JP3442480B2 - Wafer peeling device - Google Patents

Wafer peeling device

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JP3442480B2
JP3442480B2 JP12620494A JP12620494A JP3442480B2 JP 3442480 B2 JP3442480 B2 JP 3442480B2 JP 12620494 A JP12620494 A JP 12620494A JP 12620494 A JP12620494 A JP 12620494A JP 3442480 B2 JP3442480 B2 JP 3442480B2
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wafer
peeling
polishing plate
center
rotary table
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政法 福島
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FUJIKOSHI MACHINE INDUSTRY CO.,LTD.
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FUJIKOSHI MACHINE INDUSTRY CO.,LTD.
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハ(以下
ウェーハという)を研磨加工するために平坦な研磨プレ
ート上に貼着されたウェーハを、研磨作業の後に剥離す
るウェーハ剥離装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer stripping apparatus for stripping a wafer adhered on a flat polishing plate for polishing a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) after the polishing operation.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のウェーハ剥離装置としては、一例
として特開平5-166771号に開示されたウェーハ剥離装置
が知られている。このウェーハ剥離装置は、ウェーハが
貼付された研磨プレートを保持するチャック、該チャッ
クの上方に設けられ研磨プレートからウェーハを剥離す
べく、研磨プレート面に沿って移動可能なスクレーパ、
チャックの支承面より下方に設けられたカセット収納部
を有し、スクレーパにより剥離されたウェーハがカセッ
ト内に滑り込むよう研磨プレートを保持したチャックの
支承面を水平位置からカセット方向に傾斜させる移動手
段を具備するものである。また、このウェーハ剥離装置
には研磨プレート上に貼付されたウェーハの貼付位置や
枚数等を検出するために、反射型センサ等が適宜の位置
に設けられている。
2. Description of the Related Art As a conventional wafer stripping apparatus, the wafer stripping apparatus disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 5-166771 is known as an example. This wafer stripping device is a chuck that holds a polishing plate to which a wafer is attached, a scraper that is provided above the chuck and that is movable along the polishing plate surface to strip the wafer from the polishing plate,
A moving means for tilting the support surface of the chuck holding the polishing plate from the horizontal position in the cassette direction so that the wafer, which is separated by the scraper, slides into the cassette, has a cassette storage portion provided below the support surface of the chuck. It is equipped with. Further, this wafer peeling apparatus is provided with a reflection type sensor or the like at an appropriate position in order to detect the bonding position and the number of wafers bonded on the polishing plate.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たウェーハ剥離装置には次のような課題がある。反射型
センサでは、例えばチャックを回転させるか又は反射型
センサ自体を回転させるかして研磨プレート上を円状に
走査し、研磨プレートとウェーハの反射光量の差からプ
レート上でのウェーハの有無を検出しているだけであ
り、ウェーハの走査部分以外に欠け等の不具合が発生し
ていることは検出できない。また、ウェーハに設けられ
たノッチやオリフラも検出できない場合も生ずる。ま
た、研磨プレート上に貼着されたウェーハはポリッシン
グ加工された後に、洗浄工程においてウェーハの表面が
洗浄されて適宜な搬送機構によりウェーハ剥離装置に運
ばれてくるため、研磨プレートやウェーハ上に水滴が付
着している場合もある。この際には、反射型センサから
出力される光が水滴に当たり光が散乱してウェーハの貼
付位置や枚数等の正確な検出が行えない場合も生ずる。
また、研磨プレートはガラスやセラミック材料を用いて
形成されており、反射型センサから出力される光の反射
量がプレートの材質により変化するため、材質の異なる
研磨プレートを使用する際には反射型センサからの信号
の処理方法を変える必要があるといったの課題がある。
従って、本発明は上記課題を解決すべくなされ、その目
的とするところは、ウェーハの欠け等の損傷の検出が行
えると共に、研磨プレートの材質が変わったり、水滴が
付着している場合でもウェーハを正確に検出でき、剥離
を自動で行えるウェーハ剥離装置を提供することにあ
る。
However, the above-mentioned wafer stripping apparatus has the following problems. In the reflection type sensor, for example, the chuck is rotated or the reflection type sensor itself is rotated to scan the polishing plate in a circular shape, and the presence or absence of the wafer on the plate is determined from the difference in the reflected light amount between the polishing plate and the wafer. It is only detected, and it cannot be detected that defects such as chipping occur in areas other than the scanned portion of the wafer. In addition, the notch or orientation flat provided on the wafer may not be detected. Further, after the wafer adhered on the polishing plate is subjected to polishing processing, the surface of the wafer is cleaned in the cleaning step and is carried to the wafer peeling device by an appropriate transport mechanism, so that water drops on the polishing plate or the wafer are removed. May be attached. In this case, the light output from the reflection type sensor may hit the water droplets and the light may be scattered so that it may not be possible to accurately detect the wafer attachment position and the number of wafers.
In addition, the polishing plate is made of glass or ceramic material, and the reflection amount of the light output from the reflective sensor changes depending on the material of the plate. There is a problem that it is necessary to change the processing method of the signal from the sensor.
Therefore, the present invention has been made to solve the above problems, and its purpose is to detect damage such as chipping of the wafer, change the material of the polishing plate, or even if water droplets are attached to the wafer. It is an object of the present invention to provide a wafer peeling device that can accurately detect and can perform peeling automatically.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、本発明に係るウ
ェーハ剥離装置は、上面にウェーハが貼着された研磨プ
レートを載置可能な回転テーブルと、該回転テーブル上
に載置された前記研磨プレートから前記ウェーハを剥離
する剥離手段と、前記回転テーブル上方に配され、前記
研磨プレートおよび前記ウェーハからの光を受光し、視
野内における画像を構成する画素毎の電圧データを生成
するカメラと、入力された前記画素毎の電圧データをデ
ィジタルデータに変換して出力する変換手段と、該変換
手段から出力される前記画素毎のディジタルデータを、
前記視野に対応したX−Y直交座標系である論理平面上
における画素の位置を示す画像データとして記憶する画
像記憶手段と、前記研磨プレートへの、前記ウェーハの
形状、貼着枚数、貼着位置の内の少なくとも一つを含む
ウェーハの貼着仕様が複数記憶されると共に、該貼着仕
様の各々に対応するウェーハの剥離条件が複数記憶され
た剥離条件記憶手段と、前記変換手段から出力された前
記ディジタルデータを前記画像記憶手段へ記憶し、該画
像記憶手段に記憶された画像データを処理して前記貼着
仕様を演算して求め、求めた前記貼着仕様と前記剥離条
件記憶手段に記憶された前記複数の貼着仕様を比較して
貼着仕様を特定し、該特定した貼着仕様に対応する前記
ウェーハの剥離条件に基づいて、前記回転テーブルを回
転させると共に前記剥離手段を制御して前記研磨プレー
トから前記ウェーハを剥離させる制御手段とを具備する
ウェーハ剥離装置において、前記研磨プレートは円板状
に形成されると共に、該研磨プレートには予め決められ
た複数の前記貼着仕様の内の一の貼着仕様に従って前記
ウェーハが、少なくとも前記研磨プレートの周縁部に周
方向に沿って貼着されており、前記制御手段は、前記研
磨プレートの中心と同一の中心を有し、前記各ウェーハ
の一部の領域を含む所定の直径の円形ウィンドウを設定
し、前記ウェーハ毎に前記円形ウィンドウに含まれる前
記領域の重心を演算し、前記研磨プレートの中心と前記
重心の位置とから前記ウェーハの前記貼着枚数または貼
着位置の内の少なくとも一つを演算して求めることによ
って前記貼着仕様を求めることを特徴とする。
The present invention has the following constitution in order to achieve the above object. That is, the wafer peeling apparatus according to the present invention includes a rotary table on which a polishing plate having a wafer adhered on its upper surface can be mounted, and a peeling unit for peeling the wafer from the polishing plate mounted on the rotary table. A camera arranged above the rotary table to receive light from the polishing plate and the wafer and generate voltage data for each pixel forming an image in the field of view; and input voltage data for each pixel The de
Conversion means for converting and outputting digital data, and the conversion
Digital data for each pixel output from the means,
On a logical plane that is an XY orthogonal coordinate system corresponding to the field of view
Image to be stored as image data showing the pixel position in
Image storage means and the wafer to the polishing plate
Includes at least one of shape, number of sticking, and sticking position
Multiple wafer sticking specifications are stored and the sticking finish
Wafer peeling conditions corresponding to each of the
Peeling condition storage means and before outputting from the conversion means
The digital data is stored in the image storage means,
The image data stored in the image storage means is processed to apply the sticking.
The specifications are calculated and obtained, and the obtained adhesion specification and the peeling strip are obtained.
Comparing the pasting specifications stored in the case storage means
The sticking specification is specified, and the above-mentioned corresponding sticking specification is specified.
Rotate the rotary table based on the wafer peeling conditions.
And the peeling means are controlled to rotate the polishing plate.
Control means for peeling the wafer from the wafer
In the wafer peeling device, the polishing plate is disc-shaped
And the polishing plate is pre-determined
According to one of the plurality of the pasting specifications,
The wafer should be wrapped around at least the periphery of the polishing plate.
The control means is attached along the direction.
Each wafer has the same center as the center of the polishing plate.
A circular window of a given diameter that includes a partial area of
Before each wafer is included in the circular window
The center of gravity of the area is calculated, and the center of the polishing plate
From the position of the center of gravity, the number of the wafers to be pasted or the pasting
By calculating at least one of the landing positions
Therefore, the sticking specification is obtained.

【0005】また、前記制御手段は、前記重心の位置が
前記研磨プレートの中央近くであり、かつ、前記領域の
面積が基準面積以上である場合には、研磨プレートの中
心にもウェーハがあると判断することを特徴とする。
Further , in the control means, the position of the center of gravity is
Near the center of the polishing plate and in the area
If the area is larger than the reference area,
It is characterized by judging that there is a wafer in the mind.

【0006】また、前記制御手段は、前記求めた重心の
位置に基づいて、任意のウェーハを基準として他のウェ
ーハとの間の角度間隔を求め、該求めた角度間隔と、ウ
ェーハの貼着枚数から求められるウェーハ間の基準角度
間隔との誤差を算出し、この誤差を算出する作業をすべ
てのウェーハを基準として行い、誤差の最大値が最も小
さくなる場合の基準のウェーハを最初に剥離作業を行う
基準ウェーハに決定し、該基準ウェーハから剥離を開始
して、前記回転テーブルを前記基準角度間隔ずつ回転し
て順次ウェーハを剥離するように制御することを特徴と
する。 また、前記制御手段は、前記研磨プレートの中心
にウェーハが存在する場合には、該ウェーハを最後に剥
離するように制御することを特徴とする。
Further , the control means controls the calculated center of gravity.
Based on position, any wafer can be used as a reference for other wafers.
The angle interval between the
Reference angle between wafers calculated from the number of wafers attached
Do the work of calculating the error from the interval and calculating this error.
All wafers are used as a reference, and the maximum error is the smallest.
When the temperature becomes smaller, the standard wafer is stripped first.
Decide on the reference wafer and start peeling from the reference wafer
Then, rotate the rotary table by the reference angle intervals.
And control so that the wafers are sequentially peeled off.
To do. Further, the control means is the center of the polishing plate.
If a wafer is present in the
It is characterized by controlling to be separated.

