JP2003196998A - 半導体集積回路および評価システム - Google Patents

半導体集積回路および評価システム

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JP2003196998A
JP2003196998A JP2001391020A JP2001391020A JP2003196998A JP 2003196998 A JP2003196998 A JP 2003196998A JP 2001391020 A JP2001391020 A JP 2001391020A JP 2001391020 A JP2001391020 A JP 2001391020A JP 2003196998 A JP2003196998 A JP 2003196998A
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Seishi Miyata
誠史 宮田
Hideyuki Aoki
英之 青木
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Hitachi Ltd
Hitachi Solutions Technology Ltd
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Hitachi Ltd
Hitachi ULSI Systems Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体メモリの試験を行う分には十分な汎用
性が得られ、回路規模が小さく、高速動作可能で、且
つ、低コストに製造することのできるスクランブル回路
を提供することにある。 【解決手段】 入力アドレスのうちp個以下の選択ビッ
トを抽出する第1選択回路101と、上記入力アドレス
のうちm個以下の選択ビットを抽出する第2選択回路1
02と、これらの選択ビットを設定する選択ビット設定
レジスタ103,104と、2ビットの第1データが
格納できる第1データ設定レジスタ107と、2ビッ
トの第2データが格納できる第2データ設定レジスタ1
08と、抽出された選択ビットの値と1対1に対応付け
られた第1データ設定レジスタ107のビット位置の値
を出力する第1論理105,109と、抽出された選択
ビットの値と1対1に対応付けられた第2データ設定レ
ジスタ108のビット位置の値を出力する第2論理10
6,110と、これら両出力と入力データDinの排他
的論理和を演算する論理回路111,112とを備えた
スクランブル回路である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体集積回路
の評価システム並びに該評価システムに用いられる半導
体集積回路に関し、例えばDRAM(Dynamic Random A
ccess Memory)などの半導体メモリの良品選別を行なう
評価システムに適用して有用な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体メモリの良品選別を行なう
評価システムとして、図8に示すようなメモリテスタが
ある。メモリテスタ500は、一定の規則で変化される
アドレスパターンやデータパターンを発生させるALP
G(algorithmic pattern generator)510や、AL
PG510からの出力パターンに基づき様々なパターン
で変化するアドレスやデータを生成するスクランブル回
路511を備え、これらの回路により生成されたテスト
パターンを試験対象の半導体メモリQ1に出力して評価
試験を行なうものである。試験対象の半導体メモリQ1
は外部のテストボード600上にセットされ、テスタ5
00とはケーブル700を介して接続される。メモリテ
スタ500は、種々の半導体メモリを試験対象とするこ
とが可能なように汎用性高く構成されているため、その
スクランブル回路511には大容量のRAMが設けら
れ、このRAMに任意パターンのデータを格納するとと
もに、ALPG510から供給されるアドレスに従って
該RAMからデータを読み出すことで任意のテストパタ
ーンを生成するように構成されている。
【0003】テストパターンのスクランブル方式として
は、一般に、入力アドレスの各ビットを1個の変数とし
て、テストパターンをこれら変数の関数値として表わす
ようにした方式がよく用いられる。このようなスクラン
ブル方式において、例えば、アドレスの5ビットを変数
とすれば足りるような場合では、変数値の組み合せは2
(=32)通りと少なくて済むが、高い汎用性を追求
されて構成されるテスタ500の場合では、例えば最大
12変数まで許容されるように構成されたりするので、
変数値の組み合せが212(=4K)通りで、16個の
