JP2000332546A - Photodetecting amplifier circuit - Google Patents

Photodetecting amplifier circuit

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JP2000332546A
JP2000332546A JP11137851A JP13785199A JP2000332546A JP 2000332546 A JP2000332546 A JP 2000332546A JP 11137851 A JP11137851 A JP 11137851A JP 13785199 A JP13785199 A JP 13785199A JP 2000332546 A JP2000332546 A JP 2000332546A
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JP
Japan
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preamplifier
phase compensation
light
amplifier circuit
noise
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Application number
JP11137851A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiro Otsuka
芳廣 大塚
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the photodetecting amplifier circuit which can reduce the noise in a high-frequency area. SOLUTION: The photodetecting amplifier circuit has a 1st preamplifier A1 where a photodetector element PD1 is connected and which has a feedback circuit constituted by connecting a 1st gate resistance Rf1 and a 1st phase compensating capacitor Cf1 in parallel, a 2nd preamplifier A2 having a feedback circuit constituted by connecting a 2nd gain resistance Rf2 and a 2nd phase compensating capacity Cf2 in parallel, and a differential amplifier A3 which obtains the difference in output voltage between the 1st preamplifier A1 and 2nd preamplifier A2, and the 2nd phase compensating capacitor Cf2 is made larger than the 1st phase compensating capacitor Cf1.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、CD−ROMドラ
イバ等に用いられる光ピックアップ用受光アンプ回路に
関する。
The present invention relates to a light-receiving amplifier circuit for an optical pickup used for a CD-ROM driver or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近では、CD−ROMドライバ等の高
速化に伴い、高速応答が必要な受光アンプ回路において
低ノイズ化が求められている。
2. Description of the Related Art Recently, with the increase in speed of CD-ROM drivers and the like, low noise has been required in light receiving amplifier circuits that require high-speed response.

【0003】CD−ROMドライバ等に用いられる従来
の光ピックアップ用受光アンプ回路は、図4に示すよう
に、フォトダイオード等の受光素子PD91が接続され
ると共に、第1のゲイン抵抗Rf91と第1の位相補償
容量Cf91を並列接続した帰還回路を有する第1の前
置アンプA91と、第2のゲイン抵抗Rf92と第2の
位相補償容量Cf92を並列接続した帰還回路を有する
第2の前置アンプA92と、第1の前置アンプA91と
第2の前置アンプA92の出力電圧の差をとるための差
動アンプA93とを有し、第1の前置アンプA91は抵
抗R93を介して差動アンプA93の非反転入力端子に
接続され、第2の前置アンプA92は抵抗R94を介し
て差動アンプA93の反転入力端子に接続されている。
更に、差動アンプA93の非反転入力端子には、基準電
圧Vrefが抵抗R95を介して印加されている。
As shown in FIG. 4, a conventional light-receiving amplifier circuit for an optical pickup used for a CD-ROM driver or the like is connected to a light-receiving element PD91 such as a photodiode, and has a first gain resistor Rf91 and a first gain resistor Rf91. A first preamplifier A91 having a feedback circuit in which phase compensation capacitors Cf91 are connected in parallel, and a second preamplifier having a feedback circuit in which a second gain resistor Rf92 and a second phase compensation capacitor Cf92 are connected in parallel A92, and a differential amplifier A93 for obtaining a difference between the output voltages of the first preamplifier A91 and the second preamplifier A92, and the first preamplifier A91 is connected via a resistor R93. The second preamplifier A92 is connected to the non-inverting input terminal of the dynamic amplifier A93, and the second preamplifier A92 is connected to the inverting input terminal of the differential amplifier A93 via a resistor R94.
Further, a reference voltage Vref is applied to a non-inverting input terminal of the differential amplifier A93 via a resistor R95.

【0004】ここで、第1の位相補償容量Cf91と第
2の位相補償容量Cf92を同一の値に設定し、第1の
前置アンプA91と第2の前置アンプA92の交流的特
性を一致させることで、電源ラインノイズ等の同相ノイ
ズに対して不感のアンプを構成していた。
[0004] Here, the first phase compensation capacitance Cf91 and the second phase compensation capacitance Cf92 are set to the same value, and the AC characteristics of the first preamplifier A91 and the second preamplifier A92 match. By doing so, an amplifier insensitive to common-mode noise such as power supply line noise has been configured.

【0005】即ち、Rf91=Rf92、Cf91=C
f92のとき、第1の前置アンプA91と第2の前置ア
ンプA92は、同一の増幅率でノイズを増幅し、同一の
ノイズ電圧を出力する。このとき、差動アンプA93
は、同一のノイズ電圧が入力されても、ノイズ成分を増
幅しないので、電源ラインノイズ等の同相ノイズに対し
て不感となる。
That is, Rf91 = Rf92, Cf91 = C
At the time of f92, the first pre-amplifier A91 and the second pre-amplifier A92 amplify noise with the same amplification factor and output the same noise voltage. At this time, the differential amplifier A93
Does not amplify the noise component even if the same noise voltage is input, and thus is insensitive to common-mode noise such as power supply line noise.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】図4に示す従来の受光
アンプ回路では、第1の前置アンプA91の位相補償容
量Cf91と、第2の前置アンプA92の位相補償容量
Cf92を同一に設定している。第1の前置アンプA9
1は、数十MHz程度迄応答できる高速アンプであるの
で、第2の前置アンプA92も同様の高速アンプとな
り、高周波領域までのノイズを発生することになる。
In the conventional light receiving amplifier circuit shown in FIG. 4, the phase compensation capacitance Cf91 of the first preamplifier A91 and the phase compensation capacitance Cf92 of the second preamplifier A92 are set to be the same. are doing. First preamplifier A9
1 is a high-speed amplifier capable of responding up to about several tens of MHz, so that the second preamplifier A92 is also a similar high-speed amplifier, and generates noise up to a high-frequency region.

【0007】差動アンプA93は、第1の前置アンプA
91の出力電圧と第2の前置アンプA92の出力電圧の
差をとるためのものであるが、第1の前置アンプA91
及び第2の前置アンプA92で発生するノイズはそれぞ
れ独立であり任意に発生している。従って、差動アンプ
A93においては、第1の前置アンプA91で発生する
ノイズと、第2の前置アンプA92で発生するノイズを
それぞれ独立に増幅することになる。
The differential amplifier A93 is a first preamplifier A
The difference between the output voltage of the first pre-amplifier A91 and that of the first pre-amplifier A91
And the noises generated by the second preamplifier A92 are independent and arbitrarily generated. Therefore, in the differential amplifier A93, the noise generated in the first preamplifier A91 and the noise generated in the second preamplifier A92 are independently amplified.

