JP2003197410A - Electromagnetic noise suppressing body and manufacturing method thereof - Google Patents

Electromagnetic noise suppressing body and manufacturing method thereof

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JP2003197410A
JP2003197410A JP2001399589A JP2001399589A JP2003197410A JP 2003197410 A JP2003197410 A JP 2003197410A JP 2001399589 A JP2001399589 A JP 2001399589A JP 2001399589 A JP2001399589 A JP 2001399589A JP 2003197410 A JP2003197410 A JP 2003197410A
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Japan
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electromagnetic noise
noise suppressor
mixture
manufacturing
magnetic anisotropy
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JP2001399589A
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Japanese (ja)
Inventor
Eikichi Yoshida
栄吉 吉田
Yuji Ono
裕司 小野
Eiji Yamanaka
英二 山中
Michio Nemoto
道夫 根本
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Tokin Corp
Original Assignee
NEC Tokin Corp
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electromagnetic noise suppressing body and its manufacturing method, which can provide noise absorption effect in any shape, without being affected by the shape of a conductive pattern. <P>SOLUTION: An electromagnetic noise suppressing body that is a soft magnetic thin film, which has magnetic anisotropy in one direction, and which is composed of M (M is either Fe, Co, or Ni, or mixture of them) -X (X is an element other than M or Y, or mixture of them) -Y (Y is either F, N, or O, or mixture of them. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、産業用、民生用の
各種回路基板、あるいは半導体回路基板等に使用され、
ノイズ対策を施すのに好適な磁気異方性を有する電磁雑
音抑制体およびその製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is used for various industrial and consumer circuit boards, semiconductor circuit boards, etc.
The present invention relates to an electromagnetic noise suppressor having magnetic anisotropy suitable for taking measures against noise and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の電磁雑音抑制体について説明す
る。従来の電磁雑音抑制体は、グラニュラ磁性膜でなる
磁気的に等方性の性質を持つ電磁雑音抑制体である。図
7は、従来の等方性電磁雑音抑制体の使用状態の説明図
である。図7(a)は、等方性電磁雑音抑制体が長方形
の場合を示す図であり、図7(b)は、等方性電磁雑音
抑制体が正方形の場合を示す図である。
2. Description of the Related Art A conventional electromagnetic noise suppressor will be described. The conventional electromagnetic noise suppressor is an electromagnetic noise suppressor made of a granular magnetic film and having magnetically isotropic properties. FIG. 7: is explanatory drawing of the use condition of the conventional isotropic electromagnetic noise suppression body. FIG. 7A is a diagram showing a case where the isotropic electromagnetic noise suppressor is rectangular, and FIG. 7B is a diagram showing a case where the isotropic electromagnetic noise suppressor is square.

【0003】図7(a)は、長方形状の導電体31の上
に、長方形の等方性電磁雑音抑制体21を形成した状態
を示し、図7(b)は、正方形状の導電体41の上に、
正方形の等方性電磁雑音抑制体22を形成した状態を示
す。
FIG. 7A shows a state in which a rectangular isotropic electromagnetic noise suppressor 21 is formed on a rectangular conductor 31, and FIG. 7B shows a square conductor 41. On top of the,
The state where the square isotropic electromagnetic noise suppressor 22 is formed is shown.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ここで、等方性電磁雑
音抑制体は、グラニュラ磁性膜であり、そのノイズ吸収
の物理的原理は、導電体に流れるノイズ電流と、グラニ
ュラ磁性膜との電磁的相互作用によって、ノイズ電流が
吸収される。しかしながら、磁性膜に磁気異方性を付加
することがノイズ吸収に対して有効となる、具体的に
は、導電体の電流の流れる方向と、磁性膜の磁気異方性
の方向とが一致する場合に、顕著なノイズ吸収効果が現
れる。
Here, the isotropic electromagnetic noise suppressor is a granular magnetic film, and the physical principle of its noise absorption is that the electromagnetic noise between the noise current flowing through the conductor and the granular magnetic film. The noise current is absorbed by the dynamic interaction. However, adding magnetic anisotropy to the magnetic film is effective for noise absorption. Specifically, the direction of current flow of the conductor and the direction of magnetic anisotropy of the magnetic film match. In this case, a remarkable noise absorption effect appears.

【0005】図7での、従来の電磁雑音抑制体でのノイ
ズ電流吸収の説明図にて、図7(a)の場合は、等方性
電磁雑音抑制体が長方形のため、その長手方向に形状に
起因する磁気異方性が生じている。従って、図7(a)
の場合は、顕著なノイズ電流吸収が実現される。しか
し、図7(b)の場合は、正方形状の導電体の上に、等
方性電磁雑音抑制体が形成しており、等方性電磁雑音抑
制体22は、正方形のため、磁気異方性はどの方向にも
有していない。従って、導電体41に流れるノイズ電流
に対するノイズ電流吸収の程度は、図7(a)の場合に
比べて、低下してしまうという問題点があった。
FIG. 7 is an explanatory view of noise current absorption in the conventional electromagnetic noise suppressor. In the case of FIG. 7 (a), the isotropic electromagnetic noise suppressor has a rectangular shape, so that the longitudinal direction is reduced. Magnetic anisotropy caused by the shape is generated. Therefore, FIG.
In the case of, remarkable noise current absorption is realized. However, in the case of FIG. 7B, the isotropic electromagnetic noise suppressor is formed on the square conductor, and the isotropic electromagnetic noise suppressor 22 is a square, so that it is magnetically anisotropic. Gender has no direction. Therefore, there is a problem that the degree of noise current absorption with respect to the noise current flowing through the conductor 41 is reduced as compared with the case of FIG. 7A.

【0006】このように、従来の等方性電磁雑音抑制体
では、その形状によって、そのノイズ電流吸収に差が出
てしまうという問題点があった。
As described above, the conventional isotropic electromagnetic noise suppressor has a problem in that its noise current absorption varies depending on its shape.

