JP2003168712A - Method and device for transporting substrate in load- lock device - Google Patents
Method and device for transporting substrate in load- lock deviceInfo
- Publication number
- JP2003168712A JP2003168712A JP2001366405A JP2001366405A JP2003168712A JP 2003168712 A JP2003168712 A JP 2003168712A JP 2001366405 A JP2001366405 A JP 2001366405A JP 2001366405 A JP2001366405 A JP 2001366405A JP 2003168712 A JP2003168712 A JP 2003168712A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- accommodation space
- nozzle member
- substrate
- vacuum chamber
- load lock
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ロードロック装置
の基板搬送方法及びその装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate transfer method for a load lock device and an apparatus therefor.
【0002】[0002]
【従来の技術及びその課題】従来のこの種の装置とし
て、例えば図4に示すものが知られている。このロード
ロック装置は、半導体ウエハ等の基板3を1枚づつ処理
する枚葉式であり、真空チャンバ14を大気に開放する
ことなく、真空チャンバ14に対して基板3の搬入又は
搬出を行うための収容空間28を予備室として備える。2. Description of the Related Art As a conventional device of this type, for example, one shown in FIG. 4 is known. This load lock device is a single-wafer type that processes substrates 3 such as semiconductor wafers one by one, and for loading or unloading the substrates 3 into or from the vacuum chamber 14 without opening the vacuum chamber 14 to the atmosphere. The accommodation space 28 is provided as a preliminary chamber.
【0003】基板3は、1枚が大気ロボット15に載せ
られ、大気圧状態の準備室30から上チャンバ51の搬
送口51aを通してロードロック装置1に搬入させ、図
4に示すようにステージ2上方に位置させた後に支持部
材2a上に載置させる。続いて、大気ロボット15を復
帰させると共に、ノズル部材4を下降させ、ステージ
2、下チャンバ19及びノズル部材4によつて画成密閉
された第1収容空間28Aに基板3を収容させ、排気ラ
イン8の排気バルブ27を開いて粗引用の副真空ポンプ
10の駆動により、第1収容空間28A内を減圧させ
る。ノズル部材4は、ノズル駆動装置7によつて昇降駆
動させることができる。One substrate 3 is placed on the atmospheric robot 15 and is carried into the load lock device 1 from the preparation chamber 30 under atmospheric pressure through the transfer port 51a of the upper chamber 51, and above the stage 2 as shown in FIG. Then, it is placed on the support member 2a. Subsequently, the atmospheric robot 15 is returned, the nozzle member 4 is lowered, and the substrate 3 is housed in the first housing space 28A defined and sealed by the stage 2, the lower chamber 19 and the nozzle member 4, and the exhaust line is exhausted. The exhaust valve 27 of No. 8 is opened to drive the rough reference sub-vacuum pump 10 to reduce the pressure in the first accommodation space 28A. The nozzle member 4 can be moved up and down by a nozzle driving device 7.
【0004】次に、ステージ2を下降させ、主真空ポン
プ11によつて予め減圧させた第2収容空間28Bと第
1収容空間28Aとを連通させると共に、ステージ2上
の基板3を第2収容空間28Bへと移動させる。ステー
ジ2は、ステージ駆動装置6によつて昇降駆動させるこ
とができる。22は、開閉バルブである。Next, the stage 2 is lowered and the second accommodating space 28B and the first accommodating space 28A, which have been decompressed in advance by the main vacuum pump 11, are communicated with each other, and the substrate 3 on the stage 2 is secondly accommodated. Move to space 28B. The stage 2 can be driven up and down by a stage drive device 6. Reference numeral 22 is an opening / closing valve.
【0005】引き続き、仕切弁50を開くと共に、真空
チャンバ14内の真空ロボット26により、ステージ2
上の基板3を真空チャンバ14に搬入させ、真空チャン
バ14に付属する処理装置(図示せず)に供給させて所
定の処理を施す。Subsequently, the gate valve 50 is opened and the stage 2 is moved by the vacuum robot 26 in the vacuum chamber 14.
The upper substrate 3 is loaded into the vacuum chamber 14 and supplied to a processing device (not shown) attached to the vacuum chamber 14 to perform a predetermined process.
【0006】処理の終了した基板3は、ほぼ逆の手順に
よつて上チャンバ51の搬送口51aから取り出すこと
ができるが、ステージ2を上昇させて密閉された第1収
容空間28Aを画成させた後、ノズル部材4を上昇させ
る前に、ガス導入ライン9からのガスを第1収容空間2
8A内に供給させ、大気圧状態に戻す。その際、ガス導
入ライン9に設けた吸気バルブ29を開く。The processed substrate 3 can be taken out from the transfer port 51a of the upper chamber 51 by substantially the reverse procedure, but the stage 2 is raised to define the sealed first accommodation space 28A. Gas from the gas introduction line 9 before the nozzle member 4 is raised.
8A is supplied to return to atmospheric pressure. At that time, the intake valve 29 provided in the gas introduction line 9 is opened.
【0007】このような基板3の搬送に際しては、一般
に、処理の高能率化を図る上で第1収容空間28A内を
速やかに減圧又は昇圧させることが望まれる。しかしな
がら、急速な減圧又は昇圧に伴う気流により、封じられ
た空間28Aの内壁に付着している微小なパーティクル
を巻き上げ、これが基板3上に降り積もるという課題が
あつた。When the substrate 3 is conveyed as described above, it is generally desired that the pressure in the first accommodation space 28A be quickly reduced or increased in order to improve the efficiency of the processing. However, there is a problem that minute particles adhering to the inner wall of the enclosed space 28A are rolled up by the air flow associated with the rapid pressure reduction or pressure rise, and these are accumulated on the substrate 3.
【0008】このようなパーティクルの巻き上げに伴う
基板3の品質低下を防止するものとして、例えば特開平
11−217670に記載される従来例が知られてい
る。As a means for preventing the deterioration of the quality of the substrate 3 due to such winding of particles, a conventional example described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-217670 is known.
【0009】この従来例は、基板3上にノズル部材4中
央から供給させるガスの速度をほぼ一定にさせることに
より、吸気の過程において、ガス気流が乱流となつてパ
ーティクルを巻き上げ、基板3上に付着することを防止
するものである。また、第1収容空間28A内の排気に
際し、一時的な吸気を行ない、パーティクルを効果的に
流出させるものである。In this conventional example, by making the velocity of the gas supplied from the center of the nozzle member 4 on the substrate 3 substantially constant, the gas flow becomes a turbulent flow and winds up particles during the process of inhalation, and the particles are swept on the substrate 3. It is to prevent the adherence to. Further, when exhausting the air in the first accommodation space 28A, temporary intake is performed to effectively flow out particles.
【0010】このため、第1収容空間28A内を速やか
に昇圧させながら、ガス気流によるパーティクルの巻き
上げによる影響を軽微にすることが可能であると共に、
減圧に際してパーティクルを外部に流出させることが可
能であるが、下チャンバ19とノズル部材4との衝突及
び離脱に伴うパーティクルの発生そのものを抑制させる
ものとはなつていないのみならず、減圧又は昇圧を開始
直後の局部的な高速ガス流が生ずることを免れ得ず、パ
ーティクルの巻き上げそのものも十分に抑制させること
ができない。Therefore, it is possible to quickly raise the pressure in the first accommodating space 28A and to reduce the influence of the air current of the particles caused by the gas flow.
Although it is possible to allow the particles to flow to the outside during depressurization, not only does it not suppress the generation of particles themselves due to the collision and separation of the lower chamber 19 and the nozzle member 4, but also the depressurization or pressurization is performed. The local high-speed gas flow immediately after the start cannot be avoided, and the particle winding itself cannot be sufficiently suppressed.
【0011】すなわち、従来のロードロック装置の基板
搬送装置にあつては、排気バルブ27及び吸気バルブ2
9が、いずれも開度を調節不可能な開閉バルブによつて
構成され、急速な排気又は吸気が開始直後からなされる
構造であると共に、ノズル駆動装置7が昇降速度を増減
調節されることを前提としていない。That is, in the substrate transfer device of the conventional load lock device, the exhaust valve 27 and the intake valve 2 are used.
9 is a structure that is configured by an opening / closing valve whose opening cannot be adjusted in any case, and has a structure in which rapid exhaust or intake is performed immediately after the start, and the nozzle driving device 7 is adjusted to increase / decrease its vertical speed. I do not assume.
【0012】このため、基板3を入れた第1収容空間2
8A内を減圧させるために、粗引バルブ27を開いて副
真空ポンプ10により排気させるとき、急速な排気が開
始されて局部的な高速ガス流を生じ、封じられた空間2
8A内壁に付着しているパーティクルを巻き上げ、基板
3上に降り積もる欠点があつた。また、基板3を入れた
第1収容空間28A内を昇圧させるために、吸気バルブ
29を開いて吸気させるとき、急速な吸気が開始されて
局部的な高速ガス流を生じ、封じられた空間28A内壁
に付着しているパーティクルを巻き上げ、基板3上に降
り積もる欠点があつた。Therefore, the first accommodation space 2 containing the substrate 3
When the roughing valve 27 is opened and the sub-vacuum pump 10 is used to evacuate the interior of the chamber 8A, rapid evacuation is started to generate a local high-speed gas flow, and the enclosed space 2
8A had a defect that particles adhering to the inner wall were rolled up and piled up on the substrate 3. Further, when the intake valve 29 is opened to inhale to increase the pressure in the first accommodation space 28A in which the substrate 3 is placed, rapid inspiration is started to generate a local high-speed gas flow and the enclosed space 28A is closed. There is a defect that particles adhering to the inner wall are rolled up and piled up on the substrate 3.
