JP2003179016A - ワックスレスマウント式研磨方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 研磨中におけるテンプレート内での半導体ウ
ェーハのガタつきの有無にかかわりなく、半導体ウェー
ハの外周立ちを、簡単かつ低コストで防止するワックス
レスマウント式研磨方法を提供する。 【解決手段】 シリコンウェーハＷの外周部の裏面にス
ペーサ１６を着脱自在に貼着するという簡単で低コスト
な方法で、シリコンウェーハＷの外周部を、その中央部
よりも研磨布１３に向かって突出させる。その後、この
ウェーハＷを研磨する。これにより、研磨中におけるテ
ンプレート１４内でのシリコンウェーハＷのガタつきの
有無にかかわりなく、シリコンウェーハＷの外周立ちの
発生を防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明はワックスレスマウ
ント式研磨方法、詳しくはワックスレスで保持した半導
体ウェーハの表面に機械的化学的研磨を行うワックスレ
スマウント式の研磨技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、シリコンウェーハの研磨方法
の一種として、ワックスレスマウント式研磨方法が知ら
れている。この方法に用いられるワックスレスマウント
式研磨装置は、図５に示すように、上面に研磨布１０５
が張設された研磨定盤１０４と、下面にウェーハ固定用
のテンプレート１０２が設けられた研磨ヘッド１０１と
を備えている。このテンプレート１０２は、保水性を有
する不織布製のバックパッド１０３を介して、研磨ヘッ
ド１０１の下面に設けられている。研磨時には、バック
パッド１０３に純水を供給し、その表面張力によって、
テンプレート１０２の孔部内に収容されたシリコンウェ
ーハＷをその裏面側から保持する。このとき、シリコン
ウェーハＷは、その研磨面の全域をテンプレート１０２
の端面から所定高さだけ下方に向かって突出させてい
る。そして、遊離砥粒を含む研磨剤を研磨布１０５の研
磨作用面に供給しながら、研磨ヘッド１０１を研磨定盤
１０４上で回転させることで、シリコンウェーハＷの研
磨面が鏡面研磨される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のワックスレスマウント式の研磨では、以下の
不都合があった。すなわち、バックパッド１０３がやわ
らかい不織布からなるので、バックパッド１０３の外周
部における保形性が低下していた。具体的には、研磨時
のシリコンウェーハＷには、研磨ヘッド１０１側から面
圧力が作用する。また、自転および公転による外力も加
わる。この研磨ヘッド１０１の面圧力は、ミクロ的には
面全域において均一ではない。したがって、研磨中に
は、これらの複合力が、テンプレート１０２によって水
平移動が規制されたシリコンウェーハＷを介して、テン
プレート１０２内のバックパッド１０３の外周部に偏在
してしまう。その結果、このバックパッド１０３の外周
部が押し潰され、これによりシリコンウェーハＷは、そ
の外周部が反り上がった外周立ちの状態で仕上がるとい
う現象が起きていた。

【０００４】そこで、この現象を解消するため、バック
パッド１０３の外周部を、その中央部より高硬度化（例
えばショアＡ硬度計で３５〜５５）させる従来技術が知
られている。しかしながら、硬いウェーハ保持板にシリ
コンウェーハを保持して研磨する場合、基本的に研磨後
のシリコンウェーハの表面形状は、エッチ後のシリコン
ウェーハの裏面形状によって決定される。これは、研磨
後に硬いウェーハ保持板からシリコンウェーハを剥離し
た際、シリコンウェーハの裏面の形状が、研磨により平
坦化されたシリコンウェーハの表面に転写されるためで
ある。したがって、かりにエッチドウェーハの裏面の外
周部にダレが存在すれば、このバックパッド１０３の外
周部が高硬度であるほど、研磨後、例えばキャリアプレ
ートにシリコンウェーハがワックス貼着されたワックス
研磨時と同様に、このシリコンウェーハＷの裏面の外周
部のダレが、ウェーハ表面の外周部に転写される。その
結果、シリコンウェーハＷは、外周立ちの状態で仕上が
ることになる。

【０００５】これにより、中央部に比べて外周部が厚い
シリコンウェーハＷが作製され、シリコンウェーハＷの
厚さにムラが生じていた。そのため、例えばＳＯＩウェ
ーハを作製する際、この外周立ちを原因として、活性層
用ウェーハと支持基板用ウェーハとの張り合わせ界面に
ボイドが発生しやすかった。しかも、このテンプレート
１０２は、シリコンウェーハＷを円滑に出し入れできる
ように、通常、その内径がシリコンウェーハＷの外径よ
りも若干大きくなっている。その結果、研磨時、テンプ
レート１０２の内側で、シリコンウェーハＷのガタつき
が若干生じるおそれがあった。

