JP2003192432A - Dielectric ceramic composition and electronic parts - Google Patents

Dielectric ceramic composition and electronic parts

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JP2003192432A
JP2003192432A JP2002282117A JP2002282117A JP2003192432A JP 2003192432 A JP2003192432 A JP 2003192432A JP 2002282117 A JP2002282117 A JP 2002282117A JP 2002282117 A JP2002282117 A JP 2002282117A JP 2003192432 A JP2003192432 A JP 2003192432A
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JP
Japan
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subcomponent
mol
dielectric
temperature
batio
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Withdrawn
Application number
JP2002282117A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshinori Fujikawa
佳則 藤川
Yoshihiro Terada
佳弘 寺田
Shigeki Sato
佐藤  茂樹
Original Assignee
Tdk Corp
ティーディーケイ株式会社
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dielectric ceramic composition having a high relative dielectric constant and the volume temperature characteristics satisfying the X8R characteristics by the EIA standard (at -55 to 150°C and within ±15% of ΔC), calcinable in a reducing atmosphere and having excellent mechanical strength. <P>SOLUTION: The dielectric ceramic composition comprises BaTiO<SB>3</SB>as the main component and at least a first assistant component containing at least one kind selected from MgO, CaO, BaO, SrO and Cr<SB>2</SB>O<SB>3</SB>, a second assistant component expressed by (Ba, Ca)<SB>x</SB>SiO<SB>2+x</SB>, wherein x ranges from 0.8 to 1.2, a third assistant component containing at least one kind selected from V<SB>2</SB>O<SB>5</SB>, MoO<SB>3</SB>and WO<SB>3</SB>, a fourth assistant component containing an oxide of R1, wherein R1 is Yb, and a fifth assistant component containing an oxide of R2, wherein R2 is at least one kind selected from Y, Dy, Ho, Tb, Gd and Eu. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、耐還元性を有する
誘電体磁器組成物と、これを用いた積層セラミックコン
デンサなどの電子部品とに係り、さらに詳しくは、容量
温度特性がEIA規格のX8R特性(−55〜150
℃、ΔC=±15%以内)を満足し、かつ電子部品の機
械的強度の向上を図ることができる誘電体磁器の組成物
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reduction-resistant dielectric ceramic composition and an electronic component such as a laminated ceramic capacitor using the same, and more specifically, it has a capacitance-temperature characteristic of X8R of EIA standard. Characteristics (-55 to 150
The present invention relates to a dielectric porcelain composition that satisfies the requirements of ° C and ΔC = within ± 15%) and can improve the mechanical strength of electronic parts.
【0002】[0002]
【従来の技術】電子部品としての積層セラミックコンデ
ンサは、小型、大容量、高信頼性の電子部品として広く
利用されており、1台の電子機器の中で使用される個数
も多数にのぼる。近年、機器の小型・高性能化にともな
い、積層セラミックコンデンサに対する更なる小型化、
大容量化、低価格化、高信頼性化への要求はますます厳
しくなっている。
2. Description of the Related Art A monolithic ceramic capacitor as an electronic component is widely used as a small-sized, large-capacity, high-reliability electronic component, and a large number is used in one electronic device. In recent years, with the miniaturization and high performance of equipment, further miniaturization of multilayer ceramic capacitors,
The demands for large capacity, low price, and high reliability are becoming more and more severe.
【0003】積層セラミックコンデンサは、通常、内部
電極層用のペーストと誘電体層用のペーストとをシート
法や印刷法等により積層し、積層体中の内部電極層と誘
電体層とを同時に焼成して製造される。
In a multilayer ceramic capacitor, an internal electrode layer paste and a dielectric layer paste are usually laminated by a sheet method or a printing method, and the internal electrode layer and the dielectric layer in the laminated body are simultaneously fired. Manufactured.
【0004】内部電極層の導電材としては、一般にPd
やPd合金が用いられているが、Pdは高価であるた
め、比較的安価なNiやNi合金等の卑金属が使用され
るようになってきている。内部電極層の導電材として卑
金属を用いる場合、大気中で焼成を行なうと内部電極層
が酸化してしまうため、誘電体層と内部電極層との同時
焼成を、還元性雰囲気中で行なう必要がある。しかし、
還元性雰囲気中で焼成すると、誘電体層が還元され、比
抵抗が低くなってしまう。このため、非還元性の誘電体
材料が開発されている。
Generally, Pd is used as a conductive material for the internal electrode layers.
Although Pd and Pd alloys are used, since Pd is expensive, relatively inexpensive base metals such as Ni and Ni alloys have been used. When a base metal is used as the conductive material of the internal electrode layer, the internal electrode layer is oxidized when firing in the air. Therefore, it is necessary to perform simultaneous firing of the dielectric layer and the internal electrode layer in a reducing atmosphere. is there. But,
When firing in a reducing atmosphere, the dielectric layer is reduced and the specific resistance becomes low. Therefore, non-reducing dielectric materials have been developed.
【0005】また、コンデンサには、温度特性が良好で
あることも要求され、特に、用途によっては、厳しい条
件下で温度特性が平坦であることが求められる。近年、
自動車のエンジンルーム内に搭載するエンジン電子制御
ユニット(ECU)、クランク角センサ、アンチロック
ブレーキシステム(ABS)モジュールなどの各種電子
装置に積層セラミックコンデンサが使用されるようにな
ってきている。これらの電子装置は、エンジン制御、駆
動制御およびブレーキ制御を安定して行うためのものな
ので、回路の温度安定性が良好であることが要求され
る。
The capacitor is also required to have good temperature characteristics, and in particular, depending on the application, it is required to have flat temperature characteristics under severe conditions. recent years,
Multilayer ceramic capacitors have come to be used in various electronic devices such as an engine electronic control unit (ECU), a crank angle sensor, and an antilock brake system (ABS) module mounted in an engine room of an automobile. Since these electronic devices are for stably performing engine control, drive control, and brake control, it is required that the circuit has good temperature stability.
【0006】これらの電子装置が使用される環境は、寒
冷地の冬季には−20℃程度以下まで温度が下がり、ま
た、エンジン始動後には、夏季では+130℃程度以上
まで温度が上がることが予想される。最近では電子装置
とその制御対象機器とをつなぐワイヤハーネスを削減す
る傾向にあり、電子装置が車外に設置されることもある
ので、電子装置にとっての環境はますます厳しくなって
いる。したがって、これらの電子装置に用いられるコン
デンサは、広い温度範囲において温度特性が平坦である
必要がある。
In the environment where these electronic devices are used, it is expected that the temperature will drop to about -20 ° C or lower in the winter in a cold region, and will rise to + 130 ° C or higher in the summer after the engine is started. To be done. Recently, there is a tendency to reduce a wire harness that connects an electronic device and a device to be controlled, and since the electronic device may be installed outside the vehicle, the environment for the electronic device is becoming more and more severe. Therefore, the capacitors used in these electronic devices need to have flat temperature characteristics in a wide temperature range.
【0007】温度特性に優れた温度補償用コンデンサ材
料としては、(Sr,Ca)(Ti,Zr)O系、
Ca(Ti,Zr)O系、Nd−2Ti
系、La−2TiO系等が一般に知
られているが、これらの組成物は比誘電率が非常に低い
(一般には100以下)ので、容量の大きいコンデンサ
を作製することが実質的に不可能である。
Temperature compensating capacitor material with excellent temperature characteristics
As the material, (Sr, Ca) (Ti, Zr) OThreesystem,
Ca (Ti, Zr) OThreeSystem, NdTwoOThree-2Ti
OTwo System, LaTwoOThree-2 TiOTwoThe system is generally known
However, these compositions have a very low dielectric constant.
(Generally 100 or less)
Is virtually impossible to make.
【0008】誘電率が高く、平坦な容量温度特性を有す
る誘電体磁器組成物として、BaTiOを主成分と
し、Nb−Co、MgO−Y、希
土類元素(Dy,Ho等)、Bi−TiO
などを添加した組成が知られている。これらBaT
iOを主成分とする誘電体磁器組成物の温度特性
は、BaTiOのキュリー温度が約130℃付近に
あるため、それ以上の高温領域で容量温度特性のR特性
(ΔC=±15%以内)を満足することが非常に難し
い。このため、BaTiO系の高誘電率材料は、E
IA規格のX7R特性(−55〜125℃、ΔC=±1
5%以内)を満足することしかできなかった。X7R特
性を満足するだけでは、上記した厳しい環境で使用され
る自動車の電子装置には対応できない。上記電子装置に
は、EIA規格のX8R特性(−55〜150℃、ΔC
=±15%以内)を満足する誘電体磁器組成物が必要と
される。
As a dielectric ceramic composition having a high dielectric constant and a flat capacitance-temperature characteristic, BaTiO 3 is the main component, Nb 2 O 5 —Co 3 O 4 , MgO—Y, rare earth elements (Dy, Ho, etc.). ), Bi 2 O 3 —TiO
A composition containing 2 and the like is known. These BaT
The temperature characteristics of the dielectric ceramic composition containing iO 3 as the main component are such that the Curie temperature of BaTiO 3 is around 130 ° C., so the R-characteristics of the capacity-temperature characteristics (ΔC = ± 15% or less) in the higher temperature region. ) Is very difficult to satisfy. Therefore, the BaTiO 3 -based high dielectric constant material is E
IA standard X7R characteristics (-55 to 125 ° C, ΔC = ± 1
Only within 5%). Merely satisfying the X7R characteristics cannot meet the electronic equipment of automobiles used in the above severe environment. The electronic device has an EIA standard X8R characteristic (-55 to 150 ° C., ΔC
= ± 15% or less) is required.
【0009】BaTiOを主成分とする誘電体磁器
組成物においてX8R特性を満足させるために、BaT
iO中のBaをBi,Pbなどで置換することによ
り、キュリー温度を高温側にシフトさせることが提案さ
れている(特開平10−25157号公報、同9−40
465号公報)。また、BaTiO+CaZrO
+ZnO+Nb系の組成を選択すること
によりX8R特性を満足させることも提案されている
(特開平4−295048号公報、同4−292458
号公報、同4−292459号公報、同5−10931
9公報、同6−243721号公報)。しかし、これら
のいずれの組成系においても、蒸発飛散しやすいPb,
Bi,Znを使用するため、空気中等の酸化性雰囲気で
の焼成が前提となる。このため、コンデンサの内部電極
に安価なNi等の卑金属を使用することができず、P
d,Au,Ag等の高価な貴金属を使用しなければなら
ないという問題がある。
BaTiOThreeDielectric porcelain mainly composed of
In order to satisfy the X8R characteristic in the composition, BaT
iOThreeBy replacing Ba in the inside with Bi, Pb, etc.
Therefore, it is suggested to shift the Curie temperature to the high temperature side.
(Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-25157, 9-40).
465). In addition, BaTiO 3Three+ CaZrO
Three+ ZnO + NbTwoO5Selecting the composition of the system
It is also proposed to satisfy X8R characteristics by
(JP-A-4-295048, JP-A-4-292458)
No. 4,292,459 and No. 5-10931.
9 gazette and the same 6-243721 gazette). But these
In any composition system of Pb,
Since Bi and Zn are used, in an oxidizing atmosphere such as air
Is premised on firing. Therefore, the internal electrodes of the capacitor
Inexpensive base metals such as Ni cannot be used for
expensive precious metals such as d, Au, Ag must be used
There is a problem that there is no.
【0010】さらに、従来の誘電体セラミック組成物で
は、低温から高温までの繰り返し熱衝撃には対応できな
いなど問題があり、機械的強度の向上が求められてい
る。
Further, the conventional dielectric ceramic composition has a problem that it cannot cope with repeated thermal shock from a low temperature to a high temperature, and improvement in mechanical strength is required.
【0011】一方、セラミック積層体の積層方向での両
端部にある外表面域に、針状結晶を形成することによ
り、強度を高める手法が報告されている(特開平9−3
12234号公報)。この公報に示す手法では、TiO
を主成分とする酸化物ペーストをセラミック積層体
の表面に塗布し、乾燥させた後に熱処理することで、セ
ラミックの外表面域に針状結晶を形成している。針状結
晶は、BaTi1330、BaTi17
40等の析出物であると考えられる。
On the other hand, a method has been reported in which the strength is increased by forming needle crystals in the outer surface regions at both ends of the ceramic laminate in the laminating direction (Japanese Patent Laid-Open No. 9-3.
12234). In the method shown in this publication, TiO 2
The oxide paste containing 2 as a main component is applied to the surface of the ceramic laminate, dried and then heat-treated to form needle crystals in the outer surface region of the ceramic. The acicular crystals are Ba 4 Ti 13 O 30 and Ba 6 Ti 17 O.
It is considered to be a precipitate such as 40 .
