが
できる。
If the content of fluorine in the photocatalyst containing layer can be reduced to this extent, sufficient lyophilicity can be obtained for forming a conductive pattern, and the portion of the portion not irradiated with the above energy can be obtained. Due to the difference in wettability from the liquid repellency, it becomes possible to form the conductive pattern with high accuracy, and it is possible to obtain a conductive pattern forming body with high utility value.

【0098】c.光触媒含有層の製造方法 上述したようにオルガノポリシロキサンをバインダとし
て用いた場合は、上記光触媒含有層は、光触媒とバイン
ダであるオルガノポリシロキサンとを必要に応じて他の
添加剤とともに溶剤中に分散して塗布液を調製し、この
塗布液を基材上に塗布することにより形成することがで
きる。使用する溶剤としては、エタノール、イソプロパ
ノール等のアルコール系の有機溶剤が好ましい。塗布は
スピンコート、スプレーコート、ディッブコート、ロー
ルコート、ビードコート等の公知の塗布方法により行う
ことができる。バインダとして紫外線硬化型の成分を含
有している場合、紫外線を照射して硬化処理を行うこと
により光触媒含有層を形成することができる。
C. Method for producing photocatalyst-containing layer When the organopolysiloxane is used as a binder as described above, the photocatalyst-containing layer is prepared by dispersing the photocatalyst and the organopolysiloxane that is the binder in a solvent together with other additives as necessary. Then, a coating solution is prepared, and the coating solution is applied onto a base material to form a coating solution. As the solvent used, alcohol-based organic solvents such as ethanol and isopropanol are preferable. The coating can be carried out by a known coating method such as spin coating, spray coating, dip coating, roll coating or bead coating. When the binder contains an ultraviolet curable component, the photocatalyst-containing layer can be formed by irradiating ultraviolet rays to perform a curing treatment.

【0099】(基材)本実施態様においては、図1に示
すように、パターン形成体用基板3は、少なくとも基材
1とこの基材1上に形成された光触媒含有層2とを有す
るものである。
(Substrate) In the present embodiment, as shown in FIG. 1, the pattern forming substrate 3 has at least the substrate 1 and the photocatalyst containing layer 2 formed on the substrate 1. Is.

【0100】この際、用いられる基材を構成する材料
は、後述する濡れ性パターン形成工程におけるエネルギ
ーの照射方向や、得られる導電性パターン形成体が透明
性を必要とするか等により適宜選択される。すなわち、
光触媒含有層側から照射される場合は、特に基材に透明
性は要求されないが、基材側からエネルギーが照射され
る場合は、基材が透明であることが必要となる。
At this time, the material constituting the substrate used is appropriately selected depending on the direction of energy irradiation in the wettability pattern forming step described later, whether the obtained conductive pattern forming body needs to be transparent or the like. It That is,
When the photocatalyst-containing layer side is irradiated, the base material is not particularly required to be transparent, but when the energy is irradiated from the base material side, the base material needs to be transparent.

【0101】また本実施態様に用いられる基材は、可撓
性を有するもの、例えば樹脂製フィルム等であってもよ
いし、可撓性を有さないもの、例えばガラス基板等であ
ってもよい。
The substrate used in this embodiment may be a flexible one, such as a resin film, or a non-flexible one, such as a glass substrate. Good.

【0102】なお、基材表面と光触媒含有層との密着性
を向上させるために、基材上にプライマー層を形成する
ようにしてもよい。このようなプライマー層としては、
例えば、シラン系、チタン系のカップリング剤等を挙げ
ることができる。
A primer layer may be formed on the substrate in order to improve the adhesion between the substrate surface and the photocatalyst containing layer. As such a primer layer,
Examples thereof include silane-based and titanium-based coupling agents.

【0103】(遮光部)本実施態様に用いられるパター
ン形成体用基板には、パターン状に形成された遮光部が
形成されたものを用いても良い。このように遮光部を有
する場合は、エネルギー照射に際して、フォトマスクを
用いたり、レーザ光による描画照射を行う必要がない。
したがって、パターン形成体用基板とフォトマスクとの
位置合わせが不要であることから、簡便な工程とするこ
とが可能であり、また描画照射に必要な高価な装置も不
必要であることから、コスト的に有利となるという利点
を有する。
(Light-Shielding Part) The pattern-forming body substrate used in the present embodiment may be one having a light-shielding part formed in a pattern. In the case where the light-shielding portion is provided as described above, it is not necessary to use a photomask or to perform drawing irradiation with laser light at the time of energy irradiation.
Therefore, since it is not necessary to align the pattern forming substrate and the photomask, a simple process can be performed, and an expensive device necessary for drawing irradiation is not necessary, which results in cost reduction. It has an advantage that it becomes advantageous.

【0104】このような遮光部の形成位置としては、基
材上に形成し、その上から光触媒含有層を形成する場
合、すなわち基材と光触媒含有層との間に形成する場合
と、基材の光触媒含有層が形成されていない側の表面に
パターン状に形成する場合とがある。
The light-shielding portion is formed on the base material, and the photocatalyst-containing layer is formed thereon, that is, between the base material and the photocatalyst-containing layer. In some cases, it is formed in a pattern on the surface on the side where the photocatalyst containing layer is not formed.

【0105】いずれの場合も、エネルギーの照射は、基
材側からとなるが、全面に照射することにより光触媒含
有層表面にパターン状に濡れ性パターンを形成すること
ができる。
In any case, the irradiation of energy is from the substrate side, but by irradiating the entire surface, a wettability pattern can be formed in a pattern on the surface of the photocatalyst containing layer.

【0106】このような遮光部の形成方法は、特に限定
されるものではなく、遮光部の形成面の特性や、必要と
するエネルギーに対する遮蔽性等に応じて適宜選択され
て用いられる。
The method of forming such a light-shielding portion is not particularly limited, and is appropriately selected and used according to the characteristics of the surface on which the light-shielding portion is formed, the shielding property against required energy, and the like.

【0107】例えば、スパッタリング法、真空蒸着法等
により厚み1000〜2000Å程度のクロム等の金属
薄膜を形成し、この薄膜をパターニングすることにより
形成されてもよい。このパターニングの方法としては、
スパッタ等の通常のパターニング方法を用いることがで
きる。
For example, it may be formed by forming a thin metal film of chromium or the like having a thickness of about 1000 to 2000 Å by a sputtering method, a vacuum deposition method or the like, and patterning this thin film. As a method of this patterning,
A usual patterning method such as sputtering can be used.

【0108】また、樹脂バインダ中にカーボン微粒子、
金属酸化物、無機顔料、有機顔料等の遮光性粒子を含有
させた層をパターン状に形成する方法であってもよい。
用いられる樹脂バインダとしては、ポリイミド樹脂、ア
クリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアクリルアミド、ポリ
ビニルアルコール、ゼラチン、カゼイン、セルロース等
の樹脂を1種または2種以上混合したものや、感光性樹
脂、さらにはO/Wエマルジョン型の樹脂組成物、例え
ば、反応性シリコーンをエマルジョン化したもの等を用
いることができる。このような樹脂製遮光部の厚みとし
ては、0.5〜10μmの範囲内で設定することができ
る。このよう樹脂製遮光部のパターニングの方法は、フ
ォトリソ法、印刷法等一般的に用いられている方法を用
いることができる。
In addition, carbon fine particles in the resin binder,
A method may be used in which a layer containing light-shielding particles such as metal oxides, inorganic pigments, and organic pigments is formed in a pattern.
As the resin binder used, one or a mixture of two or more resins such as polyimide resin, acrylic resin, epoxy resin, polyacrylamide, polyvinyl alcohol, gelatin, casein, and cellulose, a photosensitive resin, and O / It is possible to use a W emulsion type resin composition, for example, an emulsion of reactive silicone. The thickness of such a resin light-shielding portion can be set within the range of 0.5 to 10 μm. As a method of patterning the resin light-shielding portion, a generally used method such as a photolithography method or a printing method can be used.

【0109】(2)濡れ性パターン形成工程 本実施態様においては、次に、上記光触媒含有層表面
に、所定の方向からエネルギーをパターン照射すること
により、上記光触媒含有層表面に親液性領域と撥液性領
域とからなる濡れ性パターンを形成する濡れ性パターン
形成工程が行われる。
(2) Wettability Pattern Forming Step In the present embodiment, the surface of the photocatalyst containing layer is then subjected to pattern irradiation with energy from a predetermined direction to form a lyophilic region on the surface of the photocatalyst containing layer. A wettability pattern forming step of forming a wettability pattern including a liquid repellent region is performed.

【0110】なお、本実施態様でいうエネルギー照射
(露光)とは、光触媒含有層表面の濡れ性を変化させる
ことが可能ないかなるエネルギー線の照射をも含む概念
であり、可視光の照射に限定されるものではない。
The energy irradiation (exposure) in the present embodiment is a concept including irradiation with any energy ray capable of changing the wettability of the surface of the photocatalyst containing layer, and is limited to irradiation with visible light. It is not something that will be done.

【0111】通常このようなエネルギー照射に用いる光
の波長は、400nm以下の範囲、好ましくは380n
m以下の範囲から設定される。これは、上述したように
光触媒含有層に用いられる好ましい光触媒が二酸化チタ
ンであり、この二酸化チタンにより光触媒作用を活性化
させるエネルギーとして、上述した波長の光が好ましい
からである。
The wavelength of light used for such energy irradiation is usually in the range of 400 nm or less, preferably 380 n.
It is set from a range of m or less. This is because the preferable photocatalyst used in the photocatalyst-containing layer is titanium dioxide as described above, and the light having the above-mentioned wavelength is preferable as the energy for activating the photocatalytic action by the titanium dioxide.

【0112】このようなエネルギー照射に用いることが
できる光源としては、水銀ランプ、メタルハライドラン
プ、キセノンランプ、エキシマランプ、その他種々の光
源を挙げることができる。
Examples of light sources that can be used for such energy irradiation include mercury lamps, metal halide lamps, xenon lamps, excimer lamps, and various other light sources.

【0113】上述したような光源を用い、フォトマスク
を介したパターン照射により行う方法の他、エキシマ、
YAG等のレーザを用いてパターン状に描画照射する方
法を用いることも可能である。
In addition to the method of performing pattern irradiation through a photomask using the above-mentioned light source, excimer,
It is also possible to use a method of drawing and irradiating in a pattern using a laser such as YAG.

【0114】また、エネルギー照射に際してのエネルギ
ーの照射量は、光触媒含有層表面が光触媒含有層中の光
触媒の作用により光触媒含有層表面の濡れ性の変化が行
われるのに必要な照射量とする。
Further, the irradiation amount of energy at the time of energy irradiation is the irradiation amount necessary for the surface of the photocatalyst containing layer to change the wettability of the surface of the photocatalyst containing layer by the action of the photocatalyst in the photocatalyst containing layer.

【0115】この際、光触媒含有層を加熱しながらエネ
ルギー照射することにより、感度を上昇させることが可
能となり、効率的な濡れ性の変化を行うことができる点
で好ましい。具体的には30℃〜80℃の範囲内で加熱
することが好ましい。
At this time, by irradiating energy while heating the photocatalyst containing layer, the sensitivity can be increased, and the wettability can be efficiently changed, which is preferable. Specifically, it is preferable to heat within the range of 30 ° C to 80 ° C.

【0116】本実施態様におけるエネルギー照射方向
は、上述したように、基材が透明である場合は、基材側
および光触媒含有層側のいずれの方向からフォトマスク
を介したパターンエネルギー照射もしくはレーザの描画
照射を行っても良い。一方、基材が不透明な場合は、光
触媒含有層側からエネルギー照射を行なう必要があり、
また遮光部を形成した場合は、基材側からエネルギー照
射を行う必要がある。
As described above, when the base material is transparent, the direction of energy irradiation in this embodiment is either pattern material irradiation through a photomask or laser light irradiation from either the base material side or the photocatalyst containing layer side. Drawing irradiation may be performed. On the other hand, when the substrate is opaque, it is necessary to perform energy irradiation from the photocatalyst containing layer side,
Further, when the light shielding portion is formed, it is necessary to perform energy irradiation from the base material side.

【0117】(3)金属コロイド溶液塗布工程 本実施態様においては、次に、上記濡れ性パターンが形
成されたパターン形成体用基板表面に、金属コロイド溶
液を全面に塗布することにより、親液性領域にのみ金属
コロイド溶液を付着させる金属コロイド溶液塗布工程が
行われる。
(3) Metal Colloid Solution Coating Step In the present embodiment, next, the metal colloid solution is applied over the entire surface of the substrate for a pattern forming body on which the wettability pattern is formed, thereby making it lyophilic. A metal colloid solution coating step is performed in which the metal colloid solution is attached only to the region.

【0118】上記金属コロイド溶液の塗布は、光触媒含
有層上に金属コロイド溶液を塗布することが可能であれ
ば、その方法は特に限定されるものではなく、具体的に
はディップコーティング法もしくはスピンコーティング
法のような特性変化層全面に塗布する方法であってもよ
く、ノズル吐出法のように、目的とするパターン状に上
記金属コロイド溶液を塗布する方法であってもよい。ま
た、ノズル吐出法の中では製造効率が良好であること等
からインクジェット法であることが好ましい。
The coating method of the metal colloid solution is not particularly limited as long as the metal colloid solution can be coated on the photocatalyst containing layer, and specifically, dip coating method or spin coating method. A method of coating the entire surface of the property changing layer, such as a method, or a method of coating the metal colloidal solution in a desired pattern, such as a nozzle discharge method, may be used. Among the nozzle ejection methods, the inkjet method is preferable because of its good manufacturing efficiency.

【0119】本実施態様に用いられる金属コロイド溶液
の粘度は、1〜100cps、好ましくは5〜50cp
s、特に10〜20cpsの範囲内であることが好まし
く、またその濃度は、1〜70wt%、好ましくは10〜
50wt%、特に20〜30wt%の範囲内であることが好ま
しい。上記範囲より粘度および濃度が低い場合は、用途
にもよるものではあるが、得られる金属パターンの膜厚
が薄すぎるため実用に供することが困難となる場合があ
ることから好ましくない。一方、上記範囲より粘度およ
び濃度が高い場合は、このような金属コロイド溶液を全
面に塗布した場合に、パターニングができなくなる可能
性があることから好ましくない。
The viscosity of the metal colloid solution used in this embodiment is 1 to 100 cps, preferably 5 to 50 cp.
s, especially in the range of 10 to 20 cps, and its concentration is 1 to 70 wt%, preferably 10 to
It is preferably in the range of 50 wt%, particularly 20 to 30 wt%. When the viscosity and the concentration are lower than the above ranges, it depends on the use, but it is not preferable because it may be difficult to put into practical use because the film thickness of the obtained metal pattern is too thin. On the other hand, if the viscosity and the concentration are higher than the above ranges, patterning may not be possible when such a metal colloid solution is applied to the entire surface, which is not preferable.

【0120】さらに、上記金属コロイド溶液における表
面張力は、20mN/m以上、好ましくは50mN/m以
上、特に70mN/m以上であることが好ましい。表面張力
が上記範囲より低い場合は、撥液性領域における接触角
を大きくとることができない可能性があり、その結果撥
液性領域にも金属コロイド溶液が残存する可能性がある
ことから好ましくない。なお、この金属コロイド溶液の
表面張力の上限に関しては、特に限定されるものではな
いが、80mN/m以下であることが好ましいといえ
る。
Further, the surface tension of the metal colloid solution is preferably 20 mN / m or more, preferably 50 mN / m or more, and particularly 70 mN / m or more. If the surface tension is lower than the above range, it may not be possible to obtain a large contact angle in the liquid repellent region, and as a result, the metal colloid solution may remain in the liquid repellent region, which is not preferable. . The upper limit of the surface tension of the metal colloid solution is not particularly limited, but it can be said that it is preferably 80 mN / m or less.

【0121】このように、本実施態様に用いられる金属
コロイド溶液としては、表面張力の大きな溶液であるこ
とが好ましい。これは、上述したように全面に塗布した
際に親液性領域以外の撥液性領域に塗布された金属コロ
イド溶液が除去されるか、親液性領域に集まる必要があ
り、このためには、撥液性領域での金属コロイド溶液の
接触角が大きい方が好ましいからである。このような観
点から、本実施態様においては水を媒体とした金属コロ
イド水溶液を用いることが好ましい。
As described above, the metal colloid solution used in the present embodiment is preferably a solution having a large surface tension. This is because it is necessary to remove the metal colloid solution applied to the liquid repellent area other than the lyophilic area when it is applied to the entire surface as described above, or to collect in the lyophilic area. This is because it is preferable that the contact angle of the metal colloid solution in the liquid repellent region is large. From this point of view, in the present embodiment, it is preferable to use an aqueous metal colloid solution using water as a medium.

【0122】また、本実施態様において用いられる金属
コロイド溶液に用いられる金属の種類としては、銀また
は金であることが好ましい。導電性が良好でありかつ耐
腐食性を有するものだからである。
Further, the kind of metal used in the metal colloid solution used in this embodiment is preferably silver or gold. This is because they have good conductivity and corrosion resistance.

【0123】したがって、本実施態様においては、金コ
ロイド水溶液もしくは銀コロイド水溶液を用いることが
好ましい。
Therefore, in this embodiment, it is preferable to use an aqueous gold colloid solution or an aqueous silver colloid solution.

【0124】(4)導電性パターン形成工程 本実施態様においては、最後に、上記光触媒含有層上の
親液性領域に付着した金属コロイド溶液を固化させて導
電性パターンとする導電性パターン形成工程が行われ、
最終的にパターン形成体用基板を導電性パターン形成体
にする。
(4) Conductive Pattern Forming Step In the present embodiment, finally, a conductive pattern forming step of solidifying the metal colloid solution attached to the lyophilic region on the photocatalyst-containing layer to form a conductive pattern. Is done
Finally, the substrate for pattern forming body is made into a conductive pattern forming body.

【0125】ここで用いられる固化方法としては加熱が
最も一般的であり、100℃〜700℃の範囲内、好ま
しくは250℃〜500℃の範囲内で加熱され、加熱時
間としては、10分〜60分の範囲内、好ましくは20
分〜40分の範囲内である。
Heating is the most common solidification method used here, and heating is performed within the range of 100 ° C. to 700 ° C., preferably within the range of 250 ° C. to 500 ° C., and the heating time is 10 minutes to In the range of 60 minutes, preferably 20
It is within the range of 40 minutes.

【0126】(5)非画線部除去工程 本実施態様の導電性パターン形成体の製造方法において
は、上記工程の他に、導電性パターン部が形成されてい
ない非導電性パターン部を除去する非画線部除去工程を
有していてもよい。上述した光触媒含有層が導電性であ
る場合には、導電性パターン形成体上に導電性パターン
を有していても、導電性パターン形成体とすることが困
難であることから、上記非導電性パターン部の光触媒含
有層を除去することにより、基材を露出させ、導電性パ
ターン形成体とするのである。この際、基材は上述した
中でも絶縁性の材料であることが必要である。
(5) Non-image area removing step In the method of manufacturing a conductive pattern forming body according to the present embodiment, in addition to the above steps, the non-conductive pattern area where the conductive pattern area is not formed is removed. You may have a non-image area removal process. When the photocatalyst-containing layer described above is conductive, even if it has a conductive pattern on the conductive pattern forming body, it is difficult to form a conductive pattern forming body. By removing the photocatalyst containing layer in the pattern portion, the base material is exposed to form a conductive pattern forming body. At this time, the base material needs to be an insulating material among the above.