【０００６】

【発明の目的】そこで、この発明は、研磨中におけるテ
ンプレート内での半導体ウェーハのガタつきの有無にか
かわりなく、オリフラ（ＯＦ）付ウェーハを含んだ半導
体ウェーハの外周立ちを、簡単かつ低コストで防止する
ことができるワックスレスマウント式研磨方法を提供す
ることを、その目的としている。また、この発明は、研
磨中におけるテンプレート内での半導体ウェーハのガタ
つきの有無にかかわりなく、オリフラ付ウェーハを含ん
だ半導体ウェーハの外周ダレを、簡単かつ低コストで防
止することができるワックスレスマウント式研磨方法を
提供することを、その目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、環状のテンプレートの内側に半導体ウェーハを収容
するとともに、この半導体ウェーハと研磨ヘッドとの間
にバックパッドを介在させて半導体ウェーハを研磨する
ワックスレスマウント式研磨方法において、前記半導体
ウェーハの外周部の研磨面とは反対側の面に、該半導体
ウェーハの外周部をその中央部より研磨布に向かって所
定高さだけ突出した状態で保持するスペーサを着脱可能
に取り付けて半導体ウェーハを研磨するワックスレスマ
ウント式研磨方法である。研磨布は、研磨定盤の露出面
のうち、研磨ヘッドとの対向面に展張される。研磨布と
しては、硬質ウレタンパッド、ＣｅＯ₂ パッドなどが挙
げられる。研磨剤としては、例えば焼成シリカやコロイ
ダルシリカ（研磨砥粒）、アミン（加工促進剤）および
有機高分子（ヘイズ抑制剤）などを混合したものを採用
することができる。コロイダルシリカとは、珪酸微粒子
の凝集が起こらないで１次粒子のまま水中に分散した透
明または不透明の乳白色のコロイド液である。

【０００８】半導体ウェーハは、代表的なシリコンウェ
ーハ以外にも、例えばガリウム砒素ウェーハなど、各種
のウェーハを採用することができる。研磨ヘッドは、研
磨定盤との対向面に１枚の半導体ウェーハが保持される
枚葉式でもよいし、多数枚の半導体ウェーハが一括して
保持されるバッチ式でもよい。また、この研磨ヘッド
は、研磨布の表面に沿って往復動する方式でもよいし、
往復動しない方式でもよい。往復動する場合には、半導
体ウェーハの外周部の一部を研磨布の外部にはみ出して
研磨してもよいし、そうでなくてもよい。研磨ヘッドの
使用台数は限定されない。１機でもよいし、複数機でも
よい。研磨ヘッドを研磨定盤の上方に対向配置してもよ
いし、これとは上下を反対にしてもよい。さらに、研磨
ヘッドと研磨定盤との軸線方向をそれぞれ水平方向とし
た縦型の研磨装置でもよい。

【０００９】テンプレートは、そのプレート内側に、半
導体ウェーハの直径より若干大径な孔部を有している。
この孔部に半導体ウェーハが収納される。テンプレート
の高さは限定されない。ただし、半導体ウェーハの厚さ
と略同じ高さか、１〜２００μｍだけ半導体ウェーハが
突出する高さが好ましい。このテンプレートの素材は限
定されない。例えば、ガラスエポキシ樹脂や、各種のセ
ラミックスなどが挙げられる。バックパッドの素材は限
定されない。例えばスウェード布などの不織布が挙げら
れる。また、その硬度も限定されない。そして、このバ
ックパッドの一部分（例えば外周部）だけを、その中央
部よりも高硬度（例えばショアＡ硬度計で３５〜５５）
としてもよい。バックパッドの厚さは限定されない。た
だし、２ｍｍ以下が好ましい。２ｍｍを超えると、バッ
クパッドに硬度ムラが生じやすい。

【００１０】スペーサの形状は、例えば円形のリング
状、または、半導体ウェーハの外周部と相似したリング
形状を有する。例えば半導体ウェーハがオリフラ付きで
は、リング形状のスペーサの外周部の一部分を半月形状
に切除してもよい。また、平面視して半導体ウェーハと
同じ大きさおよび同じ形状のスペーサをベース部分と
し、その外周部だけを環状に厚肉化してもよい。スペー
サの高さ（厚さ）は限定されない。ただし、半導体ウェ
ーハの最外周部が、この半導体ウェーハの中央部よりも
１〜２００μｍ突出する高さが好ましい。

