JP2003204140A - Manufacturing method for wiring board and multilayered wiring board, and multilayfred wiring board - Google Patents

Manufacturing method for wiring board and multilayered wiring board, and multilayfred wiring board

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JP2003204140A
JP2003204140A JP2002003794A JP2002003794A JP2003204140A JP 2003204140 A JP2003204140 A JP 2003204140A JP 2002003794 A JP2002003794 A JP 2002003794A JP 2002003794 A JP2002003794 A JP 2002003794A JP 2003204140 A JP2003204140 A JP 2003204140A
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Japan
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wiring board
wiring
substrate
manufacturing
groove
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JP2002003794A
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Japanese (ja)
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Mitsuru Mura
満 村
Minoru Ogawa
稔 小川
Shigeyasu Ito
茂康 伊藤
Masahiro Izumi
真浩 和泉
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for a wiring board and a multilayered wiring board using thermoplastic resin, and to provide the multilayered wiring board manufactured by the manufacturing method. <P>SOLUTION: The manufacturing method for the wiring board that forms a wiring patterns on a board 21 containing the thermoplastic resin comprises a groove formation process forming a groove 24 corresponding to the wiring pattern on the board 21, and a filling process filling a conductive paste in the groove 24. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、熱可塑性樹脂を用
いた配線基板の製造方法および多層配線基板の製造方法
に関する。そして、この製造方法によって製造された多
層配線基板に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a wiring board and a method of manufacturing a multilayer wiring board using a thermoplastic resin. The present invention also relates to a multilayer wiring board manufactured by this manufacturing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子機器に搭載される実装基板におい
て、近年における電子機器の小型化、多機能化に伴い、
従来より高密度な電子部品の実装が要求される。配線基
板に電子部品を高密度に実装するためには、電子部品の
小型化だけでなく微細かつ高精度な配線加工が要求され
る。
2. Description of the Related Art In mounting boards mounted on electronic equipment, with the recent miniaturization and multifunctionalization of electronic equipment,
Higher density mounting of electronic components than ever before is required. In order to mount electronic components on a wiring board with high density, not only downsizing of electronic components but also fine and highly accurate wiring processing is required.

【0003】一方、昨今要求される、環境負荷への低減
を実現するためには実装基板をリサイクルする方法につ
いて考慮する必要がある。従来のガラスエポキシを材料
とする配線基板は、優れた耐熱性や加工性を有するが、
熱硬化性樹脂のエポキシ樹脂を基板材料とするため、リ
サイクルが難しかった。
On the other hand, it is necessary to consider the method of recycling the mounting board in order to realize the recent reduction in environmental load. Conventional wiring boards made of glass epoxy have excellent heat resistance and workability,
Since the epoxy resin, which is a thermosetting resin, is used as the substrate material, recycling is difficult.

【0004】ここで注目された基板材料が熱可塑性樹脂
である。熱可塑樹脂からなる配線基板は、微細かつ高精
度の配線加工ができるだけでなく、機械的強度、耐熱性
および電気的絶縁性に優れ、しかもリサイクルが比較的
容易である。これら種々の利点から、配線基板の基板と
して熱可塑性樹脂を使用する研究が進められている。
The substrate material that has received attention here is a thermoplastic resin. A wiring board made of a thermoplastic resin is not only capable of fine and highly precise wiring processing, but also has excellent mechanical strength, heat resistance and electrical insulation, and is relatively easy to recycle. Due to these various advantages, research is underway to use a thermoplastic resin as a substrate of a wiring substrate.

【0005】例えば、熱可塑性樹脂であるポリイミドを
基板材料に使用する場合、従来は、ポリイミドからなる
テープに銅箔を積層し、次いで、前記銅箔を配線パター
ンとなるようにエッチング加工することにより、所定の
配線パターンを備えたプリント配線基板を製造してい
る。また、このエッチングによる方法に代わって基板に
導電性ペーストを印刷することにより配線パターンを形
成する方法もある。
For example, when polyimide, which is a thermoplastic resin, is used as a substrate material, conventionally, a copper foil is laminated on a tape made of polyimide, and then the copper foil is etched to form a wiring pattern. Manufactures a printed wiring board having a predetermined wiring pattern. There is also a method of forming a wiring pattern by printing a conductive paste on a substrate instead of the method of etching.

【0006】この導電性ペーストによる方法では、エッ
チングによる方法に比較してウエット工程(エッチング
工程)が不要となるため、より環境保護に貢献するとい
う利点がある。
The method using the conductive paste does not require a wet process (etching process) as compared with the method using etching, and thus has an advantage of further contributing to environmental protection.

【0007】したがって、熱可塑性樹脂基板と導電性ペ
ーストとにより配線基板を製造すれば、高性能で環境に
も優しい配線基板を実現することができる。この導電性
ペーストで配線パターンを形成した熱可塑性樹脂基板を
製造する方法は、例えば、特開2001-244609号公報に開
示されている。この公報によれば、配線パターンとなる
形状を有したキャビティ金型に溶融状態の熱可塑性樹脂
を射出成型することによって配線パターンに対応する溝
を形成した熱可塑性樹脂基板を製造し、この溝に導電性
ペーストを充填することによって配線基板を製造してい
る。
Therefore, if the wiring board is manufactured from the thermoplastic resin board and the conductive paste, it is possible to realize a high-performance and environment-friendly wiring board. A method for manufacturing a thermoplastic resin substrate having a wiring pattern formed of this conductive paste is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2001-244609. According to this publication, a thermoplastic resin substrate in which a groove corresponding to a wiring pattern is formed by injection-molding a molten thermoplastic resin into a cavity mold having a shape to be a wiring pattern is manufactured. A wiring board is manufactured by filling a conductive paste.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところで、この配線基
板の製造方法は、キャビティ金型が必要であり製造設備
が大掛かりとなるという問題がある。そして、この配線
基板の製造方法は、溶融した熱可塑性樹脂をキャビティ
金型内で冷却するため、冷却の際の残留応力によって金
型から取り出した配線基板に反りを生じるという問題も
ある。
By the way, this method of manufacturing a wiring board has a problem that a cavity mold is required and the manufacturing facility becomes large. In this method of manufacturing a wiring board, the molten thermoplastic resin is cooled in the cavity mold, so that there is a problem that the wiring board taken out from the mold is warped due to residual stress during cooling.

【0009】そこで、本発明の目的は、熱可塑性樹脂か
らなる基板材料に微細な配線パターンをドライ工程によ
って簡便に形成される配線基板の製造方法、多層配線基
板の製造方法および多層配線基板を提供することであ
る。
Therefore, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a wiring board, a method for manufacturing a multilayer wiring board, and a multilayer wiring board, in which a fine wiring pattern is simply formed on a substrate material made of a thermoplastic resin by a dry process. It is to be.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明にかかる、熱可塑
性樹脂を含む基板に配線パターンを形成した配線基板の
製造方法では、前記配線パターンに応じた溝部を前記基
板に形成する溝形成工程と、前記溝部に導電性ペースト
を充填する充填工程とを備えて構成される。
A method of manufacturing a wiring board in which a wiring pattern is formed on a substrate containing a thermoplastic resin according to the present invention includes a groove forming step of forming a groove portion corresponding to the wiring pattern on the substrate. And a filling step of filling the groove portion with a conductive paste.

【0011】特に、溝形成工程は、前記基板の軟化開始
温度以上の温度で前記配線パターンに応じた凸形状を備
えた溝用型を前記基板に押圧することによって形成す
る。
In particular, the groove forming step is performed by pressing a groove die having a convex shape corresponding to the wiring pattern onto the substrate at a temperature equal to or higher than the softening start temperature of the substrate.

