JP2003172935A - Liquid crystal device, manufacturing method for liquid crystal device and electronic instrument - Google Patents
Liquid crystal device, manufacturing method for liquid crystal device and electronic instrumentInfo
- Publication number
- JP2003172935A JP2003172935A JP2001374229A JP2001374229A JP2003172935A JP 2003172935 A JP2003172935 A JP 2003172935A JP 2001374229 A JP2001374229 A JP 2001374229A JP 2001374229 A JP2001374229 A JP 2001374229A JP 2003172935 A JP2003172935 A JP 2003172935A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- alignment film
- alignment
- film
- crystal device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶装置とその製
造方法、及び電子機器に関し、特に、スメクティック液
晶にて構成される液晶装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal device, a method of manufacturing the same, and electronic equipment, and more particularly to a liquid crystal device composed of a smectic liquid crystal.
【0002】[0002]
【従来の技術】液晶プロジェクタ等の投射型表示装置に
搭載される光変調手段や、携帯電話等に搭載される直視
型表示装置として用いられる液晶装置としては、例えば
互いに対向配置された一対の基板間に液晶層が挟持され
た構成を具備し、これら基板の液晶層側にはその液晶層
に電圧を印加するための電極が形成されている。このよ
うな液晶装置においては、一対の基板の液晶層側最表面
に、電圧無印加時における液晶分子の配列を制御するた
めの配向膜が形成されており、電圧無印加時、電圧印加
時における液晶分子の配列変化に基づいて表示が行われ
る構成となっている。2. Description of the Related Art A liquid crystal device used as a light modulating means mounted in a projection type display device such as a liquid crystal projector or a direct view type display device mounted in a mobile phone or the like is, for example, a pair of substrates arranged to face each other. A liquid crystal layer is sandwiched therebetween, and electrodes for applying a voltage to the liquid crystal layer are formed on the liquid crystal layer side of these substrates. In such a liquid crystal device, an alignment film for controlling the alignment of liquid crystal molecules when no voltage is applied is formed on the outermost surface of the pair of substrates on the liquid crystal layer side. The display is performed based on the change in the alignment of the liquid crystal molecules.
【0003】配向膜としては、ポリイミド膜の表面を布
等により所定の方向にラビング処理したものが、液晶配
向規制力(液晶配向制御機能)に優れることから広く用
いられている。また、酸化珪素を斜方蒸着法により基板
表面に蒸着させた配向膜もあり、特に熱や光に対して安
定な膜として用いられている。As the alignment film, a polyimide film whose surface is rubbed in a predetermined direction with a cloth or the like is widely used because of its excellent liquid crystal alignment control force (liquid crystal alignment control function). There is also an alignment film in which silicon oxide is vapor-deposited on the substrate surface by the oblique vapor deposition method, and it is used as a film particularly stable against heat and light.
【0004】一方、上記液晶層を構成する液晶の種類と
しては、例えばネマティック液晶、スメクティック液晶
等が知られている。なかでも、強誘電性液晶であるスメ
クティック液晶にて液晶層を構成すると、電圧変化に対
する分子の配列変化が高速に行われるようになる。On the other hand, as the kind of liquid crystal constituting the above-mentioned liquid crystal layer, for example, nematic liquid crystal, smectic liquid crystal and the like are known. In particular, when the liquid crystal layer is composed of a smectic liquid crystal which is a ferroelectric liquid crystal, the arrangement of molecules is changed at a high speed in response to a voltage change.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スメク
ティック液晶を用いた強誘電性液晶表示素子では、二種
類の異なる配向状態が存在し、その境界部分において液
晶分子が異方向に傾くジグザグ欠陥と呼ばれる配向不良
が発生し、それにより光漏れが生じてコントラストが低
くなってしまう場合があった。特に、上記のようなラビ
ング処理を行ったポリイミド膜、或いは酸化珪素の斜方
蒸着膜を配向膜として用いた場合には、配向膜の配向能
力、配向方向が膜内で不均一となり、さらに液晶分子に
付与されるプレチルト角も場所により不均一となる場合
があるため、上記ジグザグ欠陥が一層発生し易くなる。However, in a ferroelectric liquid crystal display element using a smectic liquid crystal, there are two kinds of different alignment states, and at the boundary portion, an alignment called a zigzag defect in which liquid crystal molecules tilt in different directions. In some cases, defects occur, which causes light leakage and lowers the contrast. In particular, when a polyimide film subjected to the rubbing treatment as described above or an oblique deposition film of silicon oxide is used as the alignment film, the alignment ability and the alignment direction of the alignment film become nonuniform in the film, and the liquid crystal The pretilt angle imparted to the molecule may be nonuniform depending on the location, so that the zigzag defect is more likely to occur.
【0006】本発明の課題は、スメクティック液晶にて
液晶層を構成した場合にも、ジグザグ欠陥の生じ難い液
晶装置とその製造方法、及び該液晶装置を備えた電子機
器を提供することにある。An object of the present invention is to provide a liquid crystal device in which a zigzag defect is unlikely to occur even when a liquid crystal layer is made of a smectic liquid crystal, a method for manufacturing the liquid crystal device, and an electronic apparatus including the liquid crystal device.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の液晶装置は、互いに対向する一対の基板間
に液晶層が挟持された構成を備える液晶装置であって、
液晶層はスメクティック液晶を主体として構成されると
ともに、一対の基板のうち、少なくとも一方の基板の液
晶層側最表面には配向膜が形成され、該配向膜が、ポリ
イミド若しくは酸化珪素を主体として構成される第1配
向膜と、該第1配向膜よりも液晶層側に形成され、蒸着
により形成された有機蒸着膜を主体として構成される第
2配向膜とを具備してなることを特徴とする。なお、本
明細書において、「主体とする」成分とは、構成成分の
うち最も含有量の多い成分のことを言うものとする。In order to solve the above-mentioned problems, a liquid crystal device of the present invention is a liquid crystal device having a structure in which a liquid crystal layer is sandwiched between a pair of substrates facing each other.
The liquid crystal layer is mainly composed of smectic liquid crystal, and an alignment film is formed on the outermost surface of the liquid crystal layer side of at least one of the pair of substrates, and the alignment film is mainly composed of polyimide or silicon oxide. And a second alignment film which is formed closer to the liquid crystal layer than the first alignment film and is mainly composed of an organic vapor deposition film formed by vapor deposition. To do. In the present specification, the “mainly composed” component refers to a component having the largest content among the constituent components.
【0008】この場合、液晶層側最表面に形成される配
向膜において、蒸着により第1配向膜上に形成された第
2配向膜が液晶層との界面を形成するものとされてい
る。そして、蒸着により形成された有機蒸着膜を主体と
して構成される第2配向膜は、第1配向膜の配向方向に
沿って配向形成されるとともに、蒸着により形成される
ため配向能力並びに配向方向が膜面内で均一なものとな
り、さらに、液晶分子に付与されるプレチルト角も均一
なものとなる。したがって、スメクティック液晶を主体
として構成される液晶層を備える液晶装置において、配
向膜が均一な配向能力並びに配向方向の配向規制力を備
えるとともに、均一なプレチルト角付与能を備えるた
め、ジグザグ欠陥が生じにくくなり、その液晶装置を表
示装置として用いた場合には、光漏れによるコントラス
トの低下を防止ないし抑制することが可能となる。ま
た、第2配向膜は有機蒸着膜にて形成されているため、
第1配向膜の配向方向に沿って自身が配向形成されるた
め、液晶層に対して高く配向規制を行うことが可能であ
る。In this case, in the alignment film formed on the outermost surface on the liquid crystal layer side, the second alignment film formed on the first alignment film by vapor deposition forms the interface with the liquid crystal layer. Then, the second alignment film mainly composed of the organic vapor deposition film formed by vapor deposition is oriented along the alignment direction of the first alignment film, and since it is formed by vapor deposition, the alignment ability and the alignment direction are The film surface becomes uniform, and the pretilt angle given to the liquid crystal molecules becomes uniform. Therefore, in a liquid crystal device including a liquid crystal layer mainly composed of smectic liquid crystal, a zigzag defect occurs because the alignment film has a uniform alignment ability and an alignment regulating force in the alignment direction, and also has a uniform pretilt angle imparting ability. When the liquid crystal device is used as a display device, it is possible to prevent or suppress a decrease in contrast due to light leakage. Moreover, since the second alignment film is formed of an organic vapor deposition film,
Since the self-alignment is formed along the alignment direction of the first alignment film, it is possible to highly regulate the alignment of the liquid crystal layer.
【0009】上記ポリイミドを主体として構成される第
1配向膜は、ラビング処理が施された配向膜とすること
ができる。ラビング処理により配向規制力を付与された
ポリイミド配向膜は特に配向能力、配向方向、プレチル
ト角付与能(以下、これらを配向性能と言うこともあ
る)が膜内で不均一となり易いため、上記ジグザグ欠陥
が発生し易くなる場合がある。しかしながら、本発明で
はこのポリイミド配向膜の上層に第2配向膜を形成して
配向性能が均一な配向膜としたため、本発明のようなス
メクティック液晶を用いた液晶装置においてジグザグ欠
陥が生じ難いものとなり、この液晶装置を表示装置とし
て用いた場合には、光漏れによるコントラストの低下を
防止ないし抑制することが可能となる。The first alignment film mainly composed of the polyimide may be a rubbing-processed alignment film. The polyimide alignment film to which the alignment regulating force is given by the rubbing treatment tends to have non-uniformity in the film particularly in the alignment ability, the alignment direction, and the pretilt angle imparting ability (hereinafter, these may be referred to as alignment performance). Defects may occur easily. However, in the present invention, since the second alignment film is formed on the upper layer of this polyimide alignment film to form an alignment film having uniform alignment performance, a zigzag defect hardly occurs in the liquid crystal device using the smectic liquid crystal as in the present invention. When this liquid crystal device is used as a display device, it is possible to prevent or suppress deterioration of contrast due to light leakage.
【0010】また、上記酸化珪素を主体として構成され
る第1配向膜は、表面に柱状構造物を備える斜方蒸着膜
とすることができる。このような柱状構造物を備える斜
方蒸着膜は、特に上記配向性能が弱くまた膜内で不均一
となり易いため、上記ジグザグ欠陥が一層発生し易くな
る場合がある。しかしながら、本発明ではこの斜方蒸着
膜の上層に第2配向膜を形成して配向性能が均一な配向
膜としたために、スメクティック液晶を用いた液晶装置
においてジグザグ欠陥が生じ難いものとなり、その液晶
装置を表示装置として用いた場合には、光漏れによるコ
ントラストの低下を防止ないし抑制することが可能とな
る。なお、表面に柱状構造物を備える斜方蒸着膜は、酸
化珪素等の無機材料の斜方蒸着法にて形成することがで
きる。The first alignment film mainly composed of silicon oxide may be an oblique vapor deposition film having a columnar structure on the surface. The oblique deposition film provided with such a columnar structure has particularly weak alignment performance and is likely to be non-uniform within the film, and thus the zigzag defect may be more likely to occur. However, in the present invention, since a second alignment film is formed on the upper layer of this obliquely vapor-deposited film to form an alignment film having uniform alignment performance, a zigzag defect is less likely to occur in a liquid crystal device using a smectic liquid crystal. When the device is used as a display device, it is possible to prevent or suppress deterioration of contrast due to light leakage. The oblique vapor deposition film having a columnar structure on the surface can be formed by an oblique vapor deposition method using an inorganic material such as silicon oxide.
