JP2003198268A - Light-receiving amplifier circuit - Google Patents
Light-receiving amplifier circuitInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光学式記録再生装
置のレーザパワーを制御するために用いられる受光アン
プ回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light receiving amplifier circuit used for controlling the laser power of an optical recording / reproducing apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】パーソナルコンピュータ用の機器として
主に使用される書換え可能なＣＤ−Ｒ／ＲＷ，ＤＶＤ−
ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭドライブなどの前記光学式記録再
生装置の市場においては、書込み／書換え時間を短縮す
るために高速化競争が進んでいる。ドライブの高速化に
伴い、高速で回転するディスク上に安定した書込み／書
換えを行うためには、前記受光アンプ回路は、レーザパ
ワーを精度良く、時間遅れなくモニタする必要がある。
一方、高速で回転するモータ駆動部からの放熱およびＣ
ＰＵからの放熱等によって、周囲温度はますます上昇す
る傾向にある。このようなことから、前記受光アンプ回
路には、周囲温度に依存することなく、一定したレーザ
パワーのモニタリングが必要となる。2. Description of the Related Art Rewritable CD-R / RW, DVD-which are mainly used as devices for personal computers.
In the market of the optical recording / reproducing apparatus such as the RW and the DVD-RAM drive, there is an increasing competition for speeding up in order to shorten the writing / rewriting time. In order to perform stable writing / rewriting on a disk rotating at a high speed as the drive speed increases, the light receiving amplifier circuit must monitor the laser power accurately and without a time delay.
On the other hand, heat radiation from the motor drive unit rotating at high speed and C
The ambient temperature tends to increase more and more due to heat radiation from the PU. For this reason, it is necessary for the light receiving amplifier circuit to constantly monitor the laser power without depending on the ambient temperature.
【０００３】そこで、温度特性を無くすように対策が施
された典型的な従来技術のレーザパワー制御用の受光ア
ンプ回路１，１１を、図６および図７にそれぞれ示す。
図６の受光アンプ回路１は、Ｉ−Ｖ変換アンプ２、前記
Ｉ−Ｖ変換アンプ２の帰還抵抗ｒｆｌおよび入力抵抗ｒ
ｓ１、差動アンプ（反転アンプ）３、ならびに前記差動
アンプ３の帰還抵抗ｒｆ２および入力抵抗ｒｓ２，ｒｓ
３を備えて構成されている。Therefore, typical prior art photoreceiver amplifier circuits 1 and 11 for laser power control, in which measures are taken to eliminate the temperature characteristic, are shown in FIGS. 6 and 7, respectively.
The light receiving amplifier circuit 1 of FIG. 6 includes an IV conversion amplifier 2, a feedback resistance rfl and an input resistance r of the IV conversion amplifier 2.
s1, a differential amplifier (inverting amplifier) 3, and a feedback resistor rf2 and input resistors rs2, rs of the differential amplifier 3.
3 is provided.
【０００４】一方、図７の受光アンプ回路１１は、Ｉ−
Ｖ変換アンプ２、前記Ｉ−Ｖ変換アンプ２の帰還抵抗ｒ
ｆｌおよび入力抵抗ｒｓ１、差動アンプ３、ならびに前
記差動アンプ３の帰還抵抗ｒｆ２ａおよび入力抵抗ｒｓ
２ａ，ｒｓ３を備えて構成されている。On the other hand, the light receiving amplifier circuit 11 shown in FIG.
V conversion amplifier 2, feedback resistance r of the IV conversion amplifier 2
fl and input resistance rs1, differential amplifier 3, and feedback resistance rf2a and input resistance rs of the differential amplifier 3.
2a and rs3.
【０００５】これらの受光アンプ回路１，１１におい
て、前記帰還抵抗ｒｆ２，ｒｓ２ａは後述する感度調整
用の外付けの可変抵抗であり、それ以外の帰還抵抗ｒｆ
ｌ，ｒｆ２ａおよび入力抵抗ｒｓ１〜ｒｓ３は、チップ
上に拡散抵抗で形成されたものである。In these light receiving amplifier circuits 1 and 11, the feedback resistors rf2 and rs2a are external variable resistors for sensitivity adjustment which will be described later, and the other feedback resistors rf.
The l, rf2a and the input resistors rs1 to rs3 are formed by diffusion resistors on the chip.
【０００６】上述のように構成される受光アンプ回路
１，１１において、フォトダイオードｄで光信号が電流
信号に変換され、その光電流ＩｓｃがＩ−Ｖ変換アンプ
２の反転端子に入力されて電流−電圧変換されるととも
に、入力抵抗ｒｓ１を介して該Ｉ−Ｖ変換アンプ２の非
反転端子に入力される基準電圧ＶＲＥＦと比較増幅され
る。Ｉ−Ｖ変換アンプ２からの出力は、入力抵抗ｒｓ
２，ｒｓ２ａを介して差動アンプ３の反転端子に入力さ
れ、入力抵抗ｒｓ３を介して該差動アンプ３の非反転端
子に入力される前記基準電圧ＶＲＥＦと比較増幅されて
出力される。前記フォトダイオードｄの光電流Ｉｓｃは
回路より流れ出る（回路→ＧＮＤ）ので、基準電圧ＶＲ
ＥＦに対する前段のＩ−Ｖ変換アンプ２の出力は正の出
力であり、これが後段の反転の差動アンプ３に入力され
て、最終の回路出力は負の出力となっている。In the light receiving amplifier circuits 1 and 11 configured as described above, an optical signal is converted into a current signal by the photodiode d, and the photocurrent Isc is input to the inverting terminal of the IV conversion amplifier 2 to generate a current. The voltage is converted, and is compared and amplified with the reference voltage VREF input to the non-inverting terminal of the IV conversion amplifier 2 via the input resistor rs1. The output from the IV conversion amplifier 2 is the input resistance rs
2, rs2a is input to the inverting terminal of the differential amplifier 3 and is amplified by comparison with the reference voltage VREF input to the non-inverting terminal of the differential amplifier 3 via the input resistor rs3. Since the photocurrent Isc of the photodiode d flows out of the circuit (circuit → GND), the reference voltage VR
The output of the IV conversion amplifier 2 in the preceding stage with respect to EF is a positive output, and this is input to the inverting differential amplifier 3 in the subsequent stage, and the final circuit output is a negative output.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上述のように構成され
る受光アンプ回路１，１１では、該受光アンプ回路１，
１１が設置される場所によってレーザ光の入射光量が異
なるので、使用する側で感度を調整可能なように、前記
帰還抵抗ｒｆ２，ｒｓ２ａを外付けの可変抵抗として、
アンプのゲインを調整することで該受光アンプ回路１，
１１の感度を調整するようになっている。すなわち、受
光アンプ回路１の回路全体のゲイン抵抗は、ｒｆ１×
（ｒｆ２／ｒｓ２）であり、受光アンプ回路１１の回路
全体のゲイン抵抗は、ｒｆ１×（ｒｆ２ａ／ｒｓ２ａ）
である。In the light receiving amplifier circuits 1 and 11 configured as described above, the light receiving amplifier circuits 1 and 11 are
Since the incident light amount of the laser light differs depending on the place where 11 is installed, the feedback resistors rf2 and rs2a are external variable resistors so that the sensitivity can be adjusted on the side of use.
By adjusting the gain of the amplifier, the light receiving amplifier circuit 1,
The sensitivity of 11 is adjusted. That is, the gain resistance of the entire circuit of the light receiving amplifier circuit 1 is rf1 ×
(Rf2 / rs2), and the gain resistance of the entire light receiving amplifier circuit 11 is rf1 × (rf2a / rs2a).
Is.
【０００８】しかしながら、温度特性について検証して
みると、前記受光アンプ回路１では、前述のように抵抗
ｒｆ１，ｒｓ２は同一種類の拡散抵抗で形成されるの
で、感度調整用の帰還抵抗ｒｆ２が温度特性を持たない
場合、全体のゲイン抵抗ｒｆｌ×（ｒｆ２／ｒｓ２）の
内、ｒｆ１／ｒｓ２の温度係数が相殺され、該受光アン
プ回路１の温度特性を無くすことができる。ところが、
差動アンプ３の帰還回路内の図示しないコンデンサの容
量値が固定であるのに対して、帰還抵抗ｒｆ２を可変す
ることは、ＣＲ定数を可変することであり、応答特性が
悪化するので、望ましくない。この対策として、前記コ
ンデンサも外付けとする方法があるけれども、部品点数
が増加するので、小型化やコストダウンには不向きであ
る。However, when the temperature characteristic is verified, in the light receiving amplifier circuit 1, since the resistors rf1 and rs2 are formed of the same kind of diffusion resistors as described above, the feedback resistor rf2 for sensitivity adjustment has a temperature difference. When it does not have the characteristic, the temperature coefficient of rf1 / rs2 of the entire gain resistance rfl × (rf2 / rs2) is canceled out, and the temperature characteristic of the light receiving amplifier circuit 1 can be eliminated. However,
While the capacitance value of the capacitor (not shown) in the feedback circuit of the differential amplifier 3 is fixed, changing the feedback resistance rf2 is to change the CR constant, which deteriorates the response characteristics, and is therefore desirable. Absent. As a countermeasure, there is a method in which the capacitor is also externally attached, but since the number of parts increases, it is not suitable for downsizing and cost reduction.
