JP2003197798A - Cap of package for high frequency circuit and the package using the same - Google Patents

Cap of package for high frequency circuit and the package using the same

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JP2003197798A JP2001395383A JP2001395383A JP2003197798A JP 2003197798 A JP2003197798 A JP 2003197798A JP 2001395383 A JP2001395383 A JP 2001395383A JP 2001395383 A JP2001395383 A JP 2001395383A JP 2003197798 A JP2003197798 A JP 2003197798A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a cap of a package for a high frequency circuit provided with a resonance restriction function and to provide the package using this. <P>SOLUTION: In the cap of the package for the high frequency circuit composed of a metallic plate, a conductive layer is arranged on a ceiling surface facing the forming surface of the high frequency circuit in the case of constituting the package through an insulating layer, and the area of the conductive layer with respect to the area S of the ceiling surface is 0.5S or more. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波回路用パッ
ケージ蓋体及びこれを用いた高周波回路用パッケージに
関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high frequency circuit package cover and a high frequency circuit package using the same.

【０００２】[0002]

【従来の技術】高周波回路用パッケージでは、金属、合
成樹脂、又はセラミックス等からなる高周波回路用パッ
ケージ蓋体をパッケージベースに取り付けることにより
気密封止を行う。従って、前記高周波回路用パッケージ
内には直方体状の空洞が形成されることから、高周波回
路用パッケージは方形空洞共振器と同様の性質を有す
る。そのため前記空洞の寸法によって定まる遮断周波数
より高い周波数帯域で、空洞共振を生じるので、前記周
波数帯域で動作する高周波半導体素子あるいはその他の
回路素子を高周波回路用パッケージに実装する場合に
は、前記空洞の寸法を小さくすることによって、遮断周
波数を前記素子が動作する周波数帯域よりも十分に高く
している。しかしながら前記方法では、素子の動作周波
数が高周波化するに伴い、前記素子が動作する周波数帯
域より空洞共振が生じる周波数の方が低くなるという問
題がある。この問題点を解決するために、電磁波吸収体
を高周波回路用パッケージ内部に配設して、空洞共振時
の電界又は磁界エネルギーを吸収することにより、空洞
共振を抑制する方法が採られている。2. Description of the Related Art A high frequency circuit package is hermetically sealed by attaching a high frequency circuit package lid made of metal, synthetic resin, ceramics or the like to a package base. Therefore, since the rectangular parallelepiped cavity is formed in the high frequency circuit package, the high frequency circuit package has the same properties as the rectangular cavity resonator. Therefore, cavity resonance occurs in a frequency band higher than the cutoff frequency determined by the dimensions of the cavity, and therefore, when a high frequency semiconductor element or other circuit element operating in the frequency band is mounted in a high frequency circuit package, Due to the small size, the cut-off frequency is sufficiently higher than the frequency band in which the device operates. However, the above method has a problem that as the operating frequency of the element increases, the frequency at which the cavity resonance occurs becomes lower than the frequency band in which the element operates. In order to solve this problem, a method has been adopted in which an electromagnetic wave absorber is disposed inside a high frequency circuit package to absorb electric field or magnetic field energy at the time of cavity resonance, thereby suppressing cavity resonance.

【０００３】例えば、高周波回路用パッケージ内部に使
用される電磁波吸収体としては、図７の高周波回路用パ
ッケージ７０のように、高周波回路用パッケージ蓋体７
１、パッケージベース７３に直方体の形状を有するフェ
ライトシートからなる電磁波吸収体７２を装着したも
の、あるいは液状のフェライト塗料を塗布したもの（特
開平６−２３６９３５号公報）が知られている。For example, as an electromagnetic wave absorber used inside a high frequency circuit package, a high frequency circuit package lid 7 such as a high frequency circuit package 70 shown in FIG.
There are known ones in which the electromagnetic wave absorber 72 formed of a ferrite sheet having a rectangular parallelepiped shape is mounted on the package base 73, or one in which a liquid ferrite paint is applied (JP-A-6-236935).

【０００４】また、例えば、図８の半導体装置８０は、
セラミック積層筐体８１、チップダイボンド樹脂８２、
半導体集積回路素子８３、ワイヤー８４、内部リード８
５、メタルキャップ８６、リード８７からなり、電磁波
吸収物質（例えばフェライト）を混入した樹脂膜（電磁
波吸収膜８８という）を半導体集積回路素子８３の表
面、及びメタルキャップ８６の内面、パッケージ外面の
リード８７の側面にコートしたもの（特開昭６０−５５
６４４）が知られている。Further, for example, the semiconductor device 80 of FIG.
Ceramic laminated housing 81, chip die bond resin 82,
Semiconductor integrated circuit element 83, wire 84, internal lead 8
5, a resin film (referred to as an electromagnetic wave absorbing film 88) containing an electromagnetic wave absorbing material (for example, ferrite) mixed with the metal cap 86 and the lead 87, and leads on the surface of the semiconductor integrated circuit element 83, the inner surface of the metal cap 86 and the outer surface of the package 87 side surface coated (JP-A-60-55)
644) is known.

