JPH11255306A - Detection device for wafer in cassette - Google Patents

Detection device for wafer in cassette

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Publication number
JPH11255306A
JPH11255306A JP6267198A JP6267198A JPH11255306A JP H11255306 A JPH11255306 A JP H11255306A JP 6267198 A JP6267198 A JP 6267198A JP 6267198 A JP6267198 A JP 6267198A JP H11255306 A JPH11255306 A JP H11255306A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
wafer
cassette
wafers
light guide
Prior art date
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Pending
Application number
JP6267198A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masami Sato
正美 佐藤
Seishiro Sato
征四郎 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP6267198A priority Critical patent/JPH11255306A/en
Publication of JPH11255306A publication Critical patent/JPH11255306A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To detect wafers as a whole easily at low cost without inserting thin light emitting elements or photoreceptors between multi-stage wafers in a cassette. SOLUTION: This wafer detection device can detect en bloc the number of wafers 1 set in a cassette 5 and their positions. In this case, mirror-finished light guides 6 cut in their tips 7 to 45 degrees are mounted at the detection positions of the wafers 1 as detecting element therefor. The light introduced into each light guide 6 by each photoreceptor 3 is reflected at the 45 degrees cut part 7 in the right angle direction and goes out of the light guide 6, and then a wafer accommodation part 5A is irradiated with the light. Accordingly, when a wafer 1 is in a defection position, the reflection light returns to a photoreception element 4 through the same path as that of the introduced light.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ収納部が多
段に形成されたカセット内のウエハの枚数及びその位置
を一括検出する装置に係り、例えば半導体製造等のプロ
セス過程で使用されるものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for collectively detecting the number of wafers and their positions in a cassette having a multi-stage wafer storage section, and is used in a process such as semiconductor manufacturing. is there.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造装置及びその関連装置におい
てカセット内に収納されているウエハの枚数と収納位置
(スロット位置)を検出する手段としては、例えば特開
昭62−41129号公報に開示されるように、一対の
発光素子、受光素子より成る1個のウエハ検出センサを
カセットの上下方向に移動させながら、1枚ごとにウエ
ハの有無とその位置を検出する方式が一般的である。
2. Description of the Related Art A means for detecting the number of wafers stored in a cassette and a storage position (slot position) in a semiconductor manufacturing apparatus and related apparatuses is disclosed in, for example, JP-A-62-41129. As described above, a method is generally used in which one wafer detection sensor including a pair of light emitting elements and light receiving elements is moved in the vertical direction of the cassette, and the presence / absence of a wafer and the position of each wafer are detected.

【0003】また、特開昭62−130938号公報に
は、キャリヤ内のウエハを取出す装置として、取出しア
ームと発光側ファイバと受光側ファイバとをプリズムを
介して接続し、取り出しアームをキャリア内に挿入した
時に発光側ファイバ及びプリズムを通して光をウエハ収
納部側に出射させウエハがある時にはその出射光が反射
して受光側ファイバに入り、光検出素子でこの反射光を
検出することでウエハの逐次検出を行なっている。
Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 62-130938 discloses a device for taking out a wafer from a carrier, in which a take-out arm, a light-emitting fiber and a light-receiving fiber are connected via a prism, and the take-out arm is placed in the carrier. When inserted, light is emitted to the wafer storage side through the light emitting side fiber and prism, and when there is a wafer, the emitted light is reflected and enters the light receiving side fiber, and the reflected light is detected by the photodetector to sequentially reflect the wafer. Detection is being performed.

【0004】上記のようなウエハ検出方式は、一枚ごと
にウエハを検出しなければならず、カセット内のウエハ
を一括して同時に検出するニーズに応えることはできな
い。
[0004] The above-described wafer detection method must detect wafers one by one, and cannot meet the need to detect wafers in a cassette simultaneously and collectively.

【0005】ウエハ一括検出を可能にする装置として
は、次のようなものが従来より提案されている。
The following apparatus has been conventionally proposed as an apparatus capable of simultaneously detecting wafers.

