JP2003209157A - Method and device for handling leadless semiconductor element - Google Patents
Method and device for handling leadless semiconductor elementInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂モールドパッ
ケージの表面等に電極端子を露呈させた多数の連結状態
のリードレス半導体素子をダイシングシートに貼着した
状態でリードレス半導体素子間をダイシング後、ダイシ
ングシートからリードレス半導体素子をピックアップし
てテーピング梱包する製造システムにおけるリードレス
半導体素子の処理方法および処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dicing sheet in which a large number of connected leadless semiconductor elements having electrode terminals exposed on the surface of a resin mold package are attached to a dicing sheet and after dicing between the leadless semiconductor elements. The present invention relates to a processing method and a processing apparatus for a leadless semiconductor element in a manufacturing system for picking up a leadless semiconductor element from a dicing sheet and packing it in a tape.
【0002】[0002]
【従来の技術】携帯型コンピュータの普及で需要が増大
傾向にあるCSP(Chip Size PackageまたはChip Scal
e Package)等のリードレス半導体素子は、図9(A)
に示すように、一枚の樹脂モールド基板100に多数の
リードレス半導体素子1,1…を連結状態で形成し、こ
の樹脂モールド基板100を各半導体素子1,1相互間
のX方向およびY方向のダイシングライン102,10
3に沿って、ダイシングソー(図示せず)によって切断
分離して、例えば、図9(B)に示すように、樹脂モー
ルドパッケージ1aの表面に多数の電極端子1bを形成
した個々のリードレス半導体素子1が製造されている。2. Description of the Related Art Demand for CSP (Chip Size Package or Chip Scal) is increasing due to the spread of portable computers.
Leadless semiconductor devices such as e Package) are shown in Fig. 9 (A).
, A large number of leadless semiconductor elements 1, 1 ... Are formed on a single resin-molded substrate 100 in a connected state, and the resin-molded substrate 100 is formed between the semiconductor elements 1, 1 in the X and Y directions. Dicing lines 102, 10
3 is cut and separated by a dicing saw (not shown) along 3 to form an individual leadless semiconductor in which a large number of electrode terminals 1b are formed on the surface of a resin mold package 1a as shown in FIG. 9B. Element 1 is being manufactured.
【0003】上記の樹脂モールド基板100からリード
レス半導体素子1をテーピングする工程フローについ
て、図10を参照して説明すると、まず、多数のリード
レス半導体素子1を高密度で一連に形成された薄板形状
の樹脂モールド基板100を製作し(A)、この樹脂モ
ールド基板100を、粘着性を有するダイシングシート
に貼着するとともに(B)、ダイシングシートの周縁部
を金属平板リングに固定した状態で、個々のリードレス
半導体チップ1にダイシングし(C)、ダイシングシー
トからリードレス半導体素子1を剥離し(D)、整列ト
レーに整列させ(E)、真空吸着ノズルなどによりリー
ドレス半導体素子1をピックアップし(F)、特性測定
装置で電気特性を測定し(G)、表裏一方の面を外観検
査し(H)、表裏反転し(I)、他方の面を外観検査し
(J)、電気特性のランクや外観検査結果などに基づい
て選別し(K)、その品質ランク別に型名・品番などを
捺印し(L)、テーピングしている(M)。A process flow for taping the leadless semiconductor element 1 from the resin-molded substrate 100 will be described with reference to FIG. 10. First, a thin plate in which a large number of leadless semiconductor elements 1 are formed in high density in series. A resin-molded substrate 100 having a shape is manufactured (A), the resin-molded substrate 100 is attached to an adhesive dicing sheet (B), and the peripheral edge of the dicing sheet is fixed to a metal flat plate ring. The individual leadless semiconductor chips 1 are diced (C), the leadless semiconductor elements 1 are separated from the dicing sheet (D), aligned on an alignment tray (E), and the leadless semiconductor elements 1 are picked up by a vacuum suction nozzle or the like. (F), electrical characteristics are measured with a characteristic measuring device (G), and one side of the front and back is visually inspected (H). (I), the other surface is visually inspected (J), and it is selected based on the electrical characteristic rank and the appearance inspection result (K), and the model name, product number, etc. are stamped according to the quality rank (L). Taping (M).
【0004】すなわち、前記ダイシング工程で個々に分
断されて製造されたリードレス半導体チップ1は、ダイ
シングシートから剥離されてばらばらの状態で、1個ず
つ特性測定、外観検査、捺印等の複合処理を行ってか
ら、品質ランク別に、図11に示すように、エンボス部
202とインデックス孔203とを有するエンボステー
プ201のエンボス部202にリードレス半導体チプ1
を1個ずつ収容した後、このエンボステープ201の上
にカバーテープ204を貼り付けて、いわゆるテーピン
グ梱包体200として出荷している。That is, the leadless semiconductor chips 1 manufactured by being individually cut in the dicing process are separated from the dicing sheet and separated, and are individually subjected to complex processing such as characteristic measurement, appearance inspection, and marking. Then, as shown in FIG. 11, the leadless semiconductor chip 1 is attached to the embossed portion 202 of the embossed tape 201 having the embossed portion 202 and the index holes 203 for each quality rank.
After they are housed one by one, a cover tape 204 is attached onto the embossed tape 201 and shipped as a so-called taping package 200.
【0005】ところで、従来は、ダイシングシート上で
ミリサイズに細分割されたリードレス半導体素子1を1
個ずつダイシングシートから剥がして整列トレー(図示
せず)に多数個を整列させ、必要時に整列トレーからリ
ードレス半導体素子1を1個ずつ複合処理設備(図示せ
ず)の特性測定装置に送り出して、最終的に良品をテー
ピング機(図示せず)でテーピング梱包している。ある
いは、上記ダイシングシートから個々のリードレス半導
体素子1をパーツフィーダ(図示せず)に集合させ、必
要時にパーツフィーダでリードレス半導体素子1を整列
させながら複合処理設備に送り出してテーピング梱包し
ている。By the way, conventionally, a leadless semiconductor device 1 finely divided into millimeter sizes on a dicing sheet is used.
Peel each piece from the dicing sheet, align a large number of pieces on an alignment tray (not shown), and send the leadless semiconductor devices 1 one by one from the alignment tray to a characteristic measuring device of a composite processing facility (not shown) when necessary. Finally, non-defective products are tape-packaged with a taping machine (not shown). Alternatively, individual leadless semiconductor elements 1 are collected from the dicing sheet into a parts feeder (not shown), and when necessary, the leadless semiconductor elements 1 are aligned with the parts feeder and sent to a composite processing facility for tape packaging. .
【0006】しかしながら、上記複合処理設備は、整列
トレーやパーツフィーダから取り出された半導体素子を
1個あるいは複数個ずつ位置決めして特性測定する測定
装置や、個々の半導体素子の樹脂パッケージ表面に品番
等をレーザでマーキングする捺印装置等を工場の床上に
連続的に配置し、これら装置群の最後にテーピング機を
配置して構成される。[0006] However, the above-mentioned complex processing equipment has a measuring device for positioning one or a plurality of semiconductor elements taken out from an alignment tray or a parts feeder to measure the characteristics, and a product number or the like on the resin package surface of each semiconductor element. A marking device for marking with a laser is continuously arranged on the floor of the factory, and a taping machine is arranged at the end of these devices.
【0007】なお、リードレス半導体素子のような小形
電子部品を対象としているものではないが、似たような
複合処理設備として、例えば、特許第531006号公
報で開示されている複数種類のターンテーブルを連続的
に配置した製造設備がある。Although not intended for small electronic components such as leadless semiconductor devices, a similar complex processing facility, for example, a plurality of types of turntables disclosed in Japanese Patent No. 531006 is disclosed. There is a manufacturing facility in which
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
に、個々のリードレス半導体素子を整列トレーやパーツ
フィーダで整列させて複合処理設備に送り込む製造シス
テムの場合、ダイシングシートから分離した個々のリー
ドレス半導体素子を整列トレーやパーツフィーダに移送
するための移送設備と作業工程が必要であり、この作業
工程が製造システム全体の作業インデックスを低下さ
せ、複合処理工程の前工程とインライン対応させること
を難しくしている。また、上記作業工程で個々のリード
レス半導体素子がバラ扱いされるために、作業工程中に
振動や衝撃で半導体素子の樹脂パッケージに割れや欠
け、汚れが生じて、テーピング梱包されるリードレス半
導体素子の歩留まりが低下することがある。However, as described above, in the case of the manufacturing system in which the individual leadless semiconductor elements are aligned by the alignment tray or the parts feeder and sent to the composite processing facility, the individual leads separated from the dicing sheet are used. It is necessary to have a transfer facility and a work process for transferring the less semiconductor devices to the alignment tray and the parts feeder, and this work process lowers the work index of the entire manufacturing system and makes it possible to correspond inline with the preceding process of the composite processing process. Making it difficult. Further, since the individual leadless semiconductor elements are handled separately in the working process, the resin package of the semiconductor device is cracked, chipped, or soiled due to vibration or impact during the working process, and the leadless semiconductor is packaged in taping. The yield of the device may decrease.
【0009】また、上記した複数種類のターンテーブル
を連続的に配置した複合処理設備は、各ターンテーブル
の周縁部に所定間隔で配備した真空式の吸着ノズルで電
子部品を吸着保持して、上流側ターンテーブルから下流
側ターンテーブルへと順に送り出し、各ターンテーブル
で特性測定等の所望の処理をして最終的にテーピング機
でテーピング梱包する設備である。Further, in the complex processing equipment in which a plurality of kinds of turntables are continuously arranged, electronic components are sucked and held by vacuum suction nozzles arranged at a predetermined interval on the peripheral portion of each turntable, and upstream. It is a facility that sequentially sends from the side turntable to the downstream turntable, performs desired processing such as characteristic measurement on each turntable, and finally packages by taping with a taping machine.
【0010】この複合処理設備に送り込まれる電子部品
は、樹脂パッケージからリードを導出したSOP(Smal
l Outline Package)等の表面実装型半導体部品が対象
で、樹脂パッケージからリードを導出した電子部品の個
々がリードフレームに支持された状態で専用の送り機構
を介して複合処理設備の最初のターンテーブルに給送さ
れる。The electronic parts sent to this composite processing facility are SOP (Smal) in which leads are led out from a resin package.
l Outline package) and other surface-mounting semiconductor components, and the first turntable of the composite processing facility via a dedicated feed mechanism with each electronic component that leads derived from the resin package supported by the lead frame. Be delivered to.
【0011】このようなターンテーブル式複合処理設備
は、リードフレームが上記整列トレーのように取り扱え
てあまり問題とならないのであるが、リードフレームを
使用しないで製造される前述のようなミリサイズのリー
ドレス半導体素子を対象とした場合は、多数のリードレ
ス半導体素子が高密度で形成された樹脂パッケージ基板
をリードフレームのように取り扱うことが難しい。そこ
で、前述のように、樹脂パッケージ基板から個々に分断
されたリードレス半導体素子を専用の整列トレーに整列
させて、複合処理設備の最初のターンテーブルに給送す
るようにしているが、これでは整列トレーを使用するこ
とに起因する上記問題が残る。In such a turntable type composite processing facility, the lead frame can be handled like the above-mentioned alignment tray, which is not a problem, but the above-mentioned millimeter-sized lead manufactured without using the lead frame. In the case of a target semiconductor device, it is difficult to handle a resin package substrate on which a large number of leadless semiconductor devices are formed with high density like a lead frame. Therefore, as described above, the leadless semiconductor elements individually cut from the resin package substrate are aligned in a dedicated alignment tray and fed to the first turntable of the composite processing facility. The above problems remain due to the use of alignment trays.