【0007】従って、本発明の目的は、導電体パターン
の形状には依存されず、どのような形状の場合にも、ノ
イズ吸収効果が得られるような電磁雑音抑制体およびそ
の製造方法を提供することである。
Therefore, an object of the present invention is to provide an electromagnetic noise suppressor and a method for manufacturing the same that can obtain a noise absorbing effect regardless of the shape of the conductor pattern, regardless of the shape of the conductor pattern. That is.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明による磁気異方性
を有する電磁雑音抑制体は、一定方向に磁気異方性を有
する電磁雑音抑制体とするものであって、その材質は、
M(Mは、Fe,Co,Niのいずれか、もしくはそれ
らの混在物)−X(Xは、MおよびY以外の元素、もし
くはそれらの混在物)−Y(Yは、F,N,Oのいずれ
か、もしくはそれらの混在物)からなる軟磁性薄膜であ
る磁気異方性を有する電磁雑音抑制体とするものであ
る。
An electromagnetic noise suppressor having magnetic anisotropy according to the present invention is an electromagnetic noise suppressor having magnetic anisotropy in a certain direction, and its material is:
M (M is any one of Fe, Co, Ni, or a mixture thereof) -X (X is an element other than M and Y, or a mixture thereof) -Y (Y is F, N, O) Or a mixture thereof), which is a soft magnetic thin film and is an electromagnetic noise suppressor having magnetic anisotropy.

【0009】また、本発明による磁気異方性を有する電
磁雑音抑制体は、一定方向に磁気異方性を有する第1の
電磁雑音抑制体と、前記第1の電磁雑音抑制体の磁気異
方性の方向と、所定の角度をなす磁気異方性を持つ第2
の電磁雑音抑制体を積層してなる磁気異方性を有する電
磁雑音抑制体とするものである。
The electromagnetic noise suppressor having magnetic anisotropy according to the present invention includes a first electromagnetic noise suppressor having magnetic anisotropy in a fixed direction and a magnetic anisotropic body of the first electromagnetic noise suppressor. Second with magnetic anisotropy that makes a certain angle with the direction of sex
The electromagnetic noise suppressor having magnetic anisotropy is formed by laminating the electromagnetic noise suppressor.

【0010】また、本発明による磁気異方性を有する電
磁雑音抑制体の製造方法は、アルゴン雰囲気中で、ター
ゲットとして鉄と酸化アルミニウムを用いて、スパッタ
によって基板上に軟磁性膜を形成するものであり、前記
基板の平面方向を、前記ターゲットの平面方向に対し
て、磁気異方性をつける方向に向けて、所定角度だけ傾
斜させて作製する電磁雑音抑制体の製造方法である。
The method of manufacturing an electromagnetic noise suppressor having magnetic anisotropy according to the present invention forms a soft magnetic film on a substrate by sputtering using iron and aluminum oxide as targets in an argon atmosphere. And a method for manufacturing an electromagnetic noise suppressor, which is produced by inclining the plane direction of the substrate with respect to the plane direction of the target by a predetermined angle in the direction of giving magnetic anisotropy.

【0011】即ち、本発明は、M(Mは、Fe,Co,
Niのいずれか、もしくはそれらの混在物)−X(X
は、MおよびY以外の元素、もしくはそれらの混在物)
−Y(Yは、F,N,Oのいずれか、もしくはそれらの
混在物)からなる一定方向に磁気異方性を有する軟磁性
薄膜とする電磁雑音抑制体である。
That is, according to the present invention, M (M is Fe, Co,
Any of Ni or their mixture) -X (X
Is an element other than M and Y, or a mixture thereof)
An electromagnetic noise suppressor which is a soft magnetic thin film made of -Y (Y is any of F, N, O, or a mixture thereof) and having magnetic anisotropy in a certain direction.

【0012】また、本発明は、一定方向に磁気異方性を
有する第1の電磁雑音抑制体と、前記第1の電磁雑音抑
制体の磁気異方性の方向と、所定の角度をなす磁気異方
性を持つ第2の電磁雑音抑制体を積層してなる電磁雑音
抑制体である。
According to the present invention, the first electromagnetic noise suppressor having magnetic anisotropy in a certain direction, and the magnetic anisotropy direction of the first electromagnetic noise suppressor forming a predetermined angle with the magnetic anisotropy. The electromagnetic noise suppressor is formed by stacking a second electromagnetic noise suppressor having anisotropy.

【0013】 また、本発明は、前記の所定の角度を、
略90°に設定された電磁雑音抑制体である。
Further, according to the present invention, the predetermined angle is
The electromagnetic noise suppressor is set to about 90 °.

【0014】また、本発明は、前記電磁雑音抑制体の材
質は、M(Mは、Fe,Co,Niのいずれか、もしく
はそれらの混在物)−X(Xは、MおよびY以外の元
素、もしくはそれらの混在物)−Y(Yは、F,N,O
のいずれか、もしくはそれらの混在物)からなる軟磁性
薄膜とする電磁雑音抑制体である。
In the present invention, the material of the electromagnetic noise suppressor is M (M is any one of Fe, Co and Ni, or a mixture thereof) -X (X is an element other than M and Y). , Or a mixture thereof) -Y (Y is F, N, O
Or a mixture thereof) as a soft magnetic thin film.

【0015】また、本発明は、直線方向に磁気異方性を
有する電磁雑音抑制体の製造方法であって、成膜工程
は、前記基板の平面方向を、前記ターゲットの平面方向
に対して、磁気異方性をつける方向に向けて、所定角度
だけ傾斜させた電磁雑音抑制体の製造方法である。
The present invention is also a method of manufacturing an electromagnetic noise suppressor having magnetic anisotropy in a linear direction, wherein the film-forming step is performed by changing the plane direction of the substrate with respect to the plane direction of the target. This is a method for manufacturing an electromagnetic noise suppressor which is tilted by a predetermined angle in the direction of magnetic anisotropy.

【0016】また、本発明は、複数の方向に磁気異方性
を有する積層された電磁雑音抑制体の製造方法であっ
て、前記製造方法は、基板上に軟磁性膜を形成する2つ
の成膜工程からなり、第1の成膜工程は、前記基板の平
面方向を、前記ターゲットの平面方向に対して、1つの
方向の磁気異方性をつける方向に向けて、所定角度だけ
傾斜させる成膜工程であり、次の第2の成膜工程は、前
記基板の平面方向を、前記ターゲットの平面方向に対し
て、他の方向の磁気異方性をつける方向に向けて、所定
角度だけ傾斜させる成膜工程とする電磁雑音抑制体の製
造方法である。
The present invention is also a method for manufacturing a laminated electromagnetic noise suppressor having magnetic anisotropy in a plurality of directions, wherein the manufacturing method comprises two steps of forming a soft magnetic film on a substrate. The first film forming step comprises a step of inclining the plane direction of the substrate by a predetermined angle with respect to the plane direction of the target in a direction in which one direction of magnetic anisotropy is imparted. In the second film forming step, which is a film forming step, the plane direction of the substrate is tilted by a predetermined angle with respect to the plane direction of the target in a direction that imparts magnetic anisotropy in another direction. This is a method for manufacturing an electromagnetic noise suppressor, which is a film forming step.