【0006】この従来技術を図3により説明する。この
ウエハ一括検出センサは、基本的にはウエハ検出センサ
(発光素子3,受光素子4)を検出したいウエハの数だ
けならべたものであり、カセット5内の各ウエハ収納部
間の隙間に複数のセンサを進退可能な手段(ウエハ一括
検出ユニット)2を介して一括挿入しウエハ有無を検出
する方式である。ウエハ一括検出ユニット2は、ウエハ
検出時以外は、ウエハ取り出し・収納に支障のないカセ
ット外部位置に退避している。
This prior art will be described with reference to FIG. This wafer batch detection sensor basically has the same number of wafers as the number of wafers to be detected by the wafer detection sensors (light emitting element 3 and light receiving element 4). In this method, the sensor is inserted at a time through means (wafer collective detection unit) 2 capable of moving forward and backward to detect the presence or absence of a wafer. The wafer batch detection unit 2 is retracted to a position outside the cassette where there is no problem in taking out / storing the wafer except when the wafer is detected.

【0007】ウエハ収納カセット5に収納されているウ
エハ1は、この例では最上部に1枚、その下に1枚の計
2枚であり、その下にはウエハ1はない。ウエハ1が無
い場合は発光素子3からの光が受光素子4に入射され
る。これを光/電気変換器8で電気信号に変換しCPU
9に取り込む。これによりCPU9はウエハ無しを知る
ことができる。ウエハ1がある場合は、発光素子3の光
がウエハ1によって遮光され受光素子4に光が入射しな
い。同様にこれも光/電気変換器8で電気信号に変換し
CPU9に取り込む。これによりCPUはウエハ有りの
検出を知ることができる。これを全ウエハ同時に行うた
めウエハ有無を一括して検出することができる。
In this example, the wafers 1 stored in the wafer storage cassette 5 are one at the uppermost part and one below the total, that is, there are no wafers 1 therebelow. When there is no wafer 1, light from the light emitting element 3 is incident on the light receiving element 4. This is converted into an electric signal by the optical / electrical converter 8 and the CPU
Take in 9. This allows the CPU 9 to know that there is no wafer. When the wafer 1 is present, light from the light emitting elements 3 is blocked by the wafer 1 and no light enters the light receiving elements 4. Similarly, this is converted into an electric signal by the optical / electrical converter 8 and taken into the CPU 9. This allows the CPU to know the presence of the wafer. Since this is performed simultaneously for all the wafers, the presence or absence of the wafer can be detected at a time.

【0008】そのほか、ウエハ一括検出装置には、特開
昭61−248837号公報に開示されるように、各ウ
エハに対応する接触子,ばね,ホトセンサーを用意し、
ウエハに接触子が接触すると、接触子がホトセンサを突
き抜けさせるようにしてウエハを検出するようにしたも
の等が提案されている。
In addition, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-248837, a contact, spring, and photosensor corresponding to each wafer are prepared in the wafer batch detection apparatus.
There has been proposed a device that detects a wafer by making the contact penetrate a photosensor when the contact comes into contact with the wafer.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】ウエハを検出するため
には、センサの損傷等を防ぐためには、非接触方式で検
出することが望ましい。
In order to detect a wafer, it is desirable to detect the wafer by a non-contact method in order to prevent damage to the sensor.

【0010】ところで、ウエハ収納カセット内のウエハ
間のピッチは6.35mm、ウエハ間のすきまは約5m
m程度であり、ウエハ一括検出のために、ウエハ収納部
間に挿入するウエハ検出センサは、ウエハに傷などがつ
いたりしてはいけないためウエハに接触しないようにす
る必要があり、そのため薄いセンサを使用する必要があ
った。例えば、図3の例では、検出用のセンサ支持アー
ム11に最上段,最下段以外は発光素子と受光素子を設
ける必要があり、これと支持アームの肉厚が加わること
から、発光素子と受光素子のより一層の薄形が要求され
ている。
The pitch between the wafers in the wafer storage cassette is 6.35 mm, and the gap between the wafers is about 5 m.
m, and the wafer detection sensor inserted between the wafer storage units for the batch detection of wafers must not be in contact with the wafer because the wafer must not be damaged. Had to use. For example, in the example of FIG. 3, it is necessary to provide a light-emitting element and a light-receiving element on the sensor support arm 11 for detection other than the uppermost step and the lowermost step. There is a demand for ever thinner devices.