【0012】[0012]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報記載の手法では、セラミック積層体を還元性雰囲気で
焼成した場合、セラミック素地を還元させてしまうた
め、セラミック積層体の内部、またはその付近まで、針
状結晶を形成することはできない。したがって、針状結
晶の形成は、セラミック積層体の外表面付近のみに限定
され、機械的強度の向上が十分ではない。このため、セ
ラミック積層体を保護するためのコンデンサ蓋の厚みが
十分にとれない場合などには、実用に耐え得る程度の十
分な強度を有する電子部品を得ることができない。
However, in the method described in the above publication, when the ceramic laminate is fired in a reducing atmosphere, the ceramic base is reduced, so that the inside of the ceramic laminate or the vicinity thereof is It is not possible to form needle crystals. Therefore, the formation of needle-like crystals is limited only to the vicinity of the outer surface of the ceramic laminate, and the mechanical strength is not sufficiently improved. Therefore, when the thickness of the capacitor lid for protecting the ceramic laminate is not sufficient, it is not possible to obtain an electronic component having sufficient strength for practical use.
【0013】本発明の目的は、比誘電率が高く、容量温
度特性がEIA規格のX8R特性(−55〜150℃、
ΔC=±15%以内)を満足し、かつ、還元性雰囲気中
での焼成が可能であり、機械的強度に優れた誘電体磁器
組成物を提供することであり、また、この誘電体磁器組
成物を用いた積層セラミックコンデンサなどの電子部品
を提供することである。
An object of the present invention is that the dielectric constant is high and the capacitance-temperature characteristic is the X8R characteristic (-55 to 150 ° C., which is EIA standard).
ΔC = ± 15% or less), capable of firing in a reducing atmosphere, and providing a dielectric ceramic composition having excellent mechanical strength. An object is to provide an electronic component such as a monolithic ceramic capacitor using a product.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第1の観点に係る誘電体磁器組成物は、主
成分であるBaTiOと、MgO,CaO,Ba
O,SrOおよびCrから選択される少なく
とも1種を含む第1副成分と、(Ba,Ca)Si
2+x (ただし、x=0.8〜1.2)で表される
第2副成分と、V,MoOおよびWO
から選択される少なくとも1種を含む第3副成分
と、R1の酸化物(ただし、R1はYb)を含む第4副
成分と、R2の酸化物(ただし、R2はY、Dy、H
o、Tb、GdおよびEuから選択される少なくとも一
種)を含む第5副成分と、を少なくとも有する誘電体磁
器組成物であって、主成分であるBaTiO100
モルに対する各副成分の比率が、 第1副成分:0.1〜3モル、 第2副成分:2〜10モル、 第3副成分:0.01〜0.5モル、 第4副成分:0.5〜7モル(ただし、第4副成分のモ
ル数は、R1単独での比率である)、 第5副成分:2〜9モル(ただし、第5副成分のモル数
は、R2単独での比率である)、であることを特徴とす
る。 なお、前記第2副成分において、BaとCaとの比率は
任意であり、一方だけを含有するものであってもよい。
In order to achieve the above object, the dielectric ceramic composition according to the first aspect of the present invention comprises BaTiO 3 as a main component, MgO, CaO, and Ba.
A first subcomponent containing at least one selected from O, SrO and Cr 2 O 3 , and (Ba, Ca) x Si
Second subcomponent represented by O 2 + x (where x = 0.8 to 1.2), V 2 O 5 , MoO 3 and WO
A third subcomponent containing at least one selected from 3 , a fourth subcomponent containing an oxide of R1 (provided that R1 is Yb), and an oxide of R2 (provided that R2 is Y, Dy, H).
BaTiO 3 100 which is a dielectric ceramic composition having at least a fifth subcomponent containing at least one selected from o, Tb, Gd and Eu, and which is the main component.
The ratio of each subcomponent to the moles is as follows: first subcomponent: 0.1 to 3 mol, second subcomponent: 2 to 10 mol, third subcomponent: 0.01 to 0.5 mol, fourth subcomponent: 0.5 to 7 mol (however, the number of moles of the fourth subcomponent is the ratio of R1 alone), the fifth subcomponent: 2 to 9 mol (however, the number of moles of the fifth subcomponent is R2 alone). Is the ratio), and is characterized by. In the second subcomponent, the ratio of Ba and Ca is arbitrary, and only one may be contained.
【0015】好ましくは、本発明に係る誘電体磁器組成
物は、第6副成分として、MnOをさらに有し、前記第
6副成分の含有量が、主成分であるBaTiO10
0モルに対し0.5モル以下である。
Preferably, the dielectric ceramic composition according to the present invention further contains MnO as a sixth subcomponent, and the content of the sixth subcomponent is BaTiO 3 10 which is the main component.
It is 0.5 mol or less relative to 0 mol.
【0016】好ましくは、前記第4副成分および第5副
成分の合計の含有量が、主成分であるBaTiO
00モルに対し13モル以下(ただし、第4副成分およ
び第5副成分のモル数は、R1およびR2単独での比率
である)である。
Preferably, the total content of the fourth subcomponent and the fifth subcomponent is BaTiO 3 1 which is the main component.
It is 13 mol or less with respect to 00 mol (however, the number of moles of the fourth subcomponent and the fifth subcomponent is the ratio of R1 and R2 alone).
【0017】本発明の第2の観点に係る誘電体磁器組成
物は、BaTiOを主成分とする誘電体素地相と、
前記誘電体素地相の内部に混在してある板状または針状
の析出相とを有する。本発明の第2の観点に係る誘電体
磁器組成物において、析出相の材質は、特に限定されな
いが、たとえばY、YbおよびTiの複合酸化物などで
構成される。
A dielectric ceramic composition according to a second aspect of the present invention comprises a dielectric matrix phase containing BaTiO 3 as a main component,
It has a plate-like or needle-like precipitation phase mixed inside the dielectric matrix phase. In the dielectric ceramic composition according to the second aspect of the present invention, the material of the precipitation phase is not particularly limited, but is composed of, for example, a composite oxide of Y, Yb, and Ti.
【0018】本発明に係る電子部品は、誘電体層を有す
る電子部品であれば、特に限定されず、たとえば誘電体
層と共に内部電極層とが交互に積層してあるコンデンサ
素子本体を有する積層セラミックコンデンサ素子であ
る。本発明では、前記誘電体層が、上記いずれかの誘電
体組成物で構成してある。内部電極層に含まれる導電材
としては、特に限定されないが、たとえばNiまたはN
i合金である。
The electronic component according to the present invention is not particularly limited as long as it is an electronic component having a dielectric layer. For example, a laminated ceramic having a capacitor element body in which dielectric layers and internal electrode layers are alternately laminated. It is a capacitor element. In the present invention, the dielectric layer is composed of any one of the above dielectric compositions. The conductive material contained in the internal electrode layer is not particularly limited, but may be Ni or N, for example.
It is an i alloy.
【0019】[0019]
【作用】本発明によれば、X8R(−55〜150℃、
ΔC=±15%以内)温度特性を満足し、耐還元性に優
れ、且つ機械的強度に優れた誘電体磁器の組成物が得ら
れる。
According to the present invention, X8R (-55 to 150 ° C,
(ΔC = ± 15% or less) A dielectric ceramic composition that satisfies temperature characteristics, is excellent in reduction resistance, and is excellent in mechanical strength can be obtained.
【0020】本発明において、BaTiO100モ
ルに対するR2の比率が2モル以上で、R1と複合添加
することで、機械的強度が十分に向上する。このような
新たな知見は、本発明者等により初めて見出された。
In the present invention, the ratio of R2 to 100 mol of BaTiO 3 is 2 mol or more, and the composite addition with R1 sufficiently improves the mechanical strength. Such new knowledge was first discovered by the present inventors.
【0021】なお、R1の比率が0.5モルを下回る
と、X8R特性を得ることが困難になる傾向にあり、ま
たR2が9モルを越える、またはR1の酸化物が7モル
を越えて組成物中に添加した場合、焼結性が悪くなり、
良好な電気特性が得られないと同時に、十分な機械的強
度がとれなくなる傾向にある。
When the ratio of R1 is less than 0.5 mol, it tends to be difficult to obtain X8R characteristics, and the composition of R2 exceeds 9 mol or the oxide of R1 exceeds 7 mol. When added to the product, the sinterability deteriorates,
At the same time that good electrical characteristics cannot be obtained, sufficient mechanical strength tends to be lost.
【0022】また、本発明では、誘電体素地相の内部
に、板状もしくは針状の析出相が検出される誘電体磁器
組成物では、これらの析出相が検出されない誘電体磁器
組成物に比べて、機械的強度の向上が観察される。
Further, according to the present invention, the dielectric ceramic composition in which a plate-shaped or needle-shaped precipitation phase is detected inside the dielectric matrix phase is compared to a dielectric ceramic composition in which these precipitation phases are not detected. Thus, an increase in mechanical strength is observed.
【0023】また、本発明に係る誘電体磁器組成物は、
還元雰囲気で焼成可能であり、NiおよびNi合金等の
卑金属からなる内部電極を有する積層チップコンデンサ
用材料に用いることが可能である。
Further, the dielectric ceramic composition according to the present invention is
It can be fired in a reducing atmosphere and can be used as a material for a laminated chip capacitor having internal electrodes made of a base metal such as Ni and a Ni alloy.
【0024】[0024]
【発明の実施の形態】以下、本発明を、図面に示す実施
形態に基づき説明する。図1は本発明の一実施形態に係
る積層セラミックコンデンサの断面図、図2(A)は本
発明の一実施例に係る誘電体磁器組成物のSEM写真
(反射電子像)、図2(B)は本発明の一比較例に係る
誘電体磁器組成物のSEM写真(反射電子像)、図3
(A)は本発明の他の実施例に係る誘電体磁器組成物の
SEM写真(反射電子像)、図3(B)は本発明の他の
比較例に係る誘電体磁器組成物のSEM写真(反射電子
像)、図4(A)および(B)は本発明の他の実施例に
係る誘電体磁器組成物のSEM写真(二次電子像)であ
る。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described below based on the embodiments shown in the drawings. 1 is a cross-sectional view of a monolithic ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention, FIG. 2A is a SEM photograph (backscattered electron image) of a dielectric ceramic composition according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3) is a SEM photograph (reflected electron image) of a dielectric ceramic composition according to a comparative example of the present invention, FIG.
(A) is an SEM photograph (backscattered electron image) of a dielectric ceramic composition according to another embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a SEM photograph of a dielectric ceramic composition according to another comparative example of the present invention. (Reflected electron image), FIGS. 4A and 4B are SEM photographs (secondary electron images) of dielectric ceramic compositions according to other examples of the present invention.
【0025】積層セラミックコンデンサ 図1に示されるように、本発明の一実施形態に係る積層
セラミックコンデンサ1は、誘電体層2と内部電極層3
とが交互に積層された構成のコンデンサ素子本体10を
有する。このコンデンサ素子本体10の両端部には、素
子本体10の内部で交互に配置された内部電極層3と各
々導通する一対の外部電極4が形成してある。コンデン
サ素子本体10の形状に特に制限はないが、通常、直方
体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用
途に応じて適当な寸法とすればよいが、通常、(0.6
〜5.6mm)×(0.3〜5.0mm)×(0.3〜
1.9mm)程度である。
Multilayer Ceramic Capacitor As shown in FIG. 1, a monolithic ceramic capacitor 1 according to an embodiment of the present invention includes a dielectric layer 2 and an internal electrode layer 3.
The capacitor element body 10 has a structure in which and are alternately stacked. At both ends of the capacitor element body 10, a pair of external electrodes 4 is formed which are electrically connected to the internal electrode layers 3 alternately arranged inside the element body 10. The shape of the capacitor element body 10 is not particularly limited, but is usually a rectangular parallelepiped. The size is not particularly limited, and may be an appropriate size depending on the application, but usually (0.6
~ 5.6 mm) x (0.3 to 5.0 mm) x (0.3 to
1.9 mm).
【0026】内部電極層3は、各端面がコンデンサ素子
本体10の対向する2端部の表面に交互に露出するよう
に積層してある。一対の外部電極4は、コンデンサ素子
本体10の両端部に形成され、交互に配置された内部電
極層3の露出端面に接続されて、コンデンサ回路を構成
する。
The internal electrode layers 3 are laminated so that the respective end faces are alternately exposed on the surfaces of the two opposite end portions of the capacitor element body 10. The pair of external electrodes 4 are formed at both ends of the capacitor element body 10 and are connected to the exposed end faces of the alternately arranged internal electrode layers 3 to form a capacitor circuit.
【0027】誘電体層2 誘電体層2は、本発明の誘電体磁器組成物を含有する。
本発明の誘電体磁器組成物は、主成分であるBaTiO
と、MgO,CaO,BaO,SrOおよびCr
から選択される少なくとも1種を含む第1副
成分と、(Ba,Ca)SiO2+x (ただし、
x=0.8〜1.2)で表される第2副成分と、V
,MoOおよびWOから選択される少な
くとも1種を含む第3副成分と、R1の酸化物(ただ
し、R1はYb)を含む第4副成分と、R2の酸化物
(ただし、R2はY、Dy、Ho、Tb、GdおよびE
uから選択される少なくとも一種)を含む第5副成分
と、少なくとも有する誘電体磁器組成物で構成してあ
る。
Dielectric Layer 2 The dielectric layer 2 contains the dielectric ceramic composition of the present invention.
