JP2003208361A - Memory test method - Google Patents

Memory test method

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JP2003208361A
JP2003208361A JP2002005892A JP2002005892A JP2003208361A JP 2003208361 A JP2003208361 A JP 2003208361A JP 2002005892 A JP2002005892 A JP 2002005892A JP 2002005892 A JP2002005892 A JP 2002005892A JP 2003208361 A JP2003208361 A JP 2003208361A
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JP
Japan
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ram
block
data
rom
reading
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JP2002005892A
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Japanese (ja)
Inventor
Koji Kishi
功次 岸
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Fujitsu I Network Systems Ltd
Original Assignee
Fujitsu I Network Systems Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a memory test method by which the number of processes required for a test of a ROM and a RAM can be reduced, test time can be shortened, the required number of elements can be reduced and costs can be saved. <P>SOLUTION: The memory test method includes the steps of: reading data from the ROM; writing the data read from the ROM into the RAM; reading the data written in the RAM; and confirming the operations of the ROM and the RAM on the basis of the data read from the RAM. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、メモリの試験方法
に関し、特に、読み出し専用メモリ(ROM)及び書き
換え可能なメモリ(RAM)を搭載している電気回路に
おける各メモリの動作確認試験に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a memory testing method, and more particularly to an operation confirmation test of each memory in an electric circuit equipped with a read only memory (ROM) and a rewritable memory (RAM).

【0002】[0002]

【従来の技術】図1は、従来のメモリ試験を行う電気回
路を説明するブロック図である。回路基板1上には、試
験対象であるROMブロック2及びRAMブロック3
と、制御回路4とが設けられ、ROMブロック2及びR
AMブロック3と、制御回路4とは、回路基板1上に設
けられたデータ/アドレスバスを経て通信する。制御回
路4は、ROMブロック2及びRAMブロック3に対し
て読み出し及び書き込みを行う回路、例えばCPUであ
り、チェック回路5と、演算回路6と、試験データ格納
部7とを含む。
2. Description of the Related Art FIG. 1 is a block diagram illustrating an electric circuit for performing a conventional memory test. On the circuit board 1, the ROM block 2 and the RAM block 3 to be tested are
And a control circuit 4, and the ROM block 2 and R
The AM block 3 and the control circuit 4 communicate with each other via a data / address bus provided on the circuit board 1. The control circuit 4 is a circuit that reads and writes data from and into the ROM block 2 and the RAM block 3, for example, a CPU, and includes a check circuit 5, an arithmetic circuit 6, and a test data storage unit 7.

【0003】図2は、図1の回路基板1におけるROM
ブロック2の従来の試験を説明するブロック図である。
図1と同様の要素を同じ参照符によって示す。この図に
おいては、ROMブロック2の試験に関する信号の流れ
を強調して示している。制御回路4は、読み出し指示を
意味するROM制御信号をROMブロック2に送る。R
OMブロック2からデータ/アドレスバスを経て読み出
されたデータを、演算回路6において、例えば、チェッ
クサムのような一定のルールによって演算し、チェック
回路5において、予め算出しておいた正解値と照合す
る。
FIG. 2 is a ROM in the circuit board 1 of FIG.
It is a block diagram explaining the conventional test of the block 2.
Elements similar to those of FIG. 1 are designated by the same reference numerals. In this figure, the signal flow relating to the test of the ROM block 2 is emphasized. The control circuit 4 sends a ROM control signal, which means a read instruction, to the ROM block 2. R
The data read from the OM block 2 via the data / address bus is calculated in the arithmetic circuit 6 according to a certain rule such as a checksum, and the correct value calculated in advance in the check circuit 5 is used. Collate.

【0004】図3及び4は、図1の回路基板1における
RAMブロック3の従来の試験を説明するブロック図で
ある。これらの図において、RAMブロック3の試験に
関する信号の流れを強調して示している。これらの図に
おいても、図1と同様の要素を同じ参照符によって示
す。まず、RAMブロック3への試験データの書き込み
を行う。図3は、このような試験データの書き込みを説
明するブロック図である。制御回路4は、書き込み指示
を意味するRAM制御信号をRAMブロック3に送り、
制御回路4の試験データ格納部7に格納された試験デー
タを、データ/アドレスバスを経てRAMブロック3に
書き込む。
FIGS. 3 and 4 are block diagrams illustrating a conventional test of the RAM block 3 on the circuit board 1 of FIG. In these figures, the signal flow relating to the test of the RAM block 3 is emphasized. In these figures, the same elements as in FIG. 1 are designated by the same reference numerals. First, test data is written in the RAM block 3. FIG. 3 is a block diagram illustrating writing of such test data. The control circuit 4 sends a RAM control signal indicating a write instruction to the RAM block 3,
The test data stored in the test data storage unit 7 of the control circuit 4 is written in the RAM block 3 via the data / address bus.