【0127】ここで、導電性パターン部とは、上述した
導電性パターン形成工程で形成された導電性パターンが
形成された部位であり、非導電性パターン部とは、上記
光触媒含有層上に上記導電性パターン部が形成された部
位以外の、光触媒含有層が表面に露出した部位をいう。
Here, the conductive pattern portion is a portion where the conductive pattern formed in the above-mentioned conductive pattern forming step is formed, and the non-conductive pattern portion is above the photocatalyst containing layer. It means a portion where the photocatalyst containing layer is exposed on the surface, other than the portion where the conductive pattern portion is formed.

【0128】本実施態様の非画線部除去工程は、例え
ば、上記導電性パターン形成工程により形成されたパタ
ーン形成体用基板(図2(a))の導電性パターン8領
域以外の表面に露出した光触媒含有層からなる非画線部
10を除去する工程であり(図2(b))、非画線部1
0を除去し、基材1を露出させることが可能であれば、
その方法等は特に限定されるものではない。
In the non-image area removing step of this embodiment, for example, the pattern forming body substrate (FIG. 2 (a)) formed in the conductive pattern forming step is exposed on the surface other than the conductive pattern 8 region. This is a step of removing the non-image area 10 composed of the photocatalyst-containing layer (FIG. 2B).
If it is possible to remove 0 and expose the substrate 1,
The method and the like are not particularly limited.

【0129】この非画線部を除去する具体的な方法とし
ては、アルカリ溶液、またはフッ酸や濃硫酸等の強酸を
スプレーにより塗布する方法や、浸漬する方法等が挙げ
られる。
Specific examples of the method for removing the non-image area include a method of spraying an alkaline solution or a strong acid such as hydrofluoric acid or concentrated sulfuric acid, and a method of dipping.

【0130】(6)その他 本実施態様においては、上記導電性パターン形成体上
に、さらに電気めっきを施すことにより、導電性パター
ンの膜厚を厚くするようにしてもよい。このようにする
ことにより、導電性パターンの抵抗を下げることが可能
となると同時に、導電性パターンの光触媒含有層への付
着強度を向上させることができ、高品質、高精細な配線
板とすることができるからである。
(6) Others In this embodiment, the thickness of the conductive pattern may be increased by further electroplating the conductive pattern forming body. By doing this, it is possible to reduce the resistance of the conductive pattern and at the same time improve the adhesion strength of the conductive pattern to the photocatalyst-containing layer, and to provide a high-quality, high-definition wiring board. Because you can

【0131】また、本実施態様においては、得られた導
電性パターンの基材に対する密着性向上等の理由から、
得られた導電性パターン上に保護層を形成するようにし
てもよい。
Further, in the present embodiment, for the reason of improving the adhesion of the obtained conductive pattern to the substrate,
You may make it form a protective layer on the obtained electroconductive pattern.

【0132】2.第二実施態様 次に、本発明の導電性パターン形成体の製造方法の第二
実施態様について説明する。本実施態様の導電性パター
ン形成体の製造方法は、基材と、上記基材上に形成さ
れ、少なくとも光触媒が含有された光触媒処理層と、上
記光触媒処理層上に形成され、エネルギー照射部分の濡
れ性が液体の接触角の低下する方向に変化する層である
濡れ性変化層とからなるパターン形成体用基板を調製す
るパターン形成体用基板調製工程と、上記濡れ性変化層
にパターン状にエネルギーを照射することにより、上記
濡れ性変化層上に撥液性領域と親液性領域とからなる濡
れ性パターンを形成する濡れ性パターン形成工程と、上
記濡れ性パターンが形成された濡れ性変化層表面に、金
属コロイド溶液を塗布することにより、親液性領域にの
み金属コロイド溶液を付着させる金属コロイド溶液塗布
工程と、上記濡れ性パターンの親液性領域に付着した金
属コロイド溶液を固化させて導電性パターンとする導電
性パターン形成工程とを有することを特徴とするもので
ある。
2. Second Embodiment Next, a second embodiment of the method for producing a conductive pattern forming body of the present invention will be described. The method for producing a conductive pattern forming body of the present embodiment, a substrate, a photocatalyst treatment layer formed on the substrate, at least a photocatalyst is contained, and formed on the photocatalyst treatment layer, the energy irradiation portion of A pattern forming body substrate preparing step of preparing a pattern forming body substrate consisting of a wettability changing layer which is a layer in which the wettability changes in a direction in which the contact angle of the liquid decreases, and the wettability changing layer is patterned in a pattern. A wettability pattern forming step of forming a wettability pattern composed of a liquid repellent region and a lyophilic region on the wettability change layer by irradiating energy, and a wettability change in which the wettability pattern is formed. By applying a metal colloid solution to the surface of the layer, the metal colloid solution application step of attaching the metal colloid solution only to the lyophilic area and the attachment to the lyophilic area of the wettability pattern It is characterized in that it has a conductive pattern formation step of the metal colloid solution to solidify the a conductive pattern was.

【0133】このように、本実施態様の導電性パターン
形成体の製造方法においては、濡れ性変化層に対してパ
ターン状にエネルギー照射を行うことにより、容易にエ
ネルギー照射部を親液性領域、エネルギー未照射部を撥
液性領域としたパターンを形成することが可能である。
このパターン状に形成された親液性領域にのみ、金属コ
ロイド溶液を付着させることが可能となり、これを固化
させることにより、容易に導電性パターン形成体を製造
することが可能となるのである。
As described above, in the method for manufacturing a conductive pattern forming body according to the present embodiment, by irradiating the wettability changing layer with energy in a pattern, the energy irradiating portion can be easily changed to the lyophilic region. It is possible to form a pattern in which the energy non-irradiated area is a liquid repellent area.
The metal colloid solution can be attached only to the lyophilic region formed in this pattern, and by solidifying the solution, the conductive pattern forming body can be easily manufactured.

【0134】このような導電性パターン形成体の製造方
法は、例えば図3に示すように、基材1上に光触媒処理
層11を形成する(図3(a)参照)。次に、上記光触
媒処理層11上に濡れ性変化層12を形成する(図3
(b)参照)。この濡れ性変化層12に、図3(c)に
示すように、必要とされるパターンが描かれたフォトマ
スク4を配置し、これを介して紫外光5を照射する。こ
れにより、図3(d)に示すように、濡れ性変化層12
表面に、親液性領域6および撥液性領域7とからなる濡
れ性パターンが形成される(濡れ性パターン形成工
程)。
In the method of manufacturing such a conductive pattern forming body, for example, as shown in FIG. 3, the photocatalyst processing layer 11 is formed on the base material 1 (see FIG. 3A). Next, the wettability changing layer 12 is formed on the photocatalyst processing layer 11 (FIG. 3).
(See (b)). As shown in FIG. 3C, a photomask 4 on which a required pattern is drawn is arranged on the wettability changing layer 12, and ultraviolet light 5 is irradiated through the photomask 4. As a result, as shown in FIG. 3D, the wettability changing layer 12
A wettability pattern composed of the lyophilic region 6 and the lyophobic region 7 is formed on the surface (wettability pattern forming step).

【0135】次に、この濡れ性変化層12表面に、金属
コロイド溶液を塗布することにより、親液性領域6上の
みに、金属コロイド溶液を付着させ(金属コロイド溶液
塗布工程)、これを固化することにより、導電性パター
ンを形成するのである(図3(e)参照、導電性パター
ン形成工程)。
Next, by coating the surface of the wettability changing layer 12 with a metal colloid solution, the metal colloid solution is adhered only on the lyophilic region 6 (metal colloid solution coating step) and solidified. By doing so, a conductive pattern is formed (see FIG. 3E, conductive pattern forming step).

【0136】以下、このような本実施態様の導電性パタ
ーン形成体の製造方法について、各工程ごとに説明す
る。
Hereinafter, the method for manufacturing the conductive pattern forming body of this embodiment will be described step by step.

【0137】(1)パターン形成体用基板調製工程 まず、本実施態様におけるパターン形成体用基板調製工
程について説明する。本実施態様のパターン形成体用基
板調製工程は、基材と、上記基材上に形成され、少なく
とも光触媒が含有された光触媒処理層と、上記光触媒処
理層上に形成され、エネルギー照射部分の濡れ性が液体
の接触角の低下する方向に変化する層である濡れ性変化
層とからなるパターン形成体用基板を調製する工程であ
る。以下、各構成について説明する。
(1) Pattern Forming Body Substrate Preparing Step First, the pattern forming body substrate preparing step in the present embodiment will be described. In the step of preparing a substrate for a pattern-formed body of the present embodiment, a base material, a photocatalyst processing layer formed on the base material and containing at least a photocatalyst, and formed on the photocatalyst processing layer, the energy irradiation portion is wetted. It is a step of preparing a substrate for a pattern forming body which comprises a wettability changing layer which is a layer whose property changes in a direction in which the contact angle of a liquid decreases. Each configuration will be described below.

【0138】(光触媒処理層)本実施態様における光触
媒処理層は、少なくとも光触媒を含有するものであり、
光触媒処理層がバインダを有する場合は、上記第一実施
態様で説明した光触媒含有層と同様であるので、ここで
の説明は省略する。ただし、第二実施態様においては、
光触媒処理層上の濡れ性は特に変化する必要がないこと
から、バインダ自体に光触媒が作用することによる濡れ
性の変化が生じない場合であっても、第一実施態様のよ
うに分解物質を光触媒処理層に含有させる必要がない。
また、バインダを有する場合の光触媒処理層の製造方法
は、上述した第一実施態様と同様であるので、これにつ
いての説明も省略する。
(Photocatalyst Treatment Layer) The photocatalyst treatment layer in this embodiment contains at least a photocatalyst,
When the photocatalyst processing layer has a binder, it is the same as the photocatalyst containing layer described in the first embodiment, and therefore the description thereof is omitted here. However, in the second embodiment,
Since the wettability on the photocatalyst-treated layer does not need to change in particular, even when the change in wettability due to the action of the photocatalyst on the binder itself does not occur, the decomposed substance is treated with the photocatalyst as in the first embodiment. It is not necessary to include it in the treatment layer.
Further, the method of manufacturing the photocatalyst processing layer having the binder is the same as that of the above-described first embodiment, and therefore the description thereof will be omitted.

【0139】一方、バインダを有さない場合の光触媒処
理層の形成方法としては、例えば、スパッタリング法、
CVD法、真空蒸着法等の真空製膜法を用いる方法を挙
げることができる。真空製膜法により光触媒処理層を形
成することにより、均一な膜でかつ光触媒のみを含有す
る光触媒処理層とすることが可能であり、これにより濡
れ性変化層上の濡れ性を均一に変化させることが可能で
あり、かつ光触媒のみからなることから、バインダを用
いる場合と比較して効率的に濡れ性変化層上の濡れ性を
変化させることが可能となる。
On the other hand, as a method of forming the photocatalyst processing layer in the case of not having a binder, for example, a sputtering method,
Examples thereof include a method using a vacuum film forming method such as a CVD method and a vacuum vapor deposition method. By forming the photocatalyst processing layer by the vacuum film forming method, it is possible to obtain a photocatalyst processing layer having a uniform film and containing only the photocatalyst, and thereby uniformly changing the wettability on the wettability changing layer. Since it is possible and the photocatalyst alone is used, the wettability on the wettability changing layer can be changed more efficiently than in the case where a binder is used.

【0140】また、光触媒のみからなる光触媒処理層の
他の形成方法としては、例えば光触媒が二酸化チタンの
場合は、基材上に無定形チタニアを形成し、次いで焼成
により結晶性チタニアに相変化させる方法等が挙げられ
る。ここで用いられる無定形チタニアとしては、例えば
四塩化チタン、硫酸チタン等のチタンの無機塩の加水分
解、脱水縮合、テトラエトキシチタン、テトライソプロ
ポキシチタン、テトラ−n−プロポキシチタン、テトラ
ブトキシチタン、テトラメトキシチタン等の有機チタン
化合物を酸存在下において加水分解、脱水縮合によって
得ることができる。次いで、400℃〜500℃におけ
る焼成によってアナターゼ型チタニアに変性し、600
℃〜700℃の焼成によってルチル型チタニアに変性す
ることができる。
As another method of forming the photocatalyst treatment layer consisting of only the photocatalyst, for example, when the photocatalyst is titanium dioxide, amorphous titania is formed on the base material, and then the phase is changed to crystalline titania by firing. Methods and the like. Examples of the amorphous titania used here include titanium tetrachloride, hydrolysis of titanium inorganic salts such as titanium sulfate, dehydration condensation, tetraethoxy titanium, tetraisopropoxy titanium, tetra-n-propoxy titanium, tetrabutoxy titanium, It can be obtained by hydrolysis and dehydration condensation of an organic titanium compound such as tetramethoxytitanium in the presence of an acid. Then, it is converted into anatase type titania by firing at 400 ° C. to 500 ° C.
It can be converted to rutile type titania by firing at ℃ to 700 ℃.

【0141】(濡れ性変化層)次に、濡れ性変化層につ
いて説明する。本実施態様においては、濡れ性変化層中
に光触媒を含有する必要がないことから、経時的に導電
性パターンが光触媒の影響を受ける可能性を少なくする
ことができ、高品質な導電性パターン形成体とすること
が可能となるのである。
(Wettability Change Layer) Next, the wettability change layer will be described. In this embodiment, since it is not necessary to include a photocatalyst in the wettability changing layer, it is possible to reduce the possibility that the electroconductive pattern is affected by the photocatalyst over time, and to form a high-quality electroconductive pattern. It becomes possible to become a body.

【0142】この濡れ性変化層は、光触媒処理層の作用
により濡れ性が変化する層であれば特に限定されるもの
ではないが、上記第一実施態様の光触媒処理層中のバイ
ンダと同様の材料で形成することが好ましい。なお、こ
のように上記第一実施態様の光触媒含有層中のバインダ
と同様の材料で形成した場合の濡れ性変化層の材料およ
び形成方法に関しては、上記第一実施態様と同様である
ので、ここでの説明は省略する。
The wettability changing layer is not particularly limited as long as the wettability is changed by the action of the photocatalyst processing layer, but the same material as the binder in the photocatalyst processing layer of the first embodiment is used. Is preferably formed. The material and forming method of the wettability changing layer when formed of the same material as the binder in the photocatalyst-containing layer of the first embodiment is the same as that of the first embodiment. The description of is omitted.

【0143】本実施態様において、この濡れ性変化層の
厚みは、光触媒による濡れ性の変化速度等の関係より、
0.001μmから1μmであることが好ましく、特に
好ましくは0.01〜0.1μmの範囲内である。
In the present embodiment, the thickness of the wettability changing layer is determined from the relationship of the change rate of the wettability by the photocatalyst and the like.
The thickness is preferably 0.001 μm to 1 μm, particularly preferably 0.01 to 0.1 μm.

【0144】本実施態様において上述した成分の濡れ性
変化層を用いることにより、隣接する光触媒処理層中の
光触媒の作用により、上記成分の一部である有機基や添
加剤の酸化、分解等の作用を用いて、エネルギー照射部
分の濡れ性を変化させて親液性とし、エネルギー未照射
部との濡れ性に大きな差を生じさせることができる。よ
って、金属コロイド溶液との受容性(親液性)および反
撥性(撥液性)を高めることによって、利用価値の高い
導電性パターン形成体とすることができる。
By using the wettability changing layer of the above-mentioned components in this embodiment, the action of the photocatalyst in the adjacent photocatalyst treatment layer prevents the oxidation, decomposition, etc. of the organic groups and additives which are a part of the above-mentioned components. By using the action, the wettability of the energy-irradiated portion can be changed to be lyophilic, and a large difference in wettability with the unirradiated portion can be generated. Therefore, by increasing the receptivity (lyophilicity) and repulsion (lyophobicity) of the metal colloidal solution, it is possible to obtain a conductive pattern forming body with high utility value.

【0145】本実施態様における濡れ性変化層は、エネ
ルギー照射していない部分、すなわち撥液性領域におい
ては、金属コロイド溶液に対する接触角が50°以上、
好ましくは60°以上、特に70°以上であることが好
ましい。これは、エネルギー照射していない部分は、本
実施態様においては撥液性が要求される部分であること
から、液体との接触角が小さい場合は、撥液性が十分で
なく、後述する金属コロイド溶液塗布工程において金属
コロイド溶液を全面に塗布した場合に、導電性パターン
を形成しない領域にまで金属コロイド溶液が残存する可
能性が生じるため好ましくないからである。
In the wettability changing layer in this embodiment, the contact angle with respect to the metal colloid solution is 50 ° or more in the portion not irradiated with energy, that is, in the liquid repellent area.
It is preferably 60 ° or more, and particularly preferably 70 ° or more. This is because the portion not irradiated with energy is a portion that is required to have liquid repellency in the present embodiment, and therefore the liquid repellency is not sufficient when the contact angle with the liquid is small, and the metal described below is used. This is because when the metal colloid solution is applied to the entire surface in the colloid solution application step, the metal colloid solution may remain in the region where the conductive pattern is not formed, which is not preferable.

【0146】また、上記濡れ性変化層は、エネルギー照
射された部分、すなわち親液性領域においては、金属コ
ロイド溶液に対する接触角が40°以下、好ましくは3
0°以下、特に20°以下であることが好ましい。エネ
ルギー照射された部分、すなわち親液性領域における金
属コロイド溶液との接触角が高い場合は、後述する金属
コロイド溶液の全面塗布に際して、親液性領域において
も金属コロイド溶液をはじいてしまう可能性があり、親
液性領域上に金属コロイド溶液をパターニングすること
が難しくなる可能性があるからである。
In the wettability changing layer, the contact angle to the metal colloid solution is 40 ° or less, preferably 3 in the portion irradiated with energy, that is, the lyophilic region.
It is preferably 0 ° or less, and particularly preferably 20 ° or less. When the contact angle with the metal colloid solution in the portion irradiated with energy, that is, the lyophilic region is high, the metal colloid solution may be repelled even in the lyophilic region when the entire surface of the metal colloid solution described later is applied. This is because it may be difficult to pattern the metal colloid solution on the lyophilic region.

【0147】なお、この濡れ性変化層には、上記第一実
施態様における光触媒含有層の説明中「フッ素の含有」
の項で記載したものと同様にして同様のフッ素を含有さ
せることができる。
The wettability changing layer contains "fluorine-containing" in the description of the photocatalyst containing layer in the first embodiment.
Similar fluorine can be contained in the same manner as that described in the above section.

【0148】(2)濡れ性パターン形成工程 次に、本実施態様の濡れ性パターン形成工程について説
明する。本実施態様の濡れ性パターンの形成工程は、上
述した濡れ性変化層上に、所定の方向からパターン状に
エネルギーを照射することにより、上記濡れ性変化層表
面に親液性領域と撥液性領域とからなる濡れ性パターン
を形成する工程である。この濡れ性パターン形成工程に
おける、エネルギーやエネルギーの照射方法等について
は、上述した第一実施態様の濡れ性パターン形成工程と
同様であるので、ここでの説明は省略する。
(2) Wettability Pattern Forming Step Next, the wettability pattern forming step of this embodiment will be described. In the step of forming the wettability pattern of the present embodiment, the wettability change layer described above is irradiated with energy in a pattern from a predetermined direction so that the wettability change layer surface has a lyophilic region and a liquid repellency. This is a step of forming a wettability pattern composed of regions. The energy, the energy irradiation method, and the like in this wettability pattern forming step are the same as in the wettability pattern forming step of the first embodiment described above, so description thereof will be omitted here.

