JP2003195066A - フォトセンシティブファイバ - Google Patents
フォトセンシティブファイバInfo
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C13/00—Fibre or filament compositions
- C03C13/04—Fibre optics, e.g. core and clad fibre compositions
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- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】基本的な光学特性を維持したまま感光性を増強
でき、感光波長帯域を広くし、これにより半導体ＬＤ励
起ＹＡＧレーザ高調波や銅蒸気レーザなどの新たな光源
を用いた加工を可能にする。 【解決手段】コア１と、コアの周囲に成層されたクラッ
ド２とから構成され、少なくともコアをＵＶ照射により
感光させてファイバグレーティングなどの光部品を形成
するフォトセンシティブファイバであって、コアは、ド
ープすることによりＵＶ照射前に屈折率を増加させＵＶ
照射による屈折率変化で屈折率を増加させるためのＧｅ
と、ドープすることによりＵＶ照射前に屈折率を低下さ
せＵＶ照射による屈折率変化で屈折率を増加させるため
のＢとを含有する。
でき、感光波長帯域を広くし、これにより半導体ＬＤ励
起ＹＡＧレーザ高調波や銅蒸気レーザなどの新たな光源
を用いた加工を可能にする。 【解決手段】コア１と、コアの周囲に成層されたクラッ
ド２とから構成され、少なくともコアをＵＶ照射により
感光させてファイバグレーティングなどの光部品を形成
するフォトセンシティブファイバであって、コアは、ド
ープすることによりＵＶ照射前に屈折率を増加させＵＶ
照射による屈折率変化で屈折率を増加させるためのＧｅ
と、ドープすることによりＵＶ照射前に屈折率を低下さ
せＵＶ照射による屈折率変化で屈折率を増加させるため
のＢとを含有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフォトセンシティブ
ファイバに係わり、特に基本的な光学特性を維持したま
ま感光性を増強でき、感光波長帯域が広くなり、これに
より半導体ＬＤ励起ＹＡＧレーザ高調波などの新たな光
源を用いた加工が可能になるフォトセンシティブファイ
バに関する。
ファイバに係わり、特に基本的な光学特性を維持したま
ま感光性を増強でき、感光波長帯域が広くなり、これに
より半導体ＬＤ励起ＹＡＧレーザ高調波などの新たな光
源を用いた加工が可能になるフォトセンシティブファイ
バに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、石英系シングルモード光ファ
イバのコア材として、一般的にゲルマニウムを添加した
石英ガラスが使用されている。この材質は2００〜２６
０ｎｍの紫外域において吸収帯を持ち、この領域の光を
照射することで屈折率を増加させることができる。この
現象は、ファイバグレーティング等の作製に応用されて
いる（特開平８−２９０９３１号公報）。
イバのコア材として、一般的にゲルマニウムを添加した
石英ガラスが使用されている。この材質は2００〜２６
０ｎｍの紫外域において吸収帯を持ち、この領域の光を
照射することで屈折率を増加させることができる。この
現象は、ファイバグレーティング等の作製に応用されて
いる（特開平８−２９０９３１号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、通常の
ファイバのＧｅ濃度では感光性が弱い。このため通常の
シングルモードファイバでは屈折率変化量がきわめて低
いので（〜１０-5）、実用に耐えない。このため、高圧
水素処理などの感光性を向上させる処理を行った後で紫
外照射加工が行われている（P. J. Lemaire et al., El
ectron. Lett., Vol.29, pp.1191-1193(1993)）。
ファイバのＧｅ濃度では感光性が弱い。このため通常の
シングルモードファイバでは屈折率変化量がきわめて低
いので（〜１０-5）、実用に耐えない。このため、高圧
水素処理などの感光性を向上させる処理を行った後で紫
外照射加工が行われている（P. J. Lemaire et al., El
ectron. Lett., Vol.29, pp.1191-1193(1993)）。
【０００４】また、Ｇｅ添加石英ガラスの吸収帯域の中
心は２４０nm近傍と短く、比較的帯域も狭い。このた
め、通常はＫｒＦエキシマレーザ(λ=２４８nm)やＡｒ