【0011】このような要求に対して、上記した特開昭
62−130938号公報に開示されるような先端にプ
リズムを接続したファイバ(発光側ファイバ,受光側フ
ァイバ)を用いることも考えられるが、ファイバ毎に別
部品のプリズムを用意し、しかも接着しなければなら
ず、ウエハ一括検出方式のように多数のセンサを使用す
るものにはコスト高となり、実用性に乏しい。
In response to such a demand, it is conceivable to use a fiber (light emitting fiber, light receiving fiber) having a prism connected to the tip as disclosed in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-130938. In addition, it is necessary to prepare a separate component prism for each fiber, and further, it is necessary to bond the prism. Therefore, the cost is high for a device that uses a large number of sensors, such as a wafer batch detection system, and is not practical.

【0012】本発明の目的は、カセット内のウエハ間
(多段に形成された各ウエハ収納部間)に薄形の発光素
子や受光素子を挿入しなくとも、容易に且つ低コストで
ウエハ一括検出を可能にし、実用性の高いカセット内ウ
エハの検出装置を提供することにある。
An object of the present invention is to easily and inexpensively collectively detect wafers without inserting a thin light-emitting element or a light-receiving element between wafers in a cassette (between wafer storage sections formed in multiple stages). And a highly practical device for detecting wafers in a cassette.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
めに本発明は、基本的には次のように構成する。
To solve the above-mentioned problems, the present invention is basically configured as follows.

【0014】ウエハ収納部が多段に形成されたカセット
内のウエハの枚数及びその位置を一括して同時に検出す
るために、前記カセットに対して相対的に進退動作が可
能な手段に、先端を45度にカットしてミラー仕上げを
施したライトガイドが少なくとも前記ウエハの一括検出
に必要な数だけ且つ各ウエハ収納部の位置に応じて配置
され、前記各ライトガイドの前記45度カット部と反対
側の一端に臨むにようにして一対の発光素子及び受光素
子が配置され、前記各ライトガイドに導入された前記発
光素子の光が前記45°カット部で90°方向に反射し
てライトガイド外に導かれ、この外部に導かれる光の進
路が前記ライトガイドをカセット内に挿入した状態では
各ウエハ収納部に指向する構成としたことを特徴とす
る。
In order to simultaneously and simultaneously detect the number of wafers and their positions in a cassette in which a wafer storage section is formed in multiple stages, a means capable of moving forward and backward relative to the cassette has 45 At least as many light guides that have been cut and mirror-finished are arranged in accordance with the positions of at least the wafer storage sections necessary for batch detection of the wafers, and the opposite side of each light guide from the 45-degree cut section. A pair of light-emitting elements and a light-receiving element are arranged so as to face one end of the light guide, and the light of the light-emitting elements introduced into each of the light guides is reflected in the 90 ° direction by the 45 ° cut portion and out of the light guide. The path of the light to be guided and guided to the outside is directed to each wafer storage unit when the light guide is inserted into the cassette.

【0015】上記構成によれば、狭いウエハ間にセンサ
そのものを挿入するのではなくかわりにライトガイドを
挿入する方式が採用される。
According to the above configuration, a method is employed in which the light guide is inserted instead of inserting the sensor itself between narrow wafers.