【００１１】請求項２に記載の発明は、前記スペーサ
が、厚さ２００μｍ以下で、半径方向の幅が５ｍｍ以下
の略環状のテープである請求項１に記載のワックスレス
マウント式研磨方法である。スペーサの厚さが２００μ
ｍを超えると、半導体ウェーハの外周部がウェーハ中央
部より突出する量が大きくなる。よって、半導体ウェー
ハの外周部の研磨量が増大し、半導体ウェーハの外周部
に若干ダレが生じるおそれがある。さらに、スペーサの
半径方向の幅が５ｍｍを超える場合、半導体ウェーハの
中央部を磨きすぎるおそれがある。

【００１２】請求項３に記載の発明は、環状のテンプレ
ートの内側に半導体ウェーハを収容するとともに、この
半導体ウェーハと研磨ヘッドとの間にバックパッドを介
在させて半導体ウェーハを研磨するワックスレスマウン
ト式研磨方法において、前記半導体ウェーハの中央部の
研磨面とは反対側の面に、該半導体ウェーハの中央部を
その外周部より研磨布に向かって所定高さだけ突出した
状態で保持するスペーサを着脱可能に取り付けて半導体
ウェーハを研磨するワックスレスマウント式研磨方法で
ある。スペーサの形状は、例えば円形状、または、半導
体ウェーハと相似した形状を有する。例えばオリフラ付
きの半導体ウェーハの場合には、このＯＦ部分の形状に
合わせてスペーサの外周部の一部分を半月形状に切除し
てもよい。スペーサの高さは限定されない。ただし、半
導体ウェーハの中央部が、この半導体ウェーハの最外周
部よりも１〜２００μｍ突出する高さが好ましい。

【００１３】請求項４に記載の発明は、前記スペーサ
は、厚さが２００μｍ以下で、該半導体ウェーハの直径
より２ｍｍ以上小さい直径を有する略円形状のテープで
ある請求項３に記載のワックスレスマウント式研磨方法
である。スペーサの厚さが２００μｍを超えると、半導
体ウェーハの中央部がウェーハ外周部より突出する量が
大きくなる。これにより、半導体ウェーハの中央部の研
磨量が増大し、半導体ウェーハの外周部に若干立ちが生
じるおそれがある。さらに、スペーサの直径と半導体ウ
ェーハの直径との差が２ｍｍ未満の場合には、半導体ウ
ェーハの外周部を磨きすぎるおそれがある。

【００１４】

【作用】請求項１の発明によれば、研磨に際して、あら
かじめ半導体ウェーハの外周部の研磨面とは反対側の面
に例えば環状のスペーサ、または、半導体ウェーハの外
周部と相似した形状のスペーサを着脱自在に取り付け
る。そして、バックパッドに純水などを供給した後、半
導体ウェーハをテンプレートに収容する。これにより、
半導体ウェーハが水の表面張力によってバックパッドに
吸着される。その際、スペーサによって、半導体ウェー
ハの外周部が、その中央部よりも研磨布に向かって突出
する。この突出状態を維持したまま、研磨布に研磨剤を
供給しながら研磨ヘッドを回転させ、半導体ウェーハの
研磨面を研磨布の研磨作用面に押し付けて研磨する。そ
の結果、ウェーハ外周部はその中央部に比べて、研磨布
との単位時間当たりの接触面積および単位面積当たりの
圧力が大きくなる。これにより、半導体ウェーハの外周
立ちの発生を、簡単かつ低コストで防ぐことができる。
よって、例えばＳＯＩウェーハを作製する際、この外周
立ちを原因とする活性層用ウェーハと支持基板用ウェー
ハとの張り合わせ界面でのボイドの発生を防ぐことがで
きる。

【００１５】また、このように半導体ウェーハの外周部
の裏面に、直接、スペーサを着脱自在に取り付けるよう
にしたので、研磨時、かりにテンプレートの内側で半導
体ウェーハのガタつきが生じても、半導体ウェーハの外
周部では、その中央部よりも外方へ突出する部分が常に
安定する。これにより、研磨中においてテンプレート内
での半導体ウェーハのガタつきの有無にかかわりなく、
半導体ウェーハの外周立ちを防止することができる。さ
らに、半導体ウェーハの裏面に、直接、スペーサを着脱
自在に取り付ける構成を採用したことで、外周形状の一
部分に半月形状の切欠部が存在するオリフラ付ウェーハ
の研磨にも、支障なく対応することができる。