The dielectric ceramic composition of the present invention is composed of BaTiO 3 which is the main component.
3 and MgO, CaO, BaO, SrO and Cr
A first subcomponent containing at least one selected from 2 O 3 and (Ba, Ca) x SiO 2 + x (provided that
x = 0.8 to 1.2) and V 2
A third subcomponent containing at least one selected from O 5 , MoO 3 and WO 3 , a fourth subcomponent containing an oxide of R1 (where R1 is Yb), and an oxide of R2 (providing R2). Is Y, Dy, Ho, Tb, Gd and E
and a dielectric porcelain composition having at least a fifth sub ingredient including at least one selected from u).
【0028】主成分であるBaTiOに対する上記
各副成分の比率は、BaTiO100モルに対し、 第1副成分:0.1〜3モル、 第2副成分:2〜10モル、 第3副成分:0.01〜0.5モル、 第4副成分:0.5〜7モル、 第5副成分:2〜9モル であり、好ましくは、 第1副成分:0.5〜2.5モル、 第2副成分:2.0〜5.0モル、 第3副成分:0.1〜0.4モル、 第4副成分:0.5〜5.0モル、 第5副成分:2〜8モル である。なお、第4副成分および第5副成分の上記比率
は、R1の酸化物およびR2の酸化物のモル比ではな
く、R1単独のモル比およびR2単独のモル比である。
すなわち、第4副成分としてYbの酸化物を用いた場
合、第4副成分の比率が1モルであることは、Yb
の比率が1モルなのではなく、Ybの比率が1モ
ルであることを意味する。
The ratio of each of the above subcomponents to BaTiO 3 as the main component is such that the first subcomponent: 0.1 to 3 mol, the second subcomponent: 2 to 10 mol, and the third subcomponent to 100 mol of BaTiO 3. Component: 0.01 to 0.5 mol, Fourth subcomponent: 0.5 to 7 mol, Fifth subcomponent: 2 to 9 mol, preferably First subcomponent: 0.5 to 2.5. Mol, second subcomponent: 2.0 to 5.0 mol, third subcomponent: 0.1 to 0.4 mol, fourth subcomponent: 0.5 to 5.0 mol, fifth subcomponent: 2 ~ 8 moles. The ratios of the fourth subcomponent and the fifth subcomponent are not the molar ratio of the oxide of R1 and the oxide of R2, but the molar ratio of R1 alone and the molar ratio of R2 alone.
That is, when using an oxide of Yb as the fourth subcomponent, the ratio of the fourth subcomponent being 1 mole, Yb 2
It does not mean that the ratio of O 3 is 1 mol, but that the ratio of Yb is 1 mol.
【0029】本明細書では、主成分および各副成分を構
成する各酸化物を化学量論組成で表しているが、各酸化
物の酸化状態は、化学量論組成から外れるものであって
もよい。ただし、各副成分の上記比率は、各副成分を構
成する酸化物に含有される金属量から上記化学量論組成
の酸化物に換算して求める。
In the present specification, each oxide constituting the main component and each subcomponent is represented by the stoichiometric composition, but the oxidation state of each oxide may be out of the stoichiometric composition. Good. However, the above-mentioned ratio of each sub-component is calculated by converting the amount of metal contained in the oxide constituting each sub-component into the oxide of the above stoichiometric composition.
【0030】上記各副成分の含有量の限定理由は以下の
とおりである。第1副成分(MgO,CaO,BaO,
SrOおよびCr)の含有量が少なすぎる
と、容量温度変化率が大きくなってしまう。一方、含有
量が多すぎると、焼結性が悪化する。なお、第1副成分
中における各酸化物の構成比率は任意である。
The reasons for limiting the contents of the above subcomponents are as follows. First subcomponent (MgO, CaO, BaO,
If the contents of SrO and Cr 2 O 3 ) are too small, the rate of change in capacity with temperature becomes large. On the other hand, if the content is too large, the sinterability deteriorates. The composition ratio of each oxide in the first subcomponent is arbitrary.
【0031】第2副成分[(Ba,Ca)SiO
2+x ]中のBaOおよびCaOは第1副成分にも含
まれるが、複合酸化物である(Ba,Ca)SiO
2+x は融点が低いため主成分に対する反応性が良好な
ので、本発明ではBaOおよび/またはCaOを上記複
合酸化物としても添加する。第2副成分の含有量が少な
すぎると、容量温度特性が悪くなり、また、IR(絶縁
抵抗)が低下する。一方、含有量が多すぎると、誘電率
の急激な低下が生じてしまう。(Ba,Ca) Si
2+x におけるxは、好ましくは0.8〜1.2で
あり、より好ましくは0.9〜1.1である。xが小さ
すぎると、すなわちSiOが多すぎると、主成分の
BaTiOと反応して誘電体特性を悪化させてしま
う。一方、xが大きすぎると、融点が高くなって焼結性
を悪化させるため、好ましくない。なお、第2副成分に
おいてBaとCaとの比率は任意であり、一方だけを含
有するものであってもよい。
Second subcomponent [(Ba, Ca)xSiO
2 + x] Contained BaO and CaO in the first subcomponent.
However, it is a complex oxide (Ba, Ca)xSiO
2 + x Has a low melting point and therefore has good reactivity with the main component
Therefore, in the present invention, BaO and / or CaO is added to the above
It is also added as a compound oxide. Low content of second subcomponent
If too much, the capacity-temperature characteristic deteriorates, and IR (insulation
Resistance) decreases. On the other hand, if the content is too high, the dielectric constant
Will cause a sharp drop in. (Ba, Ca) xSi
O2 + xX in is preferably 0.8 to 1.2
Yes, and more preferably 0.9 to 1.1. x is small
Too much, ie SiOTwoToo much of the main component
BaTiOThreeReact with and deteriorate the dielectric properties.
U On the other hand, if x is too large, the melting point becomes high and the sinterability increases.
It is not preferable because it worsens. In addition, in the second subcomponent
The ratio of Ba to Ca is arbitrary and only one of them is included.
You may have.
【0032】第3副成分(V,MoO
よびWO)は、キュリー温度以上での容量温度特性
を平坦化する効果を示す。第3副成分の含有量が少なす
ぎると、このような効果が不十分となる。一方、含有量
が多すぎると、IRが著しく低下する。なお、第3副成
分中における各酸化物の構成比率は任意である。
The third subcomponent (V 2 O 5 , MoO 3 and WO 3 ) has the effect of flattening the capacity-temperature characteristic above the Curie temperature. If the content of the third sub ingredient is too small, such an effect becomes insufficient. On the other hand, if the content is too large, the IR is significantly reduced. The composition ratio of each oxide in the third subcomponent is arbitrary.
【0033】第4副成分(R1の酸化物)は、キュリー
温度を高温側へシフトさせる効果と、容量温度特性を平
坦化する効果とを示す。第4副成分の含有量が少なすぎ
ると、このような効果が不十分となり、容量温度特性が
悪くなってしまう。一方、含有量が多すぎると、焼結性
が悪化する傾向にある。第4副成分のうちでは、特性改
善効果が高く、しかも安価であることから、Yb酸化物
が好ましい。
The fourth subcomponent (oxide of R1) exhibits the effect of shifting the Curie temperature to the high temperature side and the effect of flattening the capacity-temperature characteristic. If the content of the fourth subcomponent is too small, such effects become insufficient and the capacity-temperature characteristic deteriorates. On the other hand, if the content is too large, the sinterability tends to deteriorate. Among the fourth subcomponents, Yb oxide is preferable because it has a high property improving effect and is inexpensive.
【0034】第5副成分(R2の酸化物)は、第4副成
分(R1の酸化物)と共に添加することで、得られる誘
電体磁器組成物の機械的強度が十分に向上する。また、
第5副成分は、IRを改善する効果を示し、容量温度特
性への悪影響も少ない。ただし、R2の酸化物の含有量
が多すぎると、焼結性が悪化する傾向にある。第5副成
分のうちでは、特性改善効果が高く、しかも安価である
ことから、Y酸化物が好ましい。
By adding the fifth subcomponent (oxide of R2) together with the fourth subcomponent (oxide of R1), the mechanical strength of the obtained dielectric ceramic composition is sufficiently improved. Also,
The fifth subcomponent has the effect of improving IR and has little adverse effect on the capacity-temperature characteristic. However, if the content of the oxide of R2 is too large, the sinterability tends to deteriorate. Among the fifth subcomponents, the Y oxide is preferable because it has a high property improving effect and is inexpensive.
【0035】第4副成分および第5副成分の合計の含有
量は、主成分であるBaTiO100モルに対し、好
ましくは13モル以下(ただし、第4副成分および第5
副成分のモル数は、R1およびR2単独での比率であ
る)である。焼結性を良好に保つためである。
The total content of the fourth subcomponent and the fifth subcomponent is preferably 13 mol or less with respect to 100 mol of BaTiO 3 as the main component (however, the fourth subcomponent and the fifth subcomponent).
The number of moles of the subcomponent is the ratio of R1 and R2 alone). This is for maintaining good sinterability.
【0036】また、本発明の誘電体磁器組成物には、第
6副成分として、さらにMnOが含有されていてもよ
い。この第6副成分は、焼結を促進する効果と、IRを
高くする効果とを示す。このような効果を十分に得るた
めには、BaTiO100モルに対する第6副成分
の比率が0.01モル以上であることが好ましい。ただ
し、第6副成分の含有量が多すぎると容量温度特性に悪
影響を与えるので、好ましくは0.5モル以下とする。
The dielectric ceramic composition of the present invention may further contain MnO as a sixth subcomponent. The sixth subcomponent has the effect of promoting sintering and the effect of increasing IR. In order to obtain such an effect sufficiently, it is preferable that the ratio of the sixth subcomponent with respect to 100 mol of BaTiO 3 is 0.01 mol or more. However, if the content of the sixth subcomponent is too large, the capacity-temperature characteristic is adversely affected, so the content is preferably 0.5 mol or less.
【0037】また、本発明の誘電体磁器組成物中には、
上記各酸化物のほか、Al が含まれていてもよ
い。Alは容量温度特性にあまり影響を与え
ず、焼結性、IRを改善する効果を示す。ただし、Al
の含有量が多すぎると焼結性が悪化してIR
が低くなるため、Alは、好ましくは、Ba
TiO100モルに対して1モル以下、さらに好ま
しくは、誘電体磁器組成物全体の1モル以下である。
Further, in the dielectric ceramic composition of the present invention,
In addition to the above oxides, AlTwoOThree May be included
Yes. AlTwoOThreeInfluences the capacity-temperature characteristics too much
However, the effect of improving sinterability and IR is exhibited. However, Al
TwoOThreeIf the content of is too large, the sinterability deteriorates and the IR
Lowers AlTwoOThreeIs preferably Ba
TiOThree1 mol or less, more preferably 100 mol
Preferably, it is 1 mol or less based on the total amount of the dielectric ceramic composition.
【0038】なお、Sr,ZrおよびSnの少なくとも
1種が、ペロブスカイト構造を構成する主成分中のBa
またはTiを置換している場合、キュリー温度が低温側
にシフトするため、125℃以上での容量温度特性が悪
くなる。このため、これらの元素を含むBaTiO
[例えば(Ba,Sr)TiO]を主成分として用
いないことが好ましい。ただし、不純物として含有され
るレベル(誘電体磁器組成物全体の0.1モル%程度以
下)であれば、特に問題はない。
At least one of Sr, Zr and Sn is Ba in the main component forming the perovskite structure.
Alternatively, when Ti is substituted, the Curie temperature shifts to the low temperature side, and the capacity-temperature characteristic at 125 ° C. or higher deteriorates. Therefore, BaTiO 3 containing these elements
[For example, (Ba, Sr) TiO 3 ] is preferably not used as a main component. However, there is no particular problem as long as it is contained as an impurity (about 0.1 mol% or less of the entire dielectric ceramic composition).
【0039】本発明の誘電体磁器組成物の平均結晶粒径
は、特に限定されず、誘電体層の厚さなどに応じて例え
ば0.1〜3.0μmの範囲から適宜決定すればよい。
容量温度特性は、誘電体層が薄いほど悪化し、また、平
均結晶粒径を小さくするほど悪化する傾向にある。この
ため、本発明の誘電体磁器組成物は、平均結晶粒径を小
さくする必要がある場合に、具体的には、平均結晶粒径
が0.1〜0.5μmである場合に特に有効である。ま
た、平均結晶粒径を小さくすれば、IR加速寿命が長く
なり、また、直流電界下での容量の経時変化が少なくな
るため、この点からも平均結晶粒径は上記のように小さ
いことが好ましい。
The average crystal grain size of the dielectric ceramic composition of the present invention is not particularly limited, and may be appropriately determined from the range of 0.1 to 3.0 μm, for example, depending on the thickness of the dielectric layer.
