JP2003177077A - 光マルチパス測定方法 - Google Patents

光マルチパス測定方法

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JP2003177077A
JP2003177077A JP2002274045A JP2002274045A JP2003177077A JP 2003177077 A JP2003177077 A JP 2003177077A JP 2002274045 A JP2002274045 A JP 2002274045A JP 2002274045 A JP2002274045 A JP 2002274045A JP 2003177077 A JP2003177077 A JP 2003177077A
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signal
optical
light
frequency
amplitude
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JP2002274045A
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Hiroaki Yamamoto
浩明 山本
Kuniaki Uchiumi
邦昭 内海
Katsuyuki Fujito
克行 藤戸
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】高周波の受光回路を必要とせず、しかもパラメ
ータの設定が従来に比べてより一層容易な光マルチパス
測定方法を提供することを目的とする。 【構成】被測定信号の占有周波数帯域外で少なくとも一
つの周波数を有する帯域制限信号を、周期Tの繰り返し
信号で周期Tの時間内にある一定時間だけ出力信号振幅
が0になるように振幅変調する振幅変調回路150と、
この振幅変調した信号と振幅値が一定の被測定信号を合
成する合成器130と、光源から出力される信号光を合
成した信号で光強度変調する光送信器110と、光強度
変調した信号光を光伝送路200を介して光受信器31
0に伝送し、光受信器310で電気信号に変換し、この
電気信号から被測定信号を抽出し、光伝送路上に存在す
る反射点の間隔、反射率を算出する観測系320等を備
える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信に用いられる光
伝送路や光通信素子の光反射特性を測定する光マルチパ
ス測定方法に関する。
【0002】
【従来の技術】光通信システムに用いられる光伝送路上
には、光学素子の接続面や端面、光ファイバの接続点等
で光が反射する場合がある。このような反射点が複数個
あると、反射点間で信号光が多重反射を起こす。そのた
め、光受信器には反射点を透過した直接光の他に多重反
射による遅延光が入射する。このように光伝送路上でマ
ルチパスが生じると以下のような課題が生じる。
【0003】アナログ信号光を伝送した場合、伝送後に
相互変調歪や高調波歪が増加することが知られている。
例えば、文献1:J.H.Angenent et al.,"Distortionof
a multicarrier signal due tooptical reflections.",
ECOC91&IOOC, WeC8-4, pp.569-571, 1991等である。
【0004】光伝送路上のマルチパスに起因する歪の増
加の原因は次の通りである。
【0005】マルチパスによって受光回路には直接光と
遅延光の2つの信号光が入射する。この2つの信号光の
ビートが受光回路で電気信号として検出される。このビ
ートがマルチパスによる歪である。
【0006】ディジタル信号光を伝送した場合、受信信
号のアイ開口率が遅延光のために減少する。
【0007】以上のことから、反射点の位置、反射点間
距離、反射率を測定することは、システムの保守上たい
へん重要である。
【0008】従来の反射点間距離および反射率を測定す
る方法として、光源に低歪特性を有する半導体レーザを
用い、正弦波信号で信号光を光強度変調して伝送し、そ
のときの高調波歪あるいは相互変調歪を検出して行うも
のがある。その方法を以下に説明する。
【0009】光伝送路上に反射点が2カ所あり、それぞ
れの反射率をR1、R2とする。反射点間距離をLとす
る。半導体レーザに周波数がf1のキャリア信号を入力
したときのマルチパスによるk次の高調波歪は近似的に
次式で与えられる。
【0010】
【数1】HMD(kf1)=R12ξ(2/m)2・si
2(2πντ+θk)・{Jk(B1)}2
(k=2,3,…) 半導体レーザに周波数がそれぞれf1とf2の2つのキャ