【0012】また、分断されたリードレス半導体素子を
ターンテーブル上で1個ずつ特性測定することは、リー
ドレス半導体素子の端子部を測定装置の探針位置に合わ
せるための高精度の位置決めが不可欠であり、この位置
決めのための作業工程が増える問題点がある。In addition, in order to measure the characteristics of the divided leadless semiconductor elements one by one on the turntable, it is indispensable to position the leadless semiconductor elements with a highly accurate positioning in order to align them with the probe position of the measuring device. Therefore, there is a problem that the number of work steps for this positioning increases.
【0013】従って、本発明の目的は、小形化されたリ
ードレス半導体素子に適合した、しかもスループットの
高い処理方法および処理装置を提供することにある。Therefore, it is an object of the present invention to provide a processing method and a processing apparatus which are suitable for a miniaturized leadless semiconductor device and have a high throughput.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の処理方法は、多数の連結状態にあるリードレス半導
体素子をダイシングシートに貼着してダイシングシート
ユニットを構成し、連結状態にあるリードレス半導体素
子間を切断するダイシング工程と、前記ダイシングシー
トに整列状態を保持して貼着された個々のリードレス半
導体素子の特性を測定すると共に、その測定結果を記憶
部に記憶する特性測定工程と、前記ダイシングシートか
ら前記特性測定結果に基づく良品のリードレス半導体素
子をピックアップするピックアップ工程と、このピック
アップされたリードレス半導体素子を移送手段で移送す
る移送工程と、前記移送手段から受け渡したリードレス
半導体素子をテーピング梱包するテーピング工程とを有
することを特徴としている。According to the processing method of the present invention for achieving the above object, a large number of leadless semiconductor elements in a connected state are attached to a dicing sheet to form a dicing sheet unit, which is in a connected state. A dicing step of cutting between the leadless semiconductor elements, and measuring the characteristics of the individual leadless semiconductor elements attached while holding the aligned state on the dicing sheet, and measuring the characteristics by storing the measurement results in a storage unit. A step of picking up a non-defective leadless semiconductor element based on the characteristic measurement result from the dicing sheet, a transfer step of transferring the picked up leadless semiconductor element by a transfer means, and a transfer step transferred from the transfer means And a taping process for taping and packaging the leadless semiconductor device. To have.
【0015】ここで、ダイシングシートユニットは、半
導体ウェーハのダイシングに使用される既存品で、本発
明方法は半導体ウェーハの代わりに、樹脂モールド基板
をダイシングするダイシングシートユニットとして利用
している。すなわち、リードレス半導体素子はCSP等
の樹脂パッケージされたミリサイズのチップ部品で、1
枚の樹脂モールド基板に多数個が一括して製造されて、
その電極端子形成面とは反対側面に型名などを印刷した
後、粘着性を有する伸展可能なダイシングシートに貼着
され、そのダイシングシートの周縁部が金属平板リング
に固定された状態で、樹脂モールド基板がダイシングさ
れて、複数のリードレス半導体素子に分割される。Here, the dicing sheet unit is an existing product used for dicing a semiconductor wafer, and the method of the present invention uses it as a dicing sheet unit for dicing a resin mold substrate instead of the semiconductor wafer. That is, the leadless semiconductor element is a millimeter-sized chip component packaged in resin such as CSP.
A large number of resin-molded substrates are manufactured at once,
After printing the model name, etc. on the side opposite to the electrode terminal formation surface, it is attached to an expandable dicing sheet having adhesiveness, and the peripheral portion of the dicing sheet is fixed to the metal flat plate ring, and The mold substrate is diced and divided into a plurality of leadless semiconductor elements.
【0016】また、上記のように、ダイシングによって
個々のリードレス半導体素子に分割され、かつ、その整
列状態を保持してダイシングシートに貼着されている状
態で、個々のリードレス半導体素子の特性測定が実施さ
れると共に、その特性測定結果が記憶部に記憶される。Further, as described above, the characteristics of the individual leadless semiconductor elements are divided into individual leadless semiconductor elements by dicing, and are attached to the dicing sheet while maintaining their aligned state. As the measurement is performed, the characteristic measurement result is stored in the storage unit.
【0017】このダイシングシートを使って製造された
個々のリードレス半導体素子は、従来のようにダイシン
グシートから剥がさずに整列状態を保持したままダイシ
ングシートユニット化し、このダイシングシートユニッ
トを処理設備におけるリードレス半導体素子の供給手段
として使用する。Individual leadless semiconductor elements manufactured by using this dicing sheet are made into a dicing sheet unit while maintaining an aligned state without being peeled off from the dicing sheet as in the conventional case, and this dicing sheet unit is used as a lead in processing equipment. Used as a supply means for a semiconductor device.
【0018】そして、記憶部に記憶された特性データに
基づいて、ダイシングシートユニットから良品のリード
レス半導体素子を1個ずつピックアップし、移送手段で
所定のポジションに移送して、1個ずつテーピング梱包
することで、小形のリードレス半導体素子の処理が正確
に、かつ、高インデックスで行なえるようになる。ダイ
シングシートユニットからのリードレス半導体素子のピ
ックアップ手段は真空式の吸着ノズルが望ましく、ダイ
シングシートユニットからリードレス半導体素子の移送
手段には、前記吸着ノズルを具えたターンテーブルが望
ましい。Then, based on the characteristic data stored in the storage unit, good leadless semiconductor elements are picked up one by one from the dicing sheet unit, transferred to a predetermined position by the transfer means, and taped and packaged one by one. By doing so, the processing of a small leadless semiconductor device can be performed accurately and with a high index. A vacuum type suction nozzle is desirable as a pickup means for the leadless semiconductor element from the dicing sheet unit, and a turntable having the suction nozzle is desirable as a means for transferring the leadless semiconductor element from the dicing sheet unit.
【0019】すなわち、この発明の処理方法において
は、従来のように、樹脂モールド基板から個々のリード
レス半導体素子を切断分離後、個々のリードレス半導体
素子をばらばらにした状態で順次特性測定装置に移送し
て特性を測定するのではなく、1枚の樹脂モールド基板
に連結された状態の多数のリードレス半導体素子を、ダ
イシング工程によって個々のリードレス半導体素子に切
断分離後、ダイシングシートに貼着されて整列状態を保
持している状態で特性測定を実施すると共に、その特性
測定結果を記憶部に記憶させておき、その記憶データ
(特性測定結果)に基づいて良品のリードレス半導体素
子のみをピックアップして、テーピング梱包するもので
ある。That is, in the processing method of the present invention, the individual leadless semiconductor elements are cut and separated from the resin-molded substrate, and then the individual leadless semiconductor elements are separated into individual pieces, which are sequentially used in the characteristic measuring apparatus, as in the prior art. Rather than transfer and measure the characteristics, many leadless semiconductor elements connected to one resin mold substrate are cut and separated into individual leadless semiconductor elements by a dicing process, and then attached to a dicing sheet. The characteristic measurement is performed while maintaining the aligned state, and the characteristic measurement result is stored in the storage unit. Based on the stored data (characteristic measurement result), only the good leadless semiconductor element is stored. They are picked up and packed in taping.
【0020】それによって、多数のリードレス半導体素
子が整列状態で、すなわち、多数のリードレス半導体素
子が行列状に配置された状態で特性測定が実施できるの
で、従来のように、ばらばらに分離された状態のリード
レス半導体素子の特性測定を行なう場合に比較して、ば
らばらのリードレス半導体素子を1個ずつ特性測定ポジ
ションに移送して特性測定する場合に要求される高精度
の位置決めが不要になり、作業インデックスを格段に高
速化することができる。As a result, the characteristic measurement can be performed in a state in which a large number of leadless semiconductor elements are aligned, that is, in a state in which a large number of leadless semiconductor elements are arranged in a matrix. Compared to the case of performing the characteristic measurement of the leadless semiconductor element in the open state, the highly accurate positioning required when moving the discrete leadless semiconductor elements one by one to the characteristic measurement position and performing the characteristic measurement becomes unnecessary. Therefore, the work index can be significantly speeded up.
【0021】また、この発明の処理方法においては、前
記特性測定工程の後に、前記ダイシングシートユニット
のダイシングシートを伸展させて個々のリードレス半導
体素子を離間させる工程を含むようにすることができ
る。Further, the processing method of the present invention may include a step of extending the dicing sheet of the dicing sheet unit to separate the leadless semiconductor elements after the characteristic measuring step.
【0022】このように、ダイシングによって個々に分
離されたリードレス半導体素子を貼着したダイシングシ
ートを伸展させて、個々のリードレス半導体素子を離間
させることによって、ダイシングシートから個々のリー
ドレス半導体素子を、真空式の吸着ノズルで吸着剥離し
てピックアップする際に、隣接したリードレス半導体素
子を剥離しないようにできる。As described above, by extending the dicing sheet to which the leadless semiconductor elements individually separated by dicing are attached and separating the individual leadless semiconductor elements, the individual leadless semiconductor elements are separated from the dicing sheet. It is possible to prevent adjacent leadless semiconductor elements from being peeled off when picked up by vacuum peeling with a vacuum suction nozzle.
【0023】また、この発明の処理方法においては、前
記前記移送手段で移送中のリードレス半導体素子の表裏
いずれかの面側の外観を検査する工程を含むようにする
ことができる。Further, the processing method of the present invention may include a step of inspecting the external appearance of either the front surface or the back surface of the leadless semiconductor element being transferred by the transfer means.
【0024】この外観検査工程は、例えば、CCDカメ
ラによって行なわれ、この外観検査によって不良と判定
されたリードレス半導体素子は、適当な排出手段によっ
て、移送手段から排出される。したがって、移送手段の
下流側には、良品のリードレス半導体素子のみが移送さ
れて行く。The appearance inspection step is performed by, for example, a CCD camera, and the leadless semiconductor element determined to be defective by the appearance inspection is ejected from the transfer means by an appropriate ejection means. Therefore, only non-defective leadless semiconductor elements are transferred to the downstream side of the transfer means.
【0025】また、本発明の処理方法は、前記移送手段
から受け渡されたリードレス半導体素子を、表裏反転さ
せる工程を含むようにすることができる。Further, the processing method of the present invention may include a step of inverting the leadless semiconductor element transferred from the transfer means.
