JP2003197378A - Electroluminescent display element and manufacturing method for it - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、エレクトロルミネッ
センス素子（ＥＬ素子）及びその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electroluminescence element (EL element) and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】平面表示装置として、低消費電力，高効
率，薄型，軽量，低視野角依存性等の特徴を有するエレ
クトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を用いたＥＬ表示装
置が注目されている。ＥＬ表示装置には、無機材料から
なる発光層を有する無機ＥＬ表示装置と、有機材料から
なる発光層を有する有機ＥＬ表示装置とがある。無機Ｅ
Ｌ表示装置は、一般に発光部に高電界を印加し、この高
電界中で電子を加速して発光中心に衝突させることによ
り、発光中心を励起させて発光させる自発光型の表示装
置である。一方、有機ＥＬ表示装置は、電子注入電極と
ホール注入電極とから電子とホールとを発光部内へ注入
し、注入された電子およびホールが発光中心で再結合し
て有機分子が励起状態から基底状態へと戻るときに蛍光
を発生する自発光型の表示装置である。有機ＥＬ表示装
置は、発光材料である蛍光物質を選択することにより発
光色を変化させることができ、マルチカラー、フルカラ
ー等の表示装置への応用に対する期待が高まっている。2. Description of the Related Art As a flat display device, an EL display device using an electroluminescence (EL) element, which has features such as low power consumption, high efficiency, thin shape, light weight, and low viewing angle dependency, has been attracting attention. The EL display device includes an inorganic EL display device having a light emitting layer made of an inorganic material and an organic EL display device having a light emitting layer made of an organic material. Inorganic E
The L display device is generally a self-luminous display device in which a high electric field is applied to a light emitting portion and electrons are accelerated in the high electric field to collide with the light emission center to excite the light emission center and emit light. On the other hand, in the organic EL display device, electrons and holes are injected into the light emitting portion from the electron injection electrode and the hole injection electrode, and the injected electrons and holes are recombined at the emission center so that the organic molecules are changed from the excited state to the ground state. It is a self-luminous display device that emits fluorescence when returning to. The organic EL display device can change the emission color by selecting a fluorescent substance which is a light emitting material, and there are increasing expectations for application to display devices such as multicolor and full color.
【０００３】有機ＥＬ表示装置においてＴＦＴ（薄膜ト
ランジスタ）を用いる場合は、このＴＦＴが形成される
支持板側から光を取り出す構造が一般的であるが、近
年、支持板側とは逆の側に光を取り出す、いわゆるトッ
プエミッション構造が提案されている。かかる構造であ
れば、ＴＦＴの配置の影響を受けずに、発光部の開口率
を著しく改善することができる。When a TFT (thin film transistor) is used in an organic EL display device, a structure is generally used in which light is taken out from the side of the supporting plate on which the TFT is formed, but in recent years, light is emitted to the side opposite to the side of the supporting plate. A so-called top-emission structure is proposed for taking out. With such a structure, the aperture ratio of the light emitting portion can be significantly improved without being affected by the arrangement of the TFTs.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ト
ップエミッション構造を実現するためには、発光部の支
持板側と逆の側に設けられる透明導電膜が問題となる。
特に、有機材料を発光部に用いた場合、その上面に酸化
物金属からなる透明導電膜を形成する際に、有機材料の
変質を防ぐため、基板温度としては８０℃以下の低温に
設定しなければならず、低抵抗な透明導電膜を得ること
は困難であった。However, in order to realize the above-mentioned top emission structure, the transparent conductive film provided on the side opposite to the support plate side of the light emitting portion poses a problem.
In particular, when an organic material is used for the light emitting portion, the substrate temperature must be set to a low temperature of 80 ° C. or lower in order to prevent deterioration of the organic material when forming the transparent conductive film made of an oxide metal on the upper surface thereof. Therefore, it is difficult to obtain a transparent conductive film having a low resistance.