データI/Oのそれぞれに別のテストパターンを供給可
能とすると、データ用に4K×16ビットのRAMが必
要になり、また、アドレス用に64K×16ビットのR
AMが必要になる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】メモリテスタ500で
は、生成したテストパターンをテスタ500からテスト
ボード600までケーブル700を介して供給しなけれ
ばならないため、一度にテストパターンを供給できるテ
ストボード600の数は限られてくる。そのため、従来
のメモリテスタ500を用いた試験方式では、その処理
量が限られてしまい、試験コストを高騰させる原因とな
っている。そこで、本発明者らは、ALPGやスクラン
ブル回路などの試験回路を、試験対象がセットされるテ
ストボード上に搭載し、テストボード上で半独立的に試
験を行なわせるBOST(Built Out Self Test)と呼
ばれる試験方式を、半導体メモリの良品選別試験等にも
応用できないか検討した。
【0005】しかしながら、従来のスクランブル回路で
は、膨大なRAMが必要なため回路規模が大きくなり、
また、高速な試験動作に適応するためそのRAMには高
速性能と高信頼性とが要求されるとあって、製造コスト
が非常に高くなる。それゆえ、上記従来のスクランブル
回路を、BOST方式による半導体メモリの良品選別試
験に適用することは困難であった。
【0006】この発明の目的は、DRAMなどの半導体
メモリの試験を行う分には十分な汎用性が得られ、回路
規模が小さく、高速動作可能で、且つ、低コストに製造
することのできるスクランブル回路を提供することにあ
る。この発明の他の目的は、半導体メモリの良品選別試
験をBOSTの技術を用いて高い処理量で且つ低コスト
に行うことができる評価システムを提供することにあ
る。この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特
徴については、本明細書の記述および添附図面から明ら
かになるであろう。
【0007】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、下記のと
おりである。すなわち、入力アドレスの選択ビットを抽
出する選択回路と、この選択ビットを設定することが可
能な選択ビット設定レジスタと、出力用のデータが格納
できるデータ設定レジスタと、上記選択回路により抽出
された選択ビットの値と1対1に対応付けられた上記デ
ータ設定レジスタのビット位置の値を出力する論理回路
とを2組設けて、各出力および入力データの排他的論理
和演算の結果を出力データとするデータスクランブル回
路としたり、アドレスビット数分設けて各出力を出力ア
ドレスとするアドレススクランブル回路とするものであ
る。このような手段により、回路規模が小さく、高速動
作可能で、且つ、抵コストに製造可能なスクランブル回
路を提供することが出来る。また、このようなスクラン
ブル回路を用いたBOST方式の評価システムにより、
例えば半導体メモリの良品選別試験を高い処理量で且つ
低コストに行なうことが可能である。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施例を図
面に基づいて説明する。図1は、本発明を適用して好適
な半導体メモリ評価システムの実施例を示す構成図であ
る。この実施例の評価システムは、試験対象となる複数
の半導体メモリQ1と、試験対象に試験信号を出力した
り結果の信号を読み出したりする試験回路20とを、1
枚の電子基板からなるテストボード(試験基板)10に
搭載して評価試験を行なうBOSTと呼ばれる試験方式
を適用した評価システムである。
【0009】試験回路20は、不規則或いは任意のパタ
ーンで変化される試験用のアドレスとデータ(テストパ
ターンと呼ぶ)を生成し、これらテストパターンのアド
レスとデータに基づき試験対象の半導体メモリQ1に次
々とデータを書き込むとともに、それと並行して半導体
メモリQ1からデータを読み出して、正常に書込みが行
なわれているか判定を行なうものである。この試験回路
には、規則的に変化される入力アドレスXin,Yin
入力データDinを所定周期で発生させるテストパター
ン発生回路としてのALPG(algorithmic pattern ge
nerator)21と、本発明に係る半導体集積回路として
ALPG21から受け取ったアドレスおよびデータに基
づきテストパターンを生成するスクランブルLSI22
と、このテストパターンの出力および試験対象のP/F
(pass/ fail)判定を行なうバッファLSI23と、ケ
ーブル等を介して外部のコンピュータ30に接続される
CPUインターフェース24などが設けられている。
【0010】外部コンピュータ30からCPUインター