【0149】(3)金属コロイド溶液塗布工程 次に、金属コロイド溶液塗布工程について説明する。本
実施態様の金属コロイド溶液塗布工程は、上述した濡れ
性パターン形成工程により、親液性領域および撥液性領
域からなる濡れ性パターンのうち、親液性領域のみに金
属コロイド溶液を付着させる工程である。
(3) Metal Colloid Solution Coating Step Next, the metal colloid solution coating step will be described. The metal colloid solution coating step of the present embodiment is a step of attaching the metal colloid solution only to the lyophilic region of the wettability pattern composed of the lyophilic region and the lyophobic region by the above-described wettability pattern forming process. Is.

【0150】本実施態様の金属コロイド溶液塗布工程
の、金属コロイド溶液や塗布方法等については、上述し
た第一実施態様の金属コロイド溶液塗布工程と同様であ
るので、ここでの説明は省略する。
The metal colloid solution, the coating method and the like in the metal colloid solution coating step of this embodiment are the same as those of the above-described first embodiment metal colloid solution coating step, and therefore the description thereof is omitted here.

【0151】(4)導電性パターン形成工程 次に、上述した金属コロイド溶液工程により、濡れ性パ
ターン状の親液性領域のみに付着した金属コロイド溶液
を固化させる導電性パターン形成工程が行われる。この
導電性パターン形成工程における、金属コロイド溶液を
固化させる方法等は、上述した第一実施態様の導電性パ
ターン形成工程と同様であるので、ここでの説明は省略
する。
(4) Conductive Pattern Forming Step Next, the conductive pattern forming step of solidifying the metal colloid solution adhered only to the lyophilic region of the wettability pattern is performed by the above-mentioned metal colloid solution step. Since the method of solidifying the metal colloid solution in this conductive pattern forming step is the same as that of the conductive pattern forming step of the first embodiment described above, the description thereof is omitted here.

【0152】(5)非画線部除去工程 本実施態様においては、上述した導電性パターン形成工
程後に、導電性パターンが形成されていない非導電性パ
ターン部を除去する非画線部除去工程を有していてもよ
い。上述した濡れ性変化層が、導電性である場合には、
導電性パターンを有していても、導電性パターン形成体
とすることが困難であることから、上記非導電性パター
ン部を除去することにより、光触媒処理層を露出させ、
導電性パターン形成体とするのである。また、本実施態
様における非画線部除去工程は、上記濡れ性変化層およ
び光触媒処理層が導電性の材料である場合、濡れ性変化
層および光触媒処理層を除去する工程であってもよい。
ここで、非導電性パターン部とは、上記濡れ性変化層上
に導電性パターンが形成されておらず、濡れ性変化層が
表面に露出した部位である。
(5) Non-image area removing step In the present embodiment, a non-image area removing step of removing the non-conductive pattern area where the conductive pattern is not formed is performed after the above-described conductive pattern forming step. You may have. When the wettability changing layer described above is conductive,
Even if it has a conductive pattern, since it is difficult to form a conductive pattern forming body, by removing the non-conductive pattern portion, the photocatalyst treatment layer is exposed,
It is used as a conductive pattern forming body. In addition, the non-image area removing step in the present embodiment may be a step of removing the wettability changing layer and the photocatalyst processing layer when the wettability changing layer and the photocatalyst processing layer are conductive materials.
Here, the non-conductive pattern portion is a portion where the conductive pattern is not formed on the wettability changing layer and the wettability changing layer is exposed on the surface.

【0153】本実施態様における非画線部除去工程につ
いても、上述した第一実施態様の非画線部除去工程と同
様であるので、ここでの説明は省略する。
The non-image area removing step in this embodiment is also the same as the non-image area removing step in the first embodiment described above, and therefore the description thereof is omitted here.

【0154】(6)その他 本実施態様においては、上記導電性パターン形成体上
に、さらに電気めっきを施すことにより、導電性パター
ンの膜厚を厚くするようにしてもよい。このようにする
ことにより、導電性パターンの抵抗を下げることが可能
となると同時に、導電性パターンの濡れ性変化層への付
着強度を向上させることができ、高品質、高精細な配線
板とすることができるからである。
(6) Others In this embodiment, the conductive pattern forming body may be further electroplated to increase the thickness of the conductive pattern. By doing so, it is possible to reduce the resistance of the conductive pattern, and at the same time, it is possible to improve the adhesion strength of the conductive pattern to the wettability changing layer, and to obtain a high-quality, high-definition wiring board. Because you can.

【0155】また、本実施態様においては、得られた導
電性パターンの基材に対する密着性向上等の理由から、
得られた導電性パターン上に保護層を形成するようにし
てもよい。
In the present embodiment, for the reason of improving the adhesion of the obtained conductive pattern to the substrate,
You may make it form a protective layer on the obtained electroconductive pattern.

【0156】3.第三実施態様 次に、本発明の導電性パターン形成体の製造方法の第三
実施態様について説明する。本実施態様の導電性パター
ン形成体の製造方法は、基材と、上記基材上に形成さ
れ、少なくとも光触媒が含有された光触媒処理層と、上
記光触媒処理層上に形成され、エネルギー照射に伴う光
触媒の作用により分解除去される層である分解除去層と
からなるパターン形成体用基板を調製するパターン形成
体用基板調製工程と、上記分解除去層にパターン状にエ
ネルギーを照射することにより、上記分解除去層上に分
解除去パターンを形成する分解除去パターン形成工程
と、上記分解除去パターンが形成された分解除去層表面
に、金属コロイド溶液を塗布することにより、パターン
状に金属コロイド溶液を付着させる金属コロイド溶液塗
布工程と、上記パターン状に付着した金属コロイド溶液
を固化させて導電性パターンとする導電性パターン形成
工程とを有することを特徴とするものである。
3. Third Embodiment Next, a third embodiment of the method for producing a conductive pattern forming body of the present invention will be described. The method for manufacturing a conductive pattern forming body of the present embodiment, a substrate, a photocatalyst treatment layer formed on the substrate, at least a photocatalyst is contained, and formed on the photocatalyst treatment layer, accompanied by energy irradiation. A pattern forming body substrate preparing step of preparing a pattern forming body substrate comprising a decomposition removing layer which is a layer which is decomposed and removed by the action of a photocatalyst, and by irradiating the decomposition removing layer with energy in a pattern, A decomposition and removal pattern forming step of forming a decomposition and removal pattern on the decomposition and removal layer, and a metal colloid solution is applied to the surface of the decomposition and removal layer on which the above decomposition and removal pattern is formed, thereby attaching the metal colloid solution in a pattern. Metallic colloid solution coating step and conductive pattern that solidifies the metal colloidal solution deposited in the above pattern to form a conductive pattern It is characterized in that it has a growth step.

【0157】本実施態様の導電性パターン形成体の製造
方法によれば、分解除去層に対して、パターン状にエネ
ルギー照射を行うことにより、分解除去層が光触媒の作
用によりパターン状に分解除去されて、表面に凹凸を有
するパターンを形成することが可能となる。この凹凸を
利用して、例えばインクジェット法等により、金属コロ
イド溶液を塗布することにより、容易にパターン状に金
属コロイド溶液を付着させることが可能となるのであ
る。また、本実施態様の分解除去層は、分解除去層の金
属コロイド溶液に対する接触角と、分解除去が除去され
て露出する基材の金属コロイド溶液に対する接触角とが
異なるものであることが好ましい。これにより、上記凹
凸だけでなく、濡れ性の差も利用してパターン状に金属
コロイド溶液を付着させることが可能となるからであ
る。
According to the method for producing a conductive pattern forming body of the present embodiment, the decomposition and removal layer is irradiated with energy in a pattern, so that the decomposition and removal layer is decomposed and removed in a pattern by the action of the photocatalyst. Thus, it becomes possible to form a pattern having unevenness on the surface. It is possible to easily attach the metal colloid solution in a pattern by applying the metal colloid solution by an ink jet method or the like using the irregularities. In the decomposition and removal layer of this embodiment, it is preferable that the contact angle of the decomposition and removal layer with respect to the metal colloid solution is different from the contact angle of the substrate exposed by the decomposition and removal with respect to the metal colloid solution. This makes it possible to deposit the metal colloid solution in a pattern by utilizing not only the above-mentioned unevenness but also the difference in wettability.

【0158】このような導電性パターン形成体の製造方
法は、例えば図4に示すように、基材1上に光触媒処理
層11を形成する(図4(a)参照)。次に、上記光触
媒処理層11上に分解除去層13を形成する(図4
(b)参照)。この分解除去層13に、図4(c)に示
すように、必要とされるパターンが描かれたフォトマス
ク4を配置し、これを介して紫外光5を照射する。これ
により、図4(d)に示すように、分解除去層13がパ
ターン状に分解除去され、分解除去層13が残存する領
域および光触媒処理層11露出した領域とからなる分解
除去パターンが形成される(分解除去パターン形成工
程)。
In the method of manufacturing such a conductive pattern forming body, for example, as shown in FIG. 4, the photocatalyst treatment layer 11 is formed on the base material 1 (see FIG. 4A). Next, the decomposition removal layer 13 is formed on the photocatalyst processing layer 11 (FIG. 4).
(See (b)). As shown in FIG. 4C, a photomask 4 having a required pattern is arranged on the decomposition / removal layer 13, and ultraviolet light 5 is irradiated through the photomask 4. As a result, as shown in FIG. 4D, the decomposition and removal layer 13 is decomposed and removed in a pattern, and a decomposition and removal pattern composed of an area where the decomposition and removal layer 13 remains and an area where the photocatalyst processing layer 11 is exposed is formed. (Decomposition removal pattern forming step).

【0159】次に、この光触媒処理層11が露出した領
域に、金属コロイド溶液を塗布することにより、上記領
域のみに、金属コロイド溶液を付着させ(金属コロイド
溶液塗布工程)、これを固化することにより、導電性パ
ターン8を形成し、導電性パターン形成体9とするので
ある(図4(e)参照、導電性パターン形成工程)。
Next, a metal colloid solution is applied to the area where the photocatalyst treatment layer 11 is exposed to adhere the metal colloid solution only to the above area (metal colloid solution applying step) and solidify it. Thus, the conductive pattern 8 is formed to form the conductive pattern forming body 9 (see FIG. 4E, conductive pattern forming step).

【0160】以下、このような本実施態様の導電性パタ
ーン形成体の製造方法について、各工程ごとに説明す
る。
Hereinafter, the method for manufacturing the conductive pattern forming body of the present embodiment will be described for each step.

【0161】(1)パターン形成体用基板調製工程 まず、本実施態様におけるパターン形成体用基板調製工
程について説明する。本実施態様のパターン形成体用基
板調製工程は、基材と、上記基材上に形成され、少なく
とも光触媒が含有された光触媒処理層と、上記光触媒処
理層上に形成され、エネルギー照射に伴う光触媒の作用
により分解除去される層である分解除去層とからなるパ
ターン形成体用基板を調製する工程である。以下、各構
成について説明する。
(1) Pattern Forming Body Substrate Preparing Step First, the pattern forming body substrate preparing step in the present embodiment will be described. In the substrate for preparing a patterned body of the present embodiment, a substrate, a photocatalyst treatment layer formed on the substrate and containing at least a photocatalyst, and a photocatalyst formed on the photocatalyst treatment layer and accompanied by energy irradiation. Is a step of preparing a substrate for a pattern forming body, which comprises a decomposition and removal layer which is a layer that is decomposed and removed by the action of. Each configuration will be described below.

【0162】(光触媒処理層)本実施態様における光触
媒処理層は、上記第二実施態様で説明したものと同様で
あるので、ここでの説明は省略する。
(Photocatalyst Treatment Layer) Since the photocatalyst treatment layer in this embodiment is the same as that described in the second embodiment, the description is omitted here.

【0163】(分解除去層)次に、分解除去層について
説明する。本実施態様で用いられる分解除去層は、エネ
ルギー照射された際に光触媒処理層中の光触媒の作用に
より、エネルギー照射された部分の分解除去層が分解除
去される層であれば、特に限定されるものではない。
(Decomposition / Removal Layer) Next, the decomposition / removal layer will be described. The decomposition removal layer used in the present embodiment is particularly limited as long as it is a layer in which the decomposition removal layer of the energy-irradiated portion is decomposed and removed by the action of the photocatalyst in the photocatalyst treatment layer when the energy irradiation is performed. Not a thing.

【0164】このように分解除去層は、エネルギー照射
した部分が光触媒の作用により分解除去されることか
ら、現像工程や洗浄工程を行うことなく分解除去層のあ
る部分と無い部分からなるパターン、すなわち凹凸を有
するパターンを形成することができる。
As described above, since the portion irradiated with energy is decomposed and removed by the action of the photocatalyst in the decomposition / removal layer, a pattern consisting of a portion with and without a decomposition / removal layer without performing a developing step or a washing step, A pattern having unevenness can be formed.

【0165】なお、この分解除去層は、エネルギー照射
による光触媒の作用により酸化分解され、気化等される
ことから、現像・洗浄工程等の特別な後処理なしに除去
されるものであるが、分解除去層の材質によっては、洗
浄工程等を行ってもよい。
The decomposition / removal layer is oxidatively decomposed by the action of a photocatalyst due to energy irradiation and vaporized, so that it is removed without any special post-treatment such as a developing / washing process. A cleaning step or the like may be performed depending on the material of the removal layer.

【0166】また、本実施態様に用いられる分解除去層
は、凹凸を形成するのみならず、この分解除去層が、上
記基材表面と比較して、金属コロイド溶液との接触角が
高いことが好ましい。これにより、分解除去層が分解除
去され、基材が露出した領域を親液性領域、上記分解除
去層が残存する領域を撥液性領域とすることが可能とな
り、種々のパターンを形成することが可能となるからで
ある。
The decomposition / removal layer used in the present embodiment not only forms irregularities, but the decomposition / removal layer has a higher contact angle with the metal colloid solution than the surface of the substrate. preferable. As a result, the region where the decomposition and removal layer is decomposed and removed and the base material is exposed can be made a lyophilic region, and the region where the decomposition and removal layer remains can be made a liquid repellent region, and various patterns can be formed. Is possible.

【0167】ここで、本実施態様の分解除去層、すなわ
ち撥液性領域においては、金属コロイド溶液に対する接
触角が50°以上、好ましくは60°以上、特に70°
以上であることが好ましい。これは、エネルギー照射し
ていない部分は、本実施態様においては撥液性が要求さ
れる部分であることから、液体との接触角が小さい場合
は、撥液性が十分でなく、金属コロイド溶液塗布工程に
おいて金属コロイド溶液を全面に塗布した場合に、導電
性パターンを形成しない領域にまで金属コロイド溶液が
残存する可能性が生じるため好ましくないからである。
Here, in the decomposition / removal layer of this embodiment, that is, in the liquid repellent region, the contact angle with respect to the metal colloid solution is 50 ° or more, preferably 60 ° or more, and particularly 70 °.
The above is preferable. This is because the part which is not irradiated with energy is the part which is required to have liquid repellency in the present embodiment, and therefore when the contact angle with the liquid is small, the liquid repellency is not sufficient and the metal colloid solution This is because when the metal colloid solution is applied to the entire surface in the applying step, the metal colloid solution may remain in the region where the conductive pattern is not formed, which is not preferable.

【0168】また、上記基材、すなわち親液性領域にお
いては、金属コロイド溶液に対する接触角が40°以
下、好ましくは30°以下、特に20°以下であること
が好ましい。エネルギー照射された部分、すなわち親液
性領域における金属コロイド溶液との接触角が高い場合
は、金属コロイド溶液を全面に塗布した場合に、親液性
領域においても金属コロイド溶液をはじいてしまう可能
性があり、親液性領域上に金属コロイド溶液をパターニ
ングすることが難しくなる可能性があるからである。こ
こで、液体との接触角は、第一実施態様において説明し
た方法により測定した値である。
In the above-mentioned base material, that is, the lyophilic region, the contact angle with the metal colloid solution is preferably 40 ° or less, preferably 30 ° or less, and particularly preferably 20 ° or less. If the contact angle with the metal colloid solution in the area irradiated with energy, that is, the lyophilic area is high, the metal colloid solution may be repelled even in the lyophilic area when the metal colloid solution is applied over the entire surface. Therefore, it may be difficult to pattern the metal colloid solution on the lyophilic region. Here, the contact angle with the liquid is a value measured by the method described in the first embodiment.

【0169】本実施態様の分解除去層に用いることがで
きる膜としては、具体的にはフッ素系や炭化水素系の撥
液性を有する樹脂等による膜を挙げることができる。こ
れらのフッ素系や炭化水素系の樹脂は、撥液性を有する
ものであれば、特に限定されるものではなく、これらの
樹脂を溶媒に溶解させ、例としてスピンコート法等の一
般的な成膜方法により形成することが可能である。
Specific examples of the film that can be used for the decomposition / removal layer of the present embodiment include films made of a fluorine-based or hydrocarbon-based resin having liquid repellency. The fluorine-based or hydrocarbon-based resin is not particularly limited as long as it has liquid repellency, and these resins are dissolved in a solvent and, for example, a general method such as spin coating is used. It can be formed by a film method.

【0170】また、本実施態様においては、機能性薄
膜、すなわち、自己組織化単分子膜、ラングミュア−ブ
ロケット膜、および交互吸着膜等を用いることにより、
欠陥のない膜を形成することが可能であることから、こ
のような成膜方法を用いることがより好ましいといえ
る。
Further, in this embodiment, by using a functional thin film, that is, a self-assembled monolayer film, a Langmuir-Brocket film, an alternate adsorption film, etc.,
Since it is possible to form a film having no defects, it can be said that it is more preferable to use such a film forming method.

【0171】ここで、本実施態様に用いられる自己組織
化単分子膜、ラングミュア−ブロケット膜、および交互
吸着膜について具体的に説明する。
Here, the self-assembled monolayer, Langmuir-Brockett film, and alternate adsorption film used in this embodiment will be specifically described.