【０００９】これに対して、前記受光アンプ回路１１で
は、感度調整用の可変抵抗を入力抵抗ｒｓ２ａにしてい
るので、前記帰還回路のＣＲ定数は変動せず、応答特性
の悪化を無くすことができる。しかしながら、全体のゲ
イン抵抗ｒｆ１×（ｒｆ２ａ／ｒｓ２ａ）から、前記入
力抵抗ｒｓ２ａが温度特性を持たない場合、温度係数は
ｒｆｌ×ｒｆ２ａとなり、拡散抵抗の温度係数の約２倍
の温度特性を持ってしまうことになる。On the other hand, in the light receiving amplifier circuit 11, since the variable resistor for sensitivity adjustment is the input resistor rs2a, the CR constant of the feedback circuit does not fluctuate and the deterioration of the response characteristic can be eliminated. . However, from the overall gain resistance rf1 × (rf2a / rs2a), when the input resistance rs2a has no temperature characteristic, the temperature coefficient becomes rfl × rf2a, which is about twice the temperature coefficient of the diffusion resistance. Will end up.
【００１０】ここで、前記受光アンプ回路１，１１から
の出力電圧の温度特性は、フォトダイオードｄの出力の
温度特性と、該受光アンプ回路１，１１の出力の温度特
性との和で表されることになる。そして、チップ内の拡
散抵抗は正の温度係数を持つので、前記受光アンプ回路
１１は正の温度係数を持ち、これにフォトダイオードｄ
の正の温度係数が加算されるので、該受光アンプ回路１
１からの出力電圧の温度特性は上述のように正に大きな
値を持ってしまい、該温度特性を低減することが困難で
ある。The temperature characteristic of the output voltage from the light receiving amplifier circuits 1 and 11 is represented by the sum of the temperature characteristic of the output of the photodiode d and the temperature characteristic of the output of the light receiving amplifier circuits 1 and 11. Will be. Since the diffusion resistance in the chip has a positive temperature coefficient, the light receiving amplifier circuit 11 has a positive temperature coefficient, and the photodiode d
Since the positive temperature coefficient of
As described above, the temperature characteristic of the output voltage from 1 has a large positive value, and it is difficult to reduce the temperature characteristic.
【００１１】本発明の目的は、応答特性の悪化を招くこ
となく、温度特性を改善することができる受光アンプ回
路を提供することである。An object of the present invention is to provide a light receiving amplifier circuit which can improve temperature characteristics without deteriorating response characteristics.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明の受光アンプ回路
は、フォトダイオードによって光電変換された信号を増
幅して出力する受光アンプ回路において、増幅ゲインを
決定する帰還抵抗をポリシリコン抵抗で形成し、前記フ
ォトダイオードのエピタキシャル層の厚さと、前記ポリ
シリコン抵抗のシート抵抗値との調整によって、前記フ
ォトダイオードの正の温度係数を前記ポリシリコン抵抗
の負の温度係数で補償することを特徴とする。According to the light receiving amplifier circuit of the present invention, in a light receiving amplifier circuit for amplifying and outputting a signal photoelectrically converted by a photodiode, a feedback resistor for determining an amplification gain is formed by a polysilicon resistor. The positive temperature coefficient of the photodiode is compensated by the negative temperature coefficient of the polysilicon resistance by adjusting the thickness of the epitaxial layer of the photodiode and the sheet resistance value of the polysilicon resistance. .
【００１３】上記の構成によれば、光信号がフォトダイ
オードで光電変換された電流を電圧に変換するＩ−Ｖ変
換アンプや、その出力電圧振幅を増幅する差動アンプな
どを備えて構成される受光アンプ回路において、フォト
ダイオードが有する正の温度係数を補償するにあたっ
て、前記差動アンプの帰還抵抗などの増幅ゲインを決定
する帰還抵抗をポリシリコン抵抗で形成することで、該
帰還抵抗に負の温度係数を持たせる。そして、前記フォ
トダイオードの温度係数はエピ層の厚さに依存し、該エ
ピ厚を厚くする程、温度係数の絶対値は低減する。ま
た、ポリシリコン抵抗の温度係数はシート抵抗値に依存
し、該シート抵抗値を下げる程、温度係数の絶対値は低
減する。According to the above configuration, an IV conversion amplifier for converting a current obtained by photoelectrically converting an optical signal by the photodiode into a voltage, a differential amplifier for amplifying the output voltage amplitude, and the like are provided. In the light receiving amplifier circuit, in compensating for the positive temperature coefficient of the photodiode, a feedback resistor for determining an amplification gain such as a feedback resistor of the differential amplifier is formed by a polysilicon resistor, so that the feedback resistor has a negative resistance. It has a temperature coefficient. The temperature coefficient of the photodiode depends on the thickness of the epi layer, and the absolute value of the temperature coefficient decreases as the epi thickness increases. The temperature coefficient of the polysilicon resistance depends on the sheet resistance value, and the lower the sheet resistance value, the smaller the absolute value of the temperature coefficient.
【００１４】したがって、フォトダイオードの前記エピ
厚と、ポリシリコン抵抗のシート抵抗値とを調整して、
正負の温度係数値を合せ込み、該受光アンプ回路からの
出力電圧の温度係数を相殺することができる。こうし
て、フォトダイオードの正の温度係数を帰還抵抗の負の
温度係数で補償し、かつアンプ入力抵抗を外付けとして
感度調整を行うことで、前記帰還抵抗に並列の帰還容量
との時定数も変化せず、応答特性の悪化を招くこともな
い。Therefore, by adjusting the epi thickness of the photodiode and the sheet resistance value of the polysilicon resistor,
By combining positive and negative temperature coefficient values, the temperature coefficient of the output voltage from the light receiving amplifier circuit can be canceled. In this way, by compensating the positive temperature coefficient of the photodiode with the negative temperature coefficient of the feedback resistor and adjusting the sensitivity with the amplifier input resistor as an external device, the time constant with the feedback capacitance in parallel with the feedback resistor also changes. In addition, the response characteristics are not deteriorated.
【００１５】また、本発明の受光アンプ回路は、反転出
力のＩ−Ｖ変換アンプおよび非反転出力の差動アンプの
２段のアンプがＮ型基板に形成されて成り、前記Ｉ−Ｖ
変換アンプおよび差動アンプの前記帰還抵抗とともに、
前記差動アンプの入力抵抗が前記ポリシリコン抵抗で形
成され、前記フォトダイオードはＮ型基板／Ｎ型エピ構
造であることを特徴とする。The light receiving amplifier circuit of the present invention is formed by forming two stages of an inverting output IV converting amplifier and a non-inverting output differential amplifier on an N-type substrate.
With the feedback resistors of the conversion amplifier and the differential amplifier,
The input resistance of the differential amplifier is formed of the polysilicon resistance, and the photodiode has an N-type substrate / N-type epi structure.
【００１６】上記の構成によれば、フォトダイオードに
よって受光されるレーザ光の発振波長が７８０ｎｍの場
合、フォトダイオードの温度係数を約＋４００ｐｐｍ／
℃、受光アンプ回路の温度係数を約−４００ｐｐｍ／℃
に調整することで、該受光アンプ回路の出力電圧の温度
係数を相殺することができる。According to the above arrangement, when the oscillation wavelength of the laser light received by the photodiode is 780 nm, the temperature coefficient of the photodiode is about +400 ppm /
℃, the temperature coefficient of the light receiving amplifier circuit is about -400ppm / ℃
The temperature coefficient of the output voltage of the light receiving amplifier circuit can be canceled by adjusting the temperature coefficient.
【００１７】また、フォトダイオードによって受光され
るレーザ光の発振波長が６５０ｎｍの場合、フォトダイ
オードの温度係数を約＋１００ｐｐｍ／℃、受光アンプ
回路の温度係数を約−１００ｐｐｍ／℃に調整すること
で、該受光アンプ回路の出力電圧の温度係数を相殺する
ことができる。When the oscillation wavelength of the laser light received by the photodiode is 650 nm, the temperature coefficient of the photodiode is adjusted to about +100 ppm / ° C, and the temperature coefficient of the light receiving amplifier circuit is adjusted to about -100 ppm / ° C. It is possible to cancel the temperature coefficient of the output voltage of the light receiving amplifier circuit.
【００１８】さらにまた、本発明の受光アンプ回路は、
反転出力のＩ−Ｖ変換アンプおよび非反転出力の差動ア
ンプの２段のアンプと、フォトダイオードとがＮ型基板
に形成されて成り、前記Ｉ−Ｖ変換アンプおよび差動ア
ンプの前記帰還抵抗とともに、前記差動アンプの入力抵
抗が前記ポリシリコン抵抗で形成され、前記フォトダイ
オードはＮ型基板／Ｎ型エピ構造であることを特徴とす
る。Furthermore, the light receiving amplifier circuit of the present invention is
The feedback resistor of the IV conversion amplifier and the differential amplifier is formed by forming a two-stage amplifier of an inverting output IV conversion amplifier and a non-inverting output differential amplifier and a photodiode on an N-type substrate. At the same time, the input resistance of the differential amplifier is formed of the polysilicon resistance, and the photodiode has an N-type substrate / N-type epi structure.
【００１９】上記の構成によれば、フォトダイオードに
よって受光されるレーザ光の発振波長が７８０ｎｍの場
合、フォトダイオードの温度係数を約＋１０００ｐｐｍ
／℃、受光アンプ回路の温度係数を約−１０００ｐｐｍ
／℃に調整することで、該受光アンプ回路の出力電圧の
温度係数を相殺することができる。According to the above construction, when the oscillation wavelength of the laser light received by the photodiode is 780 nm, the temperature coefficient of the photodiode is about +1000 ppm.
/ ° C, temperature coefficient of light receiving amplifier circuit is about -1000ppm
By adjusting to / ° C, the temperature coefficient of the output voltage of the light receiving amplifier circuit can be canceled.