【0012】本発明にかかる多層配線基板の製造方法
は、配線パターンに応じた溝部を熱可塑性樹脂を含む基
板に形成する溝形成工程と該溝部に導電性ペーストを充
填する充填工程とを備えて製造される配線基板を複数製
造する配線基板製造工程と、製造された複数の配線基板
を積層する積層工程と、前記基板の軟化開始温度以上の
温度で加熱しながら前記複数の配線基板が互いに圧接さ
れるように加圧することによって前記複数の配線基板を
相互に融着する多層化工程とを備えて構成される。
A method of manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention comprises a groove forming step of forming a groove portion corresponding to a wiring pattern on a substrate containing a thermoplastic resin and a filling step of filling the groove portion with a conductive paste. A wiring board manufacturing step of manufacturing a plurality of wiring boards to be manufactured, a laminating step of laminating a plurality of manufactured wiring boards, and the plurality of wiring boards being pressed against each other while being heated at a temperature equal to or higher than the softening start temperature of the boards. And a multi-layering step of fusing the plurality of wiring boards to each other by applying pressure.

【0013】そして、本発明にかかる多層配線基板は、
熱可塑性樹脂を含む基板の溝部に配線パターンが形成さ
れた配線基板を複数積層し、該複数の配線基板が相互に
融着している。
The multilayer wiring board according to the present invention is
A plurality of wiring boards, each having a wiring pattern formed in a groove portion of a board containing a thermoplastic resin, are stacked, and the plurality of wiring boards are fused to each other.

【0014】また、本発明にかかる配線基板の製造装置
は、熱可塑性樹脂を含む基板を載置する載置台と、配線
パターンに応じた凸形状を備えた溝用型と、前記基板の
軟化開始温度以上の温度で前記溝用型を前記基板に押圧
する加熱押圧手段と、前記加熱押圧手段によって形成さ
れた溝部に導電性ペーストを充填する充填手段とを備え
て構成される。
Also, the wiring board manufacturing apparatus according to the present invention includes a mounting table on which a board containing a thermoplastic resin is mounted, a groove die having a convex shape corresponding to a wiring pattern, and a softening start of the board. A heating and pressing unit that presses the groove mold against the substrate at a temperature equal to or higher than a temperature, and a filling unit that fills the groove formed by the heating and pressing unit with a conductive paste are configured.

【0015】このような構成の配線基板の製造方法、多
層配線基板の製造方法および配線基板の製造装置では、
熱可塑性樹脂に溝部を形成し該溝部に導電性ペーストに
より配線パターンを形成するので、微細かつ高精度の配
線加工ができるだけでなく、機械的強度、耐熱性および
電気的絶縁性に優れ、しかもリサイクルが比較的容易で
ある。
In the wiring board manufacturing method, the multilayer wiring board manufacturing method and the wiring board manufacturing apparatus having the above structure,
Grooves are formed in a thermoplastic resin and wiring patterns are formed in the grooves with a conductive paste, so not only fine and highly precise wiring can be processed, but also mechanical strength, heat resistance and electrical insulation are excellent, and recycling is also possible. Is relatively easy.

【0016】特に、熱可塑性樹脂の物性である軟化開始
温度を利用することで、プレス加工により溝部を形成す
ることができる。
Particularly, by utilizing the softening start temperature which is a physical property of the thermoplastic resin, the groove can be formed by press working.

【0017】そして、上述の多層配線基板は、微細かつ
高精度に配線加工され、機械的強度、耐熱性および電気
的絶縁性に優れ、しかもリサイクルが比較的容易であ
る。
The above-mentioned multilayer wiring board is finely and precisely processed for wiring, is excellent in mechanical strength, heat resistance and electrical insulation, and is relatively easy to recycle.

【0018】なお、軟化開始温度は、樹脂の弾性率が急
激に減少し固い状態から、物体を押圧することによりそ
の物体の形状に従った形状に樹脂が変形可能となる状態
に変化する温度をいい、例えば、基板が熱可塑性樹脂の
みによりなる場合には、ガラス転移温度に一致する。
The softening start temperature is a temperature at which the resin changes from a rigid state in which the elastic modulus of the resin sharply decreases to a state in which the resin can be deformed into a shape according to the shape of the object by pressing the object. That is, for example, when the substrate is made of a thermoplastic resin only, it has a glass transition temperature.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面に基づいて説明する。なお、各図において、同一の
構成については、同一の符号を付す。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In each figure, the same components are designated by the same reference numerals.

【0020】図1は、配線基板の製造方法を説明するた
めの工程図(その1)である。
FIG. 1 is a process diagram (No. 1) for explaining a method of manufacturing a wiring board.

【0021】図2は、配線基板の製造方法を説明するた
めの工程図(その2)である。
FIG. 2 is a process diagram (No. 2) for explaining the method of manufacturing the wiring board.

【0022】図1および図2において、本発明の一実施
形態にかかる配線基板は、図1に示すように基板21の
一方の主面に配線用の溝部24を形成する溝形成工程
と、図2Aに示すように貫通孔(スルーホール)25を
形成する貫通孔形成工程と、図2Bに示すように溝部2
4および貫通孔25に導電性ペースト26を充填した後
に乾燥させる充填工程と、図2Cに示すように溝部24
を形成した配線側の主面を表面精密研磨する研磨工程と
で製造される。(溝形成工程)溝形成工程では、まず、
熱可塑性樹脂の基板21を用意する。熱可塑性樹脂は、
高耐熱性、高強度を有する。本発明は、結晶性樹脂およ
び非晶性樹脂をともに利用することができる。結晶性樹
脂は、ガラス転移点(二次転移点)と融点(一次転移
点)とを持つ樹脂であり、例えば、液晶ポリマー(Liqu
id Crystal Polymer、LCP)、ポリエーテルエーテル
ケトン(Polyetheretherketone、PEEK)、ポリエー
テルニトリル(PEN)、シンジオタクチックポリスチ
レン(SPS)、ポリフェニレンサルファイド(PP
S)などを利用することができる。非晶性樹脂は、ガラ
ス転移点(二次転移点)のみを持つ樹脂であり、例え
ば、ポリアミドイミド(PAI)、ポリアリレート(P
AR)、ポリエーテルスルホン(Polyethersulfone、P
ES)などを利用することができる。また、これらの複
合材料も利用可能である。さらに、配線基板の耐熱変形
温度を高くするという効果を得るために、熱可塑性樹脂
と熱硬化性樹脂とを混合(ブレンド)した複合材料を用
いてもよい。この場合において、熱硬化性樹脂の硬化温
度は、熱可塑性樹脂の融点温度より低いこと、すなわ
ち、(熱可塑性樹脂の融点)≧(熱硬化性樹脂の硬化温
度)が必要である。熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ
樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、フェノール樹脂などを
用いることができる。
1 and 2, a wiring board according to an embodiment of the present invention includes a groove forming step of forming a wiring groove 24 on one main surface of a substrate 21 as shown in FIG. 2A, a through hole forming step of forming a through hole (through hole) 25, and a groove portion 2 as shown in FIG. 2B.
4 and the through holes 25 are filled with the conductive paste 26 and then dried, and the groove portion 24 as shown in FIG. 2C.
It is manufactured by a polishing step of precision-polishing the main surface of the wiring side on which the wiring is formed. (Groove forming step) In the groove forming step, first,
A thermoplastic resin substrate 21 is prepared. The thermoplastic resin is
Has high heat resistance and high strength. The present invention can utilize both crystalline resins and amorphous resins. The crystalline resin is a resin having a glass transition point (secondary transition point) and a melting point (first transition point), and for example, a liquid crystal polymer (Liqu
id Crystal Polymer, LCP), Polyetheretherketone (PEEK), Polyethernitrile (PEN), Syndiotactic Polystyrene (SPS), Polyphenylene sulfide (PP)
S) or the like can be used. The amorphous resin is a resin having only a glass transition point (secondary transition point), and examples thereof include polyamide imide (PAI) and polyarylate (P
AR), Polyethersulfone, P
ES) etc. can be used. In addition, these composite materials can also be used. Further, in order to obtain the effect of increasing the heat resistant deformation temperature of the wiring board, a composite material in which a thermoplastic resin and a thermosetting resin are mixed (blended) may be used. In this case, the curing temperature of the thermosetting resin needs to be lower than the melting point temperature of the thermoplastic resin, that is, (melting point of the thermoplastic resin) ≧ (curing temperature of the thermosetting resin). As the thermosetting resin, for example, an epoxy resin, a thermosetting polyimide resin, a phenol resin or the like can be used.