【０００５】これを解決する技術として、特開２００１
−８５１６３号公報（ＩＰＣ：Ｈ０５Ｂ ３３／１０）
には、トップエミッション構造において透明導電膜の抵
抗損失を抑えるべく、透明導電膜と有機層との間に薄い
金属薄膜を設ける構造が開示されている。しかしなが
ら、かかる構造では、金属薄膜の光吸収損失が大きくな
る欠点がある。As a technique for solving this, Japanese Patent Laid-Open No. 2001-2001
-85163 Publication (IPC: H05B 33/10)
Discloses a structure in which a thin metal thin film is provided between the transparent conductive film and the organic layer in order to suppress resistance loss of the transparent conductive film in the top emission structure. However, such a structure has a drawback that the light absorption loss of the metal thin film becomes large.
【０００６】また、ＵＳＰ６０１６０３３には、図４に
示すような構造のＥＬ素子が開示されている。このＥＬ
素子は、基板５１上に、第１導電層５２、有機層（発光
層）５３、第１導電バリア（Ｓｎ，Ａｕから成り、透明
電極５５を形成するときの酸素バリアとなる）５４、透
明電極（ＩＴＯ，ＩＺＯから成る）５５、第２導電バリ
ア（ＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）から成り、リブ５７
を形成するときに下層を保護する）５６、及び金属リブ
（Ｍｏからなる）５７がこの順に形成されてなるもので
ある。しかしながら、かかる構造では、金属リブ５７に
よる段差を生じ外観を損なうのに加え、金属リブ５７を
形成する際のダメージを防止するための第２導電バリア
５６の形成プロセスが複雑になり、コストが高くつき、
また歩留りが低下するといった不満がある。Further, USP 6016033 discloses an EL element having a structure as shown in FIG. This EL
The element includes a first conductive layer 52, an organic layer (light emitting layer) 53, a first conductive barrier (consisting of Sn and Au and serving as an oxygen barrier when forming the transparent electrode 55) 54, and a transparent electrode on a substrate 51. 55 (composed of ITO, IZO), second conductive barrier (composed of CuPc (copper phthalocyanine), rib 57)
56, which protects the lower layer when forming a layer), and a metal rib (comprising Mo) 57 are formed in this order. However, in such a structure, a step is formed by the metal rib 57 to impair the appearance, and the process of forming the second conductive barrier 56 for preventing damage when the metal rib 57 is formed is complicated and the cost is high. luck,
Moreover, there is a complaint that the yield is reduced.
【０００７】この発明は、上記の事情に鑑み、透明導電
膜自体として十分な低抵抗値が得られない場合でもその
改質によって低抵抗化が実現されるエレクトロルミネッ
センス表示素子及びその製造方法を提供することを目的
とする。In view of the above-mentioned circumstances, the present invention provides an electroluminescent display element and a method for manufacturing the same which can realize a low resistance by modifying the transparent conductive film itself even when a sufficiently low resistance value cannot be obtained. The purpose is to do.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】この発明のエレクトロル
ミネッセンス表示素子は、陽極と陰極との間に発光物質
を含む層を設け、前記陽極及び陰極によって電気エネル
ギーを前記発光物質に供給し発光させるエレクトロルミ
ネッセンス表示素子において、前記陽極または陰極とし
て用いられる透明導電膜が前記発光物質を含む層上に形
成され、前記透明導電膜の一部には熱エネルギーによっ
て改質されて成る低抵抗化領域が形成されていることを
特徴とする。The electroluminescent display element of the present invention is an electroluminescent display device in which a layer containing a luminescent material is provided between an anode and a cathode, and electric energy is supplied to the luminescent material by the anode and the cathode to cause light emission. In a luminescence display element, a transparent conductive film used as the anode or the cathode is formed on a layer containing the light emitting substance, and a low resistance region formed by being modified by thermal energy is formed in a part of the transparent conductive film. It is characterized by being.