フェース24を介して入出力されるデータには次のよう
なものがある。すなわち、ALPG21には試験の開始
や終了の制御信号、スクランブルLSI22にはテスト
パターンを決定する各種設定データが入力される。ま
た、バッファLSI23から外部コンピュータ30へは
P/F判定の最終的な結果データが試験終了後に出力さ
れる。このようなBOST方式の評価システムによれ
ば、試験信号は1個のテストボード10上で入出力され
るので、試験信号をメモリテスタからケーブル等を介し
て各テストボードに配信する方式に比べて、より多くの
試験対象に同時に試験信号を出力することが可能であ
る。特に、高速な試験信号が必要な場合には両者の相違
は顕著なものとなる。また、1個のテストボード10の
製造コストが低ければ、多数のテストボードを用意して
同時に試験処理が出来るので、試験処理量の大幅な向上
が図れ、また、試験処理量が増す分、試験コストの大幅
な削減を図ることが出来る。
【0011】以下、上記評価システムに適用されたスク
ランブルLSI22について説明する。スクランブルL
SI22には、テストパターンのデータを生成するデー
タスクランブル100(図2)と、Xアドレスを生成す
るXアドレススクランブル回路200(図3)と、同様
にYアドレスを生成するYアドレススクランブル回路
(図示略)が設けられている。図2には、これらのうち
データスクランブル回路100のブロック図を、図4と
図5には、このデータスクランブル回路100の詳細な
回路図をそれぞれ示す。これらの図において、Xin
[0−j]とYin[0−k]はALPG21で生成さ
れた[j+1(例えば16)]ビットのXアドレスと
[k+1(例えば16)]ビットのYアドレス、Din
[0]〜Din[n]はALPG21で生成された[n
+1]ビットの入力データ、Dout[0]〜Dout
[n]はデータスクランブル回路100により任意のパ
ターンに変換されて出力される[n+1]ビットの出力
データである。
【0012】上記データスクランブル回路100は、入
力アドレスXin,Yinから所定のビット(選択ビッ
ト)の信号を選択する演算変数選択回路(第1および第
2選択回路)101,102と、これら選択ビットを設
定する演算変数設定レジスタ(選択ビット設定レジス
タ)103,104と、出力データの元となるデータが
格納される演算結果設定レジスタ(第1および第2デー
タ設定レジスタ)107,108と、選択回路101,
102の出力データ値に応じて1本の信号線を選択する
デコーダ105,106と、演算結果設定レジスタ10
7,108からそれぞれ1ビットずつ信号を通過させる
トライステートバッファ群109,110と、演算結果
設定レジスタ107,108からそれぞれ出力された信
号の排他的論理和を演算する論理ゲート111と、nビ
ットの入力データDinおよび論理ゲート111の出力
の排他的論理和をそれぞれ演算する論理ゲート群112
とから構成される。ここで、上記デコーダ105,10
6とトライステートバッファ群109,110とにより
第1回路および第2回路が構成される。
【0013】また、図5に示すように(図2では省
略)、データスクランブル回路100の論理ゲート11
1の前段には、トライステート群109,110を通過
した信号の出力を許可又は遮断するためのAND回路1
15,116と、それを設定する2ビット設定レジスタ
114とが設けられている。データスクランブル回路1
00には、演算変数選択回路101,102や演算結果
設定レジスタ107,108など、同様の構成が2系統
設けられているが、第1系統側(101,107)につ
いては主にパターン変更がアドレスの中間ビットや下位
ビットの変更に対応して行なわれるように設定される物
理的(Physical)変換系に、また、第2系統側(10
2,108)についてはパターン変更がアドレスの上位
ビットに応じて時系列にみて所定単位毎にまとまって行
なわれるように設定されるデータパターン変換系として
扱うことが出来る。
【0014】演算変数選択回路101は、図4にも示す
ように、入力アドレスXin,Yinの中から何れかの
ビットを出力側に抽出するトライステートバッファ群1
01Aと、レジスタ103Aの値をデコードして1個の
トライステートバッファをオンさせるデコーダ部101
Bと、レジスタ103Bの値に基づき選択回路からの各
出力をネゲート可能な論理ゲート101Cとから構成さ
れている。そして、これらにより、入力アドレスXi
n,Yinの中からp個(例えば5個)以下のビットを
選択して出力するようになっている。他方の演算変数選
択回路102も、同様にトライステートバッファ群10
2Aとデコーダ部102Bと論理ゲート102Cとから
構成され、入力アドレスXin,Yinの中からm個
(例えば3個)以下のビットを選択してデコーダ105
に出力するようになっている。