【0023】基板の厚さは、基板に要求される強度およ
び基板に電子部品を埋め込む場合にはその電子部品の厚
さに応じて決定されるが、例えば、50μm、100μ
m、150μmなどである。
The thickness of the substrate is determined according to the strength required for the substrate and the thickness of the electronic component when the electronic component is embedded in the substrate. For example, the thickness is 50 μm or 100 μm.
m, 150 μm, etc.

【0024】そして、図1Aに示すように、このような
厚みのフィルム状の基板21を剥離シート32を介して
バックアッププレート(プレス台)31に載置する。剥
離シート32は、後述するように、配線回路用の溝部2
4を形成する際に溝用型22が基板21に加熱しながら
押圧されるので、基板21がバックアッププレート31
に付着しないようにするために設けられる。溝用型22
は、配線パターン(溝部24)に対応した凸形状を備
え、例えば、ガラスをエッチング加工したり、金属をエ
ッチング加工または放電加工したりすることによって製
造される次に、図1Bに示すように、形成すべき溝部2
4に対応する部分を凸部23として凸形状にした溝用型
22を加熱しながら基板21にプレス33で押し当て
る。以下に、この加熱温度について説明する。
Then, as shown in FIG. 1A, the film-shaped substrate 21 having such a thickness is placed on the backup plate (press table) 31 via the release sheet 32. The release sheet 32 has a groove portion 2 for a wiring circuit, as will be described later.
Since the groove die 22 is pressed against the substrate 21 while being heated to form the substrate 4, the substrate 21 is moved to the backup plate 31.
It is provided so as not to adhere to the. Groove mold 22
Has a convex shape corresponding to the wiring pattern (groove portion 24), and is manufactured by, for example, etching glass or etching metal or electric discharge machining. Next, as shown in FIG. 1B, Groove 2 to be formed
The groove die 22 having a convex shape with the portion corresponding to 4 as the convex portion 23 is pressed against the substrate 21 by the press 33 while heating. The heating temperature will be described below.

【0025】図4は、非晶性樹脂における温度と弾性率
との関係を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing the relationship between temperature and elastic modulus in the amorphous resin.

【0026】図4に示すように、非晶性樹脂は、低温か
ら高温へ温度を変化させるに従って、弾性率Dが大きく
型を押し当てても型に従って変形しない固い状態から、
弾性率Dが小さく型を押し当てると型に従って変形する
とともに変形後の形状を維持する粘土状の状態へと変化
し、さらに、加熱することにより樹脂自体が分解する。
この固い状態から粘土状の状態へと変化する温度をガラ
ス転移温度Tgと称し、樹脂自体が分解する温度を分解
温度Tdと称する。
As shown in FIG. 4, the amorphous resin has a large elastic modulus D as the temperature is changed from a low temperature to a high temperature, and the amorphous resin is hard to be deformed according to the mold.
When the mold has a small elastic modulus D, it is deformed according to the mold and changes into a clay-like state in which the shape after deformation is maintained, and further the resin is decomposed by heating.
The temperature at which this solid state changes to a clay-like state is called the glass transition temperature Tg, and the temperature at which the resin itself decomposes is called the decomposition temperature Td.

【0027】図5は、結晶性樹脂における温度と弾性率
との関係を示す図である。
FIG. 5 is a graph showing the relationship between temperature and elastic modulus of the crystalline resin.

【0028】図5に示すように、結晶性樹脂は、低温か
ら高温へ温度を変化させるに従って、上述と同様な固い
状態から粘土状の状態へと変化し、さらに、加熱するこ
とにより固体から液体になる。
As shown in FIG. 5, the crystalline resin changes from a solid state to a clay-like state similar to the above as the temperature is changed from a low temperature to a high temperature, and is further heated to change from a solid state to a liquid state. become.

【0029】本実施形態では、配線パターンになる溝部
24は、溝用型22を基板21に押し当てることによっ
て形成されるので、加熱温度は、樹脂が溝用型22に従
って変形する温度である必要がある。このため、加熱温
度は、非晶性樹脂の場合では基板21に使用された非晶
性樹脂のガラス転移温度Tg以上分解温度Td以下に設定
され、結晶性樹脂の場合では基板21に使用された結晶
性樹脂のガラス転移温度Tg以上融点Tm以下に設定され
る。そして、圧力の大きさは、この加熱温度における熱
可塑性樹脂の弾性率に応じて決定される。
In the present embodiment, since the groove portion 24 forming the wiring pattern is formed by pressing the groove die 22 against the substrate 21, the heating temperature needs to be a temperature at which the resin is deformed according to the groove die 22. There is. Therefore, the heating temperature is set to the glass transition temperature Tg or higher and the decomposition temperature Td or lower of the amorphous resin used for the substrate 21 in the case of the amorphous resin, and used for the substrate 21 in the case of the crystalline resin. The glass transition temperature of the crystalline resin is set to Tg or higher and melting point Tm or lower. The magnitude of pressure is determined according to the elastic modulus of the thermoplastic resin at this heating temperature.

【0030】この加熱温度にすることより、熱可塑性樹
脂は、軟化し、溝用型21が押し当てられることによ
り、溝用型21の凸部23が熱可塑性樹脂にめり込む。
When the heating temperature is reached, the thermoplastic resin is softened, and the groove mold 21 is pressed against the groove 23, so that the projections 23 of the groove mold 21 are embedded in the thermoplastic resin.

【0031】そして、図1Cに示すように、溝用型22
の凸部23のみが基板21に埋没する位置で押圧および
加熱を停止し、冷却する。凸部23を抜いても溝部24
の形状が維持されるようにするために基板21の温度が
ガラス転移温度Tgより低い温度になった後に溝用型2
2を抜き、基板21に溝部24を形成する。
Then, as shown in FIG. 1C, the groove mold 22 is used.
The pressing and heating are stopped and cooled at a position where only the convex portion 23 is embedded in the substrate 21. Groove 24 even if protrusion 23 is removed
In order to maintain the shape of the groove 21 after the temperature of the substrate 21 becomes lower than the glass transition temperature Tg.
2 is removed to form a groove 24 in the substrate 21.

【0032】本実施形態では、溝部24がこのように形
成されるので、基板21は、或る温度を境界に型を押し
当てると型に従って変形する状態にすることができる材
料である必要がある。
In the present embodiment, since the groove 24 is formed in this way, the substrate 21 needs to be a material that can be deformed according to the mold when the mold is pressed against a boundary at a certain temperature. .

【0033】なお、溝部24は、形成すべき溝部24に
対応する部分を開口したマスクを基板21上に載置し
て、サンドブラストによりこの開口部の樹脂を削ること
で形成してもよい。このような加熱プレス加工またはマ
スクを用いたサンドブラストによる溝形成は、短時間で
溝部24を形成することができるので、大量生産する際
に好都合である。
The groove 24 may be formed by placing a mask having an opening corresponding to the groove 24 to be formed on the substrate 21 and sandblasting the resin in the opening. Groove formation by such heat press working or sandblasting using a mask can form the groove portion 24 in a short time, which is convenient for mass production.

【0034】あるいは、溝部24は、配線パターンに沿
ってエンドミル、サンドブラストまたはレーザ光をNC
制御することで加工してもよい。これらの加工方法で
は、配線パターンの設計データ(CADデータ)を利用
してNC制御を行うことができるので、配線パターンの
設計完了後直ちにNC制御加工が可能であり、短期納品
・少量生産に好適である。
Alternatively, the groove 24 is NC along with an end mill, sandblast or laser light along the wiring pattern.
You may process it by controlling. In these processing methods, since NC control can be performed using the wiring pattern design data (CAD data), NC control processing can be performed immediately after the wiring pattern design is completed, which is suitable for short-term delivery and small-quantity production. Is.

【0035】以上の溝形成工程における溝形成方法は、
何れもドライな環境で行うことができ、従来の工程のよ
うにエッチング液を使用するウェットな工程がない。そ
のため、環境汚染を抑制することができる。 (貫通孔形成工程)図2Aにおいて、貫通孔形成工程
は、一般的なプリント配線板への穴加工と同様であり、
貫通孔25を形成すべき位置にドリル、サンドブラスト
またはレーザ光でNC制御により加工する。
The groove forming method in the above groove forming step is as follows.
Both can be performed in a dry environment, and there is no wet process using an etching solution unlike the conventional process. Therefore, environmental pollution can be suppressed. (Through Hole Forming Step) In FIG. 2A, the through hole forming step is the same as the general hole processing on a printed wiring board.
The position where the through hole 25 is to be formed is processed by NC control with a drill, sandblast, or laser light.