【０００９】上記の構成であれば、透明導電膜の一部に
低抵抗化領域が形成されたことにより、透明導電膜の抵
抗損失が抑制される。この抵抗損失抑制は、従来の薄い
金属薄膜を設けることなく実現できるから、大きな光吸
収損失が生じるのを防止できる。また、金属リブを形成
する従来構造に比べ、プロセスが簡単であり、低コスト
化及び歩留り向上を図ることができる。With the above-mentioned structure, the resistance loss of the transparent conductive film is suppressed by forming the low resistance region in a part of the transparent conductive film. Since this resistance loss suppression can be realized without providing a conventional thin metal thin film, a large light absorption loss can be prevented from occurring. Further, the process is simpler than that of the conventional structure in which the metal rib is formed, and the cost can be reduced and the yield can be improved.
【００１０】前記発光物質が有機材料からなる場合には
特に有効である。前記発光物質を含む層は薄膜トランジ
スタ上に形成されていてもよい。前記透明導電膜の低抵
抗化領域は付加された熱エネルギーによって結晶化され
て成るものでもよい。It is particularly effective when the light emitting substance is made of an organic material. The layer containing the light emitting material may be formed on the thin film transistor. The low resistance region of the transparent conductive film may be crystallized by the added heat energy.
【００１１】前記透明導電膜は、酸化物金属から成るも
のでもよい。また、前記酸化物金属から成る透明導電膜
の低抵抗化領域は、付加された熱エネルギーによる脱酸
素にて金属化されて成るものでもよい。The transparent conductive film may be made of an oxide metal. Further, the low resistance region of the transparent conductive film made of the oxide metal may be metallized by deoxidation by the added heat energy.
【００１２】前記低抵抗化領域の比抵抗は１０-7Ω・ｃ
ｍ台以下であるのがよい。The specific resistance of the low resistance region is 10 −7 Ω · c
It should be m or less.
【００１３】また、この発明のエレクトロルミネッセン
ス表示素子の製造方法は、発光物質を含む層を形成した
後、この発光物質を含む層の変質を生じさせない低温度
下にて当該発光物質を含む層上に透明導電膜を形成し、
この透明導電膜の一部に熱エネルギーを付加することを
特徴とする。Further, according to the method of manufacturing an electroluminescent display element of the present invention, after the layer containing the light emitting substance is formed, the layer containing the light emitting substance is formed on the layer containing the light emitting substance at a low temperature which does not cause alteration of the layer containing the light emitting substance. Forming a transparent conductive film on
It is characterized in that heat energy is applied to a part of the transparent conductive film.
【００１４】上記の構成であれば、発光物質の変質を生
じさせずに透明導電膜の一部に低抵抗化領域を形成でき
る。With the above structure, the low resistance region can be formed in a part of the transparent conductive film without causing deterioration of the light emitting material.
【００１５】熱エネルギーの付加を窒素ガス雰囲気中に
て行なうようにしてもよい。また、熱エネルギーの付加
を還元性ガス雰囲気中にて行なうようにしてもよい。ま
た、波長０．３５μｍから０．１９μｍを有するエキシ
マレーザを光源として熱エネルギーを付加するようにし
てもよい。The addition of heat energy may be performed in a nitrogen gas atmosphere. Further, the addition of heat energy may be performed in a reducing gas atmosphere. Further, heat energy may be added using an excimer laser having a wavelength of 0.35 μm to 0.19 μm as a light source.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】この発明のエレクトロルミネッセ
ンス表示素子及びその製造方法を図１乃至図３に基づい
て説明していく。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An electroluminescent display element and a method for manufacturing the same according to the present invention will be described with reference to FIGS.
【００１７】図１は、この実施形態の有機ＥＬ表示素子
の基本構造を簡素化して示した断面図である。有機ＥＬ
表示素子は、この図に示すように、ガラスやプラスチッ
ク等の支持基板１と、この支持基板１上に形成された一
方側電極２と、この一方側電極２上に形成された有機材
料からなるＥＬ素子部３と、このＥＬ素子部３上に形成
された他方側電極４とから成る基本構造を有する。FIG. 1 is a sectional view showing a simplified basic structure of the organic EL display element of this embodiment. Organic EL
As shown in this figure, the display element is made of a supporting substrate 1 such as glass or plastic, one side electrode 2 formed on the supporting substrate 1, and an organic material formed on the one side electrode 2. It has a basic structure composed of the EL element portion 3 and the other side electrode 4 formed on the EL element portion 3.
