JP2003201960A - 真空排気システムのトラップおよびそれを用いたｃｖｄ装置 - Google Patents
真空排気システムのトラップおよびそれを用いたｃｖｄ装置Info
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- JP2003201960A JP2003201960A JP2002001191A JP2002001191A JP2003201960A JP 2003201960 A JP2003201960 A JP 2003201960A JP 2002001191 A JP2002001191 A JP 2002001191A JP 2002001191 A JP2002001191 A JP 2002001191A JP 2003201960 A JP2003201960 A JP 2003201960A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のトラップ６５では、中央付近のＳｉＯ
２粉末が配管７２を通ってルーツポンプ６６の方へ流れ
ていく。硬いＳｉＯ２粉末がルーツポンプ６６の羽根に
着くと、羽根がぶつかりあって壊れてしまう。早めにＣ
ＶＤ装置６０を止めてトラップ６５の掃除をするので、
結局ＣＶＤ装置６０の稼動率が落ちる。 【解決手段】 本発明のトラップ１０では、トラップ１
０の内部空間をメインエリア１１とサブエリア１２に分
け、間に気密性の仕切り板１４を入れた。ＣＶＤ装置を
稼動しているときは仕切り板１４をしめ、ＳｉＯ２粉末
がメインエリア１１に溜まるようにしておく。メインエ
リア１１にＳｉＯ２粉末が溜まったらＣＶＤ装置を止
め、仕切り板１４を引き出して、メインエリア１１のＳ
ｉＯ２粉末をサブエリア１２に落とし、メインエリア１
１を空にする。ＣＶＤ装置３０の停止時間は短いので稼
動率を高く保つことができる。
２粉末が配管７２を通ってルーツポンプ６６の方へ流れ
ていく。硬いＳｉＯ２粉末がルーツポンプ６６の羽根に
着くと、羽根がぶつかりあって壊れてしまう。早めにＣ
ＶＤ装置６０を止めてトラップ６５の掃除をするので、
結局ＣＶＤ装置６０の稼動率が落ちる。 【解決手段】 本発明のトラップ１０では、トラップ１
０の内部空間をメインエリア１１とサブエリア１２に分
け、間に気密性の仕切り板１４を入れた。ＣＶＤ装置を
稼動しているときは仕切り板１４をしめ、ＳｉＯ２粉末
がメインエリア１１に溜まるようにしておく。メインエ
リア１１にＳｉＯ２粉末が溜まったらＣＶＤ装置を止
め、仕切り板１４を引き出して、メインエリア１１のＳ
ｉＯ２粉末をサブエリア１２に落とし、メインエリア１
１を空にする。ＣＶＤ装置３０の停止時間は短いので稼
動率を高く保つことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は真空排気システムの
トラップとそれを用いたＣＶＤ装置に関する。
トラップとそれを用いたＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６はシリコンウエハにシリコン酸化膜
を積層するため使われる従来のＣＶＤ装置６０のブロッ
ク図である。コントローラー６１で圧力をコントロール
しながら、膜の材料であるＴＥＯＳ（Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ
５）４）ガスをソース６２から反応槽６３に圧送する。
このとき酸素ガスをＴＥＯＳに混合しておく。酸素ガス
は反応槽６３でプラズマを形成させるのに用いる。
を積層するため使われる従来のＣＶＤ装置６０のブロッ
ク図である。コントローラー６１で圧力をコントロール
しながら、膜の材料であるＴＥＯＳ（Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ
５）４）ガスをソース６２から反応槽６３に圧送する。
このとき酸素ガスをＴＥＯＳに混合しておく。酸素ガス
は反応槽６３でプラズマを形成させるのに用いる。
