JPH0567763A - Photoelectric integrated circuit element - Google Patents
Photoelectric integrated circuit elementInfo
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- JPH0567763A JPH0567763A JP3227267A JP22726791A JPH0567763A JP H0567763 A JPH0567763 A JP H0567763A JP 3227267 A JP3227267 A JP 3227267A JP 22726791 A JP22726791 A JP 22726791A JP H0567763 A JPH0567763 A JP H0567763A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は光ファイバ通信の受光部
等に用いる光電子集積回路素子に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optoelectronic integrated circuit device used for a light receiving portion of optical fiber communication.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、この種の光電子集積回路素子（以
下、ＯＥＩＣアレイという）としては、以下に記す文献
に開示されたものがあり、その概略の回路図を図４に示
す。2. Description of the Related Art Conventionally, as this type of optoelectronic integrated circuit element (hereinafter referred to as OEIC array), there is one disclosed in the following document, and its schematic circuit diagram is shown in FIG.
【０００３】Optical Fiber Communication Conferenc
e, Tuesday,February 19, Lecture No.TuB2 「High-speed eight-channel optoelectronic
integrated receiver arrays comprising GalnAs pin PDs and AllnAs/GalnA
s HEMTs 」このＯＥＩＣアレイ４０は８チャネルの光受
信回路がモノリシックに集積されたものであり、各チャ
ネルは、受信した光信号を電気信号に変換するフォトダ
イオードＰＤ（ＰＤ1 〜ＰＤ8 ）と、この電気信号を増
幅するための抵抗及び高電子移動度トランジスタ等から
構成される増幅器ＡＭＰ（ＡＭＰ1 〜ＡＭＰ8 ）とで構
成される。Optical Fiber Communication Conferenc
e, Tuesday, February 19, Lecture No.TuB2 `` High-speed eight-channel optoelectronic
integrated receiver arrays comprising GalnAs pin PDs and AllnAs / GalnA
s HEMTs ”This OEIC array 40 is a monolithically integrated 8-channel optical receiving circuit, and each channel includes a photodiode PD (PD 1 to PD 8 ) for converting a received optical signal into an electrical signal, It is composed of a resistor for amplifying this electric signal and an amplifier AMP (AMP 1 to AMP 8 ) composed of a high electron mobility transistor and the like.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】このような従来のＯＥ
ＩＣアレイ４０においては、各増幅器ＡＭＰの電源節点
４１が互いに接続されて同じ電位を持っており、このよ
うな回路構成のため、あるチャネルに入力された信号が
他のチャネルに漏洩するクロストークが -30デシベル程
度と大きいことが問題となっていた。[Problems to be Solved by the Invention] Such conventional OE
In the IC array 40, the power supply nodes 41 of the amplifiers AMP are connected to each other and have the same potential. Due to such a circuit configuration, there is a crosstalk in which a signal input to one channel leaks to another channel. -30 dB was a big problem.
【０００５】このクロストークが発生する原因は次のよ
うに考えられている。即ち、このＯＥＩＣアレイ４０の
内外の電源回路には交流成分に対するインピーダンスを
低減するために、コンデンサＣ1 及びＣ2 が挿入されて
おり、すべての電源回路はこのコンデンサＣ1 、Ｃ2 を
介して接地されている。一方、電源供給端子４２へは、
通常、有限な長さを持つ電源配線４４を介して電源４３
から電流が供給される。この電源配線４４は分布定数と
してのインダクタンスＬを持っており、このインダクタ
ンスＬとコンデンサＣ2 とが特定の周波数において共振
し、この共振周波数において、電源供給端子４２とグラ
ンドとの間のインピーダンスは無限大となる。そこで、
１つのチャネルに信号が入力されると、その信号に対応
した出力電圧が出力端子４５に発生し、負荷４６に信号
電流が供給される。この信号電流は電源４３より供給さ
れるが、この時、電源供給端子４２には、この電源供給
端子４２とグランドとの間のインピーダンスと、ここを
流れる電流値との積に等しい電圧が発生する。The cause of this crosstalk is considered as follows. That is, capacitors C 1 and C 2 are inserted in the power supply circuit inside and outside the OEIC array 40 in order to reduce the impedance with respect to the AC component, and all the power supply circuits are connected via these capacitors C 1 and C 2. It is grounded. On the other hand, to the power supply terminal 42,
Normally, the power supply 43 is connected via the power supply wiring 44 having a finite length.