【０００５】また、例えば、図９の半導体パッケージ９
０は、Ａｌ製ヒートスプレッダ９１を囲むように着設し
た軟磁性材料からなる支持枠９２には所定のスルーホー
ルが設けてあり、スルーホールを通してリードフレーム
９３が支持枠９２の表裏面に所要パターンで露出するよ
うに配置してあり、フェライト製支持枠９２の底面側の
インナーリード部とヒートスプレッダ９１上に搭載した
ＬＳＩチップ９４とインナーリードを被覆するように、
Ｎｉ−Ｚｎ系焼結フェライトからなるキャップ９５を絶
縁材９６にて封着したもの（特開平５−２４３４１２）
が知られている。Further, for example, the semiconductor package 9 shown in FIG.
In No. 0, a predetermined through hole is provided in a support frame 92 made of a soft magnetic material attached so as to surround the Al heat spreader 91, and the lead frame 93 is formed on the front and back surfaces of the support frame 92 through the through hole in a predetermined pattern. It is arranged so as to be exposed so as to cover the inner lead portion on the bottom surface side of the ferrite support frame 92, the LSI chip 94 mounted on the heat spreader 91, and the inner lead.
Cap 95 made of Ni-Zn sintered ferrite sealed with an insulating material 96 (Japanese Patent Laid-Open No. 5-243412)
It has been known.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７の
高周波回路用パッケージ７０のように、高周波回路用パ
ッケージ蓋体７１、パッケージベース７３によって構成
された空洞のコーナー部に電磁波吸収体７２を装着する
方法は、空洞共振時の電界又は磁界エネルギーを効率よ
く吸収し、空洞共振を抑制することができるが、高周波
回路用パッケージ７０の厚さが薄くなると、パッケージ
ベース７３上の伝送線路の信号が減衰するという問題が
ある。However, like the high-frequency circuit package 70 of FIG. 7, the electromagnetic wave absorber 72 is attached to the corner portion of the cavity formed by the high-frequency circuit package lid 71 and the package base 73. Although the method can efficiently absorb the electric field or magnetic field energy at the time of cavity resonance and suppress the cavity resonance, when the thickness of the high frequency circuit package 70 becomes thin, the signal of the transmission line on the package base 73 is attenuated. There is a problem of doing.

【０００７】また、図８の半導体装置８０のように、電
磁波吸収膜８８を半導体集積回路素子８３の表面、パッ
ケージ外面のリード８７の側面にコートする方法は、半
導体装置あるいは装置内部の集積回路素子からの電磁波
を抑制し、空洞共振を抑制することができるが、信号が
減衰するという問題がある。Further, as in the semiconductor device 80 of FIG. 8, a method of coating the electromagnetic wave absorption film 88 on the surface of the semiconductor integrated circuit element 83 and the side surface of the lead 87 on the outer surface of the package is a semiconductor device or an integrated circuit element inside the device. Although it is possible to suppress the electromagnetic wave from the antenna and suppress the cavity resonance, there is a problem that the signal is attenuated.

【０００８】また、図９の半導体パッケージ９０のよう
に、軟磁性材料からなる支持枠９２内にリードフレーム
９３を配置する方法は、空洞共振を抑制することができ
るが、信号が減衰するという問題がある。Further, the method of arranging the lead frame 93 in the support frame 92 made of a soft magnetic material like the semiconductor package 90 of FIG. 9 can suppress the cavity resonance, but the problem of signal attenuation. There is.

【０００９】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明では、上記課題に
対して検討を重ねた結果、金属板からなる高周波回路用
パッケージの蓋体であって、パッケージを構成したとき
に高周波回路形成面と対向する天井面上に絶縁層を介し
て導電層を配設し、前記天井面の面積Ｓに対する前記導
電層の面積が０．５Ｓ以上であることを特徴とするもの
である。In the present invention, as a result of repeated studies on the above-mentioned problems, a lid for a high frequency circuit package made of a metal plate, which serves as a high frequency circuit forming surface when the package is constructed. A conductive layer is disposed on the facing ceiling surface via an insulating layer, and the area of the conductive layer with respect to the area S of the ceiling surface is 0.5 S or more.

【００１０】さらに、少なくとも表面の一部に金属層を
有する絶縁体基板からなる高周波回路用パッケージの蓋
体であって、パッケージを構成したときに高周波回路形
成面と対向する天井面上に絶縁層を介して導電層を配設
し、前記天井面の面積Ｓに対する前記導電層の面積が
０．５Ｓ以上であることを特徴とするものである。Further, a lid of a package for a high-frequency circuit, which is composed of an insulating substrate having a metal layer on at least a part of its surface, the insulating layer being provided on the ceiling surface facing the high-frequency circuit forming surface when the package is constructed. A conductive layer is disposed through the conductive layer, and the area of the conductive layer with respect to the area S of the ceiling surface is 0.5 S or more.

【００１１】さらに、前記金属板または前記絶縁体基板
が有底形状からなり、その端面から前記天井面までの高
さをＨとするとき、前記端面から前記導電層までの高さ
が０．５Ｈ〜０．９５Ｈであることを特徴とするもので
ある。Further, when the metal plate or the insulating substrate has a bottomed shape and the height from the end face to the ceiling face is H, the height from the end face to the conductive layer is 0.5H. It is characterized by being ~ 0.95H.

【００１２】さらに、前記導電層の厚さが０．１μｍ以
上であることを特徴とするものである。Further, the thickness of the conductive layer is 0.1 μm or more.

【００１３】さらに、前記導電層が金属からなり、その
表面の少なくとも一部に金属酸化物が形成されているこ
とを特徴とするものである。Further, the conductive layer is made of metal, and a metal oxide is formed on at least a part of the surface thereof.