イオンレーザの第二高調波(λ=２４４nm)が使用されて
いる。近年、これらガスレーザより安定性が高い半導体
レーザ励起ＹＡＧレーザの高調波(λ=２６６nm)を発生
する装置が市販されているが、Ｇｅ添加ファイバではこ
の波長域での感光性が弱く、実用的ではない。このよう
にＧｅは吸収帯が短く、狭いので、加工に用いるレーザ
ーの種類が制限される。
心は２４０nm近傍と短く、比較的帯域も狭い。このた
め、通常はＫｒＦエキシマレーザ(λ=２４８nm)やＡｒ
イオンレーザの第二高調波(λ=２４４nm)が使用されて
いる。近年、これらガスレーザより安定性が高い半導体
レーザ励起ＹＡＧレーザの高調波(λ=２６６nm)を発生
する装置が市販されているが、Ｇｅ添加ファイバではこ
の波長域での感光性が弱く、実用的ではない。このよう
にＧｅは吸収帯が短く、狭いので、加工に用いるレーザ
ーの種類が制限される。
【０００５】この紫外域における感光性はＧｅ濃度に依
存する。このため、Ｇｅ濃度を高めることで感光性を向
上させることが可能である。しかし、Ｇｅ濃度の増加に
伴いコア屈折率が上昇するため、著しくＧｅ濃度を増加
させると光ファイバの伝送特性や接続特性が許容範囲を
逸脱し、光ファイバシステムとの親和性が保てなくな
る。このようにＧｅを高濃度にするだけは実用できな
い。
存する。このため、Ｇｅ濃度を高めることで感光性を向
上させることが可能である。しかし、Ｇｅ濃度の増加に
伴いコア屈折率が上昇するため、著しくＧｅ濃度を増加
させると光ファイバの伝送特性や接続特性が許容範囲を
逸脱し、光ファイバシステムとの親和性が保てなくな
る。このようにＧｅを高濃度にするだけは実用できな
い。
【０００６】これを解決する方法として、フッ素ＦをＧ
ｅと共添加する方法がある。これは、石英ガラスにフッ
素を添加すると屈折率が低下するため、ＧｅとＦを共添
加することにより屈折率を調整できるためである。しか
しながら、Ｆ添加によっては感光性は向上しない。この
ようにＦ＋Ｇｅ共添加の方法では効率が良くない。
ｅと共添加する方法がある。これは、石英ガラスにフッ
素を添加すると屈折率が低下するため、ＧｅとＦを共添
加することにより屈折率を調整できるためである。しか
しながら、Ｆ添加によっては感光性は向上しない。この
ようにＦ＋Ｇｅ共添加の方法では効率が良くない。
【０００７】一方、ホウ素（Ｂ）もフッ素同様に石英ガ
ラスに添加すると屈折率を下げる性質がある。またＧｅ
と同じくＢを添加した石英ガラスも、紫外線照射によっ
て屈折率が上昇する感光特性を有する（D. L. Williams
et al., Electron. Lett.,Vol.29, pp. 45-47(199
3)）。しかしながら、Ｂ添加ファイバは長波長域にブロ
ードな吸収帯を持ち、濃度を上げすぎると光通信の使用
波長域（〜１６５０nm）における挿入損失が大きくな
り、実用に供せなくなる。このようにＢ＋Ｇｅの共添加
なら効率が良いものの、Ｂ添加石英には通信波長域の損
失を増加させるという難点がある。
ラスに添加すると屈折率を下げる性質がある。またＧｅ
と同じくＢを添加した石英ガラスも、紫外線照射によっ
て屈折率が上昇する感光特性を有する（D. L. Williams
et al., Electron. Lett.,Vol.29, pp. 45-47(199
3)）。しかしながら、Ｂ添加ファイバは長波長域にブロ
ードな吸収帯を持ち、濃度を上げすぎると光通信の使用
波長域（〜１６５０nm）における挿入損失が大きくな
り、実用に供せなくなる。このようにＢ＋Ｇｅの共添加
なら効率が良いものの、Ｂ添加石英には通信波長域の損
失を増加させるという難点がある。
【０００８】
【発明の目的】本発明は以上の難点に鑑みなされたもの
で、ＧｅとＢを共添加することによって、Ｇｅ高濃度化
に伴うコア屈折率上昇をＢ添加による屈折率降下で相殺
でき、基本的な光学特性を維持したまま感光性を増強で
きるフォトセンシティブファイバを提供することを目的
とする。
で、ＧｅとＢを共添加することによって、Ｇｅ高濃度化
に伴うコア屈折率上昇をＢ添加による屈折率降下で相殺
でき、基本的な光学特性を維持したまま感光性を増強で
きるフォトセンシティブファイバを提供することを目的
とする。
【０００９】また、本発明の他の目的は、Ｂにも強い感
光性があるため、より一層の感光性を増強できるフォト
センシティブファイバを提供することを目的とする。
光性があるため、より一層の感光性を増強できるフォト
センシティブファイバを提供することを目的とする。
【００１０】さらに、本発明の他の目的は、Ｂ添加石英
の吸収帯はＧｅ添加石英とは異なるため、ＧｅとＢの共
