JP2003209159A - Wafer detector - Google Patents

Wafer detector

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JP2003209159A
JP2003209159A JP2002007338A JP2002007338A JP2003209159A JP 2003209159 A JP2003209159 A JP 2003209159A JP 2002007338 A JP2002007338 A JP 2002007338A JP 2002007338 A JP2002007338 A JP 2002007338A JP 2003209159 A JP2003209159 A JP 2003209159A
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wafer
light
detection
light receiving
amount
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JP2002007338A
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Japanese (ja)
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Masao Shimazaki
政男 嶋崎
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Panasonic Industrial Devices SUNX Co Ltd
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Sunx Ltd
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer detector capable of reliably detecting a wafer irrespective of reduction in an amount of received light of a light-receiving means in a structure of detecting the wafer by comparing the amount of received light of the light-receiving means opposing a light-emitting means with a threshold in a state that a detection arm is moved. <P>SOLUTION: When a threshold setting means 20 is notified of an opening of a detection arm provided with a light-emitting means 15 and a light-receiving means 16 from an arm control means 18, a light-emitting signal is outputted to the light-emitting means 15. Further, a threshold is set by multiplying the amount of received light of the light-receiving means 16 by a predetermined threshold constant. Thus, even if the amount of received light is small due to a fact that the detection arm is not accurately opened at a prescribed position, the threshold is set based on the amount of received light, thereby correctly detecting a wafer. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、検知アームを移動
することにより投光手段と受光手段とを対向させた状態
でウェハを検知するウェハ検知装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer detection device for detecting a wafer by moving a detection arm so that a light projecting means and a light receiving means are opposed to each other.

【0002】[0002]

【発明が解決しようとする課題】従来において、複数枚
のウェハを収納したウェハカセットから1枚ずつウェハ
を取出して搬送する装置としてウェハ搬送装置が供され
ているが、ウェハカセットからウェハをウェハ搬送装置
により取出す場合、ウェハカセットの各段に実際にウェ
ハが収納されているかを予め確認しておくことが一般に
行われている。このため、従来は、例えばウェハカセッ
トにウェハが収納されているか否かの検知をウェハに光
を照射して行うセンサからなるウェハ検知装置がウェハ
搬送装置と共に設けられている。
Conventionally, a wafer transfer device is provided as a device for picking up and transferring one wafer at a time from a wafer cassette accommodating a plurality of wafers. When the wafer is taken out by the apparatus, it is generally performed in advance to confirm whether or not the wafer is actually stored in each stage of the wafer cassette. For this reason, conventionally, for example, a wafer detection device including a sensor for detecting whether or not a wafer is stored in a wafer cassette by irradiating the wafer with light is provided together with the wafer transfer device.

【0003】この種のウェハ検知装置として、反射型セ
ンサを用いてウェハの検知を行うタイプがあるが、反射
型センサを用いた場合、ウェハの表面処理状態によって
投光手段からの光が吸収されてしまい、受光手段にわず
かの光量しか入光しない場合がある。このような問題を
解決するために投光手段に用いる投光素子を2波長で投
光するタイプにしてウェハによる光の吸収をなくす方式
があるが、ウェハの収納状態によってはウェハでの反射
光が受光手段とは違う方向に反射してしまい、確実に検
知できないなどの問題がある。
As this type of wafer detection device, there is a type that detects a wafer by using a reflection type sensor. When a reflection type sensor is used, light from a light projecting means is absorbed depending on the surface treatment state of the wafer. In some cases, only a small amount of light enters the light receiving means. In order to solve such a problem, there is a system in which the light projecting element used in the light projecting means is designed to project light with two wavelengths so as to eliminate the absorption of light by the wafer. Is reflected in a direction different from that of the light receiving means, and there is a problem that it cannot be reliably detected.

【0004】このような問題に対処するために、搬送装
置に使用されるウェハ検知装置のセンサとして透過型セ
ンサを用い、その投光手段と受光手段とを対向配置する
ことで検知を行うことが提案されており、その一例とし
て、特開2000−36528公報に示されているよう
にウェハ搬送装置の先端に突出して固定された検知アー
ムに投光手段と受光手段とを対向するように固定したタ
イプがある。このような構成の場合、ウェハ搬送装置
は、ウェハを搬送する際はウェハの検知が終わってから
ウェハ載置部がウェハカセット内に移動してウェハを載
置することによりウェハがウェハカセット内から取出さ
れ、他のウェハカセットなどへ移されるときにウェハ載
置部が旋回する仕組みになっている。
In order to deal with such a problem, a transmission type sensor is used as a sensor of a wafer detection device used in a transfer device, and detection is performed by disposing the light projecting means and the light receiving means so as to face each other. It has been proposed, and as an example thereof, as shown in Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-36528, a light projecting means and a light receiving means are fixed so as to face each other on a detection arm which is fixed to project at the tip of a wafer transfer device. There are types. With such a configuration, the wafer transfer device moves the wafer from the inside of the wafer cassette by moving the wafer mounting unit into the wafer cassette and mounting the wafer after the detection of the wafer is completed when transferring the wafer. When the wafer is taken out and transferred to another wafer cassette or the like, the wafer placing section is rotated.