Is supplied with current. The power supply wiring 44 has an inductance L as a distributed constant, and the inductance L and the capacitor C 2 resonate at a specific frequency, and at this resonance frequency, the impedance between the power supply terminal 42 and the ground is infinite. It will be large. Therefore,
When a signal is input to one channel, an output voltage corresponding to the signal is generated at the output terminal 45, and a signal current is supplied to the load 46. This signal current is supplied from the power supply 43. At this time, a voltage equal to the product of the impedance between the power supply terminal 42 and the ground and the value of the current flowing therethrough is generated at the power supply terminal 42. ..
【０００６】従って、上述した共振周波数においては、
電源供給端子４２とグランド間のインピーダンスは無限
大となっているため、電源供給端子４２には、入力され
ている信号電流に対応した非常に大きな電圧変動が発生
する。一般に、増幅器ＡＭＰは電源電圧が変動するとそ
の変動に応じて出力電圧が変動する。そのため、この共
振周波数においては、１つのチャネルに入力された電気
信号が大きな電源電圧の変動を引き起こし、共通の電源
配線を介して他の全てのチャネルの出力電圧の変動を引
き起こすことになる。これがクロストークの発生する原
因となるものである。Therefore, at the above-mentioned resonance frequency,
Since the impedance between the power supply terminal 42 and the ground is infinite, the power supply terminal 42 undergoes a very large voltage fluctuation corresponding to the input signal current. Generally, in the amplifier AMP, when the power supply voltage changes, the output voltage changes according to the change. Therefore, at this resonance frequency, the electric signal input to one channel causes a large fluctuation in the power supply voltage, and causes a fluctuation in the output voltage of all other channels via the common power supply wiring. This causes crosstalk.
【０００７】本発明は、このようなＯＥＩＣアレイにお
いて発生するクロストークを低減することを目的とする
ものである。An object of the present invention is to reduce crosstalk generated in such an OEIC array.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明に係るＯＥＩＣア
レイは、受信した光信号を電気信号に変換する受光素子
とこの受光素子の出力信号を増幅する増幅器とを備える
チャネルを、同一半導体基板に複数集積し、前記各チャ
ネルの増幅器の電源節点のうち、少なくとも２つが互い
に接続されて同電位となる共通電源節点を有する光電子
集積回路素子において、前記光電子集積回路素子は、さ
らにこの回路素子に外部から電源を供給するための電源
供給端子を備えており、この電源供給端子と前記共通電
源端子との間を、抵抗素子を介して接続することを特徴
とするものである。In an OEIC array according to the present invention, a channel having a light receiving element for converting a received optical signal into an electric signal and an amplifier for amplifying an output signal of the light receiving element is provided on the same semiconductor substrate. In an optoelectronic integrated circuit device having a plurality of integrated power supply nodes having at least two of the power supply nodes of the amplifiers of the respective channels connected to each other and having the same potential, the optoelectronic integrated circuit device is further external to the circuit device. Is provided with a power supply terminal for supplying power from the power supply terminal, and the power supply terminal and the common power supply terminal are connected via a resistance element.
【０００９】[0009]
【作用】外部の電源回路に存在するインダクタンスＬと
コンデンサＣとが特定の周波数において共振するが、一
般に、インダクタンスと容量とが共振した場合に、抵抗
分が存在すると、共振時のインピーダンスは低くなる。
そこで、本発明に係るＯＥＩＣアレイでは、電源供給端
子と共通電源節点との間に抵抗素子を挿入し、共振時の
インピーダンスを低減させるものである。The inductance L and the capacitor C existing in the external power supply circuit resonate at a specific frequency. Generally, when the inductance and the capacitance resonate, if a resistance component exists, the impedance at the time of resonance becomes low. .