【0016】ウエハ間に挿入するライトガイドはその先
端を45度にカットしミラー仕上げを施してあるので、
これをウエハの検出位置にセットし、該ライトガイドに
導入された発光素子からの光を45度カット部で90度
方向に屈折させてライトガイド外に導びき、カセット内
の各ウエハ収納部に照射する。ウエハが収納部にある場
合はその反射光が導入光と同一経路を経由して反射光検
出センサ(受光素子)に戻る。この受光を、上記したよ
うな光/電気変換器で電気信号に変換しCPUに取り込
むことでウエハの検出が可能になる。ウエハが収納部に
ない場合は反射光検出センサに光は戻らない。
The light guide to be inserted between the wafers has its tip cut to 45 degrees and mirror-finished.
This is set at the detection position of the wafer, and the light from the light-emitting element introduced into the light guide is refracted in the 90-degree direction by the 45-degree cut part, guided to the outside of the light guide, and is introduced into each wafer storage part in the cassette. Irradiate. When the wafer is in the storage section, the reflected light returns to the reflected light detection sensor (light receiving element) via the same path as the introduced light. This light reception is converted into an electric signal by the above-mentioned optical / electrical converter, and the electric signal is taken into the CPU, whereby the wafer can be detected. If the wafer is not in the storage section, no light returns to the reflected light detection sensor.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】本発明の一実施例を図1及び図2
により説明する。図1は本発明の一実施例に係るカセッ
ト内ウエハ検出装置の全体構成図、図2はその要部を示
す図である。なお、図中、記述した図3の符号と同一の
符号は同一或いは共通する要素を示す。
1 and 2 show an embodiment of the present invention.
This will be described below. FIG. 1 is an overall configuration diagram of an in-cassette wafer detecting apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing a main part thereof. In the figure, the same reference numerals as those in FIG. 3 indicate the same or common elements.

【0018】カセット5にはウエハ1の収納部5Aが多
段に形成されている。ウエハ一括検出ユニット2は、カ
セット5に対して相対的に進退可能な手段となるもの
で、この検出ユニット2には、先端を45度にカットし
てミラー仕上げ部7を施したライトガイド6がウエハ1
の一括検出に必要な数だけ且つカセット内の各ウエハ収
納部5Aの位置に応じて配置されている。
The cassette 5 has a plurality of storage sections 5A for the wafers 1 formed therein. The wafer batch detection unit 2 serves as a means capable of moving forward and backward relative to the cassette 5. The detection unit 2 includes a light guide 6 having a 45-degree cut end and a mirror finishing portion 7. Wafer 1
Are arranged in accordance with the position required for each wafer storage section 5A in the cassette in a number necessary for the batch detection of.

【0019】検出ユニット2には、各ライトガイド6毎
の一対の発光素子3及び受光素子4が内蔵され、これら
の発光素子3及び受光素子4は、各ライトガイド6の4
5度カット部(ミラー仕上げ部)7と反対側の一端に臨
むにようにして配置されている。
The detection unit 2 includes a pair of light emitting elements 3 and light receiving elements 4 for each light guide 6, and these light emitting elements 3 and light receiving elements 4
It is arranged so as to face one end opposite to the 5-degree cut portion (mirror finishing portion) 7.