リア信号を入力したときの周波数が2f1±f2における
3次の相互変調歪は近似的に次式で与えられる。ただ
し、2つのキャリア信号の振幅値はともに等しいものと
する。
【0011】
【数2】IM3(2f1±f2)=R12ξ(4/m)2
・sin2(2πντ+θ12)・{J2(B1)J
1(B2)}2 ただし、
【0012】
【数3】Bj=2{(ΔF/ΔI)Ibtm/fj}sin
(πfjτ) (j=1,2)
【0013】
【数4】τ=2L/c ここで、ξは直接光と遅延光の偏波のカップリング係
数、mは変調度、Jk(Bj)はBjを変数とするk次の
ベッセル関数、νは光周波数、θkとθ12は直接光と遅
延光の位相差、(ΔF/ΔI)は半導体レーザにおける
単位電流当たりの発振光周波数のチャープ量、Ibtは半
導体レーザにおけるバイアス電流としきい値電流の差、
τは直接光と遅延光の時間差、cは光伝送路における光
速度である。(数1)のHMDと(数2)のIM3は、
ともにキャリア信号の振幅値で規格化してある。
【0014】(数1)のHMDと(数2)のIM3の計
算式で示すように、マルチパスによって生じる歪は光周
波数νに対し周期的に変動する。νを変化させ、歪が変
動する周期から反射点間距離Lを簡単に求めることがで
きる。また、歪の最大値から2つの反射率の積R12
求めることができる。
【0015】以上のように高調波歪や相互変調歪から、
光伝送路上の反射点の反射率や反射点間距離を算出する
ことができる。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の測定方法に
おける課題を説明する。 ・課題1:光のマルチパスを高調波歪の値を用いて測定
する場合、キャリア信号の周波数が高周波になるに従っ
て測定が困難になる。光受信系では、キャリア信号の2
次あるいは3次の高調波歪を測定しなければならない。
そのため、広帯域の受光素子、高周波用電気アンプが必
要になる。 ・課題2:光のマルチパスを相互変調歪の値を用いて測
定する場合、実験のパラメータが多い。(数2)に示す
ように相互変調歪の値は、2つのキャリア信号の周波数
と変調度に大きく依存する。反射点の反射率を算出する
場合にパラメータの値を細かく取る必要がある。従っ
て、測定の簡素化が困難である。 ・課題3:遅延光が1つの場合、光周波数νに対し、
(数1)(数2)に示す歪の値は周期的に変動すること
から反射点間距離は容易に導出できる。しかし、反射点
が3つ以上あり遅延光が2つ以上になると、歪の光周波
数νに対する特性は複雑に変化し、それぞれの反射点間
距離を求めることは極めて困難になる。
【0017】本発明は、従来の方法のこのような課題を
考慮し、請求項1から請求項6の発明は、高周波の受光
回路を必要とせず、しかもパラメータの設定が従来に比
べてより一層容易な光マルチパス測定方法を提供するこ
とを目的とし、
【0018】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明にかかる
光マルチパス測定方法は、光通信に用いられる光伝送路
上の光学素子の端面及び/又は光ファイバの接続点に存
在する反射点の間隔及び/又は反射率を測定するための
光マルチパス測定方法において、被測定信号の占有周波
数帯域外であり且つ少なくとも一つの周波数を有する帯
域制限信号を周期Tの繰り返し信号で前記周期Tの時間
内にある一定時間だけ出力信号振幅値が前記被測定信号
の振幅値に比べて十分小さくなるように振幅変調し、前
記振幅変調された信号とある一定の振幅値を有する前記
被測定信号を合成し、光源から出力される信号光を合成
された信号で光強度変調し、前記光強度変調された信号
光を光伝送路へ送信し、前記光伝送路を介して受信した
前記信号光を電気信号に変換し、前記電気信号のうち前
記被測定信号を抽出し、前記信号光の中心光周波数に対
する前記被測定信号が受けた振幅変動分の特性あるいは
前記被測定信号の搬送波周波数に対する前記被測定信号
が受けた振幅変動分の特性に基づいて、前記の光伝送路
上に存在する反射点の間隔及び/又は反射率を算出する
ことを特徴とする光マルチパス測定方法である。
【0019】請求項2の発明にかかる光マルチパス測定
方法では、少なくとも一つの周波数を有する帯域制限信
号を、周波数が互いに異なる正弦波信号とする。
【0020】請求項3の発明にかかる光マルチパス測定
方法では、少なくとも一つの周波数を有する帯域制限信
号を、フィルタリングされた雑音とする。
【0021】請求項4の発明にかかる光マルチパス測定
方法では、少なくとも一つの周波数を有する帯域制限信
号を、一定振幅で周波数変調された信号とする。
【0022】請求項5の発明にかかる光マルチパス測定
方法では、周期Tの繰り返し信号の波形を方形波とす
る。