【0013】また、ノズル部材4の中心に備わるガス導
入ライン9からガスを導入して第1収容空間28A内を
大気圧に戻し、ノズル駆動装置7によりノズル部材4を
上昇させるとき、ノズル部材4と上シール面19dとの
間付近に存在するパーティクルを巻き上げ、これが外部
に流出することなく基板3上に降り積もるという技術的
課題があつた。When the gas is introduced from the gas introduction line 9 provided at the center of the nozzle member 4 to return the inside of the first accommodation space 28A to the atmospheric pressure and the nozzle driving device 7 raises the nozzle member 4, the nozzle member 4 is moved. There is a technical problem that particles existing in the vicinity of between the upper sealing surface 19d and the upper sealing surface 19d are wound up and accumulated on the substrate 3 without flowing out.
【0014】更に、第1収容空間28A内に蓄積される
パーティクルを、真空ポンプ(主として副真空ポンプ1
0)の駆動により、外部に排出させる構造であるから、
特に、第1収容空間28Aの外部周辺の下チャンバ19
上に蓄積されるパーティクルが排出されないのみなら
ず、第1収容空間28A内に流入し、基板3上に付着す
る原因になつているという技術的課題があつた。Further, particles accumulated in the first accommodating space 28A are transferred to a vacuum pump (mainly the sub vacuum pump 1).
Since it is a structure that is discharged to the outside by the drive of 0),
In particular, the lower chamber 19 around the outside of the first accommodation space 28A
There is a technical problem that not only the particles accumulated above are not discharged, but also the particles flow into the first accommodation space 28A and adhere to the substrate 3.
【0015】加えて、ノズル部材4を昇降させるノズル
駆動装置7が、一定の昇降速度を与える構造となつてい
たため、ノズル部材4が下チャンバ19の上シール面1
9dに密着・離脱するときに、パーティクルを発生させ
るという技術的課題があつた。In addition, since the nozzle driving device 7 for raising and lowering the nozzle member 4 has a structure for providing a constant raising and lowering speed, the nozzle member 4 is used for the upper sealing surface 1 of the lower chamber 19.
There was a technical problem in that particles were generated when they came into close contact with and separated from 9d.
【0016】以上から、本発明は、排気ライン8は排気
速度を遅速変更可能なライン構造にし、パーティクルの
巻き上げを抑制させると共に、ガス導入ライン9は吸気
速度を遅速変更可能なライン構造にし、パーティクルの
巻き上げを抑制させ、基板3の処理の高能率化とパーテ
ィクルの付着に起因する品質の劣化の防止とを両立させ
ることを目的としてなされたものである。From the above, according to the present invention, the exhaust line 8 has a line structure in which the exhaust speed can be changed slowly, and curling up of particles is suppressed, and the gas introduction line 9 has a line structure in which the intake speed can be changed slowly. The purpose of this is to suppress the winding up of the substrate 3 and improve the efficiency of the processing of the substrate 3 and prevent the deterioration of the quality due to the adhesion of particles.
【0017】また、本発明は、ノズル部材4の下降速
度、更には上昇速度を可変可能な構造にし、特に、ノズ
ル部材4の下チャンバ19への衝突に伴うパーティクル
の発生を抑制させ、基板3の処理の高能率化とパーティ
クルの付着に起因する品質の劣化の防止とを両立させる
ことを目的としてなされたものである。Further, according to the present invention, the descending speed and further the ascending speed of the nozzle member 4 are made variable, and in particular, the generation of particles due to the collision of the nozzle member 4 with the lower chamber 19 is suppressed, and the substrate 3 The purpose of this is to achieve both high efficiency of the processing of (1) and prevention of deterioration of quality due to adhesion of particles.
【0018】更に、本発明は、ノズル部材4の周辺部に
所定方向の気流を生じさせると共に、パーティクルをノ
ズル部材4から外部へと積極的に流出させ、ノズル部材
4の付近のパーティクルをロードロック装置1の外部へ
と速やかに排気させる構造にし、パーティクルの付着に
起因する基板3の品質の劣化の防止を図ることを目的と
している。Further, according to the present invention, an air flow in a predetermined direction is generated in the peripheral portion of the nozzle member 4 and particles are positively flown out from the nozzle member 4 to load-lock particles in the vicinity of the nozzle member 4. The purpose is to prevent the deterioration of the quality of the substrate 3 due to the adhesion of particles by adopting a structure in which the gas is quickly exhausted to the outside of the apparatus 1.
【0019】[0019]
【課題を解決するための手段】本発明は、このような従
来の技術的課題に鑑みてなされたもので、その構成は、
次の通りである。請求項1の発明は、真空チャンバ14
を大気に開放することなく、真空チャンバ14に対して
基板3の搬入又は搬出を行うための収容空間28を備
え、該収容空間28が、大気と密閉及び開放が可能な第
1収容空間28Aと、下チャンバ19に形成され、真空
チャンバ14と連通する第2収容空間28Bとを有し、
第1収容空間28Aが、下チャンバ19の上部開口19
aを外側から密閉するノズル部材4によつて画成可能な
ロードロック装置の基板搬送方法であつて、基板3を大
気中に収容する準備室30に搬送口21aによつて開口
し、かつ、ノズル部材4の上方を覆つてノズル部材4を
収容するノズルカバー21を配置し、該搬送口21aか
ら流入し、ノズルカバー21の通気口21bから流出す
る気流によつてノズル部材4の付近を清浄化させること
を特徴とするロードロック装置の基板搬送方法である。
請求項2の発明は、真空チャンバ14を大気に開放する
ことなく、真空チャンバ14に対して基板3の搬入又は
搬出を行うための収容空間28を備え、該収容空間28
が、大気と密閉及び開放が可能な第1収容空間28A
と、下チャンバ19に形成され、真空チャンバ14と連
通する第2収容空間28Bとを有し、第1収容空間28
Aが下チャンバ19の上部開口19aを外側から密閉す
るノズル部材4によつて画成可能であると共に、第1収
容空間28Aを減圧及び昇圧させるロードロック装置の
基板搬送方法であつて、前記第1収容空間28Aを昇圧
させるためのガス導入ライン9を備え、前記第1収容空
間28Aを前記第2収容空間28Bと気密に画成した状
態で、ガス導入ライン9を通して昇圧させるとき、吸気
速度を低速から高速に変化させることを特徴とするロー
ドロック装置の基板搬送方法である。請求項3の発明
は、前記第1収容空間28Aを気密に画成して大気と密
閉した後に減圧させるとき、排気速度を低速から高速に
変化させることを特徴とする請求項1又は2のロードロ
ック装置の基板搬送方法である。請求項4の発明は、前
記真空チャンバ14が、第2収容空間28Bと常時連通
すると共に、第2収容空間28B及び真空チャンバ14
の内部を減圧する単一の主真空ポンプ11を備えること
を特徴とする請求項1,2又は3のロードロック装置の
基板搬送方法である。請求項5の発明は、前記ノズル部
材4を該下チャンバ19に向けて移動密着させる際、ノ
ズル部材4の移動速度を高速から低速に変化させること
を特徴とする請求項1,2,3又は4のロードロック装
置の基板搬送方法である。請求項6の発明は、前記ノズ
ル部材4を該下チャンバ19から離脱移動させる際、ノ
ズル部材4の移動速度を低速から高速に変更させること
を特徴とする請求項1,2,3,4又は5のロードロッ
ク装置の基板搬送方法である。請求項7に係る発明は、
前記ノズル部材4を該下チャンバ19から離脱移動させ
る前に、第1収容空間28Aが大気圧状態よりも高圧に
されていることを特徴とする請求項1,2,3,4,5
又は6のロードロック装置の基板搬送方法である。請求
項8の発明は、真空チャンバ14を大気に開放すること
なく、真空チャンバ14に対して基板3の搬入又は搬出
を行うための収容空間28を備え、該収容空間28が、
大気と密閉及び開放が可能な第1収容空間28Aと、下
チャンバ19に形成され、真空チャンバ14と連通する
第2収容空間28Bとを有し、第1収容空間28Aが、
下チャンバ19の上部開口19aを外側から密閉するノ
ズル部材4によつて画成可能なロードロック装置の基板
搬送装置であつて、ノズル部材4の上方を覆つてノズル
部材4を収容し、基板3を大気中に収容する準備室30
に搬送口21aによつて開口し、かつ、搬送口21aか
ら離れた位置に通気口21bを形成したノズルカバー2
1を配置し、ノズルカバー21内に、準備室30から通
気口21bに向かう気流を生じさせることを特徴とする
ロードロック装置の基板搬送装置である。請求項9の発
明は、真空チャンバ14を大気に開放することなく、真
空チャンバ14に対して基板3の搬入又は搬出を行うた
めの収容空間28を備え、該収容空間28が、大気と密
閉及び開放が可能な第1収容空間28Aと、下チャンバ
19に形成され、真空チャンバ14と連通する第2収容
空間28Bとを有し、第1収容空間28Aが、下チャン
バ19の上部開口19aを外側から密閉するノズル部材
4によつて画成可能であると共に、第1収容空間28A
を減圧及び昇圧させるロードロック装置の基板搬送装置
であつて、前記第1収容空間28Aを昇圧させるための
ガス導入ライン9を備え、該ガス導入ライン9が、吸気
速度を増減変更可能な吸気バルブ装置31を介してガス
供給源32に接続されていることを特徴とするロードロ
ック装置の基板搬送装置である。請求項10の発明は、
前記第1収容空間28Aを気密に画成して大気と密閉し
た後に減圧させるための排気ライン8を備え、該排気ラ
イン8が、排気速度を増減変更可能な排気バルブ装置2
0を介して副真空ポンプ10に接続されていることを特
徴とする請求項8又は9のロードロック装置の基板搬送
装置である。請求項11の発明は、前記真空チャンバ1
4が、第2収容空間28Bと常時連通すると共に、第2
収容空間28B及び真空チャンバ14の内部を減圧する
単一の主真空ポンプ11を備えることを特徴とする請求
項8,9又は10のロードロック装置の基板搬送装置で
ある。請求項12の発明は、前記ノズル部材4を昇降移
動させるノズル駆動装置7を備え、該ノズル駆動装置7
が、ノズル部材4の移動速度を高低変更可能であること
を特徴とする請求項8,9,10又は11のロードロッ
ク装置の基板搬送装置である。請求項13の発明は、前
記ガス供給源32が、前記第1収容空間28Aに大気圧
状態よりも高圧のガスを供給できることを特徴とする請
求項9,10,11又は12のロードロック装置の基板
搬送装置である。The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional technical problems, and the structure thereof is as follows.