【0015】図4において、レジスタ103A,103
Bは演算変数設定レジスタ103を構成するもの、レジ
スタ104A,104Bは変残変数設定レジスタ104
を構成するものである。ここで選択可能な最大ビット
数、pとmは、p≦5、m≦5、p+m≦8の条件を満
たすように構成する。この構成により、DRAM等の半
導体メモリを試験対象とした場合に広く汎用性が得られ
るとともに、回路規模を小さく構成することが出来る。
なお、pとmは、p≦6、m≦6、p+m≦10の条件
の範囲内であれば、やや回路規模が大きくなることがあ
っても、BOST方式を用いた評価システムを困難なく
構築することが出来る。
【0016】演算結果設定レジスタ107,108に
は、出力データDout[0]〜Dout[n]の元と
なるデータが格納されるが、例えば、出力データDou
tを入力アドレスXin,Yinと入力データDinの
関数となるように設定したい場合には、次のようにデー
タを求めて設定が行なわれる。例えば、第iビットの出
力データDout[i]が、次式(1)に示すように、第iビ
ットの入力データDin[i]と入力アドレスXin,Yin
中の5ビット(Xin[4] ,Xin[1] ,Yin[3] ,Xin[0] ,Yin
[0])の関数となるように設定する場合について説明す
る。 Dout[i] = Din[i] EOR (Xin[4] EOR /Xin[1] EOR /Yin[3] EOR Xin[0] EOR Yin[0] …(1) ここで、「EOR」は排他的論理和、「/」は否定を表
わす。
【0017】このように設定する場合には、例えば、式
(1)の右辺を下記リスト(2)の各項に分解するとと
もに、その第2項については一方の演算結果設定レジス
タ107に、第3項については他方の演算結果設定レジ
スタ108に、それぞれ対応させ、且つ、両者の出力と
入力データDinとで排他的論理和を演算することで式
(1)の結果が得られるように設定する。 {Din[i],(Xin[4] EOR /Xin[1] EOR /Yin[3]),(Xin[0] EOR Yin[0])} …( 2) そのため、先ず、演算変数設定レジスタ103には、演
算変数選択回路101において変数として使用されるX
アドレスとYアドレスの各ビットが選択されるように値
を設定する。選択回路101は5ビットの選択が可能で
あり、今回はそのうち3ビットしか選択しないが、選択
されたビットは下位ビットから埋まるように決めておく
ことで、演算変数選択回路101の5ビット出力は
(0,0,Yin[3],Xin[1],Xin[4])とすることか出来
る。
【0018】次に、演算結果設定レジスタ107に、リ
スト(2)の第2項の演算結果を登録する。すなわち、
(Yin[3],Xin[1],Xin[4])の3変数が(0,0,
0),(0,0,1),(0,1,0)〜(1,1,
1)と変化する全ての組合せについて、全ての演算結果
を下位ビットから埋めていく。また、今回は、使用可能
な5変数のうち2変数は使用しないので、この2変数が
関与するビットは例えば「0」とする。このような取り
決めにより、演算結果レジスタ107の設定値は“0000
0000 1001 0110”となる。以上で、設定完了である。
【0019】このような設定により、データスクランブ
ル回路100に入力アドレスXin,Yinが入力され
た場合に、デコーダ105がそれに対応したビット位置
の信号をアサートにすることでトライステートバッファ
群109のうち対応ビットのバッファがオンされて、演
算結果設定レジスタ107から論理ゲート111に(Xi
n[4] EOR /Xin[1] EOR /Yin[3])の演算結果が出力され
ることになる。同様に、他方の演算変数設定レジスタ1
04と演算結果設定レジスタ108についても同様に設
定を行なうことで、演算結果設定レジスタ108から論
理ゲート111に、(Xin[0] EOR Yin[0])の演算結果
が出力されるようにすることが出来る。そして、論理ゲ
ート111と論理ゲート群112の排他的論理和により
式(1)の演算結果Dout[i]の出力が可能とな
る。
【0020】図3には、スクランブルLSI22に備わ
るXアドレススクランブル回路200のブロック図を、
図6には、Xアドレススクランブル回路200の一部分
の詳細な回路図を示す。Xアドレススクランブル回路2
00は、入力アドレスXin,Yinから所定のビット
(選択ビット)の信号を選択する演算変数選択回路22
0a0〜220ajと、これらの選択回路210a0〜
210ajの選択ビットを設定する演算変数設定レジス
タ220a0〜220ajと、対応する演算変数選択回
路220a0〜220ajの出力データの値に応じて予
め設定された2値信号を出力するプログラマブルロジッ
ク230a0〜230ajとから構成される。図3に示