【００１６】一方、請求項３の発明によれば、研磨前
に、半導体ウェーハの中央部の研磨面とは反対側の面に
略円形状のスペーサ、または、半導体ウェーハと相似し
た形状のスペーサを着脱自在に取り付ける。その後、半
導体ウェーハをテンプレート内側のバックパッドに水の
表面張力によって吸着し、通常の研磨を施す。このと
き、半導体ウェーハの中央部が、スペーサによってその
外周部より研磨布に向かって突出しているので、ウェー
ハ中央部はその外周部に比べて、研磨布との単位時間当
たりの接触面積および単位面積当たりの圧力が大きくな
る。これにより、半導体ウェーハの外周ダレの発生を、
簡単かつ低コストで防止することができる。よって、例
えばＳＯＩウェーハを作製する際に、この外周ダレを原
因とするボイドの発生を防ぐことができる。

【００１７】また、このように半導体ウェーハの外周部
の裏面に、直接、スペーサを着脱自在に取り付けたの
で、研磨時、かりにテンプレートの内側で半導体ウェー
ハのガタつきが生じても、ウェーハ中央部では、ウェー
ハ外周部よりもテンプレートの端面から外方に突出する
部分が常に安定する。その結果、研磨中においてテンプ
レート内での半導体ウェーハのガタつきの有無にかかわ
りなく、半導体ウェーハの外周ダレを防止することがで
きる。しかも、半導体ウェーハの外周部の裏面に、直
接、スペーサを取り付けたので、オリフラ付きの半導体
ウェーハの研磨にも支障なく対応することができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例を説明す
る。図１は、この発明の第１の実施例に係るワックスレ
スマウント式研磨装置の縦断面図である。図２は、この
発明の第１の実施例に係るスペーサが貼着された半導体
ウェーハの斜視図である。図１において、１０はこの発
明の第１の実施例に係るワックスレスマウント式研磨装
置である。この研磨装置１０は、研磨定盤１１と、これ
に対向して上方に配設された研磨ヘッド１２とを備えて
いる。研磨定盤１１は、その上面に厚地のスポンジゴム
を介して研磨布１３が展張されている。研磨ヘッド１２
は、その下面に、ウェーハ固定用のテンプレート１４が
設けられている。

【００１９】研磨定盤１１および研磨ヘッド１２は円板
形で、対向する各面はそれぞれ平坦面である。これらの
研磨定盤１１および研磨ヘッド１２は、各回転軸を中心
にして、図示しない回転手段によってそれぞれ回転され
る。この研磨ヘッド１２は、回転軸の昇降により上下動
する。テンプレート１４は円形のリング状のガラスエポ
キシ板である。テンプレート１４は、研磨ヘッド１２の
下面に貼着されたバックパッド１５を介して、研磨ヘッ
ド１２の下面に設けられている。テンプレート１４の厚
さは、シリコンウェーハＷと略同じである。図１，図２
に示すように、バックパッド１５はスウェード製であ
り、厚さはパッド全域で均一である。研磨されるシリコ
ンウェーハＷはＣＺウェーハである。

【００２０】この第１の実施例の特長は、シリコンウェ
ーハＷの外周部の裏面（研磨面とは反対側の面）に環状
のスペーサ１６を着脱自在に貼着し、シリコンウェーハ
Ｗの外周部を、シリコンウェーハＷの中央部よりも下方
に向かって所定高さｄだけ突出させて研磨する点であ
る。スペーサ１６は、厚さ２００μｍ以下、半径方向の
幅が５ｍｍ以下の円形のリング形状、または、シリコン
ウェーハＷの外周部と相似形状の樹脂テープである。ス
ペーサ１６をシリコンウェーハＷの外周に沿って、この
シリコンウェーハＷの下面に貼着することで、研磨時に
前記シリコンウェーハＷの外周部が、テンプレート１４
の外縁面から幅ｄだけ外方へ突出する。