【0007】また、前記回転テーブルの上方に該回転テ
ーブルを覆うように、前記カメラへの外光の入光を遮断
するための外部カバーを設け、該外部カバー内には前記
回転テーブル上を拡散光により照明する照明手段を配す
ると、回転テーブルやウェーハ上に付着した水滴の表面
には拡散光のみが照射され、水滴の表面での反射光が全
面に亘り略均一となり、しかも水滴は無色透明であるこ
とから、カメラの捕らえる画像から水滴の画像を消去で
き、水滴の影響を受けることなくウェーハの識別が行え
る。
Further , the rotary table is provided above the rotary table.
Block external light from entering the camera to cover the cable.
An external cover is provided for
Arrange lighting means to illuminate the rotating table with diffused light
Then, the surface of water droplets adhering to the rotating table or wafer
Is only illuminated by diffused light, and all the reflected light on the surface of the water droplet is
It is almost uniform over the surface, and the water droplets are colorless and transparent.
Then, you can erase the water drop image from the image captured by the camera.
Wafers can be identified without being affected by water droplets.
It

【0008】また、前記照明手段は、第1の照明手段と
第2の照明手段の2つで構成し、前記第1の照明手段
は、前記回転テーブル上で反射する第1の照明手段の反
射光が前記カメラに直接入光する位置に配し、前記第2
の照明手段は、前記回転テーブル上で反射する第2の照
明手段の反射光が前記カメラに直接入光しない位置に配
すると、研磨プレートの材質が変わっても、研磨プレー
トとウェーハの表面反射率の違いを利用して良好なウェ
ーハの識別が可能となる。
The illuminating means is the same as the first illuminating means.
The first illuminating means is composed of two second illuminating means.
Is the reverse of the first illuminating means reflected on the turntable.
It is arranged at a position where the incident light directly enters the camera,
The illuminating means of the second illuminating means is a
Place the light reflected by the light means at a position where it does not enter the camera directly.
Then, even if the material of the polishing plate changes,
Good wafer by utilizing the difference in surface reflectance between the wafer and the wafer.
-Ha can be identified.

【0009】[0009]

【作用】研磨プレートおよび研磨プレート上に貼着され
たウェーハをカメラが捕らえ、画像処理手段は、カメラ
から入力された画素毎の電圧データを用いて画像処理を
行い、研磨プレート上のウェーハの形状、貼着枚数、貼
着位置の内の少なくとも一つを含む貼着仕様を演算して
求め、予め貼着仕様に対応して決定されて記憶された剥
離条件に基づいて回転テーブルを回転させると共に、剥
離手段を制御して研磨プレートからウェーハを剥離させ
ることで自動的に剥離作業が行える。また、ウェーハを
画像データとして捕らえることができるので、ウェーハ
の欠け等の損傷の有無を検出することもできる。
The camera catches the polishing plate and the wafer adhered on the polishing plate, and the image processing means performs image processing using the voltage data for each pixel input from the camera to obtain the shape of the wafer on the polishing plate. , Calculating the sticking specification including at least one of the number of sticking and the sticking position, and rotating the rotary table based on the peeling condition which is determined and stored in advance corresponding to the sticking specification. By controlling the peeling means to peel the wafer from the polishing plate, the peeling work can be automatically performed. Further, since the wafer can be captured as image data, the presence or absence of damage such as chipping of the wafer can be detected.

【0010】[0010]

【実施例】以下、本発明に係るウェーハ剥離装置の好適
な実施例を添付図面に基づいて説明する。まず、図1〜
図4、図11と共に本実施例の装置の機械的構成につい
て説明する。10は回転テーブルであり、上面にウェー
ハ12が貼着された研磨プレート14を載置可能であ
る。また、回転テーブル10には載置された研磨プレー
ト14を吸着して固定する吸着機能が設けられている。
なお、回転テーブル10の上面は黒や紺等の明度の低い
色に塗装されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT A preferred embodiment of a wafer peeling apparatus according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. First,
The mechanical configuration of the apparatus of this embodiment will be described with reference to FIGS. Reference numeral 10 denotes a rotary table, on which a polishing plate 14 having a wafer 12 adhered on its upper surface can be placed. Further, the rotary table 10 is provided with a suction function of sucking and fixing the mounted polishing plate 14.
The upper surface of the turntable 10 is painted in a color with low lightness such as black or navy blue.

【0011】16は剥離手段であり、回転テーブル10
上に載置された研磨プレート14からウェーハ12を剥
離し、ウェーハ収納部18方向へ搬送する機能を有す
る。剥離手段16は、回転テーブル10の側方に配され
たガイドレール20と、ガイドレール20上にスライド
自在に配されたスライド体22と、スライド体22をガ
イドレール20に沿って矢印A方向(図1における左右
方向)へスライドさせるスライド機構24と、スライド
機構24を駆動するモータ26と、スライド体22から
回転テーブル10方向へ延出されたアーム部28と、ア
ーム部28に取り付けられたスクレーパ30とから構成
される。また、スライド体22にはアーム部28を矢印
B方向(図1における上下方向)へ駆動する第1のシリ
ンダ装置32が内蔵されている。スライド機構24に
は、例えばボールネジや無端チェーン等が一般的に用い
られる。なお、剥離手段16のスクレーパ30により回
転テーブル10から剥離されたウェーハ12は、スクレ
ーパ30によりウェーハ収納部18方向へ搬送され、ウ
ェーハ収納部18との間に設けられたシュータ33を介
してウェーハ収納部18に設けられているカセット(不
図示)内に収納される。シュータ33にはウェーハ12
の通過を検出し、通過信号を後述する制御手段へ出力す
る光センサ等で構成される通過センサ35が設けられて
いる。
Reference numeral 16 denotes a peeling means, which is a rotary table 10.
The wafer 12 has a function of peeling the wafer 12 from the polishing plate 14 placed on the wafer and transporting the wafer 12 toward the wafer storage unit 18. The peeling means 16 includes a guide rail 20 arranged on the side of the rotary table 10, a slide body 22 slidably arranged on the guide rail 20, and a slide body 22 along the guide rail 20 in the direction of arrow A ( A slide mechanism 24 that slides in the left-right direction in FIG. 1, a motor 26 that drives the slide mechanism 24, an arm portion 28 that extends from the slide body 22 toward the rotary table 10, and a scraper attached to the arm portion 28. And 30. In addition, the slide body 22 has a built-in first cylinder device 32 that drives the arm portion 28 in the direction of arrow B (vertical direction in FIG. 1). For the slide mechanism 24, for example, a ball screw or an endless chain is generally used. The wafer 12 peeled from the rotary table 10 by the scraper 30 of the peeling means 16 is conveyed toward the wafer storage portion 18 by the scraper 30 and stored in the wafer storage portion 18 via a shooter 33 provided between the wafer storage portion 18 and the wafer storage portion 18. It is stored in a cassette (not shown) provided in the section 18. The wafer 12 is attached to the shooter 33.
There is provided a passage sensor 35 including an optical sensor or the like that detects the passage of the signal and outputs a passage signal to the control means described later.

【0012】34は基台であり、回転テーブル10およ
びガイドレール20等を支持するものである。36は回
転テーブル10およびガイドレール20が取り付けられ
た取付板である。取付板36は基台34内部に配され、
一端が基台34に軸着されており、他端は同じく基台3
4内部に設けられている第2のシリンダ装置38に取り
付けられている。従って、第2のシリンダ装置38が作
動し、矢印C方向へ伸縮することで、取付板36が所定
の角度範囲内で回動し、それに伴い回転テーブル10お
よびガイドレール20も矢印D方向に所定の角度範囲
(約3〜10度)内で回動可能である。なお、本実施例
では、取付板36にガイドレール20が適当な支柱を介
して取り付けられ、取付板36と一体に矢印D方向に回
動するが、取付板36に取り付ける代わりに基台34上
に予め所定の角度に傾けて固定しておいても良い。ま
た、回転テーブル10の上面と共に、各カメラ42、4
4、46の視野に含まれる取付板36の上面および基台
34の上面等は明度の低い色(一例として黒色)に予め
塗装されている。40はウェーハ剥離装置の回転テーブ
ル10の上方に、回転テーブル10を覆うように配され
た外部カバーであり、外部カバー40は、後述するカメ
ラへの外光の入光を遮断するためのものである。
A base 34 supports the rotary table 10, the guide rails 20 and the like. Reference numeral 36 is a mounting plate to which the rotary table 10 and the guide rail 20 are mounted. The mounting plate 36 is arranged inside the base 34,
One end is pivotally attached to the base 34, and the other end is also the base 3
4 is attached to a second cylinder device 38 provided inside. Therefore, the second cylinder device 38 operates and expands and contracts in the direction of arrow C, whereby the mounting plate 36 rotates within a predetermined angle range, and accordingly, the rotary table 10 and the guide rail 20 also move in the direction of arrow D. Can be rotated within the angle range (about 3 to 10 degrees). In the present embodiment, the guide rail 20 is attached to the mounting plate 36 via an appropriate support and rotates integrally with the mounting plate 36 in the arrow D direction. It may be fixed in advance at a predetermined angle. In addition, together with the upper surface of the turntable 10, each of the cameras 42, 4
The upper surface of the mounting plate 36 and the upper surface of the base 34, which are included in the visual fields of Nos. 4 and 46, are painted in advance with a color having low lightness (black as an example). Reference numeral 40 denotes an external cover arranged above the rotary table 10 of the wafer peeling device so as to cover the rotary table 10. The external cover 40 is for blocking the entrance of external light into a camera described later. is there.

【0013】続いて、装置の処理系の構成について図1
〜図4を用いて説明する。42は全体カメラであり、外
部カバー40内の上部中央部分に取り付けられている。
全体カメラ42の視野は、回転テーブル10の全体を含
むように設定されている。44は中央カメラであり、全
体カメラ42と隣接して外部カバー40内の上部中央部
分に取り付けられている。中央カメラ44は全体カメラ
42に比べて画像を拡大して取り込むことが可能であ
り、その視野は回転テーブル10の中心の特定部分のみ
を捕らえるように設定されている。46は外縁カメラで
あり、外部カバー40内の下部側方に取り付けられてい
る。外縁カメラ46の視野は、回転テーブル10の周縁
の特定部分のみを拡大して捕らえるように設定されてい
る。上記各カメラ42、44、46は、回転テーブル1
0上方に配され、研磨プレート14およびウェーハ12
からの光を受光し、視野内における画像を構成する画素
毎の電圧データを生成する機能を有する。電圧データは
輝度に応じて増減する。
Next, the structure of the processing system of the apparatus is shown in FIG.
~ It demonstrates using FIG. Reference numeral 42 denotes a whole camera, which is attached to the central portion of the upper portion of the outer cover 40.
The field of view of the whole camera 42 is set so as to include the entire turntable 10. Reference numeral 44 denotes a central camera, which is attached to an upper central portion inside the outer cover 40 adjacent to the whole camera 42. The central camera 44 is capable of enlarging and capturing an image as compared with the whole camera 42, and its field of view is set so as to capture only a specific portion at the center of the turntable 10. An outer edge camera 46 is attached to the lower side of the outer cover 40. The field of view of the outer edge camera 46 is set so as to magnify and capture only a specific portion of the peripheral edge of the turntable 10. Each of the cameras 42, 44, and 46 has a rotary table 1
0 is arranged above the polishing plate 14 and the wafer 12
It has a function of receiving the light from and generating voltage data for each pixel forming an image in the visual field. The voltage data increases or decreases according to the brightness.

