JP2009212702A - Light receiving amplifier circuit, optical pickup apparatus, and optical disk drive - Google Patents

Light receiving amplifier circuit, optical pickup apparatus, and optical disk drive Download PDF

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JP2009212702A JP2008052336A JP2008052336A JP2009212702A JP 2009212702 A JP2009212702 A JP 2009212702A JP 2008052336 A JP2008052336 A JP 2008052336A JP 2008052336 A JP2008052336 A JP 2008052336A JP 2009212702 A JP2009212702 A JP 2009212702A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a light receiving amplifier circuit which can reduce noise and establish desirable offset voltage characteristics. <P>SOLUTION: The light receiving amplifier circuit 1 is provided with a curretn-voltage converting circuit 2 which converts photoelectric current Ib generating in a photodiode PD into voltage, a reference circuit 3 which is not connected with the photodiode PD and has the same circuit structure as the current-voltage converting circuit 2, and a differential circuit 4 to amplify a difference between output voltage of the current-voltage converting circuit 2 and output voltage of the reference circuit 3. The light receiving amplifier circuit 1 is provided with a compensation circuit 5 to compensate a difference between output voltage of the current-voltage converting circuit 2 and output voltage of the reference circuit 3 during no signal. The resistance value of a reference resistance Rref 21 in the reference circuit 3 is set smaller than that of a feedback resistance Rf in the current-voltage converting circuit 2, and the bias current of an input transistor in the reference circuit 3 is set smaller than that of an input transistor in the current-voltage converting circuit 2. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、光ディスクの再生または記録のために用いられる光ピックアップ装置に搭載される受光素子に付加される受光増幅回路に係り、詳しくは受光素子の光電流信号を増幅しかつ電圧に変換する受光増幅回路ならびにそれを備えた光ピックアップ装置および光ディスク装置に関するものである。   The present invention relates to a light receiving amplification circuit added to a light receiving element mounted on an optical pickup device used for reproducing or recording an optical disk, and more particularly, to receive light that amplifies a photocurrent signal of the light receiving element and converts it into a voltage. The present invention relates to an amplifier circuit, and an optical pickup device and an optical disk device including the amplifier circuit.

DVD、CDなどの光ディスクは、音楽、映像、データ情報などを記録するメディアとして広く使用されている。メディアに記録された情報の再生、またはメディアへの情報の記録は、光ピックアップによって行われる。光ピックアップは、小型化や高性能化を図るために開発が進められている。   Optical discs such as DVD and CD are widely used as media for recording music, video, data information, and the like. The reproduction of information recorded on the medium or the recording of information on the medium is performed by an optical pickup. Optical pickups are being developed for miniaturization and high performance.

このような光ピックアップには、光ディスクからの反射光を受光するための受光素子が設けられている。受光素子は、コストダウンを目的とする部品点数の削減や伝達信号の高速化を図るため、受光可能な信号光量が低下してきている。このために、受光素子の開発においては、受光素子のノイズ低減が重要かつ不可欠な課題となっている。   Such an optical pickup is provided with a light receiving element for receiving reflected light from the optical disk. In the light receiving element, in order to reduce the number of parts for the purpose of cost reduction and to increase the speed of the transmission signal, the amount of light that can be received is decreasing. For this reason, in the development of a light receiving element, noise reduction of the light receiving element is an important and indispensable issue.

また、近年では、青色レーザーダイオードに対応したピックアップが開発され、周波数帯域で200MHz以上の高速信号処理が必要とされている。   In recent years, pickups corresponding to blue laser diodes have been developed, and high-speed signal processing of 200 MHz or more in the frequency band is required.

図8は、光ピックアップに用いられる受光素子としてのフォトダイオードPDA〜PDFの構成を示している。また、図9は、上記のフォトダイオードPDA〜PDFを含む1段差動回路による受光増幅回路101a〜101fの構成を示している。さらに、図10は、従来の受光増幅回路101aの詳細な構成を示している。   FIG. 8 shows a configuration of photodiodes PDA to PDF as light receiving elements used in the optical pickup. FIG. 9 shows a configuration of the light receiving amplification circuits 101a to 101f by a one-stage differential circuit including the photodiodes PDA to PDF. Further, FIG. 10 shows a detailed configuration of a conventional light receiving amplification circuit 101a.

図8および図9を基に、受光増幅回路101a〜101fの基本的動作原理および主要特性であるオフセット電圧特性と増幅回路のノイズ低減手法とを以下に説明する。   Based on FIGS. 8 and 9, the basic operation principle and main characteristics of the light receiving and amplifying circuits 101a to 101f, the offset voltage characteristics and the noise reduction technique of the amplifier circuit will be described below.

図10に示すように、フォトダイオードPDA〜PDFは、RF信号およびフォーカスエラー信号を生成するために、6つに分割された正方形をなしており、隣接して配されている。長方形をなすフォトダイオードPDE,PDFは、トラッキングエラー信号を生成するためにフォトダイオードPDA〜PDDの両側にそれぞれ配置されている。フォトダイオードPDA〜PDFは、それぞれ信号電圧Va〜Vfを出力する。   As shown in FIG. 10, the photodiodes PDA to PDF form a square divided into six in order to generate an RF signal and a focus error signal, and are arranged adjacent to each other. The rectangular photodiodes PDE and PDF are arranged on both sides of the photodiodes PDA to PDD in order to generate a tracking error signal. The photodiodes PDA to PDF output signal voltages Va to Vf, respectively.

各フォトダイオードPDA〜PDFは、それぞれの受光増幅回路101a〜101fにおける差動増幅回路AMP101に接続されている。各受光増幅回路101a〜101fから出力される信号電圧VA〜VFには、後段に設けられる演算処理ICによって以下の演算処理が施されて、RF信号、フォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信号が得られる。このため、各受光増幅回路101a〜101fの出力間の電圧精度が重要となる。また、信号電圧VA〜VDについては、RF信号を生成するために使用されるので、S/N特性が重要な要素となる。   Each of the photodiodes PDA to PDF is connected to a differential amplifier circuit AMP101 in each of the light receiving amplifier circuits 101a to 101f. The signal voltages VA to VF output from the respective light receiving amplification circuits 101a to 101f are subjected to the following arithmetic processing by an arithmetic processing IC provided in the subsequent stage, and an RF signal, a focus error signal, and a tracking error signal are obtained. For this reason, the voltage accuracy between the outputs of the respective light receiving and amplifying circuits 101a to 101f is important. Further, since the signal voltages VA to VD are used for generating an RF signal, the S / N characteristic is an important factor.

RF信号=Va+Vb+Vc+Vd …(1)
フォーカスエラー信号=Va+Vc−(Vb+Vd) …(2)
トラッキングエラー信号=Ve−Vf …(3)
上記のフォトダイオードPDAを含む受光増幅回路101aを一例として、信号光電流−電圧変換の動作原理を説明する。
RF signal = Va + Vb + Vc + Vd (1)
Focus error signal = Va + Vc− (Vb + Vd) (2)
Tracking error signal = Ve−Vf (3)
The operation principle of signal photocurrent-voltage conversion will be described using the light receiving amplification circuit 101a including the photodiode PDA as an example.

信号光の照射により、フォトダイオードPDAに光電流Iaが発生する。この光電流Iaは、受光増幅回路101aの帰還抵抗R1により電圧に変換され、出力端子に信号光照射時の出力電圧Vonとして現れる。ここで、無信号光時の出力端子に現れる出力電圧をVodとした場合、フォトダイオードPDAへ入射する信号光により発生する信号電圧Vsigは、
Vsig=Von−Vod …(4)
と表される。ここで、光電流をIaとし、帰還抵抗(ゲイン抵抗)の値をR1とすると、出力電圧Vonは、
Von=R1×Ia+Vref …(5)
と表される。ここで、Vrefは、外部より与えられる基準電源電位である。
Photocurrent Ia is generated in the photodiode PDA by the irradiation of the signal light. This photocurrent Ia is converted into a voltage by the feedback resistor R1 of the light receiving amplification circuit 101a, and appears at the output terminal as an output voltage Von at the time of signal light irradiation. Here, when the output voltage appearing at the output terminal during no signal light is Vod, the signal voltage Vsig generated by the signal light incident on the photodiode PDA is:
Vsig = Von−Vod (4)
It is expressed. Here, when the photocurrent is Ia and the value of the feedback resistance (gain resistance) is R1, the output voltage Von is
Von = R1 × Ia + Vref (5)
It is expressed. Here, Vref is a reference power supply potential given from the outside.

無信号状態でのトランジスタTr101,Tr102のベース電流をそれぞれIb1,Ib2とし、トランジスタTr101,Tr102のベースエミッタ間の電圧をそれぞれVBE1,VBE2とし、リファレンス抵抗R2の抵抗値をR2とすると、Vodは、
Vod=Vref−R2×Ib2−VBE2+VBE1+R1×Ib1 …(6)
と表される。これにより、信号電圧Vsigは、
Vsig=R1×Ia−(−R2×Ib2−VBE2+VBE1+R1×Ib1)…(7)
と表される。式(7)における第2項以降が誤差となる。受光増幅回路では、式(2)に示すようなフォーカス信号での演算信号の精度の高いことが重要であるので、上記の誤差(オフセット電圧)によって演算信号の精度が低下することが問題となる。つまりVod≒Vrefであることが重要な条件であり、これを満たすには、無信号光時に、
R1×Ib1=R2×Ib2 …(8)
VBE1=VBE2 …(9)
という条件を満たすことが必要である。
When the base currents of the transistors Tr101 and Tr102 in the no-signal state are Ib1 and Ib2, respectively, the voltages between the base emitters of the transistors Tr101 and Tr102 are VBE1 and VBE2, respectively, and the resistance value of the reference resistor R2 is R2, Vod is
Vod = Vref−R2 × Ib2−VBE2 + VBE1 + R1 × Ib1 (6)
It is expressed. Thereby, the signal voltage Vsig is
Vsig = R1 * Ia-(-R2 * Ib2-VBE2 + VBE1 + R1 * Ib1) (7)
It is expressed. The second and subsequent terms in equation (7) are errors. In the photoreceiver / amplifier circuit, since it is important that the accuracy of the calculation signal with the focus signal as shown in the equation (2) is high, there is a problem that the accuracy of the calculation signal is lowered due to the above error (offset voltage). . In other words, it is an important condition that Vod≈Vref. To satisfy this condition,
R1 × Ib1 = R2 × Ib2 (8)
VBE1 = VBE2 (9)
It is necessary to satisfy this condition.

無信号光時の出力電圧Vodの外部基準電圧Vrefからのずれをオフセット電圧Voffとすると、このオフセット電圧Voffは、
Voff=Vod−Vref …(10)
と表される。受光増幅回路におけるオフセット電圧は、±15mV以下の精度が要求される。
If the deviation from the external reference voltage Vref of the output voltage Vod during no signal light is the offset voltage Voff, the offset voltage Voff is:
Voff = Vod−Vref (10)
It is expressed. The offset voltage in the light receiving amplifier circuit is required to have an accuracy of ± 15 mV or less.

一般に、受光増幅回路においてノイズ特性の抑制は重要な課題である。そのノイズとは、無信号状態におけるノイズであり、回路を構成する素子、主にトランジスタおよび抵抗により発生する。受光増幅回路において信号光により得られる電圧信号が十分大きい場合、信号電圧とノイズレベルの差異は大きく、つまりS/N特性良好であり問題とならない。しかしながら、前述したように、近年においては、信号光量の低下により、受光回路のノイズ低減が必須課題となっている。   In general, suppression of noise characteristics is an important issue in a light receiving amplifier circuit. The noise is noise in a no-signal state, and is generated by elements constituting the circuit, mainly transistors and resistors. When the voltage signal obtained by the signal light in the light receiving amplifier circuit is sufficiently large, the difference between the signal voltage and the noise level is large, that is, the S / N characteristic is good and does not cause a problem. However, as described above, in recent years, noise reduction in the light receiving circuit has become an essential issue due to a decrease in the amount of signal light.

ここで、受光増幅回路における重要項目であるノイズ特性について、その低減方法を図10に示す受光増幅回路101aを例に挙げて以下に説明する。   Here, the noise characteristics, which are important items in the light receiving amplifier circuit, will be described below by taking the light receiving amplifier circuit 101a shown in FIG. 10 as an example.

受光増幅回路101aでの出力ノイズ値Vnは、
Vn=√(Ni1+Ni2+Nr1+Nr2) …(11)
と表される。ここで、Ni1,Ni2は、トランジスタTr101,Tr102より発生するショットノイズに起因するノイズを表し、Nr1,Nr2は、抵抗R1,R2より発生する熱雑音に起因するノイズを表している。これらのノイズは、それぞれ素子が起因するノイズの二乗平均となる。
The output noise value Vn at the light receiving amplification circuit 101a is
Vn = √ (Ni1 2 + Ni2 2 + Nr1 2 + Nr2 2 ) (11)
It is expressed. Here, Ni1 and Ni2 represent noise due to shot noise generated from the transistors Tr101 and Tr102, and Nr1 and Nr2 represent noise due to thermal noise generated from the resistors R1 and R2. Each of these noises is a mean square of noise caused by the element.

ここで、Ni1,Ni2のトランジスタショットノイズについては、トランジスタTr101,Tr102のバイアス電流を大幅に低減することが可能であれば、ノイズ低減が可能である。しかしながら、受光増幅回路101aの応答特性を得るためには、極端な駆動電流削減は不可能である。また、帰還抵抗R1についても、所定の抵抗値に設定する必要があるので、低減することは不可能である。唯一リファレンス抵抗R2の抵抗値のみを小さな値とし、R1>R2となる関係に設定できれば、ノイズ低減が可能となる。しかしながら、前述したように、従来の受光増幅回路101aの構成では、オフセット電圧特性が悪化するため、R1=R2が、必須条件となっている。   Here, with respect to the transistor shot noise of Ni1 and Ni2, if the bias current of the transistors Tr101 and Tr102 can be significantly reduced, the noise can be reduced. However, in order to obtain the response characteristics of the light receiving amplifier circuit 101a, it is impossible to reduce the driving current extremely. Also, since the feedback resistor R1 needs to be set to a predetermined resistance value, it cannot be reduced. If only the resistance value of the reference resistor R2 is set to a small value and the relationship R1> R2 can be set, noise can be reduced. However, as described above, in the configuration of the conventional light receiving and amplifying circuit 101a, the offset voltage characteristic is deteriorated, so that R1 = R2 is an essential condition.

また、受光素子回路101aにおいて、リファレンス抵抗R2による熱雑音を余分に発生させていることが行われる(例えば特許文献1)に記載されている。熱雑音は、√(4kTR2Δf)と表される。ここで、kはボルツマン定数であり、Tは絶対温度であり、Δfは雑音帯域幅である。   Moreover, it is described in the light receiving element circuit 101a that extra thermal noise is generated by the reference resistor R2 (for example, Patent Document 1). Thermal noise is represented as √ (4kTR2Δf). Here, k is a Boltzmann constant, T is an absolute temperature, and Δf is a noise bandwidth.

また、特許文献1では、そのような熱雑音を低減するために、熱雑音によるノイズを抵抗とコンデンサとによって積分する手法が開示されている。受光増幅回路101aにおいては、この手法を実現するために、コンデンサC1がリファレンス抵抗R2とトランジスタTr102のベースとの接続点とGNDとの間に接続されており、リファレンス抵抗R2に固定電位(GND電位)を付与している。このようなコンデンサC1を設けることで、リファレンス抵抗R2およびコンデンサC1がノイズを積分するフィルタを構成するので、高周波のノイズを低減することが可能になる。   Patent Document 1 discloses a technique for integrating noise due to thermal noise with a resistor and a capacitor in order to reduce such thermal noise. In the photoreceiver / amplifier circuit 101a, in order to realize this method, the capacitor C1 is connected between the connection point between the reference resistor R2 and the base of the transistor Tr102 and GND, and the reference resistor R2 has a fixed potential (GND potential). ). By providing such a capacitor C1, the reference resistor R2 and the capacitor C1 form a filter that integrates noise, so that high-frequency noise can be reduced.

しかしながら、特許文献1の構成では、高周波ノイズの低減は可能であるものの、低周波領域でのノイズ低減を十分行うためには、コンデンサC1を極大の容量値とする必要があり、コスト面からも有利とならない。この為、コストを抑えつつ、高周波ノイズは勿論、低周波領域でのノイズ低減も十分行うことができるノイズ低減手法が必要とされている。   However, in the configuration of Patent Document 1, although it is possible to reduce high-frequency noise, in order to sufficiently reduce noise in the low-frequency region, the capacitor C1 needs to have a maximum capacitance value. It is not advantageous. Therefore, there is a need for a noise reduction method that can sufficiently reduce noise in a low frequency region as well as high frequency noise while suppressing cost.

次に、図11は、従来の高速信号処理を可能とする光ピックアップ用の受光増幅素子における受光増幅素子回路201a〜201fの構成を示している。また、図12は、受光増幅回路201aの詳細な構成を示している。   Next, FIG. 11 shows a configuration of light receiving amplification element circuits 201a to 201f in a light receiving amplification element for an optical pickup that enables conventional high-speed signal processing. FIG. 12 shows a detailed configuration of the light receiving amplification circuit 201a.

図11および図12を基に、高速型のピックアップ用の受光増幅回路201aの基本的動作原理および主要特性であるオフセット電圧特性と増幅回路のノイズ低減手法を以下に説明する。   Based on FIG. 11 and FIG. 12, the basic operation principle of the light-receiving amplifier circuit 201a for high-speed pickup, the offset voltage characteristic which is the main characteristic, and the noise reduction technique of the amplifier circuit will be described below.

図11に示すように、高速型の受光増幅素子においては、受光増幅回路201a〜201dは、それぞれ、初段回路である電流電圧変換回路202a〜202dと、電流電圧変換回路202a〜202dと同一構成のリファレンス回路203a〜203dと、電流電圧変換回路202a〜202dおよびリファレンス回路203a〜203dの出力電圧差を増幅する差動回路204a〜204dとにより構成される。ここで、受光素子PDA〜PDDは、電流電圧変換回路202a〜202dのみに接続され、電流電圧変換回路202a〜202dの帰還抵抗Rfの抵抗値と、リファレンス回路203a〜203dの帰還抵抗Rrefの抵抗値とは同一である。   As shown in FIG. 11, in the high-speed light receiving and amplifying element, the light receiving and amplifying circuits 201a to 201d have the same configurations as the current voltage converting circuits 202a to 202d and the current voltage converting circuits 202a to 202d, respectively, which are the first stage circuits. Reference circuits 203a to 203d, and current / voltage conversion circuits 202a to 202d and differential circuits 204a to 204d that amplify the output voltage difference between the reference circuits 203a to 203d. Here, the light receiving elements PDA to PDD are connected only to the current-voltage conversion circuits 202a to 202d, the resistance value of the feedback resistor Rf of the current-voltage conversion circuits 202a to 202d, and the resistance value of the feedback resistor Rref of the reference circuits 203a to 203d. Is the same.