【００１４】さらに、前記高周波回路用パッケージ蓋体
の天井面を、パッケージベース上に形成された高周波回
路形成面に対向するように配設してなることを特徴とす
るものである。Furthermore, the ceiling surface of the high-frequency circuit package lid is disposed so as to face the high-frequency circuit forming surface formed on the package base.

【００１５】さらに、前記高周波回路形成面から前記高
周波回路用パッケージ蓋体の天井面までの高さをＴとす
るとき、前記高周波回路形成面から前記導電層までの高
さが０．５Ｔ〜０．９５Ｔであることを特徴とするもの
である。Further, when the height from the high-frequency circuit forming surface to the ceiling surface of the high-frequency circuit package lid is T, the height from the high-frequency circuit forming surface to the conductive layer is 0.5T to 0. It is characterized by being 0.95T.

【００１６】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態として、
高周波回路用パッケージ蓋体とこれを用いた高周波回路
用パッケージについて説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, as embodiments of the present invention,
A high frequency circuit package cover and a high frequency circuit package using the same will be described.

【００１７】例えば図１に示すように、本発明の高周波
回路用パッケージ蓋体１０は、金属板１１のパッケージ
を構成したときに高周波回路形成面と対向する天井面１
１ａ上に絶縁層１２が配設され、絶縁層１２上に導電層
１３が配設され、金属板１１の天井面１１ａの面積Ｓに
対する導電層１３の面積を０．５Ｓ以上としてある。For example, as shown in FIG. 1, a high-frequency circuit package lid 10 of the present invention has a ceiling surface 1 facing a high-frequency circuit forming surface when a metal plate 11 package is formed.
The insulating layer 12 is disposed on the la 1a, the conductive layer 13 is disposed on the insulating layer 12, and the area of the conductive layer 13 with respect to the area S of the ceiling surface 11a of the metal plate 11 is 0.5S or more.

【００１８】本発明の高周波回路用パッケージ蓋体１０
を高周波回路用パッケージの上蓋として使用すると空洞
共振を十分に抑制することが出来る。The high-frequency circuit package lid 10 of the present invention
When is used as an upper lid for a high frequency circuit package, cavity resonance can be sufficiently suppressed.

【００１９】しかし、高周波回路用パッケージ蓋体１０
に絶縁層１２がない場合は、金属板１１と導電層１３が
接触するため、高周波回路用パッケージ蓋体１０を高周
波回路用パッケージの高周波回路用パッケージ上蓋とし
て使用しても空洞共振を抑制することが出来ない。ま
た、絶縁層１２と導電層１３いずれもない場合、及び導
電層１３がない場合は同様に空洞共振を抑制することが
出来ない。However, the package lid 10 for the high frequency circuit
If the insulating layer 12 is not provided on the metal plate 11, the metal plate 11 and the conductive layer 13 are in contact with each other. I can't. Similarly, when neither the insulating layer 12 nor the conductive layer 13 is present, or when the conductive layer 13 is not present, the cavity resonance cannot be suppressed similarly.

【００２０】また、導電層１３の面積が０．５Ｓ未満の
高周波回路用パッケージ蓋体１０を高周波回路用パッケ
ージの高周波回路用パッケージ上蓋として使用すると空
洞共振を抑制することが出来ない。If the high-frequency circuit package cover 10 having the conductive layer 13 area of less than 0.5S is used as the high-frequency circuit package upper cover of the high-frequency circuit package, the cavity resonance cannot be suppressed.

【００２１】但し、前記天井面１１ａとは、金属板１１
を高周波回路用パッケージの高周波回路用パッケージ上
蓋として使用した場合に高周波回路用パッケージの空洞
面と、高周波回路形成面に対向する面であり、金属板１
１の天井面１１ａの面積Ｓとは、高周波回路用パッケー
ジ蓋体１０と高周波回路用パッケージとを接合する面を
除いた面積である。However, the ceiling surface 11a means the metal plate 11
Is a surface facing the cavity surface of the high-frequency circuit package and the high-frequency circuit forming surface when used as a high-frequency circuit package upper lid of the high-frequency circuit package.
The area S of the ceiling surface 11a of No. 1 is the area excluding the surface for joining the high-frequency circuit package lid 10 and the high-frequency circuit package.

【００２２】ここで、金属板１1は、例えば、コバー
ル、ステンレス、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎ
ｉ、ＣｕＷ、パーマロイ、パーメンジュール、フェロシ
リコン、センダスト、アモルファス合金、電磁ステンレ
ス鋼、窒化鉄、その他のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ基合金、Ｃ
ｕ、Ｍｏ基合金等の金属、あるいは金属にＮｉメッキ、
Ａｕメッキを施したもの等が使用でき、高周波回路用パ
ッケージを構成するパッケージベースの材質、デバイス
形態、用途に応じて適宜選定できる。この中でも、化学
的安定性が高く、前記パッケージベースと線膨張係数が
近いコバール、ステンレス、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ基合金、
Ａｕメッキ付きコバールが好ましく、特にＡｕメッキ付
きコバールが好ましい。Here, the metal plate 11 is, for example, Kovar, stainless steel, Al, Au, Ag, Cu, Fe, N.
i, CuW, permalloy, permendur, ferrosilicon, sendust, amorphous alloy, electromagnetic stainless steel, iron nitride, other Fe, Co, Ni-based alloy, C
u, metal such as Mo-based alloy, or Ni plating on metal,
A material plated with Au or the like can be used, and can be appropriately selected according to the material, device form, and application of the package base that constitutes the high-frequency circuit package. Among these, Kovar, stainless steel, Fe, Co, and Ni-based alloys, which have high chemical stability and a linear expansion coefficient close to that of the package base,
Au-plated Kovar is preferable, and Au-plated Kovar is particularly preferable.