【0005】図4は、RAMブロック3からの試験デー
タの読み出し及びその後の処理を説明するブロック図で
ある。制御回路4は、読み出し指示を意味するRAM制
御信号を、上記で説明したように試験データを書き込ま
れたRAMブロック3に送り、RAMブロック3から前
記試験データを、データ/アドレスバスを経て読み出
す。制御回路4のチェック回路5は、試験データ格納部
7から読み出した元の試験データと、RAMブロック3
から読み出した試験データとを照合する。
FIG. 4 is a block diagram for explaining the reading of test data from the RAM block 3 and the subsequent processing. The control circuit 4 sends a RAM control signal, which means a read instruction, to the RAM block 3 in which the test data is written as described above, and reads the test data from the RAM block 3 via the data / address bus. The check circuit 5 of the control circuit 4 uses the original test data read from the test data storage unit 7 and the RAM block 3
It collates with the test data read from.

【0006】上述したような従来の試験方法において
は、ROM及びRAMの試験を個別に行っているため、
ROM読み出し、読み出し結果確認、RAM書き込み、
RAM読み出し、読み出し結果確認の工程が必要にな
り、試験時間も長くなってしまうという問題があった。
また、演算回路や試験データ格納部が必要となり、費用
が掛かるという問題もあった。
In the conventional test method as described above, since the ROM and RAM are individually tested,
ROM read, read result confirmation, RAM write,
There is a problem in that the steps of RAM reading and reading result confirmation are required, and the test time becomes long.
There is also a problem in that an arithmetic circuit and a test data storage section are required, resulting in high cost.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明
は、ROM及びRAMの試験に必要な工程数を減らし、
試験時間を短縮することができ、必要な要素数を減ら
し、費用を低減することができるメモリ試験方法を提供
することを目的とする。
Therefore, the present invention reduces the number of steps required for testing ROM and RAM,
An object of the present invention is to provide a memory test method that can reduce the test time, reduce the number of required elements, and reduce the cost.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の第1発明による
メモリ試験方法は、前記ROMからデータを読み出すス
テップと、前記ROMから読み出したデータを前記RA
Mに書き込むステップと、前記RAMに書き込まれたデ
ータを読み出すステップと、前記RAMから読み出され
たデータに基づいて前記ROM及びRAMの動作確認を
行うステップとを含むことを特徴とする。ROMに対し
て読み出し制御を行うと同時に、RAMに対して書き込
み制御を行うことにより、2つのステップを一度に行う
ことができる。また、ROMのデータをコピーしたRA
Mデータを読み出して確認することにより、ROMデー
タの正常性の確認と、RAM書き込み/読み出しの正常
性の確認とを、一度に行うことができる。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a memory testing method including a step of reading data from the ROM, and a step of reading the data read from the ROM with the RA.
It is characterized by including a step of writing in M, a step of reading the data written in the RAM, and a step of confirming the operation of the ROM and the RAM based on the data read from the RAM. By performing read control on the ROM and write control on the RAM at the same time, two steps can be performed at one time. In addition, RA which copied the data of ROM
By reading and confirming the M data, it is possible to confirm the normality of the ROM data and the normality of the RAM writing / reading at once.

