JP2003167532A - Display device and manufacturing method therefor - Google Patents

Display device and manufacturing method therefor

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JP2003167532A JP2001366106A JP2001366106A JP2003167532A JP 2003167532 A JP2003167532 A JP 2003167532A JP 2001366106 A JP2001366106 A JP 2001366106A JP 2001366106 A JP2001366106 A JP 2001366106A JP 2003167532 A JP2003167532 A JP 2003167532A
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亨 佐々木
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知範 西野
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve reliability by preventing oxidization and electrolytic corrosion of a signal wiring layer due to exposure on the cut-off edge of a substrate. <P>SOLUTION: A connection part IJ1 is arranged for connecting an end part of the signal wiring layer GLL led out of a display area to a common wiring layer (short-circuit line layer) inside of a cut-off line CTL of a substrate, and this connection part IJ1 is placed under a configuration member such as a driver GDR. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置に係り、
特に携帯電話機、携帯情報端末等の画像情報や文字情報
の表示装置として用いられる薄膜トランジスタ等を画素
選択のためのスイッチング素子として用いたアクティブ
マトリクス方式又はスイッチング素子を用いない単純マ
トリクス方式の表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device,
In particular, the present invention relates to an active matrix type display device using a thin film transistor or the like used as a display device for image information or character information such as a mobile phone or a personal digital assistant as a switching element for pixel selection, or a simple matrix type display device not using a switching element.

【0002】[0002]

【従来の技術】携帯電話機や携帯情報端末等の可搬型の
情報端末の普及に伴い、その画像情報や文字情報の表示
装置の耐久性能の向上が求められている。図21は可搬
型の情報端末の一つである携帯電話機に実装される表示
装置の概略構造例の模式的説明図である。図21の表示
装置は現在広く採用されている液晶表示装置をイメージ
したものであるが、他の形式の表示装置、例えば有機E
L表示装置などのアクティブマトリクス方式の表示装置
についても同様の駆動構造配置を備える。
2. Description of the Related Art With the spread of portable information terminals such as mobile phones and portable information terminals, it is required to improve the durability performance of display devices for displaying image information and character information. FIG. 21 is a schematic explanatory view of a schematic structure example of a display device mounted on a mobile phone which is one of portable information terminals. The display device of FIG. 21 is an image of a liquid crystal display device which is widely used at present, but a display device of another type, for example, an organic E
An active matrix type display device such as an L display device has a similar drive structure arrangement.

【0003】図21において、この表示装置は第1の基
板SUB1と第2の基板SUB2の間の表示領域ARに
液晶層が挟持される。第1の基板SUB1の表示領域A
Rには走査信号配線GLと画像信号配線DLの交差部分
に単位画素が形成される。各画素はスイッチング素子
(アクティブ素子)として薄膜トランジスタがそれぞれ
設けられている。第2の基板SUB2の内面にはカラー
表示ではカラーフィルタ層や対向電極などが形成されて
いる。
In FIG. 21, in this display device, a liquid crystal layer is sandwiched in a display area AR between a first substrate SUB1 and a second substrate SUB2. Display area A of the first substrate SUB1
In R, a unit pixel is formed at the intersection of the scanning signal line GL and the image signal line DL. Each pixel is provided with a thin film transistor as a switching element (active element). In the color display, a color filter layer, a counter electrode, and the like are formed on the inner surface of the second substrate SUB2.

【0004】第1の基板SUB1は第2の基板SUB2
より若干サイズが大きく、第2の基板SUB2と貼り合
わせたときのはみ出し辺に外部信号源(ホストコンピュ
ータ等)から信号を受ける各種の端子パッド(以下、単
にパッドとも言う)が形成されている。図21の表示装
置は、第1の基板SUB1の一辺(図の下側辺)に画素
信号駆動回路チップ(以下、ドレインドライバとも言
う)DDRが搭載され、他の辺(図の左側辺)には走査
信号駆動回路チップ(以下、ゲートドライバとも言う)
GDRが搭載されている。
The first substrate SUB1 is the second substrate SUB2.
It is slightly larger in size, and various terminal pads (hereinafter, also simply referred to as pads) for receiving a signal from an external signal source (host computer or the like) are formed on the protruding side when the second substrate SUB2 is bonded. In the display device of FIG. 21, a pixel signal drive circuit chip (hereinafter, also referred to as a drain driver) DDR is mounted on one side (the lower side of the drawing) of the first substrate SUB1 and the other side (the left side of the drawing). Is a scanning signal drive circuit chip (hereinafter also referred to as a gate driver)
It is equipped with GDR.

【0005】ゲートドライバGDRの出力側は表示領域
ARの走査信号配線GLに接続し、入力側は第1の基板
SUB1の左辺縁に設けたパッドPAD1に接続されて
いる。ドレインドライバDDRの出力側は表示領域AR
の画像信号配線DLに接続し、入力側は第1の基板SU
B1の下辺縁に設けたパッドPAD3に接続されてい
る。
The output side of the gate driver GDR is connected to the scanning signal line GL of the display area AR, and the input side is connected to the pad PAD1 provided on the left side edge of the first substrate SUB1. The output side of the drain driver DDR is a display area AR
Connected to the image signal wiring DL of the first substrate SU on the input side.
It is connected to a pad PAD3 provided on the lower edge of B1.

【0006】ゲートドライバGDR側のパッドPAD1
には外部信号源と接続する第1のフレキシブルプリント
基板FPC1のパッドPAD2が異方性導電膜などで接
続されている。同様に、ドレインドライバ側のパッドP
AD3には外部信号源と接続する第2のフレキシブルプ
リント基板FPC2のパッドPAD4が異方性導電膜な
どで接続されている。尚、ゲートドライバGDR側のパ
ッドPAD1を第1の基板SUB1の下辺縁に形成し、
第1のフレキシブルプリント基板FPC1を設けず、そ
の機能を第2のフレキシブルプリント基板FPC2にま
とめたものもある。
Pad PAD1 on the gate driver GDR side
The pad PAD2 of the first flexible printed circuit board FPC1 connected to the external signal source is connected to this via an anisotropic conductive film or the like. Similarly, the pad P on the drain driver side
The pad PAD4 of the second flexible printed circuit board FPC2 connected to the external signal source is connected to AD3 by an anisotropic conductive film or the like. The pad PAD1 on the gate driver GDR side is formed on the lower edge of the first substrate SUB1.
There is also one in which the first flexible printed circuit board FPC1 is not provided and the functions thereof are combined into the second flexible printed circuit board FPC2.

【0007】図22は可搬型の情報端末の一つである携
帯電話機に実装される表示装置の他の概略構造例の模式
的説明図である。この表示装置では、ゲートドライバG
DRとドレインドライバDDRは共に第1のフレキシブ
ルプリント基板FPC1、第2のフレキシブルプリント
基板FPC2に搭載されている。他の構成は図21と同
様である。なお、図21および図22に示した構成の他
に、ドレインドライバDDRのみを第1の基板SUB1
上に実装したもの、あるいはゲートドライバGDRのみ
を第1の基板SUB1上に実装したもの、等がある。
FIG. 22 is a schematic explanatory view of another schematic structural example of a display device mounted on a mobile phone which is one of portable information terminals. In this display device, the gate driver G
Both the DR and the drain driver DDR are mounted on the first flexible printed circuit board FPC1 and the second flexible printed circuit board FPC2. Other configurations are similar to those in FIG. In addition to the configurations shown in FIGS. 21 and 22, only the drain driver DDR is provided on the first substrate SUB1.
There are those mounted on the first substrate SUB1 or only the gate driver GDR mounted on the first substrate SUB1.

【0008】上記何れの表示装置においても、そのゲー
トドライバGDR側のパッドPAD1に表示領域から引
き出される配線あるいはドレインドライバ側のパッドP
AD3は表示領域ARから引き出された配線の端部は第
1の基板SUB1の切断端に露出している。なお、フレ
キシブルプリント基板以外に、例えばテープキャリアパ
ッケージで信号源と接続するものについても同様であ
る。
In any of the above display devices, the wiring P that is drawn from the display area to the pad PAD1 on the gate driver GDR side or the pad P on the drain driver side is provided.
In AD3, the end portion of the wiring drawn out from the display area AR is exposed at the cut end of the first substrate SUB1. In addition to the flexible printed circuit board, the same applies to, for example, a tape carrier package connected to a signal source.

【0009】図23は表示装置の表示領域に形成される
画素の構造例を模式的に説明する要部平面図である。こ
こでは、反射電極の一部に開口が形成され、反射型とし
ても透過型としても利用可能な部分透過型の表示装置の
画素構造として説明する。図中、参照符号DLLは画像
信号配線を形成する画像信号配線層、GLLは走査信号
配線を形成する走査信号配線層、ITO1は透明導電膜
(ここでは画素電極)、RELは反射電極層、SIは半
導体層を示す。なお、以下の説明における参照符号は、
別個の機能を有しているものでも同層の材料を用いるも
のでは層を意味する「L」を付加して示す。例えばゲー
ト線GLを形成するための金属層はGLLとしてある。
FIG. 23 is a plan view of an essential part for schematically explaining a structural example of a pixel formed in a display area of a display device. Here, a pixel structure of a partially transmissive display device in which an opening is formed in a part of a reflective electrode and which can be used as both a reflective type and a transmissive type will be described. In the figure, reference numeral DLL is an image signal wiring layer forming an image signal wiring, GLL is a scanning signal wiring layer forming a scanning signal wiring, ITO1 is a transparent conductive film (here, a pixel electrode), REL is a reflective electrode layer, and SI. Indicates a semiconductor layer. The reference numerals in the following description are
In the case of using the material of the same layer even if it has a separate function, "L" which means a layer is added and shown. For example, the metal layer for forming the gate line GL is GLL.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】図24は表示装置の端
子部の構造例を模式的に説明するゲートドライバ側の要
部平面図、図25は図24のA−A’線に沿った断面
図、図26は図24のB−B’線に沿った断面図、図2
7は図24のC−C’線に沿った断面図である。図24
は第1の基板SUB1の母基板から当該第1の基板SU
B1を切断線CTLで切断する前段階を示す。なお、ド
レインドライバ側についても同様であるのでここではゲ
ートドライバ側についてのみ説明する。
FIG. 24 is a plan view of an essential part on the gate driver side for schematically explaining a structural example of a terminal portion of a display device, and FIG. 25 is a sectional view taken along the line AA ′ of FIG. FIG. 26 is a sectional view taken along the line BB ′ of FIG.
7 is a sectional view taken along the line CC 'of FIG. Figure 24
Is the mother board of the first substrate SUB1 to the first substrate SU.
The pre-stage of cutting B1 along the cutting line CTL is shown. Since the same applies to the drain driver side, only the gate driver side will be described here.