【0017】 また、本発明は、前記成膜工程は、アル
ゴン雰囲気中で、ターゲットとして鉄と酸化アルミニウ
ムを用いたスパッタとする電磁雑音抑制体の製造方法で
ある。
Further, the present invention is the method of manufacturing an electromagnetic noise suppressor, wherein the film forming step is sputtering using iron and aluminum oxide as targets in an argon atmosphere.

【0018】 また、本発明は、前記軟磁性薄膜からな
る電磁雑音抑制体は、M(Mは、Fe,Co,Niのい
ずれか、もしくはそれらの混在物)−X(Xは、Mおよ
びY以外の元素、もしくはそれらの混在物)−Y(Y
は、F,N,Oのいずれか、もしくはそれらの混在物)
からなる軟磁性薄膜である電磁雑音抑制体の製造方法で
ある。
In the present invention, the electromagnetic noise suppressor comprising the soft magnetic thin film is M (M is any one of Fe, Co and Ni or a mixture thereof) -X (X is M and Y). Elements other than, or their mixture) -Y (Y
Is any of F, N, O, or a mixture thereof.
And a method of manufacturing an electromagnetic noise suppressor which is a soft magnetic thin film.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態による磁気異
方性を有する電磁雑音抑制体およびその製造方法につい
て、以下に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An electromagnetic noise suppressor having magnetic anisotropy and a method for manufacturing the same according to an embodiment of the present invention will be described below.

【0020】(実施の形態1)本発明の実施の形態1に
よる磁気異方性を有する電磁雑音抑制体について、以下
に説明する。図1は、本発明の実施例1による磁気異方
性を有する電磁雑音抑制体の使用状態の説明図である。
図1にて、2は導電体であり、1は、導電体2の上に形
成された本発明による1軸磁気異方性電磁雑音抑制体で
ある。電磁雑音抑制体1は、1軸磁気異方性を有してお
り、その形状をほぼ正方形としており、その磁気異方性
の方向(図中の矢印の方向)を、導電体2の長手方向、
すなわち電流iの流れる方向と一致させている。
(Embodiment 1) An electromagnetic noise suppressor having magnetic anisotropy according to Embodiment 1 of the present invention will be described below. FIG. 1 is an explanatory diagram of a usage state of an electromagnetic noise suppressor having magnetic anisotropy according to a first embodiment of the present invention.
In FIG. 1, 2 is a conductor, and 1 is a uniaxial magnetic anisotropic electromagnetic noise suppressor according to the present invention formed on the conductor 2. The electromagnetic noise suppressor 1 has a uniaxial magnetic anisotropy, its shape is substantially square, and the direction of the magnetic anisotropy (the direction of the arrow in the figure) is the longitudinal direction of the conductor 2. ,
That is, the direction of flow of the current i is matched.

【0021】 ここで、1軸磁気異方性磁雑音抑制体
1は、グラニュラー磁性膜の形体を持つ材料であって、
M(Mは、Fe,Co,Niのいずれか、もしくはそれ
らの混在物)−X(Xは、MおよびY以外の元素、もし
くはそれらの混在物)−Y(Yは、F,N,Oのいずれ
か、もしくはそれらの混在物)からなる軟磁性薄膜とす
るものである。
Here, the uniaxial magnetic anisotropic magnetic noise suppressor 1 is a material having a granular magnetic film form,
M (M is any one of Fe, Co, Ni, or a mixture thereof) -X (X is an element other than M and Y, or a mixture thereof) -Y (Y is F, N, O) Or a mixture thereof).

【0022】図1の場合、1軸磁気異方性磁雑音抑制体
1の形状が正方形であるが、図中矢印の方向に磁気異方
性が設定されている。そのため、導電体2に流れる電流
iと、その磁気異方性の方向が一致しており、ノイズ電
流の顕著な吸収が実現される。
In the case of FIG. 1, the uniaxial magnetic anisotropy magnetic noise suppressor 1 has a square shape, but the magnetic anisotropy is set in the direction of the arrow in the figure. Therefore, the current i flowing through the conductor 2 and the direction of its magnetic anisotropy coincide with each other, and remarkable absorption of noise current is realized.

【0023】 ここで、前記1軸磁気異方性電磁雑音
抑制体1が、ノイズ電流を吸収する例を、以下に説明す
る。図2は、図1の場合に対応した1軸磁気異方性電磁
雑音抑制体1の、ノイズ吸収特性を示す。図2(a)
は、ノイズ電流の反射量対周波数特性を示す図、図2
(b)は、ノイズ電流の透過減衰量対周波数特性を示す
図、図2(c)は、ノイズ吸収特性を測定した評価系を
示す図、図2(d)は、透磁率μ”対周波数特性を示す
図である。
Here, an example in which the uniaxial magnetic anisotropic electromagnetic noise suppressor 1 absorbs a noise current will be described below. FIG. 2 shows noise absorption characteristics of the uniaxial magnetic anisotropic electromagnetic noise suppressor 1 corresponding to the case of FIG. Figure 2 (a)
Is a diagram showing the reflection amount vs. frequency characteristic of the noise current, FIG.
2 (b) is a diagram showing the transmission attenuation amount of the noise current versus frequency characteristics, FIG. 2 (c) is a diagram showing an evaluation system for measuring the noise absorption characteristics, and FIG. 2 (d) is a magnetic permeability μ ″ versus frequency. It is a figure which shows a characteristic.