【0008】このため、仮に差動アンプA93で発生す
るノイズを無視すると、差動アンプA93の出力には、
第1の前置アンプA91で発生したノイズと第2の前置
アンプA92で発生したノイズを加えたノイズを、更に
差動アンプA93で増幅することになり、高周波領域ま
での大きなノイズを生じる。
Therefore, if the noise generated in the differential amplifier A93 is neglected, the output of the differential amplifier A93 is
The noise obtained by adding the noise generated by the first preamplifier A91 and the noise generated by the second preamplifier A92 is further amplified by the differential amplifier A93, and large noise up to a high frequency region is generated.

【0009】本発明は、こうした従来技術の課題を解決
するものであり、高周波領域のノイズを低減することが
できる受光アンプ回路を提供することを目的とする。
An object of the present invention is to solve such a problem of the prior art, and an object of the present invention is to provide a light receiving amplifier circuit capable of reducing noise in a high frequency region.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の受光アンプ回路
は、受光素子が接続されると共に、第1のゲイン抵抗と
第1の位相補償容量を並列接続した帰還回路を有する第
1の前置アンプと、第2のゲイン抵抗と第2の位相補償
容量を並列接続した帰還回路を有する第2の前置アンプ
と、該第1の前置アンプと該第2の前置アンプの出力電
圧の差をとるための差動アンプとを有し、該第2の位相
補償容量を該第1の位相補償容量より大きくしており、
そのことにより上記目的が達成される。
According to the present invention, there is provided a light-receiving amplifier circuit having a first front end having a feedback circuit connected to a light-receiving element and having a first gain resistor and a first phase compensation capacitor connected in parallel. An amplifier, a second preamplifier having a feedback circuit in which a second gain resistor and a second phase compensation capacitor are connected in parallel, and output voltages of the first preamplifier and the second preamplifier. A differential amplifier for taking a difference, wherein the second phase compensation capacitance is larger than the first phase compensation capacitance,
Thereby, the above object is achieved.

【0011】前記第2の前置アンプの入力側に、前記受
光素子と同一特性の第2の受光素子を遮光状態で設ける
構成としてもよい。
[0011] A second light receiving element having the same characteristics as the light receiving element may be provided in a light-shielded state on the input side of the second preamplifier.

【0012】好ましくは、前記第2の前置アンプの時定
数が約0.21μsec以上である構成とする。
Preferably, the time constant of the second preamplifier is about 0.21 μsec or more.

【0013】好ましくは、前記第2の位相補償容量が約
7pF以上である構成とする。
[0013] Preferably, the second phase compensation capacitance is about 7 pF or more.

【0014】前記第2の位相補償容量が、絶縁層による
容量である構成とすることができる。
The second phase compensation capacitance may be a capacitance of an insulating layer.

【0015】前記第2の位相補償容量が、絶縁層を金属
層と半導体層で挟んだ構造からなり、該金属層が前記第
2の前置アンプの入力側に接続され、該半導体層が該第
2の前置アンプの出力側に接続される構成とすることが
できる。
The second phase compensation capacitor has a structure in which an insulating layer is sandwiched between a metal layer and a semiconductor layer. The metal layer is connected to the input side of the second preamplifier, and the semiconductor layer is connected to the second preamplifier. It may be configured to be connected to the output side of the second preamplifier.

【0016】以下に、本発明の作用について説明する。The operation of the present invention will be described below.

【0017】上記構成によれば、受光素子が接続される
と共に、第1のゲイン抵抗と第1の位相補償容量を並列
接続した帰還回路を有する第1の前置アンプと、第2の
ゲイン抵抗と第2の位相補償容量を並列接続した帰還回
路を有する第2の前置アンプと、第1の前置アンプと第
2の前置アンプの出力電圧の差をとるための差動アンプ
とを有する受光アンプ回路において、第2の位相補償容
量を第1の位相補償容量より大きくしているので、第2
の前置アンプの応答性が第1の前置アンプの応答性より
も低下し、第2の前置アンプで発生する高周波領域のノ
イズが低減する。
According to the above configuration, the first preamplifier having the feedback circuit in which the light receiving element is connected and the first gain resistor and the first phase compensation capacitor are connected in parallel, and the second gain resistor A second preamplifier having a feedback circuit in which a feedback circuit and a second phase compensation capacitor are connected in parallel, and a differential amplifier for obtaining a difference between output voltages of the first preamplifier and the second preamplifier. Since the second phase compensation capacitance is larger than the first phase compensation capacitance in the light receiving amplifier circuit having
The responsiveness of the preamplifier is lower than the responsiveness of the first preamplifier, and the noise in the high frequency region generated by the second preamplifier is reduced.

【0018】この場合に、第1の前置アンプと第2の前
置アンプの交流的特性が不一致となり、電源ラインノイ
ズ等の同相ノイズに対しては弱くなることが懸念される
が、CD−ROM用ピックアップ回路においては電源ラ
インと接地間にノイズ除去用のバイパスコンデンサが接
続されているので、このコンデンサにより上記の同相ノ
イズは除去されるため電源ラインノイズの問題は回避で
きる。
In this case, the AC characteristics of the first preamplifier and the second preamplifier become inconsistent, and there is a concern that the first preamplifier and the second preamplifier are weak against common-mode noise such as power supply line noise. In the ROM pickup circuit, since a bypass capacitor for removing noise is connected between the power supply line and the ground, the above-mentioned common-mode noise is removed by this capacitor, so that the problem of power supply line noise can be avoided.

【0019】より詳しくは、第2の前置アンプにおい
て、第2のゲイン抵抗Rf2と位相補償用コンデンサC
f2を並列接続した帰還回路により積分回路が構成さ
れ、同様に第1の前置アンプにおいて、第1のゲイン抵
抗Rf1と位相補償用コンデンサCf1を並列接続した
帰還回路により積分回路が構成されているとすると、第
2の前置アンプの高域遮断周波数fc2は、1/(2π
・Rf2・Cf2)で決定され、第1の前置アンプの高
域遮断周波数fc1は、1/(2π・Rf1・Cf1)
で決定される。
More specifically, in the second preamplifier, the second gain resistor Rf2 and the phase compensating capacitor C
An integration circuit is formed by a feedback circuit in which f2 is connected in parallel. Similarly, in the first preamplifier, an integration circuit is formed by a feedback circuit in which a first gain resistor Rf1 and a phase compensation capacitor Cf1 are connected in parallel. Then, the high-frequency cutoff frequency fc2 of the second preamplifier is 1 / (2π
Rf2 · Cf2), and the high cutoff frequency fc1 of the first preamplifier is 1 / (2π · Rf1 · Cf1).
Is determined.

【0020】Cf2>Cf1、Rf1=Rf2の条件
で、上記の各式の関係は、1/(2π・Rf2・Cf
2)<1/(2π・Rf1・Cf1)となる。
Under the conditions of Cf2> Cf1 and Rf1 = Rf2, the relationship of the above equations is 1 / (2π · Rf2 · Cf
2) <1 / (2π · Rf1 · Cf1).