【0172】(i)自己組織化単分子膜 自己組織化単分子膜(Self-Assembled Monolayer)の公式
な定義の存在を発明者らは知らないが、一般的に自己組
織化膜として認識されているものの解説文としては、例
えばAbraham Ulmanによる総説“Formation and Structu
re of Self-Assembled Monolayers”, Chemical Revie
w, 96, 1533-1554 (1996)が優れている。本総説を参考
にすれば、自己組織化単分子膜とは、適当な分子が適当
な基材表面に吸着・結合(自己組織化)した結果生じた
単分子層のことと言える。自己組織化膜形成能のある材
料としては、例えば、脂肪酸などの界面活性剤分子、ア
ルキルトリクロロシラン類やアルキルアルコキシド類な
どの有機ケイ素分子、アルカンチオール類などの有機イ
オウ分子、アルキルフォスフェート類などの有機リン酸
分子などが挙げられる。分子構造の一般的な共通性は、
比較的長いアルキル鎖を有し、片方の分子末端に基材表
面と相互作用する官能基が存在することである。アルキ
ル鎖の部分は分子同士が2次元的にパッキングする際の
分子間力の源である。もっとも、ここに示した例は最も
単純な構造であり、分子のもう一方の末端にアミノ基や
カルボキシル基などの官能基を有するもの、アルキレン
鎖の部分がオキシエチレン鎖のもの、フルオロカーボン
鎖のもの、これらが複合したタイプの鎖のものなど様々
な分子から成る自己組織化単分子膜が報告されている。
また、複数の分子種から成る複合タイプの自己組織化単
分子膜もある。また、最近では、デンドリマーに代表さ
れるような粒子状で複数の官能基(官能基が一つの場合
もある)を有する高分子や直鎖状(分岐構造のある場合
もある)の高分子が一層基材表面に形成されたもの(後
者はポリマーブラシと総称される)も自己組織化単分子
膜と考えられる場合もあるようである。本実施態様は、
これらも自己組織化単分子膜に含める。
(I) Self-Assembled Monolayer Although the inventors do not know the existence of a formal definition of a self-assembled monolayer, it is generally recognized as a self-assembled monolayer. For example, see the review article “Formation and Structu” by Abraham Ulman.
re of Self-Assembled Monolayers ”, Chemical Revie
w, 96, 1533-1554 (1996) are excellent. With reference to this review, it can be said that a self-assembled monolayer is a monolayer formed as a result of adsorption / bonding (self-assembly) of appropriate molecules to an appropriate substrate surface. Examples of materials capable of forming a self-assembled film include surfactant molecules such as fatty acids, organic silicon molecules such as alkyltrichlorosilanes and alkylalkoxides, organic sulfur molecules such as alkanethiols, and alkylphosphates. Examples of organic phosphoric acid molecules include The general commonality of molecular structures is
That is, it has a relatively long alkyl chain and has a functional group that interacts with the surface of the substrate at one end of the molecule. The portion of the alkyl chain is a source of intermolecular force when the molecules are packed two-dimensionally. However, the example shown here has the simplest structure and has a functional group such as an amino group or a carboxyl group at the other end of the molecule, an alkylene chain portion of which is an oxyethylene chain, or a fluorocarbon chain. , A self-assembled monolayer composed of various molecules such as those of a complex type chain has been reported.
There is also a composite type self-assembled monolayer composed of multiple molecular species. In addition, recently, a polymer such as a dendrimer having a plurality of functional groups (there may be one functional group) or a linear polymer (which may have a branched structure) has been used. It seems that the one formed on the surface of the substrate (the latter is generally called a polymer brush) may be considered as a self-assembled monolayer. In this embodiment,
These are also included in the self-assembled monolayer.

【0173】(ii)ラングミュア−ブロジェット膜 本実施態様に用いられるラングミュア−ブロジェット膜
(Langmuir-Blodgett Film)は、基材上に形成されてしま
えば形態上は上述した自己組織化単分子膜との大きな相
違はない。ラングミュア−ブロジェット膜の特徴はその
形成方法とそれに起因する高度な2次元分子パッキング
性(高配向性、高秩序性)にあると言える。すなわち、
一般にラングミュア−ブロジェット膜形成分子は気液界
面上に先ず展開され、その展開膜がトラフによって凝縮
されて高度にパッキングした凝縮膜に変化する。実際
は、これを適当な基材に移しとって用いる。ここに概略
を示した手法により単分子膜から任意の分子層の多層膜
まで形成することが可能である。また、低分子のみなら
ず、高分子、コロイド粒子なども膜材料とすることがで
きる。様々な材料を適用した最近の事例に関しては宮下
徳治らの総説“ソフト系ナノデバイス創製のナノテクノ
ロジーへの展望” 高分子 50巻 9月号 644-647 (20
01)に詳しく述べられている。
(Ii) Langmuir-Blodgett film Langmuir-Blodgett film used in the present embodiment
The (Langmuir-Blodgett Film) is not so different from the above-described self-assembled monolayer in terms of morphology once formed on the substrate. It can be said that the Langmuir-Blodgett film is characterized by its formation method and a high degree of two-dimensional molecular packing property (high orientation, high ordering property) resulting therefrom. That is,
Generally, the Langmuir-Blodgett film-forming molecules are first spread on the gas-liquid interface, and the spread film is condensed by the trough and converted into a highly packed condensed film. In practice, it is transferred to a suitable base material and used. It is possible to form from a monomolecular film to a multilayer film of an arbitrary molecular layer by the method outlined here. Further, not only low molecular weight compounds but also high molecular weight materials, colloidal particles and the like can be used as the film material. Regarding the recent cases of applying various materials, a review by Tokuharu Miyashita et al. “Prospects for nanotechnology in the creation of soft nanodevices” Polymer 50 September 644-647 (20
01).

【0174】(iii)交互吸着膜 交互吸着膜(Layer-by-Layer Self-Assembled Film)は、
一般的には、最低2個の正または負の電荷を有する官能
基を有する材料を逐次的に基材上に吸着・結合させて積
層することにより形成される膜である。多数の官能基を
有する材料の方が膜の強度や耐久性が増すなど利点が多
いので、最近ではイオン性高分子(高分子電解質)を材
料として用いることが多い。また、タンパク質や金属や
酸化物などの表面電荷を有する粒子、いわゆる“コロイ
ド粒子”も膜形成物質として多用される。さらに最近で
は、水素結合、配位結合、疎水性相互作用などのイオン
結合よりも弱い相互作用を積極的に利用した膜も報告さ
れている。比較的最近の交互吸着膜の事例については、
静電的相互作用を駆動力にした材料系に少々偏っている
がPaula T. Hammondによる総説“Recent Explorations
in Electrostatic Multilayer Thin Film Assembly”Cu
rrent Opinion in Colloid & Interface Science, 4, 4
30-442 (2000)に詳しい。交互吸着膜は、最も単純なプ
ロセスを例として説明すれば、正(負)電荷を有する材
料の吸着−洗浄−負(正)電荷を有する材料の吸着−洗
浄のサイクルを所定の回数繰り返すことにより形成され
る膜である。ラングミュア−ブロジェット膜のように展
開−凝縮−移し取りの操作は全く必要ない。また、これ
ら製法の違いより明らかなように、交互吸着膜はラング
ミュア−ブロジェット膜のような2次元的な高配向性・
高秩序性は一般に有さない。しかし、交互吸着膜及びそ
の作製法は、欠陥のない緻密な膜を容易に形成できるこ
と、微細な凹凸面やチューブ内面や球面などにも均一に
成膜できることなど、従来の成膜法にない利点を数多く
有している。
(Iii) Alternate Adsorption Film An alternate adsorption film (Layer-by-Layer Self-Assembled Film) is
Generally, it is a film formed by sequentially adsorbing / bonding materials having at least two functional groups having positive or negative charges on a base material and stacking them. Materials having a large number of functional groups have more advantages such as increased strength and durability of the film, and therefore, ionic polymers (polymer electrolytes) are often used as materials recently. Particles having a surface charge such as proteins, metals and oxides, so-called "colloidal particles" are also frequently used as film-forming substances. More recently, membranes that positively utilize interactions weaker than ionic bonds such as hydrogen bonds, coordination bonds, and hydrophobic interactions have also been reported. For the case of the relatively recent alternating adsorption film,
Although it is slightly biased toward material systems that use electrostatic interaction as a driving force, a review by Paula T. Hammond “Recent Explorations
in Electrostatic Multilayer Thin Film Assembly ”Cu
rrent Opinion in Colloid & Interface Science, 4, 4
Details on 30-442 (2000). Taking the simplest process as an example, the alternating adsorption film is obtained by repeating a cycle of adsorption of a material having a positive (negative) charge-cleaning-adsorption of a material having a negative (positive) charge-cleaning a predetermined number of times. This is the film that is formed. No development-condensation-transfer operations are required as with Langmuir-Blodgett membranes. Also, as is clear from the difference in these manufacturing methods, the alternating adsorption film has a two-dimensional high orientation property like the Langmuir-Blodgett film.
There is generally no high order. However, the alternate adsorption film and its manufacturing method have advantages that conventional film forming methods do not have, such as easily forming a dense film with no defects, and forming a film uniformly on minute uneven surfaces, tube inner surfaces, spherical surfaces, etc. Have many.

【0175】また、分解除去層の膜厚としては、後述す
るエネルギー照射工程において照射されるエネルギーに
より分解除去される程度の膜厚であれば特に限定される
ものではない。具体的な膜厚としては、照射されるエネ
ルギーの種類や分解除去層の材料等により大きく異なる
ものではあるが、一般的には、0.001μm〜1μm
の範囲内、特に0.01μm〜0.1μmの範囲内とす
ることが好ましい。
The film thickness of the decomposition / removal layer is not particularly limited as long as it is a film thickness that can be decomposed and removed by the energy applied in the energy irradiation step described later. The specific film thickness varies greatly depending on the type of energy to be irradiated, the material of the decomposition and removal layer, etc., but generally 0.001 μm to 1 μm
It is preferable to be within the range of 0.01 μm to 0.1 μm.

【0176】(2)分解除去パターン形成工程 次に、本実施態様の分解除去パターン形成工程について
説明する。本実施態様の分解除去パターンの形成工程
は、上述した分解除去層上に、所定の方向からパターン
状にエネルギーを照射することにより、上記分解除去層
表面に分解除去層が分解除去されたパターンを形成する
工程である。この分解除去パターン形成工程における、
エネルギーやエネルギーの照射方法等については、上述
した第一実施態様の濡れ性パターン形成工程と同様であ
るので、ここでの説明は省略する。
(2) Disassembly / removal pattern forming step Next, the disassembly / removal pattern forming step of this embodiment will be described. In the step of forming the decomposition-removal pattern of the present embodiment, the decomposition-removal layer is decomposed and removed on the surface of the decomposition-removal layer by irradiating the decomposition-removal layer with energy in a pattern from a predetermined direction. It is a process of forming. In this disassembly and removal pattern forming process,
The energy, the energy irradiation method, and the like are the same as those in the wettability pattern forming step of the first embodiment described above, and thus the description thereof is omitted here.

【0177】(3)金属コロイド溶液塗布工程 次に、金属コロイド溶液塗布工程について説明する。本
実施態様の金属コロイド溶液塗布工程は、上述した分解
除去パターン形成工程により形成された分解除去パター
ンに金属コロイド溶液を付着させる工程である。
(3) Metal Colloid Solution Coating Step Next, the metal colloid solution coating step will be described. The metal colloid solution coating step of this embodiment is a step of attaching the metal colloid solution to the decomposition / removal pattern formed by the above-described decomposition / removal pattern forming step.

【0178】本実施態様の金属コロイド溶液塗布工程
の、金属コロイド溶液や塗布方法等については、上述し
た第一実施態様の金属コロイド溶液塗布工程と同様であ
るので、ここでの説明は省略する。
The metal colloid solution, the coating method, and the like in the metal colloid solution coating step of this embodiment are the same as those of the above-described first embodiment metal colloid solution coating step, and therefore description thereof is omitted here.

【0179】なお、分解除去層の金属コロイド溶液に対
する接触角と、光触媒処理層の金属コロイド溶液に対す
る接触角との差が小さい場合には、金属コロイド溶液塗
布工程は、ノズル吐出方式等のパターン状に金属コロイ
ド溶液を塗布する方法により行うことが好ましい。
When the difference between the contact angle of the decomposition and removal layer with respect to the metal colloid solution and the contact angle of the photocatalyst treatment layer with respect to the metal colloid solution is small, the metal colloid solution coating step is performed in a pattern such as a nozzle discharge method. It is preferable to perform the method by applying a metal colloid solution to

【0180】(4)導電性パターン形成工程 次に、上述した金属コロイド溶液工程により、パターン
状に付着した金属コロイド溶液を固化させる導電性パタ
ーン形成工程が行われる。この導電性パターン形成工程
における、金属コロイド溶液を固化させる方法等は、上
述した第一実施態様の導電性パターン形成工程と同様で
あるので、ここでの説明は省略する。
(4) Conductive Pattern Forming Step Next, the conductive pattern forming step of solidifying the metal colloid solution adhered in a pattern is performed by the above-mentioned metal colloid solution step. Since the method of solidifying the metal colloid solution in this conductive pattern forming step is the same as that of the conductive pattern forming step of the first embodiment described above, the description thereof is omitted here.

【0181】(5)非画線部除去工程 本実施態様においては、上述した導電性パターン形成工
程後に、導電性パターンが形成されていない非導電性パ
ターン部を除去する非画線部除去工程を有していてもよ
い。上述した分解除去層が導電性である場合には、導電
性パターンを有していても、導電性パターン形成体とす
ることが困難であることから、残存する分解除去層を除
去することにより、光色触媒処理層を露出させ、導電性
パターン形成体とするのである。また、本実施態様にお
ける非画線部除去工程は、上記分解除去層および光触媒
処理層が導電性の材料である場合、分解除去層および光
触媒処理層を除去する工程であってもよい。
(5) Non-image area removing step In this embodiment, a non-image area removing step of removing the non-conductive pattern area where the conductive pattern is not formed is performed after the above-described conductive pattern forming step. You may have. When the above-mentioned decomposition and removal layer is conductive, even if it has a conductive pattern, it is difficult to form a conductive pattern forming body, so by removing the remaining decomposition and removal layer, The light color catalyst treatment layer is exposed to form a conductive pattern forming body. In addition, the non-image area removing step in the present embodiment may be a step of removing the decomposition removing layer and the photocatalyst processing layer when the decomposition removing layer and the photocatalyst processing layer are conductive materials.

【0182】本実施態様における非画線部除去工程につ
いても、上述した第一実施態様の非画線部除去工程と同
様であるので、ここでの説明は省略する。
The non-image area removing step in this embodiment is also the same as the non-image area removing step in the first embodiment described above, and therefore the description thereof is omitted here.

【0183】(6)その他 本実施態様においては、上記導電性パターン形成体上
に、さらに電気めっきを施すことにより、導電性パター
ンの膜厚を厚くするようにしてもよい。このようにする
ことにより、導電性パターンの抵抗を下げることが可能
となると同時に、導電性パターンの光触媒処理層への付
着強度を向上させることができ、高品質、高精細な配線
板とすることができるからである。
(6) Others In the present embodiment, the conductive pattern forming body may be further electroplated to increase the thickness of the conductive pattern. By doing so, it is possible to reduce the resistance of the conductive pattern, and at the same time, it is possible to improve the adhesion strength of the conductive pattern to the photocatalyst treatment layer, and to obtain a high-quality, high-definition wiring board. Because you can

【0184】また、本実施態様においては、得られた導
電性パターンの光触媒処理層に対する密着性向上等の理
由から、得られた導電性パターン上に保護層を形成する
ようにしてもよい。
Further, in the present embodiment, a protective layer may be formed on the obtained conductive pattern for the purpose of improving the adhesion of the obtained conductive pattern to the photocatalyst treatment layer.

【0185】B.パターン形成体 次に、本発明のパターン形成体について説明する。本発
明のパターン形成体は、6つの実施態様がある。以下、
それぞれのパターン形成体について説明する。
B. Pattern Formed Body Next, the pattern formed body of the present invention will be described. The pattern formed body of the present invention has six embodiments. Less than,
Each pattern forming body will be described.

【0186】1.第一実施態様 まず、本発明のパターン形成体の第一実施態様について
説明する。本発明のパターン形成体の第一実施態様は、
基材と、上記基材上に形成されたエネルギー照射部分の
濡れ性が液体の接触角の低下する方向に変化する層であ
り、かつ少なくとも光触媒およびバインダを含有する光
触媒含有層と、上記光触媒含有層上に、パターン状に金
属コロイド溶液を固化させることにより形成された金属
組成物とを有することを特徴とするものである。
1. First Embodiment First, a first embodiment of the pattern forming body of the present invention will be described. The first embodiment of the pattern-formed body of the present invention is
A substrate, a photocatalyst containing layer containing at least a photocatalyst and a binder, which is a layer in which the wettability of an energy-irradiated portion formed on the substrate changes in a direction in which the contact angle of a liquid decreases, and the photocatalyst containing And a metal composition formed by solidifying a metal colloid solution in a pattern on the layer.

【0187】本実施態様の導電性パターン形成体は、上
記光触媒含有層を有することにより、少ない工程数で容
易に濡れ性の差を利用して導電性パターンを形成するこ
とが可能となり、低コストな導電性パターン形成体とす
ることが可能となる。
Since the conductive pattern forming body of this embodiment has the photocatalyst-containing layer, it becomes possible to easily form a conductive pattern by utilizing the difference in wettability in a small number of steps, and the cost can be reduced. It is possible to obtain a transparent conductive pattern forming body.

【0188】また本実施態様の場合、光触媒含有層上に
導電性パターンが形成されていることから、光触媒含有
層の電気抵抗が、1×10Ω・cm〜1×1018Ω
・cm、中でも1×1012Ω・cm〜1×1018Ω
・cmの範囲内であることが好ましい。これにより、優
れた導電性パターン形成体とすることが可能となるので
ある。
Further, in the case of this embodiment, since the conductive pattern is formed on the photocatalyst containing layer, the electric resistance of the photocatalyst containing layer is 1 × 10 8 Ω · cm to 1 × 10 18 Ω.
・ Cm, especially 1 × 10 12 Ω · cm to 1 × 10 18 Ω
It is preferably within the range of cm. This makes it possible to obtain an excellent conductive pattern forming body.

【0189】このような本実施態様の導電性パターン形
成体は、例えば図5に示すように、基材1と、この基材
1上に形成された光触媒含有層2と、この光触媒含有層
2上にパターン状に形成された、導電性パターン8とを
有するものである。
Such a conductive pattern forming body of the present embodiment has a base material 1, a photocatalyst containing layer 2 formed on the base material 1, and a photocatalyst containing layer 2 as shown in FIG. 5, for example. And a conductive pattern 8 formed in a pattern thereon.

【0190】本実施態様に用いられる、光触媒含有層、
基材、金属コロイド溶液、導電性パターン形成方法等
は、上述した「A.導電性パターン形成体の製造方法」
における第一実施態様で説明したものを用いることが可
能であるので、ここでの説明は省略する。
A photocatalyst-containing layer used in the present embodiment,
For the base material, the metal colloid solution, the conductive pattern forming method, etc., refer to the above-mentioned “A. Method for manufacturing conductive pattern forming body”.
Since the one described in the first embodiment can be used, the description thereof will be omitted here.

【0191】2.第二実施態様 次に、本発明の導電性パターン形成体の第二実施態様に
ついて説明する。本発明の導電性パターン形成体の第二
実施態様は、基材と、上記基材上にパターン状に形成さ
れた、エネルギー照射部分の濡れ性が液体の接触角の低
下する方向に変化する層であり、かつ少なくとも光触媒
およびバインダを含有する光触媒含有層と、上記光触媒
含有層上に、金属コロイド溶液を固化させることにより
形成された金属組成物とを有することを特徴とするもの
である。
2. Second Embodiment Next, a second embodiment of the conductive pattern forming body of the present invention will be described. A second embodiment of the conductive pattern forming body of the present invention is a base material, and a layer formed in a pattern on the base material, in which the wettability of the energy-irradiated portion changes in the direction in which the contact angle of the liquid decreases. And a photocatalyst containing layer containing at least a photocatalyst and a binder, and a metal composition formed by solidifying a metal colloid solution on the photocatalyst containing layer.

