JP2003163586A - Signal transmission circuit, solid state imaging apparatus, camera and display device - Google Patents

Signal transmission circuit, solid state imaging apparatus, camera and display device

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JP2003163586A
JP2003163586A JP2001362934A JP2001362934A JP2003163586A JP 2003163586 A JP2003163586 A JP 2003163586A JP 2001362934 A JP2001362934 A JP 2001362934A JP 2001362934 A JP2001362934 A JP 2001362934A JP 2003163586 A JP2003163586 A JP 2003163586A
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琢己 山口
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a signal transmission circuit as a shift register, which can operate in a stable fashion even if it is used with a high-speed circuit power supply. <P>SOLUTION: At a signal transmission circuit composed of a plurality of unit circuits, pulse voltage is outputted sequentially from unit circuits according to a driving pulse, and a common pulse voltage (OUT2) is applied at the gate of discharge transistors T13 and T14, which discharge electric charge at both ends of a bootstrap capacity C11 provided at the unit circuits. According to this arrangement, electric charge at both ends of a bootstrap capacity C11 can be simultaneously discharged in high-speed, and a shift register can operate at high speed. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、MOSイメージセ
ンサ、カメラ、デイスプレイなどを駆動するためのシフ
トレジスタに適用され、低電圧で駆動できる信号伝送回
路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a signal transmission circuit which is applied to a shift register for driving a MOS image sensor, a camera, a display, etc. and can be driven at a low voltage.

【0002】[0002]

【従来の技術】図4は、従来の信号伝送回路の一構成例
を示す回路図である。なお、図4には、説明の便宜上、
多数段構成のうち3段部分のみを示している。この信号
伝送回路は、次段への出力トランジスタT12、T2
2、T32と、ブートストラップ容量C11、C21、
C31と、ブートストラップ容量を充電する充電トラン
ジスタT11、T21、T31と、放電トランジスタT
13、T14、T23、T24、T33、T34とで構
成され、電源電圧VDD、駆動パルスV1、V2、およ
びスタートパルスVSTが供給される。
2. Description of the Related Art FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration example of a conventional signal transmission circuit. In FIG. 4, for convenience of explanation,
Only the three-stage portion of the multi-stage configuration is shown. This signal transmission circuit includes output transistors T12 and T2 for the next stage.
2, T32 and bootstrap capacitors C11, C21,
C31, charging transistors T11, T21, T31 for charging the bootstrap capacitance, and discharging transistor T
13, T14, T23, T24, T33, and T34, and is supplied with the power supply voltage VDD, the drive pulses V1 and V2, and the start pulse VST.

【0003】次に、このように構成された従来の信号伝
送回路の動作について説明する。
Next, the operation of the conventional signal transmission circuit thus constructed will be described.

【0004】スタートパルスVSTが論理「High」
レベルになると、初段の充電トランジスタT11がオン
になり、ブートストラップ容量C11が電源電圧VDD
へと充電され、ブートストラップ容量C11の充電電圧
が出力トランジスタT12の閾値電圧レベルを超える
と、初段の出力トランジスタT12がオンする。
The start pulse VST is logic "High".
When the voltage reaches the level, the first-stage charging transistor T11 is turned on, and the bootstrap capacitance C11 changes to the power supply voltage VDD.
When the charge voltage of the bootstrap capacitor C11 exceeds the threshold voltage level of the output transistor T12, the output transistor T12 in the first stage is turned on.

【0005】その後、論理「High」レベルの駆動パ
ルスV1が出力トランジスタT12のドレインに入力す
ると、出力トランジスタT12のゲートには、駆動パル
スV1の電圧とブートストラップ容量C11両端の電位
差とが足されて印加されることとなり、出力トランジス
タT12のゲート電位が駆動パルスV1の電位よりも上
昇すると、駆動パルスV1がノードN12から出力パル
スOUT1として利用される。
After that, when the drive pulse V1 of logic "High" level is input to the drain of the output transistor T12, the voltage of the drive pulse V1 and the potential difference across the bootstrap capacitor C11 are added to the gate of the output transistor T12. When the gate potential of the output transistor T12 rises above the potential of the drive pulse V1, the drive pulse V1 is used as the output pulse OUT1 from the node N12.

【0006】また同時に、ノードN12の電圧が、2段
目の充電トランジスタT21のゲートに印加されて、ト
ランジスタT21がオンになり、ブートストラップ容量
C21が電源電圧VDDへと充電され、ブートストラッ
プ容量C21の充電電圧が出力トランジスタT22の閾
値電圧レベルを超えると、2段目の出力トランジスタT
22がオンする。
At the same time, the voltage of the node N12 is applied to the gate of the second-stage charging transistor T21, the transistor T21 is turned on, the bootstrap capacitance C21 is charged to the power supply voltage VDD, and the bootstrap capacitance C21. When the charging voltage of the output transistor T22 exceeds the threshold voltage level of the output transistor T22, the output transistor T of the second stage
22 turns on.

【0007】その後、論理「High」レベルの駆動パ
ルスV2が出力トランジスタT22のドレインに入力す
ると、出力トランジスタT22のゲートには、駆動パル
スV2の電位とブートストラップ容量C21の両端の電
位差とが足されて印加されることとなり、出力トランジ
スタT22のゲート電位が駆動パルスV2の電位よりも
上昇すると、駆動パルスV2がノードN22から出力パ
ルスOUT2として利用される。
After that, when the drive pulse V2 of the logic "High" level is input to the drain of the output transistor T22, the potential of the drive pulse V2 and the potential difference between both ends of the bootstrap capacitor C21 are added to the gate of the output transistor T22. When the gate potential of the output transistor T22 rises above the potential of the drive pulse V2, the drive pulse V2 is used as the output pulse OUT2 from the node N22.

【0008】また同時に、ノードN22の電圧が、3段
目の充電トランジスタT31のゲートに印加されて、充
電トランジスタT31がオンになり、ブートストラップ
容量C31が電源電圧VDDへと充電され、ブートスト
ラップ容量C31の充電電圧が出力トランジスタT32
の閾値電圧レベルを超えると、3段目の出力トランジス
タT22がオンする。
At the same time, the voltage of the node N22 is applied to the gate of the charging transistor T31 of the third stage, the charging transistor T31 is turned on, the bootstrap capacitor C31 is charged to the power supply voltage VDD, and the bootstrap capacitor C31 is charged. The charging voltage of C31 is the output transistor T32
When the threshold voltage level is exceeded, the third stage output transistor T22 is turned on.

【0009】このような動作が繰り返されることで、信
号伝送回路は、さらに出力パルスOUT3以降の出力を
順次出力することになる。
By repeating such an operation, the signal transmission circuit further sequentially outputs the output pulse OUT3 and thereafter.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】上記従来の信号伝送回
路の問題点について、図5を参照して説明する。
Problems of the above-mentioned conventional signal transmission circuit will be described with reference to FIG.

【0011】図5は、NMOSのみを用いた従来の信号
伝送回路における各部のパルス電圧を示すタイミングチ
ャートである。この回路は5V系の回路であり、駆動パ
ルスV1、V2の電圧振幅、および電源電圧VDDが5
Vの場合を示す。
FIG. 5 is a timing chart showing the pulse voltage of each part in the conventional signal transmission circuit using only NMOS. This circuit is a 5V system circuit, and the voltage amplitudes of the drive pulses V1 and V2 and the power supply voltage VDD are 5V.
The case of V is shown.

【0012】図5において、時刻t0において、スター
トパルスVSTが5Vに立ち上がると、初段の充電トラ
ンジスタT11がオンになり、ブートストラップ容量C
11が電源電圧VDDである5Vに向かって充電されて
いくが、ここで充電トランジスタT11がエンハンスメ
ント型のNMOSの場合には、トランジスタT11の閾
値電圧Vtの影響で、出力トランジスタT12のゲート
が接続されたノードN11の電圧VN11は、電源電圧
VDDである5VからΔH0だけ低い電圧(5V−ΔH
0)となり、この状態で出力トランジスタT12がオン
する。
In FIG. 5, when the start pulse VST rises to 5V at time t0, the first-stage charging transistor T11 is turned on, and the bootstrap capacitance C
11 is charged toward 5V which is the power supply voltage VDD, but when the charging transistor T11 is an enhancement type NMOS, the gate of the output transistor T12 is connected due to the influence of the threshold voltage Vt of the transistor T11. The voltage VN11 of the node N11 is lower than the power source voltage VDD of 5V by ΔH0 (5V−ΔH).
0), and the output transistor T12 is turned on in this state.

【0013】次に、時刻t1において、5Vの駆動パル
スV1が出力トランジスタT12のドレインに入力する
と、出力トランジスタT12のゲート(ノードN11)
には、駆動パルスV1の電圧5Vとブートストラップ容
量C11の両端の電位差(5V−ΔH0)が加算された
電圧HB1が印加され、ノードN12から振幅H1のパ
ルスが出力されることとなる。
Next, at time t1, when a drive pulse V1 of 5V is input to the drain of the output transistor T12, the gate of the output transistor T12 (node N11).
Is applied with a voltage HB1 obtained by adding the voltage 5V of the drive pulse V1 and the potential difference (5V-ΔH0) across the bootstrap capacitor C11, and a pulse of amplitude H1 is output from the node N12.

【0014】また同時に、ノードN12の振幅H1のパ
ルス電圧が、2段目の充電トランジスタT21のゲート
に印加されて、充電トランジスタT21がオンになる
が、トランジスタT21の閾値電圧VTの影響により、
出力トランジスタT22のゲートが接続されたノードN
21の電圧は、電圧H1からΔH1だけ低い電圧(H1
−ΔH1)となり、ブートストラップ容量C21が電圧
(H1−ΔH1)へと充電されることとなる。
At the same time, the pulse voltage of the amplitude H1 of the node N12 is applied to the gate of the second-stage charging transistor T21 to turn on the charging transistor T21, but due to the influence of the threshold voltage VT of the transistor T21,
The node N to which the gate of the output transistor T22 is connected
21 is lower than the voltage H1 by ΔH1 (H1
-ΔH1), and the bootstrap capacitance C21 is charged to the voltage (H1-ΔH1).

【0015】同様に、時刻t2、t3の場合も、時刻t
1の動作を繰り返すこととなる。
Similarly, at times t2 and t3 as well, at time t
The operation 1 is repeated.