【0011】参照符号CGL1は共通第1配線層、CG
L2は共通第2配線層(ここでは、透明導電膜で形
成)、GLLは走査信号配線層(ここでは、第1の走査
信号配線層、材料としてアルミニウム)、PASは絶縁
保護膜、ITO1は透明導電膜(ここでは、第2の走査
信号配線層)、DLLは画像信号配線層、AP2は第2
絶縁膜開口部である。
Reference numeral CGL1 is a common first wiring layer, CG
L2 is a common second wiring layer (here, formed of a transparent conductive film), GLL is a scanning signal wiring layer (here, the first scanning signal wiring layer, aluminum as a material), PAS is an insulating protective film, and ITO1 is transparent. Conductive film (here, second scanning signal wiring layer), DLL is image signal wiring layer, AP2 is second
It is an insulating film opening.

【0012】従来の表示装置における端子部の構成は、
図24〜図27に示したように、絶縁保護膜PAS/透
明導電膜ITO1/走査信号配線層GLLの積層構造の
配線を第1の基板の切断線CTL端部から引き出す構造
となっている。したがって、第1の基板の切断端部には
アルミニウムの走査信号配線層GLLが透明導電膜IT
O1と接触した状態で露出している。
The structure of the terminal portion in the conventional display device is as follows.
As shown in FIGS. 24 to 27, the wiring of the laminated structure of the insulating protection film PAS / transparent conductive film ITO1 / scanning signal wiring layer GLL is drawn from the end of the cutting line CTL of the first substrate. Therefore, the scan signal wiring layer GLL made of aluminum is formed on the cut end of the first substrate by the transparent conductive film IT.
Exposed in contact with O1.

【0013】このため、高湿度環境に置いた場合に当該
露出した端部から内部に向かって酸化が起こり、体積が
膨張する。その結果、信号配線の断線に至る場合があ
る。このことは表示装置の信頼性向上を損なう原因とな
っており、解決すべき課題の一つとなっていた。本発明
の目的は、この様な課題を解消して信頼性を向上した表
示装置を提供することにある。
Therefore, when placed in a high-humidity environment, oxidation occurs from the exposed end portion toward the inside to expand the volume. As a result, the signal wiring may be broken. This is a cause of impairing the reliability improvement of the display device and is one of the problems to be solved. An object of the present invention is to solve the above problems and provide a display device having improved reliability.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、金属材料からなる基板上の配線端面が当
該基板の切断面に露出しない構造とした。本発明の代表
的な手段の特徴を記述すれば次のとおりである。
In order to achieve the above object, the present invention has a structure in which the wiring end face on a substrate made of a metal material is not exposed at the cut surface of the substrate. The features of typical means of the present invention are as follows.

【0015】手段(1)、基板と、前記基板上に形成さ
れた第1の走査信号配線層と、前記第1の走査信号配線
層と電気的に接続された第2の走査信号配線層とを有す
る表示装置であって、前記第1の走査信号配線層は金属
で形成され、その両端が前記基板の端部よりも内側に位
置していると共に、当該両端が他の構成層または部材で
覆われており、前記第2の走査信号配線層は透明導電膜
で形成され、少なくとも一方の端部が前記基板の端部ま
で延在していることを特徴とする。
Means (1), a substrate, a first scanning signal wiring layer formed on the substrate, and a second scanning signal wiring layer electrically connected to the first scanning signal wiring layer. In the display device, the first scanning signal wiring layer is formed of metal, both ends of which are located inside the end portion of the substrate, and the both ends are formed of other constituent layers or members. The second scanning signal wiring layer is covered with a transparent conductive film, and at least one end of the second scanning signal wiring layer extends to the end of the substrate.

【0016】手段(2)、手段(1)において、前記第
1の走査信号配線層の少なくとも一部の表面に、当該第
1の走査信号配線層の構成材料の酸化膜を有することを
特徴とする。
In the means (2) and the means (1), an oxide film of a constituent material of the first scanning signal wiring layer is provided on at least a part of the surface of the first scanning signal wiring layer. To do.

【0017】手段(3)、手段(1)または(2)にお
いて、前記第1の走査信号配線層に接続されたスイッチ
ング素子を有することを特徴とする。
The means (3), the means (1) or (2) is characterized in that it has a switching element connected to the first scanning signal wiring layer.

【0018】手段(4)、手段(1)乃至(3)の何れ
かにおいて、前記第2の走査信号配線層は、前記第1の
走査信号配線層よりも上層に位置することを特徴とす
る。
In any one of the means (4) and the means (1) to (3), the second scanning signal wiring layer is located above the first scanning signal wiring layer. .

【0019】手段(5)、手段(1)乃至(4)の何れ
かにおいて、前記第1の走査信号配線層の少なくとも一
方の端部が他の構成層をマスクとして切断されているこ
とを特徴とする。
In any one of the means (5) and the means (1) to (4), at least one end of the first scanning signal wiring layer is cut by using another constituent layer as a mask. And

【0020】手段(6)、手段(1)乃至(5)の何れ
かにおいて、前記基板上に実装された駆動回路を有し、
前記第1の走査信号配線層の少なくとも一方の端部が前
記駆動回路と重なる位置にあると共に、前記一方の端部
が前記駆動回路を固定または保護する部材により覆われ
ていることを特徴とする。
In any of the means (6) and the means (1) to (5), there is provided a drive circuit mounted on the substrate,
At least one end of the first scanning signal wiring layer is positioned to overlap with the drive circuit, and the one end is covered with a member that fixes or protects the drive circuit. .

【0021】手段(7)、手段(1)乃至(5)の何れ
かにおいて、前記基板上に前記第1の走査信号配線層に
駆動信号を供給するフレキシブル基板を有し、前記第1
の走査信号配線層の少なくとも一方の端部が前記フレキ
シブル基板と重なる位置にあると共に、前記一方の端部
が前記フレキシブル基板を固定または保護する部材によ
り覆われていることを特徴とする。
In any of the means (7) and the means (1) to (5), a flexible substrate for supplying a drive signal to the first scanning signal wiring layer is provided on the substrate, and the first substrate is provided.
At least one end of the scanning signal wiring layer is located at a position overlapping the flexible substrate, and the one end is covered with a member that fixes or protects the flexible substrate.

【0022】手段(8)、手段(1)乃至(7)の何れ
かにおいて、前記基板に重ね合わされる対向基板を有
し、前記基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層
とを有することを特徴とする。
In any one of the means (8) and the means (1) to (7), there is provided a counter substrate which is superposed on the substrate, and a liquid crystal layer sandwiched between the substrate and the counter substrate. It is characterized by having.

【0023】手段(9)、手段(1)乃至(7)の何れ
かにおいて、前記基板に重ね合わされる対向基板と、前
記基板と前記対向基板とを貼り合わせるシール材とを有
すると共に、前記第1の走査信号配線層は、少なくとも
一方の端部が前記シール材に覆われていることを特徴と
する。
In any one of the means (9) and the means (1) to (7), there is provided a counter substrate which is superposed on the substrate, and a sealing material which bonds the substrate and the counter substrate together. One scanning signal wiring layer is characterized in that at least one end is covered with the sealing material.

【0024】手段(10)、基板と、対向基板と、前記
基板と前記対向基板とを貼り合わせるシール材と、前記
基板上に形成された第1の走査信号配線層と、前記第1
の走査信号配線層と電気的に接続された第2の走査信号
配線層とを有する表示装置であって、前記第1の走査信
号配線層は金属で形成され、その両端が前記基板の端部
よりも内側に位置し、その少なくとも一方の端部が前記
シール材に覆われており、前記第2の走査信号配線層は
透明導電膜で形成されていることを特徴とする。
Means (10), a substrate, a counter substrate, a sealing material for bonding the substrate and the counter substrate, a first scanning signal wiring layer formed on the substrate, and the first
A scanning signal wiring layer and a second scanning signal wiring layer electrically connected to the scanning signal wiring layer, wherein the first scanning signal wiring layer is made of metal, and both ends thereof are end portions of the substrate. It is characterized in that it is located inside, and at least one end thereof is covered with the sealing material, and the second scanning signal wiring layer is formed of a transparent conductive film.

【0025】手段(11)、手段(10)において、前
記第2の走査信号配線層の少なくとも一方の端部が前記
基板の端部まで延在していることを特徴とする。
In the means (11) and the means (10), at least one end of the second scanning signal wiring layer extends to the end of the substrate.

【0026】以上の各構成としたことにより、高湿度環
境での使用でも信号配線の断線が回避され、信頼性が向
上する。また、上記の表示装置を製造する方法として、
次のような手段を有するものとした。
With each of the above-mentioned configurations, disconnection of the signal wiring is avoided even when used in a high humidity environment, and reliability is improved. Further, as a method of manufacturing the above display device,
The following means were included.

【0027】手段(12)、基板上に金属で形成され互
いに共通線で接続された複数の第1の走査信号配線層を
形成する工程と、前記第1の走査信号配線層と電気的に
接続されると共に透明導電膜で形成されて互いに共通線
で接続された第2の走査信号配線層を形成する工程と、
前記基板を切断し、前記第2の走査信号配線層を前記共
通線から切り離す工程と、前記基板を切断する工程より
も前に、前記基板の切断線よりも表示領域に近い側で前
記第1の走査信号配線層をエッチングにより前記共通線
から切り離す工程とを有することを特徴とする。
Means (12), a step of forming a plurality of first scanning signal wiring layers formed of metal on the substrate and connected to each other by a common line, and electrically connecting to the first scanning signal wiring layers. And forming a second scanning signal wiring layer formed of a transparent conductive film and connected to each other by a common line,
Before the step of cutting the substrate and separating the second scanning signal wiring layer from the common line, and the step of cutting the substrate, the first line is provided on the side closer to the display area than the cutting line of the substrate. And separating the scanning signal wiring layer from the common line by etching.