【0021】即ち、第2の前置アンプの高域遮断周波数
fc2を、第1の前置アンプの高域遮断周波数fc1よ
り下げ、第2の前置アンプの応答性を低下させると共
に、第2の前置アンプで生じていた高周波領域のノイズ
も低下させることが可能となる。
That is, the high cutoff frequency fc2 of the second preamplifier is made lower than the high cutoff frequency fc1 of the first preamplifier, and the responsiveness of the second preamplifier is lowered. It is also possible to reduce the noise in the high frequency region that has occurred in the preamplifier.

【0022】第2の前置アンプの入力側に、上記受光素
子と同一特性の第2の受光素子を遮光状態で設ける構成
にすると、第2の受光素子でも上記受光素子と同じリー
ク電流が生じるので、これを用いて高温時に増大する受
光素子のリーク電流の影響を相殺することが可能とな
る。
If a second light receiving element having the same characteristics as the light receiving element is provided in a light-shielded state on the input side of the second preamplifier, the same leak current as that of the light receiving element occurs in the second light receiving element. Therefore, by using this, it is possible to offset the influence of the leak current of the light receiving element which increases at high temperatures.

【0023】CD−ROMの再生においては、特に70
0KHz以上の高周波領域でのノイズが問題となるの
で、第2の前置アンプの時定数が約0.21μsec以
上である構成にすると、700kHz以上の周波数のノ
イズの低減を図ることが可能となる。
In the reproduction of a CD-ROM, in particular,
Since noise in a high-frequency region of 0 KHz or more becomes a problem, if the time constant of the second preamplifier is set to about 0.21 μsec or more, it is possible to reduce noise at a frequency of 700 kHz or more. .

【0024】第1の前置アンプ及び第2の前置アンプの
ゲインを決めている負帰還抵抗は30KΩ以上の抵抗が
必要であるので、第2の位相補償容量が約7pF以上で
ある構成にすることで、上述した700kHz以上の周
波数のノイズの低減を図ることが可能となる。
The negative feedback resistor that determines the gain of the first preamplifier and the second preamplifier requires a resistance of 30 KΩ or more, so that the second phase compensation capacitance is about 7 pF or more. By doing so, it is possible to reduce the above-mentioned noise at a frequency of 700 kHz or more.

【0025】上記第2の位相補償容量が、絶縁層による
容量である構成にすると、第2の位相補償容量を接合容
量で構成した場合に生じるポップコーンノイズ等のノイ
ズが発生しないので、ノイズの低減を図ることが可能と
なる。
If the second phase compensation capacitor is constituted by a capacitor formed by an insulating layer, noise such as popcorn noise generated when the second phase compensation capacitor is constituted by a junction capacitor does not occur. Can be achieved.

【0026】絶縁層による容量は、例えば、受光アンプ
回路回路において、第2の位相補償容量が、絶縁層を金
属層と半導体層で挟んだ構造からなり、金属層が第2の
前置アンプの入力側に接続され、半導体層が第2の前置
アンプの出力側に接続されている構成にすることができ
る。
For example, in the light receiving amplifier circuit, the second phase compensation capacitor has a structure in which the insulating layer is sandwiched between a metal layer and a semiconductor layer, and the metal layer is formed of the second preamplifier. It can be configured to be connected to the input side and the semiconductor layer is connected to the output side of the second preamplifier.

【0027】[0027]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面に基づいて具体的に説明する。
Embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings.

【0028】(実施形態1)図1に、本発明の実施形態
1による受光アンプ回路の構成例を示しており、受光素
子PD1が接続されると共に、第1のゲイン抵抗Rf1
と第1の位相補償容量Cf1を並列接続した帰還回路を
有する第1の前置アンプA1と、第2のゲイン抵抗Rf
2と第2の位相補償容量Cf2を並列接続した帰還回路
を有する第2の前置アンプA2と、第1の前置アンプA
1と第2の前置アンプA2の出力電圧の差をとるための
差動アンプA3とを有し、第2の位相補償容量Cf2を
第1の位相補償容量Cf1より大きく設定している。
(Embodiment 1) FIG. 1 shows a configuration example of a light receiving amplifier circuit according to a first embodiment of the present invention, in which a light receiving element PD1 is connected and a first gain resistor Rf1 is connected.
A first preamplifier A1 having a feedback circuit in which a first phase compensation capacitor Cf1 and a first phase compensation capacitor Cf1 are connected in parallel, and a second gain resistor Rf
2 and a first preamplifier A2 having a feedback circuit in which the second and second phase compensation capacitors Cf2 are connected in parallel.
1 and a differential amplifier A3 for obtaining a difference between the output voltages of the second preamplifier A2, and the second phase compensation capacitance Cf2 is set to be larger than the first phase compensation capacitance Cf1.

【0029】第1の前置アンプA1は、抵抗R3を介し
て差動アンプA3の非反転入力端子に接続され、第2の
前置アンプA2は、抵抗R4を介して差動アンプA3の
反転入力端子に接続されている。更に、差動アンプA3
の非反転入力端子には、基準電圧Vrefが抵抗R5を
介して印加されている。差動アンプA3の反転入力端子
には、負帰還抵抗R6を介して差動アンプA3の出力が
帰還入力されている。
The first preamplifier A1 is connected to the non-inverting input terminal of the differential amplifier A3 via a resistor R3, and the second preamplifier A2 is connected to the inverting terminal of the differential amplifier A3 via a resistor R4. Connected to input terminal. Further, the differential amplifier A3
, A reference voltage Vref is applied via a resistor R5. The output of the differential amplifier A3 is fed back to the inverting input terminal of the differential amplifier A3 via the negative feedback resistor R6.

【0030】より詳しくは、図1に示すように、第1の
前置アンプA1では、その出力電圧を第1のゲイン抵抗
Rf1を介して並列帰還している。位相補償用コンデン
サCf2は、第1の前置アンプA1が発振することを防
止している。
More specifically, as shown in FIG. 1, the output voltage of the first preamplifier A1 is fed back in parallel via the first gain resistor Rf1. The phase compensation capacitor Cf2 prevents the first preamplifier A1 from oscillating.