【0016】このように、従来の信号伝送回路の場合、
充電トランジスタのゲートには最大でも5V未満の電圧
しか加わらないため、ブートストラップ容量は、電源電
圧VDDである5Vよりも低い電圧にしか充電できない
こととなる。したがって、ノードN21、N31の電圧
が次第に降下して、信号伝送回路は、何段か先では出力
パルスを生成することができなくなる。
Thus, in the case of the conventional signal transmission circuit,
Since a voltage of less than 5 V is applied to the gate of the charging transistor at the maximum, the bootstrap capacitance can be charged only to a voltage lower than 5 V which is the power supply voltage VDD. Therefore, the voltages of the nodes N21 and N31 gradually drop, and the signal transmission circuit cannot generate the output pulse in some stages.

【0017】特に、回路の電源系の低電圧化、たとえば
3V系の回路などになると動作がより難しくなる。
In particular, the operation becomes more difficult when the voltage of the power supply system of the circuit is lowered, for example, in the case of a 3V system circuit.

【0018】本発明は、上記の問題点に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、回路電源を高速化または低電
圧化しても安定な動作が可能で、高速化または低消費電
力化に適した信号伝送回路、およびかかる信号伝送回路
が適用される固体撮像装置、かかる固体撮像装置を搭載
したカメラ、および上記信号伝送回路が適用される表示
装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to enable stable operation even when the circuit power supply is operated at a high speed or a low voltage, thereby achieving high speed or low power consumption. An object of the present invention is to provide a suitable signal transmission circuit, a solid-state imaging device to which the signal transmission circuit is applied, a camera equipped with the solid-state imaging device, and a display device to which the signal transmission circuit is applied.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明に係る第1の信号伝送回路は、複数の単位回
路で構成され、駆動パルスに従って前記単位回路からパ
ルス電圧が順次出力される信号伝送回路であって、前記
単位回路に設けられたブートストラップ容量の両端の電
荷を放電するための放電トランジスタのゲートに共通の
パルス電圧が印加されることを特徴とする。
In order to achieve the above object, a first signal transmission circuit according to the present invention comprises a plurality of unit circuits, and pulse voltages are sequentially output from the unit circuits according to drive pulses. A common pulse voltage is applied to the gate of a discharge transistor for discharging electric charges at both ends of a bootstrap capacitor provided in the unit circuit.

【0020】この構成によれば、ブートストラップ容量
の両端の電荷を高速で同時に放電することができ、回路
電源を高速化しても安定な動作が可能で、高速化に適し
た信号伝送回路を実現することができる。
According to this structure, the electric charges at both ends of the bootstrap capacitor can be discharged simultaneously at high speed, stable operation is possible even if the circuit power supply speed is increased, and a signal transmission circuit suitable for high speed is realized. can do.

【0021】前記の目的を達成するため、本発明に係る
第2の信号伝送回路は、複数の単位回路で構成され、駆
動パルスに従って単位回路からパルス電圧が順次出力さ
れる信号伝送回路であって、単位回路は、駆動パルスを
ドレインに入力して、パルス電圧としてソースから出力
する出力トランジスタと、出力トランジスタのゲートと
ソースとの間に接続されたブートストラップ容量と、ブ
ートストラップ容量を充電するために、ソースが出力ト
ランジスタのゲートに接続され、ドレインが電源線また
は接地線あるいは充電パルス線に接続された充電トラン
ジスタと、ドレインが出力トランジスタのゲートに接続
され、ゲートが別の単位回路における出力トランジスタ
のソースまたはソース出力によりドライブされた出力に
接続された誤動作防止用トランジスタとを備えたことを
特徴とする。
In order to achieve the above-mentioned object, the second signal transmission circuit according to the present invention is a signal transmission circuit which is composed of a plurality of unit circuits and in which pulse voltages are sequentially output from the unit circuits according to drive pulses. , The unit circuit charges the output transistor that inputs the drive pulse to the drain and outputs it as the pulse voltage from the source, the bootstrap capacitance connected between the gate and the source of the output transistor, and the bootstrap capacitance. , The source is connected to the gate of the output transistor, the drain is connected to the power supply line or the ground line or the charging pulse line, and the drain is connected to the gate of the output transistor, the gate is the output transistor in another unit circuit Malfunction connected to the output driven by the source or source output of the Characterized in that a stop transistor.

【0022】この構成によれば、単位回路のブートスト
ラップ容量と充電トランジスタとの間を0V付近にし
て、当該単位回路の出力トランジスタからパルス電圧が
出ないようにすることができる。これにより、出力トラ
ンジスタの閾値電圧が低い場合でも誤動作を防止でき、
閾値電圧の範囲を広くとることができる。
According to this configuration, the voltage between the bootstrap capacitance of the unit circuit and the charging transistor can be set to around 0 V so that no pulse voltage is output from the output transistor of the unit circuit. This prevents malfunction even when the threshold voltage of the output transistor is low,
The threshold voltage range can be widened.

【0023】前記の目的を達成するため、本発明に係る
第3の信号伝送回路は、複数の単位回路で構成され、駆
動パルスに従って前記単位回路からパルス電圧が順次出
力される信号伝送回路であって、単位回路は、駆動パル
スをドレインに入力して、パルス電圧としてソースから
出力する第1の出力トランジスタと、第1の出力トラン
ジスタのゲートとソースとの間に接続された第1のブー
トストラップ容量と、第1のブートストラップ容量を充
電するために、ソースが第1の出力トランジスタのゲー
トに接続され、ドレインが電源線または接地線あるいは
充電パルス線に接続された充電トランジスタと、一端が
充電トランジスタのゲートに接続された第2のブートス
トラップ容量とを備えたことを特徴とする。
In order to achieve the above object, the third signal transmission circuit according to the present invention is a signal transmission circuit which is composed of a plurality of unit circuits and in which pulse voltages are sequentially output from the unit circuits according to drive pulses. The unit circuit includes a first output transistor that inputs a driving pulse to the drain and outputs the pulse as a pulse voltage from the source, and a first bootstrap connected between the gate and the source of the first output transistor. To charge the capacitor and the first bootstrap capacitor, the source is connected to the gate of the first output transistor and the drain is connected to the power supply line, the ground line, or the charging pulse line, and one end is charged. And a second bootstrap capacitor connected to the gate of the transistor.

【0024】前記の目的を達成するため、本発明に係る
第4の信号伝送回路は、複数の単位回路で構成され、駆
動パルスに従って単位回路からパルス電圧が順次出力さ
れる信号伝送回路であって、単位回路は、駆動パルスを
ドレインに入力して、パルス電圧としてソースから出力
する第1の出力トランジスタと、第1の出力トランジス
タのゲートとソースとの間に接続された第1のブートス
トラップ容量と、第1のブートストラップ容量を充電す
るために、ソースが第1の出力トランジスタのゲートに
接続され、ドレインが電源線または接地線あるいは第1
の充電パルス線に接続された第1の充電トランジスタ
と、一端が第1の充電トランジスタのゲートに接続さ
れ、他端が第2の出力トランジスタのソースまたはソー
ス出力によりドライブされた出力に接続された第2のブ
ートストラップ容量と、第2のブートストラップ容量を
充電するために、ソースが第2のブートストラップ容量
の一端に接続され、ドレインが電源線または接地線また
は第2の充電パルス線に接続され、ゲートが第3の出力
トランジスタのソースまたはソース出力によりドライブ
された出力に接続された第2の充電トランジスタとを備
えたことを特徴とする。
In order to achieve the above-mentioned object, a fourth signal transmission circuit according to the present invention is a signal transmission circuit which is composed of a plurality of unit circuits and in which pulse voltages are sequentially output from the unit circuits according to drive pulses. The unit circuit has a first output transistor that inputs a driving pulse to the drain and outputs the driving pulse as a pulse voltage from the source, and a first bootstrap capacitor connected between the gate and the source of the first output transistor. And a source connected to the gate of the first output transistor and a drain connected to the power line or the ground line or the first line to charge the first bootstrap capacitance.
A first charging transistor connected to the charging pulse line of the first charging transistor, one end connected to the gate of the first charging transistor, and the other end connected to the source of the second output transistor or the output driven by the source output. A source is connected to one end of the second bootstrap capacitor and a drain is connected to a power supply line or a ground line or a second charging pulse line for charging the second bootstrap capacitor and the second bootstrap capacitor. And a second charging transistor whose gate is connected to the source of the third output transistor or the output driven by the source output.

【0025】この構成によれば、まず、第3の(例え
ば、前々段の単位回路における)出力トランジスタのソ
ース出力が第2の充電トランジスタのゲートに印加され
ることで、第2のブートストラップ容量が充電され、第
2のブートストラップ容量の一端が第1の充電トランジ
スタのゲートに接続され、他端に第2の(例えば、前段
の単位回路における)出力トランジスタの出力が加えら
れることで、第1の充電トランジスタのゲートに従来よ
りも高い電圧が加わることになり、第1の充電トランジ
スタのゲート電位を電源電圧VDDよりも高くすること
ができる。これにより、第1のブートストラップ容量を
電源電圧VDDに充電することができ、第1のブートス
トラップ容量への充電電圧の降下を防ぐことができる。
したがって、伝送段数が増えることにより、出力パルス
電圧が次第に低下したり、何段か先で出力パルスが出な
くなることを防止することができる。
According to this configuration, first, the source output of the third output transistor (for example, in the unit circuit of the previous stage before) is applied to the gate of the second charging transistor, so that the second bootstrap is performed. The capacitor is charged, one end of the second bootstrap capacitor is connected to the gate of the first charging transistor, and the output of the second (for example, in the preceding unit circuit) output transistor is added to the other end, A voltage higher than the conventional voltage is applied to the gate of the first charging transistor, and the gate potential of the first charging transistor can be higher than the power supply voltage VDD. As a result, the first bootstrap capacitor can be charged to the power supply voltage VDD, and a drop in the charging voltage to the first bootstrap capacitor can be prevented.
Therefore, it is possible to prevent the output pulse voltage from gradually decreasing and the output pulse from being stopped at some stages after the number of transmission stages increases.

【0026】第4の信号伝送回路は、第1の充電トラン
ジスタのソースにドレインが接続された第1の放電トラ
ンジスタと、第2の充電トランジスタのソースにドレイ
ンが接続された第2の放電トランジスタとを備えること
が好ましい。
The fourth signal transmission circuit includes a first discharging transistor whose drain is connected to the source of the first charging transistor and a second discharging transistor whose drain is connected to the source of the second charging transistor. Is preferably provided.