【0026】すなわち、ダイシングシートに貼着された
リードレス半導体素子は、電極端子が上方を向いた姿勢
で保持されている。したがって、その姿勢のまま移送手
段に移載し、また、その姿勢のまま移送手段からテーピ
ング機に移載すると、当然に電極端子が上方を向いた姿
勢でテーピングされることになる。ところが、この種リ
ードレス半導体素子は、電極端子を形成した実装面を下
側にして基板に組み付ける、いわゆる、フェースダウン
ボンディングを実施するので、リードレス半導体素子を
表裏反転させることが必要になる。That is, the leadless semiconductor element attached to the dicing sheet is held with the electrode terminals facing upward. Therefore, when the transfer means is transferred in that posture and the transfer means is transferred from the transfer means to the taping machine in that posture, the electrode terminals are naturally taped in an upward posture. However, in this type of leadless semiconductor element, so-called face-down bonding is performed, that is, the mounting surface on which the electrode terminals are formed is faced down, that is, so-called face-down bonding is performed.
【0027】そこで、前記移送手段から受け渡されたリ
ードレス半導体素子を、表裏反転させる工程を設けるこ
とにより、リードレス半導体素子をフェースダウンボン
ディングし易い、電極端子が下向きの姿勢に変換した上
でテーピング梱包できるので、リードレス半導体素子の
ボンディング工程では、テーピング梱包体からリードレ
ス半導体素子をその実装面が下側になった姿勢のまま真
空式の吸着ノズルなどでピックアップしてボンディング
することができる。Therefore, by providing a step of reversing the leadless semiconductor element transferred from the transfer means, the leadless semiconductor element is easily face-down bonded, and the electrode terminals are converted into a downward posture. Since it can be packaged by taping, in the bonding process of the leadless semiconductor element, the leadless semiconductor element can be picked up and bonded from the taping package with a vacuum suction nozzle or the like with its mounting surface facing down. .
【0028】また、本発明の処理方法は、前記表裏反転
工程中のリードレス半導体素子の前記外観検査面とは反
対側面の外観を検査する工程を含むようにすることがで
きる。Further, the processing method of the present invention may include a step of inspecting the appearance on the side opposite to the appearance inspection surface of the leadless semiconductor element during the front / back inversion step.
【0029】すなわち、移送手段で移送中のリードレス
半導体素子の外観検査では、リードレス半導体素子の表
裏いずれか一方のみ、例えば、電極端子を形成していな
い裏面の外観しか検査することができない。したがっ
て、表裏反転工程において、前述の移送手段で移送中の
リードレス半導体素子の外観検査面とは反対面側、例え
ば、電極端子を形成した実装面側の外観検査を実施する
ことにより、表裏両面の外観不良を排除することができ
る。That is, in the appearance inspection of the leadless semiconductor element being transferred by the transfer means, only one of the front and back surfaces of the leadless semiconductor element, for example, the appearance of the back surface on which the electrode terminals are not formed can be inspected. Therefore, in the front / back inversion process, by performing a visual inspection on the side opposite to the visual inspection surface of the leadless semiconductor element being transferred by the above-described transfer means, for example, the mounting surface side on which the electrode terminals are formed, It is possible to eliminate the poor appearance.
【0030】上記目的を達成する本発明の処理装置は、
前工程のダイシング工程で、多数の連結されたリードレ
ス半導体素子を有する樹脂モールド基板をダイシングシ
ートに貼着したダイシングシートユニットにおけるリー
ドレス半導体素子間がダイシングされ、個々のリードレ
ス半導体素子が整列状態でシートに貼着されている状態
でその特性測定が実施されると共に、その検査結果が記
憶部に記憶される特性測定工程が実施されているダイシ
ングシートユニットが供給されるリードレス半導体素子
の処理装置であって、前記ダイシングシートに整列状態
で貼着された個々のリードレス半導体素子の記憶されて
いる特性測定結果を読み出す読み出し部と、前記個々の
リードレス半導体素子をダイシングシートに整列状態で
貼着したダイシングシートユニットを脱着可能に支持し
て、リードレス半導体素子のうち、前記読み出し部の読
み出し結果に基づいて、良品のリードレス半導体素子を
所定のピックアップポジションに移動させる供給テーブ
ルと、この供給テーブルから離れた定位置でリードレス
半導体素子をテーピング梱包するテーピング機と、前記
供給テーブルとテーピング機の間に配置された移送手段
とを備え、前記移送手段は周縁部等配位置にリードレス
半導体素子を着脱自在に保持してリードレス半導体素子
の受け渡しをするハンドリング機構を有することを特徴
とする。The processing apparatus of the present invention which achieves the above object,
In the previous dicing process, resin-molded substrates with a large number of connected leadless semiconductor elements are attached to a dicing sheet, and the leadless semiconductor elements in the dicing sheet unit are diced and the individual leadless semiconductor elements are aligned. The measurement of the characteristics of the leadless semiconductor element is performed while the characteristic measurement process is performed while the characteristic measurement is performed in the state of being adhered to the sheet in the storage unit. In the apparatus, a reading unit for reading out stored characteristic measurement results of individual leadless semiconductor elements attached in an aligned state on the dicing sheet, and the individual leadless semiconductor elements in an aligned state on the dicing sheet. Support the attached dicing sheet unit in a detachable manner, and leadless half Among the body elements, a supply table for moving a non-defective leadless semiconductor element to a predetermined pickup position based on the reading result of the reading unit, and the leadless semiconductor element is tape-packaged at a fixed position apart from the supply table. A taping machine and a transfer means arranged between the supply table and the taping machine are provided, and the transfer means detachably holds the leadless semiconductor elements at the peripheral edge equidistant positions to transfer the leadless semiconductor elements. It is characterized by having a handling mechanism for
【0031】ここで、前記前工程で行なう特性測定およ
び特性測定結果を記憶する特性測定工程と、ダイシング
工程とは、それぞれ単独の設備で実施されてもよいし、
あるいは、複合設備で実施されてもよい。すなわち、多
数のリードレス半導体素子が連結された樹脂モールド基
板をダイシングシートに貼着してその周辺部を金属平板
リングに固定したダイシングシートユニット状態で、単
独のダイシング装置でダイシングした後に、単独の特性
測定装置において特性測定を行なうと共に、その特性測
定結果を記憶部に記憶させてもよいし、ダイシング機構
部および特性測定部を有する複合処理設備で、ダイシン
グした後、個々のリードレス半導体素子の特性測定工程
を実施するようにしてもよい。Here, the characteristic measurement step of storing the characteristic measurement result and the characteristic measurement result performed in the previous step and the dicing step may be carried out by independent equipments, respectively.
Alternatively, it may be implemented in a complex facility. That is, in a dicing sheet unit state in which a resin mold substrate to which a large number of leadless semiconductor elements are connected is attached to a dicing sheet and the peripheral portion is fixed to a metal flat plate ring, after dicing with a single dicing device, a single dicing device is used. While performing the characteristic measurement in the characteristic measuring device, the characteristic measurement result may be stored in the storage unit, or after dicing in a combined processing facility having a dicing mechanism unit and a characteristic measuring unit, the individual leadless semiconductor elements You may make it implement a characteristic measuring process.
【0032】前述のダイシング工程および特性測定工程
が実施されたダイシングシートユニットを支持する供給
テーブルは、水平面内で前後左右に移動可能かつ回転可
能なX-Y-θテーブルが適用され、この供給テーブルに
前記のダイシングシートユニットが位置決め搭載され、
供給テーブルが前後左右およびθ方向に移動すること
で、個々のリードレス半導体素子が1個ずつ順に所定の
ピックアップポジションに送られてターンテーブルのハ
ンドリング機構でピックアップされる。As the supply table for supporting the dicing sheet unit on which the above-mentioned dicing step and characteristic measuring step have been carried out, an XY-θ table which is movable in the front-back and left-right directions and rotatable in a horizontal plane is applied. The dicing sheet unit is positioned and mounted on the
By moving the supply table forward, backward, leftward, rightward, and in the θ direction, individual leadless semiconductor elements are sequentially sent to a predetermined pickup position and picked up by the handling mechanism of the turntable.
【0033】ここで、本発明装置は、前工程で特性測定
されその結果が記憶されている記憶データを読み出す読
み出し部を具備しているので、その読み出した記憶デー
タに基づいて、良品のリードレス半導体素子のみが1個
ずつ順に所定のピックアップポジションに送られて、タ
ーンテーブルのハンドリング機構でピックアップされ
る。このため、従来のように不良品のリードレス半導体
素子をも含めて1個ずつ順に所定のピックアップポジシ
ョンに送る無駄を省き、さらに処理速度の向上を可能に
している。Here, since the device of the present invention is provided with the reading section for reading the stored data in which the characteristic is measured in the previous step and the result is stored, the leadless of the non-defective product is read based on the read stored data. Only the semiconductor elements are sequentially sent one by one to a predetermined pickup position and picked up by a turntable handling mechanism. For this reason, it is possible to eliminate the waste of sending the defective leadless semiconductor elements one by one to the predetermined pick-up position one by one as in the conventional case, and further improve the processing speed.
【0034】また、本発明の処理装置においては、供給
テーブルは、支持したダイシングシートユニットのダイ
シングシートを伸展させて複数のリードレス半導体素子
を離間させるシート伸展機構を有するようにすることが
できる。Further, in the processing apparatus of the present invention, the supply table may have a sheet extending mechanism for extending the dicing sheet of the supported dicing sheet unit to separate the plurality of leadless semiconductor elements.
【0035】つまり、供給テーブルに具備されたシート
伸展機構を使用してダイシングシートを伸展させてレー
ドレス半導体素子間を離隔するようにしていることか
ら、供給テーブルにダイシングシートユニットが搬入さ
れてからダイシングシートを伸展させることができ、換
言すれば、供給テーブルにダイシングシートを伸展させ
る前のダイシングシートユニットを搬入することがで
き、ダイシングシートユニットの取り扱いを容易にす
る。That is, since the dicing sheet is extended by using the sheet extension mechanism provided on the supply table so as to separate the laser dressing semiconductor elements from each other, the dicing sheet unit is carried into the supply table and then the dicing is performed. The sheet can be extended, in other words, the dicing sheet unit before the dicing sheet is extended can be carried into the supply table, and the dicing sheet unit can be easily handled.
【0036】また、本発明の処理装置は、前記移送手段
の近傍に、この移送手段に保持されたリードレス半導体
素子の一面の外観を検査する外観検査部を備えるように
することができる。Further, the processing apparatus of the present invention may be provided with an appearance inspection section near the transfer means for inspecting the appearance of one surface of the leadless semiconductor element held by the transfer means.
【0037】すなわち、特性測定において良品の半導体
素子であっても、もしも、樹脂モールドパッケージにク
ラックが生じていたり、樹脂モールド時にモールド樹脂
がモールド型内に十分に行き渡っていないために樹脂モ
ールドパッケージに凹部が生じていたりすると、使用中
に前記クラックや凹部から水分が浸入して動作不良にな
る可能性があるため、このような外観不良品は出荷する
ことができないので、テーピング梱包前に樹脂モールド
パッケージの外観検査を行って、外観不良のリードレス
半導体素子を除去することができる。That is, even if the semiconductor device is a good product in the characteristic measurement, if the resin mold package is cracked or the mold resin is not sufficiently spread in the mold during resin molding, If a recess is formed, water may enter from the cracks or the recess during use, resulting in malfunction, so such defective products cannot be shipped. The appearance inspection of the package can be performed to remove the leadless semiconductor device having a defective appearance.