【0031】フォトダイオード等の受光素子PD1は、
受光時に出力する電流をIaとし、第1の前置アンプA
1の無信号時の出力電圧をVdで表すと、受光時の第1
の前置アンプA1の出力電圧V1は、下記(1)式 V1=Vd+Rf1×Ia・・・(1) で表される。
The light receiving element PD1 such as a photodiode is
The current output during light reception is defined as Ia, and the first preamplifier A
When the output voltage at the time of no signal of 1 is represented by Vd,
The output voltage V1 of the preamplifier A1 is represented by the following equation (1): V1 = Vd + Rf1 × Ia (1)

【0032】第2の前置アンプA2は、受光素子PD1
を接続していない第1の前置アンプA1と同一構成から
なり、下記(2)式 Rf1=Rf2、Cf2>Cf1・・・(2) の関係を満たす。
The second preamplifier A2 includes a light receiving element PD1
Has the same configuration as the first preamplifier A1 not connected, and satisfies the following equation (2): Rf1 = Rf2, Cf2> Cf1 (2)

【0033】この第2の前置アンプA2において、位相
補償用コンデンサCf2の容量値がCf1の容量値より
大きいことを除いて、第2の前置アンプA2は第1の前
置アンプA1と同一であるので、第2の前置アンプA2
と第1の前置アンプA1は高周波応答性を除いて同一特
性となる。
In the second preamplifier A2, the second preamplifier A2 is the same as the first preamplifier A1 except that the capacitance of the phase compensation capacitor Cf2 is larger than the capacitance of Cf1. Therefore, the second preamplifier A2
And the first preamplifier A1 have the same characteristics except for the high-frequency response.

【0034】従って、直流及び低周波領域での第2の前
置アンプA2の出力電圧V2は、下記(3)式 V2=V1=Vd・・・(3) となる。
Therefore, the output voltage V2 of the second preamplifier A2 in the DC and low frequency regions is given by the following equation (3): V2 = V1 = Vd (3)

【0035】差動アンプA3は、非反転入力端子に抵抗
R5を介して基準電圧Vrefが印加されており、第1
の前置アンプA1の出力電圧と第2の前置アンプA2の
出力電圧の差を増幅している。
In the differential amplifier A3, a reference voltage Vref is applied to a non-inverting input terminal via a resistor R5.
The difference between the output voltage of the preamplifier A1 and the output voltage of the second preamplifier A2 is amplified.

【0036】差動アンプA3において、R3=R4、R
5=R6と設定するとき、その出力電圧V3は、下記
(4)式 V3=(R5/R3)×(V1−V2)+Vref・・・(4) で表される。
In the differential amplifier A3, R3 = R4, R
When 5 = R6, the output voltage V3 is represented by the following equation (4): V3 = (R5 / R3) × (V1−V2) + Vref (4)

【0037】上記(1)式、(3)式及び(4)式の関
係から、受光素子PD1に光電流Iaが流れるとき、差
動アンプA3の出力電圧V3は、下記(5)式 V3=(R5/R3)×(Rf1×Ia)+Vref・・・(5) となる。
According to the above equations (1), (3) and (4), when the photocurrent Ia flows through the light receiving element PD1, the output voltage V3 of the differential amplifier A3 becomes the following equation (5). (R5 / R3) × (Rf1 × Ia) + Vref (5)

【0038】次に、アンプの周波数応答及びノイズにつ
いて説明する。
Next, the frequency response and noise of the amplifier will be described.

【0039】第2の前置アンプA2において、第2のゲ
イン抵抗Rf2と位相補償用コンデンサCf2を並列接
続した帰還回路により積分回路が構成され、同様に第1
の前置アンプA1において、第1のゲイン抵抗Rf1と
位相補償用コンデンサCf1を並列接続した帰還回路に
より積分回路が構成されている。
In the second preamplifier A2, an integration circuit is formed by a feedback circuit in which a second gain resistor Rf2 and a phase compensating capacitor Cf2 are connected in parallel.
In the preamplifier A1, the feedback circuit in which the first gain resistor Rf1 and the phase compensation capacitor Cf1 are connected in parallel forms an integration circuit.

【0040】第2の前置アンプA2の高域遮断周波数f
c2は、下記(6)式 fc2=1/(2π・Rf2・Cf2)・・・(6) で決定される。
High frequency cutoff frequency f of second preamplifier A2
c2 is determined by the following equation (6): fc2 = 1 / (2π · Rf2 · Cf2) (6)

【0041】第1の前置アンプA1の高域遮断周波数f
c1は、下記(7)式 fc1=1/(2π・Rf1・Cf1)・・・(7) で決定される。
High frequency cutoff frequency f of first preamplifier A1
c1 is determined by the following equation (7): fc1 = 1 / (2π · Rf1 · Cf1) (7)

【0042】上記(2)式に示すCf2>Cf1、Rf
1=Rf2の条件で、上記(6)式及び(7)式の関係
は、下記(8)式 1/(2π・Rf2・Cf2)<1/(2π・Rf1・Cf1)・・・(8) となる。
Cf2> Cf1, Rf shown in the above equation (2)
Under the condition of 1 = Rf2, the relationship between the above expressions (6) and (7) is expressed by the following expression (8): 1 / (2π · Rf2 · Cf2) <1 / (2π · Rf1 · Cf1) (8) ).

【0043】即ち、第2の前置アンプA2の高域遮断周
波数fc2を、第1の前置アンプA1の高域遮断周波数
fc1より下げ、第2の前置アンプA2の応答性を低下
させると共に、第2の前置アンプA2で生じていた高周
波領域のノイズも低下させることができる。
That is, the high cut-off frequency fc2 of the second preamplifier A2 is made lower than the high cutoff frequency fc1 of the first preamplifier A1, and the responsiveness of the second preamplifier A2 is reduced. In addition, the noise in the high frequency region generated by the second preamplifier A2 can be reduced.

【0044】(実施形態2)図2に、本発明の実施形態
2による受光アンプ回路の構成例を示しており、受光素
子PD1が接続されると共に、第1のゲイン抵抗Rf1
と第1の位相補償容量Cf1を並列接続した帰還回路を
有する第1の前置アンプA1と、第2のゲイン抵抗Rf
2と第2の位相補償容量Cf2を並列接続した帰還回路
を有する第2の前置アンプA2と、この第2の前置アン
プA2の入力側に遮光状態で設けた、受光素子PD1と
同一特性の第2の受光素子PD2と、第1の前置アンプ
A1と第2の前置アンプA2の出力電圧の差をとるため
の差動アンプA3とを有し、第2の位相補償容量Cf2
を第1の位相補償容量Cf1より大きく設定している。
(Embodiment 2) FIG. 2 shows a configuration example of a light receiving amplifier circuit according to Embodiment 2 of the present invention. The light receiving element PD1 is connected and a first gain resistor Rf1 is connected.
A first preamplifier A1 having a feedback circuit in which a first phase compensation capacitor Cf1 and a first phase compensation capacitor Cf1 are connected in parallel, and a second gain resistor Rf
2 and a second preamplifier A2 having a feedback circuit in which a second phase compensation capacitor Cf2 is connected in parallel, and the same characteristics as the light receiving element PD1 provided on the input side of the second preamplifier A2 in a light-shielded state. And a differential amplifier A3 for obtaining a difference between output voltages of the first preamplifier A1 and the second preamplifier A2, and a second phase compensation capacitor Cf2.
Is set to be larger than the first phase compensation capacitance Cf1.