【0011】上記第2配向膜は、液晶性モノマーを重合
してなる液晶性モノマー由来高分子を主体として構成さ
れているものとすることができる。なお、ここで、液晶
性モノマーとは、自身が液晶相を取り得るもの、あるい
は自身は液晶相をとらないが、液晶相内に混入した際に
混合物の液晶状態を失わせることのないものとすること
ができる。このような液晶性モノマー由来高分子は、第
1配向膜の配向方向に沿って自身も配向可能なため、こ
れを主体として構成される第2配向膜を第1配向膜上に
形成した本発明の液晶装置における配向膜は、液晶分子
を高く配向規制することが可能となる。また、液晶性モ
ノマー由来高分子は、上記配向性能が膜面内で均一なも
のとなるため、スメクティック液晶を用いる本発明の液
晶装置においてジグザグ欠陥の発生を防止ないし抑制す
ることが可能となる。The second alignment film may be mainly composed of a liquid crystal monomer-derived polymer obtained by polymerizing a liquid crystal monomer. Here, the liquid crystal monomer means that the liquid crystal monomer itself can take a liquid crystal phase, or the liquid crystal monomer itself does not take the liquid crystal phase but does not lose the liquid crystal state of the mixture when mixed in the liquid crystal phase. can do. Since such a liquid crystalline monomer-derived polymer is also capable of aligning itself along the alignment direction of the first alignment film, a second alignment film mainly composed of the polymer is formed on the first alignment film according to the present invention. The alignment film in the liquid crystal device of (1) can highly regulate the alignment of liquid crystal molecules. In addition, since the liquid crystal monomer-derived polymer has the above-described alignment performance uniform in the film plane, it is possible to prevent or suppress the occurrence of zigzag defects in the liquid crystal device of the present invention using the smectic liquid crystal.
【0012】さらに、液晶性モノマー由来高分子は、液
晶性モノマーのイオン蒸着により第1配向膜上に形成す
ることが可能で、具体的には液晶性モノマーの一部をイ
オン化して第1配向膜上に蒸着させ、その第1配向膜上
で重合反応を進行させて液晶性モノマー由来高分子を含
む配向膜を形成することが可能である。したがって、こ
のような第2配向膜は第1配向膜の表面に沿って配向
し、その配向に基づき液晶分子に対し高い配向規制力を
付与することが可能で、さらに、蒸着により膜形成する
ため、配向性能が膜面内において均一となり、スメクテ
ィック液晶を用いる本発明の液晶装置においてジグザグ
欠陥の発生を防止ないし抑制することが可能となる。Further, the liquid crystal monomer-derived polymer can be formed on the first alignment film by ion vapor deposition of the liquid crystal monomer. Specifically, a part of the liquid crystal monomer is ionized to form the first alignment film. It is possible to form an alignment film containing a liquid crystal monomer-derived polymer by vapor-depositing on the film and proceeding a polymerization reaction on the first alignment film. Therefore, such a second alignment film is aligned along the surface of the first alignment film, and it is possible to impart a high alignment regulating force to liquid crystal molecules based on the alignment, and further, to form a film by vapor deposition. In addition, the alignment performance becomes uniform in the film plane, and it becomes possible to prevent or suppress the occurrence of zigzag defects in the liquid crystal device of the present invention using the smectic liquid crystal.
【0013】具体的に上記液晶性モノマーは、下記一般
式(1)、(2)、(3)のいずれかで表される1種若
しくは複数種の化合物を主体として構成されているもの
とすることができる。Specifically, the liquid crystal monomer is mainly composed of one or more compounds represented by any one of the following general formulas (1), (2) and (3). be able to.
【0014】[0014]
【化4】 [Chemical 4]
【0015】[0015]
【化5】 [Chemical 5]
【0016】[0016]
【化6】 [Chemical 6]
【0017】上記一般式(1)、(2)、(3)で表さ
れる化合物はいずれも棒状の分子構造を有し、それ自身
が液晶相を形成する液晶性モノマーまたは液晶分子に類
似した性質を有するモノマーである。また、第1配向膜
上にイオン蒸着法によりこれらのモノマーを蒸着する
と、重合反応が進行し、その重合体が第1配向膜の配向
方向に沿って配向形成される。しかも、上記一般式
(1)、(2)、(3)で表される化合物は、アクリレ
ート系又はメタクリレート系のモノマーであるため重合
反応性にも優れており、第1配向膜上にイオン蒸着法に
よりこれらのモノマーを蒸着すると、モノマーが自然に
重合してポリマー化する。さらに、これら一般式
(1)、(2)、(3)で表される液晶性モノマーをイ
オン蒸着により膜形成することにより、上記配向性能を
膜面内で一層均一なものとすることが可能となる。The compounds represented by the above general formulas (1), (2) and (3) all have a rod-shaped molecular structure and are similar to liquid crystal monomers or liquid crystal molecules which themselves form a liquid crystal phase. It is a monomer having properties. Further, when these monomers are vapor-deposited on the first alignment film by an ion vapor deposition method, a polymerization reaction proceeds, and the polymer is aligned and formed along the alignment direction of the first alignment film. In addition, the compounds represented by the general formulas (1), (2), and (3) are excellent in polymerization reactivity because they are acrylate-based or methacrylate-based monomers, and thus ion-deposited on the first alignment film. When these monomers are vapor-deposited by the method, the monomers spontaneously polymerize and polymerize. Further, by forming a film of the liquid crystalline monomers represented by the general formulas (1), (2) and (3) by ion vapor deposition, the alignment performance can be made more uniform in the film plane. Becomes
【0018】次に、以上のような本発明の液晶装置は、
以下のような方法により形成することができる。すなわ
ち、本発明の液晶装置の形成方法は、第1配向膜を形成
する第1配向膜形成工程と、第1配向膜上に第2配向膜
を形成する第2配向膜形成工程とを備え、第2配向膜形
成工程において、第2配向膜を上記液晶性モノマーを用
いた蒸着法により形成することを特徴とする。このよう
に第2配向膜を液晶性モノマーを用いた蒸着法により形
成することで、第1配向膜の配向方向に沿って第2配向
膜が配向し、上記配向性能が膜面内で均一な第2配向膜
を得ることが可能となる。Next, the liquid crystal device of the present invention as described above is
It can be formed by the following method. That is, the method for forming a liquid crystal device of the present invention includes a first alignment film forming step of forming a first alignment film and a second alignment film forming step of forming a second alignment film on the first alignment film. In the second alignment film forming step, the second alignment film is formed by a vapor deposition method using the above liquid crystalline monomer. By thus forming the second alignment film by a vapor deposition method using a liquid crystalline monomer, the second alignment film is aligned along the alignment direction of the first alignment film, and the alignment performance is uniform in the film plane. It is possible to obtain the second alignment film.
【0019】上記第2配向膜形成工程において、液晶性
モノマーをイオン蒸着させることにより第2配向膜を形
成することもできる。この場合、液晶性モノマーの一部
がイオン化された状態で第1配向膜に蒸着され、その第
1配向膜上でモノマーの重合が自然に進行するものとな
る。したがって、第1配向膜の配向方向に沿って第2配
向膜が配向し、上記配向性能が膜面内で均一な第2配向
膜を簡便に得ることができる。In the second alignment film forming step, the second alignment film can be formed by ion-depositing the liquid crystalline monomer. In this case, a part of the liquid crystalline monomer is vaporized on the first alignment film in an ionized state, and the polymerization of the monomer naturally proceeds on the first alignment film. Therefore, it is possible to easily obtain the second alignment film in which the second alignment film is aligned along the alignment direction of the first alignment film and the alignment performance is uniform in the film plane.
【0020】次に、本発明の電子機器は上述の本発明の
液晶装置を備えることを特徴とする。具体的には、上記
液晶装置を表示装置として用いることが可能で、このよ
うな電子機器は、スメクティック液晶にて構成された液
晶層を具備する表示装置を備えるものとなるため、特に
高速応答表示が可能な電子機器となる。Next, the electronic equipment of the present invention is characterized by including the above-mentioned liquid crystal device of the present invention. Specifically, the above liquid crystal device can be used as a display device, and such an electronic device includes a display device including a liquid crystal layer formed of a smectic liquid crystal, so that a particularly high-speed response display is provided. It becomes an electronic device that can.
【0021】[0021]
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る実施形態につ
いて図面を参照しつつ説明する。
[液晶装置]以下に示す本実施形態の液晶装置は、スイ
ッチング素子としてTFT(Thin-Film Transistor)素
子を用いたアクティブマトリクス型の透過型液晶装置で
ある。なお、本実施形態の液晶装置は、配向膜の構造が
特に特徴的なものとなっている。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. [Liquid Crystal Device] The liquid crystal device of this embodiment described below is an active matrix transmissive liquid crystal device using a TFT (Thin-Film Transistor) element as a switching element. The liquid crystal device of the present embodiment is particularly characterized by the structure of the alignment film.
【0022】図1は本実施形態の透過型液晶装置の画像
表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画
素におけるスイッチング素子、信号線等の等価回路図で
ある。図2はデータ線、走査線、画素電極等が形成され
たTFTアレイ基板の相隣接する複数の画素群の構造を
示す平面図である。図3は本実施形態の透過型液晶装置
の構造を示す断面図であって、図2のA−A’線断面図
である。図4は本実施形態の透過型液晶装置に備えられ
た配向膜を拡大して示す部分断面図である。なお、図3
においては、図示上側が光入射側、図示下側が視認側
(観察者側)である場合について図示している。また、
各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程
度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異なら
せてある。FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of switching elements, signal lines, etc. in a plurality of pixels arranged in a matrix forming an image display area of the transmissive liquid crystal device of this embodiment. FIG. 2 is a plan view showing a structure of a plurality of pixel groups adjacent to each other on a TFT array substrate on which data lines, scanning lines, pixel electrodes and the like are formed. FIG. 3 is a cross-sectional view showing the structure of the transmissive liquid crystal device of this embodiment and is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. FIG. 4 is an enlarged partial cross-sectional view showing an alignment film included in the transmissive liquid crystal device of this embodiment. Note that FIG.
In the figure, the upper side in the figure is the light incident side, and the lower side in the figure is the viewing side (observer side). Also,
In each drawing, the scale is made different for each layer and each member in order to make each layer and each member a size that can be recognized in the drawings.
【0023】本実施形態の透過型液晶装置において、図
1に示すように、画像表示領域を構成するマトリクス状
に配置された複数の画素には、画素電極9と当該画素電
極9への通電制御を行うためのスイッチング素子である
TFT素子30とがそれぞれ形成されており、画像信号
が供給されるデータ線6aが当該TFT素子30のソー
スに電気的に接続されている。データ線6aに書き込む
画像信号S1、S2、…、Snは、この順に線順次に供
給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線6aに
対してグループ毎に供給される。In the transmissive liquid crystal device of the present embodiment, as shown in FIG. 1, a plurality of pixels arranged in a matrix forming an image display area are provided with a pixel electrode 9 and a current supply control to the pixel electrode 9. And a TFT element 30, which is a switching element for performing the above, are formed, and the data line 6a to which the image signal is supplied is electrically connected to the source of the TFT element 30. The image signals S1, S2, ..., Sn to be written to the data line 6a are line-sequentially supplied in this order, or are supplied to a plurality of adjacent data lines 6a for each group.