【0005】ところが、ウェハ搬送装置の先端に検知ア
ームが固定されているタイプの場合、ウェハ載置部の旋
回に伴い検知アームも旋回するため、ウェハ搬送装置の
周囲に他の搬送装置などを設置する際に検知アームが衝
突しないように、ウェハ搬送装置と他の搬送装置との間
の設置距離間隔を大きくとらなければならず、省スペー
スに反するという問題を生じる。
However, in the case of the type in which the detection arm is fixed to the tip of the wafer transfer device, the detection arm also turns along with the turning of the wafer mounting part, so that another transfer device is installed around the wafer transfer device. In order to prevent the detection arm from colliding with the transfer arm, the installation distance between the wafer transfer device and another transfer device must be large, which causes a problem of space saving.

【0006】そこで、特開2001−210700公報
に示すようにウェハの検知状態のときのみ検知アームが
格納位置から検知位置に開いて検知アームに取付けられ
た投光手段と受光手段とが対向するタイプのものがあ
る。このものの場合、ウェハ搬送装置は、検知アームを
格納した状態で旋回するので、他の搬送装置との間の設
置距離間隔を極力抑制することができる。
Therefore, as disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 2001-210700, the detection arm opens from the storage position to the detection position only when the wafer is being detected, and the light projecting means and the light receiving means mounted on the detection arm face each other. There is one. In this case, since the wafer transfer device is rotated with the detection arm stored, the installation distance between the wafer transfer device and another transfer device can be suppressed as much as possible.

【0007】しかしながら、検知アームを検知するたび
に検知アームを可動していることから、検知アームが検
知位置に可動した際に、投光手段と受光手段とが常に同
じ状態で対向配置される場合は光軸のずれを生じること
はないものの、検知アームを構成する各機構部品の公差
のずれなどで検知位置に位置した投光手段と受光手段と
が規定位置に正確に位置しないことがある。このような
場合、光軸の再現性が失われてしまうことから、ウェハ
の検知状態における受光手段の受光量が測定毎に変動し
てしまい、受光量と所定のしきい値とを比較することに
よりウェハを検知する方法では、誤検知する虞がある。
However, since the detection arm is moved each time the detection arm is detected, when the detection arm is moved to the detection position, the light projecting means and the light receiving means are always arranged to face each other in the same state. Although the optical axis does not shift, the light projecting means and the light receiving means located at the detection position may not be accurately positioned at the specified position due to the deviation of the tolerance of each mechanical component forming the detection arm. In such a case, since the reproducibility of the optical axis is lost, the amount of light received by the light receiving means in the wafer detection state varies from measurement to measurement, and the amount of light received should be compared with a predetermined threshold value. In the method of detecting a wafer, there is a risk of false detection.

【0008】特に、投光手段或いは受光手段などが光フ
ァイバで構成されている場合、アームの可動に伴って光
ファイバが屈曲することから、投光手段と受光手段とが
常に規定の検知位置に位置して光軸の再現性があるにし
ても、アームの可動に伴って光ファイバの屈曲状態が変
動した場合は、結局、再現性が失われることになり、投
光手段の投光レベル或いは受光手段の受光量が変化して
しまって、誤検知してしまうことになる。
In particular, when the light projecting means or the light receiving means is composed of an optical fiber, the optical fiber bends as the arm moves, so that the light projecting means and the light receiving means are always at the specified detection positions. Even if the optical axis is positioned and the optical axis is reproducible, if the bending state of the optical fiber changes as the arm moves, the reproducibility is eventually lost, and the light projection level of the light projecting means or The amount of light received by the light receiving means may change, resulting in erroneous detection.

【0009】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、検知アームを移動した状態で投光手段
に対向して受光する受光手段の受光量をしきい値と比較
することによりウェハを検知する構成において、受光手
段の受光量の低下にかかわらずウェハを確実に検知する
ことができるウェハ検知装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to compare the amount of light received by a light-receiving means facing a light-projecting means with a detection arm moved, with a threshold value. It is an object of the present invention to provide a wafer detection device capable of reliably detecting a wafer regardless of a reduction in the amount of light received by the light receiving means in a structure for detecting a wafer.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明のウェハ検知装置
は、格納位置と当該格納位置から突出した検知位置との
間で可動可能な少くとも1つの検知アームに設けられ、
この検知アームが検知位置に移動した状態で対向するこ
とによりウェハの面方向に沿った光軸を形成する投光手
段及び受光手段と、この受光手段の受光量が所定のしき
い値を下回ったときはウェハを検知したと判定する判定
手段とを備えたウェハ検知装置において、前記検知アー
ムが検知位置に位置し且つウェハが存在しない状態で前
記受光手段の受光量に基づいて前記しきい値を設定する
設定手段を設けたものである(請求項1)。このような
構成によれば、検知アームが格納位置から突出した検知
位置に移動すると、投光手段と受光手段とが対向してウ
ェハの面方向に沿った光軸を形成する。
A wafer detection device of the present invention is provided on at least one detection arm movable between a storage position and a detection position protruding from the storage position.
A light projecting unit and a light receiving unit that form an optical axis along the surface direction of the wafer by facing each other while the detection arm moves to the detection position, and the amount of light received by the light receiving unit is below a predetermined threshold value. In this case, in the wafer detection device provided with the determination means for determining that the wafer has been detected, the threshold value is set based on the amount of light received by the light receiving means when the detection arm is located at the detection position and no wafer is present. The setting means for setting is provided (Claim 1). With such a configuration, when the detection arm moves to the detection position protruding from the storage position, the light projecting unit and the light receiving unit face each other and form an optical axis along the surface direction of the wafer.