また、一般的に、増幅回路はゲイン抵抗値が小さいほど高速化が可能である。このため、高速信号増幅に対応した2段増幅構成の受光増幅回路の場合、後段の差動回路にゲインを配分することで初段のゲイン抵抗を低減することができる。2段増幅構成の受光増幅回路では、1段増幅構成の受光増幅回路よりアンプの広帯域化が可能であり、高速増幅を可能とするが、その反面、ノイズ特性およびオフセット電圧特性の悪化を生じる。   In general, the amplification circuit can be increased in speed as the gain resistance value is smaller. For this reason, in the case of a light receiving amplification circuit having a two-stage amplification configuration corresponding to high-speed signal amplification, the gain resistance in the first stage can be reduced by distributing the gain to the differential circuit in the subsequent stage. The light receiving amplifier circuit having the two-stage amplification configuration can make the amplifier wider in bandwidth than the light receiving amplifier circuit having the one-stage amplification configuration, and enables high-speed amplification. However, the noise characteristic and the offset voltage characteristic are deteriorated.

後段増幅率2倍アンプの場合、初段アンプで発生した電流電圧変換回路とリファレンス回路との出力電圧差は、後段アンプで2倍され、オフセット電圧となる。
また、後段増幅率2倍アンプの場合、初段アンプでゲイン抵抗を1/2とすることで3dBノイズは改善するが、後段アンプで2倍増幅することで6dB悪化することとなり、合計として3dBの悪化となる。つまり、アンプ高速化のためには、ノイズの悪化を伴い、この抑制が必要となっている。
In the case of the post-stage amplification factor double amplifier, the output voltage difference between the current-voltage conversion circuit and the reference circuit generated in the first-stage amplifier is doubled by the post-stage amplifier to become an offset voltage.
In addition, in the case of a double amplification factor in the latter stage, 3 dB noise is improved by halving the gain resistance in the first stage amplifier, but 6 dB worsens by amplification in the second stage amplifier, resulting in a total of 3 dB. It gets worse. In other words, in order to increase the speed of the amplifier, this suppression is necessary with the deterioration of noise.

以下に、受光増幅回路201aの具体的な動作を説明する。ここで、以下の説明で使用するRf、Rs1、Rs2、Rrefs、Rfs、V1、V2およびVs2の各値は、次のように定義される。   Hereinafter, a specific operation of the light receiving amplification circuit 201a will be described. Here, each value of Rf, Rs1, Rs2, Rrefs, Rfs, V1, V2, and Vs2 used in the following description is defined as follows.

Rf:電流電圧変換回路の帰還抵抗(ゲイン抵抗)
Rs1:電流電圧変換回路202aの出力と差動回路204aの非反転入力との間抵抗
Rs2:リファレンス回路203aの出力と差動回路204aの反転入力との間の抵抗
Rrefs:差動回路204aの非反転入力間抵抗と外部基準電圧Vrefとの間の抵抗
Rfs:差動回路の帰還抵抗
V1:電流電圧変換回路202aの出力電圧
V2:リファレンス回路出力
Vs1:差動回路204aの非反転入力電位
Vs2:差動回路204aの反転入力電位
Vo:差動回路204aの出力端子電圧
無信号状態で、差動回路204aの非反転入力電位Vs1および出力端子電圧Vo(VA)は、
Vs1=(Vref−V1)×Rs1/(Rs1+Rrefs)+V1 …(12)
Vo=(Vs2−V2)×(Rfs+Rs2)/Rs2+V2 …(13)
と表される。ここで、Vs1=Vs2、Rs1=Rs2、Rrefs=Rfsとした場合、出力端子電圧Voは、
Vo=(V1−V2)×Rf/Rs2+Vref …(14)
と表される。このように、差動回路204aの出力ではV1とV2との電圧差が増幅される。つまり、(V1−V2)×Rf/Rs2がオフセット電圧となり、V1=V2であることが理想的な状態となる。
Rf: feedback resistance (gain resistance) of current-voltage conversion circuit
Rs1: Resistance between the output of the current-voltage conversion circuit 202a and the non-inverting input of the differential circuit 204a Rs2: Resistance between the output of the reference circuit 203a and the inverting input of the differential circuit 204a Rrefs: Non-resistance of the differential circuit 204a Resistance between inverting input and external reference voltage Vref Rfs: Feedback resistance of differential circuit V1: Output voltage of current-voltage conversion circuit 202a V2: Reference circuit output Vs1: Non-inverting input potential of differential circuit 204a Vs2: Inverted input potential Vo of differential circuit 204a: Output terminal voltage of differential circuit 204a In a no-signal state, non-inverted input potential Vs1 and output terminal voltage Vo (VA) of differential circuit 204a are:
Vs1 = (Vref−V1) × Rs1 / (Rs1 + Rrefs) + V1 (12)
Vo = (Vs2−V2) × (Rfs + Rs2) / Rs2 + V2 (13)
It is expressed. Here, when Vs1 = Vs2, Rs1 = Rs2, and Rrefs = Rfs, the output terminal voltage Vo is
Vo = (V1−V2) × Rf / Rs2 + Vref (14)
It is expressed. Thus, the voltage difference between V1 and V2 is amplified at the output of the differential circuit 204a. That is, (V1−V2) × Rf / Rs2 is an offset voltage, and an ideal state is V1 = V2.

また、信号が電流電圧変換回路202aに入力される場合、V1とV2との電圧差が信号電圧であり、信号光入射状態での光電流をIpdとし、信号光入射状態での差動回路出力Vonは、V1−V2=Rf×Ipdであるので、
Von=Rfp×Rf/Rs2×Ipd+Vref …(15)
と表される。
When a signal is input to the current-voltage conversion circuit 202a, the voltage difference between V1 and V2 is the signal voltage, the photocurrent in the signal light incident state is Ipd, and the differential circuit output in the signal light incident state Since Von is V1-V2 = Rf × Ipd,
Von = Rfp × Rf / Rs2 × Ipd + Vref (15)
It is expressed.

ここで、無信号状態での電流電圧変換回路202aの入力トランジスタTr1のエミッタ−ベース間電圧をVBE1とし、ベース電流をIb1とすると、出力電圧V1は、
V1=VBE1+Rf×Ib1 …(16)
と表される。同様に、リファレンス回路203aの入力トランジスタTr2のエミッタ−ベース間電圧をVBE2とし、ベース電流をIb2とすると、出力電圧V2は、
V2=VBE2+Rref×Ib2 …(17)
と表される。よって、無信号時にはV1=V2である必要がある。
Here, when the emitter-base voltage of the input transistor Tr1 of the current-voltage conversion circuit 202a in the no-signal state is VBE1, and the base current is Ib1, the output voltage V1 is
V1 = VBE1 + Rf × Ib1 (16)
It is expressed. Similarly, when the emitter-base voltage of the input transistor Tr2 of the reference circuit 203a is VBE2, and the base current is Ib2, the output voltage V2 is
V2 = VBE2 + Rref × Ib2 (17)
It is expressed. Therefore, it is necessary that V1 = V2 when there is no signal.

このことから、初段の電流電圧変換回路202aとリファレンス回路203aとは同一構成であることが重要である。また、電流電圧変換回路202aとリファレンス回路203aの帰還抵抗Rf,Rrefを同一の抵抗値とし、帰還抵抗Rf,Rrefで発生する電圧降下を同一とすることが、重要である。これに伴い、電流電圧変換回路202aおよびリファレンス回路203aの入力トランジスタTr1,Tr2のエミッタ−ベース間電圧を同一としておく必要がある。つまり、帰還抵抗Rf,Rrefの抵抗値を同一とする必要があり、VBE1=VBE2とすることから、入力トランジスタTr1,Tr2のバイアス電流は、同一とする必要がある。   For this reason, it is important that the first-stage current-voltage conversion circuit 202a and the reference circuit 203a have the same configuration. In addition, it is important that the feedback resistors Rf and Rref of the current-voltage conversion circuit 202a and the reference circuit 203a have the same resistance value and the voltage drops generated in the feedback resistors Rf and Rref are the same. Along with this, the emitter-base voltages of the input transistors Tr1 and Tr2 of the current-voltage conversion circuit 202a and the reference circuit 203a need to be the same. That is, the resistance values of the feedback resistors Rf and Rref need to be the same, and since VBE1 = VBE2, the bias currents of the input transistors Tr1 and Tr2 need to be the same.

また、2段回路構成でのノイズ特性は、
Vnp=√(Nip1+Nip2+Nrf1+Nrf2)×後段増幅率 …(18)
と表される。ここで、Nip1,Nip2は、電流電圧変換回路202aおよびリファレンス回路203aの入力トランジスタTr1,Tr2により電流電圧変換回路202aおよびリファレンス回路203aが発生するショットノイズに起因するノイズを表している。また、Nrf1,Nrf2は、電流電圧変換回路202aおよびリファレンス回路203aの帰還抵抗Rf,Rrefにより発生する熱雑音に起因するノイズを表している。これらのノイズは、それぞれ素子が起因するノイズの二乗平均となる。さらには、ノイズは差動回路204aにて増幅率倍に増大する。
The noise characteristics in the two-stage circuit configuration are
Vnp = √ (Nip1 2 + Nip2 2 + Nrf1 2 + Nrf2 2 ) × latter stage amplification factor (18)
It is expressed. Here, Nip1 and Nip2 represent noise caused by shot noise generated by the current-voltage conversion circuit 202a and the reference circuit 203a by the input transistors Tr1 and Tr2 of the current-voltage conversion circuit 202a and the reference circuit 203a. Nrf1 and Nrf2 represent noise due to thermal noise generated by the feedback resistors Rf and Rref of the current-voltage conversion circuit 202a and the reference circuit 203a. Each of these noises is a mean square of noise caused by the element. Furthermore, the noise increases by a factor of amplification in the differential circuit 204a.

差動回路204aでの出力ノイズは、
Vns=√(Nis1+Nis2+Nrfs1+Nrfs2) …(19)
と表される。ここで、Nis1,Nis2は、差動回路204aにおける差動トランジスタ対より発生するショットノイズに起因するノイズを表している。また、Nrfs1,Nrfs2は、帰還抵抗Rfsおよびリファレンス抵抗Rrefsより発生する熱雑音に起因するノイズを表している。これらのノイズは、それぞれ素子が起因するノイズの二乗平均となる。
The output noise in the differential circuit 204a is
Vns = √ (Nis1 2 + Nis2 2 + Nrfs1 2 + Nrfs2 2 ) (19)
It is expressed. Here, Nis1 and Nis2 represent noise caused by shot noise generated from the differential transistor pair in the differential circuit 204a. Nrfs1 and Nrfs2 represent noise caused by thermal noise generated from the feedback resistor Rfs and the reference resistor Rrefs. Each of these noises is a mean square of noise caused by the element.

通常、2段回路構成の場合、初段回路で発生するノイズは後段で増幅されるので、全体の回路で生じるノイズの内、初段回路で発生するノイズが支配的となる。このため、従来の回路では、図12に示すようなリファレンス回路203aの入力トランジスタTr2におけるベース−コレクタ間にコンデンサC1を付加することで、回路帯域を抑制し、ノイズ低減を実施してきた。   Normally, in the case of a two-stage circuit configuration, the noise generated in the first stage circuit is amplified in the subsequent stage, so that the noise generated in the first stage circuit is dominant among the noises generated in the entire circuit. For this reason, in the conventional circuit, a circuit band is suppressed and noise is reduced by adding a capacitor C1 between the base and the collector of the input transistor Tr2 of the reference circuit 203a as shown in FIG.

特許文献2には、従来型帯域制限(ノイズ低減)に加え、リファレンス回路の入力トランジスタのコレクタ−接地間に容量を設けることで、帯域制限を行いながら整定時間を短縮することを可能とすることが記載されている(図1参照)。また、特許文献2には、帰還抵抗およびリファレンス抵抗に流れる入力トランジスタのベース電流を補償することで帰還抵抗およびリファレンス抵抗に流れる電流を0とし、帯域制限容量の充電電流を抑制することが記載されている(特許文献2の図3参照)。   In Patent Document 2, in addition to the conventional band limitation (noise reduction), it is possible to shorten the settling time while performing the band limitation by providing a capacitor between the collector and the ground of the input transistor of the reference circuit. Is described (see FIG. 1). Patent Document 2 describes that the current flowing in the feedback resistor and the reference resistor is set to 0 by compensating the base current of the input transistor flowing in the feedback resistor and the reference resistor, thereby suppressing the charging current of the band-limiting capacitor. (See FIG. 3 of Patent Document 2).

特許文献3には、ノイズを低減するとともに、良好なオフセット電圧特性を得ることができる受光増幅回路が開示されている。この受光増幅回路は、具体的には、エミッタ同士が接続された差動トランジスタ対(第1および第2トランジスタ)およびそのバイアス回路により構成される差動回路と、第1トランジスタのベースにエミッタを接続する第3トランジスタおよびそのバイアス回路からなる第1エミッタフォロア回路と、第2トランジスタのベースにエミッタを接続する第4トランジスタおよびそのバイアス回路4からなる第2エミッタフォロア回路とを備え、第3トランジスタのベースが、フォトダイオードおよびフォトダイオードの光電流を電圧変換するゲイン抵抗に接続され、第4トランジスタのベースが、オフセット調整用抵抗を介して外部より供与される基準電圧電源に接続されるように構成されている。この受光増幅回路では、ゲイン抵抗(帰還抵抗)の抵抗値がオフセット調整用抵抗(リファレンス抵抗)の抵抗値より大きく設定されていることで、低ノイズ回路特性を得ている。   Patent Document 3 discloses a light receiving amplifier circuit capable of reducing noise and obtaining good offset voltage characteristics. Specifically, this photoreceiver / amplifier circuit includes a differential circuit composed of a differential transistor pair (first and second transistors) in which emitters are connected to each other and a bias circuit thereof, and an emitter at the base of the first transistor. A third transistor comprising a first emitter follower circuit comprising a third transistor to be connected and a bias circuit thereof; a fourth transistor having an emitter connected to the base of the second transistor; and a second emitter follower circuit comprising the bias circuit. The base of the fourth transistor is connected to a photodiode and a gain resistor that converts the photocurrent of the photodiode into voltage, and the base of the fourth transistor is connected to a reference voltage power source provided from the outside through an offset adjusting resistor. It is configured. In this photoreceiver / amplifier circuit, the resistance value of the gain resistor (feedback resistor) is set larger than the resistance value of the offset adjusting resistor (reference resistor), thereby obtaining low noise circuit characteristics.

特許文献4には、オフセット電圧抑制方法として、第1の電流電圧変換回路と同一の直流および交流回路特性を持つ第2の電流電圧変換回路の出力を利得1倍の反転増幅器で反転して差動増幅器の基準電圧とすることでオフセット電圧を抑制することが記載されている。
特開平11−296892号公報(1999年10月29日公開) 特開2006−262410号公報(2006年9月28日公開) 特開2007−287286号公報(2007年11月1日公開) 特開2002−9560号公報(2002年1月11日公開)
In Patent Document 4, as an offset voltage suppression method, a difference is obtained by inverting the output of a second current-voltage conversion circuit having the same DC and AC circuit characteristics as the first current-voltage conversion circuit by an inverting amplifier having a gain of 1. It is described that the offset voltage is suppressed by using the reference voltage of the dynamic amplifier.
JP 11-296892 A (published October 29, 1999) JP 2006-262410 A (published September 28, 2006) JP 2007-287286 A (published November 1, 2007) Japanese Patent Laid-Open No. 2002-9560 (published on January 11, 2002)

特許文献1の方法では、高周波ノイズを低減することができるものの、低周波領域でのノイズを十分に低減するためには、図10に示す受光増幅回路101aにおけるコンデンサC1の容量値を極大にする必要があるので、コスト面からも有利とはいえない。このため、上記の従来の手法に代わるノイズ低減手法が必要とされている。   Although the method of Patent Document 1 can reduce high-frequency noise, in order to sufficiently reduce noise in the low-frequency region, the capacitance value of the capacitor C1 in the light receiving amplification circuit 101a shown in FIG. 10 is maximized. This is not advantageous from the cost aspect. Therefore, there is a need for a noise reduction method that replaces the conventional method described above.

特許文献2の方法では、従来型帯域制限によって高周波領域でのノイズ低減を実現することができるものの、低周波領域でのノイズを十分に低減することはできない。   In the method of Patent Document 2, although noise reduction in the high frequency region can be realized by the conventional band limitation, noise in the low frequency region cannot be sufficiently reduced.

特許文献3には、エミッタフォロア回路を用いて、帰還抵抗およびリファレンス抵抗に流れる電流を抑制して、帰還抵抗およびリファレンス抵抗の電圧差を抑制することにより、オフセット電圧特性を抑制し、ピックアップ用増幅回路に必要な特性を得ることが記載されている。しかしながら、特許文献3に記載された受光増幅回路は、差動回路構成であるので、差動増幅トランジスタのバイアス電流を低減することが困難であり、ショットノイズの低減は難しい。   In Patent Document 3, an emitter follower circuit is used to suppress a current flowing through a feedback resistor and a reference resistor, thereby suppressing a voltage difference between the feedback resistor and the reference resistor, thereby suppressing an offset voltage characteristic and an amplification for pickup. It is described that the necessary characteristics for the circuit are obtained. However, since the light receiving amplifier circuit described in Patent Document 3 has a differential circuit configuration, it is difficult to reduce the bias current of the differential amplifier transistor, and it is difficult to reduce shot noise.

特許文献4には、電流電圧変換回路と同一の帰還抵抗を有する電流電圧変換回路の出力を反転して基準電圧とすることでオフセット電圧を抑制することが記載されている。しかしながら、このような方法では、基準電圧発生回路が、電流電圧変換回路および反転回路により構成されるため、基準電圧発生回路の素子の不整合性により、よりオフセット電圧を発生する可能性がある。   Patent Document 4 describes that the offset voltage is suppressed by inverting the output of a current-voltage conversion circuit having the same feedback resistance as that of the current-voltage conversion circuit to obtain a reference voltage. However, in such a method, since the reference voltage generation circuit is configured by a current-voltage conversion circuit and an inverting circuit, there is a possibility that an offset voltage may be generated due to mismatching of elements of the reference voltage generation circuit.