されるように、上記の演算変数選択回路、演算変数設定
レジスタおよびプログラマブルロジックは、Xアドレス
の各ビットに対応してj組み設けられている。図6に
は、その内の1組みが示されている。
【0021】演算変数選択回路210a0〜210aj
と演算変数設定レジスタ220a0〜220ajは、デ
ータスクランブル回路100のものとほぼ同様である。
ここでは、入力アドレスXin,Yinの中からn個の
ビットを選択するように構成されており、何れかのビッ
トをネゲートにする構成はない。ここで、選択可能なビ
ット数nは3以下に構成される。この構成により、DR
AM等の半導体メモリを試験対象とした場合に広く汎用
性が得られるとともに、回路規模が小さくなって好まし
い。なお、選択可能なビット数nを4としても、多少回
路規模は大きくなるが、BOST方式を用いた評価シス
テムを困難なく構築することが出来る。また、選択可能
なビット数のうち何れかをネゲート可能にする構成を付
加しても良い。
【0022】プログラマブルロジック230a0〜23
0ajは、図6に示すように、それぞれ2ビットの演
算結果設定レジスタ231と、該演算結果設定レジスタ
231の何れかのビット信号を演算変数選択回路210
a0〜210ajからの選択信号に基づき出力する複数
のマルチプレクサMUXとから構成される。データレジ
スタ231の値は外部コンピュータ24からスキャンチ
ェーン回路26を介して設定される。このXアドレスス
クランブル回路200の設定方法においても、データス
クランブル回路100と同様に、出力アドレスXout
が入力アドレスXin,Yinの関数となるように設定
することが出来る。例えば、演算式(Xout[0]=Xin[2]EO
R Xin[3] EOR /Y8in,Xout[1]〜Xout[j(=15)]=Xin[1]〜
Xin[j],Yout[1]〜Yout[k(=15)]= Yin[1]〜Yin[k])に
応じた出力を得る場合には、演算変数設定レジスタ21
0a0〜210ajで上記演算式の各変数が選択される
ように設定し、プログラマブルロジック230a0〜2
30ajに変数の各値に応じた上記演算式の結果を設定
すれば良い。
【0023】なお、上記演算式に対応した設定を行なう
場合、第1ビット以降(Xout[1]〜Xout[j])の組みで
は、1変数のみ使用され残り2変数は使用されてないの
で、演算変数設定レジスタ220a1〜220aj中の
残り2変数の設定はデフォルト値(例えば入力アドレス
Xin[0]の選択)とし、且つ、その変数の値が演算
結果に影響しないように演算結果設定レジスタ210a
1〜210ajの値を設定しておけばよい。しかし、こ
のように、デフォルト値の設定が数多く集中されると、
その信号線の負荷が多大になる恐れがあるため、そのよ
うな場合には、入力アドレスで未使用の入力ピンを電源
電圧Vssに接続し、該ビットが選択されるように設定
すると良い。
【0024】上記のように構成されたスクランブルLS
I22によれば、小さな回路規模で、DRAM等の半導
体メモリの試験に対して汎用性の高い多種多様なテスト
パターンを生成することが出来る。例えば、従来例のメ
モリテスタ500のスクランブル回路511では、例え
ば4K×16ビットのRAMや64K×16ビットのR
AMが必要であったのに対し、実施例のスクランブルL
SI22では小容量のレジスタで足りている。また、レ
ジスタ主体の回路構成であるので、RAM主体の回路構
成に較べて、高速動作可能にすることも容易に且つ低コ
ストに可能である。また、スクランブル回路自体の検査
も容易なものとなる。
【0025】また、従来例のメモリテスタ500のスク
ランブル回路511の場合には、大容量のRAMに初期
設定としてアドレスの関数値となるデータを書き込まな
ければならないため、それ専用のソフトウェアが必要で
あったが、実施例のスクランブルLSIでは、小容量の
レジスタに値を設定するだけなので、例えばマニュアル
設定が可能であるなど簡単に初期設定することが出来
る。また、データスクランブル回路100において演算
変数選択回路101,102や演算結果設定レジスタ1
07,108が2系統設けられ、それぞれの出力が論理
ゲート111で演算されて出力されるようになっている
ので、レジスタの容量がより小さくて足りるようになっ
ている。例えば、アドレスの8変数を用いてテストパタ
ーンのデータを生成する場合、RAMを用いた場合、最
低でも2(=256)ビットの容量が必要となるが、
実施例のデータスクランブル回路100では合計88ビ
ットのレジスタで足りている。
【0026】[変形例]図7は、データスクランブル回
路のその他の例を示す回路図である。このデータスクラ
ンブル回路300は、図2のデータスクランブル回路1
00に、特定のXアドレス以外に対しては同一データ、
特定のXアドレスに対してのみ反転データとなるような