【００２０】また、フォトダイオードによって受光され
るレーザ光の発振波長が６５０ｎｍの場合、フォトダイ
オードの温度係数を約＋１００ｐｐｍ／℃、受光アンプ
回路の温度係数を約−１００ｐｐｍ／℃に調整すること
で、該受光アンプ回路の出力電圧の温度係数を相殺する
ことができる。When the oscillation wavelength of the laser light received by the photodiode is 650 nm, the temperature coefficient of the photodiode is adjusted to about +100 ppm / ° C and the temperature coefficient of the light receiving amplifier circuit is adjusted to about -100 ppm / ° C. It is possible to cancel the temperature coefficient of the output voltage of the light receiving amplifier circuit.
【００２１】また、本発明の受光アンプ回路は、非反転
出力のＩ−Ｖ変換アンプおよび反転出力の差動アンプの
２段のアンプがＰ型基板に形成されて成り、前記Ｉ−Ｖ
変換アンプおよび差動アンプの前記帰還抵抗とともに、
前記差動アンプの入力抵抗が前記ポリシリコン抵抗で形
成され、前記フォトダイオードはＰ型基板／Ｐ型エピ構
造であることを特徴とする。The light receiving amplifier circuit of the present invention is formed by forming two stages of a non-inverting output IV converting amplifier and an inverting output differential amplifier on a P-type substrate.
With the feedback resistors of the conversion amplifier and the differential amplifier,
The input resistance of the differential amplifier is formed of the polysilicon resistance, and the photodiode has a P-type substrate / P-type epi structure.
【００２２】上記の構成によれば、フォトダイオードに
よって受光されるレーザ光の発振波長が７８０ｎｍの場
合、フォトダイオードの温度係数を約＋４００ｐｐｍ／
℃、受光アンプ回路の温度係数を約−４００ｐｐｍ／℃
に調整することで、該受光アンプ回路の出力電圧の温度
係数を相殺することができる。According to the above construction, when the oscillation wavelength of the laser light received by the photodiode is 780 nm, the temperature coefficient of the photodiode is about +400 ppm /
℃, the temperature coefficient of the light receiving amplifier circuit is about -400ppm / ℃
The temperature coefficient of the output voltage of the light receiving amplifier circuit can be canceled by adjusting the temperature coefficient.
【００２３】また、フォトダイオードによって受光され
るレーザ光の発振波長が６５０ｎｍの場合、フォトダイ
オードの温度係数を約＋１００ｐｐｍ／℃、受光アンプ
回路の温度係数を約−１００ｐｐｍ／℃に調整すること
で、該受光アンプ回路の出力電圧の温度係数を相殺する
ことができる。When the oscillation wavelength of the laser light received by the photodiode is 650 nm, the temperature coefficient of the photodiode is adjusted to about +100 ppm / ° C and the temperature coefficient of the light receiving amplifier circuit is adjusted to about -100 ppm / ° C. It is possible to cancel the temperature coefficient of the output voltage of the light receiving amplifier circuit.
【００２４】さらにまた、本発明の受光アンプ回路は、
非反転出力のＩ−Ｖ変換アンプおよび反転出力の差動ア
ンプの２段のアンプと、フォトダイオードとがＰ型基板
に形成されて成り、前記Ｉ−Ｖ変換アンプおよび差動ア
ンプの前記帰還抵抗とともに、前記差動アンプの入力抵
抗が前記ポリシリコン抵抗で形成され、前記フォトダイ
オードはＰ型基板／Ｐ型エピ構造であることを特徴とす
る。Furthermore, the light receiving amplifier circuit of the present invention is
The feedback resistor of the IV conversion amplifier and the differential amplifier is formed by forming a two-stage amplifier of a non-inverting output IV conversion amplifier and an inverting output differential amplifier and a photodiode on a P-type substrate. At the same time, the input resistance of the differential amplifier is formed of the polysilicon resistance, and the photodiode has a P-type substrate / P-type epi structure.
【００２５】上記の構成によれば、フォトダイオードに
よって受光されるレーザ光の発振波長が７８０ｎｍの場
合、フォトダイオードの温度係数を約＋１０００ｐｐｍ
／℃、受光アンプ回路の温度係数を約−１０００ｐｐｍ
／℃に調整することで、該受光アンプ回路の出力電圧の
温度係数を相殺することができる。According to the above arrangement, when the oscillation wavelength of the laser light received by the photodiode is 780 nm, the temperature coefficient of the photodiode is about +1000 ppm.
/ ° C, temperature coefficient of light receiving amplifier circuit is about -1000ppm
By adjusting to / ° C, the temperature coefficient of the output voltage of the light receiving amplifier circuit can be canceled.
【００２６】また、フォトダイオードによって受光され
るレーザ光の発振波長が６５０ｎｍの場合、フォトダイ
オードの温度係数を約＋１００ｐｐｍ／℃、受光アンプ
回路の温度係数を約−１００ｐｐｍ／℃に調整すること
で、該受光アンプ回路の出力電圧の温度係数を相殺する
ことができる。When the oscillation wavelength of the laser light received by the photodiode is 650 nm, the temperature coefficient of the photodiode is adjusted to about +100 ppm / ° C, and the temperature coefficient of the light receiving amplifier circuit is adjusted to about -100 ppm / ° C. It is possible to cancel the temperature coefficient of the output voltage of the light receiving amplifier circuit.
【００２７】[0027]
【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態について、
図１〜図４に基づいて説明すれば、以下のとおりであ
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Regarding one embodiment of the present invention,
The following is a description with reference to FIGS. 1 to 4.
【００２８】図１は、本発明の基礎的な構成であるレー
ザパワー制御用の受光アンプ回路２１のブロック図であ
る。この受光アンプ回路２１は、Ｉ−Ｖ変換アンプ２２
と、前記Ｉ−Ｖ変換アンプ２２の帰還抵抗Ｒｆｌｐおよ
び入力抵抗Ｒｓ１とを備えて構成されている。フォトダ
イオードＤで光信号が電流信号に変換され、その光電流
ＩｓｃがＩ−Ｖ変換アンプ２２の反転端子に入力されて
電流−電圧変換されるとともに、入力抵抗Ｒｓ１を介し
て該Ｉ−Ｖ変換アンプ２２の非反転端子に入力される基
準電圧ＶＲＥＦと比較増幅されて出力される。Ｉ−Ｖ変
換アンプ２２の入出力間には、帰還抵抗Ｒｆ１が介在さ
れている。前記フォトダイオードＤの光電流Ｉｓｃは回
路に流れ込む（Ｖｃｃ→回路）ので、基準電圧ＶＲＥＦ
に対する該Ｉ−Ｖ変換アンプ２２の出力は負の出力とな
っている。FIG. 1 is a block diagram of a light receiving amplifier circuit 21 for laser power control, which is a basic configuration of the present invention. The light receiving amplifier circuit 21 includes an IV conversion amplifier 22.
And a feedback resistor Rflp and an input resistor Rs1 of the IV conversion amplifier 22. The optical signal is converted into a current signal by the photodiode D, and the photocurrent Isc is input to the inverting terminal of the IV conversion amplifier 22 for current-voltage conversion, and the IV conversion is performed via the input resistor Rs1. The reference voltage VREF input to the non-inverting terminal of the amplifier 22 is compared and amplified and output. A feedback resistor Rf1 is interposed between the input and output of the IV conversion amplifier 22. Since the photocurrent Isc of the photodiode D flows into the circuit (Vcc → circuit), the reference voltage VREF
The output of the IV conversion amplifier 22 with respect to is a negative output.
【００２９】注目すべきは、この受光アンプ回路２１で
は、前記フォトダイオードＤはＮ型基板／Ｎ型エピ構造
であり、前記帰還抵抗Ｒｆ１ｐはポリシリコン抵抗から
成ることである。It should be noted that, in the light receiving amplifier circuit 21, the photodiode D has an N type substrate / N type epi structure, and the feedback resistor Rf1p is a polysilicon resistor.
【００３０】前記フォトダイオードＤは、たとえば数十
Ωの比抵抗で、数百μｍの基板上に、数百〜数千Ωの高
比抵抗で、数十μｍのエピ構造となっており、前記比抵
抗およびエピ厚は、それぞれのプロセスによって最適化
されている。The photodiode D has, for example, a specific resistance of several tens Ω, a high specific resistance of several hundreds to several thousands Ω, and an epi structure of several tens μm on a substrate of several hundreds μm. The specific resistance and the epi thickness are optimized by each process.
【００３１】こうして、フォトダイオードＤは正の温度
係数を有し、その温度係数はエピ層の厚さに依存する。
その依存特性を図２に示す。この図２から理解されるよ
うに、エピ厚が厚くなる程、温度係数は低減する。な
お、前記エピ層の不純物が、超高濃度（コンマ数Ω）や
超低濃度（数万Ω）の状態であれば、前記温度係数にそ
の濃度による依存性も現れるけれども、通常のフォトダ
イオードを形成する濃度（約１０００Ω程度）であれ
ば、濃度による依存性はない。また、該エピ厚が厚くな
る程、応答特性が悪化するので、あまり厚くすることは
望ましくなく、前記応答特性を満足する範囲で該エピ厚
が規定される。Thus, the photodiode D has a positive temperature coefficient, which temperature coefficient depends on the thickness of the epilayer.
The dependence characteristics are shown in FIG. As can be seen from FIG. 2, the temperature coefficient decreases as the epi thickness increases. If the impurities in the epi layer are in a state of ultra-high concentration (comma number Ω) or ultra-low concentration (tens of thousands of Ω), the temperature coefficient also depends on the concentration, but a normal photodiode is used. There is no dependence on the concentration as long as the concentration is about 1000Ω. Moreover, since the response characteristics deteriorate as the epi thickness increases, it is not desirable to make the thickness too thick, and the epi thickness is defined within a range that satisfies the response characteristics.