【００１８】前記一方側電極２は、例えば、厚さ１００
０ÅのＭｇＩｎからなる。このＭｇＩｎの代わりに、同
様の低仕事関数を有するＭｇ、Ｉｎ、ＭｇＡｇなどを用
いてもよい。前記他方側電極４は、例えば、厚さ１００
０ÅのＩＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 ＋ＳｎＯ2 ）からなる。この
ＩＴＯの代わりにＩＺＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 ＋ＺｎＯ）、Ｉｎ
2 Ｏ3 、ＳｎＯ2 、ＺｎＯなどの他の酸化物金属を用い
てもよい。The one-side electrode 2 has, for example, a thickness of 100.
It consists of 0Å MgIn. Instead of MgIn, Mg, In, MgAg or the like having a similar low work function may be used. The other electrode 4 has, for example, a thickness of 100.
It is made of 0Å ITO (In 2 O 3 + SnO 2 ). Instead of this ITO, IZO (In 2 O 3 + ZnO), In
Other oxide metals such as 2 O 3 , SnO 2 and ZnO may be used.
【００１９】ＥＬ素子部３は、例えば、一方側電極２上
に形成された発光層（例えば、厚さ２００Åのアルミニ
ウムキノリノール錯体にキナクリドンをドープしたも
の）３ａと、この発光層３ａ上に形成されたホール輸送
層（例えば、厚さ２００Åのジアミン誘導体) ３ｂと、
ホール注入層（例えば、厚さ１０００Åのトリフェニル
アミン誘電体）３ｃとからなる。上記の各層は、真空度
を１０-4Ｐａ以下にして抵抗加熱ボートを用いた真空蒸
着法を用いて形成することができる。The EL element portion 3 is formed, for example, on a light emitting layer 3a (for example, an aluminum quinolinol complex having a thickness of 200Å doped with quinacridone) 3a formed on the one side electrode 2, and on this light emitting layer 3a. And a hole transport layer (for example, a diamine derivative having a thickness of 200Å) 3b,
And a hole injection layer (for example, triphenylamine dielectric having a thickness of 1000Å) 3c. Each of the above layers can be formed by a vacuum deposition method using a resistance heating boat with a vacuum degree of 10 −4 Pa or less.
【００２０】図中のハッチ部４ａは、ＩＴＯ（他方側電
極４）が低抵抗化された改質部（以下、低抵抗化領域４
ａという）である。他方側電極４は、図において紙面垂
直方向に長く形成されており、一方側電極２は、図にお
いて左右方向に長く形成されており、両電極の交差部が
画素部をなす。他方側電極４における低抵抗化領域４ａ
は、他方側電極４の片縁において線状に形成されてい
る。The hatched portion 4a in the figure is a modified portion (hereinafter referred to as a low resistance region 4) in which ITO (the other side electrode 4) has a low resistance.
a)). The other side electrode 4 is formed long in the direction perpendicular to the paper surface in the figure, and the one side electrode 2 is formed long in the left and right direction in the figure, and the intersection of both electrodes forms a pixel portion. Low resistance region 4a in the other electrode 4
Are linearly formed on one edge of the other electrode 4.
【００２１】上記構造の有機ＥＬ表示素子であれば、Ｉ
ＴＯ（他方側電極４）の一部に低抵抗化領域４ａが形成
されたことにより、ＩＴＯの抵抗損失が抑制される。こ
の抵抗損失抑制は、従来の薄い金属薄膜を設けることな
く実現できるから、大きな光吸収損失が生じるのを防止
できる。また、金属リブを形成する従来構造に比べ、プ
ロセスが簡単であり、低コスト化及び歩留り向上を図る
ことができる。In the case of the organic EL display device having the above structure, I
The resistance loss of ITO is suppressed by forming the low resistance region 4a in a part of TO (the other side electrode 4). Since this resistance loss suppression can be realized without providing a conventional thin metal thin film, a large light absorption loss can be prevented from occurring. Further, the process is simpler than that of the conventional structure in which the metal rib is formed, and the cost can be reduced and the yield can be improved.