【0014】47は画像処理手段であり、入力された画
素毎の電圧データを用いて画像処理を行い、研磨プレー
ト14上のウェーハ12の形状、貼着枚数、貼着位置の
内の少なくとも一つを含む貼着仕様を演算して求め、予
め貼着仕様に対応して決定されて記憶された剥離条件に
基づいて回転テーブル10を回転させると共に、剥離手
段16を制御して研磨プレート14からウェーハ12を
剥離させる機能を有する。さらに画像処理手段47につ
いて詳細に説明する。48は変換手段であり、画素毎の
電圧データをディジタルデータに変換して出力する機能
を有する。本実施例では一例としてコンパレータを用い
て構成され、所定のレベルを基準に電圧データを二値化
する機能を有する。50は画像記憶手段であり、変換手
段48から出力される画素毎のディジタルデータを、視
野に対応したX−Y直交座標系である論理平面上におけ
る画素の位置を示す画像データとして記憶する機能を有
する。画像記憶手段50は通常は、RAM等の記憶素子
を用いて構成される。52は剥離条件記憶手段であり、
ウェーハ12の研磨プレート14への貼着仕様が予め複
数記憶されると共に、当該貼着仕様の各々に対応するウ
ェーハ12の剥離条件も予め複数記憶されている。通常
は、RAMやROM等により構成される。
Reference numeral 47 denotes an image processing means, which performs image processing using the input voltage data for each pixel, and at least one of the shape of the wafer 12 on the polishing plate 14, the number of wafers to be stuck, and the sticking position. Is calculated and obtained, and the rotary table 10 is rotated based on the peeling condition determined and stored in advance corresponding to the sticking specification, and the peeling means 16 is controlled to move the wafer from the polishing plate 14 to the wafer. It has a function of peeling 12. Further, the image processing means 47 will be described in detail. Reference numeral 48 is a conversion means, which has a function of converting the voltage data of each pixel into digital data and outputting the digital data. In the present embodiment, a comparator is used as an example, and has a function of binarizing voltage data based on a predetermined level. An image storage unit 50 has a function of storing the digital data for each pixel output from the conversion unit 48 as image data indicating the position of the pixel on the logical plane which is the XY orthogonal coordinate system corresponding to the visual field. Have. The image storage means 50 is usually composed of a storage element such as a RAM. 52 is a peeling condition storage means,
A plurality of sticking specifications of the wafer 12 to the polishing plate 14 are stored in advance, and a plurality of peeling conditions of the wafer 12 corresponding to each of the sticking specifications are also stored in advance. Usually, it is composed of RAM, ROM and the like.

【0015】貼着仕様について説明すると、本実施例に
おいては、一例として貼着仕様の中にはウェーハ12の
形状、研磨プレート14への貼着枚数、貼着位置等が含
まれている。貼着枚数および貼着位置は、ウェーハ12
の形状、つまり大きさ(インチサイズ)により予めパタ
ーンが決まっており、ウェーハ12が5または6インチ
である場合には6枚〜10枚まで貼着される。この際に
は、研磨プレート14の中心に一枚貼着され、その周り
に残りのウェーハ12が予め決められた半径の同一円周
上に等角度間隔で貼着される。また、8インチウェーハ
の場合には、研磨プレート14に予め決められた半径の
同一円周上に等角度間隔で3〜4枚貼着される。従っ
て、ウェーハ12のサイズおよび貼着枚数毎に予めウェ
ーハ12の基準角度間隔を求め、貼着されるウェーハ1
2の基準角度間隔を剥離条件記憶手段52に貼着位置と
して記憶させておけば、後述する制御手段において画像
処理を行い、研磨プレート14上での各ウェーハ12の
角度間隔を求めることでウェーハ12の貼着仕様が特定
できる。また、各貼着仕様毎に、剥離作業の際に行う回
転テーブル10や剥離手段16の制御手順もウェーハ1
2の剥離条件として予め対応させて記憶されている。
Explaining the sticking specification, in this embodiment, as an example, the sticking specification includes the shape of the wafer 12, the number of sticking to the polishing plate 14, the sticking position and the like. Wafer 12
The pattern is determined in advance depending on the shape, that is, the size (inch size), and when the wafer 12 is 5 or 6 inches, up to 6 to 10 sheets are attached. At this time, one piece is attached to the center of the polishing plate 14 and the remaining wafers 12 are attached to the periphery of the polishing plate 14 at equal angular intervals on the same circumference having a predetermined radius. In the case of an 8-inch wafer, 3 to 4 wafers are attached to the polishing plate 14 on the same circumference having a predetermined radius at equal angular intervals. Therefore, the reference angle interval of the wafer 12 is obtained in advance for each size of the wafer 12 and the number of wafers to be bonded, and the wafer 1 to be bonded is
If the reference angle interval of 2 is stored in the peeling condition storage means 52 as the attachment position, the image processing is performed by the control means described later, and the angular interval of each wafer 12 on the polishing plate 14 is obtained to obtain the wafer 12 Can be specified. Further, the control procedure of the rotary table 10 and the peeling means 16 to be performed at the time of the peeling work is also performed for each sticking specification.
The peeling conditions of No. 2 are stored in association with each other in advance.

【0016】54は制御手段であり、変換手段48から
出力されたディジタルデータを画像記憶手段50へ記憶
し、画像記憶手段50に記憶された画像データを処理し
て貼着仕様(例えば、ウェーハ12の形状、貼着枚数、
貼着位置等)を演算して求め、求めた貼着仕様と剥離条
件記憶手段52に記憶された複数の貼着仕様を比較して
貼着仕様を特定し、特定した貼着仕様に対応するウェー
ハの剥離条件に基づいて、回転テーブル10を回転させ
ると共に剥離手段16を制御して研磨プレート14から
ウェーハ12を剥離させる機能を有する。また、後述す
る照明手段の点灯・消灯の制御も行う。制御手段54は
通常、マイクロコンピュータを用いて構成されるが、例
えば一層高速に画像処理および剥離作業を行うようにす
る場合には、画像処理関係用および剥離作業制御用にそ
れぞれマイクロコンピュータを使用しても良いし、また
剥離作業制御用にはシーケンサを使用し、画像処理を行
うマイクロコンピュータからの命令を受けて一連の動作
をする構成としても当然良い。また、55はマイクロコ
ンピュータの動作プログラムが予め記憶されたROMで
ある。また、ROM55内には後述する各種の円形ウィ
ンドウの直径や位置、ウェーハのサイズ毎の当該円形ウ
ィンドウに含まれる領域の基準面積や重心の基準距離等
も予め基礎データとして計算されて記憶されている。
Reference numeral 54 is a control means, which stores the digital data output from the conversion means 48 in the image storage means 50, processes the image data stored in the image storage means 50, and attaches the image data (for example, the wafer 12). Shape, number of stickers,
(Adhesion position etc.) is calculated, and the obtained adhesion specification and the plurality of adhesion specifications stored in the peeling condition storage means 52 are compared to specify the adhesion specification and correspond to the specified adhesion specification. It has the functions of rotating the rotary table 10 and controlling the peeling means 16 to peel the wafer 12 from the polishing plate 14 based on the wafer peeling conditions. Further, it also controls the turning on / off of the lighting means described later. The control means 54 is usually composed of a microcomputer. For example, when performing image processing and peeling work at higher speed, a microcomputer is used for image processing and peeling work control. Alternatively, a sequencer may be used to control the peeling work, and a series of operations may be performed by receiving a command from a microcomputer that performs image processing. Further, 55 is a ROM in which the operation program of the microcomputer is stored in advance. Further, in the ROM 55, diameters and positions of various circular windows described later, reference areas of regions included in the circular windows for each wafer size, reference distances of the center of gravity, and the like are calculated and stored in advance as basic data. .

【0017】さらに詳細に上記外部カバー40の構造に
ついて説明する。外部カバー40は、下面が開口する箱
状に形成されている。また、外部カバー40の内面は白
色に形成されている。但し、カメラ42、44、46が
内蔵された部分の内面は光の内部反射を防止するために
黒色に形成されている。また、外部カバー40内には、
半透明白色のプラスチック等の樹脂材料を用い、下面が
開口する中空の四角錐状に形成された間接照明用カバー
(以下単に「照明カバー」と言う)56がその頂点を上
方にして配されている。また照明カバー56の下面開口
部分と外部カバー40の下面開口部分とは略同一形状に
形成され、照明カバー56を外部カバー40内に収納し
た際にはそれぞれの下端縁が当接して密着する。照明カ
バー56を形成する樹脂材料は、透過する光を拡散さ
せ、略均一な光として出力させる機能を有している。全
体カメラ42は照明カバー56の略頂点上方に近接して
配され、中央カメラ44は全体カメラ42の上方に隣接
して配されている。また外縁カメラ46は照明カバー5
6の一の下端部分にそれぞれ配されている。なお、照明
カバー56の各カメラ42、44、46の下方に位置す
る部分には、ハーフミラー58が取り付けられている。
ハーフミラー58を取り付けることで、各カメラ42、
44、46は回転テーブル10上の画像を捕らえること
が可能となると共に、また回転テーブル10上に研磨プ
レート14が載置された際にはウェーハ12や研磨プレ
ート14にカメラ自身が映り込むのを防止している。
The structure of the outer cover 40 will be described in more detail. The outer cover 40 is formed in a box shape whose lower surface is open. Further, the inner surface of the outer cover 40 is formed in white. However, the inner surface of the portion in which the cameras 42, 44 and 46 are incorporated is formed in black in order to prevent internal reflection of light. In addition, in the outer cover 40,
A cover for indirect lighting (hereinafter, simply referred to as "lighting cover") 56, which is formed in the shape of a hollow quadrangular pyramid whose lower surface is open using a resin material such as translucent white plastic, is arranged with its apex above. There is. Further, the lower surface opening portion of the lighting cover 56 and the lower surface opening portion of the outer cover 40 are formed in substantially the same shape, and when the lighting cover 56 is housed in the outer cover 40, the lower end edges of the lighting cover 56 come into contact with and closely contact with each other. The resin material forming the illumination cover 56 has a function of diffusing transmitted light and outputting it as substantially uniform light. The whole camera 42 is arranged near and above the apex of the lighting cover 56, and the central camera 44 is arranged above and adjacent to the whole camera 42. The outer edge camera 46 is the lighting cover 5.
6 are arranged at the lower end portions of the respective six. A half mirror 58 is attached to a portion of the illumination cover 56 located below the cameras 42, 44, 46.
By installing the half mirror 58, each camera 42,
44 and 46 are capable of capturing an image on the rotary table 10, and when the polishing plate 14 is placed on the rotary table 10, the camera itself is not reflected on the wafer 12 or the polishing plate 14. To prevent.