【0024】また、走査線3aがTFT素子30のゲー
トに電気的に接続されており、複数の走査線3aに対し
て走査信号G1、G2、…、Gmが所定のタイミングで
パルス的に線順次で印加される。また、画素電極9はT
FT素子30のドレインに電気的に接続されており、ス
イッチング素子であるTFT素子30を一定期間だけオ
ンすることにより、データ線6aから供給される画像信
号S1、S2、…、Snを所定のタイミングで書き込
む。Further, the scanning line 3a is electrically connected to the gate of the TFT element 30, and the scanning signals G1, G2, ..., Gm are pulse-sequentially line-sequential to the plurality of scanning lines 3a at a predetermined timing. Is applied at. In addition, the pixel electrode 9 is T
, Sn, which are electrically connected to the drain of the FT element 30 and are turned on for a certain period of time, by switching the TFT element 30 which is a switching element, the image signals S1, S2, ... Write in.
【0025】画素電極9を介して液晶に書き込まれた所
定レベルの画像信号S1、S2、…、Snは、後述する
共通電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加さ
れる電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化する
ことにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここ
で、保持された画像信号がリークすることを防止するた
めに、画素電極9と共通電極との間に形成される液晶容
量と並列に蓄積容量70が付加されている。The image signals S1, S2, ..., Sn having a predetermined level written in the liquid crystal via the pixel electrode 9 are held for a certain period of time with a common electrode described later. The liquid crystal modulates light by changing the orientation and order of the molecular assembly depending on the applied voltage level, and enables gradation display. Here, in order to prevent the held image signal from leaking, a storage capacitor 70 is added in parallel with the liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 9 and the common electrode.
【0026】次に、図2に基づいて、本実施形態の透過
型液晶装置の平面構造について説明する。図2に示すよ
うに、TFTアレイ基板上に、インジウム錫酸化物(以
下、「ITO」と略す)等の透明導電性材料からなる矩
形状の画素電極9(点線部9Aにより輪郭を示す)が複
数、マトリクス状に設けられており、画素電極9の縦横
の境界に各々沿ってデータ線6a、走査線3a及び容量
線3bが設けられている。本実施形態において、各画素
電極9及び各画素電極9を囲むように配設されたデータ
線6a、走査線3a、容量線3b等が形成された領域が
画素であり、マトリクス状に配置された各画素毎に表示
を行うことが可能な構造になっている。Next, the planar structure of the transmissive liquid crystal device of this embodiment will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 2, a rectangular pixel electrode 9 (outlined by a dotted line portion 9A) made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (hereinafter abbreviated as “ITO”) is formed on the TFT array substrate. A plurality of them are provided in a matrix, and the data lines 6a, the scanning lines 3a, and the capacitance lines 3b are provided along the vertical and horizontal boundaries of the pixel electrode 9, respectively. In the present embodiment, each pixel electrode 9 and a region where the data line 6a, the scanning line 3a, the capacitance line 3b, etc., which are arranged so as to surround the pixel electrode 9, are pixels, and are arranged in a matrix. The structure is such that display can be performed for each pixel.
【0027】データ線6aは、TFT素子30を構成す
る例えばポリシリコン膜からなる半導体層1aのうち、
後述のソース領域にコンタクトホール5を介して電気的
に接続されており、画素電極9は、半導体層1aのう
ち、後述のドレイン領域にコンタクトホール8を介して
電気的に接続されている。また、半導体層1aのうち、
後述のチャネル領域(図中左上がりの斜線の領域)に対
向するように走査線3aが配置されており、走査線3a
はチャネル領域に対向する部分でゲート電極として機能
する。The data line 6a is one of the semiconductor layers 1a of the TFT element 30, which is made of, for example, a polysilicon film.
The pixel region 9 is electrically connected to a source region described below via a contact hole 5, and the pixel electrode 9 is electrically connected to a drain region described below in the semiconductor layer 1a via a contact hole 8. In addition, in the semiconductor layer 1a,
The scanning line 3a is arranged so as to oppose a channel region (a diagonally upward-sloping region in the drawing) described below.
Serves as a gate electrode in a portion facing the channel region.
【0028】容量線3bは、走査線3aに沿って略直線
状に伸びる本線部(すなわち、平面的に見て、走査線3
aに沿って形成された第1領域)と、データ線6aと交
差する箇所からデータ線6aに沿って前段側(図中上向
き)に突出した突出部(すなわち、平面的に見て、デー
タ線6aに沿って延設された第2領域)とを有する。そ
して、図2中、右上がりの斜線で示した領域には、複数
の第1遮光膜11aが設けられている。The capacitance line 3b is a main line portion extending in a substantially straight line along the scanning line 3a (that is, the scanning line 3 in plan view).
a first region formed along a) and a protruding portion (that is, the data line when seen in a plan view) protruding from the intersection with the data line 6a to the front side (upward in the figure) along the data line 6a. 6a and the 2nd area | region extended along). Then, in FIG. 2, a plurality of first light-shielding films 11a are provided in the region shown by the diagonal lines rising to the right.
【0029】次に、図3に基づいて、本実施形態の透過
型液晶装置の断面構造について説明する。図3に示すよ
うに、本実施形態の透過型液晶装置においては、TFT
アレイ基板10と、これに対向配置される対向基板20
との間に液晶層50が挟持されている。液晶層50は、
強誘電性液晶であるスメクティック液晶にて構成され、
電圧変化に対する液晶駆動の応答性が速いものとされて
いる。TFTアレイ基板10は、石英等の透光性材料か
らなる基板本体10Aとその液晶層50側表面に形成さ
れたTFT素子30、画素電極9、配向膜40を主体と
して構成されており、対向基板20はガラスや石英等の
透光性材料からなる基板本体20Aとその液晶層50側
表面に形成された共通電極21と配向膜60とを主体と
して構成されている。Next, the cross-sectional structure of the transmissive liquid crystal device of this embodiment will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 3, in the transmissive liquid crystal device of this embodiment, the TFT
Array substrate 10 and counter substrate 20 arranged to face it
And the liquid crystal layer 50 is sandwiched between. The liquid crystal layer 50 is
Composed of smectic liquid crystal that is a ferroelectric liquid crystal,
It is said that the response of the liquid crystal drive to the voltage change is fast. The TFT array substrate 10 is mainly composed of a substrate body 10A made of a translucent material such as quartz and a TFT element 30, a pixel electrode 9, and an alignment film 40 formed on the surface of the liquid crystal layer 50 side thereof. Reference numeral 20 is mainly composed of a substrate body 20A made of a translucent material such as glass or quartz, a common electrode 21 formed on a surface of the liquid crystal layer 50 side thereof, and an alignment film 60.
【0030】TFTアレイ基板10において、基板本体
10Aの液晶層50側表面には画素電極9が設けられ、
各画素電極9に隣接する位置に、各画素電極9をスイッ
チング制御する画素スイッチング用TFT素子30が設
けられている。画素スイッチング用TFT素子30は、
LDD(Lightly Doped Drain)構造を有しており、走
査線3a、当該走査線3aからの電界によりチャネルが
形成される半導体層1aのチャネル領域1a’、走査線
3aと半導体層1aとを絶縁するゲート絶縁膜2、デー
タ線6a、半導体層1aの低濃度ソース領域1b及び低
濃度ドレイン領域1c、半導体層1aの高濃度ソース領
域1d及び高濃度ドレイン領域1eを備えている。In the TFT array substrate 10, the pixel electrode 9 is provided on the surface of the substrate body 10A on the liquid crystal layer 50 side,
A pixel switching TFT element 30 that controls switching of each pixel electrode 9 is provided at a position adjacent to each pixel electrode 9. The pixel switching TFT element 30 is
It has an LDD (Lightly Doped Drain) structure and insulates the scanning line 3a, the channel region 1a ′ of the semiconductor layer 1a in which a channel is formed by the electric field from the scanning line 3a, the scanning line 3a and the semiconductor layer 1a. The gate insulating film 2, the data line 6a, the low concentration source region 1b and the low concentration drain region 1c of the semiconductor layer 1a, the high concentration source region 1d and the high concentration drain region 1e of the semiconductor layer 1a are provided.
【0031】上記走査線3a上、ゲート絶縁膜2上を含
む基板本体10A上には、高濃度ソース領域1dへ通じ
るコンタクトホール5、及び高濃度ドレイン領域1eへ
通じるコンタクトホール8が開孔した第2層間絶縁膜4
が形成されている。つまり、データ線6aは、第2層間
絶縁膜4を貫通するコンタクトホール5を介して高濃度
ソース領域1dに電気的に接続されている。さらに、デ
ータ線6a上及び第2層間絶縁膜4上には、高濃度ドレ
イン領域1eへ通じるコンタクトホール8が開孔した第
3層間絶縁膜7が形成されている。つまり、高濃度ドレ
イン領域1eは、第2層間絶縁膜4及び第3層間絶縁膜
7を貫通するコンタクトホール8を介して画素電極9に
電気的に接続されている。A contact hole 5 communicating with the high-concentration source region 1d and a contact hole 8 communicating with the high-concentration drain region 1e are formed on the scanning line 3a and the substrate body 10A including the gate insulating film 2. 2 interlayer insulating film 4
Are formed. That is, the data line 6a is electrically connected to the high-concentration source region 1d through the contact hole 5 penetrating the second interlayer insulating film 4. Further, on the data line 6a and the second interlayer insulating film 4, a third interlayer insulating film 7 having a contact hole 8 leading to the high concentration drain region 1e is formed. That is, the high-concentration drain region 1e is electrically connected to the pixel electrode 9 through the contact hole 8 penetrating the second interlayer insulating film 4 and the third interlayer insulating film 7.
【0032】本実施形態では、ゲート絶縁膜2を走査線
3aに対向する位置から延設して誘電体膜として用い、
半導体膜1aを延設して第1蓄積容量電極1fとし、更
にこれらに対向する容量線3bの一部を第2蓄積容量電
極とすることにより、蓄積容量70が構成されている。In this embodiment, the gate insulating film 2 is extended from a position facing the scanning line 3a and used as a dielectric film.
The storage capacitor 70 is formed by extending the semiconductor film 1a to form the first storage capacitor electrode 1f and further forming a part of the capacitor line 3b facing the semiconductor film 1a as the second storage capacitor electrode.
【0033】また、TFTアレイ基板10の基板本体1
0Aの液晶層50側表面において、各画素スイッチング
用TFT素子30が形成された領域には、TFTアレイ
基板10を透過し、TFTアレイ基板10の図示下面
(TFTアレイ基板10と空気との界面)で反射され
て、液晶層50側に戻る戻り光が、少なくとも半導体層
1aのチャネル領域1a’及び低濃度ソース、ドレイン
領域1b、1cに入射することを防止するための第1遮
光膜11aが設けられている。また、第1遮光膜11a
と画素スイッチング用TFT素子30との間には、画素
スイッチング用TFT素子30を構成する半導体層1a
を第1遮光膜11aから電気的に絶縁するための第1層
間絶縁膜12が形成されている。さらに、図2に示した
ように、TFTアレイ基板10に第1遮光膜11aを設
けるのに加えて、コンタクトホール13を介して第1遮
光膜11aは、前段あるいは後段の容量線3bに電気的
に接続するように構成されている。Further, the substrate body 1 of the TFT array substrate 10
On the surface of the liquid crystal layer 50 side of 0A, the area where each pixel switching TFT element 30 is formed is transmitted through the TFT array substrate 10 and the lower surface of the TFT array substrate 10 in the drawing (an interface between the TFT array substrate 10 and air). The first light-shielding film 11a is provided to prevent the return light reflected by the liquid crystal layer 50 from entering the channel region 1a ′ and the low-concentration source / drain regions 1b and 1c of the semiconductor layer 1a. Has been. In addition, the first light shielding film 11a
Between the pixel switching TFT element 30 and the pixel switching TFT element 30.