【０００３】反応槽６３ではＴＥＯＳ分子が酸素プラズ
マにより解離し、シリコンウエハ６４上にＳｉＯ２膜と
なってデポジットする。シリコンウエハ６４は１枚ずつ
処理される。１枚あたりの処理時間は数分である。
マにより解離し、シリコンウエハ６４上にＳｉＯ２膜と
なってデポジットする。シリコンウエハ６４は１枚ずつ
処理される。１枚あたりの処理時間は数分である。
【０００４】反応の終わったガスはトラップ６５、ルー
ツポンプ６６、スクリューポンプ６７、除害設備６８を
順次通過して大気に戻る。ルーツポンプ６６、スクリュ
ーポンプ６７は低真空用真空ポンプで、これにより反応
槽６３内部は数百Ｐａの圧力に保たれる。
ツポンプ６６、スクリューポンプ６７、除害設備６８を
順次通過して大気に戻る。ルーツポンプ６６、スクリュ
ーポンプ６７は低真空用真空ポンプで、これにより反応
槽６３内部は数百Ｐａの圧力に保たれる。
【０００５】ＴＥＯＳからＳｉＯ２への反応はウエハ６
４の表面だけでなく反応槽６３の各所で起き、ＳｉＯ２
粉末ができる。できたＳｉＯ２粉末は軽くて凝集性がな
いので簡単に舞い上がり、反応槽６３から続く配管に流
れていく。そのためもしトラップ６５が無いとＳｉＯ２
の粉末がルーツポンプ６６に入り込むことになる。ルー
ツポンプ６６の中では２枚の羽根が０．１ｍｍ程度の間
隔をおいて高速回転しているので、硬いＳｉＯ２の粉末
が羽根に着くと羽根同士がぶつかりあって壊れてしま
う。そのためトラップ６５でＳｉＯ２粉末を捕らえてル
ーツポンプ６６に行かないようにしている。
４の表面だけでなく反応槽６３の各所で起き、ＳｉＯ２
粉末ができる。できたＳｉＯ２粉末は軽くて凝集性がな
いので簡単に舞い上がり、反応槽６３から続く配管に流
れていく。そのためもしトラップ６５が無いとＳｉＯ２
の粉末がルーツポンプ６６に入り込むことになる。ルー
ツポンプ６６の中では２枚の羽根が０．１ｍｍ程度の間
隔をおいて高速回転しているので、硬いＳｉＯ２の粉末
が羽根に着くと羽根同士がぶつかりあって壊れてしま
う。そのためトラップ６５でＳｉＯ２粉末を捕らえてル
ーツポンプ６６に行かないようにしている。
【０００６】図７は従来のトラップ６５の部分断面図と
側面図である。従来のトラップ６５は直径２００ｍｍ程
度、全長５００ｍｍ程度の円筒形の金属容器で、左側面
６９の中央に反応槽６３からの配管７０がつながってい
る。そして下側７１中央にルーツポンプ６６へいく配管
７２がつながっている。金属容器の中が中空のタイプと
濾紙フィルターの入ったタイプがある。
側面図である。従来のトラップ６５は直径２００ｍｍ程
度、全長５００ｍｍ程度の円筒形の金属容器で、左側面
６９の中央に反応槽６３からの配管７０がつながってい
る。そして下側７１中央にルーツポンプ６６へいく配管
７２がつながっている。金属容器の中が中空のタイプと
濾紙フィルターの入ったタイプがある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】まず従来のトラップ６
５のうちの濾紙フィルタータイプはＳｉＯ２粉末がルー
ツポンプ６６に入り込む心配はない。しかし問題はＳｉ
Ｏ２粉末のため濾紙フィルターがすぐに詰まってしまう
ことである。そのためしばしば濾紙フィルターを交換し
なければならない。そしてその交換のたびにＣＶＤ装置
６０を止めなければならない。このためＣＶＤ装置６０
の稼動率が落ちてしまう。このため濾紙フィルタータイ
プは実用的でない。
５のうちの濾紙フィルタータイプはＳｉＯ２粉末がルー
ツポンプ６６に入り込む心配はない。しかし問題はＳｉ
Ｏ２粉末のため濾紙フィルターがすぐに詰まってしまう
ことである。そのためしばしば濾紙フィルターを交換し
なければならない。そしてその交換のたびにＣＶＤ装置
６０を止めなければならない。このためＣＶＤ装置６０
の稼動率が落ちてしまう。このため濾紙フィルタータイ
プは実用的でない。
【０００８】つぎに従来のトラップ６５のうちの中空タ
イプの問題点を図８により説明する。図８は従来の中空