【００２３】また、絶縁層１２は、例えば、アルミナ、
コーディエライト、ステアタイト、ムライト、ジルコニ
ア等のセラミックス、ホウ珪酸ガラス、あるいはエポキ
シ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド、ポリアミ
ド、塩素化ポリエチレン、ウレタン、クロロプレンゴ
ム、ナイロン、ポリエチレン、シリコーン樹脂等の合成
樹脂があり、これらのうち１種類、または２種類以上を
混合、積層して使用することができる。特に、ホウ珪酸
ガラスが好ましい。The insulating layer 12 is made of, for example, alumina,
Ceramics such as cordierite, steatite, mullite and zirconia, borosilicate glass, or synthetic resins such as epoxy resin, phenol resin, polyimide, polyamide, chlorinated polyethylene, urethane, chloroprene rubber, nylon, polyethylene and silicone resin Among these, one kind or two or more kinds can be mixed and laminated and used. Borosilicate glass is particularly preferable.

【００２４】また、導電層１３は、例えば、コバール、
ステンレス、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃ
ｕＷ、パーマロイ、パーメンジュール、フェロシリコ
ン、センダスト、アモルファス合金、電磁ステンレス
鋼、窒化鉄、その他のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ基合金、Ｃｕ、
Ｍｏ基合金等の金属、あるいは金属にＮｉメッキ、Ａｕ
メッキを施したもの等が使用できる。The conductive layer 13 is, for example, Kovar,
Stainless steel, Al, Au, Ag, Cu, Fe, Ni, C
uW, permalloy, permendur, ferrosilicon, sendust, amorphous alloy, electromagnetic stainless steel, iron nitride, other Fe, Co, Ni-based alloy, Cu,
Metals such as Mo-based alloys, or Ni plating on metal, Au
A plated product can be used.

【００２５】また、図２に他の実施形態を示すように、
本発明の高周波回路用パッケージ蓋体２０は、少なくと
も表面の一部に金属鍍金処理により金属層を形成した絶
縁体基板２１と、絶縁体基板２１の天井面２１ａ上に配
設した絶縁層２２と、絶縁層２２上に配設した導電層２
３とからなり、絶縁体基板２１の天井面２１ａの面積Ｓ
に対する導電層２３の面積を０．５Ｓ以上としてある。Further, as shown in another embodiment in FIG.
The high-frequency circuit package lid 20 of the present invention includes an insulating substrate 21 having a metal layer formed on at least a part of the surface by a metal plating treatment, and an insulating layer 22 provided on a ceiling surface 21a of the insulating substrate 21. , The conductive layer 2 disposed on the insulating layer 22
And the area S of the ceiling surface 21a of the insulator substrate 21.
The area of the conductive layer 23 is 0.5 S or more.

【００２６】本発明の高周波回路用パッケージ蓋体２０
を高周波回路用パッケージの上蓋として使用すると空洞
共振を十分に抑制することが出来る。The high-frequency circuit package lid 20 of the present invention
When is used as an upper lid for a high frequency circuit package, cavity resonance can be sufficiently suppressed.

【００２７】しかし、高周波回路用パッケージ蓋体２０
に絶縁層２２がない場合は、金属板２１と導電層２３が
接触するため、高周波回路用パッケージ蓋体２０を高周
波回路用パッケージの高周波回路用パッケージ上蓋とし
て使用しても空洞共振を抑制することが出来ない。ま
た、絶縁層２２と導電層２３いずれもない場合、及び導
電層２３がない場合は同様に空洞共振を抑制することが
出来ない。However, the package lid 20 for the high frequency circuit
If the insulating layer 22 does not exist, the metal plate 21 and the conductive layer 23 are in contact with each other, so that the cavity resonance can be suppressed even when the high frequency circuit package cover 20 is used as a high frequency circuit package upper cover of the high frequency circuit package. I can't. Similarly, when neither the insulating layer 22 nor the conductive layer 23 is present, or when the conductive layer 23 is not present, the cavity resonance cannot be suppressed similarly.

【００２８】また、導電層２３の面積が０．５Ｓ未満の
高周波回路用パッケージ蓋体２０を高周波回路用パッケ
ージの高周波回路用パッケージ上蓋として使用すると空
洞共振を抑制することが出来ない。If the high-frequency circuit package cover 20 having the conductive layer 23 area of less than 0.5 S is used as the high-frequency circuit package upper cover of the high-frequency circuit package, the cavity resonance cannot be suppressed.

【００２９】また、他の実施形態を図３に示すように、
本発明の高周波回路用パッケージ蓋体３０は、有底形状
からなる金属板３１と、金属板３１の天井面３１ａ上に
配設した絶縁層３２と、絶縁層３２上に配設された導電
層３３とから構成することも出来る。また、例えば図４
に示すように、本発明の高周波回路用パッケージ蓋体４
０は、有底形状からなる絶縁体基板４１の天井面４１ａ
上に配設した絶縁層４２と、絶縁層４２上に配設した導
電層４３とからなり、高周波回路用パッケージ蓋体３
０、４０の端面３１ｂ、４１ｂから天井面３１ａ、４１
ａまでの高さをＨとするとき、端面３１ｂ、４１ｂから
導電層３３、４３までの高さが０．５Ｈ〜０．９５Ｈで
あることが好ましい。Another embodiment is shown in FIG.
The high-frequency circuit package lid 30 of the present invention includes a bottomed metal plate 31, an insulating layer 32 provided on the ceiling surface 31a of the metal plate 31, and a conductive layer provided on the insulating layer 32. It can also be composed of 33 and. Also, for example, in FIG.
As shown in FIG.
0 is the ceiling surface 41a of the insulating substrate 41 having a bottomed shape
The high-frequency circuit package lid 3 includes an insulating layer 42 disposed above and a conductive layer 43 disposed on the insulating layer 42.
0, 40 end surfaces 31b, 41b to ceiling surfaces 31a, 41
When the height to a is H, the height from the end faces 31b and 41b to the conductive layers 33 and 43 is preferably 0.5H to 0.95H.