It is as follows. The invention of claim 1 provides a vacuum chamber 14
A storage space 28 for loading or unloading the substrate 3 into or from the vacuum chamber 14 without opening the storage space 28 to the atmosphere. The storage space 28 is a first storage space 28A that can be closed and opened to the atmosphere. , A second accommodation space 28B formed in the lower chamber 19 and communicating with the vacuum chamber 14,
The first accommodating space 28A is the upper opening 19 of the lower chamber 19.
A method of transporting a substrate of a load lock device, which can be defined by a nozzle member 4 for sealing a from the outside, which is opened in a preparation chamber 30 for accommodating the substrate 3 in the atmosphere by a transport port 21a, and A nozzle cover 21 that covers the upper portion of the nozzle member 4 and accommodates the nozzle member 4 is arranged, and the vicinity of the nozzle member 4 is cleaned by the airflow that flows in from the transport port 21a and flows out from the ventilation port 21b of the nozzle cover 21. A method of transporting a substrate of a load lock device, characterized by:
The invention according to claim 2 includes a storage space 28 for loading or unloading the substrate 3 into or from the vacuum chamber 14 without exposing the vacuum chamber 14 to the atmosphere.
However, the first storage space 28A that can be closed and opened to the atmosphere
And a second accommodation space 28B formed in the lower chamber 19 and communicating with the vacuum chamber 14, and the first accommodation space 28
A is a substrate transfer method of a load-lock device for decompressing and pressurizing the first accommodation space 28A while A can be defined by the nozzle member 4 that seals the upper opening 19a of the lower chamber 19 from the outside. A gas introduction line 9 for increasing the pressure of the first accommodation space 28A is provided, and when the pressure is increased through the gas introduction line 9 in a state where the first accommodation space 28A is airtightly defined with the second accommodation space 28B, an intake speed is increased. A substrate transfer method for a load lock device, characterized by changing from a low speed to a high speed. The invention according to claim 3 is characterized in that when the first accommodating space 28A is airtightly defined and sealed with the atmosphere and then depressurized, the exhaust speed is changed from low speed to high speed. It is a substrate transfer method of a lock device. According to a fourth aspect of the present invention, the vacuum chamber 14 is always in communication with the second accommodation space 28B, and the second accommodation space 28B and the vacuum chamber 14 are in communication with each other.
4. A substrate transfer method for a load lock device according to claim 1, further comprising a single main vacuum pump 11 for depressurizing the inside of the substrate. The invention of claim 5 is characterized in that, when the nozzle member 4 is moved and brought into close contact with the lower chamber 19, the moving speed of the nozzle member 4 is changed from a high speed to a low speed. 4 is a substrate transfer method of the load lock device of FIG. The invention of claim 6 is characterized in that, when the nozzle member 4 is moved away from the lower chamber 19, the moving speed of the nozzle member 4 is changed from a low speed to a high speed. 5 is a substrate transfer method of the load lock device of FIG. The invention according to claim 7 is
Before the nozzle member 4 is moved away from the lower chamber 19, the first accommodating space 28A has a higher pressure than the atmospheric pressure state.
Alternatively, the method of transporting the substrate of the load lock device according to No. 6 is provided. According to the invention of claim 8, there is provided a storage space 28 for loading or unloading the substrate 3 into or from the vacuum chamber 14 without exposing the vacuum chamber 14 to the atmosphere.
It has a first accommodation space 28A that can be closed and opened to the atmosphere, and a second accommodation space 28B that is formed in the lower chamber 19 and communicates with the vacuum chamber 14, and the first accommodation space 28A
A substrate transfer device of a load lock device that can be defined by a nozzle member 4 that seals an upper opening 19a of a lower chamber 19 from the outside. Room 30 for storing air in the atmosphere
Nozzle cover 2 that is opened by a transfer port 21a and has a ventilation port 21b formed at a position away from the transfer port 21a
1 is arranged to generate an air flow in the nozzle cover 21 from the preparatory chamber 30 to the ventilation port 21b. The invention according to claim 9 includes a housing space 28 for loading or unloading the substrate 3 into or from the vacuum chamber 14 without opening the vacuum chamber 14 to the atmosphere. It has a first accommodating space 28A that can be opened and a second accommodating space 28B that is formed in the lower chamber 19 and communicates with the vacuum chamber 14, and the first accommodating space 28A is located outside the upper opening 19a of the lower chamber 19. Can be defined by the nozzle member 4 that is sealed from the first housing space 28A.
And a gas introduction line 9 for increasing the pressure of the first accommodation space 28A, the gas introduction line 9 being an intake valve capable of increasing or decreasing an intake speed. A substrate transfer device of a load lock device, which is connected to a gas supply source 32 via a device 31. The invention of claim 10 is
An exhaust line 8 is provided for airtightly defining the first accommodation space 28A, hermetically closing it to the atmosphere, and then reducing the pressure, and the exhaust line 8 is capable of increasing and decreasing the exhaust speed.
The substrate transfer device of the load lock device according to claim 8 or 9, wherein the substrate transfer device is connected to the sub vacuum pump 10 through 0. The invention of claim 11 relates to the vacuum chamber 1.
4 always communicates with the second accommodation space 28B, and
The substrate transfer device of the load lock device according to claim 8, 9 or 10, further comprising a single main vacuum pump 11 that depressurizes the inside of the accommodation space 28B and the vacuum chamber 14. According to a twelfth aspect of the present invention, a nozzle drive device 7 for moving the nozzle member 4 up and down is provided, and the nozzle drive device 7 is provided.
The substrate transfer device of the load lock device according to claim 8, 9, 10 or 11, wherein the moving speed of the nozzle member 4 can be changed. The invention according to claim 13 is characterized in that the gas supply source 32 can supply a gas having a pressure higher than an atmospheric pressure state to the first accommodation space 28A. It is a substrate transfer device.
【0020】[0020]
【発明の実施の形態】図1〜図3は、本発明に係るロー
ドロック装置の基板搬送装置の1実施の形態を示す。図
中において符号1はロードロック装置を示し、ロードロ
ック装置1は、カセットステーション24と、真空チャ
ンバ14との間に配置されている。カセットステーショ
ン24は、クリーンフィルタ23から吹き出す空気によ
つて満たされた清浄かつ大気圧状態の空間であり、例え
ば半導体ウエハである基板3を複数納めるカセットボッ
クス25を付属すると共に、基板3を大気中で搬送させ
る準備室30に大気ロボット15を備える。なお、カセ
ットステーション24の準備室30は、クリーンフィル
タ23から吹き出す空気によつて満たされているので、
大気圧よりも若干高圧の空間であるが、事実上大気開放
された空間であるため、大気圧状態にある。真空チャン
バ14は、真空の空間であり、真空ロボット26を内部
に備え、基板3を処理室14aに搬入又は搬出する。処
理室14aでは、半導体、液晶、太陽電池等の使用目的
に応じ、反応ガスを流しながら物理的、化学的な反応に
より基板3に膜形成やエッチングが施される。1 to 3 show an embodiment of a substrate transfer device of a load lock device according to the present invention. In the figure, reference numeral 1 indicates a load lock device, and the load lock device 1 is arranged between the cassette station 24 and the vacuum chamber 14. The cassette station 24 is a clean and atmospheric pressure space filled with air blown out from the clean filter 23. The cassette station 24 is provided with a cassette box 25 for storing a plurality of substrates 3 which are semiconductor wafers, and the substrates 3 are exposed in the atmosphere. An atmospheric robot 15 is provided in the preparation room 30 for transportation. Since the preparation chamber 30 of the cassette station 24 is filled with the air blown from the clean filter 23,
Although it is a space slightly higher than atmospheric pressure, it is in the atmospheric pressure state because it is a space that is open to the atmosphere. The vacuum chamber 14 is a vacuum space, has a vacuum robot 26 therein, and carries the substrate 3 into or out of the processing chamber 14a. In the processing chamber 14a, film formation or etching is performed on the substrate 3 by a physical or chemical reaction while flowing a reaction gas according to the purpose of use of semiconductors, liquid crystals, solar cells, or the like.
【0021】ロードロック装置1は、内向きフランジ部
19bによつて上部開口19aを形成する下チャンバ1
9と、下チャンバ19内に収容され、下チャンバ19の
内向きフランジ部19bの下面が形成する環状の下シー
ル面19cに密着可能なステージ2と、下チャンバ19
外に配置され、下チャンバ19の内向きフランジ部19
bの上面が形成する環状の上シール面19dに密着可能
なノズル部材4と、ノズルカバー21とを有する。下チ
ャンバ19は、後記する第2収容空間28Bにおいて真
空チャンバ14に連通している。なお、ステージ2付近
のパーティクルが減少するので、下チャンバ19と真空
チャンバ14との間を直接連通させ、従来例の仕切弁5
0を省略することが可能である。仕切弁50の省略は、
ロードロック装置1を含む装置全体のコンパクト化をも
たらす。The load lock device 1 includes a lower chamber 1 having an upper opening 19a formed by an inward flange portion 19b.