【００３２】一方、ポリシリコン抵抗から成る帰還抵抗
Ｒｆｌｐは、負の温度係数を有し、その温度係数はポリ
シリコン抵抗のシート抵抗値に依存する。その依存特性
を図３に示す。ポリシリコン抵抗を採用するのは、温度
係数が負の値を持つためである。また、拡散抵抗の温度
係数よりも絶対値が小さいことも望ましい。したがっ
て、受光アンプ回路２１のゲイン抵抗はＲｆ１ｐである
ので、アンプ出力の温度係数はポリシリコン抵抗である
該帰還抵抗Ｒｆｌｐの温度係数となる。On the other hand, the feedback resistor Rflp made of a polysilicon resistor has a negative temperature coefficient, and the temperature coefficient depends on the sheet resistance value of the polysilicon resistor. The dependence characteristics are shown in FIG. The reason why the polysilicon resistor is used is that the temperature coefficient has a negative value. It is also desirable that the absolute value is smaller than the temperature coefficient of the diffusion resistance. Therefore, since the gain resistance of the light receiving amplifier circuit 21 is Rf1p, the temperature coefficient of the amplifier output is the temperature coefficient of the feedback resistance Rflp which is a polysilicon resistance.
【００３３】そして、この帰還抵抗Ｒｆｌｐの温度係数
の絶対値がフォトダイオードＤの温度係数の絶対値と同
じになるように帰還抵抗Ｒｆｌｐのシート抵抗値を合せ
込むことで、該受光アンプ回路２１からの出力電圧の温
度特性をゼロにすることができる。Then, the sheet resistance value of the feedback resistor Rflp is adjusted so that the absolute value of the temperature coefficient of the feedback resistor Rflp becomes the same as the absolute value of the temperature coefficient of the photodiode D. The temperature characteristic of the output voltage of can be made zero.
【００３４】たとえば、フォトダイオードＤによって受
光されるレーザ光の発振波長が、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ等のＣ
Ｄの書込みに用いられる７８０ｎｍで、上述の受光アン
プ回路２１をＮ型基板に形成した場合、フォトダイオー
ドＤの温度係数を約＋４００ｐｐｍ／℃、受光アンプ回
路２１の温度係数を約−４００ｐｐｍ／℃に調整するこ
とで、該受光アンプ回路２１の出力電圧の温度係数を相
殺することができる。For example, the oscillation wavelength of the laser beam received by the photodiode D is C such as CD-R / RW.
When the light receiving amplifier circuit 21 described above is formed on the N-type substrate at 780 nm used for writing D, the temperature coefficient of the photodiode D is about +400 ppm / ° C, and the temperature coefficient of the light receiving amplifier circuit 21 is about -400 ppm / ° C. By adjusting, the temperature coefficient of the output voltage of the light receiving amplifier circuit 21 can be canceled.
【００３５】また、レーザ光の発振波長が前記７８０ｎ
ｍで、それを受光アンプ回路２１のＮ型基板にモノリシ
ック形成した場合、フォトダイオードＤの温度係数を約
＋１０００ｐｐｍ／℃、受光アンプ回路２１の温度係数
を約−１０００ｐｐｍ／℃に調整することで、該受光ア
ンプ回路２１の出力電圧の温度係数を相殺することがで
きる。The oscillation wavelength of the laser light is 780n.
When m is monolithically formed on the N-type substrate of the light receiving amplifier circuit 21, the temperature coefficient of the photodiode D is adjusted to about +1000 ppm / ° C, and the temperature coefficient of the light receiving amplifier circuit 21 is adjusted to about −1000 ppm / ° C. The temperature coefficient of the output voltage of the light receiving amplifier circuit 21 can be canceled.
【００３６】一方、レーザ光の発振波長が、ＤＶＤ−Ｒ
／ＲＷ等のＤＶＤの書込みに用いられる６５０ｎｍで、
上述の受光アンプ回路２１をＮ型基板に形成した場合、
フォトダイオードＤの温度係数を約＋１００ｐｐｍ／
℃、受光アンプ回路２１の温度係数を約−１００ｐｐｍ
／℃に調整することで、該受光アンプ回路２１の出力電
圧の温度係数を相殺することができる。On the other hand, the oscillation wavelength of the laser light is DVD-R
At 650 nm, which is used for writing DVDs such as / RW,
When the light receiving amplifier circuit 21 described above is formed on the N-type substrate,
The temperature coefficient of the photodiode D is approximately +100 ppm /
℃, the temperature coefficient of the light receiving amplifier circuit 21 is about -100ppm
By adjusting to / ° C, the temperature coefficient of the output voltage of the light receiving amplifier circuit 21 can be canceled.
【００３７】また、レーザ光の発振波長が前記６５０ｎ
ｍで、それを受光アンプ回路２１のＮ型基板にモノリシ
ック形成した場合も、フォトダイオードＤの温度係数を
約＋１００ｐｐｍ／℃、受光アンプ回路２１の温度係数
を約−１００ｐｐｍ／℃に調整することで、該受光アン
プ回路２１の出力電圧の温度係数を相殺することができ
る。Further, the oscillation wavelength of the laser light is 650n.
Even when it is monolithically formed on the N-type substrate of the light receiving amplifier circuit 21 by m, by adjusting the temperature coefficient of the photodiode D to about +100 ppm / ° C and the temperature coefficient of the light receiving amplifier circuit 21 to about -100 ppm / ° C. The temperature coefficient of the output voltage of the light receiving amplifier circuit 21 can be canceled.
【００３８】図４は、本発明の実施の一形態のレーザパ
ワー制御用の受光アンプ回路３１のブロック図である。
この受光アンプ回路３１において、前述の受光アンプ回
路２１に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付
して、その説明を省略する。この受光アンプ回路３１
は、Ｉ−Ｖ変換アンプ３２と差動アンプ３３とを備える
２段アンプ構成であり、前記Ｉ−Ｖ変換アンプ３２の帰
還抵抗Ｒｆｌｐおよび入力抵抗Ｒｓ１と、前記差動アン
プ３３の帰還抵抗Ｒｆ２ｐおよび入力抵抗Ｒｓ２ｐ，Ｒ
ｓ３と、可変抵抗Ｒｅｘｔとをさらに備えている。FIG. 4 is a block diagram of a light receiving amplifier circuit 31 for laser power control according to an embodiment of the present invention.
In this light receiving amplifier circuit 31, the light receiving amplifier circuit 21 is similar to the above-described light receiving amplifier circuit 21, and corresponding parts are designated by the same reference numerals and description thereof will be omitted. This light receiving amplifier circuit 31
Is a two-stage amplifier configuration including an IV conversion amplifier 32 and a differential amplifier 33. The feedback resistance Rflp and the input resistance Rs1 of the IV conversion amplifier 32, the feedback resistance Rf2p of the differential amplifier 33, and Input resistance Rs2p, R
s3 and a variable resistor Rext are further provided.
【００３９】前記Ｉ−Ｖ変換アンプ３２には、前記Ｉ−
Ｖ変換アンプ２２と同様に、その反転端子にフォトダイ
オードＤからの光電流Ｉｓｃが入力されて電流−電圧変
換が行われるともに、入力抵抗Ｒｓ１を介して該Ｉ−Ｖ
変換アンプ３２の非反転端子に入力される基準電圧ＶＲ
ＥＦと比較増幅が行われて出力される。Ｉ−Ｖ変換アン
プ３２の入出力間には、帰還抵抗Ｒｆ１ｐが介在されて
いる。前記Ｉ−Ｖ変換アンプ３２の出力は、入力抵抗Ｒ
ｓ３を介して差動アンプ３３の非反転端子に入力され、
可変抵抗Ｒｅｘｔおよび入力抵抗Ｒｓ２ｐを介して該差
動アンプ３３の反転端子に入力される前記基準電圧ＶＲ
ＥＦと比較増幅されて出力される。The IV conversion amplifier 32 has the I-
Similarly to the V conversion amplifier 22, the photocurrent Isc from the photodiode D is input to the inverting terminal of the V conversion amplifier 22 to perform current-voltage conversion, and at the same time, the I-V is input via the input resistor Rs1.
Reference voltage VR input to the non-inverting terminal of the conversion amplifier 32
EF and comparative amplification are performed and output. A feedback resistor Rf1p is interposed between the input and output of the IV conversion amplifier 32. The output of the IV conversion amplifier 32 has an input resistance R
is input to the non-inverting terminal of the differential amplifier 33 via s3,
The reference voltage VR input to the inverting terminal of the differential amplifier 33 via the variable resistor Rext and the input resistor Rs2p.
The signal is compared and amplified with EF and is output.
【００４０】そして、前記フォトダイオードＤの光電流
Ｉｓｃは、前記Ｉ−Ｖ変換アンプ２２と同様に、回路に
流れ込む（Ｖｃｃ→回路）ので、基準電圧ＶＲＥＦに対
する該Ｉ−Ｖ変換アンプ３２の出力は負の出力であり、
これが非反転の差動アンプ３３に入力されて、最終の回
路出力は負の出力となっている。The photocurrent Isc of the photodiode D flows into the circuit (Vcc → circuit) as in the case of the IV conversion amplifier 22, so that the output of the IV conversion amplifier 32 with respect to the reference voltage VREF is. Is a negative output,
This is input to the non-inverting differential amplifier 33, and the final circuit output is a negative output.