【0024】図2(c)の評価系は、下側に銅箔35を
形成した絶縁基板34上に、マイクロストリップライン
31を形成し、その端部を同軸ケーブル32,33の芯
線に接続し、ネットワークアナライザ36と接続した測
定系である。ここで、前記マイクロストリップライン3
1の上に1軸磁気異方性電磁雑音抑制体1aを配置して
いる。ここで、1軸磁気異方性電磁雑音抑制体1aの寸
法は、10mm×10mmとした。
In the evaluation system shown in FIG. 2 (c), a microstrip line 31 is formed on an insulating substrate 34 having a copper foil 35 formed on the lower side, and its ends are connected to the core wires of the coaxial cables 32 and 33. , A measurement system connected to the network analyzer 36. Here, the microstrip line 3
1, a uniaxial magnetic anisotropic electromagnetic noise suppressor 1a is arranged. Here, the size of the uniaxial magnetic anisotropic electromagnetic noise suppressor 1a was set to 10 mm × 10 mm.

【0025】図2(a)のノイズ電流の反射量対周波数
特性より、GHz帯域にて、−10デシベル以下の反射
量となっている。一方、 図2(b)のノイズ電流の透
過減衰量対周波数特性では、GHz帯域にて、約−5デ
シベルから−18デシベルの透過減衰量を示すことがわ
かる。
From the reflection amount vs. frequency characteristic of the noise current shown in FIG. 2A, the reflection amount is -10 decibels or less in the GHz band. On the other hand, it can be seen that the transmission attenuation amount vs. frequency characteristic of the noise current in FIG. 2B shows a transmission attenuation amount of about −5 dB to −18 dB in the GHz band.

【0026】このように、本軟磁性薄膜は、GHz帯域
にて、約−5デシベルから−18デシベルの透過減衰量
を実現し、ノイズ電流吸収の効果が見られる。
As described above, the present soft magnetic thin film realizes the transmission attenuation amount of about −5 dB to −18 dB in the GHz band, and the effect of noise current absorption can be seen.

【0027】図2(d)は、透磁率μ”対周波数特性に
ついて、本発明と従来の等方性の場合との比較例を示
し、このように、本発明の1軸磁気異方性電磁雑音抑制
体は、透磁率μ”が従来より高く、ピークが周波数の高
い方へ移動している。これにより、図2(b)のよう
に、透過減衰量が従来よりも増加しており、電磁雑音抑
制の効果が出ている。
FIG. 2D shows a comparative example of the magnetic permeability μ "vs. frequency characteristic between the present invention and the conventional isotropic case. Thus, the uniaxial magnetic anisotropic electromagnetic field of the present invention is shown. The noise suppressor has a magnetic permeability μ ″ higher than that of the conventional one, and the peak moves to the higher frequency side. As a result, as shown in FIG. 2B, the transmission attenuation amount is increased more than in the conventional case, and the effect of suppressing electromagnetic noise is exerted.

【0028】このように、電磁雑音抑制体1がX方向の
1軸磁気異方性を有し、導電体2に流れるノイズ電流の
方向と略方向が一致していることによって、より電磁的
結合が強くなり、効率良くノイズ電流を吸収できるもの
である。
As described above, since the electromagnetic noise suppressor 1 has the uniaxial magnetic anisotropy in the X direction and the direction of the noise current flowing through the conductor 2 is substantially the same, the electromagnetic noise suppressor 1 is more electromagnetically coupled. Becomes stronger and the noise current can be efficiently absorbed.

【0029】(実施の形態2)図3は、本発明の実施の
形態2による磁気異方性を有する電磁雑音抑制体の使用
状態の説明図である。図3(a)は、磁気異方性を有す
る電磁雑音抑制体の単体の外観図であり、図3(b)
は、L字型の導電体4のコーナ部分に磁気異方性を有す
る電磁雑音抑制体を形成した状態を示す図である。
(Embodiment 2) FIG. 3 is an explanatory view of a usage state of an electromagnetic noise suppressor having magnetic anisotropy according to Embodiment 2 of the present invention. FIG. 3A is an external view of a single electromagnetic noise suppressor having magnetic anisotropy, and FIG.
FIG. 6 is a diagram showing a state in which an electromagnetic noise suppressor having magnetic anisotropy is formed in a corner portion of the L-shaped conductor 4.

【0030】ここで、磁気異方性を有する電磁雑音抑制
体は、2軸磁気異方性電磁雑音吸収体3であって、その
構造は、図3(a)に示すごとく、X方向の磁気異方性
を有する電磁雑音吸収体を第1層に形成し、その上に約
90°方向のY方向の磁気異方性を有する電磁雑音吸収
体を第2層として形成したものである。
Here, the electromagnetic noise suppressor having magnetic anisotropy is the biaxial magnetic anisotropic electromagnetic noise absorber 3, the structure of which is as shown in FIG. An electromagnetic noise absorber having anisotropy is formed on the first layer, and an electromagnetic noise absorber having magnetic anisotropy in the Y direction of about 90 ° is formed on the first layer.

【0031】この場合、図3(b)に示すごとく、L字
型の導電体4に流れる電流は、コーナ部分にて、約90
°方向を変えてながれる。この場合、それぞれの方向の
ノイズ電流と、2軸磁気異方性電磁雑音吸収体3での1
層目、あるいは2層目の異方性電磁雑音吸収体と電磁的
結合が強くなり、効率的にノイズ電流を吸収するもので
ある。
In this case, as shown in FIG. 3B, the current flowing through the L-shaped conductor 4 is about 90 at the corner.
° You can change the direction. In this case, noise current in each direction and 1 in the biaxial magnetic anisotropic electromagnetic noise absorber 3
The electromagnetic coupling with the anisotropic electromagnetic noise absorber of the second layer or the second layer is strengthened, and the noise current is efficiently absorbed.

【0032】(実施の形態3)図4は、本発明の実施の
形態3による磁気異方性を有する電磁雑音抑制体の使用
状態の説明図である。図4は、互いの直交する導電体5
と導電体7が交差したものに、先の実施の形態2と同様
の2層構造の2軸磁気異方性電磁雑音吸収体6と8が形
成された状態を示す。
(Embodiment 3) FIG. 4 is an explanatory view of a usage state of an electromagnetic noise suppressor having magnetic anisotropy according to Embodiment 3 of the present invention. FIG. 4 shows conductors 5 that are orthogonal to each other.
2 shows a state in which biaxial magnetic anisotropic electromagnetic noise absorbers 6 and 8 having a two-layer structure similar to those of the above-described second embodiment are formed at the intersection of the conductor 7 and the conductor 7.