【0036】なお、溝形成と貫通孔形成とを同一の手
段、例えば、サンドブラストやレーザ光で加工する場合
には、溝形成工程中において貫通孔25を形成すること
もできる。 (充填工程)図2Bにおいて、基板21の溝部24およ
び貫通孔25の部分には、導電材料である導電性ペース
ト26が、樹脂製板状体であるスキージ34を移動する
ことによって充填されるとともに、基板21表面の部分
では、導電性ペーストが、スキージ34により掻き取ら
れる。導電性ペースト26は、熱可塑性樹脂をバインダ
ーとして、導電材料であるカーボンや金属(銅、金、銀
など)などの粉末を練り混んで製造される。ここで、こ
の導電性ペースト26の熱可塑性樹脂は、融点Tm(ま
たは分解温度Td)が基板の熱可塑性樹脂の融点Tm(ま
たは分解温度Td)以下であることが望ましい。導電性
ペースト26は、常温においても柔らかな粘度とする観
点から溶剤により希釈される。
When the groove and the through hole are formed by the same means, for example, sandblasting or laser light, the through hole 25 can be formed during the groove forming step. (Filling Step) In FIG. 2B, the groove 24 and the through hole 25 of the substrate 21 are filled with the conductive paste 26 that is a conductive material by moving the squeegee 34 that is a resin plate-shaped body. The conductive paste is scraped off by the squeegee 34 on the surface of the substrate 21. The conductive paste 26 is manufactured by kneading and mixing powders of conductive materials such as carbon and metal (copper, gold, silver, etc.) using a thermoplastic resin as a binder. Here, it is desirable that the thermoplastic resin of the conductive paste 26 has a melting point Tm (or decomposition temperature Td) equal to or lower than the melting point Tm (or decomposition temperature Td) of the thermoplastic resin of the substrate. The conductive paste 26 is diluted with a solvent from the viewpoint of having a soft viscosity even at room temperature.

【0037】そして、導電性ペースト26を加熱処理で
乾燥・硬化することによって配線回路が形成される。
A wiring circuit is formed by drying and curing the conductive paste 26 by heat treatment.

【0038】なお、導電性ペースト26の代わりに、微
細な金属粒子(例えば、銀粉)を溶剤に分散させた金属
ペーストを用いても良い。
Instead of the conductive paste 26, a metal paste in which fine metal particles (for example, silver powder) are dispersed in a solvent may be used.

【0039】また、上述では、スキージ34により導電
性ペースト26の充填および掻き取りを行ったが、例え
ば、導電性ペースト26を噴出するノズルを噴出しなが
ら溝部24および貫通孔25に沿って移動させ、これら
に導電性ペースト26を充填するようにしてもよい。こ
の場合に、噴出しノズルは、一つの溝部24および貫通
孔25に充填するようにニードル状の、あるいは複数の
溝部24および貫通孔25に充填するようにスリット状
の開口部を持つノズルを利用することができる。 (研磨工程)図2Cに示すように、研磨工程では、充填
工程のスキージングが良好であるとそれだけで配線が形
成され配線間もきれいにできる場合もあるが、多くの場
合、高信頼性を確保する観点から、表面のコンタミ層
(残存した導電性ペースト26の層)を研磨ローラ35
で研磨することで除去する。
In the above description, the conductive paste 26 is filled and scraped by the squeegee 34. However, for example, the conductive paste 26 is moved along the groove 24 and the through hole 25 while ejecting the nozzle ejecting the conductive paste 26. Alternatively, these may be filled with the conductive paste 26. In this case, as the ejection nozzle, a nozzle having a needle-like shape so as to fill one groove portion 24 and the through hole 25, or a nozzle having a slit-like opening portion so as to fill a plurality of groove portions 24 and the through hole 25 is used. can do. (Polishing step) As shown in FIG. 2C, in the polishing step, if the squeegee in the filling step is good, the wiring may be formed by itself and the space between the wirings may be cleaned, but in many cases, high reliability is ensured. From the viewpoint of controlling the contamination layer on the surface (the remaining layer of the conductive paste 26), the polishing roller 35 is used.
Remove by polishing with.

【0040】表面研磨することにより、図2Dに示すよ
うに、基板の厚さが1μmのオーダーで仕上がり、基板
の主面を平坦とすることができ、また、配線回路の線幅
・厚みもほとんどバラツキのない高精度の仕上がりとな
る。
By surface polishing, as shown in FIG. 2D, the thickness of the substrate is finished in the order of 1 μm, the main surface of the substrate can be made flat, and the line width and thickness of the wiring circuit are almost the same. Highly accurate finish with no variation.

【0041】以上の工程により、図2Eに示すような配
線基板10-aが形成される。
Through the above steps, the wiring board 10-a as shown in FIG. 2E is formed.

【0042】このように熱可塑性樹脂の基板21に配線
用の溝部24を形成し、この溝部24に導電性ペースト
26を充填することによって配線基板10-aを形成する
ことができるが、電子部品をはんだ接合し易くする観点
から、配線基板10-aにさらに電極ランドを形成しても
よい。
Thus, the wiring board 10-a can be formed by forming the wiring groove 24 in the thermoplastic resin substrate 21 and filling the groove 24 with the conductive paste 26. From the viewpoint of facilitating soldering of the wiring, electrode lands may be further formed on the wiring board 10-a.

【0043】次に、配線基板10-aに電極ランドを形成
する電極ランド形成工程について説明する。 (電極ランド形成工程)図3は、電極ランドを形成する
形成方法を説明するための工程図である。
Next, an electrode land forming process for forming electrode lands on the wiring board 10-a will be described. (Electrode Land Forming Step) FIG. 3 is a process diagram for explaining a forming method for forming an electrode land.

【0044】電極ランド形成工程では、図2Dに続け
て、図3Aに示すように、導電性ペースト26により配
線回路が形成された配線基板10-a上に金属箔28を積
層する。金属箔28は、例えば、はんだ付けのし易さ、
耐久性およびコストなどの観点から銅箔や鉄・ニッケル
を主成分とした合金箔などが用いられ、その厚みは5〜
35μmである。
In the electrode land forming step, as shown in FIG. 3A, a metal foil 28 is laminated on the wiring substrate 10-a on which the wiring circuit is formed by the conductive paste 26, as shown in FIG. 3A. The metal foil 28 is, for example, easy to solder,
From the viewpoint of durability and cost, copper foil and alloy foil mainly composed of iron and nickel are used, and the thickness is 5 to 5.
It is 35 μm.

【0045】次に、図3Bに示すように、電極ランド2
9となる部分に対応して凸部が形成された電極ランド用
型36を配線基板10-aに押し当て、図3Cに示すよう
に、電極ランド29となる部分にのみ金属箔28を配線
基板10-aに埋め込む。
Next, as shown in FIG. 3B, the electrode land 2
9 is pressed against the wiring board 10-a, and the metal foil 28 is provided only on the portion to be the electrode land 29 as shown in FIG. 3C. Embedded in 10-a.

【0046】この電極ランド用型36を押圧する際に
は、電極ランド用型36の温度を少なくとも導電性ペー
スト26の融点よりも高い温度に加熱し、導電性ペース
ト26の融点よりも低い温度に電極ランド用型36の温
度を下げた後、電極ランド用型36を開放する。これに
より金属箔28の電極ランド29を綺麗に配線基板10
-aに埋め込むことができる。
When pressing the electrode land mold 36, the temperature of the electrode land mold 36 is heated to a temperature at least higher than the melting point of the conductive paste 26, and is lowered to a temperature lower than the melting point of the conductive paste 26. After lowering the temperature of the electrode land mold 36, the electrode land mold 36 is opened. As a result, the electrode lands 29 of the metal foil 28 can be cleaned cleanly.
Can be embedded in -a.