【0027】また、第4の信号伝送回路は、第1のブー
トストラップ容量の第1の放電トランジスタが接続され
た端子とは異なる端子に接続された第3の放電トランジ
スタと、第2のブートストラップ容量の前記第2の放電
トランジスタが接続された端子とは異なる端子に接続さ
れた第4の放電トランジスタとを備えることが好まし
い。
Further, the fourth signal transmission circuit includes a third boot transistor connected to a terminal different from a terminal connected to the first boot transistor of the first bootstrap capacitor, and a second boot strap. It is preferable to provide a fourth discharge transistor connected to a terminal different from the terminal to which the second discharge transistor of the capacitor is connected.

【0028】この場合、第3の放電トランジスタと第4
の放電トランジスタが同一のトランジスタであることが
好ましい。
In this case, the third discharge transistor and the fourth discharge transistor
It is preferable that the discharge transistors of 1 are the same transistors.

【0029】また、第3および第4の放電トランジスタ
のゲートには、駆動パルスが入力されることが好まし
い。これにより、直接駆動パルスが加わることで、安定
して放電を行うことができる。
A drive pulse is preferably input to the gates of the third and fourth discharge transistors. As a result, the discharge can be stably performed by directly applying the drive pulse.

【0030】また、第2の放電トランジスタおよび前段
の第3の放電トランジスタのゲートには、第1の出力ト
ランジスタのソース電圧またはソース電圧によりドライ
ブされた出力が供給されることが好ましい。これによ
り、第2のブートストラップ容量と、前段の第1のブー
トストラップ容量とを同時に放電することができる。
Further, it is preferable that the gates of the second discharge transistor and the third discharge transistor of the preceding stage are supplied with the source voltage of the first output transistor or an output driven by the source voltage. Thereby, the second bootstrap capacitor and the first bootstrap capacitor in the preceding stage can be discharged at the same time.

【0031】このように、放電トランジスタを4個追加
するだけで、ブートストラップ容量の放電ができ、他の
外部入力パルスなどが無い規模の小さい回路構成にも本
発明を適用することができる。
As described above, the bootstrap capacitance can be discharged by adding only four discharge transistors, and the present invention can be applied to a small-scale circuit configuration in which there is no other external input pulse.

【0032】第4の信号伝送回路において、第2の出力
トランジスタは、前段の単位回路における出力トランジ
スタであり、第3の出力トランジスタは、前々段の単位
回路における出力トランジスタであることが好ましい。
In the fourth signal transmission circuit, it is preferable that the second output transistor is an output transistor in the unit circuit of the preceding stage, and the third output transistor is an output transistor in the unit circuit of the preceding stage.

【0033】この構成によれば、シフトレジスタの出力
を利用することで、充電トランジスタのゲートに加える
余分なパルスを省略し、回路規模を小さくすることがで
きる。
According to this structure, by using the output of the shift register, an extra pulse applied to the gate of the charging transistor can be omitted and the circuit scale can be reduced.

【0034】第3および第4の信号伝送回路は、ドレイ
ンが第1の出力トランジスタのゲートに接続された誤動
作防止用トランジスタを備えることが好ましい。
It is preferable that the third and fourth signal transmission circuits include a malfunction prevention transistor having a drain connected to the gate of the first output transistor.

【0035】この構成によれば、出力トランジスタの閾
値電圧が低い場合でも誤動作を防止でき、閾値電圧の範
囲を広くとることができる。
According to this structure, malfunction can be prevented even when the threshold voltage of the output transistor is low, and the range of the threshold voltage can be widened.

【0036】また、第3および第4の信号伝送回路は、
ドレインが第1の出力トランジスタのゲートに接続さ
れ、ゲートが前々段の出力トランジスタのソースに接続
された誤動作防止用トランジスタを備えることが好まし
い。
Further, the third and fourth signal transmission circuits are
It is preferable to provide a malfunction prevention transistor whose drain is connected to the gate of the first output transistor and whose gate is connected to the source of the output transistor in the previous stage.

【0037】この構成によれば、誤動作防止用トランジ
スタのゲートに前々段の出力トランジスタのソースを接
続するように構成したことで、他の外部入力パルスなど
が無い規模の小さい回路構成にも本発明を適用すること
ができる。
According to this structure, since the source of the output transistor in the previous stage is connected to the gate of the malfunction prevention transistor, it is suitable for a small-scale circuit structure without other external input pulses. The invention can be applied.

【0038】第3および第4の信号伝送回路において、
ある段の出力トランジスタのソースにパルス電圧が出力
されている期間、次段の充電トランジスタを動作可能と
し、次次段の充電トランジスタを動作禁止にするような
電源電圧パルスがドレインに供給されることが好まし
い。例えば、充電トランジスタがNMOSからなる場
合、電源電圧パルスとして、「High」レベル電圧を
次段の充電トランジスタのドレインに供給し、「Lo
w」レベル電圧を次次段の充電トランジスタのドレイン
に供給する。また、充電トランジスタがPMOSからな
る場合、電源電圧パルスとして、「Low」レベル電圧
を次段の充電トランジスタのドレインに供給し、「Hi
gh」レベル電圧を次次段の充電トランジスタのドレイ
ンに供給する。
In the third and fourth signal transmission circuits,
While the pulse voltage is being output to the source of the output transistor of a certain stage, the power supply voltage pulse that enables the charging transistor of the next stage and disables the charging transistor of the next stage is supplied to the drain. Is preferred. For example, when the charging transistor is composed of an NMOS, a “High” level voltage is supplied to the drain of the charging transistor of the next stage as a power supply voltage pulse, and “Lo” is supplied.
The w "level voltage is supplied to the drain of the next-stage charging transistor. When the charging transistor is composed of a PMOS, a “Low” level voltage is supplied to the drain of the charging transistor of the next stage as a power supply voltage pulse, and “Hi” is supplied.
The gh "level voltage is supplied to the drain of the next-stage charging transistor.

【0039】この構成によれば、誤動作防止用トランジ
スタを省略することができ、回路規模を縮小することが
できる。
According to this structure, the malfunction preventing transistor can be omitted, and the circuit scale can be reduced.

【0040】または、第1の充電トランジスタのコンダ
クタンスが、誤動作防止用トランジスタのコンダクタン
スよりも小さいことが好ましい。
Alternatively, it is preferable that the conductance of the first charging transistor is smaller than the conductance of the malfunction prevention transistor.

【0041】この構成によれば、第1のブートストラッ
プ容量のプラス端子側をより0Vに近づけることがで
き、誤動作をより確実に防止することができる。
According to this structure, the positive terminal side of the first bootstrap capacitor can be brought closer to 0 V, and malfunction can be prevented more reliably.

【0042】第3および第4の信号伝送回路において、
トランジスタが全てNMOSトランジスタである場合、
第1から第4の放電トランジスタのソースおよび誤動作
防止用トランジスタのソースのうち少なくとも1つに
は、接地電位が供給される。
In the third and fourth signal transmission circuits,
If all the transistors are NMOS transistors,
The ground potential is supplied to at least one of the sources of the first to fourth discharge transistors and the source of the malfunction prevention transistor.

【0043】または、第3および第4の信号伝送回路に
おいて、トランジスタが全てNMOSトランジスタであ
る場合、第1から第4の放電トランジスタのソースおよ
び誤動作防止用トランジスタのソースのうち少なくとも
1つには、第1の出力トランジスタの閾値電圧よりも低
い電圧が供給される。
Alternatively, in the third and fourth signal transmission circuits, when all the transistors are NMOS transistors, at least one of the sources of the first to fourth discharge transistors and the source of the malfunction prevention transistor is A voltage lower than the threshold voltage of the first output transistor is supplied.

【0044】第3および第4の信号伝送回路において、
トランジスタが全てPMOSトランジスタである場合、
第1から第4の放電トランジスタのソースおよび誤動作
防止用トランジスタのソースのうち少なくとも1つに
は、電源電圧が供給される。
In the third and fourth signal transmission circuits,
If all the transistors are PMOS transistors,
The power supply voltage is supplied to at least one of the sources of the first to fourth discharge transistors and the source of the malfunction prevention transistor.

【0045】または、第3および第4の信号伝送回路に
おいて、トランジスタが全てPMOSトランジスタであ
る場合、第1から第4の放電トランジスタのソースおよ
び誤動作防止用トランジスタのソースのうち少なくとも
1つには、第1の出力トランジスタの閾値電圧よりも高
い電圧が供給される。
Alternatively, in the third and fourth signal transmission circuits, when all the transistors are PMOS transistors, at least one of the sources of the first to fourth discharge transistors and the source of the malfunction prevention transistor is A voltage higher than the threshold voltage of the first output transistor is supplied.

【0046】上記の構成により、充電トランジスタまた
は出力トランジスタが安定してオフの状態を保つことが
できる。
With the above structure, the charging transistor or the output transistor can be stably kept in the off state.

【0047】前記の目的を達成するため、本発明に係る
固体撮像装置は、第3または第4の信号伝送回路を備え
たことを特徴とする。
In order to achieve the above-mentioned object, the solid-state image pickup device according to the present invention comprises a third or fourth signal transmission circuit.

【0048】前記の目的を達成するため、本発明に係る
カメラは、本発明に係る固体撮像装置を搭載したことを
特徴とする。
In order to achieve the above object, a camera according to the present invention is equipped with the solid-state image pickup device according to the present invention.

【0049】前記の目的を達成するため、本発明に係る
表示装置は、第3または第4の信号伝送回路を備えたこ
とを特徴とする。
In order to achieve the above object, the display device according to the present invention is characterized by including a third or fourth signal transmission circuit.

【0050】上記の構成によれば、回路電源を低電圧化
しても安定な動作を保証することができ、特に低消費電
力化を図る必要のある携帯用機器に適用される、固体撮
像装置、それを搭載したカメラ、および液晶表示装置に
おいて効果を発揮することができる。
According to the above configuration, a stable operation can be guaranteed even when the circuit power supply is lowered in voltage, and the solid-state image pickup device is applied to a portable device which requires low power consumption. The effect can be exhibited in a camera equipped with it and a liquid crystal display device.

【0051】[0051]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について、図面を参照して説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0052】(第1の実施形態)図1は、本発明の第1
の実施形態に係る信号伝送回路の一構成例を示す回路図
である。なお、本実施形態が図4に示す従来例と異なる
点は、前段の放電トランジスタのゲートが次段の出力ト
ランジスタのソースに共通に接続され、共通の出力パル
ス電圧が印加される点にある。その他の構成について
は、図5の従来例と同じであり、図1において同一の符
号を付す。
(First Embodiment) FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.
3 is a circuit diagram showing a configuration example of a signal transmission circuit according to the embodiment of FIG. The present embodiment is different from the conventional example shown in FIG. 4 in that the gate of the discharge transistor in the previous stage is commonly connected to the source of the output transistor in the next stage, and a common output pulse voltage is applied. Other configurations are the same as those of the conventional example of FIG. 5, and are denoted by the same reference numerals in FIG.