【0192】本実施態様の導電性パターン形成体は、上
記光触媒含有層を有することにより、容易に濡れ性の差
を利用して導電性パターンを形成することが可能とな
り、低コストな導電性パターン形成体とすることが可能
となる。また、本実施態様によれば、光触媒含有層が、
パターン状に形成されていることにより、導電性パター
ンが形成されていない領域は、基材が露出している。こ
れにより、上記光触媒含有層が、比較的導電性を有する
場合にも、導電性パターン形成体とすることが可能とな
るのである。この場合、基材の電気抵抗が、1×10
Ω・cm〜1×1018Ω・cm、中でも1×1012
Ω・cm〜1×1018Ω・cmの範囲内であることが
好ましい。これにより、優れた導電性パターン形成体と
することが可能となるからである。
Since the conductive pattern forming body of the present embodiment has the photocatalyst containing layer, the conductive pattern can be easily formed by utilizing the difference in wettability, and the conductive pattern can be manufactured at low cost. It becomes possible to form it. Further, according to the present embodiment, the photocatalyst-containing layer is
Due to the pattern formation, the base material is exposed in the region where the conductive pattern is not formed. Accordingly, even when the photocatalyst-containing layer has relatively conductivity, it becomes possible to form a conductive pattern forming body. In this case, the electric resistance of the substrate is 1 × 10 8
Ω · cm to 1 × 10 18 Ω · cm, especially 1 × 10 12
It is preferably in the range of Ω · cm to 1 × 10 18 Ω · cm. This makes it possible to obtain an excellent conductive pattern forming body.

【0193】このような本実施態様は、例えば図6に示
すように、基材1と、この基材1上にパターン状に形成
された光触媒含有層2と、この光触媒含有層2上に形成
された導電性パターン8とを有するものである。
In this embodiment, as shown in FIG. 6, for example, a base material 1, a photocatalyst containing layer 2 formed in a pattern on the base material 1, and a photocatalyst containing layer 2 are formed. And the conductive pattern 8 is formed.

【0194】本実施態様に用いられる、光触媒含有層、
基材、金属コロイド溶液、導電性パターン形成方法等
は、上述した「A.導電性パターン形成体の製造方法」
における第一実施態様で説明したものを用いることが可
能であるので、ここでの説明は省略する。
A photocatalyst-containing layer used in the present embodiment,
For the base material, the metal colloid solution, the conductive pattern forming method, etc., refer to the above-mentioned “A. Method for manufacturing conductive pattern forming body”.
Since the one described in the first embodiment can be used, the description thereof will be omitted here.

【0195】3.第三実施態様 次に、本発明の導電性パターン形成体の第三実施態様に
ついて説明する。本発明の導電性パターン形成体の第三
実施態様は、基材と、上記基材上に少なくとも光触媒が
含有された光触媒処理層と、上記光触媒処理層上に、エ
ネルギー照射部分の濡れ性が液体の接触角の低下する方
向に変化する濡れ性変化層と、上記濡れ性変化層上にパ
ターン状に金属コロイド溶液を固化させることにより形
成された金属組成物とを有することを特徴とするもので
ある。
3. Third Embodiment Next, a third embodiment of the conductive pattern forming body of the present invention will be described. The third embodiment of the conductive pattern forming body of the present invention, a substrate, a photocatalyst treatment layer containing at least a photocatalyst on the substrate, the photocatalyst treatment layer, the wettability of the energy irradiation portion is a liquid. And a metal composition formed by solidifying a metal colloid solution in a pattern on the wettability changing layer, and a wettability changing layer that changes in a direction in which the contact angle decreases. is there.

【0196】本実施態様の導電性パターン形成体は、上
記濡れ性変化層を有することにより、容易に親液性の差
を利用して、金属コロイド溶液をパターン状に高精細に
付着させることが可能となる。また、上記光触媒処理層
および導電性パターンが直接接触しないことから、経時
的に導電性パターンが光触媒の影響を受ける可能性が低
く、高品質な導電性パターン形成体とすることが可能と
なるのである。
Since the conductive pattern forming body of this embodiment has the above-mentioned wettability changing layer, it is possible to easily attach the metal colloid solution in a pattern with high precision by utilizing the difference in lyophilicity. It will be possible. Further, since the photocatalyst treatment layer and the conductive pattern do not come into direct contact with each other, the conductive pattern is less likely to be affected by the photocatalyst over time, so that a high-quality conductive pattern forming body can be obtained. is there.

【0197】また本実施態様の場合、濡れ性変化層上に
導電性パターンが形成されていることから、濡れ性変化
層の電気抵抗が、1×10Ω・cm〜1×1018Ω
・cm、中でも1×1012Ω・cm〜1×1018Ω
・cmの範囲内であることが好ましい。これにより、優
れた導電性パターン形成体とすることが可能となるので
ある。
In the case of this embodiment, since the conductive pattern is formed on the wettability changing layer, the electric resistance of the wettability changing layer is 1 × 10 8 Ω · cm to 1 × 10 18 Ω.
・ Cm, especially 1 × 10 12 Ω · cm to 1 × 10 18 Ω
It is preferably within the range of cm. This makes it possible to obtain an excellent conductive pattern forming body.

【0198】このような本実施態様の導電性パターン形
成体は、例えば図7に示すように、基材1と、この基材
1上に形成された光触媒処理層11と、この光触媒処理
層11上に形成された濡れ性変化層12と、さらにこの
濡れ性変化層12上にパターン状に形成された導電性パ
ターン8とを有するものである。
Such a conductive pattern forming body of the present embodiment has a base material 1, a photocatalyst processing layer 11 formed on the base material 1, and the photocatalyst processing layer 11 as shown in FIG. 7, for example. The wettability changing layer 12 is formed on the upper surface, and the conductive pattern 8 is formed on the wettability changing layer 12 in a pattern.

【0199】本実施態様に用いられる、光触媒処理層、
濡れ性変化層、基材、金属コロイド溶液、導電性パター
ン形成方法等は、上述した「A.導電性パターン形成体
の製造方法」における第二実施態様で説明したものを用
いることが可能であるので、ここでの説明は省略する。
A photocatalyst treatment layer used in the present embodiment,
As the wettability changing layer, the base material, the metal colloid solution, the conductive pattern forming method and the like, those described in the second embodiment in the above-mentioned “A. Method for producing conductive pattern forming body” can be used. Therefore, the description is omitted here.

【0200】4.第四実施態様 次に、本発明の導電性パターン形成体の第四実施態様に
ついて説明する。本実施態様の導電性パターン形成体
は、基材と、上記基材上に少なくとも光触媒が含有され
た光触媒処理層と、上記光触媒処理層上にパターン状に
形成された、エネルギー照射部分の濡れ性が液体の接触
角の低下する方向に変化する濡れ性変化層と、上記濡れ
性変化層上に金属コロイド溶液を固化させることにより
形成された金属組成物とを有することを特徴とするもの
である。
4. Fourth Embodiment Next, a fourth embodiment of the conductive pattern forming body of the present invention will be described. The conductive pattern forming body of the present embodiment is a substrate, a photocatalyst treatment layer containing at least a photocatalyst on the substrate, and a pattern formed on the photocatalyst treatment layer, the wettability of the energy irradiation portion. Has a wettability changing layer that changes in a direction in which the contact angle of the liquid decreases, and a metal composition formed by solidifying a metal colloid solution on the wettability changing layer. .

【0201】本実施態様によれば、上記濡れ性変化層を
有することにより、容易に親液性の差を利用して、金属
コロイド溶液をパターン状に高精細に付着させることが
可能となる。また、上記光触媒処理層および導電性パタ
ーンが直接接触しないことから、経時的に導電性パター
ンが光触媒の影響を受ける可能性が低く、高品質な導電
性パターン形成体とすることが可能となるのである。
According to this embodiment, since the wettability changing layer is provided, it is possible to easily deposit the metal colloid solution in a pattern with high precision by utilizing the difference in lyophilicity. Further, since the photocatalyst treatment layer and the conductive pattern do not come into direct contact with each other, the conductive pattern is less likely to be affected by the photocatalyst over time, so that a high-quality conductive pattern forming body can be obtained. is there.

【0202】さらに、本実施態様によれば、濡れ性変化
層が、パターン状に形成されていることにより、導電性
パターンが形成されていない領域は、光触媒処理層が露
出している。これにより、上記濡れ性変化層が、比較的
導電性を有する場合にも、導電性パターン形成体とする
ことが可能となるのである。この場合、光触媒処理層の
電気抵抗が、1×10Ω・cm〜1×1018Ω・c
m、中でも1×10 Ω・cm〜1×1018Ω・c
mの範囲内であることが好ましい。これにより、優れた
導電性パターン形成体とすることが可能となるからであ
る。
Further, according to this embodiment, the wettability changing layer is formed in a pattern, so that the photocatalyst treatment layer is exposed in the region where the conductive pattern is not formed. Thereby, even when the wettability changing layer has a relatively conductive property, it becomes possible to form a conductive pattern forming body. In this case, the electric resistance of the photocatalyst treatment layer is 1 × 10 8 Ω · cm to 1 × 10 18 Ω · c.
m, among them 1 × 10 1 2 Ω · cm~1 × 10 18 Ω · c
It is preferably within the range of m. This makes it possible to obtain an excellent conductive pattern forming body.

【0203】このような本実施態様の導電性パターン形
成体は、図8に示すように、基材1と、この基材1上に
形成された光触媒処理層11と、この光触媒処理層11
上にパターン状に形成された濡れ性変化層12と、この
パターン状に形成された濡れ性変化層12上に形成され
た導電性パターン8とを有するものである。
As shown in FIG. 8, the conductive pattern forming body of this embodiment has a base material 1, a photocatalyst processing layer 11 formed on the base material 1, and a photocatalyst processing layer 11.
The wettability changing layer 12 is formed on the upper surface in a pattern and the conductive pattern 8 is formed on the wettability changing layer 12 formed on the pattern.

【0204】本実施態様に用いられる、光触媒処理層、
濡れ性変化層、基材、金属コロイド溶液、導電性パター
ン形成方法等は、上述した「A.導電性パターン形成体
の製造方法」における第二実施態様で説明したものを用
いることが可能であるので、ここでの説明は省略する。
A photocatalyst treatment layer used in this embodiment,
As the wettability changing layer, the base material, the metal colloid solution, the conductive pattern forming method and the like, those described in the second embodiment in the above-mentioned “A. Method for producing conductive pattern forming body” can be used. Therefore, the description is omitted here.

【0205】5.第五実施態様 次に、本発明の導電性パターン形成体の第五実施態様に
ついて説明する。本実施態様の導電性パターン形成体
は、基材と、上記基材上にパターン状に形成された、少
なくとも光触媒が含有された光触媒処理層と、上記光触
媒処理層上に形成されたエネルギー照射部分の濡れ性が
液体の接触角の低下する方向に変化する濡れ性変化層
と、上記濡れ性変化層上に金属コロイド溶液を固化させ
ることにより形成された金属組成物とを有することを特
徴とするものである。
5. Fifth Embodiment Next, a fifth embodiment of the conductive pattern forming body of the present invention will be described. The conductive pattern forming body of the present embodiment is a base material, a photocatalyst treatment layer containing at least a photocatalyst, which is formed in a pattern on the base material, and an energy irradiation portion formed on the photocatalyst treatment layer. The wettability changing layer whose wettability changes in the direction of decreasing the contact angle of the liquid, and the metal composition formed by solidifying the metal colloid solution on the wettability changing layer. It is a thing.

【0206】本実施態様によれば、上記濡れ性変化層を
有することにより、容易に親液性の差を利用して、金属
コロイド溶液をパターン状に高精細に付着させることが
可能となる。また、上記光触媒処理層および導電性パタ
ーンが直接接触しないことから、経時的に導電性パター
ンが光触媒の影響を受ける可能性が低く、高品質な導電
性パターン形成体とすることが可能となるのである。さ
らに、本実施態様の導電性パターン形成体は、上記光触
媒処理層が上記基材上にパターン状に形成され、その光
触媒処理層上に濡れ性変化層が形成されている。さらに
その濡れ性変化層上に導電性パターンが形成されている
ことから、導電性パターンが形成されていない部分は、
基材が露出している。これにより、光触媒処理層および
濡れ性変化層が、導電性の材料により形成されている場
合であっても、導電性パターン形成体とすることが可能
となるのである。この場合、基材の電気抵抗が、1×1
Ω・cm〜1×1018Ω・cm、中でも1×10
12Ω・cm〜1×10 Ω・cmの範囲内であるこ
とが好ましい。これにより、優れた導電性パターン形成
体とすることが可能となるからである。
According to this embodiment, the wettability changing layer is
By having the advantage of easily utilizing the difference in lyophilicity, the metal
It is possible to deposit a colloidal solution in a pattern with high precision.
It will be possible. In addition, the photocatalyst treatment layer and the conductive pattern
The conductive pattern is not
High-quality conductivity
Therefore, it is possible to obtain a sex pattern forming body. It
In addition, the conductive pattern forming body of the present embodiment is
The medium treatment layer is formed in a pattern on the base material, and
A wettability changing layer is formed on the catalyst treatment layer. further
A conductive pattern is formed on the wettability changing layer
Therefore, the part where the conductive pattern is not formed is
The substrate is exposed. Thereby, the photocatalyst treatment layer and
When the wettability changing layer is made of a conductive material,
Even if it is a combination, it can be a conductive pattern forming body
It becomes. In this case, the electric resistance of the substrate is 1 × 1
0 8Ω · cm ~ 1 x 1018Ω · cm, especially 1 × 10
12Ω · cm ~ 1 x 101 8Be within the range of Ω · cm
And are preferred. This enables excellent conductive pattern formation
This is because the body can be used.

【0207】このような本実施態様の導電性パターン形
成体は、例えば図9に示すように、基材1と、この基材
1上にパターン状に形成された光触媒処理層11と、こ
の光触媒処理層11上に形成された濡れ性変化層12
と、この濡れ性変化層12上に形成された導電性パター
ン8とを有するものである。
Such a conductive pattern forming body of this embodiment has a substrate 1, a photocatalyst treatment layer 11 formed in a pattern on the substrate 1, and a photocatalyst as shown in FIG. 9, for example. Wettability change layer 12 formed on treatment layer 11
And a conductive pattern 8 formed on the wettability changing layer 12.

【0208】本実施態様に用いられる、光触媒処理層、
濡れ性変化層、基材、金属コロイド溶液、導電性パター
ン形成方法等は、上述した「A.導電性パターン形成体
の製造方法」における第二実施態様で説明したものを用
いることが可能であるので、ここでの説明は省略する。
A photocatalyst treatment layer used in this embodiment,
As the wettability changing layer, the base material, the metal colloid solution, the conductive pattern forming method and the like, those described in the second embodiment in the above-mentioned “A. Method for producing conductive pattern forming body” can be used. Therefore, the description is omitted here.

【0209】6.第六実施態様 次に、本発明の導電性パターン形成体の第六実施態様に
ついて説明する。本発明の導電性パターン形成体の第六
実施態様は、基材と、上記基材上に少なくとも光触媒が
含有された光触媒処理層と、前記光触媒処理層上に、エ
ネルギー照射に伴う光触媒の作用により分解除去される
層である分解除去層と、前記分解除去層が分解除去され
た光触媒処理層上にパターン状に金属コロイド溶液を固
化させることにより形成された金属組成物とを有するこ
とを特徴とするものである。
6. Sixth Embodiment Next, a sixth embodiment of the conductive pattern forming body of the present invention will be described. A sixth embodiment of the conductive pattern formed body of the present invention, a substrate, a photocatalyst treatment layer containing at least a photocatalyst on the substrate, on the photocatalyst treatment layer, by the action of the photocatalyst accompanying the energy irradiation. A decomposition removal layer which is a layer to be decomposed and removed; and a metal composition formed by solidifying a metal colloid solution in a pattern on the decomposition and removal photocatalyst treatment layer. To do.

【0210】本実施態様の導電性パターン形成体は、上
記分解除去層を有することにより、例えばインクジェッ
ト法等により、容易に表面の凹凸を利用して、金属コロ
イド溶液をパターン状に付着させることが可能となるの
である。また、本実施態様の分解除去層は、分解除去層
の金属コロイド溶液に対する接触角と、分解除去が除去
されて露出する基材の金属コロイド溶液に対する接触角
とが異なるものであることが好ましい。これにより、上
記凹凸だけでなく、濡れ性の差も利用してパターン状に
金属コロイド溶液を付着させることが可能となり、これ
により容易にパターン形成体とすることが可能となるか
らである。
Since the conductive pattern forming body of the present embodiment has the above-mentioned decomposition / removal layer, the metal colloid solution can be easily attached in a pattern form by utilizing the unevenness of the surface, for example, by the inkjet method or the like. It will be possible. In the decomposition and removal layer of this embodiment, it is preferable that the contact angle of the decomposition and removal layer with respect to the metal colloid solution is different from the contact angle of the substrate exposed by the decomposition and removal with respect to the metal colloid solution. This makes it possible to attach the metal colloidal solution in a pattern by utilizing not only the above-mentioned unevenness but also the difference in wettability, whereby a pattern-formed body can be easily obtained.

【0211】また本実施態様の場合、光触媒処理層上に
導電性パターンが形成されていることから、光触媒処理
層の電気抵抗が、1×10Ω・cm〜1×1018Ω
・cm、中でも1×1012Ω・cm〜1×1018Ω
・cmの範囲内であることが好ましい。
Further, in the case of this embodiment, since the conductive pattern is formed on the photocatalyst processing layer, the electric resistance of the photocatalyst processing layer is from 1 × 10 8 Ω · cm to 1 × 10 18 Ω.
・ Cm, especially 1 × 10 12 Ω · cm to 1 × 10 18 Ω
It is preferably within the range of cm.

【0212】また、導電性パターンの周囲に、分解除去
層が存在していることから、この分解除去層の電気抵抗
が、1×10Ω・cm〜1×1018Ω・cm、中で
も1×1012Ω・cm〜1×1018Ω・cmの範囲
内であることが好ましい。これにより、優れた導電性パ
ターン形成体とすることが可能となるのである。
Further, since the decomposition / removal layer is present around the conductive pattern, the electric resistance of the decomposition / removal layer is from 1 × 10 8 Ω · cm to 1 × 10 18 Ω · cm, especially 1 It is preferably in the range of × 10 12 Ω · cm to 1 × 10 18 Ω · cm. This makes it possible to obtain an excellent conductive pattern forming body.

【0213】本実施態様の分解除去層は、例えば図10
に示すように、基材1上に光触媒処理層11が形成さ
れ、この光触媒処理層11上に分解除去層13が形成さ
れており、この分解除去層13が分解除去された部分の
光触媒処理層11上に導電性パターン8が形成されたも
のである。
The decomposition / removal layer of this embodiment is, for example, as shown in FIG.
As shown in FIG. 3, the photocatalyst processing layer 11 is formed on the base material 1, and the decomposition and removal layer 13 is formed on the photocatalyst processing layer 11. The decomposition and removal layer 13 is decomposed and removed. The conductive pattern 8 is formed on the surface 11.