【0028】なお、本発明は上記の構成および後述する
実施例の構成に限定されるものではなく、本発明の技術
思想を逸脱することなく種々の変更が可能であることは
言うまでもない。
It is needless to say that the present invention is not limited to the above-mentioned constitution and the constitution of the embodiments to be described later, and various modifications can be made without departing from the technical idea of the present invention.

【0029】[0029]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、実施例の図面を参照して詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings of the embodiments.

【0030】図1は本発明の表示装置の要部構成の実施
例を説明する模式図である。図中の参照符号SUB1は
第1の基板である。ここでは切断線CTLの外側にある
基板材料(母基板)に短絡線層SHLを有した状態で示
す。表示装置の表示領域ARはシール材SLで封止され
ている。走査信号配線層GLLはアルミニウム材料AL
で形成され、シールSLの外側に延びている。第1の基
板SUB1の表示領域ARの図中の左側辺にはドライバ
(ゲートドライバ)GDRが搭載される。ドライバGD
Rの外形線を点線で示す。
FIG. 1 is a schematic diagram for explaining an embodiment of the main configuration of the display device of the present invention. Reference numeral SUB1 in the drawing is a first substrate. Here, the substrate material (mother substrate) outside the cutting line CTL has the short-circuit line layer SHL. The display area AR of the display device is sealed with a sealing material SL. The scanning signal wiring layer GLL is made of aluminum material AL
And extends outside the seal SL. A driver (gate driver) GDR is mounted on the left side of the display area AR of the first substrate SUB1 in the figure. Driver GD
The outline of R is shown by a dotted line.

【0031】図1の左側の構成の実施例では、走査信号
配線層GLLはシール材の外側に伸び、ドライバGDR
の下面で透明導電膜ITO1で形成された短絡線層SH
Lと接続している。この接続部分IJ1の構成は後述す
る。アルミニウムの走査信号配線層GLLは当該ドライ
バGDRのバンプを透明導電膜ITOの端子に接続する
異方性導電膜や接着層で被覆されている。したがって、
アルミニウム材料の走査信号配線層GLLは外部雰囲気
から遮断される。この構成により、高湿度環境での使用
でも信号配線の断線が回避され、信頼性が向上する。
In the embodiment having the configuration on the left side of FIG. 1, the scanning signal wiring layer GLL extends outside the sealing material, and the driver GDR
Short-circuit line layer SH formed of transparent conductive film ITO1 on the lower surface of
It is connected to L. The structure of this connection portion IJ1 will be described later. The scanning signal wiring layer GLL made of aluminum is covered with an anisotropic conductive film or an adhesive layer that connects the bumps of the driver GDR to the terminals of the transparent conductive film ITO. Therefore,
The scanning signal wiring layer GLL made of an aluminum material is shielded from the external atmosphere. With this configuration, disconnection of the signal wiring is avoided even in use in a high humidity environment, and reliability is improved.

【0032】図1の右側の構成は本発明の他の実施例で
あり、走査信号線層GLLがドライバ実装側と反対の基
板端まで伸びている場合を示す。アルミニウム材料の走
査信号配線層GLLはシール材の領域で透明導電膜IT
Oと接続される。この接続部分IJ2の構成は後述す
る。透明導電膜ITOはシール材SLの外側に伸びてア
ルミニウム材料で形成した短絡線層SHLと接続してい
る。切断線CTLの端縁には透明導電膜ITOが露出す
るのみで、アルミニウム材料の走査信号配線層GLLは
シール材SLで覆われる。したがって、アルミニウム材
料の走査信号配線層GLLは外部雰囲気から遮断され
る。この構成により、高湿度環境での使用でも信号配線
の断線が回避され、信頼性が向上する。
The configuration on the right side of FIG. 1 is another embodiment of the present invention, and shows a case where the scanning signal line layer GLL extends to the substrate end opposite to the driver mounting side. The scanning signal wiring layer GLL made of an aluminum material has a transparent conductive film IT in the region of the sealing material.
Connected with O. The structure of this connection portion IJ2 will be described later. The transparent conductive film ITO extends outside the sealing material SL and is connected to the short-circuit line layer SHL formed of an aluminum material. Only the transparent conductive film ITO is exposed at the edge of the cutting line CTL, and the scanning signal wiring layer GLL made of an aluminum material is covered with the sealing material SL. Therefore, the scanning signal wiring layer GLL made of an aluminum material is shielded from the external atmosphere. With this configuration, disconnection of the signal wiring is avoided even in use in a high humidity environment, and reliability is improved.

【0033】図2は本発明の表示装置の要部構成の他の
実施例を説明する模式図である。この実施例も、ドライ
バGDRを第1の基板SUB1上に実装した形式の表示
装置に本発明を適用したものである。走査信号配線層G
LLはアルミニウム材料で形成されている。図2の左側
の切断線CTLの外側には図1と同様の短絡線層SHL
が形成されている。この短絡線層SHLは透明導電膜I
TOで形成されている。
FIG. 2 is a schematic diagram for explaining another embodiment of the main configuration of the display device of the present invention. This embodiment also applies the present invention to a display device in which the driver GDR is mounted on the first substrate SUB1. Scan signal wiring layer G
LL is made of an aluminum material. A short-circuit line layer SHL similar to that of FIG. 1 is provided outside the cutting line CTL on the left side of FIG.
Are formed. This short-circuit line layer SHL is a transparent conductive film I.
It is made of TO.

【0034】図2の左側で、上側に示した走査信号配線
層GLLはシール材SLの領域で短絡線層SHLから延
びる透明導電膜ITOと接続される。この接続部分IJ
3の構成は後述する。また、図2の左側で、下側に示し
た走査信号配線層GLLはシール材SLよりも表示領域
AR側で短絡線層SHLから延びる透明導電膜ITOと
接続される。この接続部分IJ4の構成は後述する。
On the left side of FIG. 2, the scanning signal wiring layer GLL shown on the upper side is connected to the transparent conductive film ITO extending from the short-circuit line layer SHL in the region of the seal material SL. This connection part IJ
The configuration of 3 will be described later. Further, on the left side of FIG. 2, the scanning signal wiring layer GLL shown on the lower side is connected to the transparent conductive film ITO extending from the short circuit line layer SHL on the display area AR side of the seal material SL. The structure of this connection portion IJ4 will be described later.

【0035】図2の右側は本発明の他の実施例であり、
走査信号線層GLLがドライバ実装側と反対の基板端ま
で伸びている場合を示す。上側に示した走査信号配線層
GLLはシール材SLの領域で短絡線層SHLから延び
る透明導電膜ITOと接続される。この接続部分IJ5
の構成は後述する。また、図2の右側で、下側に示した
走査信号配線層GLLはシール材SLよりも表示領域A
R側で短絡線層SHLから延びる透明導電膜ITOと接
続される。この接続部分IJ6の構成は後述する。
The right side of FIG. 2 shows another embodiment of the present invention.
The case where the scanning signal line layer GLL extends to the substrate end opposite to the driver mounting side is shown. The scanning signal wiring layer GLL shown on the upper side is connected to the transparent conductive film ITO extending from the short-circuit line layer SHL in the region of the seal material SL. This connection part IJ5
The configuration of will be described later. In addition, on the right side of FIG. 2, the scan signal wiring layer GLL shown on the lower side is closer to the display area A than the seal material SL.
It is connected to the transparent conductive film ITO extending from the short-circuit line layer SHL on the R side. The structure of this connection portion IJ6 will be described later.

【0036】上記した図2の各構成により、アルミニウ
ム材料の走査信号配線層GLLは外部雰囲気から遮断さ
れる。この構成により、高湿度環境での使用でも信号配
線の断線が回避され、信頼性が向上する。
With the configurations shown in FIG. 2, the scan signal wiring layer GLL made of an aluminum material is shielded from the external atmosphere. With this configuration, disconnection of the signal wiring is avoided even in use in a high humidity environment, and reliability is improved.

【0037】図3は本発明の表示装置の要部構成の他の
実施例を説明する模式図である。この実施例は、ドライ
バGDRをフレキシブルプリント基板FPC1上に搭載
した形成の表示装置に本発明を適用したものである。走
査信号配線層DLLはアルミニウム材料で形成されてい
る。図3の左側の切断線CTLの外側には図1と同様の
短絡線層SHLが形成されている。この短絡線層SHL
は透明導電膜ITOで形成されている。
FIG. 3 is a schematic view for explaining another embodiment of the main configuration of the display device of the present invention. In this embodiment, the present invention is applied to a display device having a driver GDR mounted on a flexible printed circuit board FPC1. The scanning signal wiring layer DLL is formed of an aluminum material. A short-circuit line layer SHL similar to that of FIG. 1 is formed outside the cutting line CTL on the left side of FIG. This short circuit line layer SHL
Is formed of a transparent conductive film ITO.

【0038】図3の左側に示した走査信号配線層GLL
はシール材SLよりも外側で破線で示したフレキシブル
プリント基板FPC1の端子領域内で短絡線層SHLか
ら延びる透明導電膜ITOと接続される。この接続部分
IJ7の構成は後述する。また、図3の右側は本発明の
他の実施例であり、走査信号配線層DLLはシール材S
Lの領域で短絡線層SHLから延びる透明導電膜ITO
と接続される。透明導電膜ITOはアルミニウム材料の
短絡線層SHLに接続される。この接続部分IJ8の構
成は後述する。
The scanning signal wiring layer GLL shown on the left side of FIG.
Is connected to the transparent conductive film ITO extending from the short-circuit line layer SHL in the terminal area of the flexible printed circuit board FPC1 indicated by the broken line outside the sealing material SL. The structure of this connecting portion IJ7 will be described later. In addition, the right side of FIG. 3 is another embodiment of the present invention, in which the scanning signal wiring layer DLL is a sealing material S.
Transparent conductive film ITO extending from the short-circuit line layer SHL in the region L
Connected with. The transparent conductive film ITO is connected to the short circuit line layer SHL made of an aluminum material. The structure of the connecting portion IJ8 will be described later.