タイプのトラップ６５の断面図である。左側にある反応
槽６３からの配管７０を通って来たＳｉＯ２粉末７３は
非常に軽いので、トラップ６５の中を遠くまで飛ぶもの
が多く、トラップ６５の右側にたくさん溜まって山７４
になる。しかし溜まった量が多くなると山７４が崩れて
中央から左側の方にも延びてくる。ここまでＳｉＯ２粉
末７３が溜まるにはＣＶＤ装置６０をフル稼動していて
も数週間かかるので、濾紙フィルタータイプにくらべる
とＣＶＤ装置６０の稼動率が高い。
イプの問題点を図８により説明する。図８は従来の中空
タイプのトラップ６５の断面図である。左側にある反応
槽６３からの配管７０を通って来たＳｉＯ２粉末７３は
非常に軽いので、トラップ６５の中を遠くまで飛ぶもの
が多く、トラップ６５の右側にたくさん溜まって山７４
になる。しかし溜まった量が多くなると山７４が崩れて
中央から左側の方にも延びてくる。ここまでＳｉＯ２粉
末７３が溜まるにはＣＶＤ装置６０をフル稼動していて
も数週間かかるので、濾紙フィルタータイプにくらべる
とＣＶＤ装置６０の稼動率が高い。
【０００９】しかし問題はＳｉＯ２粉末の山７４が崩れ
てくると、中央付近のＳｉＯ２粉末７３が配管７２を通
ってルーツポンプ６６の方へ流れていくことである。硬
いＳｉＯ２粉末７３がルーツポンプ６６の羽根に着く
と、羽根がぶつかりあって壊れてしまう。つまりトラッ
プ６５の無いときと同じトラブルが起こる。
てくると、中央付近のＳｉＯ２粉末７３が配管７２を通
ってルーツポンプ６６の方へ流れていくことである。硬
いＳｉＯ２粉末７３がルーツポンプ６６の羽根に着く
と、羽根がぶつかりあって壊れてしまう。つまりトラッ
プ６５の無いときと同じトラブルが起こる。
【００１０】したがってＳｉＯ２粉末７３が溜まり過ぎ
ないうちにトラップ６５を掃除しないといけない。ルー
ツポンプ６６の故障を心配し、どうしても早めにＣＶＤ
装置６０を止めてトラップ６５の掃除をするので、結局
ＣＶＤ装置６０の稼動率が落ちることになる。
ないうちにトラップ６５を掃除しないといけない。ルー
ツポンプ６６の故障を心配し、どうしても早めにＣＶＤ
装置６０を止めてトラップ６５の掃除をするので、結局
ＣＶＤ装置６０の稼動率が落ちることになる。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のトラップでは、
トラップの内部空間をメインエリアとサブエリアに分
け、それらの間に気密性の仕切り板を入れてある。仕切
り板は引き出せるようになっていて、引き出すとメイン
エリアとサブエリアがつながる。サブエリアの底には大
きな底ふたがある。メインエリアの側面には振動子が取
り付けてある。
トラップの内部空間をメインエリアとサブエリアに分
け、それらの間に気密性の仕切り板を入れてある。仕切
り板は引き出せるようになっていて、引き出すとメイン
エリアとサブエリアがつながる。サブエリアの底には大
きな底ふたがある。メインエリアの側面には振動子が取
り付けてある。
【００１２】ＣＶＤ装置を稼動しているときは仕切り板
をしめ、メインエリアとサブエリアを分けておいて、Ｓ
ｉＯ２粉末がメインエリアに溜まるようにしておく。
をしめ、メインエリアとサブエリアを分けておいて、Ｓ
ｉＯ２粉末がメインエリアに溜まるようにしておく。
【００１３】メインエリアにある程度ＳｉＯ２粉末が溜
まったらＣＶＤ装置を止め、仕切り板を引き出して、メ
インエリアのＳｉＯ２粉末をサブエリアに全部落とし、
メインエリアを空にする。このとき振動子を働かせてメ
インエリア側面を振動させるとＳｉＯ２粉末が落ちやす
くて効果的である。メインエリアが空になったら仕切り
板をしめてメインエリアとサブエリアを再び分ける。こ
れでＣＶＤ装置は再び稼動できる。この間のＣＶＤ装置
の停止時間は短い。したがってＣＶＤ装置の稼動率を高
く保つことができる。
まったらＣＶＤ装置を止め、仕切り板を引き出して、メ
インエリアのＳｉＯ２粉末をサブエリアに全部落とし、
メインエリアを空にする。このとき振動子を働かせてメ