【0214】本実施態様に用いられる、光触媒処理層、
分解除去層、基材、金属コロイド溶液、導電性パターン
形成方法等は、上述した「A.導電性パターン形成体の
製造方法」における第三実施態様で説明したものを用い
ることが可能であるので、ここでの説明は省略する。
A photocatalyst treatment layer used in the present embodiment,
As the decomposition / removal layer, the base material, the metal colloid solution, the conductive pattern forming method and the like, those described in the third embodiment in the above-mentioned “A. Method for manufacturing a conductive pattern forming body” can be used. The description here is omitted.

【0215】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の
特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一
な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかな
るものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, has substantially the same configuration as the technical idea described in the scope of the claims of the present invention, and has any similar effect to the present invention. It is included in the technical scope of the invention.

【0216】[0216]

【実施例】以下、本発明について、実施例を通じてさら
に詳述する。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail below with reference to examples.

【0217】[実施例1]イソプロピルアルコール30gに
フルオロアルキルシランが主成分であるMF-160E(商品
名、トーケムプロダクツ(株)製)0.4gとトリメトキシ
メチルシラン(東芝シリコーン(株)製、商品名TSL811
3)3gと光触媒である二酸化チタンの水分散体であるSTS
-01(商品名、石原産業(株)製)20gとを混合し、100
℃で20分間攪拌し、光触媒含有層形成用組成物とした。
[Example 1] 0.4 g of MF-160E (trade name, manufactured by Tochem Products Co., Ltd.) containing fluoroalkylsilane as a main component in 30 g of isopropyl alcohol and trimethoxymethylsilane (manufactured by Toshiba Silicone Co., Ltd.) Product name TSL811
3) STS, an aqueous dispersion of 3g and titanium dioxide as a photocatalyst
-01 (product name, manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.)
The mixture was stirred at 0 ° C for 20 minutes to obtain a photocatalyst-containing layer forming composition.

【0218】青板ガラス上に上記組成物をスピンコータ
ーにより塗布し、120℃で10分間の乾燥処理を行うこと
により、厚さ0.2μmの光触媒含有層を形成した。
The above composition was applied onto a soda lime glass by a spin coater and dried at 120 ° C. for 10 minutes to form a photocatalyst containing layer having a thickness of 0.2 μm.

【0219】100μmのライン&スペースのフォトマ
スクを用いて露光(365nm 500mJ/cm 2)し、光触媒含有
層表面に親液性領域を形成した。
100 μm line & space photoma
Exposure (365nm 500mJ / cm 2) And contains photocatalyst
A lyophilic region was formed on the layer surface.

【0220】未露光部、すなわち撥液性領域における銀
コロイド水溶液(濃度20wt%)に対する接触角は72°
であり、露光部、すなわち親液性領域における接触角は
9°であった。
The contact angle to the silver colloid aqueous solution (concentration 20 wt%) in the unexposed area, that is, the liquid repellent area was 72 °.
And the contact angle in the exposed part, that is, the lyophilic region was 9 °.

【0221】上記基板を銀コロイド水溶液(濃度20wt
%)に浸漬し、10mm/sec.で引き上げることにより、親液
性領域上にのみ上記銀コロイド水溶液がパターン状に付
着していた。この銀コロイド水溶液のパターンを300
℃で20分間加熱することにより基板上に銀がパターニ
ングされた導電性パターン形成体を得た。
[0221] The above substrate was used as an aqueous silver colloid solution (concentration: 20 wt
%) And pulled up at 10 mm / sec., The silver colloid aqueous solution was adhered in a pattern only on the lyophilic region. The pattern of this silver colloid solution is 300
By heating at 0 ° C. for 20 minutes, a conductive pattern forming body in which silver was patterned on the substrate was obtained.

【0222】[実施例2]イソプロピルアルコール30gに
フルオロアルキルシランが主成分であるMF-160E(商品
名、トーケムプロダクツ(株)製)0.4gとトリメトキシ
メチルシラン(東芝シリコーン(株)製、商品名TSL811
3)3gと光触媒である二酸化チタンの水分散体であるSTS
-01(商品名、石原産業(株)製)20gとを混合し、100
℃で20分間攪拌し、光触媒含有層形成用組成物とした。
Example 2 0.4 g of MF-160E (trade name, manufactured by Tochem Products Co., Ltd.) whose main component is fluoroalkylsilane in 30 g of isopropyl alcohol and trimethoxymethylsilane (manufactured by Toshiba Silicone Co., Ltd.) Product name TSL811
3) STS, an aqueous dispersion of 3g and titanium dioxide as a photocatalyst
-01 (product name, manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.)
The mixture was stirred at 0 ° C for 20 minutes to obtain a photocatalyst-containing layer forming composition.

【0223】青板ガラス上に上記組成物をスピンコータ
ーにより塗布し、120℃で10分間の乾燥処理を行うこと
により、厚さ0.2μmの光触媒含有層を形成した。
The above composition was applied onto a soda lime glass by a spin coater and dried at 120 ° C. for 10 minutes to form a photocatalyst containing layer having a thickness of 0.2 μm.

【0224】100μmのライン&スペースのフォトマ
スクを用いて露光(365nm 300mJ/cm 2)し、光触媒含有
層表面に親液性領域を形成した。
100 μm line & space photoma
Exposure using a mask (365nm 300mJ / cm 2) And contains photocatalyst
A lyophilic region was formed on the layer surface.

【0225】未露光部、すなわち撥液性領域における銀
コロイド水溶液(濃度20wt%)に対する接触角は72°
であり、露光部、すなわち親液性領域における接触角は
30°であった。
The contact angle to the silver colloid aqueous solution (concentration 20 wt%) in the unexposed area, that is, the liquid repellent area was 72 °.
And the contact angle in the exposed portion, that is, the lyophilic region was 30 °.

【0226】上記基板を銀コロイド水溶液(濃度20wt
%)に浸漬し、10mm/sec.で引き上げることにより、親液
性領域上にのみ上記銀コロイド水溶液がパターン状に付
着していた。この銀コロイド水溶液のパターンを300
℃で20分間加熱することにより基板上に銀がパターニ
ングされた導電性パターン形成体を得た。
A silver colloid aqueous solution (concentration: 20 wt.
%) And pulled up at 10 mm / sec., The silver colloid aqueous solution was adhered in a pattern only on the lyophilic region. The pattern of this silver colloid solution is 300
By heating at 0 ° C. for 20 minutes, a conductive pattern forming body in which silver was patterned on the substrate was obtained.

【0227】[実施例3]実施例1と同様にして光触媒
含有層を形成し、パターン状に露光を行うことにより、
光触媒含有層表面に親液性領域を形成した。
[Example 3] A photocatalyst-containing layer was formed in the same manner as in Example 1 and exposed in a pattern to give a photocatalyst-containing layer.
A lyophilic region was formed on the surface of the photocatalyst containing layer.

【0228】未露光部、すなわち撥液性領域における銀
コロイド水溶液(濃度50wt%)に対する接触角は78°
であり、露光部、すなわち親液性領域における接触角は
11°であった。
The contact angle with respect to the silver colloid aqueous solution (concentration 50 wt%) in the unexposed area, that is, the liquid repellent area was 78 °.
And the contact angle in the exposed part, that is, the lyophilic region was 11 °.

【0229】上記基板を銀コロイド水溶液(濃度50wt
%)に浸漬し、10mm/sec.で引き上げることにより、親液
性領域上にのみ上記銀コロイド水溶液がパターン状に付
着していた。この銀コロイド水溶液のパターンを300
℃で20分間加熱することにより基板上に銀がパターニ
ングされた導電性パターン形成体を得た。
An aqueous solution of silver colloid (concentration: 50 wt.
%) And pulled up at 10 mm / sec., The silver colloid aqueous solution was adhered in a pattern only on the lyophilic region. The pattern of this silver colloid solution is 300
By heating at 0 ° C. for 20 minutes, a conductive pattern forming body in which silver was patterned on the substrate was obtained.

【0230】[比較例1]イソプロピルアルコール30g
にフルオロアルキルシランが主成分であるMF-160E(商
品名、トーケムプロダクツ(株)製)0.4gとトリメトキ
シメチルシラン(東芝シリコーン(株)製、商品名TSL8
113)3gと光触媒である二酸化チタンの水分散体であるS
TS-01(商品名、石原産業(株)製)20gとを混合し、10
0℃で20分間攪拌し、光触媒含有層形成用組成物とし
た。
[Comparative Example 1] 30 g of isopropyl alcohol
Fluoroalkylsilane-based MF-160E (trade name, manufactured by Tochem Products Co., Ltd.) and trimethoxymethylsilane (trade name, TSL8 manufactured by Toshiba Silicone Co., Ltd.)
113) S, which is an aqueous dispersion of 3 g and titanium dioxide as a photocatalyst
Mix with TS-01 (trade name, Ishihara Sangyo Co., Ltd.) 20g to give 10
The mixture was stirred at 0 ° C for 20 minutes to obtain a photocatalyst-containing layer forming composition.

【0231】青板ガラス上に上記組成物をスピンコータ
ーにより塗布し、120℃で10分間の乾燥処理を行うこと
により、厚さ0.2μmの光触媒含有層を形成した。
The above composition was applied onto a soda lime glass by a spin coater and dried at 120 ° C. for 10 minutes to form a photocatalyst containing layer having a thickness of 0.2 μm.

【0232】100μmのライン&スペースのフォトマ
スクを用いて露光(365nm 100mJ/cm 2)し、光触媒含有
層表面に親液性領域を形成した。
100 μm line & space photoma
Exposure using a mask (365nm 100mJ / cm 2) And contains photocatalyst
A lyophilic region was formed on the layer surface.

【0233】未露光部、すなわち撥液性領域における銀
コロイド水溶液(濃度20wt%)に対する接触角は72°
であり、露光部、すなわち親液性領域における接触角は
47°であった。
The contact angle to the silver colloid aqueous solution (concentration 20 wt%) in the unexposed area, that is, the liquid repellent area was 72 °.
And the contact angle in the exposed portion, that is, the lyophilic region was 47 °.

【0234】上記基板を銀コロイド水溶液(濃度20wt
%)に浸漬し、10mm/sec.で引き上げたが、親液性領域を
含む全面において銀コロイド水溶液をはじいてしまい、
導電性パターン形成体を得ることはできなかった。
A silver colloid solution (concentration: 20 wt.
%) And pulled up at 10 mm / sec., But the silver colloid aqueous solution was repelled over the entire surface including the lyophilic region,
It was not possible to obtain a conductive pattern forming body.

【0235】[比較例2]イソプロピルアルコール30
gにトリメトキシメチルシラン(東芝シリコーン(株)
製、商品名TSL8113)3gと光触媒である二酸化チタン
の水分散体であるSTS-01(商品名、石原産業(株)製)
20gとを混合し、100℃で20分間攪拌し、フッ素を含有し
ない光触媒含有層形成用組成物とした。
[Comparative Example 2] Isopropyl alcohol 30
trimethoxymethylsilane (Toshiba Silicone Co., Ltd.)
STS-01 (trade name, manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.), which is an aqueous dispersion of titanium dioxide as a photocatalyst
20 g was mixed and stirred at 100 ° C. for 20 minutes to obtain a photocatalyst-containing layer forming composition containing no fluorine.

【0236】青板ガラス上に上記組成物をスピンコータ
ーにより塗布し、120℃で10分間の乾燥処理を行うこと
により、厚さ0.2μmの光触媒含有層を形成した。
The above composition was applied onto a soda lime glass by a spin coater and dried at 120 ° C. for 10 minutes to form a photocatalyst containing layer having a thickness of 0.2 μm.

【0237】100μmのライン&スペースのフォトマ
スクを用いて露光(365nm 500mJ/cm 2)し、光触媒含有
層表面に親液性領域を形成した。
100 μm line & space photoma
Exposure (365nm 500mJ / cm 2) And contains photocatalyst
A lyophilic region was formed on the layer surface.

【0238】未露光部、すなわち撥液性領域における銀
コロイド水溶液(濃度20wt%)に対する接触角は45°
であり、露光部、すなわち親液性領域における接触角は
10°であった。
The contact angle to the silver colloid aqueous solution (concentration 20 wt%) in the unexposed area, that is, the liquid repellent area was 45 °.
And the contact angle in the exposed portion, that is, the lyophilic region was 10 °.

【0239】上記基板を銀コロイド水溶液(濃度20wt
%)に浸漬し、10mm/sec.で引き上げたが、撥液性領域を
含む全面において、銀コロイド水溶液がコーティングさ
れてしまい、導電性パターン形成体を得ることができな
かった。
An aqueous solution of silver colloid (concentration: 20 wt.
%) And pulled up at 10 mm / sec. However, the entire surface including the liquid repellent region was coated with the aqueous silver colloid solution, and the conductive pattern forming body could not be obtained.

【0240】[実施例4]実施例1と同様にして光触媒含
有層を形成し、パターン状に露光を行った後、銀コロイ
ド液により導電性パターンを形成し、導電性パターン形
成体を得た。次に、上記導電性パターンが形成された基
板をPH13の水酸化カリウムが主成分であるアルカリ
水溶液に2分間浸漬し、その後、水によって5分間リン
スし非画線部を除去した。
[Example 4] A photocatalyst-containing layer was formed in the same manner as in Example 1, and after patternwise exposure, a conductive pattern was formed with a silver colloid solution to obtain a conductive pattern-formed body. . Next, the substrate on which the conductive pattern was formed was dipped in an alkaline aqueous solution containing PH13 as a main component for 2 minutes, and then rinsed with water for 5 minutes to remove the non-image area.

【0241】[実施例5]イソプロピルアルコール30g
とトリメトキシメチルシラン(GE東芝シリコーン
(株)製、TSL8113)3gと光触媒無機コーティ
ング剤であるST−K03(石原産業(株)製)20g
とを混合し、100℃で20分間撹拌した。これをイソ
プロピルアルコールにより3倍に希釈し光触媒処理層用
組成物とした。
[Example 5] 30 g of isopropyl alcohol
And 3 g of trimethoxymethylsilane (GE Toshiba Silicone Co., Ltd., TSL8113) and 20 g of ST-K03 (manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.), which is a photocatalytic inorganic coating agent.
And were mixed and stirred at 100 ° C. for 20 minutes. This was diluted 3 times with isopropyl alcohol to obtain a photocatalyst treatment layer composition.

【0242】上記光触媒処理層用組成物を、ガラス基板
上にスピンコーターにより塗布し、150℃で10分間
の乾燥処理を行うことにより、透明な光触媒処理層(厚
み0.15μm)を形成した。
The above photocatalyst treatment layer composition was applied onto a glass substrate by a spin coater and dried at 150 ° C. for 10 minutes to form a transparent photocatalyst treatment layer (thickness 0.15 μm).

【0243】次に、ポリカーボネートが主成分のユーピ
ロンZ400(三菱ガス化学製)2gをジクロロメタン
30gと1,1,2−トリクロロエタン70gとに溶解
し、分解層除去層用組成物とした。上記分解除去層用組
成物を、上記光触媒処理層上にスピンコーターにより塗
布し、100℃で60分間の乾燥処理を行うことによ
り、透明な分解除去層(厚み0.01μm)を形成し、
パターン形成体用基板を得た。
Next, 2 g of Iupilon Z400 (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.) containing polycarbonate as a main component was dissolved in 30 g of dichloromethane and 70 g of 1,1,2-trichloroethane to obtain a composition for a decomposition layer removing layer. The composition for decomposition and removal layer is applied onto the photocatalyst treatment layer by a spin coater and dried at 100 ° C. for 60 minutes to form a transparent decomposition and removal layer (thickness 0.01 μm),
A substrate for a pattern forming body was obtained.

【0244】次に、このパターン形成体用基板を、10
0μmのライン&スペースのフォトマスクを用いて高圧
水銀ランプにより露光(365nm 500mJ/cm
)し、分解除去層を分解除去し親液性領域をパターン
状に形成した。
Next, the substrate for pattern formation body is treated with 10
Exposure with a high-pressure mercury lamp using a photomask with a line and space of 0 μm (365 nm 500 mJ / cm
2 ) Then, the decomposition removal layer was decomposed and removed to form a lyophilic region in a pattern.

【0245】このとき、未露光部及び親液性領域と銀コ
ロイド溶液(濃度20%)との接触角を接触角測定器
(協和界面科学(株)製CA−Z型)を用いて測定(マ
イクロシリンジから液滴を滴下して30秒後)した結
果、それぞれ、65°と6°であった。
At this time, the contact angle between the unexposed area and the lyophilic area and the silver colloid solution (concentration 20%) was measured using a contact angle measuring instrument (CA-Z type manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.) ( Droplets were dropped from a microsyringe and 30 seconds later), the results were 65 ° and 6 °, respectively.

【0246】次に、インクジェット装置を用いて、銀コ
ロイド溶液(濃度20%)を、親液性領域に付着させ、
これに300℃60分の処理を行い硬化させた。
Next, using an ink jet device, a silver colloid solution (concentration 20%) was attached to the lyophilic region,
This was treated at 300 ° C. for 60 minutes to be cured.

【0247】[実施例6]イソプロピルアルコール30g
とトリメトキシメチルシラン(GE東芝シリコーン
(株)製、TSL8113)3gと光触媒無機コーティ
ング剤であるST−K03(石原産業(株)製)20g
とを混合し、100℃で20分間撹拌した。これをイソ
プロピルアルコールにより3倍に希釈し光触媒処理層用
組成物とした。
[Example 6] 30 g of isopropyl alcohol
And 3 g of trimethoxymethylsilane (GE Toshiba Silicone Co., Ltd., TSL8113) and 20 g of ST-K03 (manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.), which is a photocatalytic inorganic coating agent.
And were mixed and stirred at 100 ° C. for 20 minutes. This was diluted 3 times with isopropyl alcohol to obtain a photocatalyst treatment layer composition.

【0248】上記光触媒処理層用組成物を、ガラス基板
上にスピンコーターにより塗布し、150℃で10分間
の乾燥処理を行うことにより、透明な光触媒処理層(厚
み0.15μm)を形成した。
The photocatalyst treatment layer composition was applied onto a glass substrate by a spin coater and dried at 150 ° C. for 10 minutes to form a transparent photocatalyst treatment layer (thickness 0.15 μm).

【0249】次に、イソプロピルアルコール30gとフ
ルオロアルキルシラン(GE東芝シリコーン(株))と
テトラメトキシシラン(GE東芝シリコーン(株))3
gと0.5規定塩酸2.5gとを混合し8時間攪拌し
た。これをイソプロピルアルコールにより100倍に希
釈し濡れ性変化層用組成物とした。
Next, 30 g of isopropyl alcohol, fluoroalkylsilane (GE Toshiba Silicone Co., Ltd.) and tetramethoxysilane (GE Toshiba Silicone Co., Ltd.) 3
g and 0.5 g of 0.5 N hydrochloric acid were mixed and stirred for 8 hours. This was diluted 100 times with isopropyl alcohol to obtain a wettability changing layer composition.

【0250】上記濡れ性変化層用組成物を、上記光触媒
処理層上にスピンコーターにより塗布し、150℃で1
0分間の乾燥処理を行うことにより、透明な濡れ性変化
層(厚み0.1μm)を形成し、パターン形成体用基板
を得た。
The composition for wettability changing layer was applied onto the photocatalyst-treated layer by a spin coater, and the composition was applied at 150 ° C. for 1 hour.
By performing a drying treatment for 0 minutes, a transparent wettability changing layer (thickness 0.1 μm) was formed to obtain a substrate for a pattern forming body.