また、光ピックアップ装置に用いられる受光増幅回路において、増幅回路の高速化および低ノイズ特性は重要な条件となってきている。高速信号処理を実現するには、2段構成の増幅回路が必要であり、ノイズ低減の方法として、リファレンス回路の帰還抵抗値の低減が考えられる。しかしながら、2段構成の増幅回路では、初段回路のノイズが後段の差動回路で増幅されるため、差動1段増幅回路と比較してノイズが悪化する。したがって、高速帯域信号処理を可能とする2段増幅回路においては、よりノイズ低減を可能とする方法が必要とされている。   Further, in a light receiving amplifier circuit used in an optical pickup device, speeding up of the amplifier circuit and low noise characteristics have become important conditions. In order to realize high-speed signal processing, an amplifier circuit having a two-stage configuration is required. As a noise reduction method, it is conceivable to reduce the feedback resistance value of the reference circuit. However, in the two-stage amplifier circuit, the noise of the first stage circuit is amplified by the subsequent differential circuit, so that the noise is worse than that of the differential one-stage amplifier circuit. Therefore, in a two-stage amplifier circuit that enables high-speed band signal processing, a method that can further reduce noise is required.

また、ショットノイズを抑制するには、リファレンス回路の帰還抵抗を電流電圧変換回路の帰還抵抗より小さい抵抗値とし、加えて、電流電圧変換回路の入力トランジスタのバイアス電流を、高速信号処理に必要な駆動を可能とする所定の電流量とし、能力を必要としないリファレンス回路の入力トランジスタのバイアス電流を小さい値とすることが考えられる。しかしながら、この方法によっては、良好なオフセット特性が得られないという問題がある。   In addition, in order to suppress shot noise, the feedback resistance of the reference circuit is set to a resistance value smaller than that of the current-voltage conversion circuit, and in addition, the bias current of the input transistor of the current-voltage conversion circuit is necessary for high-speed signal processing. It is conceivable that the bias current of the input transistor of the reference circuit that does not require capability is set to a small value with a predetermined amount of current that can be driven. However, this method has a problem that good offset characteristics cannot be obtained.

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、高速信号処理を可能とする受光増幅回路において、さらにノイズ低減を図りつつ、オフセット電圧特性を改善することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to improve offset voltage characteristics while further reducing noise in a light receiving amplifier circuit capable of high-speed signal processing.

本発明に係る受光増幅回路は、上記課題を解決するために、上記課題を解決するために、受光した光を光電流に変換する受光素子と、第1帰還抵抗および第1入力トランジスタを有し、当該受光素子に流れる光電流を電圧に変換する電流電圧変換回路と、第2帰還抵抗および第2入力トランジスタを有し、前記受光素子が接続されないこと以外は前記電流電圧変換回路と同一回路に構成されるリファレンス回路と、前記電流電圧変換回路および前記リファレンス回路の出力電圧差を増幅する差動回路とを備えた受光増幅回路において、無信号時での前記電流電圧変換回路の出力電圧と前記リファレンス回路の出力電圧との差を補償する補償手段を備え、前記第2帰還抵抗の抵抗値が、前記第1帰還抵抗の抵抗値より小さく設定され、前記第2入力トランジスタのバイアス電流が、前記第1入力トランジスタのバイアス電流より小さい電流値で設定されていることを特徴としている。   In order to solve the above-described problem, a light-receiving amplifier circuit according to the present invention includes a light-receiving element that converts received light into a photocurrent, a first feedback resistor, and a first input transistor. A current-voltage conversion circuit that converts a photocurrent flowing through the light-receiving element into a voltage, a second feedback resistor and a second input transistor, and the same circuit as the current-voltage conversion circuit except that the light-receiving element is not connected In a light receiving amplifier circuit comprising a configured reference circuit, and a differential circuit for amplifying a difference between output voltages of the current-voltage conversion circuit and the reference circuit, the output voltage of the current-voltage conversion circuit when there is no signal, Compensating means for compensating for a difference from the output voltage of the reference circuit is provided, and a resistance value of the second feedback resistor is set smaller than a resistance value of the first feedback resistor, Bias current of the power transistor, is characterized in that it is set in the small current value than the bias current of the first input transistor.

ショットノイズを低減するためには、増幅作用とは無関係のリファレンス回路について、リファレンス抵抗の低減による熱雑音低減と、高速増幅を必要としない第2入力トランジスタのバイアス電流を低減することが望ましい。このため、第2帰還抵抗の抵抗値が、第1帰還抵抗の抵抗値より小さく設定され、第2入力トランジスタのバイアス電流が、第1入力トランジスタのバイアス電流より小さい電流値で設定されていることにより、差動1段型回路では不可能であった、ショットノイズの抑制を可能とし、併せてリファレンス回路の帰還抵抗熱ノイズの抑制も可能とする。また、補償手段によって、無信号時での電流電圧変換回路およびリファレンス回路の出力電圧差が補償されるので、両出力電圧が等しくないことによって生じるオフセット電圧をなくすことができる。   In order to reduce shot noise, it is desirable to reduce the thermal noise by reducing the reference resistance and the bias current of the second input transistor that does not require high-speed amplification in the reference circuit that is not related to the amplification action. For this reason, the resistance value of the second feedback resistor is set to be smaller than the resistance value of the first feedback resistor, and the bias current of the second input transistor is set to be smaller than the bias current of the first input transistor. Thus, it is possible to suppress shot noise, which is impossible with a differential one-stage circuit, and also to suppress feedback resistor thermal noise of the reference circuit. Further, the compensation means compensates for the output voltage difference between the current-voltage conversion circuit and the reference circuit when there is no signal, so that it is possible to eliminate the offset voltage caused by the unequal output voltages.

受光素子と、帰還抵抗が接続する電流電圧変換回路と電流電圧変換回路と同一構成で帰還抵抗のみ接続するリファレンス回路が接続され、電流電圧変換回路とリファレンス回路の出力電圧差を増幅する差動回路とを備えた受光増幅回路において、
無信号時での前記電流電圧変換回路の出力とリファレンス回路の出力電位差を補償する補償手段を備え、
前記リファレンス回路の帰還抵抗の抵抗値が、必要な特性により設定される電流電圧変換回路の帰還抵帰還抵抗値と同一とすることなく小さい値に設定し、尚且つ、
前記リファレンス回路の入力トランジスタのバイアス電流が、所定の特性を得るために必要とされる電流電圧変換回路の入力トランジスタのバイアス電流と同一とすることなく小さくすることで可能とする。
A differential circuit that amplifies the output voltage difference between the current-voltage converter circuit and the reference circuit by connecting the light-receiving element, the current-voltage converter circuit to which the feedback resistor is connected, and the reference circuit that has the same configuration as the current-voltage converter circuit and that connects only the feedback resistor In a photoreceiver / amplifier circuit comprising:
Compensating means for compensating for the output potential difference between the output of the current-voltage conversion circuit and the reference circuit when there is no signal,
The resistance value of the feedback resistance of the reference circuit is set to a small value without being equal to the feedback resistance feedback resistance value of the current-voltage conversion circuit set according to necessary characteristics, and
The bias current of the input transistor of the reference circuit can be made small without making it the same as the bias current of the input transistor of the current-voltage conversion circuit required for obtaining a predetermined characteristic.

特許文献1に開示された受光増幅回路では、ゲイン抵抗=オフセット調整用抵抗/nとし、n倍の駆動電流で制御される差動回路構成のオフセット調整機能回路を有することで、ノイズ低減を可能とする受光増幅回路が記載されている。これに対し、本発明の受光増幅回路では、帰還抵抗とリファレンス抵抗との電圧差の電流の補償電流を供与することによりノイズを抑制している。これにより、差動回路の差動トランジスタ対に流すバイアス電流は一定であり、その他に付加的なノイズは発生しない。一方、特許文献1の受光増幅回路では、オフセット調整用差動回路に流すバイアス電流をn倍とすることでトランジスタショットノイズを増大させており、ノイズの悪化が予想される。したがって、この点においても本発明の受光増幅回路は、従来の受光増幅回路に比べて良好なノイズ特性が得られる。   In the light receiving amplification circuit disclosed in Patent Document 1, it is possible to reduce noise by having an offset adjustment function circuit having a differential circuit configuration in which gain resistance = offset adjustment resistance / n and controlled by a drive current of n times. Is described. On the other hand, in the photoreceiver / amplifier circuit of the present invention, noise is suppressed by providing a compensation current for the voltage difference between the feedback resistor and the reference resistor. Thereby, the bias current flowing through the differential transistor pair of the differential circuit is constant, and no additional noise is generated. On the other hand, in the photoreceiver / amplifier circuit of Patent Document 1, transistor shot noise is increased by increasing the bias current flowing through the differential circuit for offset adjustment by n times, and noise deterioration is expected. Therefore, also in this respect, the light receiving amplifier circuit of the present invention can obtain better noise characteristics than the conventional light receiving amplifier circuit.

前記補償手段は、前記第2帰還抵抗と前記第2入力トランジスタのベースとが接続される接続部に前記出力電圧差を補償するための補償電流を供与する電流源であることが好ましい。また、前記補償電流は、前記第1帰還抵抗の抵抗値をRfとし、前記第2帰還抵抗の抵抗値をRrefとし、前記第1入力トランジスタのベース電流Ibとし、前記第2入力トランジスタのベース電流Ibrefとすると、Rf/Rref×Ib−Ibref +Vt×ln(Ib/Ibref)/Rrefと表されることが好ましい。   Preferably, the compensation means is a current source that supplies a compensation current for compensating the output voltage difference to a connection portion where the second feedback resistor and a base of the second input transistor are connected. Further, the compensation current has a resistance value of the first feedback resistor as Rf, a resistance value of the second feedback resistor as Rref, a base current Ib of the first input transistor, and a base current of the second input transistor. As Ibref, it is preferably expressed as Rf / Rref × Ib−Ibref + Vt × ln (Ib / Ibref) / Rref.

より具体的には、前記補償手段は、第1カレントミラー回路と、当該第1カレントミラー回路の出力を入力とする第2カレントミラー回路と、前記第1入力トランジスタを駆動するバイアス電流に、前記第1帰還抵抗と前記第2帰還抵抗との抵抗比を乗じた大きさのバイアス電流を供与する第1トランジスタと、当該第1トランジスタのコレクタにエミッタが接続されるとともに、ベースが前記第1カレントミラー回路の一方の出力に接続される第2トランジスタと、前記第2入力トランジスタを駆動するバイアス電流と同一電流で駆動され、ベースが前記第1カレントミラー回路の他方の出力に接続される第3トランジスタとを含み、前記第2カレントミラー回路から第1補償電流を供与する第1補償部と、前記第1入力トランジスタを駆動するバイアス電流と同一電流で駆動され、前記第1入力トランジスタのベース−エミッタ間電圧と同一電圧を発生する第1電圧発生回路と、当該第1電圧発生回路の出力に接続される第1抵抗と、前記第2入力トランジスタを駆動するバイアス電流と同一電流で駆動され、前記第2入力トランジスタのベース−エミッタ間電圧と同一電圧を発生する第2電圧発生回路と、当該第2電圧発生回路の出力に接続される第2抵抗と、前記第1および第2抵抗に流れる電流の差を出力する第3カレントミラー回路とを含み、当該第3カレントミラー回路から第2補償電流を供与する第2補償部とを有し、前記第1および第2補償電流を合わせて前記補償電流を供与することが好ましい。この構成により、第1補償部が、第1補償電流として、Rf/Rref×Ib−Ibrefを供与し、第2補償部が、第2補償電流として、Vt×ln(Ib/Ibref)/Rrefを供与する。   More specifically, the compensation means includes a first current mirror circuit, a second current mirror circuit that receives an output of the first current mirror circuit, and a bias current that drives the first input transistor. A first transistor for supplying a bias current having a magnitude multiplied by a resistance ratio between the first feedback resistor and the second feedback resistor; an emitter connected to the collector of the first transistor; and a base connected to the first current A second transistor connected to one output of the mirror circuit, and a third transistor connected to the other output of the first current mirror circuit, driven by the same current as the bias current for driving the second input transistor. A first compensator for supplying a first compensation current from the second current mirror circuit; and driving the first input transistor. A first voltage generation circuit that is driven by the same current as the bias current to generate the same voltage as the base-emitter voltage of the first input transistor, and a first resistor connected to the output of the first voltage generation circuit A second voltage generation circuit that is driven with the same current as the bias current for driving the second input transistor and generates the same voltage as the base-emitter voltage of the second input transistor, and an output of the second voltage generation circuit A second resistor for supplying a second compensation current from the third current mirror circuit, and a second current mirror circuit for outputting a difference between currents flowing through the first and second resistors. It is preferable that the compensation current is provided by combining the first and second compensation currents. With this configuration, the first compensation unit supplies Rf / Rref × Ib−Ibref as the first compensation current, and the second compensation unit uses Vt × ln (Ib / Ibref) / Rref as the second compensation current. Grant.

あるいは、前記補償手段は、前記第1帰還抵抗と前記第1入力トランジスタのベースとが接続される接続部に前記出力電圧差を補償する補償電流を供与する電流源であることが好ましい。また、前記補償電流は、前記第1帰還抵抗の抵抗値をRfとし、前記第2帰還抵抗の抵抗値をRrefとし、前記第1入力トランジスタのベース電流Ibとし、前記第2入力トランジスタのベース電流Ibrefとすると、Ib−Rref/Rf×Ibref+Vt×ln(Ib/Ibref)/Rfと表されることが好ましい。   Alternatively, the compensation means is preferably a current source that supplies a compensation current for compensating the output voltage difference to a connection portion where the first feedback resistor and the base of the first input transistor are connected. Further, the compensation current has a resistance value of the first feedback resistor as Rf, a resistance value of the second feedback resistor as Rref, a base current Ib of the first input transistor, and a base current of the second input transistor. As Ibref, it is preferably expressed as Ib−Rref / Rf × Ibref + Vt × ln (Ib / Ibref) / Rf.

より具体的には、前記補償手段は、第1カレントミラー回路と、前記第1入力トランジスタを駆動するバイアス電流と同じバイアス電流を供与する第1トランジスタと、前記第1トランジスタのコレクタにエミッタが接続されるとともに、ベースが前記第1カレントミラー回路の出力に接続される第2トランジスタと、前記第2入力トランジスタを駆動するバイアス電流に前記第2帰還抵抗と前記第1帰還抵抗との抵抗比を乗じた大きさのバイアス電流を供与し、ベースが前記第1カレントミラー回路の出力に接続される第3トランジスタとを含み、前記第1カレントミラー回路から第1補償電流を供与する第1補償部と、前記第1入力トランジスタを駆動するバイアス電流と同一電流で駆動され、前記第1入力トランジスタのベース−エミッタ間電圧と同一電圧を発生する第1電圧発生回路と、当該第1電圧発生回路の出力に接続される第1抵抗と、前記第2入力トランジスタを駆動するバイアス電流と同一電流で駆動され、前記第2入力トランジスタのベース−エミッタ間電圧と同一電圧を発生する第2電圧発生回と、当該第2電圧発生回路の出力に接続される第2抵抗と、前記第1および第2抵抗に流れる電流の差を出力する第2カレントミラー回路とを含み、当該第2カレントミラー回路から第2補償電流を供与する第2補償部とを有し、前記第1および第2補償電流を合わせて前記補償電流を供与することが好ましい。この構成により、第1補償部が、第1補償電流として、Ib−Rref/Rf×Ibrefを供与し、第2補償部が、第2補償電流として、Vt×ln(Ib/Ibref)/Rfを供与する。   More specifically, the compensation means includes a first current mirror circuit, a first transistor that supplies the same bias current as the bias current that drives the first input transistor, and an emitter connected to the collector of the first transistor. And a resistance ratio between the second feedback resistor and the first feedback resistor is applied to a bias current for driving the second input transistor, and a second transistor whose base is connected to the output of the first current mirror circuit. A first compensator for supplying a bias current of a multiplied magnitude, and having a base connected to the output of the first current mirror circuit, and supplying a first compensation current from the first current mirror circuit And a base-emitter of the first input transistor driven by the same current as a bias current for driving the first input transistor. A first voltage generating circuit for generating the same voltage as the voltage between the two transistors, a first resistor connected to the output of the first voltage generating circuit, and a bias current for driving the second input transistor; A second voltage generating circuit that generates the same voltage as the base-emitter voltage of the second input transistor, a second resistor connected to the output of the second voltage generating circuit, and the first and second resistors flow. A second current mirror circuit that outputs a current difference, and a second compensation unit that supplies a second compensation current from the second current mirror circuit, and combining the first and second compensation currents It is preferable to provide a compensation current. With this configuration, the first compensation unit provides Ib−Rref / Rf × Ibref as the first compensation current, and the second compensation unit uses Vt × ln (Ib / Ibref) / Rf as the second compensation current. Grant.

本発明に係る光ピックアップ装置は、前述のように構成される各受光増幅回路を備えることにより、受光増幅回路におけるノイズの低減およびオフセット電圧特性の改善が図られる。それゆえ、特に、受光増幅回路が光ディスクから反射された光を信号電圧に変換するために用いれば、光ピックアップ装置の出力信号の品質を向上させることができる。また、本発明の光ディスク装置は、当該光ピックアップ装置を備えることにより、同様に光ピックアップ装置の出力信号の品質を向上させることができる。   The optical pickup device according to the present invention includes the respective light receiving amplifier circuits configured as described above, thereby reducing noise and improving offset voltage characteristics in the light receiving amplifier circuit. Therefore, the quality of the output signal of the optical pickup device can be improved particularly when the light receiving and amplifying circuit is used for converting the light reflected from the optical disk into a signal voltage. Further, the optical disk apparatus of the present invention can improve the quality of the output signal of the optical pickup apparatus by including the optical pickup apparatus.