Therefore, in the OEIC array according to the present invention, a resistance element is inserted between the power supply terminal and the common power supply node to reduce impedance at resonance.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
【００１１】図１に本実施例に係る概略的な回路図を示
す。ＯＥＩＣアレイ１０は、チャネル数に特に制限はな
いが、用途に応じて４〜１２チャネルとするのが一般的
である。同図は、第１チャネルと最後の第ｎチャネル
（４〜１２）を図示しており、途中の第２〜第ｎ−１チ
ャネルは省略して図示している。これら各チャネルは同
一の半導体基板上にモノリシックに集積しており、各チ
ャネルは、受信した光信号を電気信号に変換するフォト
ダイオードＰＤ（ＰＤ1 〜ＰＤn ）と、この電気信号を
増幅するための抵抗及び高電子移動度トランジスタ等か
ら構成される増幅器ＡＭＰ（ＡＭＰ1 〜ＡＭＰn）とで
構成される。FIG. 1 shows a schematic circuit diagram according to this embodiment. The number of channels of the OEIC array 10 is not particularly limited, but it is generally 4 to 12 channels depending on the application. This figure illustrates the first channel and the last n-th channel (4 to 12), and omits the middle of the 2nd to n-1th channels. Each of these channels is monolithically integrated on the same semiconductor substrate, and each channel has a photodiode PD (PD 1 to PD n ) for converting a received optical signal into an electric signal and amplifies this electric signal. composed out of the resistance and high electron mobility transistors, etc. and configured amplifier AMP (AMP 1 ~AMP n).
【００１２】各チャネルの増幅器ＡＭＰ1 〜ＡＭＰn 及
びフォトダイオードＰＤ1 〜ＰＤn は、同じ電位となる
共通電源節点１１で互いに接続されており、この共通電
源節点１１と電源供給端子１２との間は抵抗素子Ｒを介
して接続されている。なお、この電源供給端子１２は、
外部の電源回路に接続され、ＯＥＩＣアレイ１０内に電
源を供給するための入力端子となる。また、内外の電源
回路には交流成分に対するインピーダンスを低減するた
めに、コンデンサＣ1 及びＣ2 が挿入されており、各電
源回路はこのコンデンサＣ1 、Ｃ2 を介して接地されて
いる。また、各チャネルでは、フォトダイオードＰＤか
らの出力信号を増幅器ＡＭＰで増幅し、この増幅出力が
対応する各出力端子１５1 〜 １５n に与えられる。[0012] amplifier AMP 1 ~AMP n and the photodiode PD 1 -PD n for each channel are connected to each other by a common power supply node 11 to the same potential, between the common power supply node 11 and the power supply terminal 12 Are connected via a resistance element R. The power supply terminal 12 is
It is connected to an external power supply circuit and serves as an input terminal for supplying power into the OEIC array 10. Further, capacitors C 1 and C 2 are inserted in the internal and external power supply circuits in order to reduce the impedance with respect to the AC component, and each power supply circuit is grounded via the capacitors C 1 and C 2 . Further, in each channel, the output signal from the photodiode PD is amplified by the amplifier AMP, and the amplified output is given to the corresponding output terminals 15 1 to 15 n .
【００１３】次に、抵抗素子Ｒの作用について説明す
る。Next, the operation of the resistance element R will be described.