9, a stage 2 that is housed in the lower chamber 19 and can be in close contact with an annular lower seal surface 19c formed by the lower surface of the inward flange portion 19b of the lower chamber 19, and the lower chamber 19
An inwardly facing flange portion 19 of the lower chamber 19 which is arranged outside
The nozzle member 4 that can be in close contact with the annular upper seal surface 19d formed by the upper surface of b and the nozzle cover 21 are provided. The lower chamber 19 communicates with the vacuum chamber 14 in a second accommodation space 28B described later. Since particles near the stage 2 are reduced, the lower chamber 19 and the vacuum chamber 14 are directly communicated with each other, and the gate valve 5 of the conventional example is used.
It is possible to omit 0. Omitting the gate valve 50
The entire device including the load lock device 1 is made compact.
【0022】ステージ2は、基板3を支持するための支
持部材2aを上面に適宜に有し、下チャンバ19を気密
かつ摺動自在に貫通する駆動軸5を介して取付けたステ
ージ駆動装置6によつて昇降駆動され、上昇することに
より下シール面19cに気密に密着し、第2収容空間2
8Bを密閉して区画可能である。ノズル部材4は、ノズ
ル駆動装置7によつて昇降駆動され、下降することによ
り上シール面19dに気密に密着し、比較的小容積の第
1収容空間28Aを密閉して区画可能である。小容積の
第1収容空間28Aは、排気及び吸気する空間を最小限
にし、高速化、高処理化を可能にする。ノズル部材4が
下降した状態でステージ2が上昇することにより、第1
収容空間28Aが第2収容空間28Bと気密に隔離した
状態で形成される。The stage 2 has a supporting member 2a for supporting the substrate 3 on its upper surface, and is mounted on a stage driving device 6 mounted via a driving shaft 5 penetrating the lower chamber 19 in a hermetically and slidably manner. Therefore, it is driven up and down, and when it rises, it comes into close contact with the lower sealing surface 19c in an airtight manner.
8B can be sealed and partitioned. The nozzle member 4 is driven up and down by the nozzle driving device 7, and when it descends, it comes into close airtight contact with the upper sealing surface 19d and can partition the relatively small volume of the first accommodation space 28A. The small-capacity first accommodation space 28A minimizes the space for exhausting and inhaling, and enables high speed and high processing. When the stage 2 moves up while the nozzle member 4 moves down, the first
The accommodation space 28A is formed in a state of being airtightly isolated from the second accommodation space 28B.
【0023】ノズル駆動装置7は、ノズル部材4の昇降
速度を遅速調節可能であり、ノズル部材4が上シール面
19d付近に位置するときに低速度にし、上シール面1
9dへの密着及び離脱を緩徐にさせる。このようなノズ
ル駆動装置7は、モータとモータの回転運動を直線運動
に変換させる機構(例えばボールスクリュ・ナット機
構)とを用い、モータの回転速度を制御することで実現
可能である。The nozzle driving device 7 can adjust the ascending / descending speed of the nozzle member 4 at a slow speed, and when the nozzle member 4 is located near the upper sealing surface 19d, it is set to a low speed and the upper sealing surface 1
Slowly adhere to and detach from 9d. Such a nozzle drive device 7 can be realized by controlling the rotational speed of the motor using a motor and a mechanism (for example, a ball screw / nut mechanism) that converts the rotational motion of the motor into a linear motion.
【0024】従つて、第1収容空間28Aは、ノズル部
材4が上部開口19aを外側から密閉した状態で、ノズ
ル部材4、下チャンバ19及びステージ2によつて画成
可能であり、第2収容空間28Bは、ステージ2が上部
開口19aを内側から密閉して、下チャンバ19及びス
テージ2によつて第1収容空間28Aに対して画成可能
である。Therefore, the first accommodating space 28A can be defined by the nozzle member 4, the lower chamber 19 and the stage 2 with the nozzle member 4 sealing the upper opening 19a from the outside, and the second accommodating space 28A can be defined. The space 28B can be defined by the lower chamber 19 and the stage 2 with respect to the first accommodation space 28A by the stage 2 sealing the upper opening 19a from the inside.
【0025】ノズルカバー21は、ノズル部材4の上方
を覆つてノズル部材4を収容し、基板3を大気中に収容
する準備室30に搬送口21aによつて開口し、かつ、
搬送口21aから遠い位置にスリット状の通気口21b
を少なくとも1箇所に有している。このように搬送口2
1aから離れた位置に通気口21bを設けるのは、ノズ
ル部材4の周辺に、搬送口21aから通気口21bに向
かう気流を効果的に生じさせるためである。この大気と
密閉及び開放が可能な第1収容空間28Aと、真空チャ
ンバ14に接続する第2収容空間28Bとで、ロードロ
ック室である収容空間28を構成している。The nozzle cover 21 covers the upper side of the nozzle member 4 to accommodate the nozzle member 4, and is opened by a transfer port 21a in a preparation chamber 30 for accommodating the substrate 3 in the atmosphere, and
Vent 21b having a slit shape at a position far from the transport port 21a
Have at least one location. In this way, the transport port 2
The reason why the vent hole 21b is provided at a position away from 1a is to effectively generate an air flow around the nozzle member 4 from the transfer port 21a toward the vent hole 21b. The first accommodation space 28A that can be closed and opened to the atmosphere and the second accommodation space 28B that is connected to the vacuum chamber 14 form the accommodation space 28 that is a load lock chamber.
【0026】また、下チャンバ19には主真空ポンプ1
1が接続されている。下チャンバ19と真空チャンバ1
4との間は直接連通しているから、単一の主真空ポンプ
11により、下チャンバ19内の第2収容空間28B及
び収容空間28の両者を適宜に減圧させることができる
と共に、真空チャンバ14内をも同時に減圧させること
ができる。The lower chamber 19 has a main vacuum pump 1
1 is connected. Lower chamber 19 and vacuum chamber 1
4 is in direct communication, the single main vacuum pump 11 can appropriately decompress both the second accommodation space 28B and the accommodation space 28 in the lower chamber 19, and the vacuum chamber 14 The inside can be depressurized at the same time.
【0027】第1収容空間28Aには、粗引用の排気ラ
イン8及びガス導入ライン9が接続している。排気ライ
ン8は、下チャンバ19の内向きフランジ部19bの内
周面に一端が開口し、中間部に単位時間当たりの排気量
を増減変更可能な排気バルブ装置20を備えると共に、
他端が粗引排気用の副真空ポンプ10に接続している。
排気バルブ装置20は、具体的には並列配置した2個の
バルブ20a,20bによつて構成され、2個のバルブ
20a,20bを順次に開くことにより、排気速度を増
減変更可能にしてある。ガス導入ライン9は、ノズル部
材4の中央部に一端が開口し、中間部に単位時間当たり
の吸気量を増減変更可能な吸気バルブ装置31を備える
と共に、他端がガス供給源32に接続している。A roughly quoted exhaust line 8 and gas introduction line 9 are connected to the first accommodation space 28A. The exhaust line 8 is provided with an exhaust valve device 20 having one end opened on the inner peripheral surface of the inward flange portion 19b of the lower chamber 19 and having an exhaust valve device 20 capable of increasing / decreasing the exhaust amount per unit time in the middle portion.
The other end is connected to the sub vacuum pump 10 for rough evacuation.
The exhaust valve device 20 is specifically configured by two valves 20a and 20b arranged in parallel, and the exhaust speed can be increased or decreased by sequentially opening the two valves 20a and 20b. The gas introduction line 9 is provided with an intake valve device 31 having one end opened at the central portion of the nozzle member 4 and capable of increasing / decreasing the amount of intake air per unit time at the middle portion, and the other end connected to a gas supply source 32. ing.
【0028】ガス供給源32は、少なくとも乾燥ガス
(空気)を供給する構造を有し、必要に応じてヒータを
備えて気体を100℃程度に昇温させ、或いはイオナイ
ザを備えて乾燥ガスをイオン化させるようになつてい
る。このガス供給源32は、第1収容空間28Aに大気
圧状態よりも高圧のガスを供給でき、ガス供給源32は
ポンプ(図示せず)を備え、ガス供給源32からのガス
をポンプによつて圧送させるようになつている。また、
ガス供給源32にアキュムレータを備えさせ、アキュム
レータ内の高圧ガスを第1収容空間28Aに供給させて
大気圧状態よりも高圧にすることも可能である。吸気バ
ルブ装置31は、具体的には並列配置した2個のバルブ
31a,31bによつて構成され、2個のバルブ31
a,31bを順次に開くことにより、吸気速度を増減変
更可能にしてある。排気バルブ装置20及び吸気バルブ
装置31は、通常の流量制御バルブによつて構成するこ
とも可能である。The gas supply source 32 has a structure for supplying at least a dry gas (air), and is equipped with a heater to raise the temperature of the gas to about 100 ° C., or is equipped with an ionizer to ionize the dry gas. It is getting to let you. The gas supply source 32 can supply a gas having a pressure higher than the atmospheric pressure state to the first accommodation space 28A. The gas supply source 32 includes a pump (not shown), and the gas from the gas supply source 32 is pumped. It is designed to be pumped. Also,
It is also possible to provide the gas supply source 32 with an accumulator and supply the high-pressure gas in the accumulator to the first accommodation space 28A to make the pressure higher than the atmospheric pressure. The intake valve device 31 is specifically configured by two valves 31 a and 31 b arranged in parallel, and the two valve 31
The intake speed can be increased / decreased by sequentially opening a and 31b. The exhaust valve device 20 and the intake valve device 31 can also be configured by a normal flow control valve.