【0047】このようにして、配線基板10-aから、図
3Dに示すような電極ランド29を備えた配線基板10
-bが形成される。
In this way, the wiring board 10-a is provided with the electrode lands 29 as shown in FIG. 3D.
-b is formed.

【0048】次に、このように形成された配線基板10
-a、10-bに電子部品を実装する場合について説明す
る。 (第1の実装配線基板)第1の実装配線基板は、配線回
路が形成されている基板面と対向する基板面に電子部品
を実装する実施形態である。
Next, the wiring board 10 thus formed
A case where electronic components are mounted on -a and 10-b will be described. (First Mounted Wiring Board) The first mounted wiring board is an embodiment in which electronic components are mounted on a board surface opposite to a board surface on which wiring circuits are formed.

【0049】図6は、電子部品を実装する第1の実装方
法を説明するための工程図である。
FIG. 6 is a process chart for explaining a first mounting method for mounting an electronic component.

【0050】電子部品41は、配線回路が形成されてい
る基板面と対向する基板面上に実装すべき位置に合わせ
て載せられる。この際において、特に、図6Aに示すよ
うに、配線パターンと電気的な導通を図るために、導電
性ペースト26が充填されている貫通孔25と電子部品
41の電極とが相互に合わせられる。
The electronic component 41 is placed on the board surface opposite to the board surface on which the wiring circuit is formed in accordance with the position to be mounted. At this time, in particular, as shown in FIG. 6A, the through hole 25 filled with the conductive paste 26 and the electrode of the electronic component 41 are aligned with each other in order to achieve electrical conduction with the wiring pattern.

【0051】そして、図6Bに示すように、電子部品4
1を加熱しながら押圧することによって、電子部品41
の電極を貫通孔25の導電性ペースト内に挿入させ、さ
らに、電子部品41と配線基板10-cとの接合面を熱圧
着させる。
Then, as shown in FIG. 6B, the electronic component 4
By pressing 1 while heating, electronic component 41
The electrode is inserted into the conductive paste of the through hole 25, and the joint surface between the electronic component 41 and the wiring board 10-c is thermocompression bonded.

【0052】したがって、電子部品41の電極の先端
は、鋭角であることが好ましい。そして、加熱温度は、
図4および図5を用いて説明したように、配線基板10
-cが非晶性樹脂の場合ではガラス転移温度Tg以上分解
温度Td以下に設定され、結晶性樹脂の場合ではガラス
転移温度Tg以上融点Tm以下に設定される。なお、この
加熱温度は、一般に電子部品を熱破壊させる温度に比較
して充分低い温度である。また、圧力は、電子部品41
における電極の数および大きさならびに貫通孔25の導
電性ペースト26によって決定される。
Therefore, it is preferable that the tip of the electrode of the electronic component 41 has an acute angle. And the heating temperature is
As described with reference to FIGS. 4 and 5, the wiring board 10
When -c is an amorphous resin, it is set to a glass transition temperature Tg or higher and a decomposition temperature Td or lower, and when it is a crystalline resin, it is set to a glass transition temperature Tg or higher and a melting point Tm or lower. The heating temperature is generally sufficiently lower than the temperature at which electronic components are thermally destroyed. Further, the pressure is the electronic component 41.
It is determined by the number and size of the electrodes and the conductive paste 26 of the through holes 25.

【0053】例えば、電子部品41がICチップの場合
には電極は、バンプ電極であり、このバンプ電極の直径
が100μmである場合には貫通孔25は略120μm
である。そして、圧力は、例えば、一電極端子当たり約
10g荷重となるように設定される。
For example, when the electronic component 41 is an IC chip, the electrode is a bump electrode, and when the diameter of the bump electrode is 100 μm, the through hole 25 is approximately 120 μm.
Is. Then, the pressure is set to be, for example, about 10 g load per electrode terminal.

【0054】その後、少なくともガラス転移温度Tg以
下まで冷却して、図6Cに示すような配線基板10-cに
電子部品41を実装した実装配線基板11-aが製造され
る。(第2の実装配線基板)第1の実装配線基板11-a
は、配線基板10-cの面上に電子部品41が搭載される
ため、電子部品41の厚さ分だけ実装配線基板11-aの
厚さが増すことになる。このため、後述される多層配線
基板を形成する場合に電子部品41の厚さ分だけスペー
サが必要となる。そこで、第2の実装配線基板11-b
は、電子部品41が実装される、配線基板10-cの部分
に電子部品41用の凹部を形成し、この凹部に電子部品
41を埋め込む実施形態である。
After that, it is cooled to at least the glass transition temperature Tg or lower, and the mounted wiring board 11-a in which the electronic component 41 is mounted on the wiring board 10-c as shown in FIG. 6C is manufactured. (Second Mounted Wiring Board) First Mounted Wiring Board 11-a
Since the electronic component 41 is mounted on the surface of the wiring board 10-c, the thickness of the mounted wiring board 11-a is increased by the thickness of the electronic component 41. For this reason, when forming a multilayer wiring board which will be described later, spacers are required by the thickness of the electronic component 41. Therefore, the second mounting wiring board 11-b
Is an embodiment in which a recess for the electronic component 41 is formed in the portion of the wiring board 10-c on which the electronic component 41 is mounted, and the electronic component 41 is embedded in the recess.

【0055】図7は、電子部品を実装する第2の実装方
法を説明するための工程図である。
FIG. 7 is a process chart for explaining a second mounting method for mounting an electronic component.

【0056】電子部品41を埋め込むための凹部38を
形成した配線基板10-dは、溝部24を形成する溝形成
工程でこの凹部38を形成する。すなわち、溝形成工程
において、この凹部38を形成するための凸部を形成し
た凹部用型を剥離シート32の代わりにバックアッププ
レート31に載置して、加熱・押圧の際に溝用型22と
この凹部用型とで基板21を挟むことで、溝部24の形
成と同時に凹部を形成する。凹部38の形状は、電子部
品41の外形と略同一あるいは一回り大きい外形とし、
深さは、電子部品41の厚さと略同一あるいはより深く
する。例えば、電子部品41が大きさ□5mmで厚さ5
0μmの半導体チップである場合には、凹部38は、大
きさ□5.1mmで深さ55μmとされた。
In the wiring board 10-d having the recess 38 for embedding the electronic component 41, the recess 38 is formed in the groove forming step for forming the groove 24. That is, in the groove forming step, the recess mold having the protrusion for forming the recess 38 is placed on the backup plate 31 instead of the release sheet 32, and the groove mold 22 and the groove mold 22 are used during heating and pressing. By sandwiching the substrate 21 with the recess mold, the recess is formed at the same time when the groove 24 is formed. The shape of the recess 38 is substantially the same as or slightly larger than the outer shape of the electronic component 41,
The depth is substantially equal to or deeper than the thickness of the electronic component 41. For example, the electronic component 41 has a size of □ 5 mm and a thickness of 5
In the case of a 0 μm semiconductor chip, the recess 38 had a size of 5.1 mm and a depth of 55 μm.

【0057】電子部品41は、このように形成された配
線基板10-dの凹部38に収容される。この際におい
て、特に、図7Aに示すように、電子部品41の電極と
導電性ペースト26が充填されている貫通孔25とが相
互に合わせられる。
The electronic component 41 is housed in the recess 38 of the wiring board 10-d thus formed. At this time, in particular, as shown in FIG. 7A, the electrodes of the electronic component 41 and the through holes 25 filled with the conductive paste 26 are aligned with each other.

【0058】そして、図7Bに示すように、電子部品4
1を所定の温度で加熱しながら押圧することによって、
電子部品41の電極を貫通孔25の導電性ペースト内に
挿入させ、さらに、電子部品41と配線基板10-dとの
接合面を熱圧着させる。
Then, as shown in FIG. 7B, the electronic component 4
By pressing 1 while heating at a predetermined temperature,
The electrode of the electronic component 41 is inserted into the conductive paste of the through hole 25, and the joint surface between the electronic component 41 and the wiring board 10-d is thermocompression bonded.