【0033】この場合、2軸磁気異方性電磁雑音吸収体
6と8とは、同一工程にて形成するものとする。また、
導電体5と導電体7が交差する部分には、絶縁体が形成
されている(図示していない)。また、2軸磁気異方性
電磁雑音吸収体6と8の異方性の方向は、導電体5と導
電体7の長手方向と略一致させるものとする。
In this case, the biaxial magnetic anisotropic electromagnetic noise absorbers 6 and 8 are formed in the same process. Also,
An insulator is formed (not shown) at the intersection of the conductor 5 and the conductor 7. Further, the directions of anisotropy of the biaxial magnetic anisotropic electromagnetic noise absorbers 6 and 8 are made to substantially coincide with the longitudinal directions of the conductors 5 and 7.

【0034】ここで、直交する導電体5と導電体7に流
れるノイズ電流は、2軸磁気異方性電磁雑音吸収体6と
8の2層の電磁雑音吸収体のいずれかの異方性の層と一
致し、従って、導電体5と導電体7のどちらに流れるノ
イズ電流に対しても、電磁的結合が強くなり、効率的に
ノイズ電流を吸収するものである。
Here, the noise current flowing in the conductor 5 and the conductor 7 which are orthogonal to each other is the anisotropy of one of the two layers of the biaxial magnetic anisotropic electromagnetic noise absorbers 6 and 8. Therefore, the electromagnetic coupling becomes strong and the noise current is efficiently absorbed with respect to the noise current flowing through either the conductor 5 or the conductor 7, which corresponds to the layer.

【0035】(実施の形態4)図5は、本発明の実施の
形態4による1軸異方性を有する電磁雑音吸収体の製造
方法の説明図である。図5にて、14はスパッタ装置の
チャンバであり、11はスパッタ用ターゲット、13は
基板ホルダ、12は基板であり、15はプラズマ領域で
ある。ここで、基板ホルダ13は、スパッタ用ターゲッ
ト11の平面方向に対して、角度θだけ傾斜している。
従って、基板もスパッタ用ターゲット11の平面方向に
対して、角度θだけ傾斜している。
(Embodiment 4) FIG. 5 is an explanatory view of a method of manufacturing an electromagnetic noise absorber having uniaxial anisotropy according to Embodiment 4 of the present invention. In FIG. 5, 14 is a chamber of the sputtering apparatus, 11 is a sputtering target, 13 is a substrate holder, 12 is a substrate, and 15 is a plasma region. Here, the substrate holder 13 is inclined by an angle θ with respect to the plane direction of the sputtering target 11.
Therefore, the substrate is also inclined by the angle θ with respect to the plane direction of the sputtering target 11.

【0036】表1に、1軸異方性を有する電磁雑音抑制
体の成膜方法について、その条件を示す。
Table 1 shows the conditions for the film forming method of the electromagnetic noise suppressor having uniaxial anisotropy.

【0037】[0037]

【表1】 [Table 1]

【0038】表1の成膜条件にて、M(Mは、Fe,C
o,Niのいずれか、もしくはそれらの混在物)−X
(Xは、MおよびY以外の元素、もしくはそれらの混在
物)−Y(Yは、F,N,Oのいずれか、もしくはそれ
らの混在物)からなる軟磁性薄膜を、膜厚を約数ミクロ
ンにて形成した。ここでは、MとしてFe、XとしてA
l、YとしてOを選択したものを一例として示した。ま
た、軟磁性薄膜の組成は、Fe72AL1117等で
代表される。なお、XとしてはAl以外に、Zr,T
i,Si,Ca,Mg,Ge他の元素であっても良い
が、環境面からは毒性の低い元素が望ましい。
Under the film forming conditions shown in Table 1, M (M is Fe, C
o, Ni, or their mixture) -X
(X is an element other than M and Y, or a mixture thereof) -Y (Y is any one of F, N, O, or a mixture thereof), and a soft magnetic thin film having a thickness of about several Formed in microns. Here, M is Fe and X is A
One in which O is selected as l and Y is shown as an example. The composition of the soft magnetic thin film is represented by Fe 72 AL 11 O 17 or the like. In addition to Al, Zr, T
Other elements such as i, Si, Ca, Mg, and Ge may be used, but an element having low toxicity is desirable from the environmental aspect.

【0039】また、1軸異方性は、傾き角度θをつけた
方向に形成される。ここで、角度θは5°以下の角度を
選択するのが適当である。
The uniaxial anisotropy is formed in a direction with an inclination angle θ. Here, it is appropriate to select an angle θ of 5 ° or less.

【0040】(実施の形態5)図6は、本発明の実施の
形態5による2軸異方性を有する電磁雑音吸収体の製造
方法の説明図である。図6(a)は、第1層目の製造方
法の説明図であり、図6(b)は、第2層目の製造方法
の説明図である。
(Fifth Embodiment) FIG. 6 is an explanatory view of a method of manufacturing an electromagnetic noise absorber having biaxial anisotropy according to a fifth embodiment of the present invention. FIG. 6A is an explanatory diagram of the manufacturing method of the first layer, and FIG. 6B is an explanatory diagram of the manufacturing method of the second layer.

【0041】図6(a)にて、14はスパッタ装置のチ
ャンバであり、11はスパッタ用ターゲット、13は基
板ホルダ、12’は基板であり、15’はプラズマ領域
である。ここで、基板ホルダ13は、スパッタ用ターゲ
ット11の平面方向に対して、角度βだけ傾斜してい
る。従って、基板もスパッタ用ターゲット11の平面方
向に対して、角度βだけ傾斜している。
In FIG. 6A, 14 is a chamber of a sputtering apparatus, 11 is a sputtering target, 13 is a substrate holder, 12 'is a substrate, and 15' is a plasma region. Here, the substrate holder 13 is inclined by an angle β with respect to the plane direction of the sputtering target 11. Therefore, the substrate is also inclined by the angle β with respect to the plane direction of the sputtering target 11.

【0042】図6(b)は、先の図6(a)の状態での
基板ホルダ13を、90°回転させた状態である。
FIG. 6B shows a state in which the substrate holder 13 in the state shown in FIG. 6A has been rotated by 90 °.

【0043】表2に、2軸異方性を有する電磁雑音抑制
体の成膜方法について、その条件を示す。
Table 2 shows the conditions for the film forming method of the electromagnetic noise suppressor having biaxial anisotropy.