インエリア側面を振動させるとＳｉＯ２粉末が落ちやす
くて効果的である。メインエリアが空になったら仕切り
板をしめてメインエリアとサブエリアを再び分ける。こ
れでＣＶＤ装置は再び稼動できる。この間のＣＶＤ装置
の停止時間は短い。したがってＣＶＤ装置の稼動率を高
く保つことができる。
【００１４】サブエリアのＳｉＯ２粉末はＣＶＤ装置を
稼動させたまま掃除できる。サブエリアの底ふたを外
し、底ふた上に溜まったＳｉＯ２粉末をクリーンルーム
用掃除機で吸えばよいから簡単である。
稼動させたまま掃除できる。サブエリアの底ふたを外
し、底ふた上に溜まったＳｉＯ２粉末をクリーンルーム
用掃除機で吸えばよいから簡単である。
【００１５】また反応槽からの配管はメインエリアの下
部に、ルーツポンプへの配管はメインエリアの上部につ
ないでいる。これはＳｉＯ２粉末がメインエリアの上部
には少ないので、ルーツポンプへ流れていくＳｉＯ２粉
末を少なくする工夫である。
部に、ルーツポンプへの配管はメインエリアの上部につ
ないでいる。これはＳｉＯ２粉末がメインエリアの上部
には少ないので、ルーツポンプへ流れていくＳｉＯ２粉
末を少なくする工夫である。
【００１６】またメインエリアの中の、反応槽からの配
管の延長部にひさしをつけている。これはＳｉＯ２粉末
がメインエリアの上部に行きにくくする工夫である。こ
の目的もルーツポンプの保護である。
管の延長部にひさしをつけている。これはＳｉＯ２粉末
がメインエリアの上部に行きにくくする工夫である。こ
の目的もルーツポンプの保護である。
【００１７】請求項１記載の発明は、反応槽と真空ポン
プの間に入れる真空排気システムのトラップにおいて、
反応槽の稼動中はトラップの内部空間を気密性の仕切り
板でメインエリアとサブエリアに分けて反応物をメイン
エリアに溜め、トラップの掃除のさいは反応槽を停止
し、仕切り板を引き出してメインエリアとサブエリアを
つないで、メインエリアに溜まっていた反応物をサブエ
リアに移動させ、その後仕切り板をしめて反応槽を再稼
動させた後、サブエリアの反応物を取り出すようにした
ことを特徴とする真空排気システムのトラップである。
プの間に入れる真空排気システムのトラップにおいて、
反応槽の稼動中はトラップの内部空間を気密性の仕切り
板でメインエリアとサブエリアに分けて反応物をメイン
エリアに溜め、トラップの掃除のさいは反応槽を停止
し、仕切り板を引き出してメインエリアとサブエリアを
つないで、メインエリアに溜まっていた反応物をサブエ
リアに移動させ、その後仕切り板をしめて反応槽を再稼
動させた後、サブエリアの反応物を取り出すようにした
ことを特徴とする真空排気システムのトラップである。
【００１８】請求項２記載の発明は、請求項１記載の真
空排気システムのトラップにおいて、メインエリアの側
面を振動させる振動子を取り付けたことを特徴とする真
空排気システムのトラップである。
空排気システムのトラップにおいて、メインエリアの側
面を振動させる振動子を取り付けたことを特徴とする真
空排気システムのトラップである。
【００１９】請求項３記載の発明は、請求項１記載の真
空排気システムのトラップにおいて、サブエリアに、ほ
ぼ底面全体をおおう大きさの底ふたがあることを特徴と
する真空排気システムのトラップである。
空排気システムのトラップにおいて、サブエリアに、ほ
ぼ底面全体をおおう大きさの底ふたがあることを特徴と
する真空排気システムのトラップである。
【００２０】請求項４記載の発明は、請求項１記載の真
空排気システムのトラップにおいて、反応槽からの配管
はメインエリアの下部に、真空ポンプへの配管はメイン
エリアの上部につながっていることを特徴とする真空排
気システムのトラップである。
空排気システムのトラップにおいて、反応槽からの配管
はメインエリアの下部に、真空ポンプへの配管はメイン
エリアの上部につながっていることを特徴とする真空排
気システムのトラップである。
【００２１】請求項５記載の発明は、請求項１記載の真
空排気システムのトラップにおいて、メインエリアの内