【００３０】端面３１ｂ、４１ｂから導電層３３、４３
までの高さが０．５Ｈ〜０．９５Ｈの高周波回路用パッ
ケージ蓋体３０、４０を高周波回路用パッケージの上蓋
として使用すると高周波回路用パッケージの空洞共振を
十分に抑制することが出来きる。From the end faces 31b and 41b to the conductive layers 33 and 43.
If the high frequency circuit package lids 30 and 40 having a height of 0.5H to 0.95H are used as the upper lid of the high frequency circuit package, the cavity resonance of the high frequency circuit package can be sufficiently suppressed.

【００３１】また、端面３１ｂ、４１ｂから導電層３
３、４３までの高さが０．５Ｈ未満または０．９５Ｈよ
り大きいと高周波回路用パッケージの共振抑制効果が小
さい。Further, the conductive layer 3 is formed from the end faces 31b and 41b.
If the height up to 3, 43 is less than 0.5H or more than 0.95H, the resonance suppressing effect of the high-frequency circuit package is small.

【００３２】ここで、前記有底形状とは、図３、図４に
示す金属板３１、絶縁体基板４１の様に、段付きケース
のことである。Here, the bottomed shape means a stepped case like the metal plate 31 and the insulating substrate 41 shown in FIGS.

【００３３】また、図１〜図４に示す実施形態におい
て、導電層１３、２３、３３、４３の厚さは、０．１μ
ｍ以上であることが好ましい。これは、厚さが０．１μ
ｍ未満であると共振抑制効果が小さいためである。特に
導電層１３、２３、３３、４３の厚さの下限は１μｍが
好ましく、上限は２００μｍが好ましい。In the embodiment shown in FIGS. 1 to 4, the conductive layers 13, 23, 33 and 43 have a thickness of 0.1 μm.
It is preferably m or more. It has a thickness of 0.1μ
This is because if it is less than m, the resonance suppressing effect is small. Particularly, the lower limit of the thickness of the conductive layers 13, 23, 33, 43 is preferably 1 μm, and the upper limit thereof is preferably 200 μm.

【００３４】また、前記導電層１３，２３、３３、４３
は金属からなり、金属の表面の少なくとも一部に金属酸
化物が形成されていることが好ましい。特に、金属板１
０、３０、絶縁体基板２０、４０の線膨張係数と同程度
の線膨張係数を有する金属であることが好ましい。Further, the conductive layers 13, 23, 33, 43
Is preferably a metal, and a metal oxide is preferably formed on at least a part of the surface of the metal. In particular, metal plate 1
It is preferable that the metal has a coefficient of linear expansion similar to that of the insulating substrates 20 and 40.

【００３５】尚、前記導電層１３、２３、３３、４３、
前記絶縁層１２、２２、３２は、接着剤等を介して金属
板１０、３０又は絶縁体基板２０、４０に固定されても
良く、また絶縁層が接着剤であっても良い。The conductive layers 13, 23, 33, 43,
The insulating layers 12, 22, 32 may be fixed to the metal plates 10, 30 or the insulating substrates 20, 40 with an adhesive or the like, or the insulating layers may be an adhesive.

【００３６】次に本発明の高周波回路用パッケージ蓋体
を用いた高周波回路用パッケージを説明する。図５に示
すように、本発明の高周波回路用パッケージ５０は、高
周波回路用パッケージ蓋体５５の天井面５５ａと半導体
素子５１またはパッケージベース５２上に形成された高
周波伝送線路５４の形成面とが対向するように配設す
る。これによって、高周波伝送線路５４の信号減衰が全
く無く、空洞共振を抑制することができるため、高周波
回路用パッケージ５０は良好な伝送特性を示す。Next, a high frequency circuit package using the high frequency circuit package lid of the present invention will be described. As shown in FIG. 5, in the high frequency circuit package 50 of the present invention, the ceiling surface 55a of the high frequency circuit package lid 55 and the formation surface of the high frequency transmission line 54 formed on the semiconductor element 51 or the package base 52 are formed. They are arranged so as to face each other. As a result, since there is no signal attenuation of the high frequency transmission line 54 and cavity resonance can be suppressed, the high frequency circuit package 50 exhibits good transmission characteristics.

【００３７】また、本発明の高周波回路用パッケージ５
０は、高周波伝送線路５４の形成面から高周波回路用パ
ッケージ蓋体５５の天井面５５ａまでの高さをＴとする
とき、高周波伝送線路５４の形成面から導電層５６まで
の高さが０．５Ｔ〜０．９５Ｔであることが好ましい。The high frequency circuit package 5 of the present invention is also provided.
0 is the height from the formation surface of the high frequency transmission line 54 to the conductive layer 56, where T is the height from the formation surface of the high frequency transmission line 54 to the ceiling surface 55a of the package cover 55 for high frequency circuits. It is preferably 5T to 0.95T.