【0059】その後、少なくともガラス転移温度Tg以
下まで冷却して、図7Cに示すような配線基板10-dの
外周面から電子部品41が突出することのない、配線基
板10-dに電子部品41を実装した実装配線基板11-b
が製造される。
Thereafter, the electronic component 41 is cooled to at least the glass transition temperature Tg or lower so that the electronic component 41 does not project from the outer peripheral surface of the wiring substrate 10-d as shown in FIG. 7C. Mounted wiring board 11-b
Is manufactured.

【0060】なお、上述の第1および第2の実装配線基
板11-a、11-bでは、電子部品41は、1個の場合に
ついて説明したが、もちろん、複数個の電子部品41を
実装することも可能である。特に、第2の実装配線基板
の場合では、実装する電子部品41の個数に合わせて凹
部を形成することで実装配線基板を製造する。また、上
述の第1および第2の実装配線基板11-a、11-bで
は、基板21の主面に配線パターンを有効に配置するた
めに、電子部品41を配線回路が形成されている基板面
と対向する基板面に実装したが、電子部品41を配線回
路が形成されている基板面に実装してもよい。
In the above-described first and second mounting wiring boards 11-a and 11-b, the case where the number of electronic components 41 is one has been described, but of course, a plurality of electronic components 41 are mounted. It is also possible. Particularly, in the case of the second mounted wiring board, the mounted wiring board is manufactured by forming the recesses according to the number of electronic components 41 to be mounted. Further, in the above-mentioned first and second mounting wiring boards 11-a and 11-b, in order to effectively arrange the wiring pattern on the main surface of the board 21, the board on which the electronic component 41 is formed with the wiring circuit is formed. Although it is mounted on the surface of the substrate opposite to the surface, the electronic component 41 may be mounted on the surface of the substrate on which the wiring circuit is formed.

【0061】次に、これら配線基板10-a、10-bや実
装配線基板11-a、11-bを積層して多層配線基板を製
造する製造工程について説明する。
Next, the manufacturing process for manufacturing the multilayer wiring board by laminating the wiring boards 10-a and 10-b and the mounting wiring boards 11-a and 11-b will be described.

【0062】ここで、多層配線基板の説明において、各
層を成す配線基板10-a、10-bや実装配線基板11-
a、11-bの各配線基板を「ユニット基板」と称するこ
ととする。 (第1の多層配線基板)第1の多層配線基板50は、配
線基板10のみを複数枚積層し熱融着することによって
製造される配線基板である。
Here, in the description of the multilayer wiring board, the wiring boards 10-a and 10-b and the mounting wiring board 11-that form each layer are formed.
Each of the wiring boards a and 11-b is referred to as a "unit board". (First Multilayer Wiring Board) The first multilayer wiring board 50 is a wiring board manufactured by laminating only a plurality of wiring boards 10 and heat-sealing them.

【0063】図8は、第1の多層配線基板の製造方法を
説明するための図である。
FIG. 8 is a diagram for explaining a method of manufacturing the first multilayer wiring board.

【0064】図8Aにおいて、第1の多層配線基板50
は、まず、バックアッププレート上に剥離シートを介し
てユニット基板60-bを載置する。次に、積層すべき順
に従ってユニット基板60-b上に順にユニット基板60
-a3、配線基板60-a2そして配線基板60-a1が積層さ
れる。ここで、本実施形態では、ユニット基板60-a1
〜60-a3は、配線基板10-aであり、ユニット基板6
0-bは、電極ランドを備えた配線基板10-bである。な
お、各ユニット基板60すべてを配線基板10-aとして
もよい。
In FIG. 8A, the first multilayer wiring board 50
First, the unit substrate 60-b is placed on the backup plate via the release sheet. Next, the unit substrates 60-b are sequentially stacked on the unit substrates 60-b in the order in which they are to be stacked.
-a3, the wiring board 60-a2, and the wiring board 60-a1 are stacked. Here, in the present embodiment, the unit substrate 60-a1
60-a3 are wiring boards 10-a and unit boards 6
Reference numeral 0-b is a wiring board 10-b provided with electrode lands. Note that all the unit boards 60 may be the wiring board 10-a.

【0065】次に、各ユニット基板60を相互に位置を
合わせる。この場合において、各ユニット基板60に位
置決め用の貫通孔56を少なくとも2箇所開ける。位置
決め用の貫通孔56は、前述の貫通孔形成工程で開け、
充填工程の際で位置決め用の貫通孔56には導電性ペー
スト26を充填しないことで形成する。そして、この位
置決め用の貫通孔56にピン57を通すことにより各ユ
ニット基板60を相互に位置を合わせる。
Next, the unit boards 60 are aligned with each other. In this case, at least two through holes 56 for positioning are formed in each unit substrate 60. The through hole 56 for positioning is opened in the through hole forming step described above,
The through holes 56 for positioning are formed by not filling the conductive paste 26 in the filling step. Then, the unit boards 60 are aligned with each other by inserting the pins 57 into the positioning through holes 56.

【0066】次に、各ユニット基板60を加熱しながら
ユニット基板60-a1を押圧することによって、各ユニ
ット基板60の接合面をそれぞれ熱融着させる。
Next, the unit substrates 60-a1 are pressed while heating the unit substrates 60 to heat-bond the joint surfaces of the unit substrates 60, respectively.

【0067】加熱温度は、図4および図5を用いて説明
したように、ユニット基板60が非晶性樹脂の場合では
ガラス転移温度Tg以上分解温度Td以下に設定され、結
晶性樹脂の場合ではガラス転移温度Tg以上融点Tm以下
に設定される。また、圧力は、積層されるユニット基板
60の枚数、厚さおよび基板21の材料などに応じて決
定される。例えば、各ユニット基板60の基板21にP
EEKを用いた場合には、圧力50N/cm、温度3
30℃、加熱・加圧保持時間30分の条件で、層間のク
ラックや導通不良などがない積層状態が良好な多層配線
基板50が得られた。
As described with reference to FIGS. 4 and 5, the heating temperature is set to the glass transition temperature Tg or higher and the decomposition temperature Td or lower when the unit substrate 60 is the amorphous resin, and is set to the crystalline resin when the unit substrate 60 is the crystalline resin. The glass transition temperature Tg or higher and the melting point Tm or lower are set. The pressure is determined according to the number and thickness of the unit boards 60 to be stacked, the material of the board 21, and the like. For example, P on the substrate 21 of each unit substrate 60
When using EEK, pressure 50 N / cm 2 , temperature 3
Under the conditions of 30 ° C. and heating / pressurizing holding time of 30 minutes, the multilayer wiring board 50 having a good laminated state without cracks between layers or poor conduction was obtained.

【0068】このようにしてその断面が図8Bに示すよ
うな第1の多層配線基板50が製造される。 (第2の多層配線基板)第2の多層配線基板51は、第
1の多層配線基板50を構成する各ユニット基板60の
一つに実装配線基板11-bを用いた多層配線基板であ
る。
Thus, the first multilayer wiring board 50 whose cross section is shown in FIG. 8B is manufactured. (Second Multilayer Wiring Board) The second multilayer wiring board 51 is a multilayer wiring board in which the mounting wiring board 11-b is used as one of the unit boards 60 constituting the first multilayer wiring board 50.

【0069】図9は、第2の多層配線基板の製造方法を
説明するための図である。
FIG. 9 is a diagram for explaining a method of manufacturing the second multilayer wiring board.

【0070】図9Aにおいて、第2の多層配線基板51
は、第1の多層配線基板50の製造方法においてユニッ
ト基板60-a3の代わりに電子部品を凹部に実装したユ
ニット基板61-bを用いること以外は、図8Aを用いて
説明した第1の多層配線基板50の製造方法と同様にし
て、その断面が図9Bに示すように製造される。
In FIG. 9A, the second multilayer wiring board 51
8A except that in the method of manufacturing the first multilayer wiring board 50, a unit board 61-b having electronic components mounted in recesses is used instead of the unit board 60-a3, the first multilayer board described with reference to FIG. 8A is used. Similar to the method of manufacturing the wiring board 50, its cross section is manufactured as shown in FIG. 9B.