【００２１】次に、この第１の実施例に係るワックスレ
スマウント式研磨装置１０を用いたシリコンウェーハＷ
のワックスレスマウント式研磨方法を説明する。図１に
示すように、シリコンウェーハＷの研磨時には、テンプ
レート１４を所定位置に装着し、バックパッド１５に純
水などを所定量供給しておく。その後、スペーサ１６を
裏面に貼着したシリコンウェーハＷをテンプレート１４
に収納する。これにより、シリコンウェーハＷの裏面側
が、水の表面張力によりバックパッド１５に吸着・保持
される。このとき、シリコンウェーハＷの中央部の表面
（研磨面）は、テンプレート１４の下縁面と略同じ高さ
となる。しかも、スペーサ１６によりシリコンウェーハ
Ｗの最外周部の表面が、ウェーハ中央部から高さｄだけ
下方に向かって突出する。その後、砥粒を含む研磨剤を
供給しながら、研磨ヘッド１２を研磨定盤１１上で自転
および公転させ、シリコンウェーハＷの表面を研磨布１
３により研磨する。

【００２２】このような研磨を実施するので、シリコン
ウェーハＷの外周部はその中央部に比べて、研磨布１３
との単位時間当たりの接触面積および単位面積当たりの
圧力が大きくなる。その結果、シリコンウェーハＷの外
周部の研磨量が、この中央部よりも増える。したがっ
て、研磨前のエッチドウェーハの外周部の裏面形状がダ
レていても、研磨後、シリコンウェーハＷをバックパッ
ド１５から剥離した時に、ウェーハ表面へのダレの転写
によるシリコンウェーハＷの外周立ちの分だけ、あらか
じめシリコンウェーハＷの外周部の表面が研磨される。
これにより、シリコンウェーハＷの外周立ちを防止する
ことができる。その結果、シリコンウェーハＷの表面の
平坦性が改善される。よって、例えばＳＯＩウェーハを
作製する際、この外周立ちを原因とする活性層用ウェー
ハと支持基板用ウェーハとの張り合わせ界面でのボイド
の発生を防ぐことができる。また、この第１の実施例で
は、このようにシリコンウェーハＷの外周部の裏面に、
直接、スペーサ１６を貼着している。そのため、研磨
時、かりにテンプレート１４の内側でシリコンウェーハ
Ｗのガタつきが生じても、シリコンウェーハＷの外周部
は、ウェーハ中央部よりも外方へ突出する部分が常時一
定となる。その結果、研磨中におけるテンプレート１４
内でのシリコンウェーハＷのガタつきの有無にかかわり
なく、このシリコンウェーハＷの外周立ちを防止するこ
とができる。しかも、このようにシリコンウェーハＷの
外周部の裏面に、直接、スペーサ１６を取り付けたの
で、オリフラ付きのシリコンウェーハＷの研磨にも支障
なく対応することができる。

【００２３】次に、図３および図４に基づき、この発明
の第２の実施例を説明する。図３は、この発明の第２の
実施例に係るワックスレスマウント式研磨装置の縦断面
図である。図４は、この発明の第２の実施例に係るスペ
ーサが貼着された半導体ウェーハの斜視図である。図３
および図４に示すように、この第２の実施例のワックス
レスマウント式研磨装置２０の特長は、シリコンウェー
ハＷの中央部の裏面に略円形状のスペーサ１６Ａを着脱
自在に貼着し、ウェーハ中央部をウェーハ外周部よりも
若干研磨量を多くして研磨する点である。

【００２４】スペーサ１６Ａは、厚さ２００μｍ以下、
シリコンウェーハＷの直径より２ｍｍ以上小径な略円形
状、または、シリコンウェーハＷと相似形状の樹脂テー
プである。スペーサ１６ＡをシリコンウェーハＷの中央
部の下面に貼着することで、研磨時にシリコンウェーハ
Ｗの中央部が、テンプレート１４の外縁面から幅ｄだけ
外方へ突出する。これにより、ウェーハ中央部はその外
周部に比べて、研磨布１３との単位時間当たりの接触面
積および単位面積当たりの圧力が大きくなる。その結
果、シリコンウェーハＷの外周ダレの発生を、簡単かつ
低コストで防止することができる。よって、例えばＳＯ
Ｉウェーハを作製する際に、この外周ダレを原因とする
活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとの張り合わせ
界面でのボイドの発生を防ぐことができる。