【0011】ここで、設定手段は、検知アームが検知位
置に位置し且つウェハが存在しない状態で受光手段の受
光量に基づいてしきい値を設定する。これにより、検知
アームが異常な状態で検知位置に位置したために受光手
段の受光量が変動するにしても、それに応じてしきい値
が設定されるので、判断手段は、受光手段の受光量が低
下して所定のしきい値を下回ったときはウェハを検知し
たと確実に判断することができる。
Here, the setting means sets the threshold value based on the amount of light received by the light receiving means when the detection arm is located at the detection position and no wafer is present. As a result, even if the amount of light received by the light receiving unit fluctuates due to the detection arm being located at the detection position in an abnormal state, the threshold value is set accordingly, so the determination unit determines that the amount of light received by the light receiving unit is When it falls and falls below a predetermined threshold value, it can be reliably determined that a wafer is detected.

【0012】上記構成において、前記設定手段は、受光
量に所定のしきい値定数を掛け合わせた数値をしきい値
として設定するようにしてもよい(請求項2)。このよ
うな構成によれば、設定手段は、受光量に所定のしきい
値定数を掛け合わせた数値をしきい値として設定するの
で、しきい値を容易に設定することができる。
In the above structure, the setting means may set a numerical value obtained by multiplying the received light amount by a predetermined threshold constant as a threshold value (claim 2). According to such a configuration, the setting unit sets a numerical value obtained by multiplying the amount of received light by a predetermined threshold constant as the threshold, so that the threshold can be easily set.

【0013】また、前記検知アームは、格納位置と検知
位置との間で開閉するように設けられ、前記検知アーム
に設けられた投光手段若しくは受光手段の何れかまたは
両方は光ファイバにより構成されていてもよい(請求項
3)。このような構成によれば、検知アームが格納位置
から検知位置に開くと、それに伴って検知アームに設け
れた投光手段若しくは受光手段を構成する光ファイバの
何れかまたは両方が大きく湾曲するようになる。このと
き、光ファイバは、湾曲径が小さい程光が漏れ易くなる
ことから、検知アームが検知位置に正しく位置したとし
ても、受光手段の受光量が低下するものの、しきい値を
受光量に基づいて設定することによりウェハを確実に検
知することができる。
Further, the detection arm is provided so as to be opened and closed between a storage position and a detection position, and either or both of the light projecting means and the light receiving means provided in the detection arm are constituted by an optical fiber. (Claim 3). According to such a configuration, when the detection arm is opened from the storage position to the detection position, either or both of the optical fiber forming the light projecting means and the light receiving means provided in the detection arm is greatly curved. become. At this time, the smaller the curved diameter of the optical fiber, the more easily light leaks, so even if the detection arm is correctly positioned at the detection position, the light receiving amount of the light receiving means is reduced, but the threshold value is based on the light receiving amount. The wafer can be surely detected by setting the above.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】(第1の実施の形態)以下、本発
明の第1の実施の形態を図1乃至図8を参照して説明す
る。図2はウェハ搬送装置を示す側面図、図3はその平
面図である。これらの図2及び図3において、ウェハ搬
送装置1は、ベース2に昇降部3が昇降可能に設けら
れ、その昇降部3の上面に下アーム4を旋回可能に設け
ると共に、その下アームの先端に上アームを旋回可能に
設けて構成されており、上アーム5の先端に二股形状の
ウェハ載置部6が設けられている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION (First Embodiment) A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 2 is a side view showing the wafer transfer device, and FIG. 3 is a plan view thereof. 2 and 3, in the wafer transfer device 1, the base 2 is provided with the elevating part 3 so as to be able to elevate and lower, and the lower arm 4 is provided on the upper surface of the elevating part 3 so as to be rotatable, and the tip of the lower arm is provided. The upper arm 5 is provided so as to be rotatable, and a bifurcated wafer mounting portion 6 is provided at the tip of the upper arm 5.

【0015】一方、ウェハ搬送装置1に対向してウェハ
収納装置7が配置されている。このウェハ収納装置7
は、カセット台8の上面にウェハカセット9を設けてな
る。このウェハカセット9には複数のウェハ10が所定
間隔で格納されており、ウェハ搬送装置1は、ウェハ載
置部6によりウェハカセット9に収納されているウェハ
10を取出して所定位置に搬送するようになっている。
On the other hand, a wafer storage device 7 is arranged so as to face the wafer transfer device 1. This wafer storage device 7
Is provided with a wafer cassette 9 on the upper surface of the cassette table 8. A plurality of wafers 10 are stored in the wafer cassette 9 at a predetermined interval, and the wafer transfer device 1 takes out the wafer 10 stored in the wafer cassette 9 by the wafer mounting unit 6 and transfers it to a predetermined position. It has become.