部の、反応槽からの配管の延長部にひさしがあることを
特徴とする真空排気システムのトラップである。
空排気システムのトラップにおいて、メインエリアの内
部の、反応槽からの配管の延長部にひさしがあることを
特徴とする真空排気システムのトラップである。
【００２２】請求項６記載の発明は、請求項１記載の真
空排気システムのトラップにおいて、真空ポンプがルー
ツポンプであることを特徴とする真空排気システムのト
ラップである。
空排気システムのトラップにおいて、真空ポンプがルー
ツポンプであることを特徴とする真空排気システムのト
ラップである。
【００２３】そして請求項７記載の発明は、請求項１〜
６記載の真空排気システムのトラップのいずれかを用い
たＣＶＤ装置である。
６記載の真空排気システムのトラップのいずれかを用い
たＣＶＤ装置である。
【００２４】
【発明の実施の形態】図を用いて本発明の真空排気シス
テムのトラップおよびそれを用いたＣＶＤ装置を説明す
る。
テムのトラップおよびそれを用いたＣＶＤ装置を説明す
る。
【００２５】図１は本発明のトラップの一例１０の部分
断面図と側面図である。本発明のトラップ１０は、メイ
ンエリア１１が直径２００ｍｍ程度、全長５００ｍｍ程
度の円筒形の中空金属容器で、その下に一辺１２０ｍｍ
程度、全長３５０ｍｍ程度の直方体のサブエリア１２が
ついている。サブエリア１２の底には１００ｍｍ×３０
０ｍｍ程度の大型の底ふた１３がついている。
断面図と側面図である。本発明のトラップ１０は、メイ
ンエリア１１が直径２００ｍｍ程度、全長５００ｍｍ程
度の円筒形の中空金属容器で、その下に一辺１２０ｍｍ
程度、全長３５０ｍｍ程度の直方体のサブエリア１２が
ついている。サブエリア１２の底には１００ｍｍ×３０
０ｍｍ程度の大型の底ふた１３がついている。
【００２６】メインエリア１１とサブエリア１２の間に
は１００ｍｍ×３５０ｍｍ程度の気密性の仕切り板１４
があり、これは引き出すことができる。仕切り板１４を
引き出すとメインエリア１１とサブエリア１２がつなが
り、しめると気密性を保って分かれる。
は１００ｍｍ×３５０ｍｍ程度の気密性の仕切り板１４
があり、これは引き出すことができる。仕切り板１４を
引き出すとメインエリア１１とサブエリア１２がつなが
り、しめると気密性を保って分かれる。
【００２７】メインエリア１１の左側面１５の下端に反
応槽からの配管１６がつながっている。そして上端にル
ーツポンプへいく配管１７がつながっている。さらにメ
インエリア１１の中の、反応槽からの配管１６の延長部
にひさし１８がついている。
応槽からの配管１６がつながっている。そして上端にル
ーツポンプへいく配管１７がつながっている。さらにメ
インエリア１１の中の、反応槽からの配管１６の延長部
にひさし１８がついている。
【００２８】メインエリア１１の右側面１９には振動子
２０が取り付けてある。この振動子２０を働かせるとメ
インエリア１１の右側面１９が振動する。
２０が取り付けてある。この振動子２０を働かせるとメ
インエリア１１の右側面１９が振動する。
【００２９】図２はＣＶＤ装置稼動時の本発明のトラッ
プ１０の様子である。ＣＶＤ装置稼動時は仕切り板１４
はしめてある。反応槽からの配管１６を通ってＳｉＯ２
粉末２１がメインエリア１１の中に入り込んでくる。Ｓ
ｉＯ２粉末２１は軽くて凝集性がないので、メインエリ
ア１１の中を遠くまで飛ぶものが多く、右方にかたよっ
た山２２をつくる。この時サブエリア１２は空である。
プ１０の様子である。ＣＶＤ装置稼動時は仕切り板１４
はしめてある。反応槽からの配管１６を通ってＳｉＯ２
粉末２１がメインエリア１１の中に入り込んでくる。Ｓ
ｉＯ２粉末２１は軽くて凝集性がないので、メインエリ
ア１１の中を遠くまで飛ぶものが多く、右方にかたよっ
た山２２をつくる。この時サブエリア１２は空である。
【００３０】ＳｉＯ２粉末２１がメインエリア１１の中
で上方向に飛ぶのをひさし１８が防いでいるので、メイ
ンエリア１１の上部には浮遊ＳｉＯ２粉末２１が少な
い。ルーツポンプへつながる配管１７はメインエリア１