A first interlayer insulating film 12 is formed to electrically insulate the first light shielding film 11a from the first light shielding film 11a. Further, as shown in FIG. 2, in addition to providing the first light-shielding film 11a on the TFT array substrate 10, the first light-shielding film 11a is electrically connected to the capacitance line 3b at the front stage or the rear stage through the contact hole 13. Is configured to connect to.
【0034】さらに、TFTアレイ基板10の液晶層5
0側最表面、すなわち、画素電極9及び第3層間絶縁膜
7上には、電圧無印加時における液晶層50内の液晶分
子の配向を制御する配向膜40が形成されている。Further, the liquid crystal layer 5 of the TFT array substrate 10
An alignment film 40 that controls the alignment of liquid crystal molecules in the liquid crystal layer 50 when no voltage is applied is formed on the 0-side outermost surface, that is, on the pixel electrode 9 and the third interlayer insulating film 7.
【0035】他方、対向基板20には、基板本体20A
の液晶層50側表面であって、データ線6a、走査線3
a、画素スイッチング用TFT素子30の形成領域に対
向する領域、すなわち各画素部の開口領域以外の領域
に、入射光が画素スイッチング用TFT素子30の半導
体層1aのチャネル領域1a’や低濃度ソース領域1
b、低濃度ドレイン領域1cに侵入することを防止する
ための第2遮光膜23が設けられている。さらに、第2
遮光膜23が形成された基板本体20Aの液晶層50側
には、そのほぼ全面に渡って、ITO等からなる共通電
極21が形成され、その液晶層50側には、電圧無印加
時における液晶層50内の液晶分子の配向を制御する配
向膜60が形成されている。On the other hand, the counter substrate 20 has a substrate body 20A.
On the liquid crystal layer 50 side of the data line 6a and the scanning line 3
a, in a region facing the formation region of the pixel switching TFT element 30, that is, in a region other than the opening region of each pixel portion, the incident light has a channel region 1a ′ of the semiconductor layer 1a of the pixel switching TFT device 30 or a low concentration source. Area 1
b, the second light-shielding film 23 is provided to prevent the light-shielding drain region 1c from penetrating. Furthermore, the second
On the liquid crystal layer 50 side of the substrate body 20A on which the light shielding film 23 is formed, a common electrode 21 made of ITO or the like is formed over almost the entire surface thereof, and on the liquid crystal layer 50 side, the liquid crystal when no voltage is applied. An alignment film 60 that controls the alignment of the liquid crystal molecules in the layer 50 is formed.
【0036】上述したように、本実施形態の液晶装置に
おいては、配向膜40、60の構造が特に特徴的なもの
となっている。以下、図4に基づいて、配向膜40、6
0の構造及びその形成方法について説明する。なお、図
4は、配向膜40(60)を拡大して示す部分断面図で
あり、図示上側が液晶層50に接する側である。また、
本実施形態では、TFTアレイ基板10側の配向膜40
と対向基板20側の配向膜60とは同一の構造を有する
ものとなっている。As described above, in the liquid crystal device of this embodiment, the structures of the alignment films 40 and 60 are particularly characteristic. Hereinafter, based on FIG. 4, the alignment films 40 and 6 will be described.
The structure of 0 and its forming method will be described. 4 is an enlarged partial cross-sectional view of the alignment film 40 (60), and the upper side in the figure is the side in contact with the liquid crystal layer 50. Also,
In the present embodiment, the alignment film 40 on the TFT array substrate 10 side.
And the alignment film 60 on the counter substrate 20 side have the same structure.
【0037】図4に示すように、配向膜40(60)
は、液晶層50側とは反対側に位置する第1配向膜層4
1と、該第1配向膜層41上に形成され配向膜40(6
0)の液晶層50側に位置する第2配向膜層42とを具
備して構成されている。第1配向膜層41は、本実施形
態ではラビング処理が施されたポリイミド配向膜を主体
として構成され、第2配向膜層42は蒸着により形成さ
れた有機蒸着膜、具体的にはアクリル系若しくはメタク
リル系の液晶性モノマーをイオン蒸着法により薄膜形成
した高分子膜を主体として構成されている。液晶性モノ
マーとしては、例えば下記の一般式(1)、(2)、
(3)に示すもので、液晶相を形成し得るモノマー、若
しくは自身の液晶相への添加により液晶状態を失わせる
ことのないモノマーを用いることができる。As shown in FIG. 4, the alignment film 40 (60)
Is the first alignment film layer 4 located on the side opposite to the liquid crystal layer 50 side.
1 and an alignment film 40 (6) formed on the first alignment film layer 41.
0) and the second alignment film layer 42 located on the liquid crystal layer 50 side. In the present embodiment, the first alignment film layer 41 is mainly composed of a rubbing-treated polyimide alignment film, and the second alignment film layer 42 is an organic vapor deposition film formed by vapor deposition, specifically an acrylic-based film. It is mainly composed of a polymer film in which a methacrylic liquid crystalline monomer is formed into a thin film by an ion deposition method. Examples of the liquid crystalline monomer include the following general formulas (1), (2),
As shown in (3), a monomer that can form a liquid crystal phase or a monomer that does not lose the liquid crystal state by being added to the liquid crystal phase itself can be used.
【0038】[0038]
【化7】 [Chemical 7]
【0039】[0039]
【化8】 [Chemical 8]
【0040】[0040]
【化9】 [Chemical 9]
【0041】第1配向膜層41は液晶分子を配向規制す
ることが可能な配向力を備えているものの、ラビング処
理を施したポリイミド配向膜を主体として構成されてい
るため、その配向能力並びに配向方向、及び液晶分子に
対して付与されたプレチルト角(以下、これらを配向性
能と言うこともある)が、膜面内で不均一となり易い。
したがって、第1配向膜層41のみで(第2配向膜層4
2を形成しないで)配向膜40(60)を構成した場
合、スメクティック液晶にて構成される液晶層50にお
いてジグザグ欠陥が生じる場合があり、その欠陥により
本実施形態の液晶装置において光漏れが生じコントラス
トが低下する等の不具合が生じる惧れがある。Although the first alignment film layer 41 has an alignment force capable of controlling the alignment of the liquid crystal molecules, it is mainly composed of a rubbing-treated polyimide alignment film, so that its alignment ability and alignment are improved. The direction and the pretilt angle given to the liquid crystal molecules (hereinafter, these may be referred to as alignment performance) are likely to be non-uniform in the film plane.
Therefore, only the first alignment film layer 41 (the second alignment film layer 4
When the alignment film 40 (60) is formed (without forming 2), a zigzag defect may occur in the liquid crystal layer 50 formed of smectic liquid crystal, and the defect causes light leakage in the liquid crystal device of the present embodiment. There is a risk that problems such as a decrease in contrast may occur.
【0042】しかしながら、本実施形態では、第1配向
膜層41の上層側すなわち液晶層50側に、上記一般式
(1)、(2)、(3)にて示される液晶性モノマーを
重合してなる高分子膜(液晶性モノマー由来高分子膜)
を主体として構成される第2配向膜層42が形成されて
おり、その第2配向膜層42が第1配向膜層41に比し
て上記配向性能が膜面内において均一なものとされてい
るため、スメクティック液晶にて構成される液晶層50
においてジグザグ欠陥が生じ難くなっている。これは、
第2配向膜層42が、第1配向膜層41の配向方向に沿
って配向しながら蒸着されるためで、詳しくは蒸着によ
り液晶性モノマーが均一に第1配向膜層41上に形成さ
れ、配向性能が膜面内において均一となるからである。
また、この場合、第1配向膜層41の配向方向に沿って
第2配向膜層42が配向し、自身のもつ高い結晶性(配
向性)能により第1配向膜層41よりも高い配向性付与
能を具備するものとなる。したがって、本実施形態の液
晶装置は、スメクティック液晶にて構成される液晶層に
ジグザグ欠陥が生じ難く、ひいては光漏れによるコント
ラスト低下が生じ難いものとなる。However, in this embodiment, the liquid crystal monomer represented by the above general formulas (1), (2) and (3) is polymerized on the upper layer side of the first alignment film layer 41, that is, on the liquid crystal layer 50 side. Polymer film (polymer film derived from liquid crystalline monomer)
The second alignment film layer 42 mainly composed of is formed, and the second alignment film layer 42 has the above-mentioned alignment performance more uniform in the film plane than the first alignment film layer 41. Therefore, the liquid crystal layer 50 composed of smectic liquid crystal
In zigzag defects are less likely to occur. this is,
This is because the second alignment film layer 42 is deposited while being aligned along the alignment direction of the first alignment film layer 41. Specifically, the liquid crystal monomer is uniformly formed on the first alignment film layer 41 by vapor deposition, This is because the alignment performance becomes uniform in the film plane.
Further, in this case, the second alignment film layer 42 is aligned along the alignment direction of the first alignment film layer 41, and due to its high crystallinity (orientation) ability, a higher alignment property than the first alignment film layer 41 is provided. It will have the ability to impart. Therefore, in the liquid crystal device of the present embodiment, zigzag defects are unlikely to occur in the liquid crystal layer formed of smectic liquid crystal, and consequently, contrast reduction due to light leakage is unlikely to occur.
【0043】次に、上記のような配向膜40(60)の
形成方法は、第1配向膜層形成工程と、その後に行われ
る第2配向膜層形成工程とを含むものとされている。具
体的には、石英等からなる透明基板上に遮光膜、第1層
間絶縁膜、半導体層、チャネル領域、低濃度ソース領
域、低濃度ドレイン領域、高濃度ソース領域、高濃度ド
レイン領域、蓄積容量電極、絶縁薄膜、走査線、容量
線、第2層間絶縁膜、データ線、第3層間絶縁膜、コン
タクトホール、画素電極等を従来と同様の方法(例えば
フォトリソグラフィ法)などにより形成したプレ基板を
用意し、そのプレ基板に対して配向膜40(60)を形
成する。Next, the method for forming the alignment film 40 (60) as described above includes a first alignment film layer forming step and a second alignment film layer forming step performed thereafter. Specifically, a light-shielding film, a first interlayer insulating film, a semiconductor layer, a channel region, a low-concentration source region, a low-concentration drain region, a high-concentration source region, a high-concentration drain region, a storage capacitor on a transparent substrate made of quartz or the like. A pre-substrate on which electrodes, insulating thin films, scanning lines, capacitance lines, second interlayer insulating films, data lines, third interlayer insulating films, contact holes, pixel electrodes, etc. are formed by a method similar to the conventional method (for example, photolithography method). Is prepared, and the alignment film 40 (60) is formed on the pre-substrate.