【0016】ここで、上記ウェハ搬送装置1の上アーム
5においてウェハ載置部6と反対側となる部位にはウェ
ハ検知装置11が設けられている。このウェハ検知装置
11は、第1及び第2の検知アーム12及び13をベー
ス14に図示しないアクチュエータにより開閉動作可能
に設けると共に、各検知アーム12及び13の先端に投
光手段15及び受光手段16をそれぞれ固定して構成さ
れている。各検知アーム12及び13は、ウェハカセッ
ト9内に収納されたウェハ10を検知する際は開いた検
知位置に位置し、その検知位置に位置した状態では投光
手段15と受光手段16とが対向すると共に、ウェハ検
知が終了したときは閉じて格納位置に位置するようにな
っている。
Here, a wafer detection device 11 is provided at a portion of the upper arm 5 of the wafer transfer device 1 opposite to the wafer mounting portion 6. In the wafer detection device 11, the first and second detection arms 12 and 13 are provided on the base 14 so as to be opened and closed by an actuator (not shown), and the light projection means 15 and the light reception means 16 are provided at the tips of the detection arms 12 and 13. Are fixed to each other. Each of the detection arms 12 and 13 is located at an open detection position when detecting the wafer 10 stored in the wafer cassette 9, and the light projecting means 15 and the light receiving means 16 face each other at the detection position. At the same time, when the wafer detection is completed, the wafer is closed and placed in the storage position.

【0017】この場合、第1及び第2の検知アーム12
及び13は、通常においては格納位置に位置している。
これは、図4に示すようウェハ載置部6が旋回した際
に、各検知アーム12及び13が図4に破線で示すよう
に検知位置に位置していた場合には旋回径が大きくな
り、周囲に位置する装置に衝突してしまう虞を生じるか
らである。
In this case, the first and second detection arms 12
And 13 are normally located in the storage position.
This is because when the wafer mounting portion 6 is swung as shown in FIG. 4, when the detection arms 12 and 13 are located at the detection positions as shown by the broken lines in FIG. This is because it may cause a collision with a device located around the device.

【0018】図1はウェハ検知装置11の機能ブロック
図である。この図1において、CPU17は、アーム制
御手段18と通信可能となっている。このアーム制御手
段18は、ウェハ搬送装置1の下アーム4及び上アーム
5の旋回動作並びに第1及び第2の検知アーム12及び
13の開閉動作、加えて昇降部3の昇降動作を制御する
もので、ウェハ10を検知するために第1及び第2の検
知アーム12及び13を開いたときはCPU17に対し
て検知開始信号を通知すると共に、CPU17からスキ
ャン開始信号を通知されたときは昇降部3を昇降するよ
うになっている。
FIG. 1 is a functional block diagram of the wafer detector 11. In FIG. 1, the CPU 17 can communicate with the arm control means 18. The arm control means 18 controls the pivoting operation of the lower arm 4 and the upper arm 5 of the wafer transfer apparatus 1 and the opening / closing operation of the first and second detection arms 12 and 13, as well as the elevating operation of the elevating part 3. When the first and second detection arms 12 and 13 are opened to detect the wafer 10, the CPU 17 is notified of the detection start signal, and when the CPU 17 is notified of the scan start signal, the elevating unit It is designed to move up and down.

【0019】CPU17は、投光手段15を所定周期で
駆動することにより、投光手段15から投光すると共
に、受光手段16からの受光信号に基づいてウェハ10
を検知する。つまり、図1に示すようにCPU17は、
プログラムに基づいて実行される機能として判定手段1
9及びしきい値設定手段20を備えており、判定手段1
9は、受光手段16の受光量としきい値設定手段20が
後述するように設定したしきい値とを比較することによ
り、ウェハ10の検知を判断するようにしている。
The CPU 17 drives the light projecting means 15 at a predetermined cycle to project light from the light projecting means 15 and, based on the light receiving signal from the light receiving means 16, the wafer 10
To detect. That is, as shown in FIG.
Judgment means 1 as a function executed based on a program
9 and threshold value setting means 20, and the judging means 1
Reference numeral 9 determines the detection of the wafer 10 by comparing the amount of light received by the light receiving means 16 with a threshold value set by the threshold value setting means 20 as described later.

【0020】ここで、しきい値設定手段20は、第1及
び第2の検知アーム12及び13が開いた状態で投光手
段15から投光された光を受光手段16で受光し、この
受光手段16の受光量に基づいて異常検知及びしきい値
の設定を行うようになっており、このように受光量に基
づいてしきい値を設定する方法が本実施の形態の特徴と
なっている。
Here, the threshold value setting means 20 receives the light projected from the light projecting means 15 by the light receiving means 16 with the first and second detection arms 12 and 13 opened, and receives the light. The abnormality detection and the threshold value setting are performed based on the light receiving amount of the means 16, and the method of setting the threshold value based on the light receiving amount in this manner is a feature of the present embodiment. .

【0021】次に上記構成の作用について説明する。ア
ーム制御手段18は、ウェハ10をウェハ載置部6で搬
送する際は、それに先立ってウェハ10の検知を行うた
めに、図6に示すようにウェハ載置部6と反対側に設け
られたウェハ検知装置11をウェハカセット9に対向す
るように旋回させる。
Next, the operation of the above configuration will be described. The arm control means 18 is provided on the opposite side of the wafer mounting portion 6 as shown in FIG. 6 in order to detect the wafer 10 prior to carrying the wafer 10 on the wafer mounting portion 6. The wafer detector 11 is swung so as to face the wafer cassette 9.