【００２５】また、このようにシリコンウェーハＷの中
央部の裏面に、直接、スペーサ１６Ａを着脱自在に取り
付けたので、研磨時、かりにテンプレート１４の内側で
シリコンウェーハＷのガタつきが生じた場合でも、シリ
コンウェーハＷの中央部では、その外周部よりもテンプ
レート１４の端面から外方に突出する部分が常に安定す
る。これにより、研磨中においてテンプレート１４内で
のシリコンウェーハＷのガタつきの有無にかかわりな
く、シリコンウェーハＷの外周ダレを防止することがで
きる。その他の構成、作用および効果は、第１の実施例
と略同様であるので、説明を省略する。

【００２６】

【発明の効果】この請求項１の発明によれば、半導体ウ
ェーハの外周部の研磨面とは反対側の面に着脱自在に取
り付けられたスペーサによって、半導体ウェーハの外周
部を、その中央部より研磨布に向かって突出させて研磨
するので、研磨中におけるテンプレート内での半導体ウ
ェーハのガタつきの有無にかかわりなく、半導体ウェー
ハの外周立ちの発生を簡単かつ低コストで防止すること
ができる。これにより、例えば張り合わせウェーハの製
造時に、この外周立ちを原因とする半導体ウェーハと半
導体ウェーハとの張り合わせ界面におけるボイドの発生
を防ぐことができる。このような効果は、オリフラ付き
の半導体ウェーハの研磨時にも得られる。

【００２７】また、請求項３の発明によれば、半導体ウ
ェーハの中央部の研磨面とは反対側の面に着脱自在に取
り付けられたスペーサによって、半導体ウェーハの中央
部を、その外周部より研磨布に向かって突出させて研磨
するので、研磨中におけるテンプレート内での半導体ウ
ェーハのガタつきの有無にかかわりなく、半導体ウェー
ハの外周ダレの発生を簡単かつ低コストで防止すること
ができる。これにより、例えば張り合わせウェーハの製
造時に、この外周ダレを原因とする半導体ウェーハと半
導体ウェーハとの張り合わせ界面におけるボイドの発生
を防ぐことができる。この効果は、同じくオリフラ付き
の半導体ウェーハの研磨時にも得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施例に係るワックスレスマ
ウント式研磨装置の縦断面図である。

【図２】この発明の第１の実施例に係るスペーサが貼着
された半導体ウェーハの斜視図である。

【図３】この発明の第２の実施例に係るワックスレスマ
ウント式研磨装置の縦断面図である。

【図４】この発明の第２の実施例に係るスペーサが貼着
された半導体ウェーハの斜視図である。

【図５】従来手段に係るワックスレスマウント式研磨方
法が適用された研磨装置の研磨中の状態を示す縦断面図
である。

【符号の説明】

１３ 研磨布、 １２ 研磨ヘッド、 １４ テンプレート、 １５ バックパッド、 １６，１６Ａ スペーサ、 Ｗ シリコンウェーハ（半導体ウェーハ）。

フロントページの続き (72)発明者 小松 圭 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 Ｆターム(参考） 3C058 AA07 AB04 CB01 DA17

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 環状のテンプレートの内側に半導体ウェ
   ーハを収容するとともに、この半導体ウェーハと研磨ヘ
   ッドとの間にバックパッドを介在させて半導体ウェーハ
   を研磨するワックスレスマウント式研磨方法において、 前記半導体ウェーハの外周部の研磨面とは反対側の面
   に、該半導体ウェーハの外周部をその中央部より研磨布
   に向かって所定高さだけ突出した状態で保持するスペー
   サを着脱可能に取り付けて半導体ウェーハを研磨するワ
   ックスレスマウント式研磨方法。
2. 【請求項２】 前記スペーサは、厚さが２００μｍ以下
   で、半径方向の幅が５ｍｍ以下の略環状のテープである
   請求項１に記載のワックスレスマウント式研磨方法。
3. 【請求項３】 環状のテンプレートの内側に半導体ウェ
   ーハを収容するとともに、この半導体ウェーハと研磨ヘ
   ッドとの間にバックパッドを介在させて半導体ウェーハ
   を研磨するワックスレスマウント式研磨方法において、 前記半導体ウェーハの中央部の研磨面とは反対側の面
   に、該半導体ウェーハの中央部をその外周部より研磨布
   に向かって所定高さだけ突出した状態で保持するスペー
   サを着脱可能に取り付けて半導体ウェーハを研磨するワ
   ックスレスマウント式研磨方法。
4. 【請求項４】 前記スペーサは、厚さが２００μｍ以下
   で、該半導体ウェーハの直径より２ｍｍ以上小さい直径
   を有する略円形状のテープである請求項３に記載のワッ
   クスレスマウント式研磨方法。