【0045】第1の前置アンプA1は、抵抗R3を介し
て差動アンプA3の非反転入力端子に接続され、第2の
前置アンプA2は、抵抗R4を介して差動アンプA3の
反転入力端子に接続されている。更に、差動アンプA3
の非反転入力端子には、基準電圧Vrefが抵抗R5を
介して印加されている。差動アンプA3の反転入力端子
には、負帰還抵抗R6を介して差動アンプA3の出力が
帰還入力されている。
The first preamplifier A1 is connected to a non-inverting input terminal of a differential amplifier A3 via a resistor R3, and the second preamplifier A2 is connected to an inverting terminal of the differential amplifier A3 via a resistor R4. Connected to input terminal. Further, the differential amplifier A3
, A reference voltage Vref is applied via a resistor R5. The output of the differential amplifier A3 is fed back to the inverting input terminal of the differential amplifier A3 via the negative feedback resistor R6.

【0046】即ち、図2に示す実施形態2による受光ア
ンプ回路は、上述した実施形態1に対し、第2の前置ア
ンプA2の入力端子にフォトダイオードPD1と同一構
造の配線用メタル等で遮光された第2のフォトダイオー
ドPD2を接続している点で相違し、その他の構成を実
施形態1の場合と同様とするものである。
That is, the light receiving amplifier circuit according to the second embodiment shown in FIG. 2 is different from the first embodiment in that the input terminal of the second preamplifier A2 is shielded from light by a wiring metal having the same structure as the photodiode PD1. The second embodiment is different from the first embodiment in that the second photodiode PD2 is connected, and the other configuration is the same as that in the first embodiment.

【0047】フォトダイオードは、接合面積の大きなP
N接合で構成されるので、高温時には大きなリーク電流
を生じる。
The photodiode has a large junction area P
Because of the N-junction, a large leakage current occurs at high temperatures.

【0048】例えば、図1に示す実施形態1による受光
アンプ回路において、フォトダイオードPD1で生じる
無信号時のリーク電流をIcとし、Ic=0のときの第
1の前置アンプA1の出力電圧をVddとするとき、第
1の前置アンプA1の出力電圧V1は、下記(9)式 V1=Vdd+Rf1×Ic・・・(9) で表される。
For example, in the light receiving amplifier circuit according to the first embodiment shown in FIG. 1, let Ic be the leakage current at the time of no signal generated in the photodiode PD1, and let the output voltage of the first preamplifier A1 be Ic = 0. When Vdd is used, the output voltage V1 of the first preamplifier A1 is represented by the following equation (9): V1 = Vdd + Rf1 × Ic (9)

【0049】このとき、第2の前置アンプA2の出力電
圧はVddであるので、上記(4)式により、差動アン
プA3の出力電圧V3は、下記(10)式 V3=(R5/R3)×(Rf1×Ic)+Vref・・・(10) で表される。
At this time, since the output voltage of the second preamplifier A2 is Vdd, the output voltage V3 of the differential amplifier A3 can be calculated from the above equation (4) by the following equation (10): V3 = (R5 / R3 ) × (Rf1 × Ic) + Vref (10)

【0050】従って、フォトダイオードPD1のリーク
電流IcがI−V変換及び増幅され出力電圧V3に現れ
る。即ち、フォトダイオードPD1のリーク電流Icは
受光時の光電流と同様に扱われ、誤動作の原因となる。
Therefore, the leakage current Ic of the photodiode PD1 is converted and amplified by the IV, and appears in the output voltage V3. That is, the leak current Ic of the photodiode PD1 is handled in the same manner as the photocurrent at the time of receiving light, and causes a malfunction.

【0051】これに対し、図2に示す実施形態2による
受光アンプ回路では、第2の前置アンプA2の入力端子
にもフォトダイオードPD1と同一面積、同一構造の配
線用メタル等で遮光された第2のフォトダイオードPD
2を接続しており、この場合の第2のフォトダイオード
PD2のリーク電流をIdとするとき、第2の前置アン
プA2の出力電圧V2は、下記(11)式 V2=Vdd+Rf2×Id・・・(11) で表される。
On the other hand, in the light receiving amplifier circuit according to the second embodiment shown in FIG. 2, the input terminal of the second preamplifier A2 is also shielded from light by a wiring metal having the same area and the same structure as the photodiode PD1. Second photodiode PD
When the leak current of the second photodiode PD2 is Id in this case, the output voltage V2 of the second preamplifier A2 is expressed by the following equation (11). V2 = Vdd + Rf2 × Id ··· -It is represented by (11).

【0052】同一面積、同一構造のフォトダイオードの
PN接合におけるリーク電流は等しいので、Ic=Id
である。更に、上記(2)式によりRf1=Rf2であ
る。
Since the photodiodes having the same area and the same structure have the same leak current at the PN junction, Ic = Id
It is. Further, according to the above equation (2), Rf1 = Rf2.

【0053】その結果、上記(9)式及び(11)式よ
り、V1=V2となり、差動アンプA3の出力電圧V3
は、V3=Vrefとなり、フォトダイオードPD1の
リーク電流の影響を排除できる。
As a result, from the above equations (9) and (11), V1 = V2, and the output voltage V3 of the differential amplifier A3 is obtained.
Is V3 = Vref, and the influence of the leak current of the photodiode PD1 can be eliminated.

【0054】(実施形態3)本発明の実施形態3による
受光アンプ回路は、上述した図1に示す実施形態1又は
図2に示す実施形態2における第2の前置アンプA2の
時定数が、約0.21μsec以上である構成をとる。
ここで、時定数とは、第2のゲイン抵抗Rf2と第2の
位相補償容量Cf2の積で表される。
(Embodiment 3) In the light receiving amplifier circuit according to Embodiment 3 of the present invention, the time constant of the second preamplifier A2 in Embodiment 1 shown in FIG. 1 or Embodiment 2 shown in FIG. The configuration is about 0.21 μsec or more.
Here, the time constant is represented by the product of the second gain resistance Rf2 and the second phase compensation capacitance Cf2.

【0055】例えば、図1に示す第2の前置アンプA2
において発生するノイズは、この第2の前置アンプA2
で発生するショットノイズと第2のゲイン抵抗Rf2で
発生する熱雑音の和となる。
For example, the second preamplifier A2 shown in FIG.
Generated in the second preamplifier A2
And the thermal noise generated by the second gain resistor Rf2.