【００２２】図２は上記構造の有機ＥＬ表示素子におけ
る低抵抗化領域４ａの形成工程を示した説明図である。
なお、有機ＥＬ表示素子の作製においては、例えば、支
持基板１上に電極材料を成膜した後に、フォトリソグラ
フィによってストライプ状に加工して一方側電極２を形
成し、このストライプ方向と直交する方向にストライプ
状に絶縁分離膜を形成し、ＥＬ素子部３となる有機膜及
びＩＴＯを堆積させると、ストライプ状のＥＬ素子部３
及びＩＴＯ（他方側電極４）となり、先に形成したスト
ライプ状の一方側電極２と交差するかたちで堆積するこ
とになる。前記ＩＴＯは、ＥＬ素子部３の変質を生じさ
せない低温度下にて成膜される。この成膜の後、ＩＴＯ
の一部に熱エネルギーを付加する。FIG. 2 is an explanatory view showing a process of forming the low resistance region 4a in the organic EL display device having the above structure.
In the production of the organic EL display element, for example, after the electrode material is formed on the supporting substrate 1, it is processed into a stripe shape by photolithography to form the one-side electrode 2, and a direction orthogonal to the stripe direction is formed. An insulating separation film is formed in a stripe shape on the substrate, and an organic film and ITO that will become the EL element portion 3 are deposited.
And ITO (the other side electrode 4), and they are deposited in such a manner as to intersect with the previously formed striped one side electrode 2. The ITO film is formed at a low temperature that does not cause the deterioration of the EL element unit 3. After this film formation, ITO
Add heat energy to a part of.
【００２３】図２に示した例では、熱エネルギーの付加
をＸｅＣｌエキシマレーザー光源７により行なってい
る。すなわち、有機ＥＬ表示素子の上方にＸｅＣｌエキ
シマレーザー光源７を配置し、このレーザー光源７から
出射されるレーザビームを光学系８によってＩＴＯ表面
の所望の位置に合焦させて導き、ＩＴＯ（他方側電極
４）に熱エネルギーを与え、結晶化させて低抵抗化領域
４ａを得る。なお、このようにレーザー光源を用いるこ
とで、エッチングやマスク処理に比べ、低抵抗化領域４
ａの細線化が容易となる。In the example shown in FIG. 2, heat energy is added by the XeCl excimer laser light source 7. That is, a XeCl excimer laser light source 7 is arranged above the organic EL display element, and a laser beam emitted from this laser light source 7 is focused and guided by an optical system 8 to a desired position on the ITO surface. Thermal energy is applied to the electrode 4) to crystallize it to obtain the low resistance region 4a. By using the laser light source in this manner, the resistance-lowering region 4 is reduced as compared with etching and mask processing.
It is easy to make a thin line.
【００２４】上記レーザーはパルス発振であり、出力と
しては６０Ｗのものを用いた。そして、レーザー照射中
に余分な酸化を生じさせないために、Ｎ2 雰囲気中でレ
ーザーを照射させることとした。また、ＩＴＯ（他方側
電極４）中の酸素を抜いて金属化させる改質を行なって
低抵抗化領域４ａを得るようにしてもよく、この場合に
は、水素などの還元性ガスの中で処理を行う。光源とし
ては、ＸｅＦやＡｒＦなどの他の短波長エキシマレーザ
ー（波長０．３５−０．１９ミクロン）などを用いて
も、同様の結果が得られる。また、ヤグレーザー（例え
ば、１．０６μｍ）等の他のレーザー光源を用いてもよ
く、この場合には、ＳＨＧ（Second-Harmonic Generati
on）やＴＨＧ（Third-Harmonic Generation ）による短
波長化の処理を行なえばよい。The above-mentioned laser is a pulse oscillation type and has an output of 60 W. Then, in order to prevent excessive oxidation during laser irradiation, laser irradiation was performed in an N 2 atmosphere. Further, oxygen in the ITO (the other side electrode 4) may be removed to perform metallization modification to obtain the low resistance region 4a. In this case, in the reducing gas such as hydrogen. Perform processing. Similar results can be obtained by using other short wavelength excimer lasers (wavelength 0.35-0.19 micron) such as XeF and ArF as the light source. Further, another laser light source such as a YAG laser (for example, 1.06 μm) may be used. In this case, SHG (Second-Harmonic Generati) is used.