【００１４】電源供給端子１２には、通常、有限な長さ
を持つ電源配線１３を介して電源１４から電流が供給さ
れる。この電源配線１３は分布定数としてのインダクタ
ンスＬを持つものである。そこで、少なくとも１つのフ
ォトダイオードＰＤに光信号が入力されると、入力信号
を受けた各チャネルには、電源１４に接続された電源供
給端子１２から電源電流が供給される。この時、電源配
線１３のインダクタンスＬとコンデンサＣ2 とが特定の
周波数において共振することは前述した通りであるが、
本実施例では、電源供給端子１２と共通電源節点１１と
の間に抵抗素子Ｒを挿入している。一般に、インダクタ
ンスと容量とが共振した場合に、抵抗分が存在すると共
振時のインピーダンスは低くなる。そこで、共通電源節
点１１の電圧変動は、各電源節点とグランドとの間のイ
ンピーダンスに比例するので、上述のように電源供給端
子１２と共通電源節点１１との間に抵抗素子Ｒを挿入す
ることにより、共振時のインピーダンスを低く抑えるこ
とができる。従って、共通電源節点１１の電圧の変動、
即ち増幅器ＡＭＰの電源電圧の変動は低減され、他のチ
ャネルの出力に与える影響は小さくなり、これによりク
ロストークも低減されるものである。A current is normally supplied to the power supply terminal 12 from a power supply 14 via a power supply wiring 13 having a finite length. The power supply wiring 13 has an inductance L as a distributed constant. Therefore, when an optical signal is input to at least one photodiode PD, a power supply current is supplied to each channel receiving the input signal from the power supply terminal 12 connected to the power supply 14. At this time, the inductance L of the power supply wiring 13 and the capacitor C 2 resonate at a specific frequency, as described above.
In this embodiment, the resistance element R is inserted between the power supply terminal 12 and the common power supply node 11. In general, when the inductance and the capacitance resonate with each other, the impedance at the time of resonance becomes low if there is a resistance component. Therefore, since the voltage fluctuation of the common power supply node 11 is proportional to the impedance between each power supply node and the ground, the resistance element R should be inserted between the power supply terminal 12 and the common power supply node 11 as described above. Thereby, the impedance at the time of resonance can be suppressed low. Therefore, the fluctuation of the voltage of the common power supply node 11,
That is, the fluctuation of the power supply voltage of the amplifier AMP is reduced, the influence on the output of other channels is reduced, and the crosstalk is also reduced.
【００１５】次に、この抵抗素子Ｒの抵抗値について検
討する。電源供給端子１２と共通電源節点１１との間に
抵抗素子Ｒを挿入すると、共振時のインピーダンスは低
くなるが、抵抗素子Ｒの値を一定の値を越えて増大させ
た場合には、共通電源節点１１とグランドの間のインピ
ーダンスが増大し、この結果、クロクトークが増大する
ことになる。従って、この抵抗素子Ｒの抵抗値には最適
な値の範囲が存在することになる。Next, the resistance value of the resistance element R will be examined. When the resistance element R is inserted between the power supply terminal 12 and the common power supply node 11, the impedance at the time of resonance is lowered, but when the value of the resistance element R is increased beyond a certain value, the common power supply is used. The impedance between the node 11 and the ground increases, which results in an increase in crosstalk. Therefore, the resistance value of the resistance element R has an optimum value range.
【００１６】図２に抵抗素子Ｒの値をパラメータとした
クロストークの周波数特性を示す。図において、抵抗素
子Ｒの値を１［Ω］〜１０［Ω］とすると、５００［MH
z]以上でクロストークが改善されることがわかる。ま
た、この抵抗値を増大させると、１００［MHz] 以下で
のクロストークが増大し、抵抗値が３０［Ω］以上にな
ると２［MHz] 付近でのクロストークは−３０［dB］に
達する。以上の結果より、抵抗素子Ｒの抵抗値として
は、１［Ω］〜１０［Ω］の範囲が最適であることがわ
かる。FIG. 2 shows frequency characteristics of crosstalk with the value of the resistance element R as a parameter. In the figure, assuming that the value of the resistance element R is 1 [Ω] to 10 [Ω], 500 [MH]
It can be seen that crosstalk is improved at z] and above. When the resistance value is increased, the crosstalk at 100 [MHz] or less increases, and when the resistance value becomes 30 [Ω] or more, the crosstalk near 2 [MHz] reaches -30 [dB]. . From the above results, it is found that the resistance value of the resistance element R is optimally in the range of 1 [Ω] to 10 [Ω].
【００１７】また、図３に本実施例に係るＯＥＩＣアレ
イ３０の具体的な回路構成の一例を示す。同図において
は、第１チャネルと最後の第ｎチャネルを図示してお
り、途中の第２〜第ｎ−１チャネルは省略して図示して
いる。これら各チャネルは同一の半導体基板上にモノリ
シックに集積しており、各チャネルの構成は、以下に記
す第１チャネルと同様な構成である。FIG. 3 shows an example of a concrete circuit configuration of the OEIC array 30 according to this embodiment. In the figure, the first channel and the last n-th channel are shown, and the second to (n-1) th channels in the middle are omitted. Each of these channels is monolithically integrated on the same semiconductor substrate, and the configuration of each channel is the same as that of the first channel described below.