【0039】上記した図3の各構成により、アルミニウ
ム材料の走査信号配線層GLLは外部雰囲気から遮断さ
れる。この構成により、高湿度環境での使用でも信号配
線の断線が回避され、信頼性が向上する。
With the above-described configurations of FIG. 3, the scanning signal wiring layer GLL made of an aluminum material is shielded from the external atmosphere. With this configuration, disconnection of the signal wiring is avoided even in use in a high humidity environment, and reliability is improved.

【0040】図4は本発明の表示装置の要部構成の他の
実施例を説明する模式図である。この実施例も、ドライ
バGDRをフレキシブルプリント基板FPC1上に搭載
した形成の表示装置に本発明を適用したものである。走
査信号配線層GLLはアルミニウム材料で形成されてい
る。図4の左側の切断線CTLの外側には透明導電膜I
TOで形成した短絡線層SHLが形成されている。
FIG. 4 is a schematic diagram for explaining another embodiment of the main configuration of the display device of the present invention. This embodiment also applies the present invention to a display device formed by mounting the driver GDR on the flexible printed circuit board FPC1. The scanning signal wiring layer GLL is made of an aluminum material. A transparent conductive film I is provided outside the cutting line CTL on the left side of FIG.
The short-circuit line layer SHL formed of TO is formed.

【0041】図4の左側で、上側に示した走査信号配線
層GLLはシール材SLの領域で短絡線層SHLから延
びる透明導電膜ITOと接続される。この接続部分IJ
9の構成は後述する。また、図4の左側で、下側に示し
た走査信号配線層GLLはシール材SLよりも表示領域
AR側で短絡線層SHLから延びる透明導電膜ITOと
接続される。この接続部分IJ10の構成は後述する。
On the left side of FIG. 4, the scanning signal wiring layer GLL shown on the upper side is connected to the transparent conductive film ITO extending from the short-circuit line layer SHL in the region of the seal material SL. This connection part IJ
The configuration of 9 will be described later. Further, on the left side of FIG. 4, the scanning signal wiring layer GLL shown on the lower side is connected to the transparent conductive film ITO extending from the short-circuit line layer SHL on the display area AR side of the seal material SL. The structure of this connection portion IJ10 will be described later.

【0042】図4の右側は本発明の他の実施例であり、
走査信号線層GLLをドライバ実装側と反対の基板端ま
で伸びている場合を示す。上側に示した走査信号配線層
GLLはシール材SLの領域で短絡線層SHLから延び
る透明導電膜ITOと接続される。この接続部分IJ1
1の構成は後述する。また、図4の右側で、下側に示し
た走査信号配線層GLLはシール材SLよりも表示領域
AR側で短絡線層SHLから延びる透明導電膜ITOと
接続される。この接続部分IJ12の構成は後述する。
The right side of FIG. 4 shows another embodiment of the present invention.
The case where the scanning signal line layer GLL extends to the substrate end opposite to the driver mounting side is shown. The scanning signal wiring layer GLL shown on the upper side is connected to the transparent conductive film ITO extending from the short-circuit line layer SHL in the region of the seal material SL. This connection part IJ1
The configuration of 1 will be described later. Further, the scanning signal wiring layer GLL shown on the lower side on the right side of FIG. 4 is connected to the transparent conductive film ITO extending from the short-circuit line layer SHL on the display area AR side of the seal material SL. The structure of this connection portion IJ12 will be described later.

【0043】上記した図4の各構成により、アルミニウ
ム材料の走査信号配線層GLLは外部雰囲気から遮断さ
れる。この構成により、高湿度環境での使用でも信号配
線の断線が回避され、信頼性が向上する。なお、図1乃
至図4における接続部分IJ1乃至IJ12は同様の構
成であり、以下に説明する絶縁保護膜に形成する開口
(絶縁保護膜開口部)近傍の構成に対応する。
With the above-described configurations of FIG. 4, the scanning signal wiring layer GLL made of an aluminum material is shielded from the external atmosphere. With this configuration, disconnection of the signal wiring is avoided even in use in a high humidity environment, and reliability is improved. Note that the connection portions IJ1 to IJ12 in FIGS. 1 to 4 have the same configuration and correspond to the configuration in the vicinity of the opening (insulating protective film opening) formed in the insulating protective film described below.

【0044】図5は本発明の表示装置における詳細構成
の一実施例を模式的に説明する要部平面図である。ま
た、図6は図5のA−A’線に沿った断面図、図7は図
5のB−B’線に沿った断面図、図8は図5のC−C’
線に沿った断面図、図9は図5のD−D’線に沿った断
面図である。図5乃至図9において、前記図1乃至図4
と同一参照符号は同一機能部分に対応し、CGL1は共
通第1配線層、CGL2は共通第2配線層、AP1は第
1絶縁膜開口部、AP2は第2絶縁膜開口部、PASは
絶縁保護膜を示す。
FIG. 5 is a plan view of relevant parts for schematically explaining an embodiment of the detailed structure of the display device of the present invention. 6 is a sectional view taken along the line AA ′ in FIG. 5, FIG. 7 is a sectional view taken along the line BB ′ in FIG. 5, and FIG. 8 is a sectional view taken along the line CC ′ in FIG.
FIG. 9 is a sectional view taken along line D-D 'of FIG. 5 to 9, the above-mentioned FIG. 1 to FIG.
The same reference numerals as in FIG. 2 correspond to the same functional parts. CGL1 is a common first wiring layer, CGL2 is a common second wiring layer, AP1 is a first insulating film opening, AP2 is a second insulating film opening, and PAS is insulation protection. The membrane is shown.

【0045】図5は第1の基板SUB1の製造工程が完
了した状態での配線端子部(走査信号配線部)を示す。
図5に示したように、第1基板SUB1の切断線CTL
により表示装置の第1基板SUB1の最終外形から切り
放される外側に走査信号配線層GLLを共通につなぐ共
通第1配線層CGL1と共通第2配線層CGL2で構成
した短絡線(図1乃至図4における参照符号SHLに相
当)がある。走査信号配線層GLLと同一材料で形成さ
れた共通第1配線層CGL1と透明導電膜ITO1から
なる共通第2配線層CGL2は電気的に接続している。
FIG. 5 shows the wiring terminal portion (scanning signal wiring portion) in a state where the manufacturing process of the first substrate SUB1 is completed.
As shown in FIG. 5, the cutting line CTL of the first substrate SUB1
The short circuit line formed by the common first wiring layer CGL1 and the common second wiring layer CGL2 that commonly connects the scanning signal wiring layer GLL to the outside cut off from the final contour of the first substrate SUB1 of the display device (see FIGS. 4 corresponds to the reference symbol SHL). The common first wiring layer CGL1 formed of the same material as the scanning signal wiring layer GLL and the common second wiring layer CGL2 formed of the transparent conductive film ITO1 are electrically connected.

【0046】透明導電膜ITO1からなる配線(第2の
走査信号配線層に相当する)を短絡線部から端子部(切
断線CTLよりも右側)へと配置する。金属からなる配
線(図中にGLLで示す走査信号配線層)を透明導電膜
ITO1とは別個に並行に配置する。この金属からなる
走査信号配線層GLLは、図6および図9に示されたよ
うに絶縁保護膜PASの第1絶縁保護膜開口部AP1中
で途切れている。また、画像信号配線DLを形成する材
料と同一材料の画像信号配線層DLLは透明導電膜IT
O1上に形成されており、図7および図8に示されたよ
うに、アルミニウムとクロムを積層した画像信号配線層
DLLは絶縁保護膜PASの第2絶縁保護膜開口部AP
2中で一部が途切れている。画像信号配線層DLLは走
査信号配線層GLLの上にも形成されており、これによ
り第1の走査信号配線層GLLと第2の走査信号配線層
ITO1を電気的に接続すると共に、抵抗を減らしてい
る。
Wiring (corresponding to the second scanning signal wiring layer) made of the transparent conductive film ITO1 is arranged from the short-circuit line portion to the terminal portion (right side of the cutting line CTL). Wiring made of metal (scan signal wiring layer indicated by GLL in the drawing) is arranged in parallel with the transparent conductive film ITO1. The scanning signal wiring layer GLL made of this metal is interrupted in the first insulating protective film opening AP1 of the insulating protective film PAS as shown in FIGS. 6 and 9. Further, the image signal wiring layer DLL made of the same material as the material forming the image signal wiring DL is the transparent conductive film IT.
As shown in FIGS. 7 and 8, the image signal wiring layer DLL formed by stacking aluminum and chromium is formed on the O1 and the second insulating protective film opening portion AP of the insulating protective film PAS is formed.
Part of 2 is cut off. The image signal wiring layer DLL is also formed on the scanning signal wiring layer GLL, whereby the first scanning signal wiring layer GLL and the second scanning signal wiring layer ITO1 are electrically connected and the resistance is reduced. ing.

【0047】図10は第1の基板上に薄膜トランジスタ
を形成する工程途中の端子部の構成を模式的に説明する
平面図である。また、図11は図10のA−A’線に沿
った断面図、図12は図10のD−D’線に沿った断面
図である。薄膜トランジスタを形成する第1基板SUB
1の製造工程途中では、図10に示されたように、走査
信号配線層GLLは第1絶縁保護膜開口部AP1を通っ
て短絡線である共通第1配線層CGL1と共通第2配線
層CGL2の積層配線につながっている。透明導電膜I
TO1も共通第1配線層CGL1と共通第2配線層CG
L2の積層配線につながっている。
FIG. 10 is a plan view for schematically explaining the constitution of the terminal portion during the process of forming the thin film transistor on the first substrate. 11 is a sectional view taken along the line AA 'in FIG. 10, and FIG. 12 is a sectional view taken along the line DD' in FIG. First substrate SUB for forming a thin film transistor
During the manufacturing process of No. 1, as shown in FIG. 10, the scanning signal wiring layer GLL passes through the first insulating protective film opening AP1 and is a short circuit line between the common first wiring layer CGL1 and the common second wiring layer CGL2. Connected to the laminated wiring. Transparent conductive film I
TO1 is also the common first wiring layer CGL1 and the common second wiring layer CG
It is connected to the laminated wiring of L2.