本発明に係る受光増幅回路は、以上のように、受光した光を光電流に変換する受光素子と、第1帰還抵抗および第1入力トランジスタを有し、当該受光素子に流れる光電流を電圧に変換する電流電圧変換回路と、第2帰還抵抗および第2入力トランジスタを有し、前記受光素子が接続されないこと以外は前記電流電圧変換回路と同一回路に構成されるリファレンス回路と、前記電流電圧変換回路および前記リファレンス回路の出力電圧差を増幅する差動回路とを備えた受光増幅回路において、
無信号時での前記電流電圧変換回路の出力電圧と前記リファレンス回路の出力電圧との差を補償する補償手段を備え、
前記第2帰還抵抗の抵抗値が、前記第1帰還抵抗の抵抗値より小さく設定され、前記第2入力トランジスタのバイアス電流が、前記第1入力トランジスタのバイアス電流より小さい電流値で設定されているので、ノイズ低減用コンデンサを付加する従来の構成と比較して、より低周波領域からのノイズを低減することを可能とし、加えて、ピックアップ用の受光増幅回路に不可欠である良好なオフセット電圧特性を得ることができるという効果を奏する。また、このような受光増幅回路を備える光ピックアップ装置および当該光ピックアップ装置を備える光ディスク装置の信頼性を向上させることができるという効果も併せて奏する。
As described above, the light receiving amplification circuit according to the present invention includes a light receiving element that converts received light into a photocurrent, a first feedback resistor, and a first input transistor, and the photocurrent flowing through the light receiving element is converted into a voltage. A reference circuit configured to be the same circuit as the current-voltage conversion circuit except that the current-voltage conversion circuit to convert, a second feedback resistor and a second input transistor, and the light receiving element is not connected; and the current-voltage conversion In a light receiving amplifier circuit comprising a circuit and a differential circuit for amplifying the output voltage difference of the reference circuit,
Compensating means for compensating for the difference between the output voltage of the current-voltage conversion circuit and the output voltage of the reference circuit when there is no signal,
The resistance value of the second feedback resistor is set smaller than the resistance value of the first feedback resistor, and the bias current of the second input transistor is set to a current value smaller than the bias current of the first input transistor. Therefore, it is possible to reduce noise from a lower frequency region compared to the conventional configuration that adds a noise reduction capacitor, and in addition, good offset voltage characteristics that are indispensable for a light receiving amplification circuit for pickup There is an effect that can be obtained. In addition, the reliability of the optical pickup device provided with such a light receiving amplification circuit and the optical disc device provided with the optical pickup device can also be improved.

〔実施の形態1〕
本発明の一実施形態について図1、図2、図8および図11に基づいて説明すると、以下の通りである。
[Embodiment 1]
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1, 2, 8 and 11. FIG.

図1は、本実施の形態に係る受光増幅回路1の概略構成を示している。図2は、受光増幅回路1の詳細な回路構成を示している。   FIG. 1 shows a schematic configuration of a light receiving amplifier circuit 1 according to the present embodiment. FIG. 2 shows a detailed circuit configuration of the light receiving amplification circuit 1.

受光増幅回路1は、図11に示す各受光増幅回路201a〜201dとして用いられ、図8に示すフォトダイオードPDA〜PDDで発生する光電流を電圧に変換して増幅する。なお、後述する実施の形態2の受光増幅回路11(図3参照)も、同様に各受光増幅回路201a〜201dとして用いられる。   The photoreceiver / amplifier circuit 1 is used as each of the photoreceiver / amplifier circuits 201a to 201d shown in FIG. 11, and converts the photocurrent generated in the photodiodes PDA to PDD shown in FIG. The light receiving amplifier circuit 11 (see FIG. 3) of the second embodiment described later is similarly used as each of the light receiving amplifier circuits 201a to 201d.

受光増幅回路1は、図1に示すように、フォトダイオードPD、電流電圧変換回路2、リファレンス回路3、差動回路4および補償回路5を備えている。   As shown in FIG. 1, the photoreceiver / amplifier circuit 1 includes a photodiode PD, a current-voltage conversion circuit 2, a reference circuit 3, a differential circuit 4, and a compensation circuit 5.

フォトダイオードPDは、受けた光に応じた電流量の光電流Ibを発生する受光素子である。   The photodiode PD is a light receiving element that generates a photocurrent Ib having a current amount corresponding to the received light.

電流電圧変換回路2は、フォトダイオードPDを流れる光電流Ibを電圧に変換して増幅する回路である。この電流電圧変換回路2は、アンプAMP1と、アンプAMP1の入出力端子間に接続される帰還抵抗Rfとを有している。アンプAMP1の入力端子にフォトダイオードPDのカソードが接続されている。   The current-voltage conversion circuit 2 is a circuit that converts the photocurrent Ib flowing through the photodiode PD into a voltage and amplifies it. The current-voltage conversion circuit 2 includes an amplifier AMP1 and a feedback resistor Rf connected between the input and output terminals of the amplifier AMP1. The cathode of the photodiode PD is connected to the input terminal of the amplifier AMP1.

リファレンス回路3は、アンプAMP2と、アンプAMP2の入出力端子間に接続されるリファレンス抵抗Rref21(帰還抵抗)とを有している。このリファレンス回路3は、後述するように、フォトダイオードPDが接続されていない以外は電流電圧変換回路2と同じ回路構成となっている。   The reference circuit 3 includes an amplifier AMP2 and a reference resistor Rref21 (feedback resistor) connected between the input and output terminals of the amplifier AMP2. As will be described later, the reference circuit 3 has the same circuit configuration as the current-voltage conversion circuit 2 except that the photodiode PD is not connected.

差動回路4は、電流電圧変換回路2の出力電圧とリファレンス回路3の出力電圧の差分を増幅する差動増幅回路である。この差動回路4は、差動アンプAMP3と、帰還抵抗Rfs2と、入力抵抗Rs21,Rs22と、リファレンス抵抗Rrefs21とを有している。   The differential circuit 4 is a differential amplifier circuit that amplifies the difference between the output voltage of the current-voltage conversion circuit 2 and the output voltage of the reference circuit 3. The differential circuit 4 includes a differential amplifier AMP3, a feedback resistor Rfs2, input resistors Rs21 and Rs22, and a reference resistor Rrefs21.

入力抵抗Rs21は、電流電圧変換回路2の出力端子と差動アンプAMP3の非反転入力端子との間に接続されている。一方、入力抵抗Rs22は、リファレンス回路3の出力端子と差動アンプAMP3の反転入力端子との間に接続されている。リファレンス抵抗Rrefs21は、一端に外部から与えられる基準電圧Vrefが入力され、他端が差動アンプAMP3の非反転入力端子に接続されている。帰還抵抗Rfs2は、差動アンプAMP3の反転入力端子と出力端子との間に接続されている。差動回路4は、上記の差分を増幅した電圧として出力端子から出力電圧Voを出力する。   The input resistor Rs21 is connected between the output terminal of the current-voltage conversion circuit 2 and the non-inverting input terminal of the differential amplifier AMP3. On the other hand, the input resistor Rs22 is connected between the output terminal of the reference circuit 3 and the inverting input terminal of the differential amplifier AMP3. The reference resistor Rrefs21 has one end supplied with a reference voltage Vref given from the outside and the other end connected to the non-inverting input terminal of the differential amplifier AMP3. The feedback resistor Rfs2 is connected between the inverting input terminal and the output terminal of the differential amplifier AMP3. The differential circuit 4 outputs the output voltage Vo from the output terminal as a voltage obtained by amplifying the above difference.

補償回路5は、電流電圧変換回路2の出力電圧とリファレンス回路3の出力電圧との差を補償するために、後述する補償電流Is21をリファレンス回路3におけるアンプAMP2の入力端子から引き込む。   The compensation circuit 5 draws a compensation current Is21 described later from the input terminal of the amplifier AMP2 in the reference circuit 3 in order to compensate for the difference between the output voltage of the current-voltage conversion circuit 2 and the output voltage of the reference circuit 3.

続いて、受光増幅回路1の詳細な構成について説明する。   Next, a detailed configuration of the light receiving amplification circuit 1 will be described.

図2に示すように、電流電圧変換回路2のアンプAMP1は、入力トランジスタTr21およびトランジスタTr211〜Tr215を有している。   As shown in FIG. 2, the amplifier AMP1 of the current-voltage conversion circuit 2 includes an input transistor Tr21 and transistors Tr211 to Tr215.

トランジスタTr211,Tr212は、エミッタがともに電源ライン(電源電圧Vcc)に接続され、ベースが互いに接続されている。トランジスタTr211は、ベースとエミッタとが接続されている。このように、トランジスタTr211,Tr212がカレントミラー回路を構成することから、トランジスタTr212がバイアス電流I21を流す定電流源として機能する。入力トランジスタTr21は、ベースがフォトダイオードPDのカソードに接続され、コレクタがトランジスタTr212のコレクタに接続され、エミッタが接地されている。入力トランジスタTr21のベースは、電流電圧変換回路2の入力点(入力端子)である。上記の入力トランジスタTr21およびトランジスタTr212は、電流電圧変換回路2における増幅部を構成している。   The transistors Tr211 and Tr212 have their emitters connected to the power supply line (power supply voltage Vcc) and their bases connected to each other. The base and emitter of the transistor Tr211 are connected. Thus, since the transistors Tr211 and Tr212 constitute a current mirror circuit, the transistor Tr212 functions as a constant current source for supplying the bias current I21. The input transistor Tr21 has a base connected to the cathode of the photodiode PD, a collector connected to the collector of the transistor Tr212, and an emitter grounded. The base of the input transistor Tr21 is an input point (input terminal) of the current-voltage conversion circuit 2. The input transistor Tr21 and the transistor Tr212 constitute an amplifying unit in the current-voltage conversion circuit 2.

トランジスタTr213は、コレクタがトランジスタTr211のコレクタに接続され、エミッタが接地されている。また、トランジスタTr213のベースには、図示しないバイアス回路から与えられるバイアス電圧が印加される。   The transistor Tr213 has a collector connected to the collector of the transistor Tr211 and an emitter grounded. A bias voltage supplied from a bias circuit (not shown) is applied to the base of the transistor Tr213.

トランジスタTr214のコレクタは電源ラインに接続され、ベースがトランジスタTr212のコレクタに接続されている。また、トランジスタTr214のエミッタが電流電圧変換回路2の出力点(出力端子)となる。トランジスタTr214のエミッタとトランジスタTr21のベースとの間に帰還抵抗Rf21が接続されている。トランジスタTr215は、コレクタがトランジスタTr214のエミッタに接続され、エミッタが接地され、ベースに前記のバイアス電圧が印加される。トランジスタTr215は、エミッタフォロワを構成していることから、トランジスタTr214とともに電流電圧変換回路2における出力部を構成している。   The collector of the transistor Tr214 is connected to the power supply line, and the base is connected to the collector of the transistor Tr212. The emitter of the transistor Tr214 serves as an output point (output terminal) of the current-voltage conversion circuit 2. A feedback resistor Rf21 is connected between the emitter of the transistor Tr214 and the base of the transistor Tr21. In the transistor Tr215, the collector is connected to the emitter of the transistor Tr214, the emitter is grounded, and the bias voltage is applied to the base. Since the transistor Tr215 constitutes an emitter follower, it constitutes an output unit in the current-voltage conversion circuit 2 together with the transistor Tr214.

リファレンス回路3のアンプAMP2は、入力トランジスタTr22およびトランジスタTr221〜Tr225を有している。   The amplifier AMP2 of the reference circuit 3 includes an input transistor Tr22 and transistors Tr221 to Tr225.

トランジスタTr221,Tr222は、エミッタがともに電源ラインに接続され、ベースが互いに接続されている。トランジスタTr221は、ベースとエミッタとが接続されている。このように、トランジスタTr221,Tr222がカレントミラー回路を構成することから、トランジスタTr222がバイアス電流I22を流す定電流源として機能する。入力トランジスタTr22は、コレクタがトランジスタTr222のコレクタに接続され、エミッタが接地されている。入力トランジスタTr22のベースは、リファレンス回路3の入力点(入力端子)である。上記の入力トランジスタTr22およびトランジスタTr222は、リファレンス回路3における増幅部を構成している。   The transistors Tr221 and Tr222 have emitters connected to the power supply line and bases connected to each other. In the transistor Tr221, the base and the emitter are connected. Thus, since the transistors Tr221 and Tr222 form a current mirror circuit, the transistor Tr222 functions as a constant current source for supplying the bias current I22. The input transistor Tr22 has a collector connected to the collector of the transistor Tr222 and an emitter grounded. The base of the input transistor Tr22 is an input point (input terminal) of the reference circuit 3. The input transistor Tr22 and the transistor Tr222 constitute an amplifying unit in the reference circuit 3.

トランジスタTr223は、コレクタがトランジスタTr221のコレクタに接続され、エミッタが接地されている。また、トランジスタTr223のベースには、前記のバイアス電圧が印加される。   The transistor Tr223 has a collector connected to the collector of the transistor Tr221 and an emitter grounded. The bias voltage is applied to the base of the transistor Tr223.

トランジスタTr224のコレクタは電源ラインに接続され、ベースがトランジスタTr222のコレクタに接続されている。また、トランジスタTr224のエミッタがリファレンス回路3の出力点(出力端子)となる。トランジスタTr224のエミッタとトランジスタTr22のベースとの間にリファレンスRref21が接続されている。トランジスタTr225は、コレクタがトランジスタTr224のエミッタに接続され、エミッタが接地され、ベースに前記のバイアス電圧が印加される。トランジスタTr225は、エミッタフォロワを構成していることから、トランジスタTr224とともにリファレンス回路3における出力部を構成している。   The collector of the transistor Tr224 is connected to the power supply line, and the base is connected to the collector of the transistor Tr222. The emitter of the transistor Tr224 serves as an output point (output terminal) of the reference circuit 3. A reference Rref21 is connected between the emitter of the transistor Tr224 and the base of the transistor Tr22. The collector of the transistor Tr225 is connected to the emitter of the transistor Tr224, the emitter is grounded, and the bias voltage is applied to the base. Since the transistor Tr225 constitutes an emitter follower, it constitutes an output section in the reference circuit 3 together with the transistor Tr224.

補償回路5は、第1補償部6および第2補償部7から構成されている。第1補償部6は、カレントミラー回路61,62と、トランジスタTr63〜Tr66と、コンデンサC1とを有している。第2補償部7は、カレントミラー回路7a,7bと、電圧発生回路8,9と、コンデンサC22〜C24と、抵抗Rref23,Rref24とを有している。   The compensation circuit 5 includes a first compensation unit 6 and a second compensation unit 7. The first compensation unit 6 includes current mirror circuits 61 and 62, transistors Tr63 to Tr66, and a capacitor C1. The second compensation unit 7 includes current mirror circuits 7a and 7b, voltage generation circuits 8 and 9, capacitors C22 to C24, and resistors Rref23 and Rref24.

まず、第1補償部6の構成について説明する。   First, the configuration of the first compensation unit 6 will be described.

カレントミラー回路61は、トランジスタTr61a,Tr61bによって構成されている。トランジスタTr61a,Tr61bは、エミッタがともに電源ラインに接続され、ベースが互いに接続されている。トランジスタTr61aは、ベースとエミッタとが接続されている。カレントミラー回路62は、トランジスタTr62a,Tr62bによって構成されている。トランジスタTr62a,Tr62bのベースと互いに接続されている。トランジスタTr62aは、コレクタがトランジスタTr61bのコレクタに接続され、エミッタが接地されている。また、トランジスタTr62aのベースと接地ライン(GND)との間にはコンデンサC21が接続されている。トランジスタTr62bは、エミッタが接地され、コレクタがリファレンス回路3における入力トランジスタTr22のベースに接続されている。   The current mirror circuit 61 includes transistors Tr61a and Tr61b. The transistors Tr61a and Tr61b have emitters connected to the power supply line and bases connected to each other. The base and emitter of the transistor Tr61a are connected. The current mirror circuit 62 includes transistors Tr62a and Tr62b. The bases of the transistors Tr62a and Tr62b are connected to each other. The transistor Tr62a has a collector connected to the collector of the transistor Tr61b and an emitter grounded. A capacitor C21 is connected between the base of the transistor Tr62a and the ground line (GND). The transistor Tr62b has an emitter grounded and a collector connected to the base of the input transistor Tr22 in the reference circuit 3.

トランジスタTr64は、コレクタが電源ラインに接続され、エミッタがトランジスタTr65のコレクタに接続されている。トランジスタTr66は、コレクタが電源ラインに接続され、エミッタがトランジスタTr65のコレクタに接続され、ベースがトランジスタTr61b,Tr62aのコレクタ(共通接続点)に接続されている。トランジスタTr65は、エミッタが接地され、ベースに前記のバイアス電圧が印加される。   The transistor Tr64 has a collector connected to the power supply line and an emitter connected to the collector of the transistor Tr65. The transistor Tr66 has a collector connected to the power supply line, an emitter connected to the collector of the transistor Tr65, and a base connected to the collectors (common connection point) of the transistors Tr61b and Tr62a. The emitter of the transistor Tr65 is grounded, and the bias voltage is applied to the base.

続いて、第2補償部7の構成について説明する。   Next, the configuration of the second compensation unit 7 will be described.

電圧発生回路8は、トランジスタTr81〜Tr85と、ダイオードD81,D82とを有している。   The voltage generation circuit 8 includes transistors Tr81 to Tr85 and diodes D81 and D82.

トランジスタTr81,Tr82は、エミッタがともに電源ラインに接続され、ベースが互いに接続されている。トランジスタTr81は、ベースとエミッタとが接続されている。このように、トランジスタTr81,Tr82がカレントミラー回路を構成している。トランジスタTr83は、コレクタがトランジスタTr81のコレクタに接続され、エミッタが接地され、ベースに前記のバイアス電圧が印加されている。ダイオードD81,D82は、トランジスタがダイオード接続されることによって形成されており、トランジスタTr82のコレクタと接地ラインとの間に直列に接続されている。   Transistors Tr81 and Tr82 have emitters connected to the power supply line and bases connected to each other. The base and the emitter of the transistor Tr81 are connected. Thus, the transistors Tr81 and Tr82 constitute a current mirror circuit. The transistor Tr83 has a collector connected to the collector of the transistor Tr81, an emitter grounded, and the bias voltage applied to the base. The diodes D81 and D82 are formed by diode-connecting transistors, and are connected in series between the collector of the transistor Tr82 and the ground line.

トランジスタTr85のコレクタは電源ラインに接続され、ベースがトランジスタTr82のコレクタに接続されている。また、トランジスタTr85のエミッタが電圧発生回路8の出力点(出力端子)となる。トランジスタTr84は、コレクタがトランジスタTr85のエミッタに接続され、エミッタが接地され、ベースに前記のバイアス電圧が印加される。   The collector of the transistor Tr85 is connected to the power supply line, and the base is connected to the collector of the transistor Tr82. The emitter of the transistor Tr85 serves as an output point (output terminal) of the voltage generation circuit 8. In the transistor Tr84, the collector is connected to the emitter of the transistor Tr85, the emitter is grounded, and the bias voltage is applied to the base.

また、トランジスタTr85のエミッタと接地ラインとの間には、抵抗Rref23およびコンデンサC24が並列に接続された回路が接続されている。   In addition, a circuit in which a resistor Rref23 and a capacitor C24 are connected in parallel is connected between the emitter of the transistor Tr85 and the ground line.