添加により感光波長帯域が広くなり、これにより半導体
ＬＤ励起ＹＡＧレーザ高調波や銅蒸気レーザなどの新た
な光源を用いた加工が可能になるフォトセンシティブフ
ァイバを提供することを目的とする。
の吸収帯はＧｅ添加石英とは異なるため、ＧｅとＢの共
添加により感光波長帯域が広くなり、これにより半導体
ＬＤ励起ＹＡＧレーザ高調波や銅蒸気レーザなどの新た
な光源を用いた加工が可能になるフォトセンシティブフ
ァイバを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明のフォトセンシティブファイバは、 コア
と、コアの周囲に成層されたクラッドとから構成され、
少なくともコアをＵＶ照射により感光させてファイバグ
レーティングなどの光部品を形成するフォトセンシティ
ブファイバであって、コアは、ドープすることによりＵ
Ｖ照射前に屈折率を増加させＵＶ照射による屈折率変化
で屈折率を増加させるためのＧｅと、ドープすることに
よりＵＶ照射前に屈折率を低下させＵＶ照射による屈折
率変化で屈折率を増加させるためのＢとを含有する。
め、本発明のフォトセンシティブファイバは、 コア
と、コアの周囲に成層されたクラッドとから構成され、
少なくともコアをＵＶ照射により感光させてファイバグ
レーティングなどの光部品を形成するフォトセンシティ
ブファイバであって、コアは、ドープすることによりＵ
Ｖ照射前に屈折率を増加させＵＶ照射による屈折率変化
で屈折率を増加させるためのＧｅと、ドープすることに
よりＵＶ照射前に屈折率を低下させＵＶ照射による屈折
率変化で屈折率を増加させるためのＢとを含有する。
【００１２】本発明のフォトセンシティブファイバは、
１５３０〜１５８０nmでの波長域に用いる場合、Ｂの濃
度は７．５mol%以下である。
１５３０〜１５８０nmでの波長域に用いる場合、Ｂの濃
度は７．５mol%以下である。
【００１３】本発明のフォトセンシティブファイバは、
１６２０〜１６８０nmでの長波長域に用いる場合、Ｂの
濃度は３．５mol%以下である。
１６２０〜１６８０nmでの長波長域に用いる場合、Ｂの
濃度は３．５mol%以下である。
【００１４】このように構成されたフォトセンシティブ
ファイバによれば、ＧｅとＢを共添加することによっ
て、Ｇｅ高濃度化に伴うコア屈折率上昇をＢ添加による
屈折率降下で相殺でき、高濃度にＧｅを添加してもＢ濃
度の調整によって比屈折率差を通常のシングルモードフ
ァイバと同等（約３%）に制御することで基本的な光学
特性を維持したまま感光性を増強できる。
ファイバによれば、ＧｅとＢを共添加することによっ
て、Ｇｅ高濃度化に伴うコア屈折率上昇をＢ添加による
屈折率降下で相殺でき、高濃度にＧｅを添加してもＢ濃
度の調整によって比屈折率差を通常のシングルモードフ
ァイバと同等（約３%）に制御することで基本的な光学
特性を維持したまま感光性を増強できる。
【００１５】また、本発明のフォトセンシティブファイ
バによれば、Ｂにも強い感光性があるため、より一層の
感光性を増強できる。
バによれば、Ｂにも強い感光性があるため、より一層の
感光性を増強できる。
【００１６】さらに、本発明のフォトセンシティブファ
イバによれば、Ｂ添加石英の吸収帯はＧｅ添加石英とは
異なるため、ＧｅとＢの共添加により感光波長帯域が広
く拡張され、加工に使用できる光源の選択枝が広がるこ
とにより半導体ＬＤ励起ＹＡＧレーザ高調波などの新た
な光源を用いた加工が可能になる。
イバによれば、Ｂ添加石英の吸収帯はＧｅ添加石英とは
異なるため、ＧｅとＢの共添加により感光波長帯域が広
く拡張され、加工に使用できる光源の選択枝が広がるこ
とにより半導体ＬＤ励起ＹＡＧレーザ高調波などの新た
な光源を用いた加工が可能になる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明のフォトセンシティ
ブファイバにおける好ましい実施の形態例を図面にした
がって説明する。
ブファイバにおける好ましい実施の形態例を図面にした
がって説明する。
【００１８】図１（Ａ）、（Ｂ）に示す本発明のフォト
センシティブファイバ３を利用した光ファイバグレーテ
ィング４において、コア１と、コア１の周囲に成層され
たクラッド２とから構成され、少なくともコア１を感光
させてファイバグレーティング４などの光部品を形成す
るものである。
センシティブファイバ３を利用した光ファイバグレーテ
ィング４において、コア１と、コア１の周囲に成層され
たクラッド２とから構成され、少なくともコア１を感光
させてファイバグレーティング４などの光部品を形成す
るものである。
【００１９】このフォトセンシティブファイバにおい
て、コア１は、ドープすることによりＵＶ照射前に屈折