【0018】また、60は照明手段の一部を構成する第
1の照明手段としての第1のランプであり、外部カバー
40と照明カバー56とで挟まれた空間内であって、外
部カバー40の上方の4つの角部分にそれぞれ配されて
いる。また、62は照明手段の一部を構成する第2の照
明手段としての第2のランプであり、外部カバー40と
照明カバー56とで挟まれた空間内であって、外縁カメ
ラ46が取り付けられた下端部分および当該下端部分と
対向する下端部分を除くその他の2つの下端に隣接して
取り付けられている。また第2のランプ62のすぐ上方
には第2のランプ62の光が下方のみに発せられるよう
に庇部64がそれぞれ設けられている。
Further, reference numeral 60 denotes a first lamp as a first illuminating means which constitutes a part of the illuminating means, and is in a space sandwiched between the outer cover 40 and the illuminating cover 56, and the outer cover 40. Are arranged in the four corners above. Further, reference numeral 62 is a second lamp as a second illuminating means which constitutes a part of the illuminating means, and is in a space sandwiched between the outer cover 40 and the illuminating cover 56, and the outer edge camera 46 is attached. Is attached adjacent to the other two lower ends except the lower end portion and the lower end portion facing the lower end portion. Further, immediately above the second lamp 62, eaves portions 64 are provided so that the light of the second lamp 62 is emitted only downward.

【0019】このように第1のランプ60および第2の
ランプ62を配することで、第1のランプ60のみが点
灯した際には、第1のランプ60が発する光は、直接ま
たは外部カバー40の白色の内面に反射して照明カバー
56にあたり、その光は照明カバー56を通過すること
により拡散され、回転テーブル10上に照射される。こ
の拡散光は照明カバー56の比較的高い位置から回転テ
ーブル10を全体的に照射するため、その回転テーブル
10上(研磨プレート14やウェーハ12上)での反射
光はハーフミラー58を介して直接全体カメラ42と中
央カメラ44に入力される。また、第2のランプ62の
みが点灯した際には、第2のランプ62が発する光は、
直接または外部カバー40の白色の内面に反射して照明
カバー56の下端部にあたり、その光は照明カバー56
を通過することにより拡散されて回転テーブル10上に
照射される。この拡散光は照明カバー56の低い位置か
ら回転テーブル10を照射するため回転テーブル10へ
の入射角が大きくなり、回転テーブル10上で反射する
第2のランプ62の反射光は全体カメラ42と中央カメ
ラ44には直接入光しない。また、回転テーブル10上
へは照明カバー56により第1のランプ60や第2のラ
ンプ62の光が拡散されて周りから照射されるため、研
磨プレート14やウェーハ12上に水滴が付着している
場合でも、当該水滴に全体的に略均一な光が当たること
により水滴が見えにくくなるという効果がある。
By arranging the first lamp 60 and the second lamp 62 in this way, when only the first lamp 60 is turned on, the light emitted by the first lamp 60 is directly or externally covered. The light is reflected by the white inner surface of 40 and hits the lighting cover 56, and the light is diffused by passing through the lighting cover 56 and is irradiated onto the turntable 10. Since this diffused light irradiates the rotary table 10 as a whole from a relatively high position of the illumination cover 56, the reflected light on the rotary table 10 (the polishing plate 14 and the wafer 12) is directly transmitted through the half mirror 58. It is input to the whole camera 42 and the central camera 44. Further, when only the second lamp 62 is turned on, the light emitted by the second lamp 62 is
The light directly or reflected on the white inner surface of the outer cover 40 hits the lower end portion of the lighting cover 56, and the light thereof is emitted.
The light is diffused by passing through and is irradiated onto the turntable 10. This diffused light irradiates the rotary table 10 from a lower position of the illumination cover 56, so that the incident angle on the rotary table 10 becomes large, and the reflected light of the second lamp 62 reflected on the rotary table 10 is at the center of the entire camera 42. The light does not enter the camera 44 directly. Further, since the illumination cover 56 diffuses the light of the first lamp 60 and the second lamp 62 onto the rotary table 10 and irradiates it from the surroundings, water droplets adhere to the polishing plate 14 and the wafer 12. Even in such a case, there is an effect that it becomes difficult to see the water droplets by illuminating the water droplets with substantially uniform light.

【0020】次に、ウェーハ剥離装置の動作について説
明する。まず、研磨プレート14の材質に違いにより、
第1のランプ60と第2のランプ62を切り換える動作
について図5〜図7を用いて説明する。なお、研磨プレ
ート14の材質としては、大きく分けてすりガラス製と
セラミック製とがある。研磨プレート14がすりガラス
製の場合には、作業者は予め第1のランプ60のみを制
御手段54を介して点灯させておく。すりガラス製の研
磨プレート14は、浸漬部66から搬送されてきた際に
はその表面に水分が付着しているので透明状態となって
いる。従って、照明カバー56の上部から発せられた拡
散光はウェーハ12では反射され、その反射光は全体カ
メラ42および中央カメラ44へ入力されるが、研磨プ
レート14は透明となっているために照射された光は研
磨プレート14を通過して回転テーブル10上面に達
し、回転テーブル10上面で反射され、反射光は研磨プ
レート14を通過して全体カメラ42および中央カメラ
44へ入力される。各カメラ42、44、46の視野に
含まれる回転テーブル10の上面、取付板36の上面お
よび基台34の上面等は明度の低い色(一例として黒
色)に予め塗装されているので、全体カメラ42および
中央カメラ44が捕らえる画像は、図6のように研磨プ
レート14部分は明度が低く、ウェーハ12部分は拡散
光が反射して明度の高い画像となる。
Next, the operation of the wafer peeling device will be described. First, depending on the material of the polishing plate 14,
The operation of switching between the first lamp 60 and the second lamp 62 will be described with reference to FIGS. The material of the polishing plate 14 is roughly classified into ground glass and ceramic. When the polishing plate 14 is made of frosted glass, the operator turns on only the first lamp 60 in advance via the control means 54. The ground plate 14 made of frosted glass is in a transparent state because water adheres to the surface of the polishing plate 14 when it is conveyed from the dipping section 66. Therefore, the diffused light emitted from the upper part of the illumination cover 56 is reflected by the wafer 12, and the reflected light is input to the entire camera 42 and the central camera 44, but is irradiated because the polishing plate 14 is transparent. The light that has passed through the polishing plate 14 reaches the upper surface of the rotary table 10 and is reflected by the upper surface of the rotary table 10. The reflected light passes through the polishing plate 14 and is input to the entire camera 42 and the central camera 44. Since the upper surface of the rotary table 10, the upper surface of the mounting plate 36, the upper surface of the base 34, etc. included in the fields of view of the cameras 42, 44, 46 are pre-painted in a low lightness color (black as an example), the whole camera An image captured by the camera 42 and the central camera 44 has a low lightness in the polishing plate 14 portion and a high lightness in the wafer 12 portion due to reflection of diffused light, as shown in FIG.

【0021】また、研磨プレートがセラミック製の場合
には、作業者は予め第2のランプ62のみを制御手段5
4を介して点灯させておく。第2のランプ62のみを点
灯させ、第1のランプ60を消灯しておく理由は、第1
のランプ60を点灯させておくと、研磨プレート14は
セラミック製であって表面に水分が付着しても透明とは
ならず、またその表面は細かな凹凸があるので光はその
凹凸で散乱し、ウェーハ12と同様に明度の高い画像と
なる。研磨プレート14での反射光量は、表面が鏡面研
磨されたウェーハ12ほどではないがその差が少なく、
カメラ42、44、46から出力される電圧データにも
差が少ないので変換手段48においての二値化が難しく
なる。
When the polishing plate is made of ceramics, the operator preliminarily controls the second lamp 62 only.
Turn it on via 4. The reason why only the second lamp 62 is turned on and the first lamp 60 is turned off is the first
When the lamp 60 is turned on, the polishing plate 14 is made of ceramic and does not become transparent even if moisture adheres to the surface, and since the surface has fine irregularities, light is scattered by the irregularities. , An image with high brightness is obtained similarly to the wafer 12. The amount of light reflected by the polishing plate 14 is not as great as that of the wafer 12 whose surface is mirror-polished, but the difference is small,
Since there is little difference in the voltage data output from the cameras 42, 44, 46, it becomes difficult to perform binarization in the conversion means 48.

【0022】そこで第2のランプ62のみを点灯させて
おくと、第2のランプ62から回転テーブル10上に照
射される拡散光の入射角が大きいために、ウェーハ12
の表面での反射光はカメラ42、44、46には直接入
らない。逆に、研磨プレート14上に照射された光は研
磨プレート14表面の凹凸で散乱して、その散乱光がカ
メラ42、44、46に入力されるので、カメラ42、
44、46が捕らえる画像は、図7のように研磨プレー
ト14部分が明度が高く、またウェーハ12が明度が低
く見える。これにより、カメラ42、44、46から出
力される研磨プレート14とウェーハ12部分の電圧デ
ータに差を設けることができ、変換手段48における二
値化も確実に行える。
Therefore, if only the second lamp 62 is turned on, the incident angle of the diffused light emitted from the second lamp 62 onto the turntable 10 is large, so that the wafer 12 is turned on.
Light reflected from the surface of the camera does not enter the cameras 42, 44 and 46 directly. On the contrary, the light irradiated on the polishing plate 14 is scattered by the unevenness of the surface of the polishing plate 14, and the scattered light is input to the cameras 42, 44, 46, so that the camera 42,
In the images captured by 44 and 46, the brightness of the polishing plate 14 portion is high and the brightness of the wafer 12 is low as shown in FIG. As a result, a difference can be provided in the voltage data between the polishing plate 14 and the wafer 12 output from the cameras 42, 44, and 46, and the binarization in the conversion means 48 can be surely performed.

【0023】続いて、ウェーハ剥離装置の剥離動作につ
いて説明する。なお、一例として研磨プレート14はす
りガラス製であるとする。ウェーハ剥離装置は、まず制
御手段54は回転テーブル10上に研磨プレート14が
搬送された時点で、回転テーブル10に設けられた吸着
機能を作動させて研磨プレート14を吸着固定し、その
後に第2のシリンダ装置38を作動させて、取付板36
の図1における左端を上昇させ、取付板36を5度傾け
る(ステップ100)。
Next, the peeling operation of the wafer peeling device will be described. Note that the polishing plate 14 is made of frosted glass as an example. In the wafer stripping apparatus, first, the control means 54, when the polishing plate 14 is conveyed onto the rotary table 10, activates the suction function provided on the rotary table 10 to suction and fix the polishing plate 14, and then the second Of the mounting plate 36 by operating the cylinder device 38 of
1 is raised and the mounting plate 36 is tilted 5 degrees (step 100).

【0024】次に、制御手段54は研磨プレート14に
貼着されたウェーハ12の大きさと枚数を検出する作業
を行う。以下、この作業の詳細フローを説明すると、ま
ず制御手段54は全体カメラ42を作動させて、研磨プ
レート14上の画像を変換手段48を介してディジタル
データとして取り込み、X−Y直交座標系である論理平
面上における画素の位置を示す画像データとして画像記
憶手段50内に記憶する(ステップ102)。なお、本
実施例では一例として、各カメラ42、44、46から
出力される電圧データの値は、画像の内の明るい部分で
は高く、また暗い部分では低くなり、変換手段48から
は電圧データの高い部分がHighレベル、低い部分が
Lowレベルとなるディジタルデータが出力されるが、
各構成要素間のデータや信号の極性は適宜に決定してよ
い。
Next, the control means 54 performs the work of detecting the size and the number of the wafers 12 attached to the polishing plate 14. The detailed flow of this work will be described below. First, the control means 54 operates the whole camera 42 to take in the image on the polishing plate 14 as digital data via the conversion means 48, which is an XY orthogonal coordinate system. It is stored in the image storage means 50 as image data indicating the position of the pixel on the logical plane (step 102). In this embodiment, as an example, the value of the voltage data output from each of the cameras 42, 44, and 46 is high in the bright part of the image and low in the dark part of the image, and the value of the voltage data is output from the converting means 48. Digital data is output in which the high part is High level and the low part is Low level.
The polarities of data and signals between each component may be appropriately determined.