【0009】本発明の第2発明によるメモリ試験方法
は、前記ROMからデータを読み出すステップと、前記
ROMから読み出したデータを、前記RAMのメモリ領
域を3つのブロックに分けたうちの第1ブロックに書き
込むステップと、前記ROMから読み出したデータに所
定の演算を行った演算データを、前記RAMのメモリ領
域の第2ブロックに書き込むステップと、前記RAMの
第1及び第2ブロックから、これらのブロックに書き込
まれたデータを読み出すステップと、前記RAMの第1
及び第2ブロックから読み出されたデータに所定の演算
を行った演算データを、前記RAMのメモリ領域の第3
ブロックに書き込むステップと、前記RAMの第1ブロ
ックに書き込まれたデータを読み出すステップと、前記
RAMの第1ブロックから読み出されたデータに基づい
て前記ROMの動作確認を行うステップと、前記RAM
の第3ブロックに書き込まれたデータを読み出すステッ
プと、前記RAMの第3ブロックから読み出されたデー
タに基づいて前記RAMの動作確認を行うステップとを
含むことを特徴とする。RAMの第1ブロックには、前
記第1発明と同様の手順でROMデータをコピーし、読
み出して確認することにより、ROMの正常性を確認
し、RAMの第2ブロックには、ROMデータと演算す
ると確認が容易になるようなデータ、例えば、OR演算
するとすべてのデータが“1”になるような反転データ
を書き込む。さらにこれらの記録された2つのデータを
読み出し、演算を行った結果のデータを、RAMの残り
の第3ブロックに書き込む。このデータを読み出して、
期待される値、例えば、上記例の場合、すべてのデータ
が“1”であることを確認する。これにより、RAMの
第2ブロック及び第3ブロックの正常性を確認すること
ができる。
A memory test method according to a second aspect of the present invention is a step of reading data from the ROM, and the data read from the ROM is stored in the first block of the memory area of the RAM divided into three blocks. Writing the operation data obtained by performing a predetermined operation on the data read from the ROM to the second block of the memory area of the RAM, and writing the operation data from the first and second blocks of the RAM to these blocks. Reading the written data, the first of the RAM
And the operation data obtained by performing a predetermined operation on the data read from the second block, is stored in the third area of the memory area of the RAM.
Writing to a block, reading data written to a first block of the RAM, performing operation check of the ROM based on the data read from the first block of the RAM, the RAM
And a step of reading the data written in the third block, and a step of confirming the operation of the RAM based on the data read from the third block of the RAM. The ROM data is copied to the first block of the RAM in the same procedure as in the first aspect of the present invention, and is read and checked to confirm the normality of the ROM. Then, data that facilitates confirmation is written, for example, inverted data that makes all data "1" when ORed. Further, these two recorded data are read out, and the data resulting from the calculation is written in the remaining third block of the RAM. Read this data,
Make sure that all the data is an expected value, for example, in the case of the above example, "1". Thereby, the normality of the second block and the third block of the RAM can be confirmed.

【0010】本発明の第3発明によるメモリ試験方法
は、前記ROMからデータを読み出すステップと、前記
ROMから読み出したデータを、前記RAMのメモリ領
域を複数nのブロックに分けたうちの第1ブロックに書
き込むステップと、前記RAMの第1ブロックからデー
タを読み出すステップと、前記RAMの第1ブロックか
ら読み出されたデータを前記RAMの第2ブロックに書
き込むステップと、上記RAMの第2ブロックに書き込
むステップと同様に、前記RAMのあるブロックから読
み出されたデータを前記RAMの次のブロックに順次に
書き込んでいき、前記RAMの最後の第nブロックにデ
ータが書き込まれるまでこれを続けるステップと、前記
RAMの第nブロックに書き込まれたデータを読み出す
ステップと、前記RAMの第nブロックから読み出され
たデータに基づいて前記ROM及びRAMの動作確認を
行うステップとを含むことを特徴とする。RAMを複数
のブロックに分割し、1つのブロックにROMデータを
コピーし、その後、コピーされたデータを次のブロック
に、すべてのブロックにデータが書き込まれるまで順次
コピーしていき、最後にコピーされたブロックのデータ
を確認することにより、ROM及びRAMのすべての領
域の確認を行うことができる。
A memory testing method according to a third aspect of the present invention is the step of reading data from the ROM, and the first block of the data read from the ROM, in which the memory area of the RAM is divided into a plurality of n blocks. To the RAM, reading data from the first block of the RAM, writing the data read from the first block of the RAM to the second block of the RAM, and writing to the second block of the RAM. Similar to the step, writing data read from a certain block of the RAM sequentially to the next block of the RAM, and continuing this until data is written to the last nth block of the RAM, Reading the data written in the nth block of the RAM; Characterized in that on the basis of the data read out from the n-th block of M and a step of performing an operation confirmation of the ROM and RAM. The RAM is divided into a plurality of blocks, the ROM data is copied to one block, and then the copied data is sequentially copied to the next block until the data is written in all blocks, and finally copied. By checking the data of the blocks, it is possible to check all areas of the ROM and RAM.