【0022】続けて、図7に示すようにウェハ検知装置
11の第1及び第2の検知アーム12及び13を開く。
これにより、第1及び第2の検知アーム12及び13が
開いて検知位置に位置するので、投光手段15と受光手
段16とが対向するようになる。このような投光手段1
5と受光手段16の対向状態では、投光手段15と受光
手段16との間で形成される光軸がウェハカセット9に
収納されたウェハ10の面方向に沿うようになる。この
とき、アーム制御手段18は、第1及び第2の検知アー
ム12及び13を開いたときはウェハ検知装置11に対
して検知開始信号を出力する。
Subsequently, as shown in FIG. 7, the first and second detection arms 12 and 13 of the wafer detection device 11 are opened.
As a result, the first and second detection arms 12 and 13 are opened and positioned at the detection position, so that the light projecting unit 15 and the light receiving unit 16 face each other. Such a light projecting means 1
5 and the light receiving means 16 face each other, the optical axis formed between the light projecting means 15 and the light receiving means 16 comes along the surface direction of the wafer 10 housed in the wafer cassette 9. At this time, the arm control means 18 outputs a detection start signal to the wafer detection device 11 when the first and second detection arms 12 and 13 are opened.

【0023】図5は、ウェハ検知装置11のCPU17
の検知動作を示している。この図5において、CPU1
7は、アーム制御手段18から検知開始信号を入力した
ときは(S1)、投光手段15に投光信号を出力する
(S2)。これにより、投光手段15が投光し、投光さ
れた光が受光手段16に入光することから、受光手段1
6から受光信号を入力するようになる。この場合、投光
手段15と受光手段16との間の光軸にはウェハ10が
存在していないことから、受光手段16は、投光手段1
5からの光をそのまま受光することになる。
FIG. 5 shows the CPU 17 of the wafer detector 11.
The detection operation of is shown. In FIG. 5, CPU1
When the detection start signal is input from the arm control means 18 (S1), the light emitting element 7 outputs a light projection signal to the light projection means 15 (S2). As a result, the light projecting means 15 projects light, and the projected light enters the light receiving means 16.
A light receiving signal is input from 6. In this case, since the wafer 10 is not present on the optical axis between the light projecting means 15 and the light receiving means 16, the light receiving means 16 is the light projecting means 1.
The light from 5 will be received as it is.

【0024】ところで、第1及び第2の検知アーム12
及び13を含む各機構部品は公差を有していることか
ら、公差のずれなどで検知位置に位置した投光手段15
と受光手段16とが規定の検知位置に正確に位置しない
ことがある。このため、投光手段15と受光手段16と
の間の光軸の再現性が失われてしまうことから、ウェハ
10の検知状態における受光手段16の受光量が測定毎
に変動してしまって、受光量と所定のしきい値とを比較
することによりウェハを検知する従来方法では、誤検知
する虞がある。
By the way, the first and second detection arms 12
Since the respective mechanical parts including 13 and 13 have a tolerance, the light projecting means 15 located at the detection position due to deviation of the tolerance or the like.
In some cases, the light receiving means 16 and the light receiving means 16 are not accurately located at the specified detection position. Therefore, since the reproducibility of the optical axis between the light projecting means 15 and the light receiving means 16 is lost, the amount of light received by the light receiving means 16 in the detection state of the wafer 10 varies from measurement to measurement. The conventional method of detecting a wafer by comparing the amount of received light with a predetermined threshold value may cause erroneous detection.

【0025】そこで、本実施の形態では、次のようにし
て誤検知を防止するようにした。即ち、ウェハ検知装置
11のCPU17は、図5に示すように受光手段16か
らの受光量aを記憶すると共に(S4)、初期設定受光
量bを呼び込んでから(S5)、各検知アーム12及び
13の設置状態が正常か否かを判断するために受光量a
と初期設定受光量bとを比較する(S6)。この初期設
定受光量bは、受光手段16が受光した受光量に基づい
て各検知アーム12及び13が正常な状態で受光手段が
受光したかを判断するために設定されている。
Therefore, in this embodiment, erroneous detection is prevented as follows. That is, the CPU 17 of the wafer detection device 11 stores the received light amount a from the light receiving means 16 as shown in FIG. 5 (S4), and after calling the initial set received light amount b (S5), the detection arms 12 and In order to determine whether the installation state of 13 is normal, the received light amount a
Is compared with the initial setting received light amount b (S6). This initial setting light receiving amount b is set to determine whether the light receiving means receives light in a normal state of the detection arms 12 and 13 based on the light receiving amount received by the light receiving means 16.

【0026】そして、a<bの場合(受光量が初期設定
受光量よりも小さい場合)は(S6:NO)、各検知ア
ーム12及び13が開いたときに例えば各検知アーム1
2及び13の開きが不完全な状態で受光手段16が受光
してしまったときなど各検知アーム12及び13の移動
が異常な状態で受光手段16が受光していると判断し
て、異常出力を出力してから(S17)、停止出力を出
力する(S18)。
When a <b (when the amount of received light is smaller than the initially set amount of received light) (S6: NO), for example, when each of the detection arms 12 and 13 is opened, for example, each detection arm 1 is detected.
It is determined that the light receiving means 16 is receiving light when the movements of the detection arms 12 and 13 are abnormal, such as when the light receiving means 16 receives light when the opening of 2 and 13 is incomplete. Is output (S17), and then the stop output is output (S18).