The capacitance-temperature characteristics tend to deteriorate as the dielectric layer becomes thinner, and as the average crystal grain size becomes smaller. Therefore, the dielectric ceramic composition of the present invention is particularly effective when it is necessary to reduce the average crystal grain size, specifically, when the average crystal grain size is 0.1 to 0.5 μm. is there. Further, if the average crystal grain size is made small, the IR accelerated life becomes long, and the change with time of the capacity under a DC electric field is reduced. Therefore, from this point as well, the average crystal grain size is small as described above. preferable.
【0040】本発明の誘電体磁器組成物のキュリー温度
(強誘電体から常誘電体への相転移温度)は、組成を選
択することにより変更することができるが、X8R特性
を満足するためには、好ましくは120℃以上、より好
ましくは123℃以上とする。なお、キュリー温度は、
DSC(示差走査熱量測定)などによって測定すること
ができる。
The Curie temperature (phase transition temperature from ferroelectric to paraelectric) of the dielectric ceramic composition of the present invention can be changed by selecting the composition, but in order to satisfy the X8R characteristic. Is preferably 120 ° C. or higher, more preferably 123 ° C. or higher. The Curie temperature is
It can be measured by DSC (differential scanning calorimetry) or the like.
【0041】本発明の誘電体磁器組成物から構成される
誘電体層の厚さは、一層あたり、通常、40μm以下、
特に30μm以下である。厚さの下限は、通常、2μm
程度である。本発明の誘電体磁器組成物は、このような
薄層化した誘電体層を有する積層セラミックコンデンサ
の容量温度特性の改善に有効である。なお、誘電体層の
積層数は、通常、2〜300程度とする。
The thickness of the dielectric layer composed of the dielectric ceramic composition of the present invention is usually 40 μm or less per layer,
In particular, it is 30 μm or less. The lower limit of thickness is usually 2 μm
It is a degree. The dielectric ceramic composition of the present invention is effective in improving the capacitance-temperature characteristic of a laminated ceramic capacitor having such a thinned dielectric layer. The number of laminated dielectric layers is usually about 2 to 300.
【0042】ただし、本発明の組成物は、積層チップコ
ンデンサの設計に依存することなく、強度特性の改善に
効果がある。
However, the composition of the present invention is effective in improving the strength characteristics without depending on the design of the multilayer chip capacitor.
【0043】本発明の誘電体磁器組成物を用いた積層セ
ラミックコンデンサは、80℃以上、特に125〜15
0℃の環境下で使用される機器用電子部品として用いて
好適である。そして、このような温度範囲において、容
量の温度特性がEIA規格のR特性を満足し、さらに、
X8R特性も満足する。また、EIAJ規格のB特性
[−25〜85℃で容量変化率±10%以内(基準温度
20℃)]、EIA規格のX7R特性(−55〜125
℃、ΔC=±15%以内)も同時に満足することが可能
である。
A laminated ceramic capacitor using the dielectric ceramic composition of the present invention has a temperature of 80 ° C. or higher, particularly 125 to 15
It is suitable for use as an electronic component for equipment used in an environment of 0 ° C. Then, in such a temperature range, the temperature characteristic of the capacity satisfies the R characteristic of the EIA standard, and further,
The X8R characteristic is also satisfied. In addition, the B characteristic of the EIAJ standard [capacity change rate within ± 10% at −25 to 85 ° C. (reference temperature 20 ° C.)] and the X7R characteristic of the EIA standard (−55 to 125
(° C, ΔC = within ± 15%) can be satisfied at the same time.
【0044】積層セラミックコンデンサでは、誘電体層
に、通常、0.02V/μm以上、特に0.2V/μm
以上、さらには0.5V/μm以上、一般に5V/μm
程度以下の交流電界と、これに重畳して5V/μm以下
の直流電界とが加えられるが、このような電界が加わっ
ても、容量の温度特性は極めて安定である。
In the monolithic ceramic capacitor, the dielectric layer usually has a thickness of 0.02 V / μm or more, especially 0.2 V / μm.
Above, more than 0.5V / μm, generally 5V / μm
An AC electric field of about less than or equal to that and a DC electric field of 5 V / μm or less superimposed on it are applied, but even if such an electric field is applied, the temperature characteristic of the capacitance is extremely stable.
【0045】本発明の誘電体磁気組成物は、上記のよう
な組成範囲を有し、焼成後の素体中には、BaTiO
を主成分とする誘電体素地相と、前記誘電体素地相
の内部に混在してある板状または針状の析出相とを有す
る。
The dielectric magnetic composition of the present invention has the composition range as described above, and BaTiO 3 is contained in the element body after firing.
It has a dielectric matrix phase containing 3 as a main component, and a plate-like or acicular precipitation phase mixed inside the dielectric matrix phase.
【0046】このように、誘電体素地相の内部に、板状
もしくは針状の析出相が検出される誘電体磁器組成物で
は、X8R特性を満足すると同時に、これらの析出相が
検出されない誘電体磁器組成物に比べて、特に機械的強
度の向上が観察される。
As described above, the dielectric ceramic composition in which the plate-shaped or needle-shaped precipitation phase is detected inside the dielectric matrix phase satisfies the X8R characteristic and, at the same time, does not detect these precipitation phases. Particularly improved mechanical strength is observed compared to the porcelain composition.
【0047】なお、上記組成範囲以外でも、誘電体素地
相の内部に、板状もしくは針状の析出相が検出される誘
電体磁器組成物も、本発明の範囲内である。
Besides the above composition range, a dielectric ceramic composition in which a plate-shaped or needle-shaped precipitation phase is detected inside the dielectric matrix phase is also within the scope of the present invention.
【0048】内部電極層3 内部電極層3に含有される導電材は特に限定されない
が、誘電体層2の構成材料が耐還元性を有するため、卑
金属を用いることができる。導電材として用いる卑金属
としては、NiまたはNi合金が好ましい。Ni合金と
しては、Mn,Cr,CoおよびAlから選択される1
種以上の元素とNiとの合金が好ましく、合金中のNi
含有量は95重量%以上であることが好ましい。なお、
NiまたはNi合金中には、P等の各種微量成分が0.
1重量%程度以下含まれていてもよい。内部電極層の厚
さは用途等に応じて適宜決定すればよいが、通常、0.
5〜5μm、特に0.5〜2.5μm程度であることが
好ましい。
Internal Electrode Layer 3 The conductive material contained in the internal electrode layer 3 is not particularly limited, but since the constituent material of the dielectric layer 2 has reduction resistance, a base metal can be used. As the base metal used as the conductive material, Ni or Ni alloy is preferable. The Ni alloy is selected from Mn, Cr, Co and Al 1
An alloy of one or more elements and Ni is preferable, and Ni in the alloy is
The content is preferably 95% by weight or more. In addition,
In Ni or Ni alloy, various trace components such as P are less than 0.1%.
It may be contained in an amount of about 1% by weight or less. The thickness of the internal electrode layer may be appropriately determined according to the application, etc., but is usually 0.
The thickness is preferably 5 to 5 μm, and more preferably 0.5 to 2.5 μm.
【0049】外部電極4 外部電極4に含有される導電材は特に限定されないが、
本発明では安価なNi,Cuや、これらの合金を用いる
ことができる。外部電極の厚さは用途等に応じて適宜決
定されればよいが、通常、10〜50μm程度であるこ
とが好ましい。
External Electrode 4 The conductive material contained in the external electrode 4 is not particularly limited,
In the present invention, inexpensive Ni, Cu and alloys of these can be used. The thickness of the external electrode may be appropriately determined according to the application, etc., but is usually preferably about 10 to 50 μm.
【0050】積層セラミックコンデンサの製造方法 本発明の誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコン
デンサは、従来の積層セラミックコンデンサと同様に、
ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によりグリー
ンチップを作製し、これを焼成した後、外部電極を印刷
または転写して焼成することにより製造される。以下、
製造方法について具体的に説明する。
Manufacturing Method of Multilayer Ceramic Capacitor A multilayer ceramic capacitor using the dielectric ceramic composition of the present invention is the same as a conventional multilayer ceramic capacitor.
It is manufactured by producing a green chip by a usual printing method or a sheet method using a paste, firing this, and then printing or transferring an external electrode and firing it. Less than,
The manufacturing method will be specifically described.
【0051】誘電体層用ペーストは、誘電体原料と有機
ビヒクルとを混練した有機系の塗料であってもよく、水
系の塗料であってもよい。
The dielectric layer paste may be either an organic paint prepared by kneading a dielectric material and an organic vehicle, or an aqueous paint.
【0052】誘電体原料には、上記した酸化物やその混
合物、複合酸化物を用いることができるが、その他、焼
成により上記した酸化物や複合酸化物となる各種化合
物、例えば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、
有機金属化合物等から適宜選択し、混合して用いること
ができる。誘電体原料中の各化合物の含有量は、焼成後
に上記した誘電体磁器組成物の組成となるように決定す
ればよい。誘電体原料は、通常、平均粒径0.1〜3μ
m程度の粉末として用いられる。
As the dielectric raw material, the above-mentioned oxides, mixtures thereof, and complex oxides can be used. In addition, various compounds such as carbonates and shu, which become the above-mentioned oxides and complex oxides by firing. Acid salts, nitrates, hydroxides,
It can be appropriately selected from organometallic compounds and the like and mixed and used. The content of each compound in the dielectric material may be determined so as to have the above-mentioned composition of the dielectric ceramic composition after firing. The dielectric material usually has an average particle size of 0.1 to 3 μm.
It is used as a powder of about m.
【0053】有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中
に溶解したものである。有機ビヒクルに用いるバインダ
は特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチ
ラール等の通常の各種バインダから適宜選択すればよ
い。また、用いる有機溶剤も特に限定されず、印刷法や
シート法など、利用する方法に応じて、テルピネオー
ル、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン等の各種
有機溶剤から適宜選択すればよい。
The organic vehicle is a binder dissolved in an organic solvent. The binder used for the organic vehicle is not particularly limited and may be appropriately selected from various ordinary binders such as ethyl cellulose and polyvinyl butyral. The organic solvent used is also not particularly limited, and may be appropriately selected from various organic solvents such as terpineol, butyl carbitol, acetone, and toluene according to the method to be used such as the printing method and the sheet method.
【0054】また、誘電体層用ペーストを水系の塗料と
する場合には、水溶性のバインダや分散剤などを水に溶
解させた水系ビヒクルと、誘電体原料とを混練すればよ
い。水系ビヒクルに用いる水溶性バインダは特に限定さ
れず、例えば、ポリビニルアルコール、セルロース、水
溶性アクリル樹脂などを用いればよい。
When the dielectric layer paste is a water-based paint, the water-based vehicle in which a water-soluble binder or dispersant is dissolved may be kneaded with the dielectric material. The water-soluble binder used in the water-based vehicle is not particularly limited, and for example, polyvinyl alcohol, cellulose, water-soluble acrylic resin or the like may be used.
【0055】内部電極層用ペーストは、上記した各種誘
電性金属や合金からなる導電材、あるいは焼成後に上記
した導電材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネ
ート等と、上記した有機ビヒクルとを混練して調製す
る。外部電極用ペーストは、上記した内部電極層用ペー
ストと同様にして調製すればよい。
The internal electrode layer paste contains a conductive material made of the above-mentioned various dielectric metals or alloys, or various oxides, organometallic compounds, resinates, etc., which become the above-mentioned conductive material after firing, and the above-mentioned organic vehicle. Prepare by kneading. The external electrode paste may be prepared in the same manner as the above internal electrode layer paste.
【0056】上記した各ペースト中の有機ビヒクルの含
有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、バイン
ダは1〜5重量%程度、溶剤は10〜50重量%程度と
すればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて各
種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される添
加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、1
0重量%以下とすることが好ましい。
The content of the organic vehicle in each of the above-mentioned pastes is not particularly limited, and the usual content may be, for example, about 1 to 5% by weight of the binder and about 10 to 50% by weight of the solvent. In addition, each paste may contain additives selected from various dispersants, plasticizers, dielectrics, insulators and the like, if necessary. The total content of these is 1
It is preferably 0% by weight or less.
【0057】印刷法を用いる場合、誘電体層用ペースト
および内部電極層用ペーストを、PET等の基板上に積
層印刷し、所定形状に切断した後、基板から剥離してグ
リーンチップとする。
When the printing method is used, the dielectric layer paste and the internal electrode layer paste are laminated and printed on a substrate such as PET, cut into a predetermined shape, and then peeled from the substrate to obtain a green chip.
【0058】また、シート法を用いる場合、誘電体層用
ペーストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内
部電極層用ペーストを印刷した後、これらを積層してグ
リーンチップとする。
When the sheet method is used, a dielectric layer paste is used to form a green sheet, an internal electrode layer paste is printed on the green sheet, and these are stacked to form a green chip.