【0071】なお、図9Bに示すように多層配線基板5
1内に収容された電子部品41は、その一主面を導電性
ペースト26によって形成された配線パターンに接触す
ることにより外部からアース(接地)を取り易くするこ
とができる。 (第3の多層配線基板)第3の多層配線基板52は、第
2の多層配線基板51を構成する実装配線基板11-bの
代わりに実装配線基板11-aを用いた多層配線基板であ
る。すなわち、実装配線基板11-aは、電子部品41が
厚さ分だけ配線基板11-aの主面より突出しているの
で、積層する場合には、この厚さを補うスペーサ基板を
用いる。
As shown in FIG. 9B, the multilayer wiring board 5
The electronic component 41 housed in the unit 1 can be easily grounded from the outside by contacting one main surface with the wiring pattern formed by the conductive paste 26. (Third Multilayer Wiring Board) The third multilayer wiring board 52 is a multilayer wiring board using the mounting wiring board 11-a instead of the mounting wiring board 11-b forming the second multilayer wiring board 51. . That is, in the mounted wiring board 11-a, since the electronic component 41 projects from the main surface of the wiring board 11-a by the thickness, a spacer substrate that compensates for this thickness is used when stacking.

【0072】図10は、第3の多層配線基板の製造方法
を説明するための図である。
FIG. 10 is a diagram for explaining a method of manufacturing the third multilayer wiring board.

【0073】図10A 第3の多層配線基板52は、ま
ず、バックアッププレート上に剥離シートを介してユニ
ット基板60-bを載置する。次に、ユニット基板60-b
上に電子部品を実装したユニット基板61-aを積層し、
電子部品41の厚さを補償するためにスペーサ基板62
を積層する。次に、積層すべき順に従ってスペーサ基板
62上に順に配線基板60-a2および配線基板60-a1が
積層される。
FIG. 10A In the third multilayer wiring substrate 52, first, the unit substrate 60-b is placed on the backup plate via the release sheet. Next, the unit board 60-b
Unit board 61-a on which electronic parts are mounted is stacked,
A spacer substrate 62 for compensating the thickness of the electronic component 41.
Are stacked. Next, the wiring substrate 60-a2 and the wiring substrate 60-a1 are sequentially laminated on the spacer substrate 62 in the order of lamination.

【0074】ここで、スペーサ基板62は、ユニット基
板61-aに実装された電子部品41の位置に対応した位
置に電子部品41の外形と略同一あるいは一回り大きい
外形の大きさの開口部を備え、厚さが電子部品41の厚
さと略同一あるいはより厚い。例えば、電子部品41が
大きさ□5mmで厚さ50μmの半導体チップである場
合には、開口部は、大きさ□5.1mmで、スペーサ基
板62は、厚さ55μmとされた。
Here, the spacer substrate 62 has an opening having a size substantially equal to or slightly larger than the outer shape of the electronic component 41 at a position corresponding to the position of the electronic component 41 mounted on the unit substrate 61-a. The thickness of the electronic component 41 is substantially the same as or thicker than that of the electronic component 41. For example, when the electronic component 41 is a semiconductor chip having a size of 5 mm and a thickness of 50 μm, the opening has a size of 5.1 mm and the spacer substrate 62 has a thickness of 55 μm.

【0075】次に、第1の多層配線基板50の場合と同
様に、位置合わせ、加熱・押圧、冷却が行われ、各ユニ
ット基板60〜62の接合面をそれぞれ熱融着させた、
その断面が図10Bに示すような第3の多層配線基板5
2が製造される。
Next, as in the case of the first multilayer wiring board 50, alignment, heating / pressing, and cooling are performed to heat-bond the joint surfaces of the unit boards 60 to 62, respectively.
Third multilayer wiring board 5 whose cross section is as shown in FIG. 10B
2 is produced.

【0076】なお、第1ないし第3の多層配線基板50
〜52では、各ユニット基板60のうちで外周面になる
一方に電極ランドを備える配線基板10-bを用いたが、
外周面の両面に配線基板10-bを用いてもよいし、ま
た、外周面の両面に配線基板10-aを用いるようにして
もよい。
The first to third multilayer wiring boards 50 are provided.
In 52 to 52, the wiring board 10-b including the electrode land on one of the unit boards 60, which is the outer peripheral surface, is used.
The wiring boards 10-b may be used on both sides of the outer peripheral surface, or the wiring boards 10-a may be used on both sides of the outer peripheral surface.

【0077】[0077]

【発明の効果】以上のように本発明にかかる配線基板の
製造方法、多層配線基板の製造方法および配線基板の製
造装置では、熱可塑性樹脂に溝部を形成し該溝部に導電
性ペーストにより配線パターンを形成するので、微細か
つ高精度の配線加工ができるだけでなく、機械的強度、
耐熱性および電気的絶縁性に優れ、しかもリサイクルが
比較的容易である。
As described above, in the method for manufacturing a wiring board, the method for manufacturing a multilayer wiring board, and the apparatus for manufacturing a wiring board according to the present invention, a groove portion is formed in a thermoplastic resin and a wiring pattern is formed in the groove portion with a conductive paste. As a result, the fine and highly accurate wiring process can be performed, and the mechanical strength,
It has excellent heat resistance and electrical insulation, and is relatively easy to recycle.

【0078】そして、本発明にかかる多層配線基板は、
微細かつ高精度に配線加工され、機械的強度、耐熱性お
よび電気的絶縁性に優れ、しかもリサイクルが比較的容
易である。
The multilayer wiring board according to the present invention is
The wiring is fine and highly precise, has excellent mechanical strength, heat resistance, and electrical insulation, and is relatively easy to recycle.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】配線基板の製造方法を説明するための工程図
(その1)である。
FIG. 1 is a process diagram (1) for explaining a method of manufacturing a wiring board.

【図2】配線基板の製造方法を説明するための工程図
(その2)である。
FIG. 2 is a process diagram (No. 2) for explaining the method of manufacturing the wiring board.

【図3】配線基板の製造方法を説明するための工程図
(その3)である。
FIG. 3 is a process drawing (3) for explaining the method of manufacturing the wiring board.

【図4】非晶性樹脂における温度と弾性率との関係を示
す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a relationship between temperature and elastic modulus in an amorphous resin.

【図5】結晶性樹脂における温度と弾性率との関係を示
す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a relationship between temperature and elastic modulus in a crystalline resin.

【図6】電子部品を実装する第1の実装方法を説明する
ための工程図である。
FIG. 6 is a process chart for explaining a first mounting method for mounting an electronic component.

【図7】電子部品を実装する第2の実装方法を説明する
ための工程図である。
FIG. 7 is a process chart for explaining a second mounting method for mounting an electronic component.

【図8】第1の多層配線基板の製造方法を説明するため
の図である。
FIG. 8 is a drawing for explaining the manufacturing method of the first multilayer wiring board.

【図9】第2の多層配線基板の製造方法を説明するため
の図である。
FIG. 9 is a drawing for explaining the manufacturing method of the second multilayer wiring board.

【図10】第3の多層配線基板の製造方法を説明するた
めの図である。
FIG. 10 is a drawing for explaining the manufacturing method of the third multilayer wiring board.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 配線基板 11 実装配線基板 21 基板 22 溝用型 23 凸部 24 溝部 25 貫通孔 26 導電性ペースト 27 配線パターン 29 電極ランド 33 プレス 34 スキージ 10 wiring board 11 Mounted wiring board 21 board 22 Groove type 23 Convex part 24 groove 25 through holes 26 Conductive paste 27 wiring pattern 29 electrode land 33 Press 34 Squeegee