【0044】さらに具体的には、上記画素電極等が形成
されたプレ基板の表面に対して、まず第1配向膜層形成
工程を行う。本実施形態では、ポリイミド膜を塗布乾燥
により形成し、そのポリイミド膜表面を所定方向に搬送
しながら、柔らかい布等でできたローラにより一方向に
擦る操作(ラビング)を施すことにより、第1配向膜と
してのポリイミド配向膜が形成される。ここで、本実施
形態においてはラビング密度Lの値を500としてラビ
ングを行うことにより、十分に配向した第1配向膜層を
形成した。なお、ラビング密度Lは、ラビング回数を
N、ラビングローラの接触長をl、ローラ半径をr、ロ
ーラ回転数をn、ラビング対象物の移動速度をvとし
て、Nl×(1+2πrn/60v)にて算出される値
である。More specifically, the first alignment film layer forming step is first performed on the surface of the pre-substrate on which the pixel electrodes and the like are formed. In this embodiment, a polyimide film is formed by coating and drying, and while the polyimide film surface is conveyed in a predetermined direction, a rubbing operation is performed by rubbing in one direction with a roller made of a soft cloth or the like, whereby the first orientation is obtained. A polyimide alignment film as a film is formed. Here, in the present embodiment, rubbing was performed with the value of the rubbing density L set to 500 to form a sufficiently oriented first alignment film layer. The rubbing density L is Nl × (1 + 2πrn / 60v) where N is the number of times of rubbing, l is the contact length of the rubbing roller, r is the roller radius, n is the roller rotation number, and v is the moving speed of the rubbing target. It is a calculated value.
【0045】続いて第2配向膜層形成工程において、本
実施形態ではイオン蒸着法により第2配向膜層42を形
成するものとしている。図5は、イオン蒸着装置100
の構造を模式的に示したものである。イオン蒸着装置1
00には、真空ポンプに接続され、内部を減圧状態(真
空状態)とすることができる蒸着室101が備えられて
おり、この蒸着室101内の下方に、化7〜化9に示し
た一般式(1)〜(3)で表される液晶性モノマーの蒸
着材料201を入れる蒸着材料容器102が備えられて
いると共に、その容器102の上方に、上述の第1配向
膜層が形成されたプレ基板200を設置することができ
るように構成されている。なお、プレ基板200は、第
1配向膜層が形成された側を容器102側に向けて設置
するものとされている。Subsequently, in the second alignment film layer forming step, in the present embodiment, the second alignment film layer 42 is formed by the ion vapor deposition method. FIG. 5 shows an ion deposition apparatus 100.
2 schematically shows the structure of. Ion deposition device 1
00 is provided with a vapor deposition chamber 101 that is connected to a vacuum pump and can be in a reduced pressure state (vacuum state). The general interior shown in Chemical formulas 7 to 9 is provided below the vapor deposition chamber 101. A vapor deposition material container 102 containing a vapor deposition material 201 of a liquid crystalline monomer represented by the formulas (1) to (3) was provided, and the first alignment film layer described above was formed above the container 102. It is configured so that the pre-substrate 200 can be installed. It should be noted that the pre-substrate 200 is installed such that the side on which the first alignment film layer is formed faces the container 102 side.
【0046】蒸着材料容器102内の蒸着材料201は
加熱されて蒸発(揮発)し、蒸発した蒸着材料201は
図示上方に導かれ、イオン化部103を通過する際に蒸
着材料201の一部がイオン化される。また、イオン化
部103と被蒸着基板200との間には電界がかけられ
ており、イオン化された蒸着材料201は電界により加
速されて被蒸着基板200に蒸着されるように構成され
ている。なお、イオン化部103では、蒸着材料201
に電圧を印加することにより、蒸着材料201をイオン
化することができるようになっている。The vapor deposition material 201 in the vapor deposition material container 102 is heated to evaporate (volatilize), the vaporized vapor deposition material 201 is guided upward in the drawing, and when passing through the ionization section 103, a part of the vapor deposition material 201 is ionized. To be done. An electric field is applied between the ionization section 103 and the deposition target substrate 200, and the ionized deposition material 201 is configured to be accelerated by the electric field and deposited on the deposition target substrate 200. In the ionization unit 103, the vapor deposition material 201
The vapor deposition material 201 can be ionized by applying a voltage to.
【0047】すなわち、イオン蒸着法は、蒸着材料20
1を蒸発させた後、イオン化し、イオン化された蒸着材
料201を加速させて、プレ基板200に蒸着する方法
である。この方法によれば、イオン化部103でのイオ
ン化条件や、イオン化された蒸着材料201の加速条件
を制御することにより、蒸着材料201のプレ基板20
0(詳しくはプレ基板200上の第1配向膜層)への蒸
着を制御することができるため、他の蒸着法に比較し
て、蒸着材料201の被蒸着基板200への蒸着条件を
制御しやすい。このように、イオン蒸着法では、蒸着条
件を制御しやすいため、第1配向膜層の表面配向に沿っ
て均一に有機蒸着膜(第2配向膜層)を形成することが
可能となる。That is, the ion deposition method uses the deposition material 20.
1 is vaporized and then ionized, and the ionized vapor deposition material 201 is accelerated to deposit it on the pre-substrate 200. According to this method, the pre-substrate 20 of the vapor deposition material 201 is controlled by controlling the ionization conditions in the ionization section 103 and the acceleration conditions of the ionized vapor deposition material 201.
0 (specifically, the first alignment film layer on the pre-substrate 200) can be controlled to control the deposition condition of the deposition material 201 on the deposition target substrate 200 as compared with other deposition methods. Cheap. As described above, in the ion vapor deposition method, the vapor deposition conditions can be easily controlled, so that the organic vapor deposition film (second alignment film layer) can be uniformly formed along the surface orientation of the first alignment film layer.
【0048】ここで、蒸着材料として、上記化7〜化9
に示した一般式(1)〜(3)で表される液晶性モノマ
ーを用い、この液晶性モノマーを蒸発させた後、イオン
化し、イオン化されたモノマーを上記第1配向膜層に蒸
着するものとしている。イオン化されたモノマーは活性
が高いので、第1配向膜層上に蒸着されたモノマーの重
合反応が自然に進行してポリマー化し、上記一般式
(1)〜(3)で表されるモノマーを重合したポリマー
を主体として構成される第2配向膜が簡便に形成され
る。Here, as the vapor deposition material, the above chemical formulas 7-9 are used.
Using the liquid crystalline monomer represented by the general formulas (1) to (3) shown in (1), the liquid crystalline monomer is evaporated, and then ionized, and the ionized monomer is deposited on the first alignment film layer. I am trying. Since the ionized monomer has high activity, the polymerization reaction of the monomer deposited on the first alignment film layer spontaneously proceeds to polymerize, and the monomer represented by the general formulas (1) to (3) is polymerized. The second alignment film mainly composed of the polymer is easily formed.
【0049】また、上記化7〜化9に示した一般式
(1)〜(3)で表される液晶性モノマーは、液晶相を
示す若しくは液晶相への添加により液晶状態を失わせな
い液晶性モノマーとされている。このような液晶性モノ
マーは第1配向膜層の表面配向に沿って配向しながら蒸
着してポリマー化するとともに、液晶分子との分子間相
互作用をより高くすることができ、液晶配向制御機能に
より優れた第2配向膜層を形成することができる。The liquid crystalline monomers represented by the general formulas (1) to (3) shown in Chemical formulas 7 to 9 above are liquid crystal molecules that show a liquid crystal phase or do not lose the liquid crystal state when added to the liquid crystal phase. It is considered to be a monomer. Such a liquid crystalline monomer can be vaporized to be polymerized while being aligned along the surface alignment of the first alignment film layer, and the intermolecular interaction with liquid crystal molecules can be further enhanced. An excellent second alignment film layer can be formed.
【0050】なお、上記化7に示した一般式(1)で表
される化合物としては、具体的には、表1又は表2に示
す化合物M1〜M25(ロディック株式会社のUVキュ
アラブル液晶)等を例示することができる。また、上記
化8に示した一般式(2)で表される化合物としては、
具体的には、表3又は表5に示す化合物M26〜M3
3、M38〜M45等を例示することができる。上記化
9に示した一般式(3)で表される化合物としては、具
体的には、表4又は表6に示す化合物M34〜M37、
M46〜M51等を例示することができる。Specific examples of the compound represented by the general formula (1) shown in the chemical formula 7 are compounds M1 to M25 (UV cureable liquid crystal of Rodic Co., Ltd.) shown in Table 1 or Table 2. Can be illustrated. Further, as the compound represented by the general formula (2) shown in Chemical formula 8 above,
Specifically, compounds M26 to M3 shown in Table 3 or Table 5
3, M38 to M45 and the like can be exemplified. Specific examples of the compound represented by the general formula (3) shown in Chemical formula 9 above include compounds M34 to M37 shown in Table 4 or Table 6,
M46-M51 etc. can be illustrated.
【0051】[0051]
【表1】 [Table 1]
【0052】[0052]
【表2】 [Table 2]
【0053】[0053]
【表3】 [Table 3]
【0054】[0054]
【表4】 [Table 4]
【0055】[0055]
【表5】 [Table 5]
【0056】[0056]
【表6】 [Table 6]
【0057】以上のように、本実施形態では、配向膜4
0,60を、ラビング処理されたポリイミド配向膜を主
体とする第1配向膜層41上に、液晶性モノマー由来高
分子膜を主体とする第2配向膜層42を形成した。この
ような配向膜40,60は、液晶分子に対して高い配向
規制を行うことが可能であるとともに、配向性能が膜面
内において均一なものとなる。したがって、このような
配向膜を具備してなる本実施形態の液晶装置は、液晶層
50をスメクティック液晶にて構成して高速応答性を実
現しつつ、ジグザグ欠陥の発生を防止し、すなわちコン
トラストの低下を防止ないし抑制するものとなる。As described above, in the present embodiment, the alignment film 4
A second alignment film layer 42 mainly composed of a liquid crystalline monomer-derived polymer film was formed on a first alignment film layer 41 mainly composed of a rubbing-treated polyimide alignment film. Such alignment films 40 and 60 can highly regulate the alignment of liquid crystal molecules, and have uniform alignment performance in the film plane. Therefore, in the liquid crystal device of the present embodiment including such an alignment film, the liquid crystal layer 50 is made of smectic liquid crystal to realize a high-speed response and at the same time prevent the occurrence of zigzag defects, that is, reduce the contrast. It prevents or suppresses the decrease.
【0058】また、第1配向膜層41としては、無機材
料の斜方蒸着膜により構成することもできる。無機材料
としては例えば酸化珪素を用いることができ、この場合
の斜方蒸着膜の形成方法について図6を参照しつつ説明
する。図6は、斜方蒸着膜形成に用いる斜方蒸着装置3
00の外観を模式的に示す説明図である。この蒸着装置
300は、酸化珪素の蒸気を生じさせる蒸着源302
と、酸化珪素の蒸気が流通可能な開口部303aを備え
る蒸気流通部303と、上記プレ基板200を蒸着源3
02に対して所定角度傾斜させて配設する基板配設部3
07とを具備する蒸着室308、蒸着室308を真空に
するための真空ポンプ310を備えている。この場合の
蒸着方法は以下のようになる。まず、真空ポンプ310
を作動させると、蒸着室308が真空化し、さらに加熱
装置(図示略)により蒸着源302を加熱すると蒸着源
302から酸化珪素の蒸気が発生する。そして、蒸着源
302から発生した酸化珪素の蒸気流は、開口部303
aを通過し、所定の角度(蒸着角)でプレ基板200の
表面に蒸着されるものとされている。なお、この場合、
酸化珪素の柱状構造物が所定方向に配向した構成を具備
しており、その柱状構造物により所定の配向規制力が得
られるものとされている。The first alignment film layer 41 can also be formed of an oblique vapor deposition film of an inorganic material. As the inorganic material, for example, silicon oxide can be used, and a method of forming the oblique vapor deposition film in this case will be described with reference to FIG. FIG. 6 shows an oblique vapor deposition apparatus 3 used for forming an oblique vapor deposition film.