【0053】図1において、スタートパルスVSTが論
理「High」レベルになると、初段における第1のブ
ートストラップ容量C11を充電する第1の充電トラン
ジスタT11がオンになり、第1のブートストラップ容
量C11が電源電圧VDDにより充電され、第1のブー
トストラップ容量C11の充電電圧が出力トランジスタ
T12の閾値電圧レベルを超えると、初段の出力トラン
ジスタT12がオンする。
In FIG. 1, when the start pulse VST becomes the logic "High" level, the first charging transistor T11 for charging the first bootstrap capacitor C11 in the first stage is turned on, and the first bootstrap capacitor C11 is turned on. When the first bootstrap capacitor C11 is charged by the power supply voltage VDD and the charging voltage of the first bootstrap capacitor C11 exceeds the threshold voltage level of the output transistor T12, the first-stage output transistor T12 is turned on.

【0054】その後、論理「High」レベルの駆動パ
ルスV1が出力トランジスタT12のドレインに入力す
ると、出力トランジスタT12のゲートには、駆動パル
スV1の電圧と第1のブートストラップ容量C11両端
の電位差とが足されて印加されることとなり、出力トラ
ンジスタT12のゲート電位が駆動パルスV1の電位よ
りも上昇すると、駆動パルスV1が初段の出力ノードN
12から出力パルスOUT1として利用される。
After that, when the drive pulse V1 of the logic "High" level is input to the drain of the output transistor T12, the gate of the output transistor T12 receives the voltage of the drive pulse V1 and the potential difference across the first bootstrap capacitor C11. When the gate potential of the output transistor T12 rises above the potential of the drive pulse V1, the drive pulse V1 is applied to the output node N of the first stage.
It is used from 12 as an output pulse OUT1.

【0055】また同時に、駆動パルスV1がノードN1
2に出力されると、ノードN12にゲートが接続された
2段目の第1の充電トランジスタT21がオンになり、
第1のブートストラップ容量C21が電源電圧VDDに
より充電され、第1のブートストラップ容量C21の充
電電圧が出力トランジスタT22の閾値電圧レベルを超
えると、2段目の出力トランジスタT22がオンする。
At the same time, the drive pulse V1 changes to the node N1.
When output to 2, the second charging transistor T21 of the second stage whose gate is connected to the node N12 is turned on,
When the first bootstrap capacitor C21 is charged by the power supply voltage VDD and the charging voltage of the first bootstrap capacitor C21 exceeds the threshold voltage level of the output transistor T22, the second stage output transistor T22 is turned on.

【0056】その後、論理「High」レベルの駆動パ
ルスV2が出力トランジスタT22のドレインに入力す
ると、出力トランジスタT22のゲートには、駆動パル
スV2の電位と第1のブートストラップ用容量C21両
端の電位差とが足されて印加されることとなり、出力ト
ランジスタT22のゲート電位が駆動パルスV2の電位
よりも上昇すると、駆動パルスV2が2段目の出力ノー
ドN22から出力パルスOUT2として利用される。
After that, when the drive pulse V2 of the logic "High" level is input to the drain of the output transistor T22, the potential of the drive pulse V2 and the potential difference between both ends of the first bootstrap capacitor C21 are input to the gate of the output transistor T22. When the gate potential of the output transistor T22 rises above the potential of the drive pulse V2, the drive pulse V2 is used as the output pulse OUT2 from the output node N22 of the second stage.

【0057】この出力パルスOUT2が、初段における
第1の放電トランジスタT13および第2の放電トラン
ジスタT14のゲートに共通に印加されるので、2段目
の出力ノードN22に駆動パルスV2が出力された時
に、初段の第1のブートストラップ容量C11両端の電
荷が高速かつ同時に放電されることになる。
Since this output pulse OUT2 is commonly applied to the gates of the first discharge transistor T13 and the second discharge transistor T14 in the first stage, when the drive pulse V2 is output to the output node N22 of the second stage. , The charges on both ends of the first bootstrap capacitor C11 are discharged at high speed and at the same time.

【0058】ここで、本実施形態による信号伝送回路の
利点は、第1のブートストラップ容量C11の両端の電
荷を高速かつ同時に放電することで、回路電源を高速化
しても安定な動作が可能で、高速化に適した信号伝送回
路を実現することができる。
Here, the advantage of the signal transmission circuit according to the present embodiment is that the charges at both ends of the first bootstrap capacitor C11 are discharged at high speed and at the same time, so that stable operation is possible even if the circuit power supply is speeded up. A signal transmission circuit suitable for high speed can be realized.

【0059】また同時に、駆動パルスV2がノードN2
2に出力されると、ノードN22にゲートが接続された
3段目の第1の充電トランジスタT31がオンになり、
第1のブートストラップ容量C31が電源電圧VDDに
より充電され、第1のブートストラップ容量C31の充
電電圧が出力トランジスタT32の閾値電圧レベルを超
えると、3段目の出力トランジスタT32がオンする。
At the same time, the drive pulse V2 changes to the node N2.
When it is output to 2, the third charging transistor T31 of the third stage whose gate is connected to the node N22 is turned on,
When the first bootstrap capacitor C31 is charged by the power supply voltage VDD and the charging voltage of the first bootstrap capacitor C31 exceeds the threshold voltage level of the output transistor T32, the third stage output transistor T32 is turned on.

【0060】その後、論理「High」レベルの駆動パ
ルスV1が出力トランジスタT32のドレインに入力す
ると、出力トランジスタT32のゲートには、駆動パル
スV1の電位と第1のブートストラップ用容量C31両
端の電位差とが足されて印加されることとなり、出力ト
ランジスタT32のゲート電位が駆動パルスV1の電位
よりも上昇すると、駆動パルスV1が3段目の出力ノー
ドN32から出力パルスOUT3として利用される。
After that, when the drive pulse V1 of the logic "High" level is input to the drain of the output transistor T32, the potential of the drive pulse V1 and the potential difference between both ends of the first bootstrap capacitor C31 are input to the gate of the output transistor T32. When the gate potential of the output transistor T32 rises above the potential of the drive pulse V1, the drive pulse V1 is used as the output pulse OUT3 from the output node N32 of the third stage.

【0061】この出力パルスOUT3が、2段目におけ
る第1の放電トランジスタT23および第2の放電トラ
ンジスタT24のゲートに共通に印加されるので、3段
目の出力ノードN32に駆動パルスV1が出力された時
に、2段目の第1のブートストラップ容量C21両端の
電荷が高速かつ同時に放電されることになる。
Since this output pulse OUT3 is commonly applied to the gates of the first discharge transistor T23 and the second discharge transistor T24 in the second stage, the drive pulse V1 is output to the output node N32 in the third stage. At this time, the charges at both ends of the first bootstrap capacitor C21 in the second stage are discharged at high speed and simultaneously.

【0062】このような動作が繰り返されることで、信
号伝送回路は、さらに出力パルスを順次出力することに
なる。
By repeating such an operation, the signal transmission circuit sequentially outputs output pulses.

【0063】なお、第1および第2の放電トランジスタ
のそれぞれのソースは接地電位(0V)としているが、
各ソース電圧は、出力トランジスタの閾値電圧よりも小
さい値であれば、0Vでなくても同様の効果が得られ
る。
Although the sources of the first and second discharge transistors are set to the ground potential (0 V),
If each source voltage has a value smaller than the threshold voltage of the output transistor, the same effect can be obtained even if it is not 0V.

【0064】(第2の実施形態)図2は、本発明の第2
の実施形態に係る信号伝送回路の一構成例を示す回路図
である。本実施形態が第1の実施形態と異なる点は、2
段目以降の単位回路において、第2のブートストラップ
容量(C22、C32)と、第2のブートストラップ容
量を充電する第2の充電トランジスタ(T25、T3
5)と、第2のブートストラップ容量の両端の電荷を放
電する第3の放電トランジスタ(T26、T36)と、
3段目以降の単位回路において、第1のブートストラッ
プ容量(C31)のプラス側端子(ノードN31)にド
レインが、前々段の出力ノード(N12)にゲートが接
続され、ソースが接地される誤動作防止用トランジスタ
(T38)とを追加し、第2のブートストラップ容量の
プラス側端子(ノードN25、N35)を自身の段にお
ける第1の充電トランジスタ(T21、T31)のゲー
トに接続し、また第2のブートストラップ容量のマイナ
ス側端子(ノードN12、N22)を次段における第2
の充電トランジスタ(T25、T35)のゲートに接続
した点にある。
(Second Embodiment) FIG. 2 shows a second embodiment of the present invention.
3 is a circuit diagram showing a configuration example of a signal transmission circuit according to the embodiment of FIG. This embodiment is different from the first embodiment in that
In the unit circuits after the second stage, the second bootstrap capacitors (C22, C32) and the second charging transistors (T25, T3) that charge the second bootstrap capacitors.
5), and a third discharge transistor (T26, T36) for discharging the electric charge at both ends of the second bootstrap capacitor,
In the unit circuits of the third and subsequent stages, the drain is connected to the positive side terminal (node N31) of the first bootstrap capacitor (C31), the gate is connected to the output node (N12) of the previous stage, and the source is grounded. A malfunction preventing transistor (T38) is added, and the positive side terminal (node N25, N35) of the second bootstrap capacitor is connected to the gate of the first charging transistor (T21, T31) in its own stage. The negative side terminal (node N12, N22) of the second bootstrap capacitor is connected to the second terminal in the next stage.
Is connected to the gates of the charging transistors (T25, T35).

【0065】図2において、スタートパルスVST2が
論理「High」レベルになると、初段における第1の
ブートストラップ容量C11を充電する第1の充電トラ
ンジスタT11がオンになり、第1のブートストラップ
容量C11が電源電圧VDDにより充電され、第1のブ
ートストラップ容量C11の充電電圧が出力トランジス
タT12の閾値電圧レベルを超えると、初段の出力トラ
ンジスタT12がオンする。
In FIG. 2, when the start pulse VST2 becomes the logic "High" level, the first charging transistor T11 for charging the first bootstrap capacitor C11 in the first stage is turned on, and the first bootstrap capacitor C11 is turned on. When the first bootstrap capacitor C11 is charged by the power supply voltage VDD and the charging voltage of the first bootstrap capacitor C11 exceeds the threshold voltage level of the output transistor T12, the first-stage output transistor T12 is turned on.