【００４１】注目すべきは、この受光アンプ回路３１で
は、前記フォトダイオードＤはＮ型基板／Ｎ型エピ構造
であり、前記帰還抵抗Ｒｆｌｐ，Ｒｆ２ｐおよび入力抵
抗Ｒｓ２ｐは前記ポリシリコン抵抗から成ることであ
る。前記入力抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ３は、チップ上に拡散抵
抗で形成される。また、前記可変抵抗Ｒｅｘｔは、感度
調整用の外付けの可変抵抗である。It should be noted that, in this light receiving amplifier circuit 31, the photodiode D has an N-type substrate / N-type epi structure, and the feedback resistors Rflp, Rf2p and the input resistor Rs2p are the polysilicon resistors. is there. The input resistors Rs1 and Rs3 are formed of diffusion resistors on the chip. The variable resistor Rext is an external variable resistor for sensitivity adjustment.
【００４２】このように構成される受光アンプ回路３１
では、全体のゲイン抵抗は、Ｒｆ１ｐ×（１＋（Ｒｆ２
ｐ／（Ｒｓ２ｐ＋Ｒｅｘｔ）））となる。外付けの可変
抵抗Ｒｅｘｔには一般的な可変抵抗を用いるが、通常、
この可変抵抗は温度係数が殆どんど無いものである。ま
た、該可変抵抗Ｒｅｘｔの温度係数は無視できるので、
２段で構成される該受光アンプ回路３１の全体出力の温
度係数は、前段の帰還抵抗Ｒｆ１ｐの温度係数と、後段
の帰還抵抗Ｒｆ２ｐおよび入力抵抗Ｒｓ２ｐの分圧抵抗
１＋（Ｒｆ２ｐ／Ｒｓ２ｐ）の温度係数との和となる。
その温度係数の和の絶対値がフォトダイオードＤの温度
係数の絶対値と同じになるように、ポリシリコン抵抗か
ら成る前記帰還抵抗Ｒｆｌｐ，Ｒｆ２ｐおよび入力抵抗
Ｒｓ２ｐのシート抵抗値が調整される。このようにして
正負の温度係数値を合せ込むことによって、出力電圧の
温度特性をゼロにすることができる。The light receiving amplifier circuit 31 having the above structure
Then, the total gain resistance is Rf1p × (1+ (Rf2
p / (Rs2p + Rext))). A general variable resistor is used as the external variable resistor Rext, but normally,
This variable resistor has almost no temperature coefficient. Moreover, since the temperature coefficient of the variable resistor Rext can be ignored,
The temperature coefficient of the overall output of the light receiving amplifier circuit 31 configured by two stages is the temperature coefficient of the feedback resistor Rf1p in the preceding stage and the temperature of the voltage dividing resistor 1+ (Rf2p / Rs2p) of the feedback resistor Rf2p and the input resistor Rs2p in the subsequent stage. It is the sum of the coefficients.
The sheet resistance values of the feedback resistors Rflp and Rf2p and the input resistor Rs2p, which are polysilicon resistors, are adjusted so that the absolute value of the sum of the temperature coefficients becomes the same as the absolute value of the temperature coefficient of the photodiode D. By thus combining the positive and negative temperature coefficient values, the temperature characteristic of the output voltage can be made zero.
【００４３】たとえば、レーザ光の発振波長が７８０ｎ
ｍで、上述の受光アンプ回路３１をＮ型基板に形成した
場合、フォトダイオードＤの温度係数を約＋４００ｐｐ
ｍ／℃、受光アンプ回路３１の温度係数を約−４００ｐ
ｐｍ／℃に調整することで、該受光アンプ回路３１の出
力電圧の温度係数を相殺することができる。For example, the oscillation wavelength of the laser light is 780n
When the above-mentioned light receiving amplifier circuit 31 is formed on the N-type substrate at m, the temperature coefficient of the photodiode D is about +400 pp.
m / ° C, temperature coefficient of light receiving amplifier circuit 31 is about -400p
By adjusting to pm / ° C., it is possible to cancel the temperature coefficient of the output voltage of the light receiving amplifier circuit 31.
【００４４】また、レーザ光の発振波長が前記７８０ｎ
ｍで、それを受光アンプ回路３１のＮ型基板にモノリシ
ック形成した場合、フォトダイオードＤの温度係数を約
＋１０００ｐｐｍ／℃、受光アンプ回路３１の温度係数
を約−１０００ｐｐｍ／℃に調整することで、該受光ア
ンプ回路３１の出力電圧の温度係数を相殺することがで
きる。Further, the oscillation wavelength of the laser light is 780n.
When m is monolithically formed on the N-type substrate of the light receiving amplifier circuit 31, by adjusting the temperature coefficient of the photodiode D to about +1000 ppm / ° C. and the temperature coefficient of the light receiving amplifier circuit 31 to about −1000 ppm / ° C., The temperature coefficient of the output voltage of the light receiving amplifier circuit 31 can be canceled.
【００４５】一方、レーザ光の発振波長が６５０ｎｍ
で、上述の受光アンプ回路３１をＮ型基板に形成した場
合、フォトダイオードＤの温度係数を約＋１００ｐｐｍ
／℃、受光アンプ回路３１の温度係数を約−１００ｐｐ
ｍ／℃に調整することで、該受光アンプ回路３１の出力
電圧の温度係数を相殺することができる。On the other hand, the oscillation wavelength of the laser light is 650 nm
When the light receiving amplifier circuit 31 is formed on the N-type substrate, the temperature coefficient of the photodiode D is about +100 ppm.
/ ° C, the temperature coefficient of the light receiving amplifier circuit 31 is about -100pp
By adjusting to m / ° C., the temperature coefficient of the output voltage of the light receiving amplifier circuit 31 can be canceled.
【００４６】また、レーザ光の発振波長が前記６５０ｎ
ｍで、それを受光アンプ回路３１のＮ型基板にモノリシ
ック形成した場合も、フォトダイオードＤの温度係数を
約＋１００ｐｐｍ／℃、受光アンプ回路３１の温度係数
を約−１００ｐｐｍ／℃に調整することで、該受光アン
プ回路３１の出力電圧の温度係数を相殺することができ
る。Further, the oscillation wavelength of the laser beam is 650n.
Even when it is monolithically formed on the N-type substrate of the light receiving amplifier circuit 31 by m, by adjusting the temperature coefficient of the photodiode D to about +100 ppm / ° C. and the temperature coefficient of the light receiving amplifier circuit 31 to about −100 ppm / ° C. The temperature coefficient of the output voltage of the light receiving amplifier circuit 31 can be canceled.
【００４７】本発明の実施の他の形態について、図５に
基づいて説明すれば、以下のとおりである。Another embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
【００４８】図５は、本発明の実施の他の形態のレーザ
パワー制御用の受光アンプ回路４１のブロック図であ
る。この受光アンプ回路４１において、前述の受光アン
プ回路２１，３１に類似し、対応する部分には同一の参
照符号を付して、その説明を省略する。この受光アンプ
回路４１は、Ｉ−Ｖ変換アンプ４２と差動アンプ４３と
を備える２段アンプ構成であり、前記Ｉ−Ｖ変換アンプ
４２の帰還抵抗Ｒｆｌｐおよび入力抵抗Ｒｓ１と、前記
差動アンプ４３の帰還抵抗Ｒｆ２ｐおよび入力抵抗Ｒｓ
２ｐ，Ｒｓ３と、可変抵抗Ｒｅｘｔとをさらに備えてい
る。FIG. 5 is a block diagram of a light receiving amplifier circuit 41 for controlling laser power according to another embodiment of the present invention. In this light-receiving amplifier circuit 41, which is similar to the above-mentioned light-receiving amplifier circuits 21 and 31, corresponding parts are designated by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. The light receiving amplifier circuit 41 has a two-stage amplifier configuration including an IV conversion amplifier 42 and a differential amplifier 43. The feedback resistance Rflp and the input resistance Rs1 of the IV conversion amplifier 42, and the differential amplifier 43. Feedback resistance Rf2p and input resistance Rs of
2p, Rs3, and a variable resistance Rext are further provided.
【００４９】前記Ｉ−Ｖ変換アンプ４２には、その反転
端子にフォトダイオードＤからの光電流Ｉｓｃが入力さ
れて電流−電圧変換が行われるともに、入力抵抗Ｒｓ１
を介して該Ｉ−Ｖ変換アンプ４２の非反転端子に入力さ
れる基準電圧ＶＲＥＦと比較増幅が行われて出力され
る。Ｉ−Ｖ変換アンプ４２の入出力間には、帰還抵抗Ｒ
ｆ１ｐが介在されている。前記Ｉ−Ｖ変換アンプ４２の
出力は、可変抵抗Ｒｅｘｔおよび入力抵抗Ｒｓ２ｐを介
して差動アンプ４３の反転端子に入力され、入力抵抗Ｒ
ｓ３を介して該差動アンプ４３の非反転端子に入力され
る前記基準電圧ＶＲＥＦと比較増幅されて出力される。The photocurrent Isc from the photodiode D is input to the inverting terminal of the IV conversion amplifier 42 for current-voltage conversion and the input resistance Rs1.
The reference voltage VREF input to the non-inverting terminal of the IV conversion amplifier 42 via the reference voltage VREF is compared and amplified and output. A feedback resistor R is provided between the input and output of the IV conversion amplifier 42.
f1p is interposed. The output of the IV conversion amplifier 42 is input to the inverting terminal of the differential amplifier 43 via the variable resistance Rext and the input resistance Rs2p, and the input resistance R
The reference voltage VREF input to the non-inverting terminal of the differential amplifier 43 through s3 is compared and amplified and output.
【００５０】そして、前記フォトダイオードＤの光電流
Ｉｓｃは、回路から流れ出す（回路→ＧＮＤ）ので、基
準電圧ＶＲＥＦに対する該Ｉ−Ｖ変換アンプ４２の出力
は正の出力であり、これが反転の差動アンプ４３に入力
されて、最終の回路出力は負の出力となっている。Since the photocurrent Isc of the photodiode D flows out of the circuit (circuit → GND), the output of the IV conversion amplifier 42 with respect to the reference voltage VREF is a positive output, which is an inverted differential. It is input to the amplifier 43, and the final circuit output is a negative output.