【0059】焼成前に、グリーンチップに脱バインダ処
理を施す。脱バインダ処理は、通常の条件で行えばよい
が、内部電極層の導電材にNiやNi合金等の卑金属を
用いる場合、特に下記の条件で行うことが好ましい。 昇温速度:5〜300℃/時間、特に10〜100℃/
時間、 保持温度:180〜400℃、特に200〜300℃、 温度保持時間:0.5〜24時間、特に5〜20時間、 雰囲気:空気中。
Before firing, the green chip is subjected to binder removal processing. The binder removal treatment may be performed under normal conditions, but when a base metal such as Ni or a Ni alloy is used for the conductive material of the internal electrode layers, it is particularly preferably performed under the following conditions. Temperature rising rate: 5 to 300 ° C / hour, especially 10 to 100 ° C /
Time, holding temperature: 180 to 400 ° C., especially 200 to 300 ° C., temperature holding time: 0.5 to 24 hours, especially 5 to 20 hours, atmosphere: in air.
【0060】グリーンチップ焼成時の雰囲気は、内部電
極層用ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定され
ればよいが、導電材としてNiやNi合金等の卑金属を
用いる場合、焼成雰囲気中の酸素分圧は、10−8〜1
−15 気圧とすることが好ましい。酸素分圧が前記
範囲未満であると、内部電極層の導電材が異常焼結を起
こし、途切れてしまうことがある。また、酸素分圧が前
記範囲を超えると、内部電極層が酸化する傾向にある。
The atmosphere for firing the green chip may be appropriately determined according to the type of the conductive material in the internal electrode layer paste, but when a base metal such as Ni or Ni alloy is used as the conductive material, the firing atmosphere is Oxygen partial pressure of 10 -8 to 1
The pressure is preferably 0-15 atm. If the oxygen partial pressure is less than the above range, the conductive material of the internal electrode layers may abnormally sinter and be interrupted. When the oxygen partial pressure exceeds the above range, the internal electrode layers tend to be oxidized.
【0061】また、焼成時の保持温度は、好ましくは1
100〜1400℃、より好ましくは1200〜136
0℃、さらに好ましくは1200〜1320℃である。
保持温度が前記範囲未満であると緻密化が不十分とな
り、前記範囲を超えると、内部電極層の異常焼結による
電極の途切れや、内部電極層構成材料の拡散による容量
温度特性の悪化、誘電体磁器組成物の還元が生じやすく
なる。
The holding temperature during firing is preferably 1
100-1400 ° C, more preferably 1200-136
The temperature is 0 ° C, more preferably 1200 to 1320 ° C.
If the holding temperature is less than the above range, the densification becomes insufficient, and if it exceeds the above range, the electrode is discontinued due to abnormal sintering of the internal electrode layer, and the capacity-temperature characteristic is deteriorated due to the diffusion of the internal electrode layer constituent material, and the dielectric Reduction of the body porcelain composition is likely to occur.
【0062】上記条件以外の各種条件は、下記範囲から
選択することが好ましい。 昇温速度:50〜500℃/時間、特に200〜300
℃/時間、 温度保持時間:0.5〜8時間、特に1〜3時間、 冷却速度:50〜500℃/時間、特に200〜300
℃/時間。 なお、焼成雰囲気は還元性雰囲気とすることが好まし
く、雰囲気ガスとしては、例えば、NとHとの
混合ガスを加湿して用いることが好ましい。
Various conditions other than the above conditions are preferably selected from the following range. Temperature rising rate: 50 to 500 ° C./hour, especially 200 to 300
° C / hour, temperature holding time: 0.5 to 8 hours, especially 1 to 3 hours, cooling rate: 50 to 500 ° C / hour, especially 200 to 300
° C / hour. The firing atmosphere is preferably a reducing atmosphere, and as the atmosphere gas, for example, a mixed gas of N 2 and H 2 is preferably used after being humidified.
【0063】還元性雰囲気中で焼成した場合、コンデン
サ素子本体にはアニールを施すことが好ましい。アニー
ルは、誘電体層を再酸化するための処理であり、これに
よりIR寿命を著しく長くすることができるので、信頼
性が向上する。
When firing in a reducing atmosphere, the capacitor element body is preferably annealed. Annealing is a process for re-oxidizing the dielectric layer, which can significantly increase the IR lifetime and thus improve reliability.
【0064】アニール雰囲気中の酸素分圧は、10−9
気圧以上、特に10−6〜10−9気圧とすることが好
ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると誘電体層の再
酸化が困難であり、前記範囲を超えると内部電極層が酸
化する傾向にある。
The oxygen partial pressure in the annealing atmosphere is 10 −9.
It is preferable that the pressure is not less than atmospheric pressure, particularly 10 −6 to 10 −9 atmospheric pressure. If the oxygen partial pressure is less than the above range, it is difficult to reoxidize the dielectric layer, and if it exceeds the above range, the internal electrode layers tend to be oxidized.
【0065】アニールの際の保持温度は、1100℃以
下、特に500〜1100℃とすることが好ましい。保
持温度が前記範囲未満であると誘電体層の酸化が不十分
となるので、IRが低く、また、IR寿命が短くなりや
すい。一方、保持温度が前記範囲を超えると、内部電極
層が酸化して容量が低下するだけでなく、内部電極層が
誘電体素地と反応してしまい、容量温度特性の悪化、I
Rの低下、IR寿命の低下が生じやすくなる。なお、ア
ニールは昇温過程および降温過程だけから構成してもよ
い。すなわち、温度保持時間を零としてもよい。この場
合、保持温度は最高温度と同義である。
The holding temperature during annealing is preferably 1100 ° C. or lower, and particularly preferably 500 to 1100 ° C. If the holding temperature is less than the above range, the dielectric layer is not sufficiently oxidized, so that the IR is low and the IR life is apt to be shortened. On the other hand, if the holding temperature exceeds the above range, not only the internal electrode layer is oxidized and the capacitance is lowered, but also the internal electrode layer reacts with the dielectric substrate, which deteriorates the capacitance-temperature characteristic, I
R and IR life are likely to decrease. It should be noted that the annealing may be composed only of a temperature raising process and a temperature lowering process. That is, the temperature holding time may be zero. In this case, the holding temperature is synonymous with the maximum temperature.
【0066】上記条件以外の各種条件は、下記範囲から
選択することが好ましい。 温度保持時間:0〜20時間、特に6〜10時間、 冷却速度:50〜500℃/時間、特に100〜300
℃/時間 なお、雰囲気用ガスには、加湿したNガス等を用い
ることが好ましい。
Various conditions other than the above conditions are preferably selected from the following range. Temperature holding time: 0 to 20 hours, especially 6 to 10 hours, cooling rate: 50 to 500 ° C./hour, especially 100 to 300
C./hour It is preferable to use a humidified N 2 gas or the like as the atmosphere gas.
【0067】上記した脱バインダ処理、焼成およびアニ
ールにおいて、Nガスや混合ガス等を加湿するに
は、例えばウェッター等を使用すればよい。この場合、
水温は5〜75℃程度が好ましい。
In the above binder removal processing, firing and annealing, for example, a wetter or the like may be used to wet the N 2 gas, the mixed gas and the like. in this case,
The water temperature is preferably about 5 to 75 ° C.
【0068】脱バインダ処理、焼成およびアニールは、
連続して行なっても、独立に行なってもよい。これらを
連続して行なう場合、脱バインダ処理後、冷却せずに雰
囲気を変更し、続いて焼成の際の保持温度まで昇温して
焼成を行ない、次いで冷却し、アニールの保持温度に達
したときに雰囲気を変更してアニールを行なうことが好
ましい。一方、これらを独立して行なう場合、焼成に際
しては、脱バインダ処理時の保持温度までNガスあ
るいは加湿したNガス雰囲気下で昇温した後、雰囲
気を変更してさらに昇温を続けることが好ましく、アニ
ール時の保持温度まで冷却した後は、再びNガスあ
るいは加湿したNガス雰囲気に変更して冷却を続け
ることが好ましい。また、アニールに際しては、N
ガス雰囲気下で保持温度まで昇温した後、雰囲気を変更
してもよく、アニールの全過程を加湿したNガス雰
囲気としてもよい。
The binder removal processing, firing and annealing are
It may be carried out continuously or independently. When performing these continuously, after the binder removal treatment, the atmosphere was changed without cooling, the temperature was raised to the holding temperature during firing, firing was performed, and then cooling was performed to reach the holding temperature for annealing. It is sometimes preferable to change the atmosphere and perform annealing. On the other hand, in the case of performing these independently, during firing, after raising the temperature to the holding temperature at the time of binder removal treatment in an atmosphere of N 2 gas or humidified N 2 gas, the atmosphere is changed and the temperature is further continued. After cooling to the holding temperature at the time of annealing, it is preferable to change to N 2 gas or humidified N 2 gas atmosphere again and continue cooling. When annealing, N 2
After raising the temperature to the holding temperature in a gas atmosphere, the atmosphere may be changed, or the entire annealing process may be performed in a humidified N 2 gas atmosphere.
【0069】上記のようにして得られたコンデンサ素子
本体に、例えばバレル研磨やサンドブラストなどにより
端面研磨を施し、外部電極用ペーストを印刷または転写
して焼成し、外部電極4を形成する。外部電極用ペース
トの焼成条件は、例えば、加湿したNとHとの
混合ガス中で600〜800℃にて10分間〜1時間程
度とすることが好ましい。そして、必要に応じ、外部電
極4表面に、めっき等により被覆層を形成する。このよ
うにして製造された本発明の積層セラミックコンデンサ
は、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、
各種電子機器等に使用される。
The capacitor element body obtained as described above is subjected to end face polishing by, for example, barrel polishing or sandblasting, and the external electrode paste is printed or transferred and baked to form the external electrodes 4. The firing conditions for the external electrode paste are preferably, for example, about 10 minutes to 1 hour at 600 to 800 ° C. in a wet mixed gas of N 2 and H 2 . Then, if necessary, a coating layer is formed on the surface of the external electrode 4 by plating or the like. The monolithic ceramic capacitor of the present invention thus manufactured is mounted on a printed circuit board or the like by soldering,
Used in various electronic devices.
【0070】なお、本発明は、上述した実施形態に限定
されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変する
ことができる。
The present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, but can be variously modified within the scope of the present invention.
【0071】たとえば、上述した実施形態では、本発明
に係る電子部品として積層セラミックコンデンサを例示
したが、本発明に係る電子部品としては、積層セラミッ
クコンデンサに限定されず、上記組成の誘電体磁器組成
物で構成してある誘電体層を有するものであれば何でも
良い。
For example, in the above-described embodiment, the laminated ceramic capacitor is exemplified as the electronic component according to the present invention, but the electronic component according to the present invention is not limited to the laminated ceramic capacitor, and the dielectric ceramic composition having the above composition is used. Any material may be used as long as it has a dielectric layer made of a material.
【0072】[0072]
【実施例】以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づ
き説明するが、本発明は、これら実施例に限定されな
い。
EXAMPLES The present invention will be described below based on more detailed examples, but the present invention is not limited to these examples.
【0073】実施例1〜9および比較例1〜4 (角柱状誘電体サンプルの作製)粒径0.1〜1μmの
BaTiO、MgCO、MnCO、(Ba
0.6 Ca0.4 )SiO、V、R
1の酸化物、R2の酸化物から選択した材料粉末をボー
ルミルにより16時湿式混合し、乾燥することによって
誘電体材料とした。誘電体材料の組成はこれら材料粉末
の混合比率を変えて複数の誘電体材料を作成した。
[0073]Examples 1-9 and Comparative Examples 1-4 (Production of prismatic dielectric sample) Particle size of 0.1 to 1 μm
BaTiOThree, MgCOThree, MnCOThree, (Ba
0.6Ca0.4) SiOThree, VTwoO5, R
Material powder selected from oxide of 1 and oxide of R2
By wet mixing at 16 o'clock with a rumill and drying
Dielectric material was used. The composition of the dielectric material is powder of these materials.
A plurality of dielectric materials were prepared by changing the mixing ratio of.
【0074】本実施例では、BaTiO 100m
olに対して、第4副成分(R1の酸化物)としてYb
を用い、第5副成分(R2の酸化物)として
を用い、その他添加物を、表1中に記した組
成量となるように秤量し、ボールミルにて湿式混合し、
乾燥させ誘電体材料とした。
In this embodiment, BaTiO 3 is used.Three  100m
Yb as a fourth subcomponent (oxide of R1) with respect to ol
TwoOThreeAs a fifth subcomponent (oxide of R2)
YTwo OThreeAnd the other additives are listed in Table 1.
Weigh it to the desired amount, wet mix with a ball mill,
It was dried to obtain a dielectric material.
【0075】なお、BaTiOは、水熱合成粉法、
または蓚酸塩法等によって作成された原料を用いても同
様な特性が得られた。
BaTiO 3 is produced by the hydrothermal synthetic powder method,
Alternatively, similar characteristics were obtained by using a raw material prepared by the oxalate method or the like.