【0044】[0044]

【表2】 [Table 2]

【0045】表2の成膜条件にて、M(Mは、Fe,C
o,Niのいずれか、もしくはそれらの混在物)−X
(Xは、MおよびY以外の元素、もしくはそれらの混在
物)−Y(Yは、F,N,Oのいずれか、もしくはそれ
らの混在物)からなる軟磁性薄膜を、膜厚を約数ミクロ
ンにて形成した。ここで、組成は実施の形態4と同様で
あるが、一例として、表1と同様な元素を選択してい
る。軟磁性薄膜の組成も、実施の形態4と同様に、Fe
72AL1117で代表される。
Under the film forming conditions shown in Table 2, M (M is Fe, C
o, Ni, or their mixture) -X
(X is an element other than M and Y, or a mixture thereof) -Y (Y is any one of F, N, O, or a mixture thereof), and a soft magnetic thin film having a thickness of about several Formed in microns. Here, the composition is the same as that of the fourth embodiment, but as an example, the same elements as in Table 1 are selected. The composition of the soft magnetic thin film is the same as that of the fourth embodiment.
Represented by 72 AL 11 O 17 .

【0046】また、2軸異方性は、傾き角度βをつけた
方向と、基板ホルダを90°回転した方向に形成される
ものである。ここで、角度ベータは、5°以下の角度を
選択するのが適当である。
The biaxial anisotropy is formed in the direction with the inclination angle β and the direction in which the substrate holder is rotated by 90 °. Here, it is appropriate to select an angle of 5 ° or less.

【0047】(実施の形態6)図5は、本発明の実施の
形態6による1軸異方性を有する電磁雑音吸収体の製造
方法の説明図である。図5にて、14はスパッタ装置の
チャンバであり、11はスパッタ用ターゲット、13は
基板ホルダ、12は基板であり、15はプラズマ領域で
ある。ここで、基板ホルダ13は、スパッタ用ターゲッ
ト11の平面方向に対して、角度θだけ傾斜している。
従って、基板もスパッタ用ターゲット11の平面方向に
対して、角度θだけ傾斜している。
(Embodiment 6) FIG. 5 is an explanatory view of a method of manufacturing an electromagnetic noise absorber having uniaxial anisotropy according to Embodiment 6 of the present invention. In FIG. 5, 14 is a chamber of the sputtering apparatus, 11 is a sputtering target, 13 is a substrate holder, 12 is a substrate, and 15 is a plasma region. Here, the substrate holder 13 is inclined by an angle θ with respect to the plane direction of the sputtering target 11.
Therefore, the substrate is also inclined by the angle θ with respect to the plane direction of the sputtering target 11.

【0048】表3に、1軸異方性を有する電磁雑音抑制
体の成膜方法について、その条件を示す。
Table 3 shows the conditions for the film forming method of the electromagnetic noise suppressor having uniaxial anisotropy.

【0049】[0049]

【表3】 [Table 3]

【0050】表3の成膜条件にて、M(Mは、Fe,C
o,Niのいずれか、もしくはそれらの混在物)−X
(Xは、MおよびY以外の元素、もしくはそれらの混在
物)−Y(Yは、F,N,Oのいずれか、もしくはそれ
らの混在物)からなる軟磁性薄膜を、膜厚を約数ミクロ
ンにて形成した。ここでは、MとしてCo、XとしてZ
r、YとしてOを選択したものを一例として示した。ま
た、軟磁性薄膜の組成は、CoZrO等で代表される。
なお、XとしてはZr以外に、Al,Ti,Si,C
a,Mg,Ge他の元素であっても良いが、環境面から
は毒性の低い元素が望ましい。
Under the film forming conditions shown in Table 3, M (M is Fe, C
o, Ni, or their mixture) -X
(X is an element other than M and Y, or a mixture thereof) -Y (Y is any one of F, N, O, or a mixture thereof), and a soft magnetic thin film having a thickness of about several Formed in microns. Here, M is Co and X is Z
The case where O is selected as r and Y is shown as an example. The composition of the soft magnetic thin film is represented by CoZrO or the like.
As X, in addition to Zr, Al, Ti, Si, C
Other elements such as a, Mg and Ge may be used, but an element having low toxicity is desirable from the environmental aspect.

【0051】また、1軸異方性は、傾き角度θをつけた
方向に形成される。ここで、角度θは5°以下の角度を
選択するのが適当である。
The uniaxial anisotropy is formed in a direction with an inclination angle θ. Here, it is appropriate to select an angle θ of 5 ° or less.

【0052】(実施の形態7)図6は、本発明の実施の
形態7による2軸異方性を有する電磁雑音吸収体の製造
方法の説明図である。図6(a)は、第1層目の製造方
法の説明図であり、図6(b)は、第2層目の製造方法
の説明図である。
(Embodiment 7) FIG. 6 is an explanatory view of a method of manufacturing an electromagnetic noise absorber having biaxial anisotropy according to Embodiment 7 of the present invention. FIG. 6A is an explanatory diagram of the manufacturing method of the first layer, and FIG. 6B is an explanatory diagram of the manufacturing method of the second layer.

【0053】図6(a)にて、14はスパッタ装置のチ
ャンバであり、11はスパッタ用ターゲット、13は基
板ホルダ、12’は基板であり、15’はプラズマ領域
である。ここで、基板ホルダ13は、スパッタ用ターゲ
ット11の平面方向に対して、角度βだけ傾斜してい
る。従って、基板もスパッタ用ターゲット11の平面方
向に対して、角度βだけ傾斜している。
In FIG. 6A, 14 is a chamber of a sputtering apparatus, 11 is a sputtering target, 13 is a substrate holder, 12 'is a substrate, and 15' is a plasma region. Here, the substrate holder 13 is inclined by an angle β with respect to the plane direction of the sputtering target 11. Therefore, the substrate is also inclined by the angle β with respect to the plane direction of the sputtering target 11.

【0054】図6(b)は、先の図6(a)の状態での
基板ホルダ13を、90°回転させた状態である。
FIG. 6B shows a state in which the substrate holder 13 in the state shown in FIG. 6A has been rotated by 90 °.

【0055】表4に、2軸異方性を有する電磁雑音抑制
体の成膜方法について、その条件を示す。
Table 4 shows the conditions for the film forming method of the electromagnetic noise suppressor having biaxial anisotropy.