【００３８】この高さが０．５Ｔ未満または０．９５Ｔ
より大きいと高周波回路用パッケージ５０の共振抑制効
果が小さい。This height is less than 0.5T or 0.95T
When it is larger, the resonance suppressing effect of the high frequency circuit package 50 is small.

【００３９】[0039]

【実施例】実施例１ 図６に示すように、マイクロストリップラインの高周波
伝送線路６４が形成されたパッケージベース６２と、高
周波回路用パッケージ蓋体６５と、高周波回路用パッケ
ージ蓋体６５の天井面６５ａ上に配設した絶縁層６７
と、絶縁層６７上に配設した導電層６６とからなる高周
波回路用パッケージ６０を用いて伝送特性を評価した。 EXAMPLE 1 As shown in FIG. 6, a package base 62 on which a high frequency transmission line 64 of a microstrip line is formed, a high frequency circuit package lid 65, and a ceiling surface of the high frequency circuit package lid 65. Insulating layer 67 disposed on 65a
The transmission characteristics were evaluated using the high-frequency circuit package 60 including the conductive layer 66 disposed on the insulating layer 67.

【００４０】尚、高周波回路用パッケージ６０は、外径
８ｍｍ高さ０．７ｍｍの空洞を有し、導電層６６の厚
さ、絶縁層６７の厚さを各種設定した。導電層６６に
は、アルミ箔（Ａｌ）、７８パーマロイ（Ｆｅ−Ｎ
ｉ）、表面を酸化処理した７８パーマロイ、銅箔（Ｃ
ｕ）を使用し、比較材として電磁波吸収体（カーボニル
鉄９５ｗｔ％エポキシ樹脂５％）を使用した。The high-frequency circuit package 60 has a cavity having an outer diameter of 8 mm and a height of 0.7 mm, and various thicknesses of the conductive layer 66 and the insulating layer 67 are set. The conductive layer 66 includes aluminum foil (Al) and 78 permalloy (Fe-N).
i), 78 permalloy whose surface is oxidized, copper foil (C
u) was used, and an electromagnetic wave absorber (carbonyl iron 95 wt% epoxy resin 5%) was used as a comparative material.

【００４１】また、絶縁層６７には、エポキシ樹脂、ア
ルミナ基板、ガラス基板、低融点ガラスを使用した。
尚、エポキシ樹脂、低融点ガラスは高周波回路用パッケ
ージ蓋体６５と導電層６６を接着するために熱圧着し
た。For the insulating layer 67, epoxy resin, alumina substrate, glass substrate, and low melting point glass are used.
The epoxy resin and the low melting point glass were thermocompression bonded to bond the high frequency circuit package cover 65 and the conductive layer 66.

【００４２】尚、高周波回路用パッケージ蓋体６５には
Ａｕメッキ付きコバール（ＫＯＶ）を使用した。The high-frequency circuit package cover 65 is made of Au-plated Kovar (KOV).

【００４３】但し、高周波回路用パッケージ６０の伝送
特性は、電力透過係数（Ｓ21）を、ネットワークアナラ
イザーを用いて１００ＭＨｚ〜４０ＧＨｚまで測定し、
共振抑制効果が良好なものを○、少し効果があったもの
を△、効果がないものを×とした。また、伝送特性は、
パッケージベース６２単体でのＳ21を基準にして、金属
板６５を配設したときの差が０．１ｄＢ未満であれば
○、０．１dＢ程度であれば△、それ以外を×とした。However, the transmission characteristic of the high frequency circuit package 60 is that the power transmission coefficient (S 21 ) is measured from 100 MHz to 40 GHz using a network analyzer,
The case where the resonance suppressing effect was good was evaluated as ◯, the case where the resonance suppressing effect was slightly effective was evaluated as Δ, and the case where the effect was not effective was evaluated as x. In addition, the transmission characteristics are
With respect to S 21 of the package base 62 alone, the difference when the metal plate 65 is arranged is less than 0.1 dB, the result is Δ, the difference is about 0.1 dB, and the other is x.

【００４４】表１の結果から明らかなように、本発明の
範囲内である試料Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１５は、共振抑制効
果があり、且つ高周波回路用パッケージ６０の伝送特性
も良好であることから好適に使用することができた。As is clear from the results in Table 1, the sample No. within the scope of the present invention. 1-No. No. 15 has a resonance suppressing effect, and has a good transmission characteristic of the high-frequency circuit package 60, and thus can be suitably used.

【００４５】一方、試料Ｎｏ．１６、試料Ｎｏ．１７は
アルミ箔の面積がそれぞれ０．２Ｓ、０．４Ｓと小さい
ため、空洞共振が発生し使用することができなかった。
また、試料Ｎｏ．１８は導電層６６、絶縁層６７が無い
ため、空洞共振が発生し使用することができなかった。
また、試料Ｎｏ．１９は絶縁層６７が無いため、高周波
回路用パッケージ蓋体６５と導電層６６が接触し、その
結果、空洞共振を抑制することが出来なかった。また、
試料Ｎｏ．２０は導電層６６に吸収特性がある材料を配
設しているため、伝送特性が劣化し使用することができ
なかった。On the other hand, sample No. 16, sample no. In No. 17, the area of the aluminum foil was as small as 0.2S and 0.4S, so that the cavity resonance occurred and it could not be used.
In addition, the sample No. Since No. 18 does not have the conductive layer 66 and the insulating layer 67, cavity resonance occurs and it cannot be used.
In addition, the sample No. No. 19 does not have the insulating layer 67, so that the high-frequency circuit package cover 65 and the conductive layer 66 contact each other, and as a result, the cavity resonance cannot be suppressed. Also,
Sample No. In No. 20, the conductive layer 66 was provided with a material having an absorption characteristic, so that the transmission characteristic was deteriorated and it could not be used.