【００１８】第１チャネルは、フォトダイオードＰ
Ｄ1 、抵抗素子Ｒ11，Ｒ12、トランジスタＱ11〜Ｑ15、
レベルシフトダイオードＤ11〜Ｄ16から構成される。フ
ォトダイオードＰＤ1 には、ＩｎＰ基板上に形成された
ＧａＩｎＡｓ層を光吸収層とするＰＩＮ型フォトダイオ
ードが用いられ、トランジスタＱ11〜Ｑ15には、Ｎ型Ａ
ｌＩｎＡｓ層とＧａＩｎＡｓ層からなるＨＥＭＴ、接合
型トランジスタ或いはＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓヘテロ接合
を用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタ等が用いら
れる。また、抵抗素子Ｒ，Ｒ11，Ｒ12は、スパッタ法等
で形成した金属薄膜抵抗等が用いられる。The first channel is a photodiode P.
D 1 , resistance elements R 11 , R 12 , transistors Q 11 to Q 15 ,
It is composed of level shift diodes D 11 to D 16 . A PIN photodiode using a GaInAs layer formed on an InP substrate as a light absorbing layer is used for the photodiode PD 1 , and an N type A photodiode is used for the transistors Q 11 to Q 15.
A HEMT including an InnAs layer and a GaInAs layer, a junction transistor, a heterojunction bipolar transistor using an InP / GaInAs heterojunction, or the like is used. Further, as the resistance elements R, R 11 , R 12 , metal thin film resistors formed by a sputtering method or the like are used.
【００１９】フォトダイオードＰＤ1 及び抵抗素子Ｒ11
は光検出段を構成し、トランジスタＱ11及び抵抗素子Ｒ
12は、この光検出段で検出された入力信号を増幅する増
幅段を構成している。また、トランジスタＱ12、Ｑ13及
びレベルシフトダイオードＤ11〜Ｄ13はレベルシフト段
を構成し、レベルシフトダイオードＤ14〜Ｄ16及びトラ
ンジスタＱ14、Ｑ15はソースフォロワ段を構成してい
る。The photodiode PD 1 and the resistance element R 11
Is a light detection stage, and includes a transistor Q 11 and a resistance element R.
Reference numeral 12 constitutes an amplification stage for amplifying the input signal detected by this photodetection stage. The transistor Q 12, Q 13 and the level shift diode D 11 to D 13 constitutes a level shift stage, the level shift diode D 14 to D 16 and transistor Q 14, Q 15 constitute a source follower stage.
【００２０】以上のように構成されるＯＥＩＣアレイ３
０においても、電源供給端子３２と各チャネルの共通電
源節点３１とは、抵抗素子Ｒを介して接続されており、
この抵抗素子Ｒの働きによって、先に説明した図１に示
す回路と同様にクロストークを低減することができる。The OEIC array 3 configured as described above
Also in 0, the power supply terminal 32 and the common power supply node 31 of each channel are connected via the resistance element R,
Due to the function of the resistance element R, crosstalk can be reduced similarly to the circuit shown in FIG. 1 described above.