【0056】[0056]

【表4】 [Table 4]

【0057】表4の成膜条件にて、M(Mは、Fe,C
o,Niのいずれか、もしくはそれらの混在物)−X
(Xは、MおよびY以外の元素、もしくはそれらの混在
物)−Y(Yは、F,N,Oのいずれか、もしくはそれ
らの混在物)からなる軟磁性薄膜を、膜厚を約数ミクロ
ンにて形成した。ここで、組成は実施の形態6と同様で
あるが、一例として、表3と同様な元素を選択してい
る。軟磁性薄膜の組成も、実施の形態6と同様に、Co
ZrOで代表される。
Under the film forming conditions shown in Table 4, M (M is Fe, C
o, Ni, or their mixture) -X
(X is an element other than M and Y, or a mixture thereof) -Y (Y is any one of F, N, O, or a mixture thereof), and a soft magnetic thin film having a thickness of about several Formed in microns. Here, the composition is the same as that of the sixth embodiment, but as an example, the same elements as in Table 3 are selected. The composition of the soft magnetic thin film is similar to that of the sixth embodiment.
It is represented by ZrO.

【0058】また、2軸異方性は、傾き角度βをつけた
方向と、基板ホルダを90°回転した方向に形成される
ものである。ここで、角度ベータは、5°以下の角度を
選択するのが適当である。
The biaxial anisotropy is formed in the direction with the inclination angle β and the direction in which the substrate holder is rotated by 90 °. Here, it is appropriate to select an angle of 5 ° or less.

【0059】[0059]

【発明の効果】以上、本発明によれば、導電体パターン
の形状には依存されず、どのような形状の場合にも、ノ
イズ吸収効果が得られる磁気異方性を有する電磁雑音抑
制体およびその製造方法を提供することである。
As described above, according to the present invention, an electromagnetic noise suppressor having magnetic anisotropy that can obtain a noise absorbing effect in any shape regardless of the shape of the conductor pattern, and It is to provide the manufacturing method.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施の形態1による磁気異方性を有す
る電磁雑音抑制体の使用状態の説明図。
FIG. 1 is an explanatory diagram of a usage state of an electromagnetic noise suppressor having magnetic anisotropy according to the first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の磁気異方性を有する電磁雑音抑制体の
ノイズ吸収特性を示す図。図2(a)は、ノイズ電流の
反射量対周波数特性を示す図、図2(b)は、ノイズ電
流の透過減衰量対周波数特性を示す図、図2(c)は、
ノイズ吸収特性を測定した評価系を示す図。図2(d)
は、透磁率μ”対周波数特性を示す図。
FIG. 2 is a diagram showing noise absorption characteristics of an electromagnetic noise suppressor having magnetic anisotropy according to the present invention. 2A is a diagram showing the reflection amount versus frequency characteristic of the noise current, FIG. 2B is a diagram showing the transmission attenuation amount versus frequency characteristic of the noise current, and FIG. 2C is
The figure which shows the evaluation system which measured the noise absorption characteristic. Figure 2 (d)
FIG. 4 is a diagram showing magnetic permeability μ ″ vs. frequency characteristic.

【図3】本発明の実施の形態2による磁気異方性を有す
る電磁雑音抑制体の使用状態の説明図。図3(a)は、
磁気異方性を有する電磁雑音抑制体の単体の外観図、図
3(b)は、L字型の導電体のコーナ部分に磁気異方性
を有する電磁雑音抑制体を形成した状態を示す図。
FIG. 3 is an explanatory diagram of a usage state of an electromagnetic noise suppressor having magnetic anisotropy according to the second embodiment of the present invention. Figure 3 (a) shows
FIG. 3B is an external view of a single electromagnetic noise suppressor having magnetic anisotropy, and FIG. 3B is a diagram showing a state in which the electromagnetic noise suppressor having magnetic anisotropy is formed at a corner portion of an L-shaped conductor. .

【図4】本発明の実施の形態3による磁気異方性を有す
る電磁雑音抑制体の使用状態の説明図。
FIG. 4 is an explanatory diagram of a usage state of an electromagnetic noise suppressor having magnetic anisotropy according to the third embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施の形態4および実施の形態6によ
る1軸異方性を有する電磁雑音吸収体の製造方法の説明
図。
FIG. 5 is an explanatory diagram of a method for manufacturing an electromagnetic noise absorber having uniaxial anisotropy according to the fourth and sixth embodiments of the present invention.

【図6】本発明の実施の形態5および実施の形態7によ
る2軸異方性を有する電磁雑音吸収体の製造方法の説明
図。図6(a)は、第1層目の製造方法の説明図、図6
(b)は、第2層目の製造方法の説明図。
FIG. 6 is an explanatory diagram of a method for manufacturing an electromagnetic noise absorber having biaxial anisotropy according to the fifth and seventh embodiments of the present invention. FIG. 6A is an explanatory view of the manufacturing method of the first layer, FIG.
(B) is explanatory drawing of the manufacturing method of a 2nd layer.

【図7】従来の等方性電磁雑音抑制体の使用状態の説明
図。図7(a)は、等方性電磁雑音抑制体が長方形の場
合を示す図、図7(b)は、等方性電磁雑音抑制体が正
方形の場合を示す図。
FIG. 7 is an explanatory diagram of a usage state of a conventional isotropic electromagnetic noise suppressor. FIG. 7A is a diagram showing a case where the isotropic electromagnetic noise suppressor is rectangular, and FIG. 7B is a diagram showing a case where the isotropic electromagnetic noise suppressor is square.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,1a 1軸磁気異方性電磁雑音抑制体 2,4,5,7,31,32 導電体 3,6,8 2軸磁気異方性電磁雑音抑制体 11 スパッタ用ターゲット 12,12’ 基板 13,13’ 基板ホルダ 14 チャンバ 15,15’,15” プラズマ領域 21,22 等方性電磁雑音抑制体 31,41 導電体 32,33 同軸ケーブル 34 絶縁基板 35 銅箔 36 ネットワークアナライザ 1,1a Uniaxial magnetic anisotropy Electromagnetic noise suppressor 2,4,5,7,31,32 Conductor 3,6,8 Biaxial magnetic anisotropic electromagnetic noise suppressor 11 Sputtering target 12,12 'substrate 13,13 'substrate holder 14 chambers 15,15 ', 15 "plasma region 21,22 isotropic electromagnetic noise suppressor 31,41 Conductor 32,33 coaxial cable 34 Insulating substrate 35 copper foil 36 Network Analyzer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 根本 道夫 宮城県仙台市太白区郡山6丁目7番1号 株式会社トーキン内 Fターム(参考) 5E040 CA13 5E041 AA06 AA07 5E049 AA04 BA11 5E321 BB25 BB53 GG09    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Michio Nemoto             6-7-1 Koriyama, Taihaku-ku, Sendai City, Miyagi Prefecture             Tokin Co., Ltd. F-term (reference) 5E040 CA13                 5E041 AA06 AA07                 5E049 AA04 BA11                 5E321 BB25 BB53 GG09