【0029】次に作用について説明する。先ず、大気ロ
ボット15及び真空ロボット26を使用して、基板3を
準備室30から真空チャンバ14に向けて搬送する動作
について説明する。このとき、図1に示すようにノズル
部材4及び及びステージ2が上昇し、第1収容空間28
Aが大気に開放され、第2収容空間28Bが主真空ポン
プ11によつて真空状態にされている。Next, the operation will be described. First, the operation of transferring the substrate 3 from the preparation chamber 30 to the vacuum chamber 14 using the atmospheric robot 15 and the vacuum robot 26 will be described. At this time, as shown in FIG. 1, the nozzle member 4 and the stage 2 are raised, and the first accommodation space 28
A is opened to the atmosphere, and the second accommodation space 28B is evacuated by the main vacuum pump 11.
【0030】大気ロボット15によりカセットステーシ
ョン24のカセットボックス25から取り出した1枚の
基板3が、搬送口21aを通して搬入され、ステージ2
の支持部材2a上の所定位置に載置される。One substrate 3 taken out from the cassette box 25 of the cassette station 24 by the atmospheric robot 15 is carried in through the transfer port 21a, and the stage 2
Is placed at a predetermined position on the support member 2a.
【0031】ステージ2上に基板3が載つたなら、大気
ロボット15を復帰させると共に、ノズル駆動装置7に
よつてノズル部材4を下降させ、図2に示すようにノズ
ル部材4を上シール面19dに気密に密着させ、ステー
ジ2、下チャンバ19及びノズル部材4によつて密閉さ
れた第1収容空間28Aを画成させる。このとき、ノズ
ル駆動装置7によつて与えるノズル部材4の下降速度
は、高速から低速に変化させ、ノズル部材4の短時間で
の下降と下チャンバ19の内向きフランジ部19bへの
緩徐な密着とを両立させ、ノズル部材4の内向きフラン
ジ部19bへの衝突に伴うパーティクルの発生を抑制さ
せる。When the substrate 3 is placed on the stage 2, the atmospheric robot 15 is returned, and the nozzle member 4 is lowered by the nozzle driving device 7 to move the nozzle member 4 to the upper sealing surface 19d as shown in FIG. Airtightly adheres to the stage 2, the lower chamber 19, and the nozzle member 4 to define a first accommodation space 28A that is hermetically sealed. At this time, the descending speed of the nozzle member 4 given by the nozzle driving device 7 is changed from high speed to low speed, the nozzle member 4 descends in a short time, and the lower chamber 19 is slowly adhered to the inward flange portion 19b. Both are satisfied, and the generation of particles due to the collision of the nozzle member 4 with the inward flange portion 19b is suppressed.
【0032】続いて、第1収容空間28Aを副真空ポン
プ10によつて排気させる。このとき、排気バルブ装置
20により排気速度を低速から高速へと切り換える。具
体的には、2個のバルブ20a,20bの一方を開いた
後、所定時間経過後に他方を開き、第1収容空間28A
からのガス流出量を漸増させる。これにより、吸引初期
に第1収容空間28A内に局部的な強い気流が生ずるこ
とを防止させ、その画壁に付着しているパーティクルが
巻き上げられて基板3上に降り積もることを抑制させ
る。Subsequently, the first accommodation space 28A is evacuated by the sub vacuum pump 10. At this time, the exhaust valve device 20 switches the exhaust speed from low speed to high speed. Specifically, after opening one of the two valves 20a and 20b, the other is opened after a predetermined time has passed, and the first accommodation space 28A is opened.
The amount of gas outflow from is gradually increased. This prevents a strong local airflow from being generated in the first accommodation space 28A at the initial stage of suction, and suppresses particles adhering to the image wall from being taken up and accumulated on the substrate 3.
【0033】第1収容空間28Aを第2収容空間28B
とほぼ同等にまで減圧させた後、図3に示すように基板
3を載せたステージ2を下降させる。そして、真空ロボ
ット26によりステージ2上の基板3を受け取り、既に
真空に保つてある真空チャンバ14を経て、真空チャン
バ14に接続された処理室14aへ搬送し、基板3に所
定の処理を施す。The first accommodation space 28A is replaced with the second accommodation space 28B.
After the pressure is reduced to almost the same as the above, the stage 2 on which the substrate 3 is placed is lowered as shown in FIG. Then, the substrate 3 on the stage 2 is received by the vacuum robot 26, is transferred to the processing chamber 14a connected to the vacuum chamber 14 through the vacuum chamber 14 which is already kept in vacuum, and the substrate 3 is subjected to a predetermined processing.
【0034】次に、真空ロボット26及び大気ロボット
15を使用して、処理済みの基板3を真空チャンバ14
から準備室30に向けて搬送する動作について説明す
る。Next, using the vacuum robot 26 and the atmospheric robot 15, the processed substrate 3 is placed in the vacuum chamber 14.
The operation of carrying the sheet from the sheet to the preparation room 30 will be described.
【0035】処理室14aでの処理の終了した基板3
は、真空ロボット26にてステージ2の支持部材2a上
の所定位置に載置させる。次いで、真空ロボット26を
復帰させると共に、ステージ駆動装置6により駆動軸5
を介してステージ2を上昇させ、ステージ2を下シール
面19cに気密に密着させる。ステージ2が下シール面
19cに気密に密着した状態は、基板3が処理済みであ
る点を除き、図2に示す状態と実質的に同様である。The substrate 3 which has been processed in the processing chamber 14a
Is placed at a predetermined position on the support member 2a of the stage 2 by the vacuum robot 26. Next, the vacuum robot 26 is returned, and the drive shaft 5 is moved by the stage drive device 6.
The stage 2 is raised via the, and the stage 2 is airtightly adhered to the lower seal surface 19c. The state in which the stage 2 is airtightly adhered to the lower sealing surface 19c is substantially the same as the state shown in FIG. 2 except that the substrate 3 has been processed.
【0036】これにより第1空間28Aが画成されるの
で、ガス導入ライン9よりガス供給源32からの気体を
密閉状態の第1空間28A内に吹き出させる。このと
き、第1空間28A内への単位時間当たりのガス流入量
を少量から多量へと漸増させる。具体的には、2個のバ
ルブ31a,31bの一方を開いた後、所定時間経過後
に他方を開くように切り換える。これにより、ガスの流
入速度を低速から高速に変化させ、第1収容空間28A
内に局部的な強い気流が生ずることを防止させ、その画
壁に付着しているパーティクルが巻き上げられて基板3
上に降り積もることを抑制させる。ノズル部材4の中央
部に開口するガス導入ライン9からのガスの吹き出しに
より、基板3の上面が清浄化される。そして、第1空間
28A内が大気圧状態よりも若干高圧になるようにガス
を供給したなら、通常は両バルブ31a,31bを閉じ
る。Since the first space 28A is thus defined, the gas from the gas supply source 32 is blown out from the gas introduction line 9 into the first space 28A in a sealed state. At this time, the amount of gas flowing into the first space 28A per unit time is gradually increased from a small amount to a large amount. Specifically, after opening one of the two valves 31a and 31b, the other valve is switched to open after a lapse of a predetermined time. As a result, the gas inflow speed is changed from low speed to high speed, and the first accommodation space 28A
It is possible to prevent a strong local air flow from being generated inside, and the particles adhering to the drawing wall are rolled up, so that the substrate 3
It suppresses the accumulation on top. The upper surface of the substrate 3 is cleaned by blowing gas from the gas introduction line 9 opening at the center of the nozzle member 4. When the gas is supplied so that the inside of the first space 28A is slightly higher than the atmospheric pressure, both valves 31a and 31b are normally closed.
【0037】次いで、ノズル駆動装置7によつてノズル
部材4を上昇させ、ステージ2上の基板3の側方を大気
開放させる。このとき、ノズル部材4の上昇速度は、低
速から高速に変化させ、ノズル部材4の短時間での上昇
とノズル部材4の下チャンバ19の内向きフランジ部1
9bからの緩徐な離脱とを両立させ、ノズル部材4の内
向きフランジ部19bからの離脱に伴うパーティクルの
発生及び巻き上げを抑制させる。第1収容空間28Aを
大気圧状態よりも若干高圧にさせれば、ノズル部材4の
フランジ部19bからの離脱により、第1空間28A内
のガスがパーティクル、特に上シール面19d付近のパ
ーティクルを伴つてノズル部材4の外部に流出するの
で、パーティクルが基板3上に降り積もることが抑制さ
れる。従つて、両バルブ31a,31bの閉じ作動は、
ノズル部材4の内向きフランジ部19bからの離脱後に
することもできる。Next, the nozzle member 4 is raised by the nozzle driving device 7, and the side of the substrate 3 on the stage 2 is exposed to the atmosphere. At this time, the rising speed of the nozzle member 4 is changed from low speed to high speed, and the nozzle member 4 is lifted in a short time and the inward flange portion 1 of the lower chamber 19 of the nozzle member 4 is changed.