【００５１】注目すべきは、この受光アンプ回路４１で
は、前記フォトダイオードＤはＰ型基板／Ｐ型エピ構造
であり、前記帰還抵抗Ｒｆｌｐ，Ｒｆ２ｐおよび入力抵
抗Ｒｓ２ｐは前記ポリシリコン抵抗から成ることであ
る。前記入力抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ３は、チップ上に拡散抵
抗で形成される。また、前記可変抵抗Ｒｅｘｔは、感度
調整用の外付けの可変抵抗である。It should be noted that, in the light receiving amplifier circuit 41, the photodiode D has a P type substrate / P type epi structure, and the feedback resistors Rflp, Rf2p and the input resistor Rs2p are made of the polysilicon resistor. is there. The input resistors Rs1 and Rs3 are formed of diffusion resistors on the chip. The variable resistor Rext is an external variable resistor for sensitivity adjustment.
【００５２】このように構成される受光アンプ回路４１
では、全体のゲイン抵抗は、Ｒｆ１ｐ×（（Ｒｆ２ｐ／
（Ｒｓ２ｐ＋Ｒｅｘｔ））となる。前記可変抵抗Ｒｅｘ
ｔの温度係数は無視できるので、２段で構成される該受
光アンプ回路４１の全体出力の温度係数は、前段の帰還
抵抗Ｒｆ１ｐの温度係数と、後段の帰還抵抗Ｒｆ２ｐお
よび入力抵抗Ｒｓ２ｐの分圧抵抗（Ｒｆ２ｐ／Ｒｓ２
ｐ）の温度係数との和となる。その温度係数の和の絶対
値がフォトダイオードＤの温度係数の絶対値と同じにな
るように、ポリシリコン抵抗から成る前記帰還抵抗Ｒｆ
ｌｐ，Ｒｆ２ｐおよび入力抵抗Ｒｓ２ｐのシート抵抗値
が調整される。このようにして正負の温度係数値を合せ
込むことによって、出力電圧の温度特性をゼロにするこ
とができる。The light receiving amplifier circuit 41 configured as described above.
Then, the total gain resistance is Rf1p × ((Rf2p /
(Rs2p + Rext)). The variable resistance Rex
Since the temperature coefficient of t can be ignored, the temperature coefficient of the overall output of the light receiving amplifier circuit 41 configured by two stages is the temperature coefficient of the feedback resistor Rf1p in the preceding stage and the voltage division of the feedback resistor Rf2p and the input resistor Rs2p in the subsequent stage. Resistance (Rf2p / Rs2
p) and the temperature coefficient. The feedback resistor Rf formed of a polysilicon resistor is arranged so that the absolute value of the sum of the temperature coefficients is the same as the absolute value of the temperature coefficient of the photodiode D.
The sheet resistance values of lp, Rf2p and the input resistance Rs2p are adjusted. By thus combining the positive and negative temperature coefficient values, the temperature characteristic of the output voltage can be made zero.
【００５３】たとえば、レーザ光の発振波長が７８０ｎ
ｍで、上述の受光アンプ回路４１をＰ型基板に形成した
場合、フォトダイオードＤの温度係数を約＋４００ｐｐ
ｍ／℃、受光アンプ回路４１の温度係数を約−４００ｐ
ｐｍ／℃に調整することで、該受光アンプ回路４１の出
力電圧の温度係数を相殺することができる。For example, the oscillation wavelength of the laser light is 780n
When the above-mentioned light receiving amplifier circuit 41 is formed on a P-type substrate at m, the temperature coefficient of the photodiode D is about +400 pp.
m / ° C, temperature coefficient of light receiving amplifier circuit 41 is about -400p
By adjusting to pm / ° C., the temperature coefficient of the output voltage of the light receiving amplifier circuit 41 can be canceled.
【００５４】また、レーザ光の発振波長が前記７８０ｎ
ｍで、それを受光アンプ回路４１のＰ型基板にモノリシ
ック形成した場合、フォトダイオードＤの温度係数を約
＋１０００ｐｐｍ／℃、受光アンプ回路４１の温度係数
を約−１０００ｐｐｍ／℃に調整することで、該受光ア
ンプ回路４１の出力電圧の温度係数を相殺することがで
きる。The oscillation wavelength of the laser light is 780n.
When m is monolithically formed on the P-type substrate of the light receiving amplifier circuit 41, by adjusting the temperature coefficient of the photodiode D to about +1000 ppm / ° C. and the temperature coefficient of the light receiving amplifier circuit 41 to about −1000 ppm / ° C., The temperature coefficient of the output voltage of the light receiving amplifier circuit 41 can be canceled.
【００５５】一方、レーザ光の発振波長が６５０ｎｍ
で、上述の受光アンプ回路４１をＰ型基板に形成した場
合、フォトダイオードＤの温度係数を約＋１００ｐｐｍ
／℃、受光アンプ回路４１の温度係数を約−１００ｐｐ
ｍ／℃に調整することで、該受光アンプ回路４１の出力
電圧の温度係数を相殺することができる。On the other hand, the oscillation wavelength of the laser light is 650 nm
When the light receiving amplifier circuit 41 is formed on the P-type substrate, the temperature coefficient of the photodiode D is about +100 ppm.
/ ℃, the temperature coefficient of the light receiving amplifier circuit 41 is about -100pp
By adjusting to m / ° C., the temperature coefficient of the output voltage of the light receiving amplifier circuit 41 can be canceled.
【００５６】また、レーザ光の発振波長が前記６５０ｎ
ｍで、それを受光アンプ回路４１のＮ型基板にモノリシ
ック形成した場合も、フォトダイオードＤの温度係数を
約＋１００ｐｐｍ／℃、受光アンプ回路４１の温度係数
を約−１００ｐｐｍ／℃に調整することで、該受光アン
プ回路４１の出力電圧の温度係数を相殺することができ
る。The oscillation wavelength of the laser light is 650n.
Even when it is monolithically formed on the N-type substrate of the light receiving amplifier circuit 41 with m, the temperature coefficient of the photodiode D is adjusted to about +100 ppm / ° C. and the temperature coefficient of the light receiving amplifier circuit 41 is adjusted to about −100 ppm / ° C. The temperature coefficient of the output voltage of the light receiving amplifier circuit 41 can be canceled.
【００５７】なお、特許第３１７３４２９号公報には、
Ｉ−Ｖ変換アンプと電圧増幅アンプとの２段構成とし、
２段目のアンプの帰還抵抗を、ポリシリコン抵抗（−３
０００ｐｐｍ／℃で固定）と、ベース抵抗（−１４００
ｐｐｍ／℃で固定）とで構成し、その構成比をｎ：（１
−ｎ）として、それらの組合わせによって出力電圧の温
度特性を低減することが記載されている。しかしなが
ら、本発明は、フォトダイオードの正の温度係数を前記
ポリシリコン抵抗の負の温度係数と組合わせてこれらを
キャンセルするものであり、全く異なるものである。In addition, in Japanese Patent No. 3173429,
A two-stage configuration including an IV conversion amplifier and a voltage amplification amplifier,
The feedback resistor of the second amplifier is the polysilicon resistor (-3
Fixed at 000 ppm / ° C) and base resistance (-1400
(fixed at ppm / ° C) and its composition ratio is n: (1
-N), it is described that the temperature characteristics of the output voltage are reduced by combining them. However, the present invention is quite different because it combines the positive temperature coefficient of the photodiode with the negative temperature coefficient of the polysilicon resistor to cancel them.
【００５８】[0058]
【発明の効果】本発明の受光アンプ回路は、以上のよう
に、フォトダイオードによって光電変換された信号を増
幅して出力する受光アンプ回路において、フォトダイオ
ードが有する正の温度係数を補償するにあたって、差動
アンプの帰還抵抗などの増幅ゲインを決定する帰還抵抗
をポリシリコン抵抗で形成することで該帰還抵抗に負の
温度係数を持たせ、前記フォトダイオードのエピ層の厚
さと前記ポリシリコン抵抗のシート抵抗値とを調整して
正負の温度係数値を合せ込む。As described above, in the light receiving amplifier circuit of the present invention, in the light receiving amplifier circuit for amplifying and outputting the signal photoelectrically converted by the photodiode, in compensating the positive temperature coefficient of the photodiode, A feedback resistor for determining an amplification gain such as a feedback resistor of a differential amplifier is formed of a polysilicon resistor so that the feedback resistor has a negative temperature coefficient, and the thickness of the epi layer of the photodiode and the polysilicon resistor Adjust the sheet resistance value to match the positive and negative temperature coefficient values.
【００５９】それゆえ、アンプ入力抵抗を外付けとして
感度調整を行うことで、応答特性の悪化を招くことな
く、前記フォトダイオードの温度係数を補償することが
できる。Therefore, the temperature coefficient of the photodiode can be compensated without deteriorating the response characteristic by adjusting the sensitivity with the amplifier input resistance as an external device.
【００６０】また、本発明の受光アンプ回路は、以上の
ように、反転出力のＩ−Ｖ変換アンプおよび非反転出力
の差動アンプの２段のアンプをＮ型基板に形成して成
り、前記Ｉ−Ｖ変換アンプおよび差動アンプの前記帰還
抵抗とともに、前記差動アンプの入力抵抗を前記ポリシ
リコン抵抗で形成し、かつ前記フォトダイオードをＮ型
基板／Ｎ型エピ構造とする。As described above, the light receiving amplifier circuit of the present invention is formed by forming the two-stage amplifier of the inverting output IV conversion amplifier and the non-inverting output differential amplifier on the N-type substrate. The input resistance of the differential amplifier is formed by the polysilicon resistance together with the feedback resistance of the IV conversion amplifier and the differential amplifier, and the photodiode has an N type substrate / N type epi structure.