【0020】ライトガイド6は、例えば透明プラスチッ
ク材製の線材を使用し、その全面は精密仕上げを施し鏡
面状に加工している。この鏡面加工されたライトガイド
6は、図2に示すように、その周面と45°カット部7
にライトガイド6内を進む光が外部に逃げるのを防止す
るための光反射膜6Aが被覆される。ただし、前記45
度カット部7に対し反対側となる端面6a及びライトガ
イド周面のうち発光素子3からの光を45度カット部7
で90°方向に反射させた後の光路と交わる周面一部6
bには、光透過を確保するために光反射膜6Aを施さな
い構成としてある。光反射膜6Aは、光を全反射できる
樹脂メッキを鏡面仕上げ面に追加工したもので、このよ
うにして45度カット部7をミラー仕上げとする。すな
わち、上記の樹脂メッキ7は、ライトガイド6に、発光
素子3および受光素子4との境界面とウエハ1への照射
光路部を除いて加工される。
The light guide 6 is made of, for example, a wire made of a transparent plastic material, and its entire surface is subjected to precision finishing and mirror-finished. As shown in FIG. 2, the light guide 6 which has been mirror-finished has a circumferential surface and a 45 ° cut portion 7.
A light reflecting film 6A for preventing light traveling in the light guide 6 from escaping to the outside is coated. However, 45
The light from the light emitting element 3 on the end face 6a and the light guide peripheral surface on the opposite side to the angle cut portion 7 is cut by 45 degrees.
Part 6 of the peripheral surface that intersects with the optical path after being reflected in the 90 ° direction at
b has a configuration in which the light reflecting film 6A is not applied to secure light transmission. The light reflecting film 6A is obtained by additionally processing resin plating capable of totally reflecting light on a mirror-finished surface, and thus the 45-degree cut portion 7 is mirror-finished. That is, the resin plating 7 is processed on the light guide 6 except for a boundary surface between the light emitting element 3 and the light receiving element 4 and an optical path for irradiating the wafer 1.

【0021】ライトガイド6内の進行する光は理想的に
は直線光が望ましいが実際にはライトガイド6内の壁を
乱反射して進んでいる。これら乱反射光をライトガイド
6の外に逃がさぬよう上記光反射膜被覆加工を施してい
る。
Ideally, the light traveling in the light guide 6 is desirably linear light, but actually travels by irregularly reflecting the wall in the light guide 6. The light reflecting film is coated so that the irregularly reflected light does not escape outside the light guide 6.

【0022】さらに発光素子3からの直接入射光が入ら
ぬように受光素子4は、図2に示すように発光素子3の
後方に実装している。
Further, the light receiving element 4 is mounted behind the light emitting element 3 as shown in FIG. 2 so as not to allow the direct incident light from the light emitting element 3 to enter.

【0023】今、ウエハ収納用カセット5内のウエハ1
が最上段から2枚のみ収納されているものとする。ウエ
ハ一括検出ユニット2は、通常はカセット5の外に退避
していてウエハ有無検出時のみ図1のようにカセット内
に入る。
Now, the wafer 1 in the wafer storage cassette 5 will be described.
Is stored only from the top two. The wafer batch detection unit 2 is usually retracted outside the cassette 5 and enters the cassette as shown in FIG.

【0024】動作原理を以下説明する。The principle of operation will be described below.

【0025】ウエハの一括検出を行なう場合には、検出
ユニット2をカセット5に対して相対的に前進させて各
ライトガイド6をカセット5内の各ウエハ収納部間(最
上段及び最下段のウエハ収納部に対応のライトガイド6
についてはカセット上壁或いはカセット下壁とウエハ収
納部との間)に挿入する。
When performing a batch detection of wafers, the detection unit 2 is moved forward relative to the cassette 5 and the light guides 6 are moved between the respective wafer storage portions in the cassette 5 (the uppermost and lowermost wafers). Light guide 6 for storage
Is inserted between the upper wall of the cassette or the lower wall of the cassette and the wafer storage section).

【0026】図1の例にしたがい、まず、最上部及びそ
の下のウエハ有無の検出について説明する。最上部及び
その下に対応の各発光素子3から出力された光は、それ
ぞれのライトガイド6を通過し、45°カットのミラー
仕上げ7で90度屈折され、ライトガイド外周の光透過
部6bを通してウエハ1に照射される。照射された光は
ウエハ1で反射し、再びライトガイド6に入射し往きの
光路と同じ光路を通って受光素子4に入射する。この受
光を光/電気変換器8で電気信号に変換しCPU9に取
り込む。これによりCPU9は、ウエハ有りと判断す
る。
According to the example shown in FIG. 1, first, the detection of the presence / absence of a wafer at the uppermost portion and below the uppermost portion will be described. The light output from each of the light emitting elements 3 corresponding to the uppermost part and the lower part thereof passes through the respective light guides 6, is refracted 90 degrees by a 45 ° cut mirror finish 7, and passes through the light transmitting portion 6b on the outer periphery of the light guides. The wafer 1 is irradiated. The irradiated light is reflected by the wafer 1, reenters the light guide 6, passes through the same optical path as the incoming optical path, and enters the light receiving element 4. The received light is converted into an electric signal by the optical / electrical converter 8 and taken into the CPU 9. As a result, the CPU 9 determines that there is a wafer.