【0056】CD−ROMドライバ等に用いられる光ピ
ックアップ用受光アンプ回路において、微小光電流のI
−V変換のための第1のゲイン抵抗Rf1は、約30K
Ω以上の抵抗を用いる必要があり、第2のゲイン抵抗R
f2も第1のゲイン抵抗Rf1と同一の値をとる。
In a light receiving amplifier circuit for an optical pickup used for a CD-ROM driver or the like, a small photocurrent I
The first gain resistor Rf1 for -V conversion is about 30K
Ω or more, the second gain resistor R
f2 also has the same value as the first gain resistor Rf1.

【0057】第2のゲイン抵抗Rf2で発生する熱雑音
は、抵抗値の平方根に比例するので、第2の前置アンプ
A2で発生するショットノイズより大きくなる。
Since the thermal noise generated by the second gain resistor Rf2 is proportional to the square root of the resistance value, the thermal noise is larger than the shot noise generated by the second preamplifier A2.

【0058】従って、第2の前置アンプA2で発生する
ノイズは、第2のゲイン抵抗Rf2で発生する熱雑音が
支配的となる。
Therefore, the noise generated by the second preamplifier A2 is dominated by the thermal noise generated by the second gain resistor Rf2.

【0059】第2のゲイン抵抗Rf2で発生する熱雑音
Vnは、下記(12)式 Vn=(4k・Rf2・T・Δf)1/2・・・(12) で表される。
The thermal noise Vn generated by the second gain resistor Rf2 is expressed by the following equation (12): Vn = (4k · Rf2 · T · Δf) 1/2 (12)

【0060】ここで、k:ボルツマン定数、T:絶対温
度、△f:帯域幅である。
Here, k: Boltzmann's constant, T: absolute temperature, Δf: bandwidth.

【0061】CD−ROMドライバ等に用いられる光ピ
ックアップ用受光アンプ回路においては、約700KH
z以上の信号を増幅する必要があるので、700KHz
以上の周波数帯域で熱雑音を低減する必要がある。
In a light receiving amplifier circuit for an optical pickup used for a CD-ROM driver or the like, about 700 KH
Since it is necessary to amplify signals of z or more, 700 kHz
It is necessary to reduce thermal noise in the above frequency bands.

【0062】図1に示す第2の前置アンプA2におい
て、第2のゲイン抵抗Rf2と位相補償用コンデンサC
f2を並列接続した帰還回路からなる積分回路が構成さ
れており、この第2の前置アンプA2で生じるノイズV
anは、下記(13)式 Van=(4k・Rf2・T・Δf)1/2/(1+j・ω・Rf2・Cf2 )・・・(13) で表される。
In the second preamplifier A2 shown in FIG. 1, the second gain resistor Rf2 and the phase compensating capacitor C
An integration circuit composed of a feedback circuit in which f2 is connected in parallel is configured, and a noise V generated in the second preamplifier A2 is generated.
An is expressed by the following equation (13): Van = (4k · Rf2 · T · Δf) 1/2 / (1 + j · ω · Rf2 · Cf2) (13)

【0063】ここで、k:ボルツマン定数、T:絶対温
度、△f:帯域幅、j:虚数単位、ω:角周波数であ
る。
Here, k: Boltzmann constant, T: absolute temperature, Δf: bandwidth, j: imaginary unit, and ω: angular frequency.

【0064】上記(13)式において、時定数であるR
f2×Cf2を0.21μsec以上とすることで、7
00KHz以上の高周波領域で発生する第2の前置アン
プA2のノイズVanの低減を図ることができる。
In the above equation (13), the time constant R
By setting f2 × Cf2 to 0.21 μsec or more, 7
It is possible to reduce the noise Van of the second preamplifier A2 generated in the high frequency region of 00 KHz or higher.

【0065】(実施形態4)本発明の実施形態4による
受光アンプ回路は、上述した図1に示す実施形態1又は
図2に示す実施形態2における第2の位相補償容量Cf
2が約7pF以上である構成をとる。
(Embodiment 4) The photoreceiver amplifier circuit according to Embodiment 4 of the present invention comprises the second phase compensation capacitor Cf in Embodiment 1 shown in FIG. 1 or Embodiment 2 shown in FIG.
2 is about 7 pF or more.

【0066】CD−ROMドライバ等に用いられる光ピ
ックアップ用受光アンプ回路においては、微少光電流の
I−V変換のため第1のゲイン抵抗Rf1は30KΩ以
上の抵抗を用いる必要があり、第2のゲイン抵抗Rf2
も第1のゲイン抵抗Rf1と同一の値をとる。
In a light-receiving amplifier circuit for an optical pickup used for a CD-ROM driver or the like, the first gain resistor Rf1 needs to use a resistor of 30 KΩ or more for IV conversion of a small photocurrent. Gain resistance Rf2
Also takes the same value as the first gain resistor Rf1.

【0067】上記(13)式で表されるノイズVanに
ついて、Rf2=30KΩで、Rf2×Cf2≧0.2
1μsecであるためには、Cf2≧7pFとする必要
がある。
With respect to the noise Van represented by the above equation (13), when Rf2 = 30 KΩ, Rf2 × Cf2 ≧ 0.2
In order to be 1 μsec, it is necessary to satisfy Cf2 ≧ 7 pF.

【0068】Rf2≧30KΩであるとき、Cf2≧7
pFであれば、Rf2とCf2で構成される積分回路の
高域遮断周波数fc2は、下記(14)式 fc2=1/(2π・Rf2・Cf2)≦700KHz・・・(14) となる。
When Rf2 ≧ 30 KΩ, Cf2 ≧ 7
In the case of pF, the high-frequency cutoff frequency fc2 of the integrating circuit composed of Rf2 and Cf2 is represented by the following equation (14): fc2 = 1 / (2π · Rf2 · Cf2) ≦ 700 kHz (14)

【0069】従って、700KHz以上の高周波領域で
生じる第2の前置アンプA2のノイズVanの低減を図
ることができる。
Therefore, it is possible to reduce the noise Van of the second preamplifier A2 generated in the high frequency region of 700 KHz or more.

【0070】(実施形態5)図3に、本発明の実施形態
5による受光アンプ回路として、上述した図1及び図2
に示す第2の位相補償容量Cf2を絶縁層による容量と
する場合の具体的な構成例を示しており、第2の位相補
償容量Cf2が、絶縁層32を金属層33と半導体層3
5で挟んだ構造からなり、金属層33が第2の前置アン
プA2の入力側に接続され、半導体層35が第2の前置
アンプA2の出力側に接続されている。
(Embodiment 5) FIG. 3 shows a light-receiving amplifier circuit according to Embodiment 5 of the present invention as shown in FIGS.
2 shows a specific configuration example in which the second phase compensation capacitor Cf2 shown in FIG. 3 is a capacitor made of an insulating layer. The second phase compensation capacitor Cf2 is composed of an insulating layer 32 formed of a metal layer 33 and a semiconductor layer 3.
5, the metal layer 33 is connected to the input side of the second preamplifier A2, and the semiconductor layer 35 is connected to the output side of the second preamplifier A2.