【0048】図13および図14は図1において第1基
板SUB1の切断およびドライバGDRを実装した時の
断面図で、図13はB−B’線に沿った断面図、図14
はD−D’線に沿った断面図である。第1基板SUB1
の切断線CTLは、第1絶縁保護膜開口部AP1を横切
る位置にある。図13に示されるように、走査信号配線
層GLLに接続されている透明導電膜ITO1は、所謂
COG実装されるドライバ、あるいはフレキシブルプリ
ント基板の端子やテープキャリアパッケージの端子等の
周辺部材との接続(図13ではCOG実装されるドライ
バGDR)のため、異方性導電膜ASLを端子表面に塗
布し、上記周辺部材(図13ではドライバGDR)を接
着する。なお、図13における参照符号DBはドライバ
GDRのバンプ、CBは異方性導電膜ASLに混入され
た導電ビーズである。
13 and 14 are cross-sectional views when the first substrate SUB1 is cut and the driver GDR is mounted in FIG. 1, and FIG. 13 is a cross-sectional view taken along the line BB ′, FIG.
FIG. 6 is a sectional view taken along the line DD ′. First substrate SUB1
The cutting line CTL of is located at a position crossing the first insulating protective film opening AP1. As shown in FIG. 13, the transparent conductive film ITO1 connected to the scanning signal wiring layer GLL is connected to a so-called COG mounted driver or a peripheral member such as a terminal of a flexible printed board or a terminal of a tape carrier package. Since the driver GDR is mounted by COG in FIG. 13, the anisotropic conductive film ASL is applied to the terminal surface, and the peripheral member (driver GDR in FIG. 13) is bonded. Reference numeral DB in FIG. 13 is a bump of the driver GDR, and CB is a conductive bead mixed in the anisotropic conductive film ASL.

【0049】また、図14に示されるように、第1絶縁
保護膜開口部AP1内の走査信号配線層GLLの端部露
出部は異方性導電膜ASLで覆われる。そのため、基板
の切断端にアルミニウム材料等の金属配線の端部が露出
することがない。特に、異方性導電膜ASLの上層に配
して接着する周辺部材(ここではドライバGDR)の接
着領域内に金属配線の端部を位置させることで、より効
果的な被覆が得られる。
Further, as shown in FIG. 14, the exposed end portion of the scanning signal wiring layer GLL in the first insulating protective film opening AP1 is covered with the anisotropic conductive film ASL. Therefore, the end of the metal wiring such as aluminum material is not exposed at the cut end of the substrate. In particular, by arranging the end portion of the metal wiring in the bonding region of the peripheral member (here, the driver GDR) that is arranged and bonded on the upper layer of the anisotropic conductive film ASL, more effective coating can be obtained.

【0050】例えば、上記ドライバのCOG実装の場合
は、ドライバの下部に金属配線の端部を位置させること
でこの露出端を異方性導電膜ASLとドライバとで二重
に覆うことができる。したがって、金属配線の端部は外
部環境に晒されることがなく、かつ透明導電膜ITO1
からなる上層膜と同時に外部環境から遮断され、走査信
号配線層GLLを構成する金属と第2の走査信号配線層
を構成する透明導電膜ITO1との間の電池反応を防止
できる。
For example, in the case of COG mounting of the driver, the exposed end can be doubly covered with the anisotropic conductive film ASL and the driver by locating the end of the metal wiring under the driver. Therefore, the end of the metal wiring is not exposed to the external environment, and the transparent conductive film ITO1
It is possible to prevent a battery reaction between the metal forming the scanning signal wiring layer GLL and the transparent conductive film ITO1 forming the second scanning signal wiring layer by being shielded from the external environment at the same time as the upper film made of.

【0051】走査信号配線層GLLに低抵抗のアルミニ
ウム系の材料を使用する場合、アルミニウムのヒロック
発生が問題となる。そのため、アルミニウムの表面を陽
極酸化して陽極酸化膜AOLで覆うことが行われてい
る。陽極酸化処理には、一旦走査信号配線層GLLが共
通第1配線層CGL1に接続されていなければならな
い。そのため、従来は切断線CTLにアルミニウム配線
端が露呈し、これを外部環境から保護することが難し
く、所謂電蝕が起こり易かった。これに対し、本実施例
ではこのようなことが回避され、信頼性を向上すること
ができる。
When a low resistance aluminum-based material is used for the scan signal wiring layer GLL, hillock generation of aluminum becomes a problem. Therefore, the surface of aluminum is anodized and covered with an anodized film AOL. For the anodization process, the scanning signal wiring layer GLL must once be connected to the common first wiring layer CGL1. Therefore, conventionally, the end of the aluminum wiring is exposed to the cutting line CTL, it is difficult to protect it from the external environment, and so-called electrolytic corrosion is likely to occur. On the other hand, in the present embodiment, such a situation can be avoided and the reliability can be improved.

【0052】図15は本発明による表示装置の表示セル
構造例を模式的に説明する要部断面図である。この表示
装置は液晶表示装置である。同図は図23のF−F’線
に沿った断面図に相当する。端子部の第1絶縁膜開口部
AP1(図10乃至図12参照)に露出していた走査信
号配線層GLLは、反射電極RELの加工時に同時に除
去され、共通第1配線層CGL1((図10、図12参
照)と分離される。そして、反射電極RELを覆って第
1の配向膜ORI1が塗布される。
FIG. 15 is a cross-sectional view of an essential part for schematically explaining an example of the display cell structure of the display device according to the present invention. This display device is a liquid crystal display device. This figure corresponds to a cross-sectional view taken along the line FF ′ of FIG. The scanning signal wiring layer GLL exposed in the first insulating film opening AP1 (see FIGS. 10 to 12) of the terminal portion is removed at the same time when the reflective electrode REL is processed, and the common first wiring layer CGL1 ((FIG. 12) and a first alignment film ORI1 is applied to cover the reflective electrode REL.

【0053】第1の基板SUB2の内面にはブラックマ
トリクスBMで区画されたカラーフィルタCFが形成さ
れ、その上をオーバーコート層OCが覆っている。オー
バーコート層OCの上には対向電極である透明導電膜I
TO2が形成され、さらに第2の配向膜ORI2が塗布
されている。この第2の基板SUB2は液晶層LCを介
して第1の基板SUB1と貼り合わされる。両基板の間
の間隙(セルギャップ)はスペーサビーズSBで規制さ
れる。次に、本発明の表示装置を製造方法の一実施例を
説明する。
A color filter CF partitioned by a black matrix BM is formed on the inner surface of the first substrate SUB2, and an overcoat layer OC covers the color filter CF. A transparent conductive film I, which is a counter electrode, is formed on the overcoat layer OC.
TO2 is formed, and the second alignment film ORI2 is further applied. The second substrate SUB2 is bonded to the first substrate SUB1 via the liquid crystal layer LC. The gap (cell gap) between both substrates is regulated by the spacer beads SB. Next, an embodiment of a method for manufacturing the display device of the present invention will be described.

【0054】図16、図17、18は本発明の表示装置
を製造方法の一実施例を説明する工程図であり、図1
6、図17、18を通して“A−1〜A−7”列は図1
5のF−F’線に沿った画素内の製造工程を順に示す断
面図、“B−1〜B−7”列は図5のD−D’線に沿っ
た端子部の製造工程を順に示す断面図、“C−1〜C−
7”列は図5のB−B’線に沿った端子部の製造工程を
順に示す断面図である。以下、工程順に(1)、
(2)、・・・で説明する。
FIGS. 16, 17 and 18 are process drawings for explaining one embodiment of the method for manufacturing the display device of the present invention.
6, and FIGS. 17 and 18 show the rows “A-1 to A-7” as shown in FIG.
5 is a cross-sectional view sequentially showing the manufacturing process in the pixel along the line FF ', and the "B-1 to B-7" columns show the manufacturing process of the terminal portion along the line DD' in FIG. Sectional view showing "C-1 to C-
Column 7 "is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the terminal portion along the line BB 'in FIG. 5 in order. Hereinafter, (1),
(2) will be described.

【0055】(1)、図16の(A−1)、(B−
1)、(C−1)・・・・第1の基板SUB1上にスパ
ッタ法によりアルミニウムを300nmの厚さに成膜す
る。次に、フォトリソグラフィー法を用いてレジストマ
スク(図示せず)を形成する。これを、燐酸、塩酸、硝
酸の混合液を用いてエッチング処理した後、レジストマ
スクを除去して走査信号配線層GLL及び共通第1配線
層CGL1のパターンを得る。これにより、静電気対策
ができると共に、後述する陽極酸化も行える。
(1), (A-1) and (B- in FIG. 16)
1), (C-1) ... An aluminum film having a thickness of 300 nm is formed on the first substrate SUB1 by a sputtering method. Next, a resist mask (not shown) is formed by using the photolithography method. After etching this with a mixed solution of phosphoric acid, hydrochloric acid, and nitric acid, the resist mask is removed to obtain the patterns of the scanning signal wiring layer GLL and the common first wiring layer CGL1. This makes it possible to take measures against static electricity and also perform anodic oxidation described later.

【0056】(2)、図16の(A−2)、(B−
2)、(C−2)・・・・上記のアルミニウムの走査信
号配線層GLLのパターンの端子部をレジストで被覆
し、酒石酸水溶液をアンモニア水でPH7近傍に調整
し、エチレングリコール液を加えた溶液に浸し、第1の
基板SUB1上のアルミニウムの配線層(走査信号配線
層GLL)のパターンと、別途用意する白金電極(図示
せず)の間に125Vの電圧を印加してアルミニウムの
配線層の表面に陽極酸化膜AOLを175nmの厚さに
形成する。その後、レジストを除去する。
(2), (A-2) and (B- in FIG. 16)
2), (C-2) ... The terminal portion of the above pattern of the aluminum scanning signal wiring layer GLL was covered with a resist, the tartaric acid aqueous solution was adjusted to around PH7 with ammonia water, and ethylene glycol solution was added. The aluminum wiring layer is immersed in a solution, and a voltage of 125 V is applied between the pattern of the aluminum wiring layer (scanning signal wiring layer GLL) on the first substrate SUB1 and a platinum electrode (not shown) separately prepared. An anodic oxide film AOL having a thickness of 175 nm is formed on the surface of the. Then, the resist is removed.

【0057】(3)、図16の(A−3)、(B−
3)、(C−3)・・・・第1の基板SUB1上にスパ
ッタ法により透明電極膜ITO1を100nmの厚さに
成膜する。この上にフォトリソグラフィー法でレジスト
マスクを形成し、塩酸と硝酸の混合液でエッチングを施
した後、レジストマスクを除去し、透明電極膜ITO1
で画素電極((A−3)の中央部分参照)と端子のパッ
ド((C−3)の図の中央部分参照)と共通第2配線層
CGL2((B−3)及び(C−3)の図の左端部分)
を形成する。(B−3)に示すように、端子部では、走
査信号配線層GLLの共通第1配線層CGL1への引出
し線は透明電極膜ITO1で覆わない。
(3), (A-3) and (B- in FIG. 16)
3), (C-3) ... A transparent electrode film ITO1 having a thickness of 100 nm is formed on the first substrate SUB1 by a sputtering method. A resist mask is formed on this by a photolithography method, etching is performed with a mixed solution of hydrochloric acid and nitric acid, and then the resist mask is removed to form a transparent electrode film ITO1.
Then, the pixel electrode (see the central portion of (A-3)), the pad of the terminal (see the central portion of the drawing of (C-3)) and the common second wiring layer CGL2 ((B-3) and (C-3)). (The leftmost part of the figure)
To form. As shown in (B-3), in the terminal portion, the leader line of the scanning signal wiring layer GLL to the common first wiring layer CGL1 is not covered with the transparent electrode film ITO1.

【0058】(4)、図17の(A−4)・・・・化学
気相成長法(以下、CVD法)により、窒化シリコンを
220nmの厚さに形成する。そして非晶質シリコンを
200nmの厚さに、さらに燐(P)を1%含む非晶質
シリコンを40nmの厚さに順に成膜する。これにフォ
トリソグラフィー法を用いてレジストマスクを形成し、
ドライエッチング法で弗素系ガスでエッチング処理した
後、レジストマスクを除去してゲート絶縁層GIと半導
体層SIのパターンを形成する。なお、図17の(B−
4)、(C−4)には変化はない。
(4), (A-4) in FIG. 17 ... Silicon nitride is formed to a thickness of 220 nm by chemical vapor deposition (hereinafter referred to as CVD). Then, amorphous silicon is formed to a thickness of 200 nm, and further amorphous silicon containing 1% of phosphorus (P) is formed to a thickness of 40 nm. A resist mask is formed on this using a photolithography method,
After etching with a fluorine-based gas by a dry etching method, the resist mask is removed to form patterns of the gate insulating layer GI and the semiconductor layer SI. Note that (B-
There is no change in 4) and (C-4).

【0059】(5)、図17の(A−5)、(B−
5)、(C−5)・・・・スパッタ法によりクロム(C
r)を30nmの厚さに成膜し、その上にアルミニウム
を200nmの厚さに成膜する。フォトリソグラフィー
法によりレジストマスクを形成し、燐酸、塩酸、硝酸の
混合液でアルミニウム膜をエッチング処理する。次に、
硝酸セリウム第二アンモニウム溶液を用いてクロム膜を
エッチング処理した後、レジストマスクを剥離除去し、
画像信号配線層DLL、ソース電極SD1(DLL)、
ドレイン電極SD2(DLL)を形成する。
(5), (A-5) and (B- in FIG. 17)
5), (C-5) ...- Chromium (C
r) is deposited to a thickness of 30 nm, and aluminum is deposited to a thickness of 200 nm thereon. A resist mask is formed by photolithography, and the aluminum film is etched with a mixed solution of phosphoric acid, hydrochloric acid, and nitric acid. next,
After etching the chromium film with a cerium secondary ammonium nitrate solution, the resist mask is removed by stripping,
Image signal wiring layer DLL, source electrode SD1 (DLL),
The drain electrode SD2 (DLL) is formed.

【0060】端子部では、走査信号配線層GLLを構成
するアルミニウム層と透明導電膜ITO1は界面に形成
される自然酸化膜のため電気的に導通し難いことから、
両者とコンタクトできるクロムを下層にもつアルミニウ
ム/クロムの積層パターンで走査信号配線層GLLと透
明導電膜ITO1とからなる端子パッドを接続する。こ
のアルミニウム/クロムの積層膜は画像信号配線層DL
Lの形成時に同時に形成する。
In the terminal portion, since the aluminum layer forming the scanning signal wiring layer GLL and the transparent conductive film ITO1 are natural oxide films formed at the interface, it is difficult to electrically connect them.
The terminal pads made of the scanning signal wiring layer GLL and the transparent conductive film ITO1 are connected by a laminated pattern of aluminum / chromium having chromium as a lower layer capable of contacting both. This aluminum / chromium laminated film is the image signal wiring layer DL.
It is formed at the same time when L is formed.

【0061】(6)、図18の(A−6)、(B−
6)、(C−6)・・・・CVD法により窒化シリコン
を300nmの厚さに成膜する。フォトリソグラフィー
法を用いてレジストマスクを形成し、弗素系ガスでドラ
イエッチング処理を施した後、レジストマスクを剥離除
去して絶縁保護膜PASを形成する。このとき、表示領
域では、次工程で形成する反射電極RELと、ソース電
極SD1(DLL)(図17の(A−5)参照)との接
続用のコンタクトホールを形成する。
(6), (A-6) and (B- in FIG.
6), (C-6) ... Silicon nitride is deposited to a thickness of 300 nm by the CVD method. A resist mask is formed using a photolithography method, dry etching is performed with a fluorine-based gas, and then the resist mask is peeled and removed to form an insulating protective film PAS. At this time, in the display region, a contact hole for connecting the reflective electrode REL formed in the next step and the source electrode SD1 (DLL) (see (A-5) in FIG. 17) is formed.

【0062】端子部において、走査信号配線層GLLは
アルミニウムからなるパターンと透明導電膜ITO1か
らなるパターンが分かれて同一の共通配線層(CGL
1,CGL2)に接続している。アルミニウムからなる
パターンが位置する場所に絶縁保護膜PASの第1絶縁
保護膜開口部AP1を設けて上記パターンを露出させ
る。透明導電膜ITO1からなるパターンは露出させな
い。このとき、第1絶縁保護膜開口部AP1を基板の切
断線CTLが横切るように配置すると、基板の切断時に
絶縁保護膜PASにクラックが入る可能性を減らすこと
ができる。
In the terminal portion, the scan signal wiring layer GLL is divided into a pattern made of aluminum and a pattern made of the transparent conductive film ITO1, and the same common wiring layer (CGL).
1, CGL2). A first insulating protective film opening portion AP1 of the insulating protective film PAS is provided at a position where the pattern made of aluminum is located to expose the pattern. The pattern made of the transparent conductive film ITO1 is not exposed. At this time, if the first insulating protective film opening AP1 is arranged so as to cross the cutting line CTL of the substrate, it is possible to reduce the possibility of cracks in the insulating protective film PAS when the substrate is cut.

【0063】(7)、図18の(A−7)、(B−
7)、(C−7)・・・・スパッタ法によりクロムを3
0nmの厚さで成膜し、その上にアルミニウムを200
nmの厚さに成膜する。フォトリソグラフィー法を用い
てレジストマスクを形成し、燐酸、塩酸、硝酸の混合液
でアルミニウム膜をエッチング処理する。次に、硝酸セ
リウム第二アンモニウム溶液を用いてクロム膜をエッチ
ング処理した後、再度燐酸、塩酸、硝酸の混合液でエッ
チング処理し、レジストマスクを剥離除去し、反射電極
RELを形成する。
(7), (A-7) and (B- in FIG.
7), (C-7) ... 3% chromium by sputtering method
Form a film with a thickness of 0 nm,
The film is formed to a thickness of nm. A resist mask is formed by photolithography, and the aluminum film is etched with a mixed solution of phosphoric acid, hydrochloric acid, and nitric acid. Next, the chrome film is etched using a cerium diammonium nitrate solution, and then etched again with a mixed solution of phosphoric acid, hydrochloric acid, and nitric acid, and the resist mask is peeled off to form the reflective electrode REL.

【0064】二回目のアルミニウムのエッチング処理で
端子部のアルミニウム引出し線パターンの内、第1絶縁
保護膜開口部AP1内に露出した部分を除去する((B
−7)参照)。これにより、共通第1配線層CGL1と
切り離される。
In the second aluminum etching process, the portion exposed in the first insulating protective film opening AP1 of the aluminum lead wire pattern of the terminal portion is removed ((B
-7)). As a result, it is separated from the common first wiring layer CGL1.

【0065】(8)その後、基板の切断線CTLにおい
て切断し、共通第2配線層CGL2から切り離す。この
ように、基板切断の直前まで透明導電膜ITO1を用い
て共通第2配線層CGL2につないでおくことにより静
電気対策ができる。特に、スイッチング素子がある場合
には、静電気によるダメージを受け易いので効果が大き
い。
(8) After that, the substrate is cut at the cutting line CTL to be separated from the common second wiring layer CGL2. As described above, the measure against static electricity can be taken by connecting the common second wiring layer CGL2 with the transparent conductive film ITO1 until just before the cutting of the substrate. In particular, when there is a switching element, the effect is great because it is easily damaged by static electricity.

【0066】この製造方法により、表示領域につながる
配線層の端部は異方性導電膜ASLとドライバGDR、
若しくはフレキシブルプリント基板、あるいはテープキ
ャリアパッケージにより二重に覆われるので、高温高湿
環境下での信頼性を向上できる。
According to this manufacturing method, the end portion of the wiring layer connected to the display region has the anisotropic conductive film ASL and the driver GDR,
Alternatively, since it is doubly covered with the flexible printed circuit board or the tape carrier package, the reliability in a high temperature and high humidity environment can be improved.

【0067】なお、画像信号配線層DLLの最上層をク
ロムやモリブデン等の高融点金属とし、若しくは高融点
金属の単層またはその合金の単層とし、反射電極REL
がアルミニウムまたはアルミニウム合金単層、若しくは
アルミニウムまたはアルミニウム合金を上層に配して、
下層にアルミニウムと一括エッチング処理が可能な高融
点金属を配した積層膜とすることにより、反射電極RE
Lのアルミニウムまたはアルミニウム合金のエッチング
処理時に前記第1絶縁保護膜開口部AP1内の走査信号
配線層GLLのアルミニウムのパターンを同時に除去す
ることができる。そのため、工程を増やす必要が無いと
いうメリットもある。
The uppermost layer of the image signal wiring layer DLL is a refractory metal such as chromium or molybdenum, or a single layer of refractory metal or its alloy, and the reflective electrode REL.
Is a single layer of aluminum or aluminum alloy, or aluminum or aluminum alloy in the upper layer,
By forming a laminated film in which aluminum and a refractory metal capable of batch etching are arranged in the lower layer, the reflective electrode RE
It is possible to simultaneously remove the aluminum pattern of the scanning signal wiring layer GLL in the first insulating protective film opening AP1 during the etching process of L aluminum or aluminum alloy. Therefore, there is also an advantage that it is not necessary to increase the number of steps.

【0068】本実施例では、反射電極RELの下層の絶
縁保護膜PASを窒化シリコンとしているが、窒化シリ
コンと有機膜の積層構造、若しくは有機膜単層としても
本発明の効果は変わらない。
In this embodiment, the insulating protective film PAS under the reflective electrode REL is made of silicon nitride, but the effect of the present invention does not change even if the laminated structure of silicon nitride and an organic film or a single organic film layer is used.

【0069】図19は本発明の表示装置の他の実施例を
説明する走査信号配線層の端子部と逆側辺の構成を説明
する要部平面図、図20は図19のG−G’線に沿った
断面図である。前記図1〜図4で説明したように、走査
信号配線層GLLは基板の切断線CTLを超えて図示し
ない短絡線(共通配線層)につながっている。アルミニ
ウムからなる走査信号配線層GLLを第3絶縁保護膜開
口部AP3内で切断分離される。従って、第1の走査信
号配線層GLLの端部は基板の端部ではなく、基板の端
部よりも内側(表示領域ARに近い側)に位置すること
になる。
FIG. 19 is a plan view of a main portion for explaining the structure of the terminal portion and the opposite side of the scanning signal wiring layer for explaining another embodiment of the display device of the present invention, and FIG. 20 is GG 'of FIG. It is sectional drawing which followed the line. As described above with reference to FIGS. 1 to 4, the scanning signal wiring layer GLL is connected to a short-circuit line (common wiring layer) (not shown) beyond the cutting line CTL of the substrate. The scan signal wiring layer GLL made of aluminum is cut and separated in the third insulating protective film opening AP3. Therefore, the end portion of the first scanning signal wiring layer GLL is located not inside the end portion of the substrate but inside (closer to the display area AR) than the end portion of the substrate.

【0070】この実施例では、第2の基板SUB2と貼
り合わせるためのシール材SLの領域に第3絶縁保護膜
開口部AP3が位置し、このシール材SLで第3絶縁保
護膜開口部AP3を覆う。これにより、前記実施例で説
明したドライバ、フレキシブルプリント基板、あるいは
テープキャリアパッケージで覆うものと同様に、表示領
域につながる走査信号配線層GLLの端部は回部環境か
ら隔離され、信頼性を向上することができる。尚、この
場合も切断線CTLの外側で短絡線層SHLとつないで
おいても良く、金属層による配線に限らず、透明導電膜
ITOと積層しても良い。
In this embodiment, the third insulating protective film opening AP3 is located in the area of the sealing material SL for bonding with the second substrate SUB2, and the third insulating protective film opening AP3 is formed by this sealing material SL. cover. As a result, the end of the scanning signal wiring layer GLL connected to the display area is isolated from the circumflex environment, like the driver, flexible printed circuit board, or tape carrier package covered in the above-described embodiment, and the reliability is improved. can do. Also in this case, the short-circuit line layer SHL may be connected to the outside of the cutting line CTL, and the wiring is not limited to the metal layer and may be laminated with the transparent conductive film ITO.

【0071】なお、上記した各実施例は走査信号配線層
についての説明であるが、画像信号配線層、あるいは他
の同様の配線層についても上記の構成を採用することで
表示装置の信頼性を大幅に向上させることができる。な
お、本発明は液晶表示装置、有機EL表示装置、その他
同様の配線構造をもつ表示装置等に適用できることは言
うまでもない。
Although each of the above-described embodiments has been described with respect to the scanning signal wiring layer, the reliability of the display device can be improved by adopting the above-mentioned configuration also for the image signal wiring layer or other similar wiring layers. It can be greatly improved. It goes without saying that the present invention can be applied to a liquid crystal display device, an organic EL display device, a display device having a similar wiring structure, and the like.

【0072】[0072]

【発明の効果】以上様々な実施例を参照して説明したよ
うに、本発明によれば、走査信号配線層の端子部あるい
は画像信号配線層の端子部、その他の基板と共に切断さ
れる配線層などの表示領域につながる配線層の端部が表
示装置を構成するドライバやフレキシブルプリント基板
あるいはテープキャリアパッケージ、若しくはシール材
等の構成部材で覆われる構成としたことで、高湿あるい
は高温高湿度の外部環境での使用で当該配線層の端部に
酸化や電蝕の発生が回避され、信頼性の高い表示装置を
提供することができる。
As described above with reference to the various embodiments, according to the present invention, the terminal portion of the scanning signal wiring layer or the terminal portion of the image signal wiring layer, and the wiring layer to be cut together with other substrates Since the end of the wiring layer connected to the display area such as is covered with a component such as a driver, a flexible printed circuit board, a tape carrier package, or a sealing material that constitutes the display device, high humidity or high temperature and high humidity It is possible to provide a highly reliable display device by avoiding the occurrence of oxidation or electrolytic corrosion at the end of the wiring layer when used in an external environment.

【0073】[0073]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の表示装置の要部構成の実施例を説明す
る模式図である。
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an example of a configuration of a main part of a display device of the present invention.

【図2】本発明の表示装置の要部構成の他の実施例を説
明する模式図である。
FIG. 2 is a schematic diagram illustrating another embodiment of the main configuration of the display device of the present invention.

【図3】本発明の表示装置の要部構成の他の実施例を説
明する模式図である。
FIG. 3 is a schematic diagram illustrating another embodiment of the main configuration of the display device of the present invention.

【図4】本発明の表示装置の要部構成の他の実施例を説
明する模式図である。
FIG. 4 is a schematic diagram illustrating another embodiment of the main configuration of the display device of the present invention.

【図5】本発明の表示装置における詳細構成の一実施例
を模式的に説明する要部平面図である。
FIG. 5 is a main part plan view schematically explaining an embodiment of the detailed configuration of the display device of the present invention.

【図6】図5のA−A’線に沿った断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line A-A ′ of FIG.

【図7】図5のB−B’線に沿った断面図である。7 is a cross-sectional view taken along the line B-B ′ of FIG.

【図8】図5のC−C’線に沿った断面図である。8 is a cross-sectional view taken along the line C-C 'of FIG.

【図9】図5のD−D’線に沿った断面図である。9 is a cross-sectional view taken along the line D-D ′ of FIG.

【図10】第1の基板上に薄膜トランジスタを形成する
工程途中の端子部の構成を模式的に説明する平面図であ
る。
FIG. 10 is a plan view schematically illustrating the configuration of the terminal portion during the process of forming the thin film transistor on the first substrate.

【図11】図10のA−A’線に沿った断面図である。11 is a cross-sectional view taken along the line A-A ′ of FIG.

【図12】図10のD−D’線に沿った断面図である。12 is a cross-sectional view taken along the line D-D ′ of FIG.

【図13】第1基板の切断およびドライバを実装した時
の図10のB−B’線に沿った断面図である。
13 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 10 when the first substrate is cut and the driver is mounted.

【図14】第1基板の切断およびドライバを実装した時
の図10のD−D’線に沿った断面図である。
FIG. 14 is a cross-sectional view taken along the line DD ′ of FIG. 10 when the first substrate is cut and the driver is mounted.

【図15】本発明による表示装置の表示セル構造例を模
式的に説明する要部断面図である。
FIG. 15 is a main-portion cross-sectional view for schematically explaining an example of the display cell structure of the display device according to the present invention.

【図16】本発明の表示装置を製造方法の一実施例を説
明する工程図である。
FIG. 16 is a process chart for explaining an example of the method for manufacturing the display device of the present invention.

【図17】本発明の表示装置を製造方法の一実施例を説
明する図16に続く工程図である。
FIG. 17 is a process diagram that follows FIG. 16 and illustrates one embodiment of the method for manufacturing the display device of the present invention.

【図18】本発明の表示装置を製造方法の一実施例を説
明する図17に続く工程図である。
FIG. 18 is a process diagram that illustrates one example of the method for manufacturing the display device of the present invention, following FIG.

【図19】本発明の表示装置の他の実施例を説明する走
査信号配線層の端子部と逆側辺の構成を説明する要部平
面図である。
FIG. 19 is a plan view of relevant parts for explaining the configuration of the terminal side and the side opposite to the terminal part of the scanning signal wiring layer for explaining another embodiment of the display device of the present invention.

【図20】図19のG−G’線に沿った断面図である。FIG. 20 is a cross-sectional view taken along the line G-G ′ of FIG. 19.

【図21】可搬型の情報端末の一つである携帯電話機に
実装される表示装置の概略構造例の模式的説明図であ
る。
FIG. 21 is a schematic explanatory view of a schematic structural example of a display device mounted on a mobile phone which is one of portable information terminals.

【図22】可搬型の情報端末の一つである携帯電話機に
実装される表示装置の他の概略構造例の模式的説明図で
ある。
FIG. 22 is a schematic explanatory diagram of another schematic structural example of a display device mounted on a mobile phone which is one of portable information terminals.

【図23】表示装置の表示領域に形成される画素の構造
例を模式的に説明する要部平面図である。
FIG. 23 is a main-portion plan view schematically illustrating a structural example of a pixel formed in a display region of a display device.

【図24】表示装置の端子部の構造例を模式的に説明す
るゲートドライバ側の要部平面図である。
FIG. 24 is a main-portion plan view of the gate driver side, which schematically illustrates a structural example of a terminal portion of a display device.