上記の電圧発生回路8では、トランジスタTr83により、トランジスタTr81,Tr82からなるカレントミラー回路を介して、ダイオードD81,D82にバイアス電流I22が供給される。これにより生じた電位が、バイアス電流I21で駆動されるエミッタフォロワ回路(トランジスタTr84,Tr85)にて出力される。   In the voltage generation circuit 8, the bias current I22 is supplied from the transistor Tr83 to the diodes D81 and D82 through the current mirror circuit including the transistors Tr81 and Tr82. The potential generated thereby is output by the emitter follower circuit (transistors Tr84 and Tr85) driven by the bias current I21.

電圧発生回路9は、カレントミラー回路91、トランジスタTr92〜Tr94と、ダイオードD91,D92とを有している。この電圧発生回路9は、前記の電圧発生回路8と同一の回路構成となっている。   The voltage generation circuit 9 includes a current mirror circuit 91, transistors Tr92 to Tr94, and diodes D91 and D92. The voltage generation circuit 9 has the same circuit configuration as the voltage generation circuit 8 described above.

カレントミラー回路91は、トランジスタTr91a,Tr91bから構成されている。トランジスタTr91a,Tr91bは、エミッタがともに電源ラインに接続され、ベースが互いに接続されている。トランジスタTr91aは、ベースとエミッタとが接続されている。トランジスタTr92は、コレクタがトランジスタTr91aのコレクタに接続され、エミッタが接地され、ベースに前記のバイアス電圧が印加されている。ダイオードD91,D92は、トランジスタがダイオード接続されることによって形成されており、トランジスタTr91bのコレクタと接地ラインとの間に直列に接続されている。   The current mirror circuit 91 includes transistors Tr91a and Tr91b. The transistors Tr91a and Tr91b have emitters connected to the power supply line and bases connected to each other. In the transistor Tr91a, the base and the emitter are connected. The transistor Tr92 has a collector connected to the collector of the transistor Tr91a, an emitter grounded, and the bias voltage applied to the base. The diodes D91 and D92 are formed by diode-connecting transistors, and are connected in series between the collector of the transistor Tr91b and the ground line.

トランジスタTr94のコレクタは電源ラインに接続され、ベースがトランジスタTr91bのコレクタに接続されている。また、トランジスタTr94のエミッタが電圧発生回路9の出力点(出力端子)となる。トランジスタTr93は、コレクタがトランジスタTr94のエミッタに接続され、エミッタが接地され、ベースに前記のバイアス電圧が印加される。   The collector of the transistor Tr94 is connected to the power supply line, and the base is connected to the collector of the transistor Tr91b. The emitter of the transistor Tr94 serves as an output point (output terminal) of the voltage generation circuit 9. In the transistor Tr93, the collector is connected to the emitter of the transistor Tr94, the emitter is grounded, and the bias voltage is applied to the base.

また、トランジスタTr94のエミッタと接地ラインとの間には、抵抗Rref22およびコンデンサC23が並列に接続された回路が接続されている。   Further, a circuit in which a resistor Rref22 and a capacitor C23 are connected in parallel is connected between the emitter of the transistor Tr94 and the ground line.

カレントミラー回路7aは、トランジスタTr7aa,Tr7abから構成されている。トランジスタTr7aa,Tr7abは、エミッタがともに電源ラインに接続され、ベースが互いに接続されている。トランジスタTr7aaは、ベースとエミッタとが接続されている。トランジスタTr7aaのコレクタは、トランジスタTr94のエミッタに接続されている。   The current mirror circuit 7a includes transistors Tr7aa and Tr7ab. The transistors Tr7aa and Tr7ab have their emitters connected to the power supply line and their bases connected to each other. In the transistor Tr7aa, the base and the emitter are connected. The collector of the transistor Tr7aa is connected to the emitter of the transistor Tr94.

カレントミラー回路7bは、トランジスタTr7ba,Tr7bbから構成されている。トランジスタTr7baは、コレクタがトランジスタTr7abのコレクタに接続され、エミッタが接地されている。また、トランジスタTr7beのベースと接地ラインとの間には、コンデンサC22が接続されている。トランジスタTr7bbは、エミッタが接地され、コレクタがリファレンス回路3における入力トランジスタTr22のベースに接続されている。   The current mirror circuit 7b includes transistors Tr7ba and Tr7bb. The transistor Tr7ba has a collector connected to the collector of the transistor Tr7ab and an emitter grounded. A capacitor C22 is connected between the base of the transistor Tr7be and the ground line. The transistor Tr7bb has an emitter grounded and a collector connected to the base of the input transistor Tr22 in the reference circuit 3.

上記の電圧発生回路9では、トランジスタTr92により、カレントミラー回路91を介して、ダイオードD91,D92にバイアス電流I21が供給される。これにより生じた電位が、バイアス電流I22で駆動されるエミッタフォロワ回路(トランジスタTr93,Tr94)にて出力される。   In the voltage generation circuit 9, the bias current I21 is supplied to the diodes D91 and D92 by the transistor Tr92 via the current mirror circuit 91. The potential generated thereby is output by an emitter follower circuit (transistors Tr93 and Tr94) driven by a bias current I22.

上記のように構成される受光増幅回路1においては、電流電圧変換回路2の入力トランジスタTr21のバイアス電流I21とリファレンス回路2の入力トランジスタTr22のバイアス電流I22とは、その大きさがI21>I22という関係を満たしている。また、帰還抵抗Rf21と帰還抵抗Rref21とは、その抵抗値がRf21≧Rref21という関係を満たしている。但し、以下では、Rf21>Rref21という関係を満たし、抵抗熱ノイズおよびショットノイズを低減するた場合の動作について説明する。   In the photoreceiver / amplifier circuit 1 configured as described above, the magnitude of the bias current I21 of the input transistor Tr21 of the current-voltage conversion circuit 2 and the bias current I22 of the input transistor Tr22 of the reference circuit 2 is I21> I22. Satisfies the relationship. Further, the feedback resistance Rf21 and the feedback resistance Rref21 satisfy the relationship of Rf21 ≧ Rref21. However, hereinafter, the operation when the relationship of Rf21> Rref21 is satisfied and resistance thermal noise and shot noise are reduced will be described.

補償回路5は、下記の関係式で設定される補償電流Is21を入力トランジスタTr22のベースから引き抜く。   The compensation circuit 5 extracts the compensation current Is21 set by the following relational expression from the base of the input transistor Tr22.

電流電圧変換回路2の入力トランジスタTr21のベース電流とリファレンス回路3の入力トランジスタTr22のベース電流とをそれぞれIbとIbrefとすると、補償電流Is21は、
Is21=Rf21/Rref21×Ib
−Ibref+Vt×ln(Ib/Ibref21)/Rref21 …(20)
と表される。
When the base current of the input transistor Tr21 of the current-voltage conversion circuit 2 and the base current of the input transistor Tr22 of the reference circuit 3 are Ib and Ibref, the compensation current Is21 is
Is21 = Rf21 / Rref21 × Ib
−Ibref + Vt × ln (Ib / Ibref21) / Rref21 (20)
It is expressed.

具体的に、図2示す回路構成を基に補償電流Is21の算出について説明する。ここで、以下の説明で使用するIb21、VBE21、Ib22、VBE22、V21およびV22の各値は、次のように定義される。   Specifically, calculation of the compensation current Is21 will be described based on the circuit configuration shown in FIG. Here, each value of Ib21, VBE21, Ib22, VBE22, V21 and V22 used in the following description is defined as follows.

Ib21:入力トランジスタTr21のベース電流
VBE21:入力トランジスタTr21のベース−エミッタ間電圧
Ib22:入力トランジスタTr22のベース電流
VBE22:入力トランジスタTr22のベース−エミッタ間電圧
V21:電流電圧変換回路2の出力電圧
V22:リファレンス回路3の出力電圧
補正電流Is21がない場合、出力電圧V21,V22は、
V21=Rf21×Ib21+VBE21 …(21)
V22=Rref21×Ib22+VBE22 …(22)
と表される。この場合、Ib21≒Ib22、VBE21≒VBE22であり、出力電圧V21,V22の電圧差は、
V21−V22=Rf21×Ib21+VBE21
−(Rref21×Ib22+VBE22) …(23)
と表される。補正電流Is21が流れる場合、上記の電圧差は、
V21−V22=Rf21×Ib21+VBE21
−(Rref21×(Ib22+Is21)+VBE22) …(24)
と表される。
Ib21: Base current of the input transistor Tr21 VBE21: Base-emitter voltage of the input transistor Tr21 Ib22: Base current of the input transistor Tr22 VBE22: Base-emitter voltage of the input transistor Tr22 V21: Output voltage of the current-voltage conversion circuit 2 V22: When there is no output voltage correction current Is21 of the reference circuit 3, the output voltages V21 and V22 are
V21 = Rf21 × Ib21 + VBE21 (21)
V22 = Rref21 × Ib22 + VBE22 (22)
It is expressed. In this case, Ib21≈Ib22, VBE21≈VBE22, and the voltage difference between the output voltages V21 and V22 is
V21−V22 = Rf21 × Ib21 + VBE21
− (Rref21 × Ib22 + VBE22) (23)
It is expressed. When the correction current Is21 flows, the voltage difference is
V21−V22 = Rf21 × Ib21 + VBE21
− (Rref21 × (Ib22 + Is21) + VBE22) (24)
It is expressed.

V21−V22=0となるためには、
Rref21×(Ib22+Is21)=Rf21×Ib21+VBE21−VBE22
…(25)
および、
Is21=Rf21/Rref21×Ib21−Ib22
+(VBE21−VBE22)/Rref21 …(26)
を満たす必要がある。また、ベース−エミッタ間電圧差は、
VBE21−VBE22=Vt×ln(I21/Is)−Vt×ln(I22/Is)
=Vt×ln(I21/I22)
=Vt×ln(Ib21/Ib22) …(27)
と表される。よって、補償電流Is21は、
Is21=Rf21/Rref21×Ib21−Ib22
+Vt×ln(Ib21/Ib22)/Rref21 …(28)
となる。
In order for V21−V22 = 0,
Rref21 × (Ib22 + Is21) = Rf21 × Ib21 + VBE21−VBE22
…(twenty five)
and,
Is21 = Rf21 / Rref21 × Ib21−Ib22
+ (VBE21−VBE22) / Rref21 (26)
It is necessary to satisfy. The base-emitter voltage difference is
VBE21−VBE22 = Vt × ln (I21 / Is) −Vt × ln (I22 / Is)
= Vt × ln (I21 / I22)
= Vt × ln (Ib21 / Ib22) (27)
It is expressed. Therefore, the compensation current Is21 is
Is21 = Rf21 / Rref21 × Ib21−Ib22
+ Vt × ln (Ib21 / Ib22) / Rref21 (28)
It becomes.

このように、補正電流Is21を流すことで、抵抗ノイズとショットノイズとを低減することができ、さらに良好なオフセット電圧特性を得ることができる。   In this way, by causing the correction current Is21 to flow, resistance noise and shot noise can be reduced, and more favorable offset voltage characteristics can be obtained.

ここで、上記のVtはVt=(k×T)/qと表される。この式における各値は、次のように定義される。   Here, the above Vt is expressed as Vt = (k × T) / q. Each value in this equation is defined as follows.

k:ボルツマン定数
q:電子の電荷量
T:絶対温度
Is:PN接合の飽和電流
以下に上記の各値の具体的な数値例を示す。但し、この数値例は、一般例であり、使用するプロセスによって異なる。
k: Boltzmann constant q: Charge amount of electrons T: Absolute temperature Is: Saturation current of PN junction Specific numerical examples of the above values are shown below. However, this numerical example is a general example and varies depending on the process used.

Rf21=5kΩ
Rref21=5kΩ
I21=100μA
I22=100μA
差動回路4の増幅率=2倍
また、1kΩの抵抗による熱雑音スペクトルは、v=4nV/√Hz(実効値)である。これは、50μAの直流電流で発生するショットノイズに相当する。この場合、初段出力ノイズは、
初段出力ノイズ(Vnp1)
=((20nV/√Hz)+(20nV/√Hz)+(8nV/√Hz)+(8nV/√Hz)
=928(nV/√Hz)
となるので、後段の差動回路4で2倍された後段出力ノイズVnout1は、
Vnout1=60.9nV/√Hzとなる。
となる。
Rf21 = 5kΩ
Rref21 = 5kΩ
I21 = 100 μA
I22 = 100 μA
The amplification factor of the differential circuit 4 is twice. The thermal noise spectrum due to the resistance of 1 kΩ is v = 4 nV / √Hz (effective value). This corresponds to shot noise generated by a direct current of 50 μA. In this case, the first stage output noise is
First stage output noise (Vnp1) 2
= ((20nV / √Hz) 2 + (20nV / √Hz) 2 + (8nV / √Hz) 2 + (8nV / √Hz) 2 )
= 928 (nV / √Hz) 2
Therefore, the subsequent output noise Vnout1 doubled by the subsequent differential circuit 4 is
Vnout1 = 60.9 nV / √Hz.
It becomes.

ここで、リファレンス抵抗Rref21を前記の場合より低減して、Rref21=1kΩとし、バイアス電流I22を前記の場合より小さくして、I22=10μAとすると、出力ノイズは、
出力ノイズ(Vnp2)
=((20nV/√Hz)+(4nV/√Hz)+(8nV/√Hz)+(0.8nV/√Hz)
=480.64(nV/√Hz)
となり、後段の差動回路4で2倍された後段出力ノイズVnout2は、
Vnout2=43.8nV/√Hz
となる。
Here, when the reference resistance Rref21 is reduced from the above case, Rref21 = 1 kΩ, the bias current I22 is made smaller than the above case, and I22 = 10 μA, the output noise is
Output noise (Vnp2) 2
= ((20nV / √Hz) 2 + (4nV / √Hz) 2 + (8nV / √Hz) 2 + (0.8nV / √Hz) 2 )
= 480.64 (nV / √Hz) 2
The post-stage output noise Vnout2 doubled by the post-stage differential circuit 4 is
Vnout2 = 43.8nV / √Hz
It becomes.

よって、20×log(Vnout1/Vnout2)=2.86dBとなり2dB以上のノイズ改善となる。   Therefore, 20 × log (Vnout1 / Vnout2) = 2.86 dB, which is a noise improvement of 2 dB or more.

また、補償電流Is21は、式28の左辺の前半部分に基づく第1補償電流(Rf/Rref×Ib−Ibref)と、式28の左辺の後半部分に基づく第2補償電流Vt×ln((Ib/Ibref)/Rref)とからなっており、第1補償電流は帰還抵抗による電圧差補正に供され、第2補償電流はベース−エミッタ間電圧差の補正に供される。   Further, the compensation current Is21 includes a first compensation current (Rf / Rref × Ib−Ibref) based on the first half of the left side of Equation 28 and a second compensation current Vt × ln ((Ib / Ibref) / Rref). The first compensation current is used for voltage difference correction by a feedback resistor, and the second compensation current is used for correction of the base-emitter voltage difference.

第1補償電流は、前記の第1補償部6により、カレントミラー回路62を経て供与される。ここでは、後述する比較例の構成と異なり、電流電圧変換回路2における入力トランジスタTr21のバイアス電流I21とリファレンス回路3における入力トランジスタTr22のバイアス電流I22の2種類の電流を基に生成された第1および第2補償電流により補償電流が合成され供給される。   The first compensation current is supplied by the first compensation unit 6 through the current mirror circuit 62. Here, unlike the configuration of the comparative example described later, the first current generated based on two types of currents, that is, the bias current I21 of the input transistor Tr21 in the current-voltage conversion circuit 2 and the bias current I22 of the input transistor Tr22 in the reference circuit 3. The compensation current is synthesized and supplied by the second compensation current.

具体的には、トランジスタTr63により、バイアス電流I21に帰還抵抗Rf21とリファレンス抵抗Rref21との抵抗比(Rf21/Rref21)を乗じた大きさのバイアス電流が供与される。トランジスタTr64は、この電流で駆動される。一方、トランジスタTr66は、トランジスタTr65により供与されるバイアス電流I22で駆動される。カレントミラー回路61は、トランジスタTr64に流れるベース電流とトランジスタTr66に流れるベース電流との差をカレントミラー回路62に出力する。これにより、カレントミラー回路62は、その差電流を第1補償電流として流す。また、カレントミラー回路62は、ノイズ低減用のコンデンサC21が必要に応じて接続されることにより、第1補償電流のノイズ抑制を行う。   Specifically, the transistor Tr63 supplies a bias current having a magnitude obtained by multiplying the bias current I21 by a resistance ratio (Rf21 / Rref21) between the feedback resistor Rf21 and the reference resistor Rref21. The transistor Tr64 is driven with this current. On the other hand, the transistor Tr66 is driven by the bias current I22 provided by the transistor Tr65. The current mirror circuit 61 outputs the difference between the base current flowing through the transistor Tr64 and the base current flowing through the transistor Tr66 to the current mirror circuit 62. Thereby, the current mirror circuit 62 flows the difference current as the first compensation current. Further, the current mirror circuit 62 performs noise suppression of the first compensation current by connecting a noise reducing capacitor C21 as necessary.

具体的には、カレントミラー回路61は、下記のようにして差電流をカレントミラー回路62に出力することができる。   Specifically, the current mirror circuit 61 can output the difference current to the current mirror circuit 62 as follows.

まず、トランジスタTr223,Tr65は、同一のバイアス電流I22(コレクタ電流)を流し、トランジスタTr63は、トランジスタTr213のバイアス電流I21の(Rf21/Rref21)倍のバイアス電流(コレクタ電流)を流すことを前提としている。ここでは、トランジスタTr221,222のベース電流による誤差は無視し、トランジスタTr211,212のベース電流による誤差を無視する。トランジスタTr66,Tr64に流れる電流は、トランジスタTr223,Tr65のエミッタ面積を同一とし、トランジスタTr213,Tr63のエミッタ面積を同一とすることで調整可能となる。   First, the transistors Tr223 and Tr65 pass the same bias current I22 (collector current), and the transistor Tr63 is assumed to flow a bias current (collector current) that is (Rf21 / Rref21) times the bias current I21 of the transistor Tr213. Yes. Here, errors due to the base currents of the transistors Tr221 and 222 are ignored, and errors due to the base currents of the transistors Tr211 and 212 are ignored. The current flowing through the transistors Tr66 and Tr64 can be adjusted by making the emitter areas of the transistors Tr223 and Tr65 the same and making the emitter areas of the transistors Tr213 and Tr63 the same.

上記のように電流値を設定とすることで、前述式28にしたがって、トランジスタTr64のベース電流よりトランジスタTr66のベース電流を差し引いた所望の第1補正電流を供与することが可能となる。   By setting the current value as described above, it is possible to supply a desired first correction current obtained by subtracting the base current of the transistor Tr66 from the base current of the transistor Tr64 in accordance with the equation 28 described above.