It is possible to achieve both a slow separation from 9b and to suppress the generation and winding of particles accompanying the separation of nozzle member 4 from inward flange portion 19b. If the first accommodating space 28A is made slightly higher than the atmospheric pressure state, the gas in the first space 28A is accompanied by particles, particularly particles in the vicinity of the upper sealing surface 19d, due to the nozzle member 4 being separated from the flange portion 19b. Then, since it flows out of the nozzle member 4, particles are suppressed from accumulating on the substrate 3. Therefore, the closing operation of both valves 31a and 31b is
It can also be performed after the nozzle member 4 is separated from the inward flange portion 19b.
【0038】更に、クリーンフィルタ23から吹き出す
空気によつて大気圧状態(大気圧よりも若干高圧)のカ
セットステーション24から通気口21bに向かう気流
を生じ、ノズル部材4の付近、特に内向きフランジ部1
9b上のパーティクルが通気口21bから外部に流出す
るので、基板3上に降り積もることが抑制される。この
カセットステーション24から通気口21bに向かう気
流は、ノズル部材4が上シール面19dに密着している
ときにも生じているので、下チャンバ19の内向きフラ
ンジ部19b上などにパーティクルが滞留することが防
止される。ノズル部材4が上昇したときには、カセット
ステーション24から通気口21bに向かう気流によ
り、ノズル部材4の内部も換気される。Further, the air blown out from the clean filter 23 produces an air flow from the cassette station 24 at atmospheric pressure (slightly higher than atmospheric pressure) toward the ventilation port 21b, and near the nozzle member 4, particularly the inward flange portion 1.
Since the particles on 9b flow out from the vent hole 21b to the outside, they are prevented from accumulating on the substrate 3. The air flow from the cassette station 24 to the ventilation port 21b is generated even when the nozzle member 4 is in close contact with the upper sealing surface 19d, so that the particles stay on the inward flange portion 19b of the lower chamber 19 or the like. Is prevented. When the nozzle member 4 rises, the inside of the nozzle member 4 is also ventilated by the air flow from the cassette station 24 toward the ventilation port 21b.
【0039】ノズル部材4が上昇したなら、大気ロボッ
ト15にてステージ2上の基板3を取り出し、カセット
ステーション24に搬送させる。収容空間28では、ノ
ズル部材4の昇降速度を遅速調節させてパーティクルの
発生及び巻き上げを抑制させると共に、吸気速度及び排
気速度を増減変更可能な排気ライン8及びガス導入ライ
ン9により、パーティクルの巻き上げを抑制させている
ので、ノズルカバー21内に、準備室30から通気口2
1bに向かう気流を生じさせてパーティクルを排出させ
ることとも相まつて、パーティクルが基板3に再付着す
る可能性が事実上なくなる。カセットステーション24
に搬送させた基板3は、次工程に向けて移送させる。When the nozzle member 4 moves up, the atmospheric robot 15 takes out the substrate 3 on the stage 2 and transfers it to the cassette station 24. In the accommodation space 28, the raising / lowering speed of the nozzle member 4 is adjusted to be slow to suppress the generation and winding of particles, and the exhaust line 8 and the gas introduction line 9 capable of increasing / decreasing the intake speed and the exhaust speed increase the winding of particles. Since it is suppressed, the ventilation port 2 is provided in the nozzle cover 21 from the preparation chamber 30.
In addition to generating the air flow toward 1b and discharging the particles, there is virtually no possibility of the particles reattaching to the substrate 3. Cassette station 24
The substrate 3 that has been conveyed to is transferred to the next step.
【0040】ところで、上記1実施の形態にあつては、
真空チャンバ14を大気に開放することなく、真空チャ
ンバ14に対して基板3の搬入及び搬出の両者を行うた
めの収容空間28を備え、該収容空間28が、大気と密
閉及び開放が可能な第1収容空間28Aと、真空チャン
バ14と連通する第2収容空間28Bとを有するものと
したが、収容空間28は、基板3の搬入及び搬出の内の
少なくとも一方を負担することも可能である。その場
合、基板3の搬入専用のロードロック装置と、基板3の
搬出専用のロードロック装置とを備えることになる。従
つて、真空チャンバ14に対して基板3の搬入又は搬出
を行うための収容空間28を備えるものに対し、本発明
を適用可能である。By the way, in the above-mentioned first embodiment,
A storage space 28 for loading and unloading the substrate 3 is provided in the vacuum chamber 14 without opening the vacuum chamber 14 to the atmosphere, and the storage space 28 is capable of sealing and opening to the atmosphere. Although the first accommodation space 28A and the second accommodation space 28B communicating with the vacuum chamber 14 are provided, the accommodation space 28 can also bear at least one of loading and unloading of the substrate 3. In that case, a load lock device dedicated to loading the substrate 3 and a load lock device dedicated to unloading the substrate 3 are provided. Therefore, the present invention can be applied to the vacuum chamber 14 having the accommodation space 28 for loading or unloading the substrate 3.
【0041】[0041]
【発明の効果】以上の説明によつて理解されるように、
本発明に係る基板搬送方法及びその装置によれば、次の
効果を奏することができる。
(1)請求項1及び8の発明によれば、ノズルカバー内
に、搬送口から流入し、通気口から流出する気流を生じ
させ、ノズル部材の付近を清浄化させることができる。
これにより、パーティクルが第1収容空間内及びその付
近に多量に滞留することがなくなる。その結果、清浄に
維持した高品質の基板を得ることが可能になる。As can be understood from the above description,
According to the substrate transfer method and the apparatus therefor of the present invention, the following effects can be obtained. (1) According to the inventions of claims 1 and 8, it is possible to clean the vicinity of the nozzle member by generating an air flow in the nozzle cover that flows in from the transfer port and flows out from the ventilation port.
This prevents a large amount of particles from staying in and near the first accommodation space. As a result, it is possible to obtain a high quality substrate that is kept clean.
【0042】(2)請求項2及び9の発明によれば、第
1収容空間を第2収容空間と気密に隔離した後、第1収
容空間を大気圧状態にまで昇圧させるとき、吸気速度を
低速から高速に変化させることができる。これにより、
第1収容空間内のパーティクルが局部的な高速ガス流に
よつて巻き上げられることが良好に防止され、基板に降
り積もることを抑制させることができる。その結果、清
浄に維持した高品質の基板を得ることが可能になる。(2) According to the inventions of claims 2 and 9, when the first accommodating space is airtightly isolated from the second accommodating space and then the first accommodating space is pressurized to the atmospheric pressure state, the intake speed is increased. It can be changed from low speed to high speed. This allows
It is possible to favorably prevent particles in the first accommodating space from being wound up by the localized high-speed gas flow, and to prevent the particles from accumulating on the substrate. As a result, it is possible to obtain a high quality substrate that is kept clean.
【0043】(3)請求項3及び10の発明によれば、
第1収容空間を大気と密閉した後に排気ラインを通じて
減圧させるとき、排気速度を低速から高速に変化させる
ことができる。これにより、第1収容空間内のパーティ
クルが局部的な高速ガス流によつて巻き上げられること
が良好に防止され、基板に降り積もることを抑制させる
ことができる。その結果、清浄に維持した高品質の基板
を得ることが可能になる。(3) According to the inventions of claims 3 and 10,
When the first accommodating space is sealed with the atmosphere and then decompressed through the exhaust line, the exhaust speed can be changed from low speed to high speed. As a result, particles in the first accommodation space can be favorably prevented from being wound up by the local high-speed gas flow, and can be suppressed from being deposited on the substrate. As a result, it is possible to obtain a high quality substrate that is kept clean.
【0044】(4)請求項4及び11の発明によれば、
真空チャンバが、第2収容空間と常時連通し、かつ、こ
れらに単一の主真空ポンプを備える。これにより、真空
チャンバと第2収容空間との間に配置させていた仕切弁
が省略されると共に、真空ポンプに関する構造を簡素に
することができる。このようなロードロック装置の簡素
かつコンパクトな構造は、収容空間内のパーティクルが
減少する結果として、実現が可能になるものである。(4) According to the inventions of claims 4 and 11,
A vacuum chamber is in constant communication with the second accommodation space and is provided with a single main vacuum pump. Thereby, the sluice valve disposed between the vacuum chamber and the second accommodation space is omitted, and the structure related to the vacuum pump can be simplified. Such a simple and compact structure of the load lock device can be realized as a result of the reduction of particles in the accommodation space.
【0045】(5)請求項5及び12の発明によれば、
ノズル部材を下チャンバに向けて移動させる際、ノズル
部材の移動速度を高速から低速に変更させることができ
る。これにより、ノズル部材が下チャンバに強く衝突
し、パーティクルが発生することを抑制することができ
る。(5) According to the inventions of claims 5 and 12,
When moving the nozzle member toward the lower chamber, the moving speed of the nozzle member can be changed from high speed to low speed. As a result, it is possible to prevent the nozzle member from strongly colliding with the lower chamber and generating particles.
【0046】(6)請求項6及び12の発明によれば、
ノズル部材を下チャンバから離脱移動させる際、ノズル
部材の移動速度を低速から高速に変更させることができ
る。これにより、ノズル部材が下チャンバから離脱する
際に、パーティクルが発生し、或いは巻き上げられるこ
とを抑制することができる。(6) According to the inventions of claims 6 and 12,
When moving the nozzle member away from the lower chamber, the moving speed of the nozzle member can be changed from low speed to high speed. Thereby, when the nozzle member is separated from the lower chamber, particles can be prevented from being generated or being wound up.