【0011】[0011]

【発明の効果】本発明の第1発明によれば、ROM読み
出しとRAM書き込みを同時に行い、読み出し結果の確
認も1回で済むため、試験時間を短縮することができ
る。また、ROMデータを試験データとして使用するた
め、RAM試験用のデータが不要になる。本発明の第2
発明によれば、RAMを3ブロックに分割し、このうち
の2ブロックのみの確認を行うことでRAMの全領域を
検査することができるため、試験時間を短縮することが
できる。また、ROMデータを試験データとして使用す
るため、RAM試験用のデータが不要になる。本発明の
第3発明によれば、RAMを複数のブロックに分割し、
順次ROMデータをコピーしていき、最後にコピーされ
たブロックのデータのみを確認することで、ROM及び
RAMの全領域を検査することができるため、試験時間
を短縮することができる。また、ROMデータを試験デ
ータとして使用するため、RAM試験用のデータが不要
になる。
According to the first aspect of the present invention, the ROM reading and the RAM writing are simultaneously performed, and the reading result can be confirmed only once, so that the test time can be shortened. Moreover, since the ROM data is used as the test data, the data for the RAM test becomes unnecessary. Second of the present invention
According to the present invention, the RAM is divided into three blocks, and the entire area of the RAM can be inspected by checking only two blocks of the blocks, so that the test time can be shortened. Moreover, since the ROM data is used as the test data, the data for the RAM test becomes unnecessary. According to the third aspect of the present invention, the RAM is divided into a plurality of blocks,
By sequentially copying the ROM data and checking only the data of the last copied block, the entire area of the ROM and RAM can be inspected, so that the test time can be shortened. Moreover, since the ROM data is used as the test data, the data for the RAM test becomes unnecessary.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】図5ないし15は、本発明による
メモリ試験を行う電気回路を説明するブロック図であ
る。これらの図において、同様の要素を同じ参照符で示
してある。これらの図に共通し、回路基板11上には、
試験対象であるROMブロック12及びRAMブロック
13と、制御回路14とが設けられ、ROMブロック1
2及びRAMブロック13と、制御回路14とは、回路
基板11上に設けられたデータ/アドレスバスを経て通
信する。制御回路14は、ROMブロック2及びRAM
ブロック3に対して読み出し及び書き込みを行う回路、
例えばCPUであり、チェック回路15と、演算回路1
6とを含む。
5 to 15 are block diagrams illustrating an electric circuit for performing a memory test according to the present invention. In these figures, similar elements are designated by the same reference numerals. Common to these figures, on the circuit board 11,
A ROM block 12 and a RAM block 13 to be tested and a control circuit 14 are provided, and the ROM block 1
2 and the RAM block 13 and the control circuit 14 communicate with each other via a data / address bus provided on the circuit board 11. The control circuit 14 includes the ROM block 2 and the RAM.
A circuit for reading and writing to block 3,
For example, a CPU, a check circuit 15, and an arithmetic circuit 1
6 and.

【0013】以下、本発明によるメモリ試験方法の一実
施形態を実行する様子を、図5及び6を参照して説明す
る。まず、図5に示すように、制御回路14は、読み出
し指示を意味するROM制御信号をROMブロック12
に送ると同時に、書き込み指示を意味するRAM制御信
号をRAMブロック13に送る。このようにして、RO
Mブロック12に格納されているデータを読み出し、こ
のデータをデータ/アドレスバスを経てRAMブロック
13に伝送し、RAMブロック13に書き込む。
Hereinafter, how an embodiment of the memory testing method according to the present invention is executed will be described with reference to FIGS. First, as shown in FIG. 5, the control circuit 14 sends a ROM control signal meaning a read instruction to the ROM block 12.
At the same time, the RAM control signal indicating a write instruction is sent to the RAM block 13. In this way, RO
The data stored in the M block 12 is read, this data is transmitted to the RAM block 13 via the data / address bus, and is written in the RAM block 13.

【0014】次に、図6に示すように、制御回路14
は、読み出し指示を意味するRAM制御信号をRAMブ
ロック13に送る。このようにして、RAMブロック1
3から前記データを読み出し、データ/アドレスバスを
経て、制御回路14の演算回路16に供給する。演算回
路16において、前記データを、例えばチェックサムの
ような一定のルールに従って演算し、演算結果をチェッ
ク回路15に供給する。チェック回路15において、予
め算出しておいた正解値と照合する。これにより、RO
Mブロック12及びRAMブロック13の正常性を確認
する。
Next, as shown in FIG. 6, the control circuit 14
Sends a RAM control signal, which means a read instruction, to the RAM block 13. In this way, the RAM block 1
The data is read from the data No. 3 and supplied to the arithmetic circuit 16 of the control circuit 14 via the data / address bus. The calculation circuit 16 calculates the data according to a certain rule such as a checksum, and supplies the calculation result to the check circuit 15. The check circuit 15 collates the correct value calculated in advance. As a result, RO
The normality of the M block 12 and the RAM block 13 is confirmed.