【００６１】それゆえ、フォトダイオードによって受光
されるレーザ光の発振波長が７８０ｎｍの場合、フォト
ダイオードの温度係数を約＋４００ｐｐｍ／℃、受光ア
ンプ回路の温度係数を約−４００ｐｐｍ／℃に調整する
ことで、該受光アンプ回路の出力電圧の温度係数を相殺
することができる。Therefore, when the oscillation wavelength of the laser beam received by the photodiode is 780 nm, the temperature coefficient of the photodiode is adjusted to about +400 ppm / ° C, and the temperature coefficient of the light receiving amplifier circuit is adjusted to about -400 ppm / ° C. The temperature coefficient of the output voltage of the light receiving amplifier circuit can be canceled.
【００６２】また、フォトダイオードによって受光され
るレーザ光の発振波長が６５０ｎｍの場合、フォトダイ
オードの温度係数を約＋１００ｐｐｍ／℃、受光アンプ
回路の温度係数を約−１００ｐｐｍ／℃に調整すること
で、該受光アンプ回路の出力電圧の温度係数を相殺する
ことができる。When the oscillation wavelength of the laser light received by the photodiode is 650 nm, the temperature coefficient of the photodiode is adjusted to about +100 ppm / ° C, and the temperature coefficient of the light receiving amplifier circuit is adjusted to about -100 ppm / ° C. It is possible to cancel the temperature coefficient of the output voltage of the light receiving amplifier circuit.
【００６３】さらにまた、本発明の受光アンプ回路は、
以上のように、反転出力のＩ−Ｖ変換アンプおよび非反
転出力の差動アンプの２段のアンプと、フォトダイオー
ドとをＮ型基板に形成して成り、前記Ｉ−Ｖ変換アンプ
および差動アンプの前記帰還抵抗とともに、前記差動ア
ンプの入力抵抗を前記ポリシリコン抵抗で形成し、かつ
前記フォトダイオードをＮ型基板／Ｎ型エピ構造とす
る。Furthermore, the light receiving amplifier circuit of the present invention is
As described above, the I-V conversion amplifier and the differential amplifier are formed by forming the two-stage amplifier of the inverting output IV conversion amplifier and the non-inverting output differential amplifier and the photodiode on the N-type substrate. The input resistance of the differential amplifier is formed of the polysilicon resistance together with the feedback resistance of the amplifier, and the photodiode has an N-type substrate / N-type epi structure.
【００６４】それゆえ、フォトダイオードによって受光
されるレーザ光の発振波長が７８０ｎｍの場合、フォト
ダイオードの温度係数を約＋１０００ｐｐｍ／℃、受光
アンプ回路の温度係数を約−１０００ｐｐｍ／℃に調整
することで、該受光アンプ回路の出力電圧の温度係数を
相殺することができる。Therefore, when the oscillation wavelength of the laser light received by the photodiode is 780 nm, the temperature coefficient of the photodiode is adjusted to about +1000 ppm / ° C, and the temperature coefficient of the light receiving amplifier circuit is adjusted to about -1000 ppm / ° C. The temperature coefficient of the output voltage of the light receiving amplifier circuit can be canceled.
【００６５】また、フォトダイオードによって受光され
るレーザ光の発振波長が６５０ｎｍの場合、フォトダイ
オードの温度係数を約＋１００ｐｐｍ／℃、受光アンプ
回路の温度係数を約−１００ｐｐｍ／℃に調整すること
で、該受光アンプ回路の出力電圧の温度係数を相殺する
ことができる。When the oscillation wavelength of the laser light received by the photodiode is 650 nm, the temperature coefficient of the photodiode is adjusted to about +100 ppm / ° C and the temperature coefficient of the light receiving amplifier circuit is adjusted to about -100 ppm / ° C. It is possible to cancel the temperature coefficient of the output voltage of the light receiving amplifier circuit.
【００６６】また、本発明の受光アンプ回路は、以上の
ように、非反転出力のＩ−Ｖ変換アンプおよび反転出力
の差動アンプの２段のアンプをＰ型基板に形成して成
り、前記Ｉ−Ｖ変換アンプおよび差動アンプの前記帰還
抵抗とともに、前記差動アンプの入力抵抗を前記ポリシ
リコン抵抗で形成し、かつ前記フォトダイオードをＰ型
基板／Ｐ型エピ構造とする。As described above, the light receiving amplifier circuit of the present invention is formed by forming the two-stage amplifiers of the non-inverting output IV converting amplifier and the inverting output differential amplifier on the P-type substrate. The input resistance of the differential amplifier is formed of the polysilicon resistance together with the feedback resistance of the IV conversion amplifier and the differential amplifier, and the photodiode has a P-type substrate / P-type epi structure.
【００６７】それゆえ、フォトダイオードによって受光
されるレーザ光の発振波長が７８０ｎｍの場合、フォト
ダイオードの温度係数を約＋４００ｐｐｍ／℃、受光ア
ンプ回路の温度係数を約−４００ｐｐｍ／℃に調整する
ことで、該受光アンプ回路の出力電圧の温度係数を相殺
することができる。Therefore, when the oscillation wavelength of the laser light received by the photodiode is 780 nm, the temperature coefficient of the photodiode is adjusted to about +400 ppm / ° C, and the temperature coefficient of the light receiving amplifier circuit is adjusted to about -400 ppm / ° C. The temperature coefficient of the output voltage of the light receiving amplifier circuit can be canceled.
【００６８】また、フォトダイオードによって受光され
るレーザ光の発振波長が６５０ｎｍの場合、フォトダイ
オードの温度係数を約＋１００ｐｐｍ／℃、受光アンプ
回路の温度係数を約−１００ｐｐｍ／℃に調整すること
で、該受光アンプ回路の出力電圧の温度係数を相殺する
ことができる。When the oscillation wavelength of the laser light received by the photodiode is 650 nm, the temperature coefficient of the photodiode is adjusted to about +100 ppm / ° C and the temperature coefficient of the light receiving amplifier circuit is adjusted to about -100 ppm / ° C. It is possible to cancel the temperature coefficient of the output voltage of the light receiving amplifier circuit.
【００６９】さらにまた、本発明の受光アンプ回路は、
以上のように、非反転出力のＩ−Ｖ変換アンプおよび反
転出力の差動アンプの２段のアンプと、フォトダイオー
ドとをＰ型基板に形成して成り、前記Ｉ−Ｖ変換アンプ
および差動アンプの前記帰還抵抗とともに、前記差動ア
ンプの入力抵抗を前記ポリシリコン抵抗で形成し、かつ
前記フォトダイオードをＰ型基板／Ｐ型エピ構造とす
る。Furthermore, the light receiving amplifier circuit of the present invention is
As described above, the I-V conversion amplifier and the differential amplifier are formed by forming the two-stage amplifier of the non-inverting output IV conversion amplifier and the inverting output differential amplifier and the photodiode on the P-type substrate. The input resistance of the differential amplifier is formed of the polysilicon resistance together with the feedback resistance of the amplifier, and the photodiode has a P-type substrate / P-type epi structure.
【００７０】それゆえ、フォトダイオードによって受光
されるレーザ光の発振波長が７８０ｎｍの場合、フォト
ダイオードの温度係数を約＋１０００ｐｐｍ／℃、受光
アンプ回路の温度係数を約−１０００ｐｐｍ／℃に調整
することで、該受光アンプ回路の出力電圧の温度係数を
相殺することができる。Therefore, when the oscillation wavelength of the laser light received by the photodiode is 780 nm, the temperature coefficient of the photodiode is adjusted to about +1000 ppm / ° C, and the temperature coefficient of the light receiving amplifier circuit is adjusted to about -1000 ppm / ° C. The temperature coefficient of the output voltage of the light receiving amplifier circuit can be canceled.
【００７１】また、フォトダイオードによって受光され
るレーザ光の発振波長が６５０ｎｍの場合、フォトダイ
オードの温度係数を約＋１００ｐｐｍ／℃、受光アンプ
回路の温度係数を約−１００ｐｐｍ／℃に調整すること
で、該受光アンプ回路の出力電圧の温度係数を相殺する
ことができる。When the oscillation wavelength of the laser light received by the photodiode is 650 nm, the temperature coefficient of the photodiode is adjusted to about +100 ppm / ° C, and the temperature coefficient of the light receiving amplifier circuit is adjusted to about -100 ppm / ° C. It is possible to cancel the temperature coefficient of the output voltage of the light receiving amplifier circuit.
【図１】本発明の基礎的な構成であるレーザパワー制御
用の受光アンプ回路のブロック図である。FIG. 1 is a block diagram of a light receiving amplifier circuit for laser power control, which is a basic configuration of the present invention.
【図２】フォトダイオードの温度係数のエピ層厚に対す
る依存特性を示すグラフである。FIG. 2 is a graph showing dependency characteristics of a temperature coefficient of a photodiode on an epi layer thickness.
【図３】ポリシリコン抵抗の温度係数のシート抵抗値に
対する依存特性を示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing a dependency characteristic of a temperature coefficient of polysilicon resistance on a sheet resistance value.
【図４】本発明の実施の一形態のレーザパワー制御用の
受光アンプ回路のブロック図である。FIG. 4 is a block diagram of a light receiving amplifier circuit for laser power control according to an embodiment of the present invention.
【図５】本発明の実施の他の形態のレーザパワー制御用
の受光アンプ回路のブロック図である。FIG. 5 is a block diagram of a light receiving amplifier circuit for controlling laser power according to another embodiment of the present invention.