【0047】(7)請求項7及び13の発明によれば、
ノズル部材を下チャンバから離脱移動させる前に、第1
収容空間を大気圧状態よりも高圧にさせることができ
る。これにより、ノズル部材を下チャンバから離脱移動
させる際に、第1収容空間内のガスが隙間から流出し、
その付近のパーティクルを吹き飛ばし、収容空間内のパ
ーティクルを減少させるようになる。その結果、清浄に
維持した高品質の基板を得ることが可能になる。(7) According to the inventions of claims 7 and 13,
Before moving the nozzle member away from the lower chamber,
The accommodation space can be made to have a higher pressure than the atmospheric pressure. Thereby, when the nozzle member is moved away from the lower chamber, the gas in the first accommodation space flows out from the gap,
The particles in the vicinity are blown away, and the particles in the accommodation space are reduced. As a result, it is possible to obtain a high quality substrate that is kept clean.
【図1】 本発明の1実施の形態に係るロードロック装
置の基板搬送装置を示す断面図。FIG. 1 is a sectional view showing a substrate transfer device of a load lock device according to an embodiment of the present invention.
【図2】 同じく作用説明図。FIG. 2 is an explanatory view of the same operation.
【図3】 同じく作用説明図。FIG. 3 is an explanatory view of the same operation.
【図4】 従来例を示す断面図。FIG. 4 is a sectional view showing a conventional example.
1:ロードロック装置、2:ステージ、3:基板、4:
ノズル部材、6:ステージ駆動装置、7:ノズル駆動装
置、8:排気ライン、9:ガス導入ライン、10:副真
空ポンプ、11:主真空ポンプ、14:真空チャンバ、
14a:処理室、19:下チャンバ、19a:上部開
口、20:排気バルブ装置、21:ノズルカバー、21
a:搬送口、21b:通気口、23:クリーンフィル
タ、24:カセットステーション、25:カセットボッ
クス、26:真空ロボット、28:収容空間、28A:
第1収容空間、28B:第2収容空間、30:準備室、
31:吸気バルブ装置、32:ガス供給源。1: load lock device, 2: stage, 3: substrate, 4:
Nozzle member, 6: Stage drive device, 7: Nozzle drive device, 8: Exhaust line, 9: Gas introduction line, 10: Sub vacuum pump, 11: Main vacuum pump, 14: Vacuum chamber,
14a: processing chamber, 19: lower chamber, 19a: upper opening, 20: exhaust valve device, 21: nozzle cover, 21
a: transport port, 21b: ventilation port, 23: clean filter, 24: cassette station, 25: cassette box, 26: vacuum robot, 28: accommodation space, 28A:
1st accommodation space, 28B: 2nd accommodation space, 30: preparation room,
31: intake valve device, 32: gas supply source.
Claims (13)
ことなく、真空チャンバ(14)に対して基板(3)の
搬入又は搬出を行うための収容空間(28)を備え、該
収容空間(28)が、大気と密閉及び開放が可能な第1
収容空間(28A)と、下チャンバ(19)に形成さ
れ、真空チャンバ(14)と連通する第2収容空間(2
8B)とを有し、第1収容空間(28A)が、下チャン
バ(19)の上部開口(19a)を外側から密閉するノ
ズル部材(4)によつて画成可能なロードロック装置の
基板搬送方法であつて、基板(3)を大気中に収容する
準備室(30)に搬送口(21a)によつて開口し、か
つ、ノズル部材(4)の上方を覆つてノズル部材(4)
を収容するノズルカバー(21)を配置し、該搬送口
(21a)から流入し、ノズルカバー(21)の通気口
(21b)から流出する気流によつてノズル部材(4)
の付近を清浄化させることを特徴とするロードロック装
置の基板搬送方法。1. A storage space (28) for loading or unloading a substrate (3) into or from the vacuum chamber (14) without opening the vacuum chamber (14) to the atmosphere, the storage space (28) being provided. 28) is the first that can be sealed and opened to the atmosphere
A second accommodation space (2) formed in the accommodation space (28A) and the lower chamber (19) and communicating with the vacuum chamber (14).
8B) and the first accommodation space (28A) can be defined by a nozzle member (4) for sealing the upper opening (19a) of the lower chamber (19) from the outside. In the method, the nozzle member (4) is opened in the preparation chamber (30) for accommodating the substrate (3) in the atmosphere by the transfer port (21a) and covers the upper side of the nozzle member (4).
A nozzle cover (21) for accommodating the nozzle member (4) is provided, and the nozzle member (4) is provided by an air flow that flows in from the transfer port (21a) and flows out from the ventilation port (21b) of the nozzle cover (21).
A method of transporting a substrate of a load lock device, characterized in that the vicinity of the substrate is cleaned.
ことなく、真空チャンバ(14)に対して基板(3)の
搬入又は搬出を行うための収容空間(28)を備え、該
収容空間(28)が、大気と密閉及び開放が可能な第1
収容空間(28A)と、下チャンバ(19)に形成さ
れ、真空チャンバ(14)と連通する第2収容空間(2
8B)とを有し、第1収容空間(28A)が下チャンバ
(19)の上部開口(19a)を外側から密閉するノズ
ル部材(4)によつて画成可能であると共に、第1収容
空間(28A)を減圧及び昇圧させるロードロック装置
の基板搬送方法であつて、前記第1収容空間(28A)
を昇圧させるためのガス導入ライン(9)を備え、前記
第1収容空間(28A)を前記第2収容空間(28B)
と気密に画成した状態で、ガス導入ライン(9)を通し
て昇圧させるとき、吸気速度を低速から高速に変化させ
ることを特徴とするロードロック装置の基板搬送方法。2. A storage space (28) for loading or unloading a substrate (3) into or from the vacuum chamber (14) without opening the vacuum chamber (14) to the atmosphere, the storage space (28) being provided. 28) is the first that can be sealed and opened to the atmosphere
A second accommodation space (2) formed in the accommodation space (28A) and the lower chamber (19) and communicating with the vacuum chamber (14).
8B) and the first accommodation space (28A) can be defined by a nozzle member (4) for sealing the upper opening (19a) of the lower chamber (19) from the outside, and the first accommodation space A substrate transfer method of a load lock device for decompressing and boosting (28A), comprising: the first accommodation space (28A).
A gas introduction line (9) for increasing the pressure of the first accommodation space (28A) and the second accommodation space (28B).
A method of transporting a substrate of a load lock device, characterized in that when the pressure is increased through the gas introduction line (9) in a state of being airtightly defined, the intake speed is changed from low speed to high speed.
成して大気と密閉した後に減圧させるとき、排気速度を
低速から高速に変化させることを特徴とする請求項1又
は2のロードロック装置の基板搬送方法。3. The load according to claim 1, wherein the exhaust speed is changed from a low speed to a high speed when the first accommodation space (28A) is airtightly defined, sealed with the atmosphere and then decompressed. A substrate transfer method for a locking device.
空間(28B)と常時連通すると共に、第2収容空間
(28B)及び真空チャンバ(14)の内部を減圧する
単一の主真空ポンプ(11)を備えることを特徴とする
請求項1,2又は3のロードロック装置の基板搬送方
法。4. A single main vacuum pump for constantly communicating the vacuum chamber (14) with the second accommodation space (28B) and reducing the pressure inside the second accommodation space (28B) and the vacuum chamber (14). 4. The substrate transfer method for a load lock device according to claim 1, further comprising (11).
(19)に向けて移動密着させる際、ノズル部材(4)
の移動速度を高速から低速に変化させることを特徴とす
る請求項1,2,3又は4のロードロック装置の基板搬
送方法。5. The nozzle member (4) when the nozzle member (4) is moved and brought into close contact with the lower chamber (19).
5. The substrate transfer method of the load lock device according to claim 1, wherein the moving speed of the device is changed from a high speed to a low speed.
(19)から離脱移動させる際、ノズル部材(4)の移
動速度を低速から高速に変更させることを特徴とする請
求項1,2,3,4又は5のロードロック装置の基板搬
送方法。6. The moving speed of the nozzle member (4) is changed from a low speed to a high speed when the nozzle member (4) is moved away from the lower chamber (19). 3, 4 or 5 substrate transfer method of the load lock device.
(19)から離脱移動させる前に、第1収容空間(28
A)が大気圧状態よりも高圧にされていることを特徴と
する請求項1,2,3,4,5又は6のロードロック装
置の基板搬送方法。7. The first accommodation space (28) before the nozzle member (4) is moved away from the lower chamber (19).
7. The substrate transfer method of the load lock device according to claim 1, wherein A) is set to a pressure higher than an atmospheric pressure state.
ことなく、真空チャンバ(14)に対して基板(3)の
搬入又は搬出を行うための収容空間(28)を備え、該
収容空間(28)が、大気と密閉及び開放が可能な第1
収容空間(28A)と、下チャンバ(19)に形成さ
れ、真空チャンバ(14)と連通する第2収容空間(2
8B)とを有し、第1収容空間(28A)が、下チャン
バ(19)の上部開口(19a)を外側から密閉するノ
ズル部材(4)によつて画成可能なロードロック装置の
基板搬送装置であつて、ノズル部材(4)の上方を覆つ
てノズル部材(4)を収容し、基板(3)を大気中に収
容する準備室(30)に搬送口(21a)によつて開口
し、かつ、搬送口(21a)から離れた位置に通気口
(21b)を形成したノズルカバー(21)を配置し、
ノズルカバー(21)内に、準備室(30)から通気口
(21b)に向かう気流を生じさせることを特徴とする
ロードロック装置の基板搬送装置。8. A storage space (28) for loading or unloading a substrate (3) into or from the vacuum chamber (14) without opening the vacuum chamber (14) to the atmosphere, the storage space (28) being provided. 28) is the first that can be sealed and opened to the atmosphere
A second accommodation space (2) formed in the accommodation space (28A) and the lower chamber (19) and communicating with the vacuum chamber (14).