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 M(Mは、Fe,Co,Niのいずれ
か、もしくはそれらの混在物)−X(Xは、MおよびY
以外の元素、もしくはそれらの混在物)−Y(Yは、
F,N,Oのいずれか、もしくはそれらの混在物)から
なる一定方向に磁気異方性を有する軟磁性薄膜であるこ
とを特徴とする電磁雑音抑制体。
1. M (M is any one of Fe, Co and Ni, or a mixture thereof) -X (X is M and Y)
Element other than or a mixture thereof) -Y (Y is
An electromagnetic noise suppressor comprising a soft magnetic thin film made of any one of F, N and O, or a mixture thereof, having magnetic anisotropy in a certain direction.
【請求項2】 一定方向に磁気異方性を有する第1の電
磁雑音抑制体と、前記第1の電磁雑音抑制体の磁気異方
性の方向と、所定の角度をなす磁気異方性を持つ第2の
電磁雑音抑制体を積層してなることを特徴とする電磁雑
音抑制体。
2. A first electromagnetic noise suppressor having magnetic anisotropy in a fixed direction, and a magnetic anisotropy forming a predetermined angle with the direction of magnetic anisotropy of the first electromagnetic noise suppressor. An electromagnetic noise suppressor comprising a laminated second electromagnetic noise suppressor.
【請求項3】 前記の所定の角度を、略90°に設定さ
れたことを特徴とする請求項2に記載の電磁雑音抑制
体。
3. The electromagnetic noise suppressor according to claim 2, wherein the predetermined angle is set to about 90 °.
【請求項4】 前記電磁雑音抑制体の材質は、M(M
は、Fe,Co,Niのいずれか、もしくはそれらの混
在物)−X(Xは、MおよびY以外の元素、もしくはそ
れらの混在物)−Y(Yは、F,N,Oのいずれか、も
しくはそれらの混在物)からなる軟磁性薄膜であること
を特徴とする請求項2または3に記載の電磁雑音抑制
体。
4. The material of the electromagnetic noise suppressor is M (M
Is any one of Fe, Co and Ni, or a mixture thereof) -X (X is an element other than M and Y, or a mixture thereof) -Y (Y is any one of F, N and O) Or a mixture thereof) is a soft magnetic thin film, and the electromagnetic noise suppressor according to claim 2 or 3.
【請求項5】 直線方向に磁気異方性を有する電磁雑音
抑制体の製造方法であって、成膜工程は、前記基板の平
面方向を、前記ターゲットの平面方向に対して、磁気異
方性をつける方向に向けて、所定角度だけ傾斜させたこ
とを特徴とする電磁雑音抑制体の製造方法。
5. A method of manufacturing an electromagnetic noise suppressor having magnetic anisotropy in a linear direction, wherein the film-forming step is such that the plane direction of the substrate is relative to the plane direction of the target. A method for manufacturing an electromagnetic noise suppressor, wherein the electromagnetic noise suppressor is tilted by a predetermined angle in the direction of turning on.
【請求項6】 複数の方向に磁気異方性を有する積層さ
れた電磁雑音抑制体の製造方法であって、前記製造方法
は、基板上に軟磁性膜を形成する2つの成膜工程からな
り、第1の成膜工程は、前記基板の平面方向を、前記タ
ーゲットの平面方向に対して、1つの方向の磁気異方性
をつける方向に向けて、所定角度だけ傾斜させる成膜工
程であり、次の第2の成膜工程は、前記基板の平面方向
を、前記ターゲットの平面方向に対して、他の方向の磁
気異方性をつける方向に向けて、所定角度だけ傾斜させ
る成膜工程とすることを特徴とする電磁雑音抑制体の製
造方法。
6. A method of manufacturing a stacked electromagnetic noise suppressor having magnetic anisotropy in a plurality of directions, the manufacturing method comprising two film forming steps of forming a soft magnetic film on a substrate. The first film forming step is a film forming step in which the plane direction of the substrate is inclined by a predetermined angle with respect to the plane direction of the target in a direction in which one direction of magnetic anisotropy is imparted. The second second film forming step is a film forming step of inclining the plane direction of the substrate by a predetermined angle with respect to the plane direction of the target in a direction that imparts magnetic anisotropy in another direction. A method of manufacturing an electromagnetic noise suppressor, comprising:
【請求項7】 前記成膜工程は、アルゴン雰囲気中で、
ターゲットとして鉄と酸化アルミニウムを用いたスパッ
タとすることを特徴とする請求項5または6に記載の電
磁雑音抑制体の製造方法。
7. The film forming step is performed in an argon atmosphere,
7. The method for manufacturing an electromagnetic noise suppressor according to claim 5, wherein the target is a sputter using iron and aluminum oxide.
【請求項8】 前記電磁雑音抑制体は、M(Mは、F
e,Co,Niのいずれか、もしくはそれらの混在物)
−X(Xは、MおよびY以外の元素、もしくはそれらの
混在物)−Y(Yは、F,N,Oのいずれか、もしくは
それらの混在物)からなる軟磁性薄膜であることを特徴
とする請求項5ないし6のいずれかに記載の電磁雑音抑
制体の製造方法。
8. The electromagnetic noise suppressor is M (M is F
e, Co, Ni, or their mixture)
-X (X is an element other than M and Y, or a mixture thereof) -Y (Y is any one of F, N, O, or a mixture thereof) is a soft magnetic thin film. The method for manufacturing an electromagnetic noise suppressor according to any one of claims 5 to 6.
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