【００２１】[0021]
【発明の効果】以上説明した通り、本発明に係る光電子
集積回路素子は、各チャネルの増幅器の電源節点のう
ち、少なくとも２つが互いに接続されて同電位となる共
通電源節点を有し、この共通電源節点と前記光電子集積
回路素子に電源を供給するための電源供給端子との間を
抵抗素子を介して接続するので、前記電源供給端子に接
続される外部の電源回路が特定の周波数において共振し
た際に、この抵抗素子によって共振時のインピーダンス
を低減することができる。従って、前記共通電源節点に
よって互いに接続される他のチャネルの各増幅器に加わ
る電源電圧の変動も抑えられ、これにより他のチャネル
の出力に与える影響は小さくなり、クロストークを低減
することが可能となる。As described above, the optoelectronic integrated circuit element according to the present invention has the common power supply node which has the same potential when at least two of the power supply nodes of the amplifier of each channel are connected to each other. Since the power supply node and the power supply terminal for supplying power to the optoelectronic integrated circuit element are connected via the resistance element, the external power supply circuit connected to the power supply terminal resonates at a specific frequency. At this time, the resistance element can reduce the impedance at the time of resonance. Therefore, fluctuations in the power supply voltage applied to the amplifiers of the other channels connected to each other by the common power supply node are also suppressed, so that the influence on the output of the other channels is reduced and crosstalk can be reduced. Become.
【図１】本発明の実施例に係るＯＥＩＣアレイの概略的
な構成を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a schematic configuration of an OEIC array according to an embodiment of the present invention.
【図２】接続する抵抗素子の抵抗値をパラメータとした
クロストークの周波数特性を示すグラフである。FIG. 2 is a graph showing a frequency characteristic of crosstalk using a resistance value of a connected resistance element as a parameter.
【図３】本実施例に係るＯＥＩＣアレイの一例を示す回
路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of an OEIC array according to this embodiment.
【図４】従来のＯＥＩＣアレイの概略的な構成を示す回
路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing a schematic configuration of a conventional OEIC array.
１０…ＯＥＩＣアレイ（光電子集積回路素子）、１１…
共通電源節点、１２…電源供給端子、１３…電源配線、
Ｒ…抵抗素子、ＰＤ1 …第１チャネルのフォトダイオー
ド、ＡＭＰ1 …第１チャネルの増幅器。10 ... OEIC array (optical electronic integrated circuit element), 11 ...
Common power supply node, 12 ... power supply terminal, 13 ... power supply wiring,
R ... Resistance element, PD 1 ... First channel photodiode, AMP 1 ... First channel amplifier.
Claims (2)
光素子とこの受光素子の出力信号を増幅する増幅器とを
備えるチャネルを、同一半導体基板に複数集積し、前記
各チャネルの増幅器の電源節点のうち、少なくとも２つ
が互いに接続されて同電位となる共通電源節点を有する
光電子集積回路素子において、 前記光電子集積回路素子は、この回路素子に外部から電
源を供給するための電源供給端子を備えており、この電
源供給端子と前記共通電源端子との間を、抵抗素子を介
して接続することを特徴とする光電子集積回路素子。1. A plurality of channels each including a light receiving element for converting a received optical signal into an electric signal and an amplifier for amplifying an output signal of the light receiving element are integrated on the same semiconductor substrate, and a power supply node of the amplifier of each channel. Among them, in an optoelectronic integrated circuit device having at least two common power supply nodes connected to each other and having the same potential, the optoelectronic integrated circuit device includes a power supply terminal for supplying power to the circuit device from the outside. An optoelectronic integrated circuit element, wherein the power supply terminal and the common power supply terminal are connected via a resistance element.
１０［Ω］であることを特徴とする請求項１記載の光電
子集積回路素子。2. The optoelectronic integrated circuit element according to claim 1, wherein the resistance value of the resistance element is 1 [Ω] to 10 [Ω].
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|---|---|---|---|
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| JP (1) | JP3106437B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0774384A (en) * | 1993-07-08 | 1995-03-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Photoelectron integrated circuit and its manufacturing method |
| JP2010193229A (en) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Transimpedance amplifier, and transimpedance amplifier connection circuit |
| JP2012085366A (en) * | 2012-02-02 | 2012-04-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Transimpedance amplifier and transimpedance amplifier connection circuit |
-
1991
- 1991-09-06 JP JP03227267A patent/JP3106437B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPH0774384A (en) * | 1993-07-08 | 1995-03-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Photoelectron integrated circuit and its manufacturing method |
| JP2010193229A (en) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Transimpedance amplifier, and transimpedance amplifier connection circuit |
| JP2012085366A (en) * | 2012-02-02 | 2012-04-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Transimpedance amplifier and transimpedance amplifier connection circuit |
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