【0025】続いて、制御手段54はROM55から基
礎データを読み出して、図8のように研磨プレート14
中心を中心とする予め決められた直径の円形ウィンドウ
を画像記憶手段50内に設定し、円形ウィンドウ内に含
まれるHighレベル部分(斜線部分)毎の面積を計測
させると共に、重心座標を演算させる(ステップ10
4)。
Subsequently, the control means 54 reads the basic data from the ROM 55 and, as shown in FIG.
A circular window centered at the center and having a predetermined diameter is set in the image storage means 50, and the area of each High level portion (hatched portion) included in the circular window is measured and the barycentric coordinates are calculated ( Step 10
4).

【0026】なお、ステップ104において、円形ウィ
ンドウを設定せず、画像記憶手段50に記憶された画像
データ全体から制御手段54がHighレベル部分の面
積を計測し、重心座標を求めるようにしても当然良い
が、ウェーハ12のインチサイズが大きく、隣接するウ
ェーハ12間の隙間が小さい場合には上述したノイズや
研磨プレート14上の汚れ等の影響により隣接するウェ
ーハ12のHighレベル部分が連続する画像データと
して記憶されてしまい、正確な計測ができない場合も生
ずる。このために上記円形ウィンドウを設定し、周方向
に沿って貼り付けられたウェーハ12の研磨プレート1
4の中心方向の端部のみの画像データを重心計測用の画
像データとすれば、図8に示すように各ウェーハ12に
対応するHighレベル部分(斜線部分)の間隔は増加
し、若干のノイズや汚れ等によっても隣接するHigh
レベル部分が連続することがないので一層良い。
In step 104, even if the circular window is not set, the control means 54 measures the area of the high level portion from the entire image data stored in the image storage means 50 to obtain the barycentric coordinates. Good, but when the inch size of the wafer 12 is large and the gap between the adjacent wafers 12 is small, the image data in which the high level portions of the adjacent wafers 12 are continuous due to the influence of the noise and the stain on the polishing plate 14 described above. In some cases, accurate measurement cannot be performed. For this purpose, the circular window is set, and the polishing plate 1 for the wafer 12 is attached along the circumferential direction.
If the image data of only the end portion in the center direction of 4 is used as the image data for measuring the center of gravity, as shown in FIG. 8, the interval between the high level portions (hatched portions) corresponding to each wafer 12 increases, and some noise is generated. High due to dirt and dirt
It is better because the level parts do not continue.

【0027】制御手段54は、計測した上記面積、およ
び研磨プレート14の中心と上記重心座標との距離が、
予め決められてROM55に記憶されている基準面積や
基準距離を中心とした所定の範囲内にあるか否かを判断
し、範囲内である場合には図8の斜線部分をウェーハ1
2の一部と認定する。また、重心座標が研磨プレート1
4中央に近くであり、かつ基準面積以上のHighレベ
ル部分は研磨プレート14の中心にウェーハがあると判
断する(ステップ106)。このように基準面積や基準
距離を用いて、Highレベル部分がウェーハ12の一
部であるか否かを判断することにより、処理系のデータ
伝送路に飛び込んだノイズや研磨プレート14上につい
た染み等の汚れにより、Highレベルの画像データと
して誤って画像記憶手段50に記憶された部分を確実に
ウェーハではないと判断することが可能となる。
The control means 54 measures the measured area and the distance between the center of the polishing plate 14 and the coordinates of the center of gravity.
It is determined whether or not it is within a predetermined range centered on a reference area or reference distance that is predetermined and stored in the ROM 55. If it is within the range, the hatched portion in FIG.
Certified as part of 2. In addition, the center of gravity is the polishing plate 1.
4 It is judged that there is a wafer at the center of the polishing plate 14 in the High level portion near the center and larger than the reference area (step 106). As described above, by using the reference area and the reference distance to judge whether or not the High level portion is a part of the wafer 12, noise jumping into the data transmission path of the processing system and stains on the polishing plate 14 are detected. It is possible to reliably determine that the portion erroneously stored as high-level image data in the image storage means 50 is not a wafer due to such contamination.

【0028】また、基準面積や基準距離でウェーハを認
識できる理由は、ウェーハはそのサイズ毎(5、6、8
インチ)に各ウェーハの研磨プレート14上への貼り付
け位置は略同一円周上の等角度間隔毎に、また研磨プレ
ート14の中心位置に予め決められているので、円形ウ
ィンドウの直径が一定であれば、周方向に沿って貼着さ
れたウェーハの円形ウィンドウに含まれる部分の面積は
枚数が変化してもウェーハのサイズ毎には略一定とな
り、これを基準面積とすることができる。また、基準距
離も同様である。また、各基準面積により5、6インチ
か、または8インチかの判断も可能であり、さらに予め
基準面積のデータの一つとして5、6インチウェーハの
全体の面積をROM55内に基礎データとして記憶して
おけば、円形ウィンドウに含まれる中央部分に貼着され
たウェーハの面積を計測することにより5インチか、ま
たは6インチかの判断も可能となる。
The reason why the wafer can be recognized by the reference area and the reference distance is that the wafer is classified by its size (5, 6, 8).
Since the wafers are attached to the polishing plate 14 at predetermined angular intervals on the same circumference and at the center position of the polishing plate 14, the diameter of the circular window is constant. If so, the area of the portion of the wafer bonded along the circumferential direction included in the circular window becomes substantially constant for each wafer size even if the number of wafers changes, and this can be used as the reference area. The same applies to the reference distance. In addition, it is possible to judge whether it is 5, 6 inches or 8 inches according to each reference area. Further, as one of the data of the reference area, the entire area of the 5 or 6 inch wafer is stored in the ROM 55 as basic data. If so, it is possible to determine whether the wafer is 5 inches or 6 inches by measuring the area of the wafer attached to the central portion included in the circular window.

【0029】制御手段54は、重心座標の計算の基にな
ったHighレベル部分の数を求めて研磨プレート14
上に貼着されたウェーハの枚数を決定する。また求めた
枚数のデータを剥離条件記憶手段52に記憶された基礎
データに参照して基準角度間隔を決定する(ステップ1
08)。この基準角度間隔に基づいて、制御手段54は
剥離作業を行う場合に剥離作業の処理時間短縮を目的と
して回転テーブル10を回転させることになる。なお、
基準角度間隔は研磨プレート14上に周方向に沿って貼
着されたウェーハの枚数で360度を割って求めても良
い。また、最初に略同一円周上に位置する各重心の研磨
プレート14中心を中心とした角度間隔を演算し、この
角度間隔のデータと剥離条件記憶手段52に記憶された
基礎データに含まれる基準角度間隔とを比較することに
よってもウェーハの貼着枚数を決定できる。また、各H
ighレベル部分の重心間の角度間隔は、図9に示すよ
うにHighレベル部分の重心Lが、研磨プレート14
の中心Mと各ウェーハ12の中心Nとを結ぶ直線上にあ
ることから、各ウェーハ12の角度間隔と略一致する。
また、基準面積や基準距離との関連から研磨プレート1
4に貼着されたウェーハ12のウェーハサイズの決定も
可能となる。
The control means 54 obtains the number of high level portions on which the calculation of the barycentric coordinates is based, and determines the polishing plate 14.
Determine the number of wafers stuck on top. The reference angle interval is determined by referring to the basic number data stored in the peeling condition storage means 52 based on the calculated number of sheets (step 1).
08). Based on this reference angular interval, the control means 54 rotates the rotary table 10 for the purpose of shortening the processing time of the peeling work when performing the peeling work. In addition,
The reference angle interval may be obtained by dividing 360 degrees by the number of wafers attached to the polishing plate 14 along the circumferential direction. Further, first, an angular interval about the center of the polishing plate 14 of each center of gravity located on substantially the same circumference is calculated, and the reference included in the data of this angular interval and the basic data stored in the peeling condition storage means 52. The number of wafers to be adhered can also be determined by comparing the angular interval. Also, each H
As shown in FIG. 9, the angular interval between the centers of gravity of the high level portions is such that the center of gravity L of the high level portions is the polishing plate 14
Since it is on a straight line connecting the center M of each wafer 12 and the center N of each wafer 12, it substantially coincides with the angular interval of each wafer 12.
In addition, the polishing plate 1 is related to the reference area and the reference distance.
It is also possible to determine the wafer size of the wafer 12 attached to No. 4.

【0030】次に、制御手段54では、ステップ104
で得たデータに基づいて最初に剥離作業を行う基準ウェ
ーハを決定する(ステップ110)。各ウェーハ12の
角度間隔は理想的には基準角度間隔であることが望まし
く、基準角度間隔で各ウェーハ12が貼着されている場
合にはどのウェーハを基準ウェーハとしても、最初にあ
るウェーハを剥離位置(図11における位置E)に回転
テーブル10を回転させて移動させた後は、剥離条件記
憶手段52に記憶された剥離条件に基づいて順次剥離手
段16による剥離動作と回転テーブル10の基準角度間
隔毎の回転動作とを交互に実行すれば、次に剥離される
べきウェーハは必ず剥離位置Eにその中心が来るように
配することが可能である。
Next, in the control means 54, step 104
Based on the data obtained in step 1, a reference wafer to be subjected to the peeling work is first determined (step 110). Ideally, the angular spacing of each wafer 12 is a reference angular spacing, and when each wafer 12 is adhered at the standard angular spacing, the first wafer is stripped regardless of which wafer is the standard wafer. After the rotary table 10 is rotated and moved to the position (position E in FIG. 11), the peeling operation by the peeling means 16 and the reference angle of the rotary table 10 are sequentially performed based on the peeling conditions stored in the peeling condition storage means 52. By alternately performing the rotation operation for each interval, it is possible to arrange the wafer to be next peeled so that its center is always at the peeling position E.

【0031】しかし、実際にはウェーハ12は多少の角
度誤差を伴って貼着され、しかも剥離作業の処理速度向
上のために一旦最初に剥離すべきウェーハ12を剥離位
置Eに移動させ、剥離作業を開始した後は回転テーブル
10は基準角度間隔で回転されるので、2枚目以後のウ
ェーハ12の中心が剥離位置Eからずれる場合もあり、
できるだけこのずれを少なくする必要がある。このため
に、図10に示すように周方向に貼着された一つのウェ
ーハ12を基準として隣のウェーハ12の角度、さらに
その隣のウェーハ12との角度、・・・・と順次角度を
求め、求めた角度と基準角度間隔の整数倍(1以上)の
値とを比較し、その誤差を算出する作業をすべてのウェ
ーハ12に対して行い、誤差の最大値が最も小さくなる
場合の基準のウェーハを基準ウェーハとすれば良い。
However, in actuality, the wafer 12 is attached with some angular error, and in order to improve the processing speed of the peeling work, the wafer 12 to be peeled first is moved to the peeling position E and the peeling work is carried out. Since the rotary table 10 is rotated at the reference angle interval after the start of, the center of the second and subsequent wafers 12 may be displaced from the peeling position E.
It is necessary to reduce this deviation as much as possible. To this end, as shown in FIG. 10, the angle of the adjacent wafer 12 and the angle between the adjacent wafer 12 and the adjacent wafer 12 are sequentially determined with reference to one wafer 12 attached in the circumferential direction. , The calculated angle is compared with an integer multiple (1 or more) of the reference angle interval, and the operation of calculating the error is performed for all the wafers 12, and the reference value when the maximum error is the smallest The wafer may be used as the reference wafer.