on) or THG (Third-Harmonic Generation).
【００２５】低抵抗化領域４ａにおける改質の度合い
は、レーザー照射パワーとスキャンスピードとによって
制御することができる。ＩＴＯ（他方側電極４）はその
成膜段階で比抵抗が１０-4Ω・ｃｍであった。それが上
記レーザー照射を行なうことにより、１０-8Ω・ｃｍ以
下にまで低下した。The degree of modification in the low resistance region 4a can be controlled by the laser irradiation power and the scan speed. The specific resistance of ITO (the electrode 4 on the other side) was 10 −4 Ω · cm at the film forming stage. It was lowered to 10 −8 Ω · cm or less by performing the above laser irradiation.
【００２６】図３は、改質部の比抵抗と１００ｃｄ／ｍ
2 の輝度を得るために必要とした電圧値（Ｖ）との関係
を示したグラフである。これは、ａ／ｂ＝０．１の条件
の下での測定結果であり、上記ａは改質部（低抵抗化領
域４ａ）の幅を表し、上記ｂはＩＴＯ（他方側電極４）
の幅を表している（図２参照）。上記グラフから分かる
ように、改質を行なわなかった場合（１０-4Ω・ｃｍ）
では、ＩＴＯ（他方側電極４）の抵抗が高いため、印加
した電界が全てその部分にかかってしまい、ＥＬ素子部
３に電流が注入されず、いくら電圧をかけても（＞２０
Ｖ）発光しなかったが、改質することで、有機材料の持
つ本来の発光特性である６Ｖ程度で良好な発光を得るこ
とができた。また、このグラフからわかるように、１０
-7Ω・ｃｍ程度にまで改質すれば、十分低電圧で駆動で
きることも分かった。FIG. 3 shows the resistivity of the reforming section and 100 cd / m 2.
6 is a graph showing a relationship with a voltage value (V) required to obtain a luminance of 2 . This is a measurement result under the condition of a / b = 0.1, the a represents the width of the modified portion (low resistance region 4a), and the b represents ITO (the other electrode 4).
Represents the width (see FIG. 2). As can be seen from the graph above, without modification (10 -4 Ω · cm)
However, since the resistance of ITO (the electrode 4 on the other side) is high, the applied electric field is entirely applied to that portion, no current is injected into the EL element portion 3, and no matter how much voltage is applied (> 20).
V) Although it did not emit light, by modifying it, good emission could be obtained at about 6 V which is the original light emitting property of the organic material. Also, as you can see from this graph, 10
It was also found that it can be driven at a sufficiently low voltage if it is modified to about -7 Ω · cm.
【００２７】上記実験例ではａ／ｂ＝０．１としたが、
ａ／ｂ＝０．０５とした実験結果では、略半分の５×１
０-8Ω・ｃｍ程度にまで比抵抗を下げる必要があること
が分かり、また、ａ／ｂ＝０．２とした実験結果では、
５×１０-7Ω・ｃｍ程度にまで比抵抗を低下させればよ
いことが分かった。ａ／ｂを０．２以上としてもよい
が、改質部ではＩｎが析出する傾向にあるため、光の透
過率が下がり、開口率が低下することとなるため、改質
部の面積を増やすよりも、比抵抗を下げる方が得策とな
る。上記開口率との関係から、低抵抗化領域４ａの比抵
抗は１０-7Ω・ｃｍ台以下であるのが望ましいと思われ
る。In the above experimental example, a / b = 0.1, but
The experimental result with a / b = 0.05 is approximately half, 5 × 1.