It is explanatory drawing which shows the external appearance of 00 typically. This vapor deposition apparatus 300 is provided with a vapor deposition source 302 for producing vapor of silicon oxide.
And a vapor circulation unit 303 having an opening 303a through which vapor of silicon oxide can flow, and the pre-substrate 200 as the vapor deposition source 3
Board arrangement part 3 which is arranged at a predetermined angle with respect to 02
And a vacuum pump 310 for evacuating the vapor deposition chamber 308. The vapor deposition method in this case is as follows. First, the vacuum pump 310
Is activated, the vapor deposition chamber 308 is evacuated, and when the vapor deposition source 302 is heated by a heating device (not shown), vapor of silicon oxide is generated from the vapor deposition source 302. Then, the vapor flow of silicon oxide generated from the vapor deposition source 302 becomes the opening 303.
It is assumed that the liquid passes through a and is deposited on the surface of the pre-substrate 200 at a predetermined angle (vapor deposition angle). In this case,
The columnar structure of silicon oxide has a structure oriented in a predetermined direction, and the columnar structure provides a predetermined alignment regulating force.
【0059】このような酸化珪素の斜方蒸着膜は、単独
で配向膜として用いると(第2配向膜を形成せずに配向
膜として用いると)、ネマティック液晶を均一に配向で
きる程度の配向規制力を備えるものの、上記配向性能が
膜内で不均一となり易いため、上記ジグザグ欠陥が一層
発生し易くなる場合がある。そこで、本実施形態のよう
に液晶性モノマー由来高分子膜を主体とする第2配向膜
層42を斜方蒸着膜上に形成して配向性能が均一な配向
膜40(60)とすれば、スメクティック液晶を用いた
上記のような液晶装置においてもジグザグ欠陥が生じ難
いものとなり、光漏れによるコントラストの低下を防止
ないし抑制することが可能となる。When such an oblique vapor deposition film of silicon oxide is used alone as an alignment film (when it is used as an alignment film without forming the second alignment film), the nematic liquid crystal can be aligned uniformly. Although having a force, the above-mentioned alignment performance is likely to be non-uniform in the film, so that the zigzag defect may be more likely to occur. Therefore, if the second alignment film layer 42 mainly composed of the liquid crystalline monomer-derived polymer film is formed on the oblique deposition film as in the present embodiment to form the alignment film 40 (60) having uniform alignment performance, Even in the above liquid crystal device using the smectic liquid crystal, the zigzag defect is less likely to occur, and it is possible to prevent or suppress the decrease in contrast due to light leakage.
【0060】なお、本実施形態では、TFTアレイ基板
10と対向基板20の双方の配向膜40、60を上述の
構成としたが、本発明はこれに限定されるものではな
く、少なくとも一方の基板の配向膜を上述の構成とする
ことにより、ジグザグ欠陥の生じ難い液晶装置を提供す
ることができる。但し、双方の基板の配向膜を上述の構
成とすることにより、ジグザグ欠陥が一層生じ難い液晶
装置を提供することができることは言うまでもない。In the present embodiment, the alignment films 40 and 60 of both the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 have the above-described structure, but the present invention is not limited to this, and at least one substrate. With the above-mentioned configuration of the alignment film of (1), it is possible to provide a liquid crystal device in which zigzag defects are unlikely to occur. However, it goes without saying that a liquid crystal device in which zigzag defects are less likely to occur can be provided by using the above-described configurations for the alignment films on both substrates.
【0061】また、本実施形態では、TFT素子を用い
たアクティブマトリクス型液晶装置についてのみ説明し
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、TFD
(Thin-Film Diode)素子を用いたアクティブマトリク
ス型液晶装置やパッシブマトリクス型液晶装置等にも適
用可能である。また、本実施形態では、透過型液晶装置
についてのみ説明したが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、反射型や半透過反射型の液晶装置にも適用
可能である。このように、本発明は、いかなる構造の液
晶装置にも適用することができる。Further, in the present embodiment, only the active matrix type liquid crystal device using the TFT element has been described, but the present invention is not limited to this, and the TFD is not limited thereto.
It is also applicable to an active matrix type liquid crystal device using a (Thin-Film Diode) element, a passive matrix type liquid crystal device, and the like. Further, although only the transmissive liquid crystal device has been described in the present embodiment, the present invention is not limited to this, and is applicable to a reflective liquid crystal device or a transflective liquid crystal device. As described above, the present invention can be applied to a liquid crystal device having any structure.
【0062】さらに、本実施形態では、第2配向膜層4
2の形成工程においてはイオン蒸着法を用いており、蒸
着材料として上記アクリルモノマーを用いて第1配向膜
層41上で重合を進行させるため、形成される第2配向
膜層42を構成する高分子の高分子量化が可能である。
高分子は分子量が大きくなる程、配向性を高くすること
が可能となり、しかも高分子量のもの程、熱や光等に対
して安定になるので、蒸着材料として上記アクリルモノ
マーを用いるイオン蒸着法を採用することにより、配向
規制力に優れ、光や熱に対する安定性により優れた第2
配向膜層42を形成することができる。Further, in this embodiment, the second alignment film layer 4
In the step of forming No. 2, the ion vapor deposition method is used, and since the above-mentioned acrylic monomer is used as the vapor deposition material to cause the polymerization to proceed on the first alignment film layer 41, it is possible to form the second alignment film layer 42 to be formed. Higher molecular weight is possible.
The higher the molecular weight of the polymer, the higher the orientation, and the higher the molecular weight of the polymer, the more stable it is to heat and light. By adopting it, it has excellent alignment control and stability to light and heat.
The alignment film layer 42 can be formed.
【0063】[電子機器]上記実施の形態の液晶装置を
備えた電子機器の例について説明する。図7(a)は、
携帯電話の一例を示した斜視図である。図7(a)にお
いて、符号500は携帯電話本体を示し、符号501は
上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を示してい
る。[Electronic Equipment] Examples of electronic equipment provided with the liquid crystal device of the above-described embodiment will be described. FIG. 7A shows
It is a perspective view showing an example of a mobile phone. In FIG. 7A, reference numeral 500 indicates a mobile phone main body, and reference numeral 501 indicates a liquid crystal display unit using the liquid crystal device of the above embodiment.
【0064】図7(b)は、ワープロ、パソコンなどの
携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図7
(b)において、符号600は情報処理装置、符号60
1はキーボードなどの入力部、符号603は情報処理装
置本体、符号602は上記実施形態の液晶装置を用いた
液晶表示部を示している。FIG. 7B is a perspective view showing an example of a portable information processing device such as a word processor and a personal computer. Figure 7
In (b), reference numeral 600 is an information processing device and reference numeral 60.
Reference numeral 1 denotes an input unit such as a keyboard, reference numeral 603 denotes an information processing apparatus main body, and reference numeral 602 denotes a liquid crystal display unit using the liquid crystal device of the above embodiment.
【0065】図7(c)は、腕時計型電子機器の一例を
示した斜視図である。図7(c)において、符号700
は時計本体を示し、符号701は上記実施形態の液晶装
置を用いた液晶表示部を示している。FIG. 7C is a perspective view showing an example of a wristwatch type electronic device. In FIG. 7C, reference numeral 700
Indicates a watch body, and reference numeral 701 indicates a liquid crystal display unit using the liquid crystal device of the above embodiment.
【0066】このように図7に示す電子機器は、上記実
施形態のスメクティック液晶からなる液晶層を備えた液
晶装置を用いて液晶表示部を備えているので、電圧変化
に対する高速な応答が可能となり表示特性に優れたもの
となる。さらに、配向膜として液晶性モノマー由来高分
子膜を主体とする第2配向膜層42を第1配向膜層41
上に形成しているため、スメクティック液晶を用いた場
合に特有のジグザグ欠陥が生じ難いものとなり、光漏れ
によるコントラストの低下を防止ないし抑制することが
可能となる。As described above, since the electronic apparatus shown in FIG. 7 is provided with the liquid crystal display section using the liquid crystal device having the liquid crystal layer made of the smectic liquid crystal of the above-described embodiment, it becomes possible to make a high-speed response to the voltage change. It has excellent display characteristics. Further, as the alignment film, the second alignment film layer 42 mainly composed of the liquid crystalline monomer-derived polymer film is provided as the first alignment film layer 41.
Since it is formed on the top, zigzag defects peculiar to the use of the smectic liquid crystal are less likely to occur, and it is possible to prevent or suppress the decrease in contrast due to light leakage.
【0067】[投射型表示装置]次に、上記実施形態の
液晶装置を光変調手段として備えた投射型表示装置の構
成について、図8を参照して説明する。図8は、上記実
施形態の液晶装置を光変調装置として用いた投射型表示
装置の要部を示す概略構成図である。図8において、8
10は光源、813、814はダイクロイックミラー、
815、816、817は反射ミラー、818は入射レ
ンズ、819はリレーレンズ、820は出射レンズ、8
22、823、824は液晶光変調装置、825はクロ
スダイクロイックプリズム、826は投写レンズを示
す。[Projection Display Device] Next, the configuration of a projection display device equipped with the liquid crystal device of the above embodiment as a light modulator will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a schematic configuration diagram showing a main part of a projection type display device using the liquid crystal device of the above embodiment as a light modulation device. In FIG. 8, 8
10 is a light source, 813 and 814 are dichroic mirrors,
Reference numerals 815, 816, and 817 are reflection mirrors, 818 is an entrance lens, 819 is a relay lens, 820 is an exit lens, and 8
Reference numerals 22, 823 and 824 denote liquid crystal light modulators, 825 denotes a cross dichroic prism, and 826 denotes a projection lens.
【0068】光源810はメタルハライド等のランプ8
11とランプの光を反射するリフレクタ812とからな
る。青色光、緑色光反射のダイクロイックミラー813
は、光源810からの光束のうちの赤色光を透過させる
とともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色
光は反射ミラー817で反射されて、上記実施形態の液
晶装置を備えた赤色光用液晶光変調装置822に入射さ
れる。一方、ダイクロイックミラー813で反射された
色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー
814によって反射され、上記実施形態の液晶装置を備
えた緑色光用液晶光変調装置823に入射される。な
お、青色光は第2のダイクロイックミラー814も透過
する。青色光に対しては、光路長が緑色光、赤色光と異
なるのを補償するために、入射レンズ818、リレーレ
ンズ819、出射レンズ820を含むリレーレンズ系か
らなる導光手段821が設けられ、これを介して青色光
が上記実施形態の液晶装置を備えた青色光用液晶光変調
装置824に入射される。なお、各色用液晶光変調装置
822、823、824は、それぞれさらに入射側偏光
手段822a、823a、824aと、出射側偏光手段
822b、823b、824bと、これらの間に配置さ
れた液晶装置とからなる液晶ライトバルブである。The light source 810 is a lamp 8 such as a metal halide.