率を増加させＵＶ照射による屈折率変化で屈折率を増加
させるためのＧｅと、ドープすることによりＵＶ照射前
に屈折率を低下させＵＶ照射による屈折率変化で屈折率
を増加させるためのＢとを含有する。
て、コア１は、ドープすることによりＵＶ照射前に屈折
率を増加させＵＶ照射による屈折率変化で屈折率を増加
させるためのＧｅと、ドープすることによりＵＶ照射前
に屈折率を低下させＵＶ照射による屈折率変化で屈折率
を増加させるためのＢとを含有する。
【００２０】光ファイバのコア１にはＳｉＯ2にドーパ
ントＧeＯ2とＢ2Ｏ３をドープして構成される。クラッ
ド２は少なくともＳｉＯ2で構成される。このクラッド
２は、ＶＡＤ法であれば気相法によって合成され、ＭＣ
ＶＤ法の場合は出発石英管に当たる部分である。また、
ＯＶＤ法によって合成された層で構成することもでき
る。
ントＧeＯ2とＢ2Ｏ３をドープして構成される。クラッ
ド２は少なくともＳｉＯ2で構成される。このクラッド
２は、ＶＡＤ法であれば気相法によって合成され、ＭＣ
ＶＤ法の場合は出発石英管に当たる部分である。また、
ＯＶＤ法によって合成された層で構成することもでき
る。
【００２１】コア径、外径の比は通常のシングルモード
ファイバと同じとする。この場合、ＧｅとＢを共添加し
て、比屈折率差Δを０．３〜０．４%に調整する。
ファイバと同じとする。この場合、ＧｅとＢを共添加し
て、比屈折率差Δを０．３〜０．４%に調整する。
【００２２】このフォトセンシティブファイバにおい
て、Ｂ添加ファイバは長波長にブロードな吸収を有す
る。このため、Ｂ濃度と長波長域の伝送損失には相関が
ある。１５３０〜１５８０nmの波長における伝送損失に
は約９dB/km・mol%の濃度依存がある。一般的にファイバ
グレーティングなどの光部品には用いられるファイバ長
は３ｍ未満であり、０．２dB以上の挿入損失があるもの
は用途が狭くなってしまう。この場合の伝送損失は約６
７dB/kmであり、概ね７．５mol%以下にＢ濃度を制限す
る必要がある。したがって、このフォトセンシティブフ
ァイバにおいて、ファイバグレーティングなどの光部品
に用いる場合、Ｂの濃度Δは７．５mol%以下である（図
３）。
て、Ｂ添加ファイバは長波長にブロードな吸収を有す
る。このため、Ｂ濃度と長波長域の伝送損失には相関が
ある。１５３０〜１５８０nmの波長における伝送損失に
は約９dB/km・mol%の濃度依存がある。一般的にファイバ
グレーティングなどの光部品には用いられるファイバ長
は３ｍ未満であり、０．２dB以上の挿入損失があるもの
は用途が狭くなってしまう。この場合の伝送損失は約６
７dB/kmであり、概ね７．５mol%以下にＢ濃度を制限す
る必要がある。したがって、このフォトセンシティブフ
ァイバにおいて、ファイバグレーティングなどの光部品
に用いる場合、Ｂの濃度Δは７．５mol%以下である（図
３）。
【００２３】また、近年長波長域まで通信波長域が拡大
しているが、１６２０〜１６８０nmまで通信波長域が拡
張された場合、この波長における伝送損失の濃度依存は
約１９dB/km・mol%であるため、３．５mol%以下にＢ濃度
を制限する必要がある。したがって、このフォトセンシ
ティブファイバにおいて、１６２０〜１６８０nmに近い
長波長域に用いる場合、Ｂの濃度Δは３．５mol%以下で
ある（図３）。
しているが、１６２０〜１６８０nmまで通信波長域が拡
張された場合、この波長における伝送損失の濃度依存は
約１９dB/km・mol%であるため、３．５mol%以下にＢ濃度
を制限する必要がある。したがって、このフォトセンシ
ティブファイバにおいて、１６２０〜１６８０nmに近い
長波長域に用いる場合、Ｂの濃度Δは３．５mol%以下で
ある（図３）。
【００２４】図２は本実施例でのフォトセンシティブフ
ァイバの作製方法を示す。この実施例では位相マスク法
を用いている。レーザー光源５から出射された紫外光６
は光ファイバ直前に設置された位相マスク７によって回
折し、それぞれの回折光８は光ファイバ９のコア１上で
干渉する。この干渉縞により感光されて光ファイバ９上
に回折格子１０によって間隔Λ／２のグレーティングＧ
を形成する。グレーティングＧの反射波長はこの位相マ
スク７の回折格子の間隔Λで決まる。
ァイバの作製方法を示す。この実施例では位相マスク法
を用いている。レーザー光源５から出射された紫外光６
は光ファイバ直前に設置された位相マスク７によって回
折し、それぞれの回折光８は光ファイバ９のコア１上で
干渉する。この干渉縞により感光されて光ファイバ９上
に回折格子１０によって間隔Λ／２のグレーティングＧ
を形成する。グレーティングＧの反射波長はこの位相マ