【0251】次に、このパターン形成体用基板を、10
0μmのライン&スペースのフォトマスクを用いて高圧
水銀ランプにより露光(365nm 500mJ/cm
)し、親液性領域をパターン状に形成した。
Next, this pattern forming substrate is used for 10 times.
Exposure with a high-pressure mercury lamp using a photomask with a line and space of 0 μm (365 nm 500 mJ / cm
2 ) Then, the lyophilic region was formed in a pattern.

【0252】このとき、未露光部及び親液性領域と銀コ
ロイド溶液(濃度20%)との接触角を接触角測定器
(協和界面科学(株)製CA−Z型)を用いて測定(マ
イクロシリンジから液滴を滴下して30秒後)した結
果、それぞれ、80°と8°であった。
At this time, the contact angle between the unexposed area and the lyophilic area and the silver colloid solution (concentration 20%) was measured using a contact angle measuring instrument (CA-Z type manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.) ( As a result of dropping a droplet from a microsyringe for 30 seconds), the results were 80 ° and 8 °, respectively.

【0253】次に、インクジェット装置を用いて、銀コ
ロイド溶液(濃度20%)を、親液性領域に付着させ、
これに300℃60分の処理を行い硬化させた。
Next, using an ink jet device, a silver colloid solution (concentration 20%) was made to adhere to the lyophilic region,
This was treated at 300 ° C. for 60 minutes to be cured.

【0254】次に、上記導電性パターンが形成された基
板をPH13の水酸化カリウムが主成分であるアルカリ
水溶液に5分間浸漬し、その後、水によって5分間リン
スし非画線部の濡れ性変化層と光触媒処理層を除去し
た。
Next, the substrate on which the conductive pattern is formed is immersed in an alkaline aqueous solution containing PH13 as a main component for 5 minutes, and then rinsed with water for 5 minutes to change the wettability of the non-image area. The layer and the photocatalyst treated layer were removed.

【0255】[0255]

【発明の効果】本発明によれば、例えばディップコート
法等を用いて金属コロイド溶液を全面に付着させる処理
を行うことにより、容易に金属コロイド溶液を光触媒含
有層上にパターン状に形成することが可能であり、これ
を固化させれば高精細な導電性パターンとすることがで
きる。よって、簡便な工程で精度良く高精細な導電性パ
ターンを形成することができるので、低コストで高精細
な導電性パターンを形成することができるといった効果
を奏するものである。
According to the present invention, the metal colloid solution can be easily formed in a pattern on the photocatalyst-containing layer by performing a treatment for depositing the metal colloid solution on the entire surface by using, for example, a dip coating method. When it is solidified, a highly precise conductive pattern can be obtained. Therefore, since a highly precise conductive pattern can be formed with high precision by a simple process, it is possible to form a highly precise conductive pattern at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の導電性パターン形成体の製造方法の一
例を示す工程図である。
FIG. 1 is a process drawing showing an example of a method for manufacturing a conductive pattern forming body of the present invention.

【図2】本発明の導電性パターン形成体の製造方法の非
画線部除去工程の一例を示す工程図である。
FIG. 2 is a process drawing showing an example of a non-image area removing process of the method for manufacturing a conductive pattern forming body of the present invention.

【図3】本発明の導電性パターン形成体の製造方法の他
の例を示す工程図である。
FIG. 3 is a process drawing showing another example of the method for manufacturing a conductive pattern forming body of the present invention.

【図4】本発明の導電性パターン形成体の製造方法の他
の例を示す工程図である。
FIG. 4 is a process drawing showing another example of the method for manufacturing a conductive pattern forming body of the present invention.

【図5】本発明の導電性パターン形成体の一例を示す概
略断面図である。
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing an example of a conductive pattern forming body of the present invention.

【図6】本発明の導電性パターン形成体の他の例を示す
概略断面図である。
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing another example of the conductive pattern forming body of the present invention.

【図7】本発明の導電性パターン形成体の他の例を示す
概略断面図である。
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing another example of the conductive pattern forming body of the present invention.

【図8】本発明の導電性パターン形成体の他の例を示す
概略断面図である。
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing another example of the conductive pattern forming body of the present invention.

【図9】本発明の導電性パターン形成体の他の例を示す
概略断面図である。
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing another example of the conductive pattern forming body of the present invention.

【図10】本発明の導電性パターン形成体の他の例を示
す概略断面図である。
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing another example of the conductive pattern forming body of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 … 基材 2 … 光触媒含有層 3 … パターン形成体用基板 6 … 親液性領域 7 … 撥液性領域 9 … 導電性パターン形成体 10… 非画線部 11… 光触媒処理層 12… 濡れ性変化層 13… 分解除去層 1 ... Base material 2 ... Photocatalyst containing layer 3 ... Substrate for pattern forming body 6 ... lyophilic region 7 ... Liquid repellent area 9 ... Conductive pattern forming body 10 ... Non-image area 11 ... Photocatalyst treatment layer 12 ... Wettability change layer 13 ... Decomposition / removal layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H097 FA05 FA06 FA10 LA09 LA20 4K022 AA01 AA42 BA15 BA22 BA33 CA03 CA22 DA06 5E343 AA02 BB23 BB25 BB60 BB72 CC22 CC32 CC54 CC56 CC76 DD02 ER35 ER47 GG08    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F-term (reference) 2H097 FA05 FA06 FA10 LA09 LA20                 4K022 AA01 AA42 BA15 BA22 BA33                       CA03 CA22 DA06                 5E343 AA02 BB23 BB25 BB60 BB72                       CC22 CC32 CC54 CC56 CC76                       DD02 ER35 ER47 GG08

Claims (38)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基材と、前記基材上に形成され、光触媒
およびバインダを有し、エネルギー照射部分の濡れ性が
液体の接触角の低下する方向に変化する光触媒含有層と
からなるパターン形成体用基板を調製するパターン形成
体用基板調製工程と、 前記光触媒含有層上にパターン状にエネルギーを照射す
ることにより、前記光触媒含有層上に撥液性領域と親液
性領域とからなる濡れ性パターンを形成する濡れ性パタ
ーン形成工程と、 前記濡れ性パターンが形成された光触媒含有層表面に、
金属コロイド溶液を塗布することにより、親液性領域に
のみ金属コロイド溶液を付着させる金属コロイド溶液塗
布工程と、 前記濡れ性パターンの親液性領域に付着した金属コロイ
ド溶液を固化させて導電性パターンとする導電性パター
ン形成工程とを有することを特徴とする導電性パターン
形成体の製造方法。
1. A pattern formation comprising a base material and a photocatalyst-containing layer formed on the base material, having a photocatalyst and a binder, and having a wettability of an energy-irradiated portion changed in a direction in which a contact angle of a liquid decreases. Pattern forming body substrate preparing step for preparing a body substrate, by irradiating the photocatalyst-containing layer with energy in a pattern, to wet the photocatalyst-containing layer consisting of a liquid-repellent region and a lyophilic region Pattern forming step of forming a wettability pattern, the photocatalyst-containing layer surface on which the wettability pattern is formed,
A metal colloid solution applying step of applying the metal colloid solution only to the lyophilic region by applying the metal colloid solution, and a conductive pattern by solidifying the metal colloid solution attached to the lyophilic region of the wettability pattern. And a step of forming a conductive pattern.
【請求項2】 前記光触媒含有層が、エネルギー照射に
よる光触媒の作用により分解され、これにより光触媒含
有層上の濡れ性を変化させることができる分解物質を含
むことを特徴とする請求項1に記載の導電性パターン形
成体の製造方法。
2. The photocatalyst-containing layer comprises a decomposing substance that is decomposed by the action of a photocatalyst by energy irradiation, thereby changing the wettability on the photocatalyst-containing layer. 1. A method for manufacturing a conductive pattern forming body according to claim 1.
【請求項3】 前記光触媒含有層がフッ素を含み、前記
光触媒含有層に対しエネルギーを照射した際に、前記光
触媒の作用により前記光触媒含有層表面のフッ素含有量
がエネルギー照射前に比較して低下するように前記光触
媒含有層が形成されていることを特徴とする請求項1ま
たは請求項2に記載の導電性パターン形成体の製造方
法。
3. The photocatalyst-containing layer contains fluorine, and when the photocatalyst-containing layer is irradiated with energy, the content of fluorine on the surface of the photocatalyst-containing layer is reduced by the action of the photocatalyst as compared with that before the energy irradiation. The method for producing a conductive pattern forming body according to claim 1 or 2, wherein the photocatalyst-containing layer is formed as described above.
【請求項4】 前記光触媒含有層上へのエネルギー照射
を行い、フッ素含有量を低下させた部位におけるフッ素
含有量が、エネルギー照射されていない部分のフッ素含
有量を100とした場合に10以下であることを特徴と
する請求項3に記載の導電性パターン形成体の製造方
法。
4. The photocatalyst-containing layer is irradiated with energy, and the fluorine content in the portion where the fluorine content is reduced is 10 or less when the fluorine content in the portion not irradiated with energy is 100. It exists, The manufacturing method of the electrically conductive pattern formation body of Claim 3 characterized by the above-mentioned.
【請求項5】 前記光触媒含有層上における金属コロイ
ド溶液に対する接触角が、エネルギーが照射されていな
い部分において50°以上であり、照射された部分にお
いて40°以下であることを特徴とする請求項1から請
求項4までのいずれかの請求項に記載の導電性パターン
形成体の製造方法。
5. The contact angle with respect to the metal colloid solution on the photocatalyst containing layer is 50 ° or more in a portion not irradiated with energy, and 40 ° or less in an irradiated portion. The method for producing a conductive pattern forming body according to any one of claims 1 to 4.
【請求項6】 前記バインダが、オルガノポリシロキサ
ンを含有する層であることを特徴とする請求項1から請
求項5までのいずれかの請求項に記載の導電性パターン
形成体の製造方法。
6. The method for producing a conductive pattern forming body according to claim 1, wherein the binder is a layer containing an organopolysiloxane.
【請求項7】 前記オルガノポリシロキサンが、フルオ
ロアルキル基を含有するポリシロキサンであることを特
徴とする請求項6記載の導電性パターン形成体の製造方
法。
7. The method for producing a conductive pattern forming body according to claim 6, wherein the organopolysiloxane is a polysiloxane containing a fluoroalkyl group.
【請求項8】 前記オルガノポリシロキサンが、Y
iX(4−n)(ここで、Yはアルキル基、フルオロア
ルキル基、ビニル基、アミノ基、フェニル基またはエポ
キシ基を示し、Xはアルコキシル基またはハロゲンを示
す。nは0〜3までの整数である。)で示される珪素化
合物の1種または2種以上の加水分解縮合物もしくは共
加水分解縮合物であるオルガノポリシロキサンであるこ
とを特徴とする請求項6または請求項7に記載の導電性
パターン形成体の製造方法。
8. The organopolysiloxane is Y n S
iX (4-n) (wherein Y represents an alkyl group, a fluoroalkyl group, a vinyl group, an amino group, a phenyl group or an epoxy group, X represents an alkoxyl group or a halogen, and n is an integer from 0 to 3. 8. The electroconductivity according to claim 6 or 7, which is an organopolysiloxane which is a hydrolyzed condensate or a co-hydrolyzed condensate of one or more silicon compounds represented by the formula (1). Of manufacturing a patterned product.
【請求項9】 基材と、前記基材上に形成され、少なく
とも光触媒が含有された光触媒処理層と、前記光触媒処
理層上に形成され、エネルギー照射部分の濡れ性が液体
の接触角の低下する方向に変化する層である濡れ性変化
層とからなるパターン形成体用基板を調製するパターン
形成体用基板調製工程と、 前記濡れ性変化層にパターン状にエネルギーを照射する
ことにより、前記濡れ性変化層上に撥液性領域と親液性
領域とからなる濡れ性パターンを形成する濡れ性パター
ン形成工程と、 前記濡れ性パターンが形成された濡れ性変化層表面に、
金属コロイド溶液を塗布することにより、親液性領域に
のみ金属コロイド溶液を付着させる金属コロイド溶液塗
布工程と、 前記濡れ性パターンの親液性領域に付着した金属コロイ
ド溶液を固化させて導電性パターンとする導電性パター
ン形成工程とを有することを特徴とする導電性パターン
形成体の製造方法。
9. A base material, a photocatalyst treatment layer formed on the base material and containing at least a photocatalyst, and a photocatalyst treatment layer formed on the photocatalyst treatment layer. Pattern forming body substrate preparing step of preparing a substrate for a pattern forming body consisting of a wettability changing layer that is a layer that changes in a direction, and by irradiating the wettability changing layer with energy in a pattern, the wetting A wettability pattern forming step of forming a wettability pattern consisting of a liquid repellent region and a lyophilic region on the property change layer, and the wettability change layer surface on which the wettability pattern is formed,
A metal colloid solution applying step of applying the metal colloid solution only to the lyophilic region by applying the metal colloid solution, and a conductive pattern by solidifying the metal colloid solution attached to the lyophilic region of the wettability pattern. And a step of forming a conductive pattern.
【請求項10】 前記濡れ性変化層上における金属コロ
イド溶液に対する接触角が、エネルギーが照射されてい
ない部分において50°以上であり、照射された部分に
おいて40°以下であることを特徴とする請求項9に記
載の導電性パターン形成体の製造方法。
10. The contact angle with respect to the metal colloid solution on the wettability changing layer is 50 ° or more in a portion not irradiated with energy and 40 ° or less in an irradiated portion. Item 10. A method for producing a conductive pattern forming body according to item 9.
【請求項11】 前記濡れ性変化層が、オルガノポリシ
ロキサンを含有する層であることを特徴とする請求項9
または請求項10に記載の導電性パターン形成体の製造
方法。
11. The wettability changing layer is a layer containing an organopolysiloxane.
Alternatively, the method for manufacturing a conductive pattern forming body according to claim 10.
【請求項12】 前記オルガノポリシロキサンが、フル
オロアルキル基を含有するポリシロキサンであることを
特徴とする請求項11記載の導電性パターン形成体の製
造方法。
12. The method for manufacturing a conductive pattern forming body according to claim 11, wherein the organopolysiloxane is a polysiloxane containing a fluoroalkyl group.
【請求項13】 前記オルガノポリシロキサンが、Y
SiX(4−n)(ここで、Yはアルキル基、フルオロ
アルキル基、ビニル基、アミノ基、フェニル基またはエ
ポキシ基を示し、Xはアルコキシル基またはハロゲンを
示す。nは0〜3までの整数である。)で示される珪素
化合物の1種または2種以上の加水分解縮合物もしくは
共加水分解縮合物であるオルガノポリシロキサンである
ことを特徴とする請求項11または請求項12に記載の
導電性パターン形成体の製造方法。
13. The organopolysiloxane is Y n
SiX (4-n) (wherein Y represents an alkyl group, a fluoroalkyl group, a vinyl group, an amino group, a phenyl group or an epoxy group, X represents an alkoxyl group or a halogen, and n is an integer from 0 to 3. 13. The electroconductivity according to claim 11 or 12, which is an organopolysiloxane which is a hydrolysis-condensation product or a co-hydrolysis-condensation product of one or more silicon compounds represented by the formula (1). Of manufacturing a patterned product.
【請求項14】 基材と、前記基材上に形成され、少な
くとも光触媒が含有された光触媒処理層と、前記光触媒
処理層上に形成され、エネルギー照射に伴う光触媒の作
用により分解除去される層である分解除去層とからなる
パターン形成体用基板を調製するパターン形成体用基板
調製工程と、 前記分解除去層にパターン状にエネルギーを照射するこ
とにより、前記分解除去層上に分解除去パターンを形成
する分解除去パターン形成工程と、 前記分解除去パターンが形成された分解除去層表面に、
金属コロイド溶液を塗布することにより、パターン状に
金属コロイド溶液を付着させる金属コロイド溶液塗布工
程と、 前記パターン状に付着した金属コロイド溶液を固化させ
て導電性パターンとする導電性パターン形成工程とを有
することを特徴とする導電性パターン形成体の製造方
法。
14. A base material, a photocatalyst treatment layer formed on the base material and containing at least a photocatalyst, and a layer formed on the photocatalyst treatment layer and decomposed and removed by the action of the photocatalyst accompanying energy irradiation. A pattern forming body substrate preparing step of preparing a substrate for a pattern forming body comprising a decomposition removing layer that is, and by irradiating the decomposition removing layer with energy in a pattern, a decomposition removing pattern is formed on the decomposition removing layer. A decomposition removal pattern forming step to be formed, on the decomposition removal layer surface on which the decomposition removal pattern is formed,
A metal colloid solution applying step of applying the metal colloid solution in a pattern by applying the metal colloid solution, and a conductive pattern forming step of solidifying the metal colloid solution adhered in the pattern to form a conductive pattern. A method of manufacturing a conductive pattern forming body, comprising:
【請求項15】 前記分解除去層に対する液体の接触角
と、前記分解除去層が分解されて露出する光触媒処理層
に対する液体の接触角とが異なるものであることを特徴
とする請求項14に記載の導電性パターン形成体の製造
方法。
15. The contact angle of the liquid with respect to the decomposition and removal layer is different from the contact angle of the liquid with respect to the photocatalyst processing layer exposed by decomposition of the decomposition and removal layer. 1. A method for manufacturing a conductive pattern forming body according to claim 1.
【請求項16】 前記分解除去層が、自己組織化単分子
膜、ラングミュア−ブロジェット膜、もしくは交互吸着
膜のいずれかであることを特徴とする請求項14または
請求項15に記載の導電性パターン形成体の製造方法。
16. The conductive material according to claim 14 or 15, wherein the decomposition and removal layer is one of a self-assembled monolayer film, a Langmuir-Blodgett film, and an alternate adsorption film. A method for manufacturing a pattern forming body.
【請求項17】 前記分解除去層上における金属コロイ
ド溶液に対する接触角が、エネルギーが照射されていな
い部分において50°以上であり、照射された部分にお
いて40°以下であることを特徴とする請求項14から
請求項16までのいずれかの請求項に記載の導電性パタ
ーン形成体の製造方法。
17. The contact angle with respect to the metal colloid solution on the decomposition and removal layer is 50 ° or more in a portion not irradiated with energy, and 40 ° or less in an irradiated portion. The method for producing a conductive pattern forming body according to any one of claims 14 to 16.
【請求項18】 前記導電性パターン形成工程後に、導
電性パターン部が形成されていない非導電性パターン部
を除去する非画線部除去工程を有することを特徴とする
請求項1から請求項17までのいずれかの請求項に記載
の導電性パターン形成体の製造方法。
18. The method according to claim 1, further comprising a non-image area removing step of removing a non-conductive pattern portion on which no conductive pattern portion is formed after the conductive pattern forming step. The method for producing a conductive pattern forming body according to any one of claims 1 to 7.
【請求項19】 前記非画線部除去工程が、前記非導電
性パターン部をアルカリ溶液により除去する工程である
ことを特徴とする請求項18に記載の導電性パターン形
成体の製造方法。
19. The method for producing a conductive pattern forming body according to claim 18, wherein the non-image area removing step is a step of removing the non-conductive pattern area with an alkaline solution.
【請求項20】 前記光触媒が、酸化チタン(Ti
)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(SnO)、
チタン酸ストロンチウム(SrTiO)、酸化タング
ステン(WO)、酸化ビスマス(Bi)、およ
び酸化鉄(Fe )から選択される1種または2種
以上の物質であることを特徴とする請求項1から請求項
19までのいずれかの請求項に記載の導電性パターン形
成体の製造方法。
20. The photocatalyst is titanium oxide (Ti
OTwo), Zinc oxide (ZnO), tin oxide (SnO)Two),
Strontium titanate (SrTiOThree), Oxide tongue
Stainless (WOThree), Bismuth oxide (BiTwoOThree), And
And iron oxide (Fe TwoOThree1 type or 2 types selected from
Claims 1 to 6, which are the above substances
Conductive pattern shape according to any of claims 19
Adult manufacturing method.
【請求項21】 前記光触媒が酸化チタン(TiO
であることを特徴とする請求項20記載の導電性パター
ン形成体の製造方法。
21. The photocatalyst is titanium oxide (TiO 2 ).
21. The method for manufacturing a conductive pattern forming body according to claim 20, wherein
【請求項22】 前記光触媒含有層表面のフッ素の含有
量を、X線光電子分光法で分析して定量化すると、Ti
元素を100とした場合に、フッ素元素が500以上と
なる比率でフッ素元素が光触媒含有層表面に含まれてい
る光触媒含有層を有することを特徴とする請求項21記
載の導電性パターン形成体の製造方法。
22. When the content of fluorine on the surface of the photocatalyst containing layer is analyzed and quantified by X-ray photoelectron spectroscopy, Ti
22. The conductive pattern forming body according to claim 21, further comprising a photocatalyst-containing layer in which the fluorine element is contained on the surface of the photocatalyst-containing layer in a ratio of 500 or more when the number of elements is 100. Production method.
【請求項23】 前記エネルギー照射が、光触媒を加熱
しながらなされることを特徴とする請求項1から請求項
22までのいずれかの請求項に記載の導電性パターン形
成体の製造方法。
23. The method for producing a conductive pattern forming body according to claim 1, wherein the energy irradiation is performed while heating the photocatalyst.
【請求項24】 前記金属コロイド溶液が、銀コロイド
水溶液または金コロイド水溶液であることを特徴とする
請求項1から請求項23までのいずれかの請求項に記載
の導電性パターン形成体の製造方法。
24. The method for producing a conductive pattern forming body according to claim 1, wherein the metal colloid solution is a silver colloid aqueous solution or a gold colloid aqueous solution. .
【請求項25】 前記金属コロイド溶液塗布工程におけ
る金属コロイド溶液の塗布が、ディップコーティング法
またはスピンコーティング法であることを特徴とする請
求項1から請求項24までのいずれかの請求項に記載の
導電性パターン形成体の製造方法。
25. The method according to any one of claims 1 to 24, wherein the coating of the metal colloid solution in the metal colloid solution coating step is a dip coating method or a spin coating method. A method for manufacturing a conductive pattern forming body.
【請求項26】 前記金属コロイド溶液塗布工程におけ
る金属コロイド溶液の塗布が、ノズル吐出法であること
を特徴とする請求項1から請求項24までのいずれかの
請求項に記載の導電性パターン形成体の製造方法。
26. The conductive pattern formation according to claim 1, wherein the coating of the metal colloid solution in the metal colloid solution coating step is a nozzle discharge method. Body manufacturing method.
【請求項27】 前記ノズル吐出法が、インクジェット
法であることを特徴とする請求項26に記載の導電性パ
ターン形成体の製造方法。
27. The method of manufacturing a conductive pattern forming body according to claim 26, wherein the nozzle discharging method is an inkjet method.
【請求項28】 基材と、前記基材上に形成されたエネ
ルギー照射部分の濡れ性が液体の接触角の低下する方向
に変化する層であり、かつ少なくとも光触媒およびバイ
ンダを含有する光触媒含有層と、前記光触媒含有層上
に、パターン状に金属コロイド溶液を固化させることに
より形成された金属組成物とを有することを特徴とする
導電性パターン形成体。
28. A photocatalyst-containing layer which is a layer in which the wettability of a substrate and an energy-irradiated portion formed on the substrate changes in a direction in which the contact angle of a liquid decreases, and which contains at least a photocatalyst and a binder. And a metal composition formed by solidifying a metal colloid solution in a pattern on the photocatalyst-containing layer, the conductive pattern forming body.
【請求項29】 基材と、前記基材上にパターン状に形
成された、エネルギー照射部分の濡れ性が液体の接触角
の低下する方向に変化する層であり、かつ少なくとも光
触媒およびバインダを含有する光触媒含有層と、前記光
触媒含有層上に金属コロイド溶液を固化させることによ
り形成された金属組成物とを有することを特徴とする導
電性パターン形成体。
29. A base material, and a layer formed in a pattern on the base material, in which the wettability of an energy-irradiated portion changes in the direction of decreasing the contact angle of a liquid, and contains at least a photocatalyst and a binder. And a metal composition formed by solidifying a metal colloid solution on the photocatalyst-containing layer.
【請求項30】 前記光触媒含有層が、エネルギー照射
による光触媒の作用により分解され、これにより光触媒
含有層上の濡れ性を変化させることができる分解物質を
含むことを特徴とする請求項28または請求項29に記
載の導電性パターン形成体。
30. The photocatalyst-containing layer contains a decomposable substance that is decomposed by the action of a photocatalyst by energy irradiation, thereby changing the wettability on the photocatalyst-containing layer. Item 32. A conductive pattern formed product according to item 29.
【請求項31】 前記光触媒含有層上における金属コロ
イド溶液に対する接触角が、エネルギーが照射されてい
ない部分において50°以上であり、照射された部分に
おいて40°以下であることを特徴とする請求項28か
ら請求項30までのいずれかの請求項に記載の導電性パ
ターン形成体。
31. The contact angle with respect to the metal colloid solution on the photocatalyst-containing layer is 50 ° or more in a portion not irradiated with energy and 40 ° or less in an irradiated portion. 28. The conductive pattern forming body according to claim 28.
【請求項32】 基材と、前記基材上に少なくとも光触
媒が含有された光触媒処理層と、前記光触媒処理層上
に、エネルギー照射部分の濡れ性が液体の接触角の低下
する方向に変化する濡れ性変化層と、前記濡れ性変化層
上にパターン状に金属コロイド溶液を固化させることに
より形成された金属組成物とを有することを特徴とする
導電性パターン形成体。
32. On the substrate, the photocatalyst treatment layer containing at least a photocatalyst on the substrate, and the photocatalyst treatment layer, the wettability of the energy irradiation portion changes in the direction in which the contact angle of the liquid decreases. A conductive pattern forming body comprising a wettability changing layer and a metal composition formed by solidifying a metal colloid solution in a pattern on the wettability changing layer.
【請求項33】 基材と、前記基材上に少なくとも光触
媒が含有された光触媒処理層と、前記光触媒処理層上に
パターン状に形成された、エネルギー照射部分の濡れ性
が液体の接触角の低下する方向に変化する濡れ性変化層
と、前記濡れ性変化層上に金属コロイド溶液を固化させ
ることにより形成された金属組成物とを有することを特
徴とする導電性パターン形成体。
33. A base material, a photocatalyst processing layer containing at least a photocatalyst on the base material, and a pattern formed on the photocatalyst processing layer. 1. A conductive pattern forming body comprising: a wettability changing layer that changes in a decreasing direction; and a metal composition formed by solidifying a metal colloid solution on the wettability changing layer.
【請求項34】 基材と、前記基材上にパターン状に形
成された、少なくとも光触媒が含有された光触媒処理層
と、前記光触媒処理層上に形成されたエネルギー照射部
分の濡れ性が液体の接触角の低下する方向に変化する濡
れ性変化層と、前記濡れ性変化層上に金属コロイド溶液
を固化させることにより形成された金属組成物とを有す
ることを特徴とする導電性パターン形成体。
34. The wettability of the substrate, the photocatalyst treatment layer formed on the substrate in a pattern and containing at least a photocatalyst, and the energy irradiation portion formed on the photocatalyst treatment layer has a liquid wettability. A conductive pattern forming body, comprising: a wettability changing layer that changes in a direction of decreasing a contact angle; and a metal composition formed by solidifying a metal colloid solution on the wettability changing layer.
【請求項35】 前記濡れ性変化層上における金属コロ
イド溶液に対する接触角が、エネルギーが照射されてい
ない部分において50°以上であり、照射された部分に
おいて40°以下であることを特徴とする請求項32か
ら請求項34までのいずれかの請求項に記載の導電性パ
ターン形成体。
35. The contact angle with respect to the metal colloid solution on the wettability changing layer is 50 ° or more in a portion not irradiated with energy and 40 ° or less in an irradiated portion. Item 35. The conductive pattern formed body according to any one of items 32 to 34.
【請求項36】 基材と、前記基材上に少なくとも光触
媒が含有された光触媒処理層と、前記光触媒処理層上
に、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により分解除去
される層である分解除去層と、前記分解除去層が分解除
去された光触媒処理層上にパターン状に金属コロイド溶
液を固化させることにより形成された金属組成物とを有
することを特徴とする導電性パターン形成体。
36. A base material, a photocatalyst processing layer containing at least a photocatalyst on the base material, and a decomposition and removal layer which is a layer on the photocatalyst processing layer that is decomposed and removed by the action of the photocatalyst accompanying energy irradiation. And a metal composition formed by solidifying a metal colloid solution in a pattern on the photocatalyst treatment layer from which the decomposition and removal layer has been decomposed and removed.
【請求項37】 前記分解除去層が、自己組織化単分子
膜、ラングミュア−ブロジェット膜、もしくは交互吸着
膜のいずれかであることを特徴とする請求項36に記載
の導電性パターン形成体。
37. The conductive pattern forming body according to claim 36, wherein the decomposition and removal layer is one of a self-assembled monolayer film, a Langmuir-Blodgett film, and an alternate adsorption film.
【請求項38】 前記分解除去層上における金属コロイ
ド溶液に対する接触角が、エネルギーが照射されていな
い部分において50°以上であり、照射された部分にお
いて40°以下であることを特徴とする請求項36また
は請求項37に記載の導電性パターン形成体。
38. The contact angle with respect to the metal colloid solution on the decomposition and removal layer is 50 ° or more in a portion not irradiated with energy and 40 ° or less in an irradiated portion. 36. The conductive pattern forming body according to claim 36 or 37.
JP2002249604A 2001-11-06 2002-08-28 Method for manufacturing conductive pattern forming body Expired - Fee Related JP4672233B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002249604A JP4672233B2 (en) 2001-11-06 2002-08-28 Method for manufacturing conductive pattern forming body
US10/649,212 US7749684B2 (en) 2002-08-28 2003-08-27 Method for manufacturing conductive pattern forming body
US12/789,920 US20100230137A1 (en) 2002-08-28 2010-05-28 Method for manufacturing conductive pattern forming body