【0038】本発明の処理装置はまた、前記移送手段と
テーピング機との間に、リードレス半導体素子の表裏を
反転させる表裏反転装置を配置することができる。In the processing apparatus of the present invention, a front / back reversing device for reversing the front / back of the leadless semiconductor element can be arranged between the transfer means and the taping machine.
【0039】このようにターンテーブルでリードレス半
導体素子を1個ずつ移送して、外観検査した良品のリー
ドレス半導体素子のみを表裏反転機構部で表裏反転させ
ることで、テーピング機に供給されるリードレス半導体
素子は、電極端子が形成されていない裏面が上側にな
る。したがって、テーピング梱包されたリードレス半導
体素子を開梱した場合、リードレス半導体素子はその電
極端子が形成された実装面側が下側になっているので、
真空式の吸着ノズルなどでそのまま吸着してボンディン
グ基板等にフェースダウンボンディングすることができ
る。In this way, the leadless semiconductor elements are transferred one by one on the turntable, and only the good leadless semiconductor elements whose appearance has been inspected are inverted by the obverse / invertible reversing mechanism section. The back surface of the less semiconductor element on which the electrode terminals are not formed is the upper side. Therefore, when the leadless semiconductor element packaged in taping is unpacked, the leadless semiconductor element has the mounting surface side where the electrode terminals are formed on the lower side.
It can be sucked as it is by a vacuum suction nozzle or the like to perform face-down bonding on a bonding substrate or the like.
【0040】本発明の処理装置はまた、前記表裏反転装
置の近傍に、リードレス半導体素子の他面の外観を検査
する外観検査部を備えるようにすることができる。The processing apparatus of the present invention can also be provided with an appearance inspection section for inspecting the appearance of the other surface of the leadless semiconductor element in the vicinity of the front-back inverting device.
【0041】すなわち、前記ターンテーブルによる移送
中のリ−ドレス半導体素子の外観検査装置では、リード
レス半導体素子の表裏のいずれか一方のみ、例えば、タ
ーンテーブルがリードレス半導体素子の表面(電極端子
形成側面)を吸着して移送するものでは、そのリードレ
ス半導体素子の裏面の外観しか検査できないが、表裏反
転機構部の近傍に、リードレス半導体素子の外観を検査
する外観検査部を設けることによって、前記ターンテー
ブルによる移送中のリ−ドレス半導体素子の外観検査面
とは反対の表面(電極端子が形成された実装面)側の外
観を検査することができ、樹脂モールドパッケージの表
裏両面の外観検査が可能になる。That is, in the appearance inspection apparatus for the leadless semiconductor element during transfer by the turntable, only one of the front and back sides of the leadless semiconductor element, for example, the turntable is the surface of the leadless semiconductor element (electrode terminal formation). With the one that sucks and transfers the side surface), only the appearance of the back surface of the leadless semiconductor element can be inspected, but by providing an appearance inspection section for inspecting the appearance of the leadless semiconductor element in the vicinity of the front / back inversion mechanism section, It is possible to inspect the appearance of the surface (mounting surface on which the electrode terminals are formed) opposite to the appearance inspection surface of the leadless semiconductor element during transfer by the turntable, and to inspect the appearance of both front and back surfaces of the resin mold package. Will be possible.
【0042】[0042]
【発明の実施の形態】本発明に係るリードレス半導体素
子の処理方法の一実施形態を、図1の処理方法の工程フ
ローに示し、以下に詳述する。なお、図1において、実
線で囲まれた工程は本発明の必須工程を示し、破線で囲
まれた工程は必要に応じて付加される工程を示す。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of a method for processing a leadless semiconductor device according to the present invention is shown in the process flow of the processing method of FIG. 1 and will be described in detail below. In FIG. 1, steps surrounded by solid lines indicate essential steps of the present invention, and steps surrounded by broken lines indicate steps that are added as necessary.
【0043】図1に示される処理方法は、多数のリード
レス半導体素子(以下、半導体素子という)1が連結状
態で形成された樹脂モールド基板100(図9参照)を
製作し(A)、この樹脂モールド基板100をダイシン
グシート(以下、シートという)に貼着し(B)、その
シートの周辺部を金属平板リング(以下リングという)
に固定したダイシングシートユニット(以下、ユニット
という)状態で、必要に応じて全半導体素子1に型名な
どを捺印し(C)、半導体素子1,1間をダイシングし
(D)、各半導体素子1がシートに整列状態で貼着され
ている状態で特性測定を実施すると共に、その測定結果
を記憶部に記憶する特性測定を実施し(E)、必要に応
じてシートを伸展させて半導体素子1,1間を離間させ
(F)、前記記憶データに基づいて良品の半導体素子1
のみを真空式の吸着ノズルなどで吸着してシートから剥
離すると同時にピックアップし(G)、必要に応じて半
導体素子1の表裏いずれか一方側面を外観検査(外観検
査A)し(H)、必要に応じて半導体素子1の表裏を反
転させ(I)、必要に応じて前記既に外観検査実施済み
の面とは反対側面を外観検査(外観検査B)し(J)、
前記両外観検査の結果、良品の半導体素子1のみをテー
ピングする(K)。In the processing method shown in FIG. 1, a resin mold substrate 100 (see FIG. 9) having a large number of leadless semiconductor elements (hereinafter referred to as semiconductor elements) 1 formed in a connected state is manufactured (A). The resin mold substrate 100 is attached to a dicing sheet (hereinafter referred to as a sheet) (B), and a peripheral portion of the sheet is a metal flat plate ring (hereinafter referred to as a ring).
In the state of the dicing sheet unit (hereinafter referred to as a unit) fixed to the semiconductor device, if necessary, all semiconductor devices 1 are marked with a model name (C), and the semiconductor devices 1 and 1 are diced (D). The characteristic measurement is performed while 1 is attached to the sheet in an aligned state, and the characteristic measurement in which the measurement result is stored in the storage unit is performed (E), and the sheet is extended as necessary to expand the semiconductor element. 1 and 1 are separated from each other (F), and a good semiconductor element 1 based on the stored data.
Only the only one is sucked with a vacuum type suction nozzle and peeled from the sheet and picked up at the same time (G), and one of the front and back sides of the semiconductor element 1 is inspected for appearance (visual inspection A) (H). According to the above, the front and back of the semiconductor element 1 are reversed (I), and if necessary, the side opposite to the side already subjected to the visual inspection is subjected to the visual inspection (visual inspection B) (J),
As a result of the above-mentioned appearance inspection, only the good semiconductor element 1 is taped (K).
【0044】図1に示す本発明の工程フロー図を、図1
0に示す従来の工程フロー図と比較すると、従来は半導
体素子1をシートから剥離してばらばら状態にしてから
ピックアップして特性測定していたのに対して、本発明
では、ダイシング後、シートに整列状態を保持して貼着
されている半導体素子1を特性測定してから、シートか
ら剥離すると同時にピックアップする処理方法の違いが
明らかである。FIG. 1 is a process flow chart of the present invention shown in FIG.
Compared with the conventional process flow chart shown in FIG. 0, conventionally, the semiconductor element 1 was peeled from the sheet to be in a separated state and then picked up to measure the characteristics. It is clear that the characteristics of the adhered semiconductor element 1 while maintaining the aligned state are measured, and then the treatment methods of peeling from the sheet and picking up at the same time are different.
【0045】ここで、前記ダイシングシート伸展工程
(F)を付加する処理方法が、請求項2に記載の発明に
該当する。また、第1の外観検査工程(外観検査A)
(H)を付加する処理方法が、請求項3に記載の発明に
該当する。また、表裏反転工程(I)を付加する処理方
法が、請求項4に記載の発明に該当する。また。第2の
外観検査工程(外観検査B)(J)を付加する処理方法
が、請求項5に記載の発明に該当する。上記の付加工程
は、いずれか一つが選択的に付加されてもよいし、それ
らの2つ以上が選択されて(全てを含む)付加されても
よい。The processing method of adding the dicing sheet extending step (F) corresponds to the invention of claim 2. In addition, the first appearance inspection process (appearance inspection A)
The processing method of adding (H) corresponds to the invention of claim 3. Further, the processing method of adding the front and back reversing step (I) corresponds to the invention of claim 4. Also. The processing method of adding the second appearance inspection step (appearance inspection B) (J) corresponds to the invention of claim 5. Any one of the above-mentioned addition steps may be added selectively, or two or more of them may be selected and added (including all).
【0046】図2は本発明の処理装置の概略構成ブロッ
ク図を示し、図3は本発明の処理装置の概略構成平面
図、図4は概略構成正面図を示す。なお、図2におい
て、太い矢印は、リードレス半導体素子、特に、良品の
半導体素子の流れを示し、細い矢印は、特性測定結果デ
ータまたは不良半導体素子の流れを示す。まず前工程
で、多数の半導体素子1を連結した樹脂モールド基板1
00(図9参照)を製作し、この樹脂モールド基板10
0をシートに貼着してユニットを構成し、このシートに
貼着された樹脂モールド基板100をダイシング装置1
0によってダイシングした後、このダイシングによって
分離された個々の半導体素子1,1を、その整列状態を
保持してシートに貼着された状態のままで特性測定装置
20によって特性測定すると共に、その特性測定結果を
そのアドレスと共に記憶部30に記憶させておく。この
前工程が、図2の破線で囲まれた設備で実施される。FIG. 2 shows a schematic block diagram of the processing apparatus of the present invention, FIG. 3 shows a schematic configuration plan view of the processing apparatus of the present invention, and FIG. 4 shows a schematic configuration front view. In FIG. 2, thick arrows indicate the flow of leadless semiconductor elements, especially good semiconductor elements, and thin arrows indicate the flow of characteristic measurement result data or defective semiconductor elements. First, in the previous step, a resin mold substrate 1 in which a large number of semiconductor elements 1 are connected
00 (see FIG. 9) is manufactured, and this resin molded substrate 10
0 is attached to a sheet to form a unit, and the resin mold substrate 100 attached to this sheet is used for the dicing apparatus 1
After dicing by 0, the individual semiconductor elements 1 and 1 separated by this dicing are characteristically measured by the characteristic measuring device 20 while being kept in the aligned state and being adhered to the sheet, and The measurement result is stored in the storage unit 30 together with the address. This pre-process is carried out in the equipment surrounded by the broken line in FIG.