【0027】次ぎに上から3スロット目(3段目)のウ
エハ無しの検出を説明する。発光素子3から出力された
光は、上記同様にライトガイド6の外に照射される。こ
の照射された光はウエハがないため再びライトガイド6
に反射することがなく、よって受光素子4に入射する光
がない。これも同様に光/電気変換器8で電気信号に変
換され、CPU9に取り込む。これによりCPU9はウ
エハ無しと判断する。
Next, detection of the absence of a wafer in the third slot (third stage) from the top will be described. The light output from the light emitting element 3 is applied to the outside of the light guide 6 as described above. Since the irradiated light has no wafer, the light guide 6
Therefore, there is no light incident on the light receiving element 4. This is similarly converted into an electric signal by the optical / electrical converter 8 and taken into the CPU 9. As a result, the CPU 9 determines that there is no wafer.

【0028】これを全スロット(全ウエハ収納部)同時
に行うことによってウエハの有無を一括して検出するこ
とができる。このウエハ有無および位置の情報を表示パ
ネル10にて表示し、オペレータが認識できるようにし
ている。さらにこの情報を次工程のウエハ搬送システム
に送りウエハ取り出し、収納の重要な情報としている。
By performing this operation simultaneously for all slots (all wafer storage sections), the presence or absence of a wafer can be detected at a time. The information on the presence / absence and position of the wafer is displayed on the display panel 10 so that the operator can recognize it. Further, this information is sent to the wafer transfer system in the next process, and is taken as important information for taking out and storing the wafer.

【0029】[0029]

【発明の効果】本発明によれば以下の効果がある。According to the present invention, the following effects can be obtained.

【0030】(1)ライトガイドを極めて薄くすること
で、ウエハ一括検出に際して、ライトガイドをウエハ間
の狭い隙間に余裕を持って挿入することができる。その
ためウエハを傷つける可能性が低くなり信頼性を向上す
ることができる。
(1) By making the light guide extremely thin, it is possible to insert the light guide into the narrow gap between the wafers with a margin when detecting the wafers in a lump. Therefore, the possibility of damaging the wafer is reduced, and the reliability can be improved.

【0031】(2)発光素子、受光素子は、ウエハ検出
時にカセット外部に位置させることができるので、それ
らの素子の形状の制約がない。
(2) Since the light emitting element and the light receiving element can be located outside the cassette when detecting a wafer, there is no restriction on the shapes of these elements.

【0032】(3)ライトガイド自身に設けた45°カ
ット部にミラー仕上げを施すだけで、ウエハ間(ウエハ
収納部間)に挿入したライトガイドの光の進路をウエハ
収納部方向に向けることができ、ライトガイドと別部材
のプリズム等をライトガイド先端に接続する必要がない
ので、ライトガイドの光進路変更機構の簡略化とコスト
低減を図り、特に、ウエハ一括検出のように多数のライ
トガイドを使用する場合でも、そのコスト低減を図り、
実用性に優れたウエハ検出装置を実現することができ
る。
(3) It is possible to direct the light path of the light guide inserted between the wafers (between the wafer accommodating sections) toward the wafer accommodating section only by applying mirror finishing to the 45 ° cut section provided on the light guide itself. Since there is no need to connect the light guide and a separate member such as a prism to the tip of the light guide, the light guide changing mechanism of the light guide can be simplified and the cost can be reduced. Even when using, try to reduce the cost,
A highly practical wafer detection device can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例に係るカセット内ウエハの検
出装置を示す全体構成図。
FIG. 1 is an overall configuration diagram showing an apparatus for detecting wafers in a cassette according to one embodiment of the present invention.