特定パターンを容易に生成できる付加機能を備えたもの
である。図7中、図4や図5と同一の構成に対しては、
同一符号を付して説明を省略する。
【0027】この実施例で新たに付加された構成は、特
定パターンの生成か通常パターンか切換えを行なう切換
レジスタ311と、この切換えにより信号パスを切り換
えるマルチプレクサMUXと、通常パターンの演算結果
データが設定される演算結果設定レジスタ107Aと、
反転するXアドレスの値が設定される特定アドレス設定
レジスタ313と、入力アドレスXinと特定アドレス
とを比較する演算論理ユニットALUを有したステータ
スレジスタ314と、出力データの元となるデータが設
定される出力設定レジスタ312と、該出力設定レジス
タ312にラッチイネーブル信号LEを供給してラッチ
タイミングを与える制御回路315などである。そし
て、通常パターンを生成する場合には、切換レジスタ3
11を“0”にすることで、通常パターンの演算結果デ
ータが演算結果設定レジスタ107Aから出力設定レジ
スタ312に移されて上述したものと同様に通常のデー
タパターンの生成が行なわれる。
【0028】一方、反転パターンを生成する場合には、
初期設定として、2ビット設定レジスタ114に“1
0”を設定してPhysical変換系のみアサートに
する。また、データ変換演算変数設定レジスタ103の
レジスタ103Bを“00000”に設定してデコーダ
105の出力が常に第0番のみハイレベルになるように
する。また、ステータスレジスタ314に特定アドレス
と一致のときに出力される値(“1”又は“0”)を設
定する。このような設定により、試験動作時には、ステ
ータスレジスタ314で入力アドレスXinと特定アド
レスとの比較が行なわれ、不一致のときには例えば
“0”が出力設定レジスタ312の下位1ビットに設定
されトライステートバッファ群109を通過して論理ゲ
ート111に出力される一方、一致のときには例えば
“1”が出力設定レジスタ312の下位1ビットに設定
されトライステートバッファ群109を通過して論理ゲ
ート111に出力される。それにより、特定アドレスの
ときのみデータ反転されるデータパターンが生成され
る。
【0029】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、入
力アドレスの中から選択ビットを抽出する選択回路や、
演算結果設定レジスタの何れかのビットを選択して出力
する論理回路など、実施例で説明したものは具体的な一
例に過ぎず、他の種々の回路を利用して構成することが
可能である。
【0030】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明の半導体集積回路(スクランブルLSI)
をその背景となった利用分野であるBOST方式の評価
システムに適用した例について説明したがこの発明はそ
れに限定されるものでなく、例えば、メモリテスタのス
クランブル回路に本発明に係るスクランブルLSIを適
用するなど、さまざまなシステムに広く利用することが
できる。
【0031】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
のとおりである。すなわち、本発明の半導体集積回路に
よれば、DRAM等の半導体メモリの試験に対して汎用
性が高く、多種多様なテストパターンを生成することが
出来るとともに、その回路規模を小さくでき、且つ、高
速動作にも容易に対応することが出来るという効果が得
られる。また、本発明の評価システムによれば、試験処
理量の向上および試験コストの低減を図ることが出来る
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用して好適な半導体メモリ評価シス
テムの実施例を示す構成図である。
【図2】実施例のスクランブルLSIに備わるデータス
クランブル回路を示すブロック図である。
【図3】実施例のスクランブルLSIに備わるアドレス
スクランブル回路を示すブロック図である。
【図4】図2のデータスクランブル回路の詳細を示す回
路図の半分である。
【図5】図2のデータスクランブル回路の詳細を示す回
路図の残り半分である。
【図6】図3のアドレススクランブル回路の一部の詳細
を示す回路図である。
【図7】データスクランブル回路のその他の例を示す回
路図である。
【図8】従来の半導体メモリの良品選別試験に利用され
ていたメモリテスタの概要を示す構成図である。
【符号の説明】
10 テストボード 21 ALPG 22 スクランブルLSI Q1 試験対象の半導体メモリ 100 データスクランブル回路 101,102 演算変数選択回路 103,104 演算変数設定レジスタ 105,106 デコーダ 107,108 演算結果設定レジスタ 109,110 トライステートバッファ群 111,112 論理ゲート 200 Xアドレススクランブル回路 210a0〜210aj 演算変数選択回路 220a0〜220aj 演算変数設定レジスタ 230a0〜230aj プログラマブルロジック