【0023】請求項6の発明にかかる光マルチパス測定
方法では、周期Tの繰り返し信号の波形を正弦波を半波
整流した波形とする。
【0024】
【作用】請求項1の発明にかかる光マルチパス測定方法
の作用について説明する。
【0025】例えば、周期Tの時間内にある一定時間だ
け包絡線の振幅値が実質的に0になる信号と振幅値が一
定の被測定信号を合成し、この合成信号を光伝送する。
光伝送路上に反射点が複数存在しマルチパスが生じる場
合、受信後に高調波歪や相互変調歪が増加すると同時に
混変調歪も増加する。この混変調歪の増加によって、被
測定信号の振幅変動分が増加する。このような場合、信
号光の中心光周波数に対する被測定信号が受けた振幅変
動分の特性あるいは被測定信号の搬送波周波数に対する
被測定信号が受けた振幅変動分の特性を調べることによ
り、光伝送路上に存在する反射点の間隔及び/又は、反
射率を算出することができる。
【0026】
【実施例】本発明にかかる一実施例について図面を参照
しながら説明する。
【0027】図1は、本発明にかかる一実施例の光マル
チパス測定方法を使用する装置(但し、光伝送路を含
む)の構成図であり、同図を用いて本実施例の構成を説
明する。
【0028】同図において、100は光信号送信部、2
00は光伝送路、300は光信号受信部である。光信号
送信部100において、110は光送信器、120は帯
域制限信号発生回路、130は合成器、140は周波数
がf1で振幅値が一定の正弦波を発生する被測定信号発
生回路、150は振幅変調回路、160は周期Tの繰り
返し信号を発生する繰り返し信号発生回路、170は被
測定信号発生回路140から出力される被測定信号、1
80は帯域制限信号発生回路120からの出力信号でそ
の周波数帯域はfa〜fbとする。181は振幅変調回路
150からの出力信号である。光伝送路200におい
て、210と220は反射点、230は直接光、240
は遅延光である。光信号受信部300において、310
は光受信器、320は観測系である。観測系320にお
いて、330は帯域通過フィルタ、340はスペクトラ
ムアナライザ、350はオシロスコープ、370は帯域
通過フィルタ330を通過した後の被測定信号である。
なお、信号180の周波数帯域には、信号170の周波
数は含まないものとする。また、この例では、光伝送路
200上の反射点の数を2つとした。
【0029】以上の構成をなす本実施例の装置の動作を
述べながら、本発明の光マルチパス測定方法の一実施例
を図面を用いて説明する。
【0030】繰り返し信号発生回路160から出力され
る繰り返し信号の周期Tは任意であるが、好ましくは信
号170の周波数f1や信号180の周波数帯域fa〜f
bに比べ十分低周波の方がよい。例えば、f1やfa〜fb
は数10MHz〜数100MHzであり、1/Tは数1
0kHzであるとする。振幅変調回路150では、信号
180を繰り返し信号発生回路160からの出力信号で
振幅変調する。振幅変調された信号181と信号170
を合成器130で加算し光送信器110に入力する。
【0031】光送信器110では、合成器130からの
信号で信号光を強度変調し出力する。信号光を強度変調
する方法として、半導体レーザを直接強度変調する方法
や、光源とLiNbO3等の外部変調器を組み合わせた
外部変調方法などがある。
【0032】光送信器110からの信号光を光伝送路2
00を介して伝送し、光受信器310で電気信号に復調
する。
【0033】観測系320において、先ず帯域通過フィ
ルタ330で周波数がf1の信号を抽出する。スペクト
ラムアナライザ340で包絡線検波する。その出力信号
をオシロスコープ350に入力し振幅変動分を測定す
る。なお、スペクトラムアナライザ340で周波数がf
1の信号のスペクトルを観測し、搬送波成分と側帯波成
分の大きさから振幅変動分を算出することも可能であ
る。
【0034】光伝送路200上に反射点210と反射点
220があるとする。反射点210と220の反射率を
それぞれR1、R2とする。光受信器310には、2つの
反射点210、220を通過してくる直接光230と、
2つの反射点間で1往復してくる遅延光240の2つの
信号光が入射する。反射点210と220で2往復以上
した信号光は2つの反射点210、220の反射率が十
分小さいと仮定し影響はないものとする。
【0035】光伝送路200上にマルチパスが存在する
ときに、受信後の信号370の振幅変動分が増加する原
理を図2を用いて説明する。
【0036】光信号送信部100において、振幅変調回
路150から出力される信号181の波形は、図2
(1)に示すように周期Tのうち振幅値が存在する時間
1と振幅値が0になる時間T2に分けられる。
【0037】尚、時間T2での振幅値は、0であること