但し、ここで、トランジスタTr61a,Tr61bのベース電流による誤差を無視し、トランジスタTr62a,Tr62bのベース電流による誤差を無視する。   However, here, errors due to the base currents of the transistors Tr61a and Tr61b are ignored, and errors due to the base currents of the transistors Tr62a and Tr62b are ignored.

第2補償電流は、前記の第2補償部7により、カレントミラー回路7bを経て供与される。   The second compensation current is supplied by the second compensation unit 7 through the current mirror circuit 7b.

具体的には、電圧発生回路8において、トランジスタTr83,Tr84でバイアス電流I22が発生し、Tr81,Tr82からなるカレントミラー回路によって、ダイオードD81,D82にもバイアス電流I22が流れる。このとき、トランジスタTr85のベースに生じた電圧が、トランジスタTr84,Tr85からなるエミッタフォロワ回路から出力される。この電圧は、入力トランジスタTr22のベース−エミッタ間電圧VBE22と同じ値である。この電圧が印加されることにより、リファレンス抵抗Rref21と同じ抵抗値を有する抵抗Rref23に電流が流れる。   Specifically, in the voltage generation circuit 8, a bias current I22 is generated by the transistors Tr83 and Tr84, and the bias current I22 also flows through the diodes D81 and D82 by the current mirror circuit composed of Tr81 and Tr82. At this time, the voltage generated at the base of the transistor Tr85 is output from the emitter follower circuit including the transistors Tr84 and Tr85. This voltage is the same value as the base-emitter voltage VBE22 of the input transistor Tr22. By applying this voltage, a current flows through the resistor Rref23 having the same resistance value as that of the reference resistor Rref21.

一方、電圧発生回路9において、トランジスタTr92,Tr93でバイアス電流I21が発生し、カレントミラー回路91によって、ダイオードD91,D92にもバイアス電流I21が流れる。このとき、トランジスタTr94のベースに生じた電圧が、トランジスタTr94,Tr94からなるエミッタフォロワ回路から出力される。この電圧は、入力トランジスタTr21のベース−エミッタ間電圧VBE21と同じ値である。この電圧が印加されることにより、リファレンス抵抗Rref21と同じ抵抗値を有する抵抗Rref22に電流が流れる。   On the other hand, in the voltage generation circuit 9, a bias current I21 is generated by the transistors Tr92 and Tr93, and the bias current I21 also flows through the diodes D91 and D92 by the current mirror circuit 91. At this time, the voltage generated at the base of the transistor Tr94 is output from the emitter follower circuit including the transistors Tr94 and Tr94. This voltage is the same value as the base-emitter voltage VBE21 of the input transistor Tr21. By applying this voltage, a current flows through the resistor Rref22 having the same resistance value as that of the reference resistor Rref21.

そして、カレントミラー回路7aにおいては、トランジスタTr7aaが抵抗Rref22に流れる電流を流すことにより、トランジスタTr7abにも同じ電流が流れるが、トランジスタTr7abから抵抗Rref23へ電流が流れるので、カレントミラー回路7bのトランジスタTr7baには、抵抗Rref22に流れる電流と抵抗Rref23に流れる電流との差分が流れる。この差分電流は、第2補償電流に相当し、トランジスタTr7bbを介して流れる。   In the current mirror circuit 7a, the same current flows through the transistor Tr7ab when the transistor Tr7aa flows the current through the resistor Rref22. However, since the current flows from the transistor Tr7ab to the resistor Rref23, the transistor Tr7ba of the current mirror circuit 7b. The difference between the current flowing through the resistor Rref22 and the current flowing through the resistor Rref23 flows. This differential current corresponds to the second compensation current and flows through the transistor Tr7bb.

また、第2補償部7においては、ノイズ低減用のコンデンサC22〜C24が必要に応じて接続され、第2補償電流のノイズ抑制を行う。   Moreover, in the 2nd compensation part 7, the capacitor | condensers C22-C24 for noise reduction are connected as needed, and noise suppression of a 2nd compensation current is performed.

ショットノイズを低減するためには、増幅作用とは無関係のないリファレンス回路について、リファレンス抵抗の低減による熱雑音低減と、高速増幅を必要としない第2入力トランジスタのバイアス電流を低減することが望ましい。このため、受光増幅回路1は、リファレンス抵抗Rref21の抵抗値が、帰還抵抗Rf21の抵抗値より小さく設定され、入力トランジスタTr22のバイアス電流が、入力トランジスタTr21のバイアス電流より小さい電流値で設定されている。これにより、差動1段型回路では不可能であった、ショットノイズの抑制を可能とし、併せてリファレンス回路の帰還抵抗熱ノイズの抑制も可能とする。   In order to reduce shot noise, it is desirable to reduce the thermal noise by reducing the reference resistance and the bias current of the second input transistor that does not require high-speed amplification in a reference circuit that is not related to the amplification action. Therefore, in the light receiving amplification circuit 1, the resistance value of the reference resistor Rref21 is set to be smaller than the resistance value of the feedback resistor Rf21, and the bias current of the input transistor Tr22 is set to be smaller than the bias current of the input transistor Tr21. Yes. This makes it possible to suppress shot noise, which was impossible with a differential one-stage circuit, and also to suppress feedback resistor thermal noise in the reference circuit.

但し、帰還抵抗Rfがベースに接続される増幅用の入力トランジスタTr21は、信号増幅帯域を得るため、バイアス電流I21を所定値に設定する必要がある。   However, the amplification input transistor Tr21 to which the feedback resistor Rf is connected to the base needs to set the bias current I21 to a predetermined value in order to obtain a signal amplification band.

また、受光増幅回路1は、補償回路5を備えることによって、無信号時での電流電圧変換回路2およびリファレンス回路3の出力電圧差が補償されるので、両出力電圧が等しくないことによって生じるオフセット電圧をなくすことができる。したがって、良好なオフセット電圧特性を実現することができる。また、リファレンス回路3の入力トランジスタTr22のベース電流を補償することで、差動回路4に影響を加えることなく、良好な特性を得ることができる。   In addition, since the light receiving amplification circuit 1 includes the compensation circuit 5, the difference between the output voltages of the current-voltage conversion circuit 2 and the reference circuit 3 when there is no signal is compensated for, so that the offset generated when the output voltages are not equal. The voltage can be eliminated. Therefore, good offset voltage characteristics can be realized. Further, by compensating the base current of the input transistor Tr22 of the reference circuit 3, good characteristics can be obtained without affecting the differential circuit 4.

〔実施の形態2〕
本発明の一実施形態について図3および図4に基づいて説明すると、以下の通りである。なお、前述の実施の形態1における構成要素と同等の機能を有する本実施の形態における構成要素については、同一の符号を付記してその説明を省略する。
[Embodiment 2]
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 and 4 as follows. Note that components in the present embodiment having functions equivalent to those of the components in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

図3は、本実施の形態に係る受光増幅回路11の概略構成を示している。図4は、受光増幅回路11の詳細な回路構成を示している。   FIG. 3 shows a schematic configuration of the light receiving amplification circuit 11 according to the present embodiment. FIG. 4 shows a detailed circuit configuration of the light receiving amplification circuit 11.

受光増幅回路11も、前述の受光増幅回路1と同様、図3および図4に示すように、フォトダイオードPD、電流電圧変換回路12、リファレンス回路13、差動回路14および補償回路15を備えている。電流電圧変換回路12、リファレンス回路13および差動回路14は、それぞれ前述の電流電圧変換回路2、リファレンス回路3および差動回路4と同じ機能を有しており、同一の回路構成を有している。   Similarly to the above-described light receiving and amplifying circuit 1, the light receiving and amplifying circuit 11 also includes a photodiode PD, a current-voltage conversion circuit 12, a reference circuit 13, a differential circuit 14, and a compensation circuit 15, as shown in FIGS. Yes. The current-voltage conversion circuit 12, the reference circuit 13, and the differential circuit 14 have the same functions as the current-voltage conversion circuit 2, the reference circuit 3, and the differential circuit 4, respectively, and have the same circuit configuration. Yes.

電流電圧変換回路12のアンプAMP12は、入力トランジスタTr31およびトランジスタTr311〜Tr315を有している。アンプAMP12における入力トランジスタTr31およびトランジスタTr311〜Tr315の接続構成は、電流電圧変換回路2のアンプAMP1における入力トランジスタTr21およびトランジスタTr211〜Tr215の接続構成と対応しているので、ここではその説明を省略する。   The amplifier AMP12 of the current-voltage conversion circuit 12 includes an input transistor Tr31 and transistors Tr311 to Tr315. Since the connection configuration of the input transistor Tr31 and the transistors Tr311 to Tr315 in the amplifier AMP12 corresponds to the connection configuration of the input transistor Tr21 and the transistors Tr211 to Tr215 in the amplifier AMP1 of the current-voltage conversion circuit 2, description thereof is omitted here. .

リファレンス回路13のアンプAMP12は、入力トランジスタTr32およびトランジスタTr321〜Tr325を有している。アンプAMP12における入力トランジスタTr32およびトランジスタTr321〜Tr325の接続構成は、リファレンス回路3のアンプAMP2における入力トランジスタTr22およびトランジスタTr221〜Tr225の接続構成と対応しているので、ここではその説明を省略する。   The amplifier AMP12 of the reference circuit 13 includes an input transistor Tr32 and transistors Tr321 to Tr325. Since the connection configuration of the input transistor Tr32 and the transistors Tr321 to Tr325 in the amplifier AMP12 corresponds to the connection configuration of the input transistor Tr22 and the transistors Tr221 to Tr225 in the amplifier AMP2 of the reference circuit 3, description thereof is omitted here.

差動回路14は、差動アンプAMP13と、帰還抵抗Rfs3と、入力抵抗Rs31,Rs32と、リファレンス抵抗Rrefs31とを有している。これらの接続構成は、前述の差動回路4における差動アンプAMP3と、帰還抵抗Rfs2と、入力抵抗Rs21,Rs22と、リファレンス抵抗Rrefs21と対応しているので、ここではその説明を省略する。   The differential circuit 14 includes a differential amplifier AMP13, a feedback resistor Rfs3, input resistors Rs31 and Rs32, and a reference resistor Rrefs31. Since these connection configurations correspond to the differential amplifier AMP3, the feedback resistor Rfs2, the input resistors Rs21 and Rs22, and the reference resistor Rrefs21 in the differential circuit 4 described above, description thereof is omitted here.

補償回路15は、前述の補償回路5と異なり、電流電圧変換回路12の出力電圧とリファレンス回路13の出力電圧との差を補償するために、後述する補償電流Is22を電流電圧変換回路2におけるアンプAMP12の入力端子に流し込む。   Unlike the compensation circuit 5 described above, the compensation circuit 15 uses a compensation current Is22 described later as an amplifier in the current-voltage conversion circuit 2 in order to compensate for the difference between the output voltage of the current-voltage conversion circuit 12 and the output voltage of the reference circuit 13. Flow into the input terminal of AMP12.

補償回路15は、第1補償部16および第2補償部17から構成されている。第1補償部16は、カレントミラー回路161と、トランジスタTr162〜Tr165とを有している。第2補償部17は、カレントミラー回路171と、電圧発生回路18,19と、コンデンサC33,C34と、抵抗Rf32,Rf33とを有している。   The compensation circuit 15 includes a first compensation unit 16 and a second compensation unit 17. The first compensation unit 16 includes a current mirror circuit 161 and transistors Tr162 to Tr165. The second compensation unit 17 includes a current mirror circuit 171, voltage generation circuits 18 and 19, capacitors C33 and C34, and resistors Rf32 and Rf33.

まず、第1補償部16の構成について説明する。   First, the configuration of the first compensation unit 16 will be described.

カレントミラー回路161は、トランジスタTr161a,Tr161bによって構成されている。トランジスタTr161a,Tr161bは、エミッタがともに電源ラインに接続され、ベースが互いに接続されている。トランジスタTr161aは、ベースとエミッタとが接続されている。   The current mirror circuit 161 includes transistors Tr161a and Tr161b. The transistors Tr161a and Tr161b have emitters connected to the power supply line and bases connected to each other. The transistor Tr161a has a base and an emitter connected to each other.

トランジスタTr165は、コレクタが電源ラインに接続され、エミッタがトランジスタTr164のコレクタに接続されている。トランジスタTr163は、コレクタが電源ラインに接続され、エミッタがトランジスタTr162のコレクタに接続され、ベースがトランジスタTr161b,Tr162aのコレクタ(共通接続点)に接続されている。トランジスタTr162,Tr164は、エミッタが接地され、ベースに前記のバイアス電圧が印加される。   The transistor Tr165 has a collector connected to the power supply line and an emitter connected to the collector of the transistor Tr164. The transistor Tr163 has a collector connected to the power supply line, an emitter connected to the collector of the transistor Tr162, and a base connected to the collectors (common connection point) of the transistors Tr161b and Tr162a. The emitters of the transistors Tr162 and Tr164 are grounded, and the bias voltage is applied to the base.

続いて、第2補償部17の構成について説明する。   Next, the configuration of the second compensation unit 17 will be described.

電圧発生回路18は、トランジスタTr181〜Tr185と、ダイオードD181,D182とを有している。電圧発生回路18におけるトランジスタTr181〜Tr185と、ダイオードD181,D182の接続構成は、前述の電圧発生回路8におけるトランジスタTr81〜Tr85と、ダイオードD81,D82との接続構成と対応しているので、ここではその説明を省略する。   The voltage generation circuit 18 includes transistors Tr181 to Tr185 and diodes D181 and D182. The connection configuration of the transistors Tr181 to Tr185 and the diodes D181 and D182 in the voltage generation circuit 18 corresponds to the connection configuration of the transistors Tr81 to Tr85 and the diodes D81 and D82 in the voltage generation circuit 8 described above. The description is omitted.

上記の電圧発生回路18では、トランジスタTr183により、トランジスタTr181,Tr182からなるカレントミラー回路を介して、ダイオードD181,D182にバイアス電流I32が供給される。これにより生じた電圧が、バイアス電流I32で駆動されるエミッタフォロワ回路(トランジスタTr184,Tr185)にて出力される。   In the voltage generation circuit 18, the bias current I32 is supplied from the transistor Tr183 to the diodes D181 and D182 via the current mirror circuit including the transistors Tr181 and Tr182. The voltage generated thereby is output by an emitter follower circuit (transistors Tr184 and Tr185) driven by a bias current I32.

電圧発生回路19は、カレントミラー回路191、トランジスタTr192〜Tr194と、ダイオードD191,D192とを有している。この電圧発生回路19は、前記の電圧発生回路18と同一の回路構成となっている。また、電圧発生回路19におけるカレントミラー回路91、トランジスタTr92〜Tr94と、ダイオードD91,D92との接続構成は、前述の電圧発生回路9におけるカレントミラー回路91、トランジスタTr92〜Tr94と、ダイオードD91,D92との接続構成と対応しているので、ここではその説明を省略する。   The voltage generation circuit 19 includes a current mirror circuit 191, transistors Tr192 to Tr194, and diodes D191 and D192. The voltage generation circuit 19 has the same circuit configuration as the voltage generation circuit 18 described above. Further, the connection configuration of the current mirror circuit 91 and the transistors Tr92 to Tr94 and the diodes D91 and D92 in the voltage generation circuit 19 is the same as that of the current mirror circuit 91 and the transistors Tr92 to Tr94 and the diodes D91 and D92 in the voltage generation circuit 9 described above. And the description thereof is omitted here.

カレントミラー回路171は、トランジスタTr171a,Tr171bから構成されている。トランジスタTr171a,171bは、エミッタがともに電源ラインに接続され、ベースが互いに接続されている。トランジスタTr171aは、ベースとエミッタとが接続されている。トランジスタTr171aのコレクタは、トランジスタTr194のエミッタに接続されている。また、トランジスタTr171bのコレクタは、トランジスタTr161bのコレクタおよび入力トランジスタTr31のベースに接続されている。   The current mirror circuit 171 includes transistors Tr171a and Tr171b. Transistors Tr171a and 171b have both emitters connected to the power supply line and bases connected to each other. The base and emitter of the transistor Tr171a are connected. The collector of the transistor Tr171a is connected to the emitter of the transistor Tr194. The collector of the transistor Tr171b is connected to the collector of the transistor Tr161b and the base of the input transistor Tr31.

上記の電圧発生回路19では、トランジスタTr192により、カレントミラー回路191を介して、ダイオードD191,D192にバイアス電流I31が供給される。これにより生じた電圧が、バイアス電流I31で駆動されるエミッタフォロワ回路(トランジスタTr193,Tr194)にて出力される。   In the voltage generation circuit 19, the bias current I31 is supplied to the diodes D191 and D192 by the transistor Tr192 via the current mirror circuit 191. The voltage generated thereby is output from an emitter follower circuit (transistors Tr193 and Tr194) driven by a bias current I31.

上記のように構成される受光増幅回路11においては、電流電圧変換回路12の入力トランジスタTr31のバイアス電流I31とリファレンス回路13の入力トランジスタTr32のバイアス電流I32は、その大きさがI31>I32という関係を満たしている。また、帰還抵抗Rf31とリファレンスRref31とは、その抵抗値がRf31≧Rref31という関係を満たす。   In the light receiving amplification circuit 11 configured as described above, the magnitude of the bias current I31 of the input transistor Tr31 of the current-voltage conversion circuit 12 and the bias current I32 of the input transistor Tr32 of the reference circuit 13 is I31> I32. Meet. Further, the feedback resistance Rf31 and the reference Rref31 satisfy the relationship of Rf31 ≧ Rref31.

補償回路15は、下記の関係式で設定される補償電流Is31を入力トランジスタTr31のベースに流し込む。   The compensation circuit 15 flows the compensation current Is31 set by the following relational expression into the base of the input transistor Tr31.

電流電圧変換回路12の入力トランジスタTr31のベース電流とリファレンス回路13の入力トランジスタTr32のベース電流とをそれぞれIbとIbrefとすると、補償電流Is31は、
Is31=Ib−Rref/Rf×Ibref+Vt×ln(Ib/Ibref)/Rf …(29)
と表される。
When the base current of the input transistor Tr31 of the current-voltage conversion circuit 12 and the base current of the input transistor Tr32 of the reference circuit 13 are Ib and Ibref, respectively, the compensation current Is31 is
Is31 = Ib−Rref / Rf × Ibref + Vt × ln (Ib / Ibref) / Rf (29)
It is expressed.

具体的に、図4示す回路構成を基に補償電流Is31の算出について説明する。ここで、以下の説明で使用するIb31、VBE31、Ib32、VBE32、V31およびV32の各値は、次のように定義される。   Specifically, calculation of the compensation current Is31 will be described based on the circuit configuration shown in FIG. Here, each value of Ib31, VBE31, Ib32, VBE32, V31 and V32 used in the following description is defined as follows.