【図2】上記実施例の要部を示す説明図。FIG. 2 is an explanatory view showing a main part of the embodiment.

【図3】カセット内ウエハの検出装置の従来例を示す説
明図。
FIG. 3 is an explanatory view showing a conventional example of a device for detecting a wafer in a cassette.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ウエハ、2…ウエハ一括検出ユニット、3…発光素
子、4…受光素子、5…ウエハ収納用カセット、5A…
ウエハ収納部、6…ライトガイド、7…ミラー仕上げ
(45°カット部)、8…光/電気変換器、9…CPU
(中央処理装置)、10…表示パネル。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer, 2 ... Wafer collective detection unit, 3 ... Light emitting element, 4 ... Light receiving element, 5 ... Wafer storage cassette, 5A ...
Wafer storage section, 6: light guide, 7: mirror finish (45 ° cut section), 8: optical / electrical converter, 9: CPU
(Central processing unit), 10 ... Display panel.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ウエハ収納部が多段に形成されたカセッ
ト内のウエハの枚数及びその位置を一括して同時に検出
するために、前記カセットに対して相対的に進退動作が
可能な手段に、先端を45度にカットしてミラー仕上げ
を施したライトガイドが少なくとも前記ウエハの一括検
出に必要な数だけ且つ各ウエハ収納部の位置に応じて配
置され、前記各ライトガイドの前記45度カット部と反
対側の一端に臨むにようにして一対の発光素子及び受光
素子が配置され、前記各ライトガイドに導入された前記
発光素子の光が前記45°カット部で90°方向に反射
してライトガイド外に導かれ、この外部に導かれる光の
進路が前記ライトガイドをカセット内に挿入した状態で
は各ウエハ収納部に指向する構成としたことを特徴とす
るカセット内ウエハの検出装置。
A means capable of moving forward and backward relative to said cassette in order to simultaneously and simultaneously detect the number and positions of wafers in a cassette in which a wafer storage section is formed in multiple stages; The light guides that have been cut to 45 degrees and mirror-finished are arranged at least as many as necessary for batch detection of the wafers and in accordance with the positions of the respective wafer storage sections. A pair of light emitting element and light receiving element are arranged so as to face one end on the opposite side, and light of the light emitting element introduced into each of the light guides is reflected in the 90 ° direction by the 45 ° cut portion, and the light guide A wafer in a cassette, wherein a path of light guided to the outside and directed to the outside is directed to each wafer storage portion when the light guide is inserted into the cassette. Detection device.
【請求項2】 前記ライトガイドは、その周面と前記4
5°カット部とにライトガイド内を進む光が外部に逃げ
るのを防止するための光反射膜が被覆され、且つ、前記
45度カット部に対し反対側となる端面及び前記ライト
ガイド周面のうち前記発光素子からの光を前記45度カ
ット部で90°方向に反射させた後の光路と交わる周面
一部には、光透過を確保するために前記光反射膜を施さ
ない構成とした請求項1記載のカセット内ウエハの検出
装置。
2. The light guide has a peripheral surface and the light guide
The light reflection film for preventing the light traveling in the light guide from escaping to the outside is covered with the 5 ° cut portion, and the end surface and the light guide peripheral surface on the opposite side to the 45 ° cut portion are covered. A part of the peripheral surface intersecting with the optical path after the light from the light emitting element is reflected in the 90 ° direction at the 45 ° cut portion is not provided with the light reflection film in order to secure light transmission. The apparatus for detecting a wafer in a cassette according to claim 1.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012094927A (en) * 2012-02-17 2012-05-17 Lintec Corp Light irradiation device
JP2018104127A (en) * 2016-12-26 2018-07-05 株式会社ダイフク Carrying truck

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