フロントページの続き (72)発明者 宮田 誠史 東京都小平市上水本町5丁目22番1号 株 式会社日立超エル・エス・アイ・システム ズ内 (72)発明者 青木 英之 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 Fターム(参考) 2G132 AA08 AC03 AE06 AE08 AE14 AE18 AG05 AL05 AL09 AL26 AL33 5L106 AA01 DD01 DD22 DD23 EE02

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 規則的に変化される入力アドレスおよび
    入力データを受けて、これら入力アドレスおよび入力デ
    ータに応じて任意のパターンで変化する試験データを生
    成するデータスクランブル回路を備えた半導体集積回路
    であって、 上記データスクランブル回路は、上記入力アドレスのう
    ちp個(pは自然数)以下の選択ビットを抽出する第1
    選択回路と、上記入力アドレスのうちm個(mは自然
    数)以下の選択ビットを抽出する第2選択回路と、上記
    第1選択回路と第2選択回路により抽出されるビット位
    置を設定することが可能な選択ビット設定レジスタと、
    ビットの第1データが格納できる第1データ設定レ
    ジスタと、2ビットの第2データが格納できる第2デ
    ータ設定レジスタと、上記第1選択回路により抽出され
    る選択ビットの値と1対1に対応付けられた上記第1デ
    ータ設定レジスタのビット位置の値を出力する第1回路
    と、上記第2選択回路により抽出される選択ビットの値
    と1対1に対応付けられた上記第2データ設定レジスタ
    のビット位置の値を出力する第2回路と、上記第1回路
    の出力および第2回路の出力と上記入力データとの排他
    的論理和を演算する論理回路とを備え、該論理回路の出
    力に基づき上記試験データが生成されるように構成され
    ていることを特徴とする半導体集積回路。
  2. 【請求項2】 上記pとmは、p≦6,m≦6,p+m
    ≦10の条件を満たす自然数であることを特徴とする請
    求項1記載の半導体集積回路。
  3. 【請求項3】 規則的に変化される入力アドレスを受け
    て、この入力アドレスに応じて任意のパターンで変化す
    る試験アドレスを生成するアドレススクランブル回路を
    備えた半導体集積回路であって、 上記アドレススクランブル回路は、上記入力アドレスの
    うちn0個(n0は自然数)以下の選択ビットを抽出す
    る選択回路と、この選択回路により抽出されるビット位
    置を設定することが可能な選択ビット設定レジスタと、
    n0ビットの第3データを格納可能な第3データ設定
    レジスタと、上記選択回路により抽出される選択ビット
    の値と1対1に対応付けられた上記第3データのビット
    位置のデータを出力する論理回路とを、出力アドレスの
    各ビットに対応して複数組み備え、全ての組みの上記論
    理回路からそれぞれ出力されるデータに基づき上記試験
    アドレスが生成されるように構成されていることを特徴
    とする半導体集積回路。
  4. 【請求項4】 上記n0は、n0≦4の条件を満たす自
    然数であることを特徴とする請求項3記載の半導体集積
    回路。
  5. 【請求項5】 試験対象の半導体集積回路が搭載される
    試験基板に、入力アドレスと入力データとを連続的に生
    成するテストパターン発生回路と、上記入力アドレス又
    は入力データを受けて試験対象の半導体集積回路に入力
    される試験アドレス又は試験データを生成する請求項1
    〜4の何れかに記載の半導体集積回路と、試験対象の半
    導体集積回路の出力を受けて試験判定を行なう試験判定
    回路と、上記試験基板上の回路と外部との間でデータの
    入出力を行う外部インターフェースとが設けられている
    ことを特徴とする評価システム。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100768549B1 (ko) 2006-07-27 2007-10-18 연세대학교 산학협력단 분할된 lfsr을 이용한 저전력 결정패턴 bist 방법및 장치

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