１の最上部にあるので、従来にくらべてルーツポンプへ
流れていくＳｉＯ２粉末２１が非常に少ない。そのため
ルーツポンプの故障のおそれが大幅に少なくなる。
で上方向に飛ぶのをひさし１８が防いでいるので、メイ
ンエリア１１の上部には浮遊ＳｉＯ２粉末２１が少な
い。ルーツポンプへつながる配管１７はメインエリア１
１の最上部にあるので、従来にくらべてルーツポンプへ
流れていくＳｉＯ２粉末２１が非常に少ない。そのため
ルーツポンプの故障のおそれが大幅に少なくなる。
【００３１】図３は本発明のトラップ１０のメインエリ
ア１１の掃除の様子である。まずＣＶＤ装置を止めトラ
ップ１０につながるＩＮ／ＯＵＴバルブ（図５の３８、
３９）を締める。次に仕切り板１４を引き出す。すると
メインエリア１１にあったＳｉＯ２の山２２は重力で落
下してサブエリア１２に新しいＳｉＯ２粉末の山２３を
つくる。このとき振動子２０を働かせてメインエリア１
１の右側面１９を振動させるとＳｉＯ２粉末がメインエ
リア１１に残りにくい。ＳｉＯ２粉末が完全にサブエリ
ア１２に落ちたら仕切り板１４をしめてメインエリア１
１とサブエリア１２を分ける。
ア１１の掃除の様子である。まずＣＶＤ装置を止めトラ
ップ１０につながるＩＮ／ＯＵＴバルブ（図５の３８、
３９）を締める。次に仕切り板１４を引き出す。すると
メインエリア１１にあったＳｉＯ２の山２２は重力で落
下してサブエリア１２に新しいＳｉＯ２粉末の山２３を
つくる。このとき振動子２０を働かせてメインエリア１
１の右側面１９を振動させるとＳｉＯ２粉末がメインエ
リア１１に残りにくい。ＳｉＯ２粉末が完全にサブエリ
ア１２に落ちたら仕切り板１４をしめてメインエリア１
１とサブエリア１２を分ける。
【００３２】図４は本発明のトラップ１０のサブエリア
１２の掃除の様子である。すでにメインエリア１１が空
になっているのでＣＶＤ装置は稼動を再開できる。サブ
エリア１２の掃除はＣＶＤ装置の稼動と平行してできる
ので、ＣＶＤ装置の停止時間は短く、稼動率は高い。サ
ブエリア１２の底ふた１３を外しＳｉＯ２粉末の山２３
をクリーンルーム用掃除機で吸い取る。また適当な薬品
で洗浄してもよい。
１２の掃除の様子である。すでにメインエリア１１が空
になっているのでＣＶＤ装置は稼動を再開できる。サブ
エリア１２の掃除はＣＶＤ装置の稼動と平行してできる
ので、ＣＶＤ装置の停止時間は短く、稼動率は高い。サ
ブエリア１２の底ふた１３を外しＳｉＯ２粉末の山２３
をクリーンルーム用掃除機で吸い取る。また適当な薬品
で洗浄してもよい。
【００３３】図５は本発明のトラップ１０を用いたＣＶ
Ｄ装置の一例３０のブロック図である。ここでは一例と
してシリコンウエハにシリコン酸化膜を積層するときの
材料で説明する。
Ｄ装置の一例３０のブロック図である。ここでは一例と
してシリコンウエハにシリコン酸化膜を積層するときの
材料で説明する。
【００３４】コントローラー３１で圧力をコントロール
しながら、膜の材料であるＴＥＯＳ（Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ
５）４）ガスをソース３２から反応槽３３に圧送する。
このとき酸素ガスをＴＥＯＳに混合しておく。酸素ガス
は反応槽３３でプラズマを形成させるのに用いる。
しながら、膜の材料であるＴＥＯＳ（Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ
５）４）ガスをソース３２から反応槽３３に圧送する。
このとき酸素ガスをＴＥＯＳに混合しておく。酸素ガス
は反応槽３３でプラズマを形成させるのに用いる。
【００３５】反応槽３３ではＴＥＯＳ分子が酸素プラズ
マにより解離し、シリコンウエハ３４上にＳｉＯ２膜と
なってデポジットする。シリコンウエハ３４は１枚ずつ
処理される。１枚あたりの処理時間は数分である。
マにより解離し、シリコンウエハ３４上にＳｉＯ２膜と
なってデポジットする。シリコンウエハ３４は１枚ずつ
処理される。１枚あたりの処理時間は数分である。