スク７の回折格子の間隔Λで決まる。
【００２５】この実施例では、レーザー光源にＫｒＦエ
キシマレーザーを用い、マスクは反射長が１５５１nmに
なるように設定されたものを用いた。約２〜３分の照射
で反射率９９％以上のグレーティングを作製した。
キシマレーザーを用い、マスクは反射長が１５５１nmに
なるように設定されたものを用いた。約２〜３分の照射
で反射率９９％以上のグレーティングを作製した。
【００２６】なお、この実施例では位相マスク法により
ファイバグレーティングを作製したが、ホログラフィッ
ク法によっても作製可能である。
ファイバグレーティングを作製したが、ホログラフィッ
ク法によっても作製可能である。
【００２７】また、同じ構造を持つものであれば、光フ
ァイバ母材の作製方法もＭＣＶＤ法でなくＶＡＤ法での
作製も可能である。
ァイバ母材の作製方法もＭＣＶＤ法でなくＶＡＤ法での
作製も可能である。
【００２８】実施例として、次のコア材組成を持つフォ
トセンシティブファイバを作製した。
トセンシティブファイバを作製した。
【００２９】初期光学特性は十分に実用可能なものであ
り、また同等のファイバグレーティングを作製するのに
必要な紫外線照射量は通常のＳＭＦに比べて約１／１０
であった。
り、また同等のファイバグレーティングを作製するのに
必要な紫外線照射量は通常のＳＭＦに比べて約１／１０
であった。
【００３０】Ｂ2Ｏ3： ４．５ mol%
ＧｅＯ2： １．０ mol%
濃度Δ： ３．５ mol%
ＭＦＤ： ９．０μm＠１３１０nm
伝送損失： ４５ dB/km＠１５８０nm
通常のＳＭＦとの融着接続損失： ≦ ０．１dB
感光性能： 通常のＳＭＦの約１０倍（ＦＢＧ作製に必
要な照射量が約１／１０） このようにして作成されたフォトセンシティブファイバ
をその伝送損失と波長の関係について測定した。その結
果を図３に表す。
要な照射量が約１／１０） このようにして作成されたフォトセンシティブファイバ
をその伝送損失と波長の関係について測定した。その結
果を図３に表す。
【００３１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のフォトセンシティブファイバによれば、ＧｅとＢを共
添加することによって、Ｇｅ高濃度化に伴うコア屈折率
上昇をＢ添加による屈折率降下で相殺でき、基本的な光
学特性を維持したまま感光性を増強できる。
のフォトセンシティブファイバによれば、ＧｅとＢを共
添加することによって、Ｇｅ高濃度化に伴うコア屈折率
上昇をＢ添加による屈折率降下で相殺でき、基本的な光
学特性を維持したまま感光性を増強できる。
【００３２】また、本発明のフォトセンシティブファイ
バによれば、Ｂにも強い感光性があるため、より一層の
感光性を増強できる。
バによれば、Ｂにも強い感光性があるため、より一層の
感光性を増強できる。
【００３３】さらに、本発明のフォトセンシティブファ
イバによれば、Ｂ添加石英の吸収帯はＧｅ添加石英とは
異なるため、ＧｅとＢの共添加により感光波長帯域が広
くなる。これにより、半導体ＬＤ励起ＹＡＧレーザ高調
波や銅蒸気レーザなどの新たな光源を用いた加工が可能
になる。
イバによれば、Ｂ添加石英の吸収帯はＧｅ添加石英とは
異なるため、ＧｅとＢの共添加により感光波長帯域が広
くなる。これにより、半導体ＬＤ励起ＹＡＧレーザ高調
波や銅蒸気レーザなどの新たな光源を用いた加工が可能
になる。
【図１】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明に係わるフォトセン
シティブファイバに用いる光ファイバの断面と屈折率分
布をそれぞれ示す図。
シティブファイバに用いる光ファイバの断面と屈折率分
布をそれぞれ示す図。
【図２】本発明に係わるフォトセンシティブファイバの
作製方法を示す図。
作製方法を示す図。
【図３】本発明に係わるフォトセンシティブファイバの
伝送損失と波長の関係を示す図。
伝送損失と波長の関係を示す図。
１・・・・・コア
２・・・・クラッド
９・・・・光ファイバ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 野内 健太郎
神奈川県川崎市川崎区小田栄２丁目１番１
号 昭和電線電纜株式会社内
(72)発明者 森下 裕一
神奈川県川崎市川崎区小田栄２丁目１番１
号 昭和電線電纜株式会社内
(72)発明者 大根田 進
神奈川県川崎市川崎区小田栄２丁目１番１
号 昭和電線電纜株式会社内
(72)発明者 香月 史郎
神奈川県川崎市川崎区小田栄２丁目１番１
号 昭和電線電纜株式会社内
Ｆターム(参考） 2H049 AA02 AA34 AA44 AA45 AA59
AA62