が望ましいが、必ずしも0でなくてもよく、信号170
の振幅値に比べて十分小さい振幅値であればよい。例え
ば、時間T2での振幅値は、信号170の振幅値に対し
て、1/10程度のものであってもよい。時間T1
は、信号170と信号181で信号光を光強度変調する
ため、光スペクトルは図2(2)に示すように広がる。
そのため、信号370の周波数に生じるマルチパスによ
る歪量は小さい。時間T2では、ほとんど信号170だ
けで信号光を光強度変調するため、光スペクトルは狭帯
域化する。そのため、信号370の周波数に生じるマル
チパスによる歪量は、時間T1の場合に比べ大きく生じ
る。図2(3)に示すように信号370の波形(c)
は、マルチパスによる歪がないときの波形(b)とマル
チパスによる歪の波形(a)の加算で与えられる。信号
370の振幅変動分XMD(=B/A)は、時間T2
生じる歪が支配的であることがわかる。光源に半導体レ
ーザを用い直接強度変調したときの信号370の振幅変
動分XMDの近似式を(数5)に示す。ただし、時間T
1と時間T2は等しいとする。光送信器110や光受信器
310等で生じる混変調歪の大きさは十分小さいものと
する。
【0038】
【数5】XMD=R12ξ(4/m)2・sin2(2π
ντ+θ)・{J1(B1)}2 ただし、mは信号170に対する光強度変調の変調度で
ある。B1は(数3)で与えられる。
【0039】反射点210と反射点220の間の距離L
の求め方について説明する。
【0040】(1)反射点間距離Lが数10cm以下の
とき。
【0041】光源が1.3μm帯半導体レーザの場合、
発振光周波数νは半導体レーザの温度が1℃変化すると
約12GHz変わる。反射点210と反射点220の間
の距離Lが10cmとすると、XMDは約0.04℃毎
に変化する。すなわち、Lが数10cm以下であれば、
半導体レーザの温度を数℃の範囲で変化させXMDの温
度変動の周期からLを求めることができる。
【0042】(2)反射点間距離Lが数10cm以上の
とき。
【0043】反射点間距離Lが数10cm以上になる
と、XMDの温度変動の周期は大変短くなり正確な測定
が困難になる。(数5)中のB1は、(数3)で示すよ
うに信号170の周波数f1に対し周期的に変化する。
すなわち、周波数f1を変化させることにより、XMD
は周期的に変化する。この周期から反射点間距離Lを求
めることができる。例えば、Lが1mとすると、XMD
の変動の周期は100MHzになる。
【0044】反射率の積R12は、(数5)を用いて計
算することができる。
【0045】すなわち、ξ=1、sin2(2πντ+
θ)=1となるようにファイバの偏波状態および信号光
の光周波数を制御し、このときのXMDを測定する。変
調度mとJ1(B1)は既知なので、これらの値を用いて
反射率の積R12を算出する。 ところで、信号370
の振幅変動分XMDは、信号180の周波数帯域が広く
各周波数の振幅値がある程度大きいときに近似式(数
5)が成り立つ。そこで、図1の帯域制限信号発生回路
120から出力される信号180については、請求項2
〜4に示すように、周波数が互いに異なる2波以上の正
弦波信号やフィルタリングされた雑音、一定振幅で周波
数変調された信号を使用する。ただし、信号180の周
波数帯域には、信号170の周波数は含まないものとす
る。
【0046】図1の繰り返し信号発生回路160から出
力される信号としては、周期Tの時間内にある一定時間
だけ信号180の振幅値を0にする波形が必要である。
そこで、請求項5と請求項6に示すように、方形波ある
いは、正弦波を半波整流した波形を使用する。
【0047】信号370の振幅変動分XMDを測定する
場合、光受信系の周波数帯域は信号370の搬送波周波
数f1の近傍だけでよい。また、(数5)に示すよう
に、XMDは信号170の周波数や変調度に依存し信号
180の周波数や変調度にほとんど依存しない。従っ
て、反射点の間隔や反射率を算出する際のパラメータを
少なくすることができる。
【0048】このように、上記実施例によれば、周期T
の時間内にある一定時間だけ包絡線の振幅値が0になる
信号と振幅値が一定の被測定信号を合成して光伝送し、
受信後の被測定信号が受けた振幅変動分の特性を調べる
ことにより、光伝送路上に存在する反射点の間隔、反射
率を算出する方法は、光受信系の周波数帯域が被測定信
号の搬送波周波数の近傍だけでよく、また、反射点の間
隔や反射率を算出する際のパラメータの数を少なくする
ことができるという優れた効果を奏する。
【0049】図3は、本発明にかかる他の実施例の光マ
ルチパス測定方法を使用する装置(但し、光伝送路を含
む)の構成図であり、同図を用いて本実施例の構成を説
明する。
【0050】同図において、500は光信号送信部、6