【0071】より詳しくは、第2の位相補償容量Cf2
であるコンデンサ部は、図3に示すように、P型半導体
基板37上に、エピタキシャル層による低不純物濃度の
N型半導体層36、高不純物濃度のN型半導体層35、
コンデンサ部を構成する窒化膜、酸化膜等の薄膜からな
る絶縁層32、及び金属層33が順次積層された構造を
有し、上記N型半導体層36は、P型分離拡散層38、
39により、コンデンサ部のエピタキシャル層が他のエ
ピタキシャル層と分離されており、コンデンサ外部は酸
化膜等による厚い保護膜31で覆われている。上記金属
層33は、コンデンサ部の一方の電極を構成し、コンデ
ンサ部の他方の電極となる高不純物濃度のN型半導体層
35上の領域の一部には、オーミックコンタクトをとる
電極の取り出し口34が設けられている。
More specifically, the second phase compensation capacitance Cf2
As shown in FIG. 3, the capacitor section is formed on a P-type semiconductor substrate 37 by forming an N-type semiconductor layer 36 having a low impurity concentration by an epitaxial layer, an N-type semiconductor layer 35 having a high impurity concentration,
It has a structure in which an insulating layer 32 made of a thin film such as a nitride film and an oxide film constituting a capacitor portion, and a metal layer 33 are sequentially laminated. The N-type semiconductor layer 36 includes a P-type isolation / diffusion layer 38,
By 39, the epitaxial layer of the capacitor portion is separated from other epitaxial layers, and the outside of the capacitor is covered with a thick protective film 31 such as an oxide film. The metal layer 33 constitutes one electrode of the capacitor portion, and a part of a region on the N-type semiconductor layer 35 having a high impurity concentration serving as the other electrode of the capacitor portion has an electrode outlet for forming an ohmic contact. 34 are provided.

【0072】高不純物濃度のN型半導体層35と低不純
物濃度のN型半導体層36は同じN型半導体で導通して
おり、低不純物濃度のN型半導体層36はP型半導体基
板37とPN接合を持つ。このPN接合は、受光素子に
おいてはフォトダイオードと同一の動作をするので、低
不純物濃度のN型半導体層36からP型半導体基板37
に向かって光電流を生じる。
The high impurity concentration N-type semiconductor layer 35 and the low impurity concentration N-type semiconductor layer 36 are electrically connected by the same N-type semiconductor, and the low impurity concentration N-type semiconductor layer 36 is connected to the P-type semiconductor substrate 37 and PN. Has a joint. Since the PN junction operates in the same manner as the photodiode in the light receiving element, the P type semiconductor substrate 37
A photocurrent is generated toward.

【0073】電極の取り出し口34が、図1に示す第2
の前置アンプA2の入力側に接続されるとき、上記光電
流をIbとすると、Rf2×Ibなる出力電圧の上昇を
第2の前置アンプA2の出力にもたらす。
The electrode outlet 34 is connected to the second port shown in FIG.
When the photocurrent is Ib when connected to the input side of the preamplifier A2, the output voltage of the second preamplifier A2 is increased by Rf2 × Ib.

【0074】電極の取り出し口34が、第2の前置アン
プA2の出力側に接続されるとき、第2の前置アンプA
2の出力は、上記光電流Ibを供給する能力を十分持っ
ているので、第2の前置アンプA2の出力電圧が光電流
Ibによって上昇することを防止できる。
When the electrode outlet 34 is connected to the output of the second preamplifier A2, the second preamplifier A
2 has sufficient ability to supply the photocurrent Ib, so that the output voltage of the second preamplifier A2 can be prevented from rising due to the photocurrent Ib.

【0075】尚、本発明の受光アンプ回路は、上述した
各実施形態の具体的構成に限定されるものではない。
The light receiving amplifier circuit of the present invention is not limited to the specific configuration of each of the above embodiments.

【0076】[0076]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の受光アン
プ回路によれば、高周波領域のノイズを低減することが
できる。
As described above, according to the light receiving amplifier circuit of the present invention, it is possible to reduce noise in a high frequency region.

【0077】より詳しくは、受光素子が接続されると共
に、第1のゲイン抵抗と第1の位相補償容量を並列接続
した帰還回路を有する第1の前置アンプと、第2のゲイ
ン抵抗と第2の位相補償容量を並列接続した帰還回路を
有する第2の前置アンプと、第1の前置アンプと第2の
前置アンプの出力電圧の差をとるための差動アンプとを
有する受光アンプ回路において、第2の位相補償容量を
第1の位相補償容量より大きくしているので、第2の前
置アンプの応答性が第1の前置アンプの応答性よりも低
下し、第2の前置アンプで発生する高周波領域のノイズ
が低減する。
More specifically, a first preamplifier having a feedback circuit to which a light receiving element is connected and a first gain resistor and a first phase compensation capacitor are connected in parallel; A second preamplifier having a feedback circuit in which two phase compensation capacitors are connected in parallel, and a differential amplifier for obtaining a difference between output voltages of the first preamplifier and the second preamplifier. In the amplifier circuit, since the second phase compensation capacitance is larger than the first phase compensation capacitance, the responsiveness of the second preamplifier is lower than the responsiveness of the first preamplifier. The noise in the high frequency region generated by the preamplifier is reduced.

【0078】第2の前置アンプの入力側に、上記受光素
子と同一特性の第2の受光素子を遮光状態で設ける構成
にすると、第2の受光素子でも上記受光素子と同じリー
ク電流が生じるので、これを用いて高温時に増大する受
光素子のリーク電流の影響を相殺することができる。
If the second light receiving element having the same characteristics as the light receiving element is provided in a light-shielded state on the input side of the second preamplifier, the same leak current as that of the light receiving element occurs in the second light receiving element. Therefore, by using this, the influence of the leak current of the light receiving element which increases at high temperature can be canceled.

【0079】CD−ROMの再生においては、特に70
0KHz以上の高周波領域でのノイズが問題となるの
で、第2の前置アンプの時定数が約0.21μsec以
上である構成にすると、700kHz以上の周波数のノ
イズの低減を図ることができる。
In reproducing a CD-ROM, in particular,
Since noise in a high-frequency region of 0 KHz or more becomes a problem, if the time constant of the second preamplifier is set to about 0.21 μsec or more, noise at frequencies of 700 kHz or more can be reduced.

【0080】第1の前置アンプ及び第2の前置アンプの
ゲインを決めている負帰還抵抗は30KΩ以上の抵抗が
必要であるので、第2の位相補償容量が約7pF以上で
ある構成にすることで、上述した700kHz以上の周
波数のノイズの低減を図ることができる。
The negative feedback resistor that determines the gain of the first preamplifier and the second preamplifier requires a resistance of 30 KΩ or more, so that the second phase compensation capacitance is about 7 pF or more. By doing so, it is possible to reduce the above-described noise at a frequency of 700 kHz or more.