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/46 H05K 3/46 G N Q (72)発明者 和泉 真浩 東京都品川区東五反田2丁目17番1号 ソ ニーイーエムシーエス株式会社内 Fターム(参考) 5E317 AA24 BB01 BB02 BB03 BB12 BB13 BB14 BB15 CC17 CD01 CD32 CD34 GG01 GG14 5E336 AA04 AA05 AA08 BB15 BC04 BC25 BC26 CC32 CC55 DD02 EE05 GG30 5E343 AA07 AA16 AA17 BB02 BB23 BB24 BB25 BB43 BB44 BB67 BB72 BB78 DD02 DD13 EE33 ER32 FF23 GG08 GG16 GG20 5E346 AA32 AA43 CC08 CC32 CC37 CC38 CC39 DD02 DD12 DD13 DD50 EE03 EE08 FF18 GG15 HH18 HH26 HH40 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H05K 3/46 H05K 3/46 GN Q (72) Inventor Masahiro Izumi 2-17, Higashigotanda, Shinagawa-ku, Tokyo No. 1 F term in Sony EMCS Co., Ltd. (reference) 5E317 AA24 BB01 BB02 BB03 BB12 BB13 BB14 BB15 CC17 CD01 CD32 CD34 GG01 GG14 5E336 AA04 AA05 AA08 BB15 BC04 BC25 BC26 CC32 CC55 DD02 EE05 A07 BB30A02 BB30 A02 BB25 BB43 BB44 BB67 BB72 BB78 DD02 DD13 EE33 ER32 FF23 GG08 GG16 GG20 5E346 AA32 AA43 CC08 CC32 CC37 CC38 CC39 DD02 DD12 DD13 DD50 EE03 EE08 FF18 GG15 HH18 HH26 HH40

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 熱可塑性樹脂を含む基板に配線パターン
を形成した配線基板の製造方法において、 前記配線パターンに応じた溝部を前記基板に形成する溝
形成工程と、 前記溝部に導電性ペーストを充填する充填工程とを備え
ることを特徴とする配線基板の製造方法。
1. A method of manufacturing a wiring board in which a wiring pattern is formed on a substrate containing a thermoplastic resin, a groove forming step of forming a groove portion corresponding to the wiring pattern on the substrate, and filling the groove portion with a conductive paste. And a filling step for filling the wiring board.
【請求項2】 前記充填工程の少なくとも前に、前記基
板を貫通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程をさらに
備えることを特徴とする請求項1に記載の配線基板の製
造方法。
2. The method of manufacturing a wiring board according to claim 1, further comprising a through hole forming step of forming a through hole penetrating the substrate, at least before the filling step.
【請求項3】 前記充填工程の少なくとも後に、前記配
線パターンを形成した前記配線基板の面を研磨する研磨
工程をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の
配線基板の製造方法。
3. The method of manufacturing a wiring board according to claim 1, further comprising a polishing step of polishing a surface of the wiring board on which the wiring pattern is formed, at least after the filling step.
【請求項4】 前記充填工程の少なくとも後に、金属箔
を前記配線パターンを形成した前記配線基板の面上に積
層し、前記金属箔の一部を前記配線基板に押し込むべき
位置に応じて凸形状を備えた電極ランド用型を前記基板
の軟化開始温度以上の温度で前記配線基板に押圧するこ
とによって電極ランドを形成する電極ランド形成工程を
さらに備えることを特徴とする請求項1に記載の配線基
板の製造方法。
4. At least after the filling step, a metal foil is laminated on a surface of the wiring board on which the wiring pattern is formed, and a convex shape is formed according to a position where a part of the metal foil is to be pressed into the wiring board. 2. The wiring according to claim 1, further comprising an electrode land forming step of forming an electrode land by pressing an electrode land mold including the above to the wiring substrate at a temperature equal to or higher than a softening start temperature of the substrate. Substrate manufacturing method.
【請求項5】 前記充填工程の少なくとも後に、電子部
品の電極端子の一部を該電子部品を押圧することによっ
て前記配線パターンに埋没させる実装工程をさらに備え
ることを特徴とする請求項1に記載の配線基板の製造方
法。
5. The mounting process according to claim 1, further comprising, after at least the filling step, a mounting step of burying a part of the electrode terminal of the electronic component in the wiring pattern by pressing the electronic component. Manufacturing method of wiring board.
【請求項6】 電子部品を実装すべき位置に、該電子部
品の外形より少なくとも大きい大きさであって該電子部
品の厚さより少なくとも深い凹部を前記基板に形成する
凹部形成工程と、 前記電子部品の電極端子の一部を該電子部品を押圧する
ことによって前記凹部内の配線パターンに埋没させる実
装工程とをさらに備えることを特徴とする請求項1に記
載の配線基板の製造方法。
6. A recess forming step of forming, in a position where an electronic component is to be mounted, a recess having a size at least larger than an outer shape of the electronic component and at least deeper than a thickness of the electronic component, in the substrate, the electronic component. 2. The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, further comprising a mounting step of burying a part of the electrode terminal in the wiring pattern in the recess by pressing the electronic component.
【請求項7】 前記凹部形成工程は、 前記凹部に応じた凸形状を備えた凹部用型を前記基板の
軟化開始温度以上の温度で前記基板に押圧することによ
って凹部を形成する工程であって、前記溝形成工程と同
時に行われることを特徴とする請求項6に記載の配線基
板の製造方法。
7. The recess forming step is a step of forming a recess by pressing a recess mold having a convex shape corresponding to the recess onto the substrate at a temperature equal to or higher than the softening start temperature of the substrate. 7. The method of manufacturing a wiring board according to claim 6, wherein the step is performed at the same time as the groove forming step.
【請求項8】 前記溝形成工程は、 前記基板の軟化開始温度以上の温度で前記配線パターン
に応じた凸形状を備えた溝用型を前記基板に押圧するこ
とによって形成することを特徴とする請求項1ないし請
求項7の何れか1項に記載の配線基板の製造方法。
8. The groove forming step is formed by pressing a groove die having a convex shape corresponding to the wiring pattern onto the substrate at a temperature equal to or higher than a softening start temperature of the substrate. A method for manufacturing a wiring board according to claim 1.
【請求項9】 配線パターンに応じた溝部を熱可塑性樹
脂を含む基板に形成する溝形成工程と該溝部に導電性ペ
ーストを充填する充填工程とを備えて製造される配線基
板を複数製造する配線基板製造工程と、 製造された複数の配線基板を積層する積層工程と、 前記基板の軟化開始温度以上の温度で加熱しながら前記
複数の配線基板が互いに圧接されるように加圧すること
によって前記複数の配線基板を相互に融着する多層化工
程とを備えることを特徴とする多層配線基板の製造方
法。
9. A wiring for manufacturing a plurality of wiring boards, comprising: a groove forming step of forming a groove portion corresponding to a wiring pattern on a substrate containing a thermoplastic resin; and a filling step of filling the groove portion with a conductive paste. A substrate manufacturing step; a laminating step of laminating a plurality of manufactured wiring boards; and a plurality of wiring boards that are pressed by pressing the plurality of wiring boards against each other while heating at a temperature equal to or higher than a softening start temperature of the boards. And a multilayering step of fusing the wiring boards to each other.
【請求項10】 前記複数の配線基板には、電子部品を
実装した配線基板が含まれることを特徴とする請求項9
に記載の多層配線基板の製造方法。
10. The wiring board on which electronic components are mounted is included in the plurality of wiring boards.
A method for manufacturing the multilayer wiring board according to.
【請求項11】 熱可塑性樹脂を含む基板の溝部に配線
パターンが形成された配線基板を複数積層し、該複数の
配線基板が相互に融着していることを特徴とする多層配
線基板。
11. A multilayer wiring board comprising a plurality of wiring boards, each having a wiring pattern formed in a groove portion of a substrate containing a thermoplastic resin, and the plurality of wiring boards being fused to each other.
【請求項12】 前記複数の配線基板には、電子部品を
実装した配線基板が含まれることを特徴とする多層配線
基板。
12. The multilayer wiring board, wherein the plurality of wiring boards include a wiring board on which electronic components are mounted.
【請求項13】 熱可塑性樹脂を含む基板を載置する載
置台と、 配線パターンに応じた凸形状を備えた溝用型と、 前記基板の軟化開始温度以上の温度で前記溝用型を前記
基板に押圧する加熱押圧手段と、 前記加熱押圧手段によって形成された溝部に導電性ペー
ストを充填する充填手段とを備えることを特徴とする配
線基板の製造装置。
13. A mounting table on which a substrate containing a thermoplastic resin is mounted, a groove mold having a convex shape corresponding to a wiring pattern, and the groove mold at a temperature equal to or higher than a softening start temperature of the substrate. An apparatus for manufacturing a wiring board, comprising: a heating and pressing unit that presses the substrate; and a filling unit that fills a groove formed by the heating and pressing unit with a conductive paste.
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