【0015】本発明によるメモリ試験方法の他の実施形
態を実行する様子を、図7ないし11を参照して説明す
る。まず、図7に示すように、制御回路14は、読み出
し指示を意味するROM制御信号をROMブロック12
に送ると同時に、書き込み指示を意味するRAM制御信
号をRAMブロック13に送る。このようにして、RO
Mブロック12に格納されているデータを読み出し、こ
のデータをデータ/アドレスバスを経てRAMブロック
13に伝送し、RAMブロック13のメモリ領域を3分
割したうちのブロック1に書き込む。
The manner of executing another embodiment of the memory testing method according to the present invention will be described with reference to FIGS. First, as shown in FIG. 7, the control circuit 14 sends a ROM control signal meaning a read instruction to the ROM block 12.
At the same time, the RAM control signal indicating a write instruction is sent to the RAM block 13. In this way, RO
The data stored in the M block 12 is read, the data is transmitted to the RAM block 13 via the data / address bus, and the memory area of the RAM block 13 is written into the block 1 out of three.

【0016】次に、図8に示すように、制御回路14
は、例えば反転データのような所定の演算を行ったデー
タを読み出す指示を意味するROM制御信号をROMブ
ロック12に送ると同時に、RAMブロック13のメモ
リ領域を3分割したうちのブロック2に書き込む指示を
意味するRAM制御信号をRAMブロック13に送る。
このようにして、ROMブロック12から演算データを
読み出し、この演算データをデータ/アドレスバスを経
てRAMブロック13に伝送し、RAMブロック13の
メモリ領域のブロック2に書き込む。
Next, as shown in FIG. 8, the control circuit 14
Is an instruction to send a ROM control signal, which means an instruction to read data that has been subjected to a predetermined operation, such as inverted data, to the ROM block 12, and at the same time, to write to a block 2 of the memory area of the RAM block 13 divided into three. A RAM control signal that means is sent to the RAM block 13.
In this way, the operation data is read from the ROM block 12, the operation data is transmitted to the RAM block 13 via the data / address bus, and is written in the block 2 in the memory area of the RAM block 13.

【0017】次に、図9に示すように、制御回路14
は、RAMブロック13のブロック1及びブロック2に
各々書き込まれているデータに所定の演算、例えばOR
演算を行った結果の演算データを読み出し、RAMブロ
ック13のメモリ領域を3分割したうちのブロック3に
書き込む指示を意味するRAM制御信号をRAMブロッ
ク13に送る。このようにして、RAMブロック12か
ら演算データを読み出し、この演算データをデータ/ア
ドレスバスを経てRAMブロック13に伝送し、RAM
ブロック13のメモリ領域のブロック3に書き込む。
Next, as shown in FIG. 9, the control circuit 14
Is a predetermined operation, for example, OR, on the data respectively written in the block 1 and the block 2 of the RAM block 13.
A RAM control signal is read from the calculation data resulting from the calculation, and a RAM control signal is sent to the RAM block 13, which indicates that the memory area of the RAM block 13 is divided into three. In this way, the operation data is read from the RAM block 12, the operation data is transmitted to the RAM block 13 via the data / address bus, and the RAM is
Write to block 3 in the memory area of block 13.

【0018】次に、図10に示すように、制御回路14
は、ブロック1の読み出し指示を意味するRAM制御信
号をRAMブロック13に送る。このようにして、RA
Mブロック13のブロック1から前記データを読み出
し、データ/アドレスバスを経て、制御回路14の演算
回路16に供給する。演算回路16において、前記デー
タを、例えばチェックサムのような一定のルールに従っ
て演算し、演算結果をチェック回路15に供給する。チ
ェック回路15において、予め算出しておいた正解値と
照合する。
Next, as shown in FIG. 10, the control circuit 14
Sends a RAM control signal to the RAM block 13, which means an instruction to read the block 1. In this way, RA
The data is read from the block 1 of the M block 13 and supplied to the arithmetic circuit 16 of the control circuit 14 via the data / address bus. The calculation circuit 16 calculates the data according to a certain rule such as a checksum, and supplies the calculation result to the check circuit 15. The check circuit 15 collates the correct value calculated in advance.