【0027】これに対して、a≧bの場合(受光量が初
期設定受光量以上の場合)は(S6:YES)、各検知
アーム12及び13の移動が正常な状態で受光手段16
が受光していると判断して、しきい値設定定数αをメモ
リから読み込む(S7)。このしきい値設定定数αと
は、受光量に対するしきい値の割合である。そして、a
×α=βを演算することによりしきい値を求め、求めた
βを新しいしきい値として設定してメモリに記憶する
(S9)。つまり、受光手段16の受光量が小さい程し
きい値を小さく設定するのである。この場合、ウェハ1
0を検知するためにしきい値(零レベルよりも比較的大
きい)を設定している理由は、投光手段15と受光手段
16との間に形成される有効な光径に対してウェハ10
の厚さ寸法の方が小さく、光軸にウェハ10が位置する
にしても、受光手段16が受光状態となっており完全な
遮光状態とならないからである。
On the other hand, when a ≧ b (when the amount of received light is equal to or greater than the initially set amount of received light) (S6: YES), the light receiving means 16 is operated while the detection arms 12 and 13 are normally moved.
It is determined that the light is being received by and the threshold setting constant α is read from the memory (S7). The threshold value setting constant α is the ratio of the threshold value to the amount of received light. And a
A threshold value is obtained by calculating × α = β, and the obtained β is set as a new threshold value and stored in the memory (S9). That is, the smaller the amount of light received by the light receiving means 16, the smaller the threshold value is set. In this case, wafer 1
The reason why the threshold value (relatively larger than the zero level) is set to detect 0 is that the wafer 10 is different from the effective light diameter formed between the light projecting means 15 and the light receiving means 16.
This is because the thickness dimension is smaller, and even if the wafer 10 is positioned on the optical axis, the light receiving means 16 is in the light receiving state and is not completely in the light shielding state.

【0028】CPU17は、上述のようにしきい値設定
が終了したときは、アーム制御手段18へスキャン開始
信号を出力する(S10)。これにより、アーム制御手
段18は、図8に示すように各検知アーム12及び13
をウェハカセット9へ移動させて検知開始位置に位置さ
せるので、この状態では、投光手段15と受光手段16
とで形成される光軸にウェハ10が位置するようにな
る。
When the threshold value setting is completed as described above, the CPU 17 outputs a scan start signal to the arm control means 18 (S10). As a result, the arm control means 18 causes the detection arms 12 and 13 as shown in FIG.
Is moved to the wafer cassette 9 and positioned at the detection start position. In this state, therefore, the light projecting means 15 and the light receiving means 16 are provided.
The wafer 10 comes to be positioned on the optical axis formed by.

【0029】ここで、CPU17は、受光手段16より
受光信号を入力し(S11)、その受光量a1をメモリ
に記憶する(S12)。続いて、CPU17は、βを呼
び込み(S13)、a1とβとを比較し(S14)、a
1<βの場合(受光量がしきい値よりも小さい場合)は
(S14:NO)、ウェハ10を検知していないと判断
して非検知信号を出力する(S19)。また、a1≧β
の場合(受光量がしきい値以上の場合)は(S14:Y
ES)、ウェハ10を検知したと判断して検知信号を出
力する(S15)。そして、アーム制御手段18から所
定量スキャニングしたことが通知されるまで上述した動
作を繰返し(S16:NO)、通知されたときは(S1
6:YES)、検知動作を終了する。
Here, the CPU 17 inputs a light receiving signal from the light receiving means 16 (S11) and stores the received light amount a1 in the memory (S12). Subsequently, the CPU 17 calls β (S13), compares a1 with β (S14), and
When 1 <β (when the amount of received light is smaller than the threshold value) (S14: NO), it is determined that the wafer 10 is not detected and a non-detection signal is output (S19). Also, a1 ≧ β
If (the amount of received light is greater than or equal to the threshold value) (S14: Y
ES), it judges that the wafer 10 is detected and outputs a detection signal (S15). Then, the above-described operation is repeated until it is notified from the arm control means 18 that a predetermined amount has been scanned (S16: NO), and when notified (S1).
6: YES), and ends the detection operation.

【0030】このような実施の形態によれば、ウェハ検
知装置11の各検知アーム12及び13の先端に投光手
段15及び受光手段16をそれぞれ設け、各検知アーム
12及び13が検知位置に位置した状態でウェハカセッ
ト9に収納されたウェハ10を検知する構成において、
ウェハ10が存在しない状態における受光手段16の受
光量に基づいてしきい値を設定するようにしたので、各
検知アーム12及び13が検知位置からずれているため
に受光量が低下した場合であってもウェハ10を確実に
検知することができる。しかも、受光手段16の受光量
に所定のしきい値定数を掛け合わせることによりしきい
値を設定するようにしたので、しきい値を容易に設定す
ることができる。
According to such an embodiment, the light emitting means 15 and the light receiving means 16 are provided at the tips of the respective detection arms 12 and 13 of the wafer detection device 11, and the respective detection arms 12 and 13 are positioned at the detection position. In the configuration for detecting the wafer 10 stored in the wafer cassette 9 in the above state,
Since the threshold value is set on the basis of the amount of light received by the light receiving means 16 when the wafer 10 is not present, this is the case where the amount of light received is reduced because the detection arms 12 and 13 are displaced from the detection positions. However, the wafer 10 can be reliably detected. Moreover, since the threshold value is set by multiplying the amount of light received by the light receiving means 16 by a predetermined threshold constant, the threshold value can be easily set.