11 and a reflector 812 that reflects the light of the lamp. Dichroic mirror 813 that reflects blue light and green light
Transmits the red light of the light flux from the light source 810 and reflects the blue light and the green light. The transmitted red light is reflected by the reflection mirror 817 and is incident on the red light liquid crystal light modulator 822 including the liquid crystal device of the above-described embodiment. On the other hand, of the color light reflected by the dichroic mirror 813, green light is reflected by the dichroic mirror 814 that reflects green light, and is incident on the liquid crystal light modulator for green light 823 including the liquid crystal device of the above embodiment. The blue light also passes through the second dichroic mirror 814. For blue light, a light guide unit 821 including a relay lens system including an entrance lens 818, a relay lens 819, and an exit lens 820 is provided in order to compensate for the difference in optical path length between green light and red light. Through this, blue light is incident on the blue light liquid crystal light modulation device 824 including the liquid crystal device of the above embodiment. The liquid crystal light modulators 822, 823, 824 for the respective colors further include an incident side polarization unit 822a, 823a, 824a, an emission side polarization unit 822b, 823b, 824b, and a liquid crystal device arranged between them. It is a liquid crystal light valve.
【0069】各光変調装置により変調された3つの色光
はクロスダイクロイックプリズム825に入射する。こ
のプリズムは4つの直角プリズムが貼り合わされ、その
内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘
電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電
体多層膜によって3つの色光が合成されて、カラー画像
を表す光が形成される。合成された光は、投写光学系で
ある投写レンズ826によってスクリーン827上に投
写され、画像が拡大されて表示される。The three color lights modulated by the respective light modulators enter the cross dichroic prism 825. This prism is formed by laminating four right-angled prisms, and a dielectric multilayer film that reflects red light and a dielectric multilayer film that reflects blue light are formed in a cross shape on the inner surface thereof. Three color lights are combined by these dielectric multilayer films to form light representing a color image. The combined light is projected on the screen 827 by the projection lens 826 which is a projection optical system, and the image is enlarged and displayed.
【0070】上記構造を有する投射型表示装置は、上記
実施形態のスメクティック液晶を液晶層に備えた液晶装
置を用いているため、スメクティック液晶を用いた場合
に特有のジグザグ欠陥が生じ難い表示装置となる。Since the projection type display device having the above structure uses the liquid crystal device having the liquid crystal layer of the smectic liquid crystal of the above-mentioned embodiment, the zigzag defect peculiar to the use of the smectic liquid crystal is unlikely to occur. Become.
【0071】[0071]
【実施例】次に、本発明に係る実施例、及び比較例につ
いて説明する。
(比較例1)まず、電極やTFT素子等の配向膜以外の
必要な要素を形成したガラス基板(プレ基板)、及び対
向基板上に、ポリイミドをスピンコートにより塗布し、
プレベーク(80℃、10min)で溶剤を揮発させた
後、180℃で1時間焼成し、ポリイミド膜を膜厚約2
5nm程度(5〜50nmが好ましく、さらに好ましく
は15〜30nm程度)で形成するとともに、ラビング
密度450にてラビング処理を行い、ポリイミド配向膜
を形成した。ここで、ラビング密度は、ラビング回数を
N、ラビングローラの接触長をl、ローラ半径をr、ロ
ーラ回転数をn、ラビング対象物の移動速度をvとし
て、Nl×(1+2πrn/60v)にて算出される値
である。EXAMPLES Next, examples according to the present invention and comparative examples will be described. Comparative Example 1 First, polyimide is applied by spin coating on a glass substrate (pre-substrate) on which necessary elements other than an alignment film such as electrodes and TFT elements are formed, and a counter substrate,
After the solvent is volatilized by prebaking (80 ° C, 10 min), baking is performed at 180 ° C for 1 hour to form a polyimide film having a thickness of about 2
The polyimide alignment film was formed by forming the polyimide alignment film at a thickness of about 5 nm (preferably 5 to 50 nm, more preferably about 15 to 30 nm) and performing a rubbing treatment at a rubbing density of 450. Here, the rubbing density is Nl × (1 + 2πrn / 60v) where N is the number of times of rubbing, l is the contact length of the rubbing roller, r is the roller radius, n is the roller rotation number, and v is the moving speed of the rubbing target. It is a calculated value.
【0072】このようにして作製したポリイミド配向膜
を備える2枚の基板をセルギャップ5μmとして貼着し
た後、基板間にカイラルスメクティック液晶を注入して
封止し、アクティブマトリクス型の透過型液晶装置を作
製した。なお、2枚の基板は、その配向方向を平行に貼
着し、強誘電性モードの液晶表示装置を作製した。After the two substrates having the polyimide alignment film thus produced were adhered to each other with a cell gap of 5 μm, chiral smectic liquid crystal was injected between the substrates to seal the active matrix type transmissive liquid crystal device. Was produced. The two substrates were adhered in parallel with each other in the alignment direction to manufacture a ferroelectric mode liquid crystal display device.
【0073】(比較例2)電極やTFT素子等の配向膜
以外の必要な要素を形成したガラス基板(プレ基板)、
及び対向基板上に、図6に示す斜方蒸着装置300を用
いてSiOの斜表蒸着膜を形成した。具体的には、これ
ら基板の垂直方向から60°傾けた方向からSiOの斜
方蒸着膜を膜厚約20nm形成し、さらにその後、蒸着
ビームの方向を90°変えて、基板の垂直方向から80
°傾けた方向から同じくSiOの斜方蒸着膜を膜厚約
0.3nm形成した。このようなSiO斜方蒸着膜を備
える2枚の基板を用いて、比較例1と同様にカイラルス
メクティック液晶層を挟持させ、強誘電性モードの液晶
表示装置を作製した。(Comparative Example 2) A glass substrate (pre-substrate) on which necessary elements other than the alignment film such as electrodes and TFT elements are formed,
A diagonal evaporation film of SiO was formed on the opposite substrate by using the oblique evaporation device 300 shown in FIG. Specifically, an oblique vapor deposition film of SiO 2 having a film thickness of about 20 nm is formed in a direction inclined by 60 ° from the vertical direction of these substrates, and thereafter, the direction of the vapor deposition beam is changed by 90 ° to obtain 80 ° from the vertical direction of the substrate.
Similarly, a SiO vapor-deposited film having a thickness of about 0.3 nm was formed from the inclined direction. A chiral smectic liquid crystal layer was sandwiched in the same manner as in Comparative Example 1 by using two substrates provided with such SiO oblique vapor deposition film, and a ferroelectric mode liquid crystal display device was produced.
【0074】(実施例1)電極やTFT素子等の配向膜
以外の必要な要素を形成したガラス基板(プレ基板)、
及び対向基板上に、比較例1、2の処理を行って第1配
向膜層(ポリイミドラビング膜、SiO斜方蒸着膜)を
形成した後、その第1配向膜層上に蒸着材料として上記
表4のM34に示したビフェニル−4,4’−ジメタク
リレートを用いてイオン蒸着法により蒸着を行い、膜厚
約50nmのポリマー化した第2配向膜を形成した。こ
のように第1配向膜上にイオン蒸着膜を備える2枚の基
板を用いて、比較例1と同様にカイラルスメクティック
液晶層を挟持させ、強誘電性モードの液晶表示装置を作
製した。Example 1 A glass substrate (pre-substrate) on which necessary elements other than an alignment film such as electrodes and TFT elements are formed,
And the first alignment film layer (polyimide rubbing film, SiO oblique deposition film) was formed on the counter substrate by performing the treatments of Comparative Examples 1 and 2, and then the above-mentioned table was used as a deposition material on the first alignment film layer. The biphenyl-4,4'-dimethacrylate shown in M34 of No. 4 was used to perform vapor deposition by an ion vapor deposition method to form a polymerized second alignment film having a thickness of about 50 nm. As described in Comparative Example 1, a chiral smectic liquid crystal layer was sandwiched between the two substrates provided with the ion-deposited film on the first alignment film in this manner to manufacture a ferroelectric mode liquid crystal display device.
【0075】(配向膜評価)上記のような実施例1にお
ける第1配向膜層上に第2配向膜層が形成された構成の
配向膜、及び従来例1、2において形成される構成の配
向膜について顕微鏡観察にてジグザグ欠陥の発生の有無
を評価した。その結果、実施例1にて得られた配向膜
は、従来例1、2にて得られた配向膜よりもジグザグ欠
陥の発生が大幅に減少していた。(Evaluation of Alignment Film) The alignment film having the structure in which the second alignment film layer is formed on the first alignment film layer in Example 1 as described above, and the alignment film having the structure formed in Conventional Examples 1 and 2 are described. The presence or absence of zigzag defects in the film was evaluated by microscopic observation. As a result, in the alignment film obtained in Example 1, the occurrence of zigzag defects was significantly reduced as compared with the alignment films obtained in Conventional Examples 1 and 2.
【0076】(表示特性評価)上記のような実施例1、
及び従来例1、2にて得られた各液晶表示装置について
表示特性を観察した。実施例1にて得られた液晶表示装
置のコントラストは300であるのに対し、比較例1、
2にて得られた液晶表示装置のコントラストは150で
あった。すなわち、実施例1の液晶表示装置によると、
ジグザグ欠陥の発生が抑えられ、コントラストの低下を
抑えることが可能となった。(Evaluation of Display Characteristics) Example 1 as described above,
The display characteristics of the liquid crystal display devices obtained in Conventional Examples 1 and 2 were observed. The contrast of the liquid crystal display device obtained in Example 1 is 300, while the contrast of Comparative Example 1,
The contrast of the liquid crystal display device obtained in No. 2 was 150. That is, according to the liquid crystal display device of Example 1,
The occurrence of zigzag defects was suppressed, and it became possible to suppress the deterioration of contrast.
【0077】[0077]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、スメクティック液晶を用いた液晶装置において、
ジグザグ欠陥の発生を防止ないし抑制することが可能と
なり、したがって、ジグザグ欠陥の発生に基づく光漏れ
が生じ難く、コントラストが低下する等の不具合が生じ
難くなる。As described in detail above, according to the present invention, in a liquid crystal device using a smectic liquid crystal,
It is possible to prevent or suppress the occurrence of zigzag defects. Therefore, it is difficult for light leakage due to the occurrence of zigzag defects to occur, and it is difficult for problems such as reduction in contrast to occur.
【図1】 本発明の一実施形態たる液晶装置におけるス
イッチング素子、信号線等の等価回路図。FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of a switching element, a signal line, and the like in a liquid crystal device that is an embodiment of the present invention.
【図2】 図1の液晶装置のTFTアレイ基板の相隣接
する複数の画素群の構造を示す平面図。FIG. 2 is a plan view showing the structure of a plurality of pixel groups adjacent to each other on the TFT array substrate of the liquid crystal device of FIG.
【図3】 図1の液晶装置についてその要部の構造を示
す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a structure of a main part of the liquid crystal device of FIG.
【図4】 図1の液晶装置に備えられた配向膜の構造を
示す拡大断面図。FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing a structure of an alignment film provided in the liquid crystal device of FIG.
【図5】 イオン化蒸着装置の構成を模式的に示す図。FIG. 5 is a diagram schematically showing a configuration of an ionization vapor deposition device.
【図6】 斜方蒸着装置の構成を模式的に示す図。FIG. 6 is a diagram schematically showing the configuration of an oblique vapor deposition apparatus.