【図６】典型的な従来技術のレーザパワー制御用の受光
アンプ回路のブロック図である。FIG. 6 is a block diagram of a typical conventional photoreceiver amplifier circuit for controlling laser power.
【図７】他の従来技術のレーザパワー制御用の受光アン
プ回路のブロック図である。FIG. 7 is a block diagram of another conventional light receiving amplifier circuit for controlling laser power.
【符号の説明】 ２１，３１，４１ 受光アンプ回路 ２２，３２，４２ Ｉ−Ｖ変換アンプ ３３，４３ 差動アンプ Ｄ フォトダイオード Ｒｆｌｐ，Ｒｆ２ｐ 帰還抵抗（ポリシリコン抵抗） Ｒｓ１，Ｒｓ３ 入力抵抗 Ｒｓ２ｐ 入力抵抗（ポリシリコン抵抗） Ｒｅｘｔ 可変抵抗[Explanation of symbols] 21, 31, 41 Light receiving amplifier circuit 22, 32, 42 IV conversion amplifier 33,43 differential amplifier D photodiode Rflp, Rf2p Feedback resistance (polysilicon resistance) Rs1, Rs3 Input resistance Rs2p input resistance (polysilicon resistance) Rext variable resistance
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） ５Ｊ０９２ ５Ｊ５００ Ｆターム(参考） 4M118 AB10 BA09 CA02 DD09 5D119 AA24 BA01 BB02 BB04 HA12 KA02 KA43 5D789 AA24 BA01 BB02 BB04 HA12 KA02 KA43 5F049 MA01 NA20 QA03 SS02 UA05 UA06 UA07 UA20 5J090 AA01 AA56 CA02 CN01 FA20 FN10 HA19 HA25 HA26 HA28 HA43 HA44 KA02 KA27 KA58 MA08 MA11 TA02 5J092 AA01 AA56 CA02 FA20 HA19 HA25 HA26 HA28 HA43 HA44 KA02 KA27 KA58 MA08 MA11 TA02 UL02 5J500 AA01 AA56 AC02 AF20 AH19 AH25 AH26 AH28 AH43 AH44 AK02 AK27 AK58 AM08 AM11 AT02 LU02 NC01 NF10 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme coat (reference) 5J092 5J500 F term (reference) 4M118 AB10 BA09 CA02 DD09 5D119 AA24 BA01 BB02 BB04 HA12 KA02 KA43 5D789 AA24 BA01 BB02 BB04 HA12 KA02 KA43 5F049 MA01 NA20 QA03 SS02 UA05 UA06 UA07 UA20 5J090 AA01 AA56 CA02 CN01 FA20 FN10 HA19 HA25 HA26 HA28 HA43 HA44 KA02 KA27 KA58 MA08 MA11 TA02 5J092 A11 A02 MA08 A25 A11 A02 A01 A02 A01 A02 HA04 HA02 HA04 HA02 HA44 HA02 HA02 HA26 HA02 HA02 HA26 HA28 HA02 HA26 HA02 HA28 HA02 HA02 HA26 HA02 HA02 HA26 HA28 HA02 HA44 HA02 HA43 AC02 AF20 AH19 AH25 AH26 AH28 AH43 AH44 AK02 AK27 AK58 AM08 AM11 AT02 LU02 NC01 NF10
Claims (5)
信号を増幅して出力する受光アンプ回路において、 増幅ゲインを決定する帰還抵抗をポリシリコン抵抗で形
成し、 前記フォトダイオードのエピ層の厚さと、前記ポリシリ
コン抵抗のシート抵抗値との調整によって、前記フォト
ダイオードの正の温度係数を前記ポリシリコン抵抗の負
の温度係数で補償することを特徴とする受光アンプ回
路。1. In a light receiving amplifier circuit for amplifying and outputting a signal photoelectrically converted by a photodiode, a feedback resistor for determining an amplification gain is formed of a polysilicon resistor, and a thickness of an epi layer of the photodiode and A light receiving amplifier circuit, wherein a positive temperature coefficient of the photodiode is compensated by a negative temperature coefficient of the polysilicon resistor by adjusting a sheet resistance value of the polysilicon resistor.
出力の差動アンプの２段のアンプがＮ型基板に形成され
て成り、前記Ｉ−Ｖ変換アンプおよび差動アンプの前記
帰還抵抗とともに、前記差動アンプの入力抵抗が前記ポ
リシリコン抵抗で形成され、 前記フォトダイオードはＮ型基板／Ｎ型エピ構造である
ことを特徴とする請求項１記載の受光アンプ回路。2. An inverting output IV conversion amplifier and a non-inverting output differential amplifier having two stages are formed on an N-type substrate, and the feedback resistors of the IV conversion amplifier and the differential amplifier are formed. The light receiving amplifier circuit according to claim 1, wherein an input resistance of the differential amplifier is formed of the polysilicon resistance, and the photodiode has an N type substrate / N type epi structure.
出力の差動アンプの２段のアンプと、フォトダイオード
とがＮ型基板に形成されて成り、前記Ｉ−Ｖ変換アンプ
および差動アンプの前記帰還抵抗とともに、前記差動ア
ンプの入力抵抗が前記ポリシリコン抵抗で形成され、 前記フォトダイオードはＮ型基板／Ｎ型エピ構造である
ことを特徴とする請求項１記載の受光アンプ回路。3. An IV conversion amplifier for inverting output and a two-stage amplifier of a differential amplifier for non-inverting output, and a photodiode are formed on an N-type substrate. 2. The light receiving amplifier circuit according to claim 1, wherein an input resistance of the differential amplifier is formed of the polysilicon resistance together with the feedback resistance of the amplifier, and the photodiode has an N type substrate / N type epi structure. .
出力の差動アンプの２段のアンプがＰ型基板に形成され
て成り、前記Ｉ−Ｖ変換アンプおよび差動アンプの前記
帰還抵抗とともに、前記差動アンプの入力抵抗が前記ポ
リシリコン抵抗で形成され、 前記フォトダイオードはＰ型基板／Ｐ型エピ構造である
ことを特徴とする請求項１記載の受光アンプ回路。4. A feedback amplifier of the IV conversion amplifier and the differential amplifier, wherein two stages of a non-inverting output IV conversion amplifier and an inverting output differential amplifier are formed on a P-type substrate. At the same time, the input resistance of the differential amplifier is formed of the polysilicon resistance, and the photodiode has a P-type substrate / P-type epi structure.
出力の差動アンプの２段のアンプと、フォトダイオード
とがＰ型基板に形成されて成り、前記Ｉ−Ｖ変換アンプ
および差動アンプの前記帰還抵抗とともに、前記差動ア
ンプの入力抵抗が前記ポリシリコン抵抗で形成され、 前記フォトダイオードはＰ型基板／Ｐ型エピ構造である
ことを特徴とする請求項１記載の受光アンプ回路。5. A non-inverting output IV conversion amplifier and a two-stage amplifier of an inverting output differential amplifier and a photodiode are formed on a P-type substrate, and the IV conversion amplifier and the differential amplifier are provided. 2. The light receiving amplifier circuit according to claim 1, wherein an input resistance of the differential amplifier is formed of the polysilicon resistance together with the feedback resistance of the amplifier, and the photodiode has a P type substrate / P type epi structure. .
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005129909A (en) * | 2003-09-19 | 2005-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Optical sensor device and electronic apparatus |
| JP2006294980A (en) * | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Light receiving circuit, semiconductor laser device and light pickup device |
| WO2007125873A1 (en) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Asahi Kasei Emd Corporation | Infrared sensor |
| JP2011033624A (en) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | General Electric Co <Ge> | Apparatus for reducing photodiode thermal gain coefficient and method of making the same |
| US8039782B2 (en) | 2003-09-19 | 2011-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Optical sensor device and electronic apparatus with an amplifier circuit and dual level shift circuit |
| JP2012145563A (en) * | 2010-12-20 | 2012-08-02 | Fujifilm Corp | Radiation detector, manufacturing method therefor and radiation image photographing device equipped therewith |
| JP2012231031A (en) * | 2011-04-26 | 2012-11-22 | Sharp Corp | Optical sensor, mobile telephone having the same, and digital camera |
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Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005129909A (en) * | 2003-09-19 | 2005-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Optical sensor device and electronic apparatus |
| US8039782B2 (en) | 2003-09-19 | 2011-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Optical sensor device and electronic apparatus with an amplifier circuit and dual level shift circuit |
| US8461509B2 (en) | 2003-09-19 | 2013-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Optical sensor device including amplifier circuit and feedback resistor |
| JP2006294980A (en) * | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Light receiving circuit, semiconductor laser device and light pickup device |
| JP4555725B2 (en) * | 2005-04-13 | 2010-10-06 | パナソニック株式会社 | Light receiving circuit, semiconductor laser device, and optical pickup device |
| WO2007125873A1 (en) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Asahi Kasei Emd Corporation | Infrared sensor |
| JP4802242B2 (en) * | 2006-04-24 | 2011-10-26 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | Infrared sensor |
| US8304734B2 (en) | 2006-04-24 | 2012-11-06 | Asahi Kasei Emd Corporation | Infrared sensor |
| JP2011033624A (en) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | General Electric Co <Ge> | Apparatus for reducing photodiode thermal gain coefficient and method of making the same |
| JP2012145563A (en) * | 2010-12-20 | 2012-08-02 | Fujifilm Corp | Radiation detector, manufacturing method therefor and radiation image photographing device equipped therewith |
| JP2012231031A (en) * | 2011-04-26 | 2012-11-22 | Sharp Corp | Optical sensor, mobile telephone having the same, and digital camera |
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