【0066】また、スタートパルスVST1が論理「H
igh」レベルになると、2段目における第2のブート
ストラップ容量C22を充電する第2の充電トランジス
タT25がオンになり、第2のブートストラップ容量C
22が電源電圧VDDにより充電される。
Further, the start pulse VST1 is logically "H".
Then, the second charging transistor T25 that charges the second bootstrap capacitor C22 in the second stage is turned on, and the second bootstrap capacitor C22 is turned on.
22 is charged by the power supply voltage VDD.

【0067】その後、論理「High」レベルの駆動パ
ルスV1が出力トランジスタT12のドレインに入力す
ると、出力トランジスタT12のゲートには、駆動パル
スV1の電圧と第1のブートストラップ容量C11両端
の電位差とが足されて印加されることとなり、出力トラ
ンジスタT12のゲート電位が駆動パルスV1の電位よ
りも上昇すると、駆動パルスV1が初段の出力ノードN
12から出力パルスOUT1として利用される。
After that, when the drive pulse V1 of the logic "High" level is input to the drain of the output transistor T12, the gate of the output transistor T12 receives the voltage of the drive pulse V1 and the potential difference across the first bootstrap capacitor C11. When the gate potential of the output transistor T12 rises above the potential of the drive pulse V1, the drive pulse V1 is applied to the output node N of the first stage.
It is used from 12 as an output pulse OUT1.

【0068】ここで、本実施形態による信号伝送回路の
利点は、充電された第2のブートストラップ容量C22
のプラス側端子のノードN25に接続された2段目の第
1の充電トランジスタT21のゲートには、出力ノード
N12に出力された駆動パルスV1の電圧と第2のブー
トストラップ容量C22両端の電位差とが足されて印加
されることとなり、第1の充電トランジスタT21のゲ
ート電位がドレイン電位である電源電圧VDDよりも上
昇するため、2段目の第1のブートストラップ容量C2
1を電源電圧VDDに充電することができる点にある。
Here, the advantage of the signal transmission circuit according to the present embodiment is that the charged second bootstrap capacitor C22 is used.
At the gate of the second charging transistor T21 of the second stage connected to the node N25 of the positive side terminal, the voltage of the drive pulse V1 output to the output node N12 and the potential difference across the second bootstrap capacitor C22 are Is added and applied, and the gate potential of the first charging transistor T21 rises above the power supply voltage VDD that is the drain potential, so the first bootstrap capacitance C2 of the second stage is added.
1 can be charged to the power supply voltage VDD.

【0069】これによって、2段目の第1のブートスト
ラップ用容量C21を充電する第1の充電トランジスタ
T21が、たとえエンハンスメント型のNMOSであっ
ても、第1のブートストラップ容量C21を電源電圧V
DDに確実に充電でき、出力トランジスタT22をオン
にすることができる。
As a result, even if the first charging transistor T21 for charging the first bootstrap capacitor C21 of the second stage is an enhancement type NMOS, the first bootstrap capacitor C21 is supplied with the power supply voltage V21.
DD can be reliably charged and the output transistor T22 can be turned on.

【0070】また、出力ノードN12に駆動パルスV1
が出力される時、同時に、出力ノードN12にゲートが
接続された3段目の第2の充電トランジスタT35がオ
ンし、3段目の第2のブートストラップ容量C32が充
電される。
The drive pulse V1 is applied to the output node N12.
At the same time, the second charging transistor T35 of the third stage whose gate is connected to the output node N12 is turned on, and the second bootstrap capacitor C32 of the third stage is charged.

【0071】その後、論理「High」レベルの駆動パ
ルスV2が出力トランジスタT22のドレインに入力す
ると、出力トランジスタT22のゲートには、駆動パル
スV2の電位と第1のブートストラップ容量C21両端
の電位差とが足されて印加されることとなり、出力トラ
ンジスタT22のゲート電位が駆動パルスV2の電位よ
りも上昇すると、駆動パルスV2が2段目の出力ノード
N22から出力パルスOUT2として利用される。
After that, when the drive pulse V2 of the logic "High" level is input to the drain of the output transistor T22, the potential of the drive pulse V2 and the potential difference between both ends of the first bootstrap capacitor C21 are input to the gate of the output transistor T22. When the gate potential of the output transistor T22 rises above the potential of the drive pulse V2, the drive pulse V2 is used as the output pulse OUT2 from the output node N22 of the second stage.

【0072】また同時に、第2のブートストラップ容量
C32のプラス側端子であるノードN35に接続された
3段目の第1の充電トランジスタT31のゲートには、
出力ノードN22に出力された駆動パルスV2の電圧と
第2のブートストラップ容量C32両端の電位差とが足
されて印加されることとなり、第1の充電トランジスタ
T31のゲート電位がドレイン電位である電源電圧VD
Dよりも上昇するため、3段目の第1のブートストラッ
プ容量C31が電源電圧VDDに確実に充電され、出力
トランジスタT32がオンする。
At the same time, at the gate of the first charging transistor T31 of the third stage connected to the node N35 which is the positive terminal of the second bootstrap capacitor C32,
The voltage of the drive pulse V2 output to the output node N22 and the potential difference across the second bootstrap capacitance C32 are added and applied, and the gate potential of the first charging transistor T31 is the drain potential. VD
Since it rises above D, the first bootstrap capacitance C31 of the third stage is reliably charged to the power supply voltage VDD, and the output transistor T32 is turned on.

【0073】このような動作が繰り返されることで、信
号伝送回路は、さらに出力パルスOUT3以降を順次出
力することになる。
By repeating such an operation, the signal transmission circuit further sequentially outputs the output pulse OUT3 and thereafter.

【0074】このようにして、全ての信号伝送段におい
て、第1のブートストラップ容量が確実に電源電圧VD
Dに充電できることとなり、電圧降下の無い低電圧の出
力パルスを生成可能な信号伝送回路を実現できる。
In this way, the first bootstrap capacitance is surely supplied to the power supply voltage VD in all signal transmission stages.
Since D can be charged, a signal transmission circuit that can generate a low-voltage output pulse with no voltage drop can be realized.

【0075】また、ブートストラップ容量に充電した電
圧を放電する手段として、回路のトランジスタや電源を
少なくするために、2段目における第1のブートストラ
ップ容量C21の場合は、第1の放電トランジスタT2
3のドレインを第1のブートストラップ容量C21のプ
ラス側端子に接続し、第2の放電トランジスタT24の
ドレインを第1のブートストラップ容量C21のマイナ
ス側端子に接続し、第1の放電トランジスタT23およ
び第2の放電トランジスタT24のゲートに、次段であ
る3段目の出力トランジスタT32のソースに接続され
た出力ノードN32を接続する。これにより、3段目の
出力ノードN32に駆動パルスV1が出力された時に、
2段目における第1のブートストラップ容量C21が放
電されることになる。
As means for discharging the voltage charged in the bootstrap capacitor, in order to reduce the number of transistors and power supply in the circuit, in the case of the first bootstrap capacitor C21 in the second stage, the first discharge transistor T2.
3 is connected to the positive side terminal of the first bootstrap capacitor C21, the drain of the second discharge transistor T24 is connected to the negative side terminal of the first bootstrap capacitor C21, and the first discharge transistor T23 and The output node N32 connected to the source of the output transistor T32 in the third stage, which is the next stage, is connected to the gate of the second discharge transistor T24. Accordingly, when the drive pulse V1 is output to the output node N32 of the third stage,
The first bootstrap capacitance C21 in the second stage is discharged.

【0076】一方、2段目における第2のブートストラ
ップ容量C22の場合は、第3の放電トランジスタT2
6のドレインを第2のブートストラップ容量C22のプ
ラス側端子に接続し、第3の放電トランジスタT26の
ゲートに、自身である2段目の出力トランジスタT22
のソースに接続された出力ノードN22を接続する。こ
れにより、2段目の出力ノードN22に駆動パルスV2
が出力された時に、2段目における第2のブートストラ
ップ容量C22が放電されることになる。
On the other hand, in the case of the second bootstrap capacitance C22 in the second stage, the third discharge transistor T2
The drain of 6 is connected to the positive terminal of the second bootstrap capacitor C22, and the gate of the third discharge transistor T26 is connected to the output transistor T22 of the second stage, which is itself.
The output node N22 connected to the source of is connected. As a result, the drive pulse V2 is applied to the output node N22 of the second stage.
Is output, the second bootstrap capacitance C22 in the second stage is discharged.

【0077】この構成により、放電トランジスタを3個
追加するだけで、第1および第2のブートストラップ容
量を放電でき、他の外部入力パルスなどが無い規模の小
さい回路構成でも、本実施形態の信号伝送回路を実現す
ることができる。
With this configuration, the first and second bootstrap capacitances can be discharged by simply adding three discharge transistors, and the signal of this embodiment can be obtained even in a small-scale circuit configuration having no other external input pulse. A transmission circuit can be realized.

【0078】また、3段目における第1のブートストラ
ップ容量C31のプラス側端子(ノードN31)にドレ
インが接続され、初段における出力ノードN12にゲー
トが接続され、ソースが接地された誤動作防止用トラン
ジスタT38を設けている。3段目における第2のブー
トストラップ容量C32が充電された時、第1の充電ト
ランジスタT31がノードN35の電位により、多少オ
ンする。そして、第1のブートストラップ容量C31が
多少充電されるため、出力トランジスタT32の閾値電
圧が低い場合には、出力トランジスタT32が若干では
あるがオンしてしまう。この時、初段の出力ノードN1
2に駆動パルスV1が出力された時に、同時に3段目の
出力ノードN32にも駆動パルスV1が出力される可能
性がある。
Further, the malfunction preventing transistor in which the drain is connected to the plus side terminal (node N31) of the first bootstrap capacitor C31 in the third stage, the gate is connected to the output node N12 in the first stage, and the source is grounded T38 is provided. When the second bootstrap capacitor C32 in the third stage is charged, the first charging transistor T31 is turned on to some extent by the potential of the node N35. Then, since the first bootstrap capacitor C31 is charged to some extent, when the threshold voltage of the output transistor T32 is low, the output transistor T32 is slightly turned on. At this time, the output node N1 of the first stage
When the drive pulse V1 is output to 2, the drive pulse V1 may be output to the output node N32 of the third stage at the same time.