【0031】(第2の実施の形態)次に、本発明の第2
の実施の形態を図9及び図10を参照して説明するに、
第1の実施の形態と同一部分には同一符号を付して説明
を省略する。この第2の実施の形態は、投光手段及び受
光手段を光ファイバで構成したことを特徴とする。ウェ
ハ搬送装置1の平面を示す図9において、第1及び第2
の検知アーム12及び13にはサイドビュータイプの投
光用光ファイバ21及び受光用光ファイバ22のヘッド
がそれぞれ固定されており、各検知アーム12及び13
が検知位置に位置した状態で各光ファイバ21及び22
のヘッドが対向して光軸を形成するようになっている。
これらの光ファイバ21及び22は投光手段及び受光手
段を構成するもので、ベース14内に設けられた図示し
ない投光素子からの光が投光用光ファイバ21から投光
されると、その光が受光用光ファイバ22に入光してベ
ース14内に設けられた図示しない受光素子に入光する
ようになっている。
(Second Embodiment) Next, the second embodiment of the present invention will be described.
Embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 9 and 10.
The same parts as those of the first embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. The second embodiment is characterized in that the light projecting means and the light receiving means are composed of optical fibers. In FIG. 9 showing the plane of the wafer transfer apparatus 1, first and second
Heads of a side-view type light-projecting optical fiber 21 and a light-receiving optical fiber 22 are fixed to the detection arms 12 and 13, respectively.
With the optical fibers 21 and 22 in the detection position.
Heads face each other to form an optical axis.
These optical fibers 21 and 22 constitute a light projecting means and a light receiving means, and when light from a light projecting element (not shown) provided in the base 14 is projected from the light projecting optical fiber 21, Light enters the light-receiving optical fiber 22 and enters a light-receiving element (not shown) provided in the base 14.

【0032】さて、第1及び第2の検知アーム12及び
13が図9に示す格納位置から図10に示す検知位置に
開くと、それに伴って光ファイバ21及び22の湾曲径
が小さくなる。ここで、光ファイバ21及び22は湾曲
径が小さくなると、外部に光が漏れ易くなるという性質
を有することから、第1及び第2の検知アーム12及び
13が検知位置に正しく位置するにしても、受光用光フ
ァイバ22の受光量が低下することがある。
Now, when the first and second detection arms 12 and 13 are opened from the storage position shown in FIG. 9 to the detection position shown in FIG. 10, the bending diameters of the optical fibers 21 and 22 are reduced accordingly. Here, since the optical fibers 21 and 22 have a property that light easily leaks to the outside when the curved diameter becomes small, even if the first and second detection arms 12 and 13 are correctly positioned at the detection position. However, the amount of light received by the light-receiving optical fiber 22 may decrease.

【0033】しかしながら、本実施の形態では、第1の
実施の形態と同様に、第1及び第2の検知アーム12及
び13を開いた状態における受光用光ファイバ22の受
光量に基づいてしきい値を設定するようにしたので、受
光用光ファイバ22の受光量の低下にかかわらずウェハ
10を確実に検知することができる。
However, in the present embodiment, as in the first embodiment, the threshold value is determined based on the amount of light received by the light receiving optical fiber 22 when the first and second detection arms 12 and 13 are open. Since the value is set, the wafer 10 can be reliably detected regardless of the decrease in the amount of light received by the light-receiving optical fiber 22.

【0034】本発明は、上記各実施の形態に限定される
ことなく、次のように変形または拡張できる。投光手段
と受光手段との間の光軸にウェハが位置した際に、ウェ
ハにより完全遮光されて受光手段の受光量が零となるよ
うな構成であっても、受光手段の受光量に基づいてしき
い値を設定するようにしてもよい。検知アームは、前方
向にスライドすることにより格納位置から突出した検知
位置に移動させるような構成であってもよい。何れか一
方の検知アームを移動可能に設け、その検知アームに投
光手段若しくは受光手段の何れか一方を設けるようにし
てもよい。
The present invention is not limited to the above embodiments, but can be modified or expanded as follows. Even when the wafer is completely shielded by the wafer when the wafer is positioned on the optical axis between the light projecting means and the light receiving means and the light receiving quantity of the light receiving means becomes zero, it is based on the light receiving quantity of the light receiving means. You may make it set a threshold value. The detection arm may be configured to be slid forward to move to the detection position protruding from the storage position. Either one of the detection arms may be movably provided, and the detection arm may be provided with either one of the light projecting means and the light receiving means.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のウェハ検知装置によれば、設定手段により検知アーム
が検知位置に位置し且つウェハが存在しない状態で受光
手段の受光量に基づいてしきい値を設定するようにした
ので、検知アームを移動した状態で投光手段に対向する
受光手段の受光量をしきい値と比較することによりウェ
ハを検知する構成において、受光手段の受光量の低下に
かかわらずウェハを確実に検知することができるという
優れた効果を奏する。
As is apparent from the above description, according to the wafer detecting apparatus of the present invention, the setting arm causes the detection arm to be located at the detection position and the wafer is not present. Since the threshold value is set, in the configuration in which the wafer is detected by comparing the light receiving amount of the light receiving means facing the light projecting means with the threshold value while the detection arm is moved, the light receiving amount of the light receiving means is detected. There is an excellent effect that the wafer can be surely detected regardless of the decrease of.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態における全体構成を
示す機能ブロック図
FIG. 1 is a functional block diagram showing an overall configuration according to a first embodiment of the present invention.