Ib31:入力トランジスタTr31のベース電流
VBE31:入力トランジスタTr31のベース−エミッタ間電圧
Ib32:入力トランジスタTr32のベース電流
VBE32:入力トランジスタTr32のベース−エミッタ間電圧
V31:電流電圧変換回路2の出力電圧
V32:リファレンス回路3の出力電圧
補正電流Is31がない場合、出力電圧V31,V32は、
V31=Rf31×Ib31+VBE31 …(30)
V32=Rref31×Ib32+VBE32 …(31)
と表される。この場合、Ib31≒Ib32、VBE31≒VBE32であり、出力電圧V31,V32の電圧差は、
V31−V32=
Rf31×Ib31+VBE31−(Rref31×Ib32+VBE32) …(32)
補正電流Is31が流れる場合、出力電圧V31,V32は、
V31−V32=Rf31×(Ib31−Is32)+VBE31
−(Rref31×Ib32+VBE32) …(33)
V31−V32=0となるためには、
Rf31×(Ib31−Is32)+VBE31=Rref31×Ib32+VBE32 …(34)
Is32=Ib31−Rref31/Rf31×Ib32
+(VBE31−VBE32)/Rf31 …(35)
を満たす必要がある。また、ベース−エミッタ間電圧差は、
VBE31−VBE32=Vt×ln(I31/Is)−Vt×ln(I32/Is)
=Vt×ln(I31/I32)
=Vt×ln(Ib31/Ib32) …(36)
と表される。よって、補償電流Is32は、
Is32=Ib31−Rref31/Rf31×Ib32
+Vt×ln(Ib31/Ib32)/Rf31 …(37)
となる。
Ib31: Base current of the input transistor Tr31 VBE31: Base-emitter voltage of the input transistor Tr31 Ib32: Base current of the input transistor Tr32 VBE32: Base-emitter voltage of the input transistor Tr32 V31: Output voltage of the current-voltage conversion circuit 2 V32: When there is no output voltage correction current Is31 of the reference circuit 3, the output voltages V31 and V32 are
V31 = Rf31 × Ib31 + VBE31 (30)
V32 = Rref31 × Ib32 + VBE32 (31)
It is expressed. In this case, Ib31≈Ib32, VBE31≈VBE32, and the voltage difference between the output voltages V31 and V32 is
V31-V32 =
Rf31 × Ib31 + VBE31− (Rref31 × Ib32 + VBE32) (32)
When the correction current Is31 flows, the output voltages V31 and V32 are
V31−V32 = Rf31 × (Ib31−Is32) + VBE31
− (Rref31 × Ib32 + VBE32) (33)
In order to be V31−V32 = 0,
Rf31 × (Ib31−Is32) + VBE31 = Rref31 × Ib32 + VBE32 (34)
Is32 = Ib31−Rref31 / Rf31 × Ib32
+ (VBE31-VBE32) / Rf31 (35)
It is necessary to satisfy. The base-emitter voltage difference is
VBE31−VBE32 = Vt × ln (I31 / Is) −Vt × ln (I32 / Is)
= Vt × ln (I31 / I32)
= Vt × ln (Ib31 / Ib32) (36)
It is expressed. Therefore, the compensation current Is32 is
Is32 = Ib31−Rref31 / Rf31 × Ib32
+ Vt × ln (Ib31 / Ib32) / Rf31 (37)
It becomes.

このように、補正電流Is31を流すことで、抵抗ノイズとショットノイズとを低減することができ、さらに良好なオフセット電圧特性を得ることができる。   In this way, by causing the correction current Is31 to flow, resistance noise and shot noise can be reduced, and more favorable offset voltage characteristics can be obtained.

ここで、補償電流Is31は、式36の左辺の前半部分に基づく第1補償電流(Ib−Rref/Rf×Ibref)と、式36の左辺の後半部分に基づく第2補償電流Vt×ln(Ib/Ibref)/Rfとからなっており、第1補償電流は帰還抵抗による電圧差補正に供され、第2補償電流はベース−エミッタ間電圧差の補正に供される。   Here, the compensation current Is31 includes a first compensation current (Ib−Rref / Rf × Ibref) based on the first half of the left side of Expression 36 and a second compensation current Vt × ln (Ib) based on the latter half of the left side of Expression 36. / Ibref) / Rf. The first compensation current is used for voltage difference correction by a feedback resistor, and the second compensation current is used for correction of the base-emitter voltage difference.

第1補償電流は、前記の第1補償部16により、カレントミラー回路161を経て供与される。一方、第2補償電流は、前記の第2補償部17により、カレントミラー回路171を経て供与される。   The first compensation current is supplied by the first compensation unit 16 through the current mirror circuit 161. On the other hand, the second compensation current is supplied by the second compensation unit 17 via the current mirror circuit 171.

具体的には、トランジスタTr163は、トランジスタTr162により供与されるバイアス電流I31で駆動される。一方、トランジスタTr164は、バイアス電流I31にリファレンス抵抗Rref31と帰還抵抗Rf31との抵抗比(Rref31/Rf31)を乗じた大きさのバイアス電流を発生する。トランジスタTr163は、この電流で駆動される。カレントミラー回路161は、トランジスタTr163に流れる上記の電流とトランジスタTr165に流れる上記の電流との差をトランジスタTr161bから出力する。これにより、カレントミラー回路161は、その差電流を第1補償電流として流す。   Specifically, the transistor Tr163 is driven by a bias current I31 provided by the transistor Tr162. On the other hand, the transistor Tr164 generates a bias current having a magnitude obtained by multiplying the bias current I31 by the resistance ratio (Rref31 / Rf31) between the reference resistor Rref31 and the feedback resistor Rf31. The transistor Tr163 is driven with this current. The current mirror circuit 161 outputs a difference between the current flowing through the transistor Tr163 and the current flowing through the transistor Tr165 from the transistor Tr161b. Thereby, the current mirror circuit 161 flows the difference current as the first compensation current.

第2補償電流は、前記の第2補償部7により、カレントミラー回路7bを経て供与される。   The second compensation current is supplied by the second compensation unit 7 through the current mirror circuit 7b.

具体的には、電圧発生回路18において、トランジスタTr183,Tr184でバイアス電流I32が発生し、Tr181,Tr182からなるカレントミラー回路によって、ダイオードD181,D182にもバイアス電流I32が流れる。このとき、トランジスタTr185のベースに生じた電圧が、トランジスタTr184,Tr185からなるエミッタフォロワ回路から出力される。この電圧は、入力トランジスタTr32のベース−エミッタ間電圧VBE32と同じ値である。この電圧が印加されることにより、帰還抵抗Rf31と同じ抵抗値を有する抵抗Rf33に電流が流れる。   Specifically, in the voltage generation circuit 18, a bias current I32 is generated by the transistors Tr183 and Tr184, and the bias current I32 also flows through the diodes D181 and D182 by the current mirror circuit composed of Tr181 and Tr182. At this time, the voltage generated at the base of the transistor Tr185 is output from the emitter follower circuit including the transistors Tr184 and Tr185. This voltage is the same value as the base-emitter voltage VBE32 of the input transistor Tr32. By applying this voltage, a current flows through the resistor Rf33 having the same resistance value as that of the feedback resistor Rf31.

一方、電圧発生回路19において、トランジスタTr192,Tr193でバイアス電流I31が発生し、カレントミラー回路191によって、ダイオードD191,D192にもバイアス電流I31が流れる。このとき、トランジスタTr194のベースに生じた電圧が、トランジスタTr194,Tr194からなるエミッタフォロワ回路から出力される。この電圧は、入力トランジスタTr31のベース−エミッタ間電圧VBE31と同じ値である。この電圧が印加されることにより、帰還抵抗Rf31と同じ抵抗値を有する抵抗Rf32に電流が流れる。   On the other hand, in the voltage generation circuit 19, a bias current I31 is generated in the transistors Tr192 and Tr193, and the bias current I31 also flows in the diodes D191 and D192 by the current mirror circuit 191. At this time, the voltage generated at the base of the transistor Tr194 is output from the emitter follower circuit including the transistors Tr194 and Tr194. This voltage is the same value as the base-emitter voltage VBE31 of the input transistor Tr31. By applying this voltage, a current flows through the resistor Rf32 having the same resistance value as that of the feedback resistor Rf31.

そして、カレントミラー回路171においては、トランジスタTr171aが抵抗Rf33に流れる電流を流すことにより、トランジスタTr171bにも同じ電流が流れるが、トランジスタTr171bから抵抗Rf33へ電流が流れるので、カレントミラー回路171のトランジスタTr171aには、抵抗Rf32に流れる電流と抵抗Rf33に流れる電流との差分が第2補償電流として流れる。   In the current mirror circuit 171, the same current flows through the transistor Tr171b when the transistor Tr171a flows the current through the resistor Rf33. However, since the current flows from the transistor Tr171b into the resistor Rf33, the transistor Tr171a of the current mirror circuit 171 is used. The difference between the current flowing through the resistor Rf32 and the current flowing through the resistor Rf33 flows as the second compensation current.

また、第2補償部17においては、ノイズ低減用のコンデンサC33,C34が必要に応じて接続され、第2補償電流のノイズ抑制を行う。   In the second compensation unit 17, noise reduction capacitors C33 and C34 are connected as necessary to suppress noise of the second compensation current.

以上のように、受光増幅回路11は、補償回路15を備えることにより、電流電圧変換回路12の入力トランジスタTr31のベースと電流電圧変換回路12の帰還抵抗Rf31との接続部に補償電流Is31を流し込む。これにより、バイアス電流I31をバイアス電流I32より大きくし、差動1段型回路では不可能であった、ショットノイズの抑制を可能とし、併せてリファレンス回路3の帰還抵抗熱ノイズの抑制を可能とすることで良好なオフセット電圧特性を実現することができる。また、リファレンス回路3の入力トランジスタTr22のベース電流を補償することで、差動回路4に影響を加えることなく、良好な特性を得ることができる。   As described above, the photoreceiver / amplifier circuit 11 includes the compensation circuit 15 so that the compensation current Is31 flows into the connection portion between the base of the input transistor Tr31 of the current-voltage conversion circuit 12 and the feedback resistor Rf31 of the current-voltage conversion circuit 12. . As a result, the bias current I31 is made larger than the bias current I32, and it is possible to suppress shot noise, which is impossible with the differential one-stage circuit, and also to suppress the feedback resistor thermal noise of the reference circuit 3. As a result, a good offset voltage characteristic can be realized. Further, by compensating the base current of the input transistor Tr22 of the reference circuit 3, good characteristics can be obtained without affecting the differential circuit 4.

〔比較例〕
本発明の比較例について図5および図6に基づいて説明すると、以下の通りである。
[Comparative example]
A comparative example of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 and 6 as follows.

図5および図6は、それぞれ本比較例に係る受光増幅回路51,61の回路構成を示している。受光増幅回路51,61は、本願出願人によって出願された特願2007-181433に記載されている。   5 and 6 show circuit configurations of the light receiving amplifier circuits 51 and 61 according to this comparative example, respectively. The photoreceiver / amplifier circuits 51 and 61 are described in Japanese Patent Application No. 2007-181433 filed by the applicant of the present application.

受光増幅回路51は、ノイズを低減するとともに、良好なオフセット電圧特性を得るために、差動増幅回路AMP1と、差動増幅回路AMP1の出力端子と反転入力端子との間に接続される帰還抵抗Rfと、差動増幅回路AMP1の非反転入力端子に接続されるリファレンス抵抗Rrefと、帰還抵抗の端子間電圧と前記リファレンス抵抗の端子間電圧との差を補償するように、リファレンス抵抗Rrefと差動増幅回路AMP1の非反転入力端子との接続点から補償電流Is1を引き込む補償回路52とを備えている。この受光増幅回路51では、帰還抵抗Rf(ゲイン抵抗)と、リファレンス抵抗Rrefとが、それぞれの抵抗値がRf>Rrefという関係を満たしている。   In order to reduce noise and obtain good offset voltage characteristics, the light receiving amplifier circuit 51 is a differential amplifier circuit AMP1, and a feedback resistor connected between the output terminal and the inverting input terminal of the differential amplifier circuit AMP1. The difference between the reference resistor Rref and the reference resistor Rref so as to compensate for the difference between the Rf, the reference resistor Rref connected to the non-inverting input terminal of the differential amplifier circuit AMP1, and the voltage between the terminals of the feedback resistor and the terminal of the reference resistor. And a compensation circuit 52 that draws the compensation current Is1 from a connection point with the non-inverting input terminal of the dynamic amplifier circuit AMP1. In this photoreceiver / amplifier circuit 51, the feedback resistor Rf (gain resistor) and the reference resistor Rref satisfy the relationship Rf> Rref.

また、受光増幅回路61は、ノイズを低減するとともに、良好なオフセット電圧特性を得るために、帰還抵抗の端子間電圧と前記リファレンス抵抗の端子間電圧との差を補償するように、受光増幅回路51における補償回路52の代わりに、帰還抵抗Rfと差動増幅回路AMP1の反転入力端子との接続点に補償電流Is11を流し込む回路62とを備えている。   In addition, the light receiving amplifier circuit 61 reduces noise and compensates for the difference between the voltage across the feedback resistor and the voltage across the reference resistor in order to obtain good offset voltage characteristics. In place of the compensation circuit 52 in 51, a circuit 62 for supplying the compensation current Is11 to the connection point between the feedback resistor Rf and the inverting input terminal of the differential amplifier circuit AMP1 is provided.

受光増幅回路51,61によれば、Rf>Rrefという関係により、低周波領域からのノイズを確実に低減することができ、帰還抵抗Rfの端子間電圧とリファレンス抵抗Rrefの端子間電圧との差を補償する補償回路52,62により良好なオフセット電圧特性を得ることができる。   According to the photoreceiver / amplifier circuits 51 and 61, noise from the low frequency region can be surely reduced due to the relationship Rf> Rref, and the difference between the voltage across the feedback resistor Rf and the voltage across the reference resistor Rref. Good offset voltage characteristics can be obtained by the compensation circuits 52 and 62 that compensate for the above.

上記の補償回路52は、リファレンス抵抗Rrefが接続される差動増幅回路AMP1の差動トランジスタ対の一方(非反転入力端子側)のベース電流を補償する。また、補償回路62は、帰還抵抗Rfが接続する差動増幅回路AMP1の差動トランジスタ対の他方(反転入力端子側)のベース電流を補償する。   The compensation circuit 52 compensates the base current of one (non-inverting input terminal side) of the differential transistor pair of the differential amplifier circuit AMP1 to which the reference resistor Rref is connected. The compensation circuit 62 compensates for the base current of the other (inverting input terminal side) of the differential transistor pair of the differential amplifier circuit AMP1 to which the feedback resistor Rf is connected.

しかしながら、受光増幅回路51,61では、抵抗による熱雑音の抑制が可能であるが、差動回路構成であるため、本実施の形態の受光増幅回路1,11における入力トランジスタTr21,Tr22のショットノイズの低減までには至っていない。   However, although the photoreceiver / amplifier circuits 51 and 61 can suppress thermal noise due to resistance, since they have a differential circuit configuration, shot noise of the input transistors Tr21 and Tr22 in the photoreceiver / amplifier circuits 1 and 11 of the present embodiment. It has not yet been reduced.

前述のように、増幅作用とは無関係のリファレンス抵抗Rref21を低減し、高速増幅を必要としない入力トランジスタのバイアス電流を低減することが望ましい。しかしながら、上記の受光増幅回路51,61は、差動増幅回路AMP1における差動トランジスタ対がエミッタ結合型であるので、一方のトランジスタのバイアス電流を所定の値に設定し、他方のトランジスタのみバイアス電流を抑制することが難しい。   As described above, it is desirable to reduce the reference resistance Rref21 unrelated to the amplification action and to reduce the bias current of the input transistor that does not require high-speed amplification. However, in the light receiving amplification circuits 51 and 61, since the differential transistor pair in the differential amplifier circuit AMP1 is an emitter coupled type, the bias current of one transistor is set to a predetermined value, and the bias current of only the other transistor is set. It is difficult to suppress.

これに対し、前述の受光増幅回路1,11では、高速信号増幅に対応した2段増幅回路構成とし、初段回路(リファレンス回路3)にて、リファレンス抵抗Rref21の低減と合わせて、入力トランジスタTr22のバイアス電流I22を低減して、ショットノイズの抑制も可能としている。   On the other hand, the light receiving amplifier circuits 1 and 11 have a two-stage amplifier circuit configuration corresponding to high-speed signal amplification. In the first stage circuit (reference circuit 3), together with the reduction of the reference resistor Rref21, the input transistor Tr22 The bias current I22 is reduced to suppress shot noise.

〔実施の形態3〕
本発明の一実施形態について図7に基づいて説明すると、以下の通りである。
[Embodiment 3]
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

図7は、本発明の実施の形態に係る光ディスク装置71の構成を示す斜視図である。   FIG. 7 is a perspective view showing the configuration of the optical disc apparatus 71 according to the embodiment of the present invention.

図7に示すように、光ディスク装置71は、光ピックアップ装置72およびスピンドルモータ73等を備えている。   As shown in FIG. 7, the optical disk device 71 includes an optical pickup device 72, a spindle motor 73, and the like.

光ピックアップ装置72は、レーザダイオード74、信号用受光IC75、レーザパワーモニタ用受光IC75、コリメータレンズ77、スポットレンズ78、ビームスプリッタ79、コリメータレンズ80および対物レンズ81を有している。   The optical pickup device 72 includes a laser diode 74, a signal light receiving IC 75, a laser power monitor light receiving IC 75, a collimator lens 77, a spot lens 78, a beam splitter 79, a collimator lens 80, and an objective lens 81.

レーザ光源としてのレーザダイオード74は、光ディスク70に照射するレーザビームを発する。レーザダイオード12に供給される駆動電流は、図示しないレーザドライバにより生成される。   A laser diode 74 as a laser light source emits a laser beam that irradiates the optical disc 70. The drive current supplied to the laser diode 12 is generated by a laser driver (not shown).

レーザダイオード74は、光ディスク装置71が1種類の光ディスク70を再生する装置であれば、単一波長のレーザビームを発する。また、レーザダイオード74は、光ディスク装置71が信号再生と信号記録とを行う装置であれば、信号再生時と信号記録時とでレーザパワーの異なる2種類のレーザビームを発する。   The laser diode 74 emits a laser beam having a single wavelength if the optical disc device 71 is a device that reproduces one type of optical disc 70. The laser diode 74 emits two types of laser beams having different laser powers at the time of signal reproduction and at the time of signal recording if the optical disk device 71 is a device that performs signal reproduction and signal recording.