【００３６】反応の終わったガスは本発明のトラップ１
０、ルーツポンプ３５、スクリューポンプ３６、除害設
備３７を順次通過して大気に戻る。ルーツポンプ３５、
スクリューポンプ３６は低真空用真空ポンプで、これに
より反応槽３３内部は数百Ｐａの圧力に保たれる。
０、ルーツポンプ３５、スクリューポンプ３６、除害設
備３７を順次通過して大気に戻る。ルーツポンプ３５、
スクリューポンプ３６は低真空用真空ポンプで、これに
より反応槽３３内部は数百Ｐａの圧力に保たれる。
【００３７】本発明のトラップ１０を掃除するときは、
前述のようにＩＮバルブ３８、ＯＵＴバルブ３９を閉じ
る。
前述のようにＩＮバルブ３８、ＯＵＴバルブ３９を閉じ
る。
【００３８】
【発明の効果】本発明のトラップでは、トラップの内部
空間をメインエリアとサブエリアに分け、それらの間に
気密性の仕切り板を入れてある。ＣＶＤ装置を稼動して
いるときは仕切り板をしめＳｉＯ２粉末がメインエリア
に溜まるようにしておく。
空間をメインエリアとサブエリアに分け、それらの間に
気密性の仕切り板を入れてある。ＣＶＤ装置を稼動して
いるときは仕切り板をしめＳｉＯ２粉末がメインエリア
に溜まるようにしておく。
【００３９】メインエリアにある程度ＳｉＯ２粉末が溜
まったらＣＶＤ装置を止め、仕切り板を引き出して、メ
インエリアのＳｉＯ２粉末をサブエリアに全部落とし、
メインエリアを空にする。メインエリアが空になったら
仕切り板をしめてメインエリアとサブエリアを再び分け
る。これでＣＶＤ装置は再び稼動できる。サブエリアの
ＳｉＯ２粉末はＣＶＤ装置を稼動させたまま掃除でき
る。したがってＣＶＤ装置の稼動率を高く保つことがで
きる。
まったらＣＶＤ装置を止め、仕切り板を引き出して、メ
インエリアのＳｉＯ２粉末をサブエリアに全部落とし、
メインエリアを空にする。メインエリアが空になったら
仕切り板をしめてメインエリアとサブエリアを再び分け
る。これでＣＶＤ装置は再び稼動できる。サブエリアの
ＳｉＯ２粉末はＣＶＤ装置を稼動させたまま掃除でき
る。したがってＣＶＤ装置の稼動率を高く保つことがで
きる。
【図１】 本発明のトラップの一例１０の部分断面図と
側面図
側面図
【図２】 ＣＶＤ装置稼動時の本発明のトラップ１０の
断面図
断面図
【図３】 本発明のトラップ１０のメインエリア１１の
掃除のさいの断面図
掃除のさいの断面図
【図４】 本発明のトラップ１０のサブエリア１２の掃
除のさいの断面図
除のさいの断面図
【図５】 本発明のトラップ１０を用いたＣＶＤ装置の
一例３０のブロック図
一例３０のブロック図
【図６】 従来のＣＶＤ装置６０のブロック図
【図７】 従来のトラップ６５の部分断面図と側面図
【図８】 従来の中空タイプのトラップ６５の断面図
１０ トラップ
１１ メインエリア
１２ サブエリア
１３ 底ふた
１４ 仕切り板
１５ 左側面
１６ 配管
１７ 配管
１８ ひさし
１９ 右側面
２０ 振動子
２１ ＳｉＯ２粉末
２２ ＳｉＯ２粉末の山
２３ ＳｉＯ２粉末の山
３０ ＣＶＤ装置
３１ コントローラー
３２ ソース
３３ 反応槽
３４ シリコンウエハ
３５ ルーツポンプ
３６ スクリューポンプ
３７ 除外設備
３８ ＩＮバルブ
３９ ＯＵＴバルブ
６０ ＣＶＤ装置
６１ コントローラー
６２ ソース
６３ 反応槽
６４ シリコンウエハ
６５ トラップ
６６ ルーツポンプ
６７ スクリューポンプ
６８ 除害設備
６９ 左側面
７０ 配管
７１ 下側
７２ 配管
７３ ＳｉＯ２粉末
７４ ＳｉＯ２粉末の山
Claims (7)
- 【請求項１】反応槽と真空ポンプの間に入れる真空排気
システムのトラップにおいて、前記反応槽の稼動中は前
記トラップの内部空間を気密性の仕切り板でメインエリ
アとサブエリアに分けて反応物を前記メインエリアに溜
め、前記トラップの掃除のさいは前記反応槽を停止し、
前記仕切り板を引き出して前記メインエリアと前記サブ
エリアをつないで、前記メインエリアに溜まっていた反
応物を前記サブエリアに移動させ、その後前記仕切り板
をしめて前記反応槽を再稼動させた後、前記サブエリア