【0032】一例として、図10に示すようにウェーハ
が5枚(12a〜12e)の場合について計算を行う。
ここで基準角度間隔は360÷5=72度である。最初
にウェーハ12aを基準のウェーハとすると、 (1)ウェーハ12aとウェーハ12b間の角度と72
度を比較し、その誤差を算出する。 (2)ウェーハ12aとウェーハ12c間の角度と14
4(=72×2)度を比較し、その誤差を算出する。 (3)ウェーハ12aとウェーハ12d間の角度と21
6(=72×3)度を比較し、その誤差を算出する。 (4)ウェーハ12aとウェーハ12e間の角度と28
8(=72×4)度を比較し、その誤差を算出する。な
お、反時計回り方向の角度と72度との誤差でも同様で
ある。 (5)上記(1)〜(4)を、基準となるウェーハを1
2b、12c、12d、12eと順次変えて行う。 (6)上記(1)〜(5)で求めた誤差の内、最大値が
最も小さくなる基準となるウェーハを基準ウェーハとす
る。
As an example, as shown in FIG. 10, the calculation is performed for the case of five wafers (12a to 12e).
Here, the reference angle interval is 360/5 = 72 degrees. First, when the wafer 12a is used as a reference wafer, (1) the angle between the wafer 12a and the wafer 12b and 72
The degrees are compared and the error is calculated. (2) Angle between wafer 12a and wafer 12c and 14
4 (= 72 × 2) degrees are compared, and the error is calculated. (3) Angle between wafer 12a and wafer 12d and 21
The 6 (= 72 × 3) degrees are compared, and the error is calculated. (4) Angle between wafer 12a and wafer 12e and 28
8 (= 72 × 4) degrees are compared, and the error is calculated. The same applies to the error between the counterclockwise angle and 72 degrees. (5) In the above (1) to (4), one wafer is used as a reference.
2b, 12c, 12d and 12e are sequentially changed. (6) Among the errors obtained in (1) to (5) above, the reference wafer having the smallest maximum value is used as the reference wafer.

【0033】続いて、制御手段54は図11のようにウ
ェーハ12のサイズと貼着枚数に対応するウェーハ12
中心を略中心とする予め決められた直径の円形ウィンド
ウを画像記憶手段50内に設定して、その円形ウィンド
ウ内に含まれるHighレベル部分(斜線部分)毎の面
積を計測し、所定の面積以上である場合にはウェーハ有
りと判断する。これにより、ウェーハの再確認を行う
(ステップ112)。またこの際に円形ウィンドウの直
径をウェーハの大きさに対応させて略同一直径とすれ
ば、計測された面積が所定の面積に達していない場合に
はウェーハに割れや損傷等が発生していることの確認も
行える。
Then, as shown in FIG. 11, the control means 54 controls the wafers 12 corresponding to the size of the wafers 12 and the number of attached wafers.
A circular window having a predetermined diameter whose center is substantially the center is set in the image storage means 50, and the area of each High level portion (hatched portion) included in the circular window is measured to be a predetermined area or more. If it is, it is determined that there is a wafer. As a result, the wafer is reconfirmed (step 112). Further, at this time, if the diameter of the circular window is made substantially the same in correspondence with the size of the wafer, if the measured area does not reach the predetermined area, the wafer is cracked or damaged. You can also confirm that.

【0034】続いて、制御手段54は図11のように全
体カメラ42で画像を捕らえながら回転テーブル10を
回転させて基準ウェーハ12を剥離位置Eに移動させる
(ステップ114)。その後、剥離手段16を制御して
剥離位置Eにあるウェーハ12を剥離する。剥離された
ウェーハ12はスクレーパ30によりウェーハ収納部1
8方向へ搬送され、ウェーハ収納部18との間に設けら
れたシュータ33を介してウェーハ収納部18に設けら
れているカセット(不図示)内に収納される(ステップ
116)。なお、ウェーハ12がシュータ33を通過し
た際には、通過センサ35が通過信号を制御手段54へ
出力されるため、制御手段54は剥離手段16を作動さ
せた後の所定の時間内に通過信号の入力を確認すること
でウェーハ12の剥離およびウェーハ収納部18への搬
送を確認する(ステップ118)。
Subsequently, the control means 54 moves the reference wafer 12 to the peeling position E by rotating the rotary table 10 while capturing an image with the whole camera 42 as shown in FIG. 11 (step 114). Then, the peeling means 16 is controlled to peel the wafer 12 at the peeling position E. The separated wafer 12 is transferred to the wafer storage unit 1 by the scraper 30.
The wafer is conveyed in eight directions and is stored in a cassette (not shown) provided in the wafer storage unit 18 via the shooter 33 provided between the wafer storage unit 18 and the wafer storage unit 18 (step 116). When the wafer 12 passes through the shooter 33, the passage sensor 35 outputs a passage signal to the control means 54. Therefore, the control means 54 passes the passage signal within a predetermined time after the peeling means 16 is operated. By confirming the input of, the peeling of the wafer 12 and the transfer to the wafer storage unit 18 are confirmed (step 118).

【0035】続いて、制御手段16は全体カメラ42に
より剥離位置Eにおけるウェーハ12の有無を検出し
(ステップ120)、ウェーハ12がない場合には正常
な剥離作業が行われたと認識して、回転テーブル10を
基準角度間隔だけ回転させて次のウェーハの剥離動作の
準備を行う(ステップ122)。制御手段54はその
後、全体カメラ42により回転動作後の剥離位置Eにお
けるウェーハ12の有無を検出し(ステップ124)、
ウェーハ12がなくなるまでステップ116〜124を
繰り返す。これにより周方向に貼着されたウェーハ12
の剥離が完了する。
Subsequently, the control means 16 detects the presence / absence of the wafer 12 at the peeling position E by the whole camera 42 (step 120), recognizes that the normal peeling work has been performed when there is no wafer 12, and rotates the wafer. The table 10 is rotated by the reference angle interval to prepare for the next wafer peeling operation (step 122). Then, the control means 54 detects the presence or absence of the wafer 12 at the peeling position E after the rotation operation by the whole camera 42 (step 124),
Repeat steps 116-124 until the wafer 12 is exhausted. As a result, the wafer 12 adhered in the circumferential direction
Peeling is completed.

【0036】なお、ステップ120において、剥離動作
後に剥離位置Eにウェーハ12が有る場合には、何らか
の原因で剥離動作が正常に行われていないと制御手段5
4が判断し、異常復帰処理を行う。異常復帰処理は、一
時回転テーブル10の回転動作および剥離手段16によ
る剥離動作を停止し(ステップ132)、アラーム(不
図示)を鳴動させて(ステップ134)、作業者に異常
を知らせる。作業者が剥離に失敗したウェーハ12を除
去する等の処置を行い(ステップ136)、異常処理を
終了したらウェーハ剥離装置の一時停止を解除し(ステ
ップ138)、異常復帰処理を完了する。この後は、制
御手段54はステップ120に戻る。
In step 120, when the wafer 12 is located at the peeling position E after the peeling operation, the control means 5 determines that the peeling operation is not normally performed for some reason.
4 makes a judgment and performs an abnormal recovery process. In the abnormality recovery process, the rotating operation of the temporary rotary table 10 and the peeling operation by the peeling means 16 are stopped (step 132), and an alarm (not shown) is sounded (step 134) to notify the operator of the abnormality. The operator takes measures such as removing the wafer 12 that has failed to be peeled (step 136), and after the abnormal processing is completed, the temporary stop of the wafer peeling device is released (step 138), and the abnormal recovery processing is completed. After this, the control means 54 returns to step 120.

【0037】続いて、制御手段54は回転テーブル10
の中央にウェーハがあるか否かを確認し(ステップ12
6)、有る場合にはこのウェーハを最後に剥離し(ステ
ップ128)、すべてのウェーハ12の剥離作業が完了
する。制御手段54は、第2のシリンダ装置38を制御
して取付板36を水平にし、回転テーブル10による研
磨プレート14の吸着を解除して(ステップ130)、
一つの研磨プレート14のウェーハ12の全剥離作業を
完了する。また、ステップ126において中央にウェー
ハ12がない場合にはステップ130を実行して剥離作
業を完了する。なお、上述したステップの内、ステップ
110、ステップ112は、回転テーブル10上へのウ
ェーハ12の貼着精度が高い場合には省いても問題はな
い。
Subsequently, the control means 54 controls the rotary table 10
Check if there is a wafer in the center of the wafer (Step 12
6) If there is, this wafer is finally peeled off (step 128), and the peeling work of all the wafers 12 is completed. The control means 54 controls the second cylinder device 38 to make the mounting plate 36 horizontal, and releases the suction of the polishing plate 14 by the rotary table 10 (step 130).
The entire peeling operation of the wafer 12 on one polishing plate 14 is completed. If there is no wafer 12 in the center in step 126, step 130 is executed to complete the peeling work. Note that, of the steps described above, step 110 and step 112 can be omitted if the wafer 12 is attached to the rotary table 10 with high accuracy.

【0038】剥離手段16による剥離作業の概略を説明
すると、制御手段54は、モータ26を作動させ、スラ
イド機構24を介してスライド体22を矢印A方向に移
動してアーム部28に取り付けられたスクレーパ30を
剥離位置Eにあるウェーハ12の背後に移動させる。こ
の移動の際には第1のシリンダ装置32を作動させてア
ーム部28を上昇させてスクレーパ30がウェーハ12
に接触しないようにしておく。その後に第1のシリンダ
装置32を作動させてアーム部28を下降させてスクレ
ーパ30の先端を研磨プレート14上面に接触させ、再
度モータ26を作動させてスライド体22をウェーハ収
納部18方向へ移動させる。これによりスクレーパ30
がウェーハ12を剥離すると共にウェーハ収納部18方
向へ傾いた回転テーブル10の斜面に沿ってウェーハ1
2を移動させる。
An outline of the peeling work by the peeling means 16 will be described. The control means 54 operates the motor 26, moves the slide body 22 in the direction of arrow A through the slide mechanism 24, and attaches it to the arm portion 28. The scraper 30 is moved to the back of the wafer 12 at the peeling position E. At the time of this movement, the first cylinder device 32 is operated to raise the arm portion 28 so that the scraper 30 moves the wafer 12
Avoid contact with. Thereafter, the first cylinder device 32 is operated to lower the arm portion 28 to bring the tip of the scraper 30 into contact with the upper surface of the polishing plate 14, and the motor 26 is operated again to move the slide body 22 toward the wafer storage portion 18. Let This allows scraper 30
Removes the wafer 12 and moves the wafer 1 along the inclined surface of the rotary table 10 that is inclined toward the wafer storage portion 18.
Move 2

【0039】また、上述した実施例では、ウェーハ12
にオリフラやノッチが設けられていない場合について説
明したが、オリフラやノッチが設けられている場合には
このオリフラやノッチの位置を検出して基準ウェーハを
決定することも可能であるので、以下にオリフラやノッ
チの位置を検出して基準ウェーハを決定する方法につい
て説明する。
Further, in the above-described embodiment, the wafer 12
Although the case where the orientation flat or notch is not provided in the above was explained, when the orientation flat or notch is provided, it is possible to detect the position of this orientation flat or notch and determine the reference wafer. A method of detecting the orientation flat or notch position and determining the reference wafer will be described.