【図25】図24のA−A’線に沿った断面図である。25 is a cross-sectional view taken along the line A-A ′ of FIG.

【図26】図24のB−B’線に沿った断面図である。FIG. 26 is a cross-sectional view taken along the line B-B ′ of FIG. 24.

【図27】図24のC−C’線に沿った断面図である。FIG. 27 is a cross-sectional view taken along the line C-C ′ of FIG. 24.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

SUB1・・・・第1の基板、SUB2・・・・第2の
基板、CTL・・・・切断線、SHL・・・・短絡線
層、AR・・・・表示領域、SL・・・・シール材、G
LL・・・・走査信号配線層層、GDR・・・・ドライ
バ(ゲートドライバ)、DDR・・・・ドライバ(ドレ
インドライバ)、ITO1,ITO2・・・・透明導電
膜、IJ1〜IJ12・・・・接続部分、AOL・・・
・陽極酸化膜、PAS・・・・絶縁保護膜、REL・・
・・反射電極、ORI1,2・・・・配向膜、SB・・
・・スペーサビーズ、CB・・・・導電ビーズ、DB・
・・・ドライババンプ、ASL・・・・異方性導電膜、
AP1,AP2・・・・絶縁保護膜開口部、SL・・・
・シール材、CGL1・・・・共通第1配線層、CGL
2・・・・共通第2配線層。
SUB1 ... First substrate, SUB2 ... Second substrate, CTL ... Cutting line, SHL ... Short circuit layer, AR ... Display area, SL ... Seal material, G
LL ... Scan signal wiring layer layer, GDR ... Driver (gate driver), DDR ... Driver (drain driver), ITO1, ITO2 ... Transparent conductive film, IJ1 to IJ12 ...・ Connecting part, AOL ...
・ Anodic oxide film, PAS ... Insulation protection film, REL ...
..Reflecting electrodes, ORI1,2 ... Alignment film, SB ...
..Spacer beads, CB ... Conductive beads, DB
... Driver bumps, ASL, ... anisotropic conductive film,
AP1, AP2 ... ・ Insulation protective film opening, SL ...
・ Seal material, CGL1 ... Common first wiring layer, CGL
2 ... Common second wiring layer.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09F 9/00 G09F 9/00 348L 9/35 9/35 (72)発明者 佐々木 亨 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 (72)発明者 西野 知範 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 (72)発明者 早田 浩子 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 Fターム(参考) 2H092 HA06 HA12 HA19 JA46 JB22 KA05 KB04 MA17 NA15 NA29 NA30 PA01 5C094 AA32 AA38 AA43 AA48 BA03 BA43 CA19 DA07 DA09 DA14 DB02 EA04 EA05 EC02 FA01 FA02 FB12 FB15 GB10 5G435 AA14 AA17 BB13 CC09 HH12 HH14 HH20 KK05 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G09F 9/00 G09F 9/00 348L 9/35 9/35 (72) Inventor Toru Sasaki Hayano, Mobara-shi, Chiba 3300 Address Hitachi, Ltd. Display Group (72) Inventor Tomonori Nishino 3300 Hayano, Mobara, Chiba Prefecture Hitachi Display Group (72) Inventor Hiroko Hayada 3300 Hayano, Mobara City, Chiba Hitachi Display Group, Ltd. Inner F-term (reference) 2H092 HA06 HA12 HA19 JA46 JB22 KA05 KB04 MA17 NA15 NA29 NA30 PA01 5C094 AA32 AA38 AA43 AA48 BA03 BA43 CA19 DA07 DA09 DA14 DB02 EA04 EA05 EC02 FA01 FA02 HFB14 H12H15A14 HAH

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板と、前記基板上に形成された第1の走
査信号配線層と、前記第1の走査信号配線層と電気的に
接続された第2の走査信号配線層とを有する表示装置で
あって、 前記第1の走査信号配線層は金属で形成され、その両端
が前記基板の端部よりも内側に位置していると共に、当
該両端が他の構成層または部材で覆われており、 前記第2の走査信号配線層は透明導電膜で形成され、少
なくとも一方の端部が前記基板の端部まで延在している
ことを特徴とする表示装置。
1. A display having a substrate, a first scanning signal wiring layer formed on the substrate, and a second scanning signal wiring layer electrically connected to the first scanning signal wiring layer. In the device, the first scanning signal wiring layer is formed of a metal, both ends thereof are located inside the end portion of the substrate, and the both ends are covered with another constituent layer or member. The second scanning signal wiring layer is formed of a transparent conductive film, and at least one end of the second scanning signal wiring layer extends to the end of the substrate.
【請求項2】前記第1の走査信号配線層の少なくとも一
部の表面に、当該第1の走査信号配線層の構成材料の酸
化膜を有することを特徴とする請求項1に記載の表示装
置。
2. The display device according to claim 1, wherein an oxide film of a constituent material of the first scanning signal wiring layer is provided on at least a part of the surface of the first scanning signal wiring layer. .
【請求項3】前記第1の走査信号配線層に接続されたス
イッチング素子を有することを特徴とする請求項1また
は2に記載の表示装置。
3. The display device according to claim 1, further comprising a switching element connected to the first scanning signal wiring layer.
【請求項4】前記第2の走査信号配線層は、前記第1の
走査信号配線層よりも上層に位置することを特徴とする
請求項1乃至3の何れかに記載の表示装置。
4. The display device according to claim 1, wherein the second scanning signal wiring layer is located above the first scanning signal wiring layer.
【請求項5】前記第1の走査信号配線層の少なくとも一
方の端部が他の構成層をマスクとして切断されているこ
とを特徴とする請求項1乃至4の何れかに記載の表示装
置。
5. The display device according to claim 1, wherein at least one end of the first scanning signal wiring layer is cut by using another constituent layer as a mask.
【請求項6】前記基板上に実装された駆動回路を有し、 前記第1の走査信号配線層の少なくとも一方の端部が前
記駆動回路と重なる位置にあると共に、前記一方の端部
が前記駆動回路を固定または保護する部材により覆われ
ていることを特徴とする請求項1乃至5の何れかに記載
の表示装置。
6. A drive circuit mounted on the substrate, wherein at least one end of the first scanning signal wiring layer is positioned to overlap the drive circuit, and the one end is The display device according to claim 1, wherein the display device is covered with a member that fixes or protects the drive circuit.
【請求項7】前記基板上に前記第1の走査信号配線層に
駆動信号を供給するフレキシブル基板を有し、 前記第1の走査信号配線層の少なくとも一方の端部が前
記フレキシブル基板と重なる位置にあると共に、前記一
方の端部が前記フレキシブル基板を固定または保護する
部材により覆われていることを特徴とする請求項1乃至
5の何れかに記載の表示装置。
7. A flexible substrate for supplying a drive signal to the first scanning signal wiring layer is provided on the substrate, and at least one end of the first scanning signal wiring layer overlaps the flexible substrate. 6. The display device according to claim 1, wherein the one end is covered with a member that fixes or protects the flexible substrate.
【請求項8】前記基板に重ね合わされる対向基板を有
し、前記基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層
とを有することを特徴とする請求項1乃至7の何れかに
記載の表示装置。
8. A liquid crystal layer sandwiched between the substrate and the counter substrate, the counter substrate being overlaid on the substrate, and the liquid crystal layer sandwiched between the substrate and the counter substrate. Display device.
【請求項9】前記基板に重ね合わされる対向基板と、前
記基板と前記対向基板とを貼り合わせるシール材とを有
すると共に、 前記第1の走査信号配線層は、少なくとも一方の端部が
前記シール材に覆われていることを特徴とする請求項1
乃至7の何れかに記載の表示装置。
9. A counter substrate laminated on the substrate, and a sealing material for bonding the substrate and the counter substrate together, wherein at least one end of the first scanning signal wiring layer is the seal. It is covered with a material.
8. The display device according to any one of 7 to 7.
【請求項10】基板と、対向基板と、前記基板と前記対
向基板とを貼り合わせるシール材と、前記基板上に形成
された第1の走査信号配線層と、前記第1の走査信号配
線層と電気的に接続された第2の走査信号配線層とを有
する表示装置であって、 前記第1の走査信号配線層は金属で形成され、その両端
が前記基板の端部よりも内側に位置し、その少なくとも
一方の端部が前記シール材に覆われており、 前記第2の走査信号配線層は透明導電膜で形成されてい
ることを特徴とする表示装置。
10. A substrate, a counter substrate, a sealing material for bonding the substrate and the counter substrate, a first scanning signal wiring layer formed on the substrate, and the first scanning signal wiring layer. And a second scanning signal wiring layer electrically connected to the first scanning signal wiring layer, wherein the first scanning signal wiring layer is made of metal, and both ends of the first scanning signal wiring layer are located inside the end portion of the substrate. The display device is characterized in that at least one end thereof is covered with the sealing material, and the second scanning signal wiring layer is formed of a transparent conductive film.
【請求項11】前記第2の走査信号配線層の少なくとも
一方の端部が前記基板の端部まで延在していることを特
徴とする請求項10に記載の表示装置。
11. The display device according to claim 10, wherein at least one end of the second scanning signal wiring layer extends to an end of the substrate.
【請求項12】基板上に金属で形成され互いに共通線で
接続された複数の第1の走査信号配線層を形成する工程
と、 前記第1の走査信号配線層と電気的に接続されると共に
透明導電膜で形成されて互いに共通線で接続された第2
の走査信号配線層を形成する工程と、 前記基板を切断し、前記第2の走査信号配線層を前記共
通線から切り離す工程と、 前記基板を切断する工程よりも前に、前記基板の切断線
よりも表示領域に近い側で前記第1の走査信号配線層を
エッチングにより前記共通線から切り離す工程とを有す
ることを特徴とする表示装置の製造方法。
12. A step of forming a plurality of first scanning signal wiring layers formed of metal and connected to each other by a common line on a substrate, and electrically connecting to the first scanning signal wiring layers. A second layer formed of a transparent conductive film and connected to each other through a common line
Forming a scanning signal wiring layer, cutting the substrate, separating the second scanning signal wiring layer from the common line, and cutting line of the substrate before the step of cutting the substrate. And a step of separating the first scanning signal wiring layer from the common line by etching on the side closer to the display area.
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