【0076】上記誘電体材料に、バインダとしてのポリ
ビニルアルコールを0.05重量%添加し、顆粒状にな
るようにバインダと誘電体組成物とを混合した。上記顆
粒状の誘電体組成物を3g秤量し、長さ35mm、縦5
mm、横5mmになるように棒状にプレス成形した。こ
の成形体を、焼成温度300℃/時間、保持温度800
℃、保持時間2時間、空気及び加湿した窒素ガス雰囲気
(1×10−5気圧)の条件で脱バインダ処理を行っ
た。
To the above dielectric material, polyvinyl alcohol as a binder was added in an amount of 0.05% by weight, and the binder and the dielectric composition were mixed so as to form a granule. 3 g of the above-mentioned granular dielectric composition was weighed, length 35 mm, length 5
mm and width 5 mm were pressed into a rod shape. This molded body is baked at a temperature of 300 ° C./hour and a holding temperature of 800.
The binder removal treatment was performed under conditions of a temperature of 2 ° C., a holding time of 2 hours, and an atmosphere of air and a humidified nitrogen gas (1 × 10 −5 atm).
【0077】ついで、この成形体を、昇温速度200℃
/時間にて1280℃〜1370℃、保持時間2時間、
冷却速度300℃/時間、加湿した窒素ガスと水素ガス
との混合ガス雰囲気(1×10−9気圧)の条件で焼成
し、長さが約30mm、縦横が約4.5mmの焼成体を
得た。また、この焼成体を、保持時間900℃、保持時
間9時間、冷却速度300℃/時間、加湿した窒素ガス
雰囲気(1×10−5気圧)の条件でアニール処理し
た。なお、それぞれの雰囲気ガスの加湿にはウエッター
を用い、水温は35℃とした。
Then, the molded body was heated at a heating rate of 200 ° C.
/ Hour 1280 ~ 1370 ℃, holding time 2 hours,
Firing is performed at a cooling rate of 300 ° C./hour under a mixed gas atmosphere of humidified nitrogen gas and hydrogen gas (1 × 10 −9 atm) to obtain a fired body having a length of about 30 mm and a length and width of about 4.5 mm. It was The fired body was annealed under the conditions of a holding time of 900 ° C., a holding time of 9 hours, a cooling rate of 300 ° C./hour, and a humidified nitrogen gas atmosphere (1 × 10 −5 atm). A wetter was used to humidify each atmosphere gas, and the water temperature was set to 35 ° C.
【0078】こうして得られた角柱状セラミックス焼結
体試料を、長さ35mm、縦3mm、横3mmに鏡面研
磨加工した。これを抗折強度測定用の試料とした。この
ようにして得られた試料の抗折強度を、3点曲げ法によ
り測定した。結果を表1に示す。
The prismatic ceramics sintered body sample thus obtained was mirror-polished to a length of 35 mm, a length of 3 mm, and a width of 3 mm. This was used as a sample for bending strength measurement. The bending strength of the sample thus obtained was measured by the three-point bending method. The results are shown in Table 1.
【0079】誘電体磁器特性は、角柱状に成形され焼成
された角柱サンプルの寸法と質量から、焼結体密度を算
出し、この結果から焼結性の評価とした。焼結体密度を
表1に示す。
For the dielectric ceramic characteristics, the density of the sintered body was calculated from the dimensions and mass of the prismatic sample which was molded and fired into a prismatic shape, and the sinterability was evaluated from this result. The sintered body density is shown in Table 1.
【0080】また、得られた角柱状セラミックス焼結体
試料について、粉末X線(Cu−Kα線)回折装置によ
り、2θ=29°〜32°の間を下記条件にて測定し、
析出相の有無の確認、および同定を行った。 X線発生条件:45kV−40mA、 スキャン幅:0.01°、 スキャン速度:0.2°/min、 X線検出条件、 平行スリット:0.5°、 発散スリット:0.5°、 受光スリット:0.15mm。 結果を表1に示す。
With respect to the obtained prismatic ceramics sintered body sample, a powder X-ray (Cu-Kα ray) diffractometer was used to measure 2θ = 29 ° to 32 ° under the following conditions:
The presence or absence of a precipitation phase was confirmed and identified. X-ray generation condition: 45 kV-40 mA, scan width: 0.01 °, scan speed: 0.2 ° / min, X-ray detection condition, parallel slit: 0.5 °, divergence slit: 0.5 °, light receiving slit : 0.15 mm. The results are shown in Table 1.
【0081】さらに、得られた角柱状セラミックス焼結
体試料について、SEM写真を撮影し、板状または針状
の析出物の有無を確認した。
Further, with respect to the obtained prismatic ceramics sintered body samples, SEM photographs were taken to confirm the presence or absence of plate-like or needle-like precipitates.
【0082】また、得られた角柱状セラミックス焼結体
試料について、25℃における比抵抗を測定した。比抵
抗の測定は、絶縁抵抗計((株)アドバンテスト社製R
8340A(50V−1分値))により行った。結果を
表1に示す。
The specific resistance at 25 ° C. of the obtained prismatic ceramics sintered body sample was measured. Insulation resistance meter (R manufactured by Advantest Co., Ltd.)
8340A (50V-1 minute value)). The results are shown in Table 1.
【0083】(積層型セラミックコンデンサの作製)誘
電体用ペーストについては、各誘電体原料100重量%
とアクリル樹脂4.8重量%、塩化メチレン40重量
%、酢酸エチル20重量%、ミネラルスピリット6重量
%、アセトン4重量%をボールミルで混合し、ペースト
化した。
(Production of Multilayer Ceramic Capacitor) For the dielectric paste, 100% by weight of each dielectric material is used.
Acrylic resin 4.8% by weight, methylene chloride 40% by weight, ethyl acetate 20% by weight, mineral spirits 6% by weight, and acetone 4% by weight were mixed in a ball mill to form a paste.
【0084】内部電極用ペーストについては、平均粒子
径0.2〜0.8μmのニッケル粒子100重量%と、
有機ビヒクル(エチレンセルロース樹脂8重量%をブチ
ルカルビトール92重量%に溶解したもの)40重量%
と、ブチルカルビトール10重量%とを3本ロールにて
混練しペースト化した。
Regarding the internal electrode paste, 100% by weight of nickel particles having an average particle diameter of 0.2 to 0.8 μm,
40% by weight of organic vehicle (8% by weight of ethylene cellulose resin dissolved in 92% by weight of butyl carbitol)
And 10% by weight of butyl carbitol were kneaded with a three-roll to form a paste.
【0085】外部電極ペーストについては、平均粒径
0.5μmの銅粒子100重量%と有機ビヒクル(エチ
レンセルロース樹脂8重量%をブチルカルビトール92
重量%に溶解したもの)35重量%とブチルカルビトー
ル7重量%を3本ロールで混練しペースト化した。
As for the external electrode paste, 100% by weight of copper particles having an average particle size of 0.5 μm and an organic vehicle (8% by weight of ethylene cellulose resin and butyl carbitol 92) were used.
35% by weight) (dissolved in 1% by weight) and 7% by weight of butyl carbitol were kneaded with a triple roll to form a paste.
【0086】次に、上述した誘電体用ペーストを用いて
PETフィルムに厚さ15μmのグリーンシートを形成
し、この上に内部電極用ペーストを印刷した後、PET
フィルムからグリーンシートを剥離した。こうして得ら
れたグリーンシートを積層し、加圧圧着してグリーンチ
ップを作製した。内部電極を有するグリーンシートの積
層数は5層とした。
Next, a 15 μm-thick green sheet was formed on a PET film using the above-mentioned dielectric paste, and the internal electrode paste was printed on the green sheet.
The green sheet was peeled from the film. The green sheets thus obtained were laminated and pressure-bonded to produce a green chip. The number of stacked green sheets having internal electrodes was five.
【0087】このグリーンチップを所定サイズに切断
し、脱バインダ処理、焼成、アニールを行って積層セラ
ミック焼成体を得た。各焼成体試料のサイズは3.2m
m×1.6mm×0.6mmであり、誘電体層の厚みは
約10μm、内部電極の厚みは2μmであった。
This green chip was cut into a predetermined size and subjected to binder removal processing, firing and annealing to obtain a laminated ceramic fired body. The size of each fired sample is 3.2 m
m × 1.6 mm × 0.6 mm, the thickness of the dielectric layer was about 10 μm, and the thickness of the internal electrode was 2 μm.
【0088】次いで、この積層セラミック焼成体の端面
をサンドブラストにて研磨した後、外部電極用ペースト
を端面に転写し、加湿した窒素ガス及び水素ガス雰囲気
中において、800℃にて10分間焼成して外部電極を
形成し、積層セラミックスコンデンサ試料を得た。
Next, after polishing the end faces of this laminated ceramic fired body by sandblasting, the external electrode paste was transferred to the end faces and fired at 800 ° C. for 10 minutes in a humidified nitrogen gas and hydrogen gas atmosphere. External electrodes were formed to obtain a multilayer ceramic capacitor sample.
【0089】脱バインダ処理は、以下に示す条件で行っ
た。 昇温速度:15℃/時間、 保持温度:280℃、 温度保持時間:8時間、 雰囲気:空気。
The binder removal processing was performed under the following conditions. Temperature rising rate: 15 ° C / hour, holding temperature: 280 ° C, temperature holding time: 8 hours, atmosphere: air.
【0090】焼成は、以下に示す条件で行った。 昇温速度:200℃/時間、 保持温度:1200〜1300℃、 温度保持時間:2時間、 冷却速度:300℃/時間、 焼成雰囲気:加湿したNとHとの混合ガスを使
用、 酸素分圧:10−11 気圧。
The firing was performed under the following conditions. Temperature rising rate: 200 ° C./hour, holding temperature: 1200 to 1300 ° C., temperature holding time: 2 hours, cooling rate: 300 ° C./hour, firing atmosphere: using a mixed gas of humidified N 2 and H 2 , oxygen Partial pressure: 10-11 atm.
【0091】アニールは、以下に示す条件で行った。 保持温度:900℃、 温度保持時間:9時間、 冷却速度:300℃/時間、 アニール雰囲気:加湿したNガスを使用、 酸素分圧:10−7気圧。Annealing was performed under the following conditions. Holding temperature: 900 ° C., temperature holding time: 9 hours, cooling rate: 300 ° C./hour, annealing atmosphere: using humidified N 2 gas, oxygen partial pressure: 10 −7 atm.
【0092】このようにして得られた積層セラミックス
コンデンサ試料について、比誘電率(εr)、誘電損失
(tanδ)および容量温度特性の測定を行った。積層
型セラミックスコンデンサについて、LCRメータを用
いて1KHz、1Vrmsの条件下における静電容量及
び誘電損失(tanδ)を測定した。得られた静電容
量、電極寸法および電極間距離から、比誘電率(εr)
を算出した。
With respect to the multilayer ceramic capacitor sample thus obtained, the relative permittivity (εr), the dielectric loss (tan δ) and the capacitance-temperature characteristic were measured. With respect to the multilayer ceramic capacitor, the capacitance and the dielectric loss (tan δ) under the conditions of 1 KHz and 1 Vrms were measured using an LCR meter. From the obtained capacitance, electrode dimensions and distance between electrodes, the relative permittivity (εr)
Was calculated.
【0093】容量の温度特性については、積層型セラミ
ックスコンデンサ試料をLCRメータを用いて、−55
℃〜160℃の温度範囲について1Vの電圧で静電容量
を測定し、基準温度を25℃としたときの容量変化率が
−55℃〜125℃の範囲で±15%以内(電子機械工
業界EIA規格のX7R)であるものをX7R温度特性
をみたすものとし、また−55℃〜150℃の範囲で±
15%以内(電子機械工業会界EIA規格のX8R)で
あるものをX8R温度特性をみたすものとし、満足する
場合を「○」、満足しない場合を「×」とした。
Regarding the temperature characteristic of the capacitance, the laminated ceramic capacitor sample was measured with an LCR meter at -55.
The capacitance was measured at a voltage of 1 V in the temperature range of ℃ to 160 ℃, and the rate of change in capacity when the reference temperature was 25 ℃ was within ± 15% within the range of -55 ℃ to 125 ℃. EIA standard X7R) shall satisfy the X7R temperature characteristics, and shall be within ± 55 ° C to 150 ° C.
Those within 15% (X8R of the EIA standard of the Japan Electro-Mechanical Industry Association) were considered to satisfy the X8R temperature characteristics, and when satisfied, were evaluated as “◯”, and when not satisfied, were evaluated as “×”.
【0094】[0094]
【表1】 [Table 1]
【0095】(評価)表1に示すように、本発明の組成
範囲から外れた比較例1〜4に比較し、本発明の組成範
囲内の実施例1〜9では、抗折強度が10kgf/mm
であり、十分に高いことが確認できた。また、実施
例1〜9の組成では、誘電体素地相中に、板状もしくは
針状の析出相が現れ、板状もしくは針状析出の無い比較
例1〜4に係る組成に対し、抗折強度が向上しているこ
とも確認できた。この析出相は、希土類及びTiを主と
する酸化物であると考えられる。なお、実施例1〜9で
も、焼結温度によっては、抗折強度が10kgf/mm
より低くなる場合があるが、焼結温度を適切に設定
することで、十分な抗折強度を持たせることができる。
(Evaluation) As shown in Table 1, as compared with Comparative Examples 1 to 4 which are out of the composition range of the present invention, in Examples 1 to 9 in the composition range of the present invention, the bending strength is 10 kgf / mm
It was 2 , which was confirmed to be sufficiently high. In addition, in the compositions of Examples 1 to 9, plate-shaped or needle-shaped precipitation phases appeared in the dielectric matrix phase, and in comparison with the compositions of Comparative Examples 1 to 4 in which plate-shaped or needle-shaped precipitation did not occur, bending was observed. It was also confirmed that the strength was improved. This precipitation phase is considered to be an oxide mainly composed of rare earth and Ti. Even in Examples 1 to 9, the bending strength was 10 kgf / mm depending on the sintering temperature.
Although it may be lower than 2 , adequate bending strength can be provided by appropriately setting the sintering temperature.
【0096】また、実施例1〜9の組成範囲では、還元
雰囲気での焼成においても還元されることがなく、また
内部電極として使用したニッケルを酸化することがな
く、耐還元性の誘電体組成物が得られ、X8R温度特性
を満足することも確認できた。また、実施例1〜9の組
成範囲では、焼結密度が5.15mg/mm以上で
あり、焼結性も良好であることが確認できた。なお、実
施例1〜9でも、焼結温度によっては、焼結密度が5.
15mg/mm以上とならない場合があるが、焼結
温度を適切に設定することで、十分な焼結性を持たせる
ことができる。
Further, in the composition range of Examples 1 to 9, the reduction-resistant dielectric composition was not reduced even when fired in a reducing atmosphere, and the nickel used as the internal electrode was not oxidized. It was also confirmed that the product was obtained and satisfied the X8R temperature characteristics. In addition, in the composition range of Examples 1 to 9, the sintered density was 5.15 mg / mm 3 or more, and it was confirmed that the sinterability was also good. In addition, also in Examples 1 to 9, depending on the sintering temperature, the sintered density was 5.
Although it may not be 15 mg / mm 3 or more, it is possible to provide sufficient sinterability by appropriately setting the sintering temperature.
【0097】さらに、実施例1〜9の組成範囲では、誘
電損失(tanδ)が5%以内であり、比抵抗も1E+
11以上であり、コンデンサとしての特性も優れている
ことが確認できた。なお、実施例1〜9でも、焼結温度
によっては、これらの条件を満足しない場合があるが、
焼結温度を適切に設定することで、良好な誘電損失およ
び比抵抗を持たせることができる。
Further, in the composition range of Examples 1 to 9, the dielectric loss (tan δ) was within 5% and the specific resistance was 1E +.
It was confirmed that it was 11 or more, and the characteristics as a capacitor were excellent. Even in Examples 1 to 9, depending on the sintering temperature, these conditions may not be satisfied,
By properly setting the sintering temperature, good dielectric loss and specific resistance can be provided.
【0098】実施例10〜14および比較例5〜7 BaTiO100molに対して、第4副成分(R
1の酸化物)として、Ybを4.3molとなる組成量
で添加すると共に、第5副成分(R2の酸化物)とし
て、Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Nb,Ta,Sm
を、元素の比率としてそれぞれ2molとなる組成量で
添加し、その他の添加物は表2中に示した量で調合した
以外は、実施例1〜9と同様にして、角柱状セラミック
ス焼結体試料と、積層セラミックコンデンサ試料とを作
製した。これら試料の諸特性を、実施例1〜9と同様に
して測定した結果を表2に示す。
Examples 10 to 14 and Comparative Examples 5 to 7 With respect to 100 mol of BaTiO 3 , the fourth subcomponent (R
Yb is added as a composition amount of 4.3 mol, and Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Nb, Ta, Sm are added as a fifth subcomponent (oxide of R2).
Was added in a composition amount of 2 mol as an element ratio, and the other additives were blended in the amounts shown in Table 2, in the same manner as in Examples 1 to 9 A sample and a laminated ceramic capacitor sample were prepared. Table 2 shows the results obtained by measuring various characteristics of these samples in the same manner as in Examples 1 to 9.
【0099】[0099]
【表2】 [Table 2]
【0100】(評価)表2に示すように、第5副成分
(R2の酸化物)を添加しない表1中の比較例1と比較
し、Ho,Y,Dy,Eu,Gd,Tbを添加した実施
例10〜14の場合、抗折強度が向上することが確認で
きた。また、第5副成分(R2の酸化物)として、本発
明の組成範囲外のNb,Ta,Smを添加した比較例5
〜7に比較し、本発明の組成範囲内のHo,Y,Dy,
Eu,Gd,Tbを添加した実施例10〜14の場合、
抗折強度が向上することが確認できた。また、本実施例
10〜14の場合も、X8R温度特性を満足することが
確認できた。さらに、実施例10〜14の組成範囲で
も、誘電損失(tanδ)が5%以内であり、比抵抗も
1E+11以上であり、コンデンサとしての特性も優れ
ていることが確認できた。
(Evaluation) As shown in Table 2, as compared with Comparative Example 1 in Table 1 in which the fifth subcomponent (oxide of R2) was not added, Ho, Y, Dy, Eu, Gd and Tb were added. It was confirmed that in Examples 10 to 14, the bending strength was improved. Comparative Example 5 in which Nb, Ta, and Sm out of the composition range of the present invention were added as the fifth subcomponent (oxide of R2)
To 7, within the composition range of the present invention, Ho, Y, Dy,
In the case of Examples 10 to 14 in which Eu, Gd and Tb were added,
It was confirmed that the bending strength was improved. Also, in the case of Examples 10 to 14, it was confirmed that the X8R temperature characteristics were satisfied. Further, it was confirmed that even in the composition ranges of Examples 10 to 14, the dielectric loss (tan δ) was within 5%, the specific resistance was 1E + 11 or more, and the characteristics as a capacitor were excellent.
【0101】実施例15および比較例8 誘電体磁器組成物を表3に示す組成とし、誘電体層の厚
みを16μmとし、誘電体層の数を46層とし、各コン
デンサ試料のサイズを3.2mm×1.6mm×1.0
mmとした以外は、実施例1〜9と同様にして、積層型
セラミックコンデンサ試料を作製した。
Example 15 and Comparative Example 8 The dielectric ceramic composition was as shown in Table 3, the thickness of the dielectric layer was 16 μm, the number of dielectric layers was 46, and the size of each capacitor sample was 3. 2 mm x 1.6 mm x 1.0
A multilayer ceramic capacitor sample was prepared in the same manner as in Examples 1 to 9 except that the thickness was set to mm.
【0102】これらのコンデンサ試料について、実施例
1〜9と同様にして、諸特性を測定した結果を表3に示
す。なお、コンデンサ試料の3点曲げ法による抗折強度
測定には、外部電極を形成していないものを用いた。
Table 3 shows the results of measuring various characteristics of these capacitor samples in the same manner as in Examples 1-9. For the bending strength measurement of the capacitor sample by the three-point bending method, one having no external electrode was used.
【0103】[0103]
【表3】 [Table 3]
【0104】(評価)表3に示すように、実施例15に
係る組成の積層コンデンサ試料においても、比較例8に
係る組成のコンデンサ試料に比較し、抗折強度が向上し
ていることが確認できた。また、還元雰囲気での焼成に
おいても還元されることがなく、また内部電極として使
用したニッケルを酸化することがなく、耐還元性の誘電
体組成物が得られていることが確認できた。また、本実
施例15の場合も、X8R温度特性を満足することが確
認できた。
(Evaluation) As shown in Table 3, it was confirmed that the laminated capacitor sample having the composition according to Example 15 also has improved bending strength as compared with the capacitor sample having the composition according to Comparative Example 8. did it. Further, it was confirmed that the reduction-resistant dielectric composition was obtained without being reduced even by firing in a reducing atmosphere and without oxidizing the nickel used as the internal electrode. It was also confirmed that the case of Example 15 also satisfied the X8R temperature characteristics.
【0105】実施例16 第4副成分(R1の酸化物)中のYbを6.00モル%
とし、第5副成分(R2の酸化物)中のYのモル%を
4.00モル%とし、焼結温度を1325°Cとした以
外は、実施例1と同様にして、角柱状セラミックス焼結
体試料を作製した。
Example 16 Yb in the fourth subcomponent (oxide of R1) was 6.00 mol%.
In the same manner as in Example 1, except that the mol% of Y in the fifth subcomponent (oxide of R2) was 4.00 mol% and the sintering temperature was 1325 ° C. A bound sample was prepared.
【0106】その試料のSEM写真を図2(A)に示
す。SEM写真は、走査電子顕微鏡(SEM:日本電子
社製の製品番号JSM−T300)を用いて撮影し、そ
の撮影時の条件は、加速電圧25kVで、反射電子像を
撮影した。撮影倍率は、5000倍であった。
A SEM photograph of the sample is shown in FIG. The SEM photograph was photographed by using a scanning electron microscope (SEM: product number JSM-T300 manufactured by JEOL Ltd.), and the condition at the time of photographing was a backscattered electron image at an accelerating voltage of 25 kV. The photographing magnification was 5000 times.
【0107】図2(A)に示すように、BaTiO
を主成分とする誘電体素地相の内部に混在してある板状
または針状の析出相が観察できた。
As shown in FIG. 2A, BaTiO 3
A plate-like or needle-like precipitate phase mixed inside the dielectric matrix phase containing as a main component was observed.
【0108】比較例9 第4副成分(R1の酸化物)中のYbを0モル%とし、
第5副成分(R2の酸化物)中のYのモル%を4モル%
とし、焼結温度を1325°Cとした以外は、実施例1
と同様にして、角柱状セラミックス焼結体試料を作製し
た。
Comparative Example 9 Yb in the fourth subcomponent (oxide of R1) was 0 mol%,
4 mol% Y mol% in the fifth subcomponent (oxide of R2)
Example 1 except that the sintering temperature was 1325 ° C.
In the same manner as above, a prismatic ceramics sintered body sample was prepared.
【0109】その試料のSEM写真を、実施例16と同
様にして撮影した。その写真を図2(B)に示す。
An SEM photograph of the sample was taken in the same manner as in Example 16. The photograph is shown in FIG.
【0110】図2(B)に示すように、板状または針状
の析出相は観察されなかった。
As shown in FIG. 2B, no plate-like or needle-like precipitation phase was observed.
【0111】実施例17 第4副成分(R1の酸化物)中のYbを4.3モル%と
し、第5副成分(R2の酸化物)中のYのモル%を8.
00モル%とし、焼結温度を1325°Cとした以外
は、実施例1と同様にして、角柱状セラミックス焼結体
試料を作製した。
Example 17 Yb in the fourth subcomponent (oxide of R1) was 4.3 mol% and the mol% of Y in the fifth subcomponent (oxide of R2) was 8.
A prismatic columnar ceramics sintered body sample was prepared in the same manner as in Example 1 except that the content was set to 00 mol% and the sintering temperature was set to 1325 ° C.
【0112】その試料のSEM写真を、実施例16と同
様にして撮影した。その写真を図3(A)に示す。
An SEM photograph of the sample was taken in the same manner as in Example 16. The photograph is shown in FIG.
【0113】図3(A)に示すように、BaTiO
を主成分とする誘電体素地相の内部に混在してある板状
または針状の析出相が観察できた。
As shown in FIG. 3A, BaTiO 3
A plate-like or needle-like precipitate phase mixed inside the dielectric matrix phase containing as a main component was observed.
【0114】比較例10 第4副成分(R1の酸化物)中のYbを4.3モル%と
し、第5副成分(R2の酸化物)中のYのモル%を0モ
ル%とし、焼結温度を1280°Cとした以外は、実施
例1と同様にして、角柱状セラミックス焼結体試料を作
製した。
Comparative Example 10 Yb in the fourth subcomponent (oxide of R1) was set to 4.3 mol%, and mol% of Y in the fifth subcomponent (oxide of R2) was set to 0 mol%, followed by baking. A prismatic ceramics sintered body sample was prepared in the same manner as in Example 1 except that the binding temperature was 1280 ° C.
【0115】その試料のSEM写真を、実施例16と同
様にして撮影した。その写真を図3(B)に示す。
An SEM photograph of the sample was taken in the same manner as in Example 16. The photograph is shown in FIG.
【0116】図3(B)に示すように、板状または針状
の析出相は観察されなかった。
As shown in FIG. 3B, no plate-like or needle-like precipitation phase was observed.
【0117】実施例18 第4副成分(R1の酸化物)中のYbを4.3モル%と
し、第5副成分(R2の酸化物)中のYのモル%を4.