【0040】まず、図12〜図14を用いてオリフラが
設けられた場合について説明する。なお、図12にはウ
ェーハのサイズが5、6インチの場合の一般的な貼着方
法を示し、図14に8インチの場合の一般的な貼着方法
を示す。なお、本実施例においては5、6インチの場合
には研磨プレート14の中心にウェーハが必ず貼着さ
れ、8インチの場合には中央には貼着されないが、5、
6インチの場合には研磨プレート14の中心にウェーハ
が貼着されない場合もある。ウェーハ12が5、6イン
チの場合には、周方向に沿って貼着されたウェーハ12
a〜12eは全て、そのオリフラが研磨プレート14の
中心方向へ向いている。このために、研磨プレート14
の中央に貼着されたウェーハ12fのオリフラの位置を
検出して、基準ウェーハを決定する。その方法は、中央
カメラ44において中央のウェーハ12の画像のみを拡
大して取り込み、ウェーハ12の外縁を構成する円に略
内接する小径の円形ウィンドウを複数設定する。その後
に当該円形ウィンドウに含まれるHighレベル部分
(斜線部分)毎の面積を計測する。オリフラ部分に設定
された円形ウィンドウに含まれるHighレベル部分の
面積は他の円形ウィンドウに含まれる面積より小さくな
るため、オリフラが設けられた方向が判定できる。これ
により、例えば研磨プレート14の中心に対して中央の
ウェーハ12fに設けられたオリフラと反対位置にある
周方向のウェーハ12cを基準ウェーハとする等、種々
の任意の位置のウェーハを基準ウェーハとすることが可
能である。
First, the case where the orientation flat is provided will be described with reference to FIGS. 12 shows a general sticking method when the size of the wafer is 5 or 6 inches, and FIG. 14 shows a general sticking method when the size of the wafer is 8 inches. In this embodiment, the wafer is always attached to the center of the polishing plate 14 in the case of 5 and 6 inches, and is not attached to the center in the case of 8 inches.
In the case of 6 inches, the wafer may not be attached to the center of the polishing plate 14. If the wafer 12 is 5 or 6 inches, the wafer 12 adhered along the circumferential direction
The orientation flats of a to 12e are all directed toward the center of the polishing plate 14. For this purpose, the polishing plate 14
The reference wafer is determined by detecting the position of the orientation flat of the wafer 12f attached to the center of the. In the method, the central camera 44 magnifies and captures only the image of the central wafer 12, and sets a plurality of small-diameter circular windows that are substantially inscribed in the circle that forms the outer edge of the wafer 12. After that, the area for each High level portion (hatched portion) included in the circular window is measured. Since the area of the High level portion included in the circular window set in the orientation flat portion is smaller than the area included in the other circular windows, the direction in which the orientation flat is provided can be determined. Thus, for example, the wafer 12c in the circumferential direction at the position opposite to the orientation flat provided on the central wafer 12f with respect to the center of the polishing plate 14 is used as the reference wafer, and the wafer at various arbitrary positions is used as the reference wafer. It is possible.

【0041】ウェーハ12が8インチの場合(図14参
照)には、周方向に沿って貼着されたウェーハのオリフ
ラは、一つのウェーハ12dを除いて研磨プレート14
の中心方向へ向いている。このために、このオリフラの
位置の差を検出して基準ウェーハを決定する。その方法
は、中央カメラ44において研磨プレート14中心を中
心とし、ウェーハ12a〜12dの一部の領域を含む所
定の直径の円内の画像を取り込む。その後に当該円内に
含まれるHighレベル部分(斜線部分)毎の面積を計
測する。オリフラ部分が研磨プレート14中心側となっ
ていないウェーハ12dのHighレベル部分の面積は
他のウェーハ12a〜12cのHighレベル部分の面
積より大きくなるため、当該ウェーハ12dを基準ウェ
ーハとする。
When the wafer 12 is 8 inches (see FIG. 14), the orientation flats of the wafers adhered along the circumferential direction are the polishing plate 14 except one wafer 12d.
Toward the center of. Therefore, the reference wafer is determined by detecting the difference in the positions of the orientation flats. The method captures an image within a circle having a predetermined diameter centered on the center of the polishing plate 14 in the central camera 44 and including a partial region of the wafers 12a to 12d. After that, the area of each High level portion (hatched portion) included in the circle is measured. Since the area of the high level portion of the wafer 12d where the orientation flat portion is not on the center side of the polishing plate 14 is larger than the area of the high level portions of the other wafers 12a to 12c, the wafer 12d is used as a reference wafer.

【0042】次に、図15〜図17を用いてノッチが設
けられた場合について説明する。この場合には図15に
示すように、周方向に沿って貼着されたウェーハ12a
〜12dに設けられたノッチ(切欠部)は、一つのウェ
ーハ12aを除いて研磨プレート14の外縁方向を向い
ている。このために、このノッチの位置の差を検出して
基準ウェーハを決定する。その方法は、外縁カメラ46
において図15の一点鎖線内に含まれる画像のみを拡大
して取り込み、取り込んだ画像(図16参照)に対し
て、例えばY方向の一画素単位毎にX方向に沿った画素
の有無を検出し、ウェーハ12と研磨プレート14との
境界形状を示す曲線(原曲線とする)を算出する。続い
て、原曲線の1次差分、2次差分を演算し、2次差分の
最大値と最小値との差を求め、この差が一定以上であれ
ば、そこにノッチが存在すると判断する(図17(a)
参照)。ノッチがない場合には、図17(b)に示すよ
うに、ノッチがある場合と比較して2次差分における最
大値と最小値との差が小さくなる。これにより、外縁カ
メラ46で捕らえた画像内にノッチがないウェーハ12
aを基準ウェーハとすることが可能である。なお、画像
内にノッチがないウェーハ12aを基準に例えば時計回
りに1番目にあるウェーハ12bを基準ウェーハとして
も良い等、自在に基準ウェーハを設定できる。また、研
磨プレート14がセラミック製である場合には、各カメ
ラ42、44、46から出力される電圧データは極性が
反転したものとなるため、変換手段48や制御手段5
4、さらには画像処理手段52においてデータの論理を
反転させることで、上述したガラス製の場合と同様の処
理で剥離作業が行える。
Next, the case where the notch is provided will be described with reference to FIGS. In this case, as shown in FIG. 15, the wafer 12a adhered along the circumferential direction.
The notches (cutouts) provided in the to 12d face the outer edge direction of the polishing plate 14 except for one wafer 12a. Therefore, the reference wafer is determined by detecting the difference in the positions of the notches. The method is as follows:
15. In FIG. 15, only the image included in the alternate long and short dash line in FIG. 15 is enlarged and captured, and for the captured image (see FIG. 16), for example, the presence or absence of pixels along the X direction is detected for each pixel unit in the Y direction. , A curve (referred to as an original curve) indicating the boundary shape between the wafer 12 and the polishing plate 14 is calculated. Next, the primary difference and the secondary difference of the original curve are calculated, and the difference between the maximum value and the minimum value of the secondary difference is calculated. If this difference is a certain value or more, it is determined that there is a notch there ( FIG. 17 (a)
reference). When there is no notch, as shown in FIG. 17B, the difference between the maximum value and the minimum value in the quadratic difference is smaller than that when there is a notch. As a result, the wafer 12 having no notch in the image captured by the outer edge camera 46 is obtained.
It is possible to use a as a reference wafer. The reference wafer can be set freely, for example, the first wafer 12b in the clockwise direction may be used as the reference wafer based on the wafer 12a having no notch in the image. Further, when the polishing plate 14 is made of ceramic, the voltage data output from each of the cameras 42, 44, and 46 has the inverted polarity, so that the conversion unit 48 and the control unit 5 are provided.
4. Further, by inverting the logic of the data in the image processing means 52, the peeling work can be performed by the same processing as in the case of the above-mentioned glass.

【0043】以上、本発明の好適な実施例について種々
述べてきたが、本発明は上述する実施例に限定されるも
のではなく、全体カメラの解像度が高い場合には、円形
ウィンドウを研磨プレート全体に設定して各ウェーハの
全体の面積や重心を計測することにより、全体カメラ1
つで、研磨プレート上に置かれたウェーハの位置や大き
さ、損傷の有無、剥離位置への移動の際の確認等を行う
ようにしても良い等、発明の精神を逸脱しない範囲で多
くの改変を施し得るのはもちろんである。
Although various preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and when the resolution of the whole camera is high, the circular window is used as a whole polishing plate. By setting to the whole area and measuring the center of gravity of each wafer,
Therefore, the position and size of the wafer placed on the polishing plate, the presence or absence of damage, and the confirmation at the time of moving to the peeling position may be checked, and so on. Of course, modifications can be made.

【0044】[0044]

【発明の効果】本発明に係るウェーハ剥離装置を用いる
と、研磨プレートおよび研磨プレート上に貼着されたウ
ェーハをカメラで捕らえ、カメラから出力される電圧デ
ータを変換手段で画素毎のディジタルデータに変換して
画像記憶手段に画像データとして記憶し、画像処理手段
は当該画像データを処理して研磨プレートとウェーハの
画像を識別してウェーハの形状、大きさ、枚数、貼着位
置を処理情報として出力するため、制御手段が当該処理
情報に基づいて剥離手段や回転テーブルを制御し、自動
的に剥離作業が行える。また、ウェーハを画像データと
して捕らえることができるので、ウェーハの欠け等の損
傷の有無を検出することもできるという著効を奏する。
When the wafer stripping apparatus according to the present invention is used, the polishing plate and the wafer stuck on the polishing plate are captured by the camera, and the voltage data output from the camera is converted into digital data for each pixel by the conversion means. The image data is converted and stored in the image storage means as image data, and the image processing means processes the image data to identify the images of the polishing plate and the wafer, and the wafer shape, size, number, and attachment position as processing information. Since the output is performed, the control unit controls the peeling unit and the rotary table based on the processing information, and the peeling work can be automatically performed. Further, since the wafer can be captured as image data, it is possible to detect the presence or absence of damage such as chipping of the wafer, which is a remarkable effect.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係るウェーハ剥離装置の機械的構成を
示す一部切欠正面断面図である。
FIG. 1 is a partially cutaway front sectional view showing a mechanical structure of a wafer peeling apparatus according to the present invention.

【図2】図1の外部カバーの構成を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a configuration of an outer cover shown in FIG.

【図3】図1の外部カバーの構成を示す右側面図であ
る。
FIG. 3 is a right side view showing the configuration of the outer cover of FIG.