【0047】そして、本発明の実施形態の装置は、前記
ダイシングおよび特性測定が終わったユニットをセット
し、シート伸展機構40Aおよび特性測定装置20で記
憶部30に記憶された記憶データである特性測定結果を
そのアドレスと共に読み出す読み出し部40Bを具備
し、セットされたユニットのシートを伸展すると共に、
前記読み出し部40Aによって読み出された記憶データ
に基づいて、良品の半導体素子1のみを順次ピックアッ
プポジションに移送する供給テーブル40と、ピックア
ップポジションに移送された良品の半導体素子1を順次
ピックアップするハンドリング機構を備える移送手段5
0,例えばターンテーブルと、この移送手段50の近傍
に配置されて半導体素子1の外観を検査する外観検査部
60Aと、外観検査の結果、不良半導体素子を移送手段
50から排出する排出手段70Aと、良品の半導体素子
1の表裏を反転させる表裏反転装置80と、この表裏反
転装置80の近傍に配置されて表裏反転中の半導体素子
の外観を検査する外観検査部60Bと、この外観検査結
果で不良と判定された半導体素子を移送手段50から排
出する排出部70Bと、表裏反転された良品半導体素子
1をテーピング梱包するテーピング機90とを連続的に
配置して構成される。In the apparatus of the embodiment of the present invention, the unit for which the dicing and the characteristic measurement have been completed is set, and the characteristic measurement which is the stored data stored in the storage unit 30 by the sheet extension mechanism 40A and the characteristic measuring apparatus 20 is performed. The reading unit 40B for reading out the result together with the address is provided, and the sheet of the set unit is extended and
Based on the stored data read by the reading unit 40A, a supply table 40 that sequentially transfers only the good semiconductor elements 1 to the pickup position, and a handling mechanism that sequentially picks up the good semiconductor elements 1 transferred to the pickup position. Means for transporting 5
0, for example, a turntable, a visual inspection unit 60A arranged near the transfer unit 50 for inspecting the external appearance of the semiconductor element 1, and a discharging unit 70A for discharging defective semiconductor elements from the transfer unit 50 as a result of the visual inspection. , A front / back reversing device 80 for reversing the front and back of a good semiconductor device 1, a visual inspection unit 60B arranged near the front / back reversing device 80 for inspecting the external appearance of the semiconductor device during the front / back reversal, and the visual inspection result. A discharge unit 70B for discharging the semiconductor device determined to be defective from the transfer means 50 and a taping machine 90 for taping and packing the non-defective semiconductor device 1 which has been turned upside down are continuously arranged.
【0048】次に、上記の処理装置の動作について説明
する。まず、前工程で、多数の半導体素子1が連結状態
の樹脂モールド基板100(図9参照)を、シート2に
貼着しその周辺部をリング3に固定して、ユニット4を
構成する。このユニット4はシート2とリング3を有
し、リング3にシート2の周縁部が固着されてシート2
の中央部に複数の半導体素子1,…が行列状に連結して
配置された樹脂モールド基板100が貼着されている。
このユニット4のシート2に貼着された樹脂モールド基
板100を、ダイシング装置10によってダイシングし
て、各半導体素子1に分離する。Next, the operation of the above processing apparatus will be described. First, in a previous step, a resin mold substrate 100 (see FIG. 9) in which a large number of semiconductor elements 1 are connected is attached to a sheet 2 and its peripheral portion is fixed to a ring 3 to form a unit 4. This unit 4 has a seat 2 and a ring 3, and the periphery of the seat 2 is fixed to the ring 3 so that the seat 2
A resin mold substrate 100 having a plurality of semiconductor elements 1, ...
The resin mold substrate 100 attached to the sheet 2 of the unit 4 is diced by the dicing device 10 to be separated into each semiconductor element 1.
【0049】次に、前記ダイシング工程に続く同じく前
工程で、ダイシングによって個々に分離され、かつ、整
列状態を保持した状態でシート2に貼着された個々の半
導体素子1の電気特性を、特性測定装置20で測定し
て、その特性測定結果をアドレスと共に記憶部30に記
憶しておく。この特性測定時に、多数の半導体素子1,
…が、整列状態でシート2に保持されているので、X方
向およびY方向に定ピッチ送りするX,Yステージで容
易に位置合わせが行なえ、ばらばらの状態の半導体素子
1,…を一々特性測定装置に高精度で位置決めすること
が不要である。以上が、本発明装置に供給されるまでの
前工程である。Next, in the same step as the previous step following the dicing step, the electric characteristics of the individual semiconductor elements 1 individually separated by dicing and attached to the sheet 2 while maintaining the aligned state are shown in FIG. The measurement is performed by the measuring device 20, and the characteristic measurement result is stored in the storage unit 30 together with the address. When measuring this characteristic, a large number of semiconductor elements 1,
, Are held on the sheet 2 in an aligned state, the position can be easily adjusted by the X and Y stages which are fed at a constant pitch in the X and Y directions, and the characteristics of the semiconductor elements 1, ... It is not necessary to position the device with high accuracy. The above is the pre-process until the supply to the device of the present invention.
【0050】特性測定装置20によって特性が測定さ
れ、その測定結果が記憶部30に記憶された多数の半導
体素子1が貼着されたユニット4は、供給テーブル40
に供給され、供給テーブル40に具備されたシート伸展
機構40Aによってシート2が伸展されて、個々の半導
体素子1,1間が広げられる。The unit 4 to which a large number of semiconductor elements 1 having the characteristics measured by the characteristic measuring device 20 and the measurement results stored in the storage unit 30 are attached is the supply table 40.
The sheet 2 is extended by the sheet extension mechanism 40A provided on the supply table 40 and the space between the individual semiconductor elements 1 and 1 is expanded.
【0051】供給テーブル40は水平面内で前後左右に
移動可能、かつ、回転可能なX−Y−θテーブルで構成
されており、複数の半導体素子1,1…が適当な間隔で
シート2に貼着され、そのシート2の周辺部をリング3
に保持したユニット4を着脱可能に支持する。供給テー
ブル40を前後左右移動移動およびθ方向回転させるこ
とで、任意の1個以上、例えば1個の半導体素子1が所
定のピックアップポジションPaに供給され、このポジ
ションPaで半導体素子1が移送手段50のハンドリン
グ機構である真空式の吸着ノズルなどによりピックアッ
プされる。The supply table 40 is composed of an XY-θ table which is movable back and forth and left and right in a horizontal plane and is rotatable, and a plurality of semiconductor elements 1, 1 ... Are attached to the sheet 2 at appropriate intervals. Put on the ring 3 around the periphery of the seat 2.
The unit 4 held by is detachably supported. By moving the supply table 40 back and forth, left and right and rotating in the θ direction, one or more, for example, one semiconductor element 1 is supplied to a predetermined pickup position Pa, and the semiconductor element 1 is transferred at this position Pa. It is picked up by a vacuum type suction nozzle, which is a handling mechanism of.
【0052】ここで、前記供給テーブル40は、前述の
ように、前工程で特性測定装置20により測定され記憶
部30に記憶された特性測定結果を読み出す読み出し部
40Bを具備しており、この読み出し部40Bで測定結
果を読み出し、特性測定結果が良品の半導体素子1のみ
を所定のピックアップポジションPaに移送し、このポ
ジションPaで良品の半導体素子1が移送手段50の吸
着ノズルなどによりピックアップされる。それによっ
て、不良の半導体素子1をスキップしてピックアップす
ることができ1個ごとのユニット4の総ピックアップ時
間が短縮できる。Here, as described above, the supply table 40 is provided with the reading section 40B for reading out the characteristic measurement result measured by the characteristic measuring apparatus 20 in the previous step and stored in the storage section 30. The measurement result is read by the section 40B, and only the semiconductor device 1 having a good characteristic measurement result is transferred to a predetermined pickup position Pa, and at this position Pa, the good semiconductor device 1 is picked up by a suction nozzle or the like of the transfer means 50. As a result, the defective semiconductor element 1 can be skipped and picked up, and the total pick-up time of each unit 4 can be shortened.
【0053】上記の読み出し部40Bは、例えば、記憶
部30から転送される記憶データを直接読み出すもので
もよいし、記憶部30の記憶データを、一旦、フロッピ
ー(登録商標)ディスクやICカードなどの媒体に格納
した後、これらの媒体からその記憶データを読み出すも
のでもよい。好ましくは、この読み出し部40Bは、上
記の転走データまたは媒体に格納されたデータを一時記
憶する記憶部を具備するものであることが望ましい。The reading unit 40B may be, for example, a unit for directly reading the storage data transferred from the storage unit 30, or the storage data in the storage unit 30 may be temporarily stored in a floppy (registered trademark) disk, an IC card, or the like. The stored data may be read from these media after being stored in the media. It is preferable that the reading unit 40B includes a storage unit that temporarily stores the rolling data or the data stored in the medium.
【0054】前記ユニット4はシート2とリング3を有
し、リング3にシート2の周縁部が固着されてシート2
の中央部に複数の半導体素子1,…が行列状に貼着され
ている。ユニット4の複数がマガジン41に出し入れ可
能に収納され、マガジン41から単品のユニット4が供
給テーブル10上に順次切り出されて位置決め保持され
る。The unit 4 has a seat 2 and a ring 3, and the periphery of the seat 2 is fixed to the ring 3 so that the seat 2
A plurality of semiconductor elements 1, ... Are attached in a matrix at the center of the. A plurality of units 4 are stored in a magazine 41 so that they can be taken in and out, and individual units 4 are sequentially cut out from the magazine 41 on the supply table 10 and positioned and held.
【0055】また、供給テーブル40には、ユニット4
のシート2を伸展させて隣接する半導体素子1,1…の
間隔を拡げるシート伸展機構40Bを設置されている。
シート伸展機構40Bは、シート2の下方に伸展台(図
示せず)を配置しておいて、ユニット4のリング3を下
降させることによって、シート2の中央部下面をシート
伸展台に押し付ける機構で、図5(A)に示すようにシ
ート2上に貼着された複数の半導体素子1,1…は、図
5(B)に示すようにシート2を全方向に放射状に伸展
させることによって、隣接する半導体素子1,1…の間
隔が拡がる。The unit 4 is provided on the supply table 40.
Is provided with a sheet extending mechanism 40B that extends the sheet 2 to expand the interval between the adjacent semiconductor elements 1, 1.
The seat extension mechanism 40B is a mechanism in which an extension table (not shown) is arranged below the seat 2 and the ring 3 of the unit 4 is lowered to press the lower surface of the central portion of the sheet 2 against the sheet extension table. , The plurality of semiconductor elements 1, 1 ... Affixed on the sheet 2 as shown in FIG. 5 (A) are expanded by radiating the sheet 2 in all directions as shown in FIG. 5 (B). The interval between the adjacent semiconductor elements 1, 1 ... Widens.
【0056】このように供給テーブル40上に供給され
たユニット4のシート2を伸展させた状態で供給テーブ
ル40を移動させて良品の半導体素子1のみをピックア
ップポジションPaに移動させると、図5(C)に示す
ようにピックアップポジションPaに配置された突き上
げピン42が良品の半導体素子1を下から突き上げて、
半導体チップ1とシート2との接着面積を減少させるこ
とによって、接着力を低減させて、吸着ノズル51によ
ってシート2から離脱し易いようにする。When the supply table 40 is moved while the sheet 2 of the unit 4 supplied on the supply table 40 is extended to move only the good semiconductor element 1 to the pickup position Pa, as shown in FIG. As shown in C), the push-up pin 42 arranged at the pickup position Pa pushes up the good semiconductor element 1 from below,
By reducing the adhesive area between the semiconductor chip 1 and the sheet 2, the adhesive force is reduced so that the suction nozzle 51 can easily separate from the sheet 2.