8B) and the first accommodation space (28A) can be defined by a nozzle member (4) for sealing the upper opening (19a) of the lower chamber (19) from the outside. A device, which covers the upper side of the nozzle member (4) to accommodate the nozzle member (4) and opens the preparation chamber (30) for accommodating the substrate (3) in the atmosphere through a transfer port (21a). And a nozzle cover (21) having a vent hole (21b) formed at a position away from the transfer port (21a),
A substrate transfer device for a load lock device, characterized in that an air current is generated in the nozzle cover (21) from the preparation chamber (30) toward the ventilation port (21b).
ことなく、真空チャンバ(14)に対して基板(3)の
搬入又は搬出を行うための収容空間(28)を備え、該
収容空間(28)が、大気と密閉及び開放が可能な第1
収容空間(28A)と、下チャンバ(19)に形成さ
れ、真空チャンバ(14)と連通する第2収容空間(2
8B)とを有し、第1収容空間(28A)が、下チャン
バ(19)の上部開口(19a)を外側から密閉するノ
ズル部材(4)によつて画成可能であると共に、第1収
容空間(28A)を減圧及び昇圧させるロードロック装
置の基板搬送装置であつて、前記第1収容空間(28
A)を昇圧させるためのガス導入ライン(9)を備え、
該ガス導入ライン(9)が、吸気速度を増減変更可能な
吸気バルブ装置(31)を介してガス供給源(32)に
接続されていることを特徴とするロードロック装置の基
板搬送装置。9. A storage space (28) for loading or unloading a substrate (3) into or from the vacuum chamber (14) without opening the vacuum chamber (14) to the atmosphere, the storage space (28) being provided. 28) is the first that can be sealed and opened to the atmosphere
A second accommodation space (2) formed in the accommodation space (28A) and the lower chamber (19) and communicating with the vacuum chamber (14).
8B) and the first accommodation space (28A) is definable by the nozzle member (4) for sealing the upper opening (19a) of the lower chamber (19) from the outside, and the first accommodation space (28A) A substrate transfer device of a load lock device for decompressing and boosting a space (28A), comprising the first accommodation space (28
A gas introduction line (9) for increasing the pressure of A) is provided,
A substrate transfer device of a load lock device, wherein the gas introduction line (9) is connected to a gas supply source (32) through an intake valve device (31) capable of increasing and decreasing an intake speed.
画成して大気と密閉した後に減圧させるための排気ライ
ン(8)を備え、該排気ライン(8)が、排気速度を増
減変更可能な排気バルブ装置(20)を介して副真空ポ
ンプ(10)に接続されていることを特徴とする請求項
8又は9のロードロック装置の基板搬送装置。10. An exhaust line (8) for decompressing the first accommodating space (28A) which is airtightly defined and hermetically sealed with the atmosphere, and the exhaust line (8) increases or decreases the exhaust speed. Substrate transfer device for a load lock device according to claim 8 or 9, characterized in that it is connected to the auxiliary vacuum pump (10) via a possible exhaust valve device (20).
容空間(28B)と常時連通すると共に、第2収容空間
(28B)及び真空チャンバ(14)の内部を減圧する
単一の主真空ポンプ(11)を備えることを特徴とする
請求項8,9又は10のロードロック装置の基板搬送装
置。11. A single main vacuum pump, in which the vacuum chamber (14) is in constant communication with the second accommodation space (28B) and which depressurizes the interior of the second accommodation space (28B) and the vacuum chamber (14). The substrate transfer device of the load lock device according to claim 8, 9 or 10, further comprising (11).
るノズル駆動装置(7)を備え、該ノズル駆動装置
(7)が、ノズル部材(4)の移動速度を高低変更可能
であることを特徴とする請求項8,9,10又は11の
ロードロック装置の基板搬送装置。12. A nozzle driving device (7) for moving the nozzle member (4) up and down, the nozzle driving device (7) being capable of changing the moving speed of the nozzle member (4). The substrate transfer device of the load lock device according to claim 8, 9, 10, or 11.
収容空間(28A)に大気圧状態よりも高圧のガスを供
給できることを特徴とする請求項9,10,11又は1
2のロードロック装置の基板搬送装置。13. The gas supply source (32) is the first
A gas having a pressure higher than the atmospheric pressure can be supplied to the accommodation space (28A).
Substrate transfer device of the load lock device of 2.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001366405A JP3851154B2 (en) | 2001-11-30 | 2001-11-30 | Substrate transport method and apparatus for load lock device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001366405A JP3851154B2 (en) | 2001-11-30 | 2001-11-30 | Substrate transport method and apparatus for load lock device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003168712A true JP2003168712A (en) | 2003-06-13 |
JP3851154B2 JP3851154B2 (en) | 2006-11-29 |
Family
ID=19176307
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001366405A Expired - Fee Related JP3851154B2 (en) | 2001-11-30 | 2001-11-30 | Substrate transport method and apparatus for load lock device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3851154B2 (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005158926A (en) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Canon Inc | Device and method for locking load |
KR20070096669A (en) * | 2006-03-27 | 2007-10-02 | 브룩스오토메이션아시아(주) | Load-lock chamber |
KR101017445B1 (en) * | 2007-04-06 | 2011-02-25 | 캐논 가부시끼가이샤 | Processing apparatus and atmosphere exchange method |
CN114300584A (en) * | 2021-12-31 | 2022-04-08 | 成都中建材光电材料有限公司 | Solar cell chip transmission device and annealing transmission method |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101958643B1 (en) * | 2017-05-22 | 2019-03-15 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treating substrate |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6345467B2 (en) * | 1985-12-18 | 1988-09-09 | Nichiden Anelva Kk | |
JPH04352326A (en) * | 1991-05-29 | 1992-12-07 | Tokyo Electron Ltd | Fine processing device |
JPH088152A (en) * | 1994-06-23 | 1996-01-12 | Nippon Steel Corp | Evacuation device |
JPH09191015A (en) * | 1996-01-11 | 1997-07-22 | Canon Inc | Heat treatment device |
JPH11217670A (en) * | 1997-11-25 | 1999-08-10 | Japan Steel Works Ltd:The | Single-wafer load locking device and substrate cleaning method |
JP2001313325A (en) * | 2000-04-27 | 2001-11-09 | Hirata Corp | Article case opening/closing.transfer apparatus |
-
2001
- 2001-11-30 JP JP2001366405A patent/JP3851154B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6345467B2 (en) * | 1985-12-18 | 1988-09-09 | Nichiden Anelva Kk | |
JPH04352326A (en) * | 1991-05-29 | 1992-12-07 | Tokyo Electron Ltd | Fine processing device |
JPH088152A (en) * | 1994-06-23 | 1996-01-12 | Nippon Steel Corp | Evacuation device |
JPH09191015A (en) * | 1996-01-11 | 1997-07-22 | Canon Inc | Heat treatment device |
JPH11217670A (en) * | 1997-11-25 | 1999-08-10 | Japan Steel Works Ltd:The | Single-wafer load locking device and substrate cleaning method |
JP2001313325A (en) * | 2000-04-27 | 2001-11-09 | Hirata Corp | Article case opening/closing.transfer apparatus |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005158926A (en) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Canon Inc | Device and method for locking load |
KR20070096669A (en) * | 2006-03-27 | 2007-10-02 | 브룩스오토메이션아시아(주) | Load-lock chamber |
KR101017445B1 (en) * | 2007-04-06 | 2011-02-25 | 캐논 가부시끼가이샤 | Processing apparatus and atmosphere exchange method |
US8079375B2 (en) | 2007-04-06 | 2011-12-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Processing apparatus and atmosphere exchange method |
CN114300584A (en) * | 2021-12-31 | 2022-04-08 | 成都中建材光电材料有限公司 | Solar cell chip transmission device and annealing transmission method |
CN114300584B (en) * | 2021-12-31 | 2023-07-14 | 成都中建材光电材料有限公司 | Transmission device and annealing transmission method for solar cell chip |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3851154B2 (en) | 2006-11-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100785871B1 (en) | Substrate transfer device and method for substrate transfer | |
KR100297284B1 (en) | Treatment Units and Dry Cleaning Methods | |
US5223001A (en) | Vacuum processing apparatus | |
JP2001015583A (en) | Wafer housing chamber | |
US20030063965A1 (en) | Self evacuating micro environment system | |
JPH11168135A (en) | Substrate storing equipment and substrate storage method | |
US5976312A (en) | Semiconductor processing apparatus | |
JP3851154B2 (en) | Substrate transport method and apparatus for load lock device | |
JP2000150613A (en) | Transporting device for object to be treated | |
JP2004087781A (en) | Vacuum processing method and apparatus | |
JPH08148539A (en) | Semiconductor production system | |
JP3276382B2 (en) | Vacuum processing device and vacuum processing method | |
JPH09306972A (en) | Semiconductor manufacturing apparatus | |
JPH09246354A (en) | Gas purging station for portable sealed container | |
JP2005268244A (en) | Substrate treatment apparatus | |
JPH07235497A (en) | Horizontal treatment furnace | |
JP2003178681A (en) | Manufacturing method of discharge lamp | |
JP4227137B2 (en) | Substrate storage container | |
JP3121022B2 (en) | Decompression processing equipment | |
JPH04271139A (en) | Semiconductor manufacturing equipment | |
JP2006086186A (en) | Substrate processing apparatus | |
KR0166381B1 (en) | Vacuum teatment apparatus | |
JPH11219908A (en) | Substrate processor and method therefor | |
JPH04358531A (en) | Evacuation of vacuum container | |
JP2000271469A (en) | Vacuum treating device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060117 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060306 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060829 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060831 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090908 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100908 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100908 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110908 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110908 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120908 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120908 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130908 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |