JP2003168708A - Ｌｓｉウェハ裏面を用いたバーンイン配線方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウェハバーンインの実施には高精度のシート
が複数枚必要であり、コストがかかる。またウェハとの
接続時に位置ずれしやすく、シート全体で均一な圧力で
の針当てが必要だが困難である。 【解決手段】 バーンイン時に接続の必要なＬＳＩ端子
のパッドからウェハ裏面まで導通させる配線を施し、ウ
ェハ裏面で各ＬＳＩの各端子への配線を拡散工程におい
て行う。この時配線はバーンイン時のウェハ全体での消
費電力がバーンイン装置の電源供給能力を超えないよう
いくつかのブロックに分割する事を可能とする。不良チ
ップに対しては配線をカットし、バーンイン後は配線を
取り除くことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハバーンイン
を行う際にバーンインのための配線をウェハ裏面に拡散
工程において配線を施して行い、不良チップに対しては
配線をカットし、またバーンイン後は配線パターンを除
去することが可能なバーンイン用のパターン配線方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】ウェハバーンイン時には、各ＬＳＩのパ
ッドへの配線を施したシートを複数枚作成し、シート上
のプローブをＬＳＩのパッドに当ててバーンインを行っ
ている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来の方法では高精度
のシートが複数枚必要となり、コストがかかってしま
う。またウェハとの接続時に位置ずれしやすく、シート
全体で均一な圧力での針当てが困難であるという問題点
があった。

【０００４】本発明はかかる点を解決するものであり、
バーンイン用の配線を拡散工程でウェハ裏面に施すこと
でシート無しでのバーンインを可能とし、シート分のコ
スト削減と位置ずれの問題改善を目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、バーンイン用
の配線を拡散工程でウェハ裏面に施すことでシート無し
でのバーンインを可能とし、シート分のコスト削減と位
置ずれの問題改善を図るものである。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明の第１の態様は、ウェハ基
板上に形成された複数のＬＳＩチップのバーンイン用配
線パターンを前記ウェハ基板裏面に施し、前記複数のＬ
ＳＩチップのパッドと接続する配線方法の態様をとる。

【０００７】この構成により、前記ウェハ基板上の前記
複数のＬＳＩチップへの電源、グランド、信号配線が可
能となる。

【０００８】本発明の第２の態様は第１の態様におい
て、前記ウェハ基板上にウェハ表面と裏面のコンタクト
配線を施し、前記複数のＬＳＩチップのパッドと前記バ
ーンイン用配線パターンを接続した配線方法の態様をと
る。

【０００９】この構成により、前記ウェハ基板の裏面で
自由にレイアウトした前記バーンイン用配線パターンと
表面の回路を接続し、バーンインが可能となる。

【００１０】本発明の第３の態様は、第１の態様または
第２の態様において、前記ウェハ基板上の前記複数のＬ
ＳＩチップの配線を一つまたは複数のブロックに分ける
事が可能な配線方法の態様をとる。

【００１１】この構成により、バーンイン装置の電源供
給能力に応じて前記ウェハ基板上の一部または全体での
バーンインが可能になる。

【００１２】本発明の第４の態様は、第１の態様乃至第
３の態様いずれかにおいて、事前のプローブ検査で不良
判定されたチップに対する前記バーンイン用配線パター
ンをレーザーで切断することが可能な配線方法の態様を
とる。

【００１３】この構成により、不良チップへの電源供
給、信号供給を遮断することが出来、過電流などの不具
合を防ぐことができる。

【００１４】本発明の第５の態様は、第１の態様乃至第
４の態様いずれかにおいて前記バーンイン後、前記バー
ンイン用配線パターンを除去する工程を有することを特
徴とする配線方法の態様をとる。

【００１５】この構成により、前記バーンイン後の前記
ウェハ基板は通常のウェハと同様に扱うことが出来るよ
うになる。

【００１６】（実施の形態）図１は、本発明の実施の形
態１に係るウェハ裏面の配線を示す図である。

【００１７】ウェハ裏面１と、ウェハ表面と裏面のコン
タクト配線２、バーンイン用配線３、スクライブレーン
４、配線ブロック５から構成されている。

【００１８】複数のＬＳＩチップの結線を行うバーンイ
ン用配線３は、ＬＳＩの消費電流とバーンイン装置の電
流供給能力に応じてウェハ裏面１でＬＳＩチップごとに
１つ以上の複数の配線ブロック５に分けて配線してお
く。ウェハ表面の回路との接続は、スクライブレーン４
上に表面と裏面のコンタクト配線２を施しておき、この
配線はバーンイン後ダイシングの際に取り除かれ、表面
と裏面の接点は完全になくなる。

【００１９】図２は、本発明の実施の形態２に係るパッ
ドからウェハ裏面までの配線を示す図である。

【００２０】ウェハ基板７と、コンタクト配線２、ＬＳ
Ｉのパッド６、パッド６とコンタクト配線２間の切断用
配線８、ウェハ裏面１のバーンイン用配線３から構成さ
れている。

【００２１】ウェハ表面のパッド６からコンタクト配線
２まで配線を施す。バーンイン前のプローブ検査時に電
源ショートなど過電流の流れる恐れのある不良チップを
チェックしておき、不良チップの配線はバーンイン前に
レーザー９でカットするようにする。良品チップはコン
タクト配線２を通じて裏面でバーンイン用配線を施しバ
ーンインを実施する。

【００２２】

【発明の効果】以上説明したように、ウェハレベルバー
ンインを行う際に、バーンイン用の配線を拡散工程でウ
ェハ裏面に施すことでシートを使わずにバーンイン実施
を可能とし、シート分のコスト削減と位置ずれの問題改
善を図ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ウェハ裏面の配線を示す図

【図２】パッドからウェハ裏面までの配線を示す図

【符号の説明】

１ ウェハ裏面 ２ コンタクト配線 ３ バーンイン用配線 ４ スクライブレーン ５ 配線ブロック ６ パッド ７ ウェハ基板 ８ 切断用配線 ９ レーザー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G132 AB04 AK07 AL31 4M106 AA01 AD22 AD23 CA27 5F038 CA12 CD20 DT15 EZ19 EZ20

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ウェハ基板上に形成された複数のＬＳＩチ
   ップと、前記ウェハ基板裏面に前記複数のＬＳＩチップ
   のバーンイン用配線パターンを拡散工程で施す配線方
   法。
2. 【請求項２】請求項１記載の配線方法において、前記ウ
   ェハ基板上にウェハ表面と裏面のコンタクト配線を施
   し、前記複数のＬＳＩチップのパッドと前記バーンイン
   用配線パターンを接続した配線方法。
3. 【請求項３】請求項１または請求項２記載の配線方法に
   おいて、前記ウェハ基板上の前記複数のＬＳＩチップの
   配線を一つまたは複数のブロックに分ける事が可能な配
   線方法。
4. 【請求項４】請求項１または請求項２または請求項３記
   載の配線方法において、不良チップに対する前記バーン
   イン用配線パターンをレーザーで切断することが可能な
   配線方法。
5. 【請求項５】請求項１または請求項２または請求項３ま
   たは請求項４記載の配線方法において、前記バーンイン
   後、前記バーンイン用配線パターンを除去する工程を有
   することを特徴とする配線方法。