【0057】なお、図5に示される半導体素子1は、前
述のように、ミリサイズの矩形チップ状樹脂モールドパ
ッケージ1aの上面に複数の電極端子1bを形成したB
GA(Ball Grid Array)型、あるいは、LGA(Land
Grid Array)型のリードレスチップ部品(CSP)であ
る。この半導体素子1の電極端子1bは、半田ボールや
金メッキ、半田メッキ電極であり、半導体素子1は電極
端子1bの在る面を下にしてプリント基板等に実装され
ることから、半導体素子1の電極端子1bの在る面を実
装面、反対の面をモールド面と称する。The semiconductor element 1 shown in FIG. 5 has a plurality of electrode terminals 1b formed on the upper surface of the millimeter-sized rectangular chip-shaped resin mold package 1a, as described above.
GA (Ball Grid Array) type or LGA (Land
It is a Grid Array) type leadless chip component (CSP). The electrode terminals 1b of the semiconductor element 1 are solder balls, gold-plated or solder-plated electrodes, and the semiconductor element 1 is mounted on a printed circuit board or the like with the surface on which the electrode terminals 1b are present facing down. The surface on which the electrode terminal 1b is present is called the mounting surface, and the opposite surface is called the molding surface.
【0058】供給テーブル40とテーピング機90の間
に配置される移送手段の一例として示すターンテーブル
50の周縁部の下面には、円周方向等配分位置に、半導
体素子1を1個ずつ脱着自在に保持するハンドリング機
構、例えば真空系に接続されて半導体素子1の実装面ま
たはモールド面の中央部を真空吸着する吸着ノズル51
を有する。On the lower surface of the peripheral portion of the turntable 50 shown as an example of the transfer means arranged between the supply table 40 and the taping machine 90, the semiconductor elements 1 can be attached and detached one by one at equal distribution positions in the circumferential direction. A suction nozzle 51 which is connected to a handling mechanism, for example, a vacuum system, and vacuum-sucks the central portion of the mounting surface or the molding surface of the semiconductor element 1.
Have.
【0059】ターンテーブル50が、この吸着ノズル5
1の配列ピッチで間欠回転して、吸着ノズル51が1本
ずつピックアップポジションPaに送られる。図5
(C)に示すように、ターンテーブル50の吸着ノズ5
1は下向きで、ピックアップポジションPaに移動され
ると、吸着ノズル51の下端が供給テーブル40の1個
の半導体素子1の実装面中央部を真空吸着して、半導体
素子1をシート2から剥離すると共に、ピックアップす
る。The turntable 50 is the suction nozzle 5
The suction nozzles 51 are intermittently rotated at an arrangement pitch of 1 and the suction nozzles 51 are sent to the pickup position Pa one by one. Figure 5
As shown in (C), the suction nozzle 5 of the turntable 50
1 is downward, and when moved to the pickup position Pa, the lower end of the suction nozzle 51 vacuum-sucks the central portion of the mounting surface of one semiconductor element 1 of the supply table 40, and the semiconductor element 1 is peeled from the sheet 2. Along with picking up.
【0060】このようなピックアップ動作は、図5
(B)に示すようにシート2を伸展させ、かつ、図5
(C)に示すように突き上げピン42で半導体素子1を
突き上げておくことにより、シート2に対する半導体素
子1の接着面積および/または接着力を小さくでき、高
インデックスで容易、かつ、確実に行なえる。また、供
給テーブル40に供給されるユニット4は、ダイシング
工程{図1(A)}を終了したものをそのまま供給テー
ブル40に移動させて、処理設備への半導体素子供給手
段として使用することで、ダイシング後ばらばらの状態
にされた半導体素子1を整列トレー等に移す必要がなく
なり、供給テーブル40に供給されてからテーピング機
90におけるテーピングまでの作業インデックスを向上
することが容易になる。Such a pickup operation is shown in FIG.
The sheet 2 is extended as shown in FIG.
By pushing up the semiconductor element 1 with the push-up pin 42 as shown in (C), the adhesive area and / or the adhesive force of the semiconductor element 1 to the sheet 2 can be reduced, and it can be performed easily and reliably with a high index. . Further, the unit 4 supplied to the supply table 40 is moved to the supply table 40 as it is after completion of the dicing process {FIG. 1 (A)}, and is used as a semiconductor element supply means to the processing equipment. After dicing, it is not necessary to move the separated semiconductor elements 1 to an alignment tray or the like, and it is easy to improve the work index from being supplied to the supply table 40 to taping in the taping machine 90.
【0061】また、供給テーブル40のシート2からタ
ーンテーブル50の吸着ノズル51に半導体素子1が直
接に受け渡されて、個々の半導体素子1がバラ扱いされ
ないので、ターンテーブル50への、あるいはターンテ
ーブル50から後述する表裏反転装置への移動時に、半
導体素子1が振動や衝撃で割れたり欠けたりする可能性
が激減する。この結果、最終的にテーピング梱包される
半導体素子の歩留まりが向上する。Further, since the semiconductor element 1 is directly transferred from the sheet 2 of the supply table 40 to the suction nozzle 51 of the turntable 50, and the individual semiconductor elements 1 are not treated as individual pieces, the turntable 50 or the turntable 50 is turned on. The possibility that the semiconductor element 1 will be cracked or chipped due to vibration or shock during the movement from the table 50 to the front-back inverting device described later is drastically reduced. As a result, the yield of semiconductor devices finally packaged by taping improves.
【0062】ターンテーブル50が間欠回転した外観検
査ポジションPbの下方には、半導体素子1の外観を検
査する外観検査部60Aが配置されている。外観検査部
60Aは、例えば、CCDカメラによって構成される。
この外観検査ポジションPbまたはターンテーブル50
がさらに間欠回転した排出ポジションPcでは、前記外
観検査の結果、不良と判定された不良半導体素子1を排
出する排出部70Aが配置されている。Below the appearance inspection position Pb where the turntable 50 rotates intermittently, an appearance inspection section 60A for inspecting the appearance of the semiconductor element 1 is arranged. The appearance inspection unit 60A is composed of, for example, a CCD camera.
This appearance inspection position Pb or turntable 50
At the discharge position Pc, which is further rotated intermittently, the discharge portion 70A for discharging the defective semiconductor element 1 determined to be defective as a result of the appearance inspection is arranged.
【0063】この排出部70Aは、チャック爪などによ
る機構的なものでも良いが、例えば、吸着ノズル51の
真空吸引を切るか、あるいは真空吸引を切ると共に圧縮
エアを吹き出す非接触式の排出部とすることが望まし
い。それによって、排出動作時間が著しく短縮されて、
作業インデックスが著しく向上する。The discharge section 70A may be mechanically structured by a chuck claw or the like. For example, a vacuum suction of the suction nozzle 51 is cut off, or a non-contact type discharge section that blows compressed air when the vacuum suction is cut off. It is desirable to do. As a result, the discharge operation time is significantly shortened,
The work index is significantly improved.
【0064】ターンテーブル50が間欠回転して半導体
素子1を吸着した吸着ノズル51が受け渡しポジション
Pdに移動すると、同ポジションPdの隣接する吸着ノ
ズル51が前記排出ポジションPcに移動するようにタ
ーンテーブル50が間欠回転する。When the suction table 51 that has sucked the semiconductor element 1 is moved to the delivery position Pd by the intermittent rotation of the turntable 50, the turntable 50 is moved so that the adjacent suction nozzle 51 at the same position Pd moves to the discharge position Pc. Rotates intermittently.
【0065】ターンテーブル50の受け渡しポジション
Pdで、半導体素子1はターンテーブル50から、図6
に示すような表裏反転装置80に1個の半導体素子1を
受け渡す。表裏反転装置80は、回転軸81の周りに複
数、例えば、8個のアーム82を備えており、各アーム
82の先端部に真空吸着孔83を設けてある。At the transfer position Pd of the turntable 50, the semiconductor element 1 is moved from the turntable 50 to the position shown in FIG.
One semiconductor element 1 is delivered to the front / back reversing device 80 as shown in FIG. The front / back reversing device 80 is provided with a plurality of, for example, eight arms 82 around a rotation shaft 81, and a vacuum suction hole 83 is provided at the tip of each arm 82.
【0066】図7はターンテーブル50から上記の表裏
反転装置80への半導体素子1の受け渡しの様子を示し
たものである。すなわち、ターンテーブル50の吸着ノ
ズル51は、半導体素子1を、その電極端子1bが上向
きの状態で吸着しており、したがって、このターンテー
ブル50から表裏反転装置80の最上位位置のアーム8
2に受け渡された半導体素子1は、電極端子1bが上向
きになっており、その裏面がアーム82によって吸着保
持されている。FIG. 7 shows how the semiconductor element 1 is transferred from the turntable 50 to the front / back reversing device 80. That is, the suction nozzle 51 of the turntable 50 sucks the semiconductor element 1 with the electrode terminal 1b thereof facing upward, and therefore, the arm 8 at the uppermost position of the front / back reversing device 80 from the turntable 50.
The semiconductor device 1 transferred to the second device 2 has the electrode terminal 1b facing upward, and the back surface thereof is adsorbed and held by the arm 82.
【0067】裏面をアーム82によって吸着保持された
半導体素子1は、表裏反転装置80の矢印方向への回転
によって、その姿勢が、電極端子1bが上向きの状態か
ら、次第に下向きの状態へと姿勢変換される。表裏反転
装置80の180度の回転によって、図6に示すよう
に、半導体素子1は電極端子1bが形成された実装面が
真下を向く。The posture of the semiconductor element 1 whose back surface is adsorbed and held by the arm 82 is changed by the rotation of the front / back reversing device 80 in the direction of the arrow from the state in which the electrode terminal 1b is upward to the state in which it is downward. To be done. As the front / back reversing device 80 rotates by 180 degrees, the mounting surface of the semiconductor element 1 on which the electrode terminals 1b are formed faces downward as shown in FIG.
【0068】上記の姿勢変換途中、例えば、表裏反転装
置80の90度回転位置の近傍に、外観検査部60Bを
配置する。すなわち、ターンテーブル50の近傍に配置
した外観検査部60Aは、その電極端子1bが形成され
た実装面が吸着ノズル51によって吸着されているた
め、実装面とは反対側である樹脂パッケージ1aの裏面
の外観を検査するものであり、電極端子1bが形成され
た実装面の外観は検査することができない。そこで、表
裏反転装置80の近傍位置に設けた外観検査部60B
は、電極端子1bを形成した実装面側の外観を検査す
る。During the above-mentioned posture conversion, for example, the visual inspection unit 60B is arranged near the 90 ° rotated position of the front / back reversing device 80. That is, in the appearance inspection unit 60A arranged near the turntable 50, the mounting surface on which the electrode terminal 1b is formed is sucked by the suction nozzle 51, and thus the back surface of the resin package 1a opposite to the mounting surface. However, the appearance of the mounting surface on which the electrode terminals 1b are formed cannot be inspected. Therefore, the appearance inspection unit 60B provided in the vicinity of the front / back reversing device 80
Examines the appearance of the mounting surface side on which the electrode terminals 1b are formed.