2H050 AA04 AB03Z AB05X AB09X
AC03 AC09 AC73 AC82
4G062 AA06 BB02 CC07 LA03 LA07
LB03 LB07 MM40 NN17 NN19
Claims (3)
- 【請求項１】コアと、前記コアの周囲に成層されたクラ
ッドとから構成され、少なくとも前記コアをＵＶ照射に
より感光させてファイバグレーティングなどの光部品を
形成するフォトセンシティブファイバであって、 前記コアは、ドープすることにより前記ＵＶ照射前に屈
折率を増加させ前記ＵＶ照射による屈折率変化で屈折率
を増加させるためのＧｅと、ドープすることにより前記
ＵＶ照射前に屈折率を低下させ前記ＵＶ照射による屈折
率変化で屈折率を増加させるためのＢとを含有すること
を特徴とするフォトセンシティブファイバ。 - 【請求項２】１５３０〜１５８０nmでの波長域に用いる
場合、前記Ｂの濃度は７．５mol%以下であることを特徴
とする請求項１記載のフォトセンシティブファイバ。 - 【請求項３】１６２０〜１６８０nmでの長波長域に用い
る場合、前記Ｂの濃度は３．５mol%以下であることを特
徴とする請求項１記載のフォトセンシティブファイバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001400806A JP2003195066A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | フォトセンシティブファイバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001400806A JP2003195066A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | フォトセンシティブファイバ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003195066A true JP2003195066A (ja) | 2003-07-09 |
Family
ID=27605185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001400806A Pending JP2003195066A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | フォトセンシティブファイバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003195066A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005331849A (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-02 | Nippon Paint Co Ltd | 回折格子素子およびその製造方法 |
| US8965147B2 (en) | 2009-12-09 | 2015-02-24 | Baker Hughes Incorporated | Bend insensitive optical fiber with improved hydrogen resistance |
-
2001
- 2001-12-28 JP JP2001400806A patent/JP2003195066A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005331849A (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-02 | Nippon Paint Co Ltd | 回折格子素子およびその製造方法 |
| US8965147B2 (en) | 2009-12-09 | 2015-02-24 | Baker Hughes Incorporated | Bend insensitive optical fiber with improved hydrogen resistance |
| EP2510387B1 (en) * | 2009-12-09 | 2020-04-29 | Baker Hughes, a GE company, LLC | Apparatus comprising a bend insensitive optical fiber with improved hydrogen resistance |
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