【0019】次に、図11に示すように、制御回路14
は、ブロック3の読み出し指示を意味するRAM制御信
号をRAMブロック13に送る。このようにして、RA
Mブロック13のブロック3から前記データを読み出
し、データ/アドレスバスを経て、制御回路14のチェ
ック回路15に供給する。チェック回路15において、
例えば、全データが“1”であるような演算結果と期待
値との照合を行う。これにより、RAMブロック13の
ブロック3と、ブロック3におけるデータのコピー元で
あるブロック1及びブロック2との正常性を確認する。
Next, as shown in FIG. 11, the control circuit 14
Sends a RAM control signal to the RAM block 13, which means an instruction to read the block 3. In this way, RA
The data is read from the block 3 of the M block 13 and supplied to the check circuit 15 of the control circuit 14 via the data / address bus. In the check circuit 15,
For example, the calculation result such that all the data are “1” is compared with the expected value. As a result, the normality of the block 3 of the RAM block 13 and the blocks 1 and 2 which are the copy sources of the data in the block 3 are confirmed.

【0020】本発明によるメモリ試験方法のさらに他の
実施形態を実行する様子を、図12ないし15を参照し
て説明する。まず、図12に示すように、制御回路14
は、読み出し指示を意味するROM制御信号をROMブ
ロック12に送ると同時に、書き込み指示を意味するR
AM制御信号をRAMブロック13に送る。このように
して、ROMブロック12に格納されているデータを読
み出し、このデータをデータ/アドレスバスを経てRA
Mブロック13に伝送し、RAMブロック13のメモリ
領域をn分割したうちのブロック1に書き込む(nは、
2以上の自然数)。すなわち、ROMブロック12のデ
ータを、RAMブロック13のブロック1にコピーす
る。
The manner of executing still another embodiment of the memory testing method according to the present invention will be described with reference to FIGS. First, as shown in FIG.
Indicates that a ROM control signal indicating a read instruction is sent to the ROM block 12, and at the same time, R indicating a write instruction.
The AM control signal is sent to the RAM block 13. In this way, the data stored in the ROM block 12 is read and this data is transferred to the RA via the data / address bus.
The data is transmitted to the M block 13 and is written in the block 1 of the n divided memory areas of the RAM block 13 (n is
2 or more natural number). That is, the data in the ROM block 12 is copied to the block 1 in the RAM block 13.

【0021】次に、図13に示すように、制御回路14
は、RAMブロック13のブロック1からデータを読み
出し、ブロック2に書き込む指示を意味するRAM制御
信号をRAMブロック13に送り、ブロック1のデータ
をブロック2にコピーする。
Next, as shown in FIG. 13, the control circuit 14
Reads data from the block 1 of the RAM block 13 and sends a RAM control signal, which is an instruction to write to the block 2, to the RAM block 13 to copy the data of the block 1 to the block 2.

【0022】次に、図14に示すように、上記図13に
関して説明したのと同様に、順次、RAMブロック13
のあるブロックのデータを、RAMブロック13の次の
ブロックにコピーしていき、これをRAMブロック13
のすべてのブロックにデータが書き込まれるまで続け
る。
Next, as shown in FIG. 14, in the same manner as described above with reference to FIG.
Data of a certain block is copied to the next block of the RAM block 13, and this is copied to the RAM block 13
Continue until all blocks are filled with data.

【0023】次に、図15に示すように、制御回路14
は、RAMブロック13の最後のブロックnの読み出し
指示を意味するRAM制御信号をRAMブロック13に
送る。このようにして、RAMブロック13のブロック
nから前記データを読み出し、データ/アドレスバスを
経て、制御回路14の演算回路16に供給する。チェッ
ク回路15において、演算回路16において、前記デー
タを、例えばチェックサムのような一定のルールに従っ
て演算し、演算結果をチェック回路15に供給する。チ
ェック回路15において、予め算出しておいた正解値と
照合する。これにより、ROMブロック12と、RAM
ブロック13のすべてのブロックの正常性を確認する。
Next, as shown in FIG. 15, the control circuit 14
Sends a RAM control signal to the RAM block 13, which means an instruction to read the last block n of the RAM block 13. In this way, the data is read from the block n of the RAM block 13 and supplied to the arithmetic circuit 16 of the control circuit 14 via the data / address bus. In the check circuit 15, the calculation circuit 16 calculates the data according to a certain rule such as a checksum, and supplies the calculation result to the check circuit 15. The check circuit 15 collates the correct value calculated in advance. As a result, the ROM block 12 and the RAM
Check the normality of all blocks in block 13.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 従来のメモリ試験を行う電気回路を説明する
ブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram illustrating an electric circuit that performs a conventional memory test.

【図2】 図1の回路基板1におけるROMブロック2
の従来の試験を説明するブロック図である。
FIG. 2 is a ROM block 2 in the circuit board 1 of FIG.
It is a block diagram explaining the conventional test of.

【図3】 図1の回路基板1におけるRAMブロック3
の従来の試験を説明するブロック図である。
FIG. 3 is a RAM block 3 in the circuit board 1 of FIG.
It is a block diagram explaining the conventional test of.