【図7】 本発明に係る電子機器について幾つかの例を
示す斜視図。FIG. 7 is a perspective view showing some examples of electronic devices according to the present invention.
【図8】 本発明に係る投射型表示装置についての一例
を示す図。FIG. 8 is a diagram showing an example of a projection type display device according to the present invention.
10 TFTアレイ基板 20 対向基板 10A、20A 基板本体 30 画素スイッチング用TFT素子 50 液晶層(スメクティック液晶層) 40、60 配向膜 41 第1配向膜層 42 第2配向膜層 10 TFT array substrate 20 Counter substrate 10A, 20A Substrate body 30 Pixel switching TFT element 50 Liquid crystal layer (smectic liquid crystal layer) 40,60 Alignment film 41 First Alignment Layer 42 Second Alignment Layer
Claims (9)
挟持された構成を備える液晶装置であって、前記液晶層
はスメクティック液晶を主体として構成されるととも
に、前記一対の基板のうち、少なくとも一方の基板の前
記液晶層側最表面には配向膜が形成され、該配向膜が、
ポリイミド若しくは酸化珪素を主体として構成される第
1配向膜と、該第1配向膜よりも液晶層側に形成され、
蒸着により形成された有機蒸着膜を主体として構成され
る第2配向膜とを具備してなることを特徴とする液晶装
置。1. A liquid crystal device having a structure in which a liquid crystal layer is sandwiched between a pair of substrates facing each other, wherein the liquid crystal layer is mainly composed of smectic liquid crystal, and at least one of the pair of substrates. An alignment film is formed on the outermost surface of the liquid crystal layer side of one of the substrates, and the alignment film is
A first alignment film mainly composed of polyimide or silicon oxide, and formed on the liquid crystal layer side of the first alignment film,
A liquid crystal device comprising a second alignment film mainly composed of an organic vapor deposition film formed by vapor deposition.
第1配向膜は、ラビング処理が施された配向膜であるこ
とを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。2. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the first alignment film mainly composed of the polyimide is a rubbing-processed alignment film.
1配向膜は、柱状構造物を備える斜方蒸着膜であること
を特徴とする請求項1に記載の液晶装置。3. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the first alignment film mainly composed of silicon oxide is an oblique deposition film having a columnar structure.
合してなる液晶性モノマー由来高分子を主体として構成
されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれ
か1項に液晶装置。4. The liquid crystal according to claim 1, wherein the second alignment film is mainly composed of a liquid crystal monomer-derived polymer obtained by polymerizing a liquid crystal monomer. apparatus.
取り得るもの、あるいは自身は液晶相をとらないが、液
晶相内に混入した際に混合物の液晶状態を失わせること
のないものであることを特徴とする請求項4に記載の液
晶装置。5. The liquid crystalline monomer is one which can have a liquid crystal phase, or one which does not have a liquid crystal phase but does not lose the liquid crystal state of the mixture when mixed in the liquid crystal phase. The liquid crystal device according to claim 4, wherein the liquid crystal device is provided.
(1)、(2)、(3)のいずれかで表される1種若し
くは複数種の化合物を主体として構成されていることを
特徴とする請求項4又は5に記載の液晶装置。 【化1】 【化2】 【化3】 6. The liquid crystal monomer is mainly composed of one or more compounds represented by any one of the following general formulas (1), (2) and (3). The liquid crystal device according to claim 4 or 5. [Chemical 1] [Chemical 2] [Chemical 3]
の液晶装置の製造方法であって、一対の基板のうちの少
なくとも一方に配向膜を形成する配向膜形成工程を含
み、該配向膜形成工程が、第1配向膜を形成する第1配
向膜形成工程と、前記第1配向膜上に前記第2配向膜を
形成する第2配向膜形成工程とを備え、前記第2配向膜
形成工程において、前記第2配向膜を前記液晶性モノマ
ーを用いた蒸着法により形成することを特徴とする液晶
装置の製造方法。7. The method for manufacturing a liquid crystal device according to claim 1, further comprising an alignment film forming step of forming an alignment film on at least one of the pair of substrates. The film forming step includes a first alignment film forming step of forming a first alignment film and a second alignment film forming step of forming the second alignment film on the first alignment film, wherein the second alignment film is formed. A method of manufacturing a liquid crystal device, wherein in the forming step, the second alignment film is formed by an evaporation method using the liquid crystalline monomer.
液晶性モノマーをイオン蒸着させることにより前記第2
配向膜を形成することを特徴とする請求項7に記載の液
晶装置の製造方法。8. In the step of forming the second alignment film, the liquid crystal monomer is ion-deposited to form the second alignment film.
The method for manufacturing a liquid crystal device according to claim 7, wherein an alignment film is formed.
の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。9. An electronic apparatus comprising the liquid crystal device according to claim 1. Description:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001374229A JP2003172935A (en) | 2001-12-07 | 2001-12-07 | Liquid crystal device, manufacturing method for liquid crystal device and electronic instrument |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001374229A JP2003172935A (en) | 2001-12-07 | 2001-12-07 | Liquid crystal device, manufacturing method for liquid crystal device and electronic instrument |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003172935A true JP2003172935A (en) | 2003-06-20 |
Family
ID=19182821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001374229A Pending JP2003172935A (en) | 2001-12-07 | 2001-12-07 | Liquid crystal device, manufacturing method for liquid crystal device and electronic instrument |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003172935A (en) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004163866A (en) * | 2002-04-30 | 2004-06-10 | Hewlett Packard Co <Hp> | Liquid crystal device |
WO2005076059A1 (en) * | 2004-02-10 | 2005-08-18 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
JP2006323222A (en) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Dainippon Printing Co Ltd | Liquid crystal display element and method for manufacturing liquid crystal display element |
JP2006350322A (en) * | 2005-05-19 | 2006-12-28 | Dainippon Printing Co Ltd | Liquid crystal display element |
WO2007111098A1 (en) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Transparent barrier sheet and method for producing same |
WO2007111092A1 (en) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Transparent barrier sheet and method for producing transparent barrier sheet |
WO2007111075A1 (en) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Transparent barrier sheet and method for producing transparent barrier sheet |
US7402332B2 (en) | 2004-02-10 | 2008-07-22 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Liquid crystal display |
US7907247B2 (en) | 2005-05-19 | 2011-03-15 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Liquid crystal display |
US7911562B2 (en) | 2005-05-19 | 2011-03-22 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Liquid crystal display and process for producing the same |
CN102023414A (en) * | 2009-09-18 | 2011-04-20 | 斯坦雷电气株式会社 | Liquid crystal display and method for manufacturing same |
JP2012053491A (en) * | 2011-12-12 | 2012-03-15 | Dainippon Printing Co Ltd | Liquid crystal display element and manufacturing method of liquid crystal display element |
-
2001
- 2001-12-07 JP JP2001374229A patent/JP2003172935A/en active Pending
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004163866A (en) * | 2002-04-30 | 2004-06-10 | Hewlett Packard Co <Hp> | Liquid crystal device |
JP4532080B2 (en) * | 2002-04-30 | 2010-08-25 | ヒューレット・パッカード・カンパニー | LCD device |
US7402332B2 (en) | 2004-02-10 | 2008-07-22 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Liquid crystal display |
WO2005076059A1 (en) * | 2004-02-10 | 2005-08-18 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US7867580B2 (en) | 2004-02-10 | 2011-01-11 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Liquid crystal display |
CN101364012B (en) * | 2004-02-10 | 2010-09-22 | 大日本印刷株式会社 | Liquid crystal display element |
US7911562B2 (en) | 2005-05-19 | 2011-03-22 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Liquid crystal display and process for producing the same |
JP2006350322A (en) * | 2005-05-19 | 2006-12-28 | Dainippon Printing Co Ltd | Liquid crystal display element |
US7907247B2 (en) | 2005-05-19 | 2011-03-15 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Liquid crystal display |
JP2006323222A (en) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Dainippon Printing Co Ltd | Liquid crystal display element and method for manufacturing liquid crystal display element |
JP2011248368A (en) * | 2005-05-19 | 2011-12-08 | Dainippon Printing Co Ltd | Liquid crystal display device |
WO2007111075A1 (en) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Transparent barrier sheet and method for producing transparent barrier sheet |
WO2007111092A1 (en) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Transparent barrier sheet and method for producing transparent barrier sheet |
WO2007111098A1 (en) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Transparent barrier sheet and method for producing same |
CN102023414A (en) * | 2009-09-18 | 2011-04-20 | 斯坦雷电气株式会社 | Liquid crystal display and method for manufacturing same |
JP2012053491A (en) * | 2011-12-12 | 2012-03-15 | Dainippon Printing Co Ltd | Liquid crystal display element and manufacturing method of liquid crystal display element |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4178920B2 (en) | Alignment film, method for forming alignment film, liquid crystal device, and projection display device | |
US7760306B2 (en) | Liquid crystal device and manufacturing method therefor, and electronic apparatus | |
JP2003172935A (en) | Liquid crystal device, manufacturing method for liquid crystal device and electronic instrument | |
JP2006285001A (en) | Sealing structure, liquid crystal device, its manufacturing method and projector | |
JP2007093848A (en) | Liquid crystal display device and electronic equipment | |
JP2003066458A (en) | Alignment layer, method for forming alignment layer, liquid crystal device and projection type display device | |
JP2003165175A (en) | Oriented film, method for forming oriented film, liquid crystal device and projection-type display device | |
JP2007187720A (en) | Liquid crystal device and electronic equipment | |
JP4013523B2 (en) | Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and liquid crystal device manufacturing method | |
JP4736702B2 (en) | Liquid crystal device manufacturing apparatus, liquid crystal device manufacturing method, liquid crystal device, and electronic apparatus | |
JP2003098514A (en) | Liquid crystal device, method for manufacturing the same and electronic appliance | |
JP3979155B2 (en) | Substrate for liquid crystal device, method for manufacturing substrate for liquid crystal device, liquid crystal device, and projection display device | |
JP4000819B2 (en) | Vapor deposition method, liquid crystal device manufacturing method | |
JP4604988B2 (en) | Manufacturing method of liquid crystal device | |
JP2007256924A (en) | Liquid crystal device, manufacturing method for liquid crystal device, and electronic equipment | |
JP3888102B2 (en) | Alignment film, method for forming alignment film, liquid crystal device, and projection display device | |
JP2003138369A (en) | Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and liquid crystal device manufacturing method | |
JP2007219365A (en) | Method for manufacturing liquid crystal device, liquid crystal device, and electronic appliance | |
JP2007225663A (en) | Method of manufacturing liquid crystal device, liquid crystal device and electronic apparatus | |
JP2003202574A (en) | Substrate for liquid crystal device and method of manufacturing the same, liquid crystal device and projection type display device | |
JP2007140019A (en) | Method for manufacturing liquid crystal device, liquid crystal device | |
JP4788530B2 (en) | Liquid crystal device, method for manufacturing liquid crystal device, substrate for liquid crystal device, projector | |
JP2003167255A (en) | Liquid crystal device, manufacturing method for substrate for liquid crystal device and electronic instrument | |
JP2008191264A (en) | Liquid crystal device, method for manufacturing alignment layer, and method for manufacturing liquid crystal device | |
JP2007140018A (en) | Liquid crystal device, method for manufacturing liquid crystal device, substrate for liquid crystal device, and projector |