It was found that it is necessary to lower the specific resistance to about 0 -8 Ω · cm, and the experimental result with a / b = 0.2.
It was found that the specific resistance should be reduced to about 5 × 10 −7 Ω · cm. Although a / b may be 0.2 or more, In tends to precipitate in the modified portion, which reduces light transmittance and lowers the aperture ratio. Therefore, the area of the modified portion is increased. Rather than lowering the specific resistance is a good idea. From the relationship with the aperture ratio, it seems that the resistivity of the low resistance region 4a is preferably in the order of 10 −7 Ω · cm or less.
【００２８】なお、かかる発明は、発光部として耐熱性
に劣る有機材料を使用した有機ＥＬ表示素子に特に有用
であるが、同様の構造をもつ無機ＥＬ表示素子にも適用
することができる。また、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
を用いるいわゆるアクティブタイプにおいても、かかる
発明を適用することができる。特に、支持板上にＴＦＴ
を形成し、このＴＦＴ上に有機発光部と透明電極を形成
し、支持板側とは逆の側に光を取り出す構造において、
かかる発明は一層有用となる。The present invention is particularly useful for an organic EL display element using an organic material having poor heat resistance as a light emitting portion, but can also be applied to an inorganic EL display element having a similar structure. Also, thin film transistor (TFT)
The present invention can be applied to a so-called active type that uses a. Especially on the support plate
In the structure in which the organic light emitting portion and the transparent electrode are formed on this TFT, and light is extracted to the side opposite to the support plate side,
Such invention becomes more useful.
【００２９】[0029]
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、透明導電膜の一部に低抵抗化領域が形成されたこと
により、透明導電膜の抵抗損失が抑制される。この抵抗
損失抑制は、従来の薄い金属薄膜を設けることなく実現
できるから、大きな光吸収損失が生じるのを防止でき
る。また、金属リブを形成する従来構造に比べ、プロセ
スが簡単であり、低コスト化及び歩留り向上が図れると
いう効果を奏する。As described above, according to the present invention, the resistance loss of the transparent conductive film is suppressed by forming the low resistance region in a part of the transparent conductive film. Since this resistance loss suppression can be realized without providing a conventional thin metal thin film, a large light absorption loss can be prevented from occurring. Further, as compared with the conventional structure in which the metal rib is formed, the process is simple, and the cost and the yield can be improved.
【図１】この発明の実施形態のエレクトロルミネッセン
ス表示素子を示した断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an electroluminescence display device of an embodiment of the present invention.
【図２】図１のエレクトロルミネッセンス表示素子にお
いて低抵抗化領域を形成する工程を示した説明図であ
る。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a step of forming a low resistance region in the electroluminescence display element of FIG.
【図３】改質部の比抵抗と１００ｃｄ／ｍ2 の輝度を得
るために必要とした電圧値との関係を示したグラフであ
る。FIG. 3 is a graph showing the relationship between the specific resistance of the modified portion and the voltage value required to obtain a brightness of 100 cd / m 2 .
【図４】従来のエレクトロルミネッセンス表示素子を示
した断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing a conventional electroluminescence display element.
１ 支持板 ２ 一方側電極 ３ ＥＬ素子部 ３ａ 発光層 ３ｂ ホール輸送層 ３ｃ ホール注入層 ４ 他方側電極（ＩＴＯ） ４ａ 低抵抗化領域 1 Support plate 2 One side electrode 3 EL element section 3a light emitting layer 3b Hall transport layer 3c hole injection layer 4 Other side electrode (ITO) 4a Low resistance region
Claims (11)
設け、前記陽極及び陰極によって電気エネルギーを前記
発光物質に供給し発光させるエレクトロルミネッセンス
表示素子において、前記陽極または陰極として用いられ
る透明導電膜が前記発光物質を含む層上に形成され、前
記透明導電膜の一部には熱エネルギーによって改質され
て成る低抵抗化領域が形成されていることを特徴とする
エレクトロルミネッセンス表示素子。1. A transparent material used as the anode or the cathode in an electroluminescence display device, wherein a layer containing a light emitting substance is provided between an anode and a cathode, and electric energy is supplied to the light emitting substance by the anode and the cathode to emit light. An electroluminescent display element, wherein a conductive film is formed on a layer containing the light emitting material, and a low resistance region formed by being modified by thermal energy is formed on a part of the transparent conductive film.