【0081】上記第2の位相補償容量が、絶縁層による
容量である構成にすると、第2の位相補償容量を接合容
量で構成した場合に生じるポップコーンノイズ等のノイ
ズが発生しないので、ノイズの低減を図ることができ
る。
When the second phase compensation capacitance is a capacitance constituted by an insulating layer, noise such as popcorn noise generated when the second phase compensation capacitance is constituted by a junction capacitance does not occur, so that noise can be reduced. Can be achieved.

【0082】絶縁層による容量は、例えば、受光アンプ
回路回路において、第2の位相補償容量が、絶縁層を金
属層と半導体層で挟んだ構造からなり、金属層が第2の
前置アンプの入力側に接続され、半導体層が第2の前置
アンプの出力側に接続されている構成にすることができ
る。
For example, in the light receiving amplifier circuit, the second phase compensation capacitor has a structure in which the insulating layer is sandwiched between a metal layer and a semiconductor layer, and the metal layer is formed of the second preamplifier. It can be configured to be connected to the input side and the semiconductor layer is connected to the output side of the second preamplifier.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態1による受光アンプ回路の構
成例を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration example of a light receiving amplifier circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施形態2による受光アンプ回路の構
成例を示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration example of a light receiving amplifier circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施形態5による受光アンプ回路とし
て、上述した図1及び図2に示す第2の位相補償容量C
f2を絶縁層による容量とする場合の具体的な構成例を
示す断面図である。
FIG. 3 shows the second phase compensation capacitor C shown in FIGS. 1 and 2 as the light receiving amplifier circuit according to the fifth embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a specific configuration example when f2 is a capacitance by an insulating layer.

【図4】従来の受光アンプ回路の構成例を示すブロック
図である。
FIG. 4 is a block diagram illustrating a configuration example of a conventional light receiving amplifier circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

A1 第1の前置アンプ A2 第2の前置アンプ A3 差動アンプ Cf1 第1の位相補償容量 Cf2 第2の位相補償容量 Rf1 第1のゲイン抵抗 Rf2 第2のゲイン抵抗 PD1 受光素子 PD2 第2の受光素子 31 保護膜 32 絶縁層 33 金属層 34 電極の取り出し口 35 高不純物濃度のN型半導体層 36 低不純物濃度のN型半導体層 37 P型半導体基板 38、39 P型分離拡散層 A1 First preamplifier A2 Second preamplifier A3 Differential amplifier Cf1 First phase compensation capacitance Cf2 Second phase compensation capacitance Rf1 First gain resistor Rf2 Second gain resistor PD1 Light receiving element PD2 Second Light receiving element 31 protective film 32 insulating layer 33 metal layer 34 electrode outlet 35 high impurity concentration N-type semiconductor layer 36 low impurity concentration N-type semiconductor layer 37 P-type semiconductor substrate 38, 39 P-type isolation diffusion layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4M118 AA05 AB10 BA02 BA06 CA03 DD10 FC05 5F049 MA02 NA04 NB08 RA06 UA04 UA06 UA20 5J090 AA01 AA56 CA41 FA19 HA19 HA25 HA29 HA44 HN06 KA02 KA25 MA11 MN04 NN12 QA02 SA00 5J092 AA01 AA56 CA41 FA19 HA19 HA25 HA29 HA44 KA02 KA25 MA11 QA02 SA00 UL02  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4M118 AA05 AB10 BA02 BA06 CA03 DD10 FC05 5F049 MA02 NA04 NB08 RA06 UA04 UA06 UA20 5J090 AA01 AA56 CA41 FA19 HA19 HA25 HA29 HA44 HN06 KA02 KA25 MA11 MN04 NN12 QA02 A00 HA19 HA25 HA29 HA44 KA02 KA25 MA11 QA02 SA00 UL02

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 受光素子が接続されると共に、第1のゲ
イン抵抗と第1の位相補償容量を並列接続した帰還回路
を有する第1の前置アンプと、 第2のゲイン抵抗と第2の位相補償容量を並列接続した
帰還回路を有する第2の前置アンプと、 該第1の前置アンプと該第2の前置アンプの出力電圧の
差をとるための差動アンプとを有し、 該第2の位相補償容量を該第1の位相補償容量より大き
くした受光アンプ回路。
A first preamplifier having a feedback circuit in which a light receiving element is connected and a first gain resistor and a first phase compensation capacitor are connected in parallel; a second gain resistor and a second preamplifier; A second preamplifier having a feedback circuit in which phase compensation capacitors are connected in parallel; and a differential amplifier for obtaining a difference between output voltages of the first preamplifier and the second preamplifier. A light-receiving amplifier circuit in which the second phase compensation capacitance is larger than the first phase compensation capacitance.
【請求項2】 前記第2の前置アンプの入力側に、前記
受光素子と同一特性の第2の受光素子を遮光状態で設け
た請求項1記載の受光アンプ回路。
2. The light-receiving amplifier circuit according to claim 1, wherein a second light-receiving element having the same characteristic as the light-receiving element is provided in a light-shielded state on an input side of the second preamplifier.
【請求項3】 前記第2の前置アンプの時定数が約0.
21μsec以上である請求項1又は請求項2記載の受
光アンプ回路。
3. The time constant of said second preamplifier is about 0.5.
3. The light receiving amplifier circuit according to claim 1, wherein the light receiving amplifier circuit is at least 21 μsec.
【請求項4】 前記第2の位相補償容量が約7pF以上
である請求項1〜請求項3のいずれかに記載の受光アン
プ回路。
4. The light-receiving amplifier circuit according to claim 1, wherein the second phase compensation capacitance is about 7 pF or more.
【請求項5】 前記第2の位相補償容量が、絶縁層によ
る容量である請求項1〜請求項4のいずれかに記載の受
光アンプ回路。
5. The light-receiving amplifier circuit according to claim 1, wherein said second phase compensation capacitance is a capacitance of an insulating layer.
【請求項6】 前記第2の位相補償容量が、絶縁層を金
属層と半導体層で挟んだ構造からなり、 該金属層が前記第2の前置アンプの入力側に接続され、 該半導体層が該第2の前置アンプの出力側に接続されて
いる請求項1〜請求項4のいずれかに記載の受光アンプ
回路。
6. The second phase compensation capacitor has a structure in which an insulating layer is sandwiched between a metal layer and a semiconductor layer, wherein the metal layer is connected to an input side of the second preamplifier; The light receiving amplifier circuit according to any one of claims 1 to 4, wherein is connected to an output side of the second preamplifier.
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