【図2】ウェハ搬送装置及びウェハ収納装置の側面図FIG. 2 is a side view of a wafer transfer device and a wafer storage device.

【図3】ウェハ搬送装置及びウェハ収納装置の平面図FIG. 3 is a plan view of a wafer transfer device and a wafer storage device.

【図4】ウェハ載置部の旋回状態を示す図3相当図FIG. 4 is a view corresponding to FIG. 3 showing a swivel state of the wafer mounting portion.

【図5】ウェハ検知装置のCPUの動作を示すフローチ
ャート
FIG. 5 is a flowchart showing the operation of the CPU of the wafer detection device.

【図6】ウェハカセットに対向したウェハ検知装置を示
す図3相当図
FIG. 6 is a view corresponding to FIG. 3 showing a wafer detection device facing a wafer cassette.

【図7】第1及び第2の検知アームを開いた状態で示す
図6相当図
FIG. 7 is a view corresponding to FIG. 6 showing the first and second detection arms in an open state.

【図8】ウェハの検知位置に移動した状態で示す図6相
当図
FIG. 8 is a diagram corresponding to FIG. 6 showing a state where the wafer is moved to a wafer detection position.

【図9】本発明の第2の実施の形態を示す図6相当図FIG. 9 is a view corresponding to FIG. 6 showing a second embodiment of the present invention.

【図10】図7相当図FIG. 10 is a view corresponding to FIG. 7.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1はウェハ搬送装置、6はウェハ載置部、7はウェハ収
納装置、11はウェハ検知装置、12は第1の検知アー
ム、13は第2の検知アーム、15は投光手段、16は
投光手段、17はCPU(判定手段、設定手段)、18
はアーム制御手段、21は投光用光ファイバ(投光手
段)、22は受光用光ファイバ(受光手段)である。
1 is a wafer transfer device, 6 is a wafer mounting unit, 7 is a wafer storage device, 11 is a wafer detection device, 12 is a first detection arm, 13 is a second detection arm, 15 is a light projecting means, and 16 is a projection device. Light means, 17 is a CPU (determination means, setting means), 18
Is an arm control means, 21 is a light projecting optical fiber (light projecting means), and 22 is a light receiving optical fiber (light receiving means).

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01H 35/00 H01H 35/00 V H03K 17/78 Q H03K 17/78 G01V 9/04 A Fターム(参考) 5F031 CA02 DA01 FA01 FA07 FA11 GA36 GA43 GA47 GA49 JA02 JA05 JA13 JA22 JA45 5G055 AA01 AA03 AB01 AC01 AD09 AE28 AG11 5J050 AA05 BB18 CC00 EE31 EE35 EE39 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H01H 35/00 H01H 35/00 V H03K 17/78 Q H03K 17/78 G01V 9/04 A F term (reference) ) 5F031 CA02 DA01 FA01 FA07 FA11 GA36 GA43 GA47 GA49 JA02 JA05 JA13 JA22 JA45 5G055 AA01 AA03 AB01 AC01 AD09 AE28 AG11 5J050 AA05 BB18 CC00 EE31 EE35 EE39

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 格納位置と当該格納位置から突出した検
知位置との間で可動可能な少くとも1つの検知アームに
設けられ、この検知アームが検知位置に移動した状態で
対向することによりウェハの面方向に沿った光軸を形成
する投光手段及び受光手段と、 この受光手段の受光量が所定のしきい値を下回ったとき
はウェハを検知したと判定する判定手段とを備えたウェ
ハ検知装置において、 前記検知アームが検知位置に位置し且つウェハが存在し
ない状態で前記受光手段の受光量に基づいて前記しきい
値を設定する設定手段を備えたことを特徴とするウェハ
検知装置。
1. A wafer provided on at least one detection arm movable between a storage position and a detection position protruding from the storage position, the detection arms facing each other in a state of being moved to the detection position. Wafer detection including a light projecting unit and a light receiving unit that form an optical axis along the surface direction, and a determination unit that determines that a wafer is detected when the amount of light received by the light receiving unit falls below a predetermined threshold value. In the apparatus, the wafer detection apparatus further comprises setting means for setting the threshold value based on the amount of light received by the light receiving means when the detection arm is located at the detection position and no wafer is present.
【請求項2】 前記設定手段は、受光量に所定のしきい
値定数を掛け合わせた数値をしきい値として設定するこ
とを特徴とする請求項1記載のウェハ検知装置。
2. The wafer detector according to claim 1, wherein the setting unit sets a numerical value obtained by multiplying the amount of received light by a predetermined threshold constant as a threshold.
【請求項3】 前記検知アームは、格納位置と検知位置
との間で開閉するように設けられ、 前記検知アームに設けられた投光手段若しくは受光手段
の何れかまたは両方は光ファイバにより構成されている
ことを特徴とする請求項1または2記載のウェハ検知装
置。
3. The detection arm is provided so as to open and close between a storage position and a detection position, and either or both of a light projecting means and a light receiving means provided in the detection arm are made of an optical fiber. The wafer detection device according to claim 1, wherein the wafer detection device is a wafer detection device.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114800580A (en) * 2021-01-29 2022-07-29 日本电产三协株式会社 Industrial robot

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN114800580A (en) * 2021-01-29 2022-07-29 日本电产三协株式会社 Industrial robot

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