【図4】 図1の回路基板1におけるRAMブロック3
の従来の試験を説明するブロック図である。
4 is a RAM block 3 in the circuit board 1 of FIG.
It is a block diagram explaining the conventional test of.

【図5】 本発明によるメモリ試験を行う電気回路のブ
ロック図であり、本発明によるメモリ試験の一実施形態
を説明するブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram of an electric circuit that performs a memory test according to the present invention, and is a block diagram illustrating an embodiment of the memory test according to the present invention.

【図6】 本発明によるメモリ試験を行う電気回路のブ
ロック図であり、本発明によるメモリ試験の一実施形態
を説明するブロック図である。
FIG. 6 is a block diagram of an electric circuit that performs a memory test according to the present invention, and is a block diagram illustrating an embodiment of the memory test according to the present invention.

【図7】 本発明によるメモリ試験を行う電気回路のブ
ロック図であり、本発明によるメモリ試験の他の実施形
態を説明するブロック図である。
FIG. 7 is a block diagram of an electric circuit that performs a memory test according to the present invention, and is a block diagram illustrating another embodiment of the memory test according to the present invention.

【図8】 本発明によるメモリ試験を行う電気回路のブ
ロック図であり、本発明によるメモリ試験の他の実施形
態を説明するブロック図である。
FIG. 8 is a block diagram of an electric circuit that performs a memory test according to the present invention, and is a block diagram illustrating another embodiment of the memory test according to the present invention.

【図9】 本発明によるメモリ試験を行う電気回路のブ
ロック図であり、本発明によるメモリ試験の他の実施形
態を説明するブロック図である。
FIG. 9 is a block diagram of an electric circuit that performs a memory test according to the present invention, and is a block diagram illustrating another embodiment of the memory test according to the present invention.

【図10】 本発明によるメモリ試験を行う電気回路の
ブロック図であり、本発明によるメモリ試験の他の実施
形態を説明するブロック図である。
FIG. 10 is a block diagram of an electric circuit that performs a memory test according to the present invention, and is a block diagram illustrating another embodiment of the memory test according to the present invention.

【図11】 本発明によるメモリ試験を行う電気回路の
ブロック図であり、本発明によるメモリ試験の他の実施
形態を説明するブロック図である。
FIG. 11 is a block diagram of an electric circuit that performs a memory test according to the present invention, and is a block diagram illustrating another embodiment of the memory test according to the present invention.

【図12】 本発明によるメモリ試験を行う電気回路の
ブロック図であり、本発明によるメモリ試験のさらに他
の実施形態を説明するブロック図である。
FIG. 12 is a block diagram of an electric circuit that performs a memory test according to the present invention, and is a block diagram illustrating still another embodiment of the memory test according to the present invention.

【図13】 本発明によるメモリ試験を行う電気回路の
ブロック図であり、本発明によるメモリ試験のさらに他
の実施形態を説明するブロック図である。
FIG. 13 is a block diagram of an electric circuit that performs a memory test according to the present invention, and is a block diagram illustrating still another embodiment of the memory test according to the present invention.

【図14】 本発明によるメモリ試験を行う電気回路の
ブロック図であり、本発明によるメモリ試験のさらに他
の実施形態を説明するブロック図である。
FIG. 14 is a block diagram of an electric circuit for performing a memory test according to the present invention, and is a block diagram illustrating still another embodiment of the memory test according to the present invention.

【図15】 本発明によるメモリ試験を行う電気回路の
ブロック図であり、本発明によるメモリ試験のさらに他
の実施形態を説明するブロック図である。
FIG. 15 is a block diagram of an electric circuit for performing a memory test according to the present invention, which is a block diagram illustrating still another embodiment of the memory test according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、11 回路基板 2、12 ROMブロック 3、13 RAMブロック 4、14 制御回路 5、15 チェック回路 6、16 演算回路 7 試験データ格納部 1, 11 circuit board 2,12 ROM block 3, 13 RAM block 4, 14 Control circuit 5,15 check circuit 6, 16 arithmetic circuit 7 Test data storage

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2G132 AA08 AA09 AC03 AD06 AK07 AK13 AL09 5B018 GA03 JA01 JA12 JA22 MA23 NA01 NA04 QA13 5L106 AA07 DD22 DD23    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F term (reference) 2G132 AA08 AA09 AC03 AD06 AK07                       AK13 AL09                 5B018 GA03 JA01 JA12 JA22 MA23                       NA01 NA04 QA13                 5L106 AA07 DD22 DD23