【0069】この外観検査部60Bは、例えば、CCD
カメラで構成する。この外観検査の結果、不良と判定さ
れた半導体素子1は、排出部70B、例えば、表裏反転
装置80の当該不良半導体素子1を吸着しているアーム
82の真空吸引を切って自然落下によって、またはアー
ム82の真空吸引着を切るとともにアーム82から積極
的に圧縮エアを吹き出して強制的に、下方または側方の
排出半導体素子収容箱(図示せず)に排出する。あるい
は、取り出し機構を設けて、専用トレーに排出する。The visual inspection section 60B is, for example, a CCD.
Consists of a camera. As a result of this visual inspection, the semiconductor element 1 determined to be defective is removed by vacuuming the discharge portion 70B, for example, the arm 82 of the front / back reversing device 80 which adsorbs the defective semiconductor element 1 and then falls naturally, or The vacuum suction of the arm 82 is cut off, and the compressed air is positively blown out from the arm 82 to forcibly discharge the compressed air to a lower or side discharge semiconductor element housing box (not shown). Alternatively, a take-out mechanism is provided to discharge to a dedicated tray.
【0070】表裏反転装置80によって表裏が反転され
た良品の半導体素子1は、テーピング機90によってテ
ーピング梱包される。このテーピング梱包は、図11に
示す従来と同様に、図8に示すようにエンボステープ2
01の1つのエンボス部202に1個の半導体素子1を
その実装面を下にして挿入してから、エンボステープ2
01にカバーテープ(図11の204参照)を貼り付け
ることで行われる。The non-defective semiconductor element 1 whose front and back are reversed by the front and back reversing device 80 is tape-packaged by the taping machine 90. This taping package has the embossed tape 2 as shown in FIG. 8 as in the conventional case shown in FIG.
One semiconductor element 1 is inserted into one embossed portion 202 of No. 01 with the mounting surface downward, and then the embossed tape 2
This is performed by attaching a cover tape (see 204 in FIG. 11) to 01.
【0071】[0071]
【発明の効果】本発明方法によれば、CSP等の多数の
半導体素子が形成された樹脂モールド基板を、ダイシン
グ工程でダイシングした後に、個々の半導体素子がその
整列状態を保持してシートに貼着されている状態で、特
性測定を行なうと共に、その特性測定結果を記憶部に記
憶しておき、前記シートから個々に分割された半導体素
子を1個ずつ剥離してピックアップする際に、前記記憶
データに基づいて良品の半導体素子のみをピックアップ
して移送手段に受け渡すので、従来において作業インデ
ックスを遅らせる要因となっている、整列トレーやパー
ツフィーダを使用することなく半導体素子の処理設備へ
の供給ができ、しかも、従来のようにばらばら状態の半
導体素子を1個ずつ特性測定ポジションに高精度で位置
決めする必要がないので、処理の作業インデックスを著
しく向上することができる効果がある。According to the method of the present invention, a resin-molded substrate on which a large number of semiconductor elements such as CSP are formed is diced in a dicing process, and then the individual semiconductor elements are attached to a sheet while maintaining their aligned state. The characteristics are measured in the state of being worn, and the results of the characteristics measurement are stored in the storage unit. When the semiconductor elements individually separated from the sheet are peeled and picked up one by one, the storage is performed. Only non-defective semiconductor elements are picked up based on the data and passed to the transfer means, which has been a factor that delays the work index in the past. Supplying semiconductor elements to processing equipment without using an alignment tray or parts feeder. In addition, it is not necessary to position the semiconductor elements in a disjointed state one by one at the characteristic measurement position with high precision as in the conventional case. Since, there is an effect that it is possible to remarkably improve work index process.
【0072】また、シートから良品の半導体素子のみを
1個ずつピックアップして、最終的にテーピング梱包す
るので、良品の半導体素子と不良の半導体素子とを混合
して移送手段で移送する従来方法に比較して、移送手段
による移送効率が高くなる効果がある。Further, since only the good semiconductor elements are picked up from the sheet one by one and finally tape-packaged, the conventional method of mixing the good semiconductor elements and the defective semiconductor elements by the transfer means is used. In comparison, there is an effect that the transfer efficiency of the transfer means is increased.
【0073】また、前記測定結果を記憶部に記憶した後
に、前記ダイシングシートユニットのダイシングシート
を伸展させて複数のリードレス半導体素子を離間させる
工程を含むことにより、リードレス半導体素子をピック
アップする際に、隣接するリードレス半導体素子を剥離
することがなくなる。When the leadless semiconductor element is picked up, the method further includes the step of expanding the dicing sheet of the dicing sheet unit to separate the plurality of leadless semiconductor elements after storing the measurement result in the storage unit. In addition, the adjacent leadless semiconductor element is not peeled off.
【0074】また、前記移送手段で移送中のリードレス
半導体素子の表裏いずれかの面側の外観を検査する工程
を設けることにより、樹脂モールドパッケージの外観不
良の半導体素子を排出して、良品半導体素子のみをテー
ピングすることができる。Further, by providing a step of inspecting the appearance of either the front side or the back side of the leadless semiconductor element being transferred by the transfer means, the semiconductor element having a defective appearance of the resin mold package is discharged to obtain a non-defective semiconductor. Only the element can be taped.
【0075】また、移送手段からピックアップされたリ
ードレス半導体素子を、表裏反転させる工程を設けるこ
とにより、電極端子が形成されている実装面を下側にし
てテーピング梱包することができ、このテーピング梱包
を開梱した際に、真空吸着ノズルなどでそのままの姿勢
で吸着して、実装することができる。Further, by providing a step of reversing the leadless semiconductor element picked up from the transfer means, the mounting surface on which the electrode terminals are formed can face down, and the tape can be packed. When the package is unpacked, it can be mounted by sucking it in the same posture with a vacuum suction nozzle or the like.
【0076】また、表裏反転工程において、リードレス
半導体素子を外観検査する工程を設けることにより、前
記移送手段により移送中の外観検査では検査できなかっ
た半導体素子の反対側面における樹脂モールドパッケー
ジの外観検査が可能になり、表裏いずれの面にクラック
や凹部が存在する不良半導体素子も排出して、良品半導
体素子のみをテーピング梱包することができる。In addition, by providing a step of inspecting the leadless semiconductor element in the front and back inversion step, the appearance inspection of the resin mold package on the opposite side of the semiconductor element, which cannot be inspected by the appearance inspection during the transfer by the transfer means, is performed. It is possible to discharge defective semiconductor elements having cracks or recesses on the front and back surfaces, and package only good semiconductor elements in taping packaging.
【0077】本発明の処理装置によれば、前工程で、多
数の半導体素子が連結状態でシートに貼着された樹脂モ
ールド基板をダイシングして個々の半導体素子に分離し
た後、個々の半導体素子が整列状態を保持してシートに
貼着されている状態で、個々の半導体素子の特性測定を
測定すると共に、その特性測定結果を記憶部に記憶させ
ておき、供給テーブルで前記記憶データに基づいて良品
の半導体素子のみをピックアップポジションに移動させ
て、移送手段のハンドリング機構でピックアップし、移
送手段の間欠回転動作によって移送されて、最終的にテ
ーピング機でテーピング梱包されるので、ばらばらの半
導体素子を整列トレー等に移さずに直接的に処理装置に
送ることができて、処理装置の作業インデックスを上
げ、インライン処理される半導体製造の前工程とインラ
イン対応させることが容易になる。According to the processing apparatus of the present invention, in the previous step, after dicing a resin-molded substrate having a large number of semiconductor elements attached to a sheet in a connected state into individual semiconductor elements, the individual semiconductor elements are separated. While maintaining the aligned state and being adhered to the sheet, the characteristic measurement of each semiconductor element is measured, and the characteristic measurement result is stored in the storage unit, and based on the stored data in the supply table. Only non-defective semiconductor elements are moved to the pickup position, picked up by the handling mechanism of the transfer means, transferred by the intermittent rotation operation of the transfer means, and finally tape-packaged by the taping machine. Can be sent directly to the processing equipment without moving to an alignment tray, etc., increasing the work index of the processing equipment and performing in-line processing. Is it is easy to adapt pre-process and in-line semiconductor manufacturing.
【0078】また、半導体素子が供給テーブルのシート
から移送手段のハンドリング機構に受け渡たされて、最
後にテーピング梱包されるので、半導体素子の移動がス
ムーズに行われて、半導体素子が振動や衝撃で割れたり
欠けたりする可能性が減少し、テーピング梱包される半
導体素子の歩留まりが向上する。Further, since the semiconductor element is delivered from the sheet of the supply table to the handling mechanism of the transfer means and finally packaged by taping, the semiconductor element can be smoothly moved and the semiconductor element is vibrated or shocked. The possibility of cracking or chipping is reduced, and the yield of semiconductor elements packaged in taping is improved.
【0079】また、供給テーブルにユニットのシートを
伸展させて複数の半導体素子を離間させるシート伸展機
構を装備させることで、ダシイシング工程および特性測
定工程を経たユニットをそのまま供給テーブルに移動さ
せることができて、ユニットの取り扱いが便利になる。Further, by equipping the supply table with a sheet extending mechanism for extending the sheet of the unit to separate a plurality of semiconductor elements, the unit which has undergone the slicing process and the characteristic measuring process can be moved to the supply table as it is. This makes the unit easier to handle.
【0080】また、供給テーブルに隣接するターンテー
ブルのピックアップ機構で、ピックアップポジションに
位置する良品の半導体素子のみを1個ずつピックアップ
して移送することができ、また、このターンテーブルの
近傍に、移送手段中の半導体素子の表裏いずれかの面の
外観を検査する外観検査装置を設けることによって、外
観不良半導体素子を排出できる。Further, only the good semiconductor elements located at the pickup position can be picked up and transferred one by one by the pickup mechanism of the turntable adjacent to the supply table, and the transfer can be performed near the turntable. By providing an appearance inspection device for inspecting the appearance of either the front surface or the back surface of the semiconductor element in the means, the semiconductor element having a defective appearance can be discharged.
【0081】また、ターンテーブルとテーピング機との
間に、表裏反転装置を設けることによって、半導体素子
の電極端子を形成した実装面側を下側にしてテーピング
することができるので、半導体素子の実装時に、テーピ
ング梱包から開梱した半導体素子を、そのまま吸着ノズ
ルで吸着して、フェースダウンボンディングすることが
できるFurther, by providing a front / back reversing device between the turntable and the taping machine, it is possible to perform taping with the mounting surface side on which the electrode terminals of the semiconductor element are formed facing down, so that the semiconductor element is mounted. At times, the semiconductor element unpacked from the taping package can be directly sucked by the suction nozzle and face down bonded.
【0082】また、前記表裏反転装置の近傍に、表裏反
転工程中の半導体素子の前記外観検査面とは反対側面の
外観を検査する外観検査部を備えることによって、前記
ターンテーブルによって移送中の半導体素子の外観検査
装置では検査できなかった反対側面の外観検査が可能に
なり、表裏両面の外観不良半導体素子を排出して、良品
半導体素子のみをテーピングすることができる。In addition, by providing a visual inspection unit near the front / back reversing device for inspecting the outer surface of the semiconductor element in the front / back reversing step, which is opposite to the outer surface, the semiconductor being transferred by the turntable. The appearance inspection of the opposite side, which cannot be inspected by the element appearance inspection device, becomes possible, and defective semiconductor elements on the front and back surfaces can be discharged and only good semiconductor elements can be taped.