信号用受光IC75は、受光面に前述のフォトダイオードPDが配されており、光ディスク70から反射されたレーザビームを受光して、検出信号として電気信号に変換するためのICである。この信号用受光IC75は、前述の受光増幅回路1または11を内蔵している。   The signal light receiving IC 75 is an IC for receiving the laser beam reflected from the optical disc 70 and converting it into an electric signal as a detection signal, the photodiode PD described above being arranged on the light receiving surface. This signal light receiving IC 75 incorporates the aforementioned light receiving amplifier circuit 1 or 11.

レーザパワーモニタ用受光IC75は、受光面にフォトダイオードが配されており、レーザダイオード74から出射されるレーザビームの一部を受光して、検出信号として電気信号に変換するためのICである。このレーザパワーモニタ用受光IC75は、受光増幅回路を内蔵しているが、その受光増幅回路が受光増幅回路1または11であってもよい。また、レーザパワーモニタ用受光ICの位置は、レーザビームを検出に必要な量を受けることができる位置であれば、図示された位置に限定されない。   The light receiving IC 75 for laser power monitoring is an IC for arranging a photodiode on the light receiving surface, receiving a part of the laser beam emitted from the laser diode 74, and converting it into an electric signal as a detection signal. The light receiving IC 75 for laser power monitoring incorporates a light receiving amplification circuit, but the light receiving amplification circuit may be the light receiving amplification circuit 1 or 11. Further, the position of the laser power monitoring light-receiving IC is not limited to the illustrated position as long as it can receive an amount necessary for detecting the laser beam.

上記のように構成される光ピックアップ装置72において、レーザダイオード74から出射されたレーザビームは、コリメータレンズ77によって平行光束に変換され、ビームスプリッタ79により偏向する。ビームスプリッタ79からのレーザビームは、さらにコリメータレンズ80を経て、対物レンズ81によって光ディスク70に集束される。光ディスク70から反射したレーザビームは、対物レンズ81およびコリメータレンズ80を経て、ビームスプリッタ79を透過した後、スポットレンズ78によって信号用受光IC75に集束される。信号用受光IC75では、レーザビームが電気信号に変換され、この電気信号からRF信号、トラッキングエラー信号などが生成される。   In the optical pickup device 72 configured as described above, the laser beam emitted from the laser diode 74 is converted into a parallel light beam by the collimator lens 77 and deflected by the beam splitter 79. The laser beam from the beam splitter 79 passes through the collimator lens 80 and is focused on the optical disk 70 by the objective lens 81. The laser beam reflected from the optical disk 70 passes through the objective lens 81 and the collimator lens 80, passes through the beam splitter 79, and is then focused on the signal light receiving IC 75 by the spot lens 78. In the signal light receiving IC 75, the laser beam is converted into an electric signal, and an RF signal, a tracking error signal, and the like are generated from the electric signal.

このように、光ピックアップ装置72においては、信号用受光IC74が受光増幅回路1または11を内蔵していることにより、受光増幅回路1または11において、ノイズの低減およびオフセット電圧特性の改善が図られる。したがって、光ピックアップ装置72の出力信号の品質が向上するので、光ピックアップ装置72の信頼性が向上する。   As described above, in the optical pickup device 72, the signal light receiving IC 74 includes the light receiving amplifier circuit 1 or 11, whereby the light receiving amplifier circuit 1 or 11 can reduce noise and improve the offset voltage characteristic. . Therefore, since the quality of the output signal of the optical pickup device 72 is improved, the reliability of the optical pickup device 72 is improved.

本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope shown in the claims. That is, embodiments obtained by combining technical means appropriately modified within the scope of the claims are also included in the technical scope of the present invention.

本発明の受光増幅回路は、低周波領域からのノイズの低減化およびオフセット電圧特性の改善が図られているので、光ディスクに対する情報の記録または再生を行うための光ピックアップ装置に好適に利用できる。   Since the light receiving and amplifying circuit of the present invention is designed to reduce noise from the low frequency region and improve the offset voltage characteristics, it can be suitably used for an optical pickup device for recording or reproducing information with respect to an optical disc.

本発明の実施の形態1に係る受光増幅回路の概略構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows schematic structure of the light reception amplifier circuit which concerns on Embodiment 1 of this invention. 図1の受光増幅回路のより詳細な構成を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a more detailed configuration of the light receiving amplification circuit of FIG. 1. 本発明の実施の形態2に係る受光増幅回路の概略構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows schematic structure of the light reception amplifier circuit which concerns on Embodiment 2 of this invention. 図2の受光増幅回路のより詳細な構成を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a more detailed configuration of the light receiving amplification circuit of FIG. 2. 本発明の比較例に係る受光増幅回路の概略構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows schematic structure of the light reception amplifier circuit which concerns on the comparative example of this invention. 本発明の比較例に係る他の受光増幅回路の概略構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows schematic structure of the other light reception amplifier circuit which concerns on the comparative example of this invention. 本発明の実施の形態3に係る光ディスク装置の概略構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows schematic structure of the optical disk apparatus based on Embodiment 3 of this invention. 本実施の形態1,2に係る受光増幅回路および一般的な受光増幅回路に接続されるフォトダイオードの構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the photodiode connected to the light reception amplifier circuit which concerns on this Embodiment 1, 2, and a general light reception amplifier circuit. 図8の各フォトダイオードが接続されている受光増幅回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the light reception amplifier circuit to which each photodiode of FIG. 8 is connected. 図9の受光増幅回路の詳細な構成を示す回路図である。FIG. 10 is a circuit diagram showing a detailed configuration of the light receiving amplification circuit of FIG. 9. 本実施の形態1,2に係る高速信号処理型の受光増幅回路および一般的な高速信号処理型の受光増幅回路の構成を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing configurations of a high-speed signal processing type light receiving amplification circuit and a general high speed signal processing type light receiving amplification circuit according to the first and second embodiments. 図11の受光増幅回路の詳細な構成を示す回路図である。FIG. 12 is a circuit diagram illustrating a detailed configuration of the light receiving amplification circuit of FIG. 11.

符号の説明Explanation of symbols

1,11 受光増幅回路
2,12 電流電圧変換回路
3,13 リファレンス回路
4,14 差動回路
5,15 補償回路(補償手段)
6,16 第1補償部
7,17 第2補償部
7b カレントミラー回路(第3カレントミラー回路)
8 電圧発生回路(第2電圧発生回路)
9 電圧発生回路(第1電圧発生回路)
61 カレントミラー回路(第1カレントミラー回路)
62 カレントミラー回路(第2カレントミラー回路)
161 カレントミラー回路(第1カレントミラー回路)
171 カレントミラー回路(第2カレントミラー回路)
Ib 光電流
I21,I31 バイアス電流
I22,I32 バイアス電流
Is21,Is31 補償電流
PD フォトダイオード(受光素子)
Rf21,Rf32 帰還抵抗(第1帰還抵抗)
Rf22 抵抗(第1抵抗)
Rf32 抵抗(第1抵抗)
Rref21,Rref31 リファレンス抵抗(第2帰還抵抗)
Rref23 抵抗(第2抵抗)
Rref33 抵抗(第2抵抗)
Tr21,Tr31 入力トランジスタ(第1入力トランジスタ)
Tr22,Tr32 入力トランジスタ(第2入力トランジスタ)
Tr63 トランジスタ(第1トランジスタ)
Tr64 トランジスタ(第2トランジスタ)
Tr66 トランジスタ(第3トランジスタ)
Tr162 トランジスタ(第1トランジスタ)
Tr163 トランジスタ(第2トランジスタ)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,11 Light reception amplifier circuit 2,12 Current voltage conversion circuit 3,13 Reference circuit 4,14 Differential circuit 5,15 Compensation circuit (compensation means)
6, 16 First compensation unit 7, 17 Second compensation unit 7b Current mirror circuit (third current mirror circuit)
8 Voltage generation circuit (second voltage generation circuit)
9 Voltage generation circuit (first voltage generation circuit)
61 Current mirror circuit (first current mirror circuit)
62 Current mirror circuit (second current mirror circuit)
161 Current mirror circuit (first current mirror circuit)
171 Current mirror circuit (second current mirror circuit)
Ib Photocurrent I21, I31 Bias current I22, I32 Bias current Is21, Is31 Compensation current PD Photodiode (light receiving element)
Rf21, Rf32 Feedback resistor (first feedback resistor)
Rf22 resistance (first resistance)
Rf32 resistance (first resistance)
Rref21, Rref31 Reference resistor (second feedback resistor)
Rref23 resistance (second resistance)
Rref33 resistance (second resistance)
Tr21, Tr31 input transistor (first input transistor)
Tr22, Tr32 Input transistor (second input transistor)
Tr63 transistor (first transistor)
Tr64 transistor (second transistor)
Tr66 transistor (third transistor)
Tr162 transistor (first transistor)
Tr163 transistor (second transistor)

Claims (9)

受光した光を光電流に変換する受光素子と、第1帰還抵抗および第1入力トランジスタを有し、当該受光素子に流れる光電流を電圧に変換する電流電圧変換回路と、第2帰還抵抗および第2入力トランジスタを有し、前記受光素子が接続されないこと以外は前記電流電圧変換回路と同一回路に構成されるリファレンス回路と、前記電流電圧変換回路および前記リファレンス回路の出力電圧差を増幅する差動回路とを備えた受光増幅回路において、
無信号時での前記電流電圧変換回路の出力電圧と前記リファレンス回路の出力電圧との差を補償する補償手段を備え、
前記第2帰還抵抗の抵抗値が、前記第1帰還抵抗の抵抗値より小さく設定され、前記第2入力トランジスタのバイアス電流が、前記第1入力トランジスタのバイアス電流より小さい電流値で設定されていることを特徴とする受光増幅回路。
A light-receiving element that converts received light into a photocurrent, a first feedback resistor and a first input transistor, a current-voltage conversion circuit that converts a photocurrent flowing through the light-receiving element into a voltage, a second feedback resistor, A reference circuit having a two-input transistor, except that the light receiving element is not connected, and a differential circuit that amplifies an output voltage difference between the current-voltage conversion circuit and the reference circuit In a light receiving amplification circuit comprising a circuit,
Compensating means for compensating for the difference between the output voltage of the current-voltage conversion circuit and the output voltage of the reference circuit when there is no signal,
The resistance value of the second feedback resistor is set smaller than the resistance value of the first feedback resistor, and the bias current of the second input transistor is set to a current value smaller than the bias current of the first input transistor. A light receiving amplification circuit characterized by that.
前記補償手段は、前記第2帰還抵抗と前記第2入力トランジスタのベースとが接続される接続部に前記出力電圧差を補償するための補償電流を供与する電流源であることを特徴とする請求項1記載の受光増幅回路。   The compensation means is a current source for supplying a compensation current for compensating the output voltage difference to a connection portion where the second feedback resistor and a base of the second input transistor are connected. Item 4. The light receiving amplifier circuit according to Item 1. 前記補償手段は、前記第1帰還抵抗と前記第1入力トランジスタのベースとが接続される接続部に前記出力電圧差を補償する補償電流を供与する電流源であることを特徴とする請求項1記載の受光増幅回路。   The compensation means is a current source for supplying a compensation current for compensating the output voltage difference to a connection portion to which the first feedback resistor and a base of the first input transistor are connected. The light receiving amplification circuit described. 前記補償電流は、前記第1帰還抵抗の抵抗値をRfとし、前記第2帰還抵抗の抵抗値をRrefとし、前記第1入力トランジスタのベース電流Ibとし、前記第2入力トランジスタのベース電流Ibrefとすると、
Rf/Rref×Ib−Ibref+Vt×ln(Ib/Ibref)/Rref
と表されることを特徴とする請求項1または2記載の受光増幅回路。
The compensation current has a resistance value of the first feedback resistor as Rf, a resistance value of the second feedback resistor as Rref, a base current Ib of the first input transistor, and a base current Ibref of the second input transistor. Then
Rf / Rref * Ib-Ibref + Vt * ln (Ib / Ibref) / Rref
The light receiving amplifier circuit according to claim 1, wherein the light receiving amplifier circuit is expressed as follows.
前記補償電流は、前記第1帰還抵抗の抵抗値をRfとし、前記第2帰還抵抗の抵抗値をRrefとし、前記第1入力トランジスタのベース電流Ibとし、前記第2入力トランジスタのベース電流Ibrefとすると、
Ib−Rref/Rf×Ibref+Vt×ln(Ib/Ibref)/Rf
と表されることを特徴とする請求項1または3記載の受光増幅回路。
The compensation current has a resistance value of the first feedback resistor as Rf, a resistance value of the second feedback resistor as Rref, a base current Ib of the first input transistor, and a base current Ibref of the second input transistor. Then
Ib-Rref / Rf * Ibref + Vt * ln (Ib / Ibref) / Rf
The light-receiving amplifier circuit according to claim 1 or 3, wherein
前記補償手段は、
第1カレントミラー回路と、
当該第1カレントミラー回路の出力を入力とする第2カレントミラー回路と、
前記第1入力トランジスタを駆動するバイアス電流に、前記第1帰還抵抗と前記第2帰還抵抗との抵抗比を乗じた大きさのバイアス電流を供与する第1トランジスタと、
当該第1トランジスタのコレクタにエミッタが接続されるとともに、ベースが前記第1カレントミラー回路の一方の出力に接続される第2トランジスタと、
前記第2入力トランジスタを駆動するバイアス電流と同一電流で駆動され、ベースが前記第1カレントミラー回路の他方の出力に接続される第3トランジスタとを含み、
前記第2カレントミラー回路から第1補償電流を供与する第1補償部と、
前記第1入力トランジスタを駆動するバイアス電流と同一電流で駆動され、前記第1入力トランジスタのベース−エミッタ間電圧と同一電圧を発生する第1電圧発生回路と、
当該第1電圧発生回路の出力に接続される第1抵抗と、
前記第2入力トランジスタを駆動するバイアス電流と同一電流で駆動され、前記第2入力トランジスタのベース−エミッタ間電圧と同一電圧を発生する第2電圧発生回路と、
当該第2電圧発生回路の出力に接続される第2抵抗と、
前記第1および第2抵抗に流れる電流の差を出力する第3カレントミラー回路とを含み、
当該第3カレントミラー回路から第2補償電流を供与する第2補償部とを有し、
前記第1および第2補償電流を合わせて前記補償電流を供与することを特徴とする請求項1、2または4記載の受光増幅回路。
The compensation means includes
A first current mirror circuit;
A second current mirror circuit having the output of the first current mirror circuit as an input;
A first transistor for supplying a bias current having a magnitude obtained by multiplying a bias current for driving the first input transistor by a resistance ratio between the first feedback resistor and the second feedback resistor;
A second transistor having an emitter connected to the collector of the first transistor and a base connected to one output of the first current mirror circuit;
A third transistor driven by the same current as a bias current for driving the second input transistor and having a base connected to the other output of the first current mirror circuit;
A first compensation unit for providing a first compensation current from the second current mirror circuit;
A first voltage generation circuit that is driven with the same current as a bias current for driving the first input transistor and generates the same voltage as a base-emitter voltage of the first input transistor;
A first resistor connected to the output of the first voltage generation circuit;
A second voltage generation circuit that is driven with the same current as a bias current for driving the second input transistor and generates the same voltage as a base-emitter voltage of the second input transistor;
A second resistor connected to the output of the second voltage generating circuit;
A third current mirror circuit that outputs a difference between currents flowing through the first and second resistors,
A second compensation unit for providing a second compensation current from the third current mirror circuit,
5. The photoreceiver / amplifier circuit according to claim 1, wherein the first and second compensation currents are combined to provide the compensation current.
前記補償手段は、
第1カレントミラー回路と、
前記第1入力トランジスタを駆動するバイアス電流と同じバイアス電流を供与する第1トランジスタと、
前記第1トランジスタのコレクタにエミッタが接続されるとともに、ベースが前記第1カレントミラー回路の出力に接続される第2トランジスタと、
前記第2入力トランジスタを駆動するバイアス電流に前記第2帰還抵抗と前記第1帰還抵抗との抵抗比を乗じた大きさのバイアス電流を供与し、ベースが前記第1カレントミラー回路の出力に接続される第3トランジスタとを含み、
前記第1カレントミラー回路から第1補償電流を供与する第1補償部と、
前記第1入力トランジスタを駆動するバイアス電流と同一電流で駆動され、前記第1入力トランジスタのベース−エミッタ間電圧と同一電圧を発生する第1電圧発生回路と、
当該第1電圧発生回路の出力に接続される第1抵抗と、
前記第2入力トランジスタを駆動するバイアス電流と同一電流で駆動され、前記第2入力トランジスタのベース−エミッタ間電圧と同一電圧を発生する第2電圧発生回と、
当該第2電圧発生回路の出力に接続される第2抵抗と、
前記第1および第2抵抗に流れる電流の差を出力する第2カレントミラー回路とを含み、
当該第2カレントミラー回路から第2補償電流を供与する第2補償部とを有し、
前記第1および第2補償電流を合わせて前記補償電流を供与することを特徴とする請求項1、3または5記載の受光増幅回路。
The compensation means includes
A first current mirror circuit;
A first transistor providing the same bias current as the bias current driving the first input transistor;
A second transistor having an emitter connected to the collector of the first transistor and a base connected to the output of the first current mirror circuit;
A bias current having a magnitude obtained by multiplying a bias current for driving the second input transistor by a resistance ratio between the second feedback resistor and the first feedback resistor is provided, and a base is connected to an output of the first current mirror circuit. A third transistor to be
A first compensation unit for providing a first compensation current from the first current mirror circuit;
A first voltage generation circuit that is driven with the same current as a bias current for driving the first input transistor and generates the same voltage as a base-emitter voltage of the first input transistor;
A first resistor connected to the output of the first voltage generation circuit;
A second voltage generation circuit that is driven with the same current as the bias current for driving the second input transistor and generates the same voltage as the base-emitter voltage of the second input transistor;
A second resistor connected to the output of the second voltage generating circuit;
A second current mirror circuit that outputs a difference between currents flowing through the first and second resistors,
A second compensation unit for providing a second compensation current from the second current mirror circuit,
6. The photoreceiver / amplifier circuit according to claim 1, wherein the first and second compensation currents are combined to provide the compensation current.
請求項1から7のいずれか1項に記載の受光増幅回路を備えていることを特徴とする光ピックアップ装置。   An optical pickup device comprising the light receiving amplification circuit according to claim 1. 請求項8に記載の光ピックアップ装置を備えていることを特徴とする光ディスク装置。   An optical disc apparatus comprising the optical pickup device according to claim 8.
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