00は光伝送路、700は光信号受信部である。光信号
送信部500において、510は光送信器、520はラ
ンプ信号発生回路である。光伝送路600において、6
11〜613は反射点、620は直接光、631〜63
3は遅延光である。光信号受信部700において、71
0は光受信器、720はスペクトラムアナライザであ
る。
【0051】以上の構成をなす本実施例の装置の動作を
述べながら、本発明の光マルチパス測定方法の一実施例
を図面を用いて説明する。
【0052】ランプ信号発生回路520からランプ信号
を発生させ、光送信器510に入力する。光送信器51
0では、ランプ信号の大きさに応じて信号光の光周波数
を直線的に変化させて出力する。その信号光を光伝送路
600を介して伝送し、光受信器710で電気信号に復
調する。光送信器510において、信号光の光周波数を
掃引する方法は、半導体レーザの注入電流を変化させ
る、動作温度を変化させる、あるいはグレーティングと
半導体レーザを組み合わせた外部共振器型レーザのグレ
ーティングの角度を変える等がある。
【0053】光伝送路600上に反射率がそれぞれ
1、R2、R3の反射点631、632、633がある
とする。光受信器710には、全ての反射点を通過して
くる直接光620と、3つの反射点のうち2つの反射点
間で1往復してくる遅延光631〜633の合計4つの
信号光が入射する。なお、R1、R2、R3は小さい値な
ので、3カ所以上の反射点で多重反射した遅延光は無視
できるものとする。
【0054】図4(1)に光受信器710における直接
光620と遅延光631〜633の光周波数の時間変化
を示す。光送信器510から出力される信号光の光周波
数は、単位時間当たりγ[Hz/sec]で掃引される
ものとする。また、反射点611と612の距離を
1、反射点612と613の距離をL2、反射点611
と613の距離をL3(=L1+L2)とする。遅延光6
31〜633の直接光620に対する遅延時間をそれぞ
れτ1、τ2、τ3とする。τ1〜τ3とL1〜L3の関係は
(数4)で与えられる。
【0055】光受信後の直接光と遅延光のビートによっ
て生じる光電流は、直接光と遅延光の時間差に比例した
周波数成分を持つ。直接光620と遅延光631のビー
ト信号の電流Ibeatは、(数6)で与えられる。
【0056】
【数6】Ibeat=Ib1・cos(2πfb1t+φ1) ただし、
【0057】
【数7】fb1=γτ1(=2γL1/c) である。(数6)において、Ib1はビート信号の電流振
幅値、φ1は直接光620と遅延光631の位相差を示
す。
【0058】図4(2)にスペクトラムアナライザ72
0で観測したビート信号のスペクトル分布の例を示す。
周波数fb1、fb2、fb3から(数7)を用いてτ1〜τ3
を得、L1〜L3を求めることができる。
【0059】次に、ビート信号の電流振幅値Ib1
b2、Ib3から、反射点の反射率を求める方法について
説明する。
【0060】Ib1、Ib2、Ib3はそれぞれ次式で与えら
れる。
【0061】
【数8】Ib1=2I0(R121/2
【0062】
【数9】Ib2=2I0(R231/2
【0063】
【数10】Ib3=2I0(R131/2 ただし、I0は直接光の受光電流を示す。これより、
【0064】
【数11】R1=(2I0-1・Ib1b3/Ib2
【0065】
【数12】R2=(2I0-1・Ib1b2/Ib3
【0066】
【数13】R3=(2I0-1・Ib2b3/Ib1 となる。以上から反射率R1、R2、R3を算出すること
ができる。なお、上述の例では、反射点の数を3とした
が、それ以外であっても良い。
【0067】以上のように、光源の光周波数を掃引する
ことで複数の反射点間距離と各反射点の反射率を求める
ことができる。
【0068】このように、上記実施例によれば、光源か
ら出力される信号光の光周波数を直線状に掃引し、受信
後の光電流のスペクトル分布上のピーク値のレベル及び
周波数から光伝送路上に存在する反射点の位置、反射率
を算出する方法は、反射点が3つ以上であっても反射点
間距離と各反射点の反射率を求めることができるという
優れた効果を奏する。
【0069】尚、上記実施例では、ランプ信号発生回路
520を使用する場合について説明したが、これに限ら
ず、例えば、ランプ信号発生回路520を鋸歯信号発生
回路に置き換えたものでもよいし、あるいは、三角波信
号発生回路に置き換えたものでもよい。何れの回路を利
用しても動作および得られる効果は上記実施例と同様で
ある。
【0070】
【発明の効果】以上述べたところから明らかなように本
発明は、反射点の間隔及び/又は反射率を算出する際の
パラメータの数を従来に比べてより一層少なくすること
が出来るという長所を有する。