【図4】図1の処理系の構成を示すブロック図である。FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a processing system of FIG.

【図5】図1の外部カバーによる照明方法を示す説明図
である。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing a lighting method using the outer cover of FIG. 1.

【図6】図5においてガラスプレート用第1のランプを
点灯した際のカメラが捕らえる画像を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing an image captured by the camera when the first glass plate lamp in FIG. 5 is turned on.

【図7】図5においてセラミックプレート用第2のラン
プを点灯した際のカメラが捕らえる画像を示す図であ
る。
FIG. 7 is a diagram showing an image captured by the camera when the second lamp for the ceramic plate in FIG. 5 is turned on.

【図8】図1の装置のステップ104での処理を説明す
るための図である。
FIG. 8 is a diagram for explaining the processing in step 104 of the apparatus in FIG.

【図9】図1の装置のステップ108での処理を説明す
るための図である。
FIG. 9 is a diagram for explaining the process in step 108 of the apparatus in FIG.

【図10】図1の装置のステップ110での処理を説明
するための図である。
FIG. 10 is a diagram for explaining the processing in step 110 of the apparatus in FIG.

【図11】図1の装置のステップ114〜118での処
理を説明するための図である。
11 is a diagram for explaining the processing in steps 114 to 118 of the apparatus in FIG.

【図12】オリフラを利用して基準ウェーハを決定する
方法を示す説明図である(5、6インチウェーハの場
合)。
FIG. 12 is an explanatory diagram showing a method of determining a reference wafer by utilizing an orientation flat (in the case of 5 and 6 inch wafers).

【図13】中央ウェーハのオリフラの位置を検出する方
法を示す説明図である。
FIG. 13 is an explanatory diagram showing a method of detecting the position of the orientation flat of the central wafer.

【図14】オリフラを利用して基準ウェーハを決定する
方法を示す説明図である(8インチウェーハの場合)。
FIG. 14 is an explanatory diagram showing a method of determining a reference wafer using an orientation flat (in the case of an 8-inch wafer).

【図15】ノッチを利用して基準ウェーハを決定する方
法を示す説明図である(8インチウェーハの場合)。
FIG. 15 is an explanatory diagram showing a method of determining a reference wafer using a notch (in the case of an 8-inch wafer).

【図16】図15でのノッチの有無を検出する一方法を
説明する図である。
16 is a diagram illustrating one method of detecting the presence or absence of a notch in FIG.

【図17】図15でのノッチの有無を検出する一方法を
説明する図である。
17 is a diagram illustrating one method of detecting the presence or absence of a notch in FIG.

【図18】図1の装置の剥離手順を示すフローチャート
である。
18 is a flowchart showing a peeling procedure of the apparatus of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 回転テーブル 12 ウェーハ 14 研磨プレート 16 剥離手段 42 全体カメラ 44 中央カメラ 46 外縁カメラ 47 画像処理手段 48 変換手段 50 画像記憶手段 52 剥離条件記憶手段 54 制御手段 10 rotating table 12 wafers 14 Polishing plate 16 Peeling means 42 Whole camera 44 Central camera 46 Edge camera 47 image processing means 48 conversion means 50 image storage means 52 peeling condition storage means 54 control means

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平5−166771(JP,A) 特開 平4−363047(JP,A) 特開 平6−94430(JP,A) 特開 昭63−144956(JP,A) 実開 平4−115055(JP,U) 実開 平4−19873(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304 ─────────────────────────────────────────────────── --Continued from the front page (56) Reference JP-A-5-166771 (JP, A) JP-A-4-363047 (JP, A) JP-A-6-94430 (JP, A) JP-A-63- 144956 (JP, A) Actual Kaihei 4-115055 (JP, U) Actual Kaihei 4-19873 (JP, U) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/304

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 上面にウェーハが貼着された研磨プレー
トを載置可能な回転テーブルと、該回転テーブル上に載
置された前記研磨プレートから前記ウェーハを剥離する
剥離手段と、前記回転テーブル上方に配され、前記研磨
プレートおよび前記ウェーハからの光を受光し、視野内
における画像を構成する画素毎の電圧データを生成する
カメラと、入力された前記画素毎の電圧データをディジ
タルデータに変換して出力する変換手段と、該変換手段
から出力される前記画素毎のディジタルデータを、前記
視野に対応したX−Y直交座標系である論理平面上にお
ける画素の位置を示す画像データとして記憶する画像記
憶手段と、前記研磨プレートへの、前記ウェーハの形
状、貼着枚数、貼着位置の内の少なくとも一つを含むウ
ェーハの貼着仕様が複数記憶されると共に、該貼着仕様
の各々に対応するウェーハの剥離条件が複数記憶された
剥離条件記憶手段と、前記変換手段から出力された前記
ディジタルデータを前記画像記憶手段へ記憶し、該画像
記憶手段に記憶された画像データを処理して前記貼着仕
様を演算して求め、求めた前記貼着仕様と前記剥離条件
記憶手段に記憶された前記複数の貼着仕様を比較して貼
着仕様を特定し、該特定した貼着仕様に対応する前記ウ
ェーハの剥離条件に基づいて、前記回転テーブルを回転
させると共に前記剥離手段を制御して前記研磨プレート
から前記ウェーハを剥離させる制御手段とを具備するウ
ェーハ剥離装置において、 前記研磨プレートは円板状に形成されると共に、該研磨
プレートには予め決められた複数の前記貼着仕様の内の
一の貼着仕様に従って前記ウェーハが、少なくとも前記
研磨プレートの周縁部に周方向に沿って貼着されてお
り、 前記制御手段は、前記研磨プレートの中心と同一の中心
を有し、前記各ウェーハの一部の領域を含む所定の直径
の円形ウィンドウを設定し、前記ウェーハ毎に前記円形
ウィンドウに含まれる前記領域の重心を演算し、前記研
磨プレートの中心と前記重心の位置とから前記ウェーハ
の前記貼着枚数または貼着位置の内の少なくとも一つを
演算して求めることによって前記貼着仕様を求める こと
を特徴とするウェーハ剥離装置。
1. A rotary table on which a polishing plate having a wafer adhered on its upper surface can be placed, a peeling means for peeling the wafer from the polishing plate placed on the rotary table, and above the rotary table. And a camera that receives light from the polishing plate and the wafer and generates voltage data for each pixel forming an image in the field of view, and a digitized voltage data for each pixel.
Conversion means for converting and outputting digital data and the conversion means
The digital data for each pixel output from
On a logical plane that is an XY Cartesian coordinate system corresponding to the field of view
Image data stored as image data showing the pixel position
Storage means and the shape of the wafer on the polishing plate.
Shape, number of sheets to be pasted, and at least one of the pasting locations.
Multiple sticking specifications of the wafer are stored and the sticking specifications are stored.
Wafer peeling conditions corresponding to each of the
Peeling condition storage means and the output from the conversion means
Storing the digital data in the image storage means,
The image data stored in the storage means is processed to apply the sticking finish.
And the peeling conditions
The pasting specifications stored in the storage means are compared and pasted.
Specify the dressing specification and use the above-mentioned window corresponding to the specified sticking specification.
Rotate the rotary table based on the peeling conditions of the wafer
The polishing plate by controlling the peeling means.
And a control means for peeling the wafer from the wafer.
In the wafer peeling device, the polishing plate is formed into a disc shape and
The plate has a predetermined number of the above-mentioned pasting specifications.
According to one sticking specification, the wafer is at least the
It is attached along the circumferential direction to the peripheral edge of the polishing plate.
The control means has the same center as the center of the polishing plate.
Having a predetermined diameter including a partial area of each of the wafers
Set a circular window of the
The center of gravity of the area contained in the window is calculated and the
The wafer from the center of the polishing plate and the position of the center of gravity
Of at least one of
A wafer peeling apparatus , wherein the sticking specification is obtained by calculating and obtaining .
【請求項2】 前記制御手段は、前記重心の位置が前記
研磨プレートの中央 近くであり、かつ、前記領域の面積
が基準面積以上である場合には、研磨プレートの中心に
もウェーハがあると判断することを特徴とする請求項1
記載のウェーハ剥離装置。
2. The position of the center of gravity of the control means is the
Area near the center of the polishing plate and in the area
Is larger than the reference area, the center of the polishing plate
2. It is also determined that there are wafers.
The wafer peeling apparatus described.
【請求項3】 前記制御手段では、前記求めた重心の位
置に基づいて、任意のウェーハを基準として他のウェー
ハとの間の角度間隔を求め、該求めた角度間隔と、ウェ
ーハの貼着枚数から求められるウェーハ間の基準角度間
隔との誤差を算出し、この誤差を算出する作業をすべて
のウェーハを基準として行い、誤差の最大値が最も小さ
くなる場合の基準のウェーハを最初に剥離作業を行う基
準ウェーハに決定し、該基準ウェーハから剥離を開始し
て、前記回転テーブルを前記基準角度間隔ずつ回転して
順次ウェーハを剥離するように制御することを特徴とす
る請求項1または2記載のウェーハ剥離装置。
3. The position of the obtained center of gravity is controlled by the control means.
Position on the basis of any wafer
The angular interval between the
-The standard angle between wafers calculated from the number of attached
Calculation of the error between the distance and all the work to calculate this error
Wafer is used as a reference, and the maximum error is the smallest.
When the wafer becomes a standard
Decide on a quasi-wafer and start peeling from the reference wafer
The rotary table by the reference angle intervals.
It is characterized by controlling so that the wafers are sequentially peeled off.
The wafer stripping apparatus according to claim 1 or 2.
【請求項4】 前記制御手段は、前記研磨プレートの中
心にウェーハが存在する場合には、該ウェーハを最後に
剥離するように制御することを特徴とする請求項3記載
のウェーハ剥離装置。
4. The control means is provided in the polishing plate.
If there is a wafer in the heart,
4. Control so that peeling is performed.
Wafer stripping equipment.
【請求項5】 前記回転テーブルの上方に該回転テーブ
ルを覆うように設けられ、前記カメラへの外光の入光を
遮断するための外部カバーと、 該外部カバー内に配せられ、前記回転テーブル上を拡散
光により照明する照明手段とを具備することを特徴とす
る請求項1〜4いずれか1項記載のウェーハ剥離装置。
5. An outer cover which is provided above the turntable to cover the turntable and blocks external light from entering the camera; 5. A wafer peeling apparatus according to claim 1, further comprising an illuminating unit that illuminates the table with diffused light.
【請求項6】 前記照明手段は、第1の照明手段と第2
の照明手段の2つで構成され、 前記第1の照明手段は、前記回転テーブル上で反射する
第1の照明手段の反射光が前記カメラに直接入光する位
置に配せられ、 前記第2の照明手段は、前記回転テーブル上で反射する
第2の照明手段の反射光が前記カメラに直接入光しない
位置に配せられていることを特徴とする請求項5記載の
ウェーハ剥離装置。
6. The lighting means comprises a first lighting means and a second lighting means.
The second illuminating means, the first illuminating means is disposed at a position where the reflected light of the first illuminating means reflected on the turntable directly enters the camera, 6. The wafer peeling apparatus according to claim 5 , wherein the illuminating means is disposed at a position where the reflected light of the second illuminating means reflected on the turntable does not directly enter the camera.
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