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ROM及びRAMを搭載した電気回路に
おいて前記ROM及びRAMを試験するメモリ試験方法
において、 前記ROMからデータを読み出すステップと、 前記ROMから読み出したデータを前記RAMに書き込
むステップと、 前記RAMに書き込まれたデータを読み出すステップ
と、 前記RAMから読み出されたデータに基づいて前記RO
M及びRAMの動作確認を行うステップとを含むことを
特徴とするメモリ試験方法。
1. A memory test method for testing the ROM and RAM in an electric circuit equipped with the ROM and RAM, the step of reading data from the ROM, the step of writing the data read from the ROM to the RAM, Reading the data written in the RAM, and the RO based on the data read from the RAM
And a step of confirming the operation of the M and the RAM.
【請求項2】 ROM及びRAMを搭載した電気回路に
おいて前記ROM及びRAMを試験するメモリ試験方法
において、 前記ROMからデータを読み出すステップと、 前記ROMから読み出したデータを、前記RAMのメモ
リ領域を3つのブロックに分けたうちの第1ブロックに
書き込むステップと、 前記ROMから読み出したデータに所定の演算を行った
演算データを、前記RAMのメモリ領域の第2ブロック
に書き込むステップと、 前記RAMの第1及び第2ブロックから、これらのブロ
ックに書き込まれたデータを読み出すステップと、 前記RAMの第1及び第2ブロックから読み出されたデ
ータに所定の演算を行った演算データを、前記RAMの
メモリ領域の第3ブロックに書き込むステップと、 前記RAMの第1ブロックに書き込まれたデータを読み
出すステップと、 前記RAMの第1ブロックから読み出されたデータに基
づいて前記ROMの動作確認を行うステップと、 前記RAMの第3ブロックに書き込まれたデータを読み
出すステップと、 前記RAMの第3ブロックから読み出されたデータに基
づいて前記RAMの動作確認を行うステップとを含むこ
とを特徴とするメモリ試験方法。
2. A memory test method for testing the ROM and RAM in an electric circuit equipped with the ROM and RAM, the step of reading data from the ROM, the data read from the ROM being stored in a memory area of the RAM. Writing into a first block of the two blocks, writing operation data obtained by performing a predetermined operation on the data read from the ROM into a second block of the memory area of the RAM, Reading the data written in these blocks from the first and second blocks; and calculating data obtained by performing a predetermined operation on the data read from the first and second blocks of the RAM, and storing the calculated data in the memory of the RAM. Writing to the third block of the area, and writing to the first block of the RAM Reading the embedded data; confirming the operation of the ROM based on the data read from the first block of the RAM; and reading the data written to the third block of the RAM. And a step of confirming the operation of the RAM based on the data read from the third block of the RAM.
【請求項3】 ROM及びRAMを搭載した電気回路に
おいて前記ROM及びRAMを試験するメモリ試験方法
において、 前記ROMからデータを読み出すステップと、 前記ROMから読み出したデータを、前記RAMのメモ
リ領域を複数nのブロックに分けたうちの第1ブロック
に書き込むステップと、 前記RAMの第1ブロックからデータを読み出すステッ
プと、 前記RAMの第1ブロックから読み出されたデータを前
記RAMの第2ブロックに書き込むステップと、 上記RAMの第2ブロックに書き込むステップと同様
に、前記RAMのあるブロックから読み出されたデータ
を前記RAMの次のブロックに順次に書き込んでいき、
前記RAMの最後の第nブロックにデータが書き込まれ
るまでこれを続けるステップと、 前記RAMの第nブロックに書き込まれたデータを読み
出すステップと、 前記RAMの第nブロックから読み出されたデータに基
づいて前記ROM及びRAMの動作確認を行うステップ
とを含むことを特徴とするメモリ試験方法。
3. A memory test method for testing the ROM and RAM in an electric circuit equipped with the ROM and RAM, the step of reading data from the ROM, and the data read from the ROM in a plurality of memory areas of the RAM. writing to a first block of the n blocks, reading data from a first block of the RAM, and writing data read from a first block of the RAM to a second block of the RAM Similarly to the step and the step of writing to the second block of the RAM, the data read from a certain block of the RAM is sequentially written to the next block of the RAM,
Continuing until data is written in the last nth block of the RAM, reading data written in the nth block of the RAM, based on data read from the nth block of the RAM And a step of confirming the operation of the ROM and the RAM.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010276544A (en) * 2009-05-29 2010-12-09 Fujitsu Semiconductor Ltd Semiconductor integrated circuit, and failure diagnosis method of the same

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