【0071】又、本発明は、複数の遅延光がある場合で
も、反射点間距離及び/又は各反射点の反射率を、従来
に比べてより一層容易に求めることが出来るという長所
を有する。
【図面の簡単な説明】
【0066】
【図1】本発明にかかる一実施例の光マルチパス測定方
法を使用する装置のブロック図。
【0067】
【図2】本実施例の光マルチパス測定方法における動作
原理図。
【0068】
【図3】本発明にかかる他の実施例の光マルチパス測定
方法を使用する装置ブロック図。
【0069】
【図4】他の実施例の光マルチパス測定方法における動
作原理図。
【0070】
【符号の説明】
100…光信号送信部 110…光送信器 120…帯域制限信号発生回路 130…合成器 140…被測定信号発生回路 150…振幅変調回路 160…繰り返し信号発生回路 170…被測定信号 180…帯域制限信号 181…帯域制限信号(振幅変調後) 200…光伝送路 210,220…反射点 230…直接光 240…遅延光 300…光信号受信部 310…光受信器 320…観測系 330…帯域通過フィルタ 340…スペクトラムアナライザ 350…オシロスコープ 370…被測定信号 500…光信号送信部 510…光送信器 520…ランプ信号発生回路 600…光伝送路 611〜613…反射点 620…直接光 631〜633…遅延光 700…光信号受信部 710…光受信器 720…スペクトラムアナライザ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤戸 克行 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 2G086 CC01 KK02 5K102 AA42 AH26 KA16 KA18 KA24 LA15 MH15

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光通信に用いられる光伝送路上の光学素
    子の端面及び/又は光ファイバの接続点に存在する反射
    点の間隔及び/又は反射率を測定するための光マルチパ
    ス測定方法において、 被測定信号の占有周波数帯域外であり且つ少なくとも一
    つの周波数を有する帯域制限信号を周期Tの繰り返し信
    号で前記周期Tの時間内にある一定時間だけ出力信号振
    幅値が前記被測定信号の振幅値に比べて十分小さくなる
    ように振幅変調し、 前記振幅変調された信号とある一定の振幅値を有する前
    記被測定信号を合成し、光源から出力される信号光を合
    成された信号で光強度変調し、 前記光強度変調された信号光を光伝送路へ送信し、 前記光伝送路を介して受信した前記信号光を電気信号に
    変換し、 前記電気信号のうち前記被測定信号を抽出し、 前記信号光の中心光周波数に対する前記被測定信号が受
    けた振幅変動分の特性あるいは前記被測定信号の搬送波
    周波数に対する前記被測定信号が受けた振幅変動分の特
    性に基づいて、前記の光伝送路上に存在する反射点の間
    隔及び/又は反射率を算出することを特徴とする光マル
    チパス測定方法。
  2. 【請求項2】 前記少なくとも一つの周波数を有する帯
    域制限信号は、周波数が互いに異なる正弦波信号からな
    ることを特徴とする請求項1記載の光マルチパス測定方
    法。
  3. 【請求項3】 前記少なくとも一つの周波数を有する帯
    域制限信号は、フィルタリングされた雑音からなること
    を特徴とする請求項1記載の光マルチパス測定方法。
  4. 【請求項4】 前記少なくとも一つの周波数を有する帯
    域制限信号は、一定振幅で周波数変調された信号からな
    ることを特徴とする請求項1記載の光マルチパス測定方
    法。
  5. 【請求項5】 前記周期Tの繰り返し信号は、その波形
    が方形波であることを特徴とする請求項1記載の光マル
    チパス測定方法。
  6. 【請求項6】 前記周期Tの繰り返し信号は、その波形
    が正弦波を半波整流した波形であることを特徴とする請
    求項1記載の光マルチパス測定方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015132565A (ja) * 2014-01-14 2015-07-23 国立研究開発法人情報通信研究機構 光ファイバ特性測定装置及び光ファイバ特性測定方法
US11402471B2 (en) * 2018-05-22 2022-08-02 Stanley Electric Co., Ltd. TOF range finder

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