【図1】本発明の実施形態におけるリードレス半導体素
子の処理方法の工程フロー図である。FIG. 1 is a process flow chart of a method for processing a leadless semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の実施形態におけるリードレス半導体素
子の処理装置の概略構成ブロック図である。FIG. 2 is a schematic block diagram of a processing apparatus for a leadless semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図3】本発明の実施形態におけるリードレス半導体素
子の処理装置の概略平面図である。FIG. 3 is a schematic plan view of a processing apparatus for a leadless semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図4】図3に示すリードレス半導体素子の処理装置の
概略正面図である。FIG. 4 is a schematic front view of the processing apparatus for the leadless semiconductor device shown in FIG.
【図5】(A)はダイシングテープにリードレス半導体
素子が貼着された状態の要部拡大正面図、(B)はテー
プ伸展機構によりテープを伸張時の要部拡大正面図、
(C)はリードレス半導体素子のピックアップ時の要部
拡大正面図である。FIG. 5A is an enlarged front view of an essential part of a dicing tape in which a leadless semiconductor element is attached, and FIG. 5B is an enlarged front view of an essential part when the tape is extended by a tape extension mechanism.
FIG. 6C is an enlarged front view of a main part of the leadless semiconductor device during pickup.
【図6】本発明の処理装置における表裏反転装置の概略
斜視図である。FIG. 6 is a schematic perspective view of a front / back inverting device in the processing apparatus of the present invention.
【図7】図3の処理装置における移送手段から表裏反転
装置へのリードレス半導体素子の受け渡し時の状況を示
す部分側面図である。7 is a partial side view showing a situation at the time of delivery of a leadless semiconductor element from a transfer means to a front / back inverting device in the processing apparatus of FIG.
【図8】図3の処理装置における表裏反転装置からエン
ボステープへのリードレス半導体素子の受け渡し時の部
分側面断面図である。8 is a partial side cross-sectional view of the processing apparatus of FIG. 3 when the leadless semiconductor element is transferred from the front / back inverting device to the embossed tape.
【図9】(A)は多数のリードレス半導体素子を連結状
態に形成した樹脂モールド基板の平面図、(B)は
(A)の樹脂モールド基板からダイシングされたリード
レス半導体素子の拡大斜視図である。9A is a plan view of a resin mold substrate on which a large number of leadless semiconductor elements are formed in a connected state, and FIG. 9B is an enlarged perspective view of a leadless semiconductor element diced from the resin mold substrate of FIG. Is.
【図10】従来のリードレス半導体素子の処理方法の工
程フロー図である。FIG. 10 is a process flow diagram of a conventional leadless semiconductor device processing method.
【図11】エンボステープによるテーピング梱包体のカ
バーテープの一部を剥離した状態の部分斜視図である。FIG. 11 is a partial perspective view showing a state where a part of the cover tape of the taping package with the embossed tape is peeled off.
1 リードレス半導体素子 1a 樹脂パッケージ 1b 電極端子 2 ダイシングシート 3 ダイシングリング 4 ダイシングシートユニット 10 ダイシング装置 20 特性測定装置 30 記憶部 40 供給テーブル 40A シート伸展機構 40B 記憶データ読み出し部 Pa ピックアップポジション Pb 外観検査ポジション Pc 不良半導体素子排出ポジション Pd 半導体素子受け渡しポジション 50 移送手段(ターンテーブル) 51 ハンドリング機構(吸着ノズル) 60A,60B 外観検査部 70A,70B 排出部 80 表裏反転装置 90 テーピング機 201 エンボステープ 202 エンボス部 204 カバーテープ 1 Leadless semiconductor device 1a Resin package 1b Electrode terminal 2 dicing sheet 3 dicing ring 4 Dicing sheet unit 10 Dicing equipment 20 Characteristic measuring device 30 storage 40 supply table 40A sheet extension mechanism 40B storage data reading unit Pa pickup position Pb Appearance inspection position Pc defective semiconductor element discharge position Pd Semiconductor element delivery position 50 Transfer means (turntable) 51 Handling mechanism (suction nozzle) 60A, 60B Visual inspection section 70A, 70B discharge part 80 Front-back inverting device 90 taping machine 201 embossed tape 202 Embossed section 204 cover tape
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5F031 CA13 CA17 FA02 FA05 FA20 FA21 GA23 GA25 GA54 MA33 MA34 MA37 MA38 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page F-term (reference) 5F031 CA13 CA17 FA02 FA05 FA20 FA21 GA23 GA25 GA54 MA33 MA34 MA37 MA38
Claims (10)
素子をダイシングシートに貼着してダイシングシートユ
ニットを構成し、連結状態にあるリードレス半導体素子
間を切断するダイシング工程と、 前記切断された個々のリードレス半導体素子の特性を測
定すると共に、その測定結果を記憶する特性測定工程
と、 前記ダイシングシートから前記特性測定結果の記憶デー
タに基づく良品のリードレス半導体素子をピックアップ
するピックアップ工程と、 このピックアップされたリードレス半導体素子を移送手
段で移送する移送工程と、 前記移送手段から受け渡したリードレス半導体素子をテ
ーピング梱包するテーピング工程とを有することを特徴
とするリードレス半導体素子の処理方法。1. A dicing step of adhering a plurality of connected leadless semiconductor elements to a dicing sheet to form a dicing sheet unit, and cutting the connected leadless semiconductor elements from each other; While measuring the characteristics of each leadless semiconductor element, a characteristic measurement step of storing the measurement result, a pickup step of picking up a good leadless semiconductor element based on the stored data of the characteristic measurement result from the dicing sheet, A processing method for a leadless semiconductor device, comprising: a transfer process of transferring the picked-up leadless semiconductor device by a transfer device; and a taping process of taping and packing the leadless semiconductor device transferred from the transfer device.
グシートユニットのダイシングシートを伸展させて個々
のリードレス半導体素子を離間させるシート伸展工程を
含むことを特徴とする請求項1に記載のリードレス半導
体素子の処理方法。2. The leadless method according to claim 1, further comprising a sheet extending step of extending the dicing sheet of the dicing sheet unit to separate individual leadless semiconductor elements after the characteristic measuring step. Semiconductor device processing method.
体素子の表裏いずれかの面側の外観を検査する外観検査
工程を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の
リードレス半導体素子の処理方法。3. The leadless semiconductor device according to claim 1, further comprising an appearance inspection step of inspecting the appearance of either the front surface or the back surface of the leadless semiconductor element being transferred by the transfer means. Processing method.
ス半導体素子を、表裏反転させる表裏反転工程を含むこ
とを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のリー
ドレス半導体素子の処理方法。4. The method for treating a leadless semiconductor element according to claim 1, further comprising a step of reversing the front and back of the leadless semiconductor element transferred from the transfer means. .
素子の前記外観検査面とは反対側面の外観を検査する外
観検査工程を含むことを特徴とする請求項4に記載のリ
ードレス半導体素子の処理方法。5. The leadless semiconductor device according to claim 4, further comprising an appearance inspection step of inspecting an appearance of a side surface of the leadless semiconductor element opposite to the appearance inspection surface during the front-back inversion step. Processing method.
されたリードレス半導体素子を有する樹脂モールド基板
をダイシングシートに貼着したダイシングシートユニッ
トにおけるリードレス半導体素子間がダイシングされ、
個々のリードレス半導体素子が整列状態でシートに貼着
されている状態でその特性測定が実施されると共に、そ
の検査結果が記憶部に記憶される特性測定工程が実施さ
れているダイシングシートユニットが供給されるリード
レス半導体素子の処理装置であって、 前記ダイシングシートに整列状態で貼着された個々のリ
ードレス半導体素子の記憶されている特性測定結果を読
み出す読み出し部と、 前記個々のリードレス半導体素子をダイシングシートに
整列状態で貼着したダイシングシートユニットを脱着可
能に支持して、リードレス半導体素子のうち、前記読み
出し部の読み出し結果に基づいて、良品のリードレス半
導体素子を所定のピックアップポジションに移動させる
供給テーブルと、 この供給テーブルから離れた定位置でリードレス半導体
素子をテーピング梱包するテーピング機と、 前記供給テーブルとテーピング機の間に配置された移送
手段とを備え、 前記移送手段は周縁部等配位置にリードレス半導体素子
を着脱自在に保持してリードレス半導体素子の受け渡し
をするハンドリング機構を有することを特徴とするリー
ドレス半導体素子の処理装置。6. In the dicing step of the preceding step, dicing is performed between leadless semiconductor elements in a dicing sheet unit in which a resin mold substrate having a large number of connected leadless semiconductor elements is attached to a dicing sheet,
A dicing sheet unit in which a characteristic measurement process is performed in which the characteristic measurement is performed while the individual leadless semiconductor elements are attached to a sheet in an aligned state and the inspection result is stored in a storage unit. A processing apparatus for a supplied leadless semiconductor element, comprising: a read-out unit for reading out stored characteristic measurement results of the individual leadless semiconductor elements attached in an aligned state to the dicing sheet; A dicing sheet unit in which the semiconductor elements are adhered to the dicing sheet in an aligned state is detachably supported, and among the leadless semiconductor elements, a non-defective leadless semiconductor element is picked up by a predetermined pickup based on the reading result of the reading unit Feed table to be moved to position and leadless at a fixed position away from this supply table The semiconductor device includes a taping machine for taping and packing conductor elements, and a transfer means arranged between the supply table and the taping machine. A processing apparatus for a leadless semiconductor device, which has a handling mechanism for delivering and receiving a less semiconductor device.
グシートユニットのダイシングシートを伸展させて複数
のリードレス半導体素子を離間させるシート伸展機構を
具備することを特徴とする請求項6に記載のリードレス
半導体素子の処理装置。7. The leadless device according to claim 6, wherein the supply table includes a sheet extension mechanism that extends the dicing sheet of the supported dicing sheet unit to separate the plurality of leadless semiconductor elements from each other. Semiconductor device processing equipment.
保持されたリードレス半導体素子の一面の外観を検査す
る外観検査部を備えることを特徴とする請求項6または
7記載のリードレス半導体素子の処理装置。8. The leadless semiconductor according to claim 6, further comprising an appearance inspection unit near the transfer means for inspecting the appearance of one surface of the leadless semiconductor element held by the transfer means. Device processing equipment.
半導体素子の表裏を反転させる表裏反転装置を配置した
ことを特徴とする請求項6から8のいずれかに記載のリ
ードレス半導体素子の処理装置。9. Between the transfer means and the taping machine,
9. The leadless semiconductor device processing apparatus according to claim 6, further comprising a front / back reversing device for reversing the front and back of the semiconductor element.
ス半導体素子の他面の外観を検査する外観検査部を備え
ることを特徴とする請求項9に記載のリードレス半導体
素子の処理装置。10. The processing apparatus for a leadless semiconductor element according to claim 9, further comprising an appearance inspection unit for inspecting the appearance of the other surface of the leadless semiconductor element in the vicinity of the front-back inverting device.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2002
- 2002-01-15 JP JP2002006324A patent/JP2003209157A/en active Pending
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