ンス表示素子において、前記発光物質を含む層は薄膜ト
ランジスタ上に形成されていることを特徴とするエレク
トロルミネッセンス表示素子。2. The electroluminescent display element according to claim 1, wherein the layer containing the light emitting substance is formed on a thin film transistor.
ロルミネッセンス表示素子において、前記発光物質は有
機材料からなることを特徴とするエレクトロルミネッセ
ンス表示素子。3. The electroluminescent display element according to claim 1 or 2, wherein the light emitting material is made of an organic material.
のエレクトロルミネッセンス表示素子において、前記透
明導電膜の低抵抗化領域は付加された熱エネルギーによ
って結晶化されたものであることを特徴とするエレクト
ロルミネッセンス表示素子。4. The electroluminescence display element according to claim 1, wherein the low resistance region of the transparent conductive film is crystallized by added heat energy. And an electroluminescence display element.
のエレクトロルミネッセンス表示素子において、前記透
明導電膜は、酸化物金属から成ることを特徴とするエレ
クトロルミネッセンス表示素子。5. The electroluminescent display element according to claim 1, wherein the transparent conductive film is made of an oxide metal.
ンス表示素子において、前記酸化物金属から成る透明導
電膜の低抵抗化領域は、付加された熱エネルギーによる
脱酸素にて金属化されたものであることを特徴とするエ
レクトロルミネッセンス表示素子。6. The electroluminescent display element according to claim 5, wherein the low resistance region of the transparent conductive film made of the oxide metal is metallized by deoxidation by the added heat energy. An electroluminescence display device characterized by the above.
のエレクトロルミネッセンス表示素子において、前記低
抵抗化領域の比抵抗は１０-7Ω・ｃｍ台以下であること
を特徴とするエレクトロルミネッセンス表示素子。7. The electroluminescence display element according to claim 1, wherein the resistivity of the low resistance region is in the order of 10 −7 Ω · cm or less. Display element.
光物質を含む層の変質を生じさせない低温度下にて当該
発光物質を含む層上に透明導電膜を形成し、この透明導
電膜の一部に熱エネルギーを付加することを特徴とする
エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法。8. A transparent conductive film is formed on a layer containing a luminescent substance after forming a layer containing the luminescent substance and at a low temperature that does not cause alteration of the layer containing the luminescent substance. A method for manufacturing an electroluminescence display element, characterized in that heat energy is added to a part of the above.
ンス表示素子の製造方法において、前記熱エネルギーの
付加を窒素ガス雰囲気中にて行なうことを特徴とするエ
レクトロルミネッセンス表示素子の製造方法。9. The method of manufacturing an electroluminescent display element according to claim 8, wherein the addition of the thermal energy is performed in a nitrogen gas atmosphere.
センス表示素子の製造方法において、前記熱エネルギー
の付加を還元性ガス雰囲気中にて行なうことを特徴とす
るエレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法。10. The method for manufacturing an electroluminescent display element according to claim 8, wherein the addition of the thermal energy is performed in a reducing gas atmosphere.
記載のエレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法に
おいて、波長０．３５μｍから０．１９μｍを有するエ
キシマレーザを光源として熱エネルギーを付加すること
を特徴とするエレクトロルミネッセンス表示素子の製造
方法。11. The method for manufacturing an electroluminescent display element according to claim 8, wherein heat energy is added using an excimer laser having a wavelength of 0.35 μm to 0.19 μm as a light source. And a method for manufacturing an electroluminescence display device.
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