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001340481 2001-11-06
JP2001-340481 2001-11-06
JP2002249604A JP4672233B2 (en) 2001-11-06 2002-08-28 Method for manufacturing conductive pattern forming body

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003209339A true JP2003209339A (en) 2003-07-25
JP4672233B2 JP4672233B2 (en) 2011-04-20

Family

ID=27666925

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002249604A Expired - Fee Related JP4672233B2 (en) 2001-11-06 2002-08-28 Method for manufacturing conductive pattern forming body

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4672233B2 (en)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003114525A (en) * 2001-08-03 2003-04-18 Fuji Photo Film Co Ltd Conductive pattern material and method for forming conductive pattern
WO2005122731A2 (en) * 2004-06-14 2005-12-29 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method to form a conductive structure
WO2006058622A2 (en) * 2004-12-02 2006-06-08 Printed Systems Gmbh Method and device for producing structures from functional materials
US7102155B2 (en) 2003-09-04 2006-09-05 Hitachi, Ltd. Electrode substrate, thin film transistor, display device and their production
KR100709446B1 (en) 2003-12-16 2007-04-18 삼성전자주식회사 Method of Preparing Metal Pattern having Low Resistivity
US7273773B2 (en) 2004-01-26 2007-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, method for manufacturing thereof, and television device
US7332432B2 (en) 2003-10-02 2008-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing wiring, thin film transistor, light emitting device and liquid crystal display device, and droplet discharge apparatus for forming the same
US7365805B2 (en) 2004-01-26 2008-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, manufacturing method thereof, and television receiver
US7371625B2 (en) 2004-02-13 2008-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof, liquid crystal television system, and EL television system
US7439086B2 (en) 2003-11-14 2008-10-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing liquid crystal display device
US7449372B2 (en) 2004-12-17 2008-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of substrate having conductive layer and manufacturing method of semiconductor device
JP2009540577A (en) * 2006-06-08 2009-11-19 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー Planar test substrate for non-contact printing
DE102006062815B4 (en) * 2005-03-30 2011-09-15 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Oxide semiconductor electrode, dye-sensitized solar cell and process for their preparation
US8247965B2 (en) 2003-11-14 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting display device and method for manufacturing the same
US8309376B2 (en) 2007-10-26 2012-11-13 E I Du Pont De Nemours And Company Process and materials for making contained layers and devices made with same
JP2013529256A (en) * 2010-06-09 2013-07-18 エシロール アンテルナシオナル (コンパニー ジェネラル ドプティック) Method for low temperature preparation of conductive mesostructured coatings
WO2016080263A1 (en) * 2014-11-21 2016-05-26 デクセリアルズ株式会社 Process for producing wiring board, and wiring board
US11249397B2 (en) 2019-11-22 2022-02-15 Canon Kabushiki Kaisha Method of forming a cured layer by controlling drop spreading

Cited By (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003114525A (en) * 2001-08-03 2003-04-18 Fuji Photo Film Co Ltd Conductive pattern material and method for forming conductive pattern
US7394095B2 (en) 2003-09-04 2008-07-01 Hitachi, Ltd. Electrode substrate, thin film transistor, display device and their production
US7102155B2 (en) 2003-09-04 2006-09-05 Hitachi, Ltd. Electrode substrate, thin film transistor, display device and their production
KR100754096B1 (en) * 2003-09-04 2007-08-31 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 Electrode Substrate, Thin-Film Transistor, Display, and Its Production Method
US8105945B2 (en) 2003-10-02 2012-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing wiring, thin film transistor, light emitting device and liquid crystal display device, and droplet discharge apparatus for forming the same
US7919411B2 (en) 2003-10-02 2011-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing wiring, thin film transistor, light emitting device and liquid crystal display device, and droplet discharge apparatus for forming the same
US7332432B2 (en) 2003-10-02 2008-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing wiring, thin film transistor, light emitting device and liquid crystal display device, and droplet discharge apparatus for forming the same
US7534724B2 (en) 2003-10-02 2009-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing wiring, thin film transistor, light emitting device and liquid crystal display device, and droplet discharge apparatus for forming the same
US8247965B2 (en) 2003-11-14 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting display device and method for manufacturing the same
US7439086B2 (en) 2003-11-14 2008-10-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing liquid crystal display device
KR100709446B1 (en) 2003-12-16 2007-04-18 삼성전자주식회사 Method of Preparing Metal Pattern having Low Resistivity
US7273773B2 (en) 2004-01-26 2007-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, method for manufacturing thereof, and television device
US7732818B2 (en) 2004-01-26 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, manufacturing method thereof, and television receiver
US7365805B2 (en) 2004-01-26 2008-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, manufacturing method thereof, and television receiver
US7993993B2 (en) 2004-01-26 2011-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, manufacturing method thereof, and television receiver
US7371625B2 (en) 2004-02-13 2008-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof, liquid crystal television system, and EL television system
US7776667B2 (en) 2004-02-13 2010-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof, liquid crystal television system, and EL television system
WO2005122731A2 (en) * 2004-06-14 2005-12-29 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method to form a conductive structure
WO2005122731A3 (en) * 2004-06-14 2010-01-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method to form a conductive structure
WO2006058622A3 (en) * 2004-12-02 2006-08-31 Printed Systems Gmbh Method and device for producing structures from functional materials
WO2006058622A2 (en) * 2004-12-02 2006-06-08 Printed Systems Gmbh Method and device for producing structures from functional materials
US7449372B2 (en) 2004-12-17 2008-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of substrate having conductive layer and manufacturing method of semiconductor device
US7670884B2 (en) 2004-12-17 2010-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of substrate having conductive layer and manufacturing method of semiconductor device
DE102006062815B4 (en) * 2005-03-30 2011-09-15 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Oxide semiconductor electrode, dye-sensitized solar cell and process for their preparation
JP2009540577A (en) * 2006-06-08 2009-11-19 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー Planar test substrate for non-contact printing
US8309376B2 (en) 2007-10-26 2012-11-13 E I Du Pont De Nemours And Company Process and materials for making contained layers and devices made with same
JP2013529256A (en) * 2010-06-09 2013-07-18 エシロール アンテルナシオナル (コンパニー ジェネラル ドプティック) Method for low temperature preparation of conductive mesostructured coatings
WO2016080263A1 (en) * 2014-11-21 2016-05-26 デクセリアルズ株式会社 Process for producing wiring board, and wiring board
JP2016100490A (en) * 2014-11-21 2016-05-30 デクセリアルズ株式会社 Method for manufacturing wiring board, and wiring board
US10136521B2 (en) 2014-11-21 2018-11-20 Dexerials Corporation Wiring board and method for manufacturing the same
US11249397B2 (en) 2019-11-22 2022-02-15 Canon Kabushiki Kaisha Method of forming a cured layer by controlling drop spreading

Also Published As

Publication number Publication date
JP4672233B2 (en) 2011-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100935629B1 (en) Method of producing pattern-formed structure and photomask used in the same
JP4672233B2 (en) Method for manufacturing conductive pattern forming body
US20100230137A1 (en) Method for manufacturing conductive pattern forming body
JP4266596B2 (en) Method for manufacturing conductive pattern forming body
JP4201162B2 (en) Method for manufacturing pattern formed body and photomask used therefor
JP2003195029A (en) Method for manufacturing pattern formed body
JP4383095B2 (en) Method for producing pattern forming body
JP4256124B2 (en) Method for producing pattern forming body
JP4663206B2 (en) Method for manufacturing conductive pattern forming body
JP4300012B2 (en) Multilayer wiring board
JP4266597B2 (en) Method for manufacturing conductive pattern forming body
JP3934025B2 (en) Multilayer wiring board
JP4743254B2 (en) Method for manufacturing conductive pattern forming body
JP4770909B2 (en) Method for manufacturing conductive pattern forming body
JP4612994B2 (en) Pattern forming body, pattern forming body manufacturing method, and color filter
JP4401087B2 (en) Method for producing pattern forming body
JP4229662B2 (en) Pattern forming body and manufacturing method thereof
JP4844568B2 (en) Method for producing pattern forming body
JP4930502B2 (en) Multilayer wiring board
JP4231685B2 (en) Method for producing pattern forming body
JP4184022B2 (en) Functional element
JP4849162B2 (en) Method for producing pattern forming body
JP4374210B2 (en) Method for producing pattern forming body
JP2004061634A (en) Manufacturing method for functional element
JP4873003B2 (en) Method for producing pattern forming body

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050825

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071211

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080212

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080826

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081023

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20081215

A912 Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20090220

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101201

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110119

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140128

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees