JP2003188467A - 光半導体モジュール - Google Patents
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J9/00—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
-
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の光半導体モジュールは、
部品点数が多く、製品コストが高くなるという課題があ
り、さらに、各部品が実装されている複数の平面が温度
変化や経年変化により位置ずれが生じるとフォトダイオ
ードで受光される光強度が変動してしまうという課題も
あった。 【解決手段】 光を出射するＬＤと、前記ＬＤが
背面側へ出射する光を受光する第１および第２のＰＤ
と、前記ＬＤと前記第１のＰＤとの間に設置され、光の
波長に対して連続的に強度を変化させる波長フィルタと
を備え、前記第２のＰＤの受光面の前記ＬＤからの距離
が、前記波長フィルタの入射面の前記ＬＤからの距離と
同一またはより近距離になるように設定した。
部品点数が多く、製品コストが高くなるという課題があ
り、さらに、各部品が実装されている複数の平面が温度
変化や経年変化により位置ずれが生じるとフォトダイオ
ードで受光される光強度が変動してしまうという課題も
あった。 【解決手段】 光を出射するＬＤと、前記ＬＤが
背面側へ出射する光を受光する第１および第２のＰＤ
と、前記ＬＤと前記第１のＰＤとの間に設置され、光の
波長に対して連続的に強度を変化させる波長フィルタと
を備え、前記第２のＰＤの受光面の前記ＬＤからの距離
が、前記波長フィルタの入射面の前記ＬＤからの距離と
同一またはより近距離になるように設定した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光伝送装置に適用
される光半導体モジュールの波長モニタ部および光強度
モニタ部の検出精度向上に関するものである。
される光半導体モジュールの波長モニタ部および光強度
モニタ部の検出精度向上に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４に、特開平１０−７９５５１号公報
に示された、半導体レーザからの出力光の光強度と発振
波長をモニタする光半導体モジュールの構成を示す。光
半導体レーザ１２６の後方出射光はレンズ１２７によっ
て平行光化され、１／４波長板１２８に入射して直線偏
光を円偏光に変換した後、第１の偏光ビームスプリッタ
（ＰＢＳ）１２９に入射する。
に示された、半導体レーザからの出力光の光強度と発振
波長をモニタする光半導体モジュールの構成を示す。光
半導体レーザ１２６の後方出射光はレンズ１２７によっ
て平行光化され、１／４波長板１２８に入射して直線偏
光を円偏光に変換した後、第１の偏光ビームスプリッタ
（ＰＢＳ）１２９に入射する。
【０００３】ＰＢＳ１２９では、第１の出射光１３０と
第２の出射光１３１に分離される。第１の出射端面には
バンドパスフィルタ膜１３２を備えており、第１の出射
光１３０はバンドパスフィルタ膜１３２を透過して第１
のフォトダイオード１３３にて受光される。第１のフォ
トダイオード１３３の光電流出力は半導体レーザ１２６
の発振波長によって変動する。
第２の出射光１３１に分離される。第１の出射端面には
バンドパスフィルタ膜１３２を備えており、第１の出射
光１３０はバンドパスフィルタ膜１３２を透過して第１
のフォトダイオード１３３にて受光される。第１のフォ
トダイオード１３３の光電流出力は半導体レーザ１２６
の発振波長によって変動する。
【０００４】第２の出射光１３１は第２のＰＢＳ１３４
に入射して第３の出射光１３５と第４の出射光１３６に
分離される。第３の出射端面にはバンドパスフィルタ膜
１３７を備えており、第３の出射光１３５はバンドパス
フィルタ膜１３７を透過して第２のフォトダイオード１
３８にて受光される。第２のフォトダイオード１３８の
光電流出力は半導体レーザ１２６の発振波長によって変
動する。第４の出射光１３６はそのまま第３のフォトダ
イオード１３９にて受光される。
に入射して第３の出射光１３５と第４の出射光１３６に
分離される。第３の出射端面にはバンドパスフィルタ膜
１３７を備えており、第３の出射光１３５はバンドパス
フィルタ膜１３７を透過して第２のフォトダイオード１
３８にて受光される。第２のフォトダイオード１３８の
光電流出力は半導体レーザ１２６の発振波長によって変
動する。第４の出射光１３６はそのまま第３のフォトダ
イオード１３９にて受光される。
【０００５】第１のフォトダイオード１３３、第２のフ
ォトダイオード１３８の光電流出力を波長モニタとして
使用し、第３のフォトダイオード１３９の光電流出力を
半導体レーザの後方出射光の強度モニタとして使用する
ことで、波長と光強度の両方の安定化が図られている。
ォトダイオード１３８の光電流出力を波長モニタとして
使用し、第３のフォトダイオード１３９の光電流出力を
半導体レーザの後方出射光の強度モニタとして使用する
ことで、波長と光強度の両方の安定化が図られている。
【０００６】また、図５に、実開昭５８−１２８３１号
公報の示された波長検出装置の構成を示す。偏光器で分
離した二方向の偏光成分を台座（図示なし）上の同一平
面上に設置した一対の光検出器で受光し、この一対の光
検出器の各出力を演算して波長を検知している。光検出
器を台座上に設置することで、設置精度は高くなるが、
この構成では波長を検出できるものの光強度は検出でき
なかった。
公報の示された波長検出装置の構成を示す。偏光器で分
離した二方向の偏光成分を台座（図示なし）上の同一平
面上に設置した一対の光検出器で受光し、この一対の光
検出器の各出力を演算して波長を検知している。光検出
器を台座上に設置することで、設置精度は高くなるが、
この構成では波長を検出できるものの光強度は検出でき
なかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の光半導体モジュ
ールは、以上のように構成されているため、前者におい
ては、部品点数が多く、製品コストが高くなるという課
題があり、さらに、フォトダイオードが実装されている
三つの平面が温度変化や経年変化により位置ずれが生じ
ると各フォトダイオードで受光される光強度が変動して
しまうという課題もあった。後者においては、光検出器
は同一平面に実装できるので位置ずれ等に対する安定度
は増すものの、波長のみを検出する構成であり、光強度
を検出することができなかった。
ールは、以上のように構成されているため、前者におい
ては、部品点数が多く、製品コストが高くなるという課
題があり、さらに、フォトダイオードが実装されている
三つの平面が温度変化や経年変化により位置ずれが生じ
ると各フォトダイオードで受光される光強度が変動して
しまうという課題もあった。後者においては、光検出器
は同一平面に実装できるので位置ずれ等に対する安定度
は増すものの、波長のみを検出する構成であり、光強度
を検出することができなかった。
【０００８】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたものであり、複数のＰＢＳと複数のバ
ンドパスフィルタを組み合わせて構成する必要がなく、
より簡潔な構成で半導体レーザの出力光の強度と発振波
長を正確にモニタできる光半導体モジュールを得ること
を目的としている。
るためになされたものであり、複数のＰＢＳと複数のバ
ンドパスフィルタを組み合わせて構成する必要がなく、
より簡潔な構成で半導体レーザの出力光の強度と発振波
長を正確にモニタできる光半導体モジュールを得ること
を目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光半導体モ
ジュールは、光を出射するＬＤと、前記ＬＤが背面側へ
出射する光を受光する第１および第２のＰＤと、前記Ｌ
Ｄと前記第１のＰＤとの間に設置され、光の波長に対し
て連続的に強度を変化させる波長フィルタとを備え、前
記第２のＰＤの受光面の前記ＬＤからの距離が、前記波
長フィルタの入射面の前記ＬＤからの距離と同一または
より近距離になるように設定されているものである。
ジュールは、光を出射するＬＤと、前記ＬＤが背面側へ
出射する光を受光する第１および第２のＰＤと、前記Ｌ
Ｄと前記第１のＰＤとの間に設置され、光の波長に対し
て連続的に強度を変化させる波長フィルタとを備え、前
記第２のＰＤの受光面の前記ＬＤからの距離が、前記波
長フィルタの入射面の前記ＬＤからの距離と同一または
より近距離になるように設定されているものである。
【００１０】また、前記第１および第２のＰＤからの出
力電流を入力して、前記ＬＤの動作を制御する信号を生
成する制御回路を有していてもよい。
力電流を入力して、前記ＬＤの動作を制御する信号を生
成する制御回路を有していてもよい。
【００１１】また、階段状に設けられた第１および第２
の取り付け面を持つＰＤキャリアを有し、該ＰＤキャリ
アが、前記第１と第２のＰＤをそれぞれの取り付け面に
取り付けていてもよい。
の取り付け面を持つＰＤキャリアを有し、該ＰＤキャリ
アが、前記第１と第２のＰＤをそれぞれの取り付け面に
取り付けていてもよい。
【００１２】本発明に係る光半導体モジュールは、光を
出射するＬＤと、前記ＬＤが背面側へ出射する光を受光
する第１および第２のＰＤと、前記ＬＤと前記第１のＰ
Ｄとの間に設置され、光の波長に対して連続的に強度を
変化させる波長フィルタと、前記第１と第２のＰＤの間
に、前記第２のＰＤ受光面から少なくとも前記波長フィ
ルタの入射面へ伸びる遮光物とを有するものである。
出射するＬＤと、前記ＬＤが背面側へ出射する光を受光
する第１および第２のＰＤと、前記ＬＤと前記第１のＰ
Ｄとの間に設置され、光の波長に対して連続的に強度を
変化させる波長フィルタと、前記第１と第２のＰＤの間
に、前記第２のＰＤ受光面から少なくとも前記波長フィ
ルタの入射面へ伸びる遮光物とを有するものである。
【００１３】また、前記第１および第２のＰＤからの出
力電流を入力して、前記ＬＤの動作を制御する信号を生
成する制御回路を有していてもよい。
力電流を入力して、前記ＬＤの動作を制御する信号を生
成する制御回路を有していてもよい。
【００１４】また、前記第１および第２のＰＤを固定す
るＰＤキャリアを有し、前記遮光物は、該ＰＤキャリア
に支持されていてもよい。
るＰＤキャリアを有し、前記遮光物は、該ＰＤキャリア
に支持されていてもよい。
【００１５】また、前記遮光物が、前記ＰＤキャリアと
一体であってもよい。
一体であってもよい。
【００１６】また、前記遮光物が、前記波長フィルタの
側面に接していてもよい。
側面に接していてもよい。
【００１７】また、前記遮光物が、前記波長フィルタの
側面形状に沿う形状を有していてもよい。
側面形状に沿う形状を有していてもよい。
【００１８】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態１．図１に、本
発明の実施の形態１に係る光半導体モジュールの波長モ
ニタ部および光強度モニタ部の構成をブロック図にて示
す。図１において、本発明の実施の形態１に係る光半導
体モジュールは、ＬＤ１の背面出射光を第１のＰＤ２と
第２のＰＤ３が受光するように配置される。第１のＰＤ
２は、階段状の取り付け面を有するＰＤキャリア１４の
ＬＤ１からは遠方にある第１の取り付け面に、第２のＰ
Ｄ３はＬＤ１に近い第２の取り付け面に固定されてい
る。
発明の実施の形態１に係る光半導体モジュールの波長モ
ニタ部および光強度モニタ部の構成をブロック図にて示
す。図１において、本発明の実施の形態１に係る光半導
体モジュールは、ＬＤ１の背面出射光を第１のＰＤ２と
第２のＰＤ３が受光するように配置される。第１のＰＤ
２は、階段状の取り付け面を有するＰＤキャリア１４の
ＬＤ１からは遠方にある第１の取り付け面に、第２のＰ
Ｄ３はＬＤ１に近い第２の取り付け面に固定されてい
る。
【００１９】ＬＤ１と第１のＰＤ２との間に波長フィル
タ５が配置され、第１のＰＤ２に入射する光７は、波長
フィルタ５を透過するようになっているので、第１のＰ
Ｄ２の出力は波長に応じて変化するものとなる。第２の
ＰＤ３の受光面の位置は、キャリア１４の段差寸法を設
定することによってＬＤ１の発光点からの距離が波長フ
ィルタ５の入射面位置と等しくなるか、またはより近距
離になるように位置させる。これにより、第２のＰＤ３
に入射する光８は、直接第２のＰＤ３に届き、第２のＰ
Ｄ３の出力はＬＤ１からの光の強度に応じた出力とな
る。
タ５が配置され、第１のＰＤ２に入射する光７は、波長
フィルタ５を透過するようになっているので、第１のＰ
Ｄ２の出力は波長に応じて変化するものとなる。第２の
ＰＤ３の受光面の位置は、キャリア１４の段差寸法を設
定することによってＬＤ１の発光点からの距離が波長フ
ィルタ５の入射面位置と等しくなるか、またはより近距
離になるように位置させる。これにより、第２のＰＤ３
に入射する光８は、直接第２のＰＤ３に届き、第２のＰ
Ｄ３の出力はＬＤ１からの光の強度に応じた出力とな
る。
【００２０】尚、ここで用いる波長フィルタは、ＦＰエ
タロン、誘電体多層膜フィルタや複屈折結晶と偏光子を
用いるものなど、波長に対して連続的に透過強度が変化
する特性を有するものであれば、いかなる方式でもよ
い。
タロン、誘電体多層膜フィルタや複屈折結晶と偏光子を
用いるものなど、波長に対して連続的に透過強度が変化
する特性を有するものであれば、いかなる方式でもよ
い。
【００２１】図２に、波長フィルタ５として例えばＦＰ
エタロンを用いたときの波長モニタ出力および光強度モ
ニタ出力の特性の例を示す。第１のＰＤ２は、波長フィ
ルタ５の透過光を受光するので波長に対して連続的に強
度が変化する図示のような波形の信号を波長モニタ出力
として出力する。第２のＰＤ３は、ＬＤの出射光を直接
受光するのでＬＤの出射光の強度に比例した信号を光強
度モニタ出力として出力する。
エタロンを用いたときの波長モニタ出力および光強度モ
ニタ出力の特性の例を示す。第１のＰＤ２は、波長フィ
ルタ５の透過光を受光するので波長に対して連続的に強
度が変化する図示のような波形の信号を波長モニタ出力
として出力する。第２のＰＤ３は、ＬＤの出射光を直接
受光するのでＬＤの出射光の強度に比例した信号を光強
度モニタ出力として出力する。
【００２２】ＬＤ出射光の波長の制御は、波長モニタ出
力強度が波長に対して近似的に直線変化する領域を使用
して行われる。例えば、図２に示すように波長がλ０の
ときの出力強度Ｉλを制御回路６に出力する。ここで、
波長フィルタ５を透過した光の強度が小さい時に第１の
ＰＤ２に波長フィルタ５を透過しない迷光が結合してし
まうと信号のＳ／Ｎが悪化してしまう危険性があるが、
本実施の形態１ではＰＤキャリアに段差を設けており、
第２のＰＤ３の位置が波長フィルタ５の真横またはより
ＬＤ１に近い位置にあり、ＰＤキャリアの第１の取り付
け面と第２の取り付け面の間の段差を結ぶ立ち上がり部
があることにより、上記のような迷光が第１のＰＤ２へ
結合するような事態を阻止することができる。
力強度が波長に対して近似的に直線変化する領域を使用
して行われる。例えば、図２に示すように波長がλ０の
ときの出力強度Ｉλを制御回路６に出力する。ここで、
波長フィルタ５を透過した光の強度が小さい時に第１の
ＰＤ２に波長フィルタ５を透過しない迷光が結合してし
まうと信号のＳ／Ｎが悪化してしまう危険性があるが、
本実施の形態１ではＰＤキャリアに段差を設けており、
第２のＰＤ３の位置が波長フィルタ５の真横またはより
ＬＤ１に近い位置にあり、ＰＤキャリアの第１の取り付
け面と第２の取り付け面の間の段差を結ぶ立ち上がり部
があることにより、上記のような迷光が第１のＰＤ２へ
結合するような事態を阻止することができる。
【００２３】また、ＬＤ出射光の強度の制御は波長に対
して無関係な光を受光した第２のＰＤ３の出力をそのま
ま制御回路６に出力することにより行われるが、前述と
は反対に第２のＰＤ３に対してはＰＤキャリアが段差を
有することによるＰＤの位置関係の設定により波長フィ
ルタ５を透過した光が迷光となって結合することがな
い。
して無関係な光を受光した第２のＰＤ３の出力をそのま
ま制御回路６に出力することにより行われるが、前述と
は反対に第２のＰＤ３に対してはＰＤキャリアが段差を
有することによるＰＤの位置関係の設定により波長フィ
ルタ５を透過した光が迷光となって結合することがな
い。
【００２４】これら波長モニタとしての第１のＰＤ２の
出力と光強度モニタとしての第２のＰＤ３の出力を入力
した制御回路６は、この波長モニタ出力および光強度モ
ニタ出力を一定に保つように、ＬＤ１の動作電流や動作
温度を制御することで波長および光強度を安定化する。
出力と光強度モニタとしての第２のＰＤ３の出力を入力
した制御回路６は、この波長モニタ出力および光強度モ
ニタ出力を一定に保つように、ＬＤ１の動作電流や動作
温度を制御することで波長および光強度を安定化する。
【００２５】本発明の実施の形態１に係る光半導体モジ
ュールは、以上のように構成されるので、単純な構成で
コストを抑制できるとともに、二つのＰＤがＰＤキャリ
アに固定されることによって位置ずれに対する安定性を
増すことができる。さらに、光強度モニタとして使用す
る第２のＰＤ３には波長フィルタ５を透過した光の回折
光や迷光が入り込まないようにしているので、波長依存
性のある光が加わる心配がなく、第２のＰＤの出力強度
はＬＤ１からの出射光の強度に比例させることができ
る。また、キャリア１４に段差が設けられ、段差間の立
ち上がり部が存在することにより第１のＰＤ２に波長フ
ィルタ５を透過しない迷光が入り込む心配も回避できる
ので、第１のＰＤの出力強度は波長フィルタ５を透過し
た波長に対して連続的に変化する光に比例したものとす
ることができる。
ュールは、以上のように構成されるので、単純な構成で
コストを抑制できるとともに、二つのＰＤがＰＤキャリ
アに固定されることによって位置ずれに対する安定性を
増すことができる。さらに、光強度モニタとして使用す
る第２のＰＤ３には波長フィルタ５を透過した光の回折
光や迷光が入り込まないようにしているので、波長依存
性のある光が加わる心配がなく、第２のＰＤの出力強度
はＬＤ１からの出射光の強度に比例させることができ
る。また、キャリア１４に段差が設けられ、段差間の立
ち上がり部が存在することにより第１のＰＤ２に波長フ
ィルタ５を透過しない迷光が入り込む心配も回避できる
ので、第１のＰＤの出力強度は波長フィルタ５を透過し
た波長に対して連続的に変化する光に比例したものとす
ることができる。
【００２６】発明の実施の形態２．図３に、本発明の実
施の形態２に係る光半導体モジュールの波長モニタ部お
よび光強度モニタ部の構成をブロック図にて示す。図３
において、本発明の実施の形態２に係る光半導体モジュ
ールは、第１のＰＤ２と第２のＰＤ３を、ＰＤキャリア
２４のＰＤ取り付け面に並べて取り付けており、ＬＤ１
の背面出射光を第１のＰＤ２と第２のＰＤ３が受光する
ように配置されている。ＬＤ１と第１のＰＤ２との間に
波長フィルタ５が配置され、第１のＰＤ２に入射する光
７は、波長フィルタ５を透過するようになっている。
施の形態２に係る光半導体モジュールの波長モニタ部お
よび光強度モニタ部の構成をブロック図にて示す。図３
において、本発明の実施の形態２に係る光半導体モジュ
ールは、第１のＰＤ２と第２のＰＤ３を、ＰＤキャリア
２４のＰＤ取り付け面に並べて取り付けており、ＬＤ１
の背面出射光を第１のＰＤ２と第２のＰＤ３が受光する
ように配置されている。ＬＤ１と第１のＰＤ２との間に
波長フィルタ５が配置され、第１のＰＤ２に入射する光
７は、波長フィルタ５を透過するようになっている。
【００２７】ＰＤキャリア２４のＰＤ取り付け面に取り
付けられた第１のＰＤ２と第２のＰＤ３の間に遮光物２
４ａが設けられている。遮光物２４ａは、少なくとも第
２のＰＤ３の受光面からＬＤ１側へ伸びていてそのＬＤ
１よりの端面位置は、ＬＤ１からの距離が波長フィルタ
５の入射面位置と等しくなるか、またはより近距離にな
るように設定されている。
付けられた第１のＰＤ２と第２のＰＤ３の間に遮光物２
４ａが設けられている。遮光物２４ａは、少なくとも第
２のＰＤ３の受光面からＬＤ１側へ伸びていてそのＬＤ
１よりの端面位置は、ＬＤ１からの距離が波長フィルタ
５の入射面位置と等しくなるか、またはより近距離にな
るように設定されている。
【００２８】これにより、第１のＰＤ２に対しては、波
長フィルタ５を透過しない迷光の結合を防ぎ、第２のＰ
Ｄ３に対しては、波長フィルタ５を透過した迷光の結合
を防ぐことができる。
長フィルタ５を透過しない迷光の結合を防ぎ、第２のＰ
Ｄ３に対しては、波長フィルタ５を透過した迷光の結合
を防ぐことができる。
【００２９】尚、ここで用いる波長フィルタは、ＦＰエ
タロン、誘電体多層膜フィルタや複屈折結晶と偏光子を
用いるものなど、波長に対して連続的に透過強度が変化
する特性を有するものであれば、いかなる方式でもよ
い。
タロン、誘電体多層膜フィルタや複屈折結晶と偏光子を
用いるものなど、波長に対して連続的に透過強度が変化
する特性を有するものであれば、いかなる方式でもよ
い。
【００３０】この遮光物２４ａは、ＰＤキャリア２４に
支持されていても、また、ＰＤキャリア２４と一体であ
ってもよい。一体化されていれば部品点数が増加するこ
とがなくて済む。さらに、この遮光物２４ａは、波長フ
ィルタ５の側面に接していてもよく、また、さらには波
長フィルタ５の側面形状に沿う形状を有していてもよ
い。このようにすれば、第１のＰＤ２、第２のＰＤ３そ
れぞれの互いに不必要な光を効果的に遮光することがで
きる。
支持されていても、また、ＰＤキャリア２４と一体であ
ってもよい。一体化されていれば部品点数が増加するこ
とがなくて済む。さらに、この遮光物２４ａは、波長フ
ィルタ５の側面に接していてもよく、また、さらには波
長フィルタ５の側面形状に沿う形状を有していてもよ
い。このようにすれば、第１のＰＤ２、第２のＰＤ３そ
れぞれの互いに不必要な光を効果的に遮光することがで
きる。
【００３１】本発明の実施の形態２に係る光半導体モジ
ュールは、以上のように構成されるので、単純な構成で
コストを抑制できるとともに、二つのＰＤがＰＤキャリ
アに固定されることによって位置ずれに対する安定性を
増すことができる。さらに、並んで配置された第１のＰ
Ｄ２と第２のＰＤ３との間に遮光物を設けているので、
光強度モニタとして使用する第２のＰＤ３には波長フィ
ルタ５を透過した光の回折光や迷光が入り込まないよう
にでき、波長依存性のある光が加わる心配がなくなるの
で、第２のＰＤの出力強度はＬＤ１からの出射光の強度
に比例させることができる。また、第１のＰＤに波長フ
ィルタ５を透過しない迷光が入り込む心配も回避できる
ので、第１のＰＤの出力強度は波長フィルタ５を透過し
た波長に対して連続的に変化する光に比例したものとす
ることができる。
ュールは、以上のように構成されるので、単純な構成で
コストを抑制できるとともに、二つのＰＤがＰＤキャリ
アに固定されることによって位置ずれに対する安定性を
増すことができる。さらに、並んで配置された第１のＰ
Ｄ２と第２のＰＤ３との間に遮光物を設けているので、
光強度モニタとして使用する第２のＰＤ３には波長フィ
ルタ５を透過した光の回折光や迷光が入り込まないよう
にでき、波長依存性のある光が加わる心配がなくなるの
で、第２のＰＤの出力強度はＬＤ１からの出射光の強度
に比例させることができる。また、第１のＰＤに波長フ
ィルタ５を透過しない迷光が入り込む心配も回避できる
ので、第１のＰＤの出力強度は波長フィルタ５を透過し
た波長に対して連続的に変化する光に比例したものとす
ることができる。
【００３２】
【発明の効果】以上述べたように本発明による光半導体
モジュールは、第１のＰＤと第２のＰＤにそれぞれ受光
させなければならない光のみを受光させるように構成し
ているので、それぞれのＰＤの出力である波長モニタ出
力と光強度モニタ出力の精度を向上することができ、簡
単な構成で温度変化や経年変化による位置ずれの心配の
少ない、波長モニタと光強度モニタの双方を有する光半
導体モジュールが得られる。
モジュールは、第１のＰＤと第２のＰＤにそれぞれ受光
させなければならない光のみを受光させるように構成し
ているので、それぞれのＰＤの出力である波長モニタ出
力と光強度モニタ出力の精度を向上することができ、簡
単な構成で温度変化や経年変化による位置ずれの心配の
少ない、波長モニタと光強度モニタの双方を有する光半
導体モジュールが得られる。
【図１】 本発明の実施の形態１に係る光半導体モジュ
ールの波長モニタ部および光強度モニタ部の構成を示す
ブロック図。
ールの波長モニタ部および光強度モニタ部の構成を示す
ブロック図。
【図２】 波長モニタ出力および光強度モニタ出力の特
性例。
性例。
【図３】 本発明の実施の形態２に係る光半導体モジュ
ールの波長モニタ部および光強度モニタ部の構成を示す
ブロック図。
ールの波長モニタ部および光強度モニタ部の構成を示す
ブロック図。
【図４】 特開平１０-７９５５１号公報に示された従
来の光半導体モジュールの構成を示すブロック図。
来の光半導体モジュールの構成を示すブロック図。
【図５】 実開昭５８−１２８３１公報に示された従来
の光半導体モジュールの構成を示すブロック図。
の光半導体モジュールの構成を示すブロック図。
１ ＬＤ、 ２ 第１のＰＤ、
３ 第２のＰＤ、４ ＰＤキャリア、 ５ 波長フィ
ルタ、 ６ 制御回路、７ 第１のＰＤ２に入
射する光、８ 第２のＰＤ３に入射する光、１４ 段差
を有するＰＤキャリア、２４ ＰＤキャリア、２４ａ
遮光物。
３ 第２のＰＤ、４ ＰＤキャリア、 ５ 波長フィ
ルタ、 ６ 制御回路、７ 第１のＰＤ２に入
射する光、８ 第２のＰＤ３に入射する光、１４ 段差
を有するＰＤキャリア、２４ ＰＤキャリア、２４ａ
遮光物。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5F073 FA02 FA30 GA12 GA13
5F089 AB03 AC05 AC06 AC10 CA16
GA07
Claims (9)
- 【請求項１】光を出射するレーザダイオード（以下ＬＤ
と記す）と、 前記ＬＤが出射する光を受光する第１および第２のフォ
トダイオード（以下ＰＤと記す）と、 前記ＬＤと前記第１のＰＤとの間に設置され、光の波長
に対して連続的に強度を変化させる波長フィルタとを備
え、 前記第２のＰＤの受光面の前記ＬＤからの距離が、前記
波長フィルタの入射面の前記ＬＤからの距離と同一また
はより近距離になるように設定されていることを特徴と
する光半導体モジュール。 - 【請求項２】前記第１および第２のＰＤからの出力電流
を入力して、前記ＬＤの動作を制御する信号を生成する
制御回路を有していることを特徴とする請求項１記載の
光半導体モジュール。 - 【請求項３】階段状に設けられた第１および第２の取り
付け面を持つＰＤキャリアを有し、該ＰＤキャリアが、
前記第１と第２のＰＤをそれぞれの取り付け面に取り付
けていることを特徴とする請求項１または２記載の光半
導体モジュール。 - 【請求項４】光を出射するＬＤと、 前記ＬＤが出射する光を受光する第１および第２のＰＤ
と、 前記ＬＤと前記第１のＰＤとの間に設置され、光の波長
に対して連続的に強度を変化させる波長フィルタと、 前記第１と第２のＰＤの間に、前記第２のＰＤ受光面か
ら少なくとも前記波長フィルタの入射面へ伸びる遮光物
とを有することを特徴とする光半導体モジュール。 - 【請求項５】前記第１および第２のＰＤからの出力電流
を入力して、前記ＬＤの動作を制御する信号を生成する
制御回路を有していることを特徴とする請求項４記載の
光半導体モジュール。 - 【請求項６】前記第１および第２のＰＤを固定するＰＤ
キャリアを有し、 前記遮光物は、該ＰＤキャリアに支持されていることを
特徴とする請求項４または５記載の光半導体モジュー
ル。 - 【請求項７】前記遮光物が、前記ＰＤキャリアと一体で
あることを特徴とする請求項６記載の光半導体モジュー
ル。 - 【請求項８】前記遮光物が、前記波長フィルタの側面に
接していることを特徴とする請求項６または７記載の光
半導体モジュール。 - 【請求項９】前記遮光物が、前記波長フィルタの側面形
状に沿う形状を有していることを特徴とする請求項８記
載の光半導体モジュール。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001387534A JP2003188467A (ja) | 2001-12-20 | 2001-12-20 | 光半導体モジュール |
| US10/198,086 US20030116695A1 (en) | 2001-12-20 | 2002-07-19 | Optical semiconductor module for detecting wavelength and light intensity |
| EP02017599A EP1324442A2 (en) | 2001-12-20 | 2002-08-07 | Optical semiconductor module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001387534A JP2003188467A (ja) | 2001-12-20 | 2001-12-20 | 光半導体モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003188467A true JP2003188467A (ja) | 2003-07-04 |
Family
ID=19188077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001387534A Pending JP2003188467A (ja) | 2001-12-20 | 2001-12-20 | 光半導体モジュール |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030116695A1 (ja) |
| EP (1) | EP1324442A2 (ja) |
| JP (1) | JP2003188467A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7473879B2 (en) * | 2003-12-19 | 2009-01-06 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | LED illumination system having an intensity monitoring system |
| US7294816B2 (en) * | 2003-12-19 | 2007-11-13 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | LED illumination system having an intensity monitoring system |
| US7767947B2 (en) * | 2005-09-20 | 2010-08-03 | Downing Jr John P | Semiconductor light source with optical feedback |
| KR20080070659A (ko) * | 2005-10-19 | 2008-07-30 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 컬러 조명 디바이스 및 컬러 조명 디바이스의 광출력을제어하는 방법 |
| US8502452B2 (en) | 2010-07-28 | 2013-08-06 | Usl Technologies, Llc | High-stability light source system and method of manufacturing |
| US10476230B2 (en) * | 2012-12-31 | 2019-11-12 | Infinera Corporation | Etalon-based wavelength locking apparatus and alignment method |
| CN109425427A (zh) | 2017-08-22 | 2019-03-05 | 华为技术有限公司 | 光传感器及终端设备 |
| CN111489718B (zh) * | 2020-05-21 | 2021-10-22 | 北京小米移动软件有限公司 | 终端设备及环境光检测方法 |
| CN118670514A (zh) * | 2024-08-13 | 2024-09-20 | 福建卫生职业技术学院 | 一种美容激光头检测台 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5379439A (en) * | 1985-06-04 | 1995-01-03 | Quantum Corporation | Fixed disk drive mounted to printed circuit board |
| US5831952A (en) * | 1995-07-27 | 1998-11-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical disk thickness discriminating apparatus |
| TW385435B (en) * | 1996-05-30 | 2000-03-21 | Hitachi Ltd | An optical disk discriminating system of optical disk apparatus |
| US6744721B2 (en) * | 2001-05-11 | 2004-06-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical disk drive |
-
2001
- 2001-12-20 JP JP2001387534A patent/JP2003188467A/ja active Pending
-
2002
- 2002-07-19 US US10/198,086 patent/US20030116695A1/en not_active Abandoned
- 2002-08-07 EP EP02017599A patent/EP1324442A2/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030116695A1 (en) | 2003-06-26 |
| EP1324442A2 (en) | 2003-07-02 |
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