の反応物を取り出すようにしたことを特徴とする真空排
気システムのトラップ。 - 【請求項２】請求項１記載の真空排気システムのトラッ
プにおいて、前記メインエリアの側面を振動させる振動
子を取り付けたことを特徴とする真空排気システムのト
ラップ。 - 【請求項３】請求項１記載の真空排気システムのトラッ
プにおいて、前記サブエリアに、ほぼ底面全体をおおう
大きさの底ふたがあることを特徴とする真空排気システ
ムのトラップ。 - 【請求項４】請求項１記載の真空排気システムのトラッ
プにおいて、前記反応槽からの配管は前記メインエリア
の下部に、前記真空ポンプへの配管は前記メインエリア
の上部につながっていることを特徴とする真空排気シス
テムのトラップ。 - 【請求項５】請求項１記載の真空排気システムのトラッ
プにおいて、前記メインエリアの内部の、前記反応槽か
らの配管の延長部にひさしがあることを特徴とする真空
排気システムのトラップ。 - 【請求項６】請求項１記載の真空排気システムのトラッ
プにおいて、前記真空ポンプがルーツポンプであること
を特徴とする真空排気システムのトラップ。 - 【請求項７】請求項１〜６記載の真空排気システムのト
ラップのいずれかを用いたＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002001191A JP2003201960A (ja) | 2002-01-08 | 2002-01-08 | 真空排気システムのトラップおよびそれを用いたｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002001191A JP2003201960A (ja) | 2002-01-08 | 2002-01-08 | 真空排気システムのトラップおよびそれを用いたｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003201960A true JP2003201960A (ja) | 2003-07-18 |
Family
ID=27641378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002001191A Withdrawn JP2003201960A (ja) | 2002-01-08 | 2002-01-08 | 真空排気システムのトラップおよびそれを用いたｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003201960A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019130514A1 (ja) * | 2017-12-27 | 2019-07-04 | 樫山工業株式会社 | ドライ真空ポンプの粉体負荷軽減方法および粉体負荷軽減器 |
-
2002
- 2002-01-08 JP JP2002001191A patent/JP2003201960A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019130514A1 (ja) * | 2017-12-27 | 2019-07-04 | 樫山工業株式会社 | ドライ真空ポンプの粉体負荷軽減方法および粉体負荷軽減器 |
| JPWO2019130514A1 (ja) * | 2017-12-27 | 2020-10-22 | 樫山工業株式会社 | ドライ真空ポンプの粉体負荷軽減方法および粉体負荷軽減器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20041126 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Effective date: 20050520 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 |