【００４６】[0046]

【表１】 [Table 1]

【００４７】実施例２ 実施例１と同様の方法で伝送特性を評価した。 Example 2 The transmission characteristics were evaluated in the same manner as in Example 1.

【００４８】尚、高周波回路用パッケージ蓋体６５には
Ａｕメッキ付きアルミナを使用した。Alumina with Au plating was used for the package lid 65 for the high frequency circuit.

【００４９】表１の結果から明らかなように、本発明の
範囲内である試料Ｎｏ．２１〜Ｎｏ．２５は、共振抑制
効果があり、且つ高周波回路用パッケージ６０の伝送特
性も良好であることから好適に使用することができた。As is clear from the results of Table 1, the sample No. within the scope of the present invention. 21-No. No. 25 has a resonance suppressing effect, and since the high-frequency circuit package 60 has good transmission characteristics, it can be suitably used.

【００５０】一方、試料Ｎｏ．２６、試料Ｎｏ．２７は
アルミ箔の面積がそれぞれ０．２Ｓ、０．４Ｓと小さい
ため、空洞共振が発生し使用することができなかった。
また、試料Ｎｏ．２８は導電層６６、絶縁層６７が無い
ため、空洞共振が発生し使用することができなかった。
また、試料Ｎｏ．２９は絶縁層６７が無いため、高周波
回路用パッケージ蓋体６５と導電層６６が接触し、その
結果、空洞共振を抑制することが出来なかった。また、
試料Ｎｏ．３０は導電層６６に吸収特性がある材料を配
設しているため、伝送特性が劣化し使用することができ
なかった。On the other hand, sample No. 26, sample No. In No. 27, the area of the aluminum foil was as small as 0.2S and 0.4S, so that the cavity resonance occurred and it could not be used.
In addition, the sample No. In No. 28, since the conductive layer 66 and the insulating layer 67 were not provided, a cavity resonance occurred and it could not be used.
In addition, the sample No. In No. 29, the insulating layer 67 is not provided, so that the high-frequency circuit package cover 65 and the conductive layer 66 contact each other, and as a result, the cavity resonance cannot be suppressed. Also,
Sample No. In No. 30, since the conductive layer 66 is made of a material having an absorption property, the transmission property was deteriorated and it could not be used.

【００５１】[0051]

【表２】 [Table 2]

【００５２】[0052]

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、金
属板と、該金属板の天井面上に配設した絶縁層と、該絶
縁層上に配設した導電層とからなり、前記金属板の天井
面の面積Ｓに対する前記導電層の面積が０．５Ｓ以上で
あることにより、共振抑制機能を備えた高周波回路用パ
ッケージ蓋体を得ることができる。As described above in detail, according to the present invention, a metal plate, an insulating layer provided on the ceiling surface of the metal plate, and a conductive layer provided on the insulating layer are provided. When the area of the conductive layer with respect to the area S of the ceiling surface of the metal plate is 0.5 S or more, it is possible to obtain a package lid for a high frequency circuit having a resonance suppressing function.

【００５３】また、前記高周波回路用パッケージ蓋体を
使用することにより、高周波伝送線路の信号が減衰する
ことなく、空洞共振を抑制できる高周波回路用パッケー
ジを得ることができる。Further, by using the high frequency circuit package lid, it is possible to obtain a high frequency circuit package capable of suppressing the cavity resonance without attenuating the signal of the high frequency transmission line.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の高周波回路用パッケージを示してお
り、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。FIG. 1 shows a high-frequency circuit package of the present invention, in which (a) is a sectional view and (b) is a plan view.

【図２】本発明の高周波回路用パッケージを示してお
り、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。FIG. 2 shows a high-frequency circuit package of the present invention, in which (a) is a sectional view and (b) is a plan view.

【図３】本発明の高周波回路用パッケージを示してお
り、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。3A and 3B show a high-frequency circuit package of the present invention, wherein FIG. 3A is a sectional view and FIG. 3B is a plan view.

【図４】本発明の高周波回路用パッケージを示してお
り、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。FIG. 4 shows a high-frequency circuit package of the present invention, in which (a) is a sectional view and (b) is a plan view.

【図５】本発明の高周波回路用パッケージの断面図であ
る。FIG. 5 is a cross-sectional view of a high frequency circuit package of the present invention.

【図６】伝送特性を評価するための高周波回路用パッケ
ージの断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a high frequency circuit package for evaluating transmission characteristics.

【図７】従来の電磁波吸収体を用いた高周波回路用パッ
ケージの断面図である。FIG. 7 is a sectional view of a high-frequency circuit package using a conventional electromagnetic wave absorber.

【図８】従来の電磁波吸収体を用いた高周波回路用パッ
ケージの断面図である。FIG. 8 is a sectional view of a high-frequency circuit package using a conventional electromagnetic wave absorber.