0モル%とし、焼結温度を1325°Cとした以外は、
実施例1と同様にして、角柱状セラミックス焼結体試料
を作製した。
Example 18 Yb in the fourth subcomponent (oxide of R1) was 4.3 mol%, and mol% of Y in the fifth subcomponent (oxide of R2) was 4.
0 mol% and a sintering temperature of 1325 ° C.
In the same manner as in Example 1, a prismatic ceramics sintered body sample was prepared.
【0118】その試料の表面における二次電子像を、電
子顕微鏡(日立製作所社製の製品番号C800)を用い
て撮影した。倍率が1000倍の写真を図4(A)に示
し、倍率が3000倍の写真を図4(B)に示す。
A secondary electron image on the surface of the sample was photographed with an electron microscope (product number C800 manufactured by Hitachi, Ltd.). A photograph with a magnification of 1000 times is shown in FIG. 4 (A), and a photograph with a magnification of 3000 times is shown in FIG. 4 (B).
【0119】図4(A)および図4(B)に示すよう
に、BaTiOを主成分とする誘電体素地相の内部
に混在してある板状または針状の析出相が観察できた。
As shown in FIGS. 4 (A) and 4 (B), plate-like or needle-like precipitation phases mixed in the dielectric matrix phase containing BaTiO 3 as the main component were observed.
【0120】[0120]
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、比誘電率が高く、容量温度特性がEIA規格のX8
R特性(−55〜150℃、ΔC=±15%以内)を満
足し、かつ、還元性雰囲気中での焼成が可能であり、機
械的強度に優れた誘電体磁器組成物と、この誘電体磁器
組成物を用いた積層セラミックコンデンサなどの電子部
品とを提供することができる。
As described above, according to the present invention, the relative dielectric constant is high and the capacitance-temperature characteristic is X8 of EIA standard.
A dielectric ceramic composition satisfying R characteristics (-55 to 150 ° C., ΔC = ± 15% or less), capable of firing in a reducing atmosphere, and excellent in mechanical strength, and this dielectric An electronic component such as a laminated ceramic capacitor using a porcelain composition can be provided.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図1】 図1は本発明の一実施形態に係る積層セラミ
ックコンデンサの断面図である。
FIG. 1 is a sectional view of a monolithic ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention.
【図2】 図2(A)は本発明の一実施例に係る誘電体
磁器組成物のSEM写真(反射電子像)、図2(B)は
本発明の一比較例に係る誘電体磁器組成物のSEM写真
(反射電子像)である。
FIG. 2 (A) is a SEM photograph (backscattered electron image) of a dielectric ceramic composition according to an example of the present invention, and FIG. 2 (B) is a dielectric ceramic composition according to a comparative example of the present invention. It is a SEM photograph (reflection electron image) of a thing.
【図3】 図3(A)は本発明の他の実施例に係る誘電
体磁器組成物のSEM写真(反射電子像)、図3(B)
は本発明の他の比較例に係る誘電体磁器組成物のSEM
写真(反射電子像)である。
FIG. 3 (A) is an SEM photograph (reflected electron image) of a dielectric ceramic composition according to another embodiment of the present invention, FIG. 3 (B).
Is an SEM of a dielectric ceramic composition according to another comparative example of the present invention.
It is a photograph (reflected electron image).
【図4】 図4(A)および(B)は本発明の他の実施
例に係る誘電体磁器組成物のSEM写真(二次電子像)
である。
4A and 4B are SEM photographs (secondary electron images) of dielectric ceramic compositions according to other examples of the present invention.
Is.
【符号の説明】[Explanation of symbols]
1…積層セラミックコンデンサ 10…コンデンサ素子本体 2…誘電体層 3…内部電極層 4…外部電極 1. Multilayer ceramic capacitor 10 ... Capacitor element body 2 ... Dielectric layer 3 ... Internal electrode layer 4 ... External electrode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 茂樹 東京都中央区日本橋1丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 Fターム(参考) 4G031 AA03 AA04 AA05 AA06 AA07 AA08 AA11 AA13 AA16 AA17 AA18 AA19 AA30 BA09 CA01 CA03 CA05 5E001 AB03 AC09 AE00 AE01 AE02 AE03 AE04 5G303 AA01 AB11 AB12 BA12 CA01 CB03 CB06 CB10 CB17 CB30 CB32 CB35 CB36 CB37 CB40 CB41 CB43    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Shigeki Sato             1-13-1, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo             -In DC Inc. F-term (reference) 4G031 AA03 AA04 AA05 AA06 AA07                       AA08 AA11 AA13 AA16 AA17                       AA18 AA19 AA30 BA09 CA01                       CA03 CA05                 5E001 AB03 AC09 AE00 AE01 AE02                       AE03 AE04                 5G303 AA01 AB11 AB12 BA12 CA01                       CB03 CB06 CB10 CB17 CB30                       CB32 CB35 CB36 CB37 CB40                       CB41 CB43

Claims (10)

    【特許請求の範囲】[Claims]
  1. 【請求項1】 主成分であるBaTiOと、 MgO,CaO,BaO,SrOおよびCr
    から選択される少なくとも1種を含む第1副成分と、 (Ba,Ca)SiO2+x (ただし、x=0.
    8〜1.2)で表される第2副成分と、 V,MoOおよびWOから選択され
    る少なくとも1種を含む第3副成分と、 R1の酸化物(ただし、R1はYb)を含む第4副成分
    と、 R2の酸化物(ただし、R2はY、Dy、Ho、Tb、
    GdおよびEuから選択される少なくとも一種)を含む
    第5副成分と、を少なくとも有する誘電体磁器組成物で
    あって、 主成分であるBaTiO100モルに対する各副成
    分の比率が、 第1副成分:0.1〜3モル、 第2副成分:2〜10モル、 第3副成分:0.01〜0.5モル、 第4副成分:0.5〜7モル(ただし、第4副成分のモ
    ル数は、R1単独での比率である)、 第5副成分:2〜9モル(ただし、第5副成分のモル数
    は、R2単独での比率である)、 である誘電体磁器組成物。
    1. BaTiO 3 as a main component and MgO, CaO, BaO, SrO and Cr 2 O 3
    A first subcomponent containing at least one selected from (Ba, Ca) x SiO 2 + x (where x = 0.
    8 to 1.2), a second subcomponent represented by the formula (8 to 1.2), a third subcomponent containing at least one selected from V 2 O 5 , MoO 3 and WO 3, and an oxide of R1 (wherein R1 is Yb) as a fourth subcomponent and an oxide of R2 (wherein R2 is Y, Dy, Ho, Tb,
    A dielectric porcelain composition comprising at least a fifth subcomponent containing at least one selected from Gd and Eu), wherein the ratio of each subcomponent to 100 moles of BaTiO 3 as the main component is the first subcomponent. : 0.1-3 mol, 2nd subcomponent: 2-10 mol, 3rd subcomponent: 0.01-0.5 mol, 4th subcomponent: 0.5-7 mol (however, 4th subcomponent) Is the ratio of R1 alone), the fifth subcomponent: 2 to 9 mol (however, the mole number of the fifth subcomponent is the ratio of R2 alone), object.
  2. 【請求項2】 第6副成分として、MnOをさらに有
    し、前記第6副成分の含有量が、主成分であるBaTi
    100モルに対し0.5モル以下である請求項1
    に記載の誘電体磁器組成物。
    2. A sixth subcomponent further contains MnO, and the content of the sixth subcomponent is BaTi as the main component.
    The amount is 0.5 mol or less with respect to 100 mol of O 3.
    The dielectric porcelain composition described in 1.
  3. 【請求項3】 前記第4副成分および第5副成分の合計
    の含有量が、主成分であるBaTiO100モルに
    対し13モル以下(ただし、第4副成分および第5副成
    分のモル数は、R1およびR2単独での比率である)で
    ある請求項1または2に記載の誘電体磁器組成物。
    3. The total content of the fourth subcomponent and the fifth subcomponent is 13 mol or less per 100 mol of the main component BaTiO 3 (however, the number of moles of the fourth subcomponent and the fifth subcomponent is Is a ratio of R1 and R2 alone), The dielectric ceramic composition according to claim 1 or 2.
  4. 【請求項4】 BaTiOを主成分とする誘電体素
    地相と、 前記誘電体素地相の内部に混在してある板状または針状
    の析出相とを有する請求項1〜3のいずれかに記載の誘
    電体磁器組成物。
    4. A dielectric matrix phase containing BaTiO 3 as a main component, and a plate-like or acicular precipitation phase mixed inside the dielectric matrix phase. The dielectric ceramic composition described.
  5. 【請求項5】 誘電体層を有する電子部品であって、 前記誘電体層が、 主成分であるBaTiOと、 MgO,CaO,BaO,SrOおよびCr
    から選択される少なくとも1種を含む第1副成分と、 (Ba,Ca)SiO2+x (ただし、x=0.
    8〜1.2)で表される第2副成分と、 V,MoOおよびWOから選択され
    る少なくとも1種を含む第3副成分と、 R1の酸化物(ただし、R1はYb)を含む第4副成分
    と、 R2の酸化物(ただし、R2はY、Dy、Ho、Tb、
    GdおよびEuから選択される少なくとも一種)を含む
    第5副成分と、を少なくとも有する誘電体磁器組成物で
    あって、 主成分であるBaTiO100モルに対する各副成
    分の比率が、 第1副成分:0.1〜3モル、 第2副成分:2〜10モル、 第3副成分:0.01〜0.5モル、 第4副成分:0.5〜7モル(ただし、第4副成分のモ
    ル数は、R1単独での比率である)、 第5副成分:2〜9モル(ただし、第5副成分のモル数
    は、R2単独での比率である)、 である電子部品。
    5. An electronic component having a dielectric layer, wherein the dielectric layer comprises BaTiO 3 as a main component, MgO, CaO, BaO, SrO and Cr 2 O 3
    A first subcomponent containing at least one selected from (Ba, Ca) x SiO 2 + x (where x = 0.
    8 to 1.2), a second subcomponent represented by the formula (8 to 1.2), a third subcomponent containing at least one selected from V 2 O 5 , MoO 3 and WO 3, and an oxide of R1 (wherein R1 is Yb) as a fourth subcomponent and an oxide of R2 (wherein R2 is Y, Dy, Ho, Tb,
    And a fifth subcomponent containing at least one selected from Gd and Eu), wherein the ratio of each subcomponent to 100 mol of BaTiO 3 as the main component is the first subcomponent. : 0.1-3 mol, 2nd subcomponent: 2-10 mol, 3rd subcomponent: 0.01-0.5 mol, 4th subcomponent: 0.5-7 mol (however, 4th subcomponent) Is the ratio of R1 alone), and the fifth subcomponent is 2 to 9 mol (however, the number of moles of the fifth subcomponent is the ratio of R2 alone).
  6. 【請求項6】 前記誘電体層が、第6副成分として、M
    nOをさらに有し、前記第6副成分の含有量が、主成分
    であるBaTiO100モルに対し0.5モル以下
    である請求項5に記載の電子部品。
    6. The dielectric layer comprises M as a sixth subcomponent.
    The electronic component according to claim 5, further comprising nO, wherein the content of the sixth subcomponent is 0.5 mol or less with respect to 100 mol of BaTiO 3 as a main component.
  7. 【請求項7】 前記第4副成分および第5副成分の合計
    の含有量が、主成分であるBaTiO100モルに
    対し13モル以下(ただし、第4副成分および第5副成
    分のモル数は、R1およびR2単独での比率である)で
    ある請求項5または6に記載の電子部品。
    7. The total content of the fourth subcomponent and the fifth subcomponent is 13 mol or less with respect to 100 mol of the main component BaTiO 3 (however, the number of moles of the fourth subcomponent and the fifth subcomponent is Is a ratio of R1 and R2 alone), The electronic component according to claim 5 or 6.
  8. 【請求項8】 誘電体層を有する電子部品であって、 前記誘電体層が、 BaTiOを主成分とする誘電体素地相と、 前記誘電体素地相の内部に混在してある板状または針状
    の析出相とを有する請求項5〜7のいずれかに記載の電
    子部品。
    8. An electronic component having a dielectric layer, wherein the dielectric layer has a dielectric matrix phase containing BaTiO 3 as a main component and a plate-like structure mixed inside the dielectric matrix phase, or The electronic component according to claim 5, which has a needle-shaped precipitation phase.
  9. 【請求項9】 前記誘電体層と共に内部電極層とが交互
    に積層してあるコンデンサ素子本体を有する請求項5〜
    8のいずれかに記載の電子部品。
    9. The capacitor element main body, wherein the dielectric layers and the internal electrode layers are alternately laminated together.
    8. The electronic component according to any one of 8.
  10. 【請求項10】 前記内部電極層に含まれる導電材がN
    iまたはNi合金である請求項9に記載の電子部品。
    10. The conductive material contained in the internal electrode layer is N
    The electronic component according to claim 9, which is an i or Ni alloy.
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