【0079】出力ノードN32に駆動パルスV1が出力
されることを防ぐために、誤動作防止用トランジスタT
38を設けて、初段の出力ノードN12に駆動パルスV
1が出力されている時に、誤動作防止用トランジスタT
38をオンして、ノードN31を0V付近にして、3段
目の出力ノードN32に駆動パルスV1が出力されない
ようにする。
In order to prevent the drive pulse V1 from being output to the output node N32, the malfunction prevention transistor T
38 is provided to drive the drive pulse V to the output node N12 of the first stage.
When 1 is output, malfunction prevention transistor T
38 is turned on to bring the node N31 to near 0 V so that the drive pulse V1 is not output to the output node N32 of the third stage.

【0080】このとき、3段目における第1の充電トラ
ンジスタT31のコンダクタンスを誤動作防止用トラン
ジスタT38のコンダクタンスよりも小さくすること
で、第1のブートストラップ容量C31のプラス端子側
をより0Vに近づけることができ、誤動作をより確実に
防止することができる。
At this time, the conductance of the first charging transistor T31 in the third stage is made smaller than the conductance of the malfunction preventing transistor T38, so that the positive terminal side of the first bootstrap capacitor C31 is brought closer to 0V. Therefore, malfunction can be prevented more reliably.

【0081】このように、3段目以降の各段に誤動作防
止用トランジスタを設けて、誤動作防止用トランジスタ
のゲートに、前々段の出力パルスを印加することで、出
力トランジスタの閾値電圧が低い場合でも誤動作を防止
でき、閾値電圧の範囲を広くとることができる。
As described above, by providing the malfunction preventing transistors in each of the third and subsequent stages and applying the output pulse of the preceding stage to the gate of the malfunction preventing transistor, the threshold voltage of the output transistor is low. Even in this case, malfunction can be prevented and the threshold voltage range can be widened.

【0082】また、誤動作防止用トランジスタのゲート
に前々段の出力トランジスタのソースを接続するように
構成したことで、他の外部入力パルスなどが無い規模の
小さい回路構成の場合でも、本実施形態による信号伝送
回路を実現することができる。
Further, since the source of the output transistor of the previous stage is connected to the gate of the malfunction preventing transistor, the present embodiment can be used even in the case of a small-scale circuit configuration having no other external input pulse. The signal transmission circuit can be realized.

【0083】なお、放電トランジスタおよび誤動作防止
用トランジスタのそれぞれのソースは接地電位(0V)
としているが、各ソース電圧は、出力トランジスタの閾
値電圧よりも小さい値であれば、0Vでなくても同様の
効果が得られる。
The sources of the discharge transistor and the malfunction prevention transistor are at the ground potential (0 V).
However, if each source voltage has a value smaller than the threshold voltage of the output transistor, the same effect can be obtained even if it is not 0V.

【0084】また、第1および第2の充電トランジスタ
のドレインには、電源電圧VDDとしてDC電圧が印加
されるため、誤動作が起こる可能性が発生し、誤動作防
止用トランジスタを組み込む必要があるが、充電トラン
ジスタのドレインに、電源電圧VDDとしてパルス電圧
を印加することで誤動作を防止することができる。すな
わち、出力トランジスタのソースに出力電圧が発生して
いる期間、次段の充電トランジスタのドレインを「Hi
gh」レベルとし、次次段の充電トランジスタのドレイ
ンを「Low」レベルにすることで、誤動作防止用トラ
ンジスタを省略することができる。
Further, since a DC voltage is applied as the power supply voltage VDD to the drains of the first and second charging transistors, a malfunction may occur and it is necessary to incorporate a malfunction preventing transistor. By applying a pulse voltage as the power supply voltage VDD to the drain of the charging transistor, malfunction can be prevented. That is, while the output voltage is being generated at the source of the output transistor, the drain of the charging transistor at the next stage is set to “Hi
The malfunction preventing transistor can be omitted by setting the drain level of the charging transistor in the next stage to the “low” level.

【0085】図3は、NMOSのみを用いた図2の信号
伝送回路における各部のパルス電圧を示すタイミングチ
ャートである。この回路は3V系の回路であり、駆動パ
ルスV1、V2の電圧振幅、および電源電圧VDDが3
Vの場合を示す。ただし、スタートパルスVST2の電
圧振幅は5V、スタートパルスVST1の電圧振幅は3
Vとする。ここで、スタートパルスVST2の電圧振幅
のみ5Vとするのは、スタートパルスVST2が入力さ
れる初段の第1の充電トランジスタT11の場合のみ、
前段からの高い電圧が供給できないため、スタートパル
スVST2のみ駆動パルスV1、V2の電圧振幅である
3Vよりも高い5Vで第1の充電トランジスタT11を
駆動することにより、第1の充電トランジスタT11に
よる電圧降下を防止し、第1のブートストラップ容量C
11を電源電圧VDDである3Vに充電可能にするため
である。
FIG. 3 is a timing chart showing the pulse voltage of each part in the signal transmission circuit of FIG. 2 using only NMOS. This circuit is a 3V system circuit, and the voltage amplitudes of the drive pulses V1 and V2 and the power supply voltage VDD are 3V.
The case of V is shown. However, the voltage amplitude of the start pulse VST2 is 5V, and the voltage amplitude of the start pulse VST1 is 3V.
V. Here, only the voltage amplitude of the start pulse VST2 is set to 5 V, only in the case of the first-stage first charging transistor T11 to which the start pulse VST2 is input,
Since the high voltage from the previous stage cannot be supplied, only the start pulse VST2 is driven by the first charging transistor T11 at 5V which is higher than 3V which is the voltage amplitude of the driving pulses V1 and V2. Prevents the fall, and the first bootstrap capacitance C
This is because 11 can be charged to the power supply voltage VDD of 3V.

【0086】図3において、時刻t0において、スター
トパルスVST2の電圧が5Vに立ち上がり、エンハン
スメント型のNMOSである第1の充電トランジスタT
11の閾値電圧Vtがあった場合でも、トランジスタT
11を介して第1のブートストラップ容量C11が電源
電圧VDDである3Vに充電され、出力トランジスタT
12がオンする。
In FIG. 3, at time t0, the voltage of the start pulse VST2 rises to 5V, and the first charging transistor T which is an enhancement type NMOS is used.
Even if there is a threshold voltage Vt of 11, the transistor T
The first bootstrap capacitor C11 is charged to 3V which is the power supply voltage VDD via 11 and the output transistor T
12 turns on.

【0087】同時に、スタートパルスVST1の電圧が
3Vに立ち上がり、第2の充電トランジスタT25を介
して第2のブートストラップ容量C22が充電される。
At the same time, the voltage of the start pulse VST1 rises to 3V, and the second bootstrap capacitor C22 is charged through the second charging transistor T25.

【0088】次に、時刻t1において、駆動パルスV1
が3Vに立ち上がり、出力トランジスタT12のドレイ
ンに入力すると、出力トランジスタT12のゲートに
は、駆動パルスV1の電圧3Vとブートストラップ容量
C11両端の電位差3Vとが足された高い電圧HB1電
圧が印加されるため、出力ノードN12から3V振幅の
駆動パルスV1が出力パルスOUT1として確実に出力
されることになる。
Next, at time t1, drive pulse V1
Rises to 3V and is input to the drain of the output transistor T12, a high voltage HB1 voltage obtained by adding the voltage 3V of the drive pulse V1 and the potential difference 3V across the bootstrap capacitor C11 is applied to the gate of the output transistor T12. Therefore, the drive pulse V1 having an amplitude of 3V is surely output from the output node N12 as the output pulse OUT1.

【0089】そして同時に、第2のブートストラップ容
量C22のプラス側端子に接続されたノードN25の高
電圧HB25が、第1の充電トランジスタT21のゲー
トに入力され、トランジスタT21がオンして、第1の
ブートストラップ容量C21が確実に電源電圧VDDで
ある3Vに充電されることになる。
At the same time, the high voltage HB25 of the node N25 connected to the positive side terminal of the second bootstrap capacitor C22 is input to the gate of the first charging transistor T21, turning on the transistor T21 and turning on the first charging transistor T21. The bootstrap capacitance C21 is surely charged to the power supply voltage VDD of 3V.

【0090】また、この時、ノードN35は3Vより低
い電圧(3V−ΔH35)が充電され、第1の充電トラ
ンジスタT31のゲートにも同じ電圧が印加される。こ
の場合、第1の充電トランジスタT31のソースに接続
されたノードN31の電位が第1の充電トランジスタT
31の閾値電圧以上にならないように、誤動作防止トラ
ンジスタT38をオンしてノードN31を接地電位の方
向に近づけることで、時刻t1に、ノードN32に駆動
パルスV1が出力されることを防ぐことができる。
At this time, the node N35 is charged with a voltage lower than 3V (3V-ΔH35), and the same voltage is applied to the gate of the first charging transistor T31. In this case, the potential of the node N31 connected to the source of the first charging transistor T31 is the first charging transistor T31.
It is possible to prevent the drive pulse V1 from being output to the node N32 at time t1 by turning on the malfunction prevention transistor T38 and bringing the node N31 closer to the ground potential direction so as not to exceed the threshold voltage of 31. .

【0091】同様にして、時刻t2、t3の場合も、時
刻t1の動作を繰り返すこととなる。
Similarly, at times t2 and t3, the operation at time t1 is repeated.

【0092】以上のように、本実施形態によれば、第1
の充電トランジスタのゲートには常に、第2のブートス
トラップ容量のプラス側端子電圧が加わるため、第1の
ブートストラップ容量を確実に電源電圧3Vに充電でき
ることとなり、電圧降下の無い、3Vの低電圧の出力パ
ルスを生成可能な信号伝送回路を実現できる。
As described above, according to this embodiment, the first
Since the positive side terminal voltage of the second bootstrap capacitor is always applied to the gate of the charging transistor of, the first bootstrap capacitor can be reliably charged to the power supply voltage of 3V, and a low voltage of 3V without voltage drop. It is possible to realize a signal transmission circuit capable of generating the output pulse of.

【0093】また、本実施形態では、NMOSトランジ
スタの場合について例示および説明したが、全てPMO
Sトランジスタである場合についても、同様な効果を得
ることができる。
Further, in the present embodiment, the case of the NMOS transistor has been illustrated and described, but all the PMOs are used.
Similar effects can be obtained even in the case of an S transistor.

【0094】また、本実施形態では、出力トランジスタ
のソース電圧を、ドライブ回路を用いて振幅を大きくし
電圧を上げることができる。
Further, in this embodiment, the source voltage of the output transistor can be increased by increasing the amplitude by using the drive circuit.

【0095】[0095]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
次段のブートストラップ容量を電源電圧VDDに充電す
ることができ、ブートストラップ容量への充電電圧の降
下を防ぐことができる。したがって、伝送段数が増える
ことにより、出力パルス電圧が次第に低下したり、何段
か先で出力パルスが出なくなることを防止することがで
きる。これによって、安定な低電圧駆動が可能な信号伝
送回路を実現することができる。
As described above, according to the present invention,
The bootstrap capacitor in the next stage can be charged to the power supply voltage VDD, and a drop in the charging voltage to the bootstrap capacitor can be prevented. Therefore, it is possible to prevent the output pulse voltage from gradually decreasing and the output pulse from being stopped at some stages after the number of transmission stages increases. As a result, it is possible to realize a signal transmission circuit capable of stable low voltage driving.

【0096】また、かかる信号伝送回路は、液晶デイス
プレイ、MOS型撮像装置の低電圧駆動実現の要請に沿
いながら、信号伝送回路をシフトレジスタに使用して、
低電圧化を実現とするものであって、産業上極めて有用
である。
In addition, the signal transmission circuit uses the signal transmission circuit as a shift register in accordance with a request for realizing low voltage driving of a liquid crystal display and a MOS type image pickup device.
It realizes low voltage and is extremely useful industrially.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の第1の実施形態に係る信号伝送回路
の一構成例を示す回路図
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration example of a signal transmission circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の第2の実施形態に係る信号伝送回路
の一構成例を示す回路図
FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration example of a signal transmission circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図3】 図2の信号伝送回路における各部のパルス電
圧を示すタイミングチャート
3 is a timing chart showing pulse voltages of respective parts in the signal transmission circuit of FIG.

【図4】 従来の信号伝送回路の一構成例を示す回路図FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration example of a conventional signal transmission circuit.

【図5】 図4の信号伝送回路における各部のパルス電
圧を示すタイミングチャート
5 is a timing chart showing pulse voltages of respective parts in the signal transmission circuit of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

C11、C21、C31 第1のブートストラップ容量 C22、C32 第2のブートストラップ容量 OUT1、OUT2、OUT3 出力パルス(走査パル
ス) T11、T21、T31 第1の充電トランジスタ T25、T35 第2の充電トランジスタ T12、T22、T32 出力トランジスタ T13、T23、T33 第1の放電トランジスタ T14、T24、T34 第2の放電トランジスタ T26、T36 第3の放電トランジスタ T38 誤動作防止用トランジスタ V1、V2 駆動パルス VDD 電源電圧 VST、VST1、VST2 スタートパルス
C11, C21, C31 First bootstrap capacitors C22, C32 Second bootstrap capacitors OUT1, OUT2, OUT3 Output pulse (scan pulse) T11, T21, T31 First charging transistor T25, T35 Second charging transistor T12 , T22, T32 output transistors T13, T23, T33 first discharge transistors T14, T24, T34 second discharge transistors T26, T36 third discharge transistor T38 malfunction prevention transistors V1, V2 drive pulse VDD power supply voltages VST, VST1 , VST2 start pulse

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5C024 CY42 GY31 HX35 HX40 HX55 5C080 BB05 DD08 FF12 GG14 JJ03 JJ04 5J055 AX02 AX14 BX16 CX30 DX12 DX42 DX56 DX73 EX02 EX07 EY10 EY21 EZ18 FX18 GX01 GX04    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F-term (reference) 5C024 CY42 GY31 HX35 HX40 HX55                 5C080 BB05 DD08 FF12 GG14 JJ03                       JJ04                 5J055 AX02 AX14 BX16 CX30 DX12                       DX42 DX56 DX73 EX02 EX07                       EY10 EY21 EZ18 FX18 GX01                       GX04

Claims (25)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の単位回路で構成され、駆動パルス
に従って前記単位回路からパルス電圧が順次出力される
信号伝送回路であって、 前記単位回路に設けられたブートストラップ容量の両端
の電荷を放電する放電トランジスタのゲートに共通のパ
ルス電圧が印加されることを特徴とする信号伝送回路。
1. A signal transmission circuit comprising a plurality of unit circuits, in which pulse voltages are sequentially output from the unit circuits in accordance with a drive pulse, and electric charges at both ends of a bootstrap capacitance provided in the unit circuits are discharged. A signal transmission circuit in which a common pulse voltage is applied to the gate of the discharge transistor.
【請求項2】 複数の単位回路で構成され、駆動パルス
に従って前記単位回路からパルス電圧が順次出力される
信号伝送回路であって、前記単位回路は、 前記駆動パルスをドレインに入力して、前記パルス電圧
としてソースから出力する出力トランジスタと、 前記出力トランジスタのゲートとソースとの間に接続さ
れたブートストラップ容量と、 前記ブートストラップ容量を充電するために、ソースが
前記出力トランジスタのゲートに接続された充電トラン
ジスタと、 ドレインが前記出力トランジスタのゲートに接続され、
ゲートが別の単位回路における出力トランジスタのソー
スまたはソース出力によりドライブされた出力に接続さ
れた誤動作防止用トランジスタとを備えたことを特徴と
する信号伝送回路。
2. A signal transmission circuit comprising a plurality of unit circuits, wherein a pulse voltage is sequentially output from the unit circuits according to a drive pulse, wherein the unit circuit inputs the drive pulse to a drain, An output transistor that outputs from the source as a pulse voltage, a bootstrap capacitance connected between the gate and the source of the output transistor, and a source connected to the gate of the output transistor to charge the bootstrap capacitance. And a drain connected to the gate of the output transistor,
A signal transmission circuit comprising a malfunction prevention transistor whose gate is connected to a source of an output transistor in another unit circuit or an output driven by a source output.
【請求項3】 複数の単位回路で構成され、駆動パルス
に従って前記単位回路からパルス電圧が順次出力される
信号伝送回路であって、前記単位回路は、 前記駆動パルスをドレインに入力して、前記パルス電圧
としてソースから出力する第1の出力トランジスタと、 前記第1の出力トランジスタのゲートとソースとの間に
接続された第1のブートストラップ容量と、 前記第1のブートストラップ容量を充電するために、ソ
ースが前記第1の出力トランジスタのゲートに接続さ
れ、ドレインが電源線または接地線あるいは充電パルス
線に接続された充電トランジスタと、 一端が前記充電トランジスタのゲートに接続された第2
のブートストラップ容量とを備えたことを特徴とする信
号伝送回路。
3. A signal transmission circuit comprising a plurality of unit circuits, wherein a pulse voltage is sequentially output from the unit circuits according to a drive pulse, wherein the unit circuit inputs the drive pulse to a drain, A first output transistor that outputs a pulse voltage from a source, a first bootstrap capacitor connected between the gate and the source of the first output transistor, and to charge the first bootstrap capacitor A source connected to the gate of the first output transistor and a drain connected to a power supply line, a ground line, or a charging pulse line; and a second end having one end connected to the gate of the charging transistor.
And a bootstrap capacitor for the signal transmission circuit.
【請求項4】 複数の単位回路で構成され、駆動パルス
に従って前記単位回路からパルス電圧が順次出力される
信号伝送回路であって、前記単位回路は、 前記駆動パルスをドレインに入力して、前記パルス電圧
としてソースから出力する第1の出力トランジスタと、 前記第1の出力トランジスタのゲートとソースとの間に
接続された第1のブートストラップ容量と、 前記第1のブートストラップ容量を充電するために、ソ
ースが前記第1の出力トランジスタのゲートに接続さ
れ、ドレインが電源線または接地線あるいは第1の充電
パルス線に接続された第1の充電トランジスタと、 一端が前記第1の充電トランジスタのゲートに接続さ
れ、他端が第2の出力トランジスタのソースまたはソー
ス出力によりドライブされた出力に接続された第2のブ
ートストラップ容量と、 前記第2のブートストラップ容量を充電するために、ソ
ースが前記第2のブートストラップ容量の一端に接続さ
れ、ドレインが電源線または接地線または第2の充電パ
ルス線に接続され、ゲートが第3の出力トランジスタの
ソースまたはソース出力によりドライブされた出力に接
続された第2の充電トランジスタとを備えたことを特徴
とする信号伝送回路。
4. A signal transmission circuit comprising a plurality of unit circuits, wherein a pulse voltage is sequentially output from the unit circuits according to a drive pulse, wherein the unit circuit inputs the drive pulse to a drain, A first output transistor that outputs a pulse voltage from a source, a first bootstrap capacitor connected between the gate and the source of the first output transistor, and to charge the first bootstrap capacitor A first charge transistor whose source is connected to the gate of the first output transistor and whose drain is connected to a power supply line, a ground line, or a first charge pulse line; and one end of the first charge transistor. A first output connected to the gate and the other end connected to the source of the second output transistor or the output driven by the source output. And a source connected to one end of the second bootstrap capacitor and a drain connected to a power supply line or a ground line or a second charging pulse line for charging the second bootstrap capacitor. And a second charging transistor having a gate connected to the source of the third output transistor or the output driven by the source output.
【請求項5】 前記信号伝送回路は、 前記第1の充電トランジスタのソースにドレインが接続
された第1の放電トランジスタと、 前記第2の充電トランジスタのソースにドレインが接続
された第2の放電トランジスタとを備えたことを特徴と
する請求項4記載の信号伝送回路。
5. The signal transmission circuit includes: a first discharge transistor having a drain connected to a source of the first charging transistor; and a second discharge transistor having a drain connected to a source of the second charging transistor. The signal transmission circuit according to claim 4, further comprising a transistor.
【請求項6】 前記信号伝送回路は、 前記第1のブートストラップ容量の前記第1の放電トラ
ンジスタが接続された端子とは異なる端子に接続された
第3の放電トランジスタと、 前記第2のブートストラップ容量の前記第2の放電トラ
ンジスタが接続された端子とは異なる端子に接続された
第4の放電トランジスタとを備えたことを特徴とする請
求項5記載の信号伝送回路。
6. The signal transmission circuit includes a third discharge transistor connected to a terminal different from a terminal connected to the first discharge transistor of the first bootstrap capacitor, and the second boot. The signal transmission circuit according to claim 5, further comprising a fourth discharge transistor connected to a terminal different from a terminal to which the second discharge transistor of the strap capacitor is connected.
【請求項7】 前記第3の放電トランジスタと前記第4
の放電トランジスタが同一のトランジスタであることを
特徴とする請求項6記載の信号伝送回路。
7. The third discharge transistor and the fourth discharge transistor
7. The signal transmission circuit according to claim 6, wherein the discharge transistors are the same transistor.
【請求項8】 前記第3および第4の放電トランジスタ
のゲートには、前記駆動パルスが入力されることを特徴
とする請求項6または7記載の信号伝送回路。
8. The signal transmission circuit according to claim 6, wherein the drive pulse is input to the gates of the third and fourth discharge transistors.
【請求項9】 前記第2の放電トランジスタおよび前段
の第3の放電トランジスタのゲートには、前記第1の出
力トランジスタのソースまたはソース出力によりドライ
ブされた出力が供給されることを特徴とする請求項6か
ら8のいずれか一項記載の信号伝送回路。
9. The source of the first output transistor or the output driven by the source output of the first output transistor is supplied to the gates of the second discharge transistor and the third discharge transistor of the preceding stage. Item 9. The signal transmission circuit according to any one of items 6 to 8.
【請求項10】 前記第2の出力トランジスタは、前段
の単位回路における出力トランジスタであり、前記第3
の出力トランジスタは、前々段の単位回路における出力
トランジスタであることを特徴とする請求項4から9の
いずれか一項記載の信号伝送回路。
10. The second output transistor is an output transistor in a unit circuit of the preceding stage, and the third output transistor
10. The signal transmission circuit according to claim 4, wherein the output transistor is an output transistor in a unit circuit of the previous stage.
【請求項11】 前記信号伝送回路は、前記第1の出力
トランジスタのゲートにドレインが接続された誤動作防
止用トランジスタを備えたことを特徴とする請求項3か
ら10のいずれか一項記載の信号伝送回路。
11. The signal transmission circuit according to claim 3, wherein the signal transmission circuit includes a malfunction prevention transistor having a drain connected to a gate of the first output transistor. Transmission circuit.
【請求項12】 前記信号伝送回路は、ドレインが前記
第1の出力トランジスタのゲートに接続され、ゲートが
前々段の単位回路における出力トランジスタのソースま
たはソース出力によりドライブされた出力に接続された
誤動作防止用トランジスタを備えたことを特徴とする請
求項3から10のいずれか一項記載の信号伝送回路。
12. The signal transmission circuit has a drain connected to the gate of the first output transistor, and a gate connected to the source of the output transistor in the unit circuit of the previous stage or an output driven by the source output. The signal transmission circuit according to claim 3, further comprising a malfunction preventing transistor.
【請求項13】 ある段において、前記第1の出力トラ
ンジスタのソースからパルス電圧が出力されている期
間、次段の前記第1の充電トランジスタを動作可能と
し、次次段の前記第1の充電トランジスタを動作禁止に
するような電源電圧パルスが前記第1の充電トランジス
タのドレインに供給されることを特徴とする請求項3か
ら12のいずれか一項記載の信号伝送回路。
13. In one stage, while the pulse voltage is being output from the source of the first output transistor, the first charging transistor of the next stage is made operable, and the first charging of the next next stage is performed. 13. The signal transmission circuit according to claim 3, wherein a power supply voltage pulse for disabling a transistor is supplied to the drain of the first charging transistor.
【請求項14】 前記第1の充電トランジスタのコンダ
クタンスが、前記誤動作防止用トランジスタのコンダク
タンスよりも小さいことを特徴とする請求項11または
12記載の信号伝送回路。
14. The signal transmission circuit according to claim 11, wherein the conductance of the first charging transistor is smaller than the conductance of the malfunction prevention transistor.
【請求項15】 前記トランジスタは全てNMOSトラ
ンジスタであり、前記第1の放電トランジスタのソース
には前記第1の出力トランジスタの閾値電圧よりも低い
電圧が供給され、前記第2の放電トランジスタのソース
には前記第1の充電トランジスタの閾値電圧よりも低い
電圧が供給されることを特徴とする請求項5から14の
いずれか一項記載の信号伝送回路。
15. The transistors are all NMOS transistors, a voltage lower than a threshold voltage of the first output transistor is supplied to a source of the first discharge transistor, and a source of the second discharge transistor is supplied to the source of the first discharge transistor. 15. The signal transmission circuit according to claim 5, wherein a voltage lower than a threshold voltage of the first charging transistor is supplied.
【請求項16】 前記トランジスタは全てNMOSトラ
ンジスタであり、前記第4の放電トランジスタのソース
には次段の第2の充電トランジスタの閾値電圧よりも低
い電圧が供給されることを特徴とする請求項6から14
のいずれか一項記載の信号伝送回路。
16. The transistors are all NMOS transistors, and the source of the fourth discharging transistor is supplied with a voltage lower than the threshold voltage of the second charging transistor of the next stage. 6 to 14
The signal transmission circuit according to claim 1.
【請求項17】 前記トランジスタは全てNMOSトラ
ンジスタであり、前記誤動作防止用トランジスタのソー
スには、接地電圧が供給されることを特徴とする請求項
11または12記載の信号伝送回路。
17. The signal transmission circuit according to claim 11, wherein all the transistors are NMOS transistors, and a ground voltage is supplied to a source of the malfunction prevention transistor.
【請求項18】 前記トランジスタは全てNMOSトラ
ンジスタであり、前記誤動作防止用トランジスタのソー
スには、前記第1の出力トランジスタの閾値電圧よりも
低い電圧が供給されることを特徴とする請求項10また
は11記載の信号伝送回路。
18. The transistor according to claim 10, wherein all the transistors are NMOS transistors, and a voltage lower than a threshold voltage of the first output transistor is supplied to a source of the malfunction prevention transistor. 11. The signal transmission circuit according to item 11.
【請求項19】 前記トランジスタは全てPMOSトラ
ンジスタであり、前記第1の放電トランジスタのソース
には前記第1の出力トランジスタの閾値電圧よりも高い
電圧が供給され、前記第2の放電トランジスタのソース
には前記第1の充電トランジスタの閾値電圧よりも高い
電圧が供給されることを特徴とする請求項5から14の
いずれか一項記載の信号伝送回路。
19. The transistors are all PMOS transistors, a source of the first discharge transistor is supplied with a voltage higher than a threshold voltage of the first output transistor, and a source of the second discharge transistor is supplied. 15. The signal transmission circuit according to claim 5, wherein a voltage higher than a threshold voltage of the first charging transistor is supplied.
【請求項20】 前記トランジスタは全てPMOSトラ
ンジスタであり、前記第4の放電トランジスタのソース
には次段の第2の充電トランジスタの閾値電圧よりも高
い電圧が供給されることを特徴とする請求項6から14
のいずれか一項記載の信号伝送回路。
20. The transistors are all PMOS transistors, and the source of the fourth discharging transistor is supplied with a voltage higher than the threshold voltage of the second charging transistor of the next stage. 6 to 14
The signal transmission circuit according to claim 1.
【請求項21】 前記トランジスタは全てPMOSトラ
ンジスタであり、前記誤動作防止用トランジスタのソー
スには、電源電圧が供給されることを特徴とする請求項
11または12記載の信号伝送回路。
21. The signal transmission circuit according to claim 11, wherein all the transistors are PMOS transistors, and a power supply voltage is supplied to a source of the malfunction prevention transistor.
【請求項22】 前記トランジスタは全てPMOSトラ
ンジスタであり、前記誤動作防止用トランジスタのソー
スには、前記第1の出力トランジスタの閾値電圧よりも
高い電圧が供給されることを特徴とする請求項11また
は12記載の信号伝送回路。
22. The transistor is a PMOS transistor, and a voltage higher than a threshold voltage of the first output transistor is supplied to a source of the malfunction prevention transistor. 12. The signal transmission circuit according to item 12.
【請求項23】 請求項3または4記載の信号伝送回路
を備えたことを特徴とする固体撮像装置。
23. A solid-state image pickup device comprising the signal transmission circuit according to claim 3.
【請求項24】 請求項23記載の固体撮像装置を搭載
したことを特徴とするカメラ。
24. A camera equipped with the solid-state imaging device according to claim 23.
【請求項25】 請求項3または4記載の信号伝送回路
を備えたことを特徴とする表示装置。
25. A display device comprising the signal transmission circuit according to claim 3 or 4.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003249848A (en) * 2002-02-26 2003-09-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd Activating method of signal transmission circuit
JP2004236301A (en) * 2003-01-10 2004-08-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Solid-state imaging apparatus and camera
JP2005017937A (en) * 2003-06-27 2005-01-20 Sanyo Electric Co Ltd Display device
JP2005017973A (en) * 2003-06-30 2005-01-20 Sanyo Electric Co Ltd Display device
JP2010152967A (en) * 2008-12-25 2010-07-08 Mitsubishi Electric Corp Shift register circuit
KR101143531B1 (en) 2009-03-27 2012-05-09 베이징 비오이 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 A gate drive device for a liquid crystal display
JP2012178215A (en) * 2006-01-07 2012-09-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, display device, liquid crystal display device, display module, and electronic appliance
JP2014056637A (en) * 2005-10-18 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, shift register, and display device

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003249848A (en) * 2002-02-26 2003-09-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd Activating method of signal transmission circuit
JP2004236301A (en) * 2003-01-10 2004-08-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Solid-state imaging apparatus and camera
JP4535696B2 (en) * 2003-06-27 2010-09-01 三洋電機株式会社 Display device
JP2005017937A (en) * 2003-06-27 2005-01-20 Sanyo Electric Co Ltd Display device
JP2005017973A (en) * 2003-06-30 2005-01-20 Sanyo Electric Co Ltd Display device
JP4522057B2 (en) * 2003-06-30 2010-08-11 三洋電機株式会社 Display device
JP2014056637A (en) * 2005-10-18 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, shift register, and display device
US9153341B2 (en) 2005-10-18 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
US11699497B2 (en) 2005-10-18 2023-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
US11011244B2 (en) 2005-10-18 2021-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
US10311960B2 (en) 2005-10-18 2019-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
US9646714B2 (en) 2005-10-18 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
US8742811B2 (en) 2006-01-07 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device having the same
TWI483267B (en) * 2006-01-07 2015-05-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device, and display device and electronic device having the same
JP2014160533A (en) * 2006-01-07 2014-09-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, display device, display module, and electronic apparatus
US9406699B2 (en) 2006-01-07 2016-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device having the same
US10325932B2 (en) 2006-01-07 2019-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device having the same
JP2014013641A (en) * 2006-01-07 2014-01-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, display device, display module, and electronic apparatus
US11133335B2 (en) 2006-01-07 2021-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device having the same
US11563037B2 (en) 2006-01-07 2023-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device having the same
JP2012178215A (en) * 2006-01-07 2012-09-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, display device, liquid crystal display device, display module, and electronic appliance
JP2010152967A (en) * 2008-12-25 2010-07-08 Mitsubishi Electric Corp Shift register circuit
KR101143531B1 (en) 2009-03-27 2012-05-09 베이징 비오이 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 A gate drive device for a liquid crystal display

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