【図９】従来の電磁波吸収体を用いた高周波回路用パッ
ケージの断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of a high frequency circuit package using a conventional electromagnetic wave absorber.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０・・・高周波回路用パッケージ蓋体 １１・・・金属板 １２・・・絶縁層 １３・・・導電層 ２０・・・高周波回路用パッケージ蓋体 ２１・・・絶縁体 ２２・・・金属層 ２３・・・導電層 ３０・・・高周波回路用パッケージ蓋体 ３１・・・金属板 ３２・・・絶縁層 ３３・・・導電層 ４０・・・高周波回路用パッケージ蓋体 ４１・・・絶縁体 ４２・・・絶縁層 ４３・・・導電層 ５０・・・高周波回路用パッケージ ５１・・・高周波半導体素子 ５２・・・パッケージベース ５４・・・高周波伝送線路 ５５・・・高周波回路用パッケージ蓋体 ５６・・・導電層 ５７・・・絶縁層 ６０・・・高周波回路用パッケージ ６２・・・パッケージベース ６４・・・高周波伝送線路 ６５・・・高周波回路用パッケージ蓋体 ６６・・・導電層 ６７・・・絶縁層 10 ... Package lid for high frequency circuit 11 ... Metal plate 12 ... Insulating layer 13 ... Conductive layer 20 ... Package lid for high frequency circuit 21 ... Insulator 22 ... Metal layer 23 ... Conductive layer 30: Package lid for high frequency circuit 31 ... Metal plate 32 ... Insulating layer 33 ... Conductive layer 40: Package lid for high frequency circuit 41 ... Insulator 42 ... Insulating layer 43 ... Conductive layer 50 ... High frequency circuit package 51 ... High-frequency semiconductor element 52 ... Package base 54 ... High-frequency transmission line 55: Package lid for high frequency circuit 56 ... Conductive layer 57 ... Insulating layer 60: High frequency circuit package 62 ... Package base 64: High frequency transmission line 65 ... Package lid for high frequency circuit 66 ... Conductive layer 67 ... Insulating layer

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】金属板からなる高周波回路用パッケージの
蓋体であって、パッケージを構成したときに高周波回路
形成面と対向する天井面に絶縁層を介して導電層を配設
し、前記天井面の面積Ｓに対する前記導電層の面積が
０．５Ｓ以上であることを特徴とする高周波回路用パッ
ケージ蓋体。1. A lid for a high-frequency circuit package made of a metal plate, wherein a conductive layer is disposed on an upper surface of the ceiling facing the high-frequency circuit forming surface via an insulating layer when the package is formed, and the ceiling is provided. A package lid for a high-frequency circuit, wherein the area of the conductive layer with respect to the surface area S is 0.5S or more. 【請求項２】少なくとも表面の一部に金属層を有する絶
縁体基板からなる高周波回路用パッケージの蓋体であっ
て、パッケージを構成したときに高周波回路形成面と対
向する天井面に絶縁層を介して導電層を配設し、前記天
井面の面積Ｓに対する前記導電層の面積が０．５Ｓ以上
であることを特徴とする高周波回路用パッケージ蓋体。2. A lid for a high-frequency circuit package, which comprises an insulating substrate having a metal layer on at least a part of its surface, wherein an insulating layer is provided on a ceiling surface facing the high-frequency circuit forming surface when the package is constructed. A package cover for a high-frequency circuit, characterized in that a conductive layer is disposed through the conductive layer and the area of the conductive layer with respect to the area S of the ceiling surface is 0.5S or more. 【請求項３】前記金属板または前記絶縁体基板が有底形
状からなり、その端面から前記天井面までの高さをＨと
するとき、前記端面から前記導電層までの高さが０．５
Ｈ〜０．９５Ｈであることを特徴とする請求項１、２の
いずれかに記載の高周波回路用パッケージ蓋体。3. The metal plate or the insulating substrate has a bottomed shape, and when the height from the end surface to the ceiling surface is H, the height from the end surface to the conductive layer is 0.5.
It is H-0.95H, The package lid for high frequency circuits in any one of Claims 1 and 2 characterized by the above-mentioned. 【請求項４】前記導電層の厚さが０．１μｍ以上である
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の高周
波回路用パッケージ蓋体。4. The package lid for a high-frequency circuit according to claim 1, wherein the conductive layer has a thickness of 0.1 μm or more. 【請求項５】前記導電層が金属からなり、その表面の少
なくとも一部に金属酸化物が形成されていることを特徴
とする請求項１〜４のいずれかに記載の高周波回路用パ
ッケージ蓋体。5. The package cover for a high frequency circuit according to claim 1, wherein the conductive layer is made of a metal, and a metal oxide is formed on at least a part of the surface of the conductive layer. . 【請求項６】請求項１〜５のいずれかに記載の高周波回
路用パッケージ蓋体の天井面を、パッケージベース上に
形成された高周波回路形成面に対向するように配設して
なる高周波回路用パッケージ。6. A high-frequency circuit, wherein the ceiling surface of the high-frequency circuit package lid according to claim 1 is arranged so as to face a high-frequency circuit forming surface formed on a package base. For the package. 【請求項７】前記高周波回路形成面から前記高周波回路
用パッケージ蓋体の天井面までの高さをＴとするとき、
前記高周波回路形成面から前記導電層までの高さが０．
５Ｔ〜０．９５Ｔであることを特徴とする請求項６記載
の高周波回路用パッケージ。7. When the height from the high frequency circuit forming surface to the ceiling surface of the high frequency circuit package lid is T,
The height from the surface on which the high-frequency circuit is formed to the conductive layer is 0.
The high frequency circuit package according to